KR20150072518A - 금속 나노와이어를 제조하는 방법, 금속 나노와이어 및 전자 소자 - Google Patents

Abstract

본 발명은 용액 상에서 금속의 나노와이어를 제조하는 방법에 관한 것으로, 특히 그 종류의 선택이 제한되었던 금속 전구체에 대해 다양한 형태의 것을 사용할 수 있는 방법을 제공하고자 한다. 이를 위해 본 발명은 금속 전구체와 함께 상기 금속 전구체의 음이온을 치환하는 산을 사용함으로써 상기 산으로 하여금 금속 전구체의 음이온을 치환하게 하며 이때 새로이 생성되는 금속염은 용해도가 높은 것이다. 상기 방법에 의하면 기존의 낮은 용해도 문제로 인하여 사용이 제한되었던 금속 전구체에 대한 사용을 가능하게 한다. 또한 상기 방법으로 제조된 금속 나노와이어는 균일한 형태를 갖는 것이 확인되며, 사용된 전구체에 대하여 높은 수율로 금속의 나노와이어가 제조된다. 따라서 본 발명에 의하면 금속 나노와이어의 제조에 사용되는 금속 전구체의 선택 범위를 넓히면서도 우수한 특성을 갖는 나노와이어를 높은 수율로 제조할 수 있다.

Description

금속 나노와이어를 제조하는 방법, 금속 나노와이어 및 전자 소자{Method of preparation for metal nanowires, metal nanowires and electrical devices}

본 발명은 금속 전구체로부터 나노와이어 형태의 구조물을 제조하는 방법, 그로부터 제조되는 금속 나노와이어 및 그를 포함하는 전자 소자에 관한 것이다.

금속의 단결정으로 이루어지는 구조물인 금속 나노와이어는 화학적 안정성이 높고, 열전도도 및 전기전도도가 커 전기, 자기, 광학 소자 및 센서에의 활용 가치가 매우 높다.

은(Ag) 또는 구리(Cu)는 모든 금속 중에서 우수한 전기 및 열 전도율을 가지고 있어 나노와이어로의 활용이 기대되는 분야이다. 그중에서도 특히 은(Ag)은 가시광 영역에서 가장 높은 표면 증강 라만 효율을 갖는 등 광학적 특성 또한 매우 우수하다. 따라서 상기 금속을 나노와이어 형태로 제조할 경우 마이크로 전자 소자부터 투명 전도성 전극(TCEs; Transparent Conductive Electrodes)까지 많은 응용에 발전을 기대할 수 있으며, 광학, 화학 또는 바이오 센서로의 활용 또한 기대된다.

그러나 금속의 나노와이어가 다양한 분야에 활용되기 위해서는, 균일한 굵기, 깨끗한 표면, 고 종횡비 및 잘 정의된 크기를 가지며 크기 편차가 작은 나노와이어를 완화된 조건으로 생산하는 것이 관건이다. 이를 위해 금속 전구체 용액으로부터 나노와이어를 제조하는 용액 상 제조 방법으로서 은 염(Ag salt), 수용성 고분자, 금속 이온의 할로겐화물인 금속 촉매 및 환원성 용매를 함유하는 전구체 용액으로부터 은 나노와이어를 제조하는 방법이 제시되었다(공개특허 10-2012-0010199). 또한 상기 용액에 계면활성제 및/또는 증점제를 부가하여 제조 효율을 높이고자 하는 등(공개특허 10-2012-0010198) 등 다양한 시도가 이루어지고 있다.

그러나, 상기 방법들은 모두 금속 전구체에 해당되는 은 염의 선택에 있어서 제한적이다. 즉 은 나노와이어의 제조를 위해 사용되는 전구체의 경우 대부분 질산은(AgNO₃) 정도로 한정되어 있는 것이 현실이며 이를 제외하고는 만족할만한 수율로 나노와이어를 제조하지 못하고 있는 것이 현실이다.

따라서, 보다 다양한 금속 전구체로부터 상술한 바와 같은 바람직한 특성을 갖는 금속 나노와이어를 제조하기 위한 방법이 요구되고 있다.

본 발명은 금속 나노와이어를 제조하는 방법을 제공하는 것으로, 특히 다양한 금속의 전구체를 사용하여 균일한 굵기 및 직경을 가지며 높은 장단축비를 갖는 금속 나노와이어를 제조하는 방법을 제공하고자 한다. 또한 미 반응되어 버려지는 금속 전구체의 양을 줄이고 나노와이어의 생성 과정에서 필연적으로 수반되는 나노입자, 나노 플레이트 또는 나노로드의 생성 반응을 효과적으로 억제함으로써 높은 수율로 금속 나노와이어를 제조하는 방법을 제공하고자 한다.

본 발명은 금속 전구체 및 상기 금속 전구체의 음이온을 치환하는 산을 포함하는 용액으로부터 상기 금속을 환원시킴으로써 나노와이어를 제조하는 방법을 제공한다. 구체적으로, 상기 방법은 금속 전구체, 및 상기 금속 전구체의 음이온을 치환하는 산을 포함하는 전구체 용액을 제조하는 단계; 상기 전구체 용액에 수용성 고분자, 및 할로겐화물인 첨가제를 첨가하여 반응 용액을 제조하는 단계; 및 상기 반응 용액을 80 내지 180 ℃ 의 온도에서 가열하여 반응시키는 단계를 포함한다.

바람직하게, 상기 금속 전구체는 하나 또는 초과의 카르복실기(-COOH)를 포함하는 C2-C24의 직쇄형 또는 분지형의 지방족, 지방족 고리 또는 방향족 카르복실산 또는 그 유도체인 에스테르 화합물로부터 유래되는 금속의 카르복실산 염이다.

바람직하게, 상기 금속 전구체는 은 아세테이트(CH₃COOAg), 은 벤조에이트(C₆H₅COOAg), 은 락테이트(CH₃CH(OH)COOAg), 은 시트레이트(C₃H₅O(COOAg)₃), 은 시클로헥산부티레이트(C ₆ H ₁₁-CH ₂CH₂CH₂-COOAg), 은-2-에틸헥사노에이트(CH₃CH₂(C₂H₅)CH₂CH₂CH₂COOAg), 은 트리플루오로아세테이트(CF₃COOAg) 및 은 헵타플루오로부티레이트(CF₃CF₂CF₂-COOAg) 로 이루어진 그룹에서 선택되는 1종 이상인 것이다.

바람직하게, 상기 금속 전구체의 음이온을 치환하는 산은 금속 이온의 당량의 1 내지 1.5의 양으로 포함된다.

바람직하게, 상기 금속 전구체의 음이온을 치환하는 산은 금속 전구체에 포함된 음이온의 짝산보다 강한 산성의 산이다.

바람직하게, 상기 금속 전구체의 음이온을 치환하는 산은 질산(HNO₃) 또는 불산(HF)이다.

바람직하게, 상기 수용성 고분자는 폴리비닐피롤리돈, 폴리비닐알콜, 폴리아크릴아미드, 폴리아크릴산 및 이들의 공중합체에서 선택되는 것이다.

바람직하게, 상기 할로겐화물의 첨가제는 테트라부틸암모늄클로라이드(tetrabutylammonium chloride), NaCl 또는 CuCl₂ 이다.

바람직하게, 상기 전구체 용액은 pH 6 내지 8 범위로 조절된다.

또한 본 발명은 상기 방법으로부터 제조되는 것을 특징으로 하는 나노와이어를 제공한다.

바람직하게, 상기 나노와이어는 은(Ag) 나노와이어이다.

또한 본 발명은 상기 나노와이어를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 소자를 제공한다.

본 발명에 의하면 다양한 금속의 전구체로부터 나노와이어를 제조할 수 있다. 특히 본 발명은 불용성 내지 용해도가 낮은 전구체의 경우에도 용이한 방법으로 나노와이어의 제조에 이용할 수 있다는 장점이 있다. 또한 본 발명에 의하면 다른 나노 구조물 즉 나노입자, 나노 플레이트 또는 나노로드의 생성을 억제하여 높은 수율로 나노와이어를 제조할 수 있다. 상기 방법으로 제조된 금속의 나노와이어는 균일한 형태 및 높은 종횡비를 갖는 것으로 전자 소자 등 다양한 분야에 적용될 수 있다.

도 1은 실시예 1로부터 얻어진 나노와이어의 주사전자 현미경 사진이다.
도 2는 실시예 2로부터 얻어진 나노와이어의 주사전자 현미경 사진이다.
도 3은 실시예 3으로부터 얻어진 나노와이어의 주사전자 현미경 사진이다.

본 발명은 금속 전구체의 환원 반응으로부터 나노와이어 형태의 구조물을 제조하는 방법에 관한 것으로, 금속 전구체 및 상기 금속 전구체의 음이온을 치환하는 산을 함유하는 용액으로부터 상기 금속의 환원 반응을 일으키는 방법을 제공한다. 상기 방법은 금속 전구체, 및 상기 금속 전구체의 음이온을 치환하는 산을 포함하는 전구체 용액을 제조하는 단계; 상기 전구체 용액에 수용성 고분자, 및 할로겐화물인 첨가제를 첨가하여 반응 용액을 제조하는 단계; 및 상기 반응 용액을 80 내지 180 ℃ 의 온도에서 가열하여 반응시키는 단계를 포함한다.

우선 전구체 용액을 제조하기 위해 사용되는 금속의 전구체로는 금속의 유기산 염, 무기산 염 또는 할로겐화물을 비롯하여 다양한 형태의 것을 들 수 있다. 본 발명은 금속의 전구체에 대한 일 실시예로서 금속의 카르복실산 염을 제공한다. 상기 금속의 카르복실산 염은 하나 또는 초과의 카르복실기(-COOH)를 포함하는 C2-C24의 직쇄형 또는 분지형의 지방족, 지방족 고리 또는 방향족 카르복실산 또는 그 유도체인 에스테르 화합물로부터 유래된 것일 수 있다. 이러한 전구체의 구체적인 예로는 이에 제한되는 것은 아니나, 은 아세테이트(CH₃COOAg), 은 벤조에이트(C₆H₅COOAg), 은 락테이트(CH₃CH(OH)COOAg), 은 시트레이트(C₃H₅O(COOAg)₃), 은 시클로헥산부티레이트(C ₆ H ₁₁-CH ₂CH₂CH₂-COOAg), 은-2-에틸헥사노에이트(CH₃CH₂(C₂H₅)CH₂CH₂CH₂COOAg), 은 트리플루오로아세테이트(CF₃COOAg), 은 헵타플루오로부티레이트(CF₃CF₂CF₂-COOAg) 등이 가능하게 제시될 수 있다.

한편 금속 전구체에 대한 다른 실시예로서 은 브로마이드(AgBr), 은 플로라이드(AgF), 은 클로라이드(AgCl), 은 아이오다이드(AgI), 은 클로레이트(ClO₃Ag), 은 카보네이트(CO3Ag2), 은 시아네이트(NCOAg), 은 퍼클로레이트(ClO₄Ag) 등의 금속의 할로겐화물과 이들의 유도체들을 사용할 수도 있다.

상기 금속의 전구체 중에서 은(Ag) 나노와이어의 용액 상 제조의 경우에서 통상적으로 사용되는 은(Ag) 염으로 AgNO₃ 와 AgF 를 제외한 염들은 수용액 상에서 용해도가 매우 낮거나 녹지 않는 성질을 가지고 있다 (특히 AgCOOCH₃ 등은 매우 소량 녹음). 따라서 다양한 전구체로부터 은 나노와이어를 제조하는 데에는 한계가 있다. 본 발명에서는 이러한 낮은 용해도의 문제점으로 인하여 금속 나노와이어의 제조에 사용되지 못했던 전구체로부터 나노와이어를 제조하는 방법을 제공한다.

이를 위해 본 발명은 금속 전구체와 함께 이로부터 음이온 치환을 가능하게 하는 산을 용해시킨 용액을 사용한다. 즉, 강산이나 약산을 사용하여 수용액에 녹지않는 Ag염을 녹이는 경우에 상기 강산이나 약산이 짝염기로 작용하여 Ag염의 음이온과 치환되게 한다. 전구체로부터 음이온 치환을 가능하게 하기 위해 본 발명에서 사용하는 산으로는 상기 전구체에 포함되어 있는 음이온의 짝산보다 강한 산성의 것을 사용한다. 일 실시예로서 전구체로 은-아세테이트(AgCOOCH₃)를 사용할 경우 전구체에 포함된 음이온(COOCH₃ ^-)의 짝산인 CH₃COOH 보다 강한 산인 질산(HNO₃)을 사용하는 것이다. 즉 강산의 짝염기인 질산 음이온(NO₃ ^-)에 의해 금속 전구체의 음이온(COOCH₃ ^-)이 치환되게 함으로써 용매에 대한 용해도가 매우 낮은 금속 전구체를 사용하는 경우에도 금속의 환원 반응을 가능하게 한다. 이때 상기 산의 선택에 있어서 추가적으로 고려되어야 할 것은 금속 전구체의 음이온을 치환하여 새로이 형성된 Ag염(상기에서는, AgNO₃)이 수용액에 녹지않는 고체상을 형성하게 되어 반응에 참여하지 못하고 석출되는 현상을 보여서는 안된다는 점이다. 이러한 점에서 바람직하게 선택되는 산은 질산(HNO₃) 또는 불산(HF) 이다. 특히 질산(HNO₃) 은 불산(HF) 에 비하여 3 배 정도 높은 용해도를 보여주기 때문에 질산(HNO₃)을 사용하는 것이 더욱 바람직하다.

즉 본 발명은 용액 상에서 금속 나노와이어를 제조할 때에 낮은 용해도 문제로 인해 그 사용이 제한되었던 금속 전구체를 산과 함께 사용함으로써 해결하고, 그에 따라 전구체의 선택 범위를 넓히는 제조방법을 제공한다.

본 발명에서 금속 전구체와 함께 사용되는 산은 바람직하게 금속 전구체가 분산되어 있는 용액 내로 천천히 적하 투여된다. 또한 금속 전구체와 함께 사용되는 산의 양은 금속 전구체에 포함된 금속 이온의 당량에 따라 결정된다. 바람직하게 금속 이온의 당량의 1 내지 1.5의 양으로 사용한다. 상기 당량이 1 미만일 경우 음이온 치환 반응이 충분히 일어나지 않고, 반면 1.5를 초과하는 양으로 사용할 경우 과량의 산으로 인해 낮아진 전구체 용액 내의 pH가 금속의 환원 반응에 영향을 줄 수 있기 때문이다.

본 발명에서 전구체 용액 및 반응 용액에 포함되는 용매로는 물 또는 에틸렌 글리콜(Ethylene Glycol), 1,2-프로필렌 글리콜

(1,2-propylene glycol), 1,3-프로필렌 글리콜(1,3-propylene glycol), 다이에틸렌글리콜(DiethyleneGlycol(DEG)(2-Hydroxyethyl Ether) 및 글리세롤(glycerol) 로 이루어진 그룹에서 하나 이상 선택되는 것을 사용할 수 있다.

나아가 본 발명에서는 상기 금속 전구체 및 산을 포함하는 용액으로부터 금속의 환원 반응을 일으킬 때에 상기 용액의 pH를 조절하기 위하여 염기를 첨가한다. 이것은 금속 전구체 용액에 산을 첨가함으로 인해 용액의 pH가 낮아지며 이로부터 여러 부반응이 일어날 가능성이 크기 때문이다. 따라서 상기 산 첨가와 함께 용액의 산도를 중성 범위(pH 6 내지 8)로 맞추어주기 위해 본 발명에서는 용액 내에 NaOH, KOH, 트리에틸아민(Triethylamine) 등의 염기를 투여한다. 전구체 용액에 염기를 투여하여 pH의 변화에 의한 영향을 최소화할 경우 나노와이어가 제조되는 과정에서 통상적으로 함께 일어나는 입자, 플레이트 또는 로드 형성의 경쟁 반응이 제어되어 나노와이어의 수율이 향상된다. 즉 전구체 용액의 pH를 중성으로 조절하였을 때 나노입자, 나노플레이트 또는 나노로드에 비해 높은 선택성으로 나노와이어의 제조가 가능해진다.

또한 본 발명에서는 금속 나노와이어의 제조시, 캡핑 즉 그 측면에 붙어 와이어 형태의 성장을 촉진시키는 역할을 수행하는 수용성 고분자를 사용한다. 상기 수용성 고분자는 그 분자량(Mw)에 따라 생성되는 나노와이어의 종횡비를 조절할 수 있다. 바람직하게, 50,000 내지 1,500,000의 분자량(Mw)을 갖는 것을 사용한다. 상기 수용성 고분자는 폴리비닐피롤리돈, 폴리비닐알콜, 폴리아크릴아미드, 폴리아크릴산 및 이들의 공중합체에서 하나 이상 선택된 물질인 것이 바람직하며, 보다 바람직하게 폴리비닐피롤리돈이다. 또한 바람직한 나노와이어의 종횡비를 위해 사용되는 수용성 고분자의 양은 금속 전구체에 대한 중량비로서 1: 0.3 내지 1.5의 범위이다. 상기 범위보다 적은 양으로 사용하면 특히 나로로드의 생성 비율이 증가하는 경향을 보이고, 상기 범위를 초과하는 양으로 사용할 경우 제조된 나노와이어의 물성 즉 전도성에 영향을 주는 문제가 발생할 수 있기 때문이다.

본 발명에서는 추가적으로 나노와이어의 제조 과정에서 첨가제로서 할로겐화물을 사용한다. 할로겐화물은 상기 수용성 고분자와 함께 나노와이어의 측면 성장을 보다 효율적으로 억제하여 입자, 플레이트, 로드 형태의 다른 나노 구조물 생성을 억제함으로써 보다 높은 선택성으로 나노와이어가 제조되도록 한다. 이러한 할로겐화물로는 예로서 테트라부틸암모늄클로라이드(tetrabutylammonium chloride) 또는 전형원소/전이원소 계열의 금속염(예를들어, NaCl, CuCl₂)을 사용할 수 있다. 상기 금속 전구체: 할로겐화물의 중량비는 1: 0.001 내지 1 이며, 바람직하게 1: 0.01 내지 0.2이다.

본 발명에서 전구체 용액에 수용성 고분자 및 할로겐화물인 첨가제를 첨가하여 반응 용액을 제조하는 단계에서는, 금속 전구체를 포함하는 전구체 용액을 제조하고 난 후, 이것을 수용성 고분자 및 첨가제가 포함된 제2의 용액에 천천히 적하하는 방법에 의해 반응 용액을 제조한다. 그런 다음 상기 반응 용액에 대해 바람직하게 80 내지 180 ℃, 더욱 바람직하게는 100 내지 150℃의 온도 범위에서 4 내지 7 시간 반응을 진행시킨다.

상기 방법으로 제조된 금속의 나노와이어는 30 내지 100 nm 범위의 균일한 직경 및 5 내지 100 ㎛ 범위의 길이를 가지며 50 내지 2,500 범위의 높은 종횡비를 갖는다. 따라서 투명 전극의 소재 등 광학 또는 전자 분야의 다양한 소자 재료로 사용될 수 있다. 예로서 은 나노와이어들의 혼합 및 도포에 의해 제조되는 투명 전극은 우수하고 균일한 전기전도도를 가지고, 소량의 은 나노와이어를 함유하여도 우수한 전기전도도를 유지하며, 광 투과성이 우수한 특성을 나타낸다.

이하 실시예에 의해 본 발명을 상세히 설명한다. 그러나 이는 발명의 이해를 용이하게 하기 위한 것일 뿐 본 발명이 이에 제한되는 것으로 여겨져서는 안된다.

실시예 1

50 ml의 반응 용기 A에 7.5g의 프로필렌 글리콜 (Junsei, >99%) 및 금속 전구체로서 0.5 g의 은-아세테이트(AgCOOCH₃)(Sigma-Aldrich, 99.99%)을 넣어 분산시켰다. 여기에 220 ml의 질산(HNO₃)(Aldrich, 70%)을 천천히 적가하여 은-아세테이트를 용해시키는 것으로 전구체 용액을 제조하였다.

100 ml의 반응 용기 B에 39.5g의 프로필렌 글리콜 및 수용성 고분자로서 0.25 g의 폴리비닐피롤리돈(PVP)(Sigma-Aldrich, 90%) 및 첨가제로서 5mg의 NaCl을 투입하고 100 ℃로 가열하면서 용해시켰다. 이것을 100 ℃로 계속하여 가열하면서 여기에 상기 제조된 전구체 용액을 10 분에 걸쳐 천천히 적하하면서 저어주었다. 그 후 4 시간 동안 계속하여 반응액을 100 ℃로 가열하면서 저어주었다. 다음으로 500 ml의 냉각수를 투여하여 반응을 종료시켰다. 반응 희석액을 2,000rpm에서 10분간 원심분리하여 침전된 나노와이어를 얻는 과정을 3회 반복하여 0.24 g의 은 나노와이어를 획득하였다.

실시예 2

실시예 1에서 전구체 용액에 수산화칼륨(KOH) 수용액(Aldrich, 0.1N)을 첨가하여 용액의 pH를 7로 조절하는 것을 제외하고 동일한 과정을 수행하여 0.265g의 은 나노와이어를 제조하였다.

실시예 3

실시예 1에서 금속 전구체로서 0.74 g의 Ag-2-에틸 헥사노에이트(Ag-2-ethylhexanoate)(American Elements, 99%)를 사용하는 것을 제외하고 동일한 과정을 수행하여 0.256g의 은 나노와이어를 제조하였다.

은 나노와이어의 특성 및 제조 수율 평가

도 1 내지 3은 실시예 1 내지 3에서 제조된 각각의 은 나노와이어를 관찰한 주사전자현미경 사진이다. 이를 보면 매우 균일한 형태 및 크기의 은 나노와이어가 제조되었음을 확인할 수 있다.

다음으로 정량적인 검토를 위해 상기 사진으로부터 얻어지는 나노와이어의 평균 직경, 평균 길이, 길이 편차를 표 1에 정리하였다. 한편 비교예로서 상용화된 은 나노와이어 제품(silver nanowires, Aldrich, 0.5% in isopropanol suspension)의 데이터를 함께 나타내었다. 또한 각 실시예에서 반응시 투입되는 은 전구체에 대한 은 나노와이어의 전환률을 기재하였다.

	평균 직경(nm)	평균 길이(μm)	길이 편차(%)	나노와이어 전환률(%)
실시예 1	50	25	±20	75
실시예 2	50	32	±18.7	82
실시예 3	50	29	±17.2	80
비교예 1	115	35	±42.8	-

상기 표로부터 본 발명의 금속 전구체를 사용하여 제조된 은 나노와이어는 주사전자현미경(SEM)을 사용하여 측정된 사진에서 100개 이상의 나노와이어를 무작위로 선정하여 선정된 나노와이어의 직경과 길이에 대한 평균 및 편차를 계산하였다. 이와 같은 방법으로 확인된 나노와이어의 길이 편차가 평균 길이에 대해 ±20% 이하로서 균일한 형태를 갖는 것을 알 수 있으며, 이는 다른 상용화된 제품과 비교하더라도 상대적으로 우수한 특성을 나타내는 것이다. 한편 실시예 1과 2를 비교할 때, 전구체 용액의 산도를 중성 범위로 조절한 결과 와이어의 평균 길이가 보다 길어졌고 길이 편차가 더욱 줄어들었으며, 특히 전환률이 향상되는 효과가 확인되었다. 또한 본 발명에 의할 경우 75% 이상의 높은 전환률로 나노와이어를 제조할 수 있었다.

Claims (14)

1. 금속 전구체 및 상기 금속 전구체의 음이온을 치환하는 산을 포함하는 용액으로부터 상기 금속을 환원시킴으로써 나노와이어를 제조하는 방법.
2. 제 1 항에 있어서,
   상기 금속 전구체는 하나 이상의 카르복실기(-COOH)를 포함하는 C2-C24의 직쇄형 또는 분지형의 지방족, 지방족 고리 또는 방향족 카르복실산 또는 그 유도체인 에스테르 화합물로부터 유래되는 금속의 카르복실산 염인 것을 특징으로 하는 나노와이어의 제조방법.
3. 제 1 항에 있어서,
   상기 금속 전구체는 은 아세테이트(CH₃COOAg), 은 벤조에이트(C₆H₅COOAg), 은 락테이트(CH₃CH(OH)COOAg), 은 시트레이트(C₃H₅O(COOAg)₃), 은 시클로헥산부티레이트(C ₆ H ₁₁-CH ₂CH₂CH₂-COOAg), 은-2-에틸헥사노에이트(CH₃CH₂(C₂H₅)CH₂CH₂CH₂COOAg), 은 트리플루오로아세테이트(CF₃COOAg) 및 은 헵타플루오로부티레이트(CF₃CF₂CF₂-COOAg) 로 이루어진 그룹에서 선택되는 1종 이상 인 것을 특징으로 하는 나노와이어의 제조방법.
4. 제 1 항에 있어서,
   상기 금속 전구체의 음이온을 치환하는 산은 금속 이온의 당량의 1 내지 1.5의 양으로 포함되는 것을 특징으로 하는 나노와이어의 제조방법.
5. 제 1 항에 있어서,
   상기 금속 전구체의 음이온을 치환하는 산은 금속 전구체에 포함된 음이온의 짝산보다 강한 산성의 산인 것을 특징으로 하는 나노와이어의 제조방법.
6. 제 1 항에 있어서,
   상기 금속 전구체의 음이온을 치환하는 산은 질산(HNO₃) 또는 불산(HF)인 것을 특징으로 하는 나노와이어의 제조방법.
7. 제 1항에 있어서,
   상기 금속의 환원 반응에서 수용성 고분자에 의한 캡핑이 일어나는 것을 특징으로 하는 나노와이어의 제조방법
8. 제 7 항에 있어서,
   상기 수용성 고분자는 폴리비닐피롤리돈, 폴리비닐알콜, 폴리아크릴아미드, 폴리아크릴산 및 이들의 공중합체에서 선택되는 것을 특징으로 하는 나노와이어의 제조방법.
9. 제 1 항에 있어서,
   상기 환원 반응에서 첨가제로서 할로겐화물을 사용하는 것을 특징으로 하는 나노와이어의 제조방법.
10. 제 9 항에 있어서,
    상기 할로겐화물은 테트라부틸암모늄클로라이드(tetrabutylammonium chloride), NaCl, 또는 CuCl₂인 것을 특징으로 하는 나노와이어의 제조방법.
11. 제 1 항에 있어서,
    상기 용액은 pH 6 내지 8 범위로 조절되는 것을 특징으로 하는 나노와이어의 제조방법.
12. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항의 방법으로부터 제조되는 것을 특징으로 하는 나노와이어.
13. 제 12 항에 있어서,
    상기 나노와이어는 은(Ag) 나노와이어인 것을 특징으로 하는 나노와이어.
14. 제 12 항의 나노와이어를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 소자.

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