KR20180041317A - Etching Composition - Google Patents
Etching Composition Download PDFInfo
- Publication number
- KR20180041317A KR20180041317A KR1020160133292A KR20160133292A KR20180041317A KR 20180041317 A KR20180041317 A KR 20180041317A KR 1020160133292 A KR1020160133292 A KR 1020160133292A KR 20160133292 A KR20160133292 A KR 20160133292A KR 20180041317 A KR20180041317 A KR 20180041317A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- acid
- weight
- parts
- etching
- copper
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
- C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
- C09K13/06—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid with organic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
- C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
- C09K13/08—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid containing a fluorine compound
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
- C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
- C09K13/10—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid containing a boron compound
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/44—Compositions for etching metallic material from a metallic material substrate of different composition
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 식각액 조성물에 관한 것이다. 특히, TFT-LCD 디스플레이의 전극으로 사용되는 식각액 조성물에 관한 것이다.The present invention relates to an etchant composition. In particular, the present invention relates to an etching solution composition used as an electrode of a TFT-LCD display.
반도체 장치에서 기판 위에 금속 배선을 형성하는 과정은 일반적으로 금속 막을 형성하기 위한 스퍼터링 공정, 포토레지스트 도포, 노광 및 현상에 의하여 원하는 패턴의 포토레지스트 형성 공정 및 배선 형성을 위한 식각 공정, 배선 형성 후 필요 없는 포토레지스트를 제거하는 박리 공정으로 이루어진다.The process of forming a metal wiring on a substrate in a semiconductor device generally includes a sputtering process for forming a metal film, a photoresist application, a photoresist forming process for forming a desired pattern by exposure and development, an etching process for forming wiring, And removing the photoresist without the photoresist.
반도체 장치 및 TFT-LCD의 기판을 제조하기 위해 TFT(Thin Film Transistor)의 게이트와 데이터 라인 전극용 배선 재료로 알루미늄 또는 알루미늄 합금층이 흔히 사용되었다. 하지만, 대형 디스플레이 구현을 위해서는 전극용 배선의 저항 감소가 필수적이다. 이를 위하여 저항이 낮은 금속인 구리를 배선 형성에 사용하고자 하는 시도가 진행되고 있다.An aluminum or aluminum alloy layer is often used as a wiring material for a gate of a TFT (Thin Film Transistor) and a data line electrode for manufacturing a semiconductor device and a TFT-LCD substrate. However, in order to realize a large display, it is necessary to reduce the resistance of the electrode wiring. For this purpose, attempts have been made to use copper, which is a metal having a low resistance, in wiring formation.
그러나, 배선 형성을 위하여 구리 막을 이용하는 공정은 실리콘 절연 막과의 접착력이 떨어지는 문제점이 있다. 이러한 구리 막의 단점을 보완하기 위해 티타늄, 몰리브덴, 티타늄/몰리브덴 합금 등을 하부 배리어 금속막으로 사용하고 있다.However, a process using a copper film for wiring formation has a problem in that the adhesive force with the silicon insulating film is inferior. Titanium, molybdenum, titanium / molybdenum alloy, etc. are used as a lower barrier metal film in order to compensate for the disadvantages of such a copper film.
배리어 금속이 티타늄/몰리브덴 합금인 경우 티타늄의 화학적 성질로 인해 특정 이온 또는 특정 조건으로만 식각을 해야되는 단점이 있다. 배리어 금속이 몰리브덴인 경우 식각 공정은 유리하나, 구리/티타늄, 구리/몰리브덴 합금막에 비해 구리막과 몰리브덴 막과의 접착력이 떨어지는 단점을 가지고 있다. 특히, 구리막과 몰리브덴 막의 접착력이 떨어지는 부분에 식각액의 침투에 의한 과식각 현상이 심화된다.When the barrier metal is a titanium / molybdenum alloy, there is a disadvantage that it must be etched only under specific ion or specific conditions due to the chemical nature of titanium. In the case where the barrier metal is molybdenum, the etching process is glass, but has a disadvantage in that the adhesion between the copper film and the molybdenum film is lower than that of the copper / titanium or copper / molybdenum alloy film. Particularly, the overgrowth phenomenon due to the penetration of the etching solution into the portion where the adhesion between the copper film and the molybdenum film is low is intensified.
구리막과 몰리브덴 합금막에 사용가능한 식각액 조성물에 관하여 대한민국 등록특허 10-1495619에는 과산화수소계 식각액이 개시되어 있다. 그러나, 상기 식각액은 몰리브덴 합금막에 대한 식각액으로 구리/몰리브덴 합금막의 경우 구리와 배리어 막간의 접착력이 떨어지는 부분에 대한 계면 보호가 고려되지 않아 구리/몰리브덴 막의 계면에 과식각 문제점이 있다. 또한, 특히 고리형 아민 화합물은 구리막 식각시 발생되는 구리 이온과 결합하는데, 이 경우 식각 조성물내에 염소 이온이 존재할 경우 염소 이온과 상기 결합물이 반응하면 난용성의 석출물이 발생하는 등의 문제점을 가지고 있다.Korean Patent No. 10-1495619 discloses an etching solution composition usable for a copper film and a molybdenum alloy film. However, the etchant is an etchant for a molybdenum alloy film. In the case of a copper / molybdenum alloy film, there is a problem in that the interface between the copper and the barrier film is not protected. Particularly, the cyclic amine compound is bonded to the copper ion generated when the copper film is etched. In this case, when chlorine ions are present in the etching composition, problems such as generation of a poorly soluble precipitate when the chloride ion and the above- Have.
따라서, 구리 및 몰리브덴 막의 낮은 접착력에 의해 발생하는 계면의 과식각 문제점을 개선할 수 있는 기술이 필요한 실정이다.Therefore, there is a need for a technique that can overcome the problems of over-etching of the interface caused by low adhesion of copper and molybdenum films.
본 발명은 구리 및 몰리브덴 막의 식각시 구리 및 몰리브덴 막의 계면에 과식각을 제어하여 우수하고 안정적인 식각 성능을 가지며, 식각 특성을 개선시킬 수 있는 식각액 조성물을 제공하고자 한다.The present invention provides an etchant composition capable of controlling an overexposure angle at an interface between a copper and a molybdenum film at the time of etching copper and molybdenum films, thereby achieving excellent and stable etching performance and improving etching properties.
상기의 목적을 달성하기 위해 본 발명은 과산화수소; 분자 내에 산소, 황 및 질소 중에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상을 포함하는 환형 또는 방향족화합물; 아미노카르복실계 또는 아미노인산계화합물; 유기산, 무기산 또는 그들의 염에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 화합물; 언더컷억제제; 및 C4 이상을 포함하는 알킬아민을 포함하는 식각액 조성물에 관한 것이다.In order to accomplish the above object, A cyclic or aromatic compound containing at least one selected from oxygen, sulfur and nitrogen in the molecule; Aminocarboxylic or amino phosphoric acid compounds; Any one or two or more compounds selected from organic acids, inorganic acids or salts thereof; Undercut inhibitors; And it relates to an etching liquid composition comprising an alkyl amine containing a C 4 or higher.
본 발명의 일 실시예에 따른 상기 식각액 조성물은 과산화수소 100 중량부를 기준으로, 환형 또는 방향족 화합물 0.1 내지 50 중량부; 아미노카르복실계 또는 아미노인산계화합물 0.1 내지 50 중량부; 유기산, 무기산 또는 그들의 염에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 화합물 0.1 내지 50 중량부; 언터컷억제제 0.01 내지 20 중량부; 및 알킬아민 0.1 내지 50 중량부를 포함할 수 있다.The etchant composition according to an embodiment of the present invention may contain 0.1 to 50 parts by weight of a cyclic or aromatic compound based on 100 parts by weight of hydrogen peroxide; 0.1 to 50 parts by weight of an aminocarboxylic or amino phosphoric acid compound; 0.1 to 50 parts by weight of any one or two or more compounds selected from organic acids, inorganic acids or salts thereof; 0.01 to 20 parts by weight of a turpentine inhibitor; And 0.1 to 50 parts by weight of an alkylamine.
본 발명의 일 실시예에 따른 상기 식각액 조성물은 불소화합물을 더 포함할 수 있다.The etchant composition according to an embodiment of the present invention may further include a fluorine compound.
본 발명의 일 실시예에 따른 상기 불소화합물은 과산화수소 100 중량부를 기준으로, 0.01 내지 20 중량부로 첨가될 수 있다.The fluorine compound according to an embodiment of the present invention may be added in an amount of 0.01 to 20 parts by weight based on 100 parts by weight of hydrogen peroxide.
본 발명의 일 실시예에 따른 상기 C4 이상을 포함하는 알킬아민은 C4 내지 C16을 포함하는 직쇄형 또는 분지쇄형의 알킬아민 화합물일 수 있다.The alkylamines including C 4 or more according to an embodiment of the present invention may be linear or branched alkylamine compounds containing C 4 to C 16 .
본 발명의 일 실시예에 따른 상기 C4 이상을 포함하는 알킬아민은 부틸아민, 펜틸아민, 헥실아민, 헵틸아민, 옥틸아민 및 2-에틸-1-헥실아민에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 혼합물일 수 있다.The alkylamine containing C 4 or more according to an embodiment of the present invention may be any one or a mixture of two or more selected from butylamine, pentylamine, hexylamine, heptylamine, octylamine and 2-ethyl-1-hexylamine Lt; / RTI >
본 발명의 일 실시예에 따른 상기 환형 또는 방향족화합물은 옥사졸, 이미다졸, 피라졸, 트리아졸, 테트라졸, 5-아미노테트라졸, 메틸테트라졸, 피페라진, 메틸피페라진, 히드록실에틸피페라진, 벤즈이미다졸, 벤즈피라졸, 톨루트리아졸, 히드로톨루트리아졸 및 히드록시톨루트리아졸에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 혼합물일 수 있다.The cyclic or aromatic compound according to an embodiment of the present invention may be selected from the group consisting of oxazole, imidazole, pyrazole, triazole, tetrazole, 5-aminotetrazole, methyltetrazole, piperazine, methylpiperazine, And may be any one or a mixture of two or more selected from benzoimidazole, benzimidazole, benzpyrazole, tolutriazole, hydrotolurriazole and hydroxytoluuriaazole.
본 발명의 일 실시예에 따른 상기 아미노카르복실계 또는 아미노인산계화합물은 분자내 아미노기와 함께, 카르복실산기 또는 포스폰산기를 포함할 수 있다.The aminocarboxylic or amino phosphoric acid compound according to an embodiment of the present invention may contain a carboxylic acid group or a phosphonic acid group together with an amino group in a molecule.
본 발명의 일 실시예에 따른 상기 아미노카르복실계 또는 아미노인산계화합물은 이미노디아세트산, 니트릴로트리아세트산, 에틸렌디아민테트라아세트산, 디에틸렌트리니트릴펜타아세트산, 아미노트리스(메틸렌포스폰산), (1-히드록시에탄-1,1-디일)비스(포스폰산), 에틸렌디아민 테트라(메틸렌포스폰산), 디에틸렌트리아민 펜타(메틸렌포스폰산), 알라닌, 글루탐산, 아미노부티르산 및 글리신 등에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 혼합물일 수 있다.The aminocarboxylic or amino phosphoric acid-based compound according to an embodiment of the present invention may be at least one selected from the group consisting of iminodiacetic acid, nitrilotriacetic acid, ethylenediaminetetraacetic acid, diethylenetri nylpentaacetic acid, aminotris (methylenephosphonic acid) (Methylenephosphonic acid), diethylenetriamine penta (methylenephosphonic acid), alanine, glutamic acid, aminobutyric acid, glycine, and the like, or It may be a mixture of two or more.
본 발명의 일 실시예에 따른 상기 무기산은 황산, 질산 및 인산에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 혼합물일 수 있으며,The inorganic acid according to an embodiment of the present invention may be any one or a mixture of two or more selected from sulfuric acid, nitric acid, and phosphoric acid,
상기 유기산은 아세트산, 포름산, 부탄산, 시트르산, 글리콜산, 옥살산, 말론산, 펜탄산, 프로피온산, 타르타르산, 글루콘산, 글리코산 및 숙신산 등에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 혼합물일 수 있으며,The organic acid may be any one or a mixture of two or more selected from acetic acid, formic acid, butanoic acid, citric acid, glycolic acid, oxalic acid, malonic acid, pentanoic acid, propionic acid, tartaric acid, gluconic acid,
상기 무기산염 및 유기산염은 인산수소칼륨, 인산수소나트륨, 인산수소암모늄, 인산나트륨, 과인산나트륨, 인산칼륨, 과인산칼륨, 인산암모늄 및 과인산암모늄 등에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 혼합물일 수 있다.The inorganic acid salt and organic acid salt may be any one or a mixture of two or more selected from potassium hydrogen phosphate, sodium hydrogen phosphate, ammonium hydrogen phosphate, sodium phosphate, sodium hypophosphate, potassium phosphate, potassium phosphate, ammonium phosphate and ammonium perphosphate.
본 발명의 일 실시예에 따른 상기 불소화합물은 HF, NaF, KF, AlF3 , HBF, NH4HF2, NaHF2, KHF2 및 NH4BF4에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 혼합물일 수 있다.The fluorine compound according to an embodiment of the present invention may be selected from the group consisting of HF, NaF, KF, AlF 3 , HBF, NH 4 HF 2 , NaHF 2 , KHF 2 And it may be any one or a mixture of two or more selected from NH 4 BF 4.
본 발명의 일 실시예에 따른 상기 언더컷 억제제는 아데닌, 구아닌, 이소구아닌, 하이포크산틴, 크산틴, 테오브로민, 카페인 및 유린산 등에서 선택되는 하나 또는 둘 이상의 혼합물일 수 있다.The undercut inhibitor according to an embodiment of the present invention may be one or a mixture of two or more selected from adenine, guanine, isoguanine, hypoxanthine, xanthine, theobromine, caffeine,
본 발명의 일 실시예에 따른 상기 식각액 조성물은 과수안정제, 식각안정제 및 글라스 식각억제제에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 첨가제를 더 포함할 수 있다.The etchant composition according to an embodiment of the present invention may further include one or two or more additives selected from a hydrous stabilizer, an etching stabilizer, and a glass etch inhibitor.
본 발명에 따른 식각액 조성물은 구리 및 몰리브덴막 계면의 과식각을 제어하고, 식각 조성물의 안정성을 높여, 우수하고 안정적인 식각 공정을 가능하게 할 수 있다.The etchant composition according to the present invention can control the overexcitation angle of the interface between the copper and molybdenum films, increase the stability of the etching composition, and enable an excellent and stable etching process.
또한, 본 발명의 식각액 조성물은 종래의 식각액 조성물과 대비하여 식각공정시 계면을 보호하여, 테이퍼 앵글, 시디 로스 및 시각 직선성 등의 식각 특성을 개선시킬 수 있으며, 불량률 감소에 효과적인 장점이 있다.In addition, the etchant composition of the present invention can improve the etching characteristics such as taper angle, sidewall, and visual linearity by protecting the interface in the etching process as compared with the conventional etchant composition, and is effective in reducing the defective rate.
도 1은 본 발명의 실시예 1에 따른 식각액 조성물을 이용하여 구리 및 몰리브덴 막을 식각한 후의 시편의 단면을 틸트(tilt)하여 주사전자현미경으로 관찰한 사진이다.
도 2는 본 발명의 실시예 6에 따른 식각액 조성물을 이용하여 구리 및 몰리브덴 막을 식각한 후 시편의 단면을 틸트(tilt)하여 주사전자현미경으로 관찰한 사진이다.
도 3은 본 발명의 실시예 11에 따른 식각액 조성물을 이용하여 구리 및 몰리브덴 막을 식각한 후 시편의 단면을 틸트(tilt)하여 주사전자현미경으로 관찰한 사진이다.
도 4는 본 발명의 비교예 1에 따른 식각액 조성물을 이용하여 구리 및 몰리브덴 막을 식각한 후 시편의 단면을 틸트(tilt)하여 주사전자현미경으로 관찰한 사진이다.
도 5는 본 발명의 비교예 6에 따른 식각액 조성물을 이용하여 구리 및 몰리브덴 막을 식각한 후 시편의 단면을 틸트(tilt)하여 주사전자현미경으로 관찰한 사진이다.
도 6은 본 발명의 실시예 1에 따른 식각액 조성물을 이용하여 구리 및 몰리브덴 막을 식각한 후 시편의 단면을 주사전자현미경으로 관찰한 사진이다.
도 7은 본 발명의 비교예 6에 따른 식각액 조성물을 이용하여 구리/몰리브덴 막을 식각한 후 시편의 단면을 주사전자현미경으로 관찰한 사진이다.FIG. 1 is a photograph of a cross section of a specimen after etching copper and molybdenum films by using an etchant composition according to Example 1 of the present invention and observing it with a scanning electron microscope. FIG.
FIG. 2 is a photograph of the cross section of a specimen after etching a copper and molybdenum film by using an etchant composition according to Example 6 of the present invention and observing it with a scanning electron microscope. FIG.
FIG. 3 is a photograph of the cross section of a specimen after etching copper and molybdenum films using an etchant composition according to Example 11 of the present invention and observing the specimen with a scanning electron microscope. FIG.
FIG. 4 is a photograph showing a tilt of a cross section of a specimen after etching copper and molybdenum films using an etchant composition according to Comparative Example 1 of the present invention, and observing the specimen with a scanning electron microscope.
FIG. 5 is a photograph of the cross section of a specimen after etching a copper and molybdenum film by using an etchant composition according to Comparative Example 6 of the present invention and observing it with a scanning electron microscope. FIG.
6 is a photograph of a cross section of a specimen after etching a copper and molybdenum film using an etching solution composition according to Example 1 of the present invention with a scanning electron microscope.
7 is a photograph of a cross section of a specimen after scanning a copper / molybdenum film with a scanning electron microscope using the etchant composition according to Comparative Example 6 of the present invention.
이하, 본 발명의 실시예에 따른 식각액 조성물에 대하여 보다 상세하게 설명한다.Hereinafter, the etchant composition according to an embodiment of the present invention will be described in more detail.
본 발명은 과산화수소; 분자 내에 산소, 황 및 질소 중에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상을 포함하는 환형 또는 방향족화합물; 아미노카르복실계 또는 아미노인산계화합물; 유기산, 무기산 또는 그들의 염에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 화합물; 언더컷억제제; 및 C4 이상을 포함하는 알킬아민을 포함하는 식각액 조성물에 관한 것이다.The present invention relates to hydrogen peroxide; A cyclic or aromatic compound containing at least one selected from oxygen, sulfur and nitrogen in the molecule; Aminocarboxylic or amino phosphoric acid compounds; Any one or two or more compounds selected from organic acids, inorganic acids or salts thereof; Undercut inhibitors; And it relates to an etching liquid composition comprising an alkyl amine containing a C 4 or higher.
상기 식각액 조성물은 과산화수소; 분자 내에 산소, 황 및 질소 중에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상을 포함하는 환형 또는 방향족화합물; 아미노카르복실계 또는 아미노인산계화합물; 유기산, 무기산 또는 그들의 염에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 화합물; 언더컷억제제; 및 C4 이상을 포함하는 알킬아민을 모두 포함함으로써 구리 및 몰리브덴 막을 동시에 효과적으로 식각할 수 있다. 또한, 구리 및 몰리브덴 막 계면의 과식각을 억제할 수 있어, 구리 및 몰리브덴 막의 접착력이 떨어지는 부분에 식각액 침투에 의한 과식각 현상을 효과적으로 제어할 수 있으며, 과식각 현상의 제어를 통해 안정적인 식각 공정을 수행할 수 있고, 구리 및 몰리브덴 막의 계면을 보호해 식각 특성을 현저하게 개선할 수 있는 특징이 있다The etchant composition may include hydrogen peroxide; A cyclic or aromatic compound containing at least one selected from oxygen, sulfur and nitrogen in the molecule; Aminocarboxylic or amino phosphoric acid compounds; Any one or two or more compounds selected from organic acids, inorganic acids or salts thereof; Undercut inhibitors; And alkylamines including C 4 or more, thereby simultaneously etching the copper and molybdenum films effectively. In addition, it is possible to control overeating angle of the copper and molybdenum film interface, effectively controlling overeating phenomenon due to penetration of the etching solution into a portion where the adhesion of the copper and molybdenum film is low, and controlling the over- And can protect the interface of the copper and molybdenum film, thereby remarkably improving the etching property
본 발명에서 "구리 및 몰리브덴 막"이란, 구리막과 몰리브덴막을 의미하며, 구리막과 몰리브덴막 이외의 구리막과 몰리브덴 합금막을 제외할 수 있다. The term "copper and molybdenum film" in the present invention means a copper film and a molybdenum film, and a copper film and a molybdenum alloy film other than the copper film and the molybdenum film may be excluded.
상기 몰리브덴 합금막의 경우, 구리 및 몰리브덴 막보다 구리 막과 배리어 막간의 접착력이 우수하여, C4 이상을 포함하는 알킬아민의 고려 대상이 아닐 수 있다.In the case of the molybdenum alloy film, the adhesion between the copper film and the barrier film is superior to that of the copper and molybdenum film, and thus the alkylamine containing C 4 or more may not be considered.
본 발명의 일 실시예에 따른 상기 식각액 조성물은 과산화수소 100 중량부를 기준으로, 환형 또는 방향족 화합물 0.1 내지 50 중량부; 아미노카르복실계 또는 아미노인산계화합물 0.1 내지 50 중량부; 유기산, 무기산 또는 그들의 염에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 화합물 0.1 내지 50 중량부; 언터컷억제제 0.01 내지 20 중량부; 및 알킬아민 0.1 내지 50 중량부를 포함할 수 있다. 이와 같은 범위에서 구리 및 몰리브덴막 계면의 과식각 제어 효과가 뛰어나다.The etchant composition according to an embodiment of the present invention may contain 0.1 to 50 parts by weight of a cyclic or aromatic compound based on 100 parts by weight of hydrogen peroxide; 0.1 to 50 parts by weight of an aminocarboxylic or amino phosphoric acid compound; 0.1 to 50 parts by weight of any one or two or more compounds selected from organic acids, inorganic acids or salts thereof; 0.01 to 20 parts by weight of a turpentine inhibitor; And 0.1 to 50 parts by weight of an alkylamine. In this range, the effect of controlling the overeating angle of the copper and molybdenum film interface is excellent.
보다 좋게는, 본 발명의 일 예에 따른 식각액 조성물은 과산화수소 100 중량부를 기준으로, 환형 또는 방향족 화합물 1 내지 20 중량부; 아미노카르복실계 또는 아미노인산계화합물 1 내지 20 중량부; 유기산, 무기산 또는 그들의 염에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 화합물 1 내지 20 중량부; 언터컷억제제 0.1 내지 20 중량부; 및 알킬아민 1 내지 20 중량부를 포함할 수 있다. 이와 같은 범위에서 구리 및 몰리브덴막 계면의 과식각을 더욱 효과적으로 제어할 수 있으며, 테이퍼 앵글, 시디 로스 및 시각 직진성 등의 식각 특성을 효과적으로 개선할 수 있다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a schematic sectional view of an etching solution composition according to an embodiment of the present invention. Fig. 1 to 20 parts by weight of an aminocarboxylic or amino phosphoric acid compound; 1 to 20 parts by weight of any one or two or more compounds selected from organic acids, inorganic acids or salts thereof; 0.1 to 20 parts by weight of a turpentine inhibitor; And 1 to 20 parts by weight of an alkylamine. In such a range, the overexcitation angle of the copper and molybdenum film interface can be more effectively controlled, and the etching characteristics such as taper angle, seed loss, and visual straightness can be effectively improved.
특히 바람직하게, 본 발명의 일 예에 따른 식각액 조성물은 과산화수소 100 중량부를 기준으로, 환형 또는 방향족 화합물 2 내지 10 중량부; 아미노카르복실계 또는 아미노인산계화합물 5 내지 15 중량부; 유기산, 무기산 또는 그들의 염에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 화합물 1 내지 10 중량부; 언터컷억제제 1 내지 5 중량부; 및 알킬아민 1 내지 10 중량부를 포함할 수 있다. 이와 같은 범위에서 구리 및 몰리브덴막 계면의 과식각 제어 효과를 현저하게 향상시킬 수 있으며, 우수한 테이퍼 앵글, 시디 로스 및 시각 직진성 등의 식각 특성을 확보할 수 있다.Particularly preferably, the etchant composition according to an embodiment of the present invention comprises, based on 100 parts by weight of hydrogen peroxide, 2 to 10 parts by weight of a cyclic or aromatic compound; 5 to 15 parts by weight of an aminocarboxylic or amino phosphoric acid compound; 1 to 10 parts by weight of any one or two or more compounds selected from organic acids, inorganic acids or salts thereof; 1 to 5 parts by weight of a cutter inhibitor; And 1 to 10 parts by weight of an alkylamine. In this range, the overeating angle control effect of the copper and molybdenum film interface can be remarkably improved, and etching characteristics such as excellent taper angle, seed loss, and visual straightness can be secured.
이하 본 발명의 일 실시예에 따른 식각액 조성물의 각 구성성분들에 대해 보다 구체적인 일 예로 설명한다.Hereinafter, each component of the etchant composition according to an embodiment of the present invention will be described in more detail.
a) 과산화수소a) Hydrogen peroxide
본 발명의 일 실시예에 따른 과산화수소는 구리와 몰리브덴, 또는 구리 및 몰리브덴 막의 주 산화제로 작용할 수 있다.Hydrogen peroxide according to one embodiment of the present invention can act as a primary oxidizer of copper and molybdenum, or copper and molybdenum films.
본 발명의 일 실시예에 따른 과산화수소는 식각액 조성물에 대하여 10 내지 30 중량%를 포함할 수 있으며, 좋게는 15 내지 25 중량%를 포함하는 것이 바람직할 수 있다. 상기 과산화수소가 10 중량% 미만으로 포함될 경우, 구리와 몰리브덴의 산화력이 충분하지 않아 식각이 이루어지지 않을 수 있으며, 과산화수소가 30 중량%를 초과하여 포함될 경우 식각 속도가 너무 빨라 공정 제어가 어려워질 수 있다. 상기의 범위 내에서, 과산화수소는 바람직한 식각속도를 구현할 수 있어 식각 잔사 및 식각 불량을 방지할 수 있다. 또한, 시디로스(CD loss)가 감소하고 공정 조절이 용이할 수 있다.The hydrogen peroxide according to an embodiment of the present invention may include 10 to 30 wt%, preferably 15 to 25 wt%, of the etchant composition. If the hydrogen peroxide is contained in an amount less than 10 wt%, etching may not be performed due to insufficient oxidizing power of copper and molybdenum. If the hydrogen peroxide is contained in an amount exceeding 30 wt%, the etching speed may become too fast, . Within the above range, hydrogen peroxide can realize a desired etching rate, thereby preventing etching residue and etch failure. In addition, CD loss can be reduced and process control can be facilitated.
b) 분자 내에 산소, 황 및 질소 중에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상을 포함하는 환형 또는 방향족화합물b) a cyclic or aromatic compound containing at least one selected from oxygen, sulfur and nitrogen in the molecule
본 발명의 일 실시예에 따른 분자 내에 산소, 황 및 질소 중에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상을 포함하는 환형 또는 방향족화합물은 구리 및 몰리브덴의 식각 속도를 조절하여, 패턴의 시디 로스(CD loss)를 줄여줄 수 있다. 또한, 분자 내에 산소, 황 및 질소 중에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상을 포함하는 환형 또는 방향족화합물은 공정의 마진을 높이며, 적절한 테이퍼앵글을 갖는 식각 프로파일이 되도록 할 수 있는 것이다.The cyclic or aromatic compound containing at least one selected from oxygen, sulfur and nitrogen in the molecule according to an embodiment of the present invention controls the etching rate of copper and molybdenum to control the CD loss of the pattern You can reduce it. In addition, a cyclic or aromatic compound containing any one or two or more selected from among oxygen, sulfur and nitrogen in the molecule can increase the process margin, and can be an etching profile having an appropriate taper angle.
구체적인 일 예로, 상기 분자 내에 산소, 황 및 질소 중에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상을 포함하는 환형 또는 방향족화합물은 옥사졸(oxazole), 이미다졸(imidazole), 피라졸(pyrazole), 트리아졸(triazole), 테트라졸(tetrazole), 5-아미노테트라졸(5-aminotetrazole), 메틸테트라졸(methyltetrazole), 피페라진(piperazine), 메틸피페라진(methylpiperazine), 히드록실에틸피페라진(hydroxyethylpiperazine), 벤즈이미다졸(benzimidazole), 벤즈피라졸(benzpyrazole), 톨루트리아졸(tolutriazole), 히드로톨루트리아졸(hydrotolutriazole) 및 히드록시톨루트리아졸(hydroxytolutriazole)에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 혼합물일 수 있으며, 이에 제한되지 않는다.As a specific example, the cyclic or aromatic compound containing one or more selected from oxygen, sulfur and nitrogen in the molecule may be selected from the group consisting of oxazole, imidazole, pyrazole, triazole ), Tetrazole, 5-aminotetrazole, methyltetrazole, piperazine, methylpiperazine, hydroxyethylpiperazine, benzimidazole, and the like. May be any one or a mixture of two or more selected from benzimidazole, benzpyrazole, tolutriazole, hydrotolutriazole and hydroxytolutriazole, , But is not limited thereto.
본 발명의 분자 내에 산소, 황 및 질소 중에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상을 포함하는 환형 또는 방향족화합물은 과산화수소 100 중량부를 기준으로, 0.1 내지 50 중량부, 보다 좋게는 1 내지 20 중량부, 더욱 좋게는 2 내지 10 중량부를 포함하는 것이 바람직할 수 있다. 상기 범위 내에서 산소, 황 및 질소 중에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상을 포함하는 환형 또는 방향족화합물은 적절한 식각 속도를 유지할 수 있어 바람직할 수 있다. The cyclic or aromatic compound containing any one or two or more selected from among oxygen, sulfur and nitrogen in the molecule of the present invention may be used in an amount of 0.1 to 50 parts by weight, more preferably 1 to 20 parts by weight, May preferably contain 2 to 10 parts by weight. The cyclic or aromatic compound containing any one or two or more selected from the group consisting of oxygen, sulfur and nitrogen within the above range may be preferable because it can maintain an appropriate etching rate.
상기 분자 내에 산소, 황 및 질소 중에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상을 포함하는 환형 또는 방향족화합물이 0.1 중량부 미만으로 포함될 경우 식각 속도 조절이 어렵고, 테이퍼 앵글을 조절할 수 있는 능력이 저하될 수 있으며, 공정 마진이 적어 양산성이 저하될 수 있다. 또한, 분자 내에 산소, 황 및 질소 중에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상을 포함하는 환형 또는 방향족화합물이 50 중량부를 초과하여 포함되는 경우 식각 속도가 감소하여 비효율적일 수 있다.If the molecule contains less than 0.1 part by weight of a cyclic or aromatic compound containing any one or more selected from among oxygen, sulfur and nitrogen, it is difficult to control the etching rate and the ability to adjust the taper angle may be deteriorated, The process margin may be small and the mass productivity may be degraded. Also, if the molecule contains more than 50 parts by weight of a cyclic or aromatic compound containing any one or two or more selected from among oxygen, sulfur and nitrogen, the etching rate may be reduced and it may be ineffective.
c) 아미노카르복실계 또는 아미노인산계화합물c) an aminocarboxylic or amino phosphoric acid compound
본 발명의 일 실시예에 따른 아미노카르복실계 또는 아미노인산계화합물은 식각이 진행되는 동안 발생하는 구리이온, 몰리브덴 이온 등의 금속 이온들과 킬레이트를 형성하여 비활성화 시킴으로써 이들 금속에 의한 부반응 발생을 방지할 수 있다. 그 결과 반복되는 식각 공정에도 식각 특성을 유지할 수 있도록 한다. The aminocarboxylic or amino phosphoric acid compound according to an embodiment of the present invention forms a chelate with a metal ion such as copper ion or molybdenum ion generated during the etching process to inactivate it, can do. As a result, the etch characteristics can be maintained even in the repeated etching process.
특히 구리층의 경우, 식각액 조성물 중에 구리 이온이 다량으로 잔존할 경우 패시베이션(passivation) 막을 형성하여 산화되어, 식각이 되지 않는 문제점이 있으나, 아미노카르복실계 또는 아미노인산계화합물의 투입시 구리 이온의 패시베이션(passivation) 막 형성을 방지할 수 있다. 또한, 아미노카르복실계 또는 아미노인산계화합물은 과산화수소 자체의 분해반응을 방지하여 식각액의 안정성을 증가시킬 수 있다. Particularly, in the case of a copper layer, copper ions are formed in a passivation film when the etching solution composition contains a large amount of copper ions. However, there is a problem that etching is not performed. However, when an aminocarboxylic or amino phosphoric acid compound is added, It is possible to prevent formation of a passivation film. Further, the aminocarboxylic or amino phosphoric acid-based compound can prevent the decomposition reaction of hydrogen peroxide itself and increase the stability of the etching solution.
만약, 식각액 조성물 중에 아미노카르복실계 또는 아미노인산계화합물이 첨가되지 않을 경우, 식각이 진행되는 동안 산화된 금속 이온이 활성화되어 식각액의 식각 특성이 변화되기 쉽고, 과산화수소의 분해 반응이 촉진되어 발명 및 폭발이 발생할 수 있다.If the aminocarboxylic or amino phosphoric acid compound is not added to the etchant composition, the oxidized metal ions are activated during the etching process, the etching characteristics of the etchant are easily changed, and the decomposition reaction of hydrogen peroxide is promoted. Explosion may occur.
따라서, 본 발명의 아미노카르복실계 또는 아미노인산계화합물은 식각공정 시 발생되는 금속이온들과 킬레이션(chelation)하여 과산화수소의 분해를 억제하며, 식각 조성물의 보관시에도 안정성을 높이는 역할을 할 수 있다.Accordingly, the aminocarboxylic or amino phosphoric acid compound of the present invention chelates with metal ions generated during the etching process to inhibit the decomposition of hydrogen peroxide, and can improve the stability even when the etching composition is stored have.
본 발명의 일 실시예에 따른 상기 아미노카르복실계 또는 아미노인산계화합물은 분자내 아미노기와 함께, 카르복실산기 또는 포스폰산기를 포함할 수 있다.The aminocarboxylic or amino phosphoric acid compound according to an embodiment of the present invention may contain a carboxylic acid group or a phosphonic acid group together with an amino group in a molecule.
구체적인 일 예로, 상기 아미노카르복실계 또는 아미노인산계화합물은 이미노디아세트산(iminodiacetic acid), 니트릴로트리아세트산(nitrilotriacetic acid), 에틸렌디아민테트라아세트산(ethylenediaminetetraacetic acid), 디에틸렌트리니트릴펜타아세트산(diethylenetrinitrilacetic acid), 아미노트리스(메틸렌포스폰산)aminotris(methylenephosphonic acid)), (1-히드록시에탄-1,1-디일)비스(포스폰산)((1-hydroxyethane-1,1-diyl)bis(phosphonic acid)), 에틸렌디아민 테트라(메틸렌포스폰산))(ethylenediamine tetra(methylene phosphonic acid)), 디에틸렌트리아민 펜타(메틸렌포스폰산))(Diethylenetriamine penta(methylene phosphonic acid), 알라닌(alanine), 글루탐산(glutamic acid), 아미노부티르산(aminobutyric acid) 및 글리신(glycin) 등에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 혼합물일 수 있으며, 바람직하게는 이미노디아세트산(iminodiacetic acid)일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.For example, the aminocarboxylic or amino phosphoric acid-based compound may be at least one selected from the group consisting of iminodiacetic acid, nitrilotriacetic acid, ethylenediaminetetraacetic acid, diethylenetrinitrilacetic acid, Aminotris (methylenephosphonic acid), (1-hydroxyethane-1,1-diyl) bis (phosphonic acid) ((1-hydroxyethane-1,1-diyl) bis (phosphonic acid) ), Ethylenediamine tetra (methylene phosphonic acid), diethylenetriamine penta (methylene phosphonic acid), alanine (alanine), glutamic acid (methylene phosphonic acid) ), Aminobutyric acid and glycin, and the like, preferably a mixture of iminodiacetic acid acid, but is not limited thereto.
상기 아미노카르복실계 또는 아미노인산계화합물은 과산화수소 100 중량부를 기준으로, 0.1 내지 50 중량부, 보다 좋게는 1 내지 20 중량부, 더욱 좋게는 5 내지 15 중량부를 포함하는 것이 바람직할 수 있다. 상기 범위 내에서 우수한 효율로 금속 이온들을 비활성화 시킬 수 있고, 금속 이온에 대한 부반응을 방지할 수 있어 바람직할 수 있다.The aminocarboxylic or amino phosphoric acid-based compound may preferably contain 0.1 to 50 parts by weight, more preferably 1 to 20 parts by weight, and more preferably 5 to 15 parts by weight, based on 100 parts by weight of hydrogen peroxide. It is possible to deactivate the metal ions with excellent efficiency within the above range and to prevent the side reaction on the metal ion.
상기 아미노카르복실계 또는 아미노인산계화합물이 0.1 중량부 미만으로 포함될 경우 비활성화시킬 수 있는 금속 이온량이 너무 작아서 과산화수소 분해반응을 제어하는 능력이 떨어질 수 있고, 50 중량부을 초과하여 포함되는 경우 추가적인 킬레이트 형성으로 금속을 비활성화 시키는 작용을 기대할 수 없어 비효율적일 수 있다. If the aminocarboxylic or amino phosphoric acid compound is contained in an amount of less than 0.1 part by weight, the amount of the metal ion that can be deactivated is too small to have an ability to control the hydrogen peroxide decomposition reaction. If the amount exceeds 50 parts by weight, Can not be expected to be ineffective.
d) 유기산, 무기산 또는 그들의 염에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 화합물d) any one or two or more compounds selected from organic acids, inorganic acids or salts thereof
본 발명의 일 실시예에 따른 유기산, 무기산 또는 그들의 염에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 화합물은 구리 및 몰리브덴에 대한 보조 산화제의 역할을 하며, 테이터 프로파일을 개선시킬 수 있다.Any one or two or more compounds selected from organic acids, inorganic acids or their salts according to an embodiment of the present invention may serve as a supplementary oxidant for copper and molybdenum and improve the data profile.
구체적인 일 예로, 상기 무기산은 황산, 질산 및 인산 등에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 혼합물일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.As a specific example, the inorganic acid may be any one or a mixture of two or more selected from sulfuric acid, nitric acid and phosphoric acid, but is not limited thereto.
구체적인 일 예로, 상기 유기산은 아세트산, 포름산, 부탄산, 시트르산, 글리콜산, 옥살산, 말론산, 펜탄산, 프로피온산, 타르타르산, 글루콘산, 글리코산 및 숙신산 등에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 혼합물일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.As a specific example, the organic acid may be any one or a mixture of two or more selected from acetic acid, formic acid, butanoic acid, citric acid, glycolic acid, oxalic acid, malonic acid, pentanoic acid, propionic acid, tartaric acid, gluconic acid, , But is not limited thereto.
구체적인 일 예로, 상기 그들의 염인, 무기산염 및 유기산염은 인산염(phosphate)일 수 있으며, 인산수소칼륨(potassium hydrogen phosphate), 인산수소나트륨(sodium hydrogen phosphate), 인산수소암모늄(ammonium hydrogen phosphate), 인산나트륨(sodium phosphate), 과인산나트륨(sodium perphosphate), 인산칼륨(potassium phosphate), 과인산칼륨(potassium perphosphate), 인산암모늄(ammonium phosphate) 및 과인산암모늄(ammonium perphosphate) 등에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 혼합물일 수 있으며, 좋게는 인산수소암모늄(ammonium hydrogen phosphate)이 식각특성 개선효과가 우수하여 바람직할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.As a specific example, the salts of inorganic acid salts and organic acid salts thereof, which may be phosphate, include potassium hydrogen phosphate, sodium hydrogen phosphate, ammonium hydrogen phosphate, phosphoric acid Sodium phosphate, sodium perphosphate, potassium phosphate, potassium perphosphate, ammonium phosphate, and ammonium perphosphate, and the like, or a mixture of two or more thereof selected from sodium phosphate, sodium perphosphate, potassium phosphate, ammonium perphosphate, And ammonium hydrogen phosphate is preferable because it is excellent in improving the etching property, but is not limited thereto.
상기 유기산, 무기산 또는 그들의 염에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 화합물는 과산화수소 100 중량부를 기준으로, 0.1 내지 50 중량부, 보다 좋게는 1 내지 20 중량부, 더욱 좋게는 1 내지 10 중량부를 포함하는 것이 바람직할 수 있다. 상기 범위 내에서 유기산, 무기산 또는 그들의 염에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 화합물 사용에 따른 테이퍼 프로파일 개선 효과가 우수하고, 식각특성의 저하를 억제할 수 있어 바람직할 수 있다. It is preferable that any one or two or more compounds selected from the above organic acids, inorganic acids or salts thereof contain 0.1 to 50 parts by weight, more preferably 1 to 20 parts by weight, and more preferably 1 to 10 parts by weight, based on 100 parts by weight of hydrogen peroxide can do. Within this range, it is possible to obtain a taper profile improvement effect by using any one or two or more compounds selected from organic acids, inorganic acids or their salts, and to suppress the deterioration of the etching properties.
e) 언더컷 억제제e) Undercut inhibitor
구리 및 몰리브덴 막의 동시 식각시 몰리브덴 막의 언더컷의 식각을 제어하기 위해서 불소화합물 및 분자 내에 산소, 황 및 질소 중에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상을 포함하는 환형 또는 방향족화합물의 함량으로 조절하게 되는데, 불소화합물의 함량을 작게 하는 경우 몰리브덴의 잔사가 발생할 우려가 있고, 분자 내에 산소, 황 및 질소 중에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상을 포함하는 환형 또는 방향족화합물의 함량을 증가시키는 경우 구리의 식각속도가 현저하게 감소하여 식각 공정의 진행이 어려워질 수 있다.In order to control the etching of the undercut of the molybdenum film when the copper and molybdenum films are simultaneously etched, the content of the fluorine compound and the cyclic or aromatic compound containing at least one selected from oxygen, sulfur and nitrogen is controlled. There is a possibility that a residue of molybdenum occurs. When the content of the cyclic or aromatic compound containing any one or two or more selected from oxygen, sulfur and nitrogen is increased in the molecule, the etching rate of copper is remarkably increased And the etching process may become difficult.
이에 대해 본 발명은 언더컷 억제제를 포함하여, 몰리브덴 막의 잔사 발생이나 구리의식각속도 저하를 방지할 수 있다.On the contrary, the present invention can prevent occurrence of residue of the molybdenum film and deterioration of the angular velocity of copper, including the undercut inhibitor.
본 발명의 일 실시예에 따른 상기 언더컷 억제제는 피리미딘과 이미다졸의 축합 구조 내에 아미노기, 히드록시기, 카르보닐기 및 메틸기로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 이상의 작용기를 포함하는 화합물일 수 있다.The undercut inhibitor according to an embodiment of the present invention may be a compound containing at least one functional group selected from the group consisting of an amino group, a hydroxyl group, a carbonyl group and a methyl group in the condensation structure of pyrimidine and imidazole.
상기 언더컷 억제제는 피리미딘과 이미다졸의 축합 구조 내에 아미노기, 히드록시기, 카르보닐기 및 메틸기로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 이상의 작용기를 포함함으로써, 몰리브덴에 대해 우수한 흡착 특성을 나타내어, 언더컷 억제 효과가 크고, 우수한 식각 특성 개선 효과를 나타낼 수 있다.The undercut inhibitor preferably contains at least one functional group selected from the group consisting of an amino group, a hydroxyl group, a carbonyl group and a methyl group in the condensation structure of pyrimidine and imidazole to exhibit an excellent adsorption property to molybdenum, It is possible to exhibit the etching property improving effect.
구체적인 일 예로, 상기 언더컷 억제제는 아데닌(adenine), 구아닌(guanine), 이소구아닌(isoguanine), 하이포크산틴(hypoxanthine), 크산틴(xanthine), 테오브로민(theobromine), 카페인(caffeine) 및 유린산(uric acid) 등에서 선택되는 하나 또는 둘 이상의 혼합물인 퓨린염기(purine base)일 수 있으며, 아데닌(adenine), 구아닌(guanine) 및 이소구아닌(isoguanine)이 바람직할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.As a specific example, the undercut inhibitor may be selected from the group consisting of adenine, guanine, isoguanine, hypoxanthine, xanthine, theobromine, caffeine and uric acid. acid, and the like, and may be a purine base, which is one or a mixture of two or more selected from the group consisting of adenine, guanine, and isoguanine, but is not limited thereto.
상기 언더컷 억제제는 과산화수소 100 중량부를 기준으로, 0.01 내지 20 중량부, 보다 좋게는 0.1 내지 20 중량부, 1 내지 5 중량부를 포함하는 것이 바람직할 수 있다. 상기의 범위 내에서 언더컷 억제제의 사용에 따른 개선 효과가 우수하며, 식각속도가 감소되지 않아 바람직할 수 있다.The undercut inhibitor may preferably comprise 0.01 to 20 parts by weight, more preferably 0.1 to 20 parts by weight, and 1 to 5 parts by weight, based on 100 parts by weight of hydrogen peroxide. Within the above range, the effect of improving the use of the undercut inhibitor is excellent, and the etching rate is not reduced, which may be preferable.
f) C4 이상을 포함하는 알킬아민f) alkylamines containing C 4 or higher
구리 및 몰리브덴 막의 동시 식각시 구리막과 몰리브덴 막의 화학적 성질 때문에 접착력이 떨어지는 부분이 발생할 수 있다. 이때, 식각 공정 진행시 접착력이 떨어지는 부분에 식각액의 침투가 이루어질 수 있다. Copper and molybdenum films may have poor adhesion due to the chemical nature of the copper and molybdenum films. At this time, the penetration of the etching solution into the portion where the adhesive force is lowered during the etching process can be achieved.
이를 제어하지 못하는 경우, 구리막과 몰리브덴 막의 계면에 과식각에 의한 테이퍼 앵글 불량, 배선 단락 등 식각 프로파일 저하로 인해 불량률 증가의 원인이 될 수 있다.If it can not be controlled, it may cause a defect rate increase due to the deterioration of the etching profile such as a taper angle defect due to an overexposure angle at the interface between the copper film and the molybdenum film, a wiring short circuit, and the like.
이에 대해 본 발명에서는 C4 이상을 포함하는 알킬아민을 적용함으로써, 구리막과 몰리브덴 막 계면의 과식각을 제어하여 식각 프로파일을 개선시킬 수 있으며, 불량률 감소에 효과적일 수 있다.On the other hand, in the present invention, by applying an alkylamine containing C 4 or more, it is possible to improve the etching profile by controlling the overgrowth angle of the interface between the copper film and the molybdenum film, and it can be effective in reducing the defect rate.
구체적으로, 상기 C4 이상을 포함하는 알킬아민은 C4 내지 C16, 좋게는 C4 내지 C8을 포함하는 직쇄형 또는 분지쇄형의 알킬아민 화합물일 수 있다. 상기의 범위 내에서 구리막과 몰리브덴 막의 접착력이 떨어지는 계면에 선택적으로 흡착할 수 있기 때문에, 식각액이 계면으로 침투하는 것을 억제하여, 구리막과 몰리브덴 막 계면의 과식각을 제어할 수 있다. 또한, C4 내지 C8를 포함하는 경우, 식각액 조성물에 거품이 발생하지 않아 더 바람직할 수 있다. 반면, 상기 알킬아민 화합물의 탄소수가 C3 이하를 가지는 경우는 식각액 침투를 억제하는 역할을 하지 못할 수 있다.Specifically, the alkylamines containing C 4 or more may be straight-chain or branched alkylamine compounds containing C 4 to C 16 , preferably C 4 to C 8 . It is possible to selectively adsorb to the interface where the adhesion between the copper film and the molybdenum film is lowered within the above range, so that permeation of the etching solution into the interface can be suppressed, and the overeating angle of the interface between the copper film and the molybdenum film can be controlled. Further, when C 4 to C 8 are included, it may be more preferable that no bubbles are generated in the etchant composition. On the other hand, when the number of carbon atoms of the alkylamine compound is not more than C 3 , it may not play a role of suppressing penetration of the etching solution.
구체적인 일 예로, 상기 C4 이상을 포함하는 알킬아민은 부틸아민(butylamine), 펜틸아민(pentylamine), 헥실아민(pentylamine), 헵틸아민(heptylamine), 옥틸아민(octylamine) 및 2-에틸-1-헥실아민(2-Ethyl-1-hexylamine)에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 혼합물일 수 있다.As a specific example, the alkylamines containing C 4 or more may be selected from the group consisting of butylamine, pentylamine, pentylamine, heptylamine, octylamine, and 2-ethyl-1- Hexylamine, 2-ethyl-1-hexylamine, or a mixture of two or more thereof.
상기 C4 이상을 포함하는 알킬아민은 과산화수소 100 중량부를 기준으로, 0.1 내지 50 중량부, 보다 좋게는 1 내지 20 중량부, 더욱 좋게는 1 내지 10 중량부를 포함하는 것이 바람직할 수 있다. 상기 범위 내에서 계면 보호에 따른 계면의 과식각 제어 효과가 매우 우수할 수 있다. 또한, 몰리브덴의 잔사를 유발하지 않아, 잔사에 의한 전기적인 쇼트, 배선 불량이 없으며, 휘도를 감소시키지 않아 바람직할 수 있다.The alkylamine containing C 4 or more may be 0.1 to 50 parts by weight, preferably 1 to 20 parts by weight, more preferably 1 to 10 parts by weight, based on 100 parts by weight of hydrogen peroxide. The effect of controlling the overeating angle of the interface due to the interface protection within the above range can be very excellent. Further, it does not induce the residue of molybdenum, and there is no electrical short circuit due to the residue, no wiring defect, and it can be preferable since the luminance is not reduced.
g) 불소화합물g) Fluorine compound
본 발명에서는 식각액 조성물에 불소화합물을 더 포함할 수 있다. 불소화합물은 구리 및 몰리브덴 막을 동시에 식각할 때, 몰리브덴 막의 식각 속도를 향상시켜 테일랭스(tail length)를 감소시켜 주고, 식각시 필연적으로 발생하게 되는 몰리브덴의 잔사를 제거하는 작용을 할 수 있다. 몰리브덴의 테일 증가는 휘도를 감소시킬 수 있으며, 잔사가 기판 및 하부막에 남게 되면 전기적인 쇼트, 배선 불량 및 휘도를 감소시키므로 반드시 제거하는 것이 바람직할 수 있다.In the present invention, the etchant composition may further contain a fluorine compound. When the copper and molybdenum films are simultaneously etched, the fluorine compound improves the etching rate of the molybdenum film to reduce the tail length and can remove the residue of molybdenum, which is inevitably generated at the time of etching. Increasing the tail of the molybdenum may reduce the brightness and it may be desirable to remove the residue as it is left on the substrate and the underlying film because it reduces electrical shorts, poor wiring and brightness.
본 발명의 일 실시예에 따른 상기 불소화합물은 해리되어 F- 또는 HF2 -를 발생시킬 수 있는 화합물이 사용될 수 있다.The fluorine compound according to an embodiment of the present invention may be a compound capable of dissociating to generate F - or HF 2 - .
구체적인 일 예로, 상기 불소화합물은 HF, NaF, KF, AlF3 , HBF, NH4HF2, NaHF2, KHF2 및 NH4BF4에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 혼합물일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.Specific examples days, the fluorine compound is HF, NaF, KF, AlF 3, HBF, NH 4 HF 2, NaHF 2, KHF 2 And NH 4 BF 4 , but is not limited thereto.
상기 불소화합물은 과산화수소 100 중량부를 기준으로, 0.01 내지 20 중량부로 첨가되는 것이 바람직할 수 있다. 상기의 범위 내에서 몰리브덴의 잔사를 효과적으로 제거할 수 있고, 유리기판 등의 하부막 식각을 억제할 수 있다.The fluorine compound may be added in an amount of 0.01 to 20 parts by weight based on 100 parts by weight of hydrogen peroxide. It is possible to effectively remove the residue of molybdenum within the above range and to suppress etching of the lower film such as a glass substrate.
h) 물h) Water
본 발명의 식각액 조성물은 물을 더 포함할 수 있으며, 식각액 조성물에 포함되는 물은 특별히 한정되지 않으나, 탈이온수가 바람직할 수 있다. 구체적인 일 예로, 상기 물은 물 속에 이온이 제거된 정도인 비저항값이 18 ㏁/㎝ 이상인 탈이온수가 보다 바람직할 수 있다. 상기 물은 과산화수소 100 중량부를 기준으로, 200 내지 1000 중량부로 첨가될 수 있으며, 보다 좋게는 250 내지 800 중량부, 더욱 좋게는 300 내지 500 중량부로 첨가될 수 있다.The etchant composition of the present invention may further comprise water, and the water contained in the etchant composition is not particularly limited, but deionized water may be preferred. As a specific example, the water may be deionized water having a resistivity value of 18 MΩ / cm or more, which is the degree of ion removal in water. The water may be added in an amount of 200 to 1000 parts by weight, more preferably 250 to 800 parts by weight, and more preferably 300 to 500 parts by weight, based on 100 parts by weight of hydrogen peroxide.
i) 기타 첨가제i) Other additives
본 발명의 일 실시예에 따른 식각액 조성물은 식각 성능을 향상시키기 위해 통상 식각액 조성물에 사용되는 임의의 첨가제를 더 포함할 수 있다. 상기 첨가제로는 과수안정제, 식각안정제 및 글라스 식각억제제 등에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 첨가제를 더 포함할 수 있다.The etchant composition according to an embodiment of the present invention may further include any additive usually used in the etchant composition to improve the etching performance. The additive may further include any one or two or more additives selected from a hydrous stabilizer, an etching stabilizer, a glass etching inhibitor, and the like.
상기 과수안정제는 식각 공정을 반복하여 식각액 내의 금속이온 함량이 높은 경우 과산화수소 분해 반응을 제어하는 작용을 할 수 있다.The hydrothermal stabilizer may function to control the hydrogen peroxide decomposition reaction when the metal ion content in the etching solution is high by repeating the etching process.
구체적인 일 예로, 상기 과수안정제는 인산염, 글리콜류 및 아민류에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 혼합물일 수 있다. 구체적으로, 플리에틸렌글리콜(polyethlene glycol) 등을 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.As a specific example, the hydrous stabilizer may be any one or a mixture of two or more selected from phosphates, glycols and amines. Specifically, it may include, but is not limited to, polyethyleneglycol (polyethlene glycol).
상기 과수안정제가 식각액 조성물에 포함될 경우, 과산화수소 100 중량부를 기준으로, 0.1 내지 30 중량부로 첨가될 수 있으며, 보다 좋게는 1 내지 20 중량부, 더욱 좋게는 5 내지 15 중량부로 첨가되는 것이 바람직할 수 있다. 상기의 범위 내에서 과수안정제는 과산화수소 분해 반응에 대한 제어 효과가 우수하고, 식각능을 저하시키지 않아 바람직할 수 있다.When the hydrous stabilizer is included in the etchant composition, it may be added in an amount of 0.1 to 30 parts by weight, preferably 1 to 20 parts by weight, more preferably 5 to 15 parts by weight, based on 100 parts by weight of hydrogen peroxide have. Within the above range, the hydrous stabilizer may be preferable since it has excellent control effect on the hydrogen peroxide decomposition reaction and does not deteriorate the etching performance.
상기 식각안정제는 알코올기와 아민기를 동시에 갖는 화합물일 수 있다. 구체적인 일 예로, 메탄올아민, 에탄올아민, 프로판올아민, 부탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 디메틸에탄올아민 및 N-메틸에탄올아민에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 혼합물일 수 있으며, 이에 제한되지 않는다. The etching stabilizer may be a compound having an alcohol group and an amine group at the same time. Specific examples thereof include, but are not limited to, any one or a mixture of two or more selected from methanolamine, ethanolamine, propanolamine, butanolamine, diethanolamine, triethanolamine, dimethylethanolamine and N-methylethanolamine.
상기 식각안정제는 과산화수소 100 중량부를 기준으로, 0.01내지 10 중량부, 보다 좋게는 0.05 내지 7 중량부, 더욱 좋게는 0.1 내지 5 중량부로 첨가되는 것이 바람직할 수 있다. 상기의 범위 내에서 식각안정제는 금속 잔사의 발생을 효과적으로 억제할 수 있다.The etching stabilizer may be added in an amount of 0.01 to 10 parts by weight, more preferably 0.05 to 7 parts by weight, and more preferably 0.1 to 5 parts by weight, based on 100 parts by weight of hydrogen peroxide. Within the above range, the etching stabilizer can effectively inhibit the generation of metal residues.
상기 글라스 식각 억제제는 붕불산 또는 붕불산염에서 선택되는 어느 하나 이상의 혼합물일 수 있다. 구체적인 일 예로, HBF4, NaBF4, KBF4 및 NH4BF4 등에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 혼합물일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.The glass etch inhibitor may be a mixture of any one or more selected from borofluoric acid and boron trifluoride. As a specific example, it may be any one or a mixture of two or more selected from HBF 4 , NaBF 4 , KBF 4 and NH 4 BF 4 , but is not limited thereto.
상기 글라스 식각 억제제의 함량은 과산화수소 100 중량부를 기준으로, 0.01내지 10 중량부, 보다 좋게는 0.05 내지 7 중량부, 더욱 좋게는 0.1 내지 5 중량부로 첨가되는 것이 바람직할 수 있다. 상기의 범위 내에서 글라스 식각 억제 효과가 우수하고, 식각 속도가 감소하지 않아 바람직할 수 있다.The glass etching inhibitor may be added in an amount of 0.01 to 10 parts by weight, more preferably 0.05 to 7 parts by weight, and more preferably 0.1 to 5 parts by weight based on 100 parts by weight of hydrogen peroxide. The glass etching inhibiting effect is excellent within the above-mentioned range, and the etching rate is not reduced, which is desirable.
앞서 언급된 조성을 갖는 본 발명의 식각액 조성물은 구리 및 몰리브덴 막의 식각시, 구리막과 몰리브덴 막의 계면을 보호하여, 계면의 과식각 발생을 제어하여 안정적인 식각 공정을 가능하게 한다. 그 결과, 테이퍼 앵글, 시디 로스 및 시각 직선성 등의 식각 특성을 개선시킬 수 있다. 또한, 식각 속도조절이 용이할 수 있다.The etching composition of the present invention having the above-mentioned composition protects the interface between the copper film and the molybdenum film during the etching of the copper and molybdenum film, thereby controlling the occurrence of the overexcitation angle of the interface, thereby enabling a stable etching process. As a result, the etching characteristics such as taper angle, seed loss, and visual linearity can be improved. Further, the etching rate can be easily controlled.
이에 따라, 상기 식각액 조성물은 액정표시장치의 TFT(Thin Film Transistor)를 구성하는 게이트, 소스 또는 드레인 전극용 금속 배선 재료로서 구리 및 몰리브덴 막을 사용하는 경우, 금속배선 패턴을 형성하기 위한 식각액 조성물로서 유용하게 사용될 수 있다.Accordingly, when the etching solution composition is a copper and molybdenum film as a metal wiring material for a gate, a source, or a drain electrode constituting a TFT (Thin Film Transistor) of a liquid crystal display device, it is useful as an etching solution composition for forming a metal wiring pattern Lt; / RTI >
본 발명의 일 실시예에 따른 구리 및 몰리브덴 막은 하나 이상의 구리막(Cu)과 하나 이상의 몰리브덴(Mo) 막이 상호 적층된 다중막일 수 있으며, 상기 다중막은 구리(Cu)/몰리브덴(Mo) 이중막과, 구리(Cu)/몰리브덴(Mo)/구리(Cu) 또는 몰리브덴(Mo)/구리(Cu)/몰리브덴(Mo)의 삼중막을 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 상기 막의 순서는 기판의 물질, 접합성에 따라 적절히 조절할 수 있다.The copper and molybdenum film according to an embodiment of the present invention may be a multiple film in which one or more copper films (Cu) and at least one molybdenum (Mo) film are mutually laminated, and the multiple film is a copper (Cu) / molybdenum , Triple films of copper (Cu) / molybdenum (Mo) / copper (Cu) or molybdenum (Mo) / copper (Cu) / molybdenum (Mo). The order of the film can be appropriately adjusted according to the material and bonding property of the substrate.
본 발명의 일 실시예에 따른 식각액 조성물을 이용한 구리 및 몰리브덴 막의 식각방법은 통상의 방법에 따라 실시될 수 있다.The etching method of the copper and molybdenum films using the etching solution composition according to an embodiment of the present invention can be performed according to a conventional method.
구체적으로, 기판 상에 구리/몰리브덴 막을 증착하는 단계; Specifically, depositing a copper / molybdenum film on a substrate;
상기 구리 및 몰리브덴 막 위에 포토레지스트 막을 형성한 후 패턴화하는 단계; 및 Forming a photoresist film on the copper and molybdenum film and patterning the film; And
본 발명의 식각액 조성물을 사용하여 상기 패턴화된 포토레지스트막이 형성된 구리 및 몰리브덴 막을 식각하는 단계;를 포함하는 구리 및 몰리브덴 막의 식각방법을 실시할 수 있다. 이때, 상기 기판 위에 형성되는 구리/몰리브덴 막은 그 적층순서가 특별히 한정되지 않는다.And etching the copper and molybdenum film on which the patterned photoresist film is formed using the etchant composition of the present invention. At this time, the order of lamination of the copper / molybdenum film formed on the substrate is not particularly limited.
또한, 상기 식각방법은 기판과 구리 및 몰리브덴 막 사이, 즉, 기판과 구리막 사이 또는 기판과 몰리브덴 막 사이에 반도체 구조물을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.The etching method may also include forming a semiconductor structure between the substrate and the copper and molybdenum film, that is, between the substrate and the copper film or between the substrate and the molybdenum film.
상기 반도체 구조물은 액정표시장치, 플라즈마 디스플레이 패널 등 표시장치용 반도체 구조물일 수 있다. The semiconductor structure may be a semiconductor structure for a display device such as a liquid crystal display device, a plasma display panel, or the like.
구체적으로, 상기 반도체 구조물은 유전체막, 도전체막 및 비정질 또는 다결정 등의 실리콘막 중에서 선택되는 막을 1층 이상 포함할 수 있다. 상기 반도체 구조물은 통상의 방법에 따라 제조될 수 있다.Specifically, the semiconductor structure may include one or more layers selected from a dielectric film, a conductive film, and a silicon film such as amorphous or polycrystalline. The semiconductor structure may be manufactured according to a conventional method.
이하 실시예를 통한 본 발명에 따른 및 이의 제조 방법에 대하여 더욱 상세히 설명한다. 다만 하기 실시예는 본 발명을 상세히 설명하기 위한 하나의 참조일 뿐 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 여러 형태로 구현될 수 있다. Hereinafter, the present invention and its preparation method will be described in more detail by way of examples. It should be understood, however, that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and equivalent arrangements included within the spirit and scope of the invention.
또한, 달리 정의되지 않는 한, 모든 기술적 용어 및 과학적 용어는 본 발명이 속하는 당업자 중 하나에 의해 일반적으로 이해되는 의미와 동일한 의미를 갖는다. 본원에서 설명에 사용되는 용어는 단지 특정 실시예를 효과적으로 기술하기 위함이고 본 발명을 제한하는 것으로 의도되지 않는다.Also, unless otherwise defined, all technical and scientific terms have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention.
또한, 다음에 소개되는 도면들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서 본 발명은 이하 제시되는 도면들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있으며, 이하 제시되는 도면들은 본 발명의 사상을 명확히 하기 위해 과장되어 도시될 수 있다.In addition, the following drawings are provided by way of example so that those skilled in the art can fully understand the spirit of the present invention. Therefore, the present invention is not limited to the following drawings, but may be embodied in other forms. The following drawings may be exaggerated in order to clarify the spirit of the present invention.
또한, 명세서 및 첨부된 특허청구범위에서 사용되는 단수 형태는 문맥에서 특별한 지시가 없는 한 복수 형태도 포함하는 것으로 의도할 수 있다.It is also to be understood that the singular forms as used in the specification and the appended claims are intended to include the plural forms as well, unless the context clearly indicates otherwise.
[실시예 1 내지 29, 및 비교예 1 내지 13][Examples 1 to 29 and Comparative Examples 1 to 13]
하기 표 1에 기재된 성분 함량(중량%)으로 각 성분을 혼합하여, 본 발명에 따른 식각액 조성물을 준비하였다.Each component was mixed with the component content (% by weight) shown in Table 1 below to prepare an etching solution composition according to the present invention.
AATZ
상기 표 1에 나타낸 성분은 다음과 같다.The components shown in Table 1 are as follows.
분자 내에 산소, 황 및 질소 중에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상을 포함하는 환형 또는 방향족화합물로 5-아미노테트라졸(5-aminotetrazole)을 사용하였으며, ATZ로 표기하였다. 5-aminotetrazole was used as a cyclic or aromatic compound containing at least one selected from oxygen, sulfur and nitrogen in the molecule, and was designated ATZ.
아미노카르복실계 또는 아미노인산계화합물로 이미노디아세트산(iminodiacetic acid)을 사용하였으며, IDA로 표기하였다. Iminodiacetic acid was used as an aminocarboxylic or amino phosphoric acid-based compound, and was designated as IDA.
유기산, 무기산 또는 그들의 염에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 화합물로 인산수소암모늄(ammonium hydrogen phosphate)을 사용하였으며, AHP로 표기하였다. Ammonium hydrogen phosphate was used as one or two or more compounds selected from organic acids, inorganic acids or salts thereof, and is represented by AHP.
불소화합물로 NH4HF2을 사용하였다. 언더컷억제제로 구아닌을 사용하였다. NH 4 HF 2 was used as the fluorine compound. Guanine was used as an undercut inhibitor.
C4 이상을 포함하는 알킬아민으로 부틸아민(butylamine), 펜틸아민(pentylamine), 헥실아민(hexylamine), 헵틸아민(heptylamine), 옥틸아민(octylamine) 및 에틸-1-헥실아민(2-Ethyl-1-hexylamine)을 사용하였다. C 4 or more alkylamines including but not limited to butylamine, pentylamine, hexylamine, heptylamine, octylamine and 2-Ethyl- 1-hexylamine) was used.
부틸아민은 b-AM, 펜틸아민(pentylamine)은 pn-AM, 헥실아민(hexylamine)은 hx-AM, 헵틸아민(heptylamine)은 hp-AM, 옥틸아민(octylamine)은 o-AM, 2-에틸-1-헥실아민은 2-e-1-hx-A으로 표기하였다. AM, pentylamine, hexylamine, hx-AM, heptylamine, hp-AM, octylamine, o-AM, 2-ethyl -1-hexylamine was designated 2-e-1-hx-A.
비교예에서는 알킬아민으로 프로필아민(propylamine), 에틸아민(ethylamine) 및 사이클로헥실아민(cyclohexylamine)을 사용하였으며, 프로필아민은 pr-AM, 에틸아민은 e-AM, 사이클로헥실아민은 cyhx-AM으로 표기하였다.In the comparative examples, propylamine, ethylamine and cyclohexylamine were used as alkylamines, pr-AM as propylamine, e-AM as ethylamine and cyhx-AM as cyclohexylamine Respectively.
[시험예: 식각 성능 평가][Test example: Evaluation of etching performance]
유리기판 상에 두께 5500Å의 구리 막 및 몰리브덴 막을 각각 순차적으로 증착하여 시편을 제작하였다. 상기 시편에 대해 포토리소그래피 공정을 진행하여 패터닝한 레지스트막을 형성하고, 상기 실시예 1 내지 29, 및 비교예 1 내지 13의 식각액 조성물을 각각 이용하여 구리 및 몰리브덴 막에 대한 식각을 실시하였다. 이때, 상기 식각 공정은 스프레이가 가능한 장비(Mini-etcher ME-001)를 이용하여 32℃에서 120초 동안 실시하였다. A 5500 Å thick copper film and a molybdenum film were successively deposited on a glass substrate to prepare a test piece. A photoresist was applied to the specimen to form a patterned resist film, and copper and molybdenum films were etched using the etchant compositions of Examples 1 to 29 and Comparative Examples 1 to 13, respectively. At this time, the etching process was performed at 32 DEG C for 120 seconds using a sprayable apparatus (Mini-etcher ME-001).
식각 완료 후 식각종말점을 측정하였다. 또한, 시디 로스(CD loss), 테이퍼 앵글 또는 구리 및 몰리브덴 막 계면의 과식각 발생 유무 등 식각된 구리 및 몰리브덴 막에 대한 식각 특성은 주사전자 현미경(Hitachi사, S-4800)을 이용하여 관찰하였다. 구리 및 몰리브덴 막 계면 과식각 유무는 시편을 틸트(tilt)하여 주사전자 현미경을 이용하여 확인하였다. 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다. The etch end point was measured after completion of etching. Etching characteristics of the etched copper and molybdenum films such as CD loss, taper angle, and presence or absence of over-etching of the copper and molybdenum film interface were observed using a scanning electron microscope (Hitachi, S-4800) . Copper and molybdenum films were examined for the presence or absence of interfacial superconductivity using a scanning electron microscope (TIL). The results are shown in Table 2 below.
[초]Etch end point
[second]
[㎛]CD loss
[Mu m]
상기 표 2는 식각 성능 평가를 나타낸 표이다. 상기 표 2에 나타난 바와 같이, 본 발명에 따른 실시예 1 내지 29의 식각 조성물은 C4 이상을 포함하는 알킬아민을 포함하여, 비교예 1 내지 13의 식각액 조성물과 비교하여, 에치 바이어스, 시디 로스(CD loss) 및 테이퍼 앵글에서 모두 우수한 결과를 나타내었다.Table 2 is a table showing etching performance evaluation. As shown in Table 2, the etching compositions of Examples 1 to 29 according to the present invention include alkyl amines containing not less than C 4 , and compared with the etchant compositions of Comparative Examples 1 to 13, (CD loss) and taper angle.
특히, 실시예 4, 실시예 6, 실시예 11, 실시예 17 및 실시예 25의 경우, 불소화합물이 첨가되지 않은 실시예 5, 실시예 7, 실시예 12, 실시예 19 및 실시예 23과 각각 대비하였을 시, 과식각 제어 효과는 저하시키지 않으면서 몰리브덴막의 식각 속도를 향상시킬 수 있었으며, 이에 따라 테일렝스(tail length)가 감소하고 몰리브덴 잔사가 효과적으로 제거되었다.Particularly, in the case of Example 4, Example 6, Example 11, Example 17, and Example 25, in Example 5, Example 7, Example 12, Example 19 and Example 23 in which no fluorine compound was added In comparison, the etch rate of the molybdenum film could be improved without deteriorating the overeating control effect, thereby reducing the tail length and effectively removing the molybdenum residue.
비교예 1 내지 7은 C3인 프로필아민을 포함하여, 구리막과 몰리브덴 막 계면으로 식각액 침투를 억제하는 역할을 하지 못하는 것을 알 수 있으며, 그 결과 과식각이 있는 것을 확인 할 수 있다. 또한, 비교예 8은 C2인 에틸아민을 포함하여 과식각이 있는 것을 확인할 수 있다.It can be seen that Comparative Examples 1 to 7 do not play the role of suppressing the penetration of the etchant into the interface between the copper film and the molybdenum film, including propylamine having C 3. As a result, it can be confirmed that there is an overexposure angle. In addition, it can be confirmed that Comparative Example 8 contains ethylamine, which is C 2 , and has an overeating angle.
비교예 9는 분자 내에 산소, 황 및 질소 중에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상을 포함하는 환형 또는 방향족화합물인 5-아미노테크라졸(ATZ)을 포함하지 않아, 식각 속도 조절이 어렵고, 테이퍼 형태가 불량한 것을 확인할 수 있다. 비교예 10은 아미노카르복실계 또는 아미노인산계화합물인 이미노디아세트산(IDA)을 포함하지 않아 과산화수소 분해반응의 제어 능력이 떨어져 과식각이 발생한 것을 알 수 있다. 비교예 11은 유기산, 무기산 또는 그들의 염에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 화합물인 인산수소암모늄(AHP)를 포함하지 않아 테이퍼 앵글 값이 높은 것을 알 수 있다. 비교예 12은 언더컷억제제인 구아닌을 포함하지 않아 몰리브덴 잔사가 발생하고, 테이퍼 앵글 값이 높은 것을 알 수 있다. 비교예 13는 고리형 아민 화합물인 사이클로헥실아민을 포함하여, 과식각 억제를 제어하지 못해 과식각이 발생한 것을 확인 할 수 있다.Comparative Example 9 does not include 5-aminotetrazole (ATZ), which is a cyclic or aromatic compound containing any one or two or more selected from oxygen, sulfur and nitrogen in the molecule, so that it is difficult to control the etching rate, . It can be seen that Comparative Example 10 did not contain aminocarboxylic acid or amino phosphoric acid-based compound iminodiacetic acid (IDA), and thus the control ability of the hydrogen peroxide decomposition reaction was deteriorated, resulting in overeating. Comparative Example 11 does not include ammonium hydrogenphosphate (AHP), which is one or more compounds selected from organic acids, inorganic acids, and salts thereof, and thus has a high taper angle value. In Comparative Example 12, molybdenum residue was generated without containing guanine, which is an undercut inhibitor, and the taper angle value was high. In Comparative Example 13, cyclohexylamine, which is a cyclic amine compound, was included, and it was confirmed that an overeating angle occurred because control of overeating angle was not controlled.
또한, 구리 및 몰리브덴 막 사이의 계면 과식각 발생 유무를 관찰하기 위하여, 실시예 1, 실시예 6 및 실시예 11과, 비교예 1 및 비교예 6의 식각액 조성물을 이용하여 식각된 구리 및 몰리브덴 막의 시편의 단편을 틸트(tilt)하여 주사전자현미경으로 관찰하였다. 그 결과를 도 1, 도 2, 도 3, 도 4 및 도 5에 나타내었다. Further, in order to observe whether or not interfacial angles between the copper and molybdenum films were generated, the etching rates of copper and molybdenum films etched using the etchant compositions of Examples 1, 6, and 11 and Comparative Examples 1 and 6 The fragments of the specimen were tilted and observed with a scanning electron microscope. The results are shown in Figs. 1, 2, 3, 4 and 5.
도 1은 실시예 1, 도 2는 실시예 6 및 도 3은 실시예 11에 따른 식각액 조성물을 이용하여 구리 및 몰리브덴 막을 식각한 후 시편의 단편을 틸트(tilt)하여 주사전자현미경으로 측면에서 관찰한 사진을 도시하였다.FIG. 1 is a graph showing the results of etching a copper and molybdenum film using the etchant composition according to Example 1, FIG. 2, Example 6, and Example 11, and then tilting a piece of the specimen and observing it with a scanning electron microscope One picture is shown.
도 4는 비교예 1, 도 5는 비교예 6에 따른 식각액 조성물을 이용하여 구리 및 몰리브덴 막을 식각한 후 시편의 단면을 틸트(tilt)하여 주사전자현미경으로 관찰한 사진을 도시하였다.FIG. 4 is a photograph of a sample obtained by etching a copper and molybdenum film using an etchant composition according to Comparative Example 1, and FIG. 5 showing a tilt of a cross section of the specimen and observing it with a scanning electron microscope.
도 1, 도 2, 도 3에 나타난 바와 같이, 본 발명인 실시예 1, 실시예 6, 실시예 11의 식각액 조성물을 이용하여 식각한 결과, 구리/몰리브덴 막 계면의 과식각이 관찰되지 않은 것을 확인할 수 있다.As shown in FIGS. 1, 2, and 3, etching was performed using the etching solution compositions of Examples 1, 6, and 11 of the present invention. As a result, it was confirmed that the overgrowth angle at the copper / molybdenum film interface was not observed .
그러나, 비교예 1 및 비교예 6의 식각액 조성물을 이용한 경우, 도 4 및 도 5에 나타난 바와 같이, 구리 및 몰리브덴 막 계면에서 과식각이 이루어져 계면 사이가 벌어지는 불량한 시각 프로파일을 확인 할 수 있다.However, when the etchant compositions of Comparative Example 1 and Comparative Example 6 were used, as shown in Figs. 4 and 5, an overeating angle was formed at the interface between the copper and molybdenum films, so that a poor visual profile in which the interface between the etchant composition and the interface was observed can be confirmed.
또한, 에치(etch) 특성 확인을 위해 식각된 구리 및 몰리브덴 막의 시편의 단편을 주사전자현미경으로 관찰하였다. 그 결과를 도 6 및 도 7에 나타내었다. In addition, the specimens of the etched copper and molybdenum films were observed with a scanning electron microscope to confirm the etch characteristics. The results are shown in Fig. 6 and Fig.
도 6은 실시예 1에 따른 식각액 조성물을 이용하여 구리 및 몰리브덴 막을 식각한 후 시편의 단면을 주사전자현미경으로 관찰한 사진을 도시하였고, 도 7는 비교예 6에 따른 식각액 조성물을 이용하여 구리/몰리브덴 막을 식각한 후 시편의 단면을 주사전자현미경으로 관찰한 사진을 도시하였다.FIG. 6 is a photograph of a cross section of a specimen after etching the copper and molybdenum films using the etching composition according to Example 1 by a scanning electron microscope. FIG. 7 is a graph showing the copper / A photograph of the cross section of the specimen after scanning the molybdenum film with a scanning electron microscope is shown.
도 6에 나타난 바와 같이, 실시예 1의 식각액 조성물을 이용한 경우, 식각 특성이 우수한 것을 알 수 있다.As shown in Fig. 6, when the etchant composition of Example 1 was used, it was found that the etching properties were excellent.
도 7에 나타난 바와 같이, 비교예 6의 식각액 조성물을 이용한 경우, 구리 및 몰리브덴 막 계면의 과식각에 의해 역테이퍼 형태의 불량한 식각 특성을 보이는 것을 확인 할 수 있다.As shown in FIG. 7, when the etchant composition of Comparative Example 6 was used, it was confirmed that the inverse tapered etching characteristics were exhibited by the overexposure angle between the copper and molybdenum films.
상기와 같이, 본 발명에 따른 식각액 조성물은 구리 및 몰리브덴 막의 식각 시, 구리 및 몰리브덴 막 계면의 과식각을 제어하여 안정적인 식각 공정을 가능함을 알 수 있다. 또한, 그 결과로 테이퍼 앵글, 시디 로스 및 시각 직진성 등의 식각 특성을 개선시킴을 확인할 수 있다. As described above, it can be seen that the etchant composition according to the present invention enables a stable etching process by controlling the overexposure angle between the copper and molybdenum films when the copper and molybdenum films are etched. As a result, it is confirmed that the etching characteristics such as taper angle, seed loss, and visual straightness are improved.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하였으나, 본 발명은 다양한 변화와 균등물을 사용할 수 있으며, 상기 실시예를 적절히 변형하여 동일하게 응용할 수 있음이 명확하다. 따라서, 상기 기재 내용은 하기의 특허청구범위의 한계에 의해 정해지는 본 발명의 범위를 한정하는 것은 아니다.While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be practical exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and equivalent arrangements included within the spirit and scope of the invention. Accordingly, the above description should not be construed as limiting the scope of the present invention defined by the limits of the following claims.
Claims (13)
상기 식각액 조성물은 과산화수소 100 중량부를 기준으로, 환형 또는 방향족 화합물 0.1 내지 50 중량부; 아미노카르복실계 또는 아미노인산계화합물 0.1 내지 50 중량부; 유기산, 무기산 또는 그들의 염에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 화합물 0.1 내지 50 중량부; 언터컷억제제 0.01 내지 20 중량부; 및 알킬아민 0.1 내지 50 중량부를 포함하는 식각액 조성물.The method according to claim 1,
The etchant composition comprises, based on 100 parts by weight of hydrogen peroxide, 0.1 to 50 parts by weight of a cyclic or aromatic compound; 0.1 to 50 parts by weight of an aminocarboxylic or amino phosphoric acid compound; 0.1 to 50 parts by weight of any one or two or more compounds selected from organic acids, inorganic acids or salts thereof; 0.01 to 20 parts by weight of a turpentine inhibitor; And 0.1 to 50 parts by weight of an alkylamine.
상기 식각액 조성물은 불소화합물을 더 포함하는 식각액 조성물.The method according to claim 1,
Wherein the etchant composition further comprises a fluorine compound.
상기 불소화합물은 과산화수소 100 중량부를 기준으로, 0.01 내지 20 중량부로 첨가되는 식각액 조성물.The method of claim 3,
Wherein the fluorine compound is added in an amount of 0.01 to 20 parts by weight based on 100 parts by weight of hydrogen peroxide.
상기 C4 이상을 포함하는 알킬아민은 C4 내지 C16을 포함하는 직쇄형 또는 분지쇄형의 알킬아민 화합물인 식각액 조성물.The method according to claim 1,
Wherein the alkylamine comprising C 4 or higher is a linear or branched alkylamine compound comprising C 4 to C 16 .
상기 C4 이상을 포함하는 알킬아민은 부틸아민, 펜틸아민, 헥실아민, 헵틸아민, 옥틸아민 및 2-에틸-1-헥실아민에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 혼합물인 식각액 조성물.6. The method of claim 5,
The alkylamine containing C 4 or more is any one or a mixture of two or more selected from butylamine, pentylamine, hexylamine, heptylamine, octylamine and 2-ethyl-1-hexylamine.
상기 환형 또는 방향족화합물은 옥사졸, 이미다졸, 피라졸, 트리아졸, 테트라졸, 5-아미노테트라졸, 메틸테트라졸, 피페라진, 메틸피페라진, 히드록실에틸피페라진, 벤즈이미다졸, 벤즈피라졸, 톨루트리아졸, 히드로톨루트리아졸 및 히드록시톨루트리아졸에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 혼합물인 식각액 조성물.The method according to claim 1,
The cyclic or aromatic compound is selected from the group consisting of oxazole, imidazole, pyrazole, triazole, tetrazole, 5-aminotetrazole, methyltetrazole, piperazine, methylpiperazine, hydroxylethylpiperazine, benzimidazole, Sol, tallroliazole, hydrotalolliazole, and hydroxytoluuriaazole. The composition of claim 1,
상기 아미노카르복실계 또는 아미노인산계화합물은 분자내 아미노기와 함께, 카르복실산기 또는 포스폰산기를 포함하는 것인 식각액 조성물.The method according to claim 1,
Wherein the aminocarboxylic or amino phosphoric acid compound comprises a carboxylic acid group or a phosphonic acid group together with an amino group in the molecule.
상기 아미노카르복실계 또는 아미노인산계화합물은 이미노디아세트산, 니트릴로트리아세트산, 에틸렌디아민테트라아세트산, 디에틸렌트리니트릴펜타아세트산, 아미노트리스(메틸렌포스폰산), (1-히드록시에탄-1,1-디일)비스(포스폰산), 에틸렌디아민 테트라(메틸렌포스폰산), 디에틸렌트리아민 펜타(메틸렌포스폰산), 알라닌, 글루탐산, 아미노부티르산 및 글리신에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 혼합물인 식각액 조성물. The method according to claim 1,
The aminocarboxylic or amino phosphoric acid compound may be at least one selected from the group consisting of iminodiacetic acid, nitrilotriacetic acid, ethylenediaminetetraacetic acid, diethylenetri nylpentaacetic acid, aminotris (methylenephosphonic acid), (1-hydroxyethan- Diyl) bis (phosphonic acid), ethylenediaminetetra (methylenephosphonic acid), diethylenetriamine penta (methylenephosphonic acid), alanine, glutamic acid, aminobutyric acid and glycine.
상기 유기산은 아세트산, 포름산, 부탄산, 시트르산, 글리콜산, 옥살산, 말론산, 펜탄산, 프로피온산, 타르타르산, 글루콘산, 글리코산 및 숙신산에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 혼합물이고,
상기 무기산은 황산, 질산 및 인산에서 선택되는 어느 하나 또는 둘의 혼합물이고,
상기 무기산염 및 유기산염은 인산수소칼륨, 인산수소나트륨, 인산수소암모늄, 인산나트륨, 과인산나트륨, 인산칼륨, 과인산칼륨, 인산암모늄 및 과인산암모늄에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 혼합물인 식각액 조성물.The method according to claim 1,
The organic acid is any one or a mixture of two or more selected from acetic acid, formic acid, butanoic acid, citric acid, glycolic acid, oxalic acid, malonic acid, pentanoic acid, propionic acid, tartaric acid, gluconic acid,
The inorganic acid is any one or a mixture of two or more selected from sulfuric acid, nitric acid and phosphoric acid,
Wherein the inorganic acid salt and organic acid salt are any one or a mixture of two or more selected from potassium hydrogen phosphate, sodium hydrogen phosphate, ammonium hydrogen phosphate, sodium phosphate, sodium hypophosphate, potassium phosphate, potassium phosphate, ammonium phosphate and ammonium perphosphate.
상기 불소화합물은 HF, NaF, KF, AlF3 , HBF, NH4HF2, NaHF2, KHF2 및 NH4BF4에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 혼합물인 식각액 조성물.The method of claim 3,
The fluorine compound may be selected from the group consisting of HF, NaF, KF, AlF 3 , HBF, NH 4 HF 2 , NaHF 2 , KHF 2 And NH 4 BF 4 or any mixture of two or more of the etching liquid composition is selected from the.
상기 언더컷 억제제는 아데닌, 구아닌, 이소구아닌, 하이포크산틴, 크산틴, 테오브로민, 카페인 및 유린산에서 선택되는 하나 또는 둘 이상의 혼합물인 식각액 조성물.The method according to claim 1,
Wherein the undercut inhibitor is one or a mixture of two or more selected from the group consisting of adenine, guanine, isoguanine, hypoxanthine, xanthine, theobromine, caffeine and erucic acid.
상기 식각액 조성물은 과수안정제, 식각안정제 및 글라스 식각억제제에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 첨가제를 더 포함하는 식각액 조성물. The method according to claim 1,
Wherein the etchant composition further comprises one or more additives selected from a hydrous stabilizer, an etch stabilizer, and a glass etch inhibitor.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020160133292A KR102070323B1 (en) | 2016-10-14 | 2016-10-14 | Etching Composition |
| CN201780002827.8A CN108235710B (en) | 2016-10-14 | 2017-10-13 | Etching liquid composition |
| PCT/KR2017/011332 WO2018070837A1 (en) | 2016-10-14 | 2017-10-13 | Etching solution composition |
| TW106135312A TWI733924B (en) | 2016-10-14 | 2017-10-16 | Use of an etchant composition |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020160133292A KR102070323B1 (en) | 2016-10-14 | 2016-10-14 | Etching Composition |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20180041317A true KR20180041317A (en) | 2018-04-24 |
| KR102070323B1 KR102070323B1 (en) | 2020-01-29 |
Family
ID=61905822
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020160133292A KR102070323B1 (en) | 2016-10-14 | 2016-10-14 | Etching Composition |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102070323B1 (en) |
| CN (1) | CN108235710B (en) |
| TW (1) | TWI733924B (en) |
| WO (1) | WO2018070837A1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20220120464A (en) * | 2021-02-23 | 2022-08-30 | 주식회사 이엔에프테크놀로지 | Metal layer etchant composition |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109082663A (en) * | 2018-07-19 | 2018-12-25 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | A kind of copper/molybdenum etching liquid composition and its application |
| CN111719157B (en) * | 2019-03-20 | 2024-06-07 | 易安爱富科技有限公司 | Etching composition and etching method using same |
| CN111808612A (en) * | 2020-07-08 | 2020-10-23 | 江苏和达电子科技有限公司 | Etching solution and etching supplementary solution for copper/molybdenum (niobium)/IGZO film layer, and preparation method and application thereof |
| CN112030165B (en) * | 2020-08-28 | 2022-05-20 | 武汉迪赛新材料有限公司 | Copper-molybdenum layer etching solution for TFT-LCD (thin film transistor-liquid Crystal display) process |
| CN115287657A (en) * | 2022-07-09 | 2022-11-04 | 南通群安电子材料有限公司 | Etching liquid medicine for cleaning copper teeth |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06192855A (en) * | 1992-12-24 | 1994-07-12 | Tokai Denka Kogyo Kk | Copper dissolving agent |
| KR20100035250A (en) * | 2008-09-26 | 2010-04-05 | 테크노세미켐 주식회사 | Cu or cu/mo or cu/mo alloy electrode etching liquid in liquid crystal display system |
| KR101495619B1 (en) | 2008-10-10 | 2015-02-26 | 솔브레인 주식회사 | Cu or Cu alloy ething liquid with high selectivity and method for fabricating LCD thereof |
| KR20150039526A (en) * | 2013-10-02 | 2015-04-10 | 주식회사 이엔에프테크놀로지 | Etching composition for copper and molibdenum containing film |
| KR101659829B1 (en) * | 2013-05-02 | 2016-10-10 | 후지필름 가부시키가이샤 | Etching solution, etching solution kit, etching method using same, and method for manufacturing semiconductor substrate product |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100919596B1 (en) * | 2008-02-21 | 2009-09-29 | (주) 휴브글로벌 | Etching additive and etching composition comprising the same |
| KR101270560B1 (en) * | 2010-11-12 | 2013-06-03 | 오씨아이 주식회사 | Composition for etching metal layer |
| JP6135999B2 (en) * | 2012-04-10 | 2017-05-31 | 三菱瓦斯化学株式会社 | Liquid composition used for etching multilayer film containing copper and molybdenum, and etching method using the same |
| JP6494254B2 (en) * | 2014-11-18 | 2019-04-03 | 関東化學株式会社 | Copper / molybdenum metal laminated film etching solution composition, etching method using the composition, and method for extending the life of the composition |
| CN104611702B (en) * | 2015-02-11 | 2016-01-20 | 江阴江化微电子材料股份有限公司 | -kind of liquid crystal panel copper molybdenum film etching solution |
| KR102265890B1 (en) * | 2015-03-12 | 2021-06-16 | 동우 화인켐 주식회사 | Etchant composition and manufacturing method of an array for liquid crystal display |
| US10332784B2 (en) * | 2015-03-31 | 2019-06-25 | Versum Materials Us, Llc | Selectively removing titanium nitride hard mask and etch residue removal |
-
2016
- 2016-10-14 KR KR1020160133292A patent/KR102070323B1/en active IP Right Grant
-
2017
- 2017-10-13 WO PCT/KR2017/011332 patent/WO2018070837A1/en active Application Filing
- 2017-10-13 CN CN201780002827.8A patent/CN108235710B/en active Active
- 2017-10-16 TW TW106135312A patent/TWI733924B/en active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06192855A (en) * | 1992-12-24 | 1994-07-12 | Tokai Denka Kogyo Kk | Copper dissolving agent |
| KR20100035250A (en) * | 2008-09-26 | 2010-04-05 | 테크노세미켐 주식회사 | Cu or cu/mo or cu/mo alloy electrode etching liquid in liquid crystal display system |
| KR101495619B1 (en) | 2008-10-10 | 2015-02-26 | 솔브레인 주식회사 | Cu or Cu alloy ething liquid with high selectivity and method for fabricating LCD thereof |
| KR101659829B1 (en) * | 2013-05-02 | 2016-10-10 | 후지필름 가부시키가이샤 | Etching solution, etching solution kit, etching method using same, and method for manufacturing semiconductor substrate product |
| KR20150039526A (en) * | 2013-10-02 | 2015-04-10 | 주식회사 이엔에프테크놀로지 | Etching composition for copper and molibdenum containing film |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20220120464A (en) * | 2021-02-23 | 2022-08-30 | 주식회사 이엔에프테크놀로지 | Metal layer etchant composition |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201817917A (en) | 2018-05-16 |
| CN108235710A (en) | 2018-06-29 |
| CN108235710B (en) | 2021-03-30 |
| TWI733924B (en) | 2021-07-21 |
| KR102070323B1 (en) | 2020-01-29 |
| WO2018070837A1 (en) | 2018-04-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102090243B1 (en) | Hydrogen peroxide stabilizer and etching composition containing them | |
| KR20180041317A (en) | Etching Composition | |
| KR101400953B1 (en) | Etching composition for copper and molibdenum alloy | |
| KR101517013B1 (en) | Etching composition for copper and molibdenum containing film | |
| KR101333551B1 (en) | Etching composition for copper and molibdenum alloy | |
| KR20160106544A (en) | Etching composition for copper/molybdenum or copper/molybdenum alloy multilayers | |
| KR20150043569A (en) | Etching composition for copper and molibdenum containing film | |
| KR101561518B1 (en) | Etching composition for copper/molybdenum or copper/molybdenum alloy multilayers | |
| KR101942344B1 (en) | Etching composition for copper and molibdenum containing film | |
| KR20150045220A (en) | Etchant composition for metal wire and method for preparing metal wire using the same | |
| KR102517903B1 (en) | Etchant composition, and method for etching | |
| KR102269327B1 (en) | Etchant composition and manufacturing method of an array for liquid crystal display | |
| KR20230141720A (en) | Etching composition and etching method using the same | |
| KR102091847B1 (en) | Manufacturing method of an array substrate for liquid crystal display | |
| KR102619627B1 (en) | Etching composition and etching method using the same | |
| KR20180088282A (en) | ETCHANT composition | |
| CN113073327B (en) | Etching liquid composition | |
| KR101934863B1 (en) | Etchant composition for etching double layer of metal layer and indium oxide layer and method for etching using the same | |
| KR102577158B1 (en) | Etching composition and etching method using the same | |
| TWI840532B (en) | Etching composition and etching method using the same | |
| KR102265898B1 (en) | Etching solution composition for cupper-based metal layer and method for etching cupper-based metal layer using the same | |
| KR102142419B1 (en) | Manufacturing method of an array substrate for liquid crystal display | |
| KR102243569B1 (en) | Ething composition and ething method using the same | |
| CN111719156A (en) | Etching composition and etching method using same | |
| KR20160112929A (en) | Etchant composition and manufacturing method of an array for liquid crystal display |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A302 | Request for accelerated examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E90F | Notification of reason for final refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |