KR20180033598A

KR20180033598A - Device and method for producing substrate

Info

Publication number: KR20180033598A
Application number: KR1020187008021A
Authority: KR
Inventors: 야스히토 나카모리; 케이지 이소; 유지 오카모토
Original assignee: 스미도모쥬기가이고교 가부시키가이샤
Priority date: 2011-07-27
Filing date: 2012-07-17
Publication date: 2018-04-03
Also published as: CN110099513A; KR102061315B1; WO2013015157A1; CN103718661A; JPWO2013015157A1; JP5714110B2; TW201322853A; KR20140024953A; CN110099513B; KR20160044587A; TWI458408B

Abstract

제1 도포스테이션에 있어서, 하지기판의 편면에, 액상의 박막재료가 도포되고, 하지기판에 도포된 박막재료에 빛을 조사하여 박막재료의 표층부가 경화된다. 제1 도포스테이션에서 박막재료가 도포된 하지기판이 반전스테이션으로 반입된다. 반전스테이션에서, 하지기판에 도포된 박막재료에 빛을 조사하여 박막재료의 내부까지 경화시킴과 함께, 하지기판의 표리를 반전시킨다. 반송장치가, 제1 도포스테이션과 반전스테이션과의 사이에서 하지기판을 반송한다. 제어장치가, 제1 도포스테이션, 반전스테이션, 및 반송장치를 제어한다. 제어장치는, 반송장치를 제어하여, 제1 도포스테이션에서 처리된 하지기판을 반전스테이션으로 반송한다.In the first application station, a liquid thin film material is applied to one surface of the base substrate, and the surface layer portion of the thin film material is cured by irradiating light onto the thin film material coated on the base substrate. In the first application station, the base substrate coated with the thin film material is brought into the reverse station. In the reversal station, the thin film material applied to the base substrate is irradiated with light to cure the inside of the thin film material, and the front and back sides of the base substrate are reversed. The transport apparatus transports the ground substrate between the first application station and the reversal station. The control device controls the first application station, the reverse station, and the transport device. The control device controls the transporting device to transport the ground substrate processed in the first coating station to the reversing station.

Description

기판제조장치 및 기판제조방법{Device and method for producing substrate}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a substrate manufacturing apparatus,

본 발명은, 박막재료의 액체방울을 토출하여 하지기판 상에 박막을 형성하는 기판제조장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate manufacturing apparatus for forming a thin film on a base substrate by discharging liquid droplets of a thin film material.

프린트 배선판 등의 하지기판의 표면에, 박막패턴 형성용 재료(박막재료)의 액체방울을 노즐구멍으로부터 토출하여, 하지기판 상에 박막패턴을 형성하는 기술이 알려져 있다. 박막패턴은, 예를 들면, 솔더레지스트의 패턴이다.There is known a technique of forming a thin film pattern on a base substrate by discharging liquid droplets of a thin film pattern forming material (thin film material) from a nozzle hole on a surface of a base substrate such as a printed wiring board. The thin film pattern is, for example, a pattern of a solder resist.

컴퓨터 그래픽스의 화상정보를 기초로, 기판 상에 직접, 액상수지를 분사하여, 패턴 형성을 행하는 액상수지 분사장치가 개시되어 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조). 특허문헌 1에 기재된 액상수지 분사장치에 의하여, 박막패턴을 용이하게 형성할 수 있다. 또, 포트리소그래피로 패턴 형성을 행하는 경우에 비해, 프로세스의 단시간화 및 생산 코스트의 삭감을 실현할 수 있다.There is disclosed a liquid resin spraying apparatus for spraying a liquid resin directly on a substrate and forming a pattern on the basis of image information of computer graphics (for example, refer to Patent Document 1). With the liquid resin spraying apparatus described in Patent Document 1, a thin film pattern can be easily formed. In addition, compared with the case where pattern formation is performed by photolithography, shortening of the process time and reduction of the production cost can be realized.

선행기술문헌Prior art literature

(특허문헌)(Patent Literature)

특허문헌 1: 일본특허공보 제3544543호Patent Document 1: Japanese Patent Publication No. 3544543

하지기판의 양면에, 보다 간편하게 박막패턴을 형성하는 것이 가능한 기술이 요망된다. 본 발명의 목적은, 간이한 구성으로 하지기판의 양면에 박막패턴을 형성하는 것이 가능한 기판제조장치를 제공하는 것이다.A technique capable of forming a thin film pattern more easily on both sides of a base substrate is desired. An object of the present invention is to provide a substrate manufacturing apparatus capable of forming a thin film pattern on both sides of a base substrate with a simple constitution.

본 발명의 일 관점에 의하면,According to one aspect of the present invention,

하지기판의 편면에, 액상의 박막재료를 도포하고, 상기 하지기판에 도포된 박막재료에 빛을 조사하여 박막재료의 표층부를 경화시키는 제1 도포스테이션과,A first application station for applying a liquid thin film material to one surface of a base substrate and curing the surface layer portion of the thin film material by irradiating the thin film material coated on the base substrate with light,

상기 제1 도포스테이션에서 박막재료가 도포된 하지기판이 반입되고, 하지기판에 도포된 박막재료에 빛을 조사하여 박막재료의 내부까지 경화시킴과 함께, 상기 하지기판의 표리를 반전시키는 반전스테이션과,Wherein the base substrate is coated with a thin film material in the first coating station, and the thin film material applied to the base substrate is irradiated with light to cure the inside of the thin film material, ,

상기 제1 도포스테이션과 상기 반전스테이션과의 사이에서 하지기판을 반송하는 반송장치와,A transfer device for transferring a base substrate between the first application station and the reversal station,

상기 제1 도포스테이션, 상기 반전스테이션, 및 상기 반송장치를 제어하는 제어장치를 가지고,And a control device for controlling the first application station, the reversal station, and the transfer device,

상기 제어장치는, 상기 반송장치를 제어하여, 상기 제1 도포스테이션에서 처리된 하지기판을 상기 반전스테이션으로 반송하는 기판제조장치가 제공된다.The control apparatus controls the transporting apparatus to transport the substrate substrate processed in the first coating station to the reversing station.

본 발명의 다른 관점에 의하면,According to another aspect of the present invention,

하지기판을 제1 도포스테이션으로 반입하고, 상기 제1 도포스테이션에 있어서, 상기 하지기판의 제1 면에, 액상의 박막재료를 도포하여, 상기 하지기판에 도포된 박막재료의 표층부를 경화시키는 공정과,A step of bringing a base substrate into a first coating station and applying a liquid thin film material to the first surface of the base substrate in the first coating station to cure the surface layer portion of the thin film material applied to the base substrate and,

상기 제1 도포스테이션으로부터 상기 하지기판을 취출하여 본경화부로 반입하며, 상기 본경화부에 있어서, 상기 하지기판의 상기 제1 면에 도포된 박막재료를, 그 내부까지 경화시키는 공정과,A step of taking out the base substrate from the first coating station and bringing the base substrate into the main curing unit and hardening the thin film material applied to the first surface of the base substrate to the inside of the main curing unit;

상기 하지기판을, 상기 본경화부로부터 반전부까지 반송하고, 상기 반전부에 있어서, 상기 하지기판의 표리를 반전시키는 공정과,A step of transferring the base substrate from the main cured portion to an inverting portion and inverting the front and back surfaces of the base substrate in the inverting portion;

상기 반전부로부터 상기 하지기판을 취출하며, 상기 하지기판의 상하가 반전된 상태로, 상기 하지기판을 상기 제1 도포스테이션까지 반송하고, 상기 제1 도포스테이션에 있어서, 상기 하지기판의 제1 면과는 반대측의 제2 면에, 액상의 박막재료를 도포하여, 상기 하지기판의 상기 제2 면에 도포된 박막재료의 표층부를 경화시키는 공정과,The base substrate is taken out of the inverting portion and the base substrate is transferred to the first application station in a state in which the top and bottom of the base substrate are inverted and in the first application station, A step of applying a liquid thin film material on the second surface opposite to the surface of the base substrate to cure the surface layer portion of the thin film material applied to the second surface of the base substrate,

상기 하지기판을, 상기 제1 도포스테이션으로부터 상기 본경화부까지 반송하며, 상기 본경화부에 있어서, 상기 하지기판의 상기 제2 면에 도포된 박막재료를, 그 내부까지 경화시키는 공정을 가지는 기판제조방법이 제공된다.A step of transferring the base substrate from the first application station to the main curing unit and curing the thin film material applied to the second surface of the base substrate in the main curing unit, A manufacturing method is provided.

반전스테이션에서, 편면에 박막패턴이 형성된 하지기판의 표리를 반전시킴으로써, 다른 일방의 면에, 용이하게 박막패턴을 형성하는 것이 가능해진다.In the reversal station, by reversing the front and back surfaces of the base substrate on which the thin film pattern is formed on one side, it is possible to easily form the thin film pattern on the other side.

도 1은 실시예 1에 의한 기판제조장치를 나타내는 개략도이다.
도 2에 있어서, 도 2의 (a)는, 얼라이먼트스테이션에 구비된 얼라이먼트장치의 개략도이며, 도 2의 (b) 및 도 2의 (c)는, 얼라이먼트스테이션 내의 하지기판을 나타내는 평면도이다.
도 3에 있어서, 도 3의 (a) 및 도 3의 (b)는, 도포스테이션에 구비된 액체방울토출장치의 개략도이다.
도 4에 있어서, 도 4의 (a)는, 노즐유닛을 나타내는 개략도이며, 도 4의 (b)는, 노즐유닛의 액체방울토출면을 나타내는 저면도이고, 도 4의 (c)는, 노즐유닛의 배치를 나타내는 개략적인 평면도이다.
도 5에 있어서, 도 5의 (a)~도 5의 (d)는, 반전스테이션에 구비된 기판 반전장치 및 자외선 조사장치의 개략도이다.
도 6에 있어서, 도 6의 (a), 도 6의 (c), 및 도 6의 (e)는, 기판지지기의 개략적인 평면도이며, 도 6의 (b), 도 6의 (d), 및 도 6의 (f)는, 기판지지기의 개략적인 측면도이다.
도 7은 실시예 2에 의한 기판제조장치의 개략도이다.
도 8은 실시예 3에 의한 기판제조장치의 개략도이다.
도 9는 실시예 4에 의한 기판제조장치의 개략도이다.
도 10은 실시예 5에 의한 기판제조장치의 개략도이다.
도 11은 실시예 6에 의한 기판제조장치의 개략도이다.
도 12에 있어서, 도 12의 (a)~도 12의 (e)는, 실시예 7에 의한 기판제조장치의 반전스테이션의 개략도이다.
도 13에 있어서, 도 13의 (a)~도 13의 (d)는, 실시예 8에 의한 기판제조장치의 반전스테이션의 개략도이다.
도 14는 실시예 9에 의한 기판제조장치의 도포스테이션의 개략 평면도이다.
도 15에 있어서, 도 15의 (a)~도 15의 (d)는, 실시예 9에 의한 도포스테이션에서 박막패턴을 형성하는 순서를 설명하기 위한 도포스테이션 내의 개략 평면도이다.
도 15에 있어서, 도 15의 (e)~도 15의 (h)는, 실시예 9에 의한 도포스테이션에서 박막패턴을 형성하는 순서를 설명하기 위한 도포스테이션 내의 개략 평면도이다.
도 16에 있어서, 도 16의 (a)~도 16의 (c)는, 실시예 10에 의한 기판제조장치의 반전스테이션의 개략도이다.
도 16에 있어서, 도 16의 (d)~도 16의 (f)는, 실시예 10에 의한 기판제조장치의 반전스테이션의 개략도이다.
도 17은, 실시예 11에 의한 기판제조장치의 개략도이다.
도 18에 있어서, 도 18의 (a)~도 18의 (c)는, 실시예 11에 의한 기판제조장치로 기판의 처리를 행할 때의 처리 순서를 설명하기 위한 개략도이다.
도 18에 있어서, 도 18의 (d)~도 18의 (e)는, 실시예 11에 의한 기판제조장치로 기판의 처리를 행할 때의 처리 순서를 설명하기 위한 개략도이다.
도 18에 있어서, 도 18의 (f)~도 18의 (g)는, 실시예 11에 의한 기판제조장치로 기판의 처리를 행할 때의 처리 순서를 설명하기 위한 개략도이다.
도 19에 있어서, 도 19의 (a)는, 실시예 12에 의한 기판제조장치의 개략도이며, 도 19의 (b)는, 일시 축적장치의 개략 측면도이다.
도 20에 있어서, 도 20의 (a)~도 20의 (c)는, 실시예 12에 의한 기판제조장치로 기판의 처리를 행할 때의 처리 순서를 설명하기 위한 개략도이다.
도 20에 있어서, 도 20의 (d)~도 20의 (e)는, 실시예 12에 의한 기판제조장치로 기판의 처리를 행할 때의 처리 순서를 설명하기 위한 개략도이다.
도 21은 실시예 13에 의한 기판제조장치의 개략도이다.
도 22에 있어서, 도 22의 (a), 도 22의 (b), 및 도 22의 (c)는, 각각 2번째의 도포스테이션이 고장나 있는 경우의 기판의 경로인 제1, 제2, 및 제3 예를 나타내는 개략도이다.
도 23에 있어서, 도 23의 (a), 도 23의 (b), 및 도 23의 (c)는, 각각 1번째의 도포스테이션이 고장나 있는 경우의 기판의 경로인 제1, 제2, 및 제3 예를 나타내는 개략도이다.
도 24에 있어서, 도 24의 (a)~도 24의 (b)는, 실시예 14에 의한 기판제조장치로 기판의 처리를 행할 때의 처리 순서를 설명하기 위한 개략도이다.
도 24에 있어서, 도 24의 (c)~도 24의 (d)는, 실시예 14에 의한 기판제조장치로 기판의 처리를 행할 때의 처리 순서를 설명하기 위한 개략도이다.
도 25는, 실시예 15에 의한 기판제조장치의 개략도이다.
도 26은, 실시예 15의 변형예에 의한 기판제조장치의 개략도이다.1 is a schematic view showing a substrate manufacturing apparatus according to a first embodiment.
Fig. 2 (a) is a schematic view of an alignment apparatus provided in the alignment station, and Fig. 2 (b) and Fig. 2 (c) are plan views showing a base substrate in an alignment station.
3, (a) and (b) of FIG. 3 are schematic views of a droplet discharge device provided in a coating station.
4 (b) is a bottom view showing a liquid droplet ejecting surface of the nozzle unit, and Fig. 4 (c) is a plan view of the nozzle unit. Fig. 4 Fig. 7 is a schematic plan view showing the arrangement of units. Fig.
5, (a) to 5 (d) are schematic views of a substrate inverting apparatus and an ultraviolet irradiating apparatus provided in the reversing station.
6 (a), 6 (c) and 6 (e) are schematic plan views of the substrate holder, and FIGS. 6 (b) and 6 And Fig. 6 (f) are schematic side views of the substrate holder.
7 is a schematic view of a substrate manufacturing apparatus according to the second embodiment.
8 is a schematic view of a substrate manufacturing apparatus according to the third embodiment.
9 is a schematic view of a substrate manufacturing apparatus according to the fourth embodiment.
10 is a schematic view of a substrate manufacturing apparatus according to the fifth embodiment.
11 is a schematic view of a substrate manufacturing apparatus according to a sixth embodiment.
12, (a) to 12 (e) are schematic views of a reversing station of the substrate manufacturing apparatus according to the seventh embodiment.
13, (a) to 13 (d) are schematic views of an inversion station of the substrate manufacturing apparatus according to the eighth embodiment.
14 is a schematic plan view of an application station of the substrate manufacturing apparatus according to the ninth embodiment.
In Fig. 15, Figs. 15A to 15D are schematic plan views in a coating station for explaining a procedure of forming a thin film pattern in the application station according to the ninth embodiment.
15, (e) to (h) of FIG. 15 are schematic plan views in a coating station for explaining a procedure of forming a thin film pattern in the coating station according to the ninth embodiment.
16, (a) to (c) of FIG. 16 are schematic views of a reversing station of the substrate manufacturing apparatus according to the tenth embodiment.
16 (d) to 16 (f) are schematic views of the reversing station of the substrate manufacturing apparatus according to the tenth embodiment.
17 is a schematic view of a substrate manufacturing apparatus according to the eleventh embodiment.
In Fig. 18, Figs. 18A to 18C are schematic diagrams for explaining the processing procedure when processing a substrate with the substrate manufacturing apparatus according to the eleventh embodiment. Fig.
18, (d) to (e) of FIG. 18 are schematic views for explaining the processing procedure when a substrate is processed by the substrate manufacturing apparatus according to the eleventh embodiment.
In Fig. 18, (f) to (g) of FIG. 18 are schematic diagrams for explaining the processing procedure when a substrate is processed by the substrate manufacturing apparatus according to the eleventh embodiment.
Fig. 19 (a) is a schematic view of the substrate manufacturing apparatus according to the twelfth embodiment, and Fig. 19 (b) is a schematic side view of the temporary storage apparatus.
20, (a) to (c) of FIG. 20 are schematic views for explaining a processing procedure when a substrate is processed by the substrate manufacturing apparatus according to the twelfth embodiment.
In Fig. 20, (d) to (e) of FIG. 20 are schematic diagrams for explaining the processing procedure when a substrate is processed by the substrate manufacturing apparatus according to the twelfth embodiment.
21 is a schematic view of a substrate manufacturing apparatus according to the thirteenth embodiment.
22 (a), 22 (b), and 22 (c) show the first, second, and third paths of the substrate, respectively, And a third example.
23, (a), (b) and (c) of FIG. 23 show the first, second and third paths, which are the paths of the substrate when the first coating station is broken, And a third example.
In Fig. 24, Figs. 24A to 24B are schematic diagrams for explaining the processing procedure when substrates are processed by the substrate manufacturing apparatus according to the fourteenth embodiment.
24, (c) to (d) of FIG. 24 are schematic views for explaining the processing procedure when a substrate is processed by the substrate manufacturing apparatus according to the fourteenth embodiment.
25 is a schematic view of a substrate manufacturing apparatus according to a fifteenth embodiment.
26 is a schematic view of a substrate manufacturing apparatus according to a modification of the fifteenth embodiment.

［실시예 1］[Example 1]

도 1에, 실시예 1에 의한 기판제조장치의 개략도를 나타낸다. 실시예 1에 의한 기판제조장치는, 케이싱(18)의 내부에 배치된 얼라이먼트스테이션(2), 도포스테이션(3), 반전스테이션(4), 얼라이먼트스테이션(5), 도포스테이션(6), 자외선 조사장치(8, 9), 및, 리프터(11~14)를 포함한다. 기판제조장치의 케이싱(18)에, 기판의 반출입구(1 및 7)가 설치되어 있다. 실시예 1에 의한 기판제조장치는, 예를 들면 직사각형상의 프린트 배선판인 하지기판(21~27)의 양면(제1 면과 제2 면)에, 솔더레지스트의 박막패턴을 형성하기 위하여 이용된다. 본 명세서에 있어서, 박막패턴이 형성되어 있지 않은 하지기판을 간단히 “기판”이라고 하는 경우가 있다.1 is a schematic view of a substrate manufacturing apparatus according to a first embodiment. The substrate manufacturing apparatus according to the first embodiment includes an alignment station 2, a coating station 3, a reversing station 4, an alignment station 5, a coating station 6, an ultraviolet Irradiation devices 8 and 9, and lifters 11 to 14, respectively. In the casing 18 of the substrate manufacturing apparatus, substrate entry / exit ports 1 and 7 are provided. The substrate manufacturing apparatus according to the first embodiment is used for forming thin film patterns of solder resists on both surfaces (first surface and second surface) of a base printed circuit board, for example, a rectangular printed circuit board. In this specification, a base substrate on which a thin film pattern is not formed may be simply referred to as a " substrate ".

기판제조장치는, 컨베이어(15, 16), 및 제어장치(20)를 포함한다. 컨베이어(15)는, 기판(21~27)을, 케이싱(18)의 외부로부터 내부로 반입한다. 리프터(11~14)가, 케이싱(18) 내의 스테이션의 사이에서, 기판(21~27)을 반송한다. 컨베이어(16)는, 케이싱(18)의 내부로부터 외부로 기판(21~27)을 반출한다. 실시예 1에 의한 기판제조장치의 통상 운전시에 있어서는, 기판 반출입구(1)로부터 기판이 반입되고, 기판 반출입구(7)로부터, 기판이 반출된다. 케이싱(18) 내의 각 장치의 동작 및 컨베이어(15, 16)의 동작은, 제어장치(20)에 의하여 제어된다. 제어장치(20)는 기억장치(20a)를 포함한다.The substrate manufacturing apparatus includes conveyors (15, 16) and a control device (20). The conveyor 15 conveys the substrates 21 to 27 from the outside of the casing 18 to the inside. The lifters 11 to 14 carry the substrates 21 to 27 between the stations in the casing 18. [ The conveyor 16 takes out the substrates 21 to 27 from the inside of the casing 18 to the outside. In the normal operation of the substrate manufacturing apparatus according to the first embodiment, the substrate is carried in from the substrate return opening 1 and the substrate is carried out from the substrate return opening 7. The operation of each device in the casing 18 and the operation of the conveyors 15, 16 are controlled by the control device 20. The control device 20 includes a storage device 20a.

기판(21~27)은, 컨베이어(15)에 실려, 반출입구(1)를 통하여 케이싱(18) 내로 반입된다. 이 때, 기판(21~27)의 제1 면이, 도면의 상방(Z축의 정방향)을 향하고 있다.The substrates 21 to 27 are put on the conveyor 15 and carried into the casing 18 through the entrance / exit port 1. At this time, the first surfaces of the substrates 21 to 27 are directed upward (in the Z-axis direction) in the drawing.

연직 상방을 Z축의 정방향으로 하는 XYZ직교좌표계를 정의한다. 이하의 설명에 있어서, 얼라이먼트스테이션(2)에서 도포스테이션(6)까지의 5개의 스테이션은, 순서대로 X축의 정방향을 향하여 배치되어 있다. 반출입구(1)로부터 케이싱(18)내로 반입된 기판(21~27)은, 각 스테이션(2~6)을 경유하여, 전체적으로 X축의 정방향을 향하여 반송되고, 반출입구(7)로부터 케이싱(18)의 외부로 반출된다.Define an XYZ Cartesian coordinate system with the vertically upwards direction of the Z axis. In the following description, the five stations from the alignment station 2 to the application station 6 are arranged in the forward direction of the X axis in order. The substrates 21 to 27 carried into the casing 18 from the entrance entrance 1 are transported in the forward direction of the X axis as a whole via the stations 2 to 6 and are transported from the entrance entrance 7 to the casing 18 As shown in FIG.

먼저, 실시예 1에 의한 기판제조장치의 통상 운전시의 동작에 대하여 설명한다. 케이싱(18)의 내부에 도입된 기판(21~27)은, 리프터(11)에 의하여, 얼라이먼트스테이션(2)으로 반송된다. 얼라이먼트스테이션(2)에 있어서는, 기판(21~27)의 표면에 형성된 얼라이먼트마크가 검출되고, 검출결과에 근거하여, 기판(21~27)의 얼라이먼트(위치맞춤)가 행해진다.First, the operation of the substrate manufacturing apparatus according to the first embodiment at the time of normal operation will be described. The substrates 21 to 27 introduced into the casing 18 are transported to the alignment station 2 by the lifter 11. Alignment marks formed on the surfaces of the substrates 21 to 27 are detected and the alignment of the substrates 21 to 27 is performed based on the detection results.

얼라이먼트가 행해진 기판(21~27)은, 리프터(11)에 의하여, 도포스테이션(3)으로 반송된다. 도포스테이션(3)에 있어서, 기판(21~27)의 제1 면에 솔더레지스트의 박막패턴이 형성된다. 도포스테이션(3)에서 형성된 박막패턴은, 그 표층부만이 경화된 상태이며, 박막패턴의 내부는 액상인 채이다. 표층부만이 경화되는 현상을 “가경화”라고 하고, 내부까지 경화되는 현상을 “본경화”라고 하기로 한다.The substrates 21 to 27 subjected to the alignment are transported to the coating station 3 by the lifter 11. In the application station 3, a thin film pattern of solder resist is formed on the first surface of the substrates 21 to 27. In the thin film pattern formed in the application station 3, only the surface layer portion is in a cured state, and the inside of the thin film pattern is in a liquid state. The phenomenon in which only the surface layer portion is cured is referred to as " hardening ", and the phenomenon in which the portion is hardened to the inside is referred to as " final hardening ".

제1 면에 박막패턴이 형성된 기판(21~27)은, 리프터(12)에 의하여, 도포스테이션(3)으로부터 반전스테이션(4)으로 반송된다. 반전스테이션(4)에 있어서, 기판(21~27)의 표리가 반전된다. 이 결과, 기판(21~27)의 제2 면이, Z축의 정방향을 향하게 된다. 또, 반전스테이션(4)에 있어서, 기판(21~27)의 제1 면에 형성된 박막패턴의 본경화가 행해진다.The substrates 21 to 27 on which the thin film pattern is formed on the first surface are transported from the application station 3 to the reversing station 4 by the lifter 12. In the reversing station 4, the front and back sides of the substrates 21 to 27 are reversed. As a result, the second surface of the substrates 21 to 27 is oriented in the forward direction of the Z axis. In the reversing station 4, the thin film pattern formed on the first surface of the substrates 21 to 27 is finally cured.

표리가 반전되고, 또한 제1 면의 박막패턴이 본경화된 기판(21~27)은, 리프터(13)로, 반전스테이션(4)으로부터 2번째의 얼라이먼트스테이션(5)으로 반송된다. 2번째의 얼라이먼트스테이션(5)에 있어서는, 기판(21~27)의 제2 면에 형성된 얼라이먼트마크가 검출되고, 검출결과에 근거하여, 기판(21~27)의 얼라이먼트가 행해진다.The substrates 21 to 27 on which the front and back sides are inverted and the thin film pattern of the first side is finally cured are transported from the reversing station 4 to the second alignment station 5 by the lifter 13. Alignment marks formed on the second surface of the substrates 21 to 27 are detected in the second alignment station 5 and alignment of the substrates 21 to 27 is performed based on the detection result.

기판(21~27)은, 리프터(13)에 의하여, 얼라이먼트스테이션(5)으로부터 2번째의 도포스테이션(6)으로 반송된다. 2번째의 도포스테이션(6)에 있어서, 기판(21~27)의 제2 면에 솔더레지스트의 박막패턴이 형성된다.The substrates 21 to 27 are transported from the alignment station 5 to the second coating station 6 by the lifter 13. In the second application station 6, a thin film pattern of solder resist is formed on the second surface of the substrates 21 to 27. [

제2 면에 박막패턴이 형성된 기판(21~27)은, 리프터(14)에 의하여, 도포스테이션(6)으로부터 컨베이어(16)로 반송된다. 컨베이어(16)는, 기판(21~27)을, 반출입구(7)로부터 케이싱(18)의 외부로 반출한다. 기판(21~27)이 컨베이어(16) 위에 실린 상태로, 자외선 조사장치(9)에 의하여, 기판(21~27)의 제2 면의 전체에 자외선이 조사된다. 자외선 조사에 의하여, 기판(21~27)의 제2 면에 형성된 박막패턴이 본경화된다. 자외선 조사장치(9)는, 컨베이어(16) 위에 실린 기판(21~27)의 상방을 통과하도록, 케이싱(18) 내를 이동한다. 자외선 조사장치(9)가 기판(21~27)의 상방을 통과할 때에, 기판(21~27)의 제2 면에 자외선을 조사한다. 또는, 자외선 조사장치(9)를 케이싱(18) 내에 고정하고, 기판(21~27)이 컨베이어(16)에 실려, 자외선 조사장치(9)의 하방을 통과할 때에, 자외선 조사장치(9)로부터 기판(21~27)에 자외선이 조사되는 구성으로 하여도 된다. 기판(21~27)으로의 자외선의 조사는, 제어장치(20)에 의하여 제어된다.The substrates 21 to 27 on which the thin film pattern is formed on the second surface are transported from the application station 6 to the conveyor 16 by the lifter 14. The conveyor 16 transports the substrates 21 to 27 to the outside of the casing 18 from the entrance / exit port 7. Ultraviolet rays are irradiated onto the entire second surface of the substrates 21 to 27 by the ultraviolet ray irradiating device 9 while the substrates 21 to 27 are put on the conveyor 16. The thin film pattern formed on the second surface of the substrates 21 to 27 is finally cured by ultraviolet irradiation. The ultraviolet irradiator 9 moves in the casing 18 so as to pass over the substrates 21 to 27 placed on the conveyor 16. Ultraviolet rays are applied to the second surface of the substrates 21 to 27 when the ultraviolet ray irradiating device 9 passes above the substrates 21 to 27. [ Or when the ultraviolet ray irradiating device 9 is fixed in the casing 18 and the substrates 21 to 27 are put on the conveyor 16 and pass under the ultraviolet ray irradiating device 9, The substrate 21-27 may be irradiated with ultraviolet rays. The irradiation of the ultraviolet rays to the substrates 21 to 27 is controlled by the control device 20.

실시예 1에 의한 기판제조장치에 있어서는, 얼라이먼트스테이션(2), 도포스테이션(3), 반전스테이션(4), 얼라이먼트스테이션(5), 도포스테이션(6)의 각 스테이션에서, 처리가 병행하여 행해진다. 예를 들면, 얼라이먼트스테이션(2)에서, 기판(22)의 제1 면에 형성된 얼라이먼트마크의 검출, 및 기판(22)의 얼라이먼트가 행해지고 있는 기간에, 도포스테이션(3)에 있어서, 다른 기판(23)의 제1 면에 박막패턴이 형성된다. 이 동안, 반전스테이션(4)에서는, 다른 기판(24)의 제1 면에 형성된 박막패턴의 본경화와, 기판(24)의 표리의 반전이 행해지고, 얼라이먼트스테이션(5)에서는, 다른 기판(25)의 제2 면에 형성된 얼라이먼트마크의 검출, 및 기판(25)의 얼라이먼트가 행해진다. 도포스테이션(6)에 있어서는, 다른 기판(26)의 제2 면에 박막패턴이 형성된다. 다만, 이 동안에, 컨베이어(15)는, 박막패턴 미형성의 다른 기판(21)을 케이싱(18) 내로 반입하고, 컨베이어(16)는, 박막패턴이 양면에 형성된 기판(27)을, 케이싱(18)으로부터 반출한다. 이와 같이, 처리가 병행하여 행해지기 때문에, 생산 효율의 향상을 실현할 수 있다.In the substrate manufacturing apparatus according to the first embodiment, in each station of the alignment station 2, the application station 3, the reversal station 4, the alignment station 5, and the application station 6, All. For example, in the alignment station 2, in the application station 3, while the alignment mark formed on the first surface of the substrate 22 is detected and the alignment of the substrate 22 is being performed, 23 are formed on the first surface. During this time, in the reversing station 4, the final hardening of the thin film pattern formed on the first surface of the other substrate 24 and the inversion of the front and back surfaces of the substrate 24 are performed. In the alignment station 5, , And alignment of the substrate 25 are carried out. In the application station 6, a thin film pattern is formed on the second surface of the other substrate 26. [ The conveyor 15 conveys the substrate 27 having the thin film pattern formed on both surfaces thereof to the casing 18 so that the thin film pattern is formed on the other side of the casing 18. In this case, 18). Since the processing is performed in parallel in this manner, the production efficiency can be improved.

도 2의 (a)~도 2의 (c)를 참조하여, 얼라이먼트스테이션(2)에 대하여 설명한다. 도 2의 (a)는, 얼라이먼트스테이션(2)에 구비된 얼라이먼트장치의 개략도를 나타낸다. 얼라이먼트장치는, 베이스(기대)(31) 위에, 베이스(31)측으로부터 순서대로 배치되는 Y스테이지(32), θ스테이지(33), 척플레이트(34)를 포함한다. 척플레이트(34)는, 리프터(11)(도 1)에 의하여, 얼라이먼트스테이션(2)으로 반송된 기판(22)을 흡착지지한다.The alignment station 2 will be described with reference to Figs. 2 (a) to 2 (c). Fig. 2 (a) shows a schematic view of the alignment apparatus provided in the alignment station 2. Fig. The alignment apparatus includes a Y stage 32, a? Stage 33, and a chuck plate 34 which are arranged in order from the base 31 side on a base (base) 31. The chuck plate 34 attracts and supports the substrate 22 conveyed to the alignment station 2 by the lifter 11 (Fig. 1).

Y스테이지(32)는, θ스테이지(33) 및 척플레이트(34)와 함께, 기판(22)을 Y축방향으로 이동시킨다. θ스테이지(33)는, Z축에 평행한 축을 회전중심으로 하여, 척플레이트(34)와 함께 기판(22)을 회전시킨다. 본 명세서에 있어서, Y스테이지(32), θ스테이지(33), 및 척플레이트(34)를 통틀어 “이동스테이지”라고 한다. 척플레이트(34)에 의한 기판(22)의 흡착, Y스테이지(32) 및 θ스테이지(33)에 의한 기판(22)의 이동은, 제어장치(20)에 의하여 제어된다.The Y stage 32 moves the substrate 22 together with the? Stage 33 and the chuck plate 34 in the Y axis direction. Theta stage 33 rotates the substrate 22 together with the chuck plate 34 with the axis parallel to the Z axis as the rotation center. In this specification, the Y stage 32, the? Stage 33, and the chuck plate 34 are collectively referred to as a " moving stage ". The attraction of the substrate 22 by the chuck plate 34 and the movement of the substrate 22 by the Y stage 32 and theta stage 33 are controlled by the control device 20. [

얼라이먼트장치는, CCD 카메라(35~38)를 포함한다. CCD 카메라(35~38)는, 척플레이트(34)에 지지된 기판(22)의 표면에 형성되어 있는 얼라이먼트마크를 촬상한다. CCD 카메라(35~38)에 의한 촬상은, 제어장치(20)에 의하여 제어된다. 또, CCD 카메라(35~38)에 의하여 얻어진 화상데이터(검출결과)는, 제어장치(20)에 송신된다.The alignment apparatus includes CCD cameras 35 to 38. The CCD cameras 35 to 38 pick up an alignment mark formed on the surface of the substrate 22 supported by the chuck plate 34. [ The image pickup by the CCD cameras 35 to 38 is controlled by the control device 20. The image data (detection result) obtained by the CCD cameras 35 to 38 is transmitted to the control device 20. [

도 2의 (b)는, 얼라이먼트스테이션(2)에 구비된 이동스테이지, 및 척플레이트(34)에 흡착지지된 기판(22)의 평면도를 나타낸다. 기판(22)의 제1 면에, 얼라이먼트마크(22a~22d)가 형성되어 있다. 얼라이먼트마크(22a~22d)는, 예를 들면 각각 네 모서리의 근방에 배치되어 있다.2B shows a plan view of the moving stage provided in the alignment station 2 and the substrate 22 attracted and supported by the chuck plate 34. As shown in Fig. On the first surface of the substrate 22, alignment marks 22a to 22d are formed. The alignment marks 22a to 22d are arranged in the vicinity of four corners, for example.

리프터(11)에 의하여 척플레이트(34) 위까지 반송된 기판(22)은, 척플레이트(34)에 흡착지지된다. 척플레이트(34)에 지지된 기판(22)은, Y스테이지(32)에 의하여, 얼라이먼트스테이션(2) 내를 Y축의 부의 방향으로 이동된다. 도 2의 (b)에 있어서는, 이동된 후의 척플레이트(34) 및 기판(22)을 괄호 내에 나타냈다.The substrate 22 transported to the chuck plate 34 by the lifter 11 is attracted and supported by the chuck plate 34. [ The substrate 22 supported on the chuck plate 34 is moved in the Y direction by the Y stage 32 in the alignment station 2. In Fig. 2 (b), the chuck plate 34 and the substrate 22 after being moved are shown in parentheses.

CCD 카메라(35~38)는, 리프터(11)로부터 기판(22)을 수취할 때의 척플레이트(34)의 위치보다, Y축의 부의 측에 배치되어 있다. 또, CCD 카메라(35~38)는, 각각 얼라이먼트마크(22a~22d)를 동시에 촬상 가능하도록 상대 위치 관계를 가진다. 기판(22)은, Y스테이지(32)에 의하여 CCD 카메라(35~38)의 하방으로 이동되고, CCD 카메라(35~38)가, 각각 기판(22)의 제1 면에 형성된 얼라이먼트마크(22a~22d)를 촬상한다. 촬상된 화상데이터가, 제어장치(20)에 송신된다.The CCD cameras 35 to 38 are disposed on the side of the Y axis relative to the position of the chuck plate 34 at the time of receiving the substrate 22 from the lifter 11. [ The CCD cameras 35 to 38 have a relative positional relationship so that the alignment marks 22a to 22d can be imaged at the same time. The substrate 22 is moved by the Y stage 32 to below the CCD cameras 35 to 38 and the CCD cameras 35 to 38 are moved by the alignment marks 22a To 22d. The picked-up image data is transmitted to the control device 20.

제어장치(20)는, CCD 카메라(35~38)에 의하여 취득된 화상데이터를 해석하고, 기판(22)의 위치, 및, Z축에 평행한 축을 회전중심으로 한 회전방향의 위치(자세)를 산출한다. 그 후, 기판(22)의 회전방향의 위치를 보정한다. 회전방향의 위치의 보정을 “θ보정”이라고 한다.The controller 20 analyzes the image data acquired by the CCD cameras 35 to 38 and determines the position of the substrate 22 and the position (posture) in the rotational direction about the axis parallel to the Z- . Thereafter, the position of the substrate 22 in the rotational direction is corrected. The correction of the position in the rotational direction is referred to as " [theta] correction ".

도 2의 (b)에는, 일례로서, 기판(22)에, XY평면의 회전방향에 관하여, 목표위치로부터 반시계방향으로 각도(α)만큼 위치 어긋남이 발생하고 있는 경우를 나타냈다. 이 경우, 얼라이먼트마크(22a)에 대응하는 정점과, 얼라이먼트마크(22d)에 대응하는 정점을 잇는 변은, 후자의 정점을 기준으로 하여, X축의 정방향으로부터 반시계방향으로 각도(α)만큼 기울어져 있게 된다. 이 위치 어긋남은, CCD 카메라(35~38)에 의하여 취득된 화상데이터에 근거하여, 제어장치(20)가 산출한다. 제어장치(20)는, θ스테이지(33)를 시계방향으로 각도(α)만큼 회전시킴으로써, θ보정을 행한다.2B shows a case where a positional shift occurs in the substrate 22 by an angle? In the counterclockwise direction from the target position with respect to the rotation direction of the XY plane as an example. In this case, the side connecting the vertex corresponding to the alignment mark 22a and the vertex corresponding to the alignment mark 22d is inclined by an angle alpha in the counterclockwise direction from the normal direction of the X axis with reference to the latter vertex . The positional deviation is calculated by the control device 20 based on the image data acquired by the CCD cameras 35 to 38. The controller 20 rotates the? Stage 33 clockwise by an angle?, Thereby performing the? Correction.

도 2의 (c)에, θ보정 후의 척플레이트(34) 및 기판(22)의 평면도를 나타낸다. θ보정의 결과, 직사각형상의 기판(22)의 각 변은, X축 또는 Y축에 평행하게 된다. 기판(22)의 θ보정을 행한 후, 제어장치(20)는, Y스테이지(32)를 구동하여, 기판(22)을 Y축의 정의 방향으로 이동시킨다. Y스테이지(32)의 이동거리는, 도 2의 (b)에 나타낸 공정에 있어서, Y스테이지(32)를 Y축의 부의 방향으로 이동시킨 거리와 동일하다.2 (c) is a plan view of the chuck plate 34 and the substrate 22 after the θ correction. As a result of the [theta] correction, each side of the rectangular substrate 22 becomes parallel to the X axis or the Y axis. After the θ correction of the substrate 22 is performed, the controller 20 drives the Y stage 32 to move the substrate 22 in the positive direction of the Y axis. The moving distance of the Y stage 32 is the same as the moving distance of the Y stage 32 in the negative direction of the Y axis in the step shown in FIG. 2 (b).

도 2의 (c)의 괄호 내에, Y축의 정의 방향으로 이동한 후의 척플레이트(34) 및 기판(22)을 나타낸다. θ보정이 실시된 기판(22)은, 리프터(11)(도 1)에 의하여, 얼라이먼트스테이션(2)으로부터 도포스테이션(3)(도 1)으로 반송된다. 리프터(11)는, θ스테이지(33)의 회전에 의하여, θ보정 후의 기판(22)의 회전방향의 위치(자세)를 유지하여, 도포스테이션(3)까지 반송한다.The chuck plate 34 and the substrate 22 after moving in the positive direction of the Y-axis are shown in the parentheses of FIG. 2 (c). The substrate 22 subjected to the θ correction is transported from the alignment station 2 to the application station 3 (FIG. 1) by the lifter 11 (FIG. 1). The lifter 11 holds the position (posture) in the rotational direction of the substrate 22 after the θ correction by the rotation of the θ stage 33 and conveys it to the coating station 3.

도 1에 나타낸 얼라이먼트스테이션(2)에서 보정이 완료되어 있기 때문에, 도포스테이션(3)에서는, 기판(22)의 θ보정을 행하지 않고, 기판(22)의 제1 면으로의, 박막패턴의 형성을 개시할 수 있다. 도포스테이션(3)에서 θ보정을 행하고, 그 후에 박막패턴을 형성하는 경우와 비교하면, 도포스테이션(3)에서의 처리시간을 단축할 수 있다. 그 결과, 택트타임의 단축, 및 생산 효율의 향상을 실현하는 것이 가능하다.The correction at the alignment station 2 shown in Fig. 1 is completed so that the application station 3 can perform the correction of the thickness of the thin film pattern to the first surface of the substrate 22 Lt; / RTI > It is possible to shorten the processing time in the application station 3 as compared with the case where θ is corrected in the application station 3 and then a thin film pattern is formed. As a result, it is possible to shorten the tact time and improve the production efficiency.

기판(22)에, 신장변형이 발생하고 있는 경우가 있다. 신장변형이 발생하고 있으면, 박막패턴 형성 시점에 있어서의 기판의 치수가 설계치와는 상이하다. 제어장치(20)는, 얼라이먼트스테이션(2)에서 취득된 화상데이터에 근거하여, 기판(22)의 치수를 산출한다. 산출된 기판의 치수에 근거하여, 도포스테이션(3)에서 박막패턴을 형성할 때에 사용되는 토출제어용 화상데이터를 생성한다. 생성된 토출제어용 화상데이터는, 제어장치(20)의 기억장치(20a)에 격납된다.There is a case where elongation deformation occurs in the substrate 22 in some cases. If elongation deformation occurs, the dimensions of the substrate at the time of thin film pattern formation are different from the design values. The control device 20 calculates the dimension of the substrate 22 based on the image data acquired by the alignment station 2. [ Based on the calculated dimensions of the substrate, the discharge control image data used for forming the thin film pattern in the application station 3 is generated. The generated discharge control image data is stored in the storage device 20a of the control device 20. [

도 3의 (a) 및 도 3의 (b)에, 도포스테이션(3)(도 1)에 구비된 액체방울토출장치(70)의 개략도를 나타낸다. 도 3의 (a)에 나타내는 바와 같이, 액체방울토출장치(70)는, XY평면에 평행한 자세로 설치된 베이스(기대)(41), 및, 베이스(41) 위에, 베이스(41)측으로부터 순서대로 배치된 X스테이지(43), Y스테이지(44), 척플레이트(45)를 포함한다. 척플레이트(45)는, 리프터(11)(도 1)에 의하여, 도포스테이션(3)으로 반송된 기판(23)을 흡착지지한다.3 (a) and 3 (b) are schematic views of the droplet jetting apparatus 70 provided in the application station 3 (Fig. 1). 3 (a), the droplet ejecting apparatus 70 includes a base (base) 41 provided in a posture parallel to the XY plane, and a base And includes an X stage 43, a Y stage 44, and a chuck plate 45 arranged in this order. The chuck plate 45 attracts and supports the substrate 23 conveyed to the application station 3 by the lifter 11 (Fig. 1).

X스테이지(43)는, Y스테이지(44) 및 척플레이트(45)와 함께, 기판(23)을 X축방향으로 이동시킨다. Y스테이지(44)는, 척플레이트(45)와 함께, 기판(23)을 Y축방향으로 이동시킨다. X스테이지(43), Y스테이지(44), 및 척플레이트(45)를 통틀어, “이동스테이지”라고 한다. 척플레이트(45)에 의한 기판(23)의 흡착, X스테이지(43) 및 Y스테이지(44)에 의한 기판(23)의 이동은, 제어장치(20)에 의하여 제어된다.The X stage 43 moves the substrate 23 together with the Y stage 44 and the chuck plate 45 in the X axis direction. The Y stage 44 moves the substrate 23 together with the chuck plate 45 in the Y axis direction. The X stage 43, the Y stage 44, and the chuck plate 45 are collectively referred to as a " moving stage ". The adsorption of the substrate 23 by the chuck plate 45 and the movement of the substrate 23 by the X stage 43 and the Y stage 44 are controlled by the control device 20.

다만, 이동스테이지로서, X스테이지(43), Y스테이지(44), 및 척플레이트(45)의 기능을 가지는 고기능스테이지를 이용하여도 된다.However, an advanced stage having the functions of the X stage 43, the Y stage 44, and the chuck plate 45 may be used as the moving stage.

베이스(41)에 프레임(42)이 고정되어 있다. 프레임(42)은, 2개의 지주(42a, 42b), 및 빔(42c)을 포함한다. 지주(42a, 42b)는, 베이스(41)의 Y축방향의 대략 중앙에 장착되어 있다. 빔(42c)은, X축방향을 따르도록, 지주(42a, 42b)에 지지된다. 노즐유닛(47a~47f)이, 프레임(42)에 의하여, 척플레이트(45)의 상방에 지지되어 있다.And a frame 42 is fixed to the base 41. The frame 42 includes two struts 42a and 42b and a beam 42c. The struts 42a and 42b are mounted at the substantially center of the base 41 in the Y-axis direction. The beam 42c is supported on the struts 42a and 42b so as to follow the X-axis direction. The nozzle units 47a to 47f are supported by the frame 42 above the chuck plate 45. [

노즐유닛(47a~47f)은, 연결부재(46)를 통하여, 프레임(42)의 빔(42c)에 지지되어 있다. 노즐유닛(47a~47f)은, 각각 복수의 노즐헤드 및 자외광원을 포함한다. 노즐헤드는, 예를 들면 자외선 경화형의 박막재료의 액체방울을, 척플레이트(45)에 지지된 기판(23)의 제1 면을 향하여 토출한다. 박막재료의 토출은, 기판(23)을 Y축방향으로 이동시키면서 행해진다. 토출된 박막재료에 의하여, 기판(23)의 제1 면에 소정의 평면형상을 가지는 박막패턴이 형성된다. 자외광원으로부터 출사되는 자외선에 의하여, 박막패턴이 가경화된다.The nozzle units 47a to 47f are supported by the beam 42c of the frame 42 via the connecting member 46. [ Each of the nozzle units 47a to 47f includes a plurality of nozzle heads and an ultraviolet light source. The nozzle head discharges liquid droplets of, for example, ultraviolet curable thin film material toward the first surface of the substrate 23 supported by the chuck plate 45. Discharge of the thin film material is performed while moving the substrate 23 in the Y-axis direction. A thin film pattern having a predetermined planar shape is formed on the first surface of the substrate 23 by the discharged thin film material. By the ultraviolet rays emitted from the ultraviolet light source, the thin film pattern becomes tentative.

제어장치(20)의 기억장치(20a)에, 기판(23)의 제1 면에 형성해야 하는 박막패턴의 평면형상을 정의하는 화상데이터(패턴 정의데이터)가 기억되어 있다. 패턴 정의데이터는, 예를 들면 거버포맷으로 주어진다. 또한, 기억장치(20a)에, 이동스테이지에 의한 기판(23)의 이동량과 노즐헤드로부터의 잉크의 토출시기와의 관계(토출타이밍)를 나타내는 데이터가 기억되어 있다. 이들 데이터는, 기판(23)이 변형을 발생시키고 있지 않다는 전제로 주어진 설계데이터이다. 기판(23)에 변형이 발생하고 있는 경우에는, 이 설계데이터를 그대로 사용할 수 없다.Image data (pattern definition data) defining the planar shape of the thin film pattern to be formed on the first surface of the substrate 23 is stored in the storage device 20a of the control device 20. The pattern definition data is given, for example, in Gerber format. The storage device 20a also stores data indicating the relationship (ejection timing) between the movement amount of the substrate 23 by the moving stage and the ejection timing of the ink from the nozzle head. These data are design data given on the assumption that the substrate 23 is not deformed. If the substrate 23 is deformed, this design data can not be used as it is.

제어장치(20)는, 이들 설계데이터로부터, 얼라이먼트스테이션(2)(도 1)에서 촬상된 기판(23)의 화상데이터에 근거하여, 토출제어용 화상데이터를 생성한다. 토출제어용 화상데이터는, 예를 들면 래스터포맷으로 주어진다. 이하, 토출제어용 화상데이터의 생성순서에 대하여 설명한다. 제어장치(20)가, 얼라이먼트스테이션(2)에서 취득된 화상데이터로부터, 기판(23)의 X방향, Y방향의 신축량을 산출한다. X방향 및 Y방향에 대하여, 기판(23)의 X방향 및 Y방향의 신축량에 따라, 패턴 정의데이터를 보정한다. 보정 후의 패턴 정의데이터에 근거하여, 래스터포맷의 토출제어용 화상데이터를 생성한다.The control device 20 generates image data for discharge control based on the image data of the substrate 23 picked up by the alignment station 2 (Fig. 1) from these design data. The image data for discharge control is given in, for example, a raster format. Hereinafter, the order of generation of the discharge control image data will be described. The control device 20 calculates the expansion and contraction amounts of the substrate 23 in the X and Y directions from the image data obtained in the alignment station 2. [ The pattern definition data is corrected according to the X-direction and Y-direction expansion / contraction amounts of the substrate 23 with respect to the X direction and the Y direction. And generates discharge control image data in a raster format based on the corrected pattern definition data.

제어장치(20)는, 기억장치(20a)에 보존된 토출제어용 화상데이터에 근거하여, 기판(23)의 제1 면의 소정영역에 박막재료가 도포되도록, 노즐유닛(47a~47f)으로부터의 박막재료의 토출, 및 이동스테이지에 의한 기판(23)의 이동을 제어한다. 기판(23)이, Y축방향을 따라 이동하고, 노즐유닛(47a~47f)의 연직 하방(Z축의 부의 방향)을 통과할 때에, 기판(23)의 제1 면에 박막재료가 도포된다.The controller 20 controls the nozzle units 47a to 47f so that the thin film material is applied to a predetermined area on the first surface of the substrate 23 based on the image data for ejection control stored in the storage device 20a The discharge of the thin film material, and the movement of the substrate 23 by the moving stage. A thin film material is applied to the first surface of the substrate 23 when the substrate 23 moves along the Y axis direction and passes below the nozzle units 47a to 47f in the vertical direction (in the Z axis direction).

도 3의 (b)에, 액체방울토출장치(70)의 노즐유닛(47a~47f)의 근방의 개략도를 나타낸다. 노즐유닛(47a~47f)은, 동일한 구성을 가지고, X축방향을 따라 등간격으로 연결부재(46)에 고정되어 있다. 연결부재(46)는, 프레임의 빔(42c)에, Z축방향으로 이동 가능하게 장착되어 있다. 연결부재(46)를 Z축방향으로 이동시킴으로써, 노즐유닛(47a~47f)과, 기판(23)과의 사이의 거리를 변화시킬 수 있다. 연결부재(46)에 의한 노즐유닛(47a~47f)의 Z축방향으로의 이동은, 제어장치(20)에 의하여 제어된다. 다만, 노즐유닛(47a~47f)은, 연결부재(46)를 개재하지 않고, 직접 프레임의 빔(42c)에 고정되어 있어도 된다.Fig. 3 (b) is a schematic view of the vicinity of the nozzle units 47a to 47f of the droplet jet apparatus 70. Fig. The nozzle units 47a to 47f have the same configuration and are fixed to the connecting member 46 at regular intervals along the X-axis direction. The connecting member 46 is mounted on the beam 42c of the frame movably in the Z-axis direction. The distance between the nozzle units 47a to 47f and the substrate 23 can be changed by moving the connecting member 46 in the Z axis direction. The movement of the nozzle units 47a to 47f in the Z-axis direction by the connecting member 46 is controlled by the control device 20. [ However, the nozzle units 47a to 47f may be directly fixed to the beam 42c of the frame without interposing the connecting member 46 therebetween.

도 4의 (a)에, 노즐유닛(47a)의 사시도를 나타낸다. 노즐유닛(47a)은, 노즐홀더(47a_c)에, Y축방향을 따라 교대로 설치된 노즐헤드(47a₁~47a₄), 및 자외광원(47a₅~47a₉)을 포함한다. 각 노즐헤드(47a₁~47a₄)는, Y축방향을 따라 배치되는 2열의 노즐열을 구비한다. 각 노즐열은, X축방향을 따라 배열되는 복수, 예를 들면 192개의 노즐구멍에 의하여 구성된다. 각 노즐열의 X축방향을 따르는 길이는, 예를 들면 약 30mm이다. 이로 인하여 노즐유닛(47a)의 X축방향을 따르는 길이도 약 30mm이다. 각 노즐구멍으로부터 자외선 경화형의 박막재료가 토출된다.Fig. 4 (a) is a perspective view of the nozzle unit 47a. The nozzle unit 47a includes nozzle heads 47a ₁ to 47a ₄ and ultraviolet light sources 47a ₅ to 47a ₉ arranged alternately in the Y-axis direction in the nozzle holder 47a _c . Each of the nozzle heads 47a ₁ to 47a ₄ has two rows of nozzles arranged along the Y-axis direction. Each nozzle row is constituted by a plurality of, for example, 192 nozzle holes arranged along the X-axis direction. The length of each nozzle row along the X-axis direction is, for example, about 30 mm. The length along the X-axis direction of the nozzle unit 47a is also about 30 mm. An ultraviolet curable thin film material is discharged from each nozzle hole.

자외광원(47a₅~47a₉)은, 예를 들면 발광 다이오드(LED)를 포함하여 구성되고, 자외영역의 파장의 빛을 발광한다. 노즐헤드(47a₁~47a₄)의 각 노즐구멍으로부터 기판(23)에 토출된 자외선 경화형의 박막재료는, 자외광원(47a₅~47a₉)으로부터 발광되는 빛에 의하여 가경화된다. 자외광원(47a₅~47a₉)으로부터의 자외광의 출사는, 제어장치(20)에 의하여 제어된다.The ultraviolet light sources 47a ₅ to 47a ₉ include, for example, a light emitting diode (LED), and emit light having a wavelength in the ultraviolet region. The ultraviolet curing type thin film material discharged from the nozzle holes of the nozzle heads 47a ₁ to 47a ₄ to the substrate 23 is temporarily cured by light emitted from the ultraviolet light sources 47a ₅ to 47a ₉ . The emission of the ultraviolet light from the ultraviolet light sources 47a ₅ to 47a ₉ is controlled by the control device 20.

도 4의 (b)에, 노즐유닛(47a)(노즐헤드(47a₁~47a₄))의 저면도를 나타낸다. 도 4의 (b)에서는, 자외광원(47a₅~47a₉)의 기재는 생략하였다.Fig. 4B shows a bottom view of the nozzle unit 47a (nozzle heads 47a ₁ to 47a ₄ ). In (b) of Figure 4, the UV light source (47a ₅ ~ 47a ₉₎ of the base material are omitted.

노즐헤드(47a₁~47a₄)의 하나의 노즐열에 주목하면, 노즐구멍은 X축방향을 따라 160㎛ 간격으로 배치된다. 각 노즐헤드(47a₁~47a₄)에 있어서, Y축의 정측의 노즐열의 노즐구멍은, Y축의 부측의 노즐열의 노즐구멍에 대하여, X축의 정방향으로 80㎛ 어긋나 있다. 이로 인하여 각 노즐헤드(47a₁~47a₄)는, X축방향으로 80㎛ 간격으로 지그재그형상으로 배열되는 384개의 노즐구멍을 포함하고, 약 300dpi에 상당하는 해상도를 가진다. 각 노즐구멍에 압전소자가 배치되어 있으며, 압전소자에 전압을 인가함으로써 박막재료가 노즐구멍으로부터 토출된다. 압전소자로의 전압의 인가는 제어장치(20)에 의하여 제어된다. 즉, 제어장치(20)에 의하여 박막재료의 토출이 제어된다. 다만, 실시예 1에 있어서는, 노즐헤드(47a₁~47a₄)의 각각에 2열의 노즐열을 배치하였지만, 노즐열의 개수는, 1열이어도 되고, 3열 이상이어도 된다.Paying attention to one nozzle row of the nozzle heads 47a ₁ to 47a ₄ , the nozzle holes are arranged at intervals of 160 탆 along the X-axis direction. In each of the nozzle heads 47a ₁ to 47a ₄ , the nozzle hole of the nozzle row on the positive side of the Y-axis deviates from the nozzle hole of the nozzle row on the side of the Y-axis by 80 占 퐉 in the positive direction of the X-axis. Thus, each of the nozzle heads 47a ₁ to 47a ₄ includes 384 nozzle holes arranged in a zigzag shape at intervals of 80 μm in the X-axis direction, and has a resolution equivalent to about 300 dpi. A piezoelectric element is disposed in each nozzle hole, and a thin film material is discharged from the nozzle hole by applying a voltage to the piezoelectric element. The application of the voltage to the piezoelectric element is controlled by the control device 20. That is, the control device 20 controls the discharge of the thin film material. In Embodiment 1, although two rows of nozzle rows are arranged in each of the nozzle heads 47a ₁ to 47a ₄ , the number of nozzle rows may be one or three or more.

노즐헤드(47a₁~47a₄)는, 순서대로 상대 위치를 X축의 정의 방향으로 어긋나게 하면서, 전체적으로 Y축방향을 따라 배치된다. 즉, 노즐헤드(47a₂)는 노즐헤드(47a₁)에 대하여, 20㎛만큼 X축의 정의 방향으로 어긋나게 배치된다. 마찬가지로 노즐헤드(47a₃, 47a₄)는, 각각 노즐헤드(47a₂, 47a₃)에 대하여, 20㎛만큼 X축의 정의 방향으로 어긋나게 배치된다. 노즐유닛(47a)은, X축방향으로 20㎛ 간격(약 1200dpi에 상당하는 해상도)으로 배치되는 복수의 노즐구멍을 구비한다.The nozzle heads 47a ₁ to 47a ₄ are arranged along the Y-axis direction as a whole while sequentially shifting the relative positions in the positive direction of the X-axis. That is, the nozzle head 47a ₂ is arranged to be shifted by 20 占 퐉 with respect to the nozzle head 47a ₁ in the positive direction of the X-axis. Similarly, the nozzle head (47a _3, 47a _4), each nozzle head (47a _2, 47a ₃₎ is disposed 20㎛ shifted by as much as the X-axis positive direction with respect to. The nozzle unit 47a has a plurality of nozzle holes arranged at intervals of 20 占 퐉 (resolution corresponding to about 1200 dpi) in the X-axis direction.

도 4의 (c)에, 노즐유닛(47a~47f)의 개략적인 평면도를 나타낸다. 상술과 같이, 각 노즐유닛(47a~47f)은, X축방향을 따르는 약 30mm의 범위에, 액체방울토출능력을 가진다. 또, 복수의 노즐유닛(47a~47f)은, X축방향을 따라 등간격으로 배치된다. 인접하는 노즐유닛(47a~47f)간의 거리는, 예를 들면 약 60mm이다.Fig. 4C is a schematic plan view of the nozzle units 47a to 47f. As described above, each of the nozzle units 47a to 47f has a droplet jetting capability in a range of about 30 mm along the X-axis direction. The plurality of nozzle units 47a to 47f are arranged at regular intervals along the X-axis direction. The distance between adjacent nozzle units 47a to 47f is, for example, about 60 mm.

도포스테이션(3)(도 1)에 있어서의 처리에 대하여 설명한다. 리프터(11)가 기판(23)을 반송하고, 척플레이트(45)(도 3의 (a)) 위에 싣는다. 척플레이트(45)에 지지된 기판(23)을 Y축의 부의 방향으로 이동시키면서, 각 노즐유닛(47a~47f)의 하방의 Y축방향을 따르는 홀수열영역(도 4의 (c)에 있어서 동그라미 표시를 한 영역)의 착탄 목표위치(박막재료를 도포해야 하는 위치)를 향하여, 노즐유닛(47a~47f)으로부터 박막재료를 토출한다. 홀수열영역의 착탄 목표위치로의 도포가 종료되면, X스테이지(43)(도 3의 (a))로 기판(23)을 X축의 정의 방향으로, 예를 들면 10㎛만큼 이동시킨다. 그 후, 기판(23)을 Y축의 정의 방향으로 이동시키면서, 각 노즐유닛(47a~47f)의 하방의 Y축방향을 따르는 짝수열영역(도 4의 (c)에 있어서 엑스 표시를 한 영역)의 착탄 목표위치를 향하여, 노즐유닛(47a~47f)으로부터 박막재료를 토출한다. 기판(23)의 이동의 왕로(往路)와 복로(復路)에서, 각각 홀수열영역과 짝수열영역의 목표위치에 박막재료를 착탄시킬 수 있다. 이로써, 약 2400dpi에 상당하는 고해상도로 박막패턴을 형성할 수 있다.The processing in the application station 3 (Fig. 1) will be described. The lifter 11 carries the substrate 23 and places it on the chuck plate 45 (Fig. 3 (a)). The substrate 23 supported on the chuck plate 45 is moved in the direction of the Y axis and the odd numbered column regions (in FIG. 4 (c) along the Y axis direction below the nozzle units 47a to 47f, The thin film material is discharged from the nozzle units 47a to 47f toward the target landing position (the position at which the thin film material is to be coated) of the nozzle unit 47a to 47f. When the application to the target position of the odd numbered column is completed, the substrate 23 is moved by the X stage 43 (Fig. 3A) in the positive direction of the X axis by, for example, 10 mu m. Thereafter, while moving the substrate 23 in the positive direction of the Y-axis, the even-numbered column regions (X-display regions in FIG. 4 (c)) along the Y-axis direction below the respective nozzle units 47a to 47f, The thin film material is discharged from the nozzle units 47a to 47f toward the target landing position. It is possible to land the thin film material at the target positions of the odd-numbered column region and the even-numbered column region in the forward path and the return path of the movement of the substrate 23, respectively. As a result, a thin film pattern can be formed at a high resolution equivalent to about 2,400 dpi.

짝수열영역으로의 박막재료의 도포가 종료되면, X스테이지(43)를 구동하여, 기판(23)을, X축의 정의 방향으로 약 30mm 이동시킨다. Y스테이지(44)에 의하여, 기판(23)을 Y축방향으로 왕복시키고, 왕로와 복로에서, 각각 홀수열영역과 짝수열영역의 묘화를 행한다.When the application of the thin film material to the even-numbered region is completed, the X stage 43 is driven to move the substrate 23 about 30 mm in the positive X-axis direction. The Y stage 44 reciprocates the substrate 23 in the Y-axis direction, and draws the odd-numbered column region and the even-numbered column region in the forward path and the return path, respectively.

또 다시 동일한 처리를 행하여, Y축방향을 따라 기판(23)을 합계 3왕복시킴으로써, 기판(23)의 제1 면으로의 박막패턴의 형성을 완료한다.The same process is performed again to complete the formation of the thin film pattern on the first surface of the substrate 23 by making three round trips of the substrate 23 along the Y-axis direction.

도 3의 (a)~도 4의 (c)에 나타낸 액체방울토출장치(70)는, 6개의 노즐유닛(47a~47f)을 구비한다. 노즐유닛의 수는 6개에 한정되지 않는다. 예를 들면, 노즐유닛의 개수를 1개로 하여도 된다.The droplet jetting apparatus 70 shown in Figs. 3 (a) to 4 (c) has six nozzle units 47a to 47f. The number of nozzle units is not limited to six. For example, the number of nozzle units may be one.

도 5의 (a)~도 5의 (d)에, 반전스테이션(4)(도 1)에 구비된 기판 반전장치(50) 및 자외선 조사장치(박막재료 고화장치)(60)의 개략도를 나타낸다. 도 5의 (a)에 나타내는 바와 같이, 기판 반전장치(50)는, 반전스테이션(4)으로 반송된 기판(21~27)을 지지하는 기판지지기(51), 및 기판지지기(51)를 지지하는 봉형상의 지지부재(52)를 포함한다. 기판지지기(51)는, 직사각형의 4개의 변 중 1개의 단변을 제거한 나머지 3개의 변을 따르는 봉형상의 부재로 구성된다. 서로 평행한 2개의 장변을 따르는 부분을 “암”이라고 하고, 1개의 단변을 따르는 부분을 “연결부분”이라고 하기로 한다. 지지부재(52)는, 연결부분의 중점에 접속되어 있으며, 2개의 암과는 반대방향으로 뻗는다. 기판지지기(51)는, 지지부재(52)를 회전축으로 하여 회전 가능하다. 지지부재(52)에 의한 기판지지기(51)의 회전은, 제어장치(20)에 의하여 제어된다.5A to 5D are schematic views of a substrate inverting apparatus 50 and an ultraviolet irradiating apparatus (thin film material solidifying apparatus) 60 provided in the reversing station 4 (Fig. 1) . 5A, the substrate inverting apparatus 50 includes a substrate supporter 51 for supporting the substrates 21 to 27 transported to the reversing station 4, and a substrate supporter 51, Shaped supporting member 52 for supporting the rod-shaped supporting member. The substrate holder 51 is constituted by a bar-shaped member along three remaining sides from which one short side of the four sides of the rectangle is removed. The portions along the two long sides parallel to each other are referred to as " arms ", and the portion along one short side is referred to as the " connecting portion ". The support member 52 is connected to the middle point of the connecting portion and extends in the opposite direction to the two arms. The substrate holder 51 is rotatable about the support member 52 as a rotation axis. The rotation of the substrate holder 51 by the support member 52 is controlled by the control device 20.

자외선 조사장치(60)는, 지지부재(61) 및 자외광원(62)을 포함한다. 지지부재(61)는, 기판 반전장치(50)의 지지부재(52)의 연재방향과 평행한 방향으로 뻗어 있다. 자외광원(62)은, 램프 또는 LED를 포함하고, 자외선영역의 파장의 빛을 발광한다. 자외광원(62)은, 노즐유닛에 포함되는 자외광원(47a₅~47a₉)(도 4의 (a))보다 고출력이다. 자외광원(62)으로부터 방사되는 자외광의 파장은, 노즐유닛의 자외광원으로부터 출사되는 자외광의 파장과 동일하여도 되고, 상이하여도 된다.The ultraviolet irradiator 60 includes a support member 61 and an ultraviolet light source 62. The support member 61 extends in a direction parallel to the extending direction of the support member 52 of the substrate inverting apparatus 50. The ultraviolet light source 62 includes a lamp or an LED and emits light of a wavelength in the ultraviolet region. The ultraviolet light source 62 is higher in output than the ultraviolet light sources 47a ₅ to 47a ₉ (Fig. 4 (a)) included in the nozzle unit. The wavelength of the ultraviolet light emitted from the ultraviolet light source 62 may be the same as or different from the wavelength of the ultraviolet light emitted from the ultraviolet light source of the nozzle unit.

자외광원(62)은, 지지부재(61)에, 그 연재방향으로 이동 가능하게 지지되어 있다. 자외광원(62)으로부터의 자외광의 출사, 및 자외광원(62)의 지지부재(61)를 따르는 이동은, 제어장치(20)에 의하여 제어된다.The ultraviolet light source 62 is supported by the support member 61 so as to be movable in the extending direction. The emission of the ultraviolet light from the ultraviolet light source 62 and the movement of the ultraviolet light source 62 along the support member 61 are controlled by the control device 20. [

도 5의 (b)에 나타내는 바와 같이, 도포스테이션(3)(도 1)에서 제1 면에 박막패턴이 형성된 기판(21~27), 일례로서 기판(24)은, 리프터(12)(도 1)에 의하여 반전스테이션(4)으로 반송된다. 기판(24)은, 리프터(12)에 의하여, 기판지지기(51)에, 기판(24)의 제1 면(박막패턴이 형성된 면)이 상향이 되도록(Z축의 정의 방향을 향하도록) 실린다. 기판지지기(51)는 기판(24)을, 흡착, 압압, 클램프 등에 의해 고정적으로 지지한다. 즉 기판(24)은, 기판지지기(51)에 대하여 상대적으로 이동하지 않도록 지지된다. 기판지지기(51)에 의한 기판(24)의 고정적인 지지 및 그 해제는, 제어장치(20)에 의하여 제어된다.As shown in Fig. 5B, the substrates 21 to 27 on which the thin film pattern is formed on the first surface in the application station 3 (Fig. 1), for example, the substrate 24, 1 to the reversing station 4. The substrate 24 is loaded on the substrate holder 51 by the lifter 12 such that the first surface of the substrate 24 (surface on which the thin film pattern is formed) faces upward (toward the positive direction of the Z axis) . The substrate holder 51 fixedly supports the substrate 24 by suction, pressing, clamping, or the like. That is, the substrate 24 is supported so as not to move relative to the substrate holder 51. The fixed support of the substrate 24 by the substrate holder 51 and its disengagement is controlled by the controller 20.

도 5의 (c)에 나타내는 바와 같이, 자외광원(62)으로부터 자외광을 출사시키면서, 자외광원(62)을 지지부재(61)를 따라 이동시킨다. 자외광원(62)을 지지부재(61)를 따라 이동시킬 때, 자외광원(62)이, 기판지지기(51)에 지지된 기판(24)의 상방을 통과하고, 자외광원(62)으로부터 출사된 자외광이, 적어도 기판(24)의 박막패턴이 형성된 영역, 예를 들면 기판(24)의 제1 면의 전역에 조사된다. 자외광원(62)으로부터 출사된 자외광은, 예를 들면 1000mJ/cm²의 에너지 밀도로, 기판(24)의 제1 면 전체에 조사된다. 자외광의 조사에 의하여, 기판(24)의 제1 면에 형성된 박막패턴의 본경화가 행해진다. 박막패턴의 본경화를 행할 때는, 가경화를 행할 때에 비해, 강한 에너지 밀도로 기판(24)에 자외광이 조사된다.The ultraviolet light source 62 is moved along the support member 61 while emitting ultraviolet light from the ultraviolet light source 62, as shown in Fig. 5 (c). When the ultraviolet light source 62 is moved along the support member 61, the ultraviolet light source 62 passes above the substrate 24 supported by the substrate supporter 51 and enters the ultraviolet light source 62 Is irradiated to at least the entire region of the first surface of the substrate 24 where at least the thin film pattern of the substrate 24 is formed, for example. The ultraviolet light emitted from the ultraviolet light source 62 is irradiated to the entire first surface of the substrate 24 at an energy density of, for example, 1000 mJ / cm ² . The thin film pattern formed on the first surface of the substrate 24 is finally cured by irradiation with ultraviolet light. When the thin film pattern is finally cured, ultraviolet light is irradiated onto the substrate 24 at a higher energy density than when hardening is performed.

도 5의 (d)에 나타내는 바와 같이, 기판(24)의 제1 면의 박막패턴을 본경화시킨 후, 지지부재(52)를 회전축으로 하여, 기판지지기(51)을 180° 회전시킨다. 이로써, 기판지지기(51)에 지지된 기판(24)의 표리가 반전된다. 표리가 반전된 기판(24)은, 리프터(13)(도 1)에 의하여 얼라이먼트스테이션(5)으로 반송된다. 얼라이먼트스테이션(5)에서의 처리가 종료되면, 기판(24)은, 도포스테이션(6)으로 반송된다. 리프터(13)에 의한 반송이 행해지기 전에는, 기판지지기(51)에 의한 기판(24)의 지지는 해제된다.5 (d), after the thin film pattern on the first surface of the substrate 24 is finally cured, the substrate holder 51 is rotated by 180 占 with the support member 52 as a rotation axis. Thus, the front and back sides of the substrate 24 supported by the substrate holder 51 are reversed. The substrate 24 whose front and back sides are inverted is transported to the alignment station 5 by the lifter 13 (Fig. 1). When the processing in the alignment station 5 is completed, the substrate 24 is transported to the application station 6. The support of the substrate 24 by the substrate holder 51 is released before the conveyance by the lifter 13 is performed.

도 6의 (a)~도 6의 (f)를 참조하여, 기판지지기(51)의 기판지지구조에 대하여 설명한다. 도 6의 (a), 도 6의 (c), 및 도 6의 (e)는, 기판지지기(51)의 개략적인 평면도를 나타내고, 도 6의 (b), 도 6의 (d), 및 도 6의 (f)는, 기판지지기(51)의 개략적인 측면도를 나타낸다.The substrate supporting structure of the substrate holder 51 will be described with reference to Figs. 6 (a) to 6 (f). Figures 6 (a), 6 (c) and 6 (e) show a schematic plan view of the substrate holder 51, and Figures 6 (b), 6 And Fig. 6 (f) show a schematic side view of the substrate holder 51. Fig.

도 6의 (a) 및 도 6의 (b)에 나타내는 예에서는, 기판지지기(51)는, 암의 표면에, 진공흡착패드(53)를 구비한다. 도 6의 (a) 및 도 6의 (b)에는, 2개의 암의 상면에 복수의 진공흡착패드(53)가 형성되어 있는 예를 나타냈다. 기판(24)은 리프터(12)(도 1)에 의하여, 진공흡착패드(53) 위에 실리고, 진공흡착패드(53)로부터의 흡인력에 의하여, 기판지지기(51)에 흡착지지된다.In the examples shown in Figs. 6A and 6B, the substrate holder 51 includes a vacuum adsorption pad 53 on the surface of the arm. Figs. 6 (a) and 6 (b) show an example in which a plurality of vacuum adsorption pads 53 are formed on the upper surfaces of two arms. The substrate 24 is loaded on the vacuum adsorption pad 53 by the lifter 12 (Fig. 1) and adsorbed and supported on the substrate holder 51 by the suction force from the vacuum adsorption pad 53.

도 6의 (c) 및 도 6의 (d)에 나타내는 예에서는, 기판지지기(51)는, 2개의 암 위에, 암과 평행하게 뻗어 있는 누름롤러(54)가 구비되어 있다. 리프터(12)(도 1)에 의하여, 기판지지기(51)의 상면에 실린 기판(24)의 가장자리 위에, 누름롤러(54)가 이동한다. 기판(24)은 누름롤러(54)에 압압됨으로써, 기판지지기(51)에 고정적으로 지지된다.6 (c) and 6 (d), the substrate holder 51 is provided with a pressing roller 54 extending on the two arms in parallel with the arm. The pressing roller 54 moves on the edge of the substrate 24 placed on the upper surface of the substrate holder 51 by the lifter 12 (Fig. 1). The substrate 24 is fixedly supported on the substrate holder 51 by being pressed by the pressing roller 54. [

도 6의 (e) 및 도 6의 (f)에 나타내는 예에서는, 기판지지기(51)가 클램프기구(55)를 구비한다. 클램프기구(55)는, 2개의 암에 평행한 방향으로 뻗는 직립부분을 가지고, 그 일부(클램프 선단)가 내측으로 꺾이도록, 예를 들면 90° 굴곡한다. 기판지지기(51) 위에 실린 기판(24)의 가장자리가 클램프기구(55)에 끼워짐으로써, 기판(24)이 기판지지기(51)에 지지된다.In the examples shown in Figs. 6E and 6F, the substrate holder 51 includes the clamp mechanism 55. In Fig. The clamp mechanism 55 has an upright portion extending in a direction parallel to the two arms, and is bent, for example, by 90 degrees such that a portion thereof (clamp tip end) is bent inward. The edge of the substrate 24 placed on the substrate holder 51 is sandwiched by the clamp mechanism 55 so that the substrate 24 is supported on the substrate holder 51.

도 6의 (a)~도 6의 (f) 중 어느 구성예에 있어서도 기판지지기(51)는, 박막패턴이 형성되어 있지 않은 부분에 있어서 기판(24)에 접촉한다.6 (a) to 6 (f), the substrate holder 51 contacts the substrate 24 in a portion where the thin film pattern is not formed.

상술의 예에 있어서는, 자외광을 조사하여, 기판(24)의 제1 면의 박막패턴을 본경화시킨 후, 기판지지기(51)를 회전시켜, 기판(24)의 표리를 반전시켰다. 기판(24)의 표리를 반전시킨 후, Z축의 부의 측으로부터 기판(24)의 제1 면에 자외광을 조사하여 본경화를 행하여도 된다. 또, 자외광의 조사에 의한 본경화와, 기판지지기(51)의 회전에 의한 기판(24)의 반전을 동시 병행적으로 행하여도 된다. 이 경우, 예를 들면 회전 중의 기판(24)의 제1 면에 소정 강도의 자외광이 조사되도록, 자외광원(62)을, 기판(24)의 회전과 동기시켜 회전이동시키는 등의 구성을 채용한다. 기판(24)을 반전시키는 기간에 본경화를 행함으로써, 반전스테이션(4)에서의 처리시간을 단축할 수 있다.In the above example, ultraviolet light is irradiated to finally harden the thin film pattern on the first surface of the substrate 24, and then the substrate holder 51 is rotated to invert the front and back of the substrate 24. After the front and back sides of the substrate 24 are reversed, the first side of the substrate 24 may be irradiated with ultraviolet light from the negative side of the Z axis for final curing. The final curing by irradiation with ultraviolet light and the inversion of the substrate 24 by the rotation of the substrate holder 51 may be performed simultaneously. In this case, for example, the ultraviolet light source 62 is rotated and moved in synchronism with the rotation of the substrate 24 so that the first surface of the substrate 24 during rotation is irradiated with ultraviolet light of a predetermined intensity It adopts. By performing final curing in the period in which the substrate 24 is inverted, the processing time in the reversal station 4 can be shortened.

제1 면의 박막패턴의 본경화, 및, 표리의 반전이 행해진 기판(24)은, 리프터(13)(도 1)에 의하여, 얼라이먼트스테이션(5)(도 1)으로 반송된다.The substrate 24 on which the thinning of the thin film pattern on the first surface and the inversion of the front and back sides are carried is transferred to the alignment station 5 (Fig. 1) by the lifter 13 (Fig. 1).

얼라이먼트스테이션(5)은, 얼라이먼트스테이션(2)과 동일한 구성과 기능을 구비한다. 기판(24)의 제1 면과는 반대측의 제2 면에 형성된 얼라이먼트마크가 CCD 카메라로 검출되고, θ보정이 행해진다. 또, 촬상된 화상데이터로부터, 제1 면의 박막패턴 형성이 완료된 기판(24)의 치수를 산출하고, 기판(24)의 제2 면에 박막패턴을 형성할 때에 이용하는 토출제어용 화상데이터를, 새롭게 생성한다. 또한, 얼라이먼트스테이션(5) 내에서 기판(24)의 θ보정을 행한다.The alignment station 5 has the same configuration and function as the alignment station 2. [ Alignment marks formed on the second surface of the substrate 24 opposite to the first surface are detected by the CCD camera, and theta correction is performed. It is also possible to calculate the dimension of the substrate 24 on which the thin film pattern is formed on the first surface from the captured image data and calculate the size of the thin film pattern on the second surface of the substrate 24, . Further, theta correction of the substrate 24 is performed in the alignment station 5. [

리프터(13)(도 1)가, θ보정 후의 기판(24)을, 그 회전방향의 방향을 유지하여, 도포스테이션(6)(도 1)의 스테이지까지 반송한다.The lifter 13 (Fig. 1) carries the substrate 24 after the [theta] correction to the stage of the application station 6 (Fig. 1) while maintaining the direction of its rotation direction.

도포스테이션(6)은, 도포스테이션(3)과 동일한 구성과 기능을 구비한다. 도포스테이션(6)에 있어서는, 제2 면의 토출제어용 화상데이터에 근거하여, 기판(24)의 제2 면에 박막패턴이 형성된다.The application station 6 has the same configuration and function as the application station 3. [ In the application station 6, a thin film pattern is formed on the second surface of the substrate 24 based on the image data for discharge control on the second surface.

다만, 제2 면의 토출제어용 화상데이터는, 1번째의 얼라이먼트스테이션(2)에서 취득된 화상데이터에 근거하여 작성할 수도 있다. 이 경우, 얼라이먼트스테이션(5)에서 얻어지는 화상데이터는, 예를 들면 θ보정에만 사용된다.However, the image data for discharge control on the second surface may be prepared based on the image data acquired by the first alignment station 2. [ In this case, the image data obtained by the alignment station 5 is used only for, for example, the? Correction.

기판(24)의 θ보정을, 얼라이먼트스테이션(5)에서 행하기 때문에, 도포스테이션(6)에서는 θ보정의 필요가 없다. 이로 인하여, 도포스테이션(6)으로 반송된 기판(24)에 대하여, 회전방향의 위치 맞춤을 행하지 않고, 제2 면으로의 박막패턴의 형성을 개시할 수 있다. 이로써, 도포스테이션(6)에서의 처리시간을 단축할 수 있어, 택트타임의 단축, 생산 효율의 향상을 도모하는 것이 가능하다.Since the alignment correction of the substrate 24 is performed in the alignment station 5, there is no need for the? Correction in the application station 6. As a result, the formation of the thin film pattern on the second surface can be started without performing alignment in the rotating direction with respect to the substrate 24 conveyed to the application station 6. [ Thereby, the processing time in the application station 6 can be shortened, and the tact time and the production efficiency can be improved.

제2 면으로의 박막패턴의 형성이 종료된 기판(24)은, 리프터(14)(도 1)에 의하여, 컨베이어(16)로 반송된다. 컨베이어(16) 위에 실린 기판(24)의 제2 면에, 자외선 조사장치(9)를 출사한 자외선이 조사됨으로써, 박막패턴의 본경화가 행해진다. 그 후, 기판(24)은, 컨베이어(16)에 의하여, 반출입구(7)로부터 케이싱(18)의 외부로 반출된다.The substrate 24 on which the formation of the thin film pattern on the second surface has been completed is conveyed to the conveyor 16 by the lifter 14 (Fig. 1). Ultraviolet rays emitted from the ultraviolet irradiator 9 are irradiated onto the second surface of the substrate 24 placed on the conveyor 16, whereby final curing of the thin film pattern is performed. Thereafter, the substrate 24 is carried out of the casing 18 from the transfer entrance 7 by the conveyor 16.

실시예 1에 의한 기판제조장치에서는, 도포스테이션(3)(도 1)에 있어서의 기판(24)의 제1 면으로의 박막패턴의 형성 종료로부터, 도포스테이션(6)(도 1)의 스테이지에 기판(24)을 실을 때까지의 동안에, 반전스테이션(4)에 있어서, 기판(24)의 제1 면에 형성된 박막패턴을 본경화시킨다. 도포스테이션(3)에서 기판(24)의 제1 면에 형성된 박막패턴은, 어디에도 접촉하지 않고, 반전스테이션(4)에서 본경화된다.In the substrate manufacturing apparatus according to the first embodiment, after the completion of the formation of the thin film pattern on the first surface of the substrate 24 in the application station 3 (Fig. 1), the stage of the application station 6 The thin film pattern formed on the first surface of the substrate 24 is finally cured in the reversing station 4 until the substrate 24 is loaded on the substrate 24. The thin film pattern formed on the first surface of the substrate 24 in the application station 3 is cured as seen from the reversing station 4 without touching anything.

박막패턴이 본경화가 이루어져 있지 않은 상태에서는, 박막패턴에 택(달라붙음)이 발생한다. 기판(24)의 제1 면의 박막패턴의 본경화를 실시하지 않은 채, 기판(24)의 제2 면의 박막패턴의 형성을 행하면, 예를 들면 리프터(13)(도 1)에 의한 기판(24)의 핸들링할 때나, 도포스테이션(6)에서 기판(24)의 제2 면에 박막패턴을 형성할 때에, 제1 면의 박막패턴에 흠집 등의 흔적이 남는 경우가 있다. 또, 택에 기인하여, 다양한 처리에 불량이 발생하는 경우도 있다.When the thin film pattern is not completely cured, tack (sticking) occurs in the thin film pattern. When the thin film pattern on the second surface of the substrate 24 is formed without actually performing the final hardening of the thin film pattern on the first surface of the substrate 24, There is a case where scratches or the like are left on the thin film pattern of the first surface when the thin film pattern is formed on the second surface of the substrate 24 at the application station 6 or when handling the substrate 24. In addition, defects may occur in various processes due to tack.

기판(24)의 제1 면의 박막패턴 형성 종료시부터, 도포스테이션(6)의 스테이지에 기판(24)을 실을 때까지의 동안에, 기판(24)의 제1 면에 형성된 박막패턴을 본경화시킴으로써, 기판(24)의 제1 면의 박막패턴에 흠집이나 흔적이 남는 것을 방지할 수 있다. 이로 인하여 고품질의 박막패턴을 형성하는 것이 가능하다.The thin film pattern formed on the first surface of the substrate 24 is hardened during the period from the end of the formation of the thin film pattern on the first surface of the substrate 24 to the deposition of the substrate 24 on the stage of the application station 6 It is possible to prevent scratches and marks from remaining on the thin film pattern on the first surface of the substrate 24. [ Thus, it is possible to form a high-quality thin film pattern.

또, 자외선 조사장치(9)를 출사한 자외선에 의하여, 기판(24)의 제2 면의 박막패턴의 본경화가 행해지기 때문에, 케이싱(18)의 외부로 반출된 후에, 기판(24)의 제2 면의 박막패턴에 흠집이나 흔적이 남는 것을 방지할 수 있다.Since the thin film pattern of the second surface of the substrate 24 is finally cured by the ultraviolet ray emitted from the ultraviolet ray irradiating device 9, It is possible to prevent scratches and marks from remaining on the thin film pattern on the second surface.

도 1을 참조하여, 실시예 1에 의한 기판제조장치의 비통상 운전시의 동작에 대하여 설명한다. 비통상 운전시란, 예를 들면, 도포스테이션(3, 6)에 배치되는 액체방울토출장치의 일방이 고장 중, 또는 메인터넌스 중으로서, 타방의 도포스테이션 밖에 사용할 수 없는 상태를 말한다.The operation of the substrate manufacturing apparatus according to the first embodiment at the time of non-normal operation will be described with reference to Fig. The non-normal operation state refers to a state in which, for example, one of the liquid droplet ejecting apparatuses disposed in the application stations 3 and 6 is in trouble or under maintenance and can not be used outside the other application station.

2번째의 도포스테이션(6)의 액체방울토출장치에 불량이 발생하고 있는 기간이나, 액체방울토출장치의 메인터넌스를 행하는 기간에 있어서의 기판제조장치의 동작에 대하여 설명한다. 이 동작은, 제어장치(20)로부터의 제어에 의하여 실현된다.The operation of the substrate manufacturing apparatus in a period in which a defect is occurring in the second droplet dispensing apparatus of the dispensing station 6 or in a period of performing maintenance of the droplet dispensing apparatus will be described. This operation is realized by control from the control device 20. [

케이싱(18)의 내부에 도입된 기판에 대한 얼라이먼트스테이션(2), 도포스테이션(3), 및 반전스테이션(4)에 있어서의 처리는 통상 운전시와 동일하다. 즉, 얼라이먼트스테이션(2)에 있어서, 기판의 제1 면에 형성된 얼라이먼트마크를 검출하고, 검출결과에 근거하여, 기판의 θ보정을 행한다. 또, 얼라이먼트스테이션(2)에 있어서 취득된 화상데이터에 근거하여, 기판의 사이즈를 산출하고, 파악된 사이즈에 따라, 토출제어용 화상데이터를 생성한다. 리프터(11)가, 기판의 회전방향의 위치(자세)를 유지한 상태로 도포스테이션(3)의 스테이지로 반송한다. 도포스테이션(3)에 있어서, 토출제어용 화상데이터에 근거하여, 기판의 제1 면에, 박막패턴이 형성된다. 리프터(12)가, 기판을 도포스테이션(3)으로부터 반전스테이션(4)으로 반송한다. 반전스테이션(4)에 있어서, 기판의 제1 면에 형성된 박막패턴의 본경화와 표리의 반전이 행해진다.The processing in the alignment station 2, the application station 3, and the reversal station 4 with respect to the substrate introduced into the casing 18 is the same as in the normal operation. That is, in the alignment station 2, an alignment mark formed on the first surface of the substrate is detected, and θ correction of the substrate is performed based on the detection result. Further, the size of the substrate is calculated based on the image data acquired by the alignment station 2, and the discharge control image data is generated in accordance with the determined size. The lifter 11 is transported to the stage of the application station 3 while maintaining the position (posture) of the rotation direction of the substrate. In the application station 3, a thin film pattern is formed on the first surface of the substrate, based on the image data for ejection control. The lifter 12 conveys the substrate from the application station 3 to the reversing station 4. [ In the reversal station 4, the final curing of the thin film pattern formed on the first surface of the substrate and the inversion of the front and back sides are performed.

제1 면의 박막패턴의 본경화, 및 표리의 반전이 행해진 기판은, 리프터(12 또는 11)에 의하여, 1번째의 얼라이먼트스테이션(2)으로 반송된다. 얼라이먼트스테이션(2)에 있어서는, CCD 카메라(35~38)(도 2의 (a))에 의하여, 기판의 제2 면에 형성된 얼라이먼트마크가 검출된다. 검출결과에 근거하여, 기판의 θ보정이 행해진다. 또, CCD 카메라(35~38)에 의하여 취득된 화상데이터에 근거하여, 기판의 사이즈를 산출하고, 산출된 사이즈에 따라, 기판의 제2 면에 형성하는 박막패턴의 토출제어용 화상데이터를 생성한다.The final hardening of the thin film pattern on the first side and the substrate on which the front and back sides are inverted are transported to the first alignment station 2 by the lifter 12 or 11. In the alignment station 2, the alignment marks formed on the second surface of the substrate are detected by the CCD cameras 35 to 38 (Fig. 2 (a)). Based on the detection result, the? Correction of the substrate is performed. Further, the size of the substrate is calculated based on the image data acquired by the CCD cameras 35 to 38, and the discharge control image data of the thin film pattern formed on the second surface of the substrate is generated in accordance with the calculated size .

다만, 제2 면에 형성되는 박막패턴의 토출제어용 화상데이터는, 제1 면의 얼라이먼트마크를 촬상한 화상데이터에 근거하여 생성할 수도 있다. 이 경우, 기판 반전 후에, 얼라이먼트스테이션(2)에서 얻어지는 화상데이터는, θ보정에만 사용된다.However, the discharge control image data of the thin film pattern formed on the second surface may be generated on the basis of the image data obtained by picking up the alignment marks on the first surface. In this case, after the substrate is inverted, the image data obtained by the alignment station 2 is used only for the [theta] correction.

θ보정이 실시된 기판은, 리프터(11)에 의하여, 도포스테이션(3)으로 반송된다.The substrate subjected to the? correction is conveyed to the application station 3 by the lifter 11.

도포스테이션(3)에 있어서, 액체방울토출장치에 의하여, 제2 면에 형성되는 박막패턴의 토출제어용 화상데이터에 근거하여, 기판의 제2 면에 박막패턴을 형성한다.In the application station 3, a thin film pattern is formed on the second surface of the substrate, based on the image data for ejection control of the thin film pattern formed on the second surface by the droplet ejection apparatus.

제2 면에 박막패턴이 형성된 기판은, 리프터(11)에 의하여, 컨베이어(15)로 반송된다. 컨베이어(15)는, 반출입구(1)로부터 케이싱(18)의 외부로 기판을 반출한다. 도포스테이션(6)의 액체방울토출장치의 고장시 또는 메인터넌스시에 있어서는, 기판 반출입구(1)는, 기판의 반입 및 반출에 사용된다. 컨베이어(15) 위에 재치된 상태로, 자외선 조사장치(8)에 의하여, 기판의 제2 면의 전역에 자외선이 조사되고, 제2 면에 형성된 박막패턴의 본경화가 행해진다. 자외선 조사장치(8)는, 컨베이어(15)에 실린 기판의 상방을 통과하도록, 케이싱(18) 내를 이동 가능하며, 기판의 상방을 통과하면서, 기판의 제2 면에 자외선을 조사한다. 다만, 자외선 조사장치(8)를 케이싱(18) 내에 고정적으로 배치하고, 기판을 컨베이어(15)로 반송하는 기간에, 기판이 자외선 조사장치(8)의 하방을 통과하도록 하여도 된다. 기판으로의 자외선의 조사는, 제어장치(20)에 의하여 제어된다.The substrate on which the thin film pattern is formed on the second surface is conveyed to the conveyor 15 by the lifter 11. The conveyor 15 conveys the substrate from the entrance / exit port 1 to the outside of the casing 18. At the time of failure or maintenance of the liquid droplet dispensing apparatus of the application station 6, the substrate withdrawal port 1 is used for carrying in and out of the substrate. Ultraviolet rays are irradiated to the entire second surface of the substrate by the ultraviolet ray irradiating device 8 while being placed on the conveyor 15 and the thin film pattern formed on the second surface is finally cured. The ultraviolet irradiator 8 is movable in the casing 18 so as to pass above the substrate mounted on the conveyor 15 and irradiates ultraviolet rays to the second surface of the substrate while passing over the substrate. However, the ultraviolet irradiator 8 may be fixedly disposed in the casing 18, and the substrate may pass under the ultraviolet irradiator 8 during a period in which the substrate is conveyed to the conveyor 15. [ The irradiation of ultraviolet rays to the substrate is controlled by the control device 20.

실시예 1에 의한 기판제조장치에 있어서는, 도포스테이션(6)의 액체방울토출장치의 고장시 또는 메인터넌스시에는, 1번째의 도포스테이션(3)의 액체방울토출장치를 이용하여, 기판의 제1 면 및 제2 면의 양방에 박막패턴을 형성한다. 이와 같이, 2번째의 도포스테이션(6)을 사용할 수 없는 상태에서도, 1번째의 도포스테이션(3)을 사용하여 박막패턴의 형성 작업을 계속할 수 있다.In the substrate manufacturing apparatus according to the first embodiment, at the time of failure or maintenance of the droplet discharge apparatus of the dispensing station 6, the first droplet dispensing apparatus of the first dispensing station 3 is used, And a thin film pattern is formed on both the side and the second side. Thus, even in the state where the second application station 6 can not be used, the formation work of the thin film pattern can be continued by using the first application station 3.

통상 운전시는, 각 스테이션(2~4)에서 동시 평행적으로 기판을 처리하지만, 2번째의 도포스테이션(6)의 액체방울토출장치의 고장시 또는 메인터넌스시에는, 기판은 동시 병행적이 아닌, 1매씩 처리된다. 예를 들면 1매의 기판에 대한 처리가 종료되어, 기판이 케이싱(18)으로부터 반출된 후에, 다른 기판이 케이싱(18) 내로 반입된다. 이로 인하여, 비통상 운전시에는, 통상 운전시에 비해, 생산 효율은 낮아진다.During the normal operation, the substrates are processed in parallel at the stations 2 to 4. However, at the time of failure or maintenance of the second droplet dispensing apparatus of the dispensing station 6, Are processed one by one. For example, after one substrate has been processed and the substrate is taken out of the casing 18, another substrate is carried into the casing 18. [ As a result, the production efficiency is lowered in the non-normal operation than in the normal operation.

사정에 따라, 제2 면으로의 박막패턴의 형성을 행하지 않고, 도포스테이션(3)에서의 박막패턴 형성 종료 후에, 리프터(11)를 이용하여 기판을 컨베이어(15)로 반송할 수도 있다. 제1 면으로의 박막패턴 형성 종료 후, 반전스테이션(4)에서 제1 면의 박막패턴의 본경화를 행하고, 그 후, 리프터(12 또는 11)를 이용하여 기판을 컨베이어(15)로 반송하는 것도 가능하다. 또한, 반전스테이션(4)에서는, 박막패턴의 본경화뿐만 아니라, 기판의 표리의 반전을 행하여도 된다.The substrate may be conveyed to the conveyor 15 by using the lifter 11 after the thin film pattern formation in the application station 3 is completed without forming the thin film pattern on the second surface. After the completion of the formation of the thin film pattern on the first surface, the thin film pattern on the first surface is finally cured by the reversing station 4, and thereafter the substrate is conveyed to the conveyor 15 by using the lifter 12 or 11 It is also possible. In the reversing station 4, not only the final curing of the thin film pattern but also the reversal of the front and back sides of the substrate may be performed.

상술과 같이, 2번째의 도포스테이션(6)의 액체방울토출장치의 고장시 또는 메인터넌스시에는, 1번째의 도포스테이션(3)의 액체방울토출장치를 이용하여 박막재료의 도포를 행한다. 1번째의 도포스테이션(3)의 액체방울토출장치의 고장시 또는 메인터넌스시에는, 2번째의 도포스테이션(6)의 액체방울토출장치를 이용하여, 박막재료의 도포를 행한다.As described above, when the liquid droplet dispensing apparatus of the second dispensing station 6 fails or is maintained, the thin film material is applied using the droplet dispensing apparatus of the first dispensing station 3. At the time of failure or maintenance of the first droplet dispensing device of the application station 3, the thin film material is applied using the second droplet dispensing device of the dispensing station 6.

다음으로, 1번째의 도포스테이션(3)의 액체방울토출장치에 문제가 발생하고 있는 기간이나, 액체방울토출장치의 메인터넌스를 행하는 기간의 기판제조장치의 동작에 대하여 설명한다.Next, the operation of the substrate manufacturing apparatus during a period in which a problem occurs in the droplet discharge apparatus of the first application station 3 or during a period in which the maintenance of the droplet discharge apparatus is performed will be described.

컨베이어(16)가, 반출입구(7)으로부터 케이싱(18) 내에 기판을 반입한다. 기판 반출입구(7)는, 기판의 반출용뿐만 아니라, 기판 반입용으로도 사용된다. 다만, 반입시, 기판의 제1 면이 Z축의 정방향을 향하고 있다.The conveyor 16 carries the substrate into the casing 18 from the exit port 7. The substrate transfer port 7 is used not only for transferring the substrate but also for transferring the substrate. However, at the time of carrying, the first surface of the substrate is oriented in the forward direction of the Z axis.

케이싱(18)의 내부에 도입된 기판은, 리프터(14 또는 13)에 의하여, 얼라이먼트스테이션(5)으로 반송된다. 얼라이먼트스테이션(5)에 있어서, 기판의 제1 면에 형성된 얼라이먼트마크가 검출된다. 검출결과에 근거하여 기판의 θ보정이 행해진다. 또, 얼라이먼트스테이션(5)에 있어서 취득된 화상데이터에 근거하여, 기판의 사이즈가 산출되고, 산출된 사이즈에 따라, 토출제어용 화상데이터가 생성된다.The substrate introduced into the casing 18 is transported to the alignment station 5 by the lifter 14 or 13. In the alignment station 5, an alignment mark formed on the first surface of the substrate is detected. Theta correction of the substrate is performed based on the detection result. Based on the image data acquired by the alignment station 5, the size of the substrate is calculated, and the discharge control image data is generated in accordance with the calculated size.

θ보정이 행해진 기판이, 리프터(13)에 의하여, 도포스테이션(6)의 스테이지까지 반송된다. 생성된 토출제어용 화상데이터에 근거하여, 기판의 제1 면에 박막패턴이 형성된다. 그 후, 기판은, 리프터(13)에 의하여 반전스테이션(4)으로 반송되고, 제1 면에 형성된 박막패턴의 본경화와, 표리의 반전이 행해진다.The substrate on which the [theta] correction is performed is carried to the stage of the application station 6 by the lifter 13. [ Based on the generated discharge control image data, a thin film pattern is formed on the first surface of the substrate. Thereafter, the substrate is transported to the reversing station 4 by the lifter 13, and finally the thinning of the thin film pattern formed on the first side and the inversion of the front and back sides are performed.

제2 면이 Z축의 정방향을 향한 상태의 기판이, 리프터(13)에 의하여, 다시 얼라이먼트스테이션(5)으로 반송된다. 얼라이먼트스테이션(5)에 있어서, 기판의 제2 면에 형성된 얼라이먼트마크가 검출되고, 검출결과에 근거하여, 기판의 θ보정이 행해진다. 또, 얼라이먼트스테이션(5)에서 취득된 화상데이터에 근거하여, 기판의 사이즈가 산출되고, 산출된 사이즈에 따라, 제2 면에 형성되는 박막패턴의 토출제어용 화상데이터가 생성된다.The substrate with the second face oriented in the positive direction of the Z axis is conveyed to the alignment station 5 again by the lifter 13. In the alignment station 5, an alignment mark formed on the second surface of the substrate is detected, and the θ correction of the substrate is performed based on the detection result. Based on the image data acquired by the alignment station 5, the size of the substrate is calculated, and the discharge control image data of the thin film pattern to be formed on the second surface is generated in accordance with the calculated size.

다만, 제2 면에 형성되는 박막패턴의 토출제어용 화상데이터는, 제1 면의 얼라이먼트마크의 검출결과에 근거하여 작성할 수도 있다.However, the image data for discharge control of the thin film pattern formed on the second surface may be prepared based on the detection result of the alignment mark on the first surface.

θ보정이 실시된 기판은, 리프터(13)에 의하여, 도포스테이션(6)의 스테이지까지 반송된다.The substrate subjected to the? correction is transported to the stage of the application station 6 by the lifter 13.

도포스테이션(6)에 있어서, 액체방울토출장치에 의하여, 제2 면에 형성되는 박막패턴의 토출제어용 화상데이터에 근거하여, 제2 면에 박막패턴이 형성된다.In the application station 6, a thin film pattern is formed on the second surface based on the image data for ejection control of the thin film pattern formed on the second surface by the droplet ejection apparatus.

제2 면에 박막패턴이 형성된 기판은, 리프터(14)에 의하여, 컨베이어(16)로 반송된다. 컨베이어(16)는, 반출입구(7)로부터 케이싱(18)의 외부로 기판을 반출한다. 컨베이어(16) 위에 실린 상태로, 자외선 조사장치(9)에 의하여, 기판의 제2 면의 전역에 자외선이 조사되어, 박막패턴의 본경화가 행해진다.The substrate on which the thin film pattern is formed on the second surface is conveyed to the conveyor 16 by the lifter 14. The conveyor 16 transports the substrate from the transfer entrance 7 to the outside of the casing 18. Ultraviolet rays are irradiated to the entire second surface of the substrate by the ultraviolet ray irradiating device 9 while being placed on the conveyor 16, and finally the thin film pattern is hardened.

1매의 기판에 대한 처리가 종료되고, 기판이 케이싱(18)으로부터 반출된 후에, 다음으로 처리해야 하는 기판이 케이싱(18) 내로 반입된다.After the processing for one substrate is completed and the substrate is taken out of the casing 18, the substrate to be next processed is carried into the casing 18. [

사정에 따라, 제2 면에 박막패턴을 형성하지 않고, 도포스테이션(6)에서의 제1 면의 박막패턴의 형성 종료 후에, 리프터(14)를 이용하여 기판을 컨베이어(16)로 반송할 수도 있다. 제1 면의 박막패턴의 형성 종료 후, 반전스테이션(4)에서 제1 면의 박막패턴의 본경화를 행하고, 그 후, 리프터(13 또는 14)로 기판을 컨베이어(16)로 반송하는 것도 가능하다. 또한, 반전스테이션(4)에서는, 박막패턴의 본경화뿐만 아니라, 기판의 표리의 반전을 행하여도 된다.The substrate can be conveyed to the conveyor 16 by using the lifter 14 after the formation of the thin film pattern on the first side in the application station 6 without forming the thin film pattern on the second side have. After the formation of the thin film pattern on the first side is completed, the thin film pattern on the first side is finally cured by the reversing station 4, and then the substrate is conveyed to the conveyor 16 by the lifter 13 or 14 Do. In the reversing station 4, not only the final curing of the thin film pattern but also the reversal of the front and back sides of the substrate may be performed.

다만, 도포스테이션(3, 6)의 액체방울토출장치의 일방이 사용 불가능한 경우에, 제1 면, 제2 면의 순서대로 박막패턴을 형성하는 예를 설명하였지만, 제2 면, 제1 면의 순서대로 박막패턴을 형성할 수도 있다. 또, 제1 면에만 박막패턴을 형성하는 예에 대하여 나타냈지만, 제2 면에만 박막패턴을 형성하여도 된다.However, in the case where one of the droplet discharge devices of the application stations 3 and 6 is not usable, the example of forming the thin film pattern in the order of the first surface and the second surface has been described. However, A thin film pattern may be formed in order. Though the example of forming the thin film pattern on the first side is shown, the thin film pattern may be formed on the second side only.

실시예 1에 의한 기판제조장치에 있어서는, 2번째의 도포스테이션(6)의 액체방울토출장치의 고장시 또는 메인터넌스시에는, 1번째의 도포스테이션(3)의 액체방울토출장치를 이용하여, 박막재료의 도포를 행하고, 1번째의 도포스테이션(3)의 액체방울토출장치의 고장시 또는 메인터넌스시에는, 2번째의 도포스테이션(6)의 액체방울토출장치를 이용하여, 박막재료의 도포를 행한다. 이로 인하여, 실시예 1에 의한 기판제조장치는, 작업의 계속성이 우수하다.In the substrate manufacturing apparatus according to the first embodiment, at the time of failure or maintenance of the liquid droplet dispensing apparatus of the second dispensing station 6, the liquid droplet dispensing apparatus of the first dispensing station 3 is used, The thin material is applied by using the second droplet dispensing apparatus of the dispensing station 6 at the time of failure or maintenance of the first droplet dispensing apparatus of the dispensing station 3 . As a result, the substrate manufacturing apparatus according to the first embodiment is excellent in continuity of work.

［실시예 2］[Example 2]

도 7에, 실시예 2에 의한 기판제조장치의 개략도를 나타낸다. 이하, 실시예 1과의 상이점에 대하여 설명하고, 동일한 구성에 대해서는 설명을 생략한다. 실시예 2에 있어서는, 얼라이먼트스테이션(2, 5)이, θ보정을 행하기 위한 얼라이먼트장치를 포함하지 않는다. 그 대신에, 도포스테이션(3, 6)의 액체방울토출장치가 θ스테이지(49) 및 CCD 카메라(63~66)를 포함한다.7 is a schematic view of a substrate manufacturing apparatus according to the second embodiment. Hereinafter, differences from the first embodiment will be described, and description of the same configuration will be omitted. In Embodiment 2, the alignment stations 2 and 5 do not include an alignment device for performing the [theta] correction. Instead, the droplet discharge devices of the application stations 3 and 6 include the? Stage 49 and the CCD cameras 63 to 66. [

실시예 2에 의한 기판제조장치의 통상 운전시의 동작에 대하여 설명한다.The operation of the substrate manufacturing apparatus according to the second embodiment at the time of normal operation will be described.

실시예 2의 얼라이먼트스테이션(2, 5)에는, θ보정을 수반하지 않는 간단한 얼라이먼트를 행하는 얼라이먼트장치인 임시 스테이지(48)가 배치된다. 기판(21~27)은, 리프터(11, 13)에 의하여, 얼라이먼트스테이션(2, 5)의 임시 스테이지(48) 위에 실린다. 기판(21~27)은, 고정 핀으로의 누름 등의 간단한 얼라이먼트가 실시된 후, 도포스테이션(3, 6)으로 반송된다.In the alignment stations 2 and 5 according to the second embodiment, a temporary stage 48, which is an alignment apparatus for performing simple alignment without accompanying correction, is disposed. The substrates 21 to 27 are placed on the temporary stage 48 of the alignment stations 2 and 5 by the lifters 11 and 13. The substrates 21 to 27 are conveyed to the application stations 3 and 6 after simple alignment such as pressing with a fixing pin is performed.

도포스테이션(3, 6)의 액체방울토출장치는, Y스테이지(44)와 척플레이트(45)와의 사이에 θ스테이지(49)를 포함한다. θ스테이지(49)는, 척플레이트(45)에 지지된 기판(21~27)을, Z축에 평행한 직선을 회전중심으로 하여 회전시키는 것이 가능하다. 액체방울토출장치는, 기판(21~27)의 상방을 향하는 면에 형성된 얼라이먼트마크를 검출하는 CCD 카메라(63~66)를 포함한다.The droplet discharge device of the application stations 3 and 6 includes a? Stage 49 between the Y stage 44 and the chuck plate 45. The? theta] stage 49 can rotate the substrate 21-27 supported on the chuck plate 45 with the straight line parallel to the Z axis as the center of rotation. The liquid droplet ejecting apparatus includes CCD cameras 63 to 66 which detect alignment marks formed on the surfaces facing upward of the substrates 21 to 27.

*도포스테이션(3, 6)으로 반송된 기판(21~27)은, 척플레이트(45)에 흡착지지되고, CCD 카메라(63~66)에 의하여, 상방을 향하는 면의 얼라이먼트마크가 검출된다. 검출결과, 즉 촬영된 화상데이터가, 제어장치(20)에 송신된다.The substrates 21 to 27 conveyed to the application stations 3 and 6 are attracted and supported by the chuck plate 45 and the alignment marks on the face facing upward are detected by the CCD cameras 63 to 66. The detection result, that is, the photographed image data, is transmitted to the control device 20.

제어장치(20)는 검출결과를 해석하고, 기판(21~27)의 X 및 Y방향의 위치, 및, 회전방향의 위치(자세)를 산출한다. 산출된 결과에 근거하여, θ스테이지(49)를 구동함으로써, 기판(21~27)의 θ보정을 행한다. 또, 제어장치(20)는, CCD 카메라(63~66)의 검출결과에 근거하여, 기판(21~27)의 사이즈를 산출하고, 산출된 사이즈에 따라, 토출제어용 화상데이터를 생성한다.The control device 20 analyzes the detection result, and calculates the positions of the substrates 21 to 27 in the X and Y directions and the position (posture) in the rotational direction. Based on the calculated results, the θ stage 49 is driven to perform the θ correction of the substrates 21 to 27. The control device 20 calculates the sizes of the substrates 21 to 27 based on the detection results of the CCD cameras 63 to 66 and generates image data for discharge control in accordance with the calculated sizes.

실시예 2에 의한 기판제조장치에 있어서는, 얼라이먼트스테이션(2, 5)에서 기판(21~27)의 θ보정을 행하지 않고, 도포스테이션(3, 6)에서, 기판(21~27)의 θ보정을 행한다. 또한, 생성된 토출제어용 화상데이터에 근거하여, 기판(21~27)에 박막패턴을 형성한다.In the substrate manufacturing apparatus according to the second embodiment, the θ correction of the substrates 21 to 27 is not performed in the alignment stations 2 and 5, . Further, a thin film pattern is formed on the substrates 21 to 27 based on the generated discharge control image data.

실시예 2에 의한 기판제조장치의 비통상 운전시의 동작에 대하여, 실시예 1과 상이한 점을 중심으로 설명한다.The operation of the apparatus for manufacturing a substrate according to the second embodiment at the time of the non-normal operation will be described focusing on the points different from the first embodiment.

2번째의 도포스테이션(6)의 액체방울토출장치가 고장이나 메인터넌스로 사용할 수 없을 때에는, 실시예 2에 의한 기판제조장치의 동작은, 제어장치(20)에 의하여, 이하와 같이 제어된다.When the second droplet discharge device of the application station 6 can not be used for failure or maintenance, the operation of the substrate manufacturing apparatus according to the second embodiment is controlled by the control device 20 as follows.

반출입구(1)로부터 케이싱(18)의 내부로 도입된 기판은, 얼라이먼트스테이션(2)의 임시 스테이지(48) 위에 실리고, 간단한 얼라이먼트가 실시된다. 그 후, 얼라이먼트스테이션(2)으로부터 도포스테이션(3)의 척플레이트(45)까지 반송된다.The substrate introduced into the interior of the casing 18 from the entrance / exit 1 is placed on the temporary stage 48 of the alignment station 2 and simple alignment is performed. Thereafter, it is conveyed from the alignment station 2 to the chuck plate 45 of the application station 3.

기판은 척플레이트(45)에 흡착지지되고, CCD 카메라(63~66)에 의하여 제1 면의 얼라이먼트마크가 검출된다. 검출결과는 제어장치(20)에 송신된다. 제어장치(20)는 검출결과를 해석하고, 기판의 위치, 및, 회전방향의 자세를 검출한다. 검출결과에 근거하여, 기판의 θ보정을 행한다. 또 제어장치(20)는, CCD 카메라(63~66)의 검출결과에 근거하여, 기판의 사이즈를 산출하고, 산출된 사이즈에 따라, 토출제어용 화상데이터를 생성한다. 그 후, 생성된 토출제어용 화상데이터에 근거하여, 기판의 제1 면에 박막패턴을 형성한다.The substrate is attracted and supported by the chuck plate 45, and the alignment marks on the first surface are detected by the CCD cameras 63 to 66. The detection result is transmitted to the control device 20. The control device 20 analyzes the detection result, and detects the position of the substrate and the posture of the rotation direction. Based on the detection result, the? Correction of the substrate is performed. Further, the control device 20 calculates the size of the substrate based on the detection results of the CCD cameras 63 to 66, and generates image data for discharge control in accordance with the calculated size. Thereafter, a thin film pattern is formed on the first surface of the substrate, based on the generated image data for discharge control.

기판은 리프터(12)에 의하여 반전스테이션(4)으로 반송되고, 기판의 제1 면에 형성된 박막패턴의 본경화와, 표리의 반전이 행해진다. 그 후, 얼라이먼트스테이션(2)의 임시 스테이지(48)에 실음으로써, 간단한 얼라이먼트를 행한다. 간단한 얼라이먼트를 행한 후, 다시, 도포스테이션(3)의 액체방울토출장치의 척플레이트(45) 위로 되돌려진다.The substrate is transported to the reversing station 4 by the lifter 12, and finally the thinning of the thin film pattern formed on the first side of the substrate and the inversion of the front and back sides are performed. Thereafter, the alignment is performed in the temporary stage 48 of the alignment station 2 to perform simple alignment. After simple alignment, it is returned to the chuck plate 45 of the droplet discharge device of the application station 3 again.

도포스테이션(3)에서는, CCD 카메라(63~66)에 의하여 기판의 제2 면에 형성된 얼라이먼트마크가 검출되고, 검출결과에 근거하여, 기판의 θ보정이 행해진다. 또, CCD 카메라(63~66)에 의하여 취득된 화상데이터에 근거하여, 기판의 사이즈가 산출되고, 산출된 사이즈에 따라, 기판의 제2 면에 형성되는 박막패턴의 토출제어용 화상데이터가 생성된다. 제2 면에 형성되는 박막패턴의 토출제어용 화상데이터에 근거하여, 기판의 제2 면에 박막패턴을 형성한다.In the application station 3, alignment marks formed on the second surface of the substrate are detected by CCD cameras 63 to 66, and θ correction of the substrate is performed based on the detection result. The size of the substrate is calculated based on the image data acquired by the CCD cameras 63 to 66, and the image data for discharge control of the thin film pattern formed on the second surface of the substrate is generated in accordance with the calculated size . A thin film pattern is formed on the second surface of the substrate based on the image data for discharge control of the thin film pattern formed on the second surface.

제2 면에 박막패턴이 형성된 기판은, 컨베이어(15)로 반송되고, 자외선 조사장치(8)에 의하여, 제2 면의 박막패턴의 본경화가 행해진다. 그 후, 컨베이어(15)가, 반출입구(1)로부터 케이싱(18)의 외부로 기판을 반출한다.The substrate on which the thin film pattern is formed on the second surface is conveyed to the conveyor 15 and the thin film pattern of the second surface is finally cured by the ultraviolet irradiator 8. [ Thereafter, the conveyor 15 takes out the substrate from the entrance / exit port 1 to the outside of the casing 18.

1번째의 도포스테이션(3)의 액체방울토출장치를 사용할 수 없을 때에는, 기판제조장치는 제어장치(20)에 의하여, 이하와 같이 제어된다.When the first droplet discharge device of the application station 3 can not be used, the substrate manufacturing apparatus is controlled as follows by the control device 20. [

기판은 반출입구(7)로부터 케이싱(18)의 내부로 도입된다. 케이싱(18) 내에 도입된 기판은, 리프터(14, 13)에 의하여, 얼라이먼트스테이션(5)의 임시 스테이지(48)까지 반송되어, 간단한 얼라이먼트가 행해진다. 그 후, 얼라이먼트스테이션(5)으로부터 도포스테이션(6)의 액체방울토출장치의 척플레이트(45)까지 반송된다.The substrate is introduced into the casing 18 from the entry / exit port 7. The substrate introduced into the casing 18 is transported to the temporary stage 48 of the alignment station 5 by the lifters 14 and 13 and simple alignment is performed. Thereafter, it is transported from the alignment station 5 to the chuck plate 45 of the droplet discharge device of the application station 6.

척플레이트(45)에 흡착지지된 기판의 제1 면의 얼라이먼트마크가, CCD 카메라(63~66)에 의하여 검출되고, 검출결과가 제어장치(20)에 송신된다. 제어장치(20)는 검출결과를 해석하여, 기판의 위치, 및 회전방향의 자세를 검출하고, θ보정을 행한다. 또 제어장치(20)는, CCD 카메라(63~66)의 검출결과에 근거하여, 기판의 사이즈를 산출하고, 산출된 사이즈에 따라, 토출제어용 화상데이터를 생성한다. 그 후, 생성된 토출제어용 화상데이터에 근거하여, 기판의 제1 면에 박막패턴을 형성한다.The alignment marks on the first surface of the substrate supported by the chuck plate 45 are detected by the CCD cameras 63 to 66 and the detection results are transmitted to the control device 20. [ The control device 20 analyzes the detection result, detects the position of the substrate and the posture of the rotation direction, and performs the? Correction. Further, the control device 20 calculates the size of the substrate based on the detection results of the CCD cameras 63 to 66, and generates image data for discharge control in accordance with the calculated size. Thereafter, a thin film pattern is formed on the first surface of the substrate, based on the generated image data for discharge control.

제1 면에 박막패턴이 형성된 기판은, 리프터(13)에 의하여 반전스테이션(4)으로 반송되고, 제1 면에 형성된 박막패턴의 본경화와, 표리의 반전이 행해진다. 그 후, 얼라이먼트스테이션(5)의 임시 스테이지(48)에서 간단한 얼라이먼트를 행하고, 다시 도포스테이션(6)의 액체방울토출장치의 척플레이트(45) 위로 되돌려진다.The substrate on which the thin film pattern is formed on the first surface is conveyed to the reversing station 4 by the lifter 13 to perform final curing of the thin film pattern formed on the first surface and reverse of the front and back sides. Thereafter, a simple alignment is performed in the temporary stage 48 of the alignment station 5, and is returned to the chuck plate 45 of the droplet discharge device of the application station 6 again.

도포스테이션(6)에서는, CCD 카메라(63~66)에 의하여, 기판의 제2 면에 형성된 얼라이먼트마크가 검출되고, 검출결과에 근거하여, 기판의 θ보정이 행해진다. 또, CCD 카메라(63~66)에 의하여 취득된 화상데이터에 근거하여, 기판의 사이즈가 산출되고, 산출된 사이즈에 따라, 기판의 제2 면에 형성되는 박막패턴의 토출제어용 화상데이터가 생성된다. 제2 면에 형성되는 박막패턴의 토출제어용 화상데이터에 근거하여, 제2 면에 박막패턴을 형성한다.In the coating station 6, alignment marks formed on the second surface of the substrate are detected by the CCD cameras 63 to 66, and θ correction of the substrate is performed based on the detection results. The size of the substrate is calculated based on the image data acquired by the CCD cameras 63 to 66, and the image data for discharge control of the thin film pattern formed on the second surface of the substrate is generated in accordance with the calculated size . A thin film pattern is formed on the second surface based on the image data for discharge control of the thin film pattern formed on the second surface.

제2 면에 박막패턴이 형성된 기판은, 컨베이어(16)로 반송되고, 자외선 조사장치(9)에 의하여, 제2 면의 박막패턴의 본경화가 행해진다. 본경화 후의 기판은, 반출입구(7)로부터 케이싱(18)의 외부로 반출된다.The substrate on which the thin film pattern is formed on the second side is conveyed to the conveyor 16 and finally the thin film pattern on the second side is cured by the ultraviolet ray irradiating device 9. The substrate after the main curing is carried out of the casing 18 from the transfer entrance 7.

실시예 2에 의한 기판제조장치도, 도포스테이션(3, 6)의 액체방울토출장치의 일방이 사용 불가능한 때에는, 타방의 도포스테이션을 이용하여 박막패턴을 형성할 수 있다. 이로써, 작업의 계속성을 확보할 수 있다.The substrate manufacturing apparatus according to the second embodiment can form a thin film pattern by using the other application station when one of the droplet discharge devices of the application stations 3 and 6 can not be used. Thus, continuity of work can be ensured.

［실시예 3］[Example 3]

도 8에, 실시예 3에 의한 기판제조장치의 개략도를 나타낸다. 이하, 실시예 1과의 상이점에 대하여 설명하고, 동일한 구성에 대해서는 설명을 생략한다. 실시예 3은, 자외선 조사장치(8)(도 1)를 포함하지 않는 점, 및, 반전스테이션(4)이, 기판반출구(17)를 구비하는 점에서 실시예 1과 상이하다. 실시예 3에 의한 기판제조장치의 통상 운전시의 동작은, 실시예 1의 동작과 동일하다. 비통상 운전시에 있어서는, 실시예 3에 의한 기판제조장치는, 기판의 편면, 예를 들면 제1 면에 박막패턴을 형성한다.8 is a schematic view of a substrate manufacturing apparatus according to the third embodiment. Hereinafter, differences from the first embodiment will be described, and description of the same configuration will be omitted. The third embodiment is different from the first embodiment in that it does not include the ultraviolet irradiator 8 (Fig. 1) and that the reversal station 4 has the substrate exit 17. The operation in the normal operation of the substrate manufacturing apparatus according to the third embodiment is the same as that in the first embodiment. In the non-normal operation, the substrate manufacturing apparatus according to the third embodiment forms a thin film pattern on one side of the substrate, for example, the first side.

2번째의 도포스테이션(6)의 액체방울토출장치의 고장시, 또는 메인터넌스시에, 실시예 3에 의한 기판제조장치는, 제어장치(20)에 의하여 이하와 같이 제어된다.The substrate manufacturing apparatus according to the third embodiment is controlled by the controller 20 as follows when the liquid droplet dispensing apparatus of the second dispensing station 6 fails or when maintenance is performed.

케이싱(18)의 내부에 도입된 기판(21~24)에 대한 얼라이먼트스테이션(2), 도포스테이션(3), 및 반전스테이션(4)에 있어서의 처리는, 통상 운전시의 처리와 동일하다.The processing in the alignment station 2, the application station 3 and the reversal station 4 with respect to the substrates 21 to 24 introduced into the casing 18 is the same as that in the normal operation.

제1 면에 형성된 박막패턴의 본경화와, 표리의 반전이 행해진 기판(21~24)은, 기판반출구(17)로부터 케이싱(18)의 외부로 반출된다. 반출은 컨베이어를 이용하여 행하여도 되고, 수작업으로 행하여도 된다.The final curing of the thin film pattern formed on the first surface and the substrates 21 to 24 on which the front and back sides are inverted are carried out from the substrate transfer port 17 to the outside of the casing 18. [ The carrying out may be carried out using a conveyor or manually.

다만, 반전스테이션(4)으로 반송된 기판(21~24)에 대하여, 표면에 형성된 박막패턴의 본경화 및 기판의 반전의 일방 또는 쌍방을 행하지 않고, 기판반출구(17)로부터 기판(21~24)을 반출할 수도 있다.However, the substrate 21 to 24 transported to the reversing station 4 may be transported from the substrate transfer port 17 to the substrate 21 to 24 without performing either the final curing of the thin film pattern formed on the surface or the reversal of the substrate, 24 may be carried out.

실시예 1에서는, 도포스테이션(6)의 액체방울토출장치를 사용할 수 없는 경우에는, 1매의 기판에 대한 처리가 종료되고, 기판이 케이싱(18)으로부터 반출된 후에, 다른 기판을 케이싱(18) 내로 반입하였다. 실시예 3에 있어서는, 각 스테이션(2~4)에서 기판의 처리를 동시 병행적으로 행할 수 있다. 이로 인하여, 도포스테이션(6)의 액체방울토출장치를 사용할 수 없는 경우에도, 높은 생산 효율을 유지하는 것이 가능하다.In the first embodiment, in the case where the droplet discharge device of the application station 6 can not be used, the process for one substrate is terminated. After the substrate is taken out of the casing 18, ). In the third embodiment, the processing of the substrates can be performed in parallel at the stations 2 to 4 at the same time. Therefore, even when the droplet discharge device of the application station 6 can not be used, high production efficiency can be maintained.

도포스테이션(3)의 액체방울토출장치의 고장시 또는 메인터넌스시에는, 도포스테이션(6)의 액체방울토출장치를 이용하여, 제어장치(20)의 제어에 의하여, 동일하게, 기판 편면, 예를 들면 기판 제1 면에 박막패턴을 형성한다.When the liquid droplet dispensing apparatus of the dispensing station 3 fails or is maintained, the liquid droplet dispensing apparatus of the dispensing station 6 is used to control the substrate surface, for example, A thin film pattern is formed on the first surface of the substrate.

기판은, 컨베이어(16)로 반송되고, 반출입구(7)로부터 케이싱(18) 내로 도입된다. 케이싱(18)의 내부로 도입된 기판은, 리프터(14, 13)에 의하여, 얼라이먼트스테이션(5)으로 반송된다. 얼라이먼트스테이션(5)에 있어서, 기판의 θ보정이 행해진다. 또, 얼라이먼트스테이션(5)에 있어서 취득된 화상데이터에 근거하여, 기판의 사이즈가 산출되고, 산출된 사이즈에 따라, 제1 면에 형성되는 박막패턴의 토출제어용 화상데이터가 생성된다.The substrate is conveyed to the conveyor 16 and introduced into the casing 18 from the exit port 7. The substrate introduced into the casing 18 is transported to the alignment station 5 by the lifters 14, In the alignment station 5, the? Correction of the substrate is performed. The size of the substrate is calculated based on the image data acquired by the alignment station 5, and the discharge control image data of the thin film pattern formed on the first surface is generated in accordance with the calculated size.

리프터(13)가, θ보정 후의 기판을, 얼라이먼트스테이션(5)으로부터 도포스테이션(6)의 스테이지 위까지 반송한다. 생성된 토출제어용 화상데이터에 근거하여, 제1 면에 박막패턴을 형성한다. 기판은, 리프터(13)에 의하여 반전스테이션(4)으로 반송되고, 제1 면에 형성된 박막패턴의 본경화와, 표리의 반전이 행해진다. 그 후, 기판은 기판반출구(17)로부터, 예를 들면 컨베이어 또는 수작업에 의하여, 케이싱(18)의 외부로 반출된다.The lifter 13 conveys the substrate after the θ correction from the alignment station 5 to the stage of the application station 6. And a thin film pattern is formed on the first surface based on the generated discharge control image data. The substrate is transported to the reversing station 4 by the lifter 13, and the thinning of the thin film pattern formed on the first side and the reversing of the front and back sides are performed. Thereafter, the substrate is carried out from the substrate transfer opening 17 to the outside of the casing 18, for example, by a conveyor or a manual operation.

기판을 반전스테이션(4)으로 반송한 후, 박막패턴의 본경화 및 기판의 반전의 일방 또는 쌍방을 행하지 않고, 기판반출구(17)로부터의 반출을 행하여도 된다.The substrate may be carried out from the substrate transfer port 17 without carrying out one or both of the final hardening of the thin film pattern and the reversal of the substrate after carrying the substrate to the reversing station 4. [

실시예 3에 있어서는, 도포스테이션(3)의 액체방울토출장치를 사용할 수 없는 경우에도, 반전스테이션(4)에서 솔더레지스트의 본경화와 기판의 반전을 행하고 있는 기간에, 얼라이먼트스테이션(5)에 있어서의 얼라이먼트, 또는, 도포스테이션(6)에 있어서의 박막재료의 도포를 행할 수 있다. 이로 인하여, 실시예 1에 있어서, 도포스테이션(3)의 액체방울토출장치를 사용할 수 없는 경우보다, 생산 효율을 높이는 것이 가능하다.In the third embodiment, even when the droplet discharge device of the application station 3 can not be used, in the period during which the solder resist is completely cured and the substrate is reversed in the reversal station 4, Or the application of the thin film material in the application station 6 can be performed. This makes it possible to increase the production efficiency in the first embodiment compared with the case where the droplet discharge device of the application station 3 can not be used.

실시예 3에 의한 기판제조장치는, 도포스테이션(3, 6)의 액체방울토출장치의 일방을 사용할 수 없을 때에는, 타방의 도포스테이션을 이용하여 기판 편면으로의 박막패턴의 형성을 행하고, 편면의 처리가 완료된 기판을 기판반출구(17)로부터 케이싱(18)의 외부로 반출한다. 이로 인하여, 실시예 3에 의한 기판제조장치도, 도포스테이션의 고장시에 계속해서 작업을 행하는 것이 가능하다. 다만, 기판반출구(17)는, 도포스테이션(3)과 도포스테이션(6)을 잇는 기판 반송경로로부터, 기판을, 기판제조장치의 외부(케이싱(18)의 외부)로 취출할 수 있다.The substrate manufacturing apparatus according to the third embodiment is configured such that when one of the droplet discharge apparatuses of the application stations 3 and 6 can not be used, the thin film pattern is formed on one side of the substrate using the other application station, And the processed substrate is taken out of the casing 18 from the substrate transfer port 17. As a result, the substrate manufacturing apparatus according to the third embodiment can continue to perform operations when the application station fails. The substrate transfer port 17 can take out the substrate from the substrate transfer path connecting the application station 3 and the application station 6 to the outside of the substrate manufacturing apparatus (outside the casing 18).

［실시예 4］[Example 4]

*도 9에, 실시예 4에 의한 기판제조장치의 개략도를 나타낸다. 이하, 실시예 2와의 상이점에 대하여 설명하고, 동일한 구성에 대해서는 설명을 생략한다. 실시예 4는, 자외선 조사장치(8)(도 7)를 포함하지 않는 점, 및, 반전스테이션(4)이, 기판반출구(17)를 구비하는 점에서 실시예 2와 상이하다. 실시예 4에 의한 기판제조장치의 통상 운전시의 동작은, 실시예 2와 동일하다. 비통상 운전시에 있어서는, 실시예 4에 의한 기판제조장치는, 실시예 3과 마찬가지로, 기판의 편면에만, 예를 들면 제1 면에 박막패턴을 형성한다.9 is a schematic view of a substrate manufacturing apparatus according to a fourth embodiment. Differences from the second embodiment will be described below, and description of the same configuration will be omitted. The fourth embodiment is different from the second embodiment in that it does not include the ultraviolet irradiator 8 (Fig. 7) and that the reversal station 4 has the substrate exit 17. The operation of the substrate manufacturing apparatus according to the fourth embodiment in the normal operation is the same as that in the second embodiment. In the non-normal operation, the substrate manufacturing apparatus according to the fourth embodiment forms a thin film pattern on only one side of the substrate, for example, on the first side, as in the third embodiment.

도포스테이션(6)의 액체방울토출장치의 고장시, 또는 메인터넌스시에는, 실시예 4에 의한 기판제조장치는, 제어장치(20)에 의하여, 이하와 같이 제어된다.At the time of failure or maintenance of the droplet discharge device of the application station 6, the substrate manufacturing apparatus according to the fourth embodiment is controlled by the control device 20 as follows.

케이싱(18)의 내부에 도입된 기판(21~24)에 대한 얼라이먼트스테이션(2), 도포스테이션(3), 및 반전스테이션(4)에 있어서의 처리는 통상 운전시와 동일하다.The processing in the alignment station 2, the application station 3, and the reversal station 4 with respect to the substrates 21 to 24 introduced into the casing 18 is the same as in the normal operation.

제1 면에 형성된 박막패턴의 본경화와, 표리의 반전이 행해진 기판(21~24)이, 기판반출구(17)로부터 케이싱(18)의 외부로 반출된다. 반출은 컨베이어를 이용하여 행하여도 되고, 수작업으로 행하여도 된다.The main curing of the thin film pattern formed on the first surface and the substrates 21 to 24 on which the front and back sides are inverted are carried out from the substrate transfer port 17 to the outside of the casing 18. [ The carrying out may be carried out using a conveyor or manually.

다만, 반전스테이션(4)으로 반송된 기판(21~24)의 제1 면에 형성된 박막패턴의 본경화, 및 기판의 반전의 일방 또는 쌍방을 행하지 않고, 기판반출구(17)로부터의 반출을 행할 수도 있다.However, it is also possible to carry out the removal of the thin film pattern formed on the first surface of the substrates 21 to 24 conveyed to the reversing station 4 without performing one or both of the main curing of the thin film pattern and the reversal of the substrate .

실시예 2에서는, 도포스테이션(6)의 액체방울토출장치를 사용할 수 없는 경우에는, 1매의 기판에 대한 처리가 종료되고, 기판이 케이싱(18)으로부터 반출된 후에, 다른 기판을 케이싱(18)으로 반입하였다. 실시예 4에 있어서는, 각 스테이션(2~4)에서 기판의 처리를 동시 병행적으로 행할 수 있다. 이로 인하여, 도포스테이션(6)의 액체방울토출장치를 사용할 수 없는 경우에도, 높은 생산 효율을 유지하는 것이 가능하다.In the second embodiment, in the case where the droplet discharge device of the application station 6 can not be used, the process for one substrate is terminated. After the substrate is taken out of the casing 18, ). In the fourth embodiment, the processing of the substrates can be performed in parallel in the stations 2 to 4 at the same time. Therefore, even when the droplet discharge device of the application station 6 can not be used, high production efficiency can be maintained.

1번째의 도포스테이션(3)의 액체방울토출장치의 고장시 또는 메인터넌스시에는, 도포스테이션(6)의 액체방울토출장치를 이용하여, 제어장치(20)의 제어에 의하여, 동일하게, 기판 편면, 예를 들면 제1 면에 박막패턴을 형성한다.When the liquid droplet dispensing apparatus of the first dispensing station 3 fails or is maintained, the liquid droplet dispensing apparatus of the dispensing station 6 is used to control the substrate 1 side , For example, a thin film pattern is formed on the first surface.

기판은, 컨베이어(16)로 반송되고, 반출입구(7)로부터 케이싱(18) 내로 도입된다. 케이싱(18)의 내부에 도입된 기판은, 리프터(14, 13)에 의하여, 얼라이먼트스테이션(5)으로 반송되고, 간단한 얼라이먼트가 행해진다. 그 후, 기판은, 도포스테이션(6)의 액체방울토출장치의 척플레이트(45)까지 반송된다. 도포스테이션(6)에 있어서, CCD 카메라(63~66)에 의하여, 기판의 제1 면의 얼라이먼트마크가 검출된다. 제어장치(20)는, 검출결과에 근거하여, 기판(21~24)의 위치, 및 회전방향의 자세를 검출하여, 기판의 θ보정을 행한다. 또, 제어장치(20)는, 기판의 사이즈를 산출하고, 산출된 사이즈에 따라, 토출제어용 화상데이터를 생성한다. 그 후, 생성된 토출제어용 화상데이터에 근거하여, 기판의 제1 면에 박막패턴을 형성한다. 박막패턴이 형성된 기판은, 리프터(13)에 의하여 반전스테이션(4)으로 반송되고, 제1 면에 형성된 박막패턴의 본경화와, 표리의 반전이 행해진다. 그 후, 기판은 기판반출구(17)로부터, 예를 들면 컨베이어 또는 수작업에 의하여, 케이싱(18)의 외부로 반출된다.The substrate is conveyed to the conveyor 16 and introduced into the casing 18 from the exit port 7. The substrate introduced into the casing 18 is transported by the lifters 14 and 13 to the alignment station 5, and simple alignment is performed. Thereafter, the substrate is transported to the chuck plate 45 of the droplet discharge device of the application station 6. In the application station 6, the alignment marks on the first surface of the substrate are detected by the CCD cameras 63-66. The control device 20 detects the positions of the substrates 21 to 24 and the posture of the rotation direction based on the detection result and corrects the θ of the substrate. Further, the control device 20 calculates the size of the substrate, and generates image data for discharge control in accordance with the calculated size. Thereafter, a thin film pattern is formed on the first surface of the substrate, based on the generated image data for discharge control. The substrate on which the thin film pattern is formed is transported to the reversing station 4 by the lifter 13, and the thinning of the thin film pattern formed on the first side and the inversion of the front and back sides are performed. Thereafter, the substrate is carried out from the substrate transfer opening 17 to the outside of the casing 18, for example, by a conveyor or a manual operation.

2번째의 도포스테이션(6)의 액체방울토출장치를 사용할 수 없는 경우와 마찬가지로, 반전스테이션(4)에 있어서, 박막패턴의 본경화, 및 기판의 반전의 일방 또는 쌍방을 행하지 않고, 기판반출구(17)로부터 기판을 반출하여도 된다.In the reversing station 4, as in the case where the liquid droplet dispensing apparatus of the second application station 6 can not be used, the substrate dispensing station 4 can perform the final curing of the thin film pattern and the reversal of the substrate, The substrate may be removed from the substrate 17.

실시예 4에 있어서는, 1번째의 도포스테이션(3)의 액체방울토출장치를 사용할 수 없는 경우에도, 반전스테이션(4)에서 박막패턴의 본경화와 기판의 반전을 행하고 있는 기간에, 얼라이먼트스테이션(5)에 있어서의 얼라이먼트, 또는, 도포스테이션(6)에 있어서의 박막재료의 도포를 행할 수 있다. 이로 인하여, 실시예 2에 있어서, 도포스테이션(3)의 액체방울토출장치를 사용할 수 없는 경우보다, 생산 효율을 높이는 것이 가능하다.In the fourth embodiment, even when the droplet discharge device of the first application station 3 can not be used, in the period during which the thin film pattern is completely cured and the substrate is reversed in the reversal station 4, 5, or the application of the thin film material in the application station 6 can be performed. This makes it possible to improve the production efficiency in the second embodiment as compared with the case where the droplet discharge device of the application station 3 can not be used.

실시예 4에 의한 기판제조장치도, 실시예 3과 마찬가지로, 도포스테이션(3, 6)의 액체방울토출장치의 일방을 사용할 수 없을 때에는, 타방의 도포스테이션을 이용하여 기판 편면에 박막패턴을 형성한다. 편면에 박막패턴이 형성된 기판을 기판반출구(17)로부터 기판제조장치의 외부(케이싱(18)의 외부)로 반출한다. 실시예 4에 의한 기판제조장치도, 도포스테이션의 고장시에 계속해서 작업을 행하는 것이 가능하다.The substrate manufacturing apparatus according to the fourth embodiment can form a thin film pattern on one side of the substrate by using the other application station when one of the droplet discharge apparatuses of the application stations 3 and 6 can not be used as in the third embodiment do. The substrate on which the thin film pattern is formed on one side is taken out from the substrate transfer port 17 to the outside of the substrate manufacturing apparatus (outside the casing 18). Also in the substrate manufacturing apparatus according to the fourth embodiment, it is possible to continuously carry out work when the application station fails.

［실시예 5］[Example 5]

도 10에, 실시예 5에 의한 기판제조장치의 개략도를 나타낸다. 이하, 실시예 1과의 상이점에 대하여 설명하고, 동일한 구성에 대해서는 설명을 생략한다. 실시예 5는, 도 1에 나타낸 얼라이먼트스테이션(5), 도포스테이션(6), 자외선 조사장치(9), 리프터(13, 14), 및 컨베이어(16)를 포함하지 않는 점에서 실시예 1과 상이하다. 또, 실시예 5에 의한 기판제조장치는, 케이싱(18)이 기판 반출입구(7)(도 1)를 구비하지 않는다. 또한, 제어장치(20)에 의한 제어의 내용이, 실시예 1과 상이하다. 실시예 5에 의한 기판제조장치에 있어서는, 실시예 1에 의한 기판제조장치의 도포스테이션(6)의 액체방울토출장치가 사용 불가능한 경우에, 기판의 양면에 박막패턴을 형성하는 순서와 동일한 순서로 기판의 양면에 박막패턴이 형성된다.10 is a schematic view of a substrate manufacturing apparatus according to a fifth embodiment. Hereinafter, differences from the first embodiment will be described, and description of the same configuration will be omitted. The fifth embodiment is different from the first embodiment in that it does not include the alignment station 5, the application station 6, the ultraviolet irradiator 9, the lifters 13 and 14 and the conveyor 16 shown in Fig. It is different. In the substrate manufacturing apparatus according to the fifth embodiment, the casing 18 does not have the substrate loading / unloading opening 7 (Fig. 1). In addition, the contents of the control by the control device 20 are different from those of the first embodiment. In the substrate manufacturing apparatus according to the fifth embodiment, in the case where the droplet discharge apparatus of the coating station 6 of the substrate manufacturing apparatus according to the first embodiment is not usable, the same procedures as the order of forming the thin film patterns on both surfaces of the substrate A thin film pattern is formed on both sides of the substrate.

기판(21)이, 컨베이어(15)로 반송되고, 반출입구(1)로부터 케이싱(18) 내로 도입된다. 기판(21)의 제1 면은, 상방(Z축의 정의 방향)을 향하고 있다. 기판(21)은, 리프터(11)로 컨베이어(15)로부터 얼라이먼트스테이션(2)으로 반송된다.The substrate 21 is conveyed to the conveyor 15 and introduced into the casing 18 from the exit port 1. The first surface of the substrate 21 faces upward (the positive direction of the Z axis). The substrate 21 is conveyed from the conveyor 15 to the alignment station 2 by the lifter 11. [

얼라이먼트스테이션(2)에 있어서, 기판(21)의 제1 면에 형성된 얼라이먼트마크가 검출된다. 검출결과에 근거하여, 기판(21)의 θ보정이 행해진다. 또, 얼라이먼트스테이션(2)에 있어서 취득된 화상데이터에 근거하여, 기판(21)의 사이즈가 산출되고, 산출된 사이즈에 따라, 토출제어용 화상데이터가 생성된다.In the alignment station 2, an alignment mark formed on the first surface of the substrate 21 is detected. Based on the detection result, theta correction of the substrate 21 is performed. In addition, the size of the substrate 21 is calculated based on the image data acquired in the alignment station 2, and the discharge control image data is generated in accordance with the calculated size.

θ보정이 행해진 기판(21)이, 리프터(11)에 의하여, 도포스테이션(3)으로 반송된다. 도포스테이션(3)에 있어서는 θ보정을 행하지 않고, 기판(21)의 제1 면에, 토출제어용 화상데이터에 근거하여 박막패턴을 형성한다.the substrate 21 subjected to the? correction is conveyed to the application station 3 by the lifter 11. In the application station 3, the thin film pattern is formed on the first surface of the substrate 21 based on the image data for discharge control without performing the correction of theta.

박막패턴이 형성된 기판(21)은, 리프터(12)에 의하여 반전스테이션(4)으로 반송된다. 반전스테이션(4)에 있어서, 기판(21)의 제1 면에 형성된 박막패턴의 본경화와, 기판(21)의 반전이 행해진다.The substrate 21 on which the thin film pattern is formed is transported to the reversing station 4 by the lifter 12. [ In the reversing station 4, the final curing of the thin film pattern formed on the first surface of the substrate 21 and the reversal of the substrate 21 are performed.

반전된 기판(21)은, 리프터(12, 11)에 의하여, 얼라이먼트스테이션(2)으로 반송된다. 얼라이먼트스테이션(2)에 있어서, 기판(21)의 제2 면에 형성된 얼라이먼트마크가 검출되고, 검출결과에 근거하여, 기판(21)의 θ보정이 행해진다. 또, CCD 카메라(35~38)에 의하여 취득된 화상데이터에 근거하여, 기판(21)의 사이즈가 산출되고, 산출된 사이즈에 따라, 기판의 제2 면에 형성되는 박막패턴의 토출제어용 화상데이터가 생성된다.The inverted substrate 21 is transported to the alignment station 2 by the lifters 12, Alignment marks formed on the second surface of the substrate 21 are detected in the alignment station 2 and θ correction of the substrate 21 is performed based on the detection result. The size of the substrate 21 is calculated based on the image data acquired by the CCD cameras 35 to 38 and the image data for discharge control of the thin film pattern formed on the second surface of the substrate Is generated.

다만, 제2 면에 형성되는 박막패턴의 토출제어용 화상데이터의 생성에, 기판(21)의 제1 면의 얼라이먼트마크의 검출결과를 이용하여도 된다. 이 경우, 기판(21)의 제2 면의 얼라이먼트마크의 촬상결과는, θ보정에만 사용된다.However, the detection result of the alignment mark on the first surface of the substrate 21 may be used to generate the ejection control image data of the thin film pattern formed on the second surface. In this case, the imaging result of the alignment mark on the second surface of the substrate 21 is used only for the [theta] correction.

θ보정이 실시된 기판(21)은, 리프터(11)에 의하여, 도포스테이션(3)으로 반송된다.The substrate 21 subjected to the? correction is conveyed to the application station 3 by the lifter 11.

도포스테이션(3)에 있어서, θ보정을 행하지 않고, 액체방울토출장치에 의하여, 기판(21)의 제2 면에 형성되는 박막패턴의 토출제어용 화상데이터에 근거하여, 기판(21)의 제2 면에 박막패턴을 형성한다.The second droplet ejection apparatus of the second droplet ejection apparatus does not correct the θ in the application station 3 and the second droplet ejection apparatus of the second droplet ejection apparatus of the substrate 21 Thereby forming a thin film pattern on the surface.

제2 면에 박막패턴이 형성된 기판(21)은, 리프터(11)에 의하여 컨베이어(15)로 반송되고, 자외선 조사장치(8)로부터의 자외선의 조사에 의하여, 제2 면의 박막패턴의 본경화가 행해진다. 컨베이어(15)는, 기판(21)을 반출입구(1)로부터 케이싱(18)의 외부로 반출한다.The substrate 21 on which the thin film pattern is formed on the second surface is conveyed to the conveyor 15 by the lifter 11 and irradiated with ultraviolet rays from the ultraviolet irradiator 8 to form a pattern of the thin film pattern on the second surface Curing is carried out. The conveyor 15 transports the substrate 21 from the entrance / exit port 1 to the outside of the casing 18.

실시예 5에 의한 기판제조장치의 구성은, 실시예 1에 의한 기판제조장치에 비해 간이하며, 장치의 저비용화를 도모하는 것이 가능하다.The configuration of the substrate manufacturing apparatus according to the fifth embodiment is simpler than that of the substrate manufacturing apparatus according to the first embodiment, and it is possible to reduce the cost of the apparatus.

［실시예 6］[Example 6]

도 11에, 실시예 6에 의한 기판제조장치의 개략도를 나타낸다. 이하, 실시예 2와의 상이점에 대하여 설명하고, 동일한 구성에 대해서는 설명을 생략한다. 실시예 6은, 도 7에 나타낸 얼라이먼트스테이션(5), 도포스테이션(6), 자외선 조사장치(9), 리프터(13, 14), 및 컨베이어(16)를 포함하지 않는 점에서 실시예 2와 상이하다. 또, 실시예 6에 의한 기판제조장치는, 케이싱(18)이 기판 반출입구(7)를 구비하지 않는다. 또한, 제어장치(20)에 의한 제어의 내용이, 실시예 2와 상이하다. 실시예 6에 의한 기판제조장치에 있어서는, 실시예 2에 의한 기판제조장치의 도포스테이션(6)의 액체방울토출장치가 사용 불가능한 경우에, 기판의 양면에 박막패턴을 형성하는 순서와 동일한 순서로, 기판의 양면에 박막패턴이 형성된다.11 is a schematic view of a substrate manufacturing apparatus according to a sixth embodiment. Differences from the second embodiment will be described below, and description of the same configuration will be omitted. The sixth embodiment is different from the second embodiment in that it does not include the alignment station 5, the application station 6, the ultraviolet irradiator 9, the lifters 13 and 14 and the conveyor 16 shown in Fig. It is different. In the substrate manufacturing apparatus according to the sixth embodiment, the casing 18 does not have the substrate return / The contents of the control by the control device 20 are different from those of the second embodiment. In the substrate manufacturing apparatus according to the sixth embodiment, in the case where the droplet discharge apparatus of the coating station 6 of the substrate manufacturing apparatus according to the second embodiment can not be used, the same procedures as the order of forming the thin film patterns on both surfaces of the substrate , A thin film pattern is formed on both sides of the substrate.

기판(21)이 컨베이어(15)로 반송되고, 반출입구(1)로부터 케이싱(18) 내로 도입된다. 기판(21)의 제1 면은, 상방(Z축의 정의 방향)을 향하고 있다. 케이싱(18) 내에 도입된 기판(21)은, 리프터(11)로 얼라이먼트스테이션(2)으로 반송된다.The substrate 21 is conveyed to the conveyor 15 and introduced into the casing 18 from the exit port 1. The first surface of the substrate 21 faces upward (the positive direction of the Z axis). The substrate 21 introduced into the casing 18 is transported to the alignment station 2 by the lifter 11.

얼라이먼트스테이션(2)에 있어서, 기판(21)의 간단한 얼라이먼트를 행한다. 얼라이먼트 종료 후, 기판(21)은, 도포스테이션(3)으로 반송된다.In the alignment station 2, simple alignment of the substrate 21 is performed. After the alignment is completed, the substrate 21 is conveyed to the application station 3.

도포스테이션(3)에 있어서, 기판(21)의 제1 면에 박막패턴을 형성한다. 제1 면에 박막패턴이 형성된 기판(21)은, 리프터(12)에 의하여 반전스테이션(4)으로 반송된다. 반전스테이션(4)에 있어서, 기판의 제1 면에 형성된 박막패턴의 본경화와, 기판의 반전이 행해진다.In the application station 3, a thin film pattern is formed on the first surface of the substrate 21. The substrate 21 on which the thin film pattern is formed on the first surface is transported to the reversing station 4 by the lifter 12. In the reversal station 4, the final curing of the thin film pattern formed on the first surface of the substrate and the reversal of the substrate are performed.

그 후, 기판(21)은 얼라이먼트스테이션(2)으로 반송된다. 얼라이먼트스테이션(2)에서 간단한 얼라이먼트가 행해진 후, 기판(21)은, 다시, 도포스테이션(3)으로 반송된다.Thereafter, the substrate 21 is transported to the alignment station 2. After simple alignment is performed in the alignment station 2, the substrate 21 is again conveyed to the application station 3. [

도포스테이션(3)에서는, 기판(21)의 제2 면에 박막패턴을 형성한다. 제2 면에 박막패턴이 형성된 기판(21)은, 리프터(11)에 의하여, 컨베이어(15)로 반송되고, 제2 면의 박막패턴의 본경화가 행해진다. 그 후, 기판(21)은, 반출입구(1)로부터 케이싱(18)의 외부로 반출된다.In the application station 3, a thin film pattern is formed on the second surface of the substrate 21. The substrate 21 on which the thin film pattern is formed on the second surface is conveyed to the conveyor 15 by the lifter 11 and the thin film pattern on the second surface is finally cured. Thereafter, the substrate 21 is carried out of the casing 18 from the transfer entrance 1.

실시예 6에 의한 기판제조장치의 구성은, 실시예 2에 의한 기판제조장치의 구성에 비해, 간이하며, 장치의 저비용화를 도모하는 것이 가능하다.The configuration of the substrate manufacturing apparatus according to the sixth embodiment is simpler than that of the substrate manufacturing apparatus according to the second embodiment, and it is possible to reduce the cost of the apparatus.

［실시예 7］[Example 7]

도 12의 (a)~도 12의 (e)에, 실시예 7에 의한 기판제조장치의 반전스테이션의 개략도를 나타낸다. 이 반전스테이션은, 상기 실시예 1~실시예 6에 의한 기판제조장치의 반전스테이션(4)(도 1, 도 7~도 11)에 적용할 수 있다.Figs. 12 (a) to 12 (e) are schematic views of the reversing station of the substrate manufacturing apparatus according to the seventh embodiment. This reversal station is applicable to the reversal station 4 (Figs. 1, 7 to 11) of the substrate manufacturing apparatus according to the first to sixth embodiments.

도 12의 (a)에 나타내는 바와 같이, Y축방향으로 긴 자외광원(62)의 양측에, 한 쌍의 반원주형상의 가이드(56)가 설치되어 있다. 자외광원(62)은 양측의 가이드(56)로 안내되어 이동 가능하다. 자외광원(62)의 이동은 제어장치(20)에 의하여 제어된다. 기판(24)의 회전 전 상태에서는, 박막패턴이 형성된 면이 Z축의 정의 방향을 향하고 있다. 자외광원(62)을 출사한 자외광은, 기판(24)의 박막패턴이 형성된 면에 조사된다. 다만, 도 12의 (a)~도 12의 (e)에 나타내는 예에 있어서는, 자외광원(62)은, 발산하는 자외광을 출사한다.As shown in Fig. 12 (a), a pair of semicylindrical guides 56 are provided on both sides of the ultraviolet light source 62 which is long in the Y-axis direction. The ultraviolet light source 62 is guided by the guides 56 on both sides and is movable. The movement of the ultraviolet light source (62) is controlled by the control device (20). In the state before rotation of the substrate 24, the surface on which the thin film pattern is formed faces the positive direction of the Z axis. The ultraviolet light emitted from the ultraviolet light source 62 is irradiated onto the surface of the substrate 24 on which the thin film pattern is formed. However, in the example shown in Figs. 12 (a) to 12 (e), the ultraviolet light source 62 emits ultraviolet light that diverges.

도 12의 (b)~도 12의 (e)에 나타내는 바와 같이, 제어장치(20)는, 지지부재(52)를 회전축으로 하여 기판(24)을, 일정한 각속도로 회전시킨다. 기판(24)의 회전에 동기시켜, 회전 중의 기판(24)의 박막패턴 형성면에 소정 강도 이상의 자외광이 조사되도록, 자외광원(62)을 가이드(56)를 따라 일정 속도로 이동시킨다. 자외광의 조사는, 도 7E에 나타내는 바와 같이, 기판(24)의 박막패턴 형성면이 Z축의 부의 방향을 향하였을 때에 종료된다.12 (b) to 12 (e), the control device 20 rotates the substrate 24 at a constant angular velocity with the support member 52 as a rotation axis. The ultraviolet light source 62 is moved at a constant speed along the guide 56 so that ultraviolet light of a predetermined intensity or higher is irradiated to the thin film pattern forming surface of the substrate 24 during rotation in synchronization with the rotation of the substrate 24. [ As shown in Fig. 7E, the irradiation of the ultraviolet light ends when the thin film patterned surface of the substrate 24 faces the negative direction of the Z axis.

실시예 7에 있어서는, 기판의 반전과, 자외선 조사를 병행하여 행할 수 있다. 이로 인하여, 반전스테이션(4)에서의 처리시간을 단축할 수 있다.In Embodiment 7, reversal of the substrate and ultraviolet irradiation can be performed in parallel. As a result, the processing time in the reversal station 4 can be shortened.

［실시예 8］[Example 8]

도 13의 (a)~도 13의 (d)에, 실시예 8에 의한 기판제조장치의 반전스테이션의 개략도를 나타낸다. 이 반전스테이션은, 상기 실시예 1~실시예 6에 의한 기판제조장치의 반전스테이션(4)(도 1, 도 7~도 11)에 적용할 수 있다. 이하, 실시예 7과의 상이점에 대하여 설명하고, 동일한 구성에 대해서는 설명을 생략한다. Figs. 13 (a) to 13 (d) are schematic views of the reversing station of the substrate manufacturing apparatus according to the eighth embodiment. This reversal station is applicable to the reversal station 4 (Figs. 1, 7 to 11) of the substrate manufacturing apparatus according to the first to sixth embodiments. Hereinafter, differences from the seventh embodiment will be described, and description of the same configuration will be omitted.

도 13의 (a)~도 13의 (d)에 나타내는 실시예 8에 있어서는, 자외광원(62)은, 집속하는 자외광을 출사한다. 도 13의 (a)에 나타내는 바와 같이, Y축방향으로 긴 지지부재(61)의 양단에 한 쌍의 가이드(56)가 설치되어 있다. 지지부재(61)에, X축방향으로 긴 자외광원(62)이, 그 일단에 있어서 지지되어 있다. 지지부재(61)는 양단의 가이드(56)에 안내되어 이동 가능하다. 지지부재(61)의 이동은 제어장치(20)에 의하여 제어된다.In the eighth embodiment shown in Figs. 13 (a) to 13 (d), the ultraviolet light source 62 emits concentrated ultraviolet light. As shown in Fig. 13 (a), a pair of guides 56 are provided at both ends of a support member 61 which is long in the Y-axis direction. An ultraviolet light source 62, which is long in the X-axis direction, is supported on the support member 61 at one end thereof. The support member 61 is guided and guided by the guide 56 at both ends. The movement of the support member (61) is controlled by the control device (20).

도 13의 (a)~도 13의 (d)에 나타내는 바와 같이, 제어장치(20)는, 지지부재(52)를 회전축으로 하여 기판(24)을 일정한 각속도로 회전시킨다. 기판(24)의 회전에 동기시켜, 지지부재(61)를 가이드(56)를 따라 일정 속도로 이동시킨다. 또한, 자외광원(62)을 지지부재(61)를 따라 Y축방향으로 일정 속도로 이동시킨다. 기판(24)의 박막패턴 형성면이 Z축의 정의 방향을 향하고 있는 상태를 도 13의 (a)에 나타낸다. 기판(24)이 서서히 회전하여, 기판(24)의 박막패턴 형성면이 Z축의 부의 방향을 향하는 상태를 도 13의 (d)에 나타냈다. 도 13의 (a)에 나타내는 상태에서는, 자외광원(62)은, 자외광을 기판(24)의 Y축의 정측의 단부에 조사한다. 도 13의 (d)에 나타내는 상태에 이르기까지, 자외광원(62)은, 자외광을 기판(24)의 Y축의 부측의 단부에 조사하는 위치까지 이동한다. 자외광의 조사는, 기판(24)의 박막패턴 형성면이 Z축의 정의 방향을 향하고 있을 때에 개시되고, 기판(24)의 박막패턴 형성면이 Z축의 부의 방향을 향하였을 때에 종료된다.As shown in Figs. 13A to 13D, the control device 20 rotates the substrate 24 at a constant angular velocity with the support member 52 as a rotation axis. The support member 61 is moved at a constant speed along the guide 56 in synchronization with the rotation of the substrate 24. [ Further, the ultraviolet light source 62 is moved along the support member 61 at a constant speed in the Y-axis direction. A state in which the thin film pattern formation surface of the substrate 24 faces the positive direction of the Z axis is shown in (a) of FIG. Fig. 13 (d) shows a state in which the substrate 24 is slowly rotated so that the thin film patterned surface of the substrate 24 faces the negative direction of the Z axis. 13 (a), the ultraviolet light source 62 irradiates ultraviolet light to the positive side end portion of the substrate 24 on the Y axis. 13 (d), the ultraviolet light source 62 moves to a position where the ultraviolet light is irradiated to the end portion of the substrate 24 on the side of the Y axis. The irradiation of the ultraviolet light is started when the thin film pattern formation surface of the substrate 24 faces the positive direction of the Z axis and ends when the thin film pattern formation surface of the substrate 24 is directed to the negative side of the Z axis.

실시예 8에 있어서도, 실시예 7과 마찬가지로, 반전스테이션(4)에서의 처리시간을 단축할 수 있다.Also in the eighth embodiment, as in the seventh embodiment, the processing time in the reversal station 4 can be shortened.

상기 실시예 1~실시예 8에 있어서는, 노즐유닛에 대한 기판의 이동(XY평면 내에서의 이동)을 스테이지에 의해서만 행하였지만, 프레임(42)(도 3의 (a))을 Y축방향으로 이동 가능하게 하고, 노즐유닛(47a~47f)(도 3의 (a))을, 프레임(42)에 X축방향 및 Z축방향으로 이동 가능하게 하여도 된다. 노즐유닛과 기판은, 상대적으로 이동시키면 된다. 단, 기판만을 XY평면 내에서 이동시키는 구성이, 노즐유닛도 XY평면방향으로 이동시키는 구성에 비해, 박막패턴의 위치 정밀도를 높일 수 있다.In the first to eighth embodiments, the movement of the substrate with respect to the nozzle unit (movement in the XY plane) is performed only by the stage, but the frame 42 (Fig. 3 (a) And the nozzle units 47a to 47f (Fig. 3 (a)) may be movable on the frame 42 in the X-axis direction and the Z-axis direction. The nozzle unit and the substrate may be relatively moved. However, the configuration in which only the substrate is moved in the XY plane can improve the positional accuracy of the thin film pattern as compared with the configuration in which the nozzle unit is also moved in the XY plane direction.

또, 실시예 1~실시예 8에 있어서는, 기판제조장치에 의하여, 프린트 배선판 상에 솔더레지스트의 박막패턴을 형성하였지만, 실시예 1~실시예 8에 의한 기판제조장치는, 그 외의 박막패턴의 형성에도 적용할 수 있다. 예를 들면, 실시예 1~실시예 8에 의한 기판제조장치는, 유리기판 상에 절연막을 형성하는 터치패널의 제조에 이용할 수 있다.In Examples 1 to 8, the thin film pattern of the solder resist was formed on the printed wiring board by the substrate manufacturing apparatus. However, in the substrate manufacturing apparatus according to Examples 1 to 8, . For example, the substrate manufacturing apparatuses according to the first to eighth embodiments can be used for manufacturing a touch panel in which an insulating film is formed on a glass substrate.

*또한, 임시 스테이지(48)(도 7 등)를 구비하는 실시예에 있어서, 기판을 액체방울토출장치로 반송하기 전에, 임시 스테이지를 경유시키는 것은 필수는 아니다. 예를 들면, 실시예 2의 도포스테이션(6)(도 8)의 액체방울토출장치가 고장 중 또는 메인터넌스 중일 때에, 반전스테이션(4)으로부터, 얼라이먼트스테이션(2)을 경유하지 않고, 도포스테이션(3)으로 기판을 반송하여도 된다. 얼라이먼트스테이션(2)에 의한 처리를 생략함으로써, 택트타임의 증가를 억제할 수 있다. 이 점은, 실시예 6에 의한 기판제조장치의 통상 동작 등에 있어서도 동일하다.Furthermore, in the embodiment having the temporary stage 48 (Fig. 7 and the like), it is not necessary to route the temporary stage before transporting the substrate to the droplet discharge apparatus. For example, when the liquid droplet ejecting apparatus of the application station 6 (Fig. 8) of the second embodiment is in trouble or under maintenance, the ink droplet is discharged from the reversing station 4 to the application station 3). By omitting the processing by the alignment station 2, an increase in the tact time can be suppressed. This is the same in the normal operation of the substrate manufacturing apparatus according to the sixth embodiment.

또, 실시예 1~실시예 8에 있어서, 얼라이먼트 기능을 리프터나 기판 반전장치에 가지게 하여도 된다. 또한, 실시예 5나 실시예 6에 있어서, 도포스테이션(3)(도 10, 도 11)과 반전스테이션(4)(도 10, 도 11)과의 사이에, 얼라이먼트스테이션을 설치하여도 된다. 반전스테이션(4)에서 처리된 기판을, 얼라이먼트스테이션(2)을 경유하여 도포스테이션(3)으로 반송하는 대신에, 도포스테이션(3)과 반전스테이션(4)과의 사이에 설치한 얼라이먼트스테이션을 경유하여 도포스테이션(3)으로 반송함으로써, 택트타임의 단축을 도모할 수 있다.In Embodiments 1 to 8, the alignment function may be provided in the lifter or the substrate reversing device. An alignment station may be provided between the application station 3 (Figs. 10 and 11) and the reversal station 4 (Figs. 10 and 11) in the fifth and sixth embodiments. An alignment station provided between the application station 3 and the reversal station 4 may be replaced by an alignment station 4 instead of the substrate processed in the reversal station 4 via the alignment station 2 to the application station 3, To the application station 3, the tact time can be shortened.

또, 실시예 1~실시예 8에 있어서는, 각 스테이션을 직선적으로 배치하였지만, 예를 들면 각 스테이션을 다각형의 정점에 해당하는 위치에 설치하여도 된다. 이러한 구성으로 함으로써, 예를 들면 얼라이먼트에 수반하여 발생하는 택트타임의 증대를 억제하는 것이 가능하다.In the first to eighth embodiments, the respective stations are arranged linearly. However, for example, each station may be provided at a position corresponding to the apex of the polygon. With such a configuration, for example, it is possible to suppress an increase in the tact time caused by the alignment.

［실시예 9］[Example 9]

도 14에, 실시예 9에 의한 기판제조장치의 도포스테이션(3)의 개략 평면도를 나타낸다. 이 도포스테이션(3)은, 실시예 1~실시예 8에 의한 기판제조장치의 1번째의 도포스테이션(3)(도 1, 도 7~도 11) 및 2번째의 도포스테이션(6)(도 1, 도 7~도 9)에 적용할 수 있다. 다만, 실시예 9에 의한 도포스테이션(3)은, 기판의 얼라이먼트 기능을 구비하고 있기 때문에, 실시예 1~실시예 8에, 실시예 9에 의한 도포스테이션(3)을 적용한 경우에는, 얼라이먼트스테이션(2, 5)(도 1, 도 7~도 11)이 생략된다.14 is a schematic plan view of the application station 3 of the substrate manufacturing apparatus according to the ninth embodiment. The application station 3 is a device for transferring the first application station 3 (Fig. 1, Fig. 7 to Fig. 11) and the second application station 6 1, Figs. 7 to 9). However, since the application station 3 according to the ninth embodiment has the alignment function of the substrate, when the application station 3 according to the ninth embodiment is applied to the first to eighth embodiments, (2, 5) (Figs. 1, 7 to 11) are omitted.

도 14에 나타내는 바와 같이, 도포스테이션(3)에, 제1 도포스테이지(85A) 및 제2 도포스테이지(85B)가 구비되어 있다. 제1 도포스테이지(85A)는, 도포스테이션(3) 내의 제1 수수영역(80A), 제1 얼라이먼트영역(81A), 및 도포영역(82)의 사이에서 이동 가능하다. 제2 도포스테이지(85B)는, 도포스테이션(3) 내의 제2 수수영역(80B), 제2 얼라이먼트영역(81B), 및 도포영역(82)의 사이에서 이동 가능하다. 도포영역(82)은, 제1 도포스테이지(85A)와 제2 도포스테이지(85B)에서 공용된다.As shown in Fig. 14, the application station 3 is provided with a first application stage 85A and a second application stage 85B. The first application stage 85A is movable between the first delivery region 80A, the first alignment region 81A, and the application region 82 in the application station 3. [ The second application stage 85B is movable between the second delivery area 80B, the second alignment area 81B and the application area 82 in the application station 3. [ The application region 82 is shared between the first application stage 85A and the second application stage 85B.

제1 및 제2 수수영역(80A, 80B)의 상방을 리프터(11)가 통과 가능하다. 제1 도포스테이지(85A)가 제1 수수영역(80A)에 배치되어 있는 상태로, 리프터(11)로부터 제1 도포스테이지(85A)로, 또는 그 반대로, 기판을 주고 받을 수 있다. 마찬가지로, 제2 도포스테이지(85B)가 제2 수수영역(80B)에 배치되어 있는 상태로, 리프터(11)로부터 제2 도포스테이지(85B)로, 또는 그 반대로, 기판을 주고 받을 수 있다.The lifter 11 can pass above the first and second acceptance regions 80A and 80B. The substrate can be transferred from the lifter 11 to the first application stage 85A or vice versa while the first application stage 85A is disposed in the first delivery region 80A. Similarly, the substrate can be transferred from the lifter 11 to the second application stage 85B or vice versa while the second application stage 85B is disposed in the second transfer region 80B.

제1 얼라이먼트영역(81A) 및 제2 얼라이먼트영역(81B)에, 각각 복수 대의 촬상장치(83)가 배치되어 있다. 제1 도포스테이지(85A)가 제1 얼라이먼트영역(81A)에 배치된 상태로, 제1 도포스테이지(85A)에 지지된 기판의 얼라이먼트마크가 촬상장치(83)에 의하여 촬상된다. 촬상결과를 해석함으로써, 기판의 θ보정을 행함과 함께, X방향 및 Y방향의 신축량을 산출할 수 있다. 마찬가지로, 제2 도포스테이지(85B)가 제2 얼라이먼트영역(81B)에 배치된 상태로, 제2 도포스테이지(85B)에 지지된 기판의 θ보정을 행함과 함께, X방향 및 Y방향의 신축량을 산출할 수 있다.A plurality of image pickup devices 83 are respectively arranged in the first alignment area 81A and the second alignment area 81B. The alignment marks of the substrate held by the first application stage 85A are picked up by the image pickup device 83 in a state in which the first application stage 85A is arranged in the first alignment area 81A. By analyzing the imaging result, it is possible to calculate the expansion amount in the X direction and the Y direction while performing the θ correction of the substrate. Similarly, in the state where the second application stage 85B is disposed in the second alignment area 81B, the θ correction of the substrate held by the second application stage 85B is performed and the X and Y direction expansion and contraction amounts Can be calculated.

도포영역(82)에, 노즐유닛(47a~47f)이 구비되어 있다. 제1 도포스테이지(85A)를 도포영역(82)에 배치하여, 노즐유닛(47a~47f)에 대하여 기판을 주사함으로써, 제1 도포스테이지(85A)에 지지되어 있는 기판의 상면에 박막패턴을 형성할 수 있다. 마찬가지로, 제2 도포스테이지(85B)를 도포영역(82)에 배치함으로써, 제2 도포스테이지(85B)에 지지되어 있는 기판의 상면에 박막패턴을 형성할 수 있다.In the application region 82, nozzle units 47a to 47f are provided. A thin film pattern is formed on the upper surface of the substrate supported by the first application stage 85A by arranging the first application stage 85A in the application region 82 and scanning the substrate with respect to the nozzle units 47a to 47f can do. Similarly, by disposing the second application stage 85B in the application region 82, a thin film pattern can be formed on the upper surface of the substrate supported by the second application stage 85B.

다음으로, 도포스테이션(3)에서 기판에 박막패턴을 형성하는 순서에 대하여 설명한다. 도 15의 (a)에 나타내는 바와 같이, 제1 도포스테이지(85A) 및 제2 도포스테이지(85B)가, 각각 제1 수수영역(80A) 및 제2 수수영역(80B)에 배치되어 있다. 이 상태로, 리프터(11)(도 14)가, 미처리의 기판(21)을 제1 도포스테이지(85A)에 싣는다.Next, the procedure of forming the thin film pattern on the substrate in the application station 3 will be described. The first application stage 85A and the second application stage 85B are disposed in the first delivery region 80A and the second delivery region 80B, respectively, as shown in FIG. 15 (a). In this state, the lifter 11 (Fig. 14) loads the unprocessed substrate 21 on the first application stage 85A.

도 15의 (b)에 나타내는 바와 같이, 제1 도포스테이지(85A)를 제1 얼라이먼트영역(81A)까지 이동시킨다. 이 상태로, 기판(21)의 상면에 형성된 얼라이먼트마크를 촬상장치(83)(도 14)로 촬상한다. 촬상결과에 근거하여, 기판(21)의 θ보정을 행함과 함께, 박막패턴을 형성하기 위한 토출제어용 화상데이터를 생성한다.The first application stage 85A is moved to the first alignment area 81A as shown in Fig. 15 (b). In this state, an alignment mark formed on the upper surface of the substrate 21 is imaged by the imaging device 83 (Fig. 14). Correction of the substrate 21 is performed based on the imaging result, and the discharge control image data for forming the thin film pattern is generated.

도 15의 (c)에 나타내는 바와 같이, 제1 도포스테이지(85A)를 도포영역(82)까지 이동시켜, 기판(21)에 대한 박막재료의 도포처리를 행한다. 병행하여, 리프터(11)가, 다음으로 처리해야 하는 기판(22)을 제2 도포스테이지(85B)에 싣는다.The first application stage 85A is moved to the application region 82 and the thin film material is applied to the substrate 21 as shown in FIG. 15 (c). Concurrently, the lifter 11 loads the substrate 22 to be processed next on the second application stage 85B.

도 15의 (d)에 나타내는 바와 같이, 제2 도포스테이지(85B)를 제2 얼라이먼트영역(81B)으로 이동시킨다. 이 상태로, 제2 도포스테이지(85B)에 지지되어 있는 기판(22)의 상면에 형성된 얼라이먼트마크를 촬상장치(83)(도 14)로 촬상한다. 촬상결과에 근거하여, 기판(22)의 θ보정을 행함과 함께, 토출제어용 화상데이터를 생성한다. 제1 도포스테이지(85A)에 지지되어 있는 기판(21)에 대해서는, 박막재료의 도포처리가 계속해서 행해지고 있다.The second coating stage 85B is moved to the second alignment area 81B as shown in Fig. 15 (d). In this state, an alignment mark formed on the upper surface of the substrate 22 supported by the second application stage 85B is imaged by the imaging device 83 (Fig. 14). Correction of the substrate 22 is performed based on the imaging result, and image data for discharge control is generated. As for the substrate 21 supported on the first application stage 85A, the thin film material application process is continuously performed.

도 15의 (e)에 나타내는 바와 같이, 기판(21)으로의 박막재료의 도포가 완료된 후, 제1 도포스테이지(85A)를 도포영역(82)으로부터 제1 수수영역(80A)까지 이동시킨다. 병행하여, 제2 도포스테이지(85B)를 제2 얼라이먼트영역(81B)으로부터 도포영역(82)까지 이동시킨다.After the application of the thin film material to the substrate 21 is completed, the first application stage 85A is moved from the application region 82 to the first delivery region 80A as shown in FIG. 15 (e). The second coating stage 85B is moved from the second alignment area 81B to the coating area 82 in parallel.

도 15의 (f)에 나타내는 바와 같이, 제2 도포스테이지(85B)에 지지된 기판(22)의 상면에 박막재료를 도포한다. 병행하여, 리프터(12)(도 1)가, 제1 도포스테이지(85A)에 지지되어 있는 기판(21)을, 도포스테이션(3)으로부터 반출한다.As shown in Fig. 15 (f), a thin film material is applied to the upper surface of the substrate 22 supported by the second application stage 85B. Concurrently, the lifter 12 (Fig. 1) takes out the substrate 21 supported by the first application stage 85A from the application station 3.

도 15의 (g)에 나타내는 바와 같이, 리프터(11)(도 14)가, 다음으로 처리해야 하는 기판(23)을, 제1 도포스테이지(85A)에 싣는다. 이 때, 도포영역(82)에서는, 제2 도포스테이지(85B)에 지지되어 있는 기판(22)의 상면으로의 박막재료의 도포처리가 계속되고 있다.As shown in Fig. 15G, the lifter 11 (Fig. 14) loads the substrate 23 to be processed next in the first application stage 85A. At this time, in the application region 82, the application of the thin film material to the upper surface of the substrate 22 supported by the second application stage 85B is continued.

도 15의 (h)에 나타내는 바와 같이, 제1 도포스테이지(85A)를 제1 얼라이먼트영역(81A)까지 이동시킨다. 이 상태로, 기판(23)의 상면에 형성되어 있는 얼라이먼트마크를 촬상한다. 촬상결과에 근거하여, 기판(23)의 θ보정을 행함과 함께, 토출제어용 화상데이터를 생성한다. 이 때, 도포영역(82)에서는, 제2 도포스테이지(85B)에 지지되어 있는 기판(22)의 상면으로의 박막재료의 도포처리가 계속되고 있다.The first application stage 85A is moved to the first alignment area 81A as shown in (h) of FIG. In this state, an alignment mark formed on the upper surface of the substrate 23 is imaged. Correction of the substrate 23 is performed based on the imaging result, and image data for ejection control is generated. At this time, in the application region 82, the application of the thin film material to the upper surface of the substrate 22 supported by the second application stage 85B is continued.

제2 도포스테이지(85B)에 지지되어 있는 기판(22)으로의 박막재료의 도포가 완료되면, 제2 도포스테이지(85B)를 제2 수수영역(80B)까지 이동시켜, 기판(22)을 도포스테이션(3)으로부터 반출한다. 병행하여, 도 15의 (c)에 나타낸 공정과 마찬가지로, 제1 도포스테이지(85A)를, 도포영역(82)까지 이동시킴과 함께, 제2 도포스테이지(85B)에, 다음으로 처리해야 하는 기판을 싣는다. 그 후, 도 15의 (d)로부터 도 15의 (h)까지 처리를 반복 실행한다.When the application of the thin film material to the substrate 22 supported by the second application stage 85B is completed, the second application stage 85B is moved to the second delivery region 80B to apply the substrate 22 Out from the station 3. The first application stage 85A is moved to the application region 82 and the second application stage 85B is moved to the next application stage 85B in the same manner as the step shown in FIG. . Then, the processes from (d) to (h) of FIG. 15 are repeatedly executed.

상술과 같이, 실시예 9에 있어서는, 도포스테이션(3) 내에 있어서, 1매의 기판에 대한 박막재료의 도포가 행해지고 있는 기간에, 다음으로 처리해야 하는 기판의 θ보정, 및 토출제어용 화상데이터의 생성이 병행하여 행해진다. 이로 인하여, 처리시간을 단축할 수 있다.As described above, in the ninth embodiment, in the period in which the thin film material is applied to one substrate in the application station 3, the? Correction of the substrate to be next processed and the correction of the image data for discharge control Generation is performed in parallel. As a result, the processing time can be shortened.

［실시예 10］[Example 10]

도 16의 (a)~도 16의 (f)에, 실시예 10에 의한 기판제조장치의 반전스테이션(4)의 개략도를 나타낸다. 이하, 실시예 1과의 상이점에 대하여 설명하고, 동일한 구성에 대해서는 설명을 생략한다. 실시예 10의 반전스테이션(4)은, 실시예 1~실시예 9의 기판제조장치의 반전스테이션(4)(도 1, 도 7~도 11)에 적용된다.16 (a) to 16 (f) are schematic views of the reversal station 4 of the substrate manufacturing apparatus according to the tenth embodiment. Hereinafter, differences from the first embodiment will be described, and description of the same configuration will be omitted. The reversing station 4 of the tenth embodiment is applied to the reversing station 4 (Figs. 1, 7 to 11) of the substrate manufacturing apparatuses of the first to ninth embodiments.

도 16의 (a)에 나타내는 바와 같이, 반전스테이션(4) 내에 롤러 컨베이어(90)가 구비되어 있다. 롤러 컨베이어(90)의 상류단으로부터 하류단을 향하여, 반입부(4A), 본경화부(4B), 반전부(4C), 및 반출부(4D)가 획정되어 있다. 도포스테이션(3)(도 1, 도 7~도 11)에서 박막재료가 도포된 기판(21)이, 리프터(12)(도 1, 도 7~도 11)에 의하여, 롤러 컨베이어(90)의 반입부(4A) 위에 실린다. 박막재료가 도포된 제1 면(21A)이 상방을 향하고, 반대측의 제2 면(21B)이 롤러 컨베이어(90)에 접촉한다.As shown in Fig. 16 (a), a roller conveyor 90 is provided in the reversing station 4. Fig. A carry-in portion 4A, a main hardened portion 4B, an inverting portion 4C, and a carry-out portion 4D are defined from the upstream end to the downstream end of the roller conveyor 90. [ The substrate 21 to which the thin film material is applied in the application station 3 (Figs. 1 and 7 to 11) is moved by the lifter 12 (Figs. 1 and 7 to 11) And is carried on the loading section 4A. The first surface 21A coated with the thin film material is directed upward and the second surface 21B on the opposite side is contacted with the roller conveyor 90. [

본경화부(4B)의 롤러 컨베이어(90)의 상방에, 본경화용 광원(91)이 배치되어 있다. 본경화용 광원(91)은, 롤러 컨베이어(90)에 의하여, 그 하방을 통과하는 기판(21)의 상면에 자외선을 조사한다.The main curing light source 91 is disposed above the roller conveyor 90 of the main curing unit 4B. The curing light source 91 irradiates ultraviolet rays to the upper surface of the substrate 21 that passes under the curing light source 91 by the roller conveyor 90.

반전부(4C)에서는, 롤러 컨베이어(90)가, 기판(21)을 아래로부터 지지하는 제1 롤러(90A)와, 기판(21)의 상면에 접하는 제2 롤러(90B)를 포함한다. 제1 롤러(90A)와 제2 롤러(90B)와의 상하 관계를 역전시킴으로써, 기판(21)의 표리를 반전시킬 수 있다. 기판(21)을 반전시키면, 박막재료가 도포된 제1 면(21A)이 하방을 향하고, 박막재료가 도포되어 있지 않은 제2 면이 상방을 향한다.In the inverting section 4C, the roller conveyor 90 includes a first roller 90A for supporting the substrate 21 from below and a second roller 90B abutting on the upper surface of the substrate 21. The top and bottom of the substrate 21 can be reversed by reversing the vertical relationship between the first roller 90A and the second roller 90B. When the substrate 21 is inverted, the first surface 21A to which the thin film material is applied faces downward, and the second surface to which the thin film material is not applied faces upward.

롤러 컨베이어(90)의 반출부(4D)까지 반송된 기판(21)이, 리프터(13)(도 1, 도 7~도 9)에 의하여, 반전스테이션(4)으로부터 반출되어, 2번째의 도포스테이션(6)(도 1, 도 7~도 9) 등으로 반입된다.The substrate 21 conveyed to the carry-out portion 4D of the roller conveyor 90 is taken out of the reversing station 4 by the lifter 13 (Figs. 1, 7 to 9) Station 6 (Fig. 1, Fig. 7 to Fig. 9) or the like.

도 16의 (b)에 나타내는 바와 같이, 반입부(4A)의 롤러 컨베이어(90)에 실린 기판(21)이, 본경화부(4B)를 통과하여 반전부(4C)를 향하여 반송된다. 본경화부(4B)를 통과할 때에, 본경화용 광원(91)으로부터의 자외선이 조사되고, 기판(21)의 제1 면(21A)에 도포되어 있는 박막재료가 본경화된다. 제어장치(20)가, 기판(21)의 전송속도를 기억한 기억장치(20b)를 포함한다. 기억장치(20b)에 기억되어 있는 전송속도는, 기판(21)의 제1 면(21A)에 투입되는 광에너지 밀도가, 박막재료를 본경화시키는데 충분한 크기가 되도록 설정되어 있다. 다만, 기억장치(20b)에, 광조사 시간을 기억시켜 두어도 된다. 이 경우에는, 제어장치(20)는, 기억장치(20b)에 기억되어 있는 조사 시간으로부터, 기판(21)의 전송속도를 산출한다.The substrate 21 placed on the roller conveyor 90 of the carry-in unit 4A passes through the main curing unit 4B and is transported toward the inverting unit 4C as shown in Fig. 16 (b). Ultraviolet rays from the main curing light source 91 are irradiated and the thin film material applied to the first surface 21A of the substrate 21 is finally cured when passing through the main curing portion 4B. The control device (20) includes a storage device (20b) that stores the transfer speed of the substrate (21). The transfer speed stored in the storage device 20b is set so that the optical energy density applied to the first surface 21A of the substrate 21 is a sufficient size to finally cure the thin film material. However, the light irradiation time may be stored in the storage device 20b. In this case, the control device 20 calculates the transfer speed of the substrate 21 from the irradiation time stored in the storage device 20b.

도 16의 (c)에 나타내는 바와 같이, 기판(21)이 반전부(4C)의 롤러 컨베이어(90)까지 반송된다. 제1 롤러(90A)와 제2 롤러(90B)와의 사이에 기판(21)이 끼워진 상태로, 제1 롤러(90A), 제2 롤러(90B), 및 기판(21)을, 반송방향과 평행한 직선을 회전중심으로 하여 180° 회전시킨다. 도 16의 (d)에, 제1 롤러(90A), 제2 롤러(90B), 및 기판(21)을 90° 회전시킨 상태의 측면도를 나타낸다. 기판(21)의 제1 면(21A)이 앞을 향하고 있다.The substrate 21 is conveyed to the roller conveyor 90 of the inverted portion 4C as shown in Fig. 16 (c). The first roller 90A, the second roller 90B and the substrate 21 are moved in parallel with the conveying direction while the substrate 21 is sandwiched between the first roller 90A and the second roller 90B Rotate 180 ° with one straight line as the center of rotation. Fig. 16D shows a side view of the first roller 90A, the second roller 90B, and the substrate 21 rotated by 90 DEG. The first surface 21A of the substrate 21 faces forward.

도 16의 (e)에, 제1 롤러(90A), 제2 롤러(90B), 및 기판(21)을 90° 더 회전시킨 상태의 측면도를 나타낸다. 제1 롤러(90A)와 제2 롤러(90B)와의 상하 관계가 역전하고, 기판(21)의 제2 면(21B)이 상방을 향한다. 도 16의 (f)에 나타내는 바와 같이, 표리가 반전된 기판(21)을, 롤러 컨베이어(90)의 반출부(4D)까지 반송한다.16 (e) shows a side view of the first roller 90A, the second roller 90B, and the substrate 21 rotated 90 degrees further. The vertical relationship between the first roller 90A and the second roller 90B reverses and the second surface 21B of the substrate 21 faces upward. The substrate 21 whose front and back sides are inverted is transported to the carry-out portion 4D of the roller conveyor 90 as shown in Fig. 16 (f).

실시예 10과 같이, 롤러 컨베이어(90)를 이용하여, 본경화와 기판의 반전을 행하는 것도 가능하다.As in the tenth embodiment, by using the roller conveyor 90, it is possible to perform the main curing and the inversion of the substrate.

［실시예 11］[Example 11]

도 17에, 실시예 11에 의한 기판제조장치의 개략도를 나타낸다. 기판 스토커(Stocker)(93)에, 복수의 기판이 축적된다. 도포스테이션(3)에서, 기판에 소정의 평면형상을 가지는 박막패턴이 형성된다. 도포스테이션(3)에서 형성된 박막패턴은, 가경화 상태이며, 본경화는 행해지고 있지 않다. 반전스테이션(4)이, 본경화부(4B) 및 반전부(4C)를 포함한다. 본경화부(4B)에서, 기판에 도포된 박막재료가 본경화된다. 반전스테이션(4C)에서, 기판의 표리가 반전된다. 실시예 11에 의한 기판제조장치에는, 본경화부(4B) 외에, 본경화스테이션(94)이 배치되어 있다. 본경화스테이션(94)에서도, 기판에 도포된 박막재료의 본경화가 행해진다.17 is a schematic view of a substrate manufacturing apparatus according to an eleventh embodiment. In the substrate stocker 93, a plurality of substrates are accumulated. In the application station 3, a thin film pattern having a predetermined planar shape is formed on the substrate. The thin film pattern formed in the application station 3 is in a state of temporary hardening, and the final hardening is not performed. The reversing station 4 includes a main curing portion 4B and an inverting portion 4C. In the present hardened portion 4B, the thin film material applied to the substrate is finally hardened. In the reversing station 4C, the front and back sides of the substrate are reversed. In the substrate manufacturing apparatus according to Embodiment 11, the present curing station 94 is disposed in addition to the present curing portion 4B. Also in the present curing station 94, the thin film material applied to the substrate is finally cured.

반송장치(100)가, 기판 스토커(93), 본경화스테이션(94), 도포스테이션(3), 반전스테이션(4)의 본경화부(4B)와 반전부(4C)와의 사이에서, 기판을 반송한다. 반송장치(100)에는, 롤러 컨베이어, 기판의 상면을 흡착하여 지지하는 리프터, 기판을 아래로부터 지지하는 로봇 암 등이 이용된다. 반송장치(100), 및 각 스테이션 내의 장치는, 제어장치(20)에 의하여 제어된다. 도 17에 있어서, 기판이 처리될 때의 기판의 이동경로를, 화살표를 부여한 곡선으로 나타낸다.The transfer apparatus 100 transfers the substrate between the main hardening section 4B and the inverting section 4C of the substrate stocker 93, the main curing station 94, the application station 3 and the reversing station 4 Return. The conveyor 100 is provided with a roller conveyor, a lifter for supporting and supporting the upper surface of the substrate, and a robot arm for supporting the substrate from below. The transport apparatus 100 and the devices in each station are controlled by the control device 20. [ In Fig. 17, the movement path of the substrate when the substrate is processed is indicated by a curve with arrows.

기판 스토커(93)에 축적되어 있는 미처리 기판이, 반송장치(100)에 의하여 도포스테이션(3)으로 반송된다. 도포스테이션(3)에서 기판의 일방의 표면인 제1 면에 박막패턴이 형성된다. 박막패턴이 형성된 기판이, 반송장치(100)에 의하여 반전스테이션(4)의 본경화부(4B)로 반송된다. 본경화부(4B)에서, 박막패턴이 본경화된다. 그 후, 반전스테이션(4C)에서, 기판이 반전된다. 반전된 기판이, 반송장치(100)로 도포스테이션(3)으로 반송된다. 도포스테이션(3)에서, 기판의 제1 면과는 반대측의 제2 면에, 박막패턴이 형성된다. 제2 면에 박막패턴이 형성된 기판이, 반송장치(100)로 본경화스테이션(94)으로 반송된다. 본경화스테이션(94)은, 기판의 제2 면에 형성된 박막패턴을 본경화시킨다. 제2 면의 박막패턴이 본경화된 후, 기판은, 반송장치(100)에 의하여 기판 스토커(93)까지 반송된다. 다음으로, 도 18의 (a)~도 18의 (g)를 참조하여, 기판에 박막패턴을 형성하는 방법에 대하여, 보다 상세하게 설명한다.The unprocessed substrate accumulated in the substrate stocker 93 is transported to the application station 3 by the transport apparatus 100. A thin film pattern is formed on the first surface, which is one surface of the substrate, in the application station 3. [ The substrate on which the thin film pattern is formed is transported to the final hardened portion 4B of the reversal station 4 by the transport apparatus 100. [ In the main curing portion 4B, the thin film pattern is finally cured. Then, at the reversing station 4C, the substrate is reversed. The inverted substrate is transported to the application station 3 by the transport apparatus 100. In the application station 3, a thin film pattern is formed on the second surface opposite to the first surface of the substrate. The substrate on which the thin film pattern is formed on the second surface is transported to the curing station 94 as seen from the transport apparatus 100. The present curing station 94 finally cures the thin film pattern formed on the second side of the substrate. After the thin film pattern on the second side is finally cured, the substrate is transported to the substrate stocker 93 by the transport apparatus 100. Next, a method of forming a thin film pattern on a substrate will be described in more detail with reference to Figs. 18 (a) to 18 (g).

*도 18의 (a)에 나타낸 반전스테이션(4)의 반입부(4A), 본경화부(4B), 및 반전부(4C)의 구성은, 도 16의 (a)에 나타낸 실시예 10에 의한 기판제조장치의 것과 동일한 구성을 가진다. 기판 스토커(93)(도 17)로부터 기판(21)이 도포스테이션(3)으로 반송된다. 도포스테이션(3)에서, 기판(21)의 제1 면(21A)에 박막패턴이 형성된다. 박막패턴이 형성된 기판(21)이, 반송장치(100)(도 17)에 의하여, 반전스테이션(4)의 반입부(4A)로 반입된다. 박막패턴이 형성된 제1 면(21A)이 상방을 향하고 있다.The configuration of the carry-in unit 4A, the main hardened unit 4B and the inverted unit 4C of the reversal station 4 shown in FIG. 18A is the same as that of the embodiment 10 shown in FIG. 16A And has the same configuration as that of the substrate producing apparatus according to the first embodiment. The substrate 21 is transported from the substrate stocker 93 (Fig. 17) to the application station 3. In the application station 3, a thin film pattern is formed on the first surface 21A of the substrate 21. The substrate 21 on which the thin film pattern is formed is carried into the carrying-in portion 4A of the reversing station 4 by the carrying apparatus 100 (Fig. 17). The first surface 21A on which the thin film pattern is formed faces upward.

도 18의 (b)에 나타내는 바와 같이, 롤러 컨베이어(90)를 구동함으로써, 기판(21)이, 본경화부(4B)를 경유하여 반전부(4C)까지 반송된다. 롤러 컨베이어(90)는, 도포스테이션(3)으로부터 본경화부(4B)까지, 및 본경화부(4B)로부터 반전부(4C)까지, 기판(21)을 반송하는 반송장치(100)(도 17)로서 기능한다. 기판(21)의 제1 면(21A)에 형성된 박막패턴은, 본경화부(4B)에서 본경화용 광원(91)의 아래를 통과할 때에, 자외광의 조사에 의하여 경화된다.The substrate 21 is conveyed to the inverting unit 4C via the main curing unit 4B by driving the roller conveyor 90 as shown in Fig. 18 (b). The roller conveyor 90 has a conveying device 100 (also referred to as a conveying device) for conveying the substrate 21 from the application station 3 to the hardened portion 4B and from the hardened portion 4B to the inverted portion 4C 17). The thin film pattern formed on the first surface 21A of the substrate 21 is cured by the irradiation of ultraviolet light when passing under the curing light source 91 seen from the main curing portion 4B.

도 18의 (c)에 나타내는 바와 같이, 기판(21)이 반전스테이션(4C)의 제1 롤러(90A)와 제2 롤러(90B)와의 사이에 끼워진다. 도 18의 (d)에 나타내는 바와 같이, 제1 롤러(90A)와 제2 롤러(90B)와의 상하를 역전시킨다. 이로써, 기판(21)의 제2 면(21B)이 상방을 향한다.The substrate 21 is sandwiched between the first roller 90A and the second roller 90B of the reversing station 4C as shown in Fig. As shown in Fig. 18 (d), the first roller 90A and the second roller 90B are reversed upside down. Thereby, the second surface 21B of the substrate 21 faces upward.

도 18의 (e)에 나타내는 바와 같이, 롤러 컨베이어(90)를 구동하여, 기판(21)을 반입부(4A)까지 반송한다. 이 때, 본경화부(4B)에서는 아무런 처리가 행해지지 않고, 기판(21)은 본경화부(4B)를 단지 통과할 뿐이다.The roller conveyor 90 is driven to convey the substrate 21 to the carry-in section 4A as shown in Fig. 18 (e). At this time, no processing is performed in the final hardened portion 4B, and the substrate 21 only passes through the final hardened portion 4B.

도 18의 (f)에 나타내는 바와 같이, 반송장치(100)(도 17)가, 기판(21)을 반전스테이션(4)으로부터 도포스테이션(3)으로 반송한다. 도포스테이션(3)에서, 기판(21)의 제2 면(21B)에 박막패턴을 형성한다.The transport apparatus 100 (Fig. 17) transports the substrate 21 from the reversing station 4 to the coating station 3, as shown in Fig. 18 (f). In the application station 3, a thin film pattern is formed on the second surface 21B of the substrate 21.

도 18의 (g)에 나타내는 바와 같이, 반송장치(100)(도 17)가, 기판(21)을, 도포스테이션(3)으로부터 본경화스테이션(94)까지 반송한다. 본경화스테이션(94)에서는, 기판(21)의 제2 면(21B)에 형성되어 있는 박막패턴에, 본경화용 광원(92)으로부터 자외선이 조사된다. 이로써, 제2 면(21B)에 형성되어 있는 박막패턴이 본경화 된다. 제2 면의 박막패턴이 본경화된 기판(21)은, 반송장치(100)(도 17)에 의하여 기판 스토커(93)까지 반송된다.The transfer device 100 (Fig. 17) transports the substrate 21 from the application station 3 to the curing station 94, as shown in Fig. 18 (g). In the present curing station 94, the ultraviolet rays are irradiated from the final curing light source 92 to the thin film pattern formed on the second surface 21B of the substrate 21. [ As a result, the thin film pattern formed on the second surface 21B is finally cured. The substrate 21 on which the thin film pattern on the second side is finally cured is conveyed to the substrate stocker 93 by the conveying apparatus 100 (Fig. 17).

실시예 11에서는, 도 18의 (f)에 나타낸 공정으로, 기판(21)의 제2 면(21B)에 박막패턴을 형성한 후, 기판(21)을 반전스테이션(4)으로 되돌리지 않고, 본경화스테이션(94)에서 박막패턴의 본경화를 행할 수 있다.18 (f), after the thin film pattern is formed on the second surface 21B of the substrate 21, the substrate 21 is not returned to the reversing station 4, The final curing of the thin film pattern can be performed in the final curing station 94.

도 17에 나타낸 바와 같이, 도포스테이션(3)은, 기판이 도 17에 있어서 좌방향으로 반송될 때, 즉 제1 면에 박막패턴을 형성할 때, 및 기판이 우방향으로 반송될 때, 즉 제2 면에 박막패턴이 형성될 때의 양방으로 사용된다. 도 17에 있어서 기판이 좌방향으로 반송되는 경로를 “왕로”라고 하고, 우방향으로 반송되는 경로를 “복로”라고 하기로 한다.As shown in Fig. 17, the application station 3 is arranged so that when the substrate is transported in the left direction in Fig. 17, that is, when the thin film pattern is formed on the first surface, and when the substrate is transported in the right direction And is used as both when the thin film pattern is formed on the second surface. In Fig. 17, the route in which the substrate is transported in the leftward direction is referred to as " forward route " and the route that is transported in the rightward direction is referred to as " backward route ".

도포스테이션(3)에, 도 14에 나타낸 실시예 9에 의한 도포스테이션(3)을 채용하는 것이 바람직하다. 실시예 9에5A 도포스테이션(3)은, 제1 도포스테이지(85A)(도 14)와 제2 도포스테이지(85B)(도 14)를 구비하고5A. 예를 들면, 왕로에서 제1 도포스테이지(85A)를 사용하고, 복로에서 제2 도포스테이지(85B)를 사용할 수 있다. 이로 인하여, 왕로를 반송되는 기판과, 복로를 반송되는 기판이, 도포스테이션(3) 내에서 엇갈릴 수 있다. 이로써, 기판 스토커(93)로부터 반출된 기판이 왕로 및 복로를 경유하여 기판 스토커(93)로 되돌아오기 전에, 다음으로 처리해야 하는 기판을, 왕로에 송출할 수 있다.It is preferable to employ the application station 3 according to the ninth embodiment shown in Fig. 14 in the application station 3. Fig. The 5A application station 3 in Example 9 has a first application stage 85A (Fig. 14) and a second application stage 85B (Fig. For example, the first application stage 85A may be used in the forward path and the second application stage 85B may be used in the return path. As a result, the substrate to be transported in the forward path and the substrate to be transported in the backward direction can be staggered in the application station 3. Thereby, before the substrate carried out from the substrate stocker 93 returns to the substrate stocker 93 via the forward path and the backward path, the substrate to be next processed can be sent to the forward path.

［실시예 12］[Example 12]

도 19의 (a)에, 실시예 12에 의한 기판제조장치의 개략도를 나타낸다. 실시예 12에 의한 기판제조장치는, 기판 스토커(93), 도포스테이션(3), 반전스테이션(4), 및 일시 축적장치(95)를 포함한다. 반전스테이션(4)은, 실시예 11의 반전스테이션(4)(도 18의 (a))과 동일한 구성을 가지고, 본경화부(4B)와 반전부(4C)를 포함한다. 반송장치(100)가, 기판 스토커(93), 도포스테이션(3), 반전스테이션(4)의 본경화부(4B), 반전스테이션(4)의 반전부(4C), 및 일시 축적장치(95)와의 사이에서 기판을 반송한다. 반송장치(100), 및 각 스테이션 내의 장치는, 제어장치(20)에 의하여 제어된다.Fig. 19 (a) shows a schematic view of a substrate manufacturing apparatus according to the twelfth embodiment. The substrate manufacturing apparatus according to the twelfth embodiment includes a substrate stocker 93, a coating station 3, a reversing station 4, and a temporary storage device 95. The reversing station 4 has the same configuration as the reversing station 4 (Fig. 18 (a)) of the eleventh embodiment and includes the present curing unit 4B and inverting unit 4C. The transport apparatus 100 is moved to the substrate stocker 93, the application station 3, the main hardened portion 4B of the reversal station 4, the inverted portion 4C of the reversal station 4, And the substrate is transported. The transport apparatus 100 and the devices in each station are controlled by the control device 20. [

도 19의 (b)에, 일시 축적장치(95)의 개략 측면도를 나타낸다. 일시 축적장치(95)는, 기판을 싣는 테이블을 가진다. 이 테이블 위에, 복수의 기판(21)이 적층된다. 반송장치(100)에 의하여 일시 축적장치(95)로 반입된 기판은, 이미 축적되어 있는 기판의 가장 위에 실린다. 또, 반송장치(100)는, 일시 축적장치(95)에 적층되어 있는 기판(21) 중 가장 위의 기판을 지지하여, 일시 축적장치(95)로부터 반출한다.Fig. 19 (b) shows a schematic side view of the temporary storage device 95. Fig. The temporary storage device 95 has a table on which a substrate is placed. On this table, a plurality of substrates 21 are laminated. The substrate carried in the temporary storage device 95 by the transfer device 100 is loaded on the top of the already accumulated substrate. The transport apparatus 100 supports the uppermost substrate among the substrates 21 stacked on the temporary storage apparatus 95 and takes it out of the temporary storage apparatus 95.

도 20의 (a)~도 20의 (e)를 참조하여, 실시예 12에 의한 기판제조장치에 의한 기판의 처리 방법에 대하여 설명한다.A method of processing a substrate by the substrate manufacturing apparatus according to the twelfth embodiment will be described with reference to Figs. 20 (a) to 20 (e).

도 20의 (a)에 나타내는 바와 같이, 기판제조장치의 동작 개시시점에서는, 처리해야 하는 모든 기판(21)이 기판 스토커(93)에 축적되어 있으며, 일시 축적장치(95)에는, 기판이 축적되어 있지 않다. 기판 스토커(93)에 축적되어 있는 기판(21)은, 제1 면이 상방을 향하는 자세로 적층되어 있다.20A, all of the substrates 21 to be processed are stored in the substrate stocker 93 at the start of operation of the substrate manufacturing apparatus. In the temporary storage device 95, . The substrate 21 stored in the substrate stocker 93 is stacked in a posture in which the first surface faces upward.

도 20의 (b)에 나타내는 바와 같이, 반송장치(100)가, 기판 스토커(93)에 축적되어 있는 기판을 1매씩 취출하여, 도포스테이션(3), 반전스테이션(4)의 본경화부(4B), 및 반전스테이션(4)의 반전부(4C)를 경유하여, 일시 축적장치(95)까지 반송한다. 기판 스토커(93)로부터 일시 축적장치(95)까지 반송하는 경로를 “왕로”라고 하기로 한다. 도포스테이션(3)에서, 기판(21)의 제1 면에 박막패턴이 형성된다. 본경화부(4B)에서, 기판(21)의 제1 면에 형성된 박막패턴이 본경화된다. 반전부(4C)에서, 기판(21)의 제2 면이 상방을 향하도록, 기판의 표리가 반전된다. 일시 축적장치(95)에 있어서, 기판(21)은, 제2 면이 상방을 향하는 자세로 적층된다.20 (b), the transfer apparatus 100 takes out the substrates stored in the substrate stocker 93 one by one and transfers them to the application station 3, the main hardened portion 4B of the reversing station 4 and the reversing unit 4C of the reversing station 4 to the temporary accumulator 95. [ The path for conveying the substrate from the substrate stocker 93 to the temporary storage device 95 is referred to as a " forward path ". In the application station 3, a thin film pattern is formed on the first surface of the substrate 21. In the present hardened portion 4B, the thin film pattern formed on the first surface of the substrate 21 is finally hardened. In the inverted portion 4C, the front and back surfaces of the substrate are inverted so that the second surface of the substrate 21 faces upward. In the temporary storage device 95, the substrate 21 is laminated in a posture in which the second surface faces upward.

도 20의 (c)에, 기판 스토커(93)에 축적되어 있던 모든 기판(21)이 반출되고, 일시 축적장치(95)에 일시적으로 축적된 상태를 나타낸다.20C shows a state in which all the substrates 21 stored in the substrate stocker 93 are taken out and temporarily stored in the temporary storage device 95. [

도 20의 (d)에 나타내는 바와 같이, 반송장치(100)는, 일시 축적장치(95)에 축적되어 있는 기판(21)을 1매씩 반출하고, 도포스테이션(3), 반전스테이션(4)의 본경화부(4B)를 경유하여, 기판 스토커(93)까지 반송한다. 일시 축적장치(95)로부터 기판 스토커(93)까지 반송하는 경로를 “복로”라고 하기로 한다. 도포스테이션(3)에서, 기판(21)의 제2 면에 박막패턴이 형성된다. 본경화부(4B)에서, 제2 면에 형성되어 있는 박막패턴이 본경화된다.20D, the transfer apparatus 100 takes out the substrates 21 stored in the temporary storage device 95 one by one and transfers the substrates 21 to the application station 3, the reverse station 4, And transferred to the substrate stocker 93 via the hardened portion 4B. The path for conveying from the temporary storage device 95 to the substrate stocker 93 is referred to as " backward ". In the application station 3, a thin film pattern is formed on the second surface of the substrate 21. [ In the present hardened portion 4B, the thin film pattern formed on the second surface is finally hardened.

*도 20의 (e)에 나타내는 바와 같이, 일시 축적장치(95)에 일시적으로 축적되어 있던 기판(21)이, 모두 기판 스토커(93)로 반송된다. 기판 스토커(93)에 축적된 기판(21)은, 양면에 박막패턴이 형성되어 있다.20 (e), all of the substrates 21 temporarily stored in the temporary storage device 95 are transported to the substrate stocker 93. The substrate 21 stored in the substrate stocker 93 has thin film patterns formed on both sides thereof.

실시예 12에서는, 도 20의 (b)에 나타낸 왕로를 반송되는 기판과, 도 20의 (d)에 나타낸 복로를 반송되는 기판과의 엇갈림이 발생하지 않는다. 이로 인하여, 1매의 기판이 왕로를 반송되고 있는 기간에, 다음으로 처리해야 하는 기판을 기판 스토커(93)로부터 왕로에 송출할 수 있다.In the twelfth embodiment, no displacement occurs between the substrate conveyed in the forward path shown in FIG. 20 (b) and the substrate conveyed in the forward direction shown in FIG. 20 (d). This allows the substrate to be next processed to be sent out from the substrate stocker 93 to the forward path during a period in which one substrate is being transported through the forward path.

［실시예 13］[Example 13]

도 21에, 실시예 13에 의한 기판제조장치의 개략도를 나타낸다. 미처리의 기판이, 반입측의 기판 스토커(93)에 축적되어 있다. 반송장치(100)가, 1번째의 도포스테이션(3), 반전스테이션(4)의 본경화부(4B), 반전스테이션(4)의 반전부(4C), 중간 스토커(98), 2번째의 도포스테이션(6), 본경화스테이션(96), 및 반출측의 기판 스토커(97)의 사이에서, 기판을 반송한다. 도포스테이션(3, 6)에는, 예를 들면 도 14에 나타낸 실시예 9에 의한 도포스테이션이 채용된다. 반전스테이션(4)에는, 도 16의 (a)에 나타낸 실시예 10에 의한 반전스테이션이 채용된다. 본경화스테이션(96)은, 예를 들면 실시예 1에 의한 기판제조장치의 롤러 컨베이어(16) 및 자외선 조사장치(8)를 포함한다. 반송장치(100), 및 각 스테이션 내의 장치는, 제어장치(20)에 의하여 제어된다.21 is a schematic view of a substrate manufacturing apparatus according to a thirteenth embodiment. An untreated substrate is stored in the substrate stocker 93 on the carry-in side. The conveying apparatus 100 moves the first coating station 3, the final hardened portion 4B of the reversal station 4, the inverted portion 4C of the reversal station 4, the intermediate stocker 98, The substrate is transported between the application station 6, the main curing station 96, and the outgoing side substrate stocker 97. For the application stations 3 and 6, for example, the application station according to the ninth embodiment shown in Fig. 14 is employed. An inverting station according to the tenth embodiment shown in Fig. 16 (a) is employed for the inverting station 4. Fig. The present curing station 96 includes, for example, the roller conveyor 16 and the ultraviolet irradiating device 8 of the substrate manufacturing apparatus according to the first embodiment. The transport apparatus 100 and the devices in each station are controlled by the control device 20. [

반송장치(100), 및 각 스테이션 내의 장치는, 제어장치(20)에 의하여 제어된다. 제어장치(20)는, 기억장치(20c)를 포함한다. 기억장치(20c)는, 1번째의 도포스테이션(3), 및 2번째의 도포스테이션(6)의 고장의 유무를 기억한다. 도포스테이션(3, 6)이 고장나 있지 않은 경우에는, 기판 스토커(93)에 축적된 기판이, 반송장치(100)에 의하여, 1번째의 도포스테이션(3), 반전스테이션(4)의 본경화부(4B), 반전스테이션(4)의 반전부(4C), 2번째의 도포스테이션(6), 본경화스테이션(96)을 경유하여, 반출측의 기판 스토커(97)까지 반송된다. 이로써, 기판의 양면에 박막패턴이 형성된다. 중간 스토커(98)는 사용되지 않는다.The transport apparatus 100 and the devices in each station are controlled by the control device 20. [ The control device 20 includes a storage device 20c. The storage device 20c stores the failure of the first application station 3 and the second application station 6. The substrate stored in the substrate stocker 93 is transported by the transport apparatus 100 to the first coating station 3 and the reverse station 4 of the reversing station 4 in the case where the coating stations 3, Is transferred to the substrate stocker 97 on the carry-out side via the hardening unit 4B, the inverting unit 4C of the reversing station 4, the second coating station 6, and the final curing station 96. [ As a result, thin film patterns are formed on both sides of the substrate. The intermediate stocker 98 is not used.

중간 스토커(98)는, 반전스테이션(4)과 2번째의 도포스테이션(6)과의 사이에 배치되어 있다. 중간 스토커(98)는, 복수의 기판을 축적할 수 있다. 또, 중간 스토커(98)에 축적된 기판은, 기판제조장치의 외부로 반출할 수 있다. 반대로, 기판제조장치의 외부로부터 중간 스토커(98)로 기판을 반입하는 것도 가능하다.The intermediate stocker 98 is disposed between the reversing station 4 and the second application station 6. The intermediate stocker 98 can accumulate a plurality of substrates. In addition, the substrate stored in the intermediate stocker 98 can be taken out of the substrate manufacturing apparatus. Conversely, it is also possible to carry the substrate from the outside of the substrate manufacturing apparatus to the intermediate stocker 98.

도 22의 (a), 도 22의 (b), 및 도 22의 (c)에, 각각 2번째의 도포스테이션(6)이 고장나 있는 경우의 기판의 경로의 제1, 제2, 및 제3 예를 나타낸다. 도 22의 (a)에 나타낸 제1 예에서는, 2번째의 도포스테이션(6) 및 본경화스테이션(96)에 기판이 반입되지만, 아무 것도 처리하지 않고 반출된다. 도 22의 (b)에 나타낸 제2 예에서는, 반전스테이션(4)으로부터 반출된 기판이, 2번째의 도포스테이션(6) 및 본경화스테이션(96)을 경유하지 않고, 직접, 반출용의 기판 스토커(97)까지 반송된다. 도 22의 (c)에 나타낸 제3 예에서는, 반전스테이션(4)에서 반전 처리된 기판이, 반송장치(100)에 의하여, 중간 스토커(98)로 반송된다. 처리가 완료된 기판은, 중간 스토커(98)로부터 외부로 취출된다.22 (a), 22 (b) and 22 (c) show the first, second, and third paths of the substrate path when the second application station 6 fails Three examples are shown. In the first example shown in FIG. 22 (a), the substrate is carried into the second coating station 6 and the final curing station 96, but is carried out without any processing. In the second example shown in FIG. 22 (b), the substrate taken out from the reversing station 4 is transferred directly to the carrying-out substrate 6 without passing through the second coating station 6 and the main curing station 96 And is transported to the stocker 97. In the third example shown in Fig. 22 (c), the substrate inverted by the reversing station 4 is transported to the intermediate stocker 98 by the transport apparatus 100. The processed substrate is taken out from the intermediate stocker 98 to the outside.

도 23의 (a), 도 23의 (b), 및 도 23의 (c)에, 각각 1번째의 도포스테이션(3)이 고장나 있는 경우의 기판의 경로의 제1, 제2, 및 제3 예를 나타낸다. 도 23의 (a)에 나타낸 제1 예에서는, 1번째의 도포스테이션(3) 및 반전스테이션(4)에 기판이 반입되지만, 아무 것도 처리하지 않고 반출된다. 도 23의 (b)에 나타낸 제2 예에서는, 반입측의 기판 스토커(93)로부터 반출된 기판이, 1번째의 도포스테이션(3) 및 반전스테이션(4)을 경유하지 않고, 직접, 2번째의 도포스테이션(6)까지 반송된다. 도 23의 (c)에 나타낸 제3 예에서는, 반입측의 기판 스토커(93)를 사용하지 않고, 미처리의 기판이 중간 스토커(98)에 준비되어 있다. 미처리의 기판은, 중간 스토커(98)로부터 2번째의 도포스테이션(6)으로 반송된다.23 (a), 23 (b) and 23 (c) show the first, second, and third paths of the substrate path when the first application station 3 fails Three examples are shown. In the first example shown in FIG. 23 (a), the substrate is carried into the first application station 3 and the reversal station 4, but is carried out without any processing. In the second example shown in FIG. 23 (b), the substrate carried out from the carry-in side substrate stocker 93 is transported directly to the second stationary stage 3 without passing through the first application station 3 and the reversal station 4 To the application station (6). In the third example shown in FIG. 23C, an unprocessed substrate is prepared in the intermediate stocker 98 without using the substrate stocker 93 on the carry-in side. The unprocessed substrate is transported from the intermediate stocker 98 to the second coating station 6.

도 22의 (a)~도 23의 (c)에 나타낸 바와 같이, 도포스테이션(3, 6) 중 일방이 고장나 있는 경우에도, 기판의 편면에 박막패턴을 형성할 수 있다.22 (a) to 23 (c), even when one of the application stations 3 and 6 fails, a thin film pattern can be formed on one side of the substrate.

［실시예 14］[Example 14]

도 24의 (a)~도 24의 (d)를 참조하여, 실시예 14에 의한 기판제조장치에 대하여 설명한다. 이하, 실시예 13과의 상이점에 대하여 설명하고, 동일한 구성에 대해서는 설명을 생략한다. 실시예 14에서는, 실시예 13의 반입용의 기판 스토커(93) 및 중간 스토커(98)(도 21) 대신에, 이동 스토커(99A, 99B)가 배치된다. 이동 스토커(99A, 99B)는, 반송장치(100)의 반송경로로부터 분리하여 이동할 수 있다. 도 24의 (a)~도 24의 (d)에는, 2번째의 도포스테이션(6)이 고장나 있을 때의 기판의 처리의 흐름을 나타낸다.The substrate manufacturing apparatus according to the fourteenth embodiment will be described with reference to Figs. 24 (a) to 24 (d). Differences from the thirteenth embodiment will be described below, and description of the same configuration will be omitted. In the fourteenth embodiment, the moving stockers 99A and 99B are disposed instead of the substrate stocker 93 and the intermediate stocker 98 (Fig. 21) for carrying in the thirteenth embodiment. The mobile stockers 99A and 99B can be moved away from the transport path of the transport apparatus 100. [ 24 (a) to 24 (d) show the processing flow of the substrate when the second application station 6 fails.

도 24의 (a)에 나타내는 바와 같이, 반입용의 이동 스토커(99A)에, 복수의 미처리의 기판이 축적되어 있다. 타방의 이동 스토커(99B)에는, 기판이 축적되어 있지 않다. 이동 스토커(99A 및 99B)가, 각각 도 21의 반입용의 기판 스토커(93) 및 중간 스토커(98)의 위치에 배치되어 있다. 반송장치(100)는, 이동 스토커(99A)로부터, 1번째의 도포스테이션(3), 반전스테이션(4)을 경유하여, 다른 일방의 이동 스토커(99B)까지 기판을 반송한다. 이로써, 기판의 제1 면에 박막패턴이 형성된다. 이동 스토커(99A)에 축적되어 있던 모든 기판이, 다른 일방의 이동 스토커(99B)로 반송된 후, 도 24의 (b)에 나타내는 바와 같이, 이동 스토커(99A, 99B)를 반송장치(100)의 반송경로로부터 분리한다.As shown in Fig. 24 (a), a plurality of unprocessed substrates are stored in the mobile stocker 99A for loading. No substrate is stored in the other mobile stocker 99B. The moving stockers 99A and 99B are disposed at the positions of the substrate stocker 93 and the intermediate stocker 98 for carrying in Fig. 21, respectively. The transport apparatus 100 transports the substrate from the moving stocker 99A to the other one of the moving stockers 99B via the first coating station 3 and the reversing station 4. [ As a result, a thin film pattern is formed on the first surface of the substrate. All the substrates stored in the mobile stocker 99A are transported to the other one of the mobile stockers 99B and then the mobile stockers 99A and 99B are transported to the transport apparatus 100 as shown in Fig. As shown in Fig.

도 24의 (c)에 나타내는 바와 같이, 비워진 이동 스토커(99A)를, 중간 스토커(98)(도 21)의 위치에 배치하고, 편면에 박막패턴이 형성된 기판을 축적하고 있는 이동 스토커(99B)를, 반입용의 기판 스토커(93)(도 21)의 위치에 배치한다. 이동 스토커(99A, 99B)의 이동은, 수작업으로 행하여도 되고, 이동 스토커(99A, 99B)에 자동 운전 기능을 가지게 하여도 된다.As shown in Fig. 24C, the empty moving stocker 99A is disposed at the position of the intermediate stocker 98 (Fig. 21), and the moving stocker 99B, which accumulates the substrate on which the thin film pattern is formed, Is disposed at the position of the substrate stocker 93 (FIG. 21) for carrying. The mobile stockers 99A and 99B may be moved manually, or the mobile stockers 99A and 99B may have an automatic operation function.

도 24의 (d)에 나타내는 바와 같이, 이동 스토커(99B)로부터, 도포스테이션(3), 및 반전스테이션(4)의 본경화부(4B)를 경유하여, 다른 일방의 이동 스토커(99A)까지 기판을 반송한다. 이로써, 기판의 제2 면에, 박막패턴이 형성된다. 반전스테이션(4)에, 도 16의 (a)에 나타낸 실시예 10에 의한 반전스테이션(4)이 채용되어 있는 경우에는, 반전부(4C)를 기판이 통과하지만, 반전 동작은 행해지지 않는다.As shown in Figure 24 (d), from the mobile stocker 99B through the application station 3 and the main hardened portion 4B of the reversal station 4 to the other one of the mobile stockers 99A The substrate is transported. As a result, a thin film pattern is formed on the second surface of the substrate. When the reversing station 4 adopts the reversing station 4 according to the tenth embodiment shown in Fig. 16A, the board passes through the inverting unit 4C, but the reversing operation is not performed.

실시예 14에서는, 반송장치(100)에 의하여 기판을 일방향으로 반송할 뿐이며, 양면에 박막패턴을 형성할 수 있다. 1번째의 도포스테이션(3)이 고장나 있는 경우에는, 도 21에 나타낸 중간 스토커(98) 및 반출용의 기판 스토커(97)를, 각각 이동 스토커(99A, 99B)로 치환하면 된다.In the fourteenth embodiment, the substrate is transported in one direction by the transport apparatus 100, and a thin film pattern can be formed on both sides. When the first coating station 3 fails, the intermediate stocker 98 shown in Fig. 21 and the substrate stocker 97 for carrying out can be replaced with mobile stockers 99A and 99B, respectively.

［실시예 15］[Example 15]

도 25에, 실시예 15에 의한 기판제조장치의 개략도를 나타낸다. 이하, 도 21에 나타낸 실시예 13과의 상이점에 대하여 설명하고, 동일한 구성에 대해서는 설명을 생략한다. 실시예 15에서는, 도 21에 나타낸 중간 스토커(98) 및 본경화스테이션(96)이 배치되지 않는다. 즉, 2개의 도포스테이션(3, 6)에 대하여, 1개의 본경화부(4B)가 배치된다.25 is a schematic view of a substrate manufacturing apparatus according to a fifteenth embodiment. Hereinafter, differences from the thirteenth embodiment shown in Fig. 21 will be described, and description of the same configuration will be omitted. In the fifteenth embodiment, the intermediate stocker 98 and the final curing station 96 shown in Fig. 21 are not disposed. That is, one main hardened portion 4B is arranged for the two application stations 3, 6.

반입용의 기판 스토커(93)로부터 2번째의 도포스테이션(6)까지의 기판의 흐름은, 도 21에 나타낸 실시예 13과 동일하다. 실시예 15에서는, 2번째의 도포스테이션(6)에서 제2 면에 박막패턴이 형성된 기판이, 반송장치(100)에 의하여 반전스테이션(4)의 본경화부(4B)로 되돌려진다. 본경화부(4B)에서, 기판의 제2 면의 박막패턴이 본경화된다. 그 후, 기판은, 본경화부(4B)로부터 반출용의 기판 스토커(97)로 반송된다.The flow of the substrates from the carry-in substrate stocker 93 to the second coating station 6 is the same as that of the embodiment 13 shown in Fig. In the fifteenth embodiment, the substrate on which the thin film pattern is formed on the second surface in the second coating station 6 is returned to the final hardened portion 4B of the reversal station 4 by the transport apparatus 100. [ In the present hardened portion 4B, the thin film pattern on the second surface of the substrate is finally hardened. Thereafter, the substrate is transported from the main cured portion 4B to the substrate stocker 97 for carrying out.

도포스테이션(3, 6)에 있어서의 박막재료의 도포처리시간에 비해, 본경화부(4B)에 있어서의 본경화 처리가 짧은 경우에는, 실시예 15와 같이, 1개의 본경화부(4B)에서, 제1 면 및 제2 면의 박막패턴의 본경화를 행하도록 하여도 된다.When the main curing process in the main curing unit 4B is short compared to the time for applying the thin film material in the application stations 3 and 6 as in the fifteenth embodiment, , The thin film pattern of the first and second surfaces may be finally cured.

도 26에, 실시예 15의 변형예에 의한 기판제조장치의 각 스테이션의 평면 레이아웃의 일례를 나타낸다. 도 26에 나타내는 바와 같이, 반입용의 기판 스토커(93), 1번째의 도포스테이션(3), 본경화부(4B), 반전부(4C), 2번째의 도포스테이션(6), 및 반출용의 기판 스토커(97)가, 원주를 따라 배치되어 있다. 이 원주의 중심부에, 반송장치(100)가 배치되어 있다. 반송장치(100)에는, 예를 들면 회전 신축암을 이용할 수 있다.26 shows an example of a plane layout of each station of the substrate manufacturing apparatus according to the modification of the fifteenth embodiment. As shown in Fig. 26, the substrate stocker 93 for transfer, the first coating station 3, the main hardening unit 4B, the inverting unit 4C, the second coating station 6, The substrate stocker 97 is disposed along the circumference. At the center of this circumference, the conveying apparatus 100 is disposed. As the carrying apparatus 100, for example, a rotating expansion arm can be used.

이상 실시예에 따라 본 발명을 설명하였지만, 본 발명은 이들에 제한되는 것은 아니다. 예를 들면, 다양한 변경, 개량, 조합 등이 가능한 것은 당업자에게 자명한 것이다.Although the present invention has been described with reference to the above embodiments, the present invention is not limited thereto. For example, it is apparent to those skilled in the art that various modifications, improvements, combinations, and the like are possible.

1: 반출입구
2: 얼라이먼트스테이션
3: 도포스테이션
4: 반전스테이션
4A: 반입부
4B: 본경화부
4C: 반전부
4D: 반출부
5: 얼라이먼트스테이션
6: 도포스테이션
7: 반출입구
8, 9: 자외선 조사장치
11~14: 리프터
15, 16: 컨베이어
17: 반출구
18: 케이싱
20: 제어장치
20a, 20b, 20c: 기억장치
21~27: 기판
22a~22d: 얼라이먼트마크
31: 베이스
32: Y스테이지
33: θ스테이지
34: 척플레이트
35~38: CCD 카메라
41: 베이스
42: 프레임
42a, 42b: 지주
42c: 빔
43: X스테이지
44: Y스테이지
45: 척플레이트
46: 연결부재
47a~47f: 노즐유닛
47a1~47a4: 노즐헤드
47a5~47a9: 자외광원
47ac: 노즐홀더
48: 임시 스테이지
49: θ스테이지
50: 기판 반전장치
51: 기판지지기
52: 지지부재
53: 진공흡착패드
54: 누름롤러
55: 클램프기구
56: 가이드
60: 자외선 조사장치
61: 지지부재
62: 자외광원
63~66: CCD 카메라
70: 액체방울토출장치
80A: 제1 수수영역
80B: 제2 수수영역
81A: 제1 얼라이먼트영역
81B: 제2 얼라이먼트영역
82: 도포영역
83: 촬상장치
85A: 제1 도포스테이지
85B: 제2 도포스테이지
90: 롤러 컨베이어
90A: 제1 롤러
90B: 제2 롤러
91, 92: 본경화용 광원
93: 기판 스토커
94: 본경화스테이션
95: 일시 축적장치
96: 본경화스테이션
97: 기판 스토커
98: 중간 스토커
99A, 99B: 이동 스토커
100: 반송장치1: Entrance / exit
2: alignment station
3: dispensing station
4: Reverse station
4A:
4B:
4C: Inverse
4D:
5: alignment station
6: dispensing station
7: Entrance / exit
8, 9: Ultraviolet irradiator
11 to 14: Lifter
15, 16: Conveyor
17:
18: casing
20: Control device
20a, 20b, 20c:
21 to 27: substrate
22a to 22d: alignment mark
31: Base
32: Y stage
33: theta stage
34: Chuck plate
35 ~ 38: CCD camera
41: Base
42: frame
42a and 42b:
42c: beam
43: X stage
44: Y stage
45: Chuck plate
46:
47a to 47f: nozzle unit
47a1 to 47a4: nozzle head
47a5 to 47a9: ultraviolet light source
47ac: Nozzle Holder
48: Temporary stage
49: theta stage
50: substrate reversing device
51:
52: Support member
53: Vacuum adsorption pad
54: pressing roller
55: Clamp mechanism
56: Guide
60: ultraviolet irradiator
61: Support member
62: Ultraviolet light source
63 ~ 66: CCD camera
70: droplet discharge device
80A: first acceptance area
80B: second acceptance area
81A: first alignment area
81B: Second alignment area
82: dispensing area
83: Imaging device
85A: First application stage
85B: Second application stage
90: Roller conveyor
90A: first roller
90B: the second roller
91, 92: original curing light source
93: substrate stocker
94: this curing station
95: temporary storage device
96: This curing station
97: substrate stocker
98: Middle Stalker
99A, 99B: Movable stocker
100:

Claims

양면에 패턴을 형성하는 기판을 제조하는 기판제조장치로서,
기판의 제1 면에 재료를 도포하는 제1 도포부와,
상기 제1 면의 상기 재료를 경화시키는 제1 경화부와,
상기 기판을 반전시켜, 상기 제1 면과는 반대측인 제2 면을 위로 향하게 하는 반전부와,
상기 제2 면에 재료를 도포하는 제2 도포부와,
상기 제2 면의 상기 재료를 경화시키는 제2 경화부를 구비하고,
상기 제1 도포부, 상기 제1 경화부, 상기 반전부, 상기 제2 도포부, 상기 제2 경화부의 사이에서 상기 기판을 반송하는 반송수단과,
제어장치와,
상기 제1 도포부의 앞 또는 상기 제1 도포부에 설치되는 제1 촬상부와,
상기 제2 도포부의 앞 또는 상기 제2 도포부에 설치되는 제2 촬상부를 더 가지고,
상기 제어장치는, 기판마다,
상기 제1 도포부에서 상기 재료가 도포되기 전에, 상기 제1 촬상부에 의하여 상기 제1 면을 촬상하고, 상기 제1 면의 도포 패턴을 보정하기 위한 기판 사이즈에 관한 데이터를 취득하고,
보정된 상기 제1 면의 도포 패턴에 근거하여, 상기 제1 도포부에 있어서 상기 제1 면에 재료를 도포시키며,
상기 제1 경화부에 있어서 상기 제1 면의 재료를 경화시키고,
상기 반전부에 있어서 상기 기판을 반전시키며,
상기 제2 도포부에서 상기 재료가 도포되기 전에, 상기 제2 촬상부에 의하여 상기 제2 면을 촬상하고, 상기 제2 면의 도포 패턴을 보정하기 위한 기판사이즈에 관한 데이터를 취득하고,
보정된 상기 제2 면의 도포 패턴에 근거하여, 상기 제2 도포부에 있어서 상기 제2 면에 재료를 도포시키며,
상기 제2 경화부에 있어서 상기 제2 면의 재료를 경화시키고,
상기 제어장치는,
상기 제2 도포부가 메인터넌스 중 또는 고장 중으로 사용할 수 없을 때에는,
기판마다,
상기 반전부에 있어서 상기 기판을 반전시킨 후,
상기 반송수단을 제어하여, 상기 기판을 상기 반전부에서 상기 제1 촬상부로 되돌려, 상기 제1 촬상부에 상기 제2 면을 촬상시켜, 상기 제2 면의 도포 패턴을 보정하기 위한 기판 사이즈에 관한 데이터를 취득하고,
보정된 상기 제2 면의 도포 패턴에 근거하여, 상기 제1 도포부에 있어서 상기 제2 면에 재료를 도포시키고,
상기 제1 경화부에 있어서 상기 제2 면의 재료를 경화시키는 기판제조장치.A substrate manufacturing apparatus for manufacturing a substrate for forming a pattern on both sides,
A first application portion for applying a material to a first surface of the substrate,
A first hardening portion for hardening the material on the first surface,
An inverting portion for inverting the substrate to face a second surface opposite to the first surface,
A second application portion for applying a material to the second surface,
And a second hardened portion for hardening the material on the second surface,
A conveying unit that conveys the substrate between the first applying unit, the first hardening unit, the inverting unit, the second applying unit, and the second hardening unit;
A control device,
A first imaging unit provided in front of the first application unit or the first application unit,
Further comprising a second image sensing unit provided in front of the second coated portion or in the second coated portion,
The control device controls, for each substrate,
Before the material is applied by the first applying unit, the first imaging unit captures the first surface, acquires data on the substrate size for correcting the coating pattern on the first surface,
Applying a material to the first surface of the first coated portion based on the corrected coated pattern of the first surface,
The material of the first surface is cured in the first curing portion,
Inverting the substrate in the inverting portion,
Before the material is applied by the second applying unit, the second image pickup unit picks up the second surface, acquires data on the substrate size for correcting the coating pattern of the second surface,
Applying a material to the second surface of the second coated portion based on the corrected coated pattern of the second surface,
The material of the second surface of the second hardened portion is hardened,
The control device includes:
When the second coated portion can not be used during maintenance or during a failure,
For each substrate,
After the substrate is inverted in the inverting portion,
And a controller for controlling the transporting means to return the substrate from the inverting section to the first image pickup section to image the second surface to the first image pickup section and to correct the coating pattern on the second surface Data is acquired,
Applying a material to the second surface of the first coated portion based on the corrected coated pattern of the second surface,
And the material of the second surface is hardened in the first hardening unit.