KR20170099761A - 검사 장치 및 레이저 가공 장치 - Google Patents

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Abstract

(과제) 투명 재료로 형성된 피검사 부재에 존재하는 크랙을 간소한 구성으로 검출 가능한 검사 장치를 제공한다.
(해결 수단) 검사 장치 (14) 는, 투명 재료제 부재의 둘레 가장자리에 배치되고, 투명 재료제 부재를 측방으로부터 조명하는 조명 수단 (16) 과, 투명 재료제 부재에 대면하여 배치되고, 조명 수단 (16) 에 의해 조명된 투명 재료제 부재를 촬상하는 촬상 수단 (18) 과, 촬상 수단 (18) 이 촬상한 화상을 표시하는 표시 수단 (20) 을 포함한다.

Description

검사 장치 및 레이저 가공 장치{INSPECTION APPARATUS AND LASER MACHINING APPARATUS}
본 발명은, 투명 재료로 형성된 피검사 부재에 존재하는 크랙을 검출 가능한 검사 장치, 및 투명 재료로 형성된 피가공물에 존재하는 크랙을 검출 가능한 레이저 가공 장치에 관한 것이다.
하기 특허문헌 1 에는, 복수의 분할 예정 라인에 의해 복수의 영역으로 표면이 구획되고, 복수의 영역 각각에 표면 탄성파 (SAW : Surface Acoustic Wave) 디바이스가 형성된, 리튬탄탈레이트 (LiTaO3) 또는 리튬나이오베이트 (LiNbO3) 등의 투명 재료제 웨이퍼에 레이저 가공홈을 형성하는 레이저 가공 방법이 개시되어 있다. 이 레이저 가공 방법에서는, 펄스폭이 200 ps 이하로, 반복 주파수가 50 ㎑ 이하로 각각 설정된 펄스 레이저 광선을 분할 예정 라인을 따라 웨이퍼의 표면에 조사한다. 그리고, 이 레이저 가공 방법에 의하면, 웨이퍼에 크랙을 발생시키지 않고, 분할 예정 라인을 따라 웨이퍼의 표면에 레이저 가공홈이 형성된다. 레이저 가공홈이 형성된 웨이퍼는, 분할 예정 라인을 따라 외력이 부여됨으로써 개개의 SAW 디바이스로 분할된다.
일본 공개특허공보 2012-195472호
상기 특허문헌 1 에 개시된 레이저 가공 방법을 사용하면, 레이저 광선의 조사에 의해 웨이퍼에 새로운 크랙이 발생하지는 않지만, 어느 디바이스에 미세한 크랙이 이미 존재하고 있었던 경우에는, 그 크랙이 레이저 광선의 조사에 의해 신장될 때가 있다. 이 때에는, 레이저 광선의 조사 전에는 크랙이 존재하지 않았던 디바이스로까지 크랙이 신장될 우려가 있다.
따라서, 본 발명의 목적은, 투명 재료로 형성된 피검사 부재에 존재하는 크랙을 간소한 구성으로 검출 가능한 검사 장치, 및 투명 재료로 형성된 피가공물에 존재하는 크랙을 간소한 구성으로 검출 가능한 레이저 가공 장치를 제공하는 것이다.
본 발명에 의하면, 검사 장치로서, 투명 부재의 주변에 배치되고, 그 투명 부재를 측방으로부터 조명하는 조명 수단과, 그 투명 부재에 대면하여 배치되고, 그 조명 수단에 의해 조명된 그 투명 부재를 촬상하는 촬상 수단과, 그 촬상 수단이 촬상한 촬상 화상을 표시하는 표시 수단을 구비한 검사 장치가 제공된다.
바람직하게는, 검사 장치는, 그 촬상 수단이 촬상한 화상과, 그 촬상 수단이 촬상한 화상에 기초하여 검출된 그 투명 부재의 크랙의 위치를 기억하는 기억 수단을 추가로 포함한다.
본 발명의 다른 측면에 의하면, 레이저 가공 장치로서, 투명 부재를 유지하는 척 테이블과, X 방향 및 그 X 방향에 직교하는 Y 방향으로 그 척 테이블을 이동시키는 이동 수단과, 그 척 테이블에 유지된 그 투명 부재에 레이저 광선을 조사하는 레이저 광선 조사 수단과, 그 척 테이블에 유지된 그 투명 부재의 주변에 배치되고, 그 투명 부재를 측방으로부터 조명하는 조명 수단과, 그 척 테이블에 유지된 그 투명 부재에 대면하여 배치되고, 그 조명 수단에 의해 조명된 그 투명 부재를 촬상하는 촬상 수단과, 그 촬상 수단이 촬상한 촬상 화상을 표시하는 표시 수단을 구비한 레이저 가공 장치가 제공된다.
바람직하게는, 그 투명 부재를 유지한 그 척 테이블을 그 이동 수단이 이동시키면서, 그 촬상 수단이 그 투명 부재의 편면에 있어서의 전체 영역을 촬상한다. 바람직하게는, 그 투명 부재는, 리튬탄탈레이트 또는 리튬나이오베이트로 형성된 웨이퍼이다.
본 발명에 의하면, 투명 부재의 둘레 가장자리에 배치된 조명 수단이 투명 부재를 측방으로부터 조명하고, 투명 부재에 대면하여 배치된 촬상 수단이 조명 수단에 의해 조명된 투명 부재를 촬상하므로, 투명 부재에 존재하는 크랙의 촬상이 가능해지고, 그리고 촬상 수단이 촬상한 화상이 표시 수단에 의해 표시된다. 따라서, 표시 수단에 표시된 화상에 기초하여 투명 부재의 크랙을 검출할 수 있다.
도 1 은 점착 테이프를 개재하여 환상 (環狀) 프레임에 지지된 웨이퍼의 사시도.
도 2 는 본 발명에 따라 구성된 검사 장치의 모식적 사시도.
도 3 은 본 발명에 따라 구성된 레이저 가공 장치의 사시도.
도 4 는 도 3 에 나타내는 레이저 가공 장치로 검사를 실시하고 있는 상태를 나타내는 모식적 측면도.
먼저, 본 발명에 따라 구성된 검사 장치의 실시형태에 대해, 웨이퍼를 피검사 부재로 하여, 도 1 및 도 2 를 참조하면서 설명한다.
도 1 에 나타내는 피검사 부재로서의 웨이퍼 (2) 는, 리튬탄탈레이트 또는 리튬나이오베이트 등의 투명 경취 재료로 형성되어 있다. 원반상의 웨이퍼 (2) 의 표면 (4) 에는 복수의 분할 예정 라인 (6) 이 격자상으로 형성되고, 분할 예정 라인 (6) 에 의해 웨이퍼 (2) 의 표면 (4) 이 복수의 영역으로 구획되어 있다. 복수의 영역 각각에는, SAW 디바이스 (8) 가 형성되어 있다. 본 실시형태에서는, 둘레 가장자리가 환상 프레임 (10) 에 고정된 점착 테이프 (12) 에 웨이퍼 (2) 의 이면이 첩부 (貼付) 되어 있다. 또한, 웨이퍼 (2) 의 표면 (4) 이 점착 테이프 (12) 에 첩부되어 있어도 된다.
도 2 를 참조하여 설명한다. 검사 장치 (14) 는, 조명 수단 (16), 촬상 수단 (18) 및 표시 수단 (20) 을 포함한다. 본 실시형태에 있어서의 조명 수단 (16) 은, 웨이퍼 (2) 의 직경보다 큰 내경을 갖는 환상 판 (22) 과, 환상 판 (22) 의 편면에 둘레 방향으로 간격을 두고 배치된 복수 개의 광원 (24) 을 갖는다. 환상 판 (22) 의 외경은 환상 프레임 (10) 의 내경보다 작은 것이 알맞다. 광원 (24) 은 직경 방향 내측을 향하여 백색광을 조사한다. 촬상 수단 (18) 은 가시광선에 의해 촬상하는 통상적인 촬상 소자 (CCD) 를 포함한다. 촬상 수단 (18) 이 촬상한 화상의 신호는, 화면을 갖는 표시 수단 (20) 에 출력된다.
검사 장치 (14) 는 기억 수단을 포함하는 것이 바람직하다. 본 실시형태에서는 도 2 에 나타내는 바와 같이, 컴퓨터로 구성되는 제어 수단 (26) 이 촬상 수단 (18) 에 접속되고, 제어 수단 (26) 은, 제어 프로그램에 따라 연산 처리하는 중앙 처리 장치 (CPU) (28) 와, 제어 프로그램 등을 격납하는 리드 온리 메모리 (ROM) (30) 와, 연산 결과 등을 격납하는 읽고 쓰기 가능한 랜덤 액세스 메모리 (RAM) (32) 를 갖는다. 그리고 도시하는 실시형태에서는, 검사 장치 (14) 의 기억 수단은, 제어 수단 (26) 의 랜덤 액세스 메모리 (32) 로 구성되어 있다.
검사 장치 (14) 를 사용하는 검사 공정에 대해 설명한다. 웨이퍼 (2) 를 검사할 때에는, 먼저 적절한 지지대 (34) 에 웨이퍼 (2) 를 얹는다. 이어서, 웨이퍼 (2) 의 둘레 가장자리에 조명 수단 (16) 을 배치함과 함께, 웨이퍼 (2) 의 표면 (4) 에 대면하도록 촬상 수단 (18) 을 배치한다. 이어서, 조명 수단 (16) 에 의해 측방으로부터 조명된 웨이퍼 (2) 를 촬상 수단 (18) 에 의해 촬상한다. 이와 같은 조명 수단 (16) 및 촬상 수단 (18) 의 배치에 의해, 투명 경취 재료로 형성된 웨이퍼 (2) 에 존재하는 크랙의 촬상이 가능해진다. 촬상시에는, 촬상 수단 (18) 을 적절히 이동시킴으로써, 웨이퍼 (2) 의 표면 전체를 촬상한다. 그리고, 촬상 수단 (18) 이 촬상한 화상이 표시 수단 (20) 의 화면에 표시되기 때문에, 그 화상에 기초하여 웨이퍼 (2) 의 크랙 (크랙의 예를 도 2 에 부호 36 으로 나타낸다) 을 검출할 수 있다. 이 검사는, 개개의 SAW 디바이스 (8) 로 분할하기 전에, 원반상의 웨이퍼 (2) 의 상태에서 실시할 수 있으므로, 분할 후에 각 SAW 디바이스 (8) 의 검사를 실시하는 경우와 비교하여 효율적이다.
검사 장치 (14) 를 사용하는 검사는, 분할 예정 라인 (6) 에 레이저 광선을 조사하여, 분할 예정 라인 (6) 을 따라 강도 저하부를 형성하는 레이저 가공의 전후에 실시할 수 있다. 따라서, 레이저 가공 전후에 검사 장치 (14) 를 사용하는 검사를 실시함으로써, 레이저 광선의 조사가 크랙의 신장에 미치는 영향을 검증할 수 있다. 즉, 레이저 가공 전의 검사에서 웨이퍼 (2) 의 크랙을 검출한 경우에는, 크랙을 포함하는 영역의 화상과 크랙의 위치를 랜덤 액세스 메모리 (32) 에 기억시킴과 함께, 레이저 가공 후의 검사에 있어서 레이저 가공 전에 랜덤 액세스 메모리 (32) 에 기억시킨 영역 (크랙을 포함하는 영역) 과 동일한 영역을 촬상하고, 그 영역의 화상과 크랙의 위치를 랜덤 액세스 메모리 (32) 에 기억시킨다. 그리고, 레이저 가공 전의 화상과 레이저 가공 후의 화상을 비교함으로써, 레이저 광선의 조사가 크랙의 신장에 미치는 영향을 검증할 수 있다.
웨이퍼 (2) 를 개개의 SAW 디바이스 (8) 로 분할한 후에는, 크랙이 없는 디바이스와 크랙을 갖는 디바이스를 선별하는 작업이 실시된다. 이 작업시, 랜덤 액세스 메모리 (32) 에 기억시킨 크랙의 위치를 참조함으로써, 디바이스마다 크랙의 유무를 검사할 필요가 없어지기 때문에, 선별 작업의 효율이 향상된다.
또한 본 실시형태에서는, 웨이퍼 (2) 가 점착 테이프 (12) 를 개재하여 환상 프레임 (10) 에 지지된 상태에서 검사 장치 (14) 를 사용하는 검사를 실시하는 예를 설명하였지만, 웨이퍼 (2) 를 환상 프레임 (10) 에 지지시키지 않고, 적절한 지지대에 웨이퍼 (2) 를 직접 얹은 상태에서 검사 장치 (14) 를 사용하는 검사를 실시해도 된다.
다음으로, 본 발명에 따라 구성된 레이저 가공 장치의 실시형태에 대해, 웨이퍼를 피가공물로 하여, 도 3 및 도 4 를 참조하면서 설명한다. 또한, 검사 장치의 실시형태에 있어서의 구성과 동일한 구성이어도 되는 것에 대해서는, 검사 장치의 실시형태와 동일한 부호를 부여하고 그 설명을 생략한다.
도 3 에 나타내는 레이저 가공 장치 (40) 는, 기대 (42) 와, 피가공물을 유지하는 유지 수단 (44) 과, 유지 수단 (44) 을 이동시키는 이동 수단 (46) 과, 유지 수단 (44) 에 유지된 피가공물에 레이저 광선을 조사하는 레이저 광선 조사 수단 (48) 과, 촬상 수단 (50) 과, 표시 수단 (52) 과, 조명 수단 (16) 을 구비한다. 레이저 가공 장치 (40) 는 기억 수단을 포함하는 것이 바람직하고, 본 실시형태에서는 도 4 에 나타내는 바와 같이, 컴퓨터로 구성되는 제어 수단 (54) 을 레이저 가공 장치 (40) 는 추가로 구비하고, 기억 수단은 제어 수단 (54) 의 랜덤 액세스 메모리 (90) 로 구성되어 있다.
유지 수단 (44) 은, X 방향에 있어서 자유롭게 이동할 수 있도록 기대 (42) 에 탑재된 사각형상의 X 방향 가동판 (56) 과, Y 방향에 있어서 자유롭게 이동할 수 있도록 X 방향 가동판 (56) 에 탑재된 사각형상의 Y 방향 가동판 (58) 과, Y 방향 가동판 (58) 의 상면에 고정된 원통상의 지주 (60) 와, 지주 (60) 의 상단에 고정된 사각형상의 커버판 (62) 을 포함한다. 커버판 (62) 에는 Y 방향으로 연장되는 장공 (62a) 이 형성되어 있다. 장공 (62a) 을 통과하여 상방으로 연장되는 원형상의 척 테이블 (64) 이 지주 (60) 의 상단에 자유롭게 회전할 수 있도록 탑재되어 있다. 척 테이블 (64) 의 상면에는, 다공질 재료로 형성되고 실질상 수평하게 연장되는 원형상의 흡착 척 (66) 이 배치되어 있다. 흡착 척 (66) 은, 지주 (60) 를 통과하는 유로에 의해 흡인 수단 (도시되어 있지 않음) 에 접속되어 있다. 척 테이블 (64) 의 둘레 가장자리에는, 둘레 방향으로 간격을 두고 복수 개의 클램프 (68) 가 배치되어 있다. 또한, X 방향은 도 3 에 화살표 X 로 나타내는 방향이고, Y 방향은 도 3 에 화살표 Y 로 나타내는 방향으로서 X 방향에 직교하는 방향이다. X 방향 및 Y 방향이 규정하는 평면은 실질상 수평이다.
이동 수단 (46) 은, X 방향 이동 수단 (70) 과, Y 방향 이동 수단 (72) 과, 회전 수단 (도시되어 있지 않음) 을 포함한다. X 방향 이동 수단 (70) 은, 기대 (42) 상에 있어서 X 방향으로 연장되는 볼 나사 (74) 와, 볼 나사 (74) 의 편단부 (片端部) 에 연결된 모터 (76) 를 갖는다. 볼 나사 (74) 의 너트부 (도시되어 있지 않음) 는, X 방향 가동판 (56) 의 하면에 고정되어 있다. 그리고 X 방향 이동 수단 (70) 은, 볼 나사 (74) 에 의해 모터 (76) 의 회전 운동을 직선 운동으로 변환시켜 X 방향 가동판 (56) 에 전달하고, 기대 (42) 상의 안내 레일 (42a) 을 따라 X 방향 가동판 (56) 을 X 방향으로 진퇴시킨다. Y 방향 이동 수단 (72) 은, X 방향 가동판 (56) 상에 있어서 Y 방향으로 연장되는 볼 나사 (78) 와, 볼 나사 (78) 의 편단부에 연결된 모터 (80) 를 갖는다. 볼 나사 (78) 의 너트부 (도시되어 있지 않음) 는, Y 방향 가동판 (58) 의 하면에 고정되어 있다. 그리고 Y 방향 이동 수단 (72) 은, 볼 나사 (78) 에 의해 모터 (80) 의 회전 운동을 직선 운동으로 변환시켜 Y 방향 가동판 (58) 에 전달하고, X 방향 가동판 (56) 상의 안내 레일 (56a) 을 따라 Y 방향 가동판 (58) 을 Y 방향으로 진퇴시킨다. 회전 수단은, 지주 (60) 에 내장되고, 지주 (60) 에 대하여 척 테이블 (64) 을 회전시킨다.
레이저 광선 조사 수단 (48) 은, 기대 (42) 의 상면으로부터 상방으로 연장되고 이어서 실질상 수평하게 연장되는 프레임체 (82) 에 내장된 펄스 레이저 광선 발진 수단 (도시되어 있지 않음) 과, 프레임체 (82) 의 선단 하면에 배치된 집광기 (84) 를 포함한다. 촬상 수단 (50) 은, 집광기 (84) 와 X 방향으로 간격을 두고 프레임체 (82) 의 선단 하면에 부설되어 있다. 집광기 (84) 및 촬상 수단 (50) 은, 척 테이블 (64) 에 상방에 위치한다. 촬상 수단 (50) 은, 가시광선에 의해 촬상하는 통상적인 촬상 소자 (CCD) 와, 피가공물에 적외선을 조사하는 적외선 조사 수단과, 적외선 조사 수단에 의해 조사된 적외선을 포착하는 광학계와, 광학계가 포착한 적외선에 대응하는 전기 신호를 출력하는 촬상 소자 (적외선 CCD) 를 포함한다 (모두 도시되어 있지 않음). 촬상 수단 (50) 이 촬상한 화상의 신호가 출력되는 표시 수단 (52) 은, 프레임체 (82) 의 선단 상면에 탑재되어 있다. 도 4 에 나타내는 바와 같이, 제어 수단 (54) 은, 제어 프로그램에 따라 연산 처리하는 중앙 처리 장치 (CPU) (86) 와, 제어 프로그램 등을 격납하는 리드 온리 메모리 (ROM) (88) 와, 연산 결과 등을 격납하는 읽고 쓰기 가능한 랜덤 액세스 메모리 (RAM) (90) 를 갖는다. 제어 수단 (54) 은, 이동 수단 (46), 레이저 광선 조사 수단 (48), 촬상 수단 (50) 및 표시 수단 (52) 에 접속되고, 이것들의 작동을 제어한다.
레이저 가공 장치 (40) 를 사용하는 검사 및 가공의 공정에 대해 설명한다. 먼저, 피가공물로서의 웨이퍼 (2) 를 유지 수단 (44) 에 유지시키는 유지 공정을 실시한다. 유지 공정에서는, 흡착 척 (66) 의 상면에 표면 (4) 을 상측으로 하여 웨이퍼 (2) 를 얹고, 흡인 수단을 작동시킴으로써 흡착 척 (66) 의 상면에 부압 (負壓) 을 발생시켜, 웨이퍼 (2) 의 이면측 (점착 테이프측) 을 흡착 척 (66) 의 상면에 흡착시킨다. 또, 환상 프레임 (10) 의 외주 가장자리부를 복수의 클램프 (68) 에 의해 고정시킨다. 본 실시형태에서는, 검사 장치의 실시형태와 동일하게, 둘레 가장자리가 환상 프레임 (10) 에 고정된 점착 테이프 (12) 에 웨이퍼 (2) 의 이면이 첩부되어 있지만, 웨이퍼 (2) 의 표면 (4) 이 점착 테이프 (12) 에 첩부되어 있어도 된다.
유지 공정을 실시한 후, 레이저 가공 전의 검사인 가공 전 검사 공정을 실시한다. 도 4 에 나타내는 바와 같이, 가공 전 검사 공정에서는, 먼저, 조명 수단 (16) 을 흡착 척 (66) 에 얹고, 웨이퍼 (2) 의 둘레 가장자리에 배치한다. 이어서, 촬상 수단 (50) 이 웨이퍼 (2) 의 표면 (4) 에 대면하도록, 유지 수단 (44) 을 이동 수단 (46) 에 의해 이동시킨다. 이어서, 조명 수단 (16) 에 의해 측방으로부터 조명된 웨이퍼 (2) 를 촬상 수단 (50) 에 의해 촬상한다. 이와 같은 조명 수단 (16) 및 촬상 수단 (50) 의 배치에 의해, 투명 경취 재료로 형성된 웨이퍼 (2) 에 존재하는 크랙의 촬상이 가능해진다. 촬상시에는, 이동 수단 (46) 에 의해 유지 수단 (44) 을 적절히 이동시킴으로써, 웨이퍼 (2) 의 표면 전체를 촬상 수단 (50) 이 촬상한다. 그리고, 촬상 수단 (50) 이 촬상한 화상이 표시 수단 (52) 의 화면에 표시되기 때문에, 그 화상에 기초하여 웨이퍼 (2) 의 크랙을 검출할 수 있다. 이 검사는, 개개의 SAW 디바이스 (8) 로 분할하기 전에, 원반상의 웨이퍼 (2) 의 상태에서 실시할 수 있으므로, 분할 후에 각 SAW 디바이스 (8) 의 검사를 실시하는 경우와 비교하여 효율적이다. 가공 전 검사 공정에서 웨이퍼 (2) 의 크랙을 검출한 경우에는, 크랙을 포함하는 영역의 화상과 크랙의 위치를 제어 수단 (54) 의 랜덤 액세스 메모리 (90) 에 기억시킨다.
가공 전 검사 공정을 실시한 후, 조명 수단 (16) 을 흡착 척 (66) 으로부터 제거하고, 레이저 광선 조사 위치의 위치 맞춤을 위한 얼라인먼트 공정을 실시한다. 얼라인먼트 공정에서는, 패턴 매칭 등의 화상 처리가 제어 수단 (54) 에 의해 실시된다. 즉, 촬상 수단 (50) 이 촬상한 웨이퍼 (2) 의 화상에 기초하여, 제어 수단 (54) 이 이동 수단 (46) 을 적절히 작동시킴으로써, 격자상의 분할 예정 라인 (6) 을 X 방향 및 Y 방향으로 정합시킴과 함께, 분할 예정 라인 (6) 과 집광기 (84) 의 위치 맞춤을 실시한다.
얼라인먼트 공정을 실시한 후, 레이저 가공 공정을 실시한다. 레이저 가공 공정에서는, 먼저, 이동 수단 (46) 에 의해 유지 수단 (44) 을 이동시켜, 소정의 분할 예정 라인 (6) 의 길이 방향 편단부를 집광기 (84) 의 바로 아래에 위치시킨다. 이어서, 레이저 광선 조사 수단 (48) 을 작동시켜, 집광기 (84) 로부터 소정의 분할 예정 라인 (6) 에 펄스 레이저 광선을 조사하면서, X 방향 이동 수단 (70) 에 의해 유지 수단 (44) 을 소정의 가공 이송 속도로 X 방향으로 이동시킨다. 소정의 분할 예정 라인 (6) 의 길이 방향 타단부가 집광기 (84) 의 바로 아래에 도달하면, 레이저 광선 조사 수단 (48) 및 X 방향 이동 수단 (70) 을 정지시킨다. 이로써, 소정의 분할 예정 라인 (6) 을 따라 강도 저하부가 형성된다. 또, 다른 분할 예정 라인 (6) 에 있어서도 강도 저하부를 형성한다.
가공 전 검사 공정에서 웨이퍼 (2) 의 크랙을 검출한 경우에는, 레이저 가공 공정을 실시한 후에 가공 후 검사 공정을 실시한다. 가공 후 검사 공정에서는, 먼저, 촬상 수단 (50) 이 웨이퍼 (2) 의 표면 (4) 에 대면하도록, 유지 수단 (44) 을 이동 수단 (46) 에 의해 이동시킨다. 이어서, 조명 수단 (16) 에 의해 웨이퍼 (2) 가 측방으로부터 조명된 상태에 있어서, 가공 전 검사에서 랜덤 액세스 메모리 (90) 에 기억시킨 영역 (크랙을 포함하는 영역) 과 동일한 영역을 촬상 수단 (50) 에 의해 촬상한다. 이어서, 그 영역의 화상과 크랙의 위치를 랜덤 액세스 메모리 (90) 에 기억시킨다. 그리고, 가공 전 검사 공정의 화상과 가공 후 검사 공정의 화상을 비교함으로써, 레이저 광선의 조사가 크랙의 신장에 미치는 영향을 검증할 수 있다. 또, 랜덤 액세스 메모리 (90) 에 기억시킨 크랙의 위치를 참조함으로써, 웨이퍼 (2) 를 개개의 SAW 디바이스 (8) 로 분할한 후에 실시되는 디바이스 선별 작업의 효율이 향상된다.
또한, 레이저 가공 장치 (40) 의 조명 수단에 대해서는, 검사 장치 (14) 의 조명 수단 (16) 과 동일한 것을 사용하는 예를 설명하였지만, 척 테이블 (64) 의 직경 방향 외측에 있어서 척 테이블 (64) 의 둘레 방향으로 간격을 두고 커버판 (62) 에 복수 개의 광원이 배치되어 있어도 된다.
2 : 웨이퍼
14 : 검사 장치
16 : 조명 수단
18 : 촬상 수단
20 : 표시 수단
32 : 랜덤 액세스 메모리 (기억 수단)
40 : 레이저 가공 장치
44 : 유지 수단
46 : 이동 수단
48 : 레이저 광선 조사 수단
50 : 촬상 수단
52 : 표시 수단
90 : 랜덤 액세스 메모리 (기억 수단)

Claims (5)

  1. 검사 장치로서,
    투명 부재의 주변에 배치되고, 상기 투명 부재를 측방으로부터 조명하는 조명 수단과,
    상기 투명 부재에 대면하여 배치되고, 상기 조명 수단에 의해 조명된 상기 투명 부재를 촬상하는 촬상 수단과,
    상기 촬상 수단이 촬상한 촬상 화상을 표시하는 표시 수단을 구비한, 검사 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 촬상 수단이 촬상한 화상과, 상기 촬상 수단이 촬상한 화상에 기초하여 검출된 상기 투명 부재의 크랙의 위치를 기억하는 기억 수단을 추가로 구비한, 검사 장치.
  3. 레이저 가공 장치로서,
    투명 부재를 유지하는 척 테이블과,
    X 방향 및 그 X 방향에 직교하는 Y 방향으로 상기 척 테이블을 이동시키는 이동 수단과,
    상기 척 테이블에 유지된 상기 투명 부재에 레이저 광선을 조사하는 레이저 광선 조사 수단과,
    상기 척 테이블에 유지된 상기 투명 부재의 주변에 배치되고, 상기 투명 부재를 측방으로부터 조명하는 조명 수단과,
    상기 척 테이블에 유지된 상기 투명 부재에 대면하여 배치되고, 상기 조명 수단에 의해 조명된 상기 투명 부재를 촬상하는 촬상 수단과,
    상기 촬상 수단이 촬상한 촬상 화상을 표시하는 표시 수단을 구비한, 레이저 가공 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 투명 부재를 유지한 상기 척 테이블을 상기 이동 수단이 이동시키면서, 상기 촬상 수단이 상기 투명 부재의 편면에 있어서의 전체 영역을 촬상하는, 레이저 가공 장치.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 투명 부재는, 리튬탄탈레이트 또는 리튬나이오베이트로 형성된 웨이퍼로 구성되는, 레이저 가공 장치.
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6935168B2 (ja) * 2016-02-12 2021-09-15 株式会社ディスコ 加工装置
JP7010633B2 (ja) * 2017-09-19 2022-01-26 ファスフォードテクノロジ株式会社 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
US20190224784A1 (en) * 2018-01-19 2019-07-25 Panasonic Corporation Laser slicing apparatus and laser slicing method
CN110501332A (zh) * 2018-05-18 2019-11-26 苏州汉扬精密电子有限公司 顶针的检测结构
JP7290449B2 (ja) * 2019-04-03 2023-06-13 株式会社ディスコ 超高速度撮像装置
CN111007080B (zh) * 2019-12-25 2022-07-12 成都先进功率半导体股份有限公司 一种晶圆裂纹检查装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005043229A (ja) * 2003-07-22 2005-02-17 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd 透明板欠陥検査装置
JP2008036641A (ja) * 2006-08-01 2008-02-21 Laser System:Kk レーザ加工装置およびレーザ加工方法
KR20090095837A (ko) * 2008-03-06 2009-09-10 주식회사 아이. 피. 에스시스템 웨이퍼 에지영역 검사장치, 이를 이용하는 웨이퍼 에지영역검사방법 및 웨이퍼 정렬방법
JP2012195472A (ja) 2011-03-17 2012-10-11 Disco Abrasive Syst Ltd 非線形結晶基板のレーザー加工方法
JP2012240082A (ja) * 2011-05-19 2012-12-10 Disco Corp レーザー加工方法およびレーザー加工装置

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0587739A (ja) * 1991-09-30 1993-04-06 Kowa Co 透明体欠陥検査装置
US5389182A (en) * 1993-08-02 1995-02-14 Texas Instruments Incorporated Use of a saw frame with tape as a substrate carrier for wafer level backend processing
JP2821460B2 (ja) * 1996-04-24 1998-11-05 株式会社日本マクシス 透明基板の傷検査装置
JP3422935B2 (ja) * 1997-07-17 2003-07-07 Hoya株式会社 透光性物質の不均一性検査方法及びその装置並びに透明基板の選別方法
JP3292294B2 (ja) * 1997-11-07 2002-06-17 住友重機械工業株式会社 レーザを用いたマーキング方法及びマーキング装置
US6900888B2 (en) * 2001-09-13 2005-05-31 Hitachi High-Technologies Corporation Method and apparatus for inspecting a pattern formed on a substrate
JP2003151483A (ja) * 2001-11-19 2003-05-23 Hitachi Ltd 荷電粒子線を用いた回路パターン用基板検査装置および基板検査方法
US6791668B2 (en) * 2002-08-13 2004-09-14 Winbond Electronics Corporation Semiconductor manufacturing apparatus and method
US20040207836A1 (en) * 2002-09-27 2004-10-21 Rajeshwar Chhibber High dynamic range optical inspection system and method
WO2005031861A1 (en) * 2003-09-26 2005-04-07 Tessera, Inc. Structure and method of making capped chips including a flowable conductive medium
US7092082B1 (en) * 2003-11-26 2006-08-15 Kla-Tencor Technologies Corp. Method and apparatus for inspecting a semiconductor wafer
WO2005064321A1 (en) * 2003-12-30 2005-07-14 Agency For Science, Technology And Research Method and apparatus for detection of inclusions in glass
WO2006129562A1 (ja) * 2005-06-02 2006-12-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 部品自動教示装置
US7855088B2 (en) * 2006-12-21 2010-12-21 Texas Instruments Incorporated Method for manufacturing integrated circuits by guardbanding die regions
JP2008200694A (ja) * 2007-02-19 2008-09-04 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法およびレーザー加工装置
JP2008205226A (ja) * 2007-02-21 2008-09-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品実装用装置における撮像用の照明装置
JP5007979B2 (ja) * 2008-05-22 2012-08-22 独立行政法人産業技術総合研究所 欠陥を検査する方法及び欠陥検査装置
JP5198203B2 (ja) * 2008-09-30 2013-05-15 株式会社ディスコ 加工装置
JP2011033449A (ja) * 2009-07-31 2011-02-17 Sumco Corp ウェーハの欠陥検査方法及び欠陥検査装置
DE102009050711A1 (de) * 2009-10-26 2011-05-05 Schott Ag Verfahren und Vorrichtung zur Detektion von Rissen in Halbleitersubstraten
CN101832945A (zh) * 2010-04-29 2010-09-15 中国科学院上海技术物理研究所 镀膜玻璃薄膜缺陷在线检测方法与装置
JP5563388B2 (ja) * 2010-06-30 2014-07-30 第一実業ビスウィル株式会社 チップled検査装置
JP2012245603A (ja) * 2011-05-31 2012-12-13 Disco Corp アライメント装置
JP5894384B2 (ja) * 2011-07-08 2016-03-30 株式会社ディスコ 加工装置
KR20130051796A (ko) * 2011-11-10 2013-05-21 (주)쎄미시스코 기판 검사장치
US9389349B2 (en) * 2013-03-15 2016-07-12 Kla-Tencor Corporation System and method to determine depth for optical wafer inspection
CN103900499B (zh) * 2014-02-27 2017-03-15 中国烟草总公司北京市公司 基于计算机视觉技术的卷烟包装警语区域面积测定方法
CN104697971B (zh) * 2015-03-17 2018-02-16 江苏量点科技有限公司 光源模块及使用该光源模块的体外检测分析装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005043229A (ja) * 2003-07-22 2005-02-17 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd 透明板欠陥検査装置
JP2008036641A (ja) * 2006-08-01 2008-02-21 Laser System:Kk レーザ加工装置およびレーザ加工方法
KR20090095837A (ko) * 2008-03-06 2009-09-10 주식회사 아이. 피. 에스시스템 웨이퍼 에지영역 검사장치, 이를 이용하는 웨이퍼 에지영역검사방법 및 웨이퍼 정렬방법
JP2012195472A (ja) 2011-03-17 2012-10-11 Disco Abrasive Syst Ltd 非線形結晶基板のレーザー加工方法
JP2012240082A (ja) * 2011-05-19 2012-12-10 Disco Corp レーザー加工方法およびレーザー加工装置

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