KR20170000348A - 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체 - Google Patents

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Abstract

웨이퍼 유지부에 의해 유지된 기판에 흠집이 나거나 불순물이 부착되지 않는다. 기판 처리 장치(1)는, 유지면(23)과 개구(24)를 가지는 회전 가능한 웨이퍼 유지부(22)와, 도포액(50a)을 공급하는 노즐(50)을 구비하고 있다. 노즐(50)로부터 유지면(23) 주연부로 도포액(50a)이 공급되고, 도포액이 건조되어 유지면(23) 상에 웨이퍼(W)를 배치하는 환상 도포막(25)이 형성된다.

Description

기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, SUBSTRATE PROCESSING METHOD, AND RECORDING MEDIUM}
본 발명은, 기판에 대하여 예를 들면 현상 처리 등의 유체로 처리를 행하는 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼(이하 '웨이퍼'라고 함) 또는 액정 디스플레이의 글라스 기판(LCD 기판)의 표면에 소정의 패턴을 형성하기 위한 마스크는, 웨이퍼 등의 기판 표면에 레지스트를 도포한 후, 광, 전자선 혹은 이온선 등을 레지스트면에 조사하고, 현상액(처리액)을 이용한 액 처리에 의해 얻어진다.
이러한 액 처리는, 종래, 예를 들면 다음과 같이 행하고 있었다. 즉 먼저, 예를 들면 진공 흡착 기능을 구비한 기판 유지 기구 상에 기판 예를 들면 웨이퍼를 흡착 유지하여, 공급 노즐로부터 웨이퍼 표면에 처리액을 공급하면서, 웨이퍼를 회전시킴으로써 액 처리가 행해진다.
그런데 액 처리 중에 웨이퍼 등의 기판을 기판 유지 기구에 의해 흡착 유지할 시, 기판 유지 기구의 유지면에 흠집 또는 파티클이 존재하면, 이 유지면의 흠집 또는 파티클에 의해 기판에 흠집이 나거나 불순물이 부착된다.
혹은 기판 유지 기구의 유지면의 경도가 높은 경우도, 유지면에 의해 기판에 흠집이 나는 경우가 있다.
본 발명은 이러한 점을 고려하여 이루어진 것으로, 기판 유지 기구에 의해 유지된 기판에 흠집이 나거나 불순물이 부착되지 않는 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, 유지면과, 상기 유지면에 마련된 흡인부를 가지는 기판 유지 기구와, 상기 기판 유지 기구의 유지면에 마련된 상기 흡인부를 둘러싸도록 도포액을 공급하여, 상기 유지면에 기판을 배치하는 환상(環狀) 도포막을 형성하는 도포액 공급부를 구비한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치이다.
본 발명은, 유지면과, 이 유지면에 마련된 흡인부를 가지는 기판 유지 기구를 준비하는 공정과, 상기 기판 유지 기구의 유지면에 마련된 상기 흡인부를 둘러싸도록 도포액 공급부로부터 도포액을 공급하여, 상기 유지면에 기판을 배치하는 환상 도포막을 형성하는 공정과, 상기 유지면의 상기 환상 도포막 상에 기판을 배치하여 기판을 흡인부에 의해 흡착 유지하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법이다.
본 발명은, 컴퓨터에 기판 처리 방법을 실행시키기 위한 기억 매체에 있어서, 상기 기판 처리 방법은, 유지면과, 상기 유지면에 마련된 흡인부를 가지는 기판 유지 기구를 준비하는 공정과, 상기 기판 유지 기구의 유지면에 마련된 상기 흡인부를 둘러싸도록 도포액 공급부로부터 도포액을 공급하여, 상기 유지면에 기판을 배치하는 환상 도포막을 형성하는 공정과, 상기 유지면의 상기 환상 도포막 상에 기판을 배치하여 기판을 흡인부에 의해 흡착 유지하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 기억 매체이다.
이상과 같이 본 발명에 따르면, 기판 유지 기구에 의해 유지된 기판에 흠집이 나거나, 불순물이 부착되는 것을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시의 형태에 따른 기판 처리 장치의 일례를 나타내는 단면도이다.
도 2의 (a)는 처리 유체를 공급하는 노즐을 나타내는 사시도이며, 도 2의 (b)는 노즐을 나타내는 평면도이다.
도 3의 (a) ~ (f)는 본 발명의 실시의 형태에 따른 기판 처리 방법을 나타내는 도이다.
도 4는 기판 처리 장치의 기판 유지 기구를 나타내는 저면도이다.
도 5는 기판 유지 기구의 유지면과 도포액 공급부를 나타내는 평면도이다.
<발명의 실시의 형태>
이하, 도 1 내지 도 4를 참조하여 본 발명의 실시의 형태에 대하여 설명한다.
여기서 도 1은, 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 종단면도이다. 도 1에 나타내는 바와 같이 기판 처리 장치(1)는 기판인 웨이퍼(W)의 중앙 근방을, 피처리면이 위를 향하도록 대략 수평인 상태로 흡착 유지하고, 또한 당해 웨이퍼(W)를 연직축 둘레로 회전시키고, 또한 승강시키기 위한, 예를 들면 폴리테트라 플루오르 에틸렌 또는 폴리에테르 에테르 케톤 등의 수지 혹은 금속에 의해 구성된 웨이퍼 유지부(기판 유지 기구)(22)와, 이 웨이퍼 유지부(22)의 상방에 배치되고, 웨이퍼 유지부(22)에 의해 흡착 유지된 웨이퍼(W) 표면에 약액, DIW(De Ionized Water) 등으로 이루어지는 처리액, 혹은 N2 가스 등의 건조 가스를 공급하는 노즐(처리 유체 공급부)(5)을 구비하고 있다. 이 중, 웨이퍼 유지부(22)는 기판 유지 기구를 이루는 것으로, 웨이퍼(W)를 유지하는 유지면(23)과, 유지면(23)의 중앙부에 개구되고, 웨이퍼(W)를 진공 흡착하는 개구(흡인부)(24)를 가지고 있다. 그리고 이 웨이퍼 유지부(22)는 승강 기구와 모터가 조합된 구동부(21)에 의해, 회전축을 개재하여 연직축 둘레로 회전 가능 또한 승강 가능하게 되어 있다. 이렇게 하여 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 유지부(22)에 의해, 도 1에 나타내는 웨이퍼 유지부(22)에 흡착 유지된 처리 위치와, 처리 위치보다 상방측의 웨이퍼(W)의 전달 위치(H)와의 사이에서 승강 가능, 회전 가능하게 유지된다.
이러한 웨이퍼 유지부(22)의 주위에는, 상기 처리 위치에 있는 웨이퍼(W)의 주위를 둘러싸고, 웨이퍼 상에 공급된 처리액을 털어낼 시, 이 액이 주위로 비산하는 것을 방지하기 위한, 원형 통 형상의 컵(3)이 마련되어 있다. 컵(3)은 외컵(31)과 내컵(32)으로 이루어지고, 외컵(31)은, 처리액의 비산을 방지할 때에는 상기 웨이퍼(W)의 전달 위치보다 상방측에 상단이 위치하고, 웨이퍼(W)의 전달 시 또는 처리액의 공급 시에는, 상기 웨이퍼(W)의 전달 위치보다 하방측에 상단이 위치하도록, 도시하지 않은 승강 기구에 의해 승강 가능하게 구성되어 있다.
내컵(32)은 외컵(31)의 내측에, 상기 웨이퍼(W)의 전달 위치보다 하방측으로서, 웨이퍼(W)가 상기 처리 위치에 있을 때는, 당해 웨이퍼(W)보다 상방측에 상단이 위치하도록 마련되어 있다. 이 내컵(32)은, 웨이퍼(W)의 측방측에서는 위를 향해 내측으로 경사지고, 웨이퍼(W)의 하방측에는 처리액이 웨이퍼(W)의 이면측으로 유입되는 것을 억제하기 위하여, 상기 처리 위치에 있는 웨이퍼(W)의 이면측 주연에 접하지 않을 정도로 환상의 볼록부(33)가 마련되고, 웨이퍼(W)의 외방으로부터 볼록부(33)를 향해 위로 경사지도록 형성되어 있다.
또한 내컵(32)의 웨이퍼(W)의 이면측의 주연 영역에 대응하는 위치에는, 복수 예를 들면 3 개의 유지 핀(4)이 마련되어 있다. 이 유지 핀(4)은, 웨이퍼(W)를 웨이퍼 유지부(22)로부터 부상시킨 상태로 유지하는 것이다. 이러한 유지 핀(4)은, 예를 들면 스테인리스에 의해 구성되고, 선단에 예를 들면 알루미나에 의해 구성된 보호재가 마련되어 있고, 웨이퍼(W)를 유지할 때의 당해 유지 핀(4)과 웨이퍼(W)와의 접촉 면적은, 웨이퍼 유지부(22)의 유지면(23)으로 웨이퍼(W)를 유지했을 때의 유지면(23)과 웨이퍼(W)와의 접촉 면적보다 상당히 작아지도록 설정되어 있다.
이들 유지 핀(4)의 하단측은, 수평 지지 암(41)을 개재하여 승강 기구(42)에 접속되어 있고, 유지 핀(4)의 상단이, 상기 처리 위치에 있는 웨이퍼(W)의 하방측에 위치하는 대기 위치와, 대기 위치보다 상방측의 위치로서, 웨이퍼(W)를 유지하여 웨이퍼 유지부(22)로부터 부상시키는 위치와의 사이에서 승강 가능하게 되어 있다. 또한 컵(3)에는, 처리액의 배액로(34)와, 배기로와 배액로를 겸한 배출로(35)가 접속되어 있고, 배출로(35)는 도시하지 않은 기액 분리 수단에 접속되어 있다.
상술한 바와 같이 웨이퍼 유지부(22)에 진공 흡착되어 처리 위치에 있는 웨이퍼(W)의 상방에는, 당해 웨이퍼(W)의 표면에 처리 유체를 공급하기 위한 공급부를 이루는 노즐(5)이 마련되어 있다. 이 노즐(5)은, 도 2의 (a), (b)에 나타내는 바와 같이, 예를 들면 옆으로 좁고 긴 봉 형상으로 형성된 노즐 본체(5a)와, 노즐 본체(5a)의 하면에 마련되고, 웨이퍼 표면에 직경 방향을 따라 처리 유체를 토출하기 위한 공급홀(5b)을 가지고, 상기 노즐 본체(5a) 및 공급홀(5b)은, 웨이퍼 표면의 중심선(웨이퍼(W)의 중심을 지나고, 직경 방향으로 연장되는 선) 근방에, 처리 유체를 공급하도록 구성되어 있다.
또한 도 1에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 유지부(22)의 상방에는, 웨이퍼 유지부(22)의 유지면(23)의 예를 들면, 주연부에 도포액(50a)을 공급하여, 유지면(23) 상에 개구(24)를 둘러싸도록 원하는 막 두께의 환상 도포막(25)을 형성하는 노즐(도포액 공급부)(50)이 마련되어 있다. 여기서 말하는 환상 도포막(25)의 환상이란, 하나로 이어진 닫힌 끈 형상을 이루는 형상을 의미하며, 원형에 한정되는 것은 아니다.
여기서 노즐(50)은, 웨이퍼 유지부(22)를 회전시키면서, 웨이퍼 유지부(22)의 유지면(23)에 탑 코트액, 레지스트액, 또는 반사 방지막액 등의 도포액을 공급하는 것이다. 도포액은 용제와, 수지 등으로 이루어지는 수용성의 잔부를 포함하고, 유지면(23)에 공급된 도포액은 웨이퍼 유지부(22)의 회전에 수반하여 유지면(23)의 주연부에 환상으로 도포된다. 그리고, 유지면(23) 상의 도포액 중 용제가 외방으로 방출되어 도포액 컵(51)으로 유도되고, 잔부가 유지면(23)의 주연부에 남아, 환상 도포막(25)을 형성한다. 이 환상 도포막(25)은 바람직하게는, 대전 방지제를 포함하고, 환상 도포막(25)에 정전기가 대전하지 않도록 되어 있다. 또한, 도포액(50a)에 포함되는 용제의 휘발성이 높고, 웨이퍼 유지부(22)의 회전에 수반하여 용제가 외방으로 방출되지 않는 경우에는, 환상 도포막(25)을 유지면(23)의 주연부에 형성하지 않아도 되고, 웨이퍼(W)가 흡착 유지될 수 있다면 개구(24)를 둘러싸도록 임의의 위치에 환상 도포막(25)을 형성해도 된다. 또한 이 경우, 도포액 컵(51)을 마련하지 않아도 된다.
또한, 웨이퍼 유지부(22)와 유지 핀(4)의 사이에, 노즐(50)로부터 유지면(23) 상에 공급된 도포액을 받아 하방으로 유도하는 도포액 컵(51)이 상하 방향으로 승강 가능하게 마련되어 있다.
또한, 웨이퍼 유지부(22)의 외주에, 웨이퍼 유지부(22) 상의 웨이퍼(W)의 주연부를 유지하여 들어올리는 링 가이드(52)가 마련되어 있다.
그런데 웨이퍼 유지부(22)의 유지면(23)에는, 상술한 바와 같이 개구(24)가 마련되어 있다. 이 개구(24)는 유지면(23)의 중앙부에 형성되고, 유지면(23)의 주연부에 상술한 환상 도포막(25)이 형성된다(도 4 참조).
유지면(23)에 마련된 개구(24)는, 웨이퍼 유지부(22)를 관통하여 연장되는 연통 라인(55)을 개재하여 진공원(56)에 접속되어 있다.
또한 연통 라인(55)에는, 진공원(56)에 더불어 DIW 공급원(57) 및 N2 가스 공급원(58)이 접속되어 있고, 전환 기구(60)를 개재하여 연통 라인(55)을 진공원(56), DIW 공급원(57) 또는 N2 가스 공급원(58)에 선택적으로 접속할 수 있다.
이 경우, 연통 라인(55)을 진공원(56)에 접속함으로써, 개구(24)는 흡착 기능을 가지는 것이 가능해진다. 또한 연통 라인(55)을 DIW 공급원(57)에 접속함으로써, DIW 공급원(57)으로부터 연통 라인(55)을 거쳐 개구(24)로부터 DIW를 공급할 수 있다. 또한 연통 라인(55)을 N2 가스 공급원(58)에 접속함으로써, N2 가스 공급원(58)으로부터 연통 라인(55)을 거쳐 개구(24)로부터 N2 가스를 공급할 수 있다.
이상에 설명한 구성을 구비한 기판 처리 장치(1)의 각 구성 요소, 예를 들면 웨이퍼 유지부(22)의 구동부(21), 노즐(5), 노즐(50), 승강 기구(42), 전환 기구(60) 등은 도 1에 나타내는 바와 같이 제어부(10)에 접속되어 있다. 제어부(10)는 CPU(11)와 기억 매체(12)를 구비한 컴퓨터로 이루어지고, 기억 매체(12)에는 기판 처리 장치(1)의 작용, 즉 액 처리 방법의 동작에 따른 제어에 대한 스텝(명령)군이 탑재된 프로그램이 기록되어 있다. 이 프로그램은, 예를 들면 하드 디스크, 컴팩트 디스크, 마그넷 옵티컬 디스크, 메모리 카드 등의 기억 매체(12)에 저장되고, 그로부터 컴퓨터에 인스톨된다.
이어서 이러한 구성으로 이루어지는 본 실시의 형태의 작용에 대하여, 도 3의 (a) ~ (f)에 의해 설명한다.
먼저, 도 5에 나타내는 바와 같이, 노즐(도포액 공급부)(50)을 퇴피 위치로부터 유지면(23)의 예를 들면 주연부의 상방 위치로 이동시키고, 웨이퍼 유지부(22)를 회전시키면서, 웨이퍼 유지부(22)의 유지면(23)의 주연부에 노즐(도포액 공급부)(50)로부터 도포액(50a)을 공급한다.
이 경우, 웨이퍼 유지부(22)의 회전에 수반하여, 도포액(50a)은 유지면(23)의 주연부에 링 형상으로 확산되고, 유지면(23)의 주연부로부터 외방으로 방출된 도포액(50a)은 유지면(23)의 주연부로부터 도포액 컵(51)에 의해 하방으로 유도된다. 이와 같이, 도포액(50a)은 유지면(23)의 주연부로부터 도포액 컵(51)에 의해 하방으로 유도되기 때문에, 도포액(50a)이 웨이퍼 유지부(22) 외방에 위치하는 컵(3)측으로 비산하지 않는다.
노즐(50)로부터 공급되는 도포액(50a)은, 상술한 바와 같이 탑 코트액, 레지스트액, 또는 반사 방지막액 등으로 이루어지고, 유지면(23)의 주연부에 링 형상으로 확산된다.
유지면(23) 상의 도포액(50a)은, 이 후 용제가 외방으로 방출되고, 잔부가 남아 건조되어 고체가 되고, 유지면(23)의 주연부에 환상 도포막(25)을 형성한다(도 3의 (a) 및 도 4 참조). 원하는 막 두께의 환상 도포막(25)이 형성된 후, 노즐(50)로부터 도포액(50a)의 공급을 정지하고, 이 후, 노즐(50)을 퇴피 위치로 이동하고, 웨이퍼 유지부(22)의 회전이 정지한다.
유지면(23)의 주연부에 형성된 환상 도포막(25)은, 웨이퍼 유지부(22)의 유지면(23)보다 연질의 재료로 이루어져, 웨이퍼(W)를 그 위에 흠집 내지 않고 배치할 수 있다.
이어서 도 1 및 도 3의 (a), (b)에 나타내는 바와 같이, 외컵(31)을 웨이퍼(W)의 전달 위치보다 하강시킨다. 이어서 웨이퍼(W)를, 도시하지 않은 반송 암에 의해 웨이퍼 유지부(22) 상의 전달 위치까지 반송하고, 상방에 위치하는 유지 핀(4)에 의해 웨이퍼(W)를 전달한다. 이 후 유지 핀(4)을 강하시켜 웨이퍼(W)를 웨이퍼 유지부(22)에 흡착시킨다. 이 때 연통 라인(55)은 진공원(56)에 접속되어 있다.
이어서 대기 위치에 있는 노즐(처리 유체 공급부)(5)을 웨이퍼 유지부(22)의 상방 위치까지 이동시킨다. 이 때, 내컵(32)의 상단을 상기 웨이퍼(W)보다 상방측에 위치시켜, 노즐(5)로부터 처리액(5c)을 공급하고, 웨이퍼(W)의 중심선 근방에 예를 들면 현상액, 세정액 등의 처리액(5c)을 공급하고, 또한 웨이퍼 유지부(22)를 회전시킨다.
이와 같이 노즐(5)로부터 웨이퍼(W) 상에 처리액(5c)을 공급함으로써, 웨이퍼(W)에 대한 액 처리를 실행할 수 있다.
그 동안, 링 가이드(52)는 웨이퍼(W)의 외주에 웨이퍼(W)와 접촉하지 않고 배치되고, 웨이퍼(W) 상에 노즐(5)로부터 공급된 처리액(5c)은 링 가이드(52) 상면을 지나 안내되어 외방의 내컵(32)으로 유도된다.
환상 도포막(25)은, 웨이퍼 유지부(22)의 유지면(23)에 비해 연질로 되어 있고, 또한 환상 도포막(25)은 유지면(23)으로부터 상방으로 돌출된다. 이 때문에 웨이퍼(W)를 직접, 유지면(23) 상에 배치할 경우에 비해, 유지면(23) 상에 존재하는 흠집 혹은 파티클에 의해 웨이퍼(W)에 흠집이 나거나, 웨이퍼(W)에 불순물이 부착되지 않는다.
이 때문에 웨이퍼(W)를 청정하게 유지하면서, 웨이퍼(W)에 대하여 액 처리를 실시할 수 있다.
이어서 도 3의 (c)에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 유지부(22)의 회전이 정지한다. 또한 노즐(5)로부터의 처리액(5c)의 공급이 정지되고, 퇴피 위치로 이동한다. 또한, 연통 라인(55)이 전환 기구(60)에 의해 DIW 공급원(57)에 접속된다. 이어서 DIW 공급원(57)으로부터 연통 라인(55)을 거쳐 유지면(23)의 개구(24)로 DIW가 공급되고, 이 DIW(24a)는 개구(24)로부터 웨이퍼(W)의 이면으로 분출된다. 이 경우, 웨이퍼(W)는 개구(24)에 의해 흡착되지 않고, 유지면(23)의 환상 도포막(25) 상에 배치되어 있다.
이 때문에, 개구(24)로부터 분출된 DIW(24a)는 웨이퍼(W) 이면을 지나 외방으로 유출된다.
그런데, 유지면(23) 상에 형성된 환상 도포막(25)은 수용성의 재료로 이루어져 있다. 이 때문에 환상 도포막(25)은, 개구(24)로부터 분출된 DIW(도포막 처리액)(24a)에 의해 용이하게 용해 또는 에칭되고, DIW(24a)에 의해 용해 또는 에칭된 환상 도포막(25)은 DIW(24a)와 함께 유지면(23)과 웨이퍼(W) 이면과의 사이의 간극을 거쳐 외방으로 유출된다. 이 때 링 가이드(52)는 웨이퍼(W)의 외주에 있으며, 웨이퍼(W)로부터 약간 떨어져 있어도 되고, 또한, 링 가이드(52)를 상승시켜, 웨이퍼(W)를 유지함으로써 유지면(23)과 접촉하지 않도록 해도 된다. 이와 같이 하여 유지면(23) 상의 환상 도포막(25)이 제거된다. 이 경우, 유지면(23)의 개구(24)는 도포막 처리액 공급부로서 기능한다.
이 후, 도 3의 (d)에 나타내는 바와 같이, 링 가이드(52)로 웨이퍼(W)를 유지하고 있지 않은 경우에는, 링 가이드(52)가 상승하여 웨이퍼(W)가 링 가이드(52)에 의해 유지되고, 웨이퍼(W)가 유지면(23)으로부터 약간 떨어진다. 이 상태에서 웨이퍼 유지부(22)가 회전한다. 유지면(23)의 개구(24)로부터 DIW(24a)가 계속하여, 회전하는 웨이퍼(W)의 이면에 분출된다. 개구(24)로부터 분출된 DIW(24a)는 회전하는 웨이퍼(W)의 이면을 세정하고, 또한 유지면(23)을 세정하고, 유지면(23)과 웨이퍼(W)의 이면과의 사이의 간극을 거쳐 외방으로 유출된다. 이와 같이 하여 유지면(23) 및 웨이퍼(W)의 이면이 세정된다.
이어서 도 3의 (e)에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 유지부(22)가 계속하여 회전하고, 연통 라인(55)이 전환 기구(60)에 의해 N2 가스 공급원(58)에 접속된다. 이 경우, 개구(24)로부터의 DIW(24a)의 분출은 정지하고, 대신에 N2 가스 공급원(58)으로부터 공급된 N2 가스(24b)가 연통 라인(55)을 거쳐 개구(24)로부터 웨이퍼(W)의 이면으로 분출된다.
웨이퍼(W)의 이면에 분출된 N2 가스(24b)는, 유지면(23) 및 웨이퍼(W)의 이면에 남은 DIW(24a)를 외방으로 밀어내고, 이와 같이 하여 유지면(23) 및 웨이퍼(W)의 이면이 건조된다. 이 경우, 개구(24)는 N2 가스 공급부로서 기능한다.
이 후, 도 3의 (f)에 나타내는 바와 같이, 유지 핀(4)이 상승하여 웨이퍼(W)를 상방의 전달 위치까지 들어올리고, 이 후, 링 가이드(52)를 하강시킨다. 이어서 웨이퍼(W)는, 도시하지 않은 반송 암에 의해 외방으로 반출된다. 이 때, 외컵(31)은 미리 강하되어 있고, 외컵(31)의 상단은 전달 위치보다 하방에 위치하고 있다.
이상과 같이 본 실시의 형태에 따르면, 웨이퍼 유지부(22)의 유지면(23)에 유지면(23)에 비해 연질의 원하는 막 두께의 환상 도포막(25)을 형성할 수 있고, 이 환상 도포막(25) 상에 웨이퍼(W)를 배치할 수 있다. 이 때문에 유지면(23)에 직접 웨이퍼(W)를 배치하는 경우에 비해, 유지면(23) 상에 존재하는 흠집 혹은 파티클에 의해 웨이퍼(W)에 흠집이 나거나, 웨이퍼(W)에 불순물이 부착하는 것을 미연에 방지할 수 있다. 또한 유지면(23) 상에 마련된 환상 도포막(25)은 수용성 재료로 이루어지기 때문에, 웨이퍼(W)를 유지면(23) 상의 환상 도포막(25)에 배치하여 웨이퍼(W)에 대하여 액 처리를 실시한 후, 유지면(23)으로부터 환상 도포막(25)을 DIW(24a)에 의해 용이하게 용해 또는 에칭하여 제거할 수 있다. 그리고 새로운 웨이퍼(W)를 웨이퍼 유지부(22)의 유지면(23) 상에 유지할 때마다, 새로운 환상 도포막(25)을 용이하고 또한 간단하게 형성할 수 있다.
<본 발명의 변형예>
이어서 본 발명의 변형예에 대하여 기술한다. 상기 실시의 형태에 있어서, 유지면(23) 상에 환상 도포막(25)을 형성한 후, 유지면(23)의 중앙부에 마련된 개구(24)로부터 DIW(24a)를 유지면(23)에 공급하여 환상 도포막(25)을 용해 또는 에칭하여 제거하는 예를 나타냈지만, 이에 한정되지 않고, 유지면(23)의 주연부에 DIW를 공급하는 3 개의 개구(24A)를 마련해도 된다(도 4 참조). 이 경우, 유지면(23)의 중앙부의 개구(24)는 진공원(56)에 접속되어 흡인부로서 기능한다. 또한 주연부의 개구(24A)는, DIW 공급원(57) 또는 N2 가스 공급원(58)에 선택적으로 접속되어 DIW 공급부 혹은 N2 가스 공급부로서 기능한다.
혹은 또한, 환상 도포막(25)을 용해 또는 에칭하기 위한 DIW를 공급하는 DIW 공급부를 웨이퍼 유지부(22)의 상방에 배치해도 된다.
또한 유지면(23)에 마련된 환상 도포막(25) 상에 웨이퍼(W)를 배치하여 흡착 유지하고, 이 웨이퍼(W)에 대하여 액 처리를 실시한 후(도 3의 (b) 참조), 환상 도포막(25)을 DIW(24a)에 의해 용해 또는 에칭하여 제거하는 예를 나타냈지만(도 3의 (c) 참조), 이에 한정되지 않고, 환상 도포막(25) 상에 배치된 웨이퍼(W)에 대하여 액 처리를 실시한 후(도 3의 (b) 참조), 환상 도포막(25)을 제거하지 않고, 즉시 환상 도포막(25) 상의 웨이퍼(W)를 유지 핀(4)에 의해 상방의 전달 위치까지 들어올려 반송 암에 의해 외방으로 반출해도 된다(도 3의 (f) 참조). 이 경우, 환상 도포막(25)을 복수 회의 액 처리에 걸쳐 연속적으로 사용할 수 있다.
또한 노즐(5)을 이용하여 도포액을 공급하고, 노즐(5)과 별체의 노즐(50)을 이용하여 처리 유체를 공급하는 예를 나타냈지만, 이에 한정되지 않고, 단일의 노즐(5)또는 노즐(50) 중 어느 일방을 이용하여 도포액을 공급하고 또한 처리 유체를 공급해도 된다.
또한 환상 도포막(25)은, 평평한 유지면(23)에 형성되는 것에 한정되지 않고, 예를 들면, 환상의 볼록부를 가지는 유지면(23)(도시하지 않음)의 볼록부 상부에 환상 도포막(25)이 형성되어도 되고, 또한, 환상의 오목부를 가지는 유지면(23)(도시하지 않음)의 오목부 내로부터 돌출되도록 환상 도포막(25)을 형성해도 된다.
또한 상기한 실시 형태에서는, 웨이퍼(W)를 흡착 유지하여 회전하는 웨이퍼 유지부에 환상 도포막(25)을 형성하는 예를 나타냈지만, 이에 한정되지 않고, 웨이퍼(W)를 회전시키지 않고 웨이퍼(W)를 흡착 유지하는 웨이퍼 유지부에 환상 도포막(25)을 형성하도록 해도 된다.
1 : 기판 처리 장치
3 : 컵
4 : 유지 핀
5 : 노즐
5a : 노즐 본체
10 : 제어부
11 : CPU
22 : 웨이퍼 유지부
23 : 유지면
24 : 개구
24a : DIW
24b : N2 가스
25 : 환상 도포막
31 : 외컵
32 : 내컵
42 : 승강 기구
50 : 노즐
50a : 도포액
51 : 도포액 컵
52 : 링 가이드
W : 웨이퍼

Claims (16)

  1. 유지면과, 상기 유지면에 마련된 흡인부를 가지는 기판 유지 기구와,
    상기 기판 유지 기구의 유지면에 마련된 상기 흡인부를 둘러싸도록 도포액을 공급하여, 상기 유지면에 기판을 배치하는 환상 도포막을 형성하는 도포액 공급부
    를 구비한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판 유지 기구는 회전 가능한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 유지면 상의 상기 환상 도포막을 용해 또는 에칭하는 처리액을 공급하는 도포막 처리액 공급부를 더 구비한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 유지 기구의 외주에, 상기 기판 유지 기구에 유지된 기판을 상방으로 들어올리는 유지 핀을 마련한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 유지 기구의 외주에, 상기 기판 유지 기구에 유지된 기판의 주연부를 유지하여 들어올리는 링 가이드를 마련한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 기판 유지 기구와 상기 유지 핀과의 사이에, 상기 기판 유지 기구의 유지면주연부에 공급된 도포액을 하방으로 유도하는 도포액 컵을 마련한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    기판 유지 기구의 상방에, 상기 기판 유지 기구에 유지된 기판에 대하여 처리 유체를 공급하는 처리 유체 공급부를 마련한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  8. 유지면과, 상기 유지면에 마련된 흡인부를 가지는 기판 유지 기구를 준비하는 공정과,
    상기 기판 유지 기구의 유지면에 마련된 상기 흡인부를 둘러싸도록 도포액 공급부로부터 도포액을 공급하여, 상기 유지면에 기판을 배치하는 환상 도포막을 형성하는 공정과,
    상기 유지면의 상기 환상 도포막 상에 기판을 배치하여 기판을 흡인부에 의해 흡착 유지하는 공정
    을 구비한 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 기판 유지 기구는 회전 가능한 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  10. 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,
    상기 기판 유지 기구에 의해 유지된 기판 상에, 상기 기판 유지 기구의 상방에 마련된 처리 유체 공급부로부터 처리 유체를 공급하는 공정을 더 구비한 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  11. 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,
    상기 유지면의 주연부에 도포액을 공급할 시, 상기 기판 유지 기구 외주에 마련된 도포액 컵에 의해 도포액을 하방으로 유도하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  12. 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,
    상기 유지면 상의 상기 환상 도포막을 용해 또는 에칭하는 처리액을 도포막 처리액 공급부로부터 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 기판 유지 기구의 외주에 마련된 링 가이드에 의해, 상기 기판 유지 기구에 유지된 기판의 주연부를 유지하여 들어올리는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  14. 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,
    상기 도포액은 용제와 잔부를 포함하고, 상기 유지면에 공급된 후, 용제가 외방으로 방출되어, 잔부가 상기 유지면 상에 남는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 도포액은 탑 코트액, 레지스트액 또는 반사 방지막액 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  16. 컴퓨터에 기판 처리 방법을 실행시키기 위한 기억 매체에 있어서,
    상기 기판 처리 방법은,
    유지면과, 상기 유지면에 마련된 흡인부를 가지는 기판 유지 기구를 준비하는 공정과,
    상기 기판 유지 기구의 유지면에 마련된 상기 흡인부를 둘러싸도록 도포액 공급부로부터 도포액을 공급하여, 상기 유지면에 기판을 배치하는 환상 도포막을 형성하는 공정과,
    상기 유지면의 상기 환상 도포막 상에 기판을 배치하여 기판을 흡인부에 의해 흡착 유지하는 공정
    을 구비한 것을 특징으로 하는 기억 매체.
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102015104735A1 (de) * 2015-03-27 2016-09-29 Obducat Ab Drehteller zur Aufnahme eines Substrats für eine Belackungsvorrichtung
JP6748021B2 (ja) * 2017-04-12 2020-08-26 株式会社三共 遊技機
TWI831656B (zh) * 2018-01-04 2024-02-01 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理裝置及基板處理方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5671117A (en) * 1994-02-28 1997-09-23 Applied Materials Inc. Electrostatic chuck
US20080069951A1 (en) * 2006-09-15 2008-03-20 Juan Chacin Wafer processing hardware for epitaxial deposition with reduced auto-doping and backside defects
JP2008091353A (ja) * 2006-09-07 2008-04-17 Ngk Insulators Ltd 静電チャック
KR20090032998A (ko) * 2007-09-28 2009-04-01 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 세정 장치, 기판 처리 장치, 기판 세정 방법, 기판 처리 방법 및 기억 매체
KR20100050400A (ko) * 2008-11-05 2010-05-13 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 세정 장치, 세정 방법 및 기억 매체
JP2010239026A (ja) * 2009-03-31 2010-10-21 Tokyo Electron Ltd 基板保持部材及び液処理装置
KR20140019741A (ko) * 2012-08-07 2014-02-17 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 세정 장치, 기판 세정 시스템, 기판 세정 방법 및 기억 매체

Family Cites Families (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4544446A (en) * 1984-07-24 1985-10-01 J. T. Baker Chemical Co. VLSI chemical reactor
US5580607A (en) * 1991-07-26 1996-12-03 Tokyo Electron Limited Coating apparatus and method
US5558111A (en) * 1995-02-02 1996-09-24 International Business Machines Corporation Apparatus and method for carrier backing film reconditioning
JP3265238B2 (ja) * 1997-08-01 2002-03-11 東京エレクトロン株式会社 液膜形成装置及びその方法
JP3333733B2 (ja) * 1998-02-20 2002-10-15 東京エレクトロン株式会社 洗浄装置
US20010001384A1 (en) * 1998-07-29 2001-05-24 Takeshi Arai Silicon epitaxial wafer and production method therefor
US6305677B1 (en) * 1999-03-30 2001-10-23 Lam Research Corporation Perimeter wafer lifting
KR100585448B1 (ko) * 1999-04-08 2006-06-02 동경 엘렉트론 주식회사 막 형성방법 및 막 형성장치
US6312171B1 (en) * 1999-08-12 2001-11-06 Tokyo Electron Limited Developing apparatus and method thereof
JP2001276715A (ja) * 2000-03-31 2001-10-09 Tokyo Electron Ltd 塗布装置及び塗布方法
US7451774B2 (en) * 2000-06-26 2008-11-18 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for wafer cleaning
AU2001270205A1 (en) * 2000-06-26 2002-01-08 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for wafer cleaning
JP2002343696A (ja) * 2001-05-11 2002-11-29 Tokyo Electron Ltd 基板の処理装置
US20030047283A1 (en) * 2001-09-10 2003-03-13 Applied Materials, Inc. Apparatus for supporting a substrate and method of fabricating same
JP4094262B2 (ja) * 2001-09-13 2008-06-04 住友大阪セメント株式会社 吸着固定装置及びその製造方法
TWI261875B (en) * 2002-01-30 2006-09-11 Tokyo Electron Ltd Processing apparatus and substrate processing method
US20040084144A1 (en) * 2002-08-21 2004-05-06 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2004306191A (ja) * 2003-04-07 2004-11-04 Seiko Epson Corp テーブル装置、成膜装置、光学素子、半導体素子及び電子機器
US7442285B2 (en) * 2004-06-17 2008-10-28 Vapor Technologies, Inc. Common rack for electroplating and PVD coating operations
JP4386359B2 (ja) * 2004-09-29 2009-12-16 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 保護膜形成装置、基板処理システム、および除去方法
US7837310B2 (en) * 2005-07-13 2010-11-23 Dimatix, Inc. Fluid deposition device
JP4827569B2 (ja) * 2006-03-23 2011-11-30 大日本スクリーン製造株式会社 基板支持構造とこれを用いた熱処理装置と基板支持構造に用いられるシート状物と基板支持構造の製造方法
TWI352628B (en) * 2006-07-21 2011-11-21 Akrion Technologies Inc Nozzle for use in the megasonic cleaning of substr
JP2008060302A (ja) * 2006-08-31 2008-03-13 Sokudo:Kk 基板処理装置
WO2008083002A1 (en) * 2006-12-26 2008-07-10 Fujifilm Dimatix, Inc. Printing system with conductive element
JP5065071B2 (ja) * 2007-03-15 2012-10-31 東京エレクトロン株式会社 塗布処理方法、塗布処理装置及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
US8057602B2 (en) * 2007-05-09 2011-11-15 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for supporting, positioning and rotating a substrate in a processing chamber
US7989022B2 (en) * 2007-07-20 2011-08-02 Micron Technology, Inc. Methods of processing substrates, electrostatic carriers for retaining substrates for processing, and assemblies comprising electrostatic carriers having substrates electrostatically bonded thereto
JP4601079B2 (ja) * 2007-12-17 2010-12-22 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
JP5312923B2 (ja) * 2008-01-31 2013-10-09 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP5442968B2 (ja) * 2008-07-28 2014-03-19 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理ユニットおよび基板処理装置
JP5413016B2 (ja) * 2008-07-31 2014-02-12 東京エレクトロン株式会社 基板の洗浄方法、基板の洗浄装置及び記憶媒体
JP5463025B2 (ja) * 2008-12-02 2014-04-09 株式会社タンケンシールセーコウ 真空吸着パッドおよび真空吸着装置
JP5359417B2 (ja) * 2009-03-16 2013-12-04 大日本印刷株式会社 薄膜形成装置及び薄膜形成方法
CN102596889B (zh) * 2009-09-11 2016-01-20 株式会社理光 含有离去取代基的化合物及其在有机电子产品中的应用
JP5270607B2 (ja) * 2010-03-30 2013-08-21 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP5666183B2 (ja) * 2010-07-20 2015-02-12 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
US10937684B2 (en) * 2012-11-28 2021-03-02 Kyocera Corporation Placement member and method of manufacturing the same
JP6283532B2 (ja) * 2014-02-26 2018-02-21 東京エレクトロン株式会社 静電チャックの製造方法
US9209062B1 (en) * 2014-05-28 2015-12-08 Spintrac Systems, Inc. Removable spin chamber with vacuum attachment

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5671117A (en) * 1994-02-28 1997-09-23 Applied Materials Inc. Electrostatic chuck
JP2008091353A (ja) * 2006-09-07 2008-04-17 Ngk Insulators Ltd 静電チャック
US20080069951A1 (en) * 2006-09-15 2008-03-20 Juan Chacin Wafer processing hardware for epitaxial deposition with reduced auto-doping and backside defects
KR20090032998A (ko) * 2007-09-28 2009-04-01 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 세정 장치, 기판 처리 장치, 기판 세정 방법, 기판 처리 방법 및 기억 매체
KR20100050400A (ko) * 2008-11-05 2010-05-13 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 세정 장치, 세정 방법 및 기억 매체
JP2010239026A (ja) * 2009-03-31 2010-10-21 Tokyo Electron Ltd 基板保持部材及び液処理装置
KR20140019741A (ko) * 2012-08-07 2014-02-17 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 세정 장치, 기판 세정 시스템, 기판 세정 방법 및 기억 매체

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