TW201349598A - 發光半導體元件及其製作方法 - Google Patents

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Abstract

一種發光半導體元件，包含至少二導電單元、至少一發光半導體晶粒及一光穿透層，該二導電單元之間具有一開槽，該發光半導體晶粒跨接於該等導電單元，該光穿透層包覆該發光半導體晶粒並至少部分填充於該開槽中以結合該二導電單元。

Description

發光半導體元件及其製作方法
本發明係有關於一種發光半導體元件，尤指一種發光二極體元件。
配合參閱第一圖，為習知發光半導體元件之剖視圖。
發光半導體元件包含一第一導線支架800、一晶粒承載支架802、一第二導線支架804、一發光二極體晶粒806、一絕緣體808、複數導線810及一透光膠體814。絕緣體808是使用不透光膠材，如：聚鄰苯二甲醯胺(Polyphthalamide,PPA)等製作而成，用以固定第一導線支架800、晶粒承載支架802及第二導線支架804，並形成一大致呈杯狀之固晶區812，晶粒承載支架802露出於固晶區812；其中絕緣體808是利用射出成型方式形成於第一導線支架800、晶粒承載支架802及第二導線支架804外圍。
發光二極體晶粒806設置於晶粒承載支架802上，發光二極體晶粒806通過導線(例如銲線)810電連接至第一導線支架800及第二導線支架804。透光膠體814置於固晶區812內用以覆蓋發光二極體晶粒806及保護導線810。
由上所述，第一導線支架800、晶粒承載支架802、第二承載支架804、絕緣體808及透光膠體814配合氣密地包覆發光二極體晶粒806。然而，絕緣體808本身的熱阻大，使得製得之發光半導體元件的導熱效果差；其次，絕緣體808的體積成為發光半導體元件之體積無法有效地縮小的主因，並提高製作成本；再者，製作絕緣體808所使用的膠體係隨著使用時間的增加而老化，並產生可靠度問題。
為了有效地縮小發光半導體元件的體積、提升散熱效果及降低製作成本，本發明提供一種發光半導體元件。該發光半導體元件包含至少二導電單元、至少一發光半導體晶粒及一光穿透層，該二導電單元之間具有一開槽，該發光半導體晶粒跨接於該等導電單元，該光穿透層包覆該發光半導體晶粒並至少部分填充於該開槽中以結合該二導電單元。
本發明提供一種發光半導體元件，該發光半導體元件包含至少二導電單元、至少一發光半導體晶粒及至少一導線，二導電單元之間具有一開槽，該發光半導體晶粒設置於其中之一導電單元，該導線跨接於該發光半導體晶粒及另一導電單元之間，該光穿透層包覆該發光半導體晶粒、該等導線並至少部分填充於該開槽中以結合該等導電單元。
本發明更提供一種發光半導體元件的製作方法，包含下列步驟：a)於一第一導電層形成至少一開槽；b)設置至少一發光半導體晶粒於該第一導電層，該開槽露出至少部分該發光半導體晶粒；c)形成一光穿透層，該光穿透層與該第一導電層配合包覆該發光半導體晶粒。
配合參閱第二A圖至第二J圖，為本發明所提出用於發光半導體元件之製作方法之一實施例的製作流程示意圖，其中發光半導體元件例如可為(但是不限定於)發光二極體。
如第二A圖所示，首先提供一第一導電層10，第一導電層10大致呈平板狀並使用具有良好導電性質的材質製作而成，如：金屬，製作而成，該金屬材質可例如為銅。以較佳實施例而言，第一導電層10的厚度t大於5微米(micrometer,μm)，藉以提高該發光半導體元件的散熱效果。
隨後在第一導電層10上形成一開槽100，如第二B圖所示，開槽100可以利用沖模(stamping)、蝕刻或半蝕刻等方式形成於第一導電層10上。開槽100的數量可以為一個或多個，於本實施例中，開槽100以兩個為例說明，但是須知此數量僅為一實施例，不是本發明之限制。此二開槽100大致呈平行排列，但不以此為限，如第二C圖所示。
承上所述，將至少一發光半導體晶粒12設置於第一導電層10之一上表面102並與第一導電層10形成電性連接，如第二D圖、第二E圖及第二G圖所示。發光半導體晶粒12的數量可以為一個或多個，於本實施例中，以二個發光半導體晶粒12為例說明，且發光半導體晶粒12為發光二極體晶粒。發光半導體晶粒12包含複數半導體層130及二連接墊128a及128b，連接墊128a及128b設置於半導體層130上方，使形成水平式(lateral)結構；實際實施時，發光半導體晶粒12也可以設計為垂直式(vertical)結構，使二連接墊128a及128b位於半導體層130的兩側。於本實施例中，半導體層130包含依序排列之一基板120、一N型氮化鎵(Gallium Nitride,GaN)122、一多量子井(multiple quantum well,MQW)層124及一P型氮化鎵層126，連接墊128a設置於該N型氮化鎵層122上，且連接墊128b設置於該P型氮化鎵層126上，發光半導體晶粒12可供發出藍光；實際實施時，可依實際需求及限制加以調整半導體層130的堆疊結構及出光顏色。
如第二D圖所示，發光半導體晶粒12係以覆晶形式地設置於第一導電層10之上表面102，且發光半導體晶粒12之二連接墊128a、128b分別跨設於開槽100兩側並與第一導電層10連結。其次，開槽100部分地露出於發光半導體晶粒12的設置範圍。發光半導體晶粒12之二連接墊128a及128b可以通過焊接(soldering)製程以與第一導電層10形成電性連接，或者發光半導體晶粒12之二連接墊128a及128b也通過塗佈銀膠(Ag glue)或導電矽膠(silicone)等方式以與第一導電層10形成電性連接。
如第二E圖、第二F圖及第二G圖所示，發光半導體晶粒12之二連接墊128a及128b也可以通過複數導線13以電連接至開槽100兩側之第一導電層10；其中發光半導體晶粒12於第一導電層10上的設置方向係相反於第二D圖所示之發光半導體晶粒12。要說明的是，發光半導體晶粒12之二連接墊128a及128b必須分別電連接於開槽100兩側的第一導電層10，以避免短路現象產生。
如第二E圖及第二F圖所示，第一導電層10包含四個開槽100，發光半導體晶粒12設置於任二開槽100之間，導線13之一端連接於發光半導體晶粒12之連接墊128a及128b，並跨越開槽100連接於第一導電層10。如第二G圖所示，發光半導體晶粒12設置於開槽100一側之第一導電層10，且連接墊128a通過導線13電連接於其上，連接墊128b通過導線13電連接至開槽100另一側之第一導電層10。要說明的是，當發光半導體晶粒為垂直式結構時，位於半導體層一側之連接墊可以直接地電連接於開槽一側之第一導電層10，位於半導體層另一側之連接墊則通過一導線電連接至開槽另一側之第一導電層。
之後，如第二H圖所示，形成一光穿透層14，光穿透層14包覆發光半導體晶粒12，並通過部分露出於發光半導體晶粒12設置範圍之開槽100中填充至開槽100內，意即光穿透層14與第一導電層10配合緊密地包覆發光半導體晶粒12，並結合第一導電層10及發光半導體晶粒12。光穿透層14較佳地為透光絕緣物質，如：矽膠，以提供良好的絕緣效果。於本實施例中，光穿透層14大致呈半球狀，可以有效地提高取光效果，實際實施時，可依實際需求及限制加以調整光穿透層14的外型。光穿透層14可以使用注膠成型(Molding)、點膠(Dispensing)或設置透鏡(Placing Lens)等方式形成。由上所述，光穿透層14不僅可以結合第一導電層10及發光半導體晶粒12，同時可以保護發光半導體晶粒12、提供良好絕緣效果以及提高取光效果。
最後，沿著光穿透層14的邊緣切割第一導電層10使形成多個發光半導體元件；同時地，位於各發光半導體晶粒12下方之第一導電層10亦被區分為至少二導電單元11，且其中任二導電單元11之間具有該開槽100，如第二I圖所示。其次，任二導電單元11之間皆不形成連接，藉以避免發光半導體元件產生短路現象。
是故，第二I圖所示便為本發明所提出之發光半導體元件之一實施例。由該圖所示可知，該發光半導體元件包含至少二導電單元11、一發光半導體晶粒12及一光穿透層14。二導電單元11是使用導電材質製作而成，以較佳實施例而言，二導電單元11厚度t大於5微米，以達到良好的熱特性，且二導電單元11之間具有一開槽100。發光半導體晶粒12跨接於二導電單元11並包含複數半導體層130及二連接墊128a及128b，二連接墊128a及128b分別電連接於二導電單元11，其中第一導電層10的表面積係大於等於發光半導體晶粒12的表面積。光穿透層14包覆該發光半導體晶粒12並至少部分填充於該開槽100內，藉以結合該發光半導體晶粒12及導電單元11，同時保護發光半導體晶粒12並提供良好絕緣效果以及提高取光效果。以較佳實施例而言，發光半導體晶粒12直接地設置於導電單元11上，且導電單元11的厚度t大於5微米，可以加速地導離發光半導體晶粒12點亮時產生的熱能。
另外，發光半導體元件之發光半導體晶粒12也可以設置於其中之一導電單元11，發光半導體晶粒12通過至少一導線13電連接於另一導電單元11，如第二J圖所示。導線13跨接於發光半導體晶粒12之連接墊128a、128b及導電單元11之間，以電連接該發光半導體晶粒12及導電單元11。
配合參閱第三A圖至第三Z圖，為本發明所提出用於發光半導體元件之製作方法之另一實施例的製作流程示意圖，其中發光半導體元件例如可為(但是不限定於）發光二極體。
如第三A圖所示，首先提供一第一導電層20；以較佳實施例而言，第一導電層20大致呈平板狀且厚度t大於5微米，使得設置於其上之發光半導體晶粒點亮時產生的熱能可以快速地被導離。第一導電層20包含二第二導電層202及一中介層204；中介層204位於二第二導電層202之間，第二導電層202可例如為銅，中介層204為具有可撓性質的絕緣材，如：聚亞醯胺(polyimide,PI)。第一導電層20更包含一上表面206及一相反於上表面之下表面208。實際實施時，可依實際需求或限制加以調整第一導電層20的組成堆疊結構，當然，第一導電層20也可以僅包含第二導電層202。
如第三B圖所示，於第一導電層20之上表面206及下表面208其中至少一者形成一遮蔽層22。於本實施例中，遮蔽層22同時形成於第一導電層20的上表面206及下表面208。以較佳實施例而言，遮蔽層22可以為具有光反射效果的反射層或可以提高第一導電層20物理強度之保護層。
隨後在所得結構上形成複數開槽200，開槽200可以設計為特定圖樣，如第三C圖所示；開槽200可以通過沖模、蝕刻或半蝕刻等方式形成於第一導電層20上。開槽200可以僅貫穿其中之一第二導電層202，如第三D圖所示，或者開槽200可以同時貫穿第二導電層202及中介層204，如第三E圖所示。在後文中，為了說明方便，以開槽200同時貫穿第二導電層202及中介層204作為說明範例，但此並非本發明之限制。再者，第一導電層20也可以通過開槽200而區分成為複數個相互分離的導電單元21，如第三F圖所示。
在此，要說明的是：在下文中，當第一導電層20通過開槽200而區分成複數個互相分離的獨立區塊時，各該獨立區塊將被稱作為導電單元21。
隨後在所得結構下方形成一絕緣層24，如第三G圖所示；絕緣層24所具有的厚度可設計為小於100微米，但此厚度僅為實施例，不是本發明之必要限制。
接著將所得結構設置於一暫時基板26上，如第三H圖所示。第一導電層20及暫時基板26之間更可以包含一黏著件28，黏著件28較佳地為熱解膠帶(Thermal Release Tape,TRT)。
之後，將複數發光半導體晶粒30設置於第一導電層20並電連接於第一導電層20，如第三I圖所示，且開槽200露出至少部份發光半導體晶粒30，如第三J圖所示。發光半導體晶粒30包含複數半導體層310及二連接墊308a及308b；於本實施例中，半導體層310可供發出藍光並包含依序排列之一基板300、一N型氮化鎵302、一多量子井層304及一P型氮化鎵層306，連接墊308a形成於N型氮化鎵302上，連接墊308b形成於P型氮化鎵層306上，使形成水平式結構；實際實施時，可依實際需求及限制加以調整半導體層310的堆疊結構及出光顏色。當然，發光半導體晶粒30也可以設計為垂直式結構。。
如第三I圖所示，發光半導體晶粒30以覆晶形式地設置於第一導電層20之上表面206，且發光半導體晶粒30之二連接墊308a及308b分別跨接於開槽200兩側的第一導電層20。發光半導體晶粒30之二連接墊308a及308b可以通過焊接、塗佈銀膠、導電矽膠、助焊劑共晶接合(flux eutectic bonding)技術或直接共晶接合(direct eutectic bonding)技術等方式與第一導電層20形成電性連接。如第三J圖所示，發光半導體晶粒12可以通過具有特定圖樣之開槽100以形成串聯、並聯或串並聯連接。
如第三K圖至第三N圖所示，形成一包覆發光半導體晶粒30之光穿透層34，並除去部分第一導電層20使第一導電層20區分成為複數導電單元21，發光半導體晶粒30係通過導電單元21使彼此形成串並聯。光穿透層34與第一導電層20配合緊密地包覆發光半導體晶粒30，並由至少部分露出發光半導體晶粒30之開槽200流入發光半導體晶粒30下方，以結合第一導電層20。光穿透層34較佳地為透光絕緣物質，以提供良好的絕緣效果。如第三K圖及第三L圖所示，光穿透層34係分別地包覆各該發光半導體晶粒30，使各該發光半導體晶粒30形成單晶封裝形式；光穿透層34大致呈半球狀地包覆各該發光半導體晶粒30，以提高取光效率。如第三M圖及第三N圖所示，光穿透層34係同時包覆多個發光半導體晶粒30並覆蓋第一導電層20，以形成多晶封裝形式；光穿透層34之上表面與第一導電層20之間的距離係隨著遠離發光半導體晶粒30而遞減，使該光透層34大致呈半球狀地包覆發光半導體晶粒30，藉此以提高取光效率。
光穿透層34可以使用注膠成型、點膠或設置透鏡等方式形成並包覆發光半導體晶粒30；當光穿透層30是通過點膠方式形成時，可於第一導電層20上方預先形成一環繞發光半導體晶粒20之擋牆32，如第三O圖所示。擋牆32用以提供限位功能，藉以使光穿透層34大致呈半球狀，以提高取光效率。
再者，於第一導電層20通過開槽200而區分為多個導電單元21之實施例中，位於各發光半導體晶粒30下方之導電單元21的表面積必須大於等於發光半導體晶粒30的表面積。另外，如第三P圖及第三Q圖所示，光穿透層34同時包覆發光半導體晶粒30及導電單元21的側緣，以達到更佳的絕緣效果，且光穿透層34之上表面與導電單元21之間的距離一致。
如第三R圖所示，光穿透層34之上表面與導電單元21之間的距離係隨著遠離發光半導體晶粒30而遞減，使該光透層34大致呈半球狀地包覆發光半導體晶粒30，藉此以提高取光效率。另外，發光半導體晶粒30也可以通過導電單元21形成串並聯之形式，如第三S圖所示；但此連接方式僅為一實施例，不是本發明之必要限制。
承上所述，設置一光波長轉換物質36於光穿透層34之內表面或外表面或之中或其組合，光波長轉換材質34可以為螢光粉、量子點螢光粉(Quantum Dot Phosphor)或量子井薄膜(Quantum Well Film)。發光半導體晶粒30發出的光線通過光波長轉換物質36後，係與光波長轉換物質36發生波長轉換並產生一波長轉換光線。於本實施例中，發光半導體晶粒30可供發出藍光，光波長轉換物質36經激發後可產生黃光；發光半導體晶粒30發出的部分藍光與光波長轉換物質36發生波長轉換並產生波長轉換光線(黃光)，波長轉換光線與其他部分藍光混光後可產生白光。光波長轉換物質36可以設置鄰近於發光半導體晶粒30，如第三T圖所示，其中光波長轉換物質36可以形成於設置光穿透層34之前並包覆發光半導體晶粒30，意即光波長轉換物質36設置鄰近於發光半導體晶粒30。或者光波長轉換物質36也可以於光穿透層34形成之後再行設置於光穿透層34上，意即光波長轉換物質36設置遠離於發光半導體晶粒30，如第三U圖所示。或者光波長轉換物質36也可以均勻地分佈於光穿透層34內部，如第三V圖所示，其中，該光波長轉換物質36係直接地混合於光穿透層36中，並通過點膠或注膠成型等方式包覆發光半導體晶粒30。
最後，切割使形成多個發光半導體元件並移除暫時基板26，如第三W圖至第三Z圖所示。同時地，位於各發光半導體晶粒30下方之第一導電層20亦被區分為至少二導電單元21，且其中任二導電單元21之間具有開槽200。其次，任二導電單元21之間皆不形成連接，藉以避免發光半導體元件產生短路現象。
如第三W圖所示之發光半導體元件，導電單元21的表面積大於光穿透層34覆蓋於導電單元21的面積；其次，也可同時移除絕緣層24並彎折導電單元21，以達到方便插接之功能，如第三X圖所示。
如第三Y圖所示之發光半導體元件，導電單元21的表面積大致等於光穿透層34覆蓋導電單元21的面積。
如第三Z圖所示，光穿透層34同時包覆多個發光半導體晶粒30，以形成多晶封裝之發光半導體元件。其次，多個發光半導體晶粒30可以通過導電單元21形成串並聯之形式。
是故，本發明所提出之發光半導體元件包含至少二導電單元21、至少一發光半導體晶粒30及一光穿透層34。二導電單元21大致呈平板狀且其厚度大於5微米，該二導電單元21之間具有一開槽200。
發光半導體晶粒30跨接於該二導電單元21並包含複數半導體層310及二連接墊308a及308b，二連接墊308a及308b分別電連接於該二導電單元21，其中第一導電層20的表面積大於等於發光半導體晶粒30的表面積。
光穿透層34包覆發光半導體晶粒30並至少部分填充於該開槽200中，藉以結合導電單元21及發光半導體晶粒30，同時保護發光半導體晶粒30並提供良好絕緣效果以及提高取光效果。光穿透層34可以完全地覆蓋導電單元21之上表面206，如第三Y圖所示。其次，發光半導體元件可選擇性地包含一遮蔽層22，該遮蔽層22設置於導電單元21之一上表面206及一下表面208之其中之至少一者，其中下表面208相反於上表面206。
發光半導體元件更可選擇性地包含一光波長轉換物質36，設置於該光穿透層34中，發光半導體晶粒30發出的光線通過光波長轉換物質36發出波長轉換產生波長轉換光線，其中光波長轉換物質36可以設置鄰近於發光半導體晶粒30或遠離於發光半導體晶粒30，或者光波長轉換物質36也可以均勻地混合於光穿透層34中。
再者，光穿透層34可以同時包覆多個發光半導體晶粒20，以及完全地覆蓋導電單元21之上表面206並包覆導電單元21之側緣，如第三Z圖所示。發光半導體元件也可選擇性地包含一絕緣層24，位於該遮蔽層22下方，光穿透層34可以部份地覆蓋導電單元21之上表面206，如第三W圖所示。發光半導體元件也可選擇性地彎折導電單元21以達到方便插接之功效，如第三X圖所示。
前述之發光半導體元件可與一基板40a配合形成一光源模組，如第四A圖所示；為了方便說明，以第三Y圖所示之發光半導體元件作為說明範例。基板40a可以為電路板，且其上預先形成有至少一電路圖樣402a。至少一發光半導體元件設置於基板40a上，且發光半導體元件之導電單元21電連接於電路圖樣402a。發光半導體元件的數量可以為一個或多個，於本實施例中，發光半導體元件以兩個為例，但是須知此數量僅為一實施例，不是本發明之必要限制；其次，二發光半導體元件通過電路圖樣402a形成串聯電連接形式，實際實施時，二發光半導體元件也可以通過電路圖樣402a形成並聯電連接形式。
再者，光源模組可以貼附至一散熱裝置，如：散熱片，以加速地導離發光半導體元件點亮時產生的熱能。或者，如第四B圖所示，光源模組的基板40b本身即為散熱裝置。基板40b預先形成有至少一電路式樣402b，發光半導體元件之導電單元21電連接於電路式樣402b上。如此一來，發光半導體元件點亮時產生的熱能可以快速地通過基板40b傳遞至外界空氣中。
如第四C圖所示，電路圖樣404c也可以額外地設置於基板40c的上表面，且相鄰的二電路圖樣404c之間設置一絕緣物體402c，藉以提升電性絕緣效果。發光半導體元件設置於基板40c且導電單元21電連接於電路圖樣404c。
前述之光源模組可以與一透光蓋體45配合形成一照明裝置，如第五圖所示，並可供室內或室外照明使用。照明裝置包含一如第四C圖所示之光源模組及一透光蓋體45，透光蓋體45與基板40c結合使發光半導體元件可以位於透光蓋體45及基板40c之間，發光半導體元件較佳地是朝向透光蓋體45之方向發出光線。再者，該透光蓋體45的內表面或外表面之其中之至少一者可以包含有光波長轉換物質，如螢光粉，以與發光半導體元件發出的光線發生波長轉換後產生波長轉換光線，以達到光色轉換的效果；當然，光波長轉換也可以直接地設置於透光蓋體45內。
如第六A圖所示，當發光半導體元件包含絕緣層24時，設置於基板50上之複數發光半導體元件必須通過複數連接線52以形成電性連接。然而，連接線52也可以被多個導電凸塊56取代，如第六B圖所示，使二發光半導體元件達到電性連接的效果。此外，各導電凸塊56可以選擇性地通過一絕緣物質54撐立於基板50上，使相鄰的二發光半導體元件之導電單元21接觸，並使二發光半導體元件形成電性連接。當然，第六A圖及第六B圖所示之光源模組也可以與一透光蓋體組合形成一可供室內或室外照明使用之照明裝置。
綜合以上所述，利用本發明之製作方法所完成的發光半導體元件之導光單元與光穿透層配合密封發光半導體晶粒，可以有效地縮減發光半導體元件的面積並可提升發光半導體元件的絕緣效果；其次，導電單元的厚度大於5微米且表面積大於等於發光半導體晶粒的表面積，使得設置於其上之發光半導體晶粒點亮時產生的熱能可以快速地被導離，並降低發光半導體元件與電路板或其他板材焊接時的困難度。
然以上所述者，僅為本發明之較佳實施例，當不能限定本發明實施之範圍，即凡依本發明申請專利範圍所作之均等變化與修飾等，皆應仍屬本發明之專利涵蓋範圍意圖保護之範疇。
10、20．．．第一導電層
100、200．．．開槽
102、206．．．上表面
11、21．．．導電單元
12、30．．．發光半導體晶粒
13．．．導線
120、300．．．基板
122、302．．．N型氮化鎵
124、304．．．多量子井層
126、306．．．P型氮化鎵層
128a、128b、308a、308b．．．連接墊
130、310．．．半導體層
14、34．．．光穿透層
202．．．第二導電層
204．．．中介層
206．．．上表面
208．．．下表面
22．．．遮蔽層
24．．．絕緣層
26．．．暫時基板
28．．．黏著件
32．．．擋牆
36．．．光波長轉換物質
40a、40b、40c、50．．．基板
402a、402b、404c．．．電路圖樣
402c．．．絕緣物體
45．．．透光蓋體
52．．．連接線
54．．．絕緣物質
56．．．導電凸塊
800．．．第一導線支架
802．．．晶粒承載支架
804．．．第二導線支架
806．．．發光二極體晶粒
808．．．絕緣體
810．．．導線
812．．．固晶區
814．．．透光膠體
第一圖為習知發光半導體元件之剖視圖。
第二A圖-第二J圖為本發明第一實施例之發光半導體元件之製作方法之製作流程示意圖。
第三A圖-第三Z圖為本發明第二實施例之發光半導體元件之製作方法之製作流程示意圖。
第四A圖為本發明第一實施例之光源模組之剖視圖。
第四B圖為本發明第二實施例之光源模組之剖視圖。
第四C圖為本發明第三實施例之光源模組之剖視圖。
第五圖為本發明第一實施例之照明裝置之剖視圖。
第六A圖為本發明第四實施例之光源模組之剖視圖。
第六B圖為本發明第五實施例之光源模組之剖視圖。
100．．．開槽
102．．．上表面
11．．．導電單元
12．．．發光半導體晶粒
120．．．基板
122．．．N型氮化鎵
124．．．多量子井層
126．．．P型氮化鎵層
128a、128b．．．連接墊
130．．．半導體層
14．．．光穿透層

Claims (28)

  1. 一種發光半導體元件，包含：
    至少二導電單元，其等之間具有一開槽；
    至少一發光半導體晶粒，跨接於該等導電單元；以及
    一光穿透層，包覆該發光半導體晶粒並至少部分填充於該開槽中以結合該等導電單元。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之發光半導體元件，其中該導電單元的厚度大於5微米。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之發光半導體元件，其中該等導電單元的表面積大於等於該發光半導體晶粒的表面積。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之發光半導體元件，更包含一光波長轉換物質，位於該光穿透層之中。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之發光半導體元件，更包含一遮蔽層，設置於該導電單元之一上表面及一下表面之其中之至少之一者，該下表面相反於該上表面。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之發光半導體元件，更包含一絕緣層，設置於該導電單元下方。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之發光半導體元件，其中該絕緣層之厚度小於100微米。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之發光半導體元件，更包含一擋牆，設置於該導電單元並環繞該發光半導體晶粒，該光穿透層設置於該擋牆內。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之發光半導體元件，其中該導電單元包含二第二導電層及一設置於該二第二導電層之間之絕緣層，該開槽至少貫穿其中之一第二導電層。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之發光半導體元件，其中該光穿透層部分地覆蓋該等導電單元之一上表面。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之發光半導體元件，其中該光穿透層完全地覆蓋該等導電單元之一上表面。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之發光半導體元件，其中該光穿透層包覆該等導電單元之側緣。
  13. 如申請專利範圍第1項所述之發光半導體元件，其中該發光半導體元件包含複數導電單元及複數發光半導體晶粒，任二導電單元之間具有一開槽，各該發光半導體晶粒跨接於任二導電單元，該等發光半導體晶粒通過該等導電單元形成串並聯連接。
  14. 一種發光半導體元件，包含：
    至少二導電單元，其等之間具有一開槽；
    至少一發光半導體晶粒，設置於其中之一導電單元；
    至少一導線，跨接於該發光半導體晶粒及另一導電單元之間；以及
    一光穿透層，包覆該發光半導體晶粒、該導線並至少部分填充於該開槽中以結合該等導電單元。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之發光半導體元件，其中該導電單元的厚度大於5微米。
  16. 如申請專利範圍第14項所述之發光半導體元件，其中該等導電單元的表面積大於等於該發光半導體晶粒的表面積。
  17. 如申請專利範圍第14項所述之發光半導體元件，其中該光穿透層至少部分地覆蓋該等導電單元之一上表面。
  18. 如申請專利範圍第14項所述之發光半導體元件，其中該光穿透層包覆該等導電單元之側緣。
  19. 一種光源模組，包含：
    一基板；以及
    至少一如申請專利範圍第1項至第18項任一項所述之發光半導體元件，該發光半導體元件設置於該基板之一側，並電連接於該基板。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之光源模組，其中該基板為散熱裝置或電路板。
  21. 一種發光半導體元件之製作方法，包含：
    a)提供一導電層；
    b)於該第一導電層形成至少一開槽；
    c)設置至少一發光半導體晶粒於該第一導電層並與開槽兩側之該第一導電層形成電性連接；以及
    d)形成一光穿透層，該光穿透層包覆該發光半導體晶粒並連結該第一導電層，且該光穿透層至少部分填充於該開槽。
  22. 如申請專利範圍第21項所述之發光半導體元件之製作方法，其中該發光半導體晶粒跨接於開槽兩側之第一導電層，該開槽露出至少部分該發光半導體晶粒，該光穿透層與該第一導電層配合緊密地包覆該發光半導體晶粒。
  23. 如申請專利範圍第21項所述之發光半導體元件之製作方法，更包含：
    形成一遮蔽層於該第一導電層之一上表面及一下表面之其中之至少一者。
  24. 如申請專利範圍第21項所述之發光半導體元件之製作方法，更包含：
    形成一絕緣層於該第一導電層下方。
  25. 如申請專利範圍第21項所述之發光半導體元件之製作方法，更包含：
    設置一光波長轉換物質並包覆該發光半導體晶粒
  26. 如申請專利範圍第21項所述之發光半導體元件之製作方法，更包含：
    設置一光波長轉換物質於光穿透層中，該光波長轉換物質均勻地分佈於該光穿透層中。
  27. 如申請專利範圍第21項所述之發光半導體元件之製作方法，更包含：
    設置一光波長轉換層於該光穿透層上。
  28. 如申請專利範圍第21項所述之發光半導體元件之製作方法，於步驟c之後，更包含一步驟c1，設置至少一導線於該發光半導體晶粒及開槽一側之該第一導電層之間，該發光半導體晶粒係設置於開槽另一側之該第一導電層。
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