KR20180033580A - 처리 장치 및 콜리메이터 - Google Patents

처리 장치 및 콜리메이터 Download PDF

Info

Publication number
KR20180033580A
KR20180033580A KR1020187005786A KR20187005786A KR20180033580A KR 20180033580 A KR20180033580 A KR 20180033580A KR 1020187005786 A KR1020187005786 A KR 1020187005786A KR 20187005786 A KR20187005786 A KR 20187005786A KR 20180033580 A KR20180033580 A KR 20180033580A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
collimator
walls
wall
reflector
holes
Prior art date
Application number
KR1020187005786A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102093402B1 (ko
Inventor
마사카츠 다케우치
시구마 가토
야스히로 아오야마
다카히로 데라다
요시노리 도쿠다
Original Assignee
가부시끼가이샤 도시바
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시끼가이샤 도시바 filed Critical 가부시끼가이샤 도시바
Publication of KR20180033580A publication Critical patent/KR20180033580A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102093402B1 publication Critical patent/KR102093402B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3447—Collimators, shutters, apertures
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50—Substrate holders
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
    • H01J37/3405—Magnetron sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/345—Magnet arrangements in particular for cathodic sputtering apparatus
    • H01J37/3455—Movable magnets
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/332—Coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
    • H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
    • H01L21/28512—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table
    • H01L21/2855—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table by physical means, e.g. sputtering, evaporation

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

하나의 실시 형태에 따른 처리 장치는, 물체 배치부와, 발생원 배치부와, 정류 부재와, 전원을 구비한다.　 상기 물체 배치부는, 물체가 배치되도록 구성된다.　 상기 발생원 배치부는, 상기 물체 배치부로부터 이격된 위치에 배치되고, 상기 물체를 향하여 입자를 방출하는 것이 가능한 입자 발생원이 배치되도록 구성된다.　 상기 정류 부재는, 상기 발생원 배치부로부터 상기 물체 배치부를 향하는 제1 방향에 있어서 상기 물체 배치부와 상기 발생원 배치부 사이에 배치되도록 구성된다.　 상기 전원은, 상기 정류 부재에, 상기 입자가 갖는 전하와 정부가 동일한 전압을 인가하도록 구성된다.

Description

처리 장치 및 콜리메이터
본 발명의 실시 형태는, 처리 장치 및 콜리메이터에 관한 것이다.
예를 들어 반도체 웨이퍼에 금속을 성막하는 스퍼터 장치는, 성막되는 금속 입자의 방향을 정렬시키기 위한 콜리메이터를 갖는다.　 콜리메이터는, 다수의 관통구를 형성하는 벽을 갖고, 반도체 웨이퍼와 같은, 처리가 되는 물체에 대하여 대략 수직 방향으로 튀는 입자를 통과시킴과 함께, 비스듬히 튀는 입자를 차단한다.
일본 특허 공개 제2006-328456호 공보
비스듬히 튀는 입자가 발생함으로써, 입자의 이용 효율이 저하되는 경우가 있다.
하나의 실시 형태에 따른 처리 장치는, 물체 배치부와, 발생원 배치부와, 정류 부재와, 전원을 구비한다.　 상기 물체 배치부는, 물체가 배치되도록 구성된다.　 상기 발생원 배치부는, 상기 물체 배치부로부터 이격된 위치에 배치되고, 상기 물체를 향하여 입자를 방출하는 것이 가능한 입자 발생원이 배치되도록 구성된다.　 상기 정류 부재는, 상기 발생원 배치부로부터 상기 물체 배치부를 향하는 제1 방향에 있어서 상기 물체 배치부와 상기 발생원 배치부 사이에 배치되도록 구성된다.　 상기 전원은, 상기 정류 부재에, 상기 입자가 갖는 전하와 정부가 동일한 전압을 인가하도록 구성된다.
도 1은, 제1 실시 형태에 따른 스퍼터 장치를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 2는, 제1 실시 형태의 콜리메이터를 도시하는 평면도이다.
도 3은, 제1 실시 형태의 스퍼터 장치의 일부를 도시하는 단면도이다.
도 4는, 제1 실시 형태의 스퍼터 장치의 하드웨어 구성예를 도시하는 블록도이다.
도 5는, 제1 실시 형태의 콜리메이터의 일부를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 6은, 제1 실시 형태의 리플렉터의 일부를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 7은, 제1 실시 형태의 변형예에 관한 스퍼터 장치의 일부를 도시하는 단면도이다.
도 8은, 제2 실시 형태에 따른 콜리메이터의 일부를 도시하는 단면도이다.
도 9는, 제3 실시 형태에 따른 콜리메이터의 일부를 도시하는 단면도이다.
도 10은, 제4 실시 형태에 따른 스퍼터 장치의 일부를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 11은, 제5 실시 형태에 따른 콜리메이터를 도시하는 단면도이다.
도 12는, 제5 실시 형태의 콜리메이터의 일부를 도시하는 단면도이다.
도 13은, 제5 실시 형태의 변형예에 관한 콜리메이터의 일부를 도시하는 단면도이다.
도 14는, 제6 실시 형태에 따른 콜리메이터를 도시하는 단면도이다.
도 15는, 제7 실시 형태에 따른 콜리메이터를 도시하는 평면도이다.
도 16은, 제7 실시 형태의 콜리메이터의 일부를 도시하는 단면도이다.
이하에, 제1 실시 형태에 대해서, 도 1 내지 도 6을 참조하여 설명한다.　 또한, 본 명세서에 있어서는 기본적으로, 연직 상방을 상측 방향, 연직 하방을 하측 방향이라 정의한다.　 또한, 본 명세서에 있어서, 실시 형태에 따른 구성 요소 및 당해 요소의 설명에 대해서, 복수의 표현이 기재되는 경우가 있다.　 복수의 표현이 된 구성 요소 및 설명에 대해서, 기재되어 있지 않은 다른 표현이 되어도 된다.　 또한, 복수의 표현이 되지 않는 구성 요소 및 설명에 대해서도, 기재되어 있지 않은 다른 표현이 되어도 된다.
도 1은, 제1 실시 형태에 따른 스퍼터 장치(1)를 개략적으로 도시하는 단면도이다.　 스퍼터 장치(1)는 처리 장치의 일례이며, 예를 들어, 반도체 제조 장치, 제조 장치, 가공 장치, 또는 장치라고도 칭해질 수 있다.
스퍼터 장치(1)는 예를 들어, 마그네트론 스퍼터링을 행하기 위한 장치이다.　 스퍼터 장치(1)는 예를 들어, 반도체 웨이퍼(2)의 표면에, 금속 입자에 의해 성막을 행한다.　 반도체 웨이퍼(2)는 물체의 일례이며, 예를 들어, 대상이라고도 칭해질 수 있다.　 또한, 스퍼터 장치(1)는 예를 들어, 다른 대상물에 성막을 행해도 된다.
스퍼터 장치(1)는 챔버(11)와, 타깃(12)과, 스테이지(13)와, 마그네트(14)와, 차폐 부재(15)와, 콜리메이터(16)와, 펌프(17)와, 탱크(18)를 구비한다.　 타깃(12)은 입자 발생원의 일례이다.　 마그네트(14)는 예를 들어, 자계 발생부라고도 칭해질 수 있다.　 콜리메이터(16)는 정류 부재의 일례이며, 예를 들어, 차폐 부품, 정류 부품, 또는 방향 조정 부품이라고도 칭해질 수 있다.
각 도면에 도시된 바와 같이, 본 명세서에 있어서, X축, Y축 및 Z축이 정의된다.　 X축과 Y축과 Z축은, 서로 직교한다.　 X축은, 챔버(11)의 폭을 따른다.　 Y축은, 챔버(11)의 깊이(길이)를 따른다.　 Z축은, 챔버(11)의 높이를 따른다.　 이하의 기재는, Z축이 연직 방향을 따르는 것으로 하여 설명한다.　 또한, 스퍼터 장치(1)의 Z축이 연직 방향에 대하여 비스듬히 교차해도 된다.
챔버(11)는 밀폐 가능한 상자상으로 형성된다.　 챔버(11)는 상벽(21)과, 저벽(22)과, 측벽(23)과, 배출구(24)와, 도입구(25)를 갖는다.　 상벽(21)은 예를 들어, 백킹 플레이트, 설치부, 또는 보유 지지부라고도 칭해질 수 있다.
상벽(21)과 저벽(22)은, Z축을 따르는 방향(연직 방향)에 대향하도록 배치된다.　 상벽(21)은 소정의 간격을 개재하여 저벽(22)의 상방에 위치한다.　 측벽(23)은 Z축을 따르는 방향으로 연장되는 통상으로 형성되고, 상벽(21)과 저벽(22)을 접속한다.
챔버(11)의 내부에 처리실(11a)이 설치된다.　 처리실(11a)은 용기의 내부라고도 칭해질 수 있다.　 상벽(21), 저벽(22), 및 측벽(23)의 내면이 처리실(11a)을 형성한다.　 처리실(11a)은 기밀하게 폐쇄되는 것이 가능하다.　 바꾸어 말하면, 처리실(11a)은 밀폐되는 것이 가능하다.　 기밀하게 폐쇄된 상태란, 처리실(11a)의 내부와 외부 간에 기체의 이동이 없는 상태이며, 처리실(11a)에 배출구(24) 및 도입구(25)가 개구되어개구되.
타깃(12), 스테이지(13), 차폐 부재(15), 및 콜리메이터(16)는 처리실(11a) 내에 배치된다.　 바꾸어 말하면, 타깃(12), 스테이지(13), 차폐 부재(15), 및 콜리메이터(16)는 챔버(11)에 수용된다.　 또한, 타깃(12), 스테이지(13), 차폐 부재(15), 및 콜리메이터(16)는 각각, 부분적으로 처리실(11a)의 밖에 위치해도 된다.
배출구(24)는 처리실(11a)에 개구되고, 펌프(17)에 접속된다.　 펌프(17)는 예를 들어, 드라이 펌프, 크라이오 펌프, 또는 터보 분자 펌프 등이다.　 펌프(17)가 배출구(24)로부터 처리실(11a)의 기체를 흡인함으로써, 처리실(11a)의 기압이 저하될 수 있다.　 펌프(17)는 처리실(11a)을 진공으로 하는 것이 가능하다.
도입구(25)는 처리실(11a)에 개구되고, 탱크(18)에 접속된다.　 탱크(18)는 예를 들어 아르곤 가스와 같은 불활성 가스를 수용한다.　 아르곤 가스가, 탱크(18)로부터 도입구(25)를 통하여 처리실(11a)에 도입될 수 있다.　 탱크(18)는 아르곤 가스의 도입을 멈추는 것이 가능한 밸브를 갖는다.
타깃(12)은 입자의 발생원으로서 이용되는, 예를 들어 원반상의 금속판이다.　 또한, 타깃(12)은 다른 형상으로 형성되어도 된다.　 본 실시 형태에 있어서, 타깃(12)은 예를 들어 구리에 의해 만들어진다.　 타깃(12)은 다른 재료에 의해 만들어져도 된다.
타깃(12)은 챔버(11)의 상벽(21)의 설치면(21a)에 설치된다.　 백킹 플레이트인 상벽(21)은 타깃(12)의 냉각재 및 전극으로서 사용된다.　 또한, 챔버(11)는 상벽(21)과 별개인 부품으로서의 백킹 플레이트를 가져도 된다.
상벽(21)의 설치면(21a)은 Z축을 따르는 부방향(하측 방향)을 향하고, 대략 평탄하게 형성된, 상벽(21)의 내면이다.　 이러한 설치면(21a)에 타깃(12)이 배치된다.　 상벽(21)은 발생원 배치부의 일례이다.　 발생원 배치부는, 독립의 부재 또는 부품에 한정하지 않고, 어떤 부재 또는 부품 상의 특정한 위치이면 된다.
Z축을 따르는 부방향은, Z축의 화살표가 향하는 방향의 반대 방향이다.　 Z축을 따르는 부방향은, 상벽(21)의 설치면(21a)으로부터 스테이지(13)의 적재면(13a)을 향하는 방향이며, 제1 방향의 일례이다.　 Z축을 따르는 방향 및 연직 방향은, Z축을 따르는 부방향과, Z축을 따르는 정방향(Z축의 화살표가 향하는 방향)을 포함한다.
타깃(12)은 하면(12a)을 갖는다.　 하면(12a)은 하방으로 향하는 대략 평탄한 면이다.　 타깃(12)에 전압이 인가되면, 챔버(11)의 내부에 도입된 아르곤 가스가 이온화하여, 플라스마(P)가 발생한다.　 도 1은, 플라스마(P)를 이점쇄선으로 나타낸다.
마그네트(14)는 처리실(11a)의 외부에 위치한다.　 마그네트(14)는 예를 들어, 전자석 또는 영구 자석이다.　 마그네트(14)는 상벽(21) 및 타깃(12)을 따라서 이동 가능하다.　 상벽(21)은 타깃(12)과 마그네트(14) 사이에 위치한다.　 플라스마(P)는, 마그네트(14)의 가까이서 발생한다.　 이 때문에, 마그네트(14)와 플라스마(P) 사이에 타깃(12)이 위치한다.
플라스마(P)의 아르곤 이온이 타깃(12)에 충돌함으로써 예를 들어 타깃(12)의 하면(12a)으로부터, 타깃(12)을 구성하는 성막 재료의 입자(C)가 튄다.　 바꾸어 말하면, 타깃(12)은 입자(C)를 방출하는 것이 가능하다.　 본 실시 형태에 있어서, 입자(C)는, 구리 이온, 구리 원자, 및 구리 분자를 포함한다.　 입자(C)에 포함되는 구리 이온은, 정(+)의 전하를 갖는다.　 구리 원자 및 구리 분자가, 정 또는 부(-)의 전하를 가져도 된다.
타깃(12)의 하면(12a)으로부터 입자(C)가 튀는 방향은, 코사인 법칙(람베르트의 코사인 법칙)에 따라서 분포한다.　 즉, 하면(12a)의 어떤 1점으로부터 튀는 입자(C)는, 하면(12a)의 법선 방향(연직 방향)으로 가장 많이 튄다.　 법선 방향에 대하여 각도 θ로 경사지는(비스듬히 교차하는) 방향으로 튀는 입자(C)의 수는, 법선 방향으로 튀는 입자(C)의 수의 코사인(cosθ)에 거의 비례한다.
입자(C)는, 본 실시 형태에 있어서의 입자의 일례이며, 타깃(12)을 구성하는 성막 재료의 미소한 입자이다.　 입자는, 분자, 원자, 이온, 원자핵, 전자, 소립자, 증기(기화한 물질), 및 전자파(광자)와 같은, 물질 또는 에너지선을 구성하는 여러가지 입자여도 된다.
스테이지(13)는 챔버(11)의 저벽(22) 상에 배치된다.　 스테이지(13)는 Z축을 따르는 방향으로 상벽(21) 및 타깃(12)으로부터 이격하여 배치된다.　 스테이지(13)는 적재면(13a)을 갖는다.　 스테이지(13)의 적재면(13a)은 반도체 웨이퍼(2)를 지지한다.　 반도체 웨이퍼(2)는 예를 들어 원반상으로 형성된다.　 또한, 반도체 웨이퍼(2)는 다른 형상으로 형성되어도 된다.
스테이지(13)의 적재면(13a)은 상방으로 향하는 대략 평탄한 면이다.　 적재면(13a)은 상벽(21)의 설치면(21a)으로부터 Z축을 따르는 방향으로 이격하여 배치되고, 설치면(21a)과 대향한다.　 이러한 적재면(13a)에, 반도체 웨이퍼(2)가 배치된다.　 스테이지(13)는 물체 배치부의 일례이다.　 물체 배치부는, 독립의 부재 또는 부품에 한정하지 않고, 어떤 부재 또는 부품 상의 특정한 위치이면 된다.
스테이지(13)는 Z축을 따르는 방향, 즉 상하 방향으로 이동 가능하다.　 스테이지(13)는 히터를 갖고, 적재면(13a)에 배치된 반도체 웨이퍼(2)를 따뜻하게 하는 것이 가능하다.　 또한, 스테이지(13)는 전극으로서도 사용된다.
차폐 부재(15)는 대략 통상으로 형성된다.　 차폐 부재(15)는 측벽(23)의 일부와, 측벽(23)과 반도체 웨이퍼(2) 사이의 간극을 덮는다.　 차폐 부재(15)가 반도체 웨이퍼(2)를 보유 지지해도 된다.　 차폐 부재(15)는 타깃(12)으로부터 방출된 입자(C)가 저벽(22) 및 측벽(23)에 부착되는 것을 억제한다.
콜리메이터(16)는 Z축을 따르는 방향에 있어서, 상벽(21)의 설치면(21a)과, 스테이지(13)의 적재면(13a) 사이에 배치된다.　 다른 표현에 의하면, 콜리메이터(16)는 Z축을 따르는 방향(연직 방향)에 있어서 타깃(12)과 반도체 웨이퍼(2) 사이에 배치된다.　 콜리메이터(16)는 예를 들어 챔버(11)의 측벽(23)에 설치된다.　 콜리메이터(16)는 차폐 부재(15)에 지지되어도 된다.
콜리메이터(16)와 챔버(11) 사이는 절연된다.　 예를 들어, 콜리메이터(16)와 챔버(11) 사이에 절연성의 부재가 개재된다.　 또한, 콜리메이터(16)와 차폐 부재(15) 사이도 절연된다.
Z축을 따르는 방향에 있어서, 콜리메이터(16)와 상벽(21)의 설치면(21a) 사이의 거리는, 콜리메이터(16)와 스테이지(13)의 적재면(13a) 사이의 거리보다도 짧다.　 바꾸어 말하면, 콜리메이터(16)는 스테이지(13)의 적재면(13a)보다도, 상벽(21)의 설치면(21a)에 가깝다.　 콜리메이터(16)의 배치는 이것에 한정하지 않는다.
도 2는, 제1 실시 형태의 콜리메이터(16)를 도시하는 평면도이다.　 도 3은, 제1 실시 형태의 스퍼터 장치(1)의 일부를 도시하는 단면도이다.　 도 3에 도시한 바와 같이, 콜리메이터(16)는 3개의 콜리메이트부(31)와, 2개의 개재 부재(32)와, 리플렉터(33)와, 제1 가스킷(34)과, 제2 가스킷(35)을 갖는다.　 또한, 도 2는, 리플렉터(33)를 생략하여 도시한다.
3개의 콜리메이트부(31)는 콜리메이트부(31A)와, 콜리메이트부(31B)와, 콜리메이트부(31C)를 포함한다.　 콜리메이트부(31A)는 제1 콜리메이터의 일례이다.　 콜리메이트부(31B)는 제1 콜리메이터 및 제2 콜리메이터 일례이다.　 콜리메이트부(31C)는 제2 콜리메이터의 일례이다.　 이하의 설명에 있어서, 콜리메이트부(31A, 31B, 31C)에 공통되는 설명은, 콜리메이트부(31)에 관한 설명으로서 기재된다.
3개의 콜리메이트부(31)는 각각, 프레임(41)과, 정류부(42)를 갖는다.　 프레임(41)은 예를 들어, 외측 테두리부, 보유 지지부, 지지부, 또는 벽이라고도 칭해질 수 있다.　 또한, 콜리메이트부(31A, 31B, 31C) 중 적어도 하나가 프레임(41)을 갖지 않아도 된다.
프레임(41)은 Z축을 따르는 방향으로 연장되는 원통형으로 형성된 벽이다.　 또한, 프레임(41)은 이에 한정하지 않고, 직사각형과 같은 다른 형상으로 형성되어도 된다.　 프레임(41)은 내주면(41a)과, 외주면(41b)을 갖는다.
프레임(41)의 내주면(41a)은 원통형의 프레임(41)의 직경 방향을 향하는 곡면이며, 통상의 프레임(41)의 중심축으로 향한다.　 외주면(41b)은, 내주면(41a)의 반대측에 위치한다.　 X-Y 평면에 있어서, 프레임(41)의 외주면(41b)에 둘러싸인 부분의 면적은, 반도체 웨이퍼(2)의 단면적보다도 크다.
도 2에 도시한 바와 같이, 정류부(42)는 X-Y 평면에 있어서, 통상의 프레임(41)의 내측에 설치된다.　 정류부(42)는 프레임(41)의 내주면(41a)에 접속된다.　 프레임(41)과 정류부(42)는 일체로 만들어진다.　 또한, 정류부(42)는 프레임(41)으로부터 독립된 부품이어도 된다.
도 1에 도시한 바와 같이, 정류부(42)는 상벽(21)의 설치면(21a)과 스테이지(13)의 적재면(13a) 사이에 배치된다.　 정류부(42)는 Z축을 따르는 방향에 있어서, 상벽(21)으로부터 이격됨과 함께, 스테이지(13)로부터 이격된다.　 도 2에 도시한 바와 같이, 정류부(42)는 복수의 벽(45)을 갖는다.　 벽(45)은 예를 들어, 판 또는 차폐부라고도 칭해질 수 있다.
콜리메이트부(31A)의 복수의 벽(45)은 복수의 제1 벽의 일례이다.　 콜리메이트부(31B)의 복수의 벽(45)은 복수의 제1 벽 및 복수의 제2 벽의 일례이다.　 콜리메이트부(31C)의 복수의 벽(45)은 복수의 제2 벽의 일례이다.
정류부(42)는 복수의 벽(45)에 의해, 복수의 관통구(47)를 형성한다.　 복수의 관통구(47)는 Z축을 따르는 방향(연직 방향)으로 연장되는 육각형의 구멍이다.　 바꾸어 말하면, 복수의 벽(45)은 내측에 관통구(47)가 형성된 복수의 육각형의 통의 집합체(하니컴 구조)를 형성한다.　 Z축을 따르는 방향으로 연장되는 관통구(47)는 Z축을 따르는 방향으로 이동하는 입자(C)와 같은 물체를 통과시키는 것이 가능하다.　 또한, 관통구(47)는 다른 형상으로 형성되어도 된다.
콜리메이트부(31A)의 복수의 관통구(47)는 복수의 제1 관통구의 일례이다.　 콜리메이트부(31B)의 복수의 관통구(47)는 복수의 제1 관통구 및 복수의 제2 관통구의 일례이다.　 콜리메이트부(31C)의 복수의 관통구(47)는 복수의 제2 관통구의 일례이다.
콜리메이트부(31A)의 복수의 벽(45)은 일체로 형성되고, 서로 접속된다.　 일체로 형성된 콜리메이트부(31A)의 복수의 벽(45)은 콜리메이트부(31A)의 프레임(41)에 접속된다.
콜리메이트부(31B)의 복수의 벽(45)은 일체로 형성되고, 서로 접속된다.　 일체로 형성된 콜리메이트부(31B)의 복수의 벽(45)은 콜리메이트부(31B)의 프레임(41)에 접속된다.
콜리메이트부(31C)의 복수의 벽(45)은 일체로 형성되고, 서로 접속된다.　 일체로 형성된 콜리메이트부(31C)의 복수의 벽(45)은 콜리메이트부(31C)의 프레임(41)에 접속된다.
도 3에 도시한 바와 같이, 정류부(42)는 상단부(42a)와 하단부(42b)를 갖는다.　 상단부(42a)는 정류부(42)의 Z축을 따르는 방향에 있어서의 한쪽 단부이며, 타깃(12) 및 상벽(21)의 설치면(21a)을 향한다.　 하단부(42b)는 정류부(42)의 Z축을 따르는 방향에 있어서의 다른 쪽 단부이며, 스테이지(13)에 지지된 반도체 웨이퍼(2) 및 스테이지(13)의 적재면(13a)을 향한다.
관통구(47)는 정류부(42)의 상단부(42a)부터 하단부(42b)에 걸쳐서 설치된다.　 즉, 관통구(47)는 타깃(12)을 향하여 개구됨과 함께, 스테이지(13)에 지지된 반도체 웨이퍼(2)를 향하여 개구되는 구멍이다.
복수의 벽(45)은 각각, Z축을 따르는 방향으로 연장되는 대략 직사각형(사각형)의 판이다.　 벽(45)은 예를 들어, Z축을 따르는 방향에 대하여 비스듬히 교차하는 방향으로 연장되어도 된다.　 벽(45)은 상단부면(45a)과 하단부면(45b)을 갖는다.
벽(45)의 상단부면(45a)은 벽(45)의 Z축을 따르는 방향에 있어서의 한쪽 단부이며, 타깃(12) 및 상벽(21)의 설치면(21a)을 향한다.　 복수의 벽(45)의 상단부면(45a)은 정류부(42)의 상단부(42a)를 형성한다.
정류부(42)의 상단부(42a)는 타깃(12) 및 상벽(21)의 설치면(21a)에 대하여 곡면상으로 오목해진다.　 바꾸어 말하면, 상단부(42a)는 타깃(12) 및 상벽(21)의 설치면(21a)으로부터 이격되도록 만곡된다.　 정류부(42)의 상단부(42a)는 다른 형상으로 형성되어도 된다.
벽(45)의 하단부면(45b)은 벽(45)의 Z축을 따르는 방향에 있어서의 다른 쪽 단부이며, 스테이지(13)에 지지된 반도체 웨이퍼(2) 및 스테이지(13)의 적재면(13a)을 향한다.　 복수의 벽(45)의 하단부면(45b)은 정류부(42)의 하단부(42b)를 형성한다.
정류부(42)의 하단부(42b)는 스테이지(13)에 지지된 반도체 웨이퍼(2) 및 스테이지(13)의 적재면(13a)을 향하여 돌출된다.　 바꾸어 말하면, 정류부(42)의 하단부(42b)는 프레임(41)으로부터 이격됨에 따라서 스테이지(13)에 근접한다.　 정류부(42)의 하단부(42b)는 다른 형상으로 형성되어도 된다.
정류부(42)의 상단부(42a)와 하단부(42b)는, 대략 동일한 형상(곡률 반경)을 갖는다.　 이 때문에, Z축을 따르는 방향에 있어서, 복수의 벽(45)의 각각의 길이는, 대략 동일하다.　 Z축을 따르는 방향에 있어서, 콜리메이트부(31A)의 벽(45)의 길이와, 콜리메이트부(31B)의 벽(45)의 길이와, 콜리메이트부(31C)의 벽(45)의 길이는 서로 대략 동일하다.　 또한, 벽(45)의 길이는 이것에 한정하지 않는다.
3개의 콜리메이트부(31)는 Z축을 따르는 방향으로 배열된다.　 콜리메이트부(31B)는 Z축을 따르는 방향에 있어서, 콜리메이트부(31A)와 콜리메이트부(31C) 사이에 위치한다.　 즉, 콜리메이트부(31B)는 콜리메이트부(31A)보다도 스테이지(13)에 가깝게 배치된다.　 콜리메이트부(31C)는 콜리메이트부(31B)보다도 스테이지(13)에 가깝게 배치된다.
콜리메이트부(31)는 각각, 예를 들어, 알루미늄 또는 구리와 같은 금속에 의해 만들어진다.　 이 때문에, 콜리메이트부(31)는 도전성을 갖는다.　 3개의 콜리메이트부(31)는 서로 상이한 재료에 의해 만들어져도 된다.　 프레임(41)의 재료와, 정류부(42)의 재료가 상이해도 된다.
2개의 개재 부재(32)는 개재 부재(32A)와, 개재 부재(32B)를 포함한다.　 이하의 설명에 있어서, 개재 부재(32A, 32B)에 공통되는 설명은, 개재 부재(32)에 관한 설명으로서 기재된다.
개재 부재(32)는 각각, 예를 들어, 세라믹과 같은 절연성을 갖는 재료에 의해 만들어진다.　 2개의 개재 부재(32)는 서로 상이한 재료에 의해 만들어져도 된다.
본 실시 형태에 있어서, 개재 부재(32)는 콜리메이트부(31)와 동일하게, 프레임(41)과 정류부(42)를 갖는다.　 즉, 개재 부재(32)는 복수의 벽(45)을 갖고, 개재 부재(32)의 복수의 벽(45)은 복수의 관통구(47)를 형성한다.　 개재 부재(32)의 복수의 벽(45)은 제3 벽의 일례이다.　 개재 부재(32)의 복수의 관통구(47)는 복수의 제3 관통구의 일례이다.
Z축을 따르는 방향에 있어서, 개재 부재(32)의 벽(45)의 길이는, 콜리메이트부(31)의 벽(45)의 길이보다도 짧다.　 또한, Z축을 따르는 방향에 있어서, 개재 부재(32)의 프레임(41)의 길이는, 콜리메이트부(31)의 프레임(41)의 길이보다도 짧다.　 또한, Z축을 따르는 방향에 있어서의 콜리메이트부(31)의 치수와 개재 부재(32)의 치수는, 이것에 한정하지 않는다.
개재 부재(32A)는 콜리메이트부(31A)와 콜리메이트부(31B) 사이에 배치된다.　 즉, 절연성의 개재 부재(32A)의 벽(45)은 도전성의 콜리메이트부(31A)의 벽(45)과, 도전성의 콜리메이트부(31B)의 벽(45) 사이에 배치된다.
개재 부재(32B)는 콜리메이트부(31B)와 콜리메이트부(31C) 사이에 배치된다.　 즉, 절연성의 개재 부재(32B)의 벽(45)은 도전성의 콜리메이트부(31B)의 벽(45)과, 도전성의 콜리메이트부(31C)의 벽(45) 사이에 배치된다.　 3개의 콜리메이트부(31)와, 2개의 개재 부재(32)는, Z축을 따르는 방향으로 배열된다.
개재 부재(32A)의 벽(45)은 콜리메이트부(31A)의 벽(45)에 접속됨과 함께, 콜리메이트부(31B)의 벽(45)에 접속된다.　 이에 의해, 개재 부재(32A)의 관통구(47)는 콜리메이트부(31A)의 관통구(47)와, 콜리메이트부(31B)의 관통구(47)를 접속(연통)한다.
개재 부재(32B)의 벽(45)은 콜리메이트부(31B)의 벽(45)에 접속됨과 함께, 콜리메이트부(31C)의 벽(45)에 접속된다.　 이에 의해, 개재 부재(32B)의 관통구(47)는 콜리메이트부(31B)의 관통구(47)와, 콜리메이트부(31C)의 관통구(47)를 접속(연통)한다.
콜리메이트부(31A)의 1개의 관통구(47), 개재 부재(32A)의 1개의 관통구(47), 콜리메이트부(31B)의 1개의 관통구(47), 개재 부재(32B)의 1개의 관통구(47), 및 콜리메이트부(31C)의 1개의 관통구(47)는 연속하는 1개의 관통구(구멍)를 형성한다.　 또한, 콜리메이트부(31A)의 1개의 관통구(47), 개재 부재(32A)의 1개의 관통구(47), 콜리메이트부(31B)의 1개의 관통구(47), 개재 부재(32B)의 1개의 관통구(47), 및 콜리메이트부(31C)의 1개의 관통구(47) 중 적어도 1개가, 다른 관통구(47)에 대하여 X-Y 평면 상에서 어긋나도 된다.
콜리메이트부(31A)의 관통구(47), 개재 부재(32A)의 관통구(47), 콜리메이트부(31B)의 관통구(47), 개재 부재(32B)의 관통구(47), 및 콜리메이트부(31C)의 관통구(47)는 서로 대략 동일한 형상을 갖는다.　 콜리메이트부(31A)의 관통구(47), 개재 부재(32A)의 관통구(47), 콜리메이트부(31B)의 관통구(47), 개재 부재(32B)의 관통구(47), 및 콜리메이트부(31C)의 관통구(47)의 형상은, 서로 상이해도 된다.
리플렉터(33)는 Z축을 따르는 방향에 있어서, 상벽(21)과 스테이지(13) 사이에 배치된다.　 리플렉터(33)는 상벽(21)과, 콜리메이트부(31A) 사이에 배치된다.　 리플렉터(33)는 Z축을 따르는 방향으로 연장되는 대략 통상으로 형성된다.　 다른 표현에 의하면, 리플렉터(33)는 상벽(21)을 향하여 돌출되고, 상단(33a)과 하단(33b)이 개구되는 돔상으로 형성된다.　 리플렉터(33)에, 개구부(51)가 설치된다.
개구부(51)는 Z축을 따르는 방향으로 연장되고, 리플렉터(33)를 관통한다.　 개구부(51)의 한쪽 단부는, 리플렉터(33)의 상단(33a)에 있어서, 상벽(21)을 향하여 개구한다.　 개구부(51)의 다른 쪽 단부는, 리플렉터(33)의 하단(33b)에 있어서, 스테이지(13)를 향하여 개구한다.
리플렉터(33)의 상단(33a)은 Z축을 따르는 방향에 있어서의 리플렉터(33)의 한쪽 단부이며, 상벽(21)을 향한다.　 리플렉터(33)의 하단(33b)은 Z축을 따르는 방향에 있어서의 리플렉터(33)의 다른 쪽 단부이며, 스테이지(13)를 향한다.
리플렉터(33)는 내주면(33c)과, 외주면(33d)을 갖는다.　 내주면(33c)은 대략 통상의 리플렉터(33)의 직경 방향을 향하고, 대략 통상의 리플렉터(33)의 중심축을 향한다.　 내주면(33c)은 개구부(51)를 형성한다.　 외주면(33d)은 내주면(33c)의 반대측에 위치한다.
내주면(33c)은 비스듬히 하방으로 향한다.　 비스듬히 하방은, 제3 방향의 일례이며, Z축을 따르는 방향과, X축 또는 Y축을 따르는 방향 사이의 방향이다.　 X축 또는 Y축을 따르는 방향은, 제2 방향의 일례이다.　 상세하게 설명하면, 비스듬히 하방은, Z축에 대하여 비스듬히 교차함과 함께, Z축을 따르는 방향에 있어서 상벽(21)으로부터 스테이지(13)를 향하는 방향이다.
내주면(33c)은 스테이지(13)에 대하여 오목해지는 곡면이다.　 이 때문에, 내주면(33c)의 일부가 향하는 방향과, 내주면(33c)의 다른 일부가 향하는 방향은 서로 상이하다.　 그러나, 내주면(33c)의 일부가 향하는 방향과, 내주면(33c)의 다른 일부가 향하는 방향은 각각, Z축에 대하여 비스듬히 교차함과 함께, Z축을 따르는 방향에 있어서 상벽(21)으로부터 스테이지(13)를 향하는 방향이다.　 내주면(33c)은 스테이지(13)로부터 상벽(21)을 향함에 따라서 끝이 가늘어지는 면이어도 된다.　 X-Y 평면에 있어서의 개구부(51)의 단면적은, 리플렉터(33)의 하단(33b)으로부터 상단(33a)을 향함에 따라서 작아진다.
리플렉터(33)는 측벽(23)의 일부를 덮는다.　 Z축을 따르는 방향에 있어서의 상벽(21)과 스테이지(13) 사이에 있어서, 측벽(23)은 차폐 부재(15)와, 콜리메이터(16)의 리플렉터(33)에 덮인다.　 리플렉터(33)는 타깃(12)으로부터 방출된 입자(C)가 측벽(23)에 부착되는 것을 억제한다.
리플렉터(33)는 상벽(21)의 설치면(21a)의 적어도 일부를 둘러싼다.　 또한, 리플렉터(33)는 상벽(21)의 설치면(21a)에 배치된 타깃(12)을 둘러싼다.　 바꾸어 말하면, X축을 따르는 방향, 및 Y축을 따르는 방향에 있어서, 리플렉터(33)의 일부와 다른 일부 사이에, 상벽(21)의 적어도 일부가 위치한다.
리플렉터(33)는 예를 들어, 알루미늄 또는 구리와 같은 금속에 의해 만들어진다.　 이 때문에, 리플렉터(33)는 도전성을 갖는다.　 리플렉터(33)와, 3개의 콜리메이트부(31)는, 서로 동일한 재료에 의해 만들어진다.　 리플렉터(33)와, 3개의 콜리메이트부(31)는, 서로 상이한 재료에 의해 만들어져도 된다.
제1 가스킷(34)은 예를 들어 환상으로 형성되고, 리플렉터(33)의 상단(33a)에 설치된다.　 제1 가스킷(34)은 절연성을 갖는다.　 제1 가스킷(34)은 리플렉터(33)와, 상벽(21) 및 타깃(12) 사이를 절연한다.
제2 가스킷(35)은 절연성을 갖는다.　 제2 가스킷(35)은 예를 들어 환상으로 형성되고, 리플렉터(33)의 하단(33b)에 설치된다.　 제2 가스킷(35)은 리플렉터(33)와, 콜리메이트부(31A)의 프레임(41) 사이에 배치된다.　 제2 가스킷(35)은 리플렉터(33)와, 콜리메이트부(31A) 사이를 절연한다.　 리플렉터(33)는 제2 가스킷(35)을 통하여, 콜리메이트부(31A)의 프레임(41)에 접속된다.
리플렉터(33)의 개구부(51)는 3개의 콜리메이트부(31)와 2개의 개재 부재(32)의 복수의 관통구(47)에 접속된다.　 이 때문에, 타깃(12)으로부터 방출된 입자(C)는, 리플렉터(33)의 개구부(51)를 통과함과 동시에, 3개의 콜리메이트부(31)와 2개의 개재 부재(32)의 복수의 관통구(47)를 통과하고, 스테이지(13)에 배치된 반도체 웨이퍼(2)를 향하여 튈 수 있다.
도 1에 도시한 바와 같이, 스퍼터 장치(1)는 제1 전원 장치(61)와, 제2 전원 장치(62)와, 제3 전원 장치(63)와, 제어 장치(64)를 갖는다.　 제3 전원 장치(63)는 전원 및 외부의 전원의 일례이다.
제1 전원 장치(61)와, 제2 전원 장치(62)는, 직류의 가변 전원이다.　 또한, 제1 전원 장치(61)와 제2 전원 장치(62)는, 다른 전원이어도 된다.　 제1 전원 장치(61)는 전극인 상벽(21)에 접속된다.　 제1 전원 장치(61)는 상벽(21) 및 타깃(12)에 예를 들어 부의 전압을 인가할 수 있다.　 제2 전원 장치(62)는 전극인 스테이지(13)에 접속된다.　 제2 전원 장치(62)는 스테이지(13) 및 반도체 웨이퍼(2)에 예를 들어 부의 전압을 인가할 수 있다.
도 3에 도시한 바와 같이, 제3 전원 장치(63)는 제1 전극(71)과, 제2 전극(72)과, 제3 전극(73)과, 제4 전극(74)과, 절연 부재(75)와, 제1 전원(81)과, 제2 전원(82)과, 제3 전원(83)과, 제4 전원(84)을 갖는다.　 제1 전극(71) 및 제1 전원(81)은 제1 인가부의 일례이다.　 제2 전극(72) 및 제2 전원(82)은 제1 인가부 및 제2 인가부의 일례이다.　 제3 전극(73) 및 제3 전원(83)은 제2 인가부의 일례이다.
제1 내지 제4 전극(71 내지 74)과, 절연 부재(75)는, 챔버(11)의 측벽(23)에 설치된다.　 콜리메이터(16)는 제1 내지 제4 전극(71 내지 74)에 면한다.　 또한, 제1 내지 제4 전극(71 내지 74)의 배치는 이것에 한정하지 않는다.
제1 전극(71)은 콜리메이트부(31A)의 프레임(41)의 외주면(41b)에 접촉한다.　 제1 전극(71)은 예를 들어, 스프링에 의해 콜리메이트부(31A)의 프레임(41)의 외주면(41b)을 향하여 눌린다.　 제1 전극(71)은 콜리메이트부(31A)와, 제1 전원(81)을 전기적으로 접속한다.
제2 전극(72)은 콜리메이트부(31B)의 프레임(41)의 외주면(41b)에 접촉한다.　 제2 전극(72)은 예를 들어, 스프링에 의해 콜리메이트부(31B)의 프레임(41)의 외주면(41b)을 향하여 눌린다.　 제2 전극(72)은 콜리메이트부(31B)와, 제2 전원(82)을 전기적으로 접속한다.
제3 전극(73)은 콜리메이트부(31C)의 프레임(41)의 외주면(41b)에 접촉한다.　 제3 전극(73)은 예를 들어, 스프링에 의해 콜리메이트부(31C)의 프레임(41)의 외주면(41b)을 향하여 눌린다.　 제3 전극(73)은 콜리메이트부(31C)와, 제3 전원(83)을 전기적으로 접속한다.
제4 전극(74)은 리플렉터(33)의 외주면(33d)에 접촉한다.　 제4 전극(74)은 예를 들어, 스프링에 의해 리플렉터(33)의 외주면(33d)을 향하여 눌린다.　 제4 전극(74)은 리플렉터(33)와, 제4 전원(84)을 전기적으로 접속한다.
절연 부재(75)는 예를 들어, 세라믹과 같은 절연성의 재료에 의해 만들어진다.　 절연 부재(75)는 제1 내지 제4 전극(71 내지 74)의 사이에 개재하여, 제1 내지 제4 전극(71 내지 74) 사이를 절연한다.
제1 내지 제4 전원(81 내지 84)은 직류의 가변 전원이다.　 제1 내지 제4 전원(81 내지 84)은 다른 전원이어도 된다.
제1 전원(81)은 제1 전극(71)을 통하여 콜리메이트부(31A)에 전기적으로 접속된다.　 제1 전원(81)은 콜리메이트부(31A)에 정의 전압을 인가할 수 있다.　 또한, 제1 전원(81)은 콜리메이트부(31A)에 부의 전압을 인가 가능해도 된다.
제2 전원(82)은 제2 전극(72)을 통하여 콜리메이트부(31B)에 전기적으로 접속된다.　 제2 전원(82)은 콜리메이트부(31B)에 정의 전압을 인가할 수 있다.　 또한, 제2 전원(82)은 콜리메이트부(31B)에 부의 전압을 인가 가능해도 된다.
제3 전원(83)은 제3 전극(73)을 통하여 콜리메이트부(31C)에 전기적으로 접속된다.　 제3 전원(83)은 콜리메이트부(31C)에 정의 전압을 인가할 수 있다.　 또한, 제3 전원(83)은 콜리메이트부(31C)에 부의 전압을 인가 가능해도 된다.
제4 전원(84)은 제4 전극(74)을 통하여 리플렉터(33)에 전기적으로 접속된다.　 제4 전원(84)은 리플렉터(33)에 정의 전압을 인가할 수 있다.　 또한, 제4 전원(84)은 리플렉터(33)에 부의 전압을 인가 가능해도 된다.
제1 내지 제4 전원(81 내지 84)은 콜리메이트부(31A, 31B, 31C) 및 리플렉터(33)에 다른 전압을 인가하는 것이 가능하다.　 그러나, 제1 내지 제4 전원(81 내지 84)은 콜리메이트부(31A, 31B, 31C) 및 리플렉터(33)에, 동일한 전압을 인가하는 것도 가능하다.　 제1 내지 제4 전원(81 내지 84)은 콜리메이트부(31A, 31B, 31C) 및 리플렉터(33)에, 예를 들어, 0 내지 1000V의 전압을 인가한다.
본 실시 형태에 있어서, 제3 전원 장치(63)는 제1 내지 제4 전원(81 내지 84)을 갖는다.　 그러나, 제3 전원 장치(63)는 예를 들어, 1개의 전원과 복수의 가변 저항을 가져도 된다.　 당해 전원 및 가변 저항은, 분압 회로를 형성하고, 콜리메이트부(31A, 31B, 31C) 및 리플렉터(33)에, 다른 전압을 인가하는 것이 가능하다.　 이 경우, 콜리메이트부(31A)에 접속된 분압 회로의 단자가 제1 인가부의 일례이며, 콜리메이트부(31B)에 접속된 분압 회로의 단자가 제1 인가부 및 제2 인가부의 일례이며, 콜리메이트부(31C)에 접속된 분압 회로의 단자가 제2 인가부의 일례이다.
도 4는, 제1 실시 형태의 스퍼터 장치(1)의 하드웨어 구성예를 도시하는 블록도이다.　 도 4에 도시한 바와 같이, 제어 장치(64)는 CPU(Central Processing Unit)(91)와, ROM(Read Only Memory)(92)과, RAM(Random Access Memory)(93)과, 스토리지(94)와, I/O 제어부(95)가 버스(96)에 의해 서로 접속되어 있고, 통상의 컴퓨터를 이용한 하드웨어 구성으로 되어 있다.　 제어 장치(64)는 네트워크를 통하여 서버에 접속되어도 된다.
CPU(91)는, 스퍼터 장치(1)의 전체의 처리를 제어하는 연산 장치이다.　 RAM(93)은, CPU(91)에 의한 각종 처리에 필요한 데이터를 기억한다.　 ROM(92)은, BIOS와 같은 프로그램 등을 기억한다.　 스토리지(94)는 예를 들어 HDD(Hard Disk Drive)이며, CPU(91)에 의한 각종 처리를 실현하는 프로그램 등을 기억한다.
I/O 제어부(95)는 입력 장치(98)와, 펌프(17)와, 탱크(18)와, 제1 전원 장치(61)와, 제2 전원 장치(62)와, 제3 전원 장치(63)를 CPU(91)에 접속한다.　 입력 장치(98)는 예를 들어, 키보드, 마우스, 또는 터치 패널이다.
본 실시 형태의 스퍼터 장치(1)에서 실행되는 각종 처리를 실행하기 위한 프로그램은, 예를 들어 ROM(92) 또는 스토리지(94)에 미리 내장되어서 제공된다.　 CPU(91)는, 당해 프로그램을 판독하여 실행함으로써, 여러가지 기능적 구성을 주기억 장치 상에 로드 및 생성한다.　 제어 장치(64)는 예를 들어, 당해 기능적 구성에 기초하여, 펌프(17), 탱크(18), 및 제1 내지 제3 전원 장치(61 내지 63)를 제어한다.
스퍼터 장치(1)는 상술한 구성을 갖는 하나의 장치이다.　 또한, 제어 장치(64)는 예를 들어, 여러가지 주변기기가 접속된 PC(Personal Computer)여도 된다.
본 실시 형태의 스퍼터 장치(1)에서 실행되는 프로그램은, 인스톨 가능한 형식 또는 실행 가능한 형식의 파일로 CD-ROM, 플렉시블 디스크(FD), CD-R, DVD(Digital Versatile Disk) 등의 컴퓨터로 판독 가능한 기록 매체에 기록하여 제공하도록 구성해도 된다.
또한, 본 실시 형태의 스퍼터 장치(1)에서 실행되는 프로그램을, 인터넷 등의 네트워크에 접속된 컴퓨터 상에 저장하고, 네트워크 경유로 다운로드시킴으로써 제공하도록 구성해도 된다.　 또한, 본 실시 형태의 스퍼터 장치(1)에서 실행되는 프로그램을 인터넷 등의 네트워크 경유로 제공 또는 배포하도록 구성해도 된다.
이상 설명한 스퍼터 장치(1)는 예를 들어, 이하와 같이 마그네트론 스퍼터링을 행한다.　 또한, 스퍼터 장치(1)가 마그네트론 스퍼터링을 행하는 방법은, 이하에 설명되는 방법에 한정하지 않는다.
먼저, 도 1에 도시하는 펌프(17)가 배출구(24)로부터 처리실(11a)의 기체를 흡인한다.　 이에 의해, 처리실(11a)의 공기가 제거되어, 처리실(11a)의 기압이 저하된다.　 펌프(17)는 처리실(11a)을 진공으로 한다.
이어서, 탱크(18)가 도입구(25)로부터 처리실(11a)에, 아르곤 가스를 도입한다.　 제1 전원 장치(61)가 타깃(12)에 전압을 인가하면, 마그네트(14)의 자장 부근에서 플라스마(P)가 발생한다.　 또한, 제2 전원 장치(62)가 스테이지(13)에 전압을 인가해도 된다.
타깃(12)의 하면(12a)을 이온이 스퍼터함으로써, 타깃(12)의 하면(12a)으로부터, 반도체 웨이퍼(2)를 향하여 입자(C)가 방출된다.　 본 실시 형태에 있어서, 입자(C)는, 구리 이온을 포함한다.　 구리 이온은, 정(+)의 전하를 갖는다.　 상술한 바와 같이, 입자(C)가 튀는 방향은, 코사인 법칙에 따라서 분포한다.　 도 3의 화살표는, 입자(C)가 튀는 방향의 분포를 모식적으로 도시한다.
도 5는, 제1 실시 형태의 콜리메이터(16)의 일부를 개략적으로 도시하는 단면도이다.　 제1 내지 제3 전원(81 내지 83)은 콜리메이트부(31A, 31B, 31C)에, 정의 전압을 인가한다.　 즉, 제1 내지 제3 전원(81 내지 83)은 콜리메이트부(31A, 31B, 31C)에, 입자(C)인 구리 이온이 갖는 전하와 정부가 동일한 전압을 인가한다.
정의 전압이 인가된 콜리메이트부(31A)의 벽(45)은 제1 전계 E1을 발생한다.　 정의 전압이 인가된 콜리메이트부(31B)의 벽(45)은 제2 전계 E2를 발생한다.　 정의 전압이 인가된 콜리메이트부(31C)의 벽(45)은 제3 전계 E3을 발생한다.　 또한, 콜리메이트부(31A, 31B, 31C)의 프레임(41)도, 제1 내지 제3 전계 E1 내지 E3을 발생한다.
콜리메이트부(31B)에 인가되는 전압은, 콜리메이트부(31A)에 인가되는 전압보다도 높다.　 이 때문에, 제2 전계 E2의 전계 강도는, 제1 전계 E1의 전계 강도보다도 강하다.　 콜리메이트부(31C)에 인가되는 전압은, 콜리메이트부(31B)에 인가되는 전압보다도 높다.　 이 때문에, 제3 전계 E3의 전계 강도는, 제2 전계 E2의 전계 강도보다도 강하다.　 도 5는, 제1 내지 제3 전계 E1 내지 E3의 전계 강도에 따라, 제1 내지 제3 전계 E1 내지 E3을 이점쇄선으로 모식적으로 도시한다.　 상기와 같은 제1 내지 제3 전계 E1 내지 E3은, 상벽(21)으로부터 스테이지(13)로 진행함에 따라서 단면적이 작아지는 전계의 관통구를 형성한다.
연직 방향으로 방출된 입자(C)는, 서로 접속된 3개의 콜리메이트부(31)와 2개의 개재 부재(32)의 관통구(47)를 통과하고, 스테이지(13)에 지지된 반도체 웨이퍼(2)를 향하여 튄다.　 한편, 연직 방향에 대하여 비스듬히 교차하는 방향(경사 방향)으로 방출되는 입자(C)도 존재한다.　 경사 방향과 연직 방향 사이의 각도가 소정의 범위보다도 큰 입자(C)는, 벽(45)을 향하여 튄다.
정(+)의 전하를 갖는 이온인 입자(C)는, 제1 내지 제3 전계 E1 내지 E3으로부터 척력을 받는다.　 본 실시 형태에 있어서, 입자(C)에 작용하는 척력은, 콜리메이트부(31A)로부터 콜리메이트부(31C)를 향함에 따라서 강해진다.
제1 내지 제3 전계 E1 내지 E3이 입자(C)에 작용시키는 척력은, 입자(C)를, 관통구(47)의 중심축을 향하여 이동시킨다.　 이 때문에, 도 5에 도시한 바와 같이, 이온인 입자(C)는, 제1 내지 제3 전계 E1 내지 E3의 척력에 의해 벽(45)으로부터 이격되어, 관통구(47)의 중심을 향하여 집속된다.　 바꾸어 말하면, 이온인 입자(C)는, 제1 내지 제3 전계 E1 내지 E3에 의해, 벽(45)으로부터 반사되어, 관통구(47)를 통과한다.　 관통구(47)를 통과한 입자(C)는, 반도체 웨이퍼(2)를 향하여 튄다.
타깃(12)으로부터 방출되는 입자(C)는, 전기적으로 중성인 구리 원자 및 구리 분자를 포함할 수 있다.　 전기적으로 중성이며, 경사 방향과 연직 방향 사이의 각도가 소정의 범위보다도 큰 입자(C)는, 벽(45)에 부착되는 경우가 있다.　 즉, 콜리메이터(16)는 경사 방향과 연직 방향 사이의 각도가 소정의 범위 밖인 입자(C)를 차단한다.　 경사 방향으로 튀는 입자(C)는, 차폐 부재(15)에 부착되기도 한다.
경사 방향과 연직 방향 사이의 각도가 소정의 범위 내인 입자(C)는, 콜리메이터(16)의 관통구(47)를 통과하고, 스테이지(13)에 지지된 반도체 웨이퍼(2)를 향하여 튄다.　 또한, 경사 방향과 연직 방향 사이의 각도가 소정의 범위 내인 입자(C)도, 제1 내지 제3 전계 E1 내지 E3으로부터 척력을 받고, 또는 벽(45)에 부착되는 경우가 있다.
도 6은, 제1 실시 형태의 리플렉터(33)의 일부를 개략적으로 도시하는 단면도이다.　 제4 전원(84)은 리플렉터(33)에 정의 전압을 인가한다.　 즉, 제4 전원(84)은 리플렉터(33)에, 입자(C)인 구리 이온이 갖는 전하와 정부가 동일한 전압을 인가한다.　 정의 전압이 인가된 리플렉터(33)는 제4 전계 E4를 발생한다.
경사 방향과 연직 방향 사이의 각도가 소정의 범위보다도 큰 입자(C)는, 리플렉터(33)를 향하여 튀는 경우가 있다.　 정(+)의 전하를 갖는 이온인 입자(C)는, 제4 전계 E4로부터 척력을 받는다.
제4 전계 E4가 입자(C)에 작용시키는 척력은, 입자(C)를, 리플렉터(33)로부터 이격하는 방향으로 이동시킨다.　 이 때문에, 도 6에 도시하는 바와 같이, 이온인 입자(C)가 튀는 방향은, 제4 전계 E4의 척력에 의해 스테이지(13)에 배치된 반도체 웨이퍼(2)를 향하여 구부러진다.　 바꾸어 말하면, 이온인 입자(C)는, 제4 전계 E4에 의해, 리플렉터(33)로부터 반사되어, 스테이지(13)를 향한다.　 스테이지(13)를 향하는 입자(C)는, 예를 들어, 3개의 콜리메이트부(31) 및 2개의 개재 부재(32)의 관통구(47)를 통과하여, 반도체 웨이퍼(2)를 향하여 튄다.
리플렉터(33)의 내주면(33c)은 상술한 바와 같이, 스테이지(13)에 대하여 오목해지는 곡면이다.　 예를 들어, 내주면(33c)은 오목상의 회전 포물면이다.　 이러한 내주면(33c)을 따라서 제4 전계 E4가 발생하기 때문에, 리플렉터(33)는 제4 전계 E4에 의해 입자(C)를 Z축을 따르는 방향, 또는 그에 가까운 방향으로 반사시키는 것이 가능하다.　 또한, 내주면(33c)은 당해 내주면(33c)을 향하여 튀는 입자(C)를, Z축을 따르는 방향으로 반사시키는 것이 가능한 다른 형상을 가져도 된다.
전기적으로 중성이며, 경사 방향과 연직 방향 사이의 각도가 소정의 범위보다도 큰 입자(C)는, 리플렉터(33)에 부착되는 경우가 있다.　 즉, 리플렉터(33)는 경사 방향과 연직 방향 사이의 각도가 소정의 범위 밖인 입자(C)를 차단한다.
콜리메이터(16)의 관통구(47)를 통과한 입자(C)는, 반도체 웨이퍼(2)에 부착 및 퇴적함으로써, 반도체 웨이퍼(2)에 성막된다.　 바꾸어 말하면, 반도체 웨이퍼(2)는 타깃(12)이 방출한 입자(C)를 받는다.　 관통구(47)를 통과한 입자(C)의 배향(방향)은 연직 방향에 대하여 소정의 범위 내에서 정렬된다.　 이와 같이, 콜리메이터(16)의 형상에 의해, 반도체 웨이퍼(2)에 성막되는 입자(C)의 방향이 제어된다.
반도체 웨이퍼(2)에 성막되는 입자(C)의 막의 두께가 원하는 두께에 도달할 때까지의 동안, 마그네트(14)가 이동한다.　 마그네트(14)가 이동함으로써, 플라스마(P)가 이동하고, 타깃(12)을 균일하게 삭감할 수 있다.
제1 내지 제4 전계 E1 내지 E4의 전계 강도는, 예를 들어, 타깃(12)의 재료와 같은, 다양한 조건에 따라서 설정된다.　 예를 들어, 제어 장치(64)는 입력 장치(98)에 입력된 조건에 따라, 제1 내지 제4 전계 E1 내지 E4의 전계 강도를 설정한다.　 입력된 조건에 따른 제1 내지 제4 전계 E1 내지 E4의 전계 강도에 관한 정보가 스토리지(94)에 기억되어 있어도 되고, 입력된 조건에 기초하여 CPU(91)가 제1 내지 제4 전계 E1 내지 E4의 전계 강도를 산출해도 된다.　 또한, 스퍼터 장치(1)의 유저가, 입력 장치(98)로 제1 내지 제4 전계 E1 내지 E4의 전계 강도를 설정해도 된다.
제1 내지 제4 전계 E1 내지 E4의 전계 강도는, 스퍼터링의 도중에 변경되어도 된다.　 예를 들어, 반도체 웨이퍼(2)에 성막된 막의 두께가 증가함에 따라서, 제어 장치(64)가 제1 내지 제4 전원(81 내지 84)을 제어하여, 제1 내지 제4 전계 E1 내지 E4의 전계 강도를 변화시켜도 된다.
본 실시 형태의 콜리메이터(16)는 예를 들어, 3D 프린터에 의해 적층 조형된다.　 이에 의해, 3개의 콜리메이트부(31)와, 2개의 개재 부재(32)와, 리플렉터(33)와, 제1 가스킷(34)과, 제2 가스킷(35)을 갖는 콜리메이터(16)가 용이하게 제조될 수 있다.　 또한, 콜리메이터(16)는 이에 한정하지 않고, 다른 방법으로 만들어져도 된다.
콜리메이터(16)에 3개의 콜리메이트부(31)와, 2개의 개재 부재(32)와, 리플렉터(33)와, 제1 가스킷(34)와, 제2 가스킷(35)은, 서로 고정된다.　 예를 들어, 콜리메이터(16)에 3개의 콜리메이트부(31)와, 2개의 개재 부재(32)와, 리플렉터(33)와, 제1 가스킷(34)과, 제2 가스킷(35)이 일체로 형성된다.　 또한, 콜리메이터(16)에 3개의 콜리메이트부(31)와, 2개의 개재 부재(32)와, 리플렉터(33)와, 제1 가스킷(34)과, 제2 가스킷(35)이 예를 들어, 서로 접착되어도 된다.
콜리메이터(16)에 3개의 콜리메이트부(31)와, 2개의 개재 부재(32)와, 리플렉터(33)와, 제1 가스킷(34)과, 제2 가스킷(35)은, 서로 분리 가능해도 된다.　 예를 들어, 독립된 부품인 3개의 콜리메이트부(31)와, 2개의 개재 부재(32)와, 리플렉터(33)와, 제1 가스킷(34)과, 제2 가스킷(35)이 서로 적층할 수 있다.　 이 경우, 3개의 콜리메이트부(31)와, 2개의 개재 부재(32)와, 리플렉터(33)와, 제1 가스킷(34)과, 제2 가스킷(35)이 용이하게 제조될 수 있다.
제1 실시 형태에 따른 스퍼터 장치(1)에 있어서, 제3 전원 장치(63)는 3개의 콜리메이트부(31)와 리플렉터(33)에, 입자(C)가 갖는 전하와 정부가 동일한 전압을 인가한다.　 입자(C)가 타깃(12)으로부터 3개의 콜리메이트부(31) 또는 리플렉터(33)를 향하여 방출된 경우, 입자(C)와, 3개의 콜리메이트부(31) 또는 리플렉터(33) 간에 척력이 발생한다.　 이에 의해, 입자(C)가 콜리메이터(16)에 부착되는 것이 억제되어, 입자(C)가 반도체 웨이퍼(2)에 도달하기 쉬워진다.　 따라서, 입자(C)의 이용 효율의 저하가 억제된다.　 바꾸어 말하면, 반도체 웨이퍼(2)에 도달하지 않는 입자(C)의 수를 저감시킬 수 있다.
콜리메이터(16)는 3개의 콜리메이트부(31A, 31B, 31C)를 갖는다.　 제3 전원 장치(63)는 3개의 콜리메이트부(31A, 31B, 31C)에 다른 전압을 인가하는 것이 가능하다.　 예를 들어, 콜리메이트부(31B)에 인가되는 전압이 콜리메이트부(31A)에 인가되는 전압보다도 높게 된다.　 이 경우, 입자(C)가 콜리메이트부(31A)의 관통구(47)로부터 콜리메이트부(31B)의 관통구(47)를 향함에 따라서, 당해 입자(C)에 강한 척력이 작용하고, 입자(C)가 콜리메이트부(31B)의 관통구(47)의 중앙을 향하여 이동된다.　 이에 의해, 입자(C)의 이용 효율의 저하가 억제됨과 함께, 반도체 웨이퍼(2)에 부착된 입자(C)의 분포의 변동이 억제된다.　 콜리메이트부(31A)에 인가되는 전압과 콜리메이트부(31B)에 인가되는 전압은 이에 한정하지 않고, 콜리메이트부(31A)에 인가되는 전압이 콜리메이트부(31B)에 인가되는 전압보다 높아도 된다.　 또한, 콜리메이트부(31A)에 인가되는 전압과 콜리메이트부(31B)에 인가되는 전압이 동일해도 된다.　 3개의 콜리메이트부(31)에 인가되는 전압이 조정됨으로써, 입자(C)의 이용 효율의 저하가 억제된다.
절연성을 갖는 개재 부재(32A, 32B)가, 3개의 콜리메이트부(31A, 31B, 31C)의 사이에 배치된다.　 이에 의해, 3개의 콜리메이트부(31A, 31B, 31C) 간이 도통하는 것이 억제되어, 3개의 콜리메이트부(31A, 31B, 31C)에 서로 다른 전압이 인가되는 것이 가능하게 된다.
개재 부재(32A, 32B)도 각각, 복수의 벽(45)을 갖고, 복수의 관통구(47)를 형성한다.　 그리고, 3개의 콜리메이트부(31)의 관통구(47)와, 2개의 개재 부재(32A, 32B)의 관통구(47)는 서로 접속된다.　 즉, 3개의 콜리메이트부(31)와 2개의 개재 부재(32)는, 1개의 콜리메이터를 형성한다.　 이에 의해, 3개의 콜리메이트부(31A, 31B, 31C) 간이 도통하는 것이 억제된다.　 또한, 3개의 콜리메이트부(31)와 2개의 개재 부재(32)가 비스듬히 튀는 동시에 전기적으로 중성인 입자(C)를 차단할 수 있다.
3개의 콜리메이트부(31A, 31B, 31C)와, 2개의 개재 부재(32A, 32B)가 서로 고정된다.　 이에 의해, 3개의 콜리메이트부(31)와 2개의 개재 부재(32)의 관통구(47)가 어긋남으로써, 입자(C)의 이용 효율이 변화하는 것이 억제된다.
리플렉터(33)는 상벽(21)의 적어도 일부를 둘러싸고, Z축을 따르는 방향과, X축 또는 Y축을 따르는 방향 사이의 비스듬히 하방향을 향하는 내주면(33c)을 갖는다.　 제3 전원 장치(63)는 이 리플렉터(33)에, 입자(C)가 갖는 전하와 정부가 동일한 전압을 인가한다.　 비스듬히 방출된 입자(C)가 리플렉터(33)를 향하여 튈 경우, 입자(C)와 리플렉터(33) 간에 척력이 발생한다.　 내주면(33c)이 비스듬히 하방향을 향하기 때문에, 척력에 의해 리플렉터(33)로부터 반사된 입자(C)는, 스테이지(13)를 향하여 튄다.　 이에 의해, 입자(C)가 반도체 웨이퍼(2)에 도달하기 쉬워져, 입자(C)의 이용 효율의 저하가 억제된다.
리플렉터(33)의 내주면(33c)은 스테이지(13)에 대하여 오목해지는 곡면이다.　 이에 의해, 척력에 의해 리플렉터(33)로부터 입자(C)가 반사되는 방향이, 스테이지(13)를 향하기 쉬워진다.　 예를 들어, 내주면(33c)은 당해 내주면(33c)을 향하여 튀는 입자(C)를, Z축을 따르는 방향으로 반사시키는 것이 가능한 오목상의 회전 포물면이다.　 따라서, 입자(C)가 반도체 웨이퍼(2)에 도달하기 쉬워져, 입자(C)의 이용 효율의 저하가 억제된다.
이상 설명된 제1 실시 형태에 있어서, 콜리메이터(16)는 3개의 콜리메이트부(31)를 갖는다.　 그러나, 콜리메이터(16)는 2개의 콜리메이트부(31), 또는 3개보다 많은 콜리메이트부(31)를 가져도 된다.
도 7은, 제1 실시 형태의 변형예에 관한 스퍼터 장치(1)의 일부를 도시하는 단면도이다.　 도 7에 도시하는 바와 같이, 2개의 개재 부재(32)는 각각, 프레임(41)을 갖고, 정류부(42)를 갖지 않아도 된다.　 바꾸어 말하면, 2개의 개재 부재(32)는 각각, 환상으로 형성되어도 된다.
3개의 콜리메이트부(31)와, 환상의 2개의 개재 부재(32)는, 각각 독립의 부품으로서 형성된다.　 예를 들어, 3개의 콜리메이트부(31)와, 환상의 2개의 개재 부재(32)를 적층할 수 있다.　 이에 의해, 콜리메이터(16)가 용이하게 형성된다.
이하에, 제2 실시 형태에 대해서, 도 8을 참조하여 설명한다.　 또한, 이하의 복수의 실시 형태의 설명에 있어서, 이미 설명된 구성 요소와 동일한 기능을 갖는 구성 요소는, 당해 이미 설명한 구성 요소와 동일 부호가 부여되고, 또한 설명이 생략되는 경우가 있다.　 또한, 동일 부호가 첨부된 복수의 구성 요소는, 모든 기능 및 성질이 공통되는 것만은 아니며, 각 실시 형태에 따른 다른 기능 및 성질을 갖고 있어도 된다.
도 8은, 제2 실시 형태에 따른 콜리메이터(16)의 일부를 도시하는 단면도이다.　 도 8에 도시하는 바와 같이, 콜리메이트부(31)의 벽(45)은 2개의 내면(45c)을 갖는다.　 내면(45c)은 관통구(47)를 형성한다.　 바꾸어 말하면, 내면(45c)은 관통구(47)에 면한다.　 1개의 벽(45)에 있어서, 한쪽 내면(45c)은 다른 쪽 내면(45c)의 반대측에 위치한다.　 콜리메이트부(31A)의 내면(45c)은 제1 내면의 일례이다.　 콜리메이트부(31B)의 내면(45c)은 제2 내면의 일례이다.
콜리메이트부(31A)의 벽(45)의 하단부면(45b)은 콜리메이트부(31B)의 벽(45)의 상단부면(45a)을 향한다.　 콜리메이트부(31A)의 벽(45)의 하단부면(45b)은 제1 단부면의 일례이다.　 콜리메이트부(31B)의 벽(45)의 상단부면(45a)은 제2 단부면의 일례이다.　 콜리메이트부(31A)의 벽(45)의 하단부면(45b)과, 콜리메이트부(31B)의 벽(45)의 상단부면(45a) 사이에 개재 부재(32A)가 배치된다.
개재 부재(32)의 벽(45)은 돌출부(101)와, 오목부(102)를 형성한다.　 개재 부재(32)의 벽(45)은 돌출부(101)와, 오목부(102) 중 한쪽만을 가져도 된다.　 또한, 개재 부재(32A, 32B) 중 한쪽이, 돌출부(101)와, 오목부(102)과 중 적어도 한쪽을 형성해도 된다.
돌출부(101)는 개재 부재(32)의 벽(45)이 고정된 콜리메이트부(31)의 벽(45)의 내면(45c)이 향하는 방향에 있어서, 당해 내면(45c)으로부터 돌출된다.　 예를 들어, 개재 부재(32A)의 돌출부(101)는 콜리메이트부(31A 또는 31B)의 벽(45)의 내면(45c)이 향하는 방향에 있어서, 당해 내면(45c)으로부터 돌출된다.　 돌출부(101)의 표면은 곡면이다.
오목부(102)는 개재 부재(32)의 벽(45)이 고정된 콜리메이트부(31)의 벽(45)의 내면(45c)이 향하는 방향에 있어서, 당해 내면(45c)으로부터 오목해진다.　 예를 들어, 개재 부재(32A)의 오목부(102)는 콜리메이트부(31A 또는 31B)의 벽(45)의 내면(45c)이 향하는 방향에 있어서, 당해 내면(45c)으로부터 오목해진다.　 오목부(102)의 표면은 곡면이다.
돌출부(101)와 오목부(102)는, 서로 원활하게 접속된다.　 바꾸어 말하면, 돌출부(101)와 오목부(102)는, 예각인 부분을 만드는 일 없이 연속된다.　 Z축을 따르는 방향에 있어서, 돌출부(101)는 오목부(102)보다도 상벽(21)에 가깝다.
경사 방향과 연직 방향 사이의 각도가 소정의 범위보다도 큰 입자(C)는, 개재 부재(32)의 벽(45)에 부착되는 경우가 있다.　 돌출부(101)의 스테이지(13)를 향하는 부분은, 타깃(12)에 대하여 음으로 되어, 입자(C)가 부착되기 어렵다.　 오목부(102)의 스테이지(13)로 향하는 부분은, 타깃(12)이 대하여 음으로 되어, 입자(C)가 부착되기 어렵다.
제2 실시 형태의 스퍼터 장치(1)에 있어서, 개재 부재(32)의 벽(45)은 콜리메이트부(31)의 벽(45)의 내면(45c)으로부터 돌출되는 돌출부(101)와, 내면(45c)으로부터 오목해지는 오목부(102), 중 적어도 한쪽을 형성한다.　 개재 부재(32)가 돌출부(101)를 형성하는 경우, 타깃(12)으로부터 방출된 입자(C)는, 돌출부(101)의 타깃(12)에 가까운 부분에 부착되지만, 돌출부(101)의 타깃(12)으로부터 먼 부분에 부착되기 어렵다.　 개재 부재(32)가 오목부(102)를 형성하는 경우, 타깃(12)으로부터 방출된 입자(C)는, 오목부(102)의 타깃(12)으로부터 먼 부분에 부착되지만, 오목부(102)의 타깃(12)에 가까운 부분에 부착되기 어렵다.　 이와 같이, 개재 부재(32)의 벽(45)에, 입자(C)가 부착되기 어려운 부분이 형성되기 때문에, 입자(C)에 의해 3개의 콜리메이트부(31)가 서로 도통하는 것이 억제된다.
이하에, 제3 실시 형태에 대해서, 도 9를 참조하여 설명한다.　 도 9는, 제3 실시 형태에 따른 콜리메이터(16)의 일부를 도시하는 단면도이다.　 도 9에 도시하는 바와 같이, 제3 실시 형태의 개재 부재(32)의 벽(45)은 개재 부재(32)의 벽(45)이 고정된 콜리메이트부(31)의 벽(45)의 내면(45c)이 향하는 방향에 있어서, 당해 콜리메이트부(31)의 벽(45)의 한쪽 내면(45c)과 다른 쪽 내면(45c) 사이에 위치한다.
예를 들어, 개재 부재(32A)의 벽(45)은 콜리메이트부(31A)의 벽(45)의 한쪽 내면(45c)과, 다른 쪽 내면(45c) 사이에 위치한다.　 또한, 개재 부재(32A)의 벽(45)은 콜리메이트부(31B)의 벽(45)의 한쪽 내면(45c)과, 다른 쪽 내면(45c) 사이에 위치한다.　 바꾸어 말하면, 개재 부재(32)의 벽(45)의 두께는, 콜리메이트부(31)의 벽(45)의 두께보다도 얇다.
개재 부재(32)의 벽(45)이 콜리메이트부(31)의 벽(45)의 한쪽 내면(45c)과 다른 쪽 내면(45c) 사이에 위치하기 때문에, 개재 부재(32)의 벽(45)은 오목부(102)를 형성한다.　 제3 실시 형태에 있어서의 오목부(102)는 예를 들어, 개재 부재(32A)의 벽(45)과, 콜리메이트부(31A)의 벽(45)의 하단부면(45b)과, 콜리메이트부(31B)의 벽(45)의 상단부면(45a)에 의해 형성된다.
콜리메이트부(31)의 벽(45)의 내면(45c)이 향하는 방향에 있어서, 콜리메이트부(31)의 벽(45)의 상단부면(45a) 및 하단부면(45b) 중 적어도 한쪽은, 볼록면(105)과, 오목면(106)을 갖는다.　 볼록면(105)은 곡면의 일례이다.
예를 들어, 콜리메이트부(31A)의 벽(45)의 하단부면(45b)은 볼록면(105)과 오목면(106)을 갖는다.　 볼록면(105)은 오목면(106)보다도, 내면(45c)에 가깝다.　 콜리메이트부(31A)의 하단부면(45b)의 볼록면(105)은 콜리메이트부(31B)의 벽(45)의 상단부면(45a)을 향하여 돌출되는 곡면이다.　 오목면(106)은 콜리메이트부(31B)의 벽(45)의 상단부면(45a)에 대하여 오목해지는 곡면이다.
콜리메이트부(31B)의 벽(45)의 상단부면(45a)도, 볼록면(105)과 오목면(106)을 갖는다.　 볼록면(105)은 오목면(106)보다도, 내면(45c)에 가깝다.　 콜리메이트부(31B)의 상단부면(45a)의 볼록면(105)은 콜리메이트부(31A)의 벽(45)의 하단부면(45b)을 향하여 돌출되는 곡면이다.　 오목면(106)은 콜리메이트부(31A)의 벽(45)의 하단부면(45b)에 대하여 오목해지는 곡면이다.　 또한, 콜리메이트부(31B)의 벽(45)의 상단부면(45a)은 예를 들어, 볼록면(105) 및 오목면(106)을 갖지 않고, 평탄하여도 된다.
콜리메이트부(31A)의 하단부면(45b)의 볼록면(105)과, 콜리메이트부(31B)의 상단부면(45a)의 볼록면(105)이 대향한다.　 또한, 콜리메이트부(31A)의 하단부면(45b)의 오목면(106)과, 콜리메이트부(31B)의 상단부면(45a)의 오목면(106)이 대향한다.　 이 때문에, Z축을 따르는 방향에 있어서의 콜리메이트부(31A)의 하단부면(45b)과 콜리메이트부(31B)의 상단부면(45a) 사이의 거리는, 내면(45c)으로부터 개재 부재(32A)를 향함에 따라서 커진다.
콜리메이트부(31A)의 하단부면(45b)의 볼록면(105)과, 콜리메이트부(31B)의 상단부면(45a)의 볼록면(105) 사이의 거리로 하고, 충분한 절연 거리가 확보된다.　 바꾸어 말하면, 콜리메이트부(31A)의 하단부면(45b)의 볼록면(105)과, 콜리메이트부(31B)의 상단부면(45a)의 볼록면(105) 사이의 거리는, 절연 파괴가 억제되는 거리로 설정된다.
경사 방향과 연직 방향 사이의 각도가 소정의 범위보다도 큰 입자(C)는, 2개의 콜리메이트부(31)의 사이를 향하여 튀는 경우가 있다.　 대향하는 2개의 콜리메이트부(31)의 상단부면(45a) 및 하단부면(45b)이 볼록면(105) 및 오목면(106)을 갖기 때문에, 입자(C)가 튀는 방향과, 대향하는 2개의 콜리메이트부의 사이의 간극으로부터 개재 부재(32)를 향하는 방향의 입체 각도가 커진다.　 이 때문에, 입자(C)가 개재 부재(32)에 부착되기 어렵다.
3개의 콜리메이트부(31)에, 각각 전압이 인가된다.　 대향하는 2개의 콜리메이트부(31)의 볼록면(105)이 각각 곡면이기 때문에, 2개의 콜리메이트부(31)의 사이에 절연 파괴가 발생하기 어렵다.
입자(C)가 콜리메이터(16)에 부착된 상태에서, 콜리메이터(16)의 온도가 변화하면, 콜리메이터(16)에 부착된 입자(C)가 스트레스에 의해 박리되는 경우가 있다.　 볼록면(105) 및 오목면(106)은 곡면이다.　 이 때문에, 볼록면(105) 및 오목면(106)에 입자(C)가 부착된 경우에, 입자(C)가 볼록면(105) 및 오목면(106)으로부터 박리되기 어렵다.
볼록면(105)은 오목면(106)보다도 벽(45)의 내면(45c)에 가깝다.　 입자(C)가, 예를 들어, 콜리메이트부(31)의 벽(45)의 상단부면(45a)에 부착되는 경우가 있다.　 오목면(106)이 설치되기 때문에, 박리한 입자(C)는, 관통구(47)로부터 떨어지기 보다도, 오목면(106)을 향하기 쉽다.　 이 때문에, 처리실(11a)에, 입자(C)의 더스트가 발생하는 것이 억제된다.
제3 실시 형태의 스퍼터 장치(1)에 있어서, 서로 대향하는 콜리메이트부(31A)의 벽(45)의 하단부면(45b)과, 콜리메이트부(31B)의 벽(45)의 상단부면(45a)은 볼록면(105)을 갖는다.　 바꾸어 말하면, 콜리메이트부(31A)의 하단부면(45b)과 콜리메이트부(31B)의 상단부면(45a)은, 절연 파괴를 발생시킬 수 있는 날카로운 돌출부를 갖지 않는다.　 이 때문에, 2개의 콜리메이트부(31A, 31B)의 사이에 절연 파괴가 발생하는 것이 억제된다.
이하에, 제4 실시 형태에 대해서, 도 10을 참조하여 설명한다.　 도 10은, 제4 실시 형태에 따른 스퍼터 장치(1)의 일부를 개략적으로 도시하는 단면도이다.　 도 10에 도시한 바와 같이, 제4 실시 형태의 리플렉터(33)는 3개의 콜리메이트부(31) 및 2개의 개재 부재(32)로부터 독립된 부품이다.　 또한, 제4 실시 형태의 콜리메이터(16)는 도 10에 도시하는 리플렉터(33)에 추가로, 제1 실시 형태의 리플렉터(33)를 더 가져도 된다.
제4 실시 형태의 리플렉터(33)는 제1 실시 형태의 리플렉터(33)보다도 작다.　 리플렉터(33)의 상단(33a)에 있어서의 내주면(33c)의 내경은, X-Y 평면에 있어서의 타깃(12)의 직경보다도 짧다.　 또한, 리플렉터(33)의 하단(33b)에 있어서의 내주면(33c)의 내경도, X-Y 평면에 있어서의 타깃(12)의 직경보다도 짧다.
제4 실시 형태에 있어서, 리플렉터(33)는 마그네트(14)의 하방에 위치한다.　 상세하게 설명하면, Z축을 따르는 방향으로 평면에서 본 경우, 마그네트(14)는 리플렉터(33)의 개구부(51) 중에 위치한다.
리플렉터(33)는 마그네트(14)와 함께 상벽(21)을 따라서 이동한다.　 예를 들어, 액추에이터에 의해 리플렉터(33)를 이동시킬 수 있다.　 리플렉터(33)는 다른 수단에 의해 이동시킬 수 있어도 된다.
상술한 바와 같이, 타깃(12)에 전압이 인가되면, 플라스마(P)가 발생한다.　 플라스마(P)는, 마그네트(14)의 근방에서 발생한다.　 이 때문에, 리플렉터(33)는 플라스마(P)를 둘러싼다.　 바꾸어 말하면, 리플렉터(33)의 내부에 플라스마(P)가 발생한다.　 입자(C)는, 타깃(12)의, 리플렉터(33)에 둘러싸인 부분으로부터 방출된다.
제4 전원(84)이 리플렉터(33)에 정의 전압을 인가함으로써, 리플렉터(33)는 제4 전계 E4를 발생한다.　 제4 전계 E4는, 이온인 입자(C)에 척력을 작용시킨다.　 이러한 리플렉터(33)가 입자(C)가 방출되는 부분을 둘러싸기 때문에, 이온인 입자(C)는, 리플렉터(33)에 반사되어 스테이지(13)를 향하기 쉽다.
제1 실시 형태와 동일하게, 리플렉터(33)의 내주면(33c)은 스테이지(13)에 대하여 오목해지는 곡면이다.　 예를 들어, 내주면(33c)은 오목상의 회전 포물면이다.　 이러한 내주면(33c)을 따라서 제4 전계 E4가 발생하기 때문에, 리플렉터(33)는 제4 전계 E4에 의해 입자(C)를 Z축을 따르는 방향, 또는 그것에 가까운 방향으로 반사시키는 것이 가능하다.　 또한, 내주면(33c)은 당해 내주면(33c)을 향하여 튀는 입자(C)를, Z축을 따르는 방향으로 반사시키는 것이 가능한 다른 형상을 가져도 된다.
마그네트론 스퍼터링에 있어서, 플라스마(P)는 마그네트(14)의 근방에 발생한다.　 제4 실시 형태의 스퍼터 장치(1)에 있어서, 리플렉터(33)가 마그네트(14)와 함께 이동하기 때문에, 리플렉터(33)를 발생하는 플라스마(P)를 둘러싸는 크기로 형성하는 것이 가능하다.　 이 경우, 마그네트(14)의 이동과 함께 이동하는 플라스마(P)를, 마그네트(14)의 이동과 함께 이동하는 리플렉터(33)가 계속하여 둘러싼다.　 리플렉터(33)가 입자(C)를 발생시키는 플라스마(P)의 근방에 항상 배치되기 때문에, 입자(C)가 리플렉터(33)에 반사되기 쉬워, 입자(C)의 이용 효율의 저하가 억제된다.
이하에, 제5 실시 형태에 대해서, 도 11 및 도 12를 참조하여 설명한다.　 도 11은, 제5 실시 형태에 따른 콜리메이터(16)를 도시하는 단면도이다.　 도 11은, 리플렉터(33)를 생략하여 도시한다.　 제5 실시 형태에 있어서, 리플렉터(33)는 제1 실시 형태와 동일하게, 제2 가스킷(35)을 통하여 콜리메이트부(31A)에 접속되어도 된다.　 또한, 리플렉터(33)는 제4 실시 형태와 동일하게, 3개의 콜리메이트부(31) 및 2개의 개재 부재(32)로부터 독립된 부품이어도 된다.
도 11에 도시한 바와 같이, 제5 실시 형태의 콜리메이터(16)에 있어서, 콜리메이트부(31C)는 프레임(41)을 갖지 않고, 정류부(42)를 갖는다.　 한편, 콜리메이트부(31A, 31B)는 각각, 프레임(41)과, 정류부(42)를 갖는다.　 또한, 개재 부재(32B)는 프레임(41)을 갖지 않고, 정류부(42)를 갖는다.　 한편, 개재 부재(32A)는 프레임(41)과, 정류부(42)를 갖는다.
제5 실시 형태에 있어서, 정류부(42)의 상단부(42a) 및 하단부(42b)는 대략 평탄하게 형성된다.　 또한, 정류부(42)의 상단부(42a)는 제1 실시 형태와 동일하게, 타깃(12) 및 상벽(21)의 설치면(21a)에 대하여 곡면상으로 오목해져도 된다.　 또한, 정류부(42)의 하단부(42b)는 스테이지(13)에 지지된 반도체 웨이퍼(2) 및 스테이지(13)의 적재면(13a)을 향하여 돌출해도 된다.
콜리메이트부(31C)는 X-Y 평면에 있어서, 콜리메이트부(31A)보다도 작고, 또한 콜리메이트부(31B)보다도 작다.　 X축을 따르는 방향, 및 Y축을 따르는 방향에 있어서, 콜리메이트부(31C)는 콜리메이트부(31A)의 프레임(41)의 내측에 위치함과 함께, 콜리메이트부(31B)의 내측에 위치한다.　 X축을 따르는 방향, 및 Y축을 따르는 방향에 있어서, 콜리메이트부(31C)의 양단부는, 콜리메이트부(31A)의 양단부로부터 이격됨과 함께, 콜리메이트부(31B)의 양단부로부터 이격된다.
제1 전원(81)은 제1 실시 형태와 동일하게, 콜리메이트부(31A)의 프레임(41)에 접촉하는 제1 전극(71)을 통하여, 콜리메이트부(31A)에 전기적으로 접속된다.　 제2 전원(82)은 제1 실시 형태와 동일하게, 콜리메이트부(31B)의 프레임(41)에 접촉하는 제2 전극(72)을 통하여, 콜리메이트부(31B)에 전기적으로 접속된다.
도 12는, 제5 실시 형태의 콜리메이터(16)의 일부를 도시하는 단면도이다.　 도 12에 도시하는 바와 같이, 콜리메이터(16)는 제1 배선(111)과, 피복부(112)를 갖는다.　 제1 배선(111)은 예를 들어, 도전부, 도전체, 또는 접속부라고도 칭해질 수 있다.
제1 배선(111)은 예를 들어, 알루미늄과 같은 도전체에 의해 만들어진다.　 즉, 제1 배선(111)은 콜리메이트부(31)의 재료와 동일한 재료에 의해 만들어진다.　 제1 배선(111)의 재료는, 콜리메이트부(31)의 재료와 상이해도 된다.
제1 배선(111)의 한쪽 단부(111a)는 콜리메이트부(31C)의 벽(45)의 상단부면(45a)에 접속된다.　 제1 배선(111)의 다른 쪽 단부(111b)는, 개재 부재(32A)의 프레임(41)의 외주면(41b)에 있어서 노출된다.
제1 배선(111)의 다른 쪽 단부(111b)는, 예를 들어, 제3 전극(73)에 접촉하는 전극을 형성한다.　 제1 배선(111)의 다른 쪽 단부(111b)의 단면적은, 제1 배선(111)의 다른 부분 단면적보다 크다.　 제1 배선(111)의 다른 쪽 단부(111b)와, 콜리메이트부(31A)의 프레임(41) 사이는 개재 부재(32A)에 의해 절연된다.　 또한, 제1 배선(111)의 다른 쪽 단부(111b)와, 콜리메이트부(31B)의 프레임(41) 사이는 개재 부재(32A)에 의해 절연된다.
제1 배선(111)은 콜리메이트부(31B)의 벽(45)과, 개재 부재(32A, 32B)의 벽(45)의 내부를 통과한다.　 예를 들어, 콜리메이트부(31C)의 벽(45)에 접속된 제1 배선(111)은 개재 부재(32B)의 벽(45)과, 콜리메이트부(31B)의 벽(45)을 Z축을 따르는 방향으로 관통한다.　 그리고, 제1 배선(111)은 개재 부재(32A)의 복수의 벽(45)의 내부를 통과하여, 개재 부재(32A)의 프레임(41)까지 연장된다.
피복부(112)는 콜리메이트부(31B)의 내부를 통과하는 제1 배선(111)을 덮고, 콜리메이트부(31B)의 내부를 통과하는 제1 배선(111)과, 콜리메이트부(31B) 사이에 개재된다.　 피복부(112)는 세라믹과 같은 절연성의 재료에 의해 만들어진다.　 피복부(112)는 콜리메이트부(31B)의 내부를 통과하는 제1 배선(111)과, 콜리메이트부(31B) 사이를 절연한다.
제1 배선(111)의 단부(111b)에, 제3 전극(73)이 접촉한다.　 이에 의해, 제3 전원(83)은 제3 전극(73) 및 제1 배선(111)을 통하여, 콜리메이트부(31C)에 전기적으로 접속된다.　 바꾸어 말하면, 제1 배선(111)은 제3 전원(83)과, 콜리메이트부(31C)의 복수의 벽(45)을 전기적으로 접속한다.　 이와 같이, 콜리메이트부(31C)는 제5 실시 형태에 있어서의 제2 콜리메이터의 일례이다.
제5 실시 형태의 스퍼터 장치(1)에 있어서, 제3 전원(83)과 콜리메이트부(31C)를 접속하는 제1 배선(111)이 콜리메이트부(31B) 및 개재 부재(32A, 32B)의 내부를 통과한다.　 이에 의해, 예를 들어, 제1 배선(111)이 스퍼터 장치(1)에 있어서의 플라스마(P)의 발생에 영향을 미치는 것이 억제된다.　 예를 들어, 제1 배선(111)이 콜리메이터(16)로부터 돌출되는 경우, 당해 제1 배선(111)이 전극으로서 기능하고, 플라스마(P)의 발생을 방해하는 경우가 있다.
도 13은, 제5 실시 형태의 변형예에 관한 콜리메이터(16)의 일부를 도시하는 단면도이다.　 도 13에 도시하는 바와 같이, 제1 배선(111)은 콜리메이트부(31B)와, 개재 부재(32B)의 내부를 통과해도 된다.　 예를 들어, 콜리메이트부(31C)의 벽(45)에 접속된 제1 배선(111)은 개재 부재(32B)의 벽(45)을 Z축을 따르는 방향으로 관통한다.　 그리고, 제1 배선(111)은 콜리메이트부(31B)의 복수의 벽(45)의 내부를 통과하여, 콜리메이트부(31B)의 프레임(41)까지 연장된다.
제5 실시 형태의 변형예에 있어서, 제1 배선(111)의 단부(111b)는, 콜리메이트부(31B)의 프레임(41)의 외주면(41b)에 있어서 노출한다.　 피복부(112)는 제1 배선(111)의 단부(111b)와, 콜리메이트부(31B)의 프레임(41) 사이를 절연한다.
이하에, 제6 실시 형태에 대해서, 도 14를 참조하여 설명한다.　 도 14는, 제6의 실시 형태에 따른 콜리메이터(16)를 도시하는 단면도이다.　 도 16에 있어서, 개재 부재(32A, 32B)는 각각, 전기 저항이다.　 즉, 제6 실시 형태의 개재 부재(32A, 32B)는, 저항의 일례이다.
전기 저항인 개재 부재(32A)는 콜리메이트부(31A)와 콜리메이트부(31B) 사이에 개재하여, 콜리메이트부(31A)와 콜리메이트부(31B)를 접속한다.　 전기 저항인 개재 부재(32B)는 콜리메이트부(31B)와 콜리메이트부(31C) 사이에 개재하여, 콜리메이트부(31B)와 콜리메이트부(31C)를 접속한다.　 즉, 3개의 콜리메이트부(31)와 2개의 개재 부재(32)가 전기적으로 직렬로 접속된다.
제6 실시 형태에 있어서, 제3 전원 장치(63)는 제1 전원(81)과 제4 전원(84)을 갖고, 제2 전원(82)과 제3 전원(83)을 갖지 않는다.　 제1 전원(81)은 콜리메이트부(31A)에 전기적으로 접속된다.
제1 전원(81)이 콜리메이트부(31A)에 전압을 인가한다.　 이 때문에, 전기 저항인 개재 부재(32A)를 통하여, 콜리메이트부(31B)에도 전압이 인가된다.　 또한, 개재 부재(32A), 콜리메이트부(31B), 및 개재 부재(32B)를 통하여, 콜리메이트부(31C)에도 전압이 인가된다.
전기 저항인 개재 부재(32A, 32B)에 의해, 콜리메이트부(31A)에 인가되는 전압과, 콜리메이트부(31B)에 인가되는 전압과, 콜리메이트부(31C)에 인가되는 전압이 상이하다.　 즉, 제1 전원(81)은 3개의 콜리메이트부(31)에 서로 다른 전압을 인가한다.　 또한, 콜리메이트부(31B)에만, 또는 콜리메이트부(31C)에만 전압이 인가되어도 된다.
제6 실시 형태의 스퍼터 장치(1)에 있어서, 콜리메이트부(31A)와 콜리메이트부(31B) 사이에 전기 저항인 개재 부재(32A)가 설치된다.　 제3 전원 장치(63)는 콜리메이트부(31A)에 전압을 인가한다.　 개재 부재(32A)는 콜리메이트부(31A)에 인가되는 전압과 콜리메이트부(31B)에 인가되는 전압을 상이하게 한다.　 이에 의해, 3개의 콜리메이트부(31)에 개별로 전압을 인가하지 않고, 제3 전원 장치(63)가 3개의 콜리메이트부(31)에 서로 다른 전압을 인가할 수 있다.
이하에, 제7 실시 형태에 대해서, 도 15 및 도 16을 참조하여 설명한다.　 도 15는, 제7 실시 형태에 따른 콜리메이터(16)를 도시하는 평면도이다.　 도 16은, 제7 실시 형태의 콜리메이터(16)의 일부를 도시하는 단면도이다.
도 16에 도시하는 바와 같이, 제7 실시 형태의 콜리메이터(16)는 1개의 콜리메이트부(31)를 갖는다.　 당해 콜리메이트부(31)의 정류부(42)는 복수의 벽(45)과, 절연부(121)와, 제2 배선(122)과, 제3 배선(123)을 갖는다.　 제2 배선(122) 및 제3 배선(123)은 각각, 제2 배선의 일례이다.
복수의 벽(45)은 복수의 벽(45A)과, 복수의 벽(45B)과, 복수의 벽(45C)을 포함한다.　 복수의 벽(45A)은 복수의 제4 벽 및 복수의 제1 벽부의 일례이다.　 복수의 벽(45B) 및 복수의 벽(45C)은 각각, 복수의 제5 벽 및 복수의 제2 벽부의 일례이다.　 복수의 벽(45A, 45B, 45C)을 포함하는 복수의 벽(45)은 제1 실시 형태와 동일하게, 복수의 관통구(47)를 형성한다.　 복수의 벽(45A)에 의해 형성된 관통구(47)와, 복수의 벽(45B)에 의해 형성된 관통구(47)와, 복수의 벽(45C)에 의해 형성된 관통구(47)는, 병행으로 배치된다.　 바꾸어 말하면, 복수의 벽(45A)에 의해 형성된 관통구(47)와, 복수의 벽(45B)에 의해 형성된 관통구(47)와, 복수의 벽(45C)에 의해 형성된 관통구(47)는, 관통구(47)가 연장하는 방향과 직교하는 가상 평면(X-Y 평면) 상에 배치된다.
도 15에 도시한 바와 같이, 복수의 벽(45A)은 서로 접속된다.　 복수의 벽(45B)은 서로 접속된다.　 복수의 벽(45C)은 서로 접속된다.　 복수의 벽(45B)은 프레임(41)의 직경 방향에 있어서, 복수의 벽(45A)과 복수의 벽(45C) 사이에 위치한다.　 즉, 복수의 벽(45A)은 프레임(41)의 내부에 있어서, 복수의 벽(45B) 및 복수의 벽(45C)보다도 외측에 위치한다.　 또한, 복수의 벽(45C)은 프레임(41)의 내부에 있어서, 복수의 벽(45A) 및 복수의 벽(45B)보다도 내측에 위치한다.
상기한 바와 같이 복수의 벽(45A, 45B, 45C)은, 동심원상으로 배치된다.　 그러나, 복수의 벽(45A, 45B, 45C)은, 예를 들어, 프레임(41)의 내측을 4등분하도록 배치되어도 된다.
도 16에 도시하는 바와 같이, 절연부(121)는 세라믹과 같은 절연성의 재료에 의해 만들어진다.　 절연부(121)는 제1 부분(131)과, 제2 부분(132)과, 제3 부분(133)을 갖는다.　 제1 내지 제3 부분(131 내지 133)은 일체로 형성된다.　 또한, 제1 내지 제3 부분(131 내지 133)은 서로 독립된 부분이어도 된다.
제1 부분(131)은 복수의 벽(45A)과, 복수의 벽(45B) 사이에 개재된다.　 제1 부분(131)은 복수의 벽(45A)과 복수의 벽(45B)을 구획하고, 복수의 벽(45A)과 복수의 벽(45B) 사이를 절연한다.　 복수의 벽(45A)은 서로 전기적으로 접속된다.　 복수의 벽(45B)은 서로 전기적으로 접속된다.　 그러나, 복수의 벽(45A)과 복수의 벽(45B) 사이는 제1 부분(131)에 의해 절연된다.
제2 부분(132)은 복수의 벽(45B)과, 복수의 벽(45C) 사이에 개재된다.　 제2 부분(132)은 복수의 벽(45B)과 복수의 벽(45C)을 구획하고, 복수의 벽(45B)과 복수의 벽(45C) 사이를 절연한다.　 복수의 벽(45B)은 서로 전기적으로 접속된다.　 복수의 벽(45C)은 서로 전기적으로 접속된다.　 그러나, 복수의 벽(45B)과 복수의 벽(45C) 사이의 제2 부분(132)에 의해 절연된다.
복수의 벽(45A)은 프레임(41)에 접속된다.　 복수의 벽(45B) 및 복수의 벽(45C)은 프레임(41)으로부터 이격된다.　 복수의 벽(45B) 및 복수의 벽(45C)과, 프레임(41) 사이는 절연부(121)에 의해 절연된다.
제3 부분(133)은 복수의 벽(45A, 45B, 45C)의 상단부면(45a)을 덮는다.　 제3 부분(133)은 복수의 벽(45A, 45B, 45C)의 하단부면(45b)을 덮어도 된다.　 제3 부분(133)은 제1 부분(131) 및 제2 부분(132)에 접속된다.
제3 부분(133)은 프레임(41)의 상단부면(41c)을 또한 덮는다.　 제3 부분(133)은 프레임(41)의 하단부면(41d)을 덮어도 된다.　 프레임(41)의 상단부면(41c)을 덮는 제3 부분(133)은 외주면(133a)을 갖는다.　 제3 부분(133)의 외주면(133a)은 프레임(41)의 외주면(41b)에 연속된다.
제2 배선(122) 및 제3 배선(123)은 예를 들어, 알루미늄과 같은 도전체에 의해 만들어진다.　 즉, 제2 및 제3 배선(122, 123)은, 콜리메이트부(31)의 재료와 동일한 재료에 의해 만들어진다.　 제2 및 제3 배선(122, 123)의 재료는, 콜리메이트부(31)의 재료와 상이해도 된다.
제2 배선(122)은 절연부(121)의 제3 부분(133)의 내부를 통과한다.　 제2 배선(122)의 한쪽 단부(122a)는 벽(45B)의 상단부면(45a)에 접속된다.　 제2 배선(122)의 다른 쪽 단부(122b)는 제3 부분(133)의 외주면(133a)에 있어서 노출된다.
제3 배선(123)은 절연부(121)의 제3 부분(133)의 내부를 통과한다.　 제3 배선(123)의 한쪽 단부(123a)는 벽(45C)의 상단부면(45a)에 접속된다.　 제3 배선(123)의 다른 쪽 단부(123b)는 제3 부분(133)의 외주면(133a)에 있어서 노출된다.
제2 배선(122) 및 제3 배선(123)은 제1 부분(131) 및 제2 부분(132)의 내부를 통과해도 된다.　 또한, 제2 배선(122) 및 제3 배선(123)은 프레임(41) 및 벽(45)의 내부를 통과해도 된다.　 이 경우, 제2 배선(122) 및 제3 배선(123)과 프레임(41) 및 벽(45) 사이는 절연부(121)의 일부에 의해 절연된다.
제7 실시 형태에 있어서, 제1 전극(71)은 프레임(41)의 외주면(41b)에 접촉한다.　 이 때문에, 제1 전원(81)은 제1 전극(71) 및 프레임(41)을 통하여, 복수의 벽(45A)에 전기적으로 접속된다.　 제1 전극(71) 및 제1 전원(81)은 제3 인가부의 일례이다.
제2 전극(72)은 제2 배선(122)의 단부(122b)에 접촉한다.　 이 때문에, 제2 전원(82)은 제2 전극(72) 및 제2 배선(122)을 통하여, 복수의 벽(45B)에 전기적으로 접속된다.　 바꾸어 말하면, 제2 배선(122)은 복수의 벽(45B)과 제2 전원(82)을 전기적으로 접속한다.　 제2 전극(72) 및 제2 전원(82)은 제4 인가부의 일례이다.
제3 전극(73)은 제3 배선(123)의 단부(123b)에 접촉한다.　 이 때문에, 제3 전원(83)은 제3 전극(73) 및 제3 배선(123)을 통하여, 복수의 벽(45C)에 전기적으로 접속된다.　 바꾸어 말하면, 제3 배선(123)은 복수의 벽(45C)과 제3 전원(83)을 전기적으로 접속한다.　 제3 전극(73) 및 제3 전원(83)은 제4 인가부의 일례이다.
제1 전원(81)은 제1 전극(71) 및 프레임(41)을 통하여, 복수의 벽(45A)에 정의 전압을 인가한다.　 제2 전원(82)은 제2 전극(72) 및 제2 배선(122)을 통하여, 복수의 벽(45B)에 정의 전압을 인가한다.　 제3 전원(83)은 제3 전극(73) 및 제3 배선(123)을 통하여, 복수의 벽(45C)에 정의 전압을 인가한다.　 정의 전압이 인가된 복수의 벽(45A, 45B, 45C)은 각각, 전계를 발생한다.
제1 내지 제3 전원(81 내지 83)은 복수의 벽(45A, 45B, 45C)에 서로 다른 전압을 인가하는 것이 가능하다.　 예를 들어, 복수의 벽(45A)에 인가되는 전압은, 복수의 벽(45B)에 인가되는 전압과 상이함과 함께, 복수의 벽(45C)에 인가되는 전압과 상이하다.　 이 때문에, 복수의 벽(45A)이 발생하는 전계의 전계 강도와, 복수의 벽(45B)이 발생하는 전계의 전계 강도와, 복수의 벽(45C)이 발생하는 전계의 전계 강도는 상이하다.
제7 실시 형태의 스퍼터 장치(1)에 있어서, 콜리메이터(16)는 복수의 벽(45A)과, 복수의 벽(45B)과, 복수의 벽(45C)을 갖는다.　 제3 전원 장치(63)는 복수의 벽(45A, 45B, 45C)에 서로 다른 전압을 인가하는 것이 가능하다.　 복수의 벽(45A, 45B, 45C)에 인가되는 전압이 각각 조정됨으로써, 입자(C)의 이용 효율의 저하가 억제된다.　 또한, 제2 전원(82)과 복수의 벽(45B)을 전기적으로 접속하는 제2 배선(122)이 절연부(121)의 내부를 통과한다.　 이에 의해, 예를 들어, 제2 배선(122)이 스퍼터 장치(1)에 있어서의 플라스마(P)의 발생에 영향을 미치는 것이 억제된다.　 예를 들어, 제2 배선(122)이 콜리메이터(16)로부터 돌출되는 경우, 당해 제2 배선(122)이 전극으로서 기능하고, 플라스마(P)의 발생을 방해하는 경우가 있다.
이상 설명한 적어도 하나의 실시 형태에 따르면, 전원이, 입자가 갖는 전하와 정부가 동일한 전압을 정류 부재에 인가한다.　 이에 의해, 입자의 이용 효율의 저하가 억제된다.
본 발명의 몇 가지의 실시 형태를 설명했지만, 이들 실시 형태는, 예로서 제시한 것이며, 발명의 범위를 한정하는 것은 의도하고 있지 않다.　 이들 신규의 실시 형태는, 기타의 다양한 형태로 실시되는 것이 가능하고, 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서, 다양한 생략, 치환, 변경을 행할 수 있다.　 이들 실시 형태나 그의 변형은, 발명의 범위나 요지에 포함됨과 함께, 청구범위에 기재된 발명과 그 균등의 범위에 포함된다.

Claims (16)

  1. 물체가 배치되도록 구성된 물체 배치부와,
    상기 물체 배치부로부터 이격된 위치에 배치되고, 상기 물체를 향하여 입자를 방출하는 것이 가능한 입자 발생원이 배치되도록 구성된 발생원 배치부와,
    상기 발생원 배치부로부터 상기 물체 배치부를 향하는 제1 방향에 있어서 상기 물체 배치부와 상기 발생원 배치부 사이에 배치되도록 구성된 정류 부재와,
    상기 정류 부재에, 상기 입자가 갖는 전하와 정부가 동일한 전압을 인가하도록 구성된 전원
    을 구비하는 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 정류 부재는, 제1 콜리메이터와, 제2 콜리메이터를 갖고,
    상기 제1 콜리메이터는, 상기 물체 배치부와 상기 발생원 배치부 사이에 배치되도록 구성되고, 복수의 제1 벽을 갖고, 상기 복수의 제1 벽에 의해 형성되고 상기 제1 방향으로 연장되는 복수의 제1 관통구가 설치되고,
    상기 제2 콜리메이터는, 상기 물체 배치부와 상기 발생원 배치부 사이에서 상기 제1 콜리메이터보다도 상기 물체 배치부에 근처에 배치되도록 구성되고, 복수의 제2 벽을 갖고, 상기 복수의 제2 벽에 의해 형성되고 상기 제1 방향으로 연장되는 복수의 제2 관통구가 설치되고,
    상기 전원은, 상기 제1 콜리메이터와 상기 제2 콜리메이터 중 적어도 한쪽에 전압을 인가하는 것이 가능한,
    처리 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 정류 부재는, 상기 제1 콜리메이터와 상기 제2 콜리메이터 사이에 배치되고, 절연성을 갖는 개재 부재를 갖고,
    상기 전원은, 상기 제1 콜리메이터에 전압을 인가하도록 구성된 제1 인가부와, 상기 제2 콜리메이터에 전압을 인가하도록 구성된 제2 인가부를 갖는
    처리 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 개재 부재는, 상기 복수의 제1 벽에 접속됨과 함께 상기 복수의 제2 벽에 접속된 복수의 제3 벽을 갖고, 상기 복수의 제3 벽에 의해 형성되고 상기 제1 방향으로 연장되는 복수의 제3 관통구가 설치되고,
    상기 복수의 제1 관통구와 상기 복수의 제2 관통구는, 상기 복수의 제3 관통구에 의해 연통되는,
    처리 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 복수의 제1 벽은 각각, 상기 제1 관통구를 형성하는 제1 내면을 갖고,
    상기 복수의 제2 벽은 각각, 상기 제2 관통구를 형성하는 제2 내면을 갖고,
    상기 제3 벽은, 상기 제1 내면이 향하는 방향에 있어서 상기 제1 내면으로부터 돌출되는 돌출부와, 상기 제1 내면이 향하는 방향에 있어서 상기 제1 내면으로부터 오목해지는 오목부 중 적어도 한쪽을 형성하는,
    처리 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제1 벽은, 서로 반대측에 위치하는 2개의 상기 제1 내면과, 상기 제2 벽을 향하는 제1 단부면을 갖고,
    상기 제2 벽은, 서로 반대측에 위치하는 2개의 상기 제2 내면과, 상기 제1 단부면을 향하는 제2 단부면을 갖고,
    상기 제3 벽은, 상기 제1 내면이 향하는 방향에 있어서, 한쪽의 상기 제1 내면과 다른 쪽의 상기 제1 내면 사이에 위치하고 또한 한쪽의 상기 제2 내면과 다른 쪽의 상기 제2 내면 사이에 위치하고, 상기 오목부를 형성하고,
    상기 제1 단부면은, 상기 제2 단부면을 향하여 돌출되는 곡면을 갖고,
    상기 제2 단부면은, 상기 제1 단부면을 향하여 돌출되는 곡면을 갖는
    처리 장치.
  7. 제3항에 있어서, 상기 제1 콜리메이터와, 상기 제2 콜리메이터와, 상기 개재 부재는 서로 고정되는, 처리 장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 개재 부재의 내부를 통과하여, 상기 전원과 상기 제2 콜리메이터를 접속하는 제1 배선을 더 구비하는, 처리 장치.
  9. 제2항에 있어서, 상기 정류 부재는, 상기 제1 콜리메이터와 상기 제2 콜리메이터 사이에 배치되고, 상기 제1 콜리메이터와 상기 제2 콜리메이터를 접속하는 저항을 갖고,
    상기 전원은, 상기 제1 콜리메이터 또는 상기 제2 콜리메이터에 전압을 인가하도록 구성된,
    처리 장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 정류 부재는, 상기 물체 배치부와 상기 발생원 배치부 사이에 배치되도록 구성되고, 복수의 제4 벽과, 복수의 제5 벽과, 상기 복수의 제4 벽과 상기 복수의 제5 벽 사이에 개재하는 부분을 갖는 절연부와, 상기 절연부의 내부를 통해 상기 제5 벽에 접속된 제2 배선을 갖는 콜리메이터를 갖고,
    상기 복수의 제4 벽과 상기 복수의 제5 벽은, 상기 제1 방향으로 연장되는 복수의 관통구를 형성하고,
    상기 복수의 제4 벽에 의해 형성된 상기 복수의 관통구와, 상기 복수의 제5 벽에 의해 형성된 상기 복수의 관통구가, 병행으로 배치되고,
    상기 전원은, 상기 복수의 제4 벽에 전압을 인가하도록 구성된 제3 인가부와, 상기 제2 배선을 통하여 상기 복수의 제5 벽에 전압을 인가하도록 구성된 제4 인가부를 갖고, 상기 복수의 제4 벽과 상기 복수의 제5 벽 중 적어도 한쪽에 전압을 인가하는 것이 가능한,
    처리 장치.
  11. 제1항에 있어서, 상기 정류 부재는, 상기 제1 방향으로 연장되고 상기 발생원 배치부를 향하여 개구됨과 함께 상기 물체 배치부를 향하여 개구되는 개구부가 설치되고, 상기 발생원 배치부의 적어도 일부를 둘러싸도록 구성되고, 상기 제1 방향과, 상기 제1 방향과 직교하는 제2 방향 사이의 제3 방향을 향하는 동시에 상기 개구부를 형성하는 내주면을 갖는 리플렉터를 갖는 처리 장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 내주면은, 상기 물체 배치부에 대하여 오목해지는 곡면인, 처리 장치.
  13. 제11항에 있어서, 상기 발생원 배치부를 따라서 이동 가능한 마그네트를 더 구비하고,
    상기 발생원 배치부는, 상기 리플렉터와 상기 마그네트 사이에 위치하도록 구성되고,
    상기 리플렉터는, 상기 마그네트와 함께 이동하도록 구성된,
    처리 장치.
  14. 제1 방향으로 연장되는 복수의 제1 관통구를 형성하고, 도전성을 갖는 복수의 제1 벽과,
    상기 제1 방향에 있어서 상기 복수의 제1 벽과 나란히, 상기 제1 방향으로 연장되는 복수의 제2 관통구를 형성하고, 도전성을 갖는 복수의 제2 벽과,
    상기 복수의 제1 벽과 상기 복수의 제2 벽 사이에 배치되고, 상기 복수의 제1 벽에 접속됨과 함께 상기 복수의 제2 벽에 접속되고, 상기 제1 방향으로 연장되는 동시에 상기 제1 관통구와 상기 제2 관통구를 연통하는 복수의 제3 관통구를 형성하고, 절연성을 갖는 제3 벽
    을 구비하는 콜리메이터.
  15. 제14항에 있어서, 상기 제3 벽의 내부를 통과하여, 상기 제2 벽에 접속되고, 상기 복수의 제2 벽과 외부의 전원을 전기적으로 접속하도록 구성된 제1 배선
    을 더 구비하는 콜리메이터.
  16. 도전성을 갖는 복수의 제1 벽부와,
    도전성을 갖는 복수의 제2 벽부와,
    상기 복수의 제1 벽부와 상기 복수의 제2 벽부 사이에 배치된 부분을 갖고, 절연성을 갖는 절연부와,
    상기 절연부의 내부를 통해 상기 제2 벽부에 접속되고, 상기 복수의 제2 벽부와 외부의 전원을 전기적으로 접속하도록 구성된 배선
    을 구비하고,
    상기 복수의 제1 벽부와 상기 복수의 제2 벽부가, 제1 방향으로 연장되는 복수의 관통구를 형성하고, 상기 복수의 제1 벽부에 의해 형성된 상기 복수의 관통구와, 상기 복수의 제2 벽부에 의해 형성된 상기 복수의 관통구가, 병행으로 배치되는,
    콜리메이터.
KR1020187005786A 2016-03-14 2016-12-19 처리 장치 및 콜리메이터 KR102093402B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016050219A JP6105115B1 (ja) 2016-03-14 2016-03-14 処理装置及びコリメータ
JPJP-P-2016-050219 2016-03-14
PCT/JP2016/087825 WO2017158981A1 (ja) 2016-03-14 2016-12-19 処理装置及びコリメータ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180033580A true KR20180033580A (ko) 2018-04-03
KR102093402B1 KR102093402B1 (ko) 2020-03-25

Family

ID=59366160

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020187005786A KR102093402B1 (ko) 2016-03-14 2016-12-19 처리 장치 및 콜리메이터

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10777395B2 (ko)
JP (1) JP6105115B1 (ko)
KR (1) KR102093402B1 (ko)
CN (1) CN108026633B (ko)
TW (1) TWI630643B (ko)
WO (1) WO2017158981A1 (ko)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111801050B (zh) * 2018-03-08 2024-03-08 美国西门子医疗***股份有限公司 使用增添方法的准直器的三维打印的***和方法
JP7262235B2 (ja) * 2019-01-31 2023-04-21 株式会社アルバック スパッタリング装置及びスパッタリング方法
CN112011776B (zh) * 2020-08-28 2022-10-21 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体工艺设备及其工艺腔室
US11851751B2 (en) 2021-07-23 2023-12-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Deposition system and method
USD1026054S1 (en) * 2022-04-22 2024-05-07 Applied Materials, Inc. Collimator for a physical vapor deposition (PVD) chamber
CN115161594B (zh) * 2022-08-02 2023-04-11 上海陛通半导体能源科技股份有限公司 可改善深孔填充的镀膜设备及方法
USD1025935S1 (en) * 2022-11-03 2024-05-07 Applied Materials, Inc. Collimator for a physical vapor deposition (PVD) chamber
USD1024149S1 (en) * 2022-12-16 2024-04-23 Applied Materials, Inc. Collimator for a physical vapor deposition (PVD) chamber
USD1026839S1 (en) * 2022-12-16 2024-05-14 Applied Materials, Inc. Collimator for a physical vapor deposition (PVD) chamber
USD1025936S1 (en) * 2022-12-16 2024-05-07 Applied Materials, Inc. Collimator for a physical vapor deposition (PVD) chamber

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09176847A (ja) * 1995-12-15 1997-07-08 Applied Materials Inc スパッタリング装置及びスパッタリング装置用コリメータ
KR19980071462A (ko) * 1997-02-19 1998-10-26 미따라이 후지오 박막 형성 장치 및 이를 이용한 박막 형성방법
JP2006328456A (ja) 2005-05-24 2006-12-07 Pioneer Electronic Corp スパッタリング装置及びスパッタリング方法、プラズマディスプレイパネルの製造装置及び製造方法
JP2008257759A (ja) * 2007-03-31 2008-10-23 Hoya Corp 磁気記録媒体の製造方法
JP5611039B2 (ja) * 2008-06-11 2014-10-22 株式会社アルバック スパッタリング装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5643428A (en) 1995-02-01 1997-07-01 Advanced Micro Devices, Inc. Multiple tier collimator system for enhanced step coverage and uniformity
US6362097B1 (en) 1998-07-14 2002-03-26 Applied Komatsu Technlology, Inc. Collimated sputtering of semiconductor and other films
US7767561B2 (en) * 2004-07-20 2010-08-03 Applied Materials, Inc. Plasma immersion ion implantation reactor having an ion shower grid
JP4560394B2 (ja) * 2004-12-13 2010-10-13 長州産業株式会社 薄膜形成用分子供給装置
JP2006233271A (ja) * 2005-02-24 2006-09-07 Tohoku Pioneer Corp 成膜方法及び成膜装置、自発光素子の製造方法及び製造装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09176847A (ja) * 1995-12-15 1997-07-08 Applied Materials Inc スパッタリング装置及びスパッタリング装置用コリメータ
KR19980071462A (ko) * 1997-02-19 1998-10-26 미따라이 후지오 박막 형성 장치 및 이를 이용한 박막 형성방법
JP2006328456A (ja) 2005-05-24 2006-12-07 Pioneer Electronic Corp スパッタリング装置及びスパッタリング方法、プラズマディスプレイパネルの製造装置及び製造方法
JP2008257759A (ja) * 2007-03-31 2008-10-23 Hoya Corp 磁気記録媒体の製造方法
JP5611039B2 (ja) * 2008-06-11 2014-10-22 株式会社アルバック スパッタリング装置

Also Published As

Publication number Publication date
TWI630643B (zh) 2018-07-21
CN108026633A (zh) 2018-05-11
JP2017166002A (ja) 2017-09-21
US10777395B2 (en) 2020-09-15
CN108026633B (zh) 2020-01-10
TW201732891A (zh) 2017-09-16
KR102093402B1 (ko) 2020-03-25
US20190027346A1 (en) 2019-01-24
JP6105115B1 (ja) 2017-03-29
WO2017158981A1 (ja) 2017-09-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20180033580A (ko) 처리 장치 및 콜리메이터
JP7033441B2 (ja) プラズマ処理装置
KR102644272B1 (ko) 정전척 어셈블리
CN111139457A (zh) 基板支撑单元和包括该基板支撑单元的基板处理装置
US9455125B2 (en) Substrate processing apparatus
KR102056735B1 (ko) 처리 장치 및 콜리메이터
KR20160015510A (ko) 정전척 어셈블리, 이를 구비하는 반도체 제조장치, 및 이를 이용한 플라즈마 처리방법
JP5230225B2 (ja) 蓋部品、処理ガス拡散供給装置、及び基板処理装置
JP2004006574A (ja) プラズマ処理装置
TWI627298B (zh) Processing device, sputtering device, and collimator system
CN105887026B (zh) 物理气相沉积***与应用其的物理气相沉积方法
JP2007250860A (ja) プラズマ処理装置用電極アッセンブリ及びプラズマ処理装置
CN111326397B (zh) 供电构造和等离子体处理装置
JP5678116B2 (ja) 蓋部品、処理ガス拡散供給装置、及び基板処理装置
TW201026872A (en) RF sputtering arrangement
US11149342B2 (en) Sputtering apparatus
JP7500397B2 (ja) プラズマ処理装置とその製造方法、及びプラズマ処理方法
CN110783162B (zh) 静电吸盘
JP5285998B2 (ja) イオン照射装置
JP2024066928A (ja) プラズマ処理装置及び基板支持台

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant