KR20160013158A - 반도체 처리 챔버를 위한 코팅된 라이너 어셈블리 - Google Patents
반도체 처리 챔버를 위한 코팅된 라이너 어셈블리 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20160013158A KR20160013158A KR1020157036420A KR20157036420A KR20160013158A KR 20160013158 A KR20160013158 A KR 20160013158A KR 1020157036420 A KR1020157036420 A KR 1020157036420A KR 20157036420 A KR20157036420 A KR 20157036420A KR 20160013158 A KR20160013158 A KR 20160013158A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- liner
- coating layer
- liner assembly
- substrate
- coating
- Prior art date
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 47
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 105
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 74
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims abstract description 49
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 44
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 24
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 claims description 11
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 9
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 6
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 6
- 229910021397 glassy carbon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 claims description 3
- 238000010285 flame spraying Methods 0.000 claims description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 3
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 claims description 2
- 238000007761 roller coating Methods 0.000 claims description 2
- 238000007776 silk screen coating Methods 0.000 claims description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 2
- 238000007750 plasma spraying Methods 0.000 claims 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 abstract description 3
- 230000000712 assembly Effects 0.000 abstract description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 60
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 21
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 21
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 5
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000012809 cooling fluid Substances 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N aluminum gallium Chemical compound [Al].[Ga] RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000000112 cooling gas Substances 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N yttrium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4411—Cooling of the reaction chamber walls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02293—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process formation of epitaxial layers by a deposition process
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
- C23C16/481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation by radiant heating of the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
본 명세서에 개시된 실시예들은 반도체 처리 챔버에서 사용하기 위한 코팅된 라이너 어셈블리들에 관한 것이다. 일 실시예에서, 반도체 처리 챔버에서 사용하기 위한 라이너 어셈블리는 원통형 링 형태를 갖는 라이너 바디; 및 라이너 바디 를 코팅하는 코팅 층을 포함하고, 코팅 층은 약 200㎚ 내지 약 5000㎚ 중의 하나 이상의 파장에서 불투명하다. 다른 실시예에서, 기판 상에 유전체 층을 퇴적하기 위한 장치는 처리 챔버의 챔버 바디에 정의된 내부 용적을 갖는 처리 챔버; 및 처리 챔버에 배치된 라이너 어셈블리를 포함하고, 라이너 어셈블리는 원통형 링 형태를 갖는 라이너 바디; 및 라이너 바디의 외측 벽을 코팅하고, 챔버 바디를 향하는 코팅 층을 더 포함하고, 코팅 층은 약 200㎚ 내지 약 5000㎚ 중의 하나 이상의 파장에서 불투명하다.
Description
반도체 처리를 위한 장치가 본 명세서에 개시되어 있다. 보다 구체적으로는, 본 명세서에 개시된 실시예들은 반도체 처리 챔버에서 사용하기 위한 코팅된 라이너 어셈블리에 관한 것이다.
반도체 기판들은 집적 디바이스들 및 마이크로디바이스들의 제조를 포함한 매우 다양한 애플리케이션들을 위해 처리된다. 기판들을 처리하는 한가지 방법은 기판의 상부 표면 상에 재료, 예컨대 유전체 재료 또는 전도성 재료를 퇴적하는 것을 포함한다. 에피택시는 반도체 기판들 상에 얇은 재료 층들을 형성하기 위해 반도체 처리에서 광범위하게 이용되는 퇴적 프로세스들 중 하나이다. 이러한 층들은 흔히 반도체 디바이스의 작은 피쳐들 중 일부를 정의하며, 결정질 재료들의 전기적 특성들이 요구되는 경우에 고품질의 결정 구조를 갖도록 요구될 수 있다. 기판이 배치되는 처리 챔버에 퇴적 프리커서(deposition precursor)가 통상적으로 제공된다. 다음에, 기판은 원하는 특성들을 갖는 재료 층의 성장에 알맞은 온도로 가열된다.
일반적으로, 퇴적된 막은 기판의 표면에 걸쳐 균일한 두께, 조성 및 구조를 갖는 것이 요구된다. 국지적인 기판 온도, 가스 유동 및 프리커서 농도에서의 편차로 인해, 불균일한 막 두께 및 불균일하고 반복가능하지 않은 막 특성들을 갖는 퇴적된 막이 기판 상에 형성될 수 있다. 처리 동안, 처리 챔버는 통상적으로 진공, 전형적으로는 10 Torr 미만으로 유지된다. 기판을 가열하기 위해 이용되는 열 에너지는 오염 물질의 도입을 피하기 위해 처리 챔버 외부에 위치된 가열 램프들에 의해 종종 제공된다. 기판의 온도를 측정하기 위해서 처리 챔버에서 고온계들이 이용된다. 그러나, 가열 소스들로부터의 산란된 복사 에너지로부터의 아티팩트(artifact)들로 인해 기판 온도의 정확한 측정이 어렵다.
그러므로, 퇴적 균일성 및 반복성을 개선하기 위해서, 온도 제어 및 온도 측정이 개선된 에피택시 처리 챔버, 및 이러한 챔버를 동작시키는 방법에 대한 필요성이 남아있다.
본 명세서에 개시된 실시예들은 반도체 처리 챔버에서 사용하기 위한 코팅된 라이너 어셈블리들에 관한 것이다. 일 실시예에서, 반도체 처리 챔버에서 사용하기 위한 라이너 어셈블리는 원통형 링 형태를 갖는 라이너 바디; 및 라이너 바디를 코팅하는 코팅 층을 포함하고, 코팅 층은 약 200㎚ 내지 약 5000㎚ 중의 하나 이상의 파장에서 불투명하다.
다른 실시예에서, 기판 상에 유전체 층을 퇴적하기 위한 장치는 처리 챔버의 챔버 바디에 정의된 내부 용적을 갖는 처리 챔버; 및 처리 챔버에 배치된 라이너 어셈블리를 포함하고, 라이너 어셈블리는 원통형 링 형태를 갖는 라이너 바디; 및 라이너 바디의 외측 벽을 코팅하고, 챔버 바디를 향하는 코팅 층을 더 포함하고, 코팅 층은 약 200㎚ 내지 약 5000㎚ 중의 하나 이상의 파장에서 불투명하다.
또 다른 실시예에서, 기판 상에 유전체 층을 퇴적하기 위한 장치는 처리 챔버의 챔버 바디에 정의된 내부 용적을 갖는 처리 챔버; 및 처리 챔버에 배치된 라이너 어셈블리를 포함하고, 라이너 어셈블리는 원통형 링 형태를 갖는 라이너 바디; 및 라이너 바디의 외측 벽을 코팅하고, 챔버 바디를 향하는 코팅 층을 더 포함하고, 코팅 층은 약 200㎚ 내지 약 5000㎚ 중의 하나 이상의 파장에서 불투명하고, 코팅 층은, 실리콘 탄화물, 유리질 탄소(glassy carbon), 카본 블랙(carbon black), 흑연화 카본 블랙(graphitized carbon black), 흑연, 흑색 석영(black quartz), 기포 석영(bubble quartz), 실리콘 및 흑색 착색된 슬립 코팅(black pigmented slip coating)으로부터 선택된 재료로 제조된다.
위에서 언급된 본 발명의 특징들이 상세하게 이해될 수 있도록, 위에 간략하게 요약된 본 발명의 더 구체적인 설명은 실시예들을 참조할 수 있으며, 그들 중 일부는 첨부 도면들에 도시되어 있다. 그러나, 본 발명은 동등한 효과의 다른 실시예들을 허용할 수 있으므로, 첨부 도면들은 본 발명의 전형적인 실시예들만을 도시하며, 따라서 그것의 범위를 제한하는 것으로 간주되어서는 안 된다는 점에 유의해야 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 처리 챔버의 개략적인 단면도이다.
도 2a는 도 1의 처리 챔버에서 사용될 수 있는 라이너 어셈블리의 개략적인 상부 등축도(isometric view)를 도시한다.
도 2b는 도 2a에 도시된 라이너 어셈블리의 단면도를 도시한다.
도 3a는 도 1의 처리 챔버에서 사용될 수 있는 다른 라이너 어셈블리의 개략적인 상부 등축도를 도시한다.
도 3b는 도 3a에 도시된 라이너 어셈블리의 단면도를 도시한다.
이해를 용이하게 하기 위해서, 가능한 경우에, 도면들에 공통인 동일한 요소들을 지시하는 데에 동일한 참조 번호들이 이용되었다. 일 실시예에 개시된 요소들은 구체적인 언급 없이도 다른 실시예들에서 유익하게 이용될 수 있다고 고려된다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 처리 챔버의 개략적인 단면도이다.
도 2a는 도 1의 처리 챔버에서 사용될 수 있는 라이너 어셈블리의 개략적인 상부 등축도(isometric view)를 도시한다.
도 2b는 도 2a에 도시된 라이너 어셈블리의 단면도를 도시한다.
도 3a는 도 1의 처리 챔버에서 사용될 수 있는 다른 라이너 어셈블리의 개략적인 상부 등축도를 도시한다.
도 3b는 도 3a에 도시된 라이너 어셈블리의 단면도를 도시한다.
이해를 용이하게 하기 위해서, 가능한 경우에, 도면들에 공통인 동일한 요소들을 지시하는 데에 동일한 참조 번호들이 이용되었다. 일 실시예에 개시된 요소들은 구체적인 언급 없이도 다른 실시예들에서 유익하게 이용될 수 있다고 고려된다.
본 발명의 실시예들은 일반적으로 기판 상에 재료들을 퇴적하기 위한 장치 및 방법에 관한 것이며, 이 장치는 코팅된 라이너 어셈블리를 갖는다. 코팅된 라이너 어셈블리는, 기판 온도 측정 프로세스 동안 처리 챔버 상에 배치된 고온계를 이용하여 획득된 온도 측정의 정확도를 떨어뜨릴 수 있는 간섭을 최소화하기 위해서, 인접 환경으로부터 반사되는 광의 흡수를 도울 수 있다. 일 실시예에서, 라이너 어셈블리는, 약 200㎚ 내지 약 5000㎚ 중의 하나 이상의 파장에서 불투명한 유전체 재료로 제조된 코팅 층을 가질 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 처리 챔버(100)의 개략적인 단면도이다. 처리 챔버(100)는, 도 1에 도시된 기판(108)의 상부 표면(116)과 같은 기판의 상부 표면 상의 재료의 퇴적을 포함하여, 하나 이상의 기판을 처리하는데 사용될 수 있다. 처리 챔버(100)는 챔버 바디(101)를 포함하고, 챔버 바디는 상부 돔(128) 및 하부 돔(114)에 연결된다. 일 실시예에서, 상부 돔(128)은, 스테인리스 스틸, 알루미늄, 또는 기포 석영(예를 들어, 유체 함유물(fluid inclusions)을 갖는 석영)을 포함하는 석영, 알루미나, 이트리아(yttria) 또는 사파이어를 비롯한 세라믹과 같은 재료로 제조될 수 있다. 상부 돔(128)은 코팅된 금속 또는 세라믹으로 또한 형성될 수 있다. 하부 돔(114)은 석영과 같이 광학적으로 투명한 또는 반투명한 재료로 형성될 수 있다. 하부 돔(114)은 챔버 바디(101)에 연결되거나 이 챔버 바디의 일체형 부분이다. 챔버 바디(101)는 상부 돔(128)을 지지하는 베이스 플레이트(160)를 포함할 수 있다.
복사 가열 램프들(102)의 어레이는, 다른 컴포넌트들 중에서, 처리 챔버(100) 내에 배치된 기판 지지체(107)의 후면(backside)(104)을 가열하기 위해 하부 돔(114) 아래에 배치된다. 퇴적 동안, 기판(108)은 로딩 포트(103)를 통해 처리 챔버(100) 내로 이동되어 기판 지지체(107) 상에 위치될 수 있다. 램프들(102)은, 기판(108)의 상부 표면(116) 상에 재료를 퇴적하기 위해서 처리 챔버에 공급되는 프로세스 가스들의 열 분해를 용이하게 하도록 기판(108)을 미리 결정된 온도로 가열하도록 되어 있다. 일례에서, 기판(108) 상에 퇴적된 재료는 Ⅲ족, Ⅳ족 및/또는 Ⅴ족 재료일 수 있거나, 또는 Ⅲ족, Ⅳ족 및/또는 Ⅴ족 도펀트를 포함하는 재료일 수 있다. 예를 들어, 퇴적된 재료는 갈륨 비화물, 갈륨 질화물 또는 알루미늄 갈륨 질화물 중 하나 이상일 수 있다. 램프들(102)은, 약 섭씨 300도 내지 약 섭씨 1200도, 예컨대 약 섭씨 300도 내지 약 섭씨 950도의 온도로 기판(108)을 가열하도록 되어 있을 수 있다.
램프들(102)은, 프로세스 가스가 기판(108) 위를 지나갈 때 기판을 가열하여 기판(108)의 상부 표면(116) 상에 재료를 퇴적하는 것을 용이하게 하기 위해서, 하부 돔(114)에 인접하게 그리고 하부 돔 아래에 배치된 선택적인 반사기(143)에 의해 둘러싸인 전구들(141)을 포함할 수 있다. 램프들(102)은 기판 지지체(107)의 샤프트(132) 둘레에서 증가하는 반경의 고리형 그룹들로 배열된다. 샤프트(132)는 석영으로 형성되고, 내부에 중공부 또는 공동을 포함하는데, 이는 기판(108)의 중심 부근에서의 복사 에너지의 측방향 변위(lateral displacement)를 감소시키고, 그에 따라 기판(108)의 균일한 조사(irradiation)를 용이하게 한다.
일 실시예에서, 각각의 램프(102)는 전력 분배 보드(power distribution board)(도시되지 않음)에 연결되고, 전력 분배 보드를 통하여 각각의 램프(102)에 전력이 공급된다. 램프들(102)은, 예를 들어 램프들(102) 사이에 위치된 채널들(149)에 도입되는 냉각 유체에 의해 처리 동안에 또는 처리 이후에 냉각될 수 있는 램프헤드(145) 내에 위치된다. 부분적으로는 램프헤드(145)가 하부 돔(114)에 매우 근접해 있는 것으로 인해, 램프헤드(145)는 하부 돔(114)을 전도 냉각한다. 램프헤드(145)는 램프 벽들 및 반사기들(143)의 벽들을 또한 냉각할 수 있다. 요구되는 경우에, 램프헤드들(145)은 하부 돔(114)과 접촉할 수 있다.
기판 지지체(107)는 상승된 처리 위치에 있는 것으로 도시되어 있지만, 리프트 핀들(105)이 하부 돔(114)에 접촉하는 것을 허용하기 위해서 액추에이터(도시되지 않음)에 의해 처리 위치 아래에 있는 로딩 위치까지 수직으로 이동할 수 있다. 리프트 핀들(105)은 기판 지지체(107) 내의 홀들(111)을 통과하고, 기판 지지체(107)로부터 기판(108)을 상승시킨다. 다음에, 로봇(도시되지 않음)이 처리 챔버(100)에 들어가서, 기판(108)에 맞물리고, 로딩 포트(103)를 통하여 처리 챔버로부터 기판을 제거할 수 있다. 새로운 기판이 기판 지지체(107) 상에 배치되는데, 다음에 기판 지지체(107)는, 기판 지지체(107)의 정면(front side)(110)과 접촉한 상태에서, 디바이스들이 주로 형성된 상부 표면(116)을 위로 향하게 한 채로, 기판(108)을 배치하기 위해서 처리 위치까지 상승될 수 있다.
처리 챔버(100)에 배치된 기판 지지체(107)는, 처리 챔버(100)의 내부 용적을, (기판 지지체(107)의 정면(110) 위에 있는) 프로세스 가스 영역(156) 및 (기판 지지체(107) 아래에 있는) 퍼지 가스 영역(158)으로 분할한다. 기판 지지체(107)는, 처리 챔버(100) 내에서의 열 및 프로세스 가스 유동의 공간적 불균일(thermal and process gas flow spatial non-uniformities)의 영향을 최소화하고, 그에 의해 기판(108)의 균일한 처리를 용이하게 하기 위해서, 처리 동안 중앙 샤프트(132)에 의해 회전된다. 기판 지지체(107)는 중앙 샤프트(132)에 의해 지지되고, 중앙 샤프트는 기판(108)의 로딩 및 언로딩 동안에 그리고 일부 경우들에서는 처리 동안에 기판(108)을 상하 방향(134)으로 이동시킨다. 기판 지지체(107)는 낮은 열 질량(low thermal mass) 또는 낮은 열 용량(low heat capacity)을 갖는 재료로 형성될 수 있어, 기판 지지체(107)에 의해 흡수 및 방출되는 에너지가 최소화되게 한다. 기판 지지체(107)는, 램프들(102)로부터의 복사 에너지를 흡수하고 이 복사 에너지를 기판(108)에 급속하게 전도하기 위해서, 실리콘 탄화물 또는 실리콘 탄화물로 코팅된 흑연으로 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 기판 지지체(107)는 도 1에서 램프들(102)에 의해 발생된 열 복사에 대한 기판의 중심의 노출을 용이하게 하기 위해 중앙 개구를 갖는 링으로서 도시되어 있다. 기판 지지체(107)는 기판(108)을 기판(108)의 에지로부터 지지할 수 있다. 다른 실시예에서, 기판 지지체(107)는 또한 중앙 개구가 없는 디스크형 부재일 수 있다. 또 다른 실시예에서, 기판 지지체(107)는 또한 디스크형 또는 플래터형 기판 지지체일 수 있거나, 또는 개별 핑거로부터 연장되는 복수의 핀, 예를 들어 3개의 핀 또는 5개의 핀일 수 있다.
일 실시예에서, 상부 돔(128) 및 하부 돔(114)은 석영과 같이 광학적으로 투명한 또는 반투명한 재료로 형성된다. 상부 돔(128) 및 하부 돔(114)은 열 메모리(thermal memory)를 최소화하도록 얇다. 일 실시예에서, 상부 돔(128) 및 하부 돔(114)은 약 3㎜ 내지 약 10㎜, 예를 들어 약 4㎜의 두께를 가질 수 있다. 상부 돔(128)은, 냉각 가스와 같은 열 제어 유체를 유입구(inlet portal)(126)를 통해 열 제어 공간(136)에 도입하고, 열 제어 유체를 배출구(exit portal)(130)를 통해 빼냄으로써 열 제어될 수 있다. 일부 실시예들에서, 열 제어 공간(136)을 통해 순환하는 냉각 유체는 상부 돔(128)의 내측 표면 상의 퇴적을 감소시킬 수 있다.
라이너 어셈블리(162)가 챔버 바디(101) 내에 배치될 수 있고, 베이스 플레이트(160)의 내측 둘레에 의해 둘러싸인다. 라이너 어셈블리(162)는 프로세스 저항성 재료(process-resistant material)로 형성될 수 있고, 일반적으로 챔버 바디(101)의 금속 벽들로부터 처리 용적(즉, 프로세스 가스 영역(156) 및 퍼지 가스 영역(158))을 차폐한다. 금속 벽들은 프리커서들과 반응하여, 처리 용적에서 오염을 야기시킬 수 있다. 기판(108)의 통과를 허용하기 위해서 슬릿 밸브와 같은 개구(170)가 라이너 어셈블리(162)를 통해 배치되고 로딩 포트(103)와 정렬될 수 있다. 라이너 어셈블리(162)는 단일 부분으로서 도시되어 있지만, 라이너 어셈블리(162)는 복수의 부분으로 형성될 수 있다고 고려된다. 일 실시예에서, 라이너 어셈블리(162)는 베이스 플레이트(160)를 향하는 라이너 어셈블리(162)의 외측 벽 상에 코팅된 코팅 층(302)을 가질 수 있다. 대안적으로, 코팅 층(302)은, (기판 지지체(107)의 정면(110) 위에 있는) 프로세스 가스 영역(156) 및 (기판 지지체(107) 아래에 있는) 퍼지 가스 영역(158)을 향하는 라이너 어셈블리(162)의 내측 벽 상에 코팅될 수 있는데, 이는 도 3a 및 도 3b를 참조하여 아래에 추가로 설명될 것이다.
코팅 층(302)은 라이너 어셈블리(162)의 외측 둘레를 커버한다. 라이너 어셈블리(162)는, 코팅 층(302)과 함께, 라이너 어셈블리(162)를 통한 기판 이송을 허용하도록 되어 있는 컷아웃 부분(예를 들어, 라이너 어셈블리(162)에서의 개구(170) 및 코팅 층(302)에서의 개구(174))을 갖는 원통형 링의 형상을 가질 수 있다. 부가적으로, 컷아웃 부분들은 가스 포트(175, 164)로부터 제공된 가스가 라이너 어셈블리(162)를 통해 처리 챔버(100)로 유동하는 것을 허용하도록 형성될 수 있는데, 이는 아래에 더 상세하게 논의될 것이다. 도 1에 도시된 실시예에서, 코팅 층(302)을 포함하는 라이너 어셈블리(162)는 로딩 포트(103) 위로 연장되지만, 로딩 포트(103) 바로 위에서 로딩 포트에 접하는 영역은 하부 돔(114)의 일부일 수 있다고 고려된다. 다른 실시예에서, 코팅 층(302)은 라이너 어셈블리(162)의 내측 반경으로부터 방사상 내측으로 연장되는 라이너 어셈블리(162)의 부분(도시되지 않음)에 의해 지지될 수 있다. 복수의 세그먼트를 포함하는 부분 또는 렛지(ledge)는 불연속일 수 있다.
일 실시예에서, 라이너 어셈블리(162)는, 유리, 기포 석영(예를 들어, 유체 함유물을 갖는 석영)을 포함하는 석영, 사파이어, 불투명 석영 등과 같이 광학적으로 투명한 또는 반투명한 재료로 제조될 수 있다. 대안적으로, 라이너 어셈블리(162)는, 재료가 부식으로부터 보호되는 경우에 알루미늄 함유 재료와 같은 금속 재료에 의해 제조될 수 있다. 라이너 어셈블리(162) 상에 배치된 코팅 층(302)은 유전체 재료일 수 있다. 일 실시예에서, 코팅 층(302)은 약 200㎚ 내지 약 5000㎚의 범위의 하나 이상의 광 복사 파장에서 불투명한 불투명 재료이다. 라이너 어셈블리(162)를 코팅하는 불투명 재료는, 복사가 라이너 어셈블리(162)로부터 빠져나가지 못하게 함으로써, 복사를 프로세스 가스 영역(156)으로 그리고 라이너 어셈블리(162)의 내측 둘레를 코팅하는 실시예에서는 퍼지 가스 영역(158)으로 다시 투과시키기 위해서, 복사를 처리 챔버(100) 내에 유지할 수 있다. 라이너 어셈블리(162) 상에 배치된 코팅 층(302)의 기능들 및 재료들의 선택에 관한 세부사항들은 도 2a 및 도 2b를 참조하여 아래에 추가로 논의될 것이다.
본 명세서에서 재료를 설명하기 위해 이용된 "불투명"이라는 용어는 일반적으로 재료가 실질적으로 투명하거나 반투명하지 않음을 지칭한다는 점에 유의한다. 재료는, 재료를 통해 투과되는 광이 처리 챔버 내에서 열 복사와 간섭하기에(즉, 실질적으로 영향을 주기에) 충분하지 않을 때에 불투명한 것으로 볼 수 있다. 일 실시예에서, 본 명세서에 설명된 바와 같은 불투명 재료는 1 퍼센트 미만, 예컨대 10-2 퍼센트 미만, 예를 들어 10-4 퍼센트 미만의 투과율을 가질 수 있다.
광학적 고온계(118)가 상부 돔(128) 위의 영역에 배치될 수 있다. 광학적 고온계(118)는 기판(108)의 상부 표면(116)의 온도를 측정한다. 이러한 방식으로 기판 지지체(107)의 정면(110)으로부터 기판(108)을 가열하는 것은 다이 패턴들의 부재로 인해 보다 균일한 가열을 제공한다. 소스 복사의 반대측에 있으며 소스 복사로부터 효과적으로 차폐되는 것의 결과로서, 광학적 고온계(118)는, 램프들(102)로부터의 배경 복사가 광학적 고온계(118)에 직접적으로 도달하는 것을 최소로 하면서, 뜨거운 기판(108)으로부터의 복사만을 감지한다. 특정 실시예들에서, 복수의 고온계가 사용될 수 있으며, 상부 돔(128) 위의 다양한 위치들에 배치될 수 있다.
기판(108)으로부터 방사되거나 기판(108)에 의해 투과되는 적외광을 다시 기판(108) 상에 반사시키기 위해서 상부 돔(128) 외부에 반사기(122)가 선택적으로 배치될 수 있다. 반사된 적외광으로 인해, 적외광이 반사되지 않았다면 처리 챔버(100)를 빠져나갔을 수 있는 열을 포함함으로써 가열 효율이 개선될 것이다. 반사기(122)는 알루미늄 또는 스테인리스 스틸과 같은 금속으로 이루어질 수 있다. 반사기(122)는 반사기(122)를 냉각하기 위한 물과 같은 유체의 유동을 운반하기 위한 유입구(126) 및 배출구(130)를 가질 수 있다. 요구되는 경우에, 반사기 영역을 금 코팅과 같은 고반사성 코팅으로 코팅하는 것에 의해 반사 효율이 개선될 수 있다.
고온계들 또는 광 파이프들, 예컨대 사파이어 광 파이프들일 수 있는 복수의 열 복사 센서(140)가 기판(108)의 열 방출을 측정하기 위해 램프헤드(145)에 배치될 수 있다. 통상적으로, 센서들(140)은 처리 동안 기판(108)의 상이한 위치들을 관찰(viewing)(즉, 감지)하는 것을 용이하게 하기 위해 램프헤드(145)에서의 상이한 위치들에 배치된다. 광 파이프들을 사용하는 실시예들에서, 센서들(140)은 램프헤드(145) 아래에 있는 챔버 바디(101)의 부분 상에 배치될 수 있다. 기판(108)의 상이한 위치들로부터의 열 복사를 감지하는 것은, 온도 비정상(temperature anomalies) 또는 불균일이 존재하는지 여부를 판정하기 위해 기판(108)의 상이한 위치들에서의 열 에너지 양(thermal energy content), 예를 들어 온도를 비교하는 것을 용이하게 한다. 이러한 온도 불균일은 막 형성에서의 불균일, 예컨대 두께 및 조성에서의 불균일을 초래할 수 있다. 적어도 2개의 센서(140)가 사용되지만, 2개보다 많은 센서가 사용될 수 있다. 상이한 실시예들은 임의의 개수의 부가적인 센서(140)를 사용할 수 있다. 복사 가열 소스들과 기판(108)의 동일한 측들에 있는 이러한 센서들(140)은 후방 산란된 소스 복사를 보상하기 위한 정정 기술을 요구할 수 있다는 점에 유의한다.
각각의 센서(140)는 기판(108)의 한 구역(zone)을 관찰하고, 그 구역의 열 상태를 감지한다. 일부 실시예들에서, 구역이 방사상으로 배향될 수 있다. 예를 들어, 기판(108)이 회전되는 실시예들에서, 센서들(140)은 기판(108)의 중심과 실질적으로 동일한 중심을 갖는 기판(108)의 중심 부분에서의 중심 구역을 관찰 또는 정의할 수 있고, 하나 이상의 구역은 중심 구역을 둘러싸며 중심 구역과 동심을 이룬다. 구역들이 동심을 이루거나 방사상으로 배향되는 것이 요구되지는 않는다. 일부 실시예들에서, 구역들은 비-방사상 방식으로 기판(108)의 상이한 위치들에 배열될 수 있다.
센서들(140)은 통상적으로 램프들(102) 사이에, 예를 들어 채널들(149) 내에 배치되고, 일반적으로는 기판(108)의 상부 표면(116)에 실질적으로 수직으로 배향된다. 일부 실시예들에서, 센서들(140)은 기판(108)에 수직으로 배향되는 한편, 다른 실시예들에서, 센서들(140)은 법선으로부터 약간 벗어나서 배향될 수 있다. 법선의 약 5° 내의 배향 각도가 가장 빈번하게 이용된다.
센서들(140)은 동일한 파장 또는 스펙트럼으로 맞춰지거나, 상이한 파장들 또는 스펙트럼들로 맞춰질 수 있다. 예를 들어, 처리 챔버(100)에서 사용되는 기판들은 조성적으로 균질일 수 있거나, 또는 상이한 조성들의 도메인들을 가질 수 있다. 상이한 파장들에 맞춰진 센서들(140)을 사용하면, 상이한 조성, 및 열 에너지에 대한 상이한 방출 응답들을 갖는 기판 도메인들을 모니터링하는 것이 허용될 수 있다. 일 실시예에서, 센서들(140)은 적외선 파장, 예를 들어 약 3㎛로 맞춰진다.
프로세스 가스 공급 소스(173)로부터 공급된 프로세스 가스는 베이스 플레이트(160)의 측벽에 형성된 프로세스 가스 유입 포트(175)를 통하여 프로세스 가스 영역(156)에 도입된다. 부가적인 개구들(도시되지 않음)이 라이너 어셈블리(162) 및 코팅 층(302)에 또한 형성되어, 가스가 이러한 개구들을 통해 유동하는 것을 허용할 수 있다. 프로세스 가스 유입 포트(175)는 대체로 방사상 내측 방향으로 프로세스 가스를 지향시키도록 구성된다. 막 형성 프로세스 동안, 기판 지지체(107)는, 프로세스 가스 유입 포트(175)에 인접하며 프로세스 가스 유입 포트와 대략 동일한 높이에 있는 처리 위치에 위치되어, 프로세스 가스가 기판(108)의 상부 표면(116)을 가로질러 정의된 유동 경로(169)를 따라 유동하는 것을 허용한다. 프로세스 가스는 처리 챔버(100)에서 프로세스 가스 유입 포트(175)의 반대측에 위치된 가스 유출 포트(178)를 통하여 (유동 경로(165)를 따라) 프로세스 가스 영역(156)에서 빠져나간다. 가스 유출 포트(178)를 통한 프로세스 가스의 제거는 가스 유출 포트에 연결된 진공 펌프(180)에 의해 용이하게 될 수 있다. 프로세스 가스 유입 포트(175)와 가스 유출 포트(178)가 서로에 대해 정렬되고 대략 동일한 높이에 배치되므로, 이러한 평행 배열은 기판(108)에 걸쳐 대체로 평면형의 균일한 가스 유동을 가능하게 하는 것으로 여겨진다. 기판 지지체(107)를 통한 기판(108)의 회전에 의해 추가의 방사상 균일성이 제공될 수 있다.
퍼지 가스 소스(163)로부터 공급된 퍼지 가스는 베이스 플레이트(160)의 측벽에 형성된 퍼지 가스 유입 포트(164)를 통하여 퍼지 가스 영역(158)에 도입된다. 퍼지 가스 유입 포트(164)는 프로세스 가스 유입 포트(175) 아래의 높이에 배치된다. 퍼지 가스 유입 포트(164)는 대체로 방사상 내측 방향으로 퍼지 가스를 지향시키도록 구성된다. 요구되는 경우에, 퍼지 가스 유입 포트(164)는 상측 방향으로 퍼지 가스를 지향시키도록 구성될 수 있다. 막 형성 프로세스 동안, 기판 지지체(107)는, 퍼지 가스가 기판 지지체(107)의 후면(104)을 가로질러 유동 경로(161)를 따라 유동하도록 하는 위치에 위치된다. 임의의 특정 이론에 얽매이지 않고, 퍼지 가스의 유동은, 프로세스 가스의 유동이 퍼지 가스 영역(158)에 진입하는 것을 방지 또는 실질적으로 회피하거나 퍼지 가스 영역(158)(즉, 기판 지지체(107) 아래의 영역)에 진입하는 프로세스 가스의 확산을 감소시키는 것으로 여겨진다. 퍼지 가스는 (유동 경로(166)를 따라) 퍼지 가스 영역(158)에서 빠져나가고, 처리 챔버(100)에서 퍼지 가스 유입 포트(164)의 반대측에 위치된 가스 유출 포트(178)를 통하여 프로세스 챔버 밖으로 배기된다.
유사하게, 퍼징 프로세스 동안, 기판 지지체(107)는 퍼지 가스가 기판 지지체(107)의 후면(104)을 가로질러 측방향으로 유동하는 것을 허용하도록 상승된 위치에 위치될 수 있다. 관련 기술분야의 통상의 기술자라면, 가스 유입 포트 또는 유출 포트 등의 위치, 크기 또는 개수가 기판(108) 상에서의 재료의 균일한 퇴적을 더 용이하게 하도록 조정될 수 있기 때문에, 프로세스 가스 유입 포트, 퍼지 가스 유입 포트 및 가스 유출 포트가 예시의 목적으로 도시되어 있다는 것을 인식해야 한다.
처리 동안, 제어기(182)가 센서들(140)로부터 데이터를 수신하고, 그 데이터에 기초하여, 각각의 램프(102), 또는 램프들 또는 램프 구역들의 개별 그룹들에 전달되는 전력을 별개로 조정한다. 제어기(182)는 다양한 램프들(102) 또는 램프 구역들에 독립적으로 전력을 공급하는 전원(184)을 포함할 수 있다. 제어기(182)는 기판(108) 상에 원하는 온도 프로파일을 생성하도록 구성될 수 있고, 센서들(140)로부터 수신된 데이터를 비교하는 것에 기초하여, 제어기(182)는 램프들 및/또는 램프 구역들에 대한 전력을 조정하여, 기판의 측방향 온도 프로파일을 나타내는 관측된(즉, 감지된) 열 데이터를 원하는 온도 프로파일에 일치시킬 수 있다. 또한, 제어기(182)는, 챔버 성능이 시간에 따라 표류하는 것을 방지하기 위해서, 하나의 기판의 열 처리를 다른 기판의 열 처리에 일치시키도록 램프들 및/또는 램프 구역들에 대한 전력을 조정할 수 있다.
도 2a는 도 1에 도시된 처리 챔버(100)에서 사용될 수 있는 라이너 어셈블리(162)의 개략적인 상부 등축도를 도시한다. 라이너 어셈블리(162)는 대체로 원통 형태를 갖는 라이너 바디(304)를 포함한다. 라이너 어셈블리(162)는 내측 벽(308) 및 외측 벽(310)을 갖는다. 도 2b의 라이너 바디(304)의 단면도에서 추가로 도시된 바와 같이, 내측 벽(308)과 외측 벽(310)은 라이너 바디(304)의 두께(250)를 정의한다. 일 실시예에서, 라이너 바디(304)의 두께(250)는 약 5㎜ 내지 약 100㎜, 예컨대 약 5㎜ 내지 약 50㎜의 범위를 갖는다. 도 2a를 다시 참조하면, 라이너 바디(304)에서 내측 벽(308)을 통해 외측 벽(310)까지 형성된 개구(174)는 처리 챔버(100) 안팎으로의 기판(108)의 통과를 허용한다. 부가적으로, 개구(174)는 베이스 플레이트(160)에 형성된 로딩 포트(103)의 개구(170)의 크기에 실질적으로 일치하는 크기를 갖는다.
라이너 바디(304)는, 내측 벽(308) 및 외측 벽(310)에 의해 연결된 최상부 표면(311) 및 저부 표면(312)을 갖는다. 라이너 어셈블리(162)의 라이너 바디(304)는, 베이스 플레이트(160) 내부로 미끄러져 들어가고 베이스 플레이트(160)가 처리 챔버(100)의 내부 반응 영역에 노출되는 것을 방지하기 위해 베이스 플레이트(160)의 치수에 맞도록 크기가 정해진 길이(315)를 갖는다. 일 실시예에서, 라이너 어셈블리(162)의 길이(315)는 약 10㎜ 내지 약 200㎜, 예컨대 약 70㎜ 내지 약 120㎜의 범위를 가질 수 있다.
도 3b에 도시된 바와 같이, 코팅 층(302)은 라이너 어셈블리(162)를 통해 충돌하는 광을 흡수하기 위해 라이너 어셈블리(162)의 내측 벽(308) 상에 형성될 수 있다. 이에 반해, 라이너 어셈블리(162) 상에 코팅되도록 선택된 코팅 층(302)은, 25㎛ 내지 약 100㎛, 예컨대 약 25㎛까지의, 열 에너지를 제공하기 위한 램프들(102)에 의해 발생된 복사의 파장들인 약 200㎚ 내지 약 5000㎚의 범위에서의 하나 이상의 파장에서 불투명한 재료일 수 있다. 일 실시예에서, 코팅 층(302)을 위한 불투명 재료들 중 적합한 재료들은 실리콘 탄화물, 유리질 탄소, 카본 블랙, 기포 석영(예를 들어, 유체 함유물을 갖는 석영), 흑연화 카본 블랙, 흑연, 흑색 석영, 기포 석영, 실리콘 및 흑색 착색된 슬립 코팅, 예컨대 Aremco 840 시리즈 등을 포함한다. 코팅 층(302)을 형성하도록 선택된 불투명 재료들은, CVD, PVD, 플라즈마 스프레이(plasma sprayed), 소결 딥핑(sintered dipped) 또는 페인팅(painted) 슬러리들 또는 프리커서들, 스핀 코팅 및 소결(spin-coating and sintered), 플레임 스프레이(flame spraying), 브러시 코팅(brush coating), 딥 코팅(dip coating), 롤러 코팅(roller coating), 실크 스크린 코팅(silk screen coating) 또는 임의의 다른 적합한 기술들과 같은 임의의 적합한 코팅/퇴적 기술들에 의해 라이너 어셈블리(162) 상에 코팅될 수 있다. 여기서 도시된 예시적인 실시예에서, 코팅 층(302)은 CVD 재료 상에 퇴적된 실리콘 탄화물 층이다.
라이너 어셈블리(162)를 코팅하도록 선택된 불투명 재료는 복사를 처리 챔버(100) 내에 유지하고, 복사가 프로세스 가스 영역(156) 및 퍼지 가스 영역(158)으로 다시 투과되지 못하게 할 수 있다. 코팅 층(302)을 위한 불투명 재료의 선택은 라이너 어셈블리(162)에 충돌하는 복사에 대해 높은 흡수율을 제공할 수 있고, 그에 따라 가능하게는 기판(108)에 다시 반사될 수 있는 배경 광학 잡음을 방지하며, 이로써 고온계(118)의 온도 측정의 정확도를 증가시키는 것으로 여겨진다. 일 실시예에서, 코팅 층(302)은 코팅 층(302)에 충돌하는 관심 파장 범위의, 예컨대 약 200㎚ 내지 약 5000㎚의 열 복사의 10 퍼센트 미만을 투과시킬 수 있다. 또한, 열 복사 에너지의 광 산란 또는 투과 특성들은 기판(108)으로부터의 고온계(118)의 온도 측정의 방출 및 흡수를 또한 방해할 수 있는 것으로 여겨진다. 따라서, 코팅 층(302)을 위한 불투명 재료는 열 복사가 기판(108) 또는 고온계(118)에 다시 도달하거나 반사되는 것을 방지할 수 있다.
도 3a는 도 1에 도시된 처리 챔버(100)에서 사용될 수 있는 라이너 어셈블리(162)의 개략적인 상부 등축도를 도시한다. 라이너 어셈블리(162)는, 대체로 원통 형태를 갖는, 도 2a 및 도 2b에 도시된 라이너 바디(304)와 유사한 라이너 바디(204)를 포함한다. 유사하게, 라이너 바디(204)는 내측 벽(206) 및 외측 벽(208)을 갖는다. 도 3b에 추가로 도시된 바와 같이, 내측 벽(206)과 외측 벽(208)은 라이너 바디(204)의 두께(250)를 정의한다. 일 실시예에서, 라이너 바디(204)의 두께(250)는 약 5㎜ 내지 약 100㎜, 예컨대 약 5㎜ 내지 약 50㎜의 범위를 갖는다. 도 3a를 다시 참조하면, 라이너 바디(204)는, 내측 벽(206) 및 외측 벽(208)에 의해 연결된 최상부 표면(210) 및 저부 표면(212)을 갖는다. 라이너 어셈블리(162)의 라이너 바디(204)는, 베이스 플레이트(160) 내부로 미끄러져 들어가고 베이스 플레이트(160)가 처리 챔버(100)의 내부 반응 영역에 노출되는 것을 방지하기 위해 베이스 플레이트(160)의 치수에 맞도록 크기가 정해진 길이(215)를 갖는다. 일 실시예에서, 라이너 어셈블리(162)의 길이는 약 10㎜ 내지 약 200㎜, 예컨대 약 70㎜ 내지 약 120㎜의 범위를 가질 수 있다.
라이너 바디(304)의 외측 벽(310) 상에 코팅 층(302)을 코팅하는 것 대신에, 도 3a 및 도 3b에 도시된 실시예에서, 라이너 어셈블리(162)에 충돌하는 광을 흡수하도록 라이너 어셈블리(162)의 내측 벽(206) 상에 코팅 층(172)이 코팅된다. 라이너 어셈블리(162) 상에 코팅되도록 선택된 코팅 층(172)은, 도 1 내지 도 2b를 참조하여 위에서 설명된 코팅 층(302)과 유사하게, 약 200㎚ 내지 약 5000㎚의 범위에서의 하나 이상의 파장에서 불투명한 재료일 수 있다. 코팅 층(172)은 약 5㎛ 내지 약 100㎛, 예컨대 약 25㎛의 두께(252)를 가질 수 있다. 일 실시예에서, 코팅 층(172)을 위한 불투명 재료들 중 적합한 재료들은 실리콘 탄화물, 유리질 탄소, 카본 블랙, 흑연화 카본 블랙, 흑연, 흑색 석영, 기포 석영, 실리콘 및 흑색 착색된 슬립 코팅, 예컨대 Aremco 840 시리즈 등을 포함한다. 코팅 층(172)을 형성하도록 선택된 불투명 재료들은, CVD, PVD, 플라즈마 스프레이, 소결된 딥핑 또는 페인팅 슬러리들 또는 프리커서들, 스핀 코팅 및 소결, 플레임 스프레이, 브러시 코팅, 딥 코팅, 롤러 코팅, 실크 스크린 코팅 또는 임의의 다른 적합한 기술들과 같은 임의의 적합한 코팅/퇴적 기술들에 의해 라이너 어셈블리(162) 상에 코팅될 수 있다. 여기서 설명된 예시적인 실시예에서, 코팅 층(172)은 CVD 재료 상에 퇴적된 실리콘 탄화물 층이다.
코팅 층들(302, 172)은 라이너 어셈블리의 외측 벽 또는 내측 벽 상에 코팅될 수 있을 뿐만 아니라, 필요에 따라 라이너 바디에서의 임의의 적합한 위치들과 최상부 및 저부 표면들에 코팅될 수 있다는 점에 유의한다.
전술한 것은 본 발명의 실시예들에 관한 것이지만, 본 발명의 다른 실시예들 및 추가 실시예들은 그것의 기본 범위로부터 벗어나지 않고서 고안될 수 있으며, 그것의 범위는 이하의 청구항들에 의해 결정된다.
Claims (15)
- 반도체 처리 챔버에서 사용하기 위한 라이너 어셈블리로서,
원통형 링 형태를 갖는 라이너 바디; 및
상기 라이너 바디 상에 배치된 코팅 층 - 상기 코팅 층은 약 200㎚ 내지 약 5000㎚ 중의 하나 이상의 파장에서 불투명함 -
을 포함하는 라이너 어셈블리. - 제1항에 있어서,
상기 라이너 바디는 광학적으로 투명한 또는 반투명한 재료로 제조되는, 라이너 어셈블리. - 제1항에 있어서,
상기 라이너 바디는 석영으로 제조되는, 라이너 어셈블리. - 제1항에 있어서,
상기 코팅 층은, 실리콘 탄화물, 유리질 탄소(glassy carbon), 카본 블랙(carbon black), 흑연화 카본 블랙(graphitized carbon black), 흑연, 흑색 석영(black quartz), 기포 석영(bubble quartz), 실리콘 및 흑색 착색된 슬립 코팅(black pigmented slip coating)으로 구성된 그룹으로부터 선택된 재료로 제조되는, 라이너 어셈블리. - 제1항에 있어서,
상기 코팅 층은 약 5㎛ 내지 약 100㎛의 두께를 갖는, 라이너 어셈블리. - 제1항에 있어서,
상기 코팅 층은, CVD, PVD, 플라즈마 스프레이, 소결 딥핑(sintered dipping), 스핀 코팅 및 소결(spin-coating and sintering), 플레임 스프레이(flame spraying), 브러시 코팅(brush coating), 딥 코팅(dip coating), 롤러 코팅(roller coating) 및 실크 스크린 코팅(silk screen coating)에 의해 상기 라이너 어셈블리의 내측 벽 상에 형성되는, 라이너 어셈블리. - 제1항에 있어서,
상기 라이너 바디는, 내측 벽 및 외측 벽에 의해 연결된 최상부 표면 및 저부 표면을 포함하는, 라이너 어셈블리. - 제7항에 있어서,
상기 코팅 층은 상기 라이너 바디의 상기 내측 벽 또는 상기 외측 벽 상에 배치되는, 라이너 어셈블리. - 제1항의 라이너 어셈블리를 포함하는 에피택시 퇴적 챔버.
- 제9항에 있어서,
상기 라이너 어셈블리는 상기 처리 챔버로부터 제거가능한, 에피택시 퇴적 챔버. - 기판 상에 유전체 층을 퇴적하기 위한 장치로서.
처리 챔버의 챔버 바디에 정의된 내부 용적을 갖는 상기 처리 챔버; 및
상기 처리 챔버에 배치된 라이너 어셈블리
를 포함하고,
상기 라이너 어셈블리는,
원통형 링 형태를 갖는 라이너 바디; 및
상기 라이너 바디의 외측 벽을 코팅하고, 상기 챔버 바디를 향하는 코팅 층 - 상기 코팅 층은 약 200㎚ 내지 약 5000㎚ 중의 하나 이상의 파장에서 불투명함 -
을 더 포함하는, 장치. - 제11항에 있어서,
상기 라이너 바디는 광학적으로 투명한 또는 반투명한 재료로 제조되는, 장치. - 제11항에 있어서,
상기 라이너 바디는 석영으로 제조되는, 장치. - 제11항에 있어서,
상기 코팅 층은, 실리콘 탄화물, 유리질 탄소, 카본 블랙, 흑연화 카본 블랙, 흑연, 흑색 석영, 기포 석영, 실리콘 및 흑색 착색된 슬립 코팅으로 구성된 그룹으로부터 선택된 재료로 제조되는, 장치. - 제11항에 있어서,
상기 라이너 어셈블리는 상기 처리 챔버로부터 제거가능한, 장치.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201361826680P | 2013-05-23 | 2013-05-23 | |
US61/826,680 | 2013-05-23 | ||
PCT/US2014/033362 WO2014189622A1 (en) | 2013-05-23 | 2014-04-08 | A coated liner assembly for a semiconductor processing chamber |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20160013158A true KR20160013158A (ko) | 2016-02-03 |
KR102202406B1 KR102202406B1 (ko) | 2021-01-13 |
Family
ID=51933948
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020157036420A KR102202406B1 (ko) | 2013-05-23 | 2014-04-08 | 반도체 처리 챔버를 위한 코팅된 라이너 어셈블리 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20140345525A1 (ko) |
JP (1) | JP6457498B2 (ko) |
KR (1) | KR102202406B1 (ko) |
CN (2) | CN105210173A (ko) |
SG (2) | SG10201709699RA (ko) |
TW (4) | TWI745717B (ko) |
WO (1) | WO2014189622A1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190123803A (ko) * | 2017-05-18 | 2019-11-01 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 개선된 열 균일성을 갖는 열 챔버 |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9499905B2 (en) * | 2011-07-22 | 2016-11-22 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for the deposition of materials on a substrate |
SG10201709699RA (en) * | 2013-05-23 | 2017-12-28 | Applied Materials Inc | A coated liner assembly for a semiconductor processing chamber |
KR101743551B1 (ko) * | 2015-05-06 | 2017-06-05 | (주)에코엔텍 | 반도체 폐가스 처리용 스크러버의 제조방법 및 이에 따른 스크러버, 이 스크러버를 이용한 내부식성 향상 및 산화물 부착방지 방법 |
JP7175766B2 (ja) * | 2016-03-28 | 2022-11-21 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | サセプタ支持体 |
US20180254203A1 (en) * | 2017-03-02 | 2018-09-06 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method to reduce particle formation on substrates in post selective etch process |
KR20210031527A (ko) * | 2018-08-06 | 2021-03-19 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 처리 챔버를 위한 라이너 |
CN214848503U (zh) | 2018-08-29 | 2021-11-23 | 应用材料公司 | 注入器设备、基板处理设备及在机器可读介质中实现的结构 |
TW202122909A (zh) * | 2019-10-25 | 2021-06-16 | 美商應用材料股份有限公司 | 減少極紫外遮罩毛坯缺陷之方法 |
US20230230859A1 (en) | 2020-08-03 | 2023-07-20 | Applied Materials, Inc. | Batch thermal process chamber |
US11499223B2 (en) | 2020-12-10 | 2022-11-15 | Applied Materials, Inc. | Continuous liner for use in a processing chamber |
US20230260758A1 (en) * | 2022-02-14 | 2023-08-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Methods and systems for cooling plasma treatment components |
WO2023183330A1 (en) * | 2022-03-23 | 2023-09-28 | Lam Research Corporation | Spark plasma sintered component for cryo-plasma processing chamber |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4624735A (en) * | 1979-07-09 | 1986-11-25 | Toshiba Ceramics Co., Ltd. | Constituent members of a semiconductor element-manufacturing apparatus and a reaction furnace for making said constituent members |
JPH01220435A (ja) * | 1988-02-29 | 1989-09-04 | Tel Sagami Ltd | 気相成長炉及び処理方法 |
KR20000023849A (ko) * | 1997-05-16 | 2000-04-25 | 조셉 제이. 스위니 | 알 티 피 챔버용 자기 부양 로터 시스템 |
US6301434B1 (en) * | 1998-03-23 | 2001-10-09 | Mattson Technology, Inc. | Apparatus and method for CVD and thermal processing of semiconductor substrates |
KR100582934B1 (ko) * | 2003-02-27 | 2006-05-23 | 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 | 광조사에 의한 열 처리 장치 |
KR20070054686A (ko) * | 2004-08-23 | 2007-05-29 | 헤래우스 크바르츠글라스 게엠베하 & 컴파니 케이지 | 반사체 레이어를 가지는 구성 요소 및 그 제조 방법 |
KR100797424B1 (ko) * | 1999-12-22 | 2008-01-23 | 램 리써치 코포레이션 | 반도체 공정 설비 |
US20080118663A1 (en) * | 2006-10-12 | 2008-05-22 | Applied Materials, Inc. | Contamination reducing liner for inductively coupled chamber |
KR20080081823A (ko) * | 2007-03-05 | 2008-09-10 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 복사 가열을 이용한 마이크로배치 증착 챔버 |
KR20100048836A (ko) * | 2008-10-31 | 2010-05-11 | 쟈판 스파 쿼츠 가부시키가이샤 | 다층 구조를 갖는 석영 유리 도가니 |
KR101024514B1 (ko) * | 2002-03-21 | 2011-03-31 | 램 리써치 코포레이션 | 반도체 공정 장치의 저오염 구성부품 및 구성부품의 제조 방법 |
Family Cites Families (138)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2871371A (en) * | 1954-05-06 | 1959-01-27 | Rca Corp | Wide-band interference light filter |
NL211056A (ko) * | 1955-11-02 | |||
US3609829A (en) * | 1968-07-12 | 1971-10-05 | Texas Instruments Inc | Apparatus for the formation of silica articles |
GB1384319A (en) * | 1971-04-19 | 1975-02-19 | Sherwood Refractories | Vitreous silica and process and apparatus for making same |
DE3016377C2 (de) * | 1980-04-28 | 1983-03-03 | Nippon Crucible Co., Ltd., Tokyo | Wandauskleidung für Heizöfen |
JPS59227800A (ja) * | 1983-05-20 | 1984-12-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 化合物半導体製造用部材 |
US4522149A (en) * | 1983-11-21 | 1985-06-11 | General Instrument Corp. | Reactor and susceptor for chemical vapor deposition process |
JPH0251225A (ja) * | 1988-08-15 | 1990-02-21 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 半導体拡散炉用炉芯管 |
US6012304A (en) * | 1991-09-30 | 2000-01-11 | Loxley; Ted A. | Sintered quartz glass products and methods for making same |
JP3190165B2 (ja) * | 1993-04-13 | 2001-07-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置及び熱処理方法 |
US5421957A (en) * | 1993-07-30 | 1995-06-06 | Applied Materials, Inc. | Low temperature etching in cold-wall CVD systems |
DE4338807C1 (de) * | 1993-11-12 | 1995-01-26 | Heraeus Quarzglas | Formkörper mit hohem Gehalt an Siliziumdioxid und Verfahren zur Herstellung solcher Formkörper |
JPH0897167A (ja) * | 1994-09-28 | 1996-04-12 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置及び熱処理装置 |
US5855677A (en) * | 1994-09-30 | 1999-01-05 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for controlling the temperature of reaction chamber walls |
JP3011866B2 (ja) * | 1994-11-30 | 2000-02-21 | 信越石英株式会社 | 枚葉式ウエーハ熱処理装置 |
US6002109A (en) * | 1995-07-10 | 1999-12-14 | Mattson Technology, Inc. | System and method for thermal processing of a semiconductor substrate |
GB9603128D0 (en) * | 1996-02-15 | 1996-04-17 | Tsl Group Plc | Improved vitreous silica product and method of manufacture |
DE69716822T2 (de) * | 1996-07-04 | 2003-09-11 | Tosoh Corp., Shinnanyo | Opakes Quarzglas und Verfahren zu dessen Herstellung |
US5848889A (en) * | 1996-07-24 | 1998-12-15 | Applied Materials Inc. | Semiconductor wafer support with graded thermal mass |
US6133152A (en) * | 1997-05-16 | 2000-10-17 | Applied Materials, Inc. | Co-rotating edge ring extension for use in a semiconductor processing chamber |
JP3362113B2 (ja) * | 1997-07-15 | 2003-01-07 | 日本碍子株式会社 | 耐蝕性部材、ウエハー設置部材および耐蝕性部材の製造方法 |
US6530994B1 (en) * | 1997-08-15 | 2003-03-11 | Micro C Technologies, Inc. | Platform for supporting a semiconductor substrate and method of supporting a substrate during rapid high temperature processing |
USD407696S (en) * | 1997-08-20 | 1999-04-06 | Tokyo Electron Limited | Inner tube for use in a semiconductor wafer heat processing apparatus |
US6129808A (en) * | 1998-03-31 | 2000-10-10 | Lam Research Corporation | Low contamination high density plasma etch chambers and methods for making the same |
US6464843B1 (en) * | 1998-03-31 | 2002-10-15 | Lam Research Corporation | Contamination controlling method and apparatus for a plasma processing chamber |
US6170429B1 (en) * | 1998-09-30 | 2001-01-09 | Lam Research Corporation | Chamber liner for semiconductor process chambers |
JP3985243B2 (ja) * | 1998-12-01 | 2007-10-03 | 信越石英株式会社 | 表面に大きな凹凸を有する石英ガラス治具およびその製造方法 |
US6245149B1 (en) * | 1999-07-01 | 2001-06-12 | Applied Materials, Inc. | Inert barrier for high purity epitaxial deposition systems |
FR2801304B1 (fr) * | 1999-11-24 | 2002-02-15 | Snecma | Procede de fabrication d'un bol en materiau composite thermostructural, notamment pour une installation de production de silicium monocristallin |
DE19962449C2 (de) * | 1999-12-22 | 2003-09-25 | Heraeus Quarzglas | Quarzglastiegel und Verfahren für seine Herstellung |
DE19962452B4 (de) * | 1999-12-22 | 2004-03-18 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Verfahren für die Herstellung von opakem Quarzglas |
US6486084B2 (en) * | 2000-02-21 | 2002-11-26 | Ngk Insulators, Ltd. | Composite material and method of producing the same |
JP2001261375A (ja) * | 2000-03-14 | 2001-09-26 | Toshiba Ceramics Co Ltd | セラミックス被覆石英ガラス体 |
US6331212B1 (en) * | 2000-04-17 | 2001-12-18 | Avansys, Llc | Methods and apparatus for thermally processing wafers |
TW503449B (en) * | 2000-04-18 | 2002-09-21 | Ngk Insulators Ltd | Halogen gas plasma-resistive members and method for producing the same, laminates, and corrosion-resistant members |
JP4470274B2 (ja) * | 2000-04-26 | 2010-06-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
JP4592037B2 (ja) * | 2000-05-31 | 2010-12-01 | 信越石英株式会社 | 石英ガラスルツボの製造方法 |
DE10033632C1 (de) * | 2000-07-11 | 2002-01-03 | Heraeus Quarzglas | Vorrichtung zur Herstellung rotationssymmetrischer Quarzglastiegel |
US6379789B1 (en) * | 2000-10-04 | 2002-04-30 | Creare Inc. | Thermally-sprayed composite selective emitter |
US6716302B2 (en) * | 2000-11-01 | 2004-04-06 | Applied Materials Inc. | Dielectric etch chamber with expanded process window |
WO2002040732A1 (en) * | 2000-11-15 | 2002-05-23 | G.T. Equipment Technologies Inc. | A protective layer for quartz crucibles used for silicon crystallization |
JP2002222767A (ja) * | 2001-01-26 | 2002-08-09 | Seiko Epson Corp | 真空装置用治具の形成方法 |
DE10114698A1 (de) * | 2001-03-23 | 2002-09-26 | Heraeus Quarzglas | Bauteil aus Quarzglas sowie Verfahren zur Herstellung desselben |
US6596397B2 (en) * | 2001-04-06 | 2003-07-22 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Thermal spray particles and sprayed components |
US6902622B2 (en) * | 2001-04-12 | 2005-06-07 | Mattson Technology, Inc. | Systems and methods for epitaxially depositing films on a semiconductor substrate |
US6777045B2 (en) * | 2001-06-27 | 2004-08-17 | Applied Materials Inc. | Chamber components having textured surfaces and method of manufacture |
US20040173948A1 (en) * | 2002-09-19 | 2004-09-09 | Pandelisev Kiril A. | Process and apparatus for silicon boat, silicon tubing and other silicon based member fabrication |
EP1310466A3 (en) * | 2001-11-13 | 2003-10-22 | Tosoh Corporation | Quartz glass parts, ceramic parts and process of producing those |
US6863926B2 (en) * | 2002-01-15 | 2005-03-08 | David Mark Lynn | Corrosive-resistant coating over aluminum substrates for use in plasma deposition and etch environments |
US20080264564A1 (en) * | 2007-04-27 | 2008-10-30 | Applied Materials, Inc. | Method of reducing the erosion rate of semiconductor processing apparatus exposed to halogen-containing plasmas |
JP4099092B2 (ja) * | 2002-03-26 | 2008-06-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法、高速ロータリバルブ |
KR100913116B1 (ko) * | 2002-04-04 | 2009-08-19 | 토소가부시키가이샤 | 석영유리 용사부품 및 그 제조방법 |
US6814813B2 (en) * | 2002-04-24 | 2004-11-09 | Micron Technology, Inc. | Chemical vapor deposition apparatus |
JP2004014543A (ja) * | 2002-06-03 | 2004-01-15 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
US20040033361A1 (en) * | 2002-08-06 | 2004-02-19 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho(Kobe Steel, Ltd.) | Component of glass-like carbon for CVD apparatus and process for production thereof |
JP3887291B2 (ja) * | 2002-09-24 | 2007-02-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
US20040069223A1 (en) * | 2002-10-10 | 2004-04-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Wall liner and slot liner for process chamber |
US7338699B2 (en) * | 2002-10-31 | 2008-03-04 | Tosoh Corporation | Island projection-modified part, method for producing the same, and apparatus comprising the same |
US6835914B2 (en) * | 2002-11-05 | 2004-12-28 | Mattson Technology, Inc. | Apparatus and method for reducing stray light in substrate processing chambers |
TW200423195A (en) * | 2002-11-28 | 2004-11-01 | Tokyo Electron Ltd | Internal member of a plasma processing vessel |
KR100653861B1 (ko) * | 2002-11-29 | 2006-12-05 | 신에쯔 세끼에이 가부시키가이샤 | 합성 석영 유리의 제조 방법 및 합성 석영 유리체 |
US20040134427A1 (en) * | 2003-01-09 | 2004-07-15 | Derderian Garo J. | Deposition chamber surface enhancement and resulting deposition chambers |
JP4417023B2 (ja) * | 2003-04-18 | 2010-02-17 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 熱処理装置 |
JP4417017B2 (ja) * | 2003-02-27 | 2010-02-17 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 熱処理装置 |
US20070034159A1 (en) * | 2003-05-23 | 2007-02-15 | Mitsuaki Komino | Semiconductor manufacturing device and its heating unit |
US7250114B2 (en) * | 2003-05-30 | 2007-07-31 | Lam Research Corporation | Methods of finishing quartz glass surfaces and components made by the methods |
US7241345B2 (en) * | 2003-06-16 | 2007-07-10 | Applied Materials, Inc. | Cylinder for thermal processing chamber |
US7220497B2 (en) * | 2003-12-18 | 2007-05-22 | Lam Research Corporation | Yttria-coated ceramic components of semiconductor material processing apparatuses and methods of manufacturing the components |
US7275397B2 (en) * | 2004-05-21 | 2007-10-02 | Corning Incorporated | Method of molding a silica article |
DE102004052312A1 (de) * | 2004-08-23 | 2006-03-02 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Beschichtetes Bauteil aus Quarzglas sowie Verfahren zur Herstellung des Bauteils |
US7563512B2 (en) * | 2004-08-23 | 2009-07-21 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Component with a reflector layer and method for producing the same |
DE102005016732A1 (de) * | 2004-10-26 | 2006-10-12 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Bauteil mit einer Reflektorschicht |
ITMI20041677A1 (it) * | 2004-08-30 | 2004-11-30 | E T C Epitaxial Technology Ct | Processo di pulitura e processo operativo per un reattore cvd. |
US20060086458A1 (en) * | 2004-10-25 | 2006-04-27 | Kim Hong J | Ceramic materials in plasma tool environments |
US7789963B2 (en) * | 2005-02-25 | 2010-09-07 | Tokyo Electron Limited | Chuck pedestal shield |
US20060196023A1 (en) * | 2005-03-02 | 2006-09-07 | Min-Lyul Lee | Reduced cost process modules |
US7430986B2 (en) * | 2005-03-18 | 2008-10-07 | Lam Research Corporation | Plasma confinement ring assemblies having reduced polymer deposition characteristics |
KR100915722B1 (ko) * | 2005-06-23 | 2009-09-04 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 반도체 처리 장치용의 구성 부재 및 그 제조 방법, 및반도체 처리 장치 |
JP5017950B2 (ja) * | 2005-09-21 | 2012-09-05 | 株式会社Sumco | エピタキシャル成長装置の温度管理方法 |
US20070108161A1 (en) * | 2005-11-17 | 2007-05-17 | Applied Materials, Inc. | Chamber components with polymer coatings and methods of manufacture |
US7658802B2 (en) * | 2005-11-22 | 2010-02-09 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and a method for cleaning a dielectric film |
US7462845B2 (en) * | 2005-12-09 | 2008-12-09 | International Business Machines Corporation | Removable liners for charged particle beam systems |
JP4779644B2 (ja) * | 2005-12-27 | 2011-09-28 | 株式会社Sumco | エピタキシャル装置 |
US20070207267A1 (en) * | 2006-02-08 | 2007-09-06 | Laube David P | Disposable liners for etch chambers and etch chamber components |
JP2007281150A (ja) * | 2006-04-05 | 2007-10-25 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置 |
US20070267143A1 (en) * | 2006-05-16 | 2007-11-22 | Applied Materials, Inc. | In situ cleaning of CVD system exhaust |
KR100757347B1 (ko) * | 2006-08-30 | 2007-09-10 | 삼성전자주식회사 | 이온 주입 장치 |
US20080063798A1 (en) * | 2006-08-30 | 2008-03-13 | Kher Shreyas S | Precursors and hardware for cvd and ald |
DE102006046619A1 (de) * | 2006-09-29 | 2008-04-03 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Streichfähiger SiO2-Schlicker für die Herstellung von Quarzglas, Verfahren zur Herstellung von Quarzglas unter Einsatz des Schlickers |
US7976634B2 (en) * | 2006-11-21 | 2011-07-12 | Applied Materials, Inc. | Independent radiant gas preheating for precursor disassociation control and gas reaction kinetics in low temperature CVD systems |
JP5314429B2 (ja) * | 2006-12-05 | 2013-10-16 | 信越石英株式会社 | 合成不透明石英ガラス及びその製造方法 |
DE102006062166B4 (de) * | 2006-12-22 | 2009-05-14 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Quarzglas-Bauteil mit Reflektorschicht sowie Verfahren zur Herstellung desselben |
US20080173239A1 (en) * | 2007-01-24 | 2008-07-24 | Yuri Makarov | Method, system, and apparatus for the growth of SiC and related or similar material, by chemical vapor deposition, using precursors in modified cold-wall reactor |
US7967996B2 (en) * | 2007-01-30 | 2011-06-28 | Applied Materials, Inc. | Process for wafer backside polymer removal and wafer front side photoresist removal |
JP2008235830A (ja) * | 2007-03-23 | 2008-10-02 | Sumco Techxiv株式会社 | 気相成長装置 |
US7696117B2 (en) * | 2007-04-27 | 2010-04-13 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus which reduce the erosion rate of surfaces exposed to halogen-containing plasmas |
DE102007030698B4 (de) * | 2007-06-30 | 2009-06-10 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Verfahren zur Herstellung eines Verbundkörpers aus einem Basiskörper aus opakem Quarzglas und einer dichten Versiegelungsschicht sowie Verwendung des Verbundkörpers |
JP4476313B2 (ja) * | 2007-07-25 | 2010-06-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法、成膜装置、および記憶媒体 |
US20090084317A1 (en) * | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition chamber and components |
JP5229778B2 (ja) * | 2007-09-28 | 2013-07-03 | 株式会社Sumco | シリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボの製造方法 |
JP5048445B2 (ja) * | 2007-10-11 | 2012-10-17 | 信越石英株式会社 | 透明層付き黒色合成石英ガラス |
JP5541777B2 (ja) * | 2007-11-30 | 2014-07-09 | 株式会社Sumco | 石英ガラスルツボの製造方法および製造装置 |
JP4995068B2 (ja) * | 2007-12-28 | 2012-08-08 | ジャパンスーパークォーツ株式会社 | シリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボ |
JP5039076B2 (ja) * | 2008-03-24 | 2012-10-03 | 株式会社東芝 | エピタキシャルウェーハの製造装置及び製造方法 |
US8283607B2 (en) * | 2008-04-09 | 2012-10-09 | Applied Materials, Inc. | Apparatus including heating source reflective filter for pyrometry |
RU2370568C1 (ru) * | 2008-04-30 | 2009-10-20 | Открытое акционерное общество "Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "Гиредмет" | Способ изготовления кварцевых контейнеров |
WO2009155117A2 (en) * | 2008-05-30 | 2009-12-23 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for detecting the substrate temperature in a laser anneal system |
US9175388B2 (en) * | 2008-11-01 | 2015-11-03 | Ultratech, Inc. | Reaction chamber with removable liner |
US9017765B2 (en) * | 2008-11-12 | 2015-04-28 | Applied Materials, Inc. | Protective coatings resistant to reactive plasma processing |
US8512472B2 (en) * | 2008-11-13 | 2013-08-20 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus to enhance process gas temperature in a CVD reactor |
US8147137B2 (en) * | 2008-11-19 | 2012-04-03 | Applied Materials, Inc. | Pyrometry for substrate processing |
SG162642A1 (en) * | 2009-01-06 | 2010-07-29 | Frontken Singapore Pte Ltd | Techniques for maintaining a substrate processing system |
US20100193154A1 (en) * | 2009-01-28 | 2010-08-05 | Applied Materials, Inc. | Rapid cooling of a substrate by motion |
US9011600B2 (en) * | 2009-02-12 | 2015-04-21 | Griffith University | Chemical vapour deposition system and process |
JP5107285B2 (ja) * | 2009-03-04 | 2012-12-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置、成膜方法、プログラム、およびコンピュータ可読記憶媒体 |
JP4987029B2 (ja) * | 2009-04-02 | 2012-07-25 | ジャパンスーパークォーツ株式会社 | シリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボ |
DE102009049032B3 (de) * | 2009-10-10 | 2011-03-24 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Verfahren zur Herstellung eines beschichteten Bauteils aus Quarzglas |
JP5446760B2 (ja) * | 2009-11-16 | 2014-03-19 | 株式会社Sumco | エピタキシャル成長方法 |
EP2512625A4 (en) * | 2009-12-15 | 2013-12-11 | Restek Corp | INTERIOR INPUT COATINGS AND SAMPLE SAMPLING CONTAINERS IN GAS CHROMATOGRAPHY |
US8895457B2 (en) * | 2010-03-08 | 2014-11-25 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Method of manufacturing semiconductor device and substrate processing apparatus |
US20110226739A1 (en) * | 2010-03-19 | 2011-09-22 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Process chamber liner with apertures for particle containment |
US8455374B2 (en) * | 2010-05-06 | 2013-06-04 | Applied Materials, Inc. | Radiation heating efficiency by increasing optical absorption of a silicon containing material |
TWI502617B (zh) * | 2010-07-21 | 2015-10-01 | 應用材料股份有限公司 | 用於調整電偏斜的方法、電漿處理裝置與襯管組件 |
US9443753B2 (en) * | 2010-07-30 | 2016-09-13 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for controlling the flow of a gas in a process chamber |
JP5618409B2 (ja) * | 2010-12-01 | 2014-11-05 | 株式会社Sumco | シリカガラスルツボ |
WO2012128783A1 (en) * | 2011-03-22 | 2012-09-27 | Applied Materials, Inc. | Liner assembly for chemical vapor deposition chamber |
JP5702657B2 (ja) * | 2011-04-18 | 2015-04-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
TWI661746B (zh) * | 2011-10-05 | 2019-06-01 | 應用材料股份有限公司 | 電漿處理設備及其蓋組件(一) |
JP5772508B2 (ja) * | 2011-10-27 | 2015-09-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置及びその運用方法 |
US20130105085A1 (en) * | 2011-10-28 | 2013-05-02 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor with chamber wall temperature control |
CN104114976B (zh) * | 2011-12-27 | 2017-08-04 | 株式会社Sumco | 氧化硅玻璃坩埚的三维形状测量方法、单晶硅的制造方法 |
US8486798B1 (en) * | 2012-02-05 | 2013-07-16 | Tokyo Electron Limited | Variable capacitance chamber component incorporating a semiconductor junction and methods of manufacturing and using thereof |
KR101402236B1 (ko) * | 2012-05-25 | 2014-06-02 | 국제엘렉트릭코리아 주식회사 | 노즐 유닛 및 그 노즐 유닛을 갖는 기판 처리 설비 |
DE102012012524B3 (de) * | 2012-06-26 | 2013-07-18 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Verfahren zur Herstellung eines dotierten SiO2-Schlickers sowie Verwendung des SiO2-Schlickers |
US9343289B2 (en) * | 2012-07-27 | 2016-05-17 | Applied Materials, Inc. | Chemistry compatible coating material for advanced device on-wafer particle performance |
US9051203B2 (en) * | 2012-09-13 | 2015-06-09 | Shin-Etsu Quartz Products Co., Ltd. | Black synthetic quartz glass with transparent layer and method for producing the same |
SG10201709699RA (en) * | 2013-05-23 | 2017-12-28 | Applied Materials Inc | A coated liner assembly for a semiconductor processing chamber |
US9385004B2 (en) * | 2013-08-15 | 2016-07-05 | Applied Materials, Inc. | Support cylinder for thermal processing chamber |
-
2014
- 2014-04-08 SG SG10201709699RA patent/SG10201709699RA/en unknown
- 2014-04-08 CN CN201480026803.2A patent/CN105210173A/zh active Pending
- 2014-04-08 CN CN202010676248.5A patent/CN111952149A/zh active Pending
- 2014-04-08 SG SG11201508512PA patent/SG11201508512PA/en unknown
- 2014-04-08 KR KR1020157036420A patent/KR102202406B1/ko active IP Right Grant
- 2014-04-08 JP JP2016515330A patent/JP6457498B2/ja active Active
- 2014-04-08 WO PCT/US2014/033362 patent/WO2014189622A1/en active Application Filing
- 2014-05-01 TW TW108124644A patent/TWI745717B/zh active
- 2014-05-01 TW TW103115726A patent/TWI694493B/zh active
- 2014-05-01 TW TW110139035A patent/TWI782760B/zh active
- 2014-05-01 TW TW111136972A patent/TWI805498B/zh active
- 2014-05-07 US US14/272,428 patent/US20140345525A1/en not_active Abandoned
- 2014-05-22 US US14/284,570 patent/US20140345526A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4624735A (en) * | 1979-07-09 | 1986-11-25 | Toshiba Ceramics Co., Ltd. | Constituent members of a semiconductor element-manufacturing apparatus and a reaction furnace for making said constituent members |
JPH01220435A (ja) * | 1988-02-29 | 1989-09-04 | Tel Sagami Ltd | 気相成長炉及び処理方法 |
KR20000023849A (ko) * | 1997-05-16 | 2000-04-25 | 조셉 제이. 스위니 | 알 티 피 챔버용 자기 부양 로터 시스템 |
US6301434B1 (en) * | 1998-03-23 | 2001-10-09 | Mattson Technology, Inc. | Apparatus and method for CVD and thermal processing of semiconductor substrates |
KR100797424B1 (ko) * | 1999-12-22 | 2008-01-23 | 램 리써치 코포레이션 | 반도체 공정 설비 |
KR101024514B1 (ko) * | 2002-03-21 | 2011-03-31 | 램 리써치 코포레이션 | 반도체 공정 장치의 저오염 구성부품 및 구성부품의 제조 방법 |
KR100582934B1 (ko) * | 2003-02-27 | 2006-05-23 | 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 | 광조사에 의한 열 처리 장치 |
KR20070054686A (ko) * | 2004-08-23 | 2007-05-29 | 헤래우스 크바르츠글라스 게엠베하 & 컴파니 케이지 | 반사체 레이어를 가지는 구성 요소 및 그 제조 방법 |
US20080118663A1 (en) * | 2006-10-12 | 2008-05-22 | Applied Materials, Inc. | Contamination reducing liner for inductively coupled chamber |
KR20080081823A (ko) * | 2007-03-05 | 2008-09-10 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 복사 가열을 이용한 마이크로배치 증착 챔버 |
KR20100048836A (ko) * | 2008-10-31 | 2010-05-11 | 쟈판 스파 쿼츠 가부시키가이샤 | 다층 구조를 갖는 석영 유리 도가니 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190123803A (ko) * | 2017-05-18 | 2019-11-01 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 개선된 열 균일성을 갖는 열 챔버 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20140345525A1 (en) | 2014-11-27 |
TW202004856A (zh) | 2020-01-16 |
TW201501180A (zh) | 2015-01-01 |
WO2014189622A1 (en) | 2014-11-27 |
TWI745717B (zh) | 2021-11-11 |
TW202207286A (zh) | 2022-02-16 |
SG10201709699RA (en) | 2017-12-28 |
KR102202406B1 (ko) | 2021-01-13 |
CN111952149A (zh) | 2020-11-17 |
US20140345526A1 (en) | 2014-11-27 |
SG11201508512PA (en) | 2015-12-30 |
TWI694493B (zh) | 2020-05-21 |
JP2016526297A (ja) | 2016-09-01 |
JP6457498B2 (ja) | 2019-01-23 |
TWI782760B (zh) | 2022-11-01 |
CN105210173A (zh) | 2015-12-30 |
TWI805498B (zh) | 2023-06-11 |
TW202307930A (zh) | 2023-02-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102202406B1 (ko) | 반도체 처리 챔버를 위한 코팅된 라이너 어셈블리 | |
US9842748B2 (en) | Flow controlled liner having spatially distributed gas passages | |
US10077508B2 (en) | Multizone control of lamps in a conical lamphead using pyrometers | |
US8888360B2 (en) | Methods and systems for in-situ pyrometer calibration | |
US11337277B2 (en) | Circular lamp arrays | |
US20150037019A1 (en) | Susceptor support shaft and kinematic mount |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
AMND | Amendment | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
X091 | Application refused [patent] | ||
AMND | Amendment | ||
X701 | Decision to grant (after re-examination) | ||
GRNT | Written decision to grant |