TWI708641B - 基板處理方法 - Google Patents

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Abstract

提供一種降低基板被污染的風險並在基板的處理過程中洗淨對向部之技術。一種基板處理方法，係具備有：基板液體處理工序，係使對向部的下表面與基板的上表面對向並在已使對向部的下表面與基板的上表面以水平姿勢旋轉的狀態下對基板的上表面進行液體處理；以及對向部洗淨工序，係在基板液體處理工序的過程中執行，用以洗淨對向部。對向部洗淨工序係具有：清洗液供給工序，係對基板的上表面供給清洗液；液膜形成工序，係使基板以水平姿勢旋轉，藉此於基板的上表面形成在清洗液供給工序所供給的清洗液的液膜；以及洗淨液供給工序，係在液膜形成工序中於基板的上表面形成有液膜的狀態下對對向部的下表面供給洗淨液。液膜形成工序中的基板的旋轉速度係比基板液體處理工序中的基板的旋轉速度還低速。

Description

基板處理方法
本發明係有關於一種用以處理基板之基板處理方法。成為處理對象之基板係例如包括半導體基板、液晶顯示裝置用基板、有機EL(Electroluminescence；電致發光)顯示裝置等FPD(Flat Panel Display；平板顯示器)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩(photomask)用基板、陶瓷基板、太陽電池用基板等。
以往，已知有一種技術，係使對向部的下表面與基板的上表面對向並在已使對向部的下表面與基板的上表面以水平姿勢旋轉的狀態下對基板的上表面進行液體處理。在該技術中，會有於液體處理時供給至基板的上表面的處理液的一部分飛散並附著至對向部的下表面之情形。當對附著至對向部的下表面的處理液置之不理時，會有該處理液變成微粒(particle)等異物而污染基板之虞。因此，在適當的時序執行用以對對向部的下表面供給洗淨液並洗淨該下表面之洗淨處理。
例如，在專利文獻1中已揭示有一種裝置，於未進行 基板處理之期間(亦即於裝置的基板保持部未保持有基板之期間)從設置於對向部的側方的洗淨噴嘴對對向部的下表面供給洗淨液並洗淨該下表面。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1：日本特開2003-45838號公報。
另一方面，亦會有在基板處理的過程中(亦即在基板保持部保持有基板之期間)洗淨對向部的下表面之情形。然而，在此情形中，會有洗淨時洗淨液以及/或者異物從對向部的下表面落下且洗淨液以及/或者異物附著至基板的上表面並污染該基板之虞。
本發明係有鑑於上述課題而研創，目的在於提供一種降低基板被污染的風險並在基板處理的過程中洗淨對向部之技術。
為了解決上述課題，第一態樣的基板處理方法係包含有：處理工序，係使用具有與基板的上表面對向的下表面之對向部處理前述基板；基板液體處理工序，係對前述基板的 前述上表面進行液體處理；以及對向部洗淨工序，係洗淨前述對向部；前述對向部洗淨工序係具有：清洗液供給工序，係對前述基板的前述上表面供給清洗液；液膜形成工序，係於前述基板的前述上表面形成在前述清洗液供給工序所供給的前述清洗液的液膜；以及洗淨液供給工序，係在前述液膜形成工序中於前述基板的前述上表面形成有前述液膜的狀態下對前述對向部的前述下表面供給洗淨液。
此外，第二態樣係如第一態樣所記載之基板處理方法，其中前述基板液體處理工序係包含有用以使前述對向部的前述下表面與前述基板的前述上表面對向並在已使前述對向部的前述下表面與前述基板的前述上表面以水平姿勢旋轉的狀態下進行液體處理之工序。
此外，第三態樣係如第一態樣或者第二態樣所記載之基板處理方法，其中前述液膜形成工序係包含有用以使前述基板以水平姿勢旋轉之工序；前述液膜形成工序中的前述基板的旋轉速度係比前述基板液體處理工序中的前述基板的旋轉速度還低速。
此外，第四態樣係如第一態樣至第三態樣中任一態樣所記載之基板處理方法，其中前述液膜形成工序係包含有用以增加對於前述基板的前述上表面之前述清洗液的供給量之工序。
此外，第五態樣係如第一態樣至第四態樣中任一態樣所記載之基板處理方法，其中前述基板液體處理工序係包含有：第一基板液體處理工序，係將前述對向部配置於與前述基板對向之對向位置；前述對向部洗淨工序係包含有用以在前述洗淨液供給工序之前將前述對向部配置於比前述對向位置還上方的位置之工序。
此外，第六態樣係如第五態樣所記載之基板處理方法，其中前述基板液體處理工序係包含有：第二基板液體處理工序，係將前述對向部配置於比前述對向位置還上方的退避位置；前述對向部洗淨工序係包含有用以在前述洗淨液供給工序之前將前述對向部配置於比前述退避位置還接近前述基板的洗淨位置之工序。
此外，第七態樣係如第一態樣至第六態樣中任一態樣所記載之基板處理方法，其中前述清洗液供給工序與前述洗淨液供給工序係並行進行。
此外，第八態樣係如第一態樣至第六態樣中任一態樣所記載之基板處理方法，其中前述清洗液供給工序係在前述洗淨液供給工序之前進行。
此外，第九態樣係如第三態樣所記載之基板處理方法， 其中進一步具有：第一對向部旋轉工序，係與前述洗淨液供給工序並行進行，用以使前述對向部以與前述液膜形成工序中的前述基板的前述旋轉速度相同的旋轉速度且以水平姿勢旋轉。
此外，第十態樣係如第九態樣所記載之基板處理方法，其中進一步具有：第二對向部旋轉工序，係在前述洗淨液供給工序以及前述第一對向部旋轉工序之後進行，用以使前述對向部以比前述液膜形成工序中的前述基板的前述旋轉速度還高速旋轉。
此外，第十一態樣係如第十態樣所記載之基板處理方法，其中進一步具有：對向部升降工序，係以前述對向部的前述下表面的高度變得比圍繞前述基板的周圍之罩(cup)部的上端還高且變得比在前述基板液體處理工序中對前述基板的前述上表面供給各種液體之各個噴嘴的各個開口還低之方式使前述對向部升降；在已在前述對向部升降工序中調整前述對向部的前述下表面的高度的狀態下進行前述第二對向部旋轉工序。
此外，第十二態樣係如第一態樣至第十一態樣中任一態樣所記載之基板處理方法，其中前述對向部洗淨工序係在前述液體處理中之用以將前述基板的前述上表面予以撥水化之撥水化處理之前進行。
此外，第十三態樣係如第一態樣至第十二態樣中任一態樣所記載之基板處理方法，其中於前述液體處理包含有使用了有機溶劑之處理；前述對向部係耐有機溶劑性的材質。
此外，第十四態樣係如第一態樣至第十三態樣中任一態樣所記載之基板處理方法，其中前述對向部的前述下表面係遠寬於前述基板的上表面。
在第一態樣至第十四態樣的基板處理方法中，由於與基板液體處理時相比液膜形成工序時的基板的旋轉速度為低速，因此能於基板的上表面形成厚的液膜。由於在洗淨液供給工序中形成有該液膜的狀態下對對向部的下表面供給洗淨液，因此即使洗淨液以及/或者異物從對向部的下表面落下，洗淨液以及/或者異物亦會被液膜沖流至基板的外側而不會附著至基板的上表面。因此，能降低基板被污染的風險並在基板處理的過程中洗淨對向部。
1、1a、1b‧‧‧基板處理裝置
4‧‧‧罩部
5、5a‧‧‧對向部
6‧‧‧對向部移動機構
9‧‧‧基板
10‧‧‧控制部
11‧‧‧腔室
31‧‧‧自轉夾具
32‧‧‧自轉基座
32a‧‧‧保持面
33‧‧‧自轉馬達
34‧‧‧殼體構件
35‧‧‧夾具銷
36、53‧‧‧卡合部
37‧‧‧旋轉軸
41‧‧‧第一防護罩
42‧‧‧第二防護罩
43‧‧‧防護罩移動機構
44‧‧‧排出埠
51、51a‧‧‧本體部
52‧‧‧被保持部
54、711、712、713、714、
715、716、731、732、733‧‧‧開口
61、61a‧‧‧保持旋轉機構
62‧‧‧升降機構
71、71a、71b、73、74‧‧‧噴嘴
92、513‧‧‧下表面
101、101a‧‧‧清洗液供給工序
102‧‧‧液膜形成工序
103‧‧‧洗淨液供給工序
104‧‧‧第一對向部旋轉工序
105‧‧‧對向部升降工序
106‧‧‧第二對向部旋轉工序
411‧‧‧第一防護罩側壁部
412‧‧‧第一防護罩頂蓋部
421‧‧‧第二防護罩側壁部
422‧‧‧第二防護罩頂蓋部
511、511a‧‧‧頂蓋部
512‧‧‧側壁部
521‧‧‧筒狀部
522‧‧‧凸緣部
611、611a‧‧‧保持部本體
612‧‧‧臂
613‧‧‧凸緣支撐部
614‧‧‧支撐部連接部
615‧‧‧本體旋轉部
616‧‧‧移動限制部
J1‧‧‧中心軸
L1、L1a‧‧‧退避位置
L2、L2a‧‧‧對向位置
L3‧‧‧洗淨位置
t1至t5‧‧‧時刻
W‧‧‧基板
圖1係用以顯示第一實施形態的基板處理裝置1之概略側視圖。
圖2係用以顯示第一實施形態的基板處理裝置1之概 略側視圖。
圖3係用以顯示第一實施形態的基板處理裝置1之概略側視圖。
圖4係從下方觀看第一實施形態的噴嘴71之仰視圖。
圖5係從下方觀看第一實施形態的噴嘴73之仰視圖。
圖6係用以顯示第一實施形態的基板處理裝置1中的基板9的處理流程的一例之圖。
圖7係對向部洗淨工序中的各個處理的時序圖。
圖8係用以顯示比較例中對向部洗淨工序後的基板9的上表面的髒污之俯視圖。
圖9係用以顯示第一實施形態中對向部洗淨工序後的基板9的上表面的髒污之俯視圖。
圖10係用以顯示第二實施形態的基板處理裝置1a之概略側視圖。
圖11係用以顯示第二實施形態的基板處理裝置1a之概略側視圖。
圖12係從下方觀看第二實施形態的噴嘴71之仰視圖。
圖13係用以顯示第二實施形態的噴嘴71的附近之概略剖視圖。
圖14係第二實施形態的對向部洗淨工序中的各個處理的時序圖。
圖15係用以顯示第三實施形態的基板處理裝置1b之概略側視圖。
圖16係用以顯示第三實施形態的基板處理裝置1b之概略側視圖。
圖17係基板處理裝置1、1b的變化例的對向部洗淨工序(步驟ST6a)中的各個處理的時序圖。
以下依據圖式說明實施形態。在圖式中，於具有相同的構成以及功能之部分附上相同的元件符號並省略重複說明。此外，各圖係示意性地顯示。
<1.實施形態>
<1.1.基板處理裝置1的構成>
圖1、圖2以及圖3係用以顯示第一實施形態的基板處理裝置1之概略側視圖。此外，圖1係顯示對向部5位於退避位置L1的狀態，圖2係顯示對向部5位於對向位置L2的狀態，圖3係顯示對向部5位於洗淨位置L3的狀態。換言之，圖1係顯示藉由對向部移動機構6將對向部5移動至上方的狀態的基板處理裝置1。圖2係顯示藉由對向部移動機構6將對向部5移動至下方的狀態的基板處理裝置1。基板處理裝置1係用以逐片地處理基板9(例如半導體基板)之葉片式的裝置。
基板處理裝置1係於腔室11內具備有下述主要構件：自轉夾具(spin chuck)31，係將基板9保持成水平姿勢(法線 沿著鉛直方向之姿勢)；噴嘴71、73，係對被自轉夾具31保持的基板9的上表面供給處理液；罩部4，係圍繞自轉夾具31的周圍；對向部5，係具有與被自轉夾具31保持的基板9的上表面91對向之下表面513；以及對向部移動機構6，係使對向部5於水平方向以及鉛直方向移動。
於腔室11的側壁的一部分設置有搬入搬出口以及擋門(shutter)(皆省略圖式)，搬入搬出口係用以讓搬運機器人將基板9搬入至腔室11以及將基板9從腔室11搬出，擋門係用以將搬入搬出口予以開閉。此外，於腔室11的頂壁安裝有風扇過濾器單元(FFU；fan filter unit)，風扇過濾器單元係用以將設置有基板處理裝置1的無塵室(cleaning room)內的空氣進一步地清淨化並供給至腔室11內的處理空間。風扇過濾器單元係具備有用以取入無塵室內的空氣並輸送至腔室11內之風扇以及過濾器(例如HEPA(High Efficiency Particulate Air；高效率粒子空氣)過濾器)，並於腔室11內的處理空間形成清淨空氣的降流(down flow)。
自轉夾具31係具備有：圓板形狀的自轉基座(spin base)32，係以水平姿勢固定於沿著鉛直方向延伸的旋轉軸37的上端。於自轉基座32的下方設置有用以使旋轉軸37旋轉之自轉馬達(spin motor)33。自轉馬達33係經由旋轉軸37使自轉基座32於水平面內旋轉。此外，以圍繞自轉馬達33以及旋轉軸37的周圍之方式設置有筒狀的殼體(cover) 構件34。
圓板形狀的自轉基座32的外徑係比被自轉夾具31保持的圓形的基板9的直徑還稍大。因此，自轉基座32係具有與應保持的基板9的下表面92的整面對向之保持面32a。
於自轉基座32的保持面32a的周緣部立設有複數個夾具銷(chuck pin)35。複數個夾具銷35係沿著與圓形的基板9的外周緣對應的圓周上隔著均等的間隔(例如若為四個夾具銷35則為90°間隔)配置。複數個夾具銷35係藉由收容於自轉基座32內之省略圖示的連桿(link)機構連動地被驅動。自轉夾具31係使複數個夾具銷35各者抵接至基板9的外周端並把持基板9，藉此能在自轉基座32的上方以接近保持面32a的水平姿勢保持該基板9，並能使複數個夾具銷35各者從基板9的外周端離開並解除把持。
用以覆蓋自轉馬達33之殼體構件34的下端係被固定於腔室11的底壁，殼體構件34的上端係到達自轉基座32的正下方。在自轉夾具31藉由複數個夾具銷35所為之把持而保持基板9的狀態下，自轉馬達33係使旋轉軸37旋轉，藉此能使基板9繞著沿著通過基板9的中心之鉛直方向的中心軸J1旋轉。如此，自轉夾具31、自轉馬達33以及旋轉軸37係作為用以水平地保持基板9並使基板9旋轉 之基板旋轉部而發揮作用。
以下，將與中心軸J1正交的方向稱為「徑方向」。此外，將徑方向中朝向中心軸J1的方向稱為「內方向內側方向」，將徑方向中朝向與中心軸J1一側相反側的方向稱為「徑方向外側方向」。
罩部4係將中心軸J1作為中心之環狀的構件，配置於基板9以及自轉夾具31的徑方向外側方向。罩部4係配置於基板9以及自轉夾具31的周圍的全周，並構成為可接住從基板9朝周圍飛散的處理液等。罩部4係具備有第一防護罩(guard)41、第二防護罩42、防護罩移動機構43以及排出埠44。
第一防護罩41係具有第一防護罩側壁部411以及第一防護罩頂蓋部412。第一防護罩側壁部411係將中心軸J1作為中心之略圓筒狀。第一防護罩頂蓋部412係將中心軸J1作為中心之略圓環板狀，並從第一防護罩側壁部411的上端部朝徑方向內側方向擴展。第二防護罩42係具有第二防護罩側壁部421以及第二防護罩頂蓋部422。第二防護罩側壁部421係將中心軸J1作為中心之略圓筒狀，並位於比第一防護罩側壁部411還徑方向外側方向。第二防護罩頂蓋部422係將中心軸J1作為中心之略圓環板狀，並在比第一防護罩頂蓋部412還上方從第二防護罩側壁部421的 上端部朝徑方向內側方向擴展。
第一防護罩頂蓋部412的內徑以及第二防護罩頂蓋部422的內徑係比自轉夾具31的自轉基座32的外徑以及對向部5的外徑稍大。第一防護罩頂蓋部412的上表面以及下表面係分別為愈朝向徑方向外側方向則愈朝向下方之傾斜面。第二防護罩頂蓋部422的上表面以及下表面係分別為愈朝向徑方向外側方向則愈朝向下方之傾斜面。
防護罩移動機構43係將第一防護罩41以及第二防護罩42朝上下方向移動，藉此將用以接住來自基板9的處理液等之防護罩在第一防護罩41與第二防護罩42之間切換。被罩部4的第一防護罩41以及第二防護罩42接住的處理液等係經由排出埠44朝腔室11的外部排出。此外，第一防護罩41內以及第二防護罩42內的氣體亦經由排出埠44朝腔室11的外部排出。
對向部5係耐有機溶劑性的材質(例如PCTFE(Poly Chloro Tri Fluoro Ethylene；聚三氟氯乙烯)等氟系樹脂或者PEAK(polyaryletherketone；聚芳基醚酮)PCTFE等)，且俯視觀看時為略圓形的構件。對向部5係具有與基板9的上表面91對向之下表面513的構件。對向部5的外徑係比基板9的外徑以及自轉基座32的外徑還大。
對向部5的下表面513較佳為親水面。將下表面513作為親水面之手段並無特別限定。作為一例，可列舉用以藉由塗布(coating)加工於下表面513形成親水性的膜之方法或者用以藉由噴沙(sandblast)加工於下表面513形成細微凹凸之方法。
對向部5係具備有本體部51。本體部51係具備有頂蓋部511以及側壁部512。於頂蓋部511的中央部設置有開口54。開口54係例如俯視觀看時為略圓形。開口54的直徑係比基板9的直徑還小。頂蓋部511係將中心軸J1作為中心之略圓環板狀的構件，且頂蓋部511的下表面513係與基板9的上表面91對向。側壁部512係將中心軸J1作為中心之略圓筒狀的構件，並從頂蓋部511的外周部朝下方擴展。在圖2所示的狀態下，對向部5係與基板9一體性地繞著中心軸J1旋轉，對向部5的下表面513與基板9的上表面91之間的環境氣體係與腔室11內的其他空間的環境氣體阻隔。
對向部移動機構6係具備有保持旋轉機構61以及升降機構62。保持旋轉機構61係保持對向部5的本體部51。保持旋轉機構61係具備有保持部本體611、臂612以及本體旋轉部615。本體旋轉部615係可使保持部本體611以及本體部51繞著中心軸J1旋轉之機構。
保持部本體611係例如形成為以中心軸J1作為中心之圓筒狀，並連接至對向部5的本體部51。臂612係略水平地延伸之棒狀的臂。臂612的一方的端部係連接至本體旋轉部615，另一方的端部係連接至升降機構62。
噴嘴71係從保持部本體611的中央部朝下方突出。噴嘴71係非接觸地***至保持部本體611的側部。
在圖1所示的狀態下，對向部5係在基板9以及自轉夾具31的上方被保持旋轉機構61垂吊。在以下的說明中，將圖1所示的對向部5的上下方向的位置稱為「退避位置L1」。所謂退避位置L1係指對向部5被對向部移動機構6保持並從自轉夾具31朝上方離開的位置。
升降機構62係使對向部5與保持旋轉機構61一起朝上下方向移動。圖2係用以顯示對向部5已從圖1所示的退避位置L1下降的狀態之剖視圖。在以下的說明中，將圖2所示的對向部5的上下方向的位置稱為「對向位置L2」。亦即，升降機構62係使對向部5在退避位置L1與對向位置L2之間相對於自轉夾具31於上下方向相對性地移動。對向位置L2係比退避位置L1還下方的位置。換言之，所謂對向位置L2係指對向部5在比退避位置L1還在上下方向中接近自轉夾具31之位置。
圖3係用以顯示對向部5已從圖1所示的退避位置L1下降的狀態之剖視圖。在以下的說明中，將圖3所示的對向部5的上下方向的位置稱為「洗淨位置L3」。洗淨位置L3係比退避位置L1還下方且比對向位置L2還上方之中間的位置。如後述般，在對向部5配置於洗淨位置L3的狀態下，從噴嘴74朝對向部5的下表面513噴出洗淨液，藉此進行下表面513的洗淨。
對向部5係構成為可藉由本體旋轉部615的旋轉驅動力繞著中心軸J1旋轉。
基板處理裝置1係具備有用以對基板9的下表面92供給處理液之噴嘴72。噴嘴72係略圓筒狀的噴嘴，並安裝至形成於自轉基座32的中央部之略圓柱狀的貫通孔。噴嘴72的上端係朝向被自轉夾具31保持的基板9的下表面92的中央部並呈開口，從噴嘴72噴出的處理液或者氣體係被供給至基板9的下表面92的中央部。
基板處理裝置1係具備有：噴嘴73，係將從省略圖示的供給源所供給的處理液噴出至基板9的上表面91。噴嘴73係朝下方呈開口之噴嘴，且例如構成為噴出頭安裝於省略圖示的噴嘴臂的前端。以省略圖示的馬達使噴嘴臂的基端部繞著沿著鉛直方向的軸轉動，藉此噴嘴73係在被自轉夾具31保持的基板9的上方圓弧狀地移動。因此，噴嘴 73係可在位於基板9的上方之處理位置(圖1中以二點鏈線所示的位置)與位於基板9的側方之待機位置(圖1中以實線所示的位置)之間移動。此外，如圖1所示，可使噴嘴73移動至處理位置之時序係對向部5位於退避位置L1之時序(參照圖1)。
圖4係從下方觀看第一實施形態的噴嘴71之仰視圖。圖5係從下方觀看第一實施形態的噴嘴73之仰視圖。噴嘴71、73係構成為可噴出從省略圖示的複數個處理液供給源所供給的各種處理液。詳細而言，於噴嘴71的下表面設置有三個開口712、714、715，並於噴嘴73的下表面設置有三個開口731、732、733。
在此，說明可從開口712噴出純水、可從開口714噴出IPA(isopropylalcohol：異丙醇)、可從開口715噴出撥水化劑(例如矽烷基(silyl)化劑)之情形。此外，說明可從開口731噴出氫氟酸、可從開口732噴出純水、可從開口733噴出SC1液體(Standard clean-1；第一標準清洗液，亦即已混合了過氧化氫水與氨的處理液)之情形。此外，這些情形僅為一例，亦可構成為可對基板9的上表面91噴出其他的處理液。此外，亦可設置有可噴出從省略圖示的氣體供給源所供給的氣體(例如氮氣)之開口。此外，雖然在圖示中顯示分別為一個噴嘴71、73，但亦可因應處理液的種類設置有複數個噴嘴。
此外，基板處理裝置1係具備有：噴嘴74，係用以將從省略圖示的供給源所供給的洗淨液供給至對向部5的下表面513。噴嘴74係於斜上方呈開口之噴嘴，且構成為例如將噴出頭安裝至省略圖示的噴嘴臂的前端。以省略圖示的馬達使噴嘴臂的基端部繞著沿著鉛直方向的軸轉動，藉此噴嘴74係可在接近對向部5並朝對向部5的下表面513呈開口之處理位置(圖1中以二點鏈線所示的位置)與已從對向部5離開的待機位置(圖1中以實線所示的位置)之間移動。此外，如圖1或者圖3所示，能使噴嘴74移動至處理位置之時序係對向部5位於退避位置L1或者洗淨位置L3之時序。
此外，在本說明書中，會有將藥液、純水以及IPA統稱為處理液之情形。此外，會有將以沖流基板9的微粒以及/或者處理液為目的而使用的液體(典型而言為純水)稱為清洗液之情形。會有將以沖流對向部5的下表面513的微粒以及/或者處理液為目的而使用的液體(典型而言為純水)稱為洗淨液之情形。
此外，基板處理裝置1係具備有用以控制裝置各部的動作之控制部10。作為控制部10的硬碟之構成係與一般的電腦同樣。亦即，控制部10係構成為具備有下述構件等：CPU(Central Processing Unit；中央處理器)，係進行各種運 算處理；ROM(Read Only Memory；唯讀記憶體)，係屬於用以記憶基本程式之讀出專用的記憶體；RAM(Random Access Memory；隨機存取記憶體)，係屬於用以記憶各種資訊之讀寫自如的記憶體；以及磁碟，係用以預先記憶控制用的軟體以及資料等。控制部10的CPU係執行預定的處理程式，藉此控制部10係控制基板處理裝置1的各個動作機構，從而進行基板處理裝置1中的處理。
<1.2.基板處理裝置1的動作例>
圖6係用以顯示第一實施形態的基板處理裝置1中的基板9的處理流程的一例之圖。以下，說明基板處理裝置1中的處理例。此外，圖6係顯示各個工序中配置有對向部5之高度位置。
首先，在對向部5位於退避位置L1的狀態下，藉由外部的搬運機器人將基板9搬入至腔室11內並載置於自轉基座32的夾具銷35上。結果，該基板9係被夾具銷35從下側支撐(步驟ST1)。
當基板9被搬入時，升降機構62係在將對向部5配置於退避位置L1的狀態下藉由自轉馬達33開始旋轉基板9。
在此狀態下，對基板9的上表面91執行使用了各種處 理液的液體處理。首先，執行用以從噴嘴73的開口731對基板9的上表面91供給氫氟酸之氫氟酸處理(步驟ST2)。於氫氟酸處理時，第一防護罩41係位於能接住從基板9飛散的處理液之高度。在氫氟酸處理中，從設置於噴嘴73的下表面之開口731對旋轉中的基板9的上表面91連續性地供給氫氟酸。已著液至上表面91的氫氟酸係藉由該基板9的旋轉而朝基板9的外周部擴展，並在上表面91的整體進行氫氟酸處理。此期間係例如為30秒。此外，此期間中的基板9以及對向部5的旋轉速度係例如為800rpm(revolution per minute；轉速/分)至1000rpm。
停止從開口731噴出氫氟酸後，開始從開口732噴出清洗液(步驟ST3)。於清洗處理時，從設置於噴嘴73的下表面之開口732對旋轉中的基板9的上表面91連續性地供給清洗液。已著液至上表面91的清洗液係藉由該基板9的旋轉而朝基板9的外周部擴展，並與殘存於上表面91上的氫氟酸一起從基板9的外周緣朝徑方向外側方向飛散。從基板9飛散的氫氟酸以及清洗液係被第一防護罩41的內壁接住並經由排出埠44被廢棄。藉此，實質性地與基板9的上表面91的清洗處理一起進行第一防護罩41的洗淨。此期間係例如為30秒。此外，此期間中的基板9以及對向部5的旋轉速度係例如為1200rpm。
停止從開口732噴出清洗液後，開始從開口733噴出 SC1液體(步驟ST4)。在SC1處理時，從設置於噴嘴73的下表面之開口733對旋轉中的基板9的上表面91連續性地供給SC1液體。已著液至上表面91的SC1液體係藉由該基板9的旋轉而朝基板9的外周部擴展，並在上表面91的整體進行SC1處理。此期間係例如為30秒。此外，此期間中的基板9以及對向部5的旋轉速度係例如為800rpm。從基板9飛散的SC1液體係被第二防護罩42的內壁接住並從排出埠44被廢棄。
停止從開口733噴出SC1液體後，開始從開口732噴出清洗液(步驟ST5)。於清洗處理時，從設置於噴嘴73的下表面之開口732對旋轉中的基板9的上表面91連續性地供給清洗液。已著液至上表面91的清洗液係藉由該基板9的旋轉而朝基板9的外周部擴展，並與殘存於上表面91上的SC1液體一起從基板9的外周緣朝徑方向外側方向飛散。從基板9飛散的SC1液體以及清洗液係被第一防護罩41的內壁接住並經由排出埠44被廢棄。藉此，實質性地與基板9的上表面91的清洗處理一起進行第一防護罩41的洗淨。此期間係例如為30秒。此外，此期間中的基板9以及對向部5的旋轉速度係例如為1200rpm。
此外，在步驟ST3或者步驟ST5的清洗處理中，亦可不從噴嘴73的開口732噴出清洗液而是從噴嘴71的開口712噴出清洗液。此外，在步驟ST3或者步驟ST5的清洗 處理中，亦可從開口712、732的雙方供給清洗液。
之後，升降機構62係使對向部5從退避位置L1(參照圖1)下降至洗淨位置L3(參照圖3)。此外，藉由未圖示的驅動機構使噴嘴74移動至處理位置(圖3所示的位置)。接著，從噴嘴74將洗淨液供給至對向部5的下表面513，藉此進行用以洗淨該下表面513之對向部洗淨處理(步驟ST6)。此外，在後述的<1.3.對向部洗淨工序的處理例>詳細地說明對向部洗淨處理。
當結束對向部洗淨處理時，藉由未圖示的驅動機構使噴嘴74移動至待機位置(圖1中以實線所示的位置)。此外，升降機構62係使對向部5從洗淨位置L3(參照圖3)下降至對向位置L2(參照圖2)。藉此，形成被自轉基座32的保持面32a、頂蓋部511的下表面513以及側壁部512的內周面圍繞的空間。在此狀態下，執行用以從噴嘴71的開口714對基板9的上表面91供給IPA之IPA處理(步驟ST7)。在IPA處理時，第二防護罩42係位於能接住從基板9飛散的IPA的高度。在IPA處理中，從設置於噴嘴71的下表面之開口714對旋轉中的基板9的上表面91連續性地供給IPA。已著液至上表面91的IPA係進行用以藉由該基板9的旋轉而朝基板9的外周部擴展並在上表面91的整體將純水置換成IPA之IPA處理。此外，亦可以促進IPA置換為目的藉由省略圖示的加熱機構對基板9進行加熱處理。此期間係 例如為30秒。此外，此期間中的基板9以及對向部5的旋轉速度係例如為300rpm。此外，IPA的噴出流量係例如為300ml/m(毫升/分)。
停止從開口714噴出IPA後，開始從開口715噴出撥水化劑(步驟ST8)。於撥水化處理時，從設置於噴嘴73的下表面之開口715對旋轉中的基板9的上表面91連續性地供給撥水化劑。已著液至上表面91的撥水化劑係藉由該基板9的旋轉而朝基板9的外周部擴展，並在上表面91的整體進行用以表面改質成撥水性之撥水化處理。此期間係例如為30秒。此外，此期間中的基板9以及對向部5的旋轉速度係例如為500rpm。從基板9飛散的撥水化劑係被第二防護罩42的內壁接住並從排出埠44被廢棄。此外，撥水化劑的噴出流量係例如為300ml/m。
停止從開口715噴出撥水化劑後，以與上述同樣的處理條件進行IPA處理(步驟ST9)。當結束各種液體處理時，接著執行旋乾(spin drying)處理(步驟ST10)。在旋乾處理中，基板9以及對向部5係以比各種液體處理時還快的速度旋轉。此期間中的基板9以及對向部5的旋轉速度係例如為1500rpm。藉此，附著至基板9以及對向部5的各種液體係從外周緣朝徑方向外側方向飛散並被第二防護罩42的內壁接住，經由排出埠44被廢棄。
當結束旋乾處理時，對向部5係藉由升降機構62而上升並變成圖1所示的狀態，且基板9係被外部的搬運機器人從自轉夾具31搬出(步驟ST11)。
藉此，結束基板處理裝置1所為之各種處理。在此，基板處理裝置1所為之處理係包含有：基板液體處理工序，係包含有對基板9進行液體處理(在上述例子中為步驟ST2至步驟ST5、步驟ST7至步驟ST9)以及用以使基板9乾燥之乾燥處理(在上述例子中為步驟ST10)；以及對向部洗淨工序(在上述例子中為步驟ST6)，係在基板液體處理工序的過程中執行，用以洗淨對向部5。以下詳細地說明對向部洗淨工序。
<1.3.對向部洗淨工序的處理例>
圖7係第一實施形態的對向部洗淨工序(步驟ST6)中的各個處理的時序圖。以下詳細地說明用以洗淨對向部5之對向部洗淨工序。此外，對向部洗淨工序係在對向部5位於圖3所示的洗淨位置L3且噴嘴74位於圖1中以二點鏈線所示的處理位置的狀態下執行。
首先，從時刻t1開始清洗液供給工序101以及液膜形成工序102。所謂清洗液供給工序101係指用以對基板9的上表面91供給清洗液之工序。在清洗液供給工序101中，從開口712對基板9的上表面91供給清洗液。此外，所謂 液膜形成工序102係指下述工序：藉由自轉馬達33使被自轉夾具31保持的基板9以水平姿勢旋轉，藉此於基板9的上表面91形成在清洗液供給工序101中所供給的清洗液的液膜。
此外，清洗液供給工序101中的清洗液的供給亦可與清洗處理(步驟ST5)同樣地從噴嘴73的開口732進行。在此情形中，亦可在開始對向部洗淨工序(步驟ST6)的清洗液供給工序之時刻t1以後繼續進行清洗處理(步驟ST5)中所開始之從開口732噴出清洗液。當然，亦可在清洗處理(步驟ST5)中停止從開口732噴出清洗液，之後在對向部洗淨工序(步驟ST6)的清洗液供給工序101再次開始從開口732噴出清洗液。
液膜形成工序102中的基板9的旋轉速度係例如為10rpm，且比基板液體處理工序(步驟ST2至步驟ST5、步驟ST7至步驟ST10)中的基板的旋轉速度(在上述例子中為300rpm至1500rpm)還低速。如此，在液膜形成工序102中以比基板液體處理工序還低速使基板9旋轉，藉此能於基板9的上表面91形成厚的清洗液的液膜。此外，此時所形成的清洗液的液膜的平均厚度係例如為1mm至2mm。
之後，從時刻t2開始洗淨液供給工序103以及第一對向部旋轉工序104。所謂洗淨液供給工序103係指在基板9 的上表面91形成有清洗液的液膜的狀態下對對向部5的下表面513供給洗淨液(例如與清洗液相同的純水)之工序。
如此，由於在洗淨液供給工序103中形成有清洗液的液膜的狀態下對對向部5的下表面513供給洗淨液，因此即使洗淨液以及/或者微粒等異物從對向部5的下表面513落下，洗淨液以及/或者微粒等異物亦不會附著至基板9的上表面91而是被液膜沖流至基板9的外側。因此，能降低基板9被污染的風險並能在基板處理的過程中洗淨對向部5。
此外，在將下表面513作成親水面之情形中，能減少洗淨液供給工序103中洗淨液從對向部5的下表面513落下。此外，藉由減少洗淨液的落下，能減少形成於基板9上的液膜的崩壞。藉由這些作用，能降低基板9被污染的風險。
此外，在液膜形成工序102中，為了形成較厚的清洗液的液膜，亦可使清洗液的流量增加。例如，亦可將在液膜形成工序102中供給至基板9的清洗液的供給量設定成比步驟ST3中的清洗液的供給量還多。此外，亦可將液膜形成工序102的洗淨液供給工序103中針對基板9的清洗液的供給量設定成比洗淨液供給工序103之前或者之後的清洗液的供給量還多。在此情形中，由於能在洗淨液供給 工序103中形成厚的液膜，因此能有效地抑制從對向部5的下表面513落下的洗淨液中的微粒附著至基板9。
此外，第一對向部旋轉工序104係用以藉由本體旋轉部615使被保持旋轉機構61保持的對向部5以水平姿勢旋轉之工序。第一對向部旋轉工序104係與洗淨液供給工序103並行地進行，在第一對向部旋轉工序104中係以與液膜形成工序102中的基板9的旋轉速度相同的旋轉速度(例如10rpm)使對向部5旋轉。此外，在本例中，雖然在第一對向部旋轉工序104中將對向部5的旋轉速度設定成與基板9的旋轉速度相同，但亦可設定成不同。例如，亦可將對向部5的旋轉速度設定成比基板9的旋轉速度還快的旋轉速度(例如100rpm)或者還慢的旋轉速度。
如此，旋轉屬於洗淨對象之對向部5，藉此能在洗淨液供給工序103中容易地洗淨對向部5的下表面513的整體。此外，由於對向部5的旋轉速度係與基板9的旋轉速度同樣為低速，因此已被供給至對向部5的下表面513的洗淨液不易濺起至下方。藉此，能降低位於對向部5的下方之基板9被污染的風險。
此外，對向部5的下表面513係比被自轉夾具31保持的基板9還廣。亦即，下表面513的直徑係比基板9的直徑還大。如此，將對向部5的下表面513作成比基板9還 廣，藉此能縮小從對向部5落下至基板9之洗淨液的每單位面積的落下量。亦即，能縮小從下表面513朝基板9落下的液滴的大小。藉此，能減少從下表面513落下的洗淨液導致清洗液的液膜的崩壞。因此，能有效地減少落下的洗淨液造成基板的污染。
此外，由於將對向部5的下表面513作成比基板9還廣，因此能在洗淨液供給工序103中使處理液從旋轉中的對向部5中之比基板9還外側的部分落下。藉此，能減少落下至基板9的洗淨液的量。因此，能有效地降低落下的洗淨液導致基板的污染。
對向部5a的下表面513係比基板9還廣。因此，能在總括地覆蓋基板9的前表面的狀態下對基板9進行乾燥處理。因此，能均勻地處理基板。
之後，當變成時刻t3時，結束洗淨液供給工序103以及第一對向部旋轉工序104。在本實施形態中，在時刻t2至時刻t3的期間中並行地進行清洗液供給工序101與洗淨液供給工序103。因此，即使在洗淨液供給工序103中洗淨液以及/或者異物從對向部5的下表面513落下，洗淨液以及/或者異物亦容易被新供給至基板9的上表面91的清洗液沖流至基板9的外側。因此，能進一步降低基板9被污染的風險。
此外，在本實施形態中，在對向部5配置於比退避位置L1還低且比對向位置L2還高的洗淨位置L3的狀態下進行對向部5的下表面513的洗淨。在此情形中，由於能將下表面513靠近基板9，因此能減少洗淨液從下表面513落下導致基板9上的清洗液的液膜的崩壞。因此，能有效地降低落下的洗淨液導致基板的污染。此外，無須將對向部5配置於洗淨位置L3並進行下表面513的洗淨。例如，亦可在已將對向部5配置於退避位置L1的狀態下從噴嘴74對下表面513供給洗淨液，藉此進行下表面513的洗淨。在此情形中，退避位置L1係變成洗淨位置。
在已將對向部5配置於對向位置L2的狀態下所執行之IPA處理(步驟ST7)、撥水化處理(步驟ST8)或者IPA處理(步驟ST9)係第一基板液體處理工序的例子。此外，在已將對向部5配置於退避位置L1的狀態下所執行之氫氟酸處理(步驟ST2)、清洗處理(步驟ST3)、SC1處理(步驟ST4)或者清洗處理(步驟ST5)係第二基板液體處理工序的例子。
在時刻t3至時刻t4中進行對向部升降工序105。在對向部升降工序105中，升降機構62係以對向部5的下表面513的高度變得比圍繞基板9的周圍之罩部4的上端還高且比基板液體處理工序中用以對基板9的上表面91供給各種液體之各個噴嘴73的各個開口還低之方式使對向部5 升降。
在調整對向部5的高度後，在時刻t4至時刻t5中，進行第二對向部旋轉工序106。第二對向部旋轉工序106係在洗淨液供給工序103以及第一對向部旋轉工序104之後進行，且為用以使對向部5以比液膜形成工序102中的基板9的旋轉速度還高速(例如1500rpm)旋轉之工序。如此，以高速使對向部5旋轉，藉此能藉由離心力使附著至對向部5的下表面513的洗淨液以及/或者可能殘留於對向部5的下表面513的異物朝周圍飛散而使對向部5乾燥。
此外，在本實施形態中，在已在對向部升降工序105中調整對向部5的下表面513的高度的狀態下進行第二對向部旋轉工序106。在第二對向部旋轉工序106中，由於對向部5的下表面513的高度位於比罩部4的上端還高的位置，因此能抑制因為離心力從對向部5的下表面513飛散至側方的洗淨液以及/或者異物碰撞至罩部4的內壁並濺起至基板9的上表面91。此外，在第二對向部旋轉工序106中，由於對向部5的下表面513的高度位於比噴嘴73的各個開口還低的位置，因此能抑制因為離心力從對向部5的下表面513飛散至側方的洗淨液以及/或者異物附著至各個噴嘴73的各個開口附近(從而能抑制各個噴嘴73使用時附著物落下至基板9)。
接著，在結束第二對向部旋轉工序106之時刻t5中亦結束清洗液供給工序101以及液膜形成工序102，且亦結束用以洗淨對向部5之對向部洗淨工序(步驟ST6)。
此外，在本實施形態中，對向部洗淨工序(步驟ST6)係在液體處理中之用以將基板9的上表面91予以撥水化之撥水化處理(步驟ST8)之前進行。因此，能防止撥水化處理後殘留於基板9的上表面91的撥水化劑與從對向部5的下表面513落下的洗淨液反應(例如殘留於基板9的上表面91的撥水化劑與從對向部5的下表面513落下的純水進行聚合反應而使撥水化劑高分子化)，而能降低在基板9的上表面91產生異物之風險。
此外，在本實施形態中，於液體處理包含有使用了有機溶劑的處理(步驟ST7、ST9)，且對向部5係耐有機溶劑性的材質。由於對向部5為耐有機溶劑性的材質，因此即使對基板9進行了使用了有機溶劑的液體處理，對向部5亦不易消耗。當採用此種材質時，雖然對向部5的表面變成疏水性且被供給至對向部5的下表面513的洗淨液容易濺起至下方，但由於在清洗液供給工序101中於基板9的上表面91形成有液膜，因此能降低基板9被污染的風險。
圖8係用以顯示比較例中於對向部洗淨工序(步驟ST6)後的基板9的上表面91的髒污之俯視圖。圖9係用以顯示 在第一實施形態中於對向部洗淨工序(步驟ST6)後的基板9的上表面91的髒污之俯視圖。此外，在圖8以及圖9中，以多數個黑圓圈顯示附著至上表面91的微粒等異物。
該比較例係除了液膜形成工序102中的基板9的旋轉速度與基板液體處理工序中的基板9的旋轉速度相同程度(例如1000rpm)之外皆與本實施形態相同。比較圖8以及圖9可知，在比較例中，於基板9的上表面91殘留許多異物，且這些異物集中於基板9的外周側。相對於此，在本實施形態中，基板9的上表面91很少殘留異物，且這些異物分散於基板9的上表面91的整面。因此，與比較例相比，在本實施形態中能期待產能的提升。認為此種於異物的附著情形產生差異之原因乃是由於液膜形成工序102中的基板9的旋轉速度為低速且旋轉的離心力變小從而於基板9的上表面91形成有相對性較厚的液膜之故。
<2.第二實施形態>
說明第二實施形態。此外，在以下的說明中，會有針對具有與已經說明過的構件相同的功能之構件附上相同的元件符號或者附上了英文字母的元件符號並省略詳細的說明之情形。
在第一實施形態的基板處理裝置1中，作成藉由本體旋轉部615使對向部5主動地旋轉之構成。相對於此，在 第二實施形態的基板處理裝置1a中，對向部5a係作成被動地旋轉之構成。以下，說明基板處理裝置1a。
圖10以及圖11係用以顯示第二實施形態的基板處理裝置1a之概略側視圖。此外，圖10係顯示對向部5a位於退避位置L1的狀態，圖11係顯示對向部5a位於對向位置L2的狀態。
基板處理裝置1a係具備有：噴嘴71，係用以對被自轉夾具31保持的基板9的上表面供給處理液。關於噴嘴71的構成係容後述。
於自轉基座32的保持面32a的周緣部立設有複數個卡合部36。複數個卡合部36係與複數個夾具銷35同樣地沿著與圓形的基板9的外周緣對應之圓周上隔著均等的間隔(例如若為四個卡合部36則為90°間隔)配置。此外，複數個卡合部36係配置於比複數個夾具銷35還徑方向外側方向。關於複數個卡合部36的功能係容後述。
對向部5a係具備有本體部51a、被保持部52以及卡合部53。本體部51a係具備有本體部51、頂蓋部511a以及側壁部512。於頂蓋部511a的中央部設置有開口54。側壁部512係將中心軸J1作為中心之略圓筒狀的構件，並從頂蓋部511a的外周部朝下方擴展。
複數個卡合部53係以中心軸J1作為中心略等角度間隔地於周方向配置於頂蓋部511的下表面513的外周部。複數個卡合部53係配置於側壁部512的徑方向內側。
被保持部52係連接至本體部51的上表面。被保持部52係具備有筒狀部521以及凸緣(flange)部522。筒狀部521係從本體部51的開口54的周圍朝上方突出之略筒狀的構件。筒狀部521係例如為將中心軸J1作為中心之略圓筒狀。凸緣部522係從筒狀部521的上端部朝徑方向外側方向環狀地擴展。凸緣部522係例如為將中心軸J1作為中心之略圓環板狀。
對向部移動機構6的保持旋轉機構61a係保持被保持部52。保持旋轉機構61a係具備有保持部本體611a、臂612、凸緣支撐部613以及支撐部連接部614。
本持部本體611a係例如為將中心軸J1作為中心之略圓板狀。保持部本體611係覆蓋對向部5的凸緣部522的上方。臂612的一方的端部係連接至保持部本體611a，臂612的另一方的端部係連接至升降機構62。
噴嘴71係從保持部本體611a的中央部朝下方突出。噴嘴71係以非接觸狀態被***至筒狀部521。
凸緣支撐部613係例如為將中心軸J1作為中心之略圓環板狀。凸緣支撐部613係位於凸緣部522的下方。凸緣支撐部613的內徑係比對向部5的凸緣部522的外徑還小。凸緣支撐部613的外徑係比對向部5的凸緣部522的外徑還大。支撐部連接部614係例如為將中心軸J1作為中心之略圓筒狀。支撐部連接部614係在凸緣部522的周圍連接凸緣支撐部613與保持部本體611a。在保持旋轉機構61a中，保持部本體611a係於上下方向與凸緣部522的上表面對向之保持部上部，凸緣支撐部613係於上下方向與凸緣部522的下表面對向之保持部下部。
在對向部5a位於圖10所示的位置的狀態下，凸緣支撐部613係從下側接觸至對向部5a的凸緣部522的外周部並支撐凸緣部522。換言之，對向部5a的凸緣部522係被對向部移動機構6的保持旋轉機構61a保持。藉此，在圖10所示的狀態下，對向部5a係在基板9以及自轉夾具31的上方被保持旋轉機構61a垂吊。在以下的說明中，將圖10所示的對向部5a的上下方向的位置稱為「退避位置L1a」。所謂退避位置L1a係指對向部5a被對向部移動機構6保持並從自轉夾具31離開至上方之位置。
於凸緣支撐部613設置有用以限制對向部5a的位置偏移(亦即對向部5a的移動以及旋轉)之移動限制部616。在 圖10所示的例子中，移動限制部616係從凸緣支撐部613的上表面朝上方突出之突起部。移動限制部616係被***至設置於凸緣部522的孔部，藉此抑制對向部5a的位置偏移。
升降機構62係使對向部5a與保持旋轉機構61a一起於上下方向移動。圖11係用以顯示對向部5a已從圖10所示的退避位置L1a下降的狀態之剖視圖。在以下的說明中，將圖11所示的對向部5a的上下方向的位置稱為「對向位置L2a」。亦即，升降機構62係使對向部5a在退避位置L1a與對向位置L2a之間相對於自轉夾具31相對性地於上下方向移動。對向位置L2a係比退避位置L1a還下方的位置。換言之，所謂對向位置L2a係指對向部5a在上下方向中比退避位置L1a還接近自轉夾具31之位置。
在對向部5a位於對向位置L2a的狀態下對向部5a的複數個卡合部53係分別與自轉夾具31的複數個卡合部36卡合。複數個卡合部53係被複數個卡合部36從下方支撐。換言之，複數個卡合部36係用以支撐對向部5a之對向構件支撐部。例如，卡合部36係與上下方向略平行的銷，且卡合部36的上端部係嵌合至朝向上方地形成於卡合部53的下端部的凹部。此外，對向部5a的凸緣部522係從保持旋轉機構61的凸緣支撐部613離開至上方。藉此，對向部5a係在對向位置L2a中被自轉夾具31保持並從對向部移 動機構6離開。
在對向部5a被自轉夾具31保持的狀態下，對向部5a的側壁部512的下端部係位於比自轉夾具31的自轉基座32的上表面還下方或者位於上下方向中與自轉基座32的上表面相同的位置。當在對向部5a位於對向位置L2a的狀態下驅動自轉馬達33時，對向部5a係與基板9以及自轉夾具31一起旋轉。如此，在對向部5a位於對向位置L2a的狀態下，藉由自轉馬達33的旋轉驅動力使基板9以及對向部5a一體性地繞著中心軸J1旋轉。另一方面，在對向部5a位於退避位置L1a的狀態下，藉由自轉馬達33的旋轉驅動力基板9變得可以繞著中心軸J1旋轉，而對向部5a則無法旋轉。
圖12係從下方觀看第二實施形態的噴嘴71a之仰視圖。於噴嘴71a的下表面設置有複數個開口711至715作為可噴出從省略圖示的複數個處理液供給源所供給的各種處理液之構成。在此，說明可從開口711噴出氫氟酸、可從開口712噴出純水、可從開口713噴出SC1液體(已混合了過氧化氫水以及氨的處理液)、可從開口714噴出IPA、可從開口715噴出撥水化劑(例如矽烷基化劑)之情形。此外，這些僅為一例，亦可構成為可對基板9的上表面91噴出其他的處理液。此外，亦可設置有可噴出從省略圖示的氣體供給源所供給的氣體(例如氮氣)之開口。
圖13係用以顯示第二實施形態的噴嘴71a的附近之概略剖視圖。如圖13所示，噴嘴71a係將從省略圖示的供給源所供給的洗淨液供給至對向部5a的下表面513。詳細而言，噴嘴71a係具有朝斜上方呈開口之開口716。在如圖11所示在對向部5a位於對向位置L2a的狀態下，如圖13所示般噴嘴71a的開口716係朝向本體部51的頂蓋部511a的下表面513。
<基板處理裝置1a的動作例>
以下，參照圖6說明基板處理裝置1a中的處理例。雖然在以下的處理例中說明從噴嘴71a供給使用於基板9的液體處理之各種處理液之態樣，但亦可為從噴嘴73供給使用於基板9的液體處理之一部分的處理液之態樣。
首先，在對向部5a位於退避位置L1a的狀態下，藉由外部的搬運機器人將基板9搬入至腔室11內並載置於自轉基座32的夾具銷35上。結果，該基板9係被夾具銷35從下側支撐(步驟ST1)。
當基板9被搬入時，升降機構62係使對向部5a從退避位置L1a下降至對向位置L2a。藉此，形成有被自轉基座32的保持面32a、頂蓋部511a的下表面513以及側壁部512的內周面圍繞的空間。接著，藉由自轉馬達33使基板 9開始旋轉。
在此狀態下，對基板9的上表面91執行使用了各種處理液之液體處理。首先，執行用以從噴嘴71a的開口711對基板9的上表面91供給氫氟酸之氫氟酸處理(步驟ST2)。在氫氟酸處理中，從設置於噴嘴71a的下表面的開口711對旋轉中的基板9的上表面91連續性地供給氫氟酸。已著液至上表面91的氫氟酸係藉由該基板9的旋轉而朝基板9的外周部擴展，並在上表面91的整體進行氫氟酸處理。此期間係例如為30秒。此外，此期間中的基板9以及對向部5的旋轉速度係例如為800rpm至1000rpm。
停止從開口711噴出氫氟酸後，開始從開口712噴出清洗液(步驟ST3)。於清洗處理時，從設置於噴嘴71a的下表面的開口712對旋轉中的基板9的上表面91連續性地供給清洗液。已著液至上表面91的清洗液係藉由該基板9的旋轉而朝基板9的外周部擴展，並與殘存於上表面91上的氫氟酸一起從基板9的外周緣朝徑方向外側方向飛散。從基板9飛散的氫氟酸以及清洗液係被第一防護罩41的內壁接住並經由排出埠44被廢棄。藉此，實質性地與基板9的上表面91的清洗處理一起進行第一防護罩41的洗淨。此期間係例如為30秒。此外，此期間中的基板9以及對向部5的旋轉速度係例如為1200rpm。
停止從開口712噴出清洗液後，開始從開口713噴出SC1液體(步驟ST4)。在SC1處理時，從設置於噴嘴71a的下表面之開口713對旋轉中的基板9的上表面91連續性地供給SC1液體。已著液至上表面91的SC1液體係藉由該基板9的旋轉而朝基板9的外周部擴展，並在上表面91的整體進行SC1處理。此期間係例如為30秒。此外，此期間中的基板9以及對向部5的旋轉速度係例如為800rpm。從基板9飛散的SC1液體係被第二防護罩42的內壁接住並從排出埠44被廢棄。
停止從開口713噴出SC1液體後，開始從開口712噴出清洗液(步驟ST5)。於清洗處理時，從設置於噴嘴71a的下表面之開口712對旋轉中的基板9的上表面91連續性地供給清洗液。已著液至上表面91的清洗液係藉由該基板9的旋轉而朝基板9的外周部擴展，並與殘存於上表面91上的SC1液體一起從基板9的外周緣朝徑方向外側方向飛散。從基板9飛散的SC1液體以及清洗液係被第一防護罩41的內壁接住並經由排出埠44被廢棄。藉此，實質性地與基板9的上表面91的清洗處理一起進行第一防護罩41的洗淨。此期間係例如為30秒。此外，此期間中的基板9以及對向部5的旋轉速度係例如為1200rpm。
對向部5a的下表面513係比基板9還廣。因此，能在以下表面513總括地覆蓋基板9的整面的狀態下對基板9 進行液體處理或者乾燥處理。藉此，能均勻地處理基板9的整面。
之後，從噴嘴71a的開口716將洗淨液供給至對向部5a的下表面513，藉此進行用以洗淨該下表面513之對向部洗淨處理(步驟ST6)。此外，在後述的<對向部洗淨工序的處理例>詳細地說明對向部洗淨處理。
當結束對向部洗淨處理時，執行用以從噴嘴71a的開口714對基板9的上表面91供給IPA之IPA處理(步驟ST7)。在IPA處理時，第二防護罩42係位於能接住從基板9飛散的IPA的高度。在IPA處理中，從設置於噴嘴71a的下表面之開口714對旋轉中的基板9的上表面91連續性地供給IPA。已著液至上表面91的IPA係進行用以藉由該基板9的旋轉而朝基板9的外周部擴展並在上表面91的整體將純水置換成IPA之IPA處理。此外，亦可以促進IPA置換為目的藉由省略圖示的加熱機構對基板9進行加熱處理。此期間係例如為30秒。此外，此期間中的基板9以及對向部5的旋轉速度係例如為300rpm。此外，IPA的噴出流量係例如為300ml/m(毫升/分)。
停止從開口714噴出IPA後，開始從開口715噴出撥水化劑(步驟ST8)。於撥水化處理時，從設置於噴嘴71a的下表面之開口715對旋轉中的基板9的上表面91連續性地 供給撥水化劑。已著液至上表面91的撥水化劑係藉由該基板9的旋轉而朝基板9的外周部擴展，並在上表面91的整體進行用以表面改質成撥水性之撥水化處理。此期間係例如為30秒。此外，此期間中的基板9以及對向部5a的旋轉速度係例如為500rpm。從基板9飛散的撥水化劑係被第二防護罩42的內壁接住並從排出埠44被廢棄。此外，撥水化劑的噴出流量係例如為300ml/m。
停止從開口715噴出撥水化劑後，以與上述同樣的處理條件進行IPA處理(步驟ST9)。當結束各種液體處理時，接著執行旋乾處理(步驟ST10)。在旋乾處理中，基板9以及對向部5a係以比各種液體處理時還快的速度旋轉。此期間中的基板9以及對向部5a的旋轉速度係例如為1500rpm。藉此，附著至基板9以及對向部5a的各種液體係從外周緣朝徑方向外側方向飛散並被第二防護罩42的內壁接住，經由排出埠44被廢棄。
當結束旋乾處理時，對向部5a係藉由升降機構62而上升並變成圖10所示的狀態，且基板9係被外部的搬運機器人從自轉夾具31搬出(步驟ST11)。
藉此，結束基板處理裝置1a所為之各種處理。在此，詳細地說明第二實施形態的對向部洗淨工序(在此為步驟ST6)。
<對向部洗淨工序的處理例>
圖14係第二實施形態的對向部洗淨工序(步驟ST6)中的各個處理的時序圖。對向部洗淨工序係在對向部5a位於圖11所示的對向位置L2a且噴嘴71a的開口716朝向下表面513的狀態下執行。亦即，在本實施形態中，對向位置L2a係變成洗淨對向部5a時的洗淨位置。
首先，從時刻t1開始清洗液供給工序101以及液膜形成工序102。如上所述，清洗液供給工序101係用以對基板9的上表面91供給清洗液之工序。在清洗液供給工序101中，與上述步驟ST5同樣地，從開口712對基板9的上表面91供給清洗液。此外，如上所述，液膜形成工序102係指下述工序：藉由自轉馬達33使基板9以水平姿勢旋轉，藉此於基板9的上表面91形成在清洗液供給工序101中所供給的清洗液的液膜。
液膜形成工序102中之在比進行第二對向部旋轉工序106還之前的期間(時刻t1至時刻t3)中的基板9的旋轉速度係例如為10rpm。此期間的旋轉速度係比基板液體處理工序(步驟ST2至步驟ST5、步驟ST7至步驟ST10)中的基板的旋轉速度(在上述例子中為300rpm至1500rpm)還低速。如此，在液膜形成工序102中以比基板液體處理工序還低速使基板9旋轉，藉此能於基板9的上表面91形成厚的清 洗液的液膜。此外，此時所形成的清洗液的液膜的平均厚度係例如為1mm至2mm。
之後，從時刻t2開始洗淨液供給工序103以及第一對向部旋轉工序104。在本實施形態中，洗淨液供給工序103係指在基板9的上表面91形成有清洗液的液膜的狀態下從噴嘴71a的開口716對對向部5a的下表面513供給洗淨液(例如與清洗液相同的純水)之工序。
如此，由於在洗淨液供給工序103中形成有清洗液的液膜的狀態下對對向部5a的下表面513供給洗淨液，因此即使洗淨液以及/或者微粒等異物從下表面513落下，洗淨液以及/或者微粒等異物亦不會附著至基板9的上表面91而是容易被液膜沖流至基板9的外側。因此，能降低基板9被污染的風險並能在基板處理的過程中洗淨對向部5。
此外，在本實施形態中，第一對向部旋轉工序104係用以藉由自轉馬達33使卡合至卡合部36的對向部5a以水平姿勢旋轉之工序。第一對向部旋轉工序104係與洗淨液供給工序103並行地進行。在第一對向部旋轉工序104中係以與液膜形成工序102中的基板9的旋轉速度相同的旋轉速度(例如10rpm)使對向部5a旋轉。
如此，旋轉屬於洗淨對象之對向部5a，藉此能在洗淨液供給工序103中容易地洗淨對向部5a的下表面513的整體。此外，由於對向部5a的旋轉速度係與基板9的旋轉速度同樣為低速，因此已被供給至下表面513的洗淨液不易濺起至下方。藉此，能降低位於對向部5a的下方之基板9被污染的風險。
之後，當變成時刻t3時，結束洗淨液供給工序103以及第一對向部旋轉工序104。在本實施形態中，在時刻t2至時刻t3的期間中並行地進行清洗液供給工序101與洗淨液供給工序103。因此，即使在洗淨液供給工序103中洗淨液以及/或者異物從對向部5a的下表面513落下，洗淨液以及/或者異物亦容易被新供給至基板9的上表面91的清洗液沖流至基板9的外側。因此，能進一步降低基板9被污染的風險。
在時刻t3至時刻t5中，進行第二對向部旋轉工序106。第二對向部旋轉工序106係在洗淨液供給工序103以及第一對向部旋轉工序104之後進行。此外，液膜形成工序102中之進行第二對向部旋轉工序106之期間係使對向部5a以比更早之前的期間(時刻t1至時刻t3)中的基板9的旋轉速度(例如10rpm)還高速(例如1500rpm)旋轉之期間。如此，以高速使對向部5a旋轉，藉此能藉由離心力使附著至對向部5a的下表面513的洗淨液以及/或者可能殘留於對向部 5a的下表面513的異物朝周圍飛散而使對向部5a乾燥。
此外，在液膜形成工序102中之進行第二對向部旋轉工序106之期間(時刻t3至時刻t5)中，基板9亦以與對向部5a相同的旋轉速度高速地旋轉。因此，此期間中，基板9上的液膜的厚度係變得比進行洗淨液供給工序103以及第一對向部旋轉工序104之期間還薄。然而，在執行第二對向部旋轉工序106時，亦能藉由於基板9上形成有薄的液膜來降低洗淨液落下導致基板9污染的風險。
接著，在結束第二對向部旋轉工序106之時刻t5中亦結束清洗液供給工序101以及液膜形成工序102，且亦結束用以洗淨對向部5a之對向部洗淨工序(步驟ST6)。
<3.第三實施形態>
接著，說明第三實施形態的基板處理裝置1b。圖15以及圖16係用以顯示第三實施形態的基板處理裝置1b之概略側視圖。此外，圖15係顯示對向部5a位於退避位置L1a之狀態，圖16係顯示對向部5a位於對向位置L2a之狀態。
本實施形態的基板處理裝置1b係具備有與第二實施形態的基板處理裝置1a大致同樣的構成。然而，在基板處理裝置1b中，對向部移動機構6的保持旋轉機構61a係具 備有本體旋轉部615。因此，在基板處理裝置1b中，對向部5a係構成為可主動地旋轉。
噴嘴71b係從保持部本體611a的中央部朝下方突出。噴嘴71b係以非接觸狀態***至筒狀部521。與第二實施形態的噴嘴71a同樣地，於噴嘴71b的下表面形成有開口711至開口715(參照圖12)。然而，未於噴嘴71b設置開口716。
在對向部5a被自轉夾具31保持的狀態下，對向部5a的側壁部512的下端部係位於比自轉夾具31的自轉基座32的上表面還下方或者位於上下方向中與自轉基座32的上表面相同的位置。當在對向部5a位於對向位置L2a的狀態下驅動自轉馬達33時，對向部5a係與基板9以及自轉夾具31一起旋轉。如此，在對向部5a位於對向位置L2a的狀態下，藉由自轉馬達33的旋轉驅動力使基板9以及對向部5a一體性地繞著中心軸J1旋轉。另一方面，在對向部5a位於退避位置L1a的狀態下，藉由自轉馬達33的旋轉驅動力基板9變得可以繞著中心軸J1旋轉，且藉由本體旋轉部615的旋轉驅動力對向部5a變得可以繞著中心軸J1旋轉。
此外，基板處理裝置1b係具備有噴嘴74。如第一實施形態中所說明般，噴嘴74係將從省略圖示的供給源所供 給的洗淨液供給至對向部5a的下表面513。以省略圖示的馬達使噴嘴臂的基端部繞著沿著鉛直方向的軸轉動，藉此噴嘴74係在接近對向部5a且朝向對向部5a的下表面513呈開口之處理位置(圖15中以二點鏈線所示的位置)與已從對向部5a離開之待機位置(圖15中以實線所示的位置)之間移動。此外，如圖15所示，可使噴嘴74移動至處理位置之時序係對向部5a位於退避位置L1a之時序。
<基板處理裝置1b的動作例>
以下，參照圖6說明基板處理裝置1b中的處理例。雖然在以下的處理例中說明從噴嘴71b供給使用於基板9的液體處理之各種處理液之態樣，但亦可為從噴嘴73供給使用於基板9的液體處理之一部分的處理液之態樣。
首先，在對向部5a位於退避位置L1a的狀態下(參照圖15)，藉由外部的搬運機器人將基板9搬入至腔室11內並載置於自轉基座32的夾具銷35上。結果，該基板9係被夾具銷35從下側支撐(步驟ST1)。
當基板9被搬入時，升降機構62係使對向部5a從退避位置L1a下降至對向位置L2a。藉此，形成有被自轉基座32的保持面32a、頂蓋部511a的下表面513以及側壁部512的內周面圍繞的空間。接著，藉由自轉馬達33使基板9開始旋轉。
在此狀態下，對基板9的上表面91執行使用了各種處理液之液體處理。首先，執行用以從噴嘴71b的開口711對基板9的上表面91供給氫氟酸之氫氟酸處理(步驟ST2)。在氫氟酸處理時，第一防護罩41係位於能接住從基板9飛散的處理液之高度。在氫氟酸處理中，從設置於噴嘴71b的下表面的開口711對旋轉中的基板9的上表面91連續性地供給氫氟酸。已著液至上表面91的氫氟酸係藉由該基板9的旋轉而朝基板9的外周部擴展，並在上表面91的整體進行氫氟酸處理。此期間係例如為30秒。此外，此期間中的基板9以及對向部5a的旋轉速度係例如為800rpm至1000rpm。
停止從開口711噴出氫氟酸後，開始從開口712噴出清洗液(步驟ST3)。於清洗處理時，從設置於噴嘴71b的下表面的開口712對旋轉中的基板9的上表面91連續性地供給清洗液。已著液至上表面91的清洗液係藉由該基板9的旋轉而朝基板9的外周部擴展，並與殘存於上表面91上的氫氟酸一起從基板9的外周緣朝徑方向外側方向飛散。從基板9飛散的氫氟酸以及清洗液係被第一防護罩41的內壁接住並經由排出埠44被廢棄。藉此，實質性地與基板9的上表面91的清洗處理一起進行第一防護罩41的洗淨。此期間係例如為30秒。此外，此期間中的基板9以及對向部5a的旋轉速度係例如為1200rpm。
停止從開口712噴出清洗液後，開始從開口713噴出SC1液體(步驟ST4)。在SC1處理時，從設置於噴嘴71b的下表面之開口713對旋轉中的基板9的上表面91連續性地供給SC1液體。已著液至上表面91的SC1液體係藉由該基板9的旋轉而朝基板9的外周部擴展，並在上表面91的整體進行SC1處理。此期間係例如為30秒。此外，此期間中的基板9以及對向部5a的旋轉速度係例如為800rpm。從基板9飛散的SC1液體係被第二防護罩42的內壁接住並從排出埠44被廢棄。
停止從開口713噴出SC1液體後，開始從開口712噴出清洗液(步驟ST5)。於清洗處理時，從設置於噴嘴71b的下表面之開口712對旋轉中的基板9的上表面91連續性地供給清洗液。已著液至上表面91的清洗液係藉由該基板9的旋轉而朝基板9的外周部擴展，並與殘存於上表面91上的SC1液體一起從基板9的外周緣朝徑方向外側方向飛散。從基板9飛散的SC1液體以及清洗液係被第一防護罩41的內壁接住並經由排出埠44被廢棄。藉此，實質性地與基板9的上表面91的清洗處理一起進行第一防護罩41的洗淨。此期間係例如為30秒。此外，此期間中的基板9以及對向部5a的旋轉速度係例如為1200rpm。
之後，升降機構62係使對向部5a從對向位置L2a上 升至退避位置L1a。此外，藉由未圖示的驅動機構使噴嘴74移動至處理位置(圖15中以二點鏈線所示的位置)。接著，從噴嘴74將洗淨液供給至對向部5a的下表面513，藉此進行用以洗淨該下表面513之對向部洗淨處理(步驟ST6)。此外，在後述的<對向部洗淨工序的處理例>詳細地說明對向部洗淨處理。
當結束對向部洗淨處理時，藉由未圖示的驅動機構使噴嘴74移動至待機位置(圖15中以實線所示的位置)。此外，升降機構62係使對向部5a從退避位置L1a下降至對向位置L2a。在此狀態下，執行用以從噴嘴71b的開口714對基板9的上表面91供給IPA之IPA處理(步驟ST7)。在IPA處理時，第二防護罩42係位於能接住從基板9飛散的IPA的高度。在IPA處理中，從設置於噴嘴71b的下表面之開口714對旋轉中的基板9的上表面91連續性地供給IPA。已著液至上表面91的IPA係進行用以藉由該基板9的旋轉而朝基板9的外周部擴展並在上表面91的整體將純水置換成IPA之IPA處理。此外，亦可以促進IPA置換為目的藉由省略圖示的加熱機構對基板9進行加熱處理。此期間係例如為30秒。此外，此期間中的基板9以及對向部5a的旋轉速度係例如為300rpm。此外，IPA的噴出流量係例如為300ml/m(毫升/分)。
停止從開口714噴出IPA後，開始從開口715噴出撥 水化劑(步驟ST8)。於撥水化處理時，從設置於噴嘴71b的下表面之開口715對旋轉中的基板9的上表面91連續性地供給撥水化劑。已著液至上表面91的撥水化劑係藉由該基板9的旋轉而朝基板9的外周部擴展，並在上表面91的整體進行用以表面改質成撥水性之撥水化處理。此期間係例如為30秒。此外，此期間中的基板9以及對向部5a的旋轉速度係例如為500rpm。從基板9飛散的撥水化劑係被第二防護罩42的內壁接住並從排出埠44被廢棄。此外，撥水化劑的噴出流量係例如為300ml/m。
停止從開口715噴出撥水化劑後，以與上述同樣的處理條件進行IPA處理(步驟ST9)。當結束各種液體處理時，接著執行旋乾處理(步驟ST10)。在旋乾處理中，基板9以及對向部5a係以比各種液體處理時還快的速度旋轉。此期間中的基板9以及對向部5a的旋轉速度係例如為1500rpm。藉此，附著至基板9以及對向部5a的各種液體係從外周緣朝徑方向外側方向飛散並被第二防護罩42的內壁接住，經由排出埠44被廢棄。
當結束旋乾處理時，對向部5a係藉由升降機構62而上升並變成圖15所示的狀態，且基板9係被外部的搬運機器人從自轉夾具31搬出(步驟ST11)。
藉此，結束基板處理裝置1b所為之各種處理。在此， 參照圖6詳細地說明第二實施形態的對向部洗淨工序(在此為步驟ST6)。
<對向部洗淨工序的處理例>
如圖15所示，對向部洗淨工序係在對向部5a位於退避位置L1a且噴嘴74位於二點鏈線所示的處理位置的狀態下執行。亦即，在本實施形態中，退避位置L1a係相當於洗淨對向部5a時的洗淨位置。
首先，從時刻t1開始清洗液供給工序101以及液膜形成工序102。如上所述，清洗液供給工序101係用以對基板9的上表面91供給清洗液之工序。在清洗液供給工序101中，與上述步驟ST5同樣地，從開口712對基板9的上表面91供給清洗液。此外，如上所述，液膜形成工序102係指下述工序：藉由自轉馬達33使被自轉夾具31保持的基板9以水平姿勢旋轉，藉此於基板9的上表面91形成在清洗液供給工序101中所供給的清洗液的液膜。
液膜形成工序102中的基板9的旋轉速度係例如為10rpm，且比基板液體處理工序(步驟ST2至步驟ST5、步驟ST7至步驟ST10)中的基板的旋轉速度(在上述例子中為300rpm至1500rpm)還低速。如此，在液膜形成工序102中以比基板液體處理工序還低速使基板9旋轉，藉此能於基板9的上表面91形成厚的清洗液的液膜。此時所形成的清 洗液的液膜的平均厚度係例如為1mm至2mm。
之後，從時刻t2開始洗淨液供給工序103以及第一對向部旋轉工序104。在本實施形態中，洗淨液供給工序103係指在基板9的上表面91形成有清洗液的液膜的狀態下從噴嘴74對對向部5a的下表面513供給洗淨液(例如與清洗液相同的純水)之工序。
如此，由於在洗淨液供給工序103中形成有清洗液的液膜的狀態下對對向部5a的下表面513供給洗淨液，因此即使洗淨液以及/或者微粒等異物從下表面513落下，洗淨液以及/或者微粒等異物亦不會附著至基板9的上表面91而是容易被液膜沖流至基板9的外側。因此，能降低基板9被污染的風險並能在基板處理的過程中洗淨對向部5。
此外，第一對向部旋轉工序104係用以藉由本體旋轉部615使被保持旋轉機構61保持的對向部5a以水平姿勢旋轉之工序。第一對向部旋轉工序104係與洗淨液供給工序103並行地進行，且在第一對向部旋轉工序104中係以與液膜形成工序102中的基板9的旋轉速度相同的旋轉速度(例如10rpm)使對向部5a旋轉。
如此，旋轉屬於洗淨對象之對向部5a，藉此能在洗淨 液供給工序103中容易地洗淨對向部5a的下表面513的整體。此外，由於對向部5a的旋轉速度係與基板9的旋轉速度同樣為低速，因此已被供給至下表面513的洗淨液不易濺起至下方。藉此，能降低位於對向部5a的下方之基板9被污染的風險。
之後，當變成時刻t3時，結束洗淨液供給工序103以及第一對向部旋轉工序104。在本實施形態中，在時刻t2至時刻t3的期間中並行地進行清洗液供給工序101與洗淨液供給工序103。因此，即使在洗淨液供給工序103中洗淨液以及/或者異物從對向部5a的下表面513落下，洗淨液以及/或者異物亦容易被新供給至基板9的上表面91的清洗液沖流至基板9的外側。因此，能進一步降低基板9被污染的風險。
在時刻t3至時刻t4中，進行對向部升降工序105。在對向部升降工序105中，升降機構62係以對向部5a的下表面513的高度變得比圍繞基板9的周圍之罩部4的上端還高且比基板液體處理工序中用以對基板9的上表面91供給各種液體之各個噴嘴71b、73的各個開口還低之方式使對向部5a升降。
接著，在調整對向部5a的高度後，在時刻t4至時刻t5中，進行第二對向部旋轉工序106。第二對向部旋轉工 序106係在洗淨液供給工序103以及第一對向部旋轉工序104之後進行，且為用以使對向部5a以比液膜形成工序102中的基板9的旋轉速度還高速(例如1500rpm)旋轉之工序。如此，以高速使對向部5a旋轉，藉此能藉由離心力使附著至對向部5a的下表面513的洗淨液以及/或者可能殘留於對向部5a的下表面513的異物朝周圍飛散而使對向部5a乾燥。
此外，在本實施形態中，在已在對向部升降工序105中調整對向部5a的下表面513的高度的狀態下進行第二對向部旋轉工序106。在第二對向部旋轉工序106中，由於下表面513的高度位於比罩部4的上端還高的位置，因此能抑制因為離心力從下表面513飛散至側方的洗淨液以及/或者異物碰撞至罩部4的內壁並濺起至基板9的上表面91。此外，在第二對向部旋轉工序106中，由於下表面513的高度位於比噴嘴71b、73的各個開口還低的位置，因此能抑制因為離心力從下表面513飛散至側方的洗淨液以及/或者異物附著至各個噴嘴71b、73的各個開口附近(從而能抑制各個噴嘴71b、73使用時附著物落下至基板9)。
接著，在結束第二對向部旋轉工序106之時刻t5中亦結束清洗液供給工序101以及液膜形成工序102，且亦結束用以洗淨對向部5a之對向部洗淨工序(步驟ST6)。
此外，在本實施形態中，在對向部5a位於退避位置L1a的狀態下進行對向部5a的洗淨。該退避位置L1a係將基板9搬出以及搬入時(步驟ST1、ST11)的位置。然而，亦可將對向部5a配置於比退避位置L1a還下方且比對向位置L2a還上方的位置並洗淨下表面513。在此情形中，由於下表面513接近基板9，因此能降低洗淨液從下表面513落下導致基板9上的清洗液的液膜的崩壞。因此，能有效地降低落下的洗淨液導致基板的污染。
在本實施形態的說明中，在對向部洗淨工序(步驟ST6)中在已將對向部5a配置於對向位置L2a的狀態下進行對向部5a的下表面513的洗淨。然而，如在第一實施形態所說明般，亦可在對向部洗淨工序中在已將對向部5a配置於退避位置L1a與對向位置L2a之間的高度位置的洗淨位置的狀態下進行下表面513的洗淨。
<4.變化例>
以上雖然已經說明本發明的實施形態，但只要未逸離本發明的精神則除了上述實施形態以外亦可進行各種變更。
圖17係基板處理裝置1、1b的變化例的對向部洗淨工序(步驟ST6a)中的各個處理的時序圖。與上述第一實施形態以及第三實施形態的對向部洗淨工序(步驟ST6)中的清 洗液供給工序101相比，本變化例中的對向部洗淨工序(步驟ST6a)係具有短時間的清洗液供給工序101a。更具體而言，清洗液供給工序101a係在開始液膜形成工序102之時刻t1開始，並在開始洗淨液供給工序103以及第一對向部旋轉工序104之時刻t2結束。如此，即使清洗液供給工序101a比洗淨液供給工序103還先進行，只要液膜形成工序102充分地以低速進行且藉由清洗液的表面張力使清洗液滯留於基板W的上表面91並保持覆漿(paddle)狀的液膜，則亦能與上述實施形態同樣地藉由該液膜的存在降低基板9的上表面91被污染的風險。
此外，在上述實施形態中，雖然已說明在基板處理裝置1所為之液體處理(步驟ST2至步驟ST5、步驟ST7至步驟ST9)的過程中執行對向部洗淨工序(步驟ST6)的態樣，但本發明的應用態樣並未限定於此。例如，亦可省略上述實施形態中的步驟ST7至步驟ST9，藉此在基板處理裝置1所為之液體處理(步驟ST2至步驟ST5)之後且在乾燥處理(步驟ST10)之前執行對向部洗淨工序(步驟ST6)。如此，對向部洗淨工序係可在基板液體處理工序的過程中的適當的時序執行。
此外，雖然在第二實施形態以及第三實施形態中已說明使用噴嘴71a、71b對基板9的上表面91供給處理液的態樣，但亦可進行使用了噴嘴73的處理液供給以取代使用 了噴嘴71a、71b的處理液供給。例如，亦可在步驟ST9中的IPA處理時使對向部5a升降至退避位置L1a，並使噴嘴73移動至處理位置，且從該噴嘴73對基板9的上表面91供給IPA。如此，在使用噴嘴73進行處理液的供給之情形中，亦可使未圖示的噴嘴臂轉動，藉此一邊在基板9的中央側的上方位置與基板9的外周側的上方位置之間擺動噴嘴73一邊進行處理液的供給。
在上述實施形態中，雖然已說明利用純水作為清洗液的態樣，但亦可利用純水以外的液體(例如碳酸水)作為清洗液。此外，亦可利用純水以外的液體(例如IPA)作為洗淨液。
以上雖然已說明實施形態以及變化例的基板處理方法，但這些實施形態以及變化例僅為本發明較佳的實施形態的例子，並非是用來限定本發明的實施範圍。只要在本發明的範圍內，本發明係可自由地組合各個實施形態、進行各個實施形態的任意的構成要素的變化、省略各個實施形態中的任意的構成要素。
101‧‧‧清洗液供給工序
102‧‧‧液膜形成工序
103‧‧‧洗淨液供給工序
104‧‧‧第一對向部旋轉工序
105‧‧‧對向部升降工序
106‧‧‧第二對向部旋轉工序
t1至t5‧‧‧時刻

Claims (12)

  1. 一種基板處理方法，係包含有：處理工序，係使用具有與基板的上表面對向的下表面之對向部處理前述基板；基板液體處理工序，係對前述基板的前述上表面進行液體處理；以及對向部洗淨工序，係洗淨前述對向部；前述對向部洗淨工序係具有：清洗液供給工序，係對前述基板的前述上表面供給清洗液；液膜形成工序，係於前述基板的前述上表面形成在前述清洗液供給工序中所供給的前述清洗液的液膜，且前述液膜形成工序包含有用以使前述基板以水平姿勢旋轉之工序，前述液膜形成工序中的前述基板的旋轉速度係比前述基板液體處理工序中的前述基板的旋轉速度還低速；洗淨液供給工序，係在前述液膜形成工序中於前述基板的前述上表面形成有前述液膜的狀態下對前述對向部的前述下表面供給洗淨液；第一對向部旋轉工序，係與前述洗淨液供給工序並行進行，用以使前述對向部以水平姿勢旋轉；以及第二對向部旋轉工序，係在前述洗淨液供給工序以及前述第一對向部旋轉工序之後進行，用以使前 述對向部以比前述液膜形成工序中的前述基板的前述旋轉速度還高速旋轉。
  2. 如請求項1所記載之基板處理方法，其中前述基板液體處理工序係包含有用以使前述對向部的前述下表面與前述基板的前述上表面對向並在已使前述基板以水平姿勢旋轉的狀態下進行液體處理之工序。
  3. 如請求項1或2所記載之基板處理方法，其中前述液膜形成工序係包含有用以增加對於前述基板的前述上表面之前述清洗液的供給量之工序。
  4. 如請求項1所記載之基板處理方法，其中前述基板液體處理工序係包含有：第一基板液體處理工序，係將前述對向部配置於與前述基板對向之對向位置；前述對向部洗淨工序係包含有用以在前述洗淨液供給工序之前將前述對向部配置於比前述對向位置還上方的位置之工序。
  5. 如請求項4所記載之基板處理方法，其中前述基板液體處理工序係包含有：第二基板液體處理工序，係將前述對向部配置於比前述對向位置還上方的退避位置；前述對向部洗淨工序係包含有用以在前述洗淨液供給工序之前將前述對向部配置於比前述退避位置還接近前述基板的洗淨位置之工序。
  6. 如請求項1或2所記載之基板處理方法，其中前述清洗液供給工序與前述洗淨液供給工序係並行進行。
  7. 如請求項1或2所記載之基板處理方法，其中前述清洗液供給工序係在前述洗淨液供給工序之前進行。
  8. 如請求項1或2所記載之基板處理方法，其中前述第一對向部旋轉工序中的前述對向部的前述旋轉速度係與前述液膜形成工序中的前述基板的前述旋轉速度相同。
  9. 如請求項1或2所記載之基板處理方法，其中進一步具有：對向部升降工序，係以前述對向部的前述下表面的高度變得比圍繞前述基板的周圍之罩部的上端還高且變得比在前述基板液體處理工序中對前述基板的前述上表面供給各種液體之各個噴嘴的各個開口還低之方式使前述對向部升降；在已在前述對向部升降工序中調整前述對向部的前述下表面的高度的狀態下進行前述第二對向部旋轉工序。
  10. 如請求項1或2所記載之基板處理方法，其中前述對向部洗淨工序係在前述液體處理中之用以將前述基板的前述上表面予以撥水化之撥水化處理之前進行。
  11. 如請求項1或2所記載之基板處理方法，其中於前述液體處理包含有使用了有機溶劑之處理；前述對向部係耐有機溶劑性的材質。
  12. 如請求項1或2所記載之基板處理方法，其中前述對向部的前述下表面係遠寬於前述基板的上表面。
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