JP2017166002A - 処理装置及びコリメータ - Google Patents

Abstract

【課題】金属を成膜するスパッタ装置において、粒子の利用効率の低下を抑制する処理装置の提供。【解決手段】物体配置部１３と発生源配置部２１と整流部材１６と電源６３とを備え、物体配置部１３は物体２が配置されるよう構成され、発生源配置部２１は物体配置部１３から離間した位置に配置され、物体２に向かって粒子Ｃを放出することが可能な粒子発生源１２が配置されるよう構成され、整流部材１６は、発生源配置部２１から物体配置部１３へ向かう第１の方向において物体配置部１３と発生源配置部２１との間に配置されるよう構成され、電源６３は整流部材１６に粒子Ｃが有する電荷と正負が同じ電圧を印加するよう構成される処理装置１。【選択図】図１

Description

本発明の実施形態は、処理装置及びコリメータに関する。

例えば半導体ウェハに金属を成膜するスパッタ装置は、成膜される金属粒子の方向を揃えるためのコリメータを有する。コリメータは、多数の貫通口を形成する壁を有し、半導体ウェハのような、処理がされる物体に対して略垂直方向に飛ぶ粒子を通過させるとともに、斜めに飛ぶ粒子を遮断する。

特開２００６−３２８４５６号公報

斜めに飛ぶ粒子が生じることで、粒子の利用効率が低下することがある。

一つの実施形態に係る処理装置は、物体配置部と、発生源配置部と、整流部材と、電源と、を備える。前記物体配置部は、物体が配置されるよう構成される。前記発生源配置部は、前記物体配置部から離間した位置に配置され、前記物体に向かって粒子を放出することが可能な粒子発生源が配置されるよう構成される。前記整流部材は、前記発生源配置部から前記物体配置部へ向かう第１の方向において前記物体配置部と前記発生源配置部との間に配置されるよう構成される。前記電源は、前記整流部材に、前記粒子が有する電荷と正負が同じ電圧を印加するよう構成される。

図１は、第１の実施形態に係るスパッタ装置を概略的に示す断面図である。 図２は、第１の実施形態のコリメータを示す平面図である。 図３は、第１の実施形態のスパッタ装置の一部を示す断面図である。 図４は、第１の実施形態のスパッタ装置のハードウェア構成例を示すブロック図である。 図５は、第１の実施形態のコリメータの一部を概略的に示す断面図である。 図６は、第１の実施形態のリフレクタの一部を概略的に示す断面図である。 図７は、第１の実施形態の変形例に係るスパッタ装置の一部を示す断面図である。 図８は、第２の実施形態に係るコリメータの一部を示す断面図である。 図９は、第３の実施形態に係るコリメータの一部を示す断面図である。 図１０は、第４の実施形態に係るスパッタ装置の一部を概略的に示す断面図である。 図１１は、第５の実施形態に係るコリメータを示す断面図である。 図１２は、第５の実施形態のコリメータの一部を示す断面図である。 図１３は、第５の実施形態の変形例に係るコリメータの一部を示す断面図である。 図１４は、第６の実施形態に係るコリメータを示す断面図である。 図１５は、第７の実施形態に係るコリメータを示す平面図である。 図１６は、第７の実施形態のコリメータの一部を示す断面図である。

以下に、第１の実施形態について、図１乃至図６を参照して説明する。なお、本明細書においては基本的に、鉛直上方を上方向、鉛直下方を下方向と定義する。また、本明細書において、実施形態に係る構成要素及び当該要素の説明について、複数の表現が記載されることがある。複数の表現がされた構成要素及び説明について、記載されていない他の表現がされても良い。さらに、複数の表現がされない構成要素及び説明についても、記載されていない他の表現がされても良い。

図１は、第１の実施形態に係るスパッタ装置１を概略的に示す断面図である。スパッタ装置１は、処理装置の一例であり、例えば、半導体製造装置、製造装置、加工装置、又は装置とも称され得る。

スパッタ装置１は、例えば、マグネトロンスパッタリングを行うための装置である。スパッタ装置１は、例えば、半導体ウェハ２の表面に、金属粒子によって成膜を行う。半導体ウェハ２は、物体の一例であり、例えば、対象とも称され得る。なお、スパッタ装置１は、例えば、他の対象物に成膜を行っても良い。

スパッタ装置１は、チャンバ１１と、ターゲット１２と、ステージ１３と、マグネット１４と、遮蔽部材１５と、コリメータ１６と、ポンプ１７と、タンク１８とを備える。ターゲット１２は、粒子発生源の一例である。マグネット１４は、例えば、磁界発生部とも称され得る。コリメータ１６は、整流部材の一例であり、例えば、遮蔽部品、整流部品、又は方向調整部品とも称され得る。

各図面に示されるように、本明細書において、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸が定義される。Ｘ軸とＹ軸とＺ軸とは、互いに直交する。Ｘ軸は、チャンバ１１の幅に沿う。Ｙ軸は、チャンバ１１の奥行き（長さ）に沿う。Ｚ軸は、チャンバ１１の高さに沿う。以下の記載は、Ｚ軸が鉛直方向に沿うものとして説明する。なお、スパッタ装置１のＺ軸が鉛直方向に対して斜めに交差しても良い。

チャンバ１１は、密閉可能な箱状に形成される。チャンバ１１は、上壁２１と、底壁２２と、側壁２３と、排出口２４と、導入口２５とを有する。上壁２１は、例えば、バッキングプレート、取付部、又は保持部とも称され得る。

上壁２１と底壁２２とは、Ｚ軸に沿う方向（鉛直方向）に対向するように配置される。上壁２１は、所定の間隔を介して底壁２２の上方に位置する。側壁２３は、Ｚ軸に沿う方向に延びる筒状に形成され、上壁２１と底壁２２とを接続する。

チャンバ１１の内部に処理室１１ａが設けられる。処理室１１ａは、容器の内部とも称され得る。上壁２１、底壁２２、及び側壁２３の内面が、処理室１１ａを形成する。処理室１１ａは、気密に閉じられることが可能である。言い換えると、処理室１１ａは、密閉されることが可能である。気密に閉じられた状態とは、処理室１１ａの内部と外部との間で気体の移動が無い状態であり、処理室１１ａに排出口２４及び導入口２５が開口しても良い。

ターゲット１２、ステージ１３、遮蔽部材１５、及びコリメータ１６は、処理室１１ａ内に配置される。言い換えると、ターゲット１２、ステージ１３、遮蔽部材１５、及びコリメータ１６は、チャンバ１１に収容される。なお、ターゲット１２、ステージ１３、遮蔽部材１５、及びコリメータ１６はそれぞれ、部分的に処理室１１ａの外に位置しても良い。

排出口２４は、処理室１１ａに開口し、ポンプ１７に接続される。ポンプ１７は、例えば、ドライポンプ、クライオポンプ、又はターボ分子ポンプなどである。ポンプ１７が排出口２４から処理室１１ａの気体を吸引することで、処理室１１ａの気圧が低下し得る。ポンプ１７は、処理室１１ａを真空にすることが可能である。

導入口２５は、処理室１１ａに開口し、タンク１８に接続される。タンク１８は、例えばアルゴンガスのような不活性ガスを収容する。アルゴンガスが、タンク１８から導入口２５を通って処理室１１ａに導入され得る。タンク１８は、アルゴンガスの導入を止めることが可能なバルブを有する。

ターゲット１２は、粒子の発生源として利用される、例えば円盤状の金属板である。なお、ターゲット１２は、他の形状に形成されても良い。本実施形態において、ターゲット１２は、例えば銅によって作られる。ターゲット１２は、他の材料によって作られても良い。

ターゲット１２は、チャンバ１１の上壁２１の取付面２１ａに取り付けられる。バッキングプレートである上壁２１は、ターゲット１２の冷却材及び電極として用いられる。なお、チャンバ１１は、上壁２１と別個の部品としてのバッキングプレートを有しても良い。

上壁２１の取付面２１ａは、Ｚ軸に沿う負方向（下方向）に向き、略平坦に形成された、上壁２１の内面である。このような取付面２１ａにターゲット１２が配置される。上壁２１は、発生源配置部の一例である。発生源配置部は、独立の部材又は部品に限らず、ある部材又は部品上の特定の位置であって良い。

Ｚ軸に沿う負方向は、Ｚ軸の矢印が向く方向の反対方向である。Ｚ軸に沿う負方向は、上壁２１の取付面２１ａからステージ１３の載置面１３ａに向かう方向であり、第１の方向の一例である。Ｚ軸に沿う方向及び鉛直方向は、Ｚ軸に沿う負方向と、Ｚ軸に沿う正方向（Ｚ軸の矢印が向く方向）とを含む。

ターゲット１２は、下面１２ａを有する。下面１２ａは、下方に向く略平坦な面である。ターゲット１２に電圧が印加されると、チャンバ１１の内部に導入されたアルゴンガスがイオン化し、プラズマＰが発生する。図１は、プラズマＰを二点鎖線で示す。

マグネット１４は、処理室１１ａの外部に位置する。マグネット１４は、例えば、電磁石又は永久磁石である。マグネット１４は、上壁２１及びターゲット１２に沿って移動可能である。上壁２１は、ターゲット１２とマグネット１４との間に位置する。プラズマＰは、マグネット１４の近くで発生する。このため、マグネット１４とプラズマＰとの間に、ターゲット１２が位置する。

プラズマＰのアルゴンイオンがターゲット１２に衝突することで、例えばターゲット１２の下面１２ａから、ターゲット１２を構成する成膜材料の粒子Ｃが飛ぶ。言い換えると、ターゲット１２は、粒子Ｃを放出することが可能である。本実施形態において、粒子Ｃは、銅イオン、銅原子、及び銅分子を含む。粒子Ｃに含まれる銅イオンは、正の電荷を有する。銅原子及び銅分子が、正又は負の電荷を有しても良い。

ターゲット１２の下面１２ａから粒子Ｃが飛ぶ方向は、コサイン則（ランベルトの余弦則）に従って分布する。すなわち、下面１２ａのある一点から飛ぶ粒子Ｃは、下面１２ａの法線方向（鉛直方向）に最も多く飛ぶ。法線方向に対して角度θで傾斜する（斜めに交差する）方向に飛ぶ粒子Ｃの数は、法線方向に飛ぶ粒子Ｃの数の余弦（ｃｏｓθ）に大よそ比例する。

粒子Ｃは、本実施形態における粒子の一例であり、ターゲット１２を構成する成膜材料の微小な粒である。粒子は、分子、原子、イオン、原子核、電子、素粒子、蒸気（気化した物質）、及び電磁波（光子）のような、物質又はエネルギー線を構成する種々の粒子であっても良い。

ステージ１３は、チャンバ１１の底壁２２の上に配置される。ステージ１３は、Ｚ軸に沿う方向に上壁２１及びターゲット１２から離間して配置される。ステージ１３は、載置面１３ａを有する。ステージ１３の載置面１３ａは、半導体ウェハ２を支持する。半導体ウェハ２は、例えば円盤状に形成される。なお、半導体ウェハ２は、他の形状に形成されても良い。

ステージ１３の載置面１３ａは、上方に向く略平坦な面である。載置面１３ａは、上壁２１の取付面２１ａからＺ軸に沿う方向に離間して配置され、取付面２１ａと向かい合う。このような載置面１３ａに、半導体ウェハ２が配置される。ステージ１３は、物体配置部の一例である。物体配置部は、独立の部材又は部品に限らず、ある部材又は部品上の特定の位置であって良い。

ステージ１３は、Ｚ軸に沿う方向、すなわち上下方向に移動可能である。ステージ１３は、ヒータを有し、載置面１３ａに配置された半導体ウェハ２を温めることが可能である。さらに、ステージ１３は電極としても用いられる。

遮蔽部材１５は、略筒状に形成される。遮蔽部材１５は、側壁２３の一部と、側壁２３と半導体ウェハ２との間の隙間と、を覆う。遮蔽部材１５が半導体ウェハ２を保持しても良い。遮蔽部材１５は、ターゲット１２から放出された粒子Ｃが、底壁２２及び側壁２３に付着することを抑制する。

コリメータ１６は、Ｚ軸に沿う方向において、上壁２１の取付面２１ａと、ステージ１３の載置面１３ａとの間に配置される。別の表現によれば、コリメータ１６は、Ｚ軸に沿う方向（鉛直方向）においてターゲット１２と半導体ウェハ２との間に配置される。コリメータ１６は、例えばチャンバ１１の側壁２３に取り付けられる。コリメータ１６は、遮蔽部材１５に支持されても良い。

コリメータ１６とチャンバ１１との間は、絶縁される。例えば、コリメータ１６とチャンバ１１との間に、絶縁性の部材が介在する。さらに、コリメータ１６と遮蔽部材１５との間も絶縁される。

Ｚ軸に沿う方向において、コリメータ１６と上壁２１の取付面２１ａとの間の距離は、コリメータ１６とステージ１３の載置面１３ａとの間の距離よりも短い。言い換えると、コリメータ１６は、ステージ１３の載置面１３ａよりも、上壁２１の取付面２１ａに近い。コリメータ１６の配置は、これに限らない。

図２は、第１の実施形態のコリメータ１６を示す平面図である。図３は、第１の実施形態のスパッタ装置１の一部を示す断面図である。図３に示すように、コリメータ１６は、三つのコリメート部３１と、二つの介在部材３２と、リフレクタ３３と、第１のガスケット３４と、第２のガスケット３５と、を有する。なお、図２は、リフレクタ３３を省略して示す。

三つのコリメート部３１は、コリメート部３１Ａと、コリメート部３１Ｂと、コリメート部３１Ｃとを含む。コリメート部３１Ａは、第１のコリメータの一例である。コリメート部３１Ｂは、第１のコリメータ及び第２のコリメータの一例である。コリメート部３１Ｃは、第２のコリメータの一例である。以下の説明において、コリメート部３１Ａ，３１Ｂ，３１Ｃに共通する説明は、コリメート部３１についての説明として記載される。

三つのコリメート部３１はそれぞれ、枠４１と、整流部４２とを有する。枠４１は、例えば、外縁部、保持部、支持部、又は壁とも称され得る。なお、コリメート部３１Ａ，３１Ｂ，３１Ｃのうち少なくとも一つが枠４１を有さずとも良い。

枠４１は、Ｚ軸に沿う方向に延びる円筒状に形成された壁である。なお、枠４１はこれに限らず、矩形のような他の形状に形成されても良い。枠４１は、内周面４１ａと、外周面４１ｂとを有する。

枠４１の内周面４１ａは、円筒状の枠４１の径方向に向く曲面であり、筒状の枠４１の中心軸に向く。外周面４１ｂは、内周面４１ａの反対側に位置する。Ｘ‐Ｙ平面において、枠４１の外周面４１ｂに囲まれた部分の面積は、半導体ウェハ２の断面積よりも大きい。

図２に示すように、整流部４２は、Ｘ‐Ｙ平面において、筒状の枠４１の内側に設けられる。整流部４２は、枠４１の内周面４１ａに接続される。枠４１と整流部４２とは一体に作られる。なお、整流部４２は、枠４１から独立した部品であっても良い。

図１に示すように、整流部４２は、上壁２１の取付面２１ａとステージ１３の載置面１３ａとの間に配置される。整流部４２は、Ｚ軸に沿う方向において、上壁２１から離間するとともに、ステージ１３から離間する。図２に示すように、整流部４２は、複数の壁４５を有する。壁４５は、例えば、板又は遮蔽部とも称され得る。

コリメート部３１Ａの複数の壁４５は、複数の第１の壁の一例である。コリメート部３１Ｂの複数の壁４５は、複数の第１の壁及び複数の第２の壁の一例である。コリメート部３１Ｃの複数の壁４５は、複数の第２の壁の一例である。

整流部４２は、複数の壁４５によって、複数の貫通口４７を形成する。複数の貫通口４７は、Ｚ軸に沿う方向（鉛直方向）に延びる六角形の孔である。言い換えると、複数の壁４５は、内側に貫通口４７が形成された複数の六角形の筒の集合体（ハニカム構造）を形成する。Ｚ軸に沿う方向に延びる貫通口４７は、Ｚ軸に沿う方向に移動する粒子Ｃのような物体を通過させることが可能である。なお、貫通口４７は、他の形状に形成されても良い。

コリメート部３１Ａの複数の貫通口４７は、複数の第１の貫通口の一例である。コリメート部３１Ｂの複数の貫通口４７は、複数の第１の貫通口及び複数の第２の貫通口の一例である。コリメート部３１Ｃの複数の貫通口４７は、複数の第２の貫通口の一例である。

コリメート部３１Ａの複数の壁４５は、一体に形成され、互いに接続される。一体に形成されたコリメート部３１Ａの複数の壁４５は、コリメート部３１Ａの枠４１に接続される。

コリメート部３１Ｂの複数の壁４５は、一体に形成され、互いに接続される。一体に形成されたコリメート部３１Ｂの複数の壁４５は、コリメート部３１Ｂの枠４１に接続される。

コリメート部３１Ｃの複数の壁４５は、一体に形成され、互いに接続される。一体に形成されたコリメート部３１Ｃの複数の壁４５は、コリメート部３１Ｃの枠４１に接続される。

図３に示すように、整流部４２は、上端部４２ａと下端部４２ｂとを有する。上端部４２ａは、整流部４２のＺ軸に沿う方向における一方の端部であり、ターゲット１２及び上壁２１の取付面２１ａに向く。下端部４２ｂは、整流部４２のＺ軸に沿う方向における他方の端部であり、ステージ１３に支持された半導体ウェハ２及びステージ１３の載置面１３ａに向く。

貫通口４７は、整流部４２の上端部４２ａから下端部４２ｂに亘って設けられる。すなわち、貫通口４７は、ターゲット１２に向かって開口するとともに、ステージ１３に支持された半導体ウェハ２に向かって開口する孔である。

複数の壁４５はそれぞれ、Ｚ軸に沿う方向に延びる略矩形（四角形）の板である。壁４５は、例えば、Ｚ軸に沿う方向に対して斜めに交差する方向に延びても良い。壁４５は、上端面４５ａと下端面４５ｂとを有する。

壁４５の上端面４５ａは、壁４５のＺ軸に沿う方向における一方の端部であり、ターゲット１２及び上壁２１の取付面２１ａに向く。複数の壁４５の上端面４５ａは、整流部４２の上端部４２ａを形成する。

整流部４２の上端部４２ａは、ターゲット１２及び上壁２１の取付面２１ａに対して曲面状に凹む。言い換えると、上端部４２ａは、ターゲット１２及び上壁２１の取付面２１ａから離れるように湾曲する。整流部４２の上端部４２ａは、他の形状に形成されても良い。

壁４５の下端面４５ｂは、壁４５のＺ軸に沿う方向における他方の端部であり、ステージ１３に支持された半導体ウェハ２及びステージ１３の載置面１３ａに向く。複数の壁４５の下端面４５ｂは、整流部４２の下端部４２ｂを形成する。

整流部４２の下端部４２ｂは、ステージ１３に支持された半導体ウェハ２及びステージ１３の載置面１３ａに向かって突出する。言い換えると、整流部４２の下端部４２ｂは、枠４１から離間するに従って、ステージ１３に近づく。整流部４２の下端部４２ｂは、他の形状に形成されても良い。

整流部４２の上端部４２ａと下端部４２ｂとは、略同一の形状（曲率半径）を有する。このため、Ｚ軸に沿う方向において、複数の壁４５のそれぞれの長さは、略同一である。Ｚ軸に沿う方向において、コリメート部３１Ａの壁４５の長さと、コリメート部３１Ｂの壁４５の長さと、コリメート部３１Ｃの壁４５の長さとは、互いに略同一である。なお、壁４５の長さはこれに限らない。

三つのコリメート部３１は、Ｚ軸に沿う方向に並べられる。コリメート部３１Ｂは、Ｚ軸に沿う方向において、コリメート部３１Ａとコリメート部３１Ｃとの間に位置する。すなわち、コリメート部３１Ｂは、コリメート部３１Ａよりもステージ１３に近く配置される。コリメート部３１Ｃは、コリメート部３１Ｂよりもステージ１３に近く配置される。

コリメート部３１はそれぞれ、例えば、アルミニウム又は銅のような金属によって作られる。このため、コリメート部３１は、導電性を有する。三つのコリメート部３１は、互いに異なる材料によって作られても良い。枠４１の材料と、整流部４２の材料とが異なっても良い。

二つの介在部材３２は、介在部材３２Ａと、介在部材３２Ｂとを含む。以下の説明において、介在部材３２Ａ，３２Ｂに共通する説明は、介在部材３２についての説明として記載される。

介在部材３２はそれぞれ、例えば、セラミックのような絶縁性を有する材料によって作られる。二つの介在部材３２は、互いに異なる材料によって作られても良い。

本実施形態において、介在部材３２は、コリメート部３１と同じく、枠４１と整流部４２とを有する。すなわち、介在部材３２は複数の壁４５を有し、介在部材３２の複数の壁４５は、複数の貫通口４７を形成する。介在部材３２の複数の壁４５は、第３の壁の一例である。介在部材３２の複数の貫通口４７は、複数の第３の貫通口の一例である。

Ｚ軸に沿う方向において、介在部材３２の壁４５の長さは、コリメート部３１の壁４５の長さよりも短い。また、Ｚ軸に沿う方向において、介在部材３２の枠４１の長さは、コリメート部３１の枠４１の長さよりも短い。なお、Ｚ軸に沿う方向におけるコリメート部３１の寸法と介在部材３２の寸法とは、これに限らない。

介在部材３２Ａは、コリメート部３１Ａとコリメート部３１Ｂとの間に配置される。すなわち、絶縁性の介在部材３２Ａの壁４５は、導電性のコリメート部３１Ａの壁４５と、導電性のコリメート部３１Ｂの壁４５との間に配置される。

介在部材３２Ｂは、コリメート部３１Ｂとコリメート部３１Ｃとの間に配置される。すなわち、絶縁性の介在部材３２Ｂの壁４５は、導電性のコリメート部３１Ｂの壁４５と、導電性のコリメート部３１Ｃの壁４５との間に配置される。三つのコリメート部３１と、二つの介在部材３２とは、Ｚ軸に沿う方向に並べられる。

介在部材３２Ａの壁４５は、コリメート部３１Ａの壁４５に接続されるとともに、コリメート部３１Ｂの壁４５に接続される。これにより、介在部材３２Ａの貫通口４７は、コリメート部３１Ａの貫通口４７と、コリメート部３１Ｂの貫通口４７とを接続（連通）する。

介在部材３２Ｂの壁４５は、コリメート部３１Ｂの壁４５に接続されるとともに、コリメート部３１Ｃの壁４５に接続される。これにより、介在部材３２Ｂの貫通口４７は、コリメート部３１Ｂの貫通口４７と、コリメート部３１Ｃの貫通口４７とを接続（連通）する。

コリメート部３１Ａの一つの貫通口４７、介在部材３２Ａの一つの貫通口４７、コリメート部３１Ｂの一つの貫通口４７、介在部材３２Ｂの一つの貫通口４７、及びコリメート部３１Ｃの一つの貫通口４７は、連続する一つの貫通口（孔）を形成する。なお、コリメート部３１Ａの一つの貫通口４７、介在部材３２Ａの一つの貫通口４７、コリメート部３１Ｂの一つの貫通口４７、介在部材３２Ｂの一つの貫通口４７、及びコリメート部３１Ｃの一つの貫通口４７のうち少なくとも一つが、他の貫通口４７に対してＸ‐Ｙ平面上でずれても良い。

コリメート部３１Ａの貫通口４７、介在部材３２Ａの貫通口４７、コリメート部３１Ｂの貫通口４７、介在部材３２Ｂの貫通口４７、及びコリメート部３１Ｃの貫通口４７は、互いに略同一の形状を有する。コリメート部３１Ａの貫通口４７、介在部材３２Ａの貫通口４７、コリメート部３１Ｂの貫通口４７、介在部材３２Ｂの貫通口４７、及びコリメート部３１Ｃの貫通口４７の形状は、互いに異なっても良い。

リフレクタ３３は、Ｚ軸に沿う方向において、上壁２１とステージ１３との間に配置される。リフレクタ３３は、上壁２１と、コリメート部３１Ａとの間に配置される。リフレクタ３３は、Ｚ軸に沿う方向に延びる略筒状に形成される。別の表現によれば、リフレクタ３３は、上壁２１に向かって突出し、上端３３ａと下端３３ｂとが開口するドーム状に形成される。リフレクタ３３に、開口部５１が設けられる。

開口部５１は、Ｚ軸に沿う方向に延び、リフレクタ３３を貫通する。開口部５１の一方の端部は、リフレクタ３３の上端３３ａにおいて、上壁２１に向かって開口する。開口部５１の他方の端部は、リフレクタ３３の下端３３ｂにおいて、ステージ１３に向かって開口する。

リフレクタ３３の上端３３ａは、Ｚ軸に沿う方向におけるリフレクタ３３の一方の端部であり、上壁２１に向く。リフレクタ３３の下端３３ｂは、Ｚ軸に沿う方向におけるリフレクタ３３の他方の端部であり、ステージ１３に向く。

リフレクタ３３は、内周面３３ｃと、外周面３３ｄとを有する。内周面３３ｃは、略筒状のリフレクタ３３の径方向に向き、略筒状のリフレクタ３３の中心軸に向く。内周面３３ｃは、開口部５１を形成する。外周面３３ｄは、内周面３３ｃの反対側に位置する。

内周面３３ｃは、斜め下方に向く。斜め下方は、第３の方向の一例であり、Ｚ軸に沿う方向と、Ｘ軸又はＹ軸に沿う方向と、の間の方向である。Ｘ軸又はＹ軸に沿う方向は、第２の方向の一例である。詳しく述べると、斜め下方は、Ｚ軸に対して斜めに交差するとともに、Ｚ軸に沿う方向において上壁２１からステージ１３に向かう方向である。

内周面３３ｃは、ステージ１３に対して窪む曲面である。このため、内周面３３ｃの一部が向く方向と、内周面３３ｃの他の一部が向く方向とは、互いに異なる。しかし、内周面３３ｃの一部が向く方向と、内周面３３ｃの他の一部が向く方向とはそれぞれ、Ｚ軸に対して斜めに交差するとともに、Ｚ軸に沿う方向において上壁２１からステージ１３に向かう方向である。内周面３３ｃは、ステージ１３から上壁２１に向かうに従って先細る面であっても良い。Ｘ‐Ｙ平面における開口部５１の断面積は、リフレクタ３３の下端３３ｂから上端３３ａに向かうに従って小さくなる。

リフレクタ３３は、側壁２３の一部を覆う。Ｚ軸に沿う方向における上壁２１とステージ１３との間において、側壁２３は、遮蔽部材１５と、コリメータ１６のリフレクタ３３とに覆われる。リフレクタ３３は、ターゲット１２から放出された粒子Ｃが、側壁２３に付着することを抑制する。

リフレクタ３３は、上壁２１の取付面２１ａの少なくとも一部を囲む。さらに、リフレクタ３３は、上壁２１の取付面２１ａに配置されたターゲット１２を囲む。言い換えると、Ｘ軸に沿う方向、及びＹ軸に沿う方向において、リフレクタ３３の一部と他の一部との間に、上壁２１の少なくとも一部が位置する。

リフレクタ３３は、例えば、アルミニウム又は銅のような金属によって作られる。このため、リフレクタ３３は、導電性を有する。リフレクタ３３と、三つのコリメート部３１とは、互いに同一の材料によって作られる。リフレクタ３３と、三つのコリメート部３１とは、互いに異なる材料によって作られても良い。

第１のガスケット３４は、例えば環状に形成され、リフレクタ３３の上端３３ａに取り付けられる。第１のガスケット３４は、絶縁性を有する。第１のガスケット３４は、リフレクタ３３と、上壁２１及びターゲット１２との間を絶縁する。

第２のガスケット３５は、絶縁性を有する。第２のガスケット３５は、例えば環状に形成され、リフレクタ３３の下端３３ｂに取り付けられる。第２のガスケット３５は、リフレクタ３３と、コリメート部３１Ａの枠４１との間に配置される。第２のガスケット３５は、リフレクタ３３と、コリメート部３１Ａとの間を絶縁する。リフレクタ３３は、第２のガスケット３５を介して、コリメート部３１Ａの枠４１に接続される。

リフレクタ３３の開口部５１は、三つのコリメート部３１と二つの介在部材３２の複数の貫通口４７に接続される。このため、ターゲット１２から放出された粒子Ｃは、リフレクタ３３の開口部５１を通るとともに、三つのコリメート部３１と二つの介在部材３２の複数の貫通口４７を通り、ステージ１３に配置された半導体ウェハ２に向かって飛ぶことができる。

図１に示すように、スパッタ装置１は、第１の電源装置６１と、第２の電源装置６２と、第３の電源装置６３と、制御装置６４とを有する。第３の電源装置６３は、電源及び外部の電源の一例である。

第１の電源装置６１と、第２の電源装置６２とは、直流の可変電源である。なお、第１の電源装置６１と第２の電源装置６２とは、他の電源であっても良い。第１の電源装置６１は、電極である上壁２１に接続される。第１の電源装置６１は、上壁２１及びターゲット１２に例えば負の電圧を印加することができる。第２の電源装置６２は、電極であるステージ１３に接続される。第２の電源装置６２は、ステージ１３及び半導体ウェハ２に例えば負の電圧を印加することができる。

図３に示すように、第３の電源装置６３は、第１の電極７１と、第２の電極７２と、第３の電極７３と、第４の電極７４と、絶縁部材７５と、第１の電源８１と、第２の電源８２と、第３の電源８３と、第４の電源８４とを有する。第１の電極７１及び第１の電源８１は、第１の印加部の一例である。第２の電極７２及び第２の電源８２は、第１の印加部及び第２の印加部の一例である。第３の電極７３及び第３の電源８３は、第２の印加部の一例である。

第１乃至第４の電極７１〜７４と、絶縁部材７５とは、チャンバ１１の側壁２３に設けられる。コリメータ１６は、第１乃至第４の電極７１〜７４に面する。なお、第１乃至第４の電極７１〜７４の配置はこれに限らない。

第１の電極７１は、コリメート部３１Ａの枠４１の外周面４１ｂに接触する。第１の電極７１は、例えば、バネによってコリメート部３１Ａの枠４１の外周面４１ｂに向かって押される。第１の電極７１は、コリメート部３１Ａと、第１の電源８１とを電気的に接続する。

第２の電極７２は、コリメート部３１Ｂの枠４１の外周面４１ｂに接触する。第２の電極７２は、例えば、バネによってコリメート部３１Ｂの枠４１の外周面４１ｂに向かって押される。第２の電極７２は、コリメート部３１Ｂと、第２の電源８２とを電気的に接続する。

第３の電極７３は、コリメート部３１Ｃの枠４１の外周面４１ｂに接触する。第３の電極７３は、例えば、バネによってコリメート部３１Ｃの枠４１の外周面４１ｂに向かって押される。第３の電極７３は、コリメート部３１Ｃと、第３の電源８３とを電気的に接続する。

第４の電極７４は、リフレクタ３３の外周面３３ｄに接触する。第４の電極７４は、例えば、バネによってリフレクタ３３の外周面３３ｄに向かって押される。第４の電極７４は、リフレクタ３３と、第４の電源８４とを電気的に接続する。

絶縁部材７５は、例えば、セラミックのような絶縁性の材料によって作られる。絶縁部材７５は、第１乃至第４の電極７１〜７４の間に介在し、第１乃至第４の電極７１〜７４の間を絶縁する。

第１乃至第４の電源８１〜８４は、直流の可変電源である。第１乃至第４の電源８１〜８４は、他の電源であっても良い。

第１の電源８１は、第１の電極７１を介してコリメート部３１Ａに電気的に接続される。第１の電源８１は、コリメート部３１Ａに正の電圧を印加することができる。なお、第１の電源８１は、コリメート部３１Ａに負の電圧を印加可能であっても良い。

第２の電源８２は、第２の電極７２を介してコリメート部３１Ｂに電気的に接続される。第２の電源８２は、コリメート部３１Ｂに正の電圧を印加することができる。なお、第２の電源８２は、コリメート部３１Ｂに負の電圧を印加可能であっても良い。

第３の電源８３は、第３の電極７３を介してコリメート部３１Ｃに電気的に接続される。第３の電源８３は、コリメート部３１Ｃに正の電圧を印加することができる。なお、第３の電源８３は、コリメート部３１Ｃに負の電圧を印加可能であっても良い。

第４の電源８４は、第４の電極７４を介してリフレクタ３３に電気的に接続される。第４の電源８４は、リフレクタ３３に正の電圧を印加することができる。なお、第４の電源８４は、リフレクタ３３に負の電圧を印加可能であっても良い。

第１乃至第４の電源８１〜８４は、コリメート部３１Ａ，３１Ｂ，３１Ｃ及びリフレクタ３３に、異なる電圧を印加することが可能である。しかし、第１乃至第４の電源８１〜８４は、コリメート部３１Ａ，３１Ｂ，３１Ｃ及びリフレクタ３３に、同一の電圧を印加することも可能である。第１乃至第４の電源８１〜８４は、コリメート部３１Ａ，３１Ｂ，３１Ｃ及びリフレクタ３３に、例えば、０〜１０００Ｖの電圧を印加する。

本実施形態において、第３の電源装置６３は、第１乃至第４の電源８１〜８４を有する。しかし、第３の電源装置６３は、例えば、一つの電源と複数の可変抵抗を有しても良い。当該電源及び可変抵抗は、分圧回路を形成し、コリメート部３１Ａ，３１Ｂ，３１Ｃ及びリフレクタ３３に、異なる電圧を印加することが可能である。この場合、コリメート部３１Ａに接続された分圧回路の端子が第１の印加部の一例であり、コリメート部３１Ｂに接続された分圧回路の端子が第１の印加部及び第２の印加部の一例であり、コリメート部３１Ｃに接続された分圧回路の端子が第２の印加部の一例である。

図４は、第１の実施形態のスパッタ装置１のハードウェア構成例を示すブロック図である。図４に示すように、制御装置６４は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）９１と、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）９２と、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）９３と、ストレージ９４と、Ｉ／Ｏ制御部９５とが、バス９６によって相互に接続されており、通常のコンピュータを利用したハードウェア構成となっている。制御装置６４は、ネットワークを介して、サーバに接続されても良い。

ＣＰＵ９１は、スパッタ装置１の全体の処理を制御する演算装置である。ＲＡＭ９３は、ＣＰＵ９１による各種処理に必要なデータを記憶する。ＲＯＭ９２は、ＢＩＯＳのようなプログラム等を記憶する。ストレージ９４は、例えばＨＤＤ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）であり、ＣＰＵ９１による各種処理を実現するプログラム等を記憶する。

Ｉ／Ｏ制御部９５は、入力装置９８と、ポンプ１７と、タンク１８と、第１の電源装置６１と、第２の電源装置６２と、第３の電源装置６３とを、ＣＰＵ９１に接続する。入力装置９８は、例えば、キーボード、マウス、又はタッチパネルである。

本実施形態のスパッタ装置１で実行される各種処理を実行するためのプログラムは、例えばＲＯＭ９２又はストレージ９４に予め組み込まれて提供される。ＣＰＵ９１は、当該プログラムを読み出して実行することにより、種々の機能的構成を主記憶装置上にロード及び生成する。制御装置６４は、例えば、当該機能的構成に基づき、ポンプ１７、タンク１８、及び第１乃至第３の電源装置６１〜６３を制御する。

スパッタ装置１は、上述の構成を有する一つの装置である。なお、制御装置６４は、例えば、種々の周辺機器が接続されたＰＣ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｃｏｍｐｕｔｅｒ）であっても良い。

本実施形態のスパッタ装置１で実行されるプログラムは、インストール可能な形式又は実行可能な形式のファイルでＣＤ−ＲＯＭ、フレキシブルディスク（ＦＤ）、ＣＤ−Ｒ、ＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｋ）等のコンピュータで読み取り可能な記録媒体に記録して提供するように構成してもよい。

さらに、本実施形態のスパッタ装置１で実行されるプログラムを、インターネット等のネットワークに接続されたコンピュータ上に格納し、ネットワーク経由でダウンロードさせることにより提供するように構成しても良い。また、本実施形態のスパッタ装置１で実行されるプログラムをインターネット等のネットワーク経由で提供又は配布するように構成しても良い。

以上説明したスパッタ装置１は、例えば、以下のようにマグネトロンスパッタリングを行う。なお、スパッタ装置１がマグネトロンスパッタリングを行う方法は、以下に説明される方法に限らない。

まず、図１に示すポンプ１７が、排出口２４から処理室１１ａの気体を吸引する。これにより、処理室１１ａの空気が除去され、処理室１１ａの気圧が低下する。ポンプ１７は、処理室１１ａを真空にする。

次に、タンク１８が、導入口２５から処理室１１ａに、アルゴンガスを導入する。第１の電源装置６１がターゲット１２に電圧を印加すると、マグネット１４の磁場付近でプラズマＰが生じる。さらに、第２の電源装置６２がステージ１３に電圧を印加しても良い。

ターゲット１２の下面１２ａをイオンがスパッタすることで、ターゲット１２の下面１２ａから、半導体ウェハ２に向かって粒子Ｃが放出される。本実施形態において、粒子Ｃは、銅イオンを含む。銅イオンは、正の電荷を有する。上述のように、粒子Ｃが飛ぶ方向は、コサイン則に従って分布する。図３の矢印は、粒子Ｃが飛ぶ方向の分布を模式的に示す。

図５は、第１の実施形態のコリメータ１６の一部を概略的に示す断面図である。第１乃至第３の電源８１〜８３は、コリメート部３１Ａ，３１Ｂ，３１Ｃに、正の電圧を印加する。すなわち、第１乃至第３の電源８１〜８３は、コリメート部３１Ａ，３１Ｂ，３１Ｃに、粒子Ｃである銅イオンが有する電荷と正負が同じ電圧を印加する。

正の電圧が印加されたコリメート部３１Ａの壁４５は、第１の電界Ｅ１を生じる。正の電圧が印加されたコリメート部３１Ｂの壁４５は、第２の電界Ｅ２を生じる。正の電圧が印加されたコリメート部３１Ｃの壁４５は、第３の電界Ｅ３を生じる。なお、コリメート部３１Ａ，３１Ｂ，３１Ｃの枠４１も、第１乃至第３の電界Ｅ１〜Ｅ３を生じる。

コリメート部３１Ｂに印加される電圧は、コリメート部３１Ａに印加される電圧よりも高い。このため、第２の電界Ｅ２の電界強度は、第１の電界Ｅ１の電界強度よりも強い。コリメート部３１Ｃに印加される電圧は、コリメート部３１Ｂに印加される電圧よりも高い。このため、第３の電界Ｅ３の電界強度は、第２の電界Ｅ２の電界強度よりも強い。図５は、第１乃至第３の電界Ｅ１〜Ｅ３の電界強度に応じて、第１乃至第３の電界Ｅ１〜Ｅ３を二点鎖線で模式的に示す。上記のような第１乃至第３の電界Ｅ１〜Ｅ３は、上壁２１からステージ１３に進むに従って断面積が小さくなる電界の貫通口を形成する。

鉛直方向に放出された粒子Ｃは、互いに接続された三つのコリメート部３１と二つの介在部材３２の貫通口４７を通過して、ステージ１３に支持された半導体ウェハ２に向かって飛ぶ。一方、鉛直方向に対して斜めに交差する方向（傾斜方向）に放出される粒子Ｃも存在する。傾斜方向と鉛直方向との間の角度が所定の範囲よりも大きい粒子Ｃは、壁４５に向かって飛ぶ。

正の電荷を有するイオンである粒子Ｃは、第１乃至第３の電界Ｅ１〜Ｅ３から斥力を受ける。本実施形態において、粒子Ｃに作用する斥力は、コリメート部３１Ａからコリメート部３１Ｃに向かうに従って強くなる。

第１乃至第３の電界Ｅ１〜Ｅ３が粒子Ｃに作用させる斥力は、粒子Ｃを、貫通口４７の中心軸に向かって移動させる。このため、図５に示すように、イオンである粒子Ｃは、第１乃至第３の電界Ｅ１〜Ｅ３の斥力によって壁４５から離間させられ、貫通口４７の中心に向かって集束させられる。言い換えると、イオンである粒子Ｃは、第１乃至第３の電界Ｅ１〜Ｅ３により、壁４５から反射され、貫通口４７を通過する。貫通口４７を通過した粒子Ｃは、半導体ウェハ２に向かって飛ぶ。

ターゲット１２から放出される粒子Ｃは、電気的に中性である銅原子及び銅分子を含み得る。電気的に中性であり、傾斜方向と鉛直方向との間の角度が所定の範囲よりも大きい粒子Ｃは、壁４５に付着することがある。すなわち、コリメータ１６は、傾斜方向と鉛直方向との間の角度が所定の範囲外である粒子Ｃを遮断する。傾斜方向に飛ぶ粒子Ｃは、遮蔽部材１５に付着することもある。

傾斜方向と鉛直方向との間の角度が所定の範囲内である粒子Ｃは、コリメータ１６の貫通口４７を通過して、ステージ１３に支持された半導体ウェハ２に向かって飛ぶ。なお、傾斜方向と鉛直方向との間の角度が所定の範囲内である粒子Ｃも、第１乃至第３の電界Ｅ１〜Ｅ３から斥力を受け、又は壁４５に付着することがある。

図６は、第１の実施形態のリフレクタ３３の一部を概略的に示す断面図である。第４の電源８４は、リフレクタ３３に、正の電圧を印加する。すなわち、第４の電源８４は、リフレクタ３３に、粒子Ｃである銅イオンが有する電荷と正負が同じ電圧を印加する。正の電圧が印加されたリフレクタ３３は、第４の電界Ｅ４を生じる。

傾斜方向と鉛直方向との間の角度が所定の範囲よりも大きい粒子Ｃは、リフレクタ３３に向かって飛ぶことがある。正の電荷を有するイオンである粒子Ｃは、第４の電界Ｅ４から斥力を受ける。

第４の電界Ｅ４が粒子Ｃに作用させる斥力は、粒子Ｃを、リフレクタ３３から離間する方向に移動させる。このため、図６に示すように、イオンである粒子Ｃが飛ぶ方向は、第４の電界Ｅ４の斥力によってステージ１３に配置された半導体ウェハ２に向かって曲げられる。言い換えると、イオンである粒子Ｃは、第４の電界Ｅ４により、リフレクタ３３から反射され、ステージ１３に向かう。ステージ１３に向かう粒子Ｃは、例えば、三つのコリメート部３１及び二つの介在部材３２の貫通口４７を通過し、半導体ウェハ２に向かって飛ぶ。

リフレクタ３３の内周面３３ｃは、上述のように、ステージ１３に対して窪む曲面である。例えば、内周面３３ｃは、凹状の回転放物面である。このような内周面３３ｃに沿って第４の電界Ｅ４が生じるため、リフレクタ３３は、第４の電界Ｅ４により粒子ＣをＺ軸に沿う方向、又はそれに近い方向に反射させることが可能である。なお、内周面３３ｃは、当該内周面３３ｃに向かって飛ぶ粒子Ｃを、Ｚ軸に沿う方向に反射させることが可能な他の形状を有しても良い。

電気的に中性であり、傾斜方向と鉛直方向との間の角度が所定の範囲よりも大きい粒子Ｃは、リフレクタ３３に付着することがある。すなわち、リフレクタ３３は、傾斜方向と鉛直方向との間の角度が所定の範囲外である粒子Ｃを遮断する。

コリメータ１６の貫通口４７を通過した粒子Ｃは、半導体ウェハ２に付着及び堆積することで、半導体ウェハ２に成膜される。言い換えると、半導体ウェハ２は、ターゲット１２が放出した粒子Ｃを受ける。貫通口４７を通過した粒子Ｃの向き（方向）は、鉛直方向に対して所定の範囲内で揃う。このように、コリメータ１６の形状によって、半導体ウェハ２に成膜される粒子Ｃの方向が制御される。

半導体ウェハ２に成膜される粒子Ｃの膜の厚さが所望の厚さに達するまでの間、マグネット１４が移動する。マグネット１４が移動することで、プラズマＰが移動し、ターゲット１２を均一に削ることができる。

第１乃至第４の電界Ｅ１〜Ｅ４の電界強度は、例えば、ターゲット１２の材料のような、種々の条件に応じて設定される。例えば、制御装置６４は、入力装置９８に入力された条件に応じて、第１乃至第４の電界Ｅ１〜Ｅ４の電界強度を設定する。入力された条件に応じた第１乃至第４の電界Ｅ１〜Ｅ４の電界強度に係る情報がストレージ９４に記憶されていても良いし、入力された条件に基づいてＣＰＵ９１が第１乃至第４の電界Ｅ１〜Ｅ４の電界強度を算出しても良い。また、スパッタ装置１のユーザが、入力装置９８で第１乃至第４の電界Ｅ１〜Ｅ４の電界強度を設定しても良い。

第１乃至第４の電界Ｅ１〜Ｅ４の電界強度は、スパッタリングの途中で変更されても良い。例えば、半導体ウェハ２に成膜された膜の厚さが増加するに従って、制御装置６４が第１乃至第４の電源８１〜８４を制御し、第１乃至第４の電界Ｅ１〜Ｅ４の電界強度を変化させても良い。

本実施形態のコリメータ１６は、例えば、３Ｄプリンタによって積層造形される。これにより、三つのコリメート部３１と、二つの介在部材３２と、リフレクタ３３と、第１のガスケット３４と、第２のガスケット３５とを有するコリメータ１６が容易に製造され得る。なお、コリメータ１６はこれに限らず、他の方法で作られても良い。

コリメータ１６の三つのコリメート部３１と、二つの介在部材３２と、リフレクタ３３と、第１のガスケット３４と、第２のガスケット３５とは、互いに固定される。例えば、コリメータ１６の三つのコリメート部３１と、二つの介在部材３２と、リフレクタ３３と、第１のガスケット３４と、第２のガスケット３５とが、一体に形成される。なお、コリメータ１６の三つのコリメート部３１と、二つの介在部材３２と、リフレクタ３３と、第１のガスケット３４と、第２のガスケット３５とが、例えば、互いに接着されても良い。

コリメータ１６の三つのコリメート部３１と、二つの介在部材３２と、リフレクタ３３と、第１のガスケット３４と、第２のガスケット３５とは、互いに分離可能であっても良い。例えば、独立した部品である三つのコリメート部３１と、二つの介在部材３２と、リフレクタ３３と、第１のガスケット３４と、第２のガスケット３５とが、互いに積み重ねられる。この場合、三つのコリメート部３１と、二つの介在部材３２と、リフレクタ３３と、第１のガスケット３４と、第２のガスケット３５とが、容易に製造されることができる。

第１の実施形態に係るスパッタ装置１において、第３の電源装置６３は、三つのコリメート部３１とリフレクタ３３とに、粒子Ｃが有する電荷と正負が同じ電圧を印加する。粒子Ｃがターゲット１２から三つのコリメート部３１又はリフレクタ３３に向かって放出された場合、粒子Ｃと、三つのコリメート部３１又はリフレクタ３３と、の間に斥力が生じる。これにより、粒子Ｃがコリメータ１６に付着することが抑制され、粒子Ｃが半導体ウェハ２に到達しやすくなる。従って、粒子Ｃの利用効率の低下が抑制される。言い換えると、半導体ウェハ２に到達しない粒子Ｃの数を低減させることができる。

コリメータ１６は、三つのコリメート部３１Ａ，３１Ｂ，３１Ｃを有する。第３の電源装置６３は、三つのコリメート部３１Ａ，３１Ｂ，３１Ｃに異なる電圧を印加することが可能である。例えば、コリメート部３１Ｂに印加される電圧がコリメート部３１Ａに印加される電圧よりも高くされる。この場合、粒子Ｃがコリメート部３１Ａの貫通口４７からコリメート部３１Ｂの貫通口４７に向かうに従って、当該粒子Ｃに強い斥力が作用し、粒子Ｃがコリメート部３１Ｂの貫通口４７の中央に向かって移動させられる。これにより、粒子Ｃの利用効率の低下が抑制されるとともに、半導体ウェハ２に付着した粒子Ｃの分布のばらつきが抑制される。コリメート部３１Ａに印加される電圧とコリメート部３１Ｂに印加される電圧はこれに限らず、コリメート部３１Ａに印加される電圧がコリメート部３１Ｂに印加される電圧より高くても良い。また、コリメート部３１Ａに印加される電圧とコリメート部３１Ｂに印加される電圧とが同じであっても良い。三つのコリメート部３１に印加される電圧が調整されることで、粒子Ｃの利用効率の低下が抑制される。

絶縁性を有する介在部材３２Ａ，３２Ｂが、三つのコリメート部３１Ａ，３１Ｂ，３１Ｃの間に配置される。これにより、三つのコリメート部３１Ａ，３１Ｂ，３１Ｃの間が導通することが抑制され、三つのコリメート部３１Ａ，３１Ｂ，３１Ｃに異なる電圧が印加されることが可能となる。

介在部材３２Ａ，３２Ｂもそれぞれ、複数の壁４５を有し、複数の貫通口４７を形成する。そして、三つのコリメート部３１の貫通口４７と、二つの介在部材３２Ａ，３２Ｂの貫通口４７とは互いに接続される。すなわち、三つのコリメート部３１と二つの介在部材３２とは、一つのコリメータを形成する。これにより、三つのコリメート部３１Ａ，３１Ｂ，３１Ｃとの間が導通することが抑制される。さらに、三つのコリメート部３１と二つの介在部材３２とが、斜めに飛ぶとともに電気的に中性な粒子Ｃを遮断できる。

三つのコリメート部３１Ａ，３１Ｂ，３１Ｃと、二つの介在部材３２Ａ，３２Ｂとが互いに固定される。これにより、三つのコリメート部３１と二つの介在部材３２との貫通口４７がずれることで、粒子Ｃの利用効率が変化することが抑制される。

リフレクタ３３は、上壁２１の少なくとも一部を囲み、Ｚ軸に沿う方向と、Ｘ軸又はＹ軸に沿う方向と、の間の斜め下方向に向く内周面３３ｃを有する。第３の電源装置６３は、このリフレクタ３３に、粒子Ｃが有する電荷と正負が同じ電圧を印加する。斜めに放出された粒子Ｃがリフレクタ３３に向かって飛ぶ場合、粒子Ｃとリフレクタ３３との間に斥力が生じる。内周面３３ｃが斜め下方向に向くため、斥力によってリフレクタ３３から反射された粒子Ｃは、ステージ１３に向かって飛ぶ。これにより、粒子Ｃが半導体ウェハ２に到達しやすくなり、粒子Ｃの利用効率の低下が抑制される。

リフレクタ３３の内周面３３ｃは、ステージ１３に対して窪む曲面である。これにより、斥力によってリフレクタ３３から粒子Ｃが反射される方向が、ステージ１３に向かいやすくなる。例えば、内周面３３ｃは、当該内周面３３ｃに向かって飛ぶ粒子Ｃを、Ｚ軸に沿う方向に反射させることが可能な凹状の回転放物面である。従って、粒子Ｃが半導体ウェハ２に到達しやすくなり、粒子Ｃの利用効率の低下が抑制される。

以上説明された第１の実施形態において、コリメータ１６は、三つのコリメート部３１を有する。しかし、コリメータ１６は、二つのコリメート部３１、又は三つより多いコリメート部３１を有しても良い。

図７は、第１の実施形態の変形例に係るスパッタ装置１の一部を示す断面図である。図７に示すように、二つの介在部材３２はそれぞれ、枠４１を有し、整流部４２を有さなくても良い。言い換えると、二つの介在部材３２はそれぞれ、環状に形成されても良い。

三つのコリメート部３１と、環状の二つの介在部材３２とは、それぞれ独立の部品として形成される。例えば、三つのコリメート部３１と、環状の二つの介在部材３２とが積み重ねられる。これにより、コリメータ１６が容易に形成される。

以下に、第２の実施形態について、図８を参照して説明する。なお、以下の複数の実施形態の説明において、既に説明された構成要素と同様の機能を持つ構成要素は、当該既述の構成要素と同じ符号が付され、さらに説明が省略される場合がある。また、同じ符号が付された複数の構成要素は、全ての機能及び性質が共通するとは限らず、各実施形態に応じた異なる機能及び性質を有していても良い。

図８は、第２の実施形態に係るコリメータ１６の一部を示す断面図である。図８に示すように、コリメート部３１の壁４５は、二つの内面４５ｃを有する。内面４５ｃは、貫通口４７を形成する。言い換えると、内面４５ｃは、貫通口４７に面する。一つの壁４５において、一方の内面４５ｃは、他方の内面４５ｃの反対側に位置する。コリメート部３１Ａの内面４５ｃは、第１の内面の一例である。コリメート部３１Ｂの内面４５ｃは、第２の内面の一例である。

コリメート部３１Ａの壁４５の下端面４５ｂは、コリメート部３１Ｂの壁４５の上端面４５ａに向く。コリメート部３１Ａの壁４５の下端面４５ｂは、第１の端面の一例である。コリメート部３１Ｂの壁４５の上端面４５ａは、第２の端面の一例である。コリメート部３１Ａの壁４５の下端面４５ｂと、コリメート部３１Ｂの壁４５の上端面４５ａとの間に、介在部材３２Ａが配置される。

介在部材３２の壁４５は、突出部１０１と、凹部１０２とを形成する。介在部材３２の壁４５は、突出部１０１と、凹部１０２との一方のみを有しても良い。また、介在部材３２Ａ，３２Ｂのうち一方が、突出部１０１と、凹部１０２との少なくとも一方を形成しても良い。

突出部１０１は、介在部材３２の壁４５が固定されたコリメート部３１の壁４５の内面４５ｃが向く方向において、当該内面４５ｃから突出する。例えば、介在部材３２Ａの突出部１０１は、コリメート部３１Ａ又は３１Ｂの壁４５の内面４５ｃが向く方向において、当該内面４５ｃから突出する。突出部１０１の表面は、曲面である。

凹部１０２は、介在部材３２の壁４５が固定されたコリメート部３１の壁４５の内面４５ｃが向く方向において、当該内面４５ｃから窪む。例えば、介在部材３２Ａの凹部１０２は、コリメート部３１Ａ又は３１Ｂの壁４５の内面４５ｃが向く方向において、当該内面４５ｃから窪む。凹部１０２の表面は、曲面である。

突出部１０１と凹部１０２とは、互いに滑らかに接続される。言い換えると、突出部１０１と凹部１０２とは、鋭角な部分をつくることなく連続する。Ｚ軸に沿う方向において、突出部１０１は、凹部１０２よりも、上壁２１に近い。

傾斜方向と鉛直方向との間の角度が所定の範囲よりも大きい粒子Ｃは、介在部材３２の壁４５に付着することがある。突出部１０１のステージ１３に向く部分は、ターゲット１２に対して陰になり、粒子Ｃが付着しにくい。凹部１０２のステージ１３に向く部分は、ターゲット１２に対して陰になり、粒子Ｃが付着しにくい。

第２の実施形態のスパッタ装置１において、介在部材３２の壁４５は、コリメート部３１の壁４５の内面４５ｃから突出する突出部１０１と、内面４５ｃから窪む凹部１０２と、の少なくとも一方を形成する。介在部材３２が突出部１０１を形成する場合、ターゲット１２から放出された粒子Ｃは、突出部１０１のターゲット１２に近い部分に付着するが、突出部１０１のターゲット１２から遠い部分に付着しにくい。介在部材３２が凹部１０２を形成する場合、ターゲット１２から放出された粒子Ｃは、凹部１０２のターゲット１２から遠い部分に付着するが、凹部１０２のターゲット１２に近い部分に付着しにくい。このように、介在部材３２の壁４５に、粒子Ｃが付着しにくい部分が形成されるため、粒子Ｃによって三つのコリメート部３１が互いに導通すること、が抑制される。

以下に、第３の実施形態について、図９を参照して説明する。図９は、第３の実施形態に係るコリメータ１６の一部を示す断面図である。図９に示すように、第３の実施形態の介在部材３２の壁４５は、介在部材３２の壁４５が固定されたコリメート部３１の壁４５の内面４５ｃが向く方向において、当該コリメート部３１の壁４５の一方の内面４５ｃと他方の内面４５ｃとの間に位置する。

例えば、介在部材３２Ａの壁４５は、コリメート部３１Ａの壁４５の一方の内面４５ｃと、他方の内面４５ｃとの間に位置する。また、介在部材３２Ａの壁４５は、コリメート部３１Ｂの壁４５の一方の内面４５ｃと、他方の内面４５ｃとの間に位置する。言い換えると、介在部材３２の壁４５の厚さは、コリメート部３１の壁４５の厚さよりも薄い。

介在部材３２の壁４５が、コリメート部３１の壁４５の一方の内面４５ｃと他方の内面４５ｃとの間に位置するため、介在部材３２の壁４５は、凹部１０２を形成する。第３の実施形態における凹部１０２は、例えば、介在部材３２Ａの壁４５と、コリメート部３１Ａの壁４５の下端面４５ｂと、コリメート部３１Ｂの壁４５の上端面４５ａとによって形成される。

コリメート部３１の壁４５の内面４５ｃが向く方向において、コリメート部３１の壁４５の上端面４５ａ及び下端面４５ｂの少なくとも一方は、凸面１０５と、凹面１０６とを有する。凸面１０５は、曲面の一例である。

例えば、コリメート部３１Ａの壁４５の下端面４５ｂは、凸面１０５と凹面１０６とを有する。凸面１０５は、凹面１０６よりも、内面４５ｃに近い。コリメート部３１Ａの下端面４５ｂの凸面１０５は、コリメート部３１Ｂの壁４５の上端面４５ａに向かって突出する曲面である。凹面１０６は、コリメート部３１Ｂの壁４５の上端面４５ａに対して窪む曲面である。

コリメート部３１Ｂの壁４５の上端面４５ａも、凸面１０５と凹面１０６とを有する。凸面１０５は、凹面１０６よりも、内面４５ｃに近い。コリメート部３１Ｂの上端面４５ａの凸面１０５は、コリメート部３１Ａの壁４５の下端面４５ｂに向かって突出する曲面である。凹面１０６は、コリメート部３１Ａの壁４５の下端面４５ｂに対して窪む曲面である。なお、コリメート部３１Ｂの壁４５の上端面４５ａは、例えば、凸面１０５及び凹面１０６を有さず、平坦であっても良い。

コリメート部３１Ａの下端面４５ｂの凸面１０５と、コリメート部３１Ｂの上端面４５ａの凸面１０５とが向かい合う。さらに、コリメート部３１Ａの下端面４５ｂの凹面１０６と、コリメート部３１Ｂの上端面４５ａの凹面１０６とが向かい合う。このため、Ｚ軸に沿う方向におけるコリメート部３１Ａの下端面４５ｂとコリメート部３１Ｂの上端面４５ａとの間の距離は、内面４５ｃから介在部材３２Ａに向かうに従って大きくなる。

コリメート部３１Ａの下端面４５ｂの凸面１０５と、コリメート部３１Ｂの上端面４５ａの凸面１０５との間の距離として、十分な絶縁距離が確保される。言い換えると、コリメート部３１Ａの下端面４５ｂの凸面１０５と、コリメート部３１Ｂの上端面４５ａの凸面１０５との間の距離は、絶縁破壊が抑制される距離に設定される。

傾斜方向と鉛直方向との間の角度が所定の範囲よりも大きい粒子Ｃは、二つのコリメート部３１の間に向かって飛ぶことがある。向かい合う二つのコリメート部３１の上端面４５ａ及び下端面４５ｂが凸面１０５及び凹面１０６を有するため、粒子Ｃが飛ぶ方向と、向かい合う二つのコリメート部の間の隙間から介在部材３２へ向かう方向と、の立体角度が大きくなる。このため、粒子Ｃが介在部材３２に付着しにくい。

三つのコリメート部３１に、それぞれ電圧が印加される。向かい合う二つのコリメート部３１の凸面１０５がそれぞれ曲面であるため、二つのコリメート部３１の間で絶縁破壊が生じにくい。

粒子Ｃがコリメータ１６に付着した状態で、コリメータ１６の温度が変化すると、コリメータ１６に付着した粒子Ｃがストレスにより剥落することがある。凸面１０５及び凹面１０６は、曲面である。このため、凸面１０５及び凹面１０６に粒子Ｃが付着した場合に、粒子Ｃが凸面１０５及び凹面１０６から剥落し難い。

凸面１０５は、凹面１０６よりも壁４５の内面４５ｃに近い。粒子Ｃが、例えば、コリメート部３１の壁４５の上端面４５ａに付着することがある。凹面１０６が設けられるため、剥落した粒子Ｃは、貫通口４７から落ちるよりも、凹面１０６に向かいやすい。このため、処理室１１ａに、粒子Ｃのダストが生じることが抑制される。

第３の実施形態のスパッタ装置１において、互いに向かい合うコリメート部３１Ａの壁４５の下端面４５ｂと、コリメート部３１Ｂの壁４５の上端面４５ａとは、凸面１０５を有する。言い換えると、コリメート部３１Ａの下端面４５ｂとコリメート部３１Ｂの上端面４５ａとは、絶縁破壊を生じ得る鋭い突出部を有さない。このため、二つのコリメート部３１Ａ，３１Ｂの間で絶縁破壊が生じることが抑制される。

以下に、第４の実施形態について、図１０を参照して説明する。図１０は、第４の実施形態に係るスパッタ装置１の一部を概略的に示す断面図である。図１０に示すように、第４の実施形態のリフレクタ３３は、三つのコリメート部３１及び二つの介在部材３２から独立した部品である。なお、第４の実施形態のコリメータ１６は、図１０に示すリフレクタ３３に加え、第１の実施形態のリフレクタ３３をさらに有しても良い。

第４の実施形態のリフレクタ３３は、第１の実施形態のリフレクタ３３よりも小さい。リフレクタ３３の上端３３ａにおける内周面３３ｃの内径は、Ｘ‐Ｙ平面におけるターゲット１２の直径よりも短い。また、リフレクタ３３の下端３３ｂにおける内周面３３ｃの内径も、Ｘ‐Ｙ平面におけるターゲット１２の直径よりも短い。

第４の実施形態において、リフレクタ３３は、マグネット１４の下方に位置する。詳しく述べると、Ｚ軸に沿う方向に平面視した場合、マグネット１４は、リフレクタ３３の開口部５１の中に位置する。

リフレクタ３３は、マグネット１４と共に上壁２１沿って移動する。例えば、アクチュエータによってリフレクタ３３が移動させられる。リフレクタ３３は、他の手段によって移動させられても良い。

上述のように、ターゲット１２に電圧が印加されると、プラズマＰが発生する。プラズマＰは、マグネット１４の近傍で発生する。このため、リフレクタ３３は、プラズマＰを囲む。言い換えると、リフレクタ３３の内部にプラズマＰが発生する。粒子Ｃは、ターゲット１２の、リフレクタ３３に囲まれた部分から放出される。

第４の電源８４がリフレクタ３３に正の電圧を印加することで、リフレクタ３３は第４の電界Ｅ４を生じる。第４の電界Ｅ４は、イオンである粒子Ｃに斥力を作用させる。このようなリフレクタ３３が、粒子Ｃが放出される部分を囲むため、イオンである粒子Ｃは、リフレクタ３３に反射されステージ１３に向かいやすい。

第１の実施形態と同じく、リフレクタ３３の内周面３３ｃは、ステージ１３に対して窪む曲面である。例えば、内周面３３ｃは、凹状の回転放物面である。このような内周面３３ｃに沿って第４の電界Ｅ４が生じるため、リフレクタ３３は、第４の電界Ｅ４により粒子ＣをＺ軸に沿う方向、又はそれに近い方向に反射させることが可能である。なお、内周面３３ｃは、当該内周面３３ｃに向かって飛ぶ粒子Ｃを、Ｚ軸に沿う方向に反射させることが可能な他の形状を有しても良い。

マグネトロンスパッタリングにおいて、プラズマＰはマグネット１４の近傍に発生する。第４の実施形態のスパッタ装置１において、リフレクタ３３がマグネット１４と共に移動するため、リフレクタ３３を、発生するプラズマＰを囲む大きさに形成することが可能である。この場合、マグネット１４の移動と共に移動するプラズマＰを、マグネット１４の移動と共に移動するリフレクタ３３が囲み続ける。リフレクタ３３が、粒子Ｃを発生させるプラズマＰの近傍に常に配置されるため、粒子Ｃがリフレクタ３３に反射されやすく、粒子Ｃの利用効率の低下が抑制される。

以下に、第５の実施形態について、図１１及び図１２を参照して説明する。図１１は、第５の実施形態に係るコリメータ１６を示す断面図である。図１１は、リフレクタ３３を省略して示す。第５の実施形態において、リフレクタ３３は、第１の実施形態と同じく、第２のガスケット３５を介してコリメート部３１Ａに接続されても良い。また、リフレクタ３３は、第４の実施形態と同じく、三つのコリメート部３１及び二つの介在部材３２から独立した部品であっても良い。

図１１に示すように、第５の実施形態のコリメータ１６において、コリメート部３１Ｃは枠４１を有さず、整流部４２を有する。一方、コリメート部３１Ａ，３１Ｂはそれぞれ、枠４１と、整流部４２とを有する。また、介在部材３２Ｂは枠４１を有さず、整流部４２を有する。一方、介在部材３２Ａは、枠４１と、整流部４２とを有する。

第５の実施形態において、整流部４２の上端部４２ａ及び下端部４２ｂは、略平坦に形成される。なお、整流部４２の上端部４２ａは、第１の実施形態と同じく、ターゲット１２及び上壁２１の取付面２１ａに対して曲面状に凹んでも良い。また、整流部４２の下端部４２ｂは、ステージ１３に支持された半導体ウェハ２及びステージ１３の載置面１３ａに向かって突出しても良い。

コリメート部３１Ｃは、Ｘ‐Ｙ平面において、コリメート部３１Ａよりも小さく、且つコリメート部３１Ｂよりも小さい。Ｘ軸に沿う方向、及びＹ軸に沿う方向において、コリメート部３１Ｃは、コリメート部３１Ａの枠４１の内側に位置するとともに、コリメート部３１Ｂの内側に位置する。Ｘ軸に沿う方向、及びＹ軸に沿う方向において、コリメート部３１Ｃの両端部は、コリメート部３１Ａの両端部から離間するとともに、コリメート部３１Ｂの両端部から離間する。

第１の電源８１は、第１の実施形態と同じく、コリメート部３１Ａの枠４１に接触する第１の電極７１を介して、コリメート部３１Ａに電気的に接続される。第２の電源８２は、第１の実施形態と同じく、コリメート部３１Ｂの枠４１に接触する第２の電極７２を介して、コリメート部３１Ｂに電気的に接続される。

図１２は、第５の実施形態のコリメータ１６の一部を示す断面図である。図１２に示すように、コリメータ１６は、第１の配線１１１と、覆部１１２とを有する。第１の配線１１１は、例えば、導電部、導電体、又は接続部とも称され得る。

第１の配線１１１は、例えば、アルミニウムのような導電体によって作られる。すなわち、第１の配線１１１は、コリメート部３１の材料と同じ材料によって作られる。第１の配線１１１の材料は、コリメート部３１の材料と異なっても良い。

第１の配線１１１の一方の端部１１１ａは、コリメート部３１Ｃの壁４５の上端面４５ａに接続される。第１の配線１１１の他方の端部１１１ｂは、介在部材３２Ａの枠４１の外周面４１ｂにおいて露出される。

第１の配線１１１の他方の端部１１１ｂは、例えば、第３の電極７３に接触する電極を形成する。第１の配線１１１の他方の端部１１１ｂの断面積は、第１の配線１１１の他の部分の断面積より大きい。第１の配線１１１の他方の端部１１１ｂと、コリメート部３１Ａの枠４１との間は、介在部材３２Ａによって絶縁される。さらに、第１の配線１１１の他方の端部１１１ｂと、コリメート部３１Ｂの枠４１との間は、介在部材３２Ａによって絶縁される。

第１の配線１１１は、コリメート部３１Ｂの壁４５と、介在部材３２Ａ，３２Ｂの壁４５と、の内部を通る。例えば、コリメート部３１Ｃの壁４５に接続された第１の配線１１１は、介在部材３２Ｂの壁４５と、コリメート部３１Ｂの壁４５とを、Ｚ軸に沿う方向に貫通する。そして、第１の配線１１１は、介在部材３２Ａの複数の壁４５の内部を通り、介在部材３２Ａの枠４１まで延ばされる。

覆部１１２は、コリメート部３１Ｂの内部を通る第１の配線１１１を覆い、コリメート部３１Ｂの内部を通る第１の配線１１１と、コリメート部３１Ｂとの間に介在する。覆部１１２は、セラミックのような絶縁性の材料によって作られる。覆部１１２は、コリメート部３１Ｂの内部を通る第１の配線１１１と、コリメート部３１Ｂとの間を絶縁する。

第１の配線１１１の端部１１１ｂに、第３の電極７３が接触する。これにより、第３の電源８３は、第３の電極７３及び第１の配線１１１を介して、コリメート部３１Ｃに電気的に接続される。言い換えると、第１の配線１１１は、第３の電源８３と、コリメート部３１Ｃの複数の壁４５とを電気的に接続する。このように、コリメート部３１Ｃは、第５の実施形態における第２のコリメータの一例である。

第５の実施形態のスパッタ装置１において、第３の電源８３とコリメート部３１Ｃとを接続する第１の配線１１１が、コリメート部３１Ｂ及び介在部材３２Ａ，３２Ｂの内部を通る。これにより、例えば、第１の配線１１１がスパッタ装置１におけるプラズマＰの発生に影響を及ぼすことが抑制される。例えば、第１の配線１１１がコリメータ１６から突出する場合、当該第１の配線１１１が電極として機能し、プラズマＰの発生を妨げることがある。

図１３は、第５の実施形態の変形例に係るコリメータ１６の一部を示す断面図である。図１３に示すように、第１の配線１１１は、コリメート部３１Ｂと、介在部材３２Ｂとの内部を通っても良い。例えば、コリメート部３１Ｃの壁４５に接続された第１の配線１１１は、介在部材３２Ｂの壁４５をＺ軸に沿う方向に貫通する。そして、第１の配線１１１は、コリメート部３１Ｂの複数の壁４５の内部を通り、コリメート部３１Ｂの枠４１まで延ばされる。

第５の実施形態の変形例において、第１の配線１１１の端部１１１ｂは、コリメート部３１Ｂの枠４１の外周面４１ｂにおいて露出する。覆部１１２は、第１の配線１１１の端部１１１ｂと、コリメート部３１Ｂの枠４１との間を絶縁する。

以下に、第６の実施形態について、図１４を参照して説明する。図１４は、第６の実施形態に係るコリメータ１６を示す断面図である。図１６において、介在部材３２Ａ，３２Ｂはそれぞれ、電気抵抗である。すなわち、第６の実施形態の介在部材３２Ａ，３２Ｂは、抵抗の一例である。

電気抵抗である介在部材３２Ａは、コリメート部３１Ａとコリメート部３１Ｂとの間に介在し、コリメート部３１Ａとコリメート部３１Ｂとを接続する。電気抵抗である介在部材３２Ｂは、コリメート部３１Ｂとコリメート部３１Ｃとの間に介在し、コリメート部３１Ｂとコリメート部３１Ｃとを接続する。すなわち、三つのコリメート部３１と二つの介在部材３２とが、電気的に直列に接続される。

第６の実施形態において、第３の電源装置６３は、第１の電源８１と第４の電源８４とを有し、第２の電源８２と第３の電源８３とを有さない。第１の電源８１は、コリメート部３１Ａに電気的に接続される。

第１の電源８１がコリメート部３１Ａに電圧を印加する。このため、電気抵抗である介在部材３２Ａを介して、コリメート部３１Ｂにも電圧が印加される。さらに、介在部材３２Ａ、コリメート部３１Ｂ、及び介在部材３２Ｂを介して、コリメート部３１Ｃにも電圧が印加される。

電気抵抗である介在部材３２Ａ，３２Ｂにより、コリメート部３１Ａに印加される電圧と、コリメート部３１Ｂに印加される電圧と、コリメート部３１Ｃに印加される電圧と、が異なる。すなわち、第１の電源８１は、三つのコリメート部３１に異なる電圧を印加する。なお、コリメート部３１Ｂのみ、またはコリメート部３１Ｃのみに電圧が印加されても良い。

第６の実施形態のスパッタ装置１において、コリメート部３１Ａとコリメート部３１Ｂとの間に電気抵抗である介在部材３２Ａが設けられる。第３の電源装置６３は、コリメート部３１Ａに電圧を印加する。介在部材３２Ａは、コリメート部３１Ａに印加される電圧とコリメート部３１Ｂに印加される電圧とを異ならせる。これにより、三つのコリメート部３１に個別に電圧を印加することなく、第３の電源装置６３が三つのコリメート部３１に異なる電圧を印加することができる。

以下に、第７の実施形態について、図１５及び図１６を参照して説明する。図１５は、第７の実施形態に係るコリメータ１６を示す平面図である。図１６は、第７の実施形態のコリメータ１６の一部を示す断面図である。

図１６に示すように、第７の実施形態のコリメータ１６は、一つのコリメート部３１を有する。当該コリメート部３１の整流部４２は、複数の壁４５と、絶縁部１２１と、第２の配線１２２と、第３の配線１２３とを有する。第２の配線１２２及び第３の配線１２３はそれぞれ、第２の配線の一例である。

複数の壁４５は、複数の壁４５Ａと、複数の壁４５Ｂと、複数の壁４５Ｃとを含む。複数の壁４５Ａは、複数の第４の壁及び複数の第１の壁部の一例である。複数の壁４５Ｂ及び複数の壁４５Ｃはそれぞれ、複数の第５の壁及び複数の第２の壁部の一例である。複数の壁４５Ａ，４５Ｂ，４５Ｃを含む複数の壁４５は、第１の実施形態と同じく、複数の貫通口４７を形成する。複数の壁４５Ａによって形成された貫通口４７と、複数の壁４５Ｂによって形成された貫通口４７と、複数の壁４５Ｃによって形成された貫通口４７とは、並行に配置される。言い換えると、複数の壁４５Ａによって形成された貫通口４７と、複数の壁４５Ｂによって形成された貫通口４７と、複数の壁４５Ｃによって形成された貫通口４７とは、貫通口４７が延びる方向と直交する仮想平面（Ｘ-Ｙ平面）上に配置される。

図１５に示すように、複数の壁４５Ａは、互いに接続される。複数の壁４５Ｂは、互いに接続される。複数の壁４５Ｃは、互いに接続される。複数の壁４５Ｂは、枠４１の径方向において、複数の壁４５Ａと複数の壁４５Ｃとの間に位置する。すなわち、複数の壁４５Ａは、枠４１の内部において、複数の壁４５Ｂ及び複数の壁４５Ｃよりも外側に位置する。さらに、複数の壁４５Ｃは、枠４１の内部において、複数の壁４５Ａ及び複数の壁４５Ｂよりも内側に位置する。

上記のように、複数の壁４５Ａ，４５Ｂ，４５Ｃは、同心円状に配置される。しかし、複数の壁４５Ａ，４５Ｂ，４５Ｃは、例えば、枠４１の内側を四等分するように配置されても良い。

図１６に示すように、絶縁部１２１は、セラミックのような絶縁性の材料によって作られる。絶縁部１２１は、第１の部分１３１と、第２の部分１３２と、第３の部分１３３とを有する。第１乃至第３の部分１３１〜１３３は、一体に形成される。なお、第１乃至第３の部分１３１〜１３３は、互いに独立した部分であっても良い。

第１の部分１３１は、複数の壁４５Ａと、複数の壁４５Ｂとの間に介在する。第１の部分１３１は、複数の壁４５Ａと複数の壁４５Ｂとを区切り、複数の壁４５Ａと複数の壁４５Ｂとの間を絶縁する。複数の壁４５Ａは、互いに電気的に接続される。複数の壁４５Ｂは、互いに電気的に接続される。しかし、複数の壁４５Ａと複数の壁４５Ｂとの間は、第１の部分１３１によって絶縁される。

第２の部分１３２は、複数の壁４５Ｂと、複数の壁４５Ｃとの間に介在する。第２の部分１３２は、複数の壁４５Ｂと複数の壁４５Ｃとを区切り、複数の壁４５Ｂと複数の壁４５Ｃとの間を絶縁する。複数の壁４５Ｂは、互いに電気的に接続される。複数の壁４５Ｃは、互いに電気的に接続される。しかし、複数の壁４５Ｂと複数の壁４５Ｃとの間は、第２の部分１３２によって絶縁される。

複数の壁４５Ａは、枠４１に接続される。複数の壁４５Ｂ及び複数の壁４５Ｃは、枠４１から離間する。複数の壁４５Ｂ及び複数の壁４５Ｃと、枠４１との間は、絶縁部１２１によって絶縁される。

第３の部分１３３は、複数の壁４５Ａ，４５Ｂ，４５Ｃの上端面４５ａを覆う。第３の部分１３３は、複数の壁４５Ａ，４５Ｂ，４５Ｃの下端面４５ｂを覆っても良い。第３の部分１３３は、第１の部分１３１及び第２の部分１３２に接続される。

第３の部分１３３は、枠４１の上端面４１ｃをさらに覆う。第３の部分１３３は、枠４１の下端面４１ｄを覆っても良い。枠４１の上端面４１ｃを覆う第３の部分１３３は、外周面１３３ａを有する。第３の部分１３３の外周面１３３ａは、枠４１の外周面４１ｂに連続する。

第２の配線１２２及び第３の配線１２３は、例えば、アルミニウムのような導電体によって作られる。すなわち、第２及び第３の配線１２２，１２３は、コリメート部３１の材料と同じ材料によって作られる。第２及び第３の配線１２２，１２３の材料は、コリメート部３１の材料と異なっても良い。

第２の配線１２２は、絶縁部１２１の第３の部分１３３の内部を通る。第２の配線１２２の一方の端部１２２ａは、壁４５Ｂの上端面４５ａに接続される。第２の配線１２２の他方の端部１２２ｂは、第３の部分１３３の外周面１３３ａにおいて露出される。

第３の配線１２３は、絶縁部１２１の第３の部分１３３の内部を通る。第３の配線１２３の一方の端部１２３ａは、壁４５Ｃの上端面４５ａに接続される。第３の配線１２３の他方の端部１２３ｂは、第３の部分１３３の外周面１３３ａにおいて露出される。

第２の配線１２２及び第３の配線１２３は、第１の部分１３１及び第２の部分１３２の内部を通っても良い。さらに、第２の配線１２２及び第３の配線部１２３は、枠４１及び壁４５の内部を通っても良い。この場合、第２の配線１２２及び第３の配線１２３と枠４１及び壁４５との間は、絶縁部１２１の一部によって絶縁される。

第７の実施形態において、第１の電極７１は、枠４１の外周面４１ｂに接触する。このため、第１の電源８１は、第１の電極７１及び枠４１を介して、複数の壁４５Ａに電気的に接続される。第１の電極７１及び第１の電源８１は、第３の印加部の一例である。

第２の電極７２は、第２の配線１２２の端部１２２ｂに接触する。このため、第２の電源８２は、第２の電極７２及び第２の配線１２２を介して、複数の壁４５Ｂに電気的に接続される。言い換えると、第２の配線１２２は、複数の壁４５Ｂと第２の電源８２とを電気的に接続する。第２の電極７２及び第２の電源８２は、第４の印加部の一例である。

第３の電極７３は、第３の配線１２３の端部１２３ｂに接触する。このため、第３の電源８３は、第３の電極７３及び第３の配線１２３を介して、複数の壁４５Ｃに電気的に接続される。言い換えると、第３の配線１２３は、複数の壁４５Ｃと第３の電源８３とを電気的に接続する。第３の電極７３及び第３の電源８３は、第４の印加部の一例である。

第１の電源８１は、第１の電極７１及び枠４１を介して、複数の壁４５Ａに正の電圧を印加する。第２の電源８２は、第２の電極７２及び第２の配線１２２を介して、複数の壁４５Ｂに正の電圧を印加する。第３の電源８３は、第３の電極７３及び第３の配線１２３を介して、複数の壁４５Ｃに正の電圧を印加する。正の電圧を印加された複数の壁４５Ａ，４５Ｂ，４５Ｃはそれぞれ、電界を生じる。

第１乃至第３の電源８１〜８３は、複数の壁４５Ａ，４５Ｂ，４５Ｃに、異なる電圧を印加することが可能である。例えば、複数の壁４５Ａに印加される電圧は、複数の壁４５Ｂに印加される電圧と異なるとともに、複数の壁４５Ｃに印加される電圧と異なる。このため、複数の壁４５Ａが生じる電界の電界強度と、複数の壁４５Ｂが生じる電界の電界強度と、複数の壁４５Ｃが生じる電界の電界強度と、は異なる。

第７の実施形態のスパッタ装置１において、コリメータ１６は、複数の壁４５Ａと、複数の壁４５Ｂと、複数の壁４５Ｃを有する。第３の電源装置６３は、複数の壁４５Ａ，４５Ｂ，４５Ｃに異なる電圧を印加することが可能である。複数の壁４５Ａ，４５Ｂ，４５Ｃに印加される電圧がそれぞれ調整されることで、粒子Ｃの利用効率の低下が抑制される。さらに、第２の電源８２と複数の壁４５Ｂとを電気的に接続する第２の配線１２２が、絶縁部１２１の内部を通る。これにより、例えば、第２の配線１２２がスパッタ装置１におけるプラズマＰの発生に影響することが抑制される。例えば、第２の配線１２２がコリメータ１６から突出する場合、当該第２の配線１２２が電極として機能し、プラズマＰの発生を妨げることがある。

以上説明した少なくとも一つの実施形態によれば、電源が、粒子が有する電荷と正負が同じ電圧を整流部材に印加する。これにより、粒子の利用効率の低下が抑制される。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１…スパッタ装置、２…半導体ウェハ、１２…ターゲット、１３…ステージ、１４…マグネット、１６…コリメータ、２１…上壁、３１，３１Ａ，３１Ｂ，３１Ｃ…コリメート部、３２，３２Ａ，３２Ｂ…介在部材、３３…リフレクタ、３３ｃ…内周面、４５，４５Ａ，４５Ｂ，４５Ｃ…壁、４５ａ…上端面、４５ｂ…下端面、４５ｃ…内面、４７…貫通口、５１…開口部、６３…第３の電源装置、７１…第１の電極、７２…第２の電極、７３…第３の電極、８１…第１の電源、８２…第２の電源、８３…第３の電源、１０１…突出部、１０２…凹部、１０５…凸面、１１１…第１の配線、１２１…絶縁部、１２２…第２の配線、１２３…第３の配線、Ｃ…粒子。

一つの実施形態に係る処理装置は、物体配置部と、発生源配置部と、整流部材と、電源と、を備える。前記物体配置部は、物体が配置されるよう構成される。前記発生源配置部は、前記物体配置部から離間した位置に配置され、前記物体に向かって粒子を放出することが可能な粒子発生源が配置されるよう構成される。前記整流部材は、前記発生源配置部から前記物体配置部へ向かう第１の方向において前記物体配置部と前記発生源配置部との間に配置されるよう構成される。前記電源は、前記整流部材に、前記粒子が有する電荷と正負が同じ電圧を印加するよう構成される。前記整流部材は、第１のコリメータと、第２のコリメータと、前記第１のコリメータと前記第２のコリメータとの間に配置されて絶縁性を有する介在部材と、を有する。前記第１のコリメータは、前記物体配置部と前記発生源配置部との間に配置されるよう構成され、複数の第１の壁を有し、前記複数の第１の壁によって形成され前記第１の方向に延びる複数の第１の貫通口が設けられる。前記第２のコリメータは、前記物体配置部と前記発生源配置部との間で前記第１のコリメータよりも前記物体配置部に近くに配置されるよう構成され、複数の第２の壁を有し、前記複数の第２の壁によって形成され前記第１の方向に延びる複数の第２の貫通口が設けられる。前記介在部材は、前記複数の第１の壁に接続されるとともに前記複数の第２の壁に接続された複数の第３の壁を有し、前記複数の第３の壁によって形成され前記第１の方向に延びる複数の第３の貫通口が設けられる。前記複数の第１の貫通口と前記複数の第２の貫通口とは、前記複数の第３の貫通口により連通される。前記電源は、前記第１のコリメータに電圧を印加するよう構成された第１の印加部と、前記第２のコリメータに電圧を印加するよう構成された第２の印加部と、を有し、前記第１のコリメータと前記第２のコリメータの少なくとも一方に電圧を印加することが可能である。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
以下に、本願の出願当初の特許請求の範囲の内容を付記する。
［１］
物体が配置されるよう構成された物体配置部と、
前記物体配置部から離間した位置に配置され、前記物体に向かって粒子を放出することが可能な粒子発生源が配置されるよう構成された発生源配置部と、
前記発生源配置部から前記物体配置部へ向かう第１の方向において前記物体配置部と前記発生源配置部との間に配置されるよう構成された整流部材と、
前記整流部材に、前記粒子が有する電荷と正負が同じ電圧を印加するよう構成された電源と、
を具備する処理装置。
［２］
前記整流部材は、第１のコリメータと、第２のコリメータと、を有し、
前記第１のコリメータは、前記物体配置部と前記発生源配置部との間に配置されるよう構成され、複数の第１の壁を有し、前記複数の第１の壁によって形成され前記第１の方向に延びる複数の第１の貫通口が設けられ、
前記第２のコリメータは、前記物体配置部と前記発生源配置部との間で前記第１のコリメータよりも前記物体配置部に近くに配置されるよう構成され、複数の第２の壁を有し、前記複数の第２の壁によって形成され前記第１の方向に延びる複数の第２の貫通口が設けられ、
前記電源は、前記第１のコリメータと前記第２のコリメータの少なくとも一方に電圧を印加することが可能である、
［１］の処理装置。
［３］
前記整流部材は、前記第１のコリメータと前記第２のコリメータとの間に配置され、絶縁性を有する介在部材を有し、
前記電源は、前記第１のコリメータに電圧を印加するよう構成された第１の印加部と、前記第２のコリメータに電圧を印加するよう構成された第２の印加部と、を有する、
［２］の処理装置。
［４］
前記介在部材は、前記複数の第１の壁に接続されるとともに前記複数の第２の壁に接続された複数の第３の壁を有し、前記複数の第３の壁によって形成され前記第１の方向に延びる複数の第３の貫通口が設けられ、
前記複数の第１の貫通口と前記複数の第２の貫通口とは、前記複数の第３の貫通口により連通される、
［３］の処理装置。
［５］
前記複数の第１の壁はそれぞれ、前記第１の貫通口を形成する第１の内面を有し、
前記複数の第２の壁はそれぞれ、前記第２の貫通口を形成する第２の内面を有し、
前記第３の壁は、前記第１の内面が向く方向において前記第１の内面から突出する突出部と、前記第１の内面が向く方向において前記第１の内面から窪む凹部と、の少なくとも一方を形成する、
［４］の処理装置。
［６］
前記第１の壁は、互いに反対側に位置する二つの前記第１の内面と、前記第２の壁に向く第１の端面と、を有し、
前記第２の壁は、互いに反対側に位置する二つの前記第２の内面と、前記第１の端面に向く第２の端面と、を有し、
前記第３の壁は、前記第１の内面が向く方向において、一方の前記第１の内面と他方の前記第１の内面との間に位置し且つ一方の前記第２の内面と他方の前記第２の内面との間に位置し、前記凹部を形成し、
前記第１の端面は、前記第２の端面に向かって突出する曲面を有し、
前記第２の端面は、前記第１の端面に向かって突出する曲面を有する、
［５］の処理装置。
［７］
前記第１のコリメータと、前記第２のコリメータと、前記介在部材とは、互いに固定される、［３］乃至［６］のいずれか一つの処理装置。
［８］
前記介在部材の内部を通り、前記電源と前記第２のコリメータとを接続する第１の配線、をさらに具備する、［７］の処理装置。
［９］
前記整流部材は、前記第１のコリメータと前記第２のコリメータとの間に配置され、前記第１のコリメータと前記第２のコリメータとを接続する抵抗を有し、
前記電源は、前記第１のコリメータ又は前記第２のコリメータに電圧を印加するよう構成された、
［２］の処理装置。
［１０］
前記整流部材は、前記物体配置部と前記発生源配置部との間に配置されるよう構成され、複数の第４の壁と、複数の第５の壁と、前記複数の第４の壁と前記複数の第５の壁との間に介在する部分を有する絶縁部と、前記絶縁部の内部を通り前記第５の壁に接続された第２の配線と、を有するコリメータを有し、
前記複数の第４の壁と前記複数の第５の壁とは、前記第１の方向に延びる複数の貫通口を形成し、
前記複数の第４の壁によって形成された前記複数の貫通口と、前記複数の第５の壁によって形成された前記複数の貫通口とが、並行に配置され、
前記電源は、前記複数の第４の壁に電圧を印加するよう構成された第３の印加部と、前記第２の配線を介して前記複数の第５の壁に電圧を印加するよう構成された第４の印加部と、を有し、前記複数の第４の壁と前記複数の第５の壁との少なくとも一方に電圧を印加することが可能である、
［１］乃至［９］のいずれか一つの処理装置。
［１１］
前記整流部材は、前記第１の方向に延び前記発生源配置部に向かって開口するとともに前記物体配置部に向かって開口する開口部が設けられ、前記発生源配置部の少なくとも一部を囲むよう構成され、前記第１の方向と、前記第１の方向と直交する第２の方向と、の間の第３の方向に向くとともに前記開口部を形成する内周面を有するリフレクタを有する、［１］乃至［１０］のいずれか一つの処理装置。
［１２］
前記内周面は、前記物体配置部に対して窪む曲面である、［１１］の処理装置。
［１３］
前記発生源配置部に沿って移動可能であるマグネット、をさらに具備し、
前記発生源配置部は、前記リフレクタと前記マグネットとの間に位置するよう構成され、
前記リフレクタは、前記マグネットと共に移動するよう構成された、
［１１］又は［１２］の処理装置。
［１４］
第１の方向に延びる複数の第１の貫通口を形成し、導電性を有する複数の第１の壁と、
前記第１の方向において前記複数の第１の壁と並び、前記第１の方向に延びる複数の第２の貫通口を形成し、導電性を有する複数の第２の壁と、
前記複数の第１の壁と前記複数の第２の壁との間に配置され、前記複数の第１の壁に接続されるとともに前記複数の第２の壁に接続され、前記第１の方向に延びるとともに前記第１の貫通口と前記第２の貫通口とを連通する複数の第３の貫通口を形成し、絶縁性を有する第３の壁と、
を具備するコリメータ。
［１５］
前記第３の壁の内部を通り、前記第２の壁に接続され、前記複数の第２の壁と外部の電源とを電気的に接続するよう構成された第１の配線、
をさらに具備する［１４］のコリメータ。
［１６］
導電性を有する複数の第１の壁部と、
導電性を有する複数の第２の壁部と、
前記複数の第１の壁部と前記複数の第２の壁部との間に配置された部分を有し、絶縁性を有する絶縁部と、
前記絶縁部の内部を通り前記第２の壁部に接続され、前記複数の第２の壁部と外部の電源とを電気的に接続するよう構成された配線と、
を具備し、
前記複数の第１の壁部と前記複数の第２の壁部とが、第１の方向に延びる複数の貫通口を形成し、前記複数の第１の壁部によって形成された前記複数の貫通口と、前記複数の第２の壁部によって形成された前記複数の貫通口とが、並行に配置される、
コリメータ。

Claims (16)

1. 物体が配置されるよう構成された物体配置部と、
   前記物体配置部から離間した位置に配置され、前記物体に向かって粒子を放出することが可能な粒子発生源が配置されるよう構成された発生源配置部と、
   前記発生源配置部から前記物体配置部へ向かう第１の方向において前記物体配置部と前記発生源配置部との間に配置されるよう構成された整流部材と、
   前記整流部材に、前記粒子が有する電荷と正負が同じ電圧を印加するよう構成された電源と、
   を具備する処理装置。
2. 前記整流部材は、第１のコリメータと、第２のコリメータと、を有し、
   前記第１のコリメータは、前記物体配置部と前記発生源配置部との間に配置されるよう構成され、複数の第１の壁を有し、前記複数の第１の壁によって形成され前記第１の方向に延びる複数の第１の貫通口が設けられ、
   前記第２のコリメータは、前記物体配置部と前記発生源配置部との間で前記第１のコリメータよりも前記物体配置部に近くに配置されるよう構成され、複数の第２の壁を有し、前記複数の第２の壁によって形成され前記第１の方向に延びる複数の第２の貫通口が設けられ、
   前記電源は、前記第１のコリメータと前記第２のコリメータの少なくとも一方に電圧を印加することが可能である、
   請求項１の処理装置。
3. 前記整流部材は、前記第１のコリメータと前記第２のコリメータとの間に配置され、絶縁性を有する介在部材を有し、
   前記電源は、前記第１のコリメータに電圧を印加するよう構成された第１の印加部と、前記第２のコリメータに電圧を印加するよう構成された第２の印加部と、を有する、
   請求項２の処理装置。
4. 前記介在部材は、前記複数の第１の壁に接続されるとともに前記複数の第２の壁に接続された複数の第３の壁を有し、前記複数の第３の壁によって形成され前記第１の方向に延びる複数の第３の貫通口が設けられ、
   前記複数の第１の貫通口と前記複数の第２の貫通口とは、前記複数の第３の貫通口により連通される、
   請求項３の処理装置。
5. 前記複数の第１の壁はそれぞれ、前記第１の貫通口を形成する第１の内面を有し、
   前記複数の第２の壁はそれぞれ、前記第２の貫通口を形成する第２の内面を有し、
   前記第３の壁は、前記第１の内面が向く方向において前記第１の内面から突出する突出部と、前記第１の内面が向く方向において前記第１の内面から窪む凹部と、の少なくとも一方を形成する、
   請求項４の処理装置。
6. 前記第１の壁は、互いに反対側に位置する二つの前記第１の内面と、前記第２の壁に向く第１の端面と、を有し、
   前記第２の壁は、互いに反対側に位置する二つの前記第２の内面と、前記第１の端面に向く第２の端面と、を有し、
   前記第３の壁は、前記第１の内面が向く方向において、一方の前記第１の内面と他方の前記第１の内面との間に位置し且つ一方の前記第２の内面と他方の前記第２の内面との間に位置し、前記凹部を形成し、
   前記第１の端面は、前記第２の端面に向かって突出する曲面を有し、
   前記第２の端面は、前記第１の端面に向かって突出する曲面を有する、
   請求項５の処理装置。
7. 前記第１のコリメータと、前記第２のコリメータと、前記介在部材とは、互いに固定される、請求項３乃至請求項６のいずれか一つの処理装置。
8. 前記介在部材の内部を通り、前記電源と前記第２のコリメータとを接続する第１の配線、をさらに具備する、請求項７の処理装置。
9. 前記整流部材は、前記第１のコリメータと前記第２のコリメータとの間に配置され、前記第１のコリメータと前記第２のコリメータとを接続する抵抗を有し、
   前記電源は、前記第１のコリメータ又は前記第２のコリメータに電圧を印加するよう構成された、
   請求項２の処理装置。
10. 前記整流部材は、前記物体配置部と前記発生源配置部との間に配置されるよう構成され、複数の第４の壁と、複数の第５の壁と、前記複数の第４の壁と前記複数の第５の壁との間に介在する部分を有する絶縁部と、前記絶縁部の内部を通り前記第５の壁に接続された第２の配線と、を有するコリメータを有し、
    前記複数の第４の壁と前記複数の第５の壁とは、前記第１の方向に延びる複数の貫通口を形成し、
    前記複数の第４の壁によって形成された前記複数の貫通口と、前記複数の第５の壁によって形成された前記複数の貫通口とが、並行に配置され、
    前記電源は、前記複数の第４の壁に電圧を印加するよう構成された第３の印加部と、前記第２の配線を介して前記複数の第５の壁に電圧を印加するよう構成された第４の印加部と、を有し、前記複数の第４の壁と前記複数の第５の壁との少なくとも一方に電圧を印加することが可能である、
    請求項１乃至請求項９のいずれか一つの処理装置。
11. 前記整流部材は、前記第１の方向に延び前記発生源配置部に向かって開口するとともに前記物体配置部に向かって開口する開口部が設けられ、前記発生源配置部の少なくとも一部を囲むよう構成され、前記第１の方向と、前記第１の方向と直交する第２の方向と、の間の第３の方向に向くとともに前記開口部を形成する内周面を有するリフレクタを有する、請求項１乃至請求項１０のいずれか一つの処理装置。
12. 前記内周面は、前記物体配置部に対して窪む曲面である、請求項１１の処理装置。
13. 前記発生源配置部に沿って移動可能であるマグネット、をさらに具備し、
    前記発生源配置部は、前記リフレクタと前記マグネットとの間に位置するよう構成され、
    前記リフレクタは、前記マグネットと共に移動するよう構成された、
    請求項１１又は請求項１２の処理装置。
14. 第１の方向に延びる複数の第１の貫通口を形成し、導電性を有する複数の第１の壁と、
    前記第１の方向において前記複数の第１の壁と並び、前記第１の方向に延びる複数の第２の貫通口を形成し、導電性を有する複数の第２の壁と、
    前記複数の第１の壁と前記複数の第２の壁との間に配置され、前記複数の第１の壁に接続されるとともに前記複数の第２の壁に接続され、前記第１の方向に延びるとともに前記第１の貫通口と前記第２の貫通口とを連通する複数の第３の貫通口を形成し、絶縁性を有する第３の壁と、
    を具備するコリメータ。
15. 前記第３の壁の内部を通り、前記第２の壁に接続され、前記複数の第２の壁と外部の電源とを電気的に接続するよう構成された第１の配線、
    をさらに具備する請求項１４のコリメータ。
16. 導電性を有する複数の第１の壁部と、
    導電性を有する複数の第２の壁部と、
    前記複数の第１の壁部と前記複数の第２の壁部との間に配置された部分を有し、絶縁性を有する絶縁部と、
    前記絶縁部の内部を通り前記第２の壁部に接続され、前記複数の第２の壁部と外部の電源とを電気的に接続するよう構成された配線と、
    を具備し、
    前記複数の第１の壁部と前記複数の第２の壁部とが、第１の方向に延びる複数の貫通口を形成し、前記複数の第１の壁部によって形成された前記複数の貫通口と、前記複数の第２の壁部によって形成された前記複数の貫通口とが、並行に配置される、
    コリメータ。

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