KR20150131217A - Gan-기반 광전자 및 전자 장치를 위한 산소 제어된 pvd aln 버퍼 - Google Patents
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- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 52
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 49
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 title claims abstract description 49
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 title claims abstract description 14
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 114
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 111
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 84
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 77
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 84
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 55
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 41
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 35
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 26
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 16
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 238000013461 design Methods 0.000 claims description 9
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 5
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 3
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 claims description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910010093 LiAlO Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 130
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 105
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 105
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 21
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 21
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 20
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 19
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 12
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 12
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 12
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 4
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 4
- -1 e.g. Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 3
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 3
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 3
- 230000003044 adaptive effect Effects 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- WYEMLYFITZORAB-UHFFFAOYSA-N boscalid Chemical compound C1=CC(Cl)=CC=C1C1=CC=CC=C1NC(=O)C1=CC=CN=C1Cl WYEMLYFITZORAB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 2
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 208000032750 Device leakage Diseases 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WYTGDNHDOZPMIW-RCBQFDQVSA-N alstonine Natural products C1=CC2=C3C=CC=CC3=NC2=C2N1C[C@H]1[C@H](C)OC=C(C(=O)OC)[C@H]1C2 WYTGDNHDOZPMIW-RCBQFDQVSA-N 0.000 description 1
- RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N aluminum gallium Chemical compound [Al].[Ga] RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000013626 chemical specie Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001534 heteroepitaxy Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- YQNQTEBHHUSESQ-UHFFFAOYSA-N lithium aluminate Chemical compound [Li+].[O-][Al]=O YQNQTEBHHUSESQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 230000000877 morphologic effect Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000004321 preservation Methods 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L33/12—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a stress relaxation structure, e.g. buffer layer
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Abstract
GaN-기반 광전자 및 전자 장치를 위한 산소 제어된 PVD AlN 버퍼가 개시된다. 산소-제어된 방식으로 GaN-기반 광전자 및 전자 장치를 위한 PVD AlN 버퍼를 형성시키는 방법이 또한 개시된다. 예로서, GaN-기반 광전자 또는 전자 장치를 위한 알루미늄 니트라이드(AlN) 버퍼 층을 형성시키는 방법은 기판 상에 AlN 층을 반응성 스퍼터링시킴을 포함하고, 반응성 스퍼터링은 질소-함유 가스 또는 질소-함유 가스를 기반으로 한 플라즈마와 물리 기상 증착(PVD) 챔버에 수용된 알루미늄-함유 타겟을 반응시킴을 포함한다. 이러한 방법은 산소를 AlN 층에 도입함을 추가로 포함한다.
Description
관련 출원에 대한 상호-참조
본 출원은 2013년 3월 14일자 출원된 미국 가출원 제61/785,128호의 우선권을 주장하고, 상기 출원의 전체는 본원에 참조로 포함된다.
1) 분야
본 발명의 구체예는 III족-니트라이드 물질 분야, 특히, 물리 기상 증착(physical vapor deposition: PVD) 형성된 알루미늄 니트라이드 버퍼 층을 지니는 갈륨 니트라이드-기반 광전자 또는 전자 장치의 제조에 관한 것이다.
2) 관련 기술의 설명
III-V족 물질은 반도체 및 발광 다이오드(light-emitting diode: LED)와 같은 관련 산업에서 점점 더 중요한 역할을 하고 있다. 흔히, III-V족 물질은 결함 또는 균열의 형성 없이 상이한 기판 상에서 성장하거나 증착시키는 것(헤테로에피택시(heteroepitaxy)로 알려짐)이 어렵다. 예를 들어, 선택된 필름, 예를 들어, 갈륨 니트라이드 필름의 고품질의 표면 보존은 순차적으로 형성된 물질 층들의 스택을 사용하는 다수 적용에서는 간단하지 않다. 한 가지 방법은 기판과 장치 층 사이에 하나 이상의 버퍼 층을 포함하는 것이었다. 그러나, III-V족 물질은 흔히 공정 조건에 민감하고 제조 공정의 특정 기간에서 그러한 조건을 피하도록 주의해야 한다. 그러나, 잠재적인 손상 조건과 민감성 III-V족 필름의 상호작용을 피하는 것이 또한 다수 적용에서는 간단하지 않다.
본 발명의 하나 이상의 구체예는 물리 기상 증착 (PVD)-형성된 알루미늄 니트라이드 버퍼 층에 관한 것이다.
한 가지 구체예에서, GaN-기반 광전자 또는 전자 장치를 위한 알루미늄 니트라이드(aluminum nitride: AlN) 버퍼 층을 형성시키는 방법은 기판 상에 AlN 층을 반응성 스퍼터링(reactive sputtering)시킴을 포함하고, 상기 반응성 스퍼터링은 물리 기상 증착(PVD) 챔버에 수용된 알루미늄-함유 타겟을 질소-함유 가스 또는 질소-함유 가스를 기반으로 한 플라즈마와 반응시킴을 포함한다. 이러한 방법은 추가로 AlN 층에 산소를 도입함을 포함한다.
또 다른 구체예에서, GaN-기반 광전자 또는 전자 장치를 위한 물질 스택은 기판, 및 기판 상에 배치되는 알루미늄 니트라이드(AlN) 버퍼 층을 포함한다. AlN 층은 약 1E18 내지 1E23 cm-3 범위의 산소 농도를 지닌다.
또 다른 구체예에서, 발광 다이오드(LED) 장치는 기판, 및 기판 상에 배치되는 알루미늄 니트라이드(AlN) 버퍼 층을 포함한다. AlN 층은 약 1E18 내지 1E23 cm-3 범위의 산소 농도를 지닌다.
또 다른 구체예에서, GaN-기반 전자 장치는 기판, 및 기판 상에 배치되는 알루미늄 니트라이드(AlN) 버퍼 층을 포함한다. AlN 층은 약 1E18 내지 1E23 cm-3 범위의 산소 농도를 포함한다.
또 다른 구체예에서, GaN-기반 광전자 또는 전자 장치를 위한 알루미늄 니트라이드(AlN) 버퍼 층을 형성시키기 위한 챔버는 1E-7 torr 또는 그 미만의 높은 기저 진공 및 고온에서의 낮은 증가 속도를 가능하게 하는 펌핑 시스템 및 챔버 냉각 설계를 포함한다. 챔버는 또한 웨이퍼 내에서 그리고 이들 사이에서 캐리어 전체에 걸친 AlN 필름의 일관된 타겟 부식 및 균일한 증착을 가능하게 하도록 구성된 정단면 부식 마그네트론 캐소드를 포함한다. 챔버는 또한 균일한 AlN 조성을 위해 챔버 내에서 O-함유 가스를 포함한 공정 가스의 균일한 분배를 가능하게 하도록 구성된 프로세스 키트(process kit) 및 가스 흐름 설계를 포함한다.
도 1은 본 발명의 하나 이상의 구체예에 따른 벤치마크 클러스터 툴 개략도, 벤치마크 LED 구조물, 및 벤치마크 시간-대-증착 플롯을 도시한 것이다.
도 2a는 본 발명의 한 가지 구체예에 따른 클러스터 툴 개략도 및 LED 구조물 제작을 위한 상응하는 온도 대 시간 플롯을 도시한 것이다.
도 2b는 본 발명의 한 가지 구체예에 따른 발광 다이오드(LED) 구조물 및 상응하는 시간-대-증착 플롯을 도시한 것이다.
도 3a-3c는 본 발명의 한 가지 구체예에 따른 PVD 챔버를 위한 프로세스 키트의 횡단면도를 도시한 것이다.
도 3d는 본 발명의 한 가지 구체예에 따른 PVD 챔버를 위한 전력 전달 공급원의 횡단면도를 도시한 것이다.
도 4는 본 발명의 한 가지 구체예에 따른 III족-니트라이드 물질의 제조에 적합한 MOCVD 챔버의 개략적 횡단면도이다.
도 5는 본 발명의 한 가지 구체예에 따른 III족-니트라이드 물질의 제조에 적합한 HVPE 챔버의 개략적 횡단면도이다.
도 6은 본 발명의 한 가지 구체예에 따른 예시적인 컴퓨터 시스템의 블록 다이어그램을 도시한 것이다.
도 2a는 본 발명의 한 가지 구체예에 따른 클러스터 툴 개략도 및 LED 구조물 제작을 위한 상응하는 온도 대 시간 플롯을 도시한 것이다.
도 2b는 본 발명의 한 가지 구체예에 따른 발광 다이오드(LED) 구조물 및 상응하는 시간-대-증착 플롯을 도시한 것이다.
도 3a-3c는 본 발명의 한 가지 구체예에 따른 PVD 챔버를 위한 프로세스 키트의 횡단면도를 도시한 것이다.
도 3d는 본 발명의 한 가지 구체예에 따른 PVD 챔버를 위한 전력 전달 공급원의 횡단면도를 도시한 것이다.
도 4는 본 발명의 한 가지 구체예에 따른 III족-니트라이드 물질의 제조에 적합한 MOCVD 챔버의 개략적 횡단면도이다.
도 5는 본 발명의 한 가지 구체예에 따른 III족-니트라이드 물질의 제조에 적합한 HVPE 챔버의 개략적 횡단면도이다.
도 6은 본 발명의 한 가지 구체예에 따른 예시적인 컴퓨터 시스템의 블록 다이어그램을 도시한 것이다.
물리 기상 증착(PVD) 형성된 알루미늄 니트라이드(AlN) 버퍼 층으로 갈륨 니트라이드-기반 광전자 또는 전자 장치를 제조하는 것이 기술된다. 하기 설명에서, 본 발명의 구체예들의 철저한 이해를 제공하기 위해 다수의 특정 세부 사항들, 예컨대, 공정 챔버 구성 및 물질 체계가 기술된다. 본 발명의 구체예들은 이러한 특정 세부 사항들 없이 실시될 수 있음이 당업자에게 명백할 것이다. 다른 예시들에서, 특정 다이오드 구성과 같은 잘 알려진 양태들은 본 발명의 구체예들을 불필요하게 모호하지 않게 하기 위해 상세하게 기재되지 않는다. 또한, 도면들에 나타나 있는 다양한 구체예들은 예시적인 도면들이며, 반드시 축적에 따라 도시되지 않음을 이해해야 한다. 추가로, 다른 배열 및 구성이 본원의 구체예에 명확하게 개시되지 않을 수 있지만, 본 발명의 사상 및 범위 내에서 또한 고려된다.
하나 이상의 구체예는 갈륨 니트라이드 (GaN)-기반 광전자 및 전자 장치를 위한 산소-제어된 물리 기상 증착(PVD) 기반 알루미늄 니트라이드(AlN) 버퍼 층에 관한 것이다. 구체예는 또한 PVD AlN 필름 상에 층을 형성시키는데 사용되는 금속 유기 화학 기상 증착(metal organic chemical vapor deposition: MOCVD) 공정을 포함할 수 있다. 구체예는 발광 다이오드(LED) 또는 전력 장치에 관한 것일 수 있다. 하나 이상의 구체예에 상응하는 특징부는 사파이어 기판, 패턴화된 사파이어 기판, Si 기판, XRD, 웨이퍼 휨(wafer bowing), 필름 응력, 및 전위를 포함할 수 있거나 필요로 할 수 있다.
PVD AlN은 사파이어 또는 규소 기판과 같은 상이한 기판 상에서 GaN-기반 LED 및 전력 장치를 위한 버퍼 층으로서 사용될 수 있다. PVD AlN 층의 사용은 AlN 버퍼의 상부 상에서 성장된 갈륨 니트라이드 (GaN) 층의 물질 품질을 개선시킬 수 있다. 개선된 GaN은 개선된 장치 성능(예, 밝기, IQE, 장치 누설 및 LED의 경우에 ESD, 및 전력 장치의 경우에 더 높은 항복 전압)뿐만 아니라 재현성을 달성하는데 사용될 수 있다.
문맥을 알도록 제공하기 위해, 사파이어 기판 상의 GaN의 전형적인 MOCVD 성장에서, PVD AlN 버퍼의 사용은 베이킹(baking) 전 기판의 작업, 저온 GaN 버퍼 및 큰 온도 증가 부분을 막고, 빠른 성장 및 더 얇은 장치 층을 가능하게 할 수 있다. 가공 시간은 모두 합쳐서 사이클 시간을 1 내지 3시간까지 절약함으로써 단축될 수 있다. AlN 층이 규소 기판을 갈륨 공격으로부터 보호할 필요가 있는 규소 상의 GaN의 성장의 경우, PVD AlN은 에피택셜 공정과 챔버 세정 시간을 합쳐서 약 3 내지 6시간을 절약할 수 있다. 그러한 공정 시간 단축은 시스템 처리량을 크게 향상시킬 수 있다. 따라서, 본 발명의 구체예에 따르면, PVD AlN의 결정 품질은 이의 상부 상에서 성장된 GAN의 물질 품질에 직접적으로 영향을 미친다.
따라서, 본원에 기재된 바와 같이, 본 발명의 하나 이상의 구체예는 우수한 GaN 특성을 반복가능하게 야기하는 AlN 버퍼 층을 달성하는 공정 세부 사항, 시스템, 챔버 및 하드웨어 구성을 제공한다.
더욱 특히, 본원에 기재된 본 발명의 구체예는 화학적 결합, 결정 구조, 그레인 크기 및 모양, 및/또는 AlN/기판 인터페이스의 형태, AlN 벌크 필름 및 AlN 표면을 포함한 특성을 개질시키기 위하여 AlN 증착 전에, 그 동안에, 또는 그 후에 산소-함유 가스의 도입을 통해 산소로 AlN 층을 도핑함을 포함한다. 한 가지 그러한 구체예에서, 산소 농도뿐만 아니라 상응하는 PVD 챔버로의 산소 운반체 도입의 시간 및 기간(예를 들어, AlN 형성을 위한)은 그 위에 증착되는 후속적으로 형성된 GaN 층의 품질에 영향을 준다.
한 가지 구체예에서, 적용되는 변수는 출발 기판이 평면인지 패턴화되었는지(예를 들어, 사파이어의 경우에)의 여부에 좌우하여 달라진다. 산소 농도, 유량, 도입 시간, 및 다른 파라미터(예, 온도, 두께 등)가 최적화되는 경우, 매우 고품질의 AlN 필름의 성장이 가능하다. 예를 들어, 특정 구체예에서, < 15 arcsec의 XRD (002) FWHM 및 < 2 nm(제곱 평균)의 표면 거칠기를 지니는 AlN 필름이 증착될 수 있다. 그 결과, 특정 구체예에서, 그러한 버퍼 층을 지니는 상이한 기판 상의 GaN 성장은 훨씬 감소된 전위 밀도 및 더 협소한 XRD FWHM(예, (002) < 100 arcsec, (102) < 150 arcsec)을 지닌다. 특정 구체예에서, 전위 밀도는 약 5E8 결함/cm2 미만이다. 한 가지 구체예에서, (002)에 대한 XRD FWHM은 약 50-250 arcsec의 범위이다. 한 가지 구체예에서, (102)에 대한 XRD FWHM은 약 70-250 arcsec의 범위이다. 본 발명의 구체예는 또한 높은 증착 속도를 가능하게 하는 최적화된 하드웨어, AlN 인터페이스의 균일한 개질을 가능하게 하는 온도 및 가스 조성의 높은 정밀 제어, 및 웨이퍼 내에서 그리고 웨이퍼 사이에서 달성되는 동일한 고품질의 GaN을 보장하는 벌크 및 표면 특성에 관한 것이다.
LED 또는 전력 장치의 제조 방법은 기판과 비-도핑된 및/또는 도핑된 갈륨 니트라이드의 장치 층 사이에 갈륨 니트라이드의 버퍼 층을 형성시킴을 포함할 수 있다. 본원에 기재된 구체예에서, 알루미늄 니트라이드 버퍼 층이 기판과 비-도핑된 및 도핑된 갈륨 니트라이드의 장치 층 사이에 그러한 갈륨 니트라이드 버퍼 층 대신에 사용된다. 알루미늄 니트라이드 층은 PVD 공정에서 스퍼터 증착에 의해 형성될 수 있다. 이는 전형적으로 금속-유기 기상 증착(MOCVD) 챔버, 분자선 에피택시(molecular beam epitaxy: MBE) 챔버, 또는 하이드라이드 기상 에피택시(hydride vapor phase epitaxy: HVPE) 챔버에서 형성되는 III족-니트라이드 버퍼 층의 전형적인 제조와 상이하다. 알루미늄 니트라이드 층은 PVD 챔버에 수용된 알루미늄 니트라이드 타겟으로부터 비-반응성 스퍼터링에 의해 형성될 수 있거나, 대안적으로, PVD 챔버에서 수용되고 질소-함유 가스 또는 질소-함유 가스를 기반으로 한 플라즈마와 반응되는 알루미늄 타겟으로부터 반응성 스퍼터링에 의해 형성될 수 있다.
하나 이상의 구체예에 따르면, GaN-기반 장치를 위한 PVD AlN 버퍼 층에 대한 공정 조건이 본원에 기재된다. 본원에 기재된 구체예들 중 하나 이상은 LED 또는 전력 장치 제조에 사용되는 다중-챔버 제조 툴에서 더 높은 처리량을 가능하게 할 수 있다. 또한, 갈륨 니트라이드 버퍼 층 대신에 PVD-형성된 알루미늄 니트라이드 층을 포함함으로써, 비-도핑된 및 도핑된 갈륨 니트라이드의 장치 층이 전체적으로 얇아질 수 있다. 특정 예에서, 비-도핑된 부분은 얇아지거나 완전히 제거될 수 있다. 게다가, 수용 기판, 예컨대, 사파이어 기판의 예비 스퍼터 세정은 알루미늄 니트라이드 층을 증착시키는데 사용되는 것과 동일한 PVD 증착 챔버에서 수행될 수 있다. 추가로, LED 또는 전력 장치 제조의 전체 열 예산(thermal budget)이 절감될 수 있는데, 그 이유는 PVD 알루미늄 니트라이드 층이 300 섭씨 온도 미만의 온도에서 형성될 수 있기 때문이다. 대조적으로, 전형적인 갈륨 니트라이드 또는 알루미늄 니트라이드 MOCVD 버퍼 층은 500-600 섭씨 온도에서 형성된다. 본원에 기재된 구체예들 중 하나 이상은 비-도핑된 및/또는 n-형 도핑된 갈륨 니트라이드와 같은 물질의 경우에 더 빠른 증착 속도, 예를 들어, 성장 속도의 2배를 가능하게 할 수 있다. 일부 구체예에서 비-도핑된 및/또는 n-형 도핑된 갈륨 니트라이드 층이 알루미늄 니트라이드(AlN) 버퍼 층 상에서 형성되는데 이것이 그 위에 비-도핑된 및/또는 n-형 도핑된 갈륨 니트라이드 층을 성장시키기 위한 개선된 결정 배향 및 형태학적 관계를 제공할 수 있기 때문에 더 빠른 속도가 달성될 수 있다. 본원에 기재된 구체예들 중 하나 이상은 PVD-형성된 알루미늄 니트라이드 버퍼 층 상에 갈륨 니트라이드를 형성시킴으로써 갈륨 니트라이드 결정의 품질의 개선을 가능하게 할 수 있다.
본 발명의 구체예는 현재 개시되어 있는 시스템 및 형태의 연구 동안 개발된 벤치마크 시스템 또는 형태에 비해서 개선을 제공할 수 있다. 예를 들어, 도 1은 본 발명의 하나 이상의 구체예에 따른 벤치마크 클러스터 툴 개략도, 벤치마크 LED 구조물, 및 벤치마크 시간-대-증착 플롯을 도시한 것이다.
도 1을 참조하면, 벤치마크 클러스터 툴(100)은 비-도핑된 및/또는 n-형 갈륨 니트라이드 MOCVD 반응 챔버(102) (MOCVD1: u-GaN/n-GaN), 다중 양자 우물(multiple quantum well: MQW) MOCVD 반응 챔버(104) (MOCVD2: MQW), 및 p-형 갈륨 니트라이드 MOCVD 반응 챔버(106) (MOCVD3: p-GaN)를 포함한다. 벤치마크 클러스터 툴(100)은 로드 락(108), 캐리어 카세트(110), 및 대량 적용을 위한 임의의 추가 비-도핑된 및/또는 n-형 갈륨 니트라이드 MOCVD 반응 챔버(112)를 포함할 수 있고, 이들 모두는 도 1에 도시되어 있다.
벤치마크 LED 구조물(120)은 다양한 물질 층의 스택을 포함하고, 이들 다수는 III-V족 물질을 포함한다. 예를 들어, 벤치마크 LED 구조물(120)은 규소 또는 사파이어 기판(122)(기판: 사파이어, Si), 20 나노미터 두께의 버퍼 층(124) (LT 버퍼), 및 약 4마이크론 두께의 비-도핑된/n-형 갈륨 니트라이드 조합 층(126)(u-GaN/n-GaN)을 포함한다. 버퍼 층(124)은 비교적 낮은 가공 온도에서 형성된 갈륨 니트라이드 층일 수 있다. 버퍼 층(124) 및 비-도핑된/n-형 갈륨 니트라이드 조합 층(126)은 벤치마크 클러스터 툴(100)의 비-도핑된 및/또는 n-형 갈륨 니트라이드 MOCVD 반응 챔버(102)에서 형성된다. 벤치마크 LED 구조물(120)은 또한 30 - 500 나노미터 범위의 두께를 지니는 MQW 구조물(128)을 포함한다. MQW 구조물(128)은 벤치마크 클러스터 툴(100)의 MQW MOCVD 반응 챔버(104)에서 형성된다. 벤치마크 LED 구조물(120)은 또한 약 20 나노미터 두께의 p-형 갈륨 알루미늄 니트라이드 층(130) (p-AlGaN) 및 50 - 200 나노미터 범위의 두께를 지니는 p-형 갈륨 니트라이드 층(132) (p-GaN)을 포함한다. p-형 갈륨 알루미늄 니트라이드 층(130) 및 p-형 갈륨 니트라이드 층(132)은 벤치마크 클러스터 툴(100)의 p-형 갈륨 니트라이드 MOCVD 반응 챔버(106)에서 형성된다.
벤치마크 시간-대-증착 플롯(140)은 벤치마크 클러스터 툴(100)에서 챔버 사용을 나타낸다. MQW MOCVD 반응 챔버(104)에서 MQW 구조물(128)의 형성은 약 2시간의 성장 시간을 지닌다. 그리고, p-형 갈륨 니트라이드 MOCVD 반응 챔버(106)에서 p-형 갈륨 알루미늄 니트라이드 층(130) 및 p-형 갈륨 니트라이드 층(132)의 형성은 약 1시간의 성장 시간을 지닌다. 한 편, 비-도핑된 및/또는 n-형 갈륨 니트라이드 MOCVD 반응 챔버(102)에서 버퍼 층(124) 및 비-도핑된/n-형 갈륨 니트라이드 조합 층(126)의 형성은 약 3.5시간의 성장 시간을 지닌다. 챔버(102)의 챔버 세정에는 추가 약 1시간이 필요할 수 있다. 따라서, 벤치마크 클러스터 툴(100)에서 벤치마크 LED 구조물(120)을 제조하기 위한 전체 사이클 시간은 비-도핑된 및/또는 n-형 갈륨 니트라이드 MOCVD 반응 챔버(102)의 사이클 시간에 좌우되고, 이는 약 4.5시간이다. 세정 시간은 세정 시간 및 회복 시간과 함께 정지(shut-down)를 위한 시간을 반드시는 아니지만 포함할 수 있음을 이해해야 한다. 또한, 세정은 모든 챔버의 사용 간에 수행될 수 없을 수 있으므로 상기는 평균을 나타낸다는 것을 이해해야 한다.
도 1과 관련하여 기재된 바와 같이, 비-도핑된 및/또는 n-형 갈륨 니트라이드 MOCVD 반응 챔버(102)에서 버퍼 층(124) 및 비-도핑된/n-형 갈륨 니트라이드 조합 층(126)의 형성에 특이적인 LED 물질 증착을 위한 벤치마크 시간 순서가 이하에서 제공된다. 예를 들어, 약 3.5시간의 성장 시간은 사파이어 기판의 10분의 고온 처리, 버퍼 층의 5분의 저온 형성, 10분의 버퍼 어닐링 작업, 30분의 성장 회복 작업, 2시간의 비-도핑된/n-형 갈륨 니트라이드 조합 층 형성 작업, 및 30분의 온도 증가율 및 안정화 작업(예, 온도 증가율 2-3℃/s)으로 나뉘어 진다.
도 1과 관련하여 기재된 벤치마크 시스템 및 방법을 참조하면, 벤치마크 방법은 LED의 각각의 기능 층을 위한 불균형 시간 흐름을 초래할 수 있다. 예를 들어, 비-도핑된 및/또는 n-형 갈륨 니트라이드 MOCVD 반응 챔버(102)에서 버퍼 층(124) 및 비-도핑된/n-형 갈륨 니트라이드 조합 층(126)의 형성은 3.5시간이고, MQW MOCVD 반응 챔버(104)에서 MQW 구조물(128)의 형성은 2시간이고, p-형 갈륨 니트라이드 MOCVD 반응 챔버(106)에서 p-형 갈륨 알루미늄 니트라이드 층(130) 및 p-형 갈륨 니트라이드 층(132)의 형성은 1시간이다. 게다가, 상기 언급된 바와 같이, 비-도핑된 및/또는 n-형 갈륨 니트라이드 MOCVD 반응 챔버(102)에서의 작업 사이에는 추가 약 1시간의 챔버 세정(아마도 펌프-다운 시간 포함)이 필요할 수 있다. 그러한 추가 챔버 세정은 기판 오염을 막기 위해 필요할 수 있다. 따라서, 3개의 MOCVD 챔버를 지니는 구조물(120)의 점진적 성장은 MQW MOCVD 반응 챔버(104) 및 p-형 갈륨 니트라이드 MOCVD 반응 챔버(106)에 대하여 상당한 유휴 시간을 야기하여 시스템(100)의 전체 처리량을 감소시킨다.
본 발명의 한 가지 양태에서, LED 또는 전력 장치 구조물을 제조하기 위한 클러스터 시스템의 처리량은 상기 기재된 MOCVD 물질 성장 기능 또는 작업 중 하나 또는 이의 일부를 PVD 스퍼터링 증착 기능 또는 작업으로 대체함으로써 개선될 수 있다. 예를 들어, 도 2a는 본 발명의 한 가지 구체예에 따른 LED 구조물 제조에 대한 클러스터 툴 개략도 및 상응하는 온도 대 시간 플롯을 도시한 것이다. 도 2b는 본 발명의 한 가지 구체예에 따른 LED 구조물 및 상응하는 시간-대-증착 플롯을 도시한 것이다.
도 2a를 참조하면, 클러스터 툴(200)은 PVD 알루미늄 니트라이드 스퍼터 챔버(202) (PVD AlN), 비-도핑된 및/또는 n-형 갈륨 니트라이드 MOCVD 반응 챔버(204) (MOCVD1: u-GaN/n-GaN), 다중 양자 우물(MQW) MOCVD 반응 챔버(206) (MOCVD2: MQW), 및 p-형 갈륨 니트라이드 MOCVD 반응 챔버(208) (MOCVD3: p-GaN)를 포함한다. 클러스터 툴(200)은 또한 로드 락(210), 캐리어 카세트(212), 및 이송 챔버(214)를 포함할 수 있고, 이들 모두는 도 2a에 도시되어 있다.
따라서, 본 발명의 한 가지 구체예에 따르면, 다중-챔버 시스템은 금속 또는 화합물 알루미늄의 타겟을 지니는 PVD 챔버, 및 비-도핑된 및/또는 n-형 갈륨 니트라이드 를 증착시키도록 구성된 챔버 또는 이 둘 모두를 포함한다. 한 가지 구체예에서, PVD 챔버의 타겟은 알루미늄 니트라이드로 구성된다. 그러한 구체예에서, 반응성 스퍼터링은 이용될 필요가 없는데, 그 이유는 타겟이 증착에 요망되는 물질과 동일한 물질로 구성되기 때문이다. 그러나, 대안적인 구체예에서, 알루미늄으로 구성된 타겟이 사용되고, 알루미늄 니트라이드는 질소 공급원에 의해서 또는 질소 공급원의 존재 하에서 알루미늄 타겟으로부터 반응성으로 스퍼터링된다. 한 가지 구체예에서, 비-도핑된 또는 n-형 갈륨 니트라이드를 증착시키도록 구성된 챔버는 도 2a에 도시된 바와 같은 MOCVD 챔버이다. 그러나, 대안적인 구체예에서, 비-도핑된 또는 n-형 갈륨 니트라이드를 증착시키도록 구성된 챔버는 하이드라이드 기상 에피택시(HVPE) 챔버이다. 한 가지 구체예에서, PVD 챔버 및 비-도핑된 또는 n-형 도핑된 갈륨 니트라이드를 증착시키도록 구성된 챔버는 도 2a에 도시된 바와 같이 클러스터 툴 배열에 포함된다. 그러나, 대안적인 구체예에서, PVD 챔버 및 비-도핑된 또는 n-형 갈륨 니트라이드를 증착시키도록 구성된 챔버가 인-라인 툴 배열에 포함된다. 본원에 기재된 바와 같이, PVD를 기반으로 한 증착 공정은 표준 실온과 비슷한 온도에서 수행될 수 있거나, 더 높은 온도에서 수행될 수 있다.
도 2b를 참조하면, LED 구조물(220)은, 다수가 III-V족 물질을 포함하는 다양한 물질 층의 스택을 포함한다. 예를 들어, LED 구조물(220)은 약 10 - 200 나노미터 범위의 두께를 지니는 알루미늄 니트라이드 층(224)(AlN) 및 규소 또는 사파이어 기판(222)(기판: 사파이어, Si)을 포함한다. 알루미늄 니트라이드 층(224)은 클러스터 툴(200)의 PVD 알루미늄 니트라이드 스퍼터 챔버(202)에서 스퍼터 증착에 의해 형성된다. LED 구조물(220)은 또한 약 4 마이크론 두께의 비-도핑된/n-형 갈륨 니트라이드 조합 또는 n-형 갈륨 니트라이드-단독 층(226) (n-GaN)을 포함한다. 비-도핑된/n-형 갈륨 니트라이드 조합 또는 n-형 갈륨 니트라이드-단독 층(226)은 클러스터 툴(200)의 비-도핑된 및/또는 n-형 갈륨 니트라이드 MOCVD 반응 챔버(204)에서 형성된다. LED 구조물(220)은 또한 30 - 500 나노미터 범위 두께를 지니는 MQW 구조물(228)을 포함한다. MQW 구조물(228)은 클러스터 툴(200)의 MQW MOCVD 반응 챔버(206)에서 형성된다. 한 가지 구체예에서, MQW 구조물(228)은 하나의 또는 복수의 필드 쌍의 InGaN 웰/GaN 배리어 물질 층으로 구성된다. LED 구조물(220)은 또한 약 20 나노미터 두께의 p-형 갈륨 알루미늄 니트라이드 층(230) (p-AlGaN) 및 50 - 200 나노미터 범위의 두께를 지니는 p-형 갈륨 니트라이드 층(232) (p-GaN)을 포함한다. p-형 갈륨 알루미늄 니트라이드 층(230) 및 p-형 갈륨 니트라이드 층(232)은 클러스터 툴(200)의 p-형 갈륨 니트라이드 MOCVD 반응 챔버(208)에서 형성된다. 상기 두께 또는 두께 범위는 예시적인 구체예이며, 다른 적합한 두께 또는 두께 범위가 또한 본 발명의 구체예의 사상 및 범위 내에서 고려됨을 이해해야 한다.
시간-대-증착 플롯(240)은 클러스터 툴(200)에서의 챔버 사용을 나타낸다. MQW MOCVD 반응 챔버(206)에서 MQW 구조물(228)의 형성은 약 2시간의 성장 시간을 지닌다. p-형 갈륨 니트라이드 MOCVD 반응 챔버(208)에서 p-형 갈륨 알루미늄 니트라이드 층(230) 및 p-형 갈륨 니트라이드 층(232)의 형성은 약 1시간의 성장 시간을 지닌다. 그리고, 본 발명의 한 가지 구체예에 따르면, 비-도핑된 및/또는 n-형 갈륨 니트라이드 MOCVD 반응 챔버(204)에서 비-도핑된/n-형 갈륨 니트라이드 조합 또는 n-형 갈륨 니트라이드-단독 층(226)의 형성은 단지 약 2시간의 성장 시간을 지닌다. 추가 약 1시간이 챔버(204)의 챔버 세정을 위해서 필요할 수 있다. 그러나, 세정 시간은 세정 시간 및 회복 시간에 더하여 중지를 위한 시간 포함할 수 있음을 이해해야 한다. 또한, 상기는 세정이 모든 챔버의 사용 간에 수행될 수 없기 때문에 평균을 나타낼 수 있음을 이해해야 한다.
따라서, 갈륨 니트라이드 층(126)을 형성시키는데 사용되는 MOCVD 챔버에서 버퍼 층, 예컨대, 도 1의 버퍼 층(124)을 형성시키는 대신에, 알루미늄 니트라이드 버퍼 층(224)이 그 대신 포함되고, 또 다른 챔버, 특히, PVD 알루미늄 니트라이드 스퍼터 챔버(202)에서 형성된다. AlN 성장은 펌프 시간(약 400 torr 내지 약 10-8 torr)을 배제하면서 약 5분의 기간 동안일 수 있지만, MOCVD 챔버 1과 별개인 챔버에서의 형성은 클러스터 툴(200)의 처리량을 증가시킨다. 예를 들어, 클러스터 툴(200)에서 LED 구조물(220)을 제조하기 위한 전체 사이클 시간은 비-도핑된 및/또는 n-형 갈륨 니트라이드 MOCVD 반응 챔버(204)의 사이클 시간에 따라 좌우되고, 이는 4.5시간의 벤치마크 시스템에 비해 약 3시간으로 단축된다. 따라서, 3개의MOCVD 챔버에 더하여 1개의 PVD 챔버를 지니는 구조물(220)의 점진적 성장은 MQW MOCVD 반응 챔버(206) 및 p-형 갈륨 니트라이드 MOCVD 반응 챔버(208)에 대한 훨씬 더 짧은 유휴 시간을 야기하여 시스템(200)의 전체 처리량을 개선시킨다. 예를 들어, 한 가지 구체예에서, 툴 처리량은 1일당 약 5.3개의 작업량에서 1일당 약 8개의 작업량으로 개선될 수 있는데, 이는 약 50%의 처리량 개선을 입증하는 것이다.
도 2a를 다시 참조하면, 클러스터 툴(200)에서 LED 구조물 제조에 대한 대표적인 온도 대 시간 플롯(250)이 제공된다. 플롯(250)의 영역(252)은 비-도핑된 및/또는 n-형 갈륨 니트라이드 MOCVD 반응 챔버(204)에서 형성된 비-도핑된/n-형 갈륨 니트라이드 조합 또는 n-형 갈륨 니트라이드-단독 층(226)의 형성에 대하여 특이적이다. 이러한 영역에서, 단지 하나의 온도 증가(약 1100 섭씨 온도에서 약 400 섭씨 온도로 증가율 감소)가 필요하다. 그러한 단일 증가의 경우의 요건은 상기 기재된 바와 같은 비-도핑된 및/또는 n-형 갈륨 니트라이드 MOCVD 반응 챔버(102)에서 버퍼 층(124) 및 비-도핑된/n-형 갈륨 니트라이드 조합 층(126)의 형성을 위한 시간 순서와는 아주 대조적이다. 그러한 경우에, 챔버는 기판 처리를 위한 고온에서 시작하여, 버퍼 층 형성을 위한 온도로 내려가고, 갈륨 니트라이드 증착을 위한 온도에서 다시 올라가며, 마지막으로 안정화를 위해 다시 내려간다. 그러나, 이 둘 모두의 경우에, MQW 및 p-GaN의 형성에 특이적인 플롯(250)의 영역(254 및 256)은 대략적으로 동일할 것임이 주지된다. 한 가지 구체예에서, 플롯(250)의 영역(258)을 참조하면, PVD-형성된 알루미늄 니트라이드를 위한 온도 대 시간 플롯은 약 20 - 1200 섭씨 온도 범위에서 고온(HT) 또는 저온(LT) 공정을 포함할 수 있다.
클러스터 툴(200)의 처리량 개선 외에, PVD 챔버에 3개의 MOCVD 챔버가 더해진 툴 배열에 대한 추가 이점이 존재할 수 있다. 예를 들어, 비용 절감이 달성될 수 있는데, 그 이유는 더 적은 반응 가스가 제 1 MOCVD 챔버로 전달되어야 할 수 있기 때문이다. PVD 챔버 엔지니어링 및 설계는 벤치마크 클러스터 툴(100)의 챔버(102)와 같이 버퍼 층과 장치 층 둘 모두가 제공된 MOCVD 챔버에 대한 배열 시간 및 복잡성(complexity)과 더 간단하게 비교될 수 있다. 상기 공정이 장치 층(226)의 비-도핑된 갈륨 니트라이드 부분에 대한 감소된 두께를 가능하게 하는 경우에, 더 간단한 다운-라인-에치-백 공정(down-the-line etch-back process)이 수행될 수 있다. 이는 또한 사이클 시간을 단축시키면서 재료 및 작업 비용의 절약을 가능하게 할 수 있다. 또한, 갈륨 니트라이드 버퍼 층 대신에 알루미늄 니트라이드 버퍼 층을 사용함으로써, 장치, 예컨대, LED 장치 또는 전력 장치의 활성 층에서 결함률(defectivity) 감소가 달성될 수 있다.
따라서, 본 발명의 한 가지 구체예에 따라, 다중-챔버 시스템은 알루미늄 니트라이드 타겟을 지니는 PVD 챔버, 및 비-도핑된 또는 n-형 갈륨 니트라이드를 증착시키는 제 1 MOCVD 챔버를 포함한다. 다중-챔버 시스템은 또한 다중 양자 우물(MQW) 구조물을 증착시키는 제 2 MOCVD 챔버, 및 p-형 알루미늄 갈륨 니트라이드 또는 p-형 갈륨 니트라이드를 증착시키는 제 3 MOCVD 챔버, 또는 이 둘 모두를 포함한다. 한 가지 구체예에서, 알루미늄 니트라이드 타겟을 지니는 PVD 챔버는 알루미늄 니트라이드의 비-반응성 스퍼터링을 위한 것이다. 특정의 그러한 구체예에서, PVD 챔버는 약 20 - 200 섭씨 온도 범위의 저온 또는 약간 상승된 온도에서 알루미늄 니트라이드의 비-반응성 스퍼터링을 위한 것이다. 또 다른 특정의 구체예에서, PVD 챔버는 약 200 - 1200 섭씨 온도 범위의 고온에서 알루미늄 니트라이드의 비-반응성 스퍼터링을 위한 것이다. 대안적인 구체예에서, PVD 챔버는 질소-함유 가스 또는 질소-함유 가스로부터 유도된 플라즈마로의 알루미늄 타겟의 반응성 스퍼터링을 위한 것이다.
이는 필수적인 물질 특성(예, 적절한 결함 밀도, 결정 그레인 크기, 결정 배향 등)을 달성하기 위하여 증착 온도와 관계 없이 LED 구조물(220)에 포함시키기에 적합한 PVD 증착된 알루미늄 니트라이드 층이 일정 시점에 약 400 - 1400 섭씨 온도의 범위, 예를 들어, 약 900 섭씨 온도의 고온으로 노출되는 것이 필요할 수 있는 경우일 수 있다. 본 발명의 구체예에 따르면, 급속 열 처리(rapid thermal processing: RTP) 공정은 알루미늄 니트라이드 층 상에 추가의 층을 형성시키기 전에 PVD 증착된 알루미늄 니트라이드 층 상에서 수행된다. 그 후에, RTP 챔버는 어떠한 방식으로 LED 구조물(220)을 위한 상기 기재된 제조 공정과 관련될 수 있다. 한 가지 구체예에서, PVD 및 3개의 MOCVD 챔버를 포함하는 인-라인 툴 또는 클러스터 툴과 같은 툴이 또한 RTP 챔버를 포함한다. 그러나, 대안적인 구체예에서, RTP 공정은 PVD 챔버에서 수행된다. 또 다른 대안적인 구체예에서, 레이저 어닐링 기능은 LED 구조물(220)을 위해 상기 기재된 제조 공정과 관련된다.
그 후에, 본 발명의 한 가지 양태에서, 물리 기상 증착(PVD) 알루미늄 니트라이드(AlN) 버퍼 층을 형성시키기 위한 공정 조건이 기재된다. 그러한 버퍼 층은, 예를 들어, GaN-기반 장치에 포함될 수 있다. 한 가지 구체예에서, 파라미터적 공정 범위가 특정 특징 및 특성을 지니는 AlN의 증착에 제공된다.
발광 다이오드(LED) 제조의 경우에, 공정은 전형적으로 금속 유기 화학 기상 증착(MOCVD)을 통해 기판 상에 저온 버퍼 층을 형성시킴을 포함한다. MOCVD에 의한 버퍼 층의 증착에 이어서 전형적으로 활성 장치 층, 예를 들어, 비-도핑된, Si-도핑된 n-형, MQW, 및 Mg-도핑된 p-형 GaN 층이 형성된다. 기판 사전-베이킹은 일반적으로 고온(예, 약 1050 섭씨 온도 초과)에서 수행된다. 대조적으로, 버퍼 층의 증착은 일반적으로 저온(예, 약 500 - 600 섭씨 온도 범위)에서 수행된다. 이러한 공정들은 전체 MOCVD 공정 시간의 약 10 - 30%를 차지할 수 있다. MOCVD 처리량은 비-동일 반응계에서 증착된 버퍼 층에 의해 향상될 수 있다. 이에 따라서, 한 가지 구체예에서, 하기에 보다 상세하게 기재되는 바와 같이, PVD에 의해 형성되는 비-동일 반응계에서 증착된 AlN 버퍼 층이 기재된다. 한 가지 구체예에서, PVD 공정은 별개의 챔버에서 수행된다.
한 가지 구체예에서, 공정 조건은 GaN 장치 제조에서 사용하기에 적합한 AlN 버퍼(템플레이트)로 기판을 형성시키는 것을 가능하게 한다. 한 가지 그러한 구체예에서, PVD AlN 버퍼의 산소 제어된 증착이 수행된다.
한 가지 구체예에서, AlN 버퍼 층은 PVD 챔버에 수용되고 질소-함유 가스 또는 질소-함유 가스를 기반으로 한 플라즈마와 반응되는 알루미늄-함유 타겟으로부터 반응성 스퍼터링에 의해 형성된다. 한 가지 구체예에서, 산소 도입이 또한 수행된다. 예시적인 구체예에서, 다음 작업 및 조건들 중 하나 이상(또는 이들의 조합)이 산소 도입을 위해 이용된다: (1) O2, H2O, CO, CO2, NO, NO2, O3, 또는 이들의 조합과 같지만 이로 제한되지 않는 산소 함유 가스를 PVD 챔버로 유동시킴; (2) 챔버, 프로세스 키트, 및 타겟이 흡수된 산소와 사전-컨디셔닝되고/거나 AlN/기판 인터페이스에서 도입되는 최적량의 산소를 지닐 수 있도록 증착을 위해 플라즈마가 가동되기 전에, 그 동안에 및/또는 그 후에 산소 함유 가스를 AlN 벌크 필름 및 AlN 표면에 유동시켜 이를 고품질의 GaN 성장에 적합하게 함; 및 (3) 산소 함유 가스 유동량, 도입 시간 및 기간을 AlN 필름 및 AlN 표면에서 AlN과 상이한 기판 사이의 이의 균일한 변형 인터페이스를 보장하도록 정확하게 제어함. 특정 구체예에서, AlN 필름에 도입되는 산소(O)의 양은 약 1E18 내지 1E23 원자/cm3의 범위이다. 한 가지 구체예에서, 상부에 AlN 증착을 지니는 기판은 사파이어, Si, SiC, 다이아몬드 상 Si, ZnO, LiAlO2, MgO, GaAs, 구리, W 등과 같은 것이지만, 이로 제한되지 않는다. 기판은 평평하거나 사전-패턴화될 수 있다.
한 가지 구체예에서, PVD AlN 버퍼 층의 산소 제어된 증착에 최적화된 하드웨어는 다음 구성들 중 하나 이상을 포함한다: (1) 고온, 예를 들어, 350 섭씨 온도 또는 그 초과에서 압력 증가 속도(예, 2,500 ntorr/min 또는 그 미만)와 높은 기저 진공(예, 1E-7 torr 또는 그 미만) 및 낮은 진공 누설을 함께 가능하게 하는 펌핑 시스템, 챔버 진공 통합 설계, 및 챔버 냉각 설계; (2) 웨이퍼 내에서 및 웨이퍼 사이에서 샘플 캐리어 전체에 걸쳐 AlN 필름의 균일한 증착 및 일관된 타겟 부식을 보장하는 정단면 부식 마그네트론 캐소드; (3) 최적의 AlN 조성이 균일하게 달성될 수 있도록 챔버 내에 O-함유 가스를 포함한 공정 가스의 균일한 분배를 보장하는 프로세스 키트 및 가스 흐름 설계; (4) 웨이퍼의 신속하고 균일한 가열을 보장하는 고온 바이어스가능한 정전기 방전 척(high temperature biasable electro-static chuck); 및 최적량의 산소가 증착된 AlN 필름으로 균일하게 도입되어 상부 상에 고품질의 GaN 성장을 보장할 수 있도록 산소로 도핑된 Al 타겟의 포함(예, 한 가지 구체예에서, 알루미늄 타겟은 약 1ppm 내지 10,000ppm 범위의 산소 농도로 도핑됨). 한 가지 구체예에서, 프로세스 키트 및 타겟의 균일하고 충분한 컨디셔닝을 보장하고, 패스팅 사이클(pasting cycle) 간에 반복가능한 PVO AlN 특성을 제공하기 위해 챔버 패스팅 공정(chamber pasting process)이 이용된다. 한 가지 그러한 구체예에서, 패스팅 사이클의 횟수는 작업 당 1회에서 타겟 또는 프로세스 키트 수명 당 1회로 다를 수 있음을 이해해야 한다. 상기 양태들 중 하나 이상은 도 3a-3d와 관련하여 이하에서 기술된다.
한 가지 그러한 구체예에서, 상기 조건 및 하드웨어를 사용하여, 고품질의 AlN의 증착이 작업 간에 웨이퍼 사이에서 반복가능하게 그리고 웨이퍼 내에서 높은 균일성으로 달성된다. AlN의 상부 상에, XRD (002) FWHM < 100 arcsec 및/또는 XRD (102) FWHM < 150 arcsec를 지니는 고품질의 GaN이 성장될 수 있고, 공정이 반복가능한 것으로 입증되었다. 특정의 구체예에서, GaN은 약 5E8 결함/cm2 미만의 전위 밀도를 지닌다. 한 가지 구체예에서, (002)에 대한 XRD FWHM은 약 50-250 arcsec의 범위이다. 한 가지 구체예에서, (102)에 대한 XRD FWHM은 약 70-250 arcsec의 범위이다. 한 가지 구체예에서, 상기 기재된 독특한 하드웨어 및 공정은 높은 처리량으로 그리고 반복가능하게 특히 높은 AlN 및 GaN 품질을 제공한다.
3개의 MOCVD 챔버와 함께 PVD 챔버를 수용하기에 적합한 툴 플랫폼의 예시적인 구체예는 Opus™ AdvantEdge™ 시스템 또는 Centura™ 시스템을 포함하고, 이 둘 모두는 Applied Materials, Inc.(Santa Clara, CA)로부터 시중에서 구입가능하다. 본 발명의 구체예는 추가로 다중-챔버의 처리 플랫폼의 부품으로서 통합 계측(integrated metrology: IM) 챔버를 포함한다. IM 챔버는 통합된 증착 공정, 예컨대, 다중 세그먼트화된 스퍼터 또는 에피택셜 성장 공정, 예컨대, 본원에 기재된 것들의 적응 제어를 가능하게 하는 제어 신호를 제공할 수 있다. IM 챔버는 다양한 필름 특성, 예컨대, 두께, 거칠기, 조성을 측정하기에 적합한 계측 장치를 포함할 수 있으며, 추가로, 자동화 방식으로 진공 하에 그레이팅(grating) 파라미터, 예컨대, 임계 치수(critical dimension: CD), 측면 각도(sidewall angle: SWA), 특징 높이(feature height: HT)를 특성화할 수 있다. 이의 예는 반사측정 및 산란측정과 같은 광학적 기술을 포함하지만, 이로 제한되지 않는다. 특히 유리한 구체예에서, 스퍼터 및/또는 에피택셜 성장이 진행됨에 따라서 출발 물질에서 형성된 그레이팅의 속성을 모니터링하는 경우에 진공내 광학적 CD(optical CD: OCD) 기술이 사용된다. 다른 구체예에서, 계측 작업은 공정 챔버에서, 예를 들어, 별개의 IM 챔버에서 보다는 동일-반응계에서의 공정 챔버에서 수행된다.
다중 챔버의 처리 플랫폼, 예컨대, 클러스터 툴(200)은 추가로 임의의 기판 정렬 챔버 뿐만 아니라 로봇식 핸들러(robotic handler)를 포함한 이송 챔버에 결합된 카세트를 고정시키는 로드 락 챔버를 포함할 수 있다. 본 발명의 한 가지 구체예에서, 다중-챔버의 처리 플랫폼(200)의 적응 제어는 제어기에 의해 제공된다. 제어기는 다양한 서브프로세서 및 서브컨트롤러를 제어하기 위한 산업적 셋팅에 사용될 수 있는 어떠한 형태의 일반 용도의 데이터 처리 시스템 중 하나일 수 있다. 일반적으로, 제어기는 다른 일반적인 부품들 중에서 메모리 및 입력/출력(I/O) 회로와 소통되는 중앙 처리 장치(central processing unit: CPU)를 포함한다. 예로서, 제어기는 본원에 기재된 어떠한 방법/공정의 작업들 중 하나 이상을 수행하거나 달리 개시할 수 있다. 그러한 작업을 수행하고/거나 개시하는 어떠한 컴퓨터 프로그램 코드는 컴퓨터 프로그램 제품으로 구현될 수 있다. 본원에 기재된 각각의 컴퓨터 프로그램 제품은 컴퓨터에 의해 판독가능한 매체(예, 플로피 디스크, 콤팩트 디스크, DVD, 하드 드라이브, 랜덤 엑세스 메모리 등)에 의해 수행될 수 있다.
본원에서 고려되는 공정 및 툴 배열에 적합한 PVD 챔버는 Applied Materials, Inc.(Santa Clara, CA)로부터 시중에서 구입가능한 Applied Materials Endura® Impulse™ PVD 시스템을 포함할 수 있다. Endura PVD 시스템은 우수한 전자이동 저항(electromigration resistance) 및 표면 형태뿐만 아니라 저비용의 소유권 및 높은 시스템 재현성을 제공한다. 이에 수행되는 PVD 공정은 공정 캐비티(process cavity)에 증착된 종의 방향 플럭스를 형성시키는 필수 압력 및 적합한 타겟-내지-웨이퍼 거리에서 상기와 같이 수행될 수 있다. Applied Materials, Inc.(Santa Clara, CA)로부터 또한 시중에서 구입가능한 인-라인 시스템과 호환가능한 챔버, 예컨대, ARISTO 챔버는 자동화 로딩 및 언로딩 기능뿐만 아니라 마그네틱 캐리어 운반 시스템을 제공하여 상당히 단축된 사이클 시간을 가능하게 한다. Applied Materials, Inc.(Santa Clara, CA)로부터 또한 시중에서 구입가능한 AKT-PiVot 55KV PVD 시스템은 스퍼터링 증착을 위한 수직 플랫폼을 지닌다. AKT-PiVot 시스템의 모듈 설계는 상당히 더 빠른 사이클 시간을 전달하고, 생산 효율을 최적화시키는 매우 다양한 배열을 가능하게 한다. 전형적인 인-라인 시스템과는 달리, AKT-PiVot의 병렬 처리 기능은 각각의 필름 층에 대한 상이한 공정 시간에 의해 초래되는 병목 현상을 막는다. 시스템의 클러스터-유사 배열은 또한 개별적인 모듈 관리 동안 연속 작업을 가능하게 한다. 포함된 회전 캐소드 기술은 통상적인 시스템과 비교해 볼 때 거의 3x의 더 높은 타겟의 이용을 가능하게 한다. PiVot 시스템의 증착 모듈은 다른 시스템이 필요한 최대 50개의 기판보다는 오히려 단지 하나의 기판을 사용하는 타겟 컨디셔닝이 동일한 결과를 달성하는 것을 가능하게 하는 사전-스퍼터 유닛을 특징으로 한다.
본 발명의 한 가지 양태에서, 적절한 프로세스 키트를 설계하는 것은 PVD 공정 챔버에서 펄스화된 DC 또는 RF 챔버 기능을 위해 중요할 수 있다. 예로서, 도 3a-3c는 본 발명의 한 가지 구체예에 따른 PVD 챔버를 위한 프로세스 키트의 횡단면도를 도시한 것이다. 도 3d는 본 발명의 한 가지 구체예에 따른 PVD 챔버를 위한 전력 전달 공급원의 횡단면도를 도시한 것이다.
도 3a-3c를 참조하면, PVD 챔버를 위한 프로세스 키트(300)는 상부 어댑터(302), 하부 어댑터(304), 하부 실드(306), 및 DTESC(308)를 지니는 제 1 부분(도 3a)을 포함한다. PVD 챔버를 위한 프로세서 키트(300)는 또한 타겟(310), 암흑 실드(312) 및 Al 스페이서(314)를 지니는 제 2 부분(도 3b)을 포함한다. PVD 챔버를 위한 프로세서 키트(300)는 또한 덮개 링(316) 및 증착 링(318)을 지니는 제 3 부분(도 3c)을 포함한다.
도 3d를 참조하면, PVD 챔버를 위한 전력 전달 공급원(350)은 RF 매치(352) 및 RF 피드(354)를 포함한다. 공급원 분배판(356)(예, 알루미늄 공급원 분배판) 및 그라운드 실드(358)(예, 알루미늄 시트 금속)이 또한 금속 하우징(360) 및 링 마그네트(362)와 함께 포함된다. 전력 전달 공급원(350)은 또한 DC 필터 박스(364) 및 DC 피드(366)를 포함한다. 상부판(368) 및 분배판(370)이 또한 연장 블록(372), 샤프트(374), 및 타겟(376)과 함께 포함된다.
상기 기재된 MOCVD 챔버(204, 206, 또는 208) 중 하나 이상으로서 사용하기에 적합할 수 있는 MOCVD 증착 챔버의 예는 도 4와 관련하여 도시되고 기재된다. 도 4는 본 발명의 한 가지 구체예에 따른 MOCVD 챔버의 개략적 횡단면도이다.
도 4에 도시된 장치(4100)는 챔버(4102), 가스 전달 시스템(4125), 원격 플라즈마 공급원(4126), 및 진공 시스템(4112)을 포함한다. 챔버(4102)는 처리 공간(4108)을 포함하는 챔버 몸체(4103)를 포함한다. 샤워헤드 어셈블리(4104)는 처리 공간(4108)의 한 단부에 배치되고, 기판 캐리어(4114)는 처리 공간(4108)의 다른 단부에 배치된다. 하부 돔(4119)은 하부 공간(4110)의 한 단부에 배치되고, 기판 캐리어(4114)는 하부 공간(4110)의 다른 단부에 배치된다. 기판 캐리어(4114)가 공정 배치에 도시되어 있지만, 예를 들어, 기판(4140)이 로딩되거나 언로딩될 수 있는 하부 위치로 이동될 수 있다. 배기 링(420)은, 하부 공간(4110)에서 증착의 발생을 막는 것을 돕고, 또한 챔버(4102)에서부터 배기 포트(4109)로의 배기 가스의 유도를 돕기 위해 기판 캐리어(4114)의 주변을 둘러 배치될 수 있다. 하부 돔(4119)은 기판(4140)의 방사 가열을 위해 빛을 통과시키도록 고순도 석영과 같은 투명한 물질로 제조될 수 있다. 방사 가열은 하부 돔(4119) 아래에 배치된 복수의 내부 램프(4121A) 및 외부 램프(4121B)에 의해 제공될 수 있고, 반사기(4166)는 내부 및 외부 램프(4121A, 4121B)에 의해 제공되는 복사 에너지에 대한 챔버(4102)의 노출을 제어하는 것을 돕는데 사용될 수 있다. 램프의 추가 링이 또한 기판(4140)의 보다 섬세한 온도 제어를 위해 사용될 수 있다.
기판 캐리어(4114)는 하나 이상의 리세스(4116)를 포함할 수 있고, 리세스 내부에는 처리 동안 하나 이상의 기판(4140)이 배치될 수 있다. 기판 캐리어(4114)는 6개 이상의 기판(4140)을 운반할 수 있다. 한 가지 구체예에서, 기판 캐리어(4114)는 8개의 기판(4140)을 운반한다. 더 많거나 적은 기판(4140)이 기판 캐리어(4114) 상에서 운반될 수 있음을 이해해야 한다. 전형적인 기판(4140)은 사파이어, 실리콘 카바이드(SiC), 규소, 또는 갈륨 니트라이드(GaN)를 포함할 수 있다. 유리 기판(4140)과 같은 다른 유형의 기판(4140)이 처리될 수 있음을 이해해야 한다. 기판(4140) 크기는 50 mm - 100 mm 또는 그 보다 큰 범위의 직경일 수 있다. 기판 캐리어(4114) 크기는 200 mm - 750 mm의 범위일 수 있다. 기판 캐리어(4114)는 SiC 또는 SiC-코팅된 그라파이트를 포함한 다양한 물질로부터 형성될 수 있다. 다른 크기의 기판(4140)이 챔버(4102) 내에서 그리고 본원에 기재된 공정에 따라 처리될 수 있음을 이해해야 한다. 샤워헤드 어셈블리(4104)는 전형적인 MOCVD 챔버에서의 기판보다 더 많은 갯수의 기판(4140) 및/또는 더 큰 기판(4140) 전체에 걸쳐서 보다 균일한 증착을 가능하게 하고, 이에 의해서 기판(4140)당 처리량을 증가시키고 처리 비용을 절감할 수 있다.
기판 캐리어(4114)는 처리 동안 축에 대하여 회전될 수 있다. 한 가지 구체예에서, 기판 캐리어(4114)는 약 2 RPM 내지 약 100 RPM으로 회전될 수 있다. 또 다른 구체예에서, 기판 캐리어(4114)는 약 30 RPM으로 회전될 수 있다. 기판 캐리어(4114)를 회전시키는 것은 기판(4140)의 균일한 가열 및 각각의 기판(4140)에 대한 처리 가스의 균일한 노출을 제공하는 것을 돕는다.
복수의 내부 및 외부 램프(4121A, 4121B)는 동심원 또는 구역(미도시)에 배열될 수 있고, 각각의 램프 구역은 개별적으로 작동될 수 있다. 한 가지 구체예에서, 하나 이상의 온도 센서, 예컨대, 고온계(미도시)가 기판(4140) 및 기판 캐리어(4114)의 온도를 측정하기 위해 샤워헤드 어셈블리(4104) 내에 배치될 수 있고, 온도 데이터는 기판 캐리어(4114) 전체에 걸쳐서 소정 온도 프로파일을 유지하기 위해 개별적인 램프 구역으로 전력을 조절할 수 있는 제어기(미도시)로 보내질 수 있다. 또 다른 구체예에서, 개별적인 램프 구역으로의 전력은 전구체 흐름 또는 전구체 농도의 비균일성에 대하여 보상하기 위해 조절될 수 있다. 예를 들어, 전구체 농도가 외부 램프 구역 근처의 기질 캐리어(4114)에서 낮아지는 경우, 외부 램프 구역으로의 전력은 이러한 구역에서 전구체 소모에 대한 보상을 돕도록 조절될 수 있다.
내부 및 외부 램프(4121A, 4121B)는 약 400 섭씨 온도 내지 약 1200 섭씨 온도의 온도로 기판(4140)을 가열할 수 있다. 본 발명은 내부 및 외부 램프(4121A, 4121B)의 배열의 사용으로 국한되지 않음을 이해해야 한다. 적절한 온도가 챔버(4102) 및 그 안의 기판(4140)에 충분히 적용됨을 보장하도록 어떠한 적합한 열 공급원이 이용될 수 있다. 예를 들어, 또 다른 구체예에서, 열 공급원은 기판 캐리어(4114)와 열 접촉되는 저항 가열 부재(미도시)를 포함할 수 있다.
가스 전달 시스템(4125)은 다중 가스 공급원을 포함할 수 있거나, 실시되는 공정에 좌우하여, 공급원들 중 일부는 가스보다는 액체 공급원일 수 있는데, 이러한 경우에, 가스 전달 시스템은 액체를 증발시키기 위해 액체 주입 시스템 또는 다른 수단(예, 버블러)을 포함할 수 있다. 이 후, 증기는 챔버(4102)로의 전달 전에 캐리어 가스와 혼합될 수 있다. 상이한 가스, 예컨대, 전구체 가스, 캐리어 가스, 퍼지 가스, 세정/에칭 가스 또는 기타 등등이 가스 전달 시스템(4125)에서부터 샤워헤드 어셈블리(4104)로의 개별적인 공급 라인(4131, 4132, 및 4133)으로 공급될 수 있다. 공급 라인(4131, 4132, 및 4133)은 각각의 라인에서의 가스의 유동을 모니터링하고 조절하거나 중지시키기 위해 차단 밸브 및 물질 흐름 제어기 또는 다른 유형의 제어기를 포함할 수 있다.
도관(4129)은 원격 플라즈마 공급원(4126)으로부터 세정/에칭 가스를 수용할 수 있다. 원격 플라즈마 공급원(4126)은 공급 라인(4124)을 통해 가스 전달 시스템(4125)으로부터 가스를 수용할 수 있고, 밸브(4130)는 샤워헤드 어셈블리(4104)와 원격 플라즈마 공급원(4126) 사이에 배치될 수 있다. 밸브(4130)는 플라즈마를 위한 도관으로서 작용하도록 구성될 수 있는 공급 라인(4133)을 통해 세정 및/또는 에칭 가스 또는 플라즈마가 샤워헤드 어셈블리(4104)로 유동하도록 열릴 수 있다. 또 다른 구체예에서, 장치(4100)는 원격 플라즈마 공급원(4126)을 포함하지 않을 수 있으며, 세정/에칭 가스가 비-플라즈마 세정 및/또는 에칭을 위해 교대식 공급 라인 구성을 사용하여 가스 전달 시스템(4125)으로부터 샤워 헤드 어셈블리(4104)로 전달될 수 있다.
원격 플라즈마 공급원(4126)은 챔버(4102) 세정 및/또는 기판(4140) 에칭을 위해 구성된 무선주파수 또는 마이크로파 플라즈마 공급원일 수 있다. 세정 및/또는 에칭 가스는 플라즈마 화학종을 생성시키기 위해 공급 라인(4124)을 통해 원격 플라즈마 공급원(4126)에 공급될 수 있고, 플라즈마 화학종은 분산을 위해 도관(4129) 및 공급 라인(4133)을 통해 샤워헤드 어셈블리(4104)를 거쳐 챔버(4102)로 보내질 수 있다. 세정 적용을 위한 가스는 불소, 염소 또는 다른 반응성 원소를 포함할 수 있다.
또 다른 구체예에서, 가스 전달 시스템(4125) 및 원격 플라즈마 공급원(4126)은, 전구체 가스가 원격 플라즈마 공급원(4126)으로 공급되어 플라즈마 화학종을 생성시키고 플라즈마 화학종이 샤워헤드 어셈블리(4104)를 거쳐 보내져, 예를 들어, CVD 층, 예컨대, III-V족 필름을 기판(4140) 상에 증착시키도록 적합하게 구성될 수 있다. 일반적으로, 물질 상태인 플라즈마는 전기 에너지 또는 전자기파(예, 무선 주파수파, 마이크로파)를 공정 가스(예, 전구체 가스)로 전달하여 이를 적어도 부분적으로 파괴하여 플라즈마 화학종, 예컨대, 이온, 전자 및 중성 입자(예, 라디칼)를 형성시킴으로써 발생된다. 한 가지 예에서, 플라즈마는 약 100 기가헤르츠(GHz) 미만의 주파수에서 전자기 에너지를 전달함으로써 플라즈마 공급원(4126)의 내부 영역에서 발생된다. 또 다른 예에서, 플라즈마 공급원(4126)은 약 4 킬로와트(kW) 미만의 전력 수준에서 약 0.4 킬로헤르츠(kHz) 내지 약 200 메가헤르츠(MHz)의 주파수, 예컨대, 약 162 메가헤르츠(MHz)의 주파수의 전자기 에너지를 전달하도록 구성된다. 형성된 플라즈마는 증착 공정 동안 기판(들)의 표면에 도달한 활성화된 가스가 빠르게 반응하여 개선된 물리적 및 전기적 특성을 지니는 층을 형성시킬 수 있도록 전구체 가스(들)의 형성 및 활성을 향상시키는 것으로 사료된다.
퍼지 가스(예, 질소)는 기판 캐리어(4114) 아래에 그리고 챔버 몸체(4103)의 하부 근처에 배치된 샤워헤드 어셈블리(4104)로부터 및/또는 유입 포트 또는 튜브(미도시)로부터 챔버(4102)로 전달될 수 있다. 퍼지 가스는 챔버(4102)의 하부 공간(4110)에 들어가고, 위쪽으로 기판 캐리어(4114) 및 배기 링(420)을 지나 고리형 배기 통로(4105) 주위에 배치된 다중 배기 포트(4109)로 유동된다. 배기 도관(4106)은 고리형 배기 통로(4105)를 진공 펌프(미도시)를 포함한 진공 시스템(4112)에 연결한다. 챔버(4102) 압력은 밸브 시스템(4107)을 사용하여 제어될 수 있고, 밸브 시스템(4107)은 배기 가스가 고리형 배기 통로(4105)로부터 유도되는 속도를 제어한다.
상기 기재된 챔버(204)의 대안적인 구체예의(또는 다른 챔버의 대안적인 구체예의) HVPE 챔버(204)로서 사용하기에 적합할 수 있는 HVPE 증착 챔버의 예는 도 5와 관련하여 도시되고 기재된다. 도 5는 본 발명의 한 가지 구체예에 따른 III족 니트라이드 물질의 제조에 적합한 HVPE 챔버(500)의 개략적 횡단면도이다.
장치(500)는 덮개(504)에 의해 둘러지는 챔버(502)를 포함한다. 제 1 가스 공급원(510)으로부터의 처리 가스는 가스 분배 샤워헤드(506)를 거쳐 챔버(502)로 전달된다. 한 가지 구체예에서, 가스 공급원(510)은 질소 함유 화합물을 포함한다. 또 다른 구체예에서, 가스 공급원(510)은 암모니아를 포함한다. 한 가지 구체예에서, 불활성 가스, 예컨대, 헬륨 또는 이원자 질소가 마찬가지로 가스 분배 샤워헤드(506)를 거쳐 또는 챔버(502)의 벽(508)을 거쳐 도입된다. 에너지 공급원(512)은 가스 공급원(510)과 가스 분배 샤워헤드(506) 사이에 배치될 수 있다. 한 가지 구체예에서, 에너지 공급원(512)은 히터를 포함한다. 에너지 공급원(512)은 질소 함유 가스로부터의 질소가 더 반응성이 되도록 가스 공급원(510)으로부터의 가스, 예컨대, 암모니아를 파괴할 수 있다.
제 1 공급원(510)으로부터의 가스와 반응시키기 위해서, 전구체 물질은 하나 이상의 제 2 공급원(518)으로부터 전달될 수 있다. 전구체는 반응성 가스를 전구체 공급원(518)에서 전구체 상에 및/또는 전구체를 거쳐 유동시킴으로써 챔버(502)에 전달될 수 있다. 한 가지 구체예에서, 반응성 가스는 이원자 염소와 같은 염소 함유 가스를 포함한다. 염소 함유 가스는 전구체 공급원과 반응하여 염화물을 형성시킬 수 있다. 전구체와 반응하는 염소 함유 가스의 효과를 증가시키기 위하여, 염소 함유 가스는 챔버(532)에서 보트 영역을 거쳐 구불구불하게 움직이고, 저항 히터(520)로 가열될 수 있다. 염소 함유 가스가 챔버(532)를 거쳐 구불구불하게 움직이는 체류 시간을 증가시킴으로써, 염소 함유 가스의 온도가 제어될 수 있다. 염소 함유 가스의 온도를 증가시킴으로써, 염소는 전구체와 더 빠르게 반응할 수 있다. 다시 말해서, 온도는 염소와 전구체 간의 반응에 대한 촉매이다.
전구체의 반응성을 증가시키기 위하여, 전구체는 보트에서의 제 2 챔버(532) 내에서 저항 히터(520)에 의해 가열될 수 있다. 그 후에, 염화물 반응 생성물이 챔버(502)에 전달될 수 있다. 반응성 염화물 생성물은 먼저 튜브(522)에 들어가소, 여기서 반응성 염화물 생성물은 튜브(522) 내에 고르게 분배된다. 튜브(522)는 또 다른 튜브(524)에 연결된다. 염화물 반응 생성물은 제 1 튜브(522) 내에 고르게 분배된 후에 제 2 튜브(524)에 들어간다. 이 후, 염화물 반응 생성물은 챔버(502)에 들어가고, 챔버(502)에서 염화물 반응 생성물은 질소 함유 가스와 혼합되어, 서셉터(susceptor: 514) 상에 배치되어 있는 기판(516) 상에 니트라이드 층을 형성시킨다. 한 가지 구체예에서, 서셉터(514)는 실리콘 카바이드를 포함한다. 니트라이드 층은, 예를 들어, n-형 갈륨 니트라이드를 포함할 수 있다. 다른 반응 생성물, 예컨대, 질소 및 염소는 배기부(526)를 거쳐 배기된다.
LED 및 관련 장치는, 예를 들어, III-V족 필름, 특히 III족-니트라이드 필름 층으로부터 제조될 수 있다. 본 발명의 일부 구체예는 제조 툴의 전용 챔버에서, 예컨대, 전용 MOCVD 챔버에서 갈륨 니트라이드(GaN) 층을 형성시키는 것에 관한 것이다. 본 발명의 일부 구체예에서, GaN는 이원계 GaN 필름이지만, 다른 구체예에서, GaN은 삼원계 필름(예, InGaN, AlGaN)이거나 사원계 필름(예, InAlGaN)이다. 적어도 일부 구체예에서, III족-니트라이드 물질 층은 에피택셜 방식으로 형성된다. III족-니트라이드 물질 층은 직접적으로 기판 상에 또는 기판 상에 배치된 버퍼 층 상에 형성될 수 있다. 다른 고려되는 구체예는 PVD-형성된 버퍼 층, 예를 들어, PVD-형성된 알루미늄 니트라이드 상에 직접적으로 증착된 p-형 도핑된 갈륨 니트라이드 층을 포함한다.
본 발명의 구체예는 상기 기재된 선택된 기판 상에 층을 형성하는 것에 제한되지 않음을 이해해야 한다. 다른 구체예는, 상부에 고품질의 알루미늄 니트라이드 층이, 예를 들어, 비-반응성 PVD 방법으로 스퍼터-증착될 수 있는 어떠한 적합한 비-패턴화된 또는 패턴화된 단일 결정질 기판의 사용을 포함할 수 있다. 기판은, 이로 제한되지는 않지만, 사파이어(Al2O3) 기판, 실리콘(Si) 기판, 실리콘 카바이드(SiC) 기판, 다이아몬드 상 규소(SOD) 기판, 석영(SiO2) 기판, 유리 기판, 아연 옥사이드(ZnO) 기판, 마그네슘 옥사이드(MgO) 기판, 및 리튬 알루미늄 옥사이드(LiAlO2) 기판과 같은 기판일 수 있다. 마스킹 및 에칭과 같은 어떠한 잘 알려진 방법이 평면 기판으로부터 포스트(post)와 같은 특징부를 형성시켜 패턴화된 기판을 생성시키는데 사용될 수 있다. 그러나, 특정의 구체예에서, 패턴화된 사파이어 기판(PSS)은 (0001) 배향으로 사용된다. 패턴화된 사파이어 기판은 특정 유형의 LED의 제작에서 사용하기에 바람직할 수 있는데, 그 이유는 이들이 신형의 고체 상태 조명 장치의 제조에 매우 유용한 광추출 효율을 증가시키기 때문이다. 기판 선택 기준은 결함 형성을 완화시키는 격자 정합 및 열 응력을 완화시키는 열팽창 계수(coefficient of thermal expansion: CTE) 정합을 포함할 수 있다.
상기 기재된 바와 같이, III족-니트라이드 필름은 도핑될 수 있다. III족-니트라이드 필름은 어떠한 p-형 도펀트, 예컨대, 이로 제한되지는 않지만, Mg, Be, Ca, Sr, 또는 2개의 원자가 전자를 지니는 어떠한 I족 또는 II족 원소를 사용하여 P-형으로 도핑될 수 있다. III족-니트라이드 필름은 1X1016 내지 1X1020 원자/cm3의 전도도 수준으로 p-형으로 도핑될 수 있다. III족-니트라이드 필름은, 이로 제한되지는 않지만, 규소 또는 산소, 또는 어떠한 적합한 IV족 또는 VI족 원소와 같은 어떠한 n-형 도펀트를 사용하여 n-형으로 도핑될 수 있다. III족-니트라이드 필름은 1X1016 내지 1X1020 원자/cm3의 전도도 수준으로 n-형 도핑될 수 있다.
상기 공정은 클러스터 툴 내의 전용 챔버, 또는 하나 이상의 챔버를 지니는 다른 툴, 예를 들어, LED 층을 제조하기 위한 전용 챔버를 지니도록 배열된 인-라인 툴에서 수행될 수 있음을 이해해야 한다. 또한, 본 발명의 구체예는 LED 제조로 제한되지 않아야 함을 이해해야 한다. 예를 들어, 또 다른 구체예에서, LED 장치가 아닌 장치, 예컨대, 이로 제한되지는 않지만, 전계-효과 트랜지스터(field-effect transistor: FET) 장치, 또는 전력 장치가 본원에 기재된 방법에 의해 제조될 수 있다. 그러한 구체예에서, 층의 구조물 상부 상에 p-형 물질이 필요하지 않을 수 있다. 그 대신에, n-형 또는 비-도핑된 물질이 p-형 층 대신 사용될 수 있다. 또한, 증착 및/또는 열적 어닐링의 다양한 조합과 같은 다중 작업이 단일 공정 챔버에서 수행될 수 있음을 이해해야 한다.
본 발명의 구체예들은 컴퓨터 프로그램 제품, 또는 소프트웨어로서 제공될 수 있고, 여기에는, 본 발명에 따른 공정을 수행하는 컴퓨터 시스템(또는 다른 전자 장치들)을 프로그래밍하는데 사용될 수 있는 이에 저장되는 명령어들을 지니는 기계-판독가능한 매체가 포함될 수 있다. 기계-판독가능한 매체는 기계(예, 컴퓨터)에 의해 판독가능한 형태로 정보를 저장하거나 전송하기 위한 어떠한 메카니즘을 포함한다. 예를 들어, 기계-판독가능한(예, 컴퓨터-판독가능한) 매체는 기계(예, 컴퓨터) 판독가능한 저장 매체(예, 읽기 전용 메모리(read only memory: "ROM"), 임의 접근 메모리(random access memory: "RAM"), 자기 디스크 저장 매체, 광학 저장 매체, 플래쉬 메모리 장치들 등), 기계(예, 컴퓨터) 판독가능한 전송 매체(전기적, 광학적, 음향 또는 다른 형태의 전파 신호들(예, 적외선 신호들, 디지털 신호들 등)) 등을 포함한다.
도 6은, 기계가 본원에 논의된 방법들 중 어느 하나 이상을 수행하도록 하나의 집합의 명령들이 실행될 수 있는 예시 형태의 컴퓨터 시스템(600)에서 기계의 다이어그램 도면을 도시한 것이다. 대안적인 구체예들에서, 기계는 근거리 통신망(Local Area Network: LAN), 인트라넷, 익스트라넷, 또는 인터넷으로 다른 기계들에 연결(예, 네트워킹)될 수 있다. 기계는 클라이언트-서버 네트워크 환경에서 서버 또는 클라이언트 기계의 역할로 또는 피어-투-피어식(peer-to-peer)(또는 분산된) 네트워크 환경에서 피어 기계로서 작동될 수 있다. 기계는 퍼스널 컴퓨터(personal computer: PC), 태블릿 PC, 셋-탑 박스(set-top box: STB), 개인용 정보 단말기(Personal Digital Assistant: PDA), 휴대 전화, 웹 어플리언스(web appliance), 서버, 네트워크 라우터(network router), 스위치(switch) 또는 브릿지(bridge), 또는 그러한 기계에 의해 취해질 동작들을 명시하는 하나의 집합의 명령들을 수행할 수 있는(순차적 또는 다르게) 어떠한 기계일 수 있다. 추가로, 단지 하나의 기계가 도시되었지만, 용어 "기계"는 또한 하나의 집합(또는 다중 집합)의 명령어들을 개별적으로 또는 공동으로 실행하여 본원에 논의된 방법들 중 어느 하나 이상을 수행하는 어떠한 기계들의 모음(예, 컴퓨터)을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 한 가지 구체예에서, 컴퓨터 시스템(600)은 상기 기재된 도 1, 2a, 3a, 3b, 4 또는 5와 연관되어 기재된 장치를 위한 컴퓨팅 디바이스를 사용하기에 적합하다.
예시적인 컴퓨터 시스템(600)은 프로세서(602), 주 메모리(604)(예, 읽기-전용 메모리(ROM), 플래쉬 메모리, 동적 임의 접근 메모리(dynamic random access memory: DRAM), 예컨대, 동기화 DRAM(synchronous DRAM: SDRAM) 또는 램버스 DRAM(Rambus DRAM: RDRAM) 등), 정적 메모리(606)(예, 플래쉬 메모리, 정적 임의 접근 메모리(static random access memory: SRAM) 등), 및 이차 메모리(618)(예, 데이터 저장 장치)를 포함하고, 이들은 버스(630)를 통해 서로 소통된다.
전구체(602)는 하나 이상의 일반적인 용도의 처리 장치들, 예컨대, 마이크로프로세서, 또는 중앙 처리 장치 등을 나타낸다. 더욱 특히, 프로세서(602)는 복합 명령어 집합 계산(complex instruction set computing: CISC) 마이크로프로세서, 축소 명령어 집합 계산(reduced instruction set computing: RISC) 마이크로프로세서, 매우 긴 명령어(very long instruction word: VLIW) 마이크로프로세서, 다른 명령어 집합들을 구현하는 프로세서, 또는 명령어 집합들의 조합을 구현하는 프로세서들일 수 있다. 프로세서(602)는 또한 응용 주문형 집적 회로(application specific integrated circuit: ASIC), 필드 프로그래밍 가능한 게이트 어레이(field programmable gate array: FPGA), 디지털 신호 프로세서(digital signal processor: DSP), 또는 네트워크 프로세서(network processor) 등과 같은 하나 이상의 특수-용도의 가공 장치들일 수 있다. 프로세서(602)는 본원에 논의된 작업들을 수행하기 위한 프로세싱 로직(processing logic: 626)을 실행하도록 구성된다.
컴퓨터 시스템(600)은 네트워크 인터페이스 장치(network interface device: 608)를 추가로 포함할 수 있다. 컴퓨터 시스템(600)은 또한 비디오 디스플레이 장치(610)(예, 액정 디스플레이(liquid crystal display: LCD) 또는 음극 선관(cathode ray tube: CRT)), 영숫자식 입력 장치(612)(예, 키보드), 커서 제어 장치(614)(예, 마우스), 및 신호 발생 장치(616)(예, 스피커)를 포함할 수 있다.
이차 메모리(618)는 본원에 기재된 방법들 또는 기능들 중 어느 하나 이상을 구현하는 하나 이상의 집합들의 명령어들(예, 소프트웨어(622))이 저장되는 기계-접근가능한 저장 매체(또는 더욱 특히, 컴퓨터-판독가능한 저장 매체)(631)를 포함할 수 있다. 소프트웨어(622)는 또한 컴퓨터 시스템(600)에 의한 이의 실행 동안 주 메모리(604) 내에 및/또는 프로세서(602) 내에 완전히 또는 적어도 부분적으로 존재할 수 있고, 이러한 주 메모리(604) 및 프로세서(602)에는 또한 기계-판독가능한 저장 매체가 구성된다. 소프트웨어(622)는 추가로 네트워크 인터페이스 장치(608)를 통해 네트워크(620)에 걸쳐 전송되거나 수신될 수 있다.
기계-접근가능한 저장 매체(631)가 단일 매체인 것으로 예시적인 구체예에 나타나 있지만, 용어 "기계-판독가능한 저장 매체"는 하나 이상의 집합들의 명령어들을 저장하는 단일 매체 또는 다중 매체(예, 집중형 또는 분산형 데이터베이스, 및/또는 관련 캐시들 및 서버들)를 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 용어 "기계-판독가능한 저장 매체"는 또한, 기계에 의한 실행을 위해 하나의 집합의 명령어들을 저장하거나 인코딩할 수 있고, 기계가 본 발명의 방법들 중 어떠한 하나 이상을 수행하게 하는 어떠한 매체를 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 이에 따라서, 용어 "기계-판독가능한 저장 매체"는 이로 제한되지는 않지만, 솔리드-스테이트 메모리(solid-state memory), 및 광학 및 자기 매체를 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
본 발명의 한 가지 구체예에 따르면, 비-일시적 기계-접근가능한 저장 매체는 산소 제어된 방식으로 GaN-기반 광전자 및 전자 장치를 위한 PVD AlN 버퍼를 형성시키는 방법을 수행하는 데이터 처리 시스템을 야기하는 이에 저장되는 명령어를 지닌다.
이와 같이, GaN-기반 광전자 및 전자 장치를 위한 산소 제어된 PVD AlN 버퍼가 개시된다.
Claims (25)
- GaN-기반 광전자 또는 전자 장치를 위한 알루미늄 니트라이드(aluminum nitride: AlN) 버퍼 층을 형성시키는 방법으로서, 상기 방법이
기판 상에 AlN 층을 반응성 스퍼터링(reactive sputtering)시키고;
AlN 층에 산소를 도입함을 포함하며,
상기 반응성 스퍼터링이 질소-함유 가스 또는 질소-함유 가스를 기반으로 한 플라즈마로 물리 기상 증착(physical vapor deposition: PVD) 챔버에서 수용된 알루미늄-함유 타겟을 반응시킴을 포함하는 방법. - 제 1항에 있어서, 산소를 도입함이 O2, H2O, CO, CO2, NO, NO2, O3, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 산소-함유 가스를 PVD 챔버로 유동시킴으로써 수행되는 방법.
- 제 1항에 있어서, 산소를 도입함이 알루미늄-함유 타겟을 질소-함유 가스 또는 질소-함유 가스를 기반으로 한 플라즈마와 반응시키기 전에 산소-함유 가스를 유동시킴으로써 수행되는 방법.
- 제 1항에 있어서, 산소를 도입함이 알루미늄-함유 타겟을 질소-함유 가스 또는 질소-함유 가스를 기반으로 한 플라즈마와 반응시키면서 산소-함유 가스를 유동시킴으로써 수행되는 방법.
- 제 1항에 있어서, 산소를 도입함이 알루미늄-함유 타겟을 질소-함유 가스 또는 질소-함유 가스를 기반으로 한 플라즈마와 반응시킨 후에 산소-함유 가스를 유동시킴으로써 수행되는 방법.
- 제 1항에 있어서, AlN 층에 산소를 도입함이 약 1E18 내지 1E23 cm-3 범위의 농도의 산소를 AlN 층에 도입함을 포함하는 방법.
- GaN-기반 광전자 또는 전자 장치를 위한 물질 스택으로서, 물질 스택이
기판; 및
기판 상에 배치된 알루미늄 니트라이드(AlN) 버퍼 층을 포함하고,
AlN 층이 약 1E18 내지 1E23 cm-3 범위의 농도의 산소를 포함하는, 물질 스택. - 제 7항에 있어서, 산소의 일부가 AlN/기판 인터페이스에서 포함되는, 물질 스택.
- 제 7항에 있어서, 산소의 일부가 AlN 버퍼 층의 최외각 표면에서 포함되는, 물질 스택.
- 제 7항에 있어서, AlN 버퍼 층 상에 배치된 고품질의 GaN 층을 추가로 포함하며, 고품질의 GaN 층이 < 100 arcsec의 XRD (002) FWHM 내지 < 150 arcsec의 XRD (102) FWHM를 지니는, 물질 스택.
- 제 7항에 있어서, 기판이 사파이어, Si, SiC, 다이아몬드 상 Si, ZnO, LiAlO2, MgO, GaAs, Copper 및 W로 이루어진 군으로부터 선택되는, 물질 스택.
- 기판; 및
기판 상에 배치된 알루미늄 니트라이드(AlN) 버퍼 층
을 포함하는 발광 다이오드(light-emitting diode: LED) 장치로서,
AlN 층이 약 1E18 내지 1E23 cm-3 범위의 농도의 산소를 포함하는, 발광 다이오드(LED) 장치. - 제 12항에 있어서, 산소의 일부가 AlN/기판 인터페이스에서 포함되는, LED 장치.
- 제 12항에 있어서, 산소의 일부가 AlN 버퍼 층의 최외각 표면에서 포함되는, LED 장치.
- 제 12항에 있어서, AlN 버퍼 층 상에 배치된 고품질의 GaN 층을 추가로 포함하며, 고품질의 GaN 층이 < 100 arcsec의 XRD (002) FWHM 내지 < 150 arcsec의 XRD (102) FWHM를 지니는, LED 장치.
- 기판; 및
기판 상에 배치된 알루미늄 니트라이드(AlN) 버퍼 층
을 포함하는, GaN-기반 전자 장치로서,
AlN 층이 약 1E18 내지 1E23 cm-3 범위의 농도의 산소를 포함하는, GaN-기반 전자 장치. - 제 16항에 있어서, 장치가 전계 효과 트랜지스터(field effect transistor: FET) 및 전력 장치로 이루어진 군으로부터 선택되는 장치인, GaN-기반 전자 장치.
- 제 16항에 있어서, 산소의 일부가 AlN/기판 인터페이스에서 포함되는, GaN-기반 전자 장치.
- 제 16항에 있어서, 산소의 일부가 AlN 버퍼 층의 최외각 표면에서 포함되는, GaN-기반 전자 장치.
- 제 16항에 있어서, AlN 버퍼 층 상에 배치된 고품질의 GaN 층을 추가로 포함하며, 고품질의 GaN 층이 < 100 arcsec의 XRD (002) FWHM 내지 < 150 arcsec의 XRD (102) FWHM를 지니는, GaN-기반 전자 장치.
- GaN-기반 광전자 또는 전자 장치를 위한 알루미늄 니트라이드(AlN) 버퍼 층을 형성시키기 위한 챔버로서,
1E-7 torr 또는 그 미만의 높은 기저 진공 및 고온에서의 낮은 증가 속도를 가능하게 하는 펌핑 시스템 및 챔버 냉각 설계;
웨이퍼 내에서 및 웨이퍼 사이에서 캐리어 전체에 걸쳐 AlN 필름의 균일한 증착 및 일관된 타겟 부식을 가능하게 하도록 구성된 정단면 부식 마그네트론 캐소드; 및
균일한 AlN 조성을 위해 챔버 내에서 O-함유 가스를 포함한 공정 가스의 균일한 분배를 가능하게 하도록 구성된 프로세스 키트(process kit) 및 가스 흐름 설계를 포함하는 챔버. - 제 21항에 있어서, 웨이퍼의 신속하고 균일한 가열을 가능하게 하도록 구성된 고온 바이어스가능한 정전기 방전 척(high temperature biasable electro-static chuck)을 추가로 포함하는 챔버.
- 제 21항에 있어서, 산소로 도핑된 Al 타겟을 추가로 포함하는 챔버.
- 제 21항에 있어서, 챔버의 진공 증가 속도가 2,500 ntorr/min 또는 그 미만인 챔버.
- 제 21항에 있어서, 고온이 약 350 섭씨 온도 또는 그 초과인 챔버.
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201361785128P | 2013-03-14 | 2013-03-14 | |
US61/785,128 | 2013-03-14 | ||
US13/947,857 US9929310B2 (en) | 2013-03-14 | 2013-07-22 | Oxygen controlled PVD aluminum nitride buffer for gallium nitride-based optoelectronic and electronic devices |
US13/947,857 | 2013-07-22 | ||
PCT/US2013/053994 WO2014143141A1 (en) | 2013-03-14 | 2013-08-07 | Oxygen controlled pvd aln buffer for gan-based optoelectronic and electronic devices |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020207004748A Division KR102207804B1 (ko) | 2013-03-14 | 2013-08-07 | Gan-기반 광전자 및 전자 장치를 위한 산소 제어된 pvd aln 버퍼 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20150131217A true KR20150131217A (ko) | 2015-11-24 |
KR102080926B1 KR102080926B1 (ko) | 2020-02-24 |
Family
ID=51523604
Family Applications (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020217001822A KR102342796B1 (ko) | 2013-03-14 | 2013-08-07 | Gan-기반 광전자 및 전자 장치를 위한 산소 제어된 pvd aln 버퍼 |
KR1020157028842A KR102080926B1 (ko) | 2013-03-14 | 2013-08-07 | Gan-기반 광전자 및 전자 장치를 위한 산소 제어된 pvd aln 버퍼 |
KR1020207004748A KR102207804B1 (ko) | 2013-03-14 | 2013-08-07 | Gan-기반 광전자 및 전자 장치를 위한 산소 제어된 pvd aln 버퍼 |
KR1020217041575A KR102455498B1 (ko) | 2013-03-14 | 2013-08-07 | Gan-기반 광전자 및 전자 장치를 위한 산소 제어된 pvd aln 버퍼 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020217001822A KR102342796B1 (ko) | 2013-03-14 | 2013-08-07 | Gan-기반 광전자 및 전자 장치를 위한 산소 제어된 pvd aln 버퍼 |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020207004748A KR102207804B1 (ko) | 2013-03-14 | 2013-08-07 | Gan-기반 광전자 및 전자 장치를 위한 산소 제어된 pvd aln 버퍼 |
KR1020217041575A KR102455498B1 (ko) | 2013-03-14 | 2013-08-07 | Gan-기반 광전자 및 전자 장치를 위한 산소 제어된 pvd aln 버퍼 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (6) | US9929310B2 (ko) |
JP (1) | JP6325647B2 (ko) |
KR (4) | KR102342796B1 (ko) |
CN (1) | CN105121693A (ko) |
TW (1) | TWI624963B (ko) |
WO (1) | WO2014143141A1 (ko) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9929310B2 (en) | 2013-03-14 | 2018-03-27 | Applied Materials, Inc. | Oxygen controlled PVD aluminum nitride buffer for gallium nitride-based optoelectronic and electronic devices |
CN107210192B (zh) * | 2015-01-09 | 2021-09-10 | 斯维甘公司 | 半导体装置结构及其生产方法 |
JP6465785B2 (ja) * | 2015-10-14 | 2019-02-06 | クアーズテック株式会社 | 化合物半導体基板 |
CN105633233B (zh) * | 2015-12-31 | 2018-01-12 | 华灿光电(苏州)有限公司 | AlN模板、AlN模板的制备方法及AlN模板上的半导体器件 |
CN105470357B (zh) * | 2015-12-31 | 2018-05-22 | 华灿光电(苏州)有限公司 | AlN模板、AlN模板的制备方法及AlN模板上的半导体器件 |
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- 2013-07-22 US US13/947,857 patent/US9929310B2/en active Active
- 2013-07-30 TW TW102127333A patent/TWI624963B/zh active
- 2013-08-07 CN CN201380074273.4A patent/CN105121693A/zh active Pending
- 2013-08-07 WO PCT/US2013/053994 patent/WO2014143141A1/en active Application Filing
- 2013-08-07 KR KR1020217001822A patent/KR102342796B1/ko active IP Right Grant
- 2013-08-07 KR KR1020157028842A patent/KR102080926B1/ko active IP Right Grant
- 2013-08-07 KR KR1020207004748A patent/KR102207804B1/ko active IP Right Grant
- 2013-08-07 JP JP2016500086A patent/JP6325647B2/ja active Active
- 2013-08-07 KR KR1020217041575A patent/KR102455498B1/ko active IP Right Grant
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- 2015-10-15 US US14/884,251 patent/US10193014B2/en active Active
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- 2018-05-15 US US15/980,583 patent/US10236412B2/en active Active
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- 2019-02-01 US US16/265,895 patent/US10546973B2/en active Active
- 2019-12-19 US US16/721,301 patent/US11081623B2/en active Active
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- 2021-06-29 US US17/362,794 patent/US11575071B2/en active Active
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US10546973B2 (en) | 2020-01-28 |
US20200127164A1 (en) | 2020-04-23 |
US20160035937A1 (en) | 2016-02-04 |
WO2014143141A1 (en) | 2014-09-18 |
US11575071B2 (en) | 2023-02-07 |
JP6325647B2 (ja) | 2018-05-16 |
JP2016518697A (ja) | 2016-06-23 |
KR102207804B1 (ko) | 2021-01-26 |
KR20210010655A (ko) | 2021-01-27 |
TWI624963B (zh) | 2018-05-21 |
KR102342796B1 (ko) | 2021-12-22 |
US10236412B2 (en) | 2019-03-19 |
CN105121693A (zh) | 2015-12-02 |
US10193014B2 (en) | 2019-01-29 |
US9929310B2 (en) | 2018-03-27 |
US20140264363A1 (en) | 2014-09-18 |
US11081623B2 (en) | 2021-08-03 |
US20180261720A1 (en) | 2018-09-13 |
US20210328104A1 (en) | 2021-10-21 |
KR102455498B1 (ko) | 2022-10-14 |
KR102080926B1 (ko) | 2020-02-24 |
TW201436283A (zh) | 2014-09-16 |
KR20210156356A (ko) | 2021-12-24 |
KR20200020024A (ko) | 2020-02-25 |
US20190172973A1 (en) | 2019-06-06 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
A107 | Divisional application of patent | ||
GRNT | Written decision to grant |