KR20160101056A - Led 형광체 패키지를 위한 반사성 땜납 마스크 층 - Google Patents

Led 형광체 패키지를 위한 반사성 땜납 마스크 층 Download PDF

Info

Publication number
KR20160101056A
KR20160101056A KR1020167019152A KR20167019152A KR20160101056A KR 20160101056 A KR20160101056 A KR 20160101056A KR 1020167019152 A KR1020167019152 A KR 1020167019152A KR 20167019152 A KR20167019152 A KR 20167019152A KR 20160101056 A KR20160101056 A KR 20160101056A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
mask layer
led
metal bonding
light emitting
led die
Prior art date
Application number
KR1020167019152A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102305948B1 (ko
Inventor
이웬 롱
프레데릭 스테판 다이애나
팅 주
그레고리 구스
Original Assignee
코닌클리케 필립스 엔.브이.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 코닌클리케 필립스 엔.브이. filed Critical 코닌클리케 필립스 엔.브이.
Publication of KR20160101056A publication Critical patent/KR20160101056A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102305948B1 publication Critical patent/KR102305948B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/10—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

장착 기판(40)은 LED 다이들의 하부 금속 결합 패드들에 결합하기 위한 복수의 상부 금속 결합 패드를 규정하는 패턴화된 금속 층을 갖는다. 땜납 마스크 층(52)이 장착 기판 위에 형성되는데, 여기서 마스크는 상부 금속 결합 패드를 노출시키는 개구들을 가지며 기판 상의 금속 트레이스들을 보호한다. 마스크 층은 고 반사성 백색 페인트이다. 노출되는 상부 금속 결합 패드들은 그 다음에 땜납으로 습윤화된다. LED 다이들의 하부 금속 결합 패드들은 그 다음에, 마스크 층이 광 반사를 위해 각각의 LED 다이를 둘러싸도록, 노출되는 상부 금속 결합 패드에 납땜된다. 반사성 링(60)이 LED 다이들을 둘러싸도록 기판에 부착된다. 점성 형광체 재료(62)는 그 다음에 링을 부분적으로 채우고 경화된다. LED 다이들 및 형광체에 의한 모든 하방 광은 링 및 땜납 마스크 층에 의해 상방으로 반사된다.

Description

LED 형광체 패키지를 위한 반사성 땜납 마스크 층{REFLECTIVE SOLDER MASK LAYER FOR LED PHOSPHOR PACKAGE}
본 발명은 형광체-변환 발광 다이오드들(phosphor-converted light emitting diodes)(pcLEDs)을 위한 패키지들에 관한 것으로서, 특히 광 추출을 증가시키는 패키지에 관한 것이다.
고 휘도 응용의 경우, LED 다이들의 어레이를 기판 상에 장착시키는 것이 일반적인데, 기판은 LED 다이들을 상호접속시키며 전원(power supply)에 접속을 위해 애노드 및 캐소드 전극들에 연결되는 금속 트레이스(trace)들을 갖는다. 일반적으로, LED 다이들은 GaN-계 다이들이고 청색 광을 방출하는데, 모든 LED 다이 위에는 형광체(예를 들어, YAG 형광체)가 퇴적된다. 형광체를 통해 누설되는 청색 광과 황색-녹색 형광체 광의 조합은 백색 광을 발생한다.
LED 다이들로부터의 일부 광 및 형광체로부터의 일부 광은 하방으로 방출되며 기판에 의해 부분적으로 흡수된다. 게다가, 각각의 LED 다이가 (전형적으로 LED 다이보다 훨씬 더 큰) 서브마운트(submount)에 또한 장착되고 서브마운트 전극들이 기판에 결합(bond)되는 경우, 서브마운트 표면도 LED 및 형광체 광의 일부를 또한 흡수한다. 기판 및 서브마운트에 의한 이러한 흡수는 모듈의 전반적인 효율을 감소시킨다.
따라서, 패키지에 의해 더 많은 광이 방출되게 하는 형광체-변환 LED 용의 패키징 기법이 필요하다.
본 발명의 일 예에서, 시작 기판(starting substrate)은 방열을 위해 알루미늄을 포함한다. 기판의 상부 표면 위에는 얇은 유전체 층이 형성되며, 유전체 위에는 금속 트레이스들이 패턴화된다. 금속 트레이스들은 복수의 LED 다이들을 위한 작은-면적의 땜납 패드들, 모듈을 위한 더 큰 애노드 및 캐소드 전극들(또한 땜납 패드들), 및 LED 다이들과 전극들 사이의 인터커넥션들(interconnections)을 규정한다.
일 실시예에서, 스크린 인쇄는 기판 위에 땜납 마스크를 퇴적시키기 위해 이용된다. 땜납 마스크는 다양한 전극들 및 LED 다이 땜납 패드들을 노출시키는 개구들을 갖는 유전체를 퇴적한다. 유전체는 임의의 충돌 광을 산란 및 반사시키는 TiO2, ZiO2, VO2, 또는 다른 적합한 반사성 입자들을 포함하는 결합제(binder)와 같은 고 반사성 재료이다. 반사성 재료는 약 94%보다 큰 반사율을 갖는 적분구(integrating spheres)에서 이용되는 것과 동일한 백색 페인트(white paint)일 수 있다.
다음, LED 다이 전극들은 노출되는 땜납 패드들에 납땜된다. 땜납 마스크의 개구들은 LED 다이들의 주변부가 반사성 재료와 정렬되거나 반사성 재료 위로 돌출되도록 하기에 충분한 정도로 작을 수 있어, 결과적으로 LED 다이들로부터의 임의의 하방 광은 반사성 재료에 의해 반사될 것이다.
그 다음에, 수직 벽들을 형성하는 반사성 링이 LED 다이들의 어레이를 둘러싸도록 기판에 부착된다.
그 다음에, LED 다이들을 캡슐화하고 LED 다이들로부터 방출되는 광을 파장 변환하기 위해 링 내에 형광체가 퇴적된다(링은 몰드(mold)로서도 이용된다). 형광체는 또한 LED 다이들로부터 열을 방출시키기 위한 역할을 한다. 일 실시예에서, LED 다이들은 청색 광을 방출하며, 청색 광 플러스 형광체 광은 백색 광을 생성한다.
LED 다이들은 서브마운트를 포함할 수 있거나 포함하지 않을 수 있다. 서브마운트는 조작을 간단히 하기 위해, 기계적 강도를 보강하기 위해, 그리고/또는 회로 기판(circuit board)에 대한 납땜을 위한 견고하고도 간단한 전극들을 제공하기 위해 일반적으로 이용된다. 이러한 서브마운트를 이용하는 경우, 그 서브마운트는 LED 반도체 층들로부터의 하방 광을 차단하지 않도록 하기에 타당할(practical) 정도로 작다.
돔 렌즈들(dome lenses)은 광 추출을 향상시키기 위해서 형광체의 퇴적 이전에 LED 다이들 위에 몰딩될 수 있다.
반사성 땜납 마스크는 어떠한 추가 단계들도 필요로 하지 않아, LED 모듈의 효율을 상당히 향상시킨다.
다른 실시예들이 설명된다.
도 1은 종래 기술의 LED 다이에 대한 단면도이다.
도 2는 최소 면적의 서브마운트 상에 장착되는 LED 다이의 단면도이다.
도 3은 전극 패턴을 보여주는 LED 다이 또는 서브마운트의 저면도이다.
도 4는 유전체 층과 패턴화된 금속 층을 갖는 알루미늄 기판의 톱다운 뷰(top down view)이다.
도 5는 땜납 패드들을 노출시키는, 반사성 땜납 마스크의 퇴적 후의 도 4의 기판을 예시하는 것이다.
도 6은 LED 다이들을 땜납 패드들에 납땜한 후의 도 5의 기판을 예시한 것이다.
도 7은 임의적인 렌즈들을 갖는 두 개의 LED 다이를 보여주는, 도 5의 기판의 일부분에 대한 도 5의 7-7 선에 따른 확대 단면도이다.
도 8은 반사성 링을 LED 다이들의 어레이 둘레에 부착시킨 후의 도 6의 기판에 대한 톱다운 뷰이다.
도 9는 캡슐화 형광체 혼합물로 적어도 부분적으로 채워진 링을 예시하는, 도 8의 기판의 일부분에 대한 도 8의 9-9 선에 따른 확대 단면도이다.
동일 또는 유사한 요소들에 대해서는 동일한 부호를 병기한다.
도 1은 종래의 LED 다이(12)를 예시한 것이다. 예들에서는 플립-칩 다이를 도시하지만, 본 발명은 수직형 LED 다이, 수평형 LED 다이 등을 비롯한 어떠한 유형의 LED 다이에도 적용 가능하다.
LED 다이(12)는 p-층(16)에 결합되는 하부 애노드 전극(14) 및 n-층(20)에 도체(22)에 의해서 결합되는 하부 캐소드 전극(18)을 포함하는데, 도체(22)는 p-층(16) 및 활성 층(24) 내의, 유전체 층으로 덮여진, 에칭된 개구를 채운다. 전극 구성은 더 복잡할 수 있는데, 이 전극 구성은 LED 다이(12) 전체에 걸쳐 전류 확산이 더 양호하게 되도록 분산형 전극들을 포함할 수 있다. 활성 층(24)은 피크 파장을 갖는 광을 발생한다. 일 예에서, 피크 파장은 청색 파장이며, 층들(16, 20, 및 24)은 GaN-계 층이다.
층들(16, 20, 및 24)은 사파이어와 같은 기판(26) 위에 에피택셜 성장된다. 대안적으로, 성장 기판은 제거되어 접착제에 의해 또는 다른 기법에 의해 반도체 층들에 부착되는 투명 지지 기판으로 대체될 수 있다. 대안적으로, 얇은 LED 반도체 층의 조작이 더 어려워지더라도, 지지 기판은 없앨 수 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, LED 다이(12)는 용이한 조작을 위해, 기계적 지지를 위해, 방열을 위해, 그리고 인쇄 회로 기판 상의 장착을 위한 전극 구조체의 단순화를 위해 서브마운트(28) 상에 임의적으로 장착될 수 있다. 서브마운트(28)는 열적 전도성 본체(30), 하부 전극들(32 및 34), 및 하부 전극들(32/34)을 LED 다이 전극들(14/18)에 접속시키는 비아들(36 및 37)을 포함한다. 서브마운트 표면 상의 추가 패드들(도시되지 않음)은 LED 다이 전극들(14/18)을 비아들(36/37)에 접속시키는데 이용된다. 전형적인 서브마운트는 전술한 기능들을 수행하도록 LED 다이(12)보다 훨씬 더 크다. 그러나, 본 발명의 바람직한 실시예에서는, 서브마운트를 이용하는 경우, 서브마운트 표면에 의한 광 흡수를 최소화하도록 전형적인 크기보다 훨씬 작게 서브마운트를 만드는 것이 바람직하다. 일 실시예에서, 성장 기판(26)은 LED 다이(12)가 서브마운트(28) 상에 장착된 후에 제거된다.
이후의 "LED 다이"라는 용어는 베어(bare) 칩(예를 들어, 도 1) 또는 서브마운트 상에 장착된 칩(예를 들어, 도 2)을 지칭한다.
도 3은 LED 다이(12) 또는 서브마운트(28)를 위한 가능한 하부 전극 구성을 예시한 것이다.
나머지 도면들에서는, 서브마운트를 이용하지 않는 것으로 가정한다. 그러나, 나머지 도면들에서 베어 LED 다이(12)는 LED 다이/서브마운트에 의해 대체될 수 있다.
도 4는 LED 다이들(12)의 어레이에 대한 기판(40)의 톱다운 뷰이다. 도 7은 기판(40)의 단면도이다. 기판(40)은 방열을 위해 알루미늄 및 합금으로 형성되는 본체(41)를 포함할 수 있다. 기판(40)은 사각형, 원형 등과 같은 임의의 형상을 가질 수 있다. 기판(40)의 길이 또는 직경은 기판(40)이 지지하는 LED 다이들의 수에 의존하며 전형적으로는 1㎝ 내지 4㎝의 범위일 것이다. 기판(40)은 전형적으로 간단한 조작 및 고속 처리를 위해 나중에 싱귤레이션을 위해서 절단되는 기판들의 어레이 형태로 좁은 커넥터들에 의해 접속된다.
비-전도성 유전체 층(42)(도 7)은 전기적 절연을 위해 본체(41) 위에 형성된다.
구리와 같은 패턴화된 금속 층은, 어레이의 LED 다이들(12) 각각에 대한 작은 땜납 패드 그룹들(44A, 44B, 44C, 및 44D)을 규정하도록, 또한, 어레이의 애노드 및 캐소드 전극들에 대한 더 큰 땜납 패드들(46 및 48)을 규정하도록 유전체 층(42) 위에 형성된다. 땜납 패드 그룹들(44A-D)은 하나 이상의 방열 커넥션(heat sink connection)을 포함할 수 있다. 금속 층은 LED 다이들(12)과 전극들(46 및 48) 간의 인터커넥션들(50)을 형성한다. 본 예에서는, 네 개의 LED 다이들(12)만이 직렬 및 병렬로 접속된다. 다른 실시예들에서는, 원하는 전기적 특성 및 플럭스(flux)를 얻기 위해 더 많거나 더 적은 LED 다이들(12)이 직렬 및/또는 병렬로 상호접속될 수 있다.
관련된 종래 기술에 따른 LED 모듈의 문제는 하방 방출되는 LED 광의 상당 부분이 장착 기판에 의해 흡수된다는 것이다. 기판에 의한 대부분의 흡수는 각 LED 다이(12)의 근방에서 발생하는데, 그 이유는 이곳에서 광이 가장 밝기 때문이다. 본 발명은 이러한 흡수를 최소화시킨다.
도 5에서, 땜납이 도포되는 곳을 제외한 모든 곳에서 기판(40) 위에 백색 (확산) 페인트(52)가 스크린 인쇄된다. 도 7은 도 5의 7-7 선에 따른 불연속 단면으로서 페인트(52)의 단면을 도시한 것이다. 스크린은 땜납 패드 그룹(44A, 44B, 44C, 및 44D) 위에 백색 페인트(52)가 퇴적되는 것을 차단하도록 패턴화되는 메쉬(mesh)이다. 백색 페인트(52)는 점성 유전체(viscous dielectric)로서, 이후 경화된다. 따라서, 백색 페인트(52)는 종래의 땜납 마스크를 대체하며, 추가 단계들이 필요하지 않게 된다. 땜납 마스크는 기판(40) 위에서 흐르는 용융 땜납과 같은 임의의 퇴적되는 땜납이 마스크에 의해 노출되는 영역으로 흐르지 못하도록 한다.
확산 백색 페인트의 예들 중에는, Ti02 , Zi02 , V02의 입자들, 또는 다른 적합한 반사성 산란 입자들을 주입시킨 (실리콘과 같은) 결합제가 있다.
다른 실시예에서는, 마스크와 함께 백색 페인트가 분사법, 분무법, 증발 포토리소그래피 공정(photolithography process with evaporation) 또는 다른 기법에 의해 도포된다.
시판되고 있는 백색 페인트들은 가시 파장들에 대해 94%보다 큰 반사성을 가지며 종종 광 측정을 위한 적분구에서 이용된다. 백색 페인트(52) 재료는 열적 전도성이어야 한다. 백색 페인트(52)의 반사율은 가시광에 대해 적어도 90%인 것이 바람직하다.
백색 페인트(52)를 땜납 마스크로서 도포함으로써, 반사성 재료는 LED 다이들(12)의 에지까지 그리고 심지어는 전극들 사이에 있는 LED 다이들(12)의 아래까지 확실하게 연장된다. 따라서, 백색 페인트(52)는, 임의의 추가되는 프로세스 단계 없이도, 기판의 반사 표면적을 최대화시키고, 땜납 마스크에 의해 노출되는 영역에만 땜납이 도포되게 하며, 금속 트레이스들에 대한 부식 장벽 역할을 해서, 본 발명의 프로세스에서 시너지 효과를 일으킨다.
다른 실시예에서는, (예를 들어, 비-LED 회로 기판에 이용되는) 종래의 땜납 마스크 재료가 기판(40)의 적절한 보호를 위해 그리고 비용 절감을 위해 필요한 경우 종래의 땜납 마스크 재료를 기판(40) 위에 직접 도포하고 그 다음 (동일한 마스크 패턴을 이용하여) 백색 페인트(52)를 퇴적시킨다. 이러한 경우, 백색 페인트(52)는 고강도 청색 또는 UV 광으로 인한 열화로부터 땜납 마스크 재료를 보호한다.
그 다음에 습윤(wetting)을 위해 다양한 땜납 패드에 땜납(54)(도 7)이 도포된다. 땜납(54)은 스크린 인쇄되거나, 땜납 마스크를 이용하여 도포되거나, 임의의 다른 종래의 기법으로 도포될 수 있다. 땜납(54)은 땜납 페이스트일 수 있다.
도 6에서, LED 다이(12) 전극들(또는 서브마운트 전극들)은 가열 공정을 이용하여 기판의 땜납 패드들에 납땜된다. 볼 수 있는 바와 같이, 백색 페인트(52)와 LED 다이들(12)의 에지 사이에는 갭(gap)이 없다. LED 다이들이 수직형 LED 다이들이라면, 하부 전극은 기판(42)의 땜납 패드들 중의 하나에 직접 납땜될 것이고 상부 전극은 다른 땜납 패드에 와이어 결합될 것이다. LED 다이들이 수평형 LED 다이들이라면, 하부 열적 패드가 기판(42)의 땜납 패드들 중의 하나에 납땜될 것이고 상부 전극들은 둘 다 연관된 땜납 패드들에 와이어 결합될 것이다. 거의 모든 LED 다이들에는, 전기적 및/또는 열적 패드로서의 역할을 하는 적어도 하나의 하부 금속 결합 패드가 있다.
다른 실시예에서는, 땜납이 이용되지 않는다. 그 대신에, 결합(bonding)은 초음파 용접, 전도성 접착제(전기적 및 열적 전도성), 또는 다른 기법을 이용하여 행할 수 있다. 이러한 경우, "땜납 마스크"는 적절한 이름으로 지칭될 것이지만 LED 다이의 하부 금속 결합 패드가 결합될 기판(40) 상의 영역들을 여전히 규정할 것이며, 노출되는 영역들은 대략적으로 LED 다이의 크기일 것이다.
도 7은 두 개의 LED 다이(12)를 수평 방향으로 절단하는 도 5의 7-7 선에 따른 기판(40)의 일부분에 대한 간결한 확대 단면도이다. 땜납 패드 그룹(44A 및 44D)에 LED 다이 전극들을 접속시키는 땜납(54)이 도시된다.
돔형(domed) 렌즈들(58)은 LED 다이들(12)의 향상된 광 추출 및 보호를 위해 LED 다이들(12) 위에 임의적으로 몰딩될 수 있다. 대안적인 실시예에서, LED 다이들(12)은, 서브마운트가 있거나 없는 상태로, 돔형 렌즈들 내에 봉입(enclose)된 후에 납땜될 수 있다.
도 8에서, LED 다이들(12)의 어레이를 둘러싸는 반사성 링(60)이 기판(40)의 표면에 부착된다. 링(60)은 반사성 금속일 수 있거나 반사성 층으로 코팅되는 재료일 수 있다. 링(60)은 실리콘 또는 에폭시에 의해 부착될 수 있다.
도 9는 수평 방향으로 두 개의 LED 다이(12)와 링(60)을 절단하는 도 8의 9-9 선에 따른 기판(40)의 일부분에 대한 간결한 확대 단면도이고, 여기서 링(60)의 벽들은 LED 다이들(12)의 상부 위로 연장되며 광을 반사 및 혼합시킨다.
도 9에서도 도시되는 바와 같이, 점성 형광체 혼합물(62)이 몰드로서 작용하는 링(60) 내에 퇴적되고 경화된다. 형광체 혼합물(62)은 실리콘과 형광체 입자들의 혼합물일 수 있다. 형광체 혼합물(62)을 퇴적시키는 많은 방법, 예를 들어, 주사기를 이용하는 방법, 스크린 인쇄를 이용하는 방법, 나중에 용융시킬 미리 형성된 태블릿(pre-formed tablet)을 링 내에 위치시키는 방법 등이 구상되고 있다. 형광체 혼합물(62)은 추가 보호를 위해 LED 다이들(12)을 캡슐화한다.
형광체 혼합물(62)의 두께 및 형광체 입자 밀도는 청색 광 누설과 형광체 변환의 원하는 조합을 달성하도록 조절된다. 형광체는 원하는 색 방출을 얻기 위한 단일 형광체(예를 들어, YAG) 또는 형광체들의 조합(예를 들어, YAG와 적색, 또는 녹색과 적색, 등)일 수 있다.
바람직하게는, 다양한 층들의 굴절률들은 내부 전반사(total internal reflection)(TIR)를 최소화하기 위해 GaN의 높은 굴절률로부터 공기의 낮은 굴절률로 전이(transition)되도록 선택된다.
형광체 혼합물(62) 아래에 있는 기판(40)의 반사 표면은 하방으로 방출되는 모든 형광체 광의 94%보다 많이 반사시킨다.
임의 수의 LED 다이들(12)이 기판(40) 상에 장착될 수 있으며, 이에 따라 LED 다이들(12)을 둘러싸는데 필요한 링(60)의 직경이 조절될 수 있다. 임의 수의 최종 기판들(40)이 임의의 원하는 플럭스를 얻기 위해 시스템에 접속될 수 있다. 일 실시예에서, 최종 구조체는 백색 광을 방출한다. 다른 방출 색들은 상이한 LED 다이들 및 형광체들의 선택에 의해 가능하다. 양자 점 재료(quantum dot material)가 형광체 혼합물(62)을 대체할 수 있다.
본 발명을 이용하는 것에 의해 10%를 초과하는 효율 향상이 달성된다.
본 발명의 특정 실시예들을 도시하고 설명했으나, 본 기술분야의 통상의 기술자에게는 자명하듯이, 본 발명을 벗어나지 않고서도 본 발명의 넓은 양태들 내에서 변경 및 수정될 수 있으므로, 첨부된 청구항들은 본 발명의 진정한 사상 및 범위에 속하는 그러한 모든 변경 및 수정을 청구항들의 범위 내에 포함시키고자 한다.

Claims (15)

  1. 발광 디바이스로서,
    적어도 하나의 하부 금속 결합 패드 및 높이를 갖는 제1 발광 다이오드(LED) 다이;
    적어도 하나의 상부 금속 결합 패드를 규정하는 패턴화된 금속 층을 갖는 장착 기판; 및
    상기 장착 기판 위에 형성되는 마스크 층
    을 포함하고,
    상기 마스크 층은 상기 적어도 하나의 상부 금속 결합 패드를 노출시키는 적어도 하나의 개구를 가지며, 상기 마스크 층은 가시광의 적어도 90%를 반사시키는 반사성 재료로 형성되고,
    상기 제1 LED 다이의 상기 적어도 하나의 하부 금속 결합 패드는, 상기 마스크 층이 광을 반사하기 위해 상기 제1 LED 다이를 둘러싸도록, 상기 노출되는 적어도 하나의 상부 금속 결합 패드에 결합되는 발광 디바이스.
  2. 제1항에 있어서, 적어도 상기 제1 LED 다이의 상부 표면 위에 놓이며 상기 마스크 층의 적어도 일부분 위에 놓이는 제1 파장 변환 층을 더 포함하는 발광 디바이스.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1 LED 다이의 높이 위로 연장되며 상기 제1 LED 다이를 둘러싸는 반사성 내부 벽들을 갖는 링을 더 포함하는 발광 디바이스.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1 LED 다이는 서브마운트 상에 장착되는 LED 반도체 층들을 포함하는 발광 디바이스.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 LED 다이의 높이 위로 연장되며 상기 제1 LED 다이를 둘러싸는 반사성 벽들을 갖는 링; 및
    상기 링에 의해 둘러싸이고, 적어도 상기 제1 LED 다이의 상부 표면 위에 놓이며 상기 마스크 층의 일부분 위에 놓이는 제1 파장 변환 층
    을 더 포함하는 발광 디바이스.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제1 파장 변환 층은 형광체를 포함하는 발광 디바이스.
  7. 제5항에 있어서, 상기 제1 파장 변환 층은 양자 점들(quantum dots)을 포함하는 발광 디바이스.
  8. 제5항에 있어서, 상기 반사성 링은 상기 제1 파장 변환 층에 대한 몰드(mold)로서의 역할을 하는 발광 디바이스.
  9. 제5항에 있어서, 상기 제1 LED 다이 위에 있으며 상기 LED 다이로부터 상기 제1 파장 변환 층을 분리시키는 렌즈를 더 포함하는 발광 디바이스.
  10. 제1항에 있어서, 상기 반사성 재료는 백색 페인트를 포함하는 발광 디바이스.
  11. 제1항에 있어서, 상기 반사성 재료는 결합제 내의 반사성 입자들을 포함하는 발광 디바이스.
  12. 제1항에 있어서,
    연관된 하부 금속 결합 패드들을 갖는 복수의 제2 LED 다이를 더 포함하며,
    상기 장착 기판 상의 상기 패턴화된 금속 층은 상기 하부 금속 결합 패드들에 대응하는 복수의 상부 금속 결합 패드를 규정하고,
    상기 마스크 층은 상기 복수의 상부 금속 결합 패드를 노출시키는 복수의 개구를 가지며,
    상기 복수의 제2 LED 다이의 상기 복수의 하부 금속 결합 패드는, 상기 마스크 층이 상기 제2 LED 다이들의 각각을 둘러싸도록, 상기 노출되는 복수의 상부 금속 결합 패드에 결합되는 발광 디바이스.
  13. 제12항에 있어서, 상기 패턴화된 금속 층은 상기 제1 LED 다이와 상기 복수의 제2 LED 다이를 상호접속하고 상기 마스크 층에 의해 덮여지는 발광 디바이스.
  14. 제13항에 있어서, 상기 마스크 층은 땜납 마스크 층인 발광 디바이스.
  15. 발광 구조체를 형성하는 방법으로서,
    복수의 상부 금속 결합 패드를 규정하는 패턴화된 금속 층을 갖는 장착 기판을 제공하는 단계;
    상기 장착 기판 위에 형성되는 마스크 층을 퇴적시키는 단계 - 상기 마스크 층은 상기 복수의 상부 금속 결합 패드를 노출시키는 복수의 개구를 가지며, 상기 마스크 층은 가시광의 적어도 90%를 반사시키는 반사성 재료로 형성됨 - ;
    연관된 발광 다이오드(LED) 다이들의 하부 금속 결합 패드를, 상기 마스크 층이 광을 반사하기 위해 상기 LED 다이들의 각각을 둘러싸도록, 상기 노출되는 상부 금속 결합 패드들에 결합시키는 단계;
    상기 LED 다이들을 둘러싸는 링을 제공하는 단계; 및
    파장 변환 재료가 상기 LED 다이들 및 상기 마스크 층의 일부분을 덮도록, 상기 파장 변환 재료로 상기 링을 적어도 부분적으로 채우는 단계
    를 포함하는 방법.
KR1020167019152A 2013-12-18 2014-11-26 Led 형광체 패키지를 위한 반사성 땜납 마스크 층 KR102305948B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201361917421P 2013-12-18 2013-12-18
US61/917,421 2013-12-18
PCT/IB2014/066349 WO2015092579A1 (en) 2013-12-18 2014-11-26 Reflective solder mask layer for led phosphor package

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160101056A true KR20160101056A (ko) 2016-08-24
KR102305948B1 KR102305948B1 (ko) 2021-09-28

Family

ID=52345473

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020167019152A KR102305948B1 (ko) 2013-12-18 2014-11-26 Led 형광체 패키지를 위한 반사성 땜납 마스크 층

Country Status (6)

Country Link
US (2) US10204887B2 (ko)
EP (1) EP3084849B1 (ko)
JP (1) JP6542227B2 (ko)
KR (1) KR102305948B1 (ko)
CN (1) CN105814704A (ko)
WO (1) WO2015092579A1 (ko)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6542227B2 (ja) 2013-12-18 2019-07-10 ルミレッズ ホールディング ベーフェー Ｌｅｄ蛍光体パッケージ用の反射性はんだマスク層
US10566512B2 (en) * 2015-12-02 2020-02-18 Lumileds Llc LED metal pad configuration for optimized thermal resistance
JP2019033160A (ja) * 2017-08-07 2019-02-28 株式会社小糸製作所 基板および車両用灯具
KR20190019745A (ko) * 2017-08-18 2019-02-27 주식회사 루멘스 발광소자 및 그 제조방법
US11153976B2 (en) 2018-05-24 2021-10-19 International Business Machines Corporation Implementing IR reflective mask to minimize CTE mismatch between laminate and PTH copper
EP3598510B1 (en) * 2018-07-18 2022-02-23 Lumileds LLC Light emitting diode device and producing methods thereof
CN110737137B (zh) * 2019-10-31 2022-09-13 厦门天马微电子有限公司 Led基板及制作方法、背光模组及显示装置
KR20220033521A (ko) * 2020-04-17 2022-03-16 닝보 선푸 엘이디 컴퍼니 리미티드 자외선 ｌｅｄ 장치
CN116058079A (zh) 2020-09-03 2023-05-02 昕诺飞控股有限公司 照明板和使用该照明板的照明器
TWI815639B (zh) * 2022-09-02 2023-09-11 矽品精密工業股份有限公司 電子封裝件及其製法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020079516A (ko) * 2001-04-09 2002-10-19 가부시끼가이샤 도시바 발광장치
JP2003185813A (ja) * 2001-12-21 2003-07-03 Mitsui Chemicals Inc 反射体およびその用途
JP2008091459A (ja) * 2006-09-29 2008-04-17 Rohm Co Ltd Ｌｅｄ照明装置及びその製造方法
KR20100055846A (ko) * 2008-11-18 2010-05-27 엘지이노텍 주식회사 발광 장치 및 이를 구비한 디스플레이 장치
KR20110019754A (ko) * 2008-05-29 2011-02-28 덴끼 가가꾸 고교 가부시키가이샤 금속 베이스 회로 기판
KR20110028307A (ko) * 2008-05-29 2011-03-17 크리 인코포레이티드 근거리장 영역 혼합을 갖는 광원
JP2012174808A (ja) * 2011-02-18 2012-09-10 Nichia Chem Ind Ltd 発光素子搭載用基板および発光装置
JP2012227293A (ja) * 2011-04-18 2012-11-15 Ibiden Co Ltd ソルダーレジスト、ソルダーレジスト原料、ｌｅｄ基板、発光モジュール、発光モジュールを有する機器、ｌｅｄ基板の製造方法、発光モジュールの製造方法、及び発光モジュールを有する機器の製造方法
JP2012243846A (ja) * 2011-05-17 2012-12-10 Sumitomo Chemical Co Ltd 金属ベース回路基板および発光素子

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6120883A (en) * 1996-08-19 2000-09-19 Furon Company Computer printable top coating
US6841623B2 (en) * 2001-06-29 2005-01-11 Bayer Inc. Low molecular weight nitrile rubber
WO2005048311A2 (en) 2003-11-10 2005-05-26 Chippac, Inc. Bump-on-lead flip chip interconnection
US8574959B2 (en) 2003-11-10 2013-11-05 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor device and method of forming bump-on-lead interconnection
US20050270755A1 (en) * 2004-06-04 2005-12-08 Inventec Corporation Method for preventing pins of semiconductor package from short circuit during soldering
US7329905B2 (en) 2004-06-30 2008-02-12 Cree, Inc. Chip-scale methods for packaging light emitting devices and chip-scale packaged light emitting devices
KR101064026B1 (ko) 2009-02-17 2011-09-08 엘지이노텍 주식회사 발광 디바이스 패키지 및 그 제조방법
EP2228841A1 (en) 2009-03-09 2010-09-15 Ledon Lighting Jennersdorf GmbH LED module with improved light output
US8184230B2 (en) 2009-05-08 2012-05-22 Honeywell International Inc. High efficiency backlight assembly for flat panel display assembly and method for the manufacture thereof
US20110049545A1 (en) 2009-09-02 2011-03-03 Koninklijke Philips Electronics N.V. Led package with phosphor plate and reflective substrate
US8556672B2 (en) 2010-01-29 2013-10-15 Citizen Electronics Co., Ltd. Method of producing light-emitting device and light-emitting device
US9012938B2 (en) 2010-04-09 2015-04-21 Cree, Inc. High reflective substrate of light emitting devices with improved light output
US9105824B2 (en) 2010-04-09 2015-08-11 Cree, Inc. High reflective board or substrate for LEDs
DE102010029368A1 (de) 2010-05-27 2011-12-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektronische Anordnung und Verfahren zum Herstellen einer elektronischen Anordnung
CN102315185A (zh) 2010-06-29 2012-01-11 昆山旭扬电子材料有限公司 电子组件模块
WO2012016226A1 (en) * 2010-07-30 2012-02-02 Bytemobile, Inc. Systems and methods for video cache indexing
JP2012089357A (ja) * 2010-10-20 2012-05-10 Sumitomo Light Metal Ind Ltd Ｌｅｄ照明基板用積層体及びそれを用いたｌｅｄ照明
TWI441361B (zh) 2010-12-31 2014-06-11 Interlight Optotech Corp 發光二極體封裝結構及其製造方法
US9461023B2 (en) 2011-10-28 2016-10-04 Bridgelux, Inc. Jetting a highly reflective layer onto an LED assembly
EP2500623A1 (en) 2011-03-18 2012-09-19 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method for providing a reflective coating to a substrate for a light-emitting device
CN103650181A (zh) * 2011-06-29 2014-03-19 松下电器产业株式会社 发光装置
KR101850431B1 (ko) * 2011-07-07 2018-05-31 엘지이노텍 주식회사 발광 모듈 및 이를 포함하는 조명 시스템
KR101246087B1 (ko) * 2011-07-08 2013-03-21 한전원자력연료 주식회사 솔레노이드 밸브 박스를 내장한 핵연료 집합체의 성능 검사 테이블
JP2013033843A (ja) * 2011-08-02 2013-02-14 Sony Corp 回路基板、回路基板の製造方法、表示装置および電子機器
US20130032211A1 (en) * 2011-08-03 2013-02-07 National Tsing Hua University Air Compression System Having Characteristic of Storing Unstable Energy and Method for Controlling the Same
KR101142434B1 (ko) * 2011-09-08 2012-05-08 (주)오비메드 조기양막파수 산모에서 비침습적인 양수 내 염증 및 감염의 예측 또는 진단 방법
US8597982B2 (en) * 2011-10-31 2013-12-03 Nordson Corporation Methods of fabricating electronics assemblies
JP2013135084A (ja) 2011-12-26 2013-07-08 Nitto Denko Corp 発光ダイオード装置の製造方法
US8541802B2 (en) * 2012-01-31 2013-09-24 Bridgelux, Inc. Phosphor placement in white light emitting diode assemblies
US20130264970A1 (en) 2012-04-06 2013-10-10 Yew Cheong Kuan Light emitting diode (led) components and methods for improved light extraction
US9383496B2 (en) * 2012-06-05 2016-07-05 Rambus Delaware Llc Edge lit lighting assembly with spectrum adjuster
US9590155B2 (en) * 2012-06-06 2017-03-07 Cree, Inc. Light emitting devices and substrates with improved plating
JP6542227B2 (ja) 2013-12-18 2019-07-10 ルミレッズ ホールディング ベーフェー Ｌｅｄ蛍光体パッケージ用の反射性はんだマスク層

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020079516A (ko) * 2001-04-09 2002-10-19 가부시끼가이샤 도시바 발광장치
JP2003185813A (ja) * 2001-12-21 2003-07-03 Mitsui Chemicals Inc 反射体およびその用途
JP2008091459A (ja) * 2006-09-29 2008-04-17 Rohm Co Ltd Ｌｅｄ照明装置及びその製造方法
KR20110019754A (ko) * 2008-05-29 2011-02-28 덴끼 가가꾸 고교 가부시키가이샤 금속 베이스 회로 기판
KR20110028307A (ko) * 2008-05-29 2011-03-17 크리 인코포레이티드 근거리장 영역 혼합을 갖는 광원
KR20100055846A (ko) * 2008-11-18 2010-05-27 엘지이노텍 주식회사 발광 장치 및 이를 구비한 디스플레이 장치
JP2012174808A (ja) * 2011-02-18 2012-09-10 Nichia Chem Ind Ltd 発光素子搭載用基板および発光装置
JP2012227293A (ja) * 2011-04-18 2012-11-15 Ibiden Co Ltd ソルダーレジスト、ソルダーレジスト原料、ｌｅｄ基板、発光モジュール、発光モジュールを有する機器、ｌｅｄ基板の製造方法、発光モジュールの製造方法、及び発光モジュールを有する機器の製造方法
JP2012243846A (ja) * 2011-05-17 2012-12-10 Sumitomo Chemical Co Ltd 金属ベース回路基板および発光素子

Also Published As

Publication number Publication date
US20190304956A1 (en) 2019-10-03
US20160315069A1 (en) 2016-10-27
JP2017501578A (ja) 2017-01-12
JP6542227B2 (ja) 2019-07-10
EP3084849A1 (en) 2016-10-26
EP3084849B1 (en) 2019-10-02
KR102305948B1 (ko) 2021-09-28
US11189601B2 (en) 2021-11-30
US10204887B2 (en) 2019-02-12
WO2015092579A1 (en) 2015-06-25
CN105814704A (zh) 2016-07-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11189601B2 (en) Reflective solder mask layer for LED phosphor package
JP4791381B2 (ja) 発光デバイスの製造方法
US8791471B2 (en) Multi-chip light emitting diode modules
TWI400819B (zh) 用於線光源之發光二極體模組
US8399267B2 (en) Methods for packaging light emitting devices and related microelectronic devices
JP6354273B2 (ja) 発光装置及び発光装置の製造方法
US8679872B2 (en) Light emitting device package and manufacturing method thereof
US20060001035A1 (en) Light emitting element and method of making same
US9293663B1 (en) Light-emitting unit and semiconductor light-emitting device
KR20040092512A (ko) 방열 기능을 갖는 반사판이 구비된 반도체 발광장치
JP2006324667A (ja) 発光素子パッケージ及びその製造方法
JP6964345B2 (ja) 発光素子パッケージ及び光源装置
CN106997888B (zh) 发光二极管显示装置
JP2001298216A (ja) 表面実装型の半導体発光装置
JP2007095807A (ja) 発光装置及びその製造方法
TW201349598A (zh) 發光半導體元件及其製作方法
CN109390449A (zh) 发光器件封装
EP3327804B1 (en) Light emitting device and light emitting module
CN110085729B (zh) 光源模块
KR20160106153A (ko) 완전한 led 패키지로 사용되는 깊은 성형된 반사기 컵
JP2018060835A (ja) 半導体装置用パッケージおよびそれを用いた半導体装置。
JP2022010198A (ja) 半導体発光装置
CN117832209A (zh) 发光模组及显示装置
KR101638123B1 (ko) 반도체 발광소자 및 이를 제조하는 방법
JP2021106184A (ja) 発光装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant