KR20150046062A - 탄성파 소자와 이것을 사용한 안테나 공용기 - Google Patents

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KR20150046062A
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도모야 고마쯔
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스카이워크스 파나소닉 필터 솔루션즈 재팬 씨오., 엘티디.
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Abstract

본 발명의 탄성파 소자는, 압전 기판과, 압전 기판 상에 형성되어 레일리파를 주요 탄성파로서 여진하는 빗형 전극과, 압전 기판의 상방에 빗형 전극을 덮도록 형성된 제1 유전막과, 빗형 전극의 전극지(finger) 사이에 있어서, 압전 기판과 제1 유전막과의 사이에 형성됨과 함께, 빗형 전극 상에 있어서, 빗형 전극과 제1 유전막과의 사이에 형성된 제2 유전막을 구비하고, 제1 유전막을 전반하는 횡파의 속도는 빗형 전극이 여진하는 레일리파의 속도보다 느리고, 제2 유전막을 전반하는 횡파의 속도는 빗형 전극이 여진하는 레일리파의 속도보다 빠르다.

Description

탄성파 소자와 이것을 사용한 안테나 공용기{ACOUSTIC WAVE ELEMENT AND ANTENNA SHARED APPARATUS EMPLOYING SAME}
본 발명은 탄성파 소자와 이것을 사용한 안테나 공용기에 관한 것이다.
도 10은 종래의 탄성파 소자(101)의 단면 모식도이다. 탄성파 소자(101)는 압전 기판(102)과, 압전 기판(102) 상에 형성되어 파장 λ의 레일리파를 주요 탄성파로서 여진(勵振)하는 빗형 전극(103)과, 압전 기판(102)의 상방에 빗형 전극(103)을 덮도록 형성된 유전막(104)을 구비한다.
유전막(104)으로서, 압전 기판(102)의 주파수 온도 계수(TCF: Temperature Coefficient of Frequency)와 역부호의 주파수 온도 계수를 갖는 것을 사용함으로써, 탄성파 소자(101)의 주파수 온도 특성을 향상시킬 수 있다.
또한, 탄성파 소자(101)와 유사한 종래의 탄성파 소자가, 예를 들어 특허문헌 1에 기재되어 있다.
이 종래의 탄성파 소자(101)에 있어서, 주요 탄성파인 레일리파의 공진 주파수와 반공진 주파수와의 사이에, 불필요 탄성파인 SH(Shear Horizontal)파가 발생해버린다. 이로 인해, 이 탄성파 소자(101)를 사용해서 래더 필터나 DMS(Double Mode SAW) 필터를 구성한 경우, 필터의 통과 대역 내에서, SH파가 리플로서 특성 열화를 초래한다는 과제가 있었다.
도 11은 압전 기판(102)으로서, 압전 기판(102)의 커트면 및 레일리파의 전반 방향을 오일러 각(φ, θ, ψ) 표시로, -10°≤φ≤10°, 33°≤θ≤43°, -10°≤ψ≤10°를 만족하는 니오븀산 리튬(LiNbO3)계 기판을 사용하고, 빗형 전극(103)으로서 파장 λ=4000㎚의 레일리파를 주요 탄성파로서 여진시키는 막 두께 0.05λ의 몰리브덴(Mo) 전극을 사용하고, 유전막(104)으로서 압전 기판(102)과 유전막(104)과의 경계면으로부터 유전막(104)의 상면까지의 막 두께 0.25λ의 이산화 규소(SiO2)를 사용한 경우의 어드미턴스 특성(dB)을 나타낸다. 도 11에 나타내는 바와 같이, 레일리파의 공진점과 반공진점과의 사이에 불필요 탄성파로서 SH파에 의한 스퓨리어스(108)가 발생한다.
국제 공개 제2005/034347호
탄성파 소자는, 압전 기판과, 압전 기판 상에 형성되어 레일리파를 주요 탄성파로서 여진하는 빗형 전극과, 압전 기판의 상방에 빗형 전극을 덮도록 형성된 제1 유전막과, 빗형 전극의 전극지 사이에 있어서, 압전 기판과 제1 유전막과의 사이에 형성됨과 함께, 빗형 전극 상에 있어서, 빗형 전극과 제1 유전막과의 사이에 형성된 제2 유전막을 구비하고, 제1 유전막을 전반하는 횡파의 속도는, 빗형 전극이 여진하는 레일리파의 속도보다 느리고, 제2 유전막을 전반하는 횡파의 속도는, 빗형 전극이 여진하는 레일리파의 속도보다 빠르다.
상기 구성에 의해, 이 탄성파 소자는 주요 탄성파인 레일리파의 주파수 상승을 억제하면서, 불필요 탄성파인 SH파의 주파수를 상대적으로 높일 수 있다. 이것은 SH파, 레일리파 모두 압전 기판의 상면 부근에 에너지가 집중되지만, 제1 유전막으로의 레일리파의 에너지 분산량이 SH파의 그것과 비교해서 상대적으로 크므로, 레일리파의 주파수 상승을 억제할 수 있는 것에 기인한다고 생각된다.
그 결과, 이 탄성파 소자를 사용해서 필터를 구성한 경우, 필터의 통과 대역으로부터 SH파에 의한 스퓨리어스가 제거되어, 필터의 통과 특성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 형태 1의 탄성파 소자의 단면 모식도이다.
도 2는 본 발명의 실시 형태의 탄성파 소자의 특성을 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시 형태의 탄성파 소자의 특성을 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시 형태의 탄성파 소자의 단면 모식도이다.
도 5는 본 발명의 실시 형태의 탄성파 소자의 특성을 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명의 실시 형태의 탄성파 소자의 단면 모식도이다.
도 7은 본 발명의 실시 형태의 탄성파 소자의 단면 모식도이다.
도 8a는 본 발명의 실시 형태의 탄성파 소자의 특성을 나타내는 도면이다.
도 8b는 본 발명의 실시 형태의 탄성파 소자의 특성을 나타내는 도면이다.
도 8c는 본 발명의 실시 형태의 탄성파 소자의 특성을 나타내는 도면이다.
도 9는 본 발명의 실시 형태의 탄성파 소자를 사용한 안테나 공용기의 회로 블록도이다.
도 10은 종래의 탄성파 소자의 단면 모식도이다.
도 11은 종래의 탄성파 소자의 특성을 나타내는 도면이다.
도 1은 실시 형태 1에 있어서의 탄성파 소자의 단면 모식도(IDT 전극지의 연신 방향에 수직인 단면 모식도)이다.
도 1에 있어서, 탄성파 소자(1)는 압전 기판(2)과, 압전 기판(2) 상에 형성되어 파장 λ의 레일리파를 주요 탄성 표면파로서 여진하는 빗형 전극(3)과, 압전 기판(2)의 상방에 빗형 전극(3)을 덮도록 형성된 제1 유전막(4)을 구비한다. 또한, 탄성파 소자(1)는 빗형 전극(3)의 전극지 사이에 있어서, 압전 기판(2)과 제1 유전막(4)과의 사이에 형성된 제2 유전막(5)과, 빗형 전극(3) 상에 있어서, 빗형 전극(3)과 제1 유전막(4)과의 사이에 형성된 제2 유전막(6)을 구비한다. 또한, 레일리파의 파장 λ는 전극지 피치의 2배이다.
또한, 제1 유전막(4)을 전반하는 횡파의 속도는, 빗형 전극(3)에 의해 여진되는 레일리파의 속도보다 느리다. 또한, 제2 유전막(5, 6)을 전반하는 횡파의 속도는 빗형 전극(3)에 의해 여진되는 레일리파의 속도보다 빠르다.
또한, 빗형 전극(3)에 의해 여진되는 불필요 탄성파인 SH(Shear Horizontal)파의 속도는, 제1 유전막(4)을 전반하는 횡파의 속도보다 빠르고, 제2 유전막(5, 6)을 전반하는 횡파의 속도보다 느리다.
가령 이 제2 유전막(5, 6)이 없으면, 주요 탄성파인 레일리파의 공진 주파수와 반공진 주파수와의 사이에, 불필요 탄성파인 SH(Shear Horizontal)파가 발생해버린다.
따라서, 상기 구성에 의해, 탄성파 소자(1)는 주요 탄성파인 레일리파의 주파수 상승을 억제하면서, 불필요 탄성파인 SH파의 주파수를 상대적으로 높일 수 있다. 이것은 SH파, 레일리파 모두 압전 기판(2)의 상면 부근에 에너지가 집중되지만, 제1 유전막(4)으로의 레일리파의 에너지 분산량이 SH파의 그것과 비교해서 상대적으로 크므로, 레일리파의 주파수 상승을 억제할 수 있는 것에 기인한다고 생각된다.
그 결과, 이 탄성파 소자(1)를 사용해서 필터를 구성한 경우, 필터의 통과 대역으로부터 SH파에 의한 스퓨리어스가 제거되어, 필터의 통과 특성을 향상시킬 수 있다.
압전 기판(2)은 레일리파를 주요 탄성파로서 여진하는 압전 단결정 기판이다. 예를 들어, 압전 기판(2)은 압전 기판(2)의 커트각 및 주요 탄성파의 전반 방향이 오일러 각(φ, θ, ψ) 표시로, -10°≤φ≤10°, 33°≤θ≤43°, -10°≤ψ≤10°를 만족하는 니오븀산 리튬(LiNbO3)계 기판인데, 수정, 탄탈산 리튬(LiTaO3)계, 또는 니오브산 칼륨(KNbO3)계의 기판 또는 박막 등 다른 압전 단결정 매질이어도 상관없다. 예를 들어, 압전 기판(2)이 수정 기판인 경우에는, 압전 기판(2)의 커트각 및 주요 탄성파의 전반 방향은, 상기 오일러 각 표시(φ, θ, ψ) 로, -1°≤φ≤1°, 113°≤θ≤135°, -5°≤ψ≤5°이다. 또한 예를 들어, 압전 기판(2)이 탄탈산 리튬(LiTaO3)계 기판인 경우에는, 압전 기판(2)의 커트각 및 주요 탄성파의 전반 방향은, 상기 오일러 각 표시(φ, θ, ψ)로, -7.5°≤φ≤2.5°, 111°≤θ≤121°, -2.5°≤ψ≤7.5°이다. 또한, 상기 φ, θ는 압전 기판(2)의 잘라낸 커트각, ψ는 압전 기판(2) 상의 빗형 전극(3)이 여진하는 주요 탄성파의 전반 방향이다.
빗형 전극(3)은 탄성파 소자(1)의 상방으로부터 보아 한 쌍의 빗형 형상의 인터디지털 트랜스듀서가 맞물리도록 압전 기판(2) 상에 배치되고, 예를 들어 알루미늄, 구리, 은, 금, 티타늄, 텅스텐, 몰리브덴, 백금, 또는 크롬을 포함하는 단체 금속, 또는 이들을 주성분으로 하는 합금 또는 이들의 적층 구조이다. 빗형 전극(3)이 적층 구조인 경우에는, 빗형 전극(3)은 일례로서, 압전 기판(2)측부터 순서대로, 몰리브덴을 주성분으로 하는 Mo 전극층과, 이 Mo 전극층 상에 형성된 Al을 주성분으로 하는 Al 전극층을 갖는다. Mo 전극층은 상대적으로 밀도가 높으므로, 주요 탄성파를 탄성파 소자(1)의 표면에 가둘 수 있고, Al 전극층에 의해 빗형 전극(3)의 전기 저항을 내릴 수 있다. 이 Mo 전극층에는 실리콘 등의 혼합물이 혼입되어 있어도 좋고, Al 전극층에는 마그네슘, 구리, 실리콘 등의 혼합물이 혼입되어 있어도 좋다. 이에 의해, 빗형 전극(3)의 내전력성을 향상시킬 수 있다.
이 빗형 전극(3)의 총 막 두께는, 빗형 전극(3)의 총 밀도를 b라고 하고, 알루미늄의 밀도를 a라고 했을 경우, 0.05λ×b/a 이상 0.15λ×b/a 이하인 것이 바람직하다. 이때, 탄성파 소자(1)의 표면에 주요 탄성파를 집중시킬 수 있다.
제1 유전막(4)은 이것을 전반하는 횡파의 속도가 빗형 전극(3)에 의해 여진되는 레일리파의 속도보다 느린 매질이면 되고, 예를 들어 이산화 규소(SiO2)를 주성분으로 하는 매질을 포함한다. 이 이산화 규소는, 압전 기판(2)의 주파수 온도 계수(TCF: Temperature Coefficient of Frequency)와 역부호의 주파수 온도 계수를 갖고, 이것을 제1 유전막(4)으로 사용함으로써, 탄성파 소자(1)의 주파수 온도 특성을 향상시킬 수 있다.
이 제1 유전막(4)이 산화 규소인 경우, 빗형 전극(3)에 의해 여진되는 주요 탄성파의 주파수 온도 특성의 절댓값이 소정 값(40ppm/℃) 이하가 되도록 그 막 두께가 설정되어 있다. 또한, 실시 형태에 있어서 제1 유전막(4)의 막 두께란, 빗형 전극(3)의 전극지 사이에 있어서의 제1 유전막(4)과 제2 유전막(5)과의 경계로부터 제1 유전막(4)의 상면의 거리를 가리킨다. 상기 소정 값을 만족하는 산화 규소를 포함하는 제1 유전막(4)의 막 두께는 0.2λ 이상 0.5λ 이하이다.
제2 유전막(5, 6)은, 이것을 전반하는 횡파의 속도가 빗형 전극(3)에 의해 여진되는 레일리파의 속도보다 빠른 매질이면 되고, 예를 들어 다이아몬드, 실리콘, 질화 규소, 산화 질화 규소, 질화 알루미늄 또는 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 매질이다.
도 2는 압전 기판(2)으로서, 압전 기판(2)의 커트각 및 레일리파의 전반 방향을 오일러 각(φ, θ, ψ) 표시로, -10°≤φ≤10°, 33°≤θ≤43°, -10°≤ψ≤10°를 만족하는 니오븀산 리튬(LiNbO3)계 기판을 사용하고, 빗형 전극(3)으로서 파장 λ=4000㎚의 레일리파를 주요 탄성파로서 여진시키는 막 두께 0.05λ의 몰리브덴(Mo) 전극을 사용하고, 제1 유전막(4)으로서 제2 유전막(5)과 제1 유전막(4)과의 경계면으로부터 제1 유전막(4)의 상면까지의 막 두께 0.25λ의 이산화 규소(SiO2)를 사용하고, 제2 유전막(5, 6)으로서 막 두께 0.045λ의 질화 규소(SiN)를 사용한 경우의, 각각의 탄성파 소자(1)의 어드미턴스 특성(dB)을 나타낸다.
도 2에 나타내는 바와 같이, 제2 유전막(5, 6)을 형성하면, 레일리파의 반공진점(7)의 고주파측에 SH파에 의한 스퓨리어스(8)(SH파의 공진점)를 이동시킬 수 있다.
또한, 도 3은 상기 탄성파 소자(1)에 있어서, 제2 유전막(5, 6)의 막 두께(d)를 0λ로부터 0.0125λ로 변화시킨 경우의 SH파에 의한 스퓨리어스의 주파수 변동량(변동량을 SH파의 공진 주파수로 나눈 백분율)을 제2 유전막(5, 6)의 막 두께(d)가 0λ인 경우를 기준으로 해서 나타낸다.
도 2, 도 3에 나타내는 바와 같이, 제2 유전막(5, 6)을 두껍게 하면 할수록, 주요 탄성파인 레일리파의 주파수 상승을 억제하면서, 불필요 탄성파인 SH파의 주파수를 상대적으로 높일 수 있다. 이것은 SH파, 레일리파 모두 압전 기판(2)의 상면 부근에 에너지가 집중되지만, 제1 유전막(4)으로의 레일리파의 에너지 분산량이 SH파의 그것과 비교해서 상대적으로 크므로, 레일리파의 주파수 상승을 억제할 수 있는 것에 기인한다고 생각된다.
그 결과, 이 탄성파 소자(1)를 사용해서 필터를 구성한 경우, 필터의 통과 대역으로부터 SH파에 의한 스퓨리어스가 제거되어, 필터의 통과 특성을 향상시킬 수 있다.
또한, 도 4에 도시한 바와 같이, 탄성파 소자(1)는 빗형 전극(3) 상에 형성된 제2 유전막(6)의 막 두께를, 빗형 전극(3)의 전극지 사이에 형성된 제2 유전막(5)의 막 두께보다 얇게 한 구성인 것이 바람직하다.
도 5는 압전 기판(2)으로서, 압전 기판(2)의 커트각 및 레일리파의 전반 방향을 오일러 각(φ, θ, ψ) 표시로, -10°≤φ≤10°, 33°≤θ≤43°, -10°≤ψ≤10°를 만족하는 니오븀산 리튬(LiNbO3)계 기판을 사용하고, 빗형 전극(3)으로서 파장 λ=4000㎚의 레일리파를 주요 탄성파로서 여진시키는 막 두께 0.05λ의 몰리브덴(Mo) 전극을 사용하고, 제1 유전막(4)으로서 막 두께 0.25λ의 이산화 규소(SiO2)를 사용하고, 제2 유전막(5, 6)으로서 질화 규소(SiN)를 사용하고, 제2 유전막(5)의 막 두께를 0.0125λ로 일정하게 유지한 채 제2 유전막(6)의 막 두께(d)를 0.0125λ로부터 0λ로 변화시킨 경우의 SH파에 의한 스퓨리어스의 주파수 변동량(변동량을 SH파의 공진 주파수로 나눈 백분율)을 제2 유전막(6)의 막 두께(d)가 0.0125λ인 경우를 기준으로 해서 나타낸다.
또한, 제2 유전막(6)의 막 두께(d)가 0λ인 상태는, 도 6에 도시한 바와 같이 빗형 전극(3) 상에 형성된 제2 유전막(6)이 없고, 빗형 전극(3)의 상면과 제1 유전막(4)이 직접 접하고 있는 상태이다. 이 상태를 상세하게 설명하면, 도 6에 있어서, 탄성파 소자(1)는 압전 기판(2)과, 압전 기판(2) 상에 형성되어 레일리파를 주요 탄성파로서 여진하는 빗형 전극(3)과, 압전 기판(2)의 상방에 빗형 전극(3)을 덮도록 형성된 제1 유전막(4)과, 빗형 전극(3)의 전극지 사이에 있어서, 압전 기판(2)과 제1 유전막(4)과의 사이에 형성된 제2 유전막(5)을 구비한다.
도 5에 나타내는 바와 같이, 빗형 전극(3)의 전극지 사이에 형성된 제2 유전막(5)을 빗형 전극 상에 형성된 제2 유전막(6)과 비교해서 얇게 하면 할수록, 주요 탄성파인 레일리파의 주파수 상승을 억제하면서, 불필요 탄성파인 SH파의 주파수를 상대적으로 더욱 높일 수 있다. 압전 기판(2)의 상면 부근에서의 SH파의 에너지는 레일리파의 그것과 비교해서 높고, SH파는 빗형 전극(3) 상의 제2 유전막(6)의 질량 부가의 영향을 받기 쉽다. 그로 인해, 빗형 전극(3) 상의 제2 유전막(6)의 두께를 전극지 사이의 제2 유전막(5)보다 얇게 함으로써, SH파의 주파수를 더욱 높게 할 수 있다고 생각된다.
그 결과, 이 탄성파 소자(1)를 사용해서 필터를 구성한 경우, 필터의 통과 대역으로부터 SH파에 의한 스퓨리어스가 제거되어, 필터의 통과 특성을 더욱 향상시킬 수 있다.
또한, 도 7에 도시한 바와 같이, 제2 유전막(5, 6)은 빗형 전극(3)의 전극지의 측면에도 형성되어 있는 것이 바람직하다. 이에 의해, 제2 유전막(5, 6)에 의한 빗형 전극(3)에 대한 보호 효과를 높일 수 있다.
또한, 도 1, 도 4, 도 6에 도시하는 탄성파 소자(1)에 있어서, 빗형 전극(3)의 전극지 사이에 형성된 제2 유전막(5)의 막 두께는, 빗형 전극(3)의 막 두께보다 얇은 것이 바람직하다. 이에 의해, 탄성파 소자(1)의 전기 기계 결합 계수를 확보할 수 있다.
도 8a 내지 도 8c에, 압전 기판(2)으로서 니오븀산 리튬(LiNbO3)계 기판을 사용하고, 빗형 전극(3)으로서 파장 λ=4000㎚의 레일리파를 주요 탄성파로서 여진시키는 막 두께 0.05λ의 몰리브덴(Mo) 전극을 사용하고, 제1 유전막(4)으로서 막 두께가 0.25λ의 산화 규소를 사용하고, 질화 규소를 포함하는 제2 유전막(5)의 막 두께(=제2 유전막(6)의 막 두께)를 변화시킨 경우의 탄성파 소자(1)의 전기 기계 결합 계수를 나타낸다. 도 8a 내지 도 8c 모두, 횡축은 (제2 유전막(5)의 막 두께)/(빗형 전극(3)의 막 두께)를 나타내고, 종축은 탄성파 소자(1)의 전기 기계 결합 계수(％)를 나타낸다. 또한, 도 8a는 압전 기판(2)으로서, 커트각 및 레일리파의 전반 방향을 오일러 각(φ, θ, ψ) 표시로, (φ, θ, ψ)=(0°, 36°, 0°)의 니오븀산 리튬계의 기판을 사용하고, 도 8b는 압전 기판(2)으로서, (φ, θ, ψ)=(0°, 38°, 0°)의 니오븀산 리튬계의 기판을 사용하고, 도 8c는 압전 기판(2)으로서, (φ, θ, ψ)=(0°, 40°, 0°)의 니오븀산 리튬계의 기판을 사용한 경우를 나타낸다. 도 8a 내지 도 8c에 나타낸 바와 같이, 압전 기판(2)으로서 커트각 및 레일리파의 전반 방향을 오일러 각(φ, θ, ψ) 표시로, -10°≤φ≤10°, 33°≤θ≤43°, -10°≤ψ≤10°를 만족하는 니오븀산 리튬(LiNbO3)계 기판을 사용하고, 제1 유전막(4)으로서 막 두께 0.2λ 이상 0.5λ 이하의 산화 규소를 사용한 경우에, 빗형 전극(3)의 전극지 사이에 형성된 질화 규소를 포함하는 제2 유전막(5)의 막 두께를 빗형 전극(3)의 막 두께의 0.9배 이하로 함으로써 탄성파 소자(1)의 전기 기계 결합 계수 k2을 5％ 이상으로 할 수 있다.
도 9는 본 실시 형태의 탄성파 소자(1)를 사용한 안테나 공용기(10)의 회로 블록도이다. 도 9에 도시한 바와 같이, 안테나 공용기(10)는 제1 통과 대역을 갖는 제1 필터(11)와, 제1 통과 대역보다 높은 제2 통과 대역을 갖는 제2 필터(12)를 구비한다.
도 9에 있어서, 안테나 공용기(10)는 예를 들어 UMTS(Universal Mobile Telecommunications System)의 밴드(8)용 안테나 공용기로, 송신 필터인 제1 필터(11)와 이 제1 필터(11)의 통과 대역(880㎒ 내지 915㎒)의 고역측에 통과 대역(925㎒ 내지 960㎒)을 갖는 수신 필터인 제2 필터(12)를 구비한다. 제1 필터(11)는 입력 단자(14)와 안테나 단자(15)의 사이에 접속되고, 송신 신호를 입력 단자(14)로부터 수취하여 안테나 단자(15)로부터 출력한다. 이 제1 필터(11)는 직렬 공진기(13)와, 이들 직렬 공진기(13)의 반공진 주파수보다도 낮은 공진 주파수를 갖는 병렬 공진기(17)를 사다리 형상으로 접속해서 구성되어 있다. 또한, 병렬 공진기(17)의 접지(20)측은 접지 단자(19)에서 접속되고, 제1 필터(11)는 접지 단자(19)와 접지(20)와의 사이에 접속된 인덕터(18)를 구비한다.
또한, 제2 필터(12)는 안테나 단자(15)와 출력 단자(밸런스 단자)(16)와의 사이에 접속된, 예를 들어 공진기(21)와 세로 모드 결합형 필터(22)를 구비하고, 수신 신호를 안테나 단자(15)로부터 수취하여 출력 단자(16)로부터 출력한다.
또한, 안테나 공용기(10)는 제1 필터(11)와 제2 필터(12)와의 사이에 접속된 이상기(23)를 구비하고, 이 이상기(23)에 의해, 송수신 필터 사이에서 다른 쪽의 통과 대역을 하이 임피던스로 해서 서로의 아이솔레이션 향상을 도모하고 있다.
제1 필터(11)로서 본 실시 형태의 탄성파 소자(1)를 사용하고 있다. 특히, 제1 필터(11)가 래더형 탄성파 필터를 포함하는 경우에, 본 실시 형태의 탄성파 소자(1)를 적어도 통과 대역의 우측을 형성하는 직렬 공진기(13)로 사용하면, 제1 필터(11)의 통과 대역으로부터 SH파에 의한 스퓨리어스가 제거되어, 제1 필터(11)의 통과 특성을 더욱 향상시킬 수 있다.
본 발명에 따른 탄성파 소자 및 이것을 사용한 안테나 공용기는, 탄성파 소자를 사용한 필터의 통과 특성의 열화를 억제할 수 있다는 효과를 갖고, 휴대 전화 등의 전자 기기에 적용 가능하다.
1: 탄성파 소자
2: 압전 기판
3: 빗형 전극
4: 제1 유전막
5, 6: 제2 유전막
7: 반공진점
8: SH파에 의한 스퓨리어스
10: 안테나 공용기
11: 제1 필터
12: 제2 필터
13: 직렬 공진기

Claims (8)

  1. 압전 기판과,
    상기 압전 기판 상에 형성되어 레일리파를 주요 탄성파로서 여진하는 빗형 전극과,
    상기 압전 기판의 상방에 상기 빗형 전극을 덮도록 형성된 제1 유전막과,
    상기 빗형 전극의 전극지 사이에 있어서, 상기 압전 기판과 상기 제1 유전막과의 사이에 형성됨과 함께, 상기 빗형 전극 상에 있어서, 상기 빗형 전극과 상기 제1 유전막과의 사이에 형성된 제2 유전막
    을 구비하고,
    상기 제1 유전막을 전반하는 횡파의 속도는, 상기 빗형 전극에 의해 여진되는 레일리파의 속도보다 느리고,
    상기 제2 유전막을 전반하는 횡파의 속도는, 상기 빗형 전극에 의해 여진되는 레일리파의 속도보다 빠른 탄성파 소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 빗형 전극 상에 형성된 상기 제2 유전막의 막 두께는, 상기 빗형 전극의 전극지 사이에 형성된 상기 제2 유전막의 막 두께보다 얇은 탄성파 소자.
  3. 압전 기판과,
    상기 압전 기판 상에 형성되어 레일리파를 주요 탄성파로서 여진하는 빗형 전극과,
    상기 압전 기판의 상방에 상기 빗형 전극을 덮도록 형성된 제1 유전막과,
    상기 빗형 전극의 전극지 사이에 있어서, 상기 압전 기판과 상기 제1 유전막과의 사이에 형성된 제2 유전막
    을 구비하고,
    상기 제1 유전막을 전반하는 횡파의 속도는, 상기 빗형 전극에 의해 여진되는 레일리파의 속도보다 느리고,
    상기 제2 유전막을 전반하는 횡파의 속도는, 상기 빗형 전극에 의해 여진되는 레일리파의 속도보다 빠른 탄성파 소자.
  4. 제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 빗형 전극의 전극지 사이에 형성된 상기 제2 유전막의 막 두께는, 상기 빗형 전극의 막 두께보다 얇은 탄성파 소자.
  5. 제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 빗형 전극에 의해 여진되는 SH파의 속도는, 상기 제1 유전막을 전반하는 횡파의 속도보다 빠르고, 상기 제2 유전막을 전반하는 횡파의 속도보다 느린 탄성파 소자.
  6. 제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 제2 유전막은, 상기 빗형 전극의 전극지의 측면에도 형성된 탄성파 소자.
  7. 제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 제1 유전막은 상기 압전 기판의 주파수 온도 계수와 역부호의 주파수 온도 계수를 갖는 탄성파 소자.
  8. 제1 통과 대역을 갖는 제1 필터와,
    상기 제1 통과 대역보다 높은 제2 통과 대역을 갖는 제2 필터
    를 구비하고,
    상기 제1 필터로서 제1항 또는 제3항에 기재된 탄성파 소자를 사용한 안테나 공용기.
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