KR20140070464A - 기판의 결함 검사 방법, 기판의 결함 검사 장치 및 컴퓨터 기억 매체 - Google Patents

기판의 결함 검사 방법, 기판의 결함 검사 장치 및 컴퓨터 기억 매체 Download PDF

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타다시 니시야마
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

기판의 결함 검사에 있어서, 사전에 레시피를 작성하지 않고, 최적의 촬상 조건의 설정을 행한다. 촬상 장치에 의해 촬상한 기판 화상에 기초하여 기판의 결함을 검사하는 방법으로서, 촬상 대상으로 되는 웨이퍼를 소정의 촬상 조건으로 촬상하고, 당해 촬상된 기판 화상의 화소값의 최빈값을 추출하고, 당해 추출된 화소값과, 미리 설정되어 있는 촬상 조건 보정 데이터에 기초하여, 촬상 조건의 보정값을 산출한다. 보정값에 기초하여 상기 촬상 조건을 변경하여, 당해 변경 후의 촬상 조건으로 상기 촬상 대상의 기판을 다시 촬상하고, 당해 변경 후의 촬상 조건으로 촬상된 기판 화상에 기초하여, 기판의 결함을 검사한다.

Description

기판의 결함 검사 방법, 기판의 결함 검사 장치 및 컴퓨터 기억 매체{METHOD FOR INSPECTION OF DEFECTS ON SUBSTRATE, APPARATUS FOR INSPECTION OF DEFECTS ON SUBSTRATE AND COMPUTER-READABLE RECORDING MEDIUM}
본 발명은, 촬상 장치에 의해 촬상한 기판 화상에 기초하여 기판의 결함을 검사하는 방법, 기판의 결함 검사 장치 및 컴퓨터 기억 매체에 관한 것이다.
예를 들어 반도체 디바이스의 제조 공정에 있어서의 포토리소그래피 공정에서는, 웨이퍼 상에 레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성하는 레지스트 도포 처리, 레지스트막을 소정의 패턴으로 노광하는 노광 처리, 노광된 레지스트막을 현상하는 현상 처리 등의 일련의 처리가 순차 행해져, 웨이퍼 상에 소정의 레지스트 패턴이 형성된다. 이들 일련의 처리는, 웨이퍼를 처리하는 각종 처리부나 웨이퍼를 반송하는 반송 기구 등을 탑재한 기판 처리 시스템인 도포 현상 처리 시스템에 의해 행해지고 있다.
이러한 도포 현상 처리 시스템에 의해 처리된 웨이퍼에 발생하는 결함 중 하나로, 노광 처리 시의 디포커스에 기인하는 디포커스 결함이 있다. 디포커스 결함은, 노광 장치의 스테이지가 파티클에 의해 오염되는 것이 주된 원인이다. 이 스테이지의 오염은, 노광 장치에 반입되는 웨이퍼의 특히 이면에 부착된 파티클에 의해 일어난다. 그로 인해, 노광 장치에 반입되기 전의 웨이퍼에는, 이면이 청정한 것이 요구된다.
이 점에 관해, 특허문헌 1에는, 노광 장치에 반입되는 웨이퍼의 이면을 청정하게 유지하기 위해, 웨이퍼의 이면을 세정하는 세정 유닛이나, 세정 후의 웨이퍼의 이면을, 예를 들어 CCD 라인 센서 등의 촬상 장치에 의해 촬상하는 검사 유닛을 구비한 기판 처리 시스템이 제안되고 있다.
일본 특허 공개 제2008-135583호 공보
상술한 웨이퍼의 촬상 시에는, 촬상된 화상의 휘도(화소값)가 지나치게 밝거나, 혹은 지나치게 어두우면, 웨이퍼의 결함을 판정하지 못하는 경우가 있다. 그로 인해, 웨이퍼의 화상의 휘도가 결함 판정하기에 최적의 휘도로 되도록, 웨이퍼를 비추는 조명의 조도가 조정되고 있다.
그런데, 웨이퍼의 이면에는, 여러 이면막이 형성되어 있고, 웨이퍼 이면의 반사율은 형성되는 막 종류에 따라 상이하다. 그로 인해, 기판 이면의 촬상 시에는, 조도나 스캔 속도와 같은 촬상 조건이 최적화된 촬상 레시피가, 이면막의 종류마다 준비된다.
종래, 레시피의 작성 시에는, 우선 작업원이 경험칙 등에 기초한 촬상 조건을 설정한다. 그리고, 당해 촬상 조건으로 촬상한 기판 화상을 확인하여, 시행 착오적으로 촬상 조건의 보정을 행하여 최종적인 레시피를 작성한다. 그로 인해, 촬상 조건을 설정한 레시피의 작성에는 많은 시간을 필요로 하고 있었다. 특히, 최근에는 다품종 소량 생산이 주류로 되고 있기 때문에, 레시피의 작성에 소비하는 시간이 현저하게 증가하였다.
본 발명은, 이러한 점을 감안하여 이루어진 것이며, 기판의 결함 검사에 있어서, 사전에 레시피를 작성하지 않고, 최적의 촬상 조건의 설정을 행하는 것을 목적으로 하고 있다.
상기의 목적을 달성하기 위해, 본 발명은, 촬상 장치에 의해 촬상한 기판 화상에 기초하여 기판의 결함을 검사하는 방법으로서, 촬상 대상으로 되는 기판을 소정의 촬상 조건으로 촬상하고, 당해 촬상된 기판 화상의 화소값의 최빈값을 추출하고, 상기 추출된 화소값과, 미리 설정되어 있는 촬상 조건 보정 데이터에 기초하여, 상기 촬상 조건의 보정값을 산출하고, 상기 보정값에 기초하여 상기 촬상 조건을 변경하고, 당해 변경 후의 촬상 조건으로 상기 촬상 대상의 기판을 다시 촬상하고, 당해 변경 후의 촬상 조건으로 촬상된 기판 화상에 기초하여, 기판의 결함을 검사하는 것을 특징으로 하고 있다.
본 발명에 따르면, 기판 화상의 화소값의 최빈값에 기초하여 촬상 조건의 보정값을 산출하고, 이 보정값에 기초하여 촬상 조건을 설정하므로, 지금까지와 같은 시행 착오를 거쳐 사전에 레시피를 작성하지 않고, 최적의 촬상 조건을 설정할 수 있다. 이 결과, 레시피의 작성에 시간을 소비하지 않고, 기판의 이면 검사를 적절하게 행할 수 있다.
상기 보정값에 기초하여 변경되는 촬상 조건은, 촬상 속도 또는 기판을 비추는 조도 중 적어도 어느 하나이어도 된다.
상기 소정의 촬상 조건에 있어서의 촬상 속도 및 조도는, 당해 소정의 조건으로 촬상되는 기판 화상의 화소값의 최빈값이, 상기 보정값에 기초하여 변경되는 촬상 조건에 의해 촬상된 기판 화상의 화소값의 최빈값보다도 작아지도록 설정되어도 된다.
상기 화소값의 최빈값은, 기판 화상의 외주 단부를 제외한 영역으로부터 추출되어도 된다.
다른 관점에 따른 본 발명은, 상기 기판의 결함 검사 방법을 기판의 결함 검사 장치에 의해 실행시키기 위해, 당해 기판의 결함 검사 장치를 제어하는 제어 장치의 컴퓨터 상에서 동작하는 프로그램이 제공된다.
또한 다른 관점에 따른 본 발명은, 상기 프로그램을 저장한 판독 가능한 컴퓨터 기억 매체가 제공된다.
또 다른 관점에 따른 본 발명은, 기판의 결함을 검사하는 장치로서, 기판을 촬상하는 촬상 장치와, 상기 촬상 장치에 의해 소정의 촬상 조건으로 촬상된 기판의 화상으로부터, 당해 기판 화상의 화소값의 최빈값을 추출하는 화소값 추출부와, 상기 추출된 화소값과, 미리 설정되어 있는 촬상 조건 보정 데이터에 기초하여, 상기 촬상 조건의 보정값을 산출하는 보정값 산출부와, 상기 보정값에 기초하여 상기 촬상 조건을 변경하는 촬상 조건 변경부를 포함하는 것을 특징으로 하고 있다.
상기 보정값에 기초하여 변경되는 촬상 조건은, 촬상 속도 또는 기판을 비추는 조도 중 적어도 어느 하나이어도 된다.
상기 소정의 촬상 조건에 있어서의 촬상 속도 및 조도는, 당해 소정의 조건으로 촬상되는 기판 화상의 화소값의 최빈값이, 상기 보정값에 기초하여 변경되는 촬상 조건에 의해 촬상된 기판 화상의 화소값의 최빈값보다도 작아지도록 설정되어도 된다.
상기 화소값의 최빈값은, 기판 화상의 외주 단부를 제외한 영역으로부터 추출되어도 된다.
상기 기판을 상기 촬상 장치의 촬상 시야를 가로질러 왕복 이동시키는 이동 기구를 더 포함하여도 된다.
본 발명에 따르면, 기판의 결함 검사에 있어서, 사전에 레시피를 작성하지 않고, 최적의 촬상 조건의 설정을 행할 수 있다.
도 1은 본 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템의 내부 구성의 개략을 도시하는 평면도.
도 2는 본 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템의 내부 구성의 개략을 도시하는 측면도.
도 3은 본 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템의 내부 구성의 개략을 도시하는 측면도.
도 4는 결함 검사 유닛의 구성의 개략을 도시하는 횡단면도.
도 5는 결함 검사 유닛의 구성의 개략을 도시하는 종단면도.
도 6은 촬상 조건 설정 기구의 구성의 개략을 도시하는 설명도.
도 7은 기판 화상의 히스토그램을 예시한 설명도.
도 8은 보정값 산출 테이블을 예시한 설명도.
도 9는 최적의 휘도를 갖는 기판 화상을 예시한 설명도.
도 10은 휘도가 지나치게 높은 기판 화상을 예시한 설명도.
도 11은 최적의 휘도보다도 높은 휘도를 갖는 기판 화상을 예시한 설명도.
도 12는 웨이퍼의 결함 검사의 주된 공정을 도시하는 흐름도.
도 13은 기판 화상을 예시한 설명도.
도 14는 기판 화상을 예시한 설명도.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대하여 설명한다. 도 1은 본 실시 형태에 따른 결함 검사 장치를 구비한 기판 처리 시스템(1)의 내부 구성의 개략을 도시하는 설명도이다. 도 2 및 도 3은 기판 처리 시스템(1)의 내부 구성의 개략을 도시하는 측면도이다. 또한, 본 실시 형태에서는, 기판 처리 시스템(1)이, 예를 들어 기판의 포토리소그래피 처리를 행하는 도포 현상 처리 시스템인 경우를 예로 들어 설명한다.
기판 처리 시스템(1)은, 도 1에 도시한 바와 같이 예를 들어 외부와의 사이에서 카세트(C)가 반출입되는 반출입부로서의 카세트 스테이션(2)과, 포토리소그래피 처리 중에서 매엽식으로 소정의 처리를 실시하는 복수의 각종 처리 유닛을 구비한 처리부로서의 처리 스테이션(3)과, 처리 스테이션(3)에 인접하는 노광 장치(4)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 반송부로서의 인터페이스 스테이션(5)을 일체로 접속한 구성을 갖고 있다. 또한, 기판 처리 시스템(1)은, 당해 기판 처리 시스템(1)의 제어를 행하는 제어 장치(6)를 갖고 있다. 제어 장치(6)에는, 후술하는 촬상 조건 설정 기구(150)가 접속되어 있다.
카세트 스테이션(2)은, 예를 들어 카세트 반출입부(10)와 웨이퍼 반송부(11)로 나뉘어져 있다. 예를 들어 카세트 반출입부(10)는, 기판 처리 시스템(1)의 Y 방향 부방향(도 1의 좌측 방향)측의 단부에 설치되어 있다. 카세트 반출입부(10)에는, 카세트 적재대(12)가 설치되어 있다. 카세트 적재대(12) 상에는 복수, 예를 들어 4개의 적재판(13)이 설치되어 있다. 적재판(13)은, 수평 방향의 X 방향(도 1의 상하 방향)으로 일렬로 배열되어 설치되어 있다. 이들 적재판(13)에는, 기판 처리 시스템(1)의 외부에 대하여 카세트(C)를 반출입할 때에 카세트(C)를 적재할 수 있다.
웨이퍼 반송부(11)에는, 도 1에 도시한 바와 같이 X 방향으로 연장되는 반송로(20) 위를 이동 가능한 웨이퍼 반송 장치(21)가 설치되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(21)는, 상하 방향 및 연직축 주위(θ 방향)으로도 이동 가능하며, 각 적재판(13) 상의 카세트(C)와, 후술하는 처리 스테이션(3)의 제3 블록(G3)의 전달 유닛 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.
처리 스테이션(3)에는, 각종 유닛을 구비한 복수, 예를 들어 4개의 블록(G1, G2, G3, G4)이 설치되어 있다. 예를 들면, 처리 스테이션(3)의 정면측(도 1의 X 방향 부방향측)에는, 제1 블록(G1)이 설치되고, 처리 스테이션(3)의 배면측(도 1의 X 방향 정방향측)에는, 제2 블록(G2)이 설치되어 있다. 또한, 처리 스테이션(3)의 카세트 스테이션(2)측(도 1의 Y 방향 부방향측)에는, 제3 블록(G3)이 설치되고, 처리 스테이션(3)의 인터페이스 스테이션(5)측(도 1의 Y 방향 정방향측)에는, 제4 블록(G4)이 설치되어 있다.
제1 블록(G1)에는, 도 2에 도시한 바와 같이 복수의 액 처리 유닛, 예를 들어 웨이퍼(W)를 현상 처리하는 현상 처리 유닛(30), 웨이퍼(W)의 레지스트막의 하층에 반사 방지막(이하 「하부 반사 방지막」이라 함)을 형성하는 하부 반사 방지막 형성 유닛(31), 웨이퍼(W)에 레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성하는 레지스트 도포 유닛(32), 웨이퍼(W)의 레지스트막의 상층에 반사 방지막(이하 「상부 반사 방지막」이라고 한다)을 형성하는 상부 반사 방지막 형성 유닛(33)이 아래부터 순서대로 4단으로 포개어져 있다.
제1 블록(G1)의 각 유닛(30 내지 33)은, 처리 시에 웨이퍼(W)를 수용하는 컵(F)을 수평 방향으로 복수 갖고, 복수의 웨이퍼(W)를 병행하여 처리할 수 있다.
제2 블록 G2에는, 도 3에 도시한 바와 같이 웨이퍼(W)의 가열 처리나 냉각 처리를 행하는 열처리 유닛(40), 웨이퍼(W)를 소수화 처리하는 소수화 처리 장치로서의 어드히젼 유닛(41), 웨이퍼(W)의 외주부를 노광하는 주변 노광 유닛(42)이 상하 방향과 수평 방향으로 배열되어 설치되어 있다. 또한, 열처리 유닛(40), 어드히젼 유닛(41) 및 주변 노광 유닛(42)의 수나 배치는, 임의로 선택할 수 있다.
제3 블록(G3)에는, 복수의 전달 유닛(50, 51, 52, 53, 54, 55, 56)이 아래부터 순서대로 설치되어 있다. 또한, 제4 블록(G4)에는, 복수의 수수 유닛(60, 61, 62)과, 웨이퍼(W) 이면의 결함의 유무를 검사하는 결함 검사 장치로서의 결함 검사 유닛(63), 노광 장치(4)에 반입되기 전의 웨이퍼(W)의 이면을 세정하는 이면 세정 유닛(64)이 아래부터 순서대로 설치되어 있다.
도 1에 도시한 바와 같이 제1 블록(G1) 내지 제4 블록(G4)에 둘러싸인 영역에는, 웨이퍼 반송 영역(D)이 형성되어 있다. 웨이퍼 반송 영역(D)에는, 예를 들어 웨이퍼 반송 장치(70)가 배치되어 있다.
웨이퍼 반송 장치(70)는, 예를 들어 Y 방향, 전후 방향, θ 방향 및 상하 방향으로 이동 가능한 반송 아암을 갖고 있다. 웨이퍼 반송 장치(70)는, 웨이퍼 반송 영역(D) 내를 이동하여, 주위의 제1 블록(G1), 제2 블록(G2), 제3 블록(G3) 및 제4 블록(G4) 내의 소정의 유닛에 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다. 웨이퍼 반송 장치(70)는, 예를 들어 도 3에 도시한 바와 같이 상하로 복수대 배치되고, 예를 들어 각 블록(G1 내지 G4)의 동일 정도의 높이의 소정의 유닛에 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.
또한, 웨이퍼 반송 영역(D)에는, 제3 블록(G3)과 제4 블록(G4) 사이에서 직선적으로 웨이퍼(W)를 반송하는 셔틀 반송 장치(80)가 설치되어 있다.
셔틀 반송 장치(80)는, 예를 들어 도 3의 Y 방향으로 직선적으로 이동 가능하게 되어 있다. 셔틀 반송 장치(80)는, 웨이퍼(W)를 지지한 상태에서 Y 방향으로 이동하여, 제3 블록(G3)의 전달 유닛(52)과 제4 블록 G4의 전달 유닛(62) 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.
도 1에 도시한 바와 같이 제3 블록(G3)의 X 방향 정방향측에는, 웨이퍼 반송 장치(90)가 설치되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(90)는, 예를 들어 전후 방향, θ 방향 및 상하 방향으로 이동 가능한 반송 아암을 갖고 있다. 웨이퍼 반송 장치(90)는 웨이퍼(W)를 지지한 상태에서 상하로 이동하여, 제3 블록(G3) 내의 각 전달 유닛에 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.
인터페이스 스테이션(5)에는, 웨이퍼 반송 장치(100)가 설치되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(100)는, 예를 들어 전후 방향, θ 방향 및 상하 방향으로 이동 가능한 반송 아암을 갖고 있다. 웨이퍼 반송 장치(100)는, 예를 들어 반송 아암에 웨이퍼(W)를 지지하여, 제4 블록(G4) 내의 각 전달 유닛, 노광 장치(4)에 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.
이어서, 결함 검사 유닛(63)의 구성에 대하여 설명한다.
결함 검사 유닛(63)은, 도 4에 도시한 바와 같이 케이싱(110)을 갖고 있다. 케이싱(110) 내에는, 도 5에 도시한 바와 같이 웨이퍼(W)를 적재하는 적재대(111)가 설치되어 있다. 이 적재대(111)는, 웨이퍼(W)의 이면을 아래로 향한 상태에서 당해 웨이퍼(W)의 외주연부를 보유 지지하는 보유 지지부(120)와, 보유 지지부(120)를 지지하는 지지 부재(121)를 갖고 있다. 케이싱(110)의 저면에는, 케이싱(110) 내의 일단측(도 5 중의 X 방향 부방향측)부터 타단측(도 5중의 X 방향 정방향측)까지 평행하게 연신되는 가이드 레일(122, 122)이 설치되어 있다. 지지 부재(121)는, 도시하지 않은 구동 기구에 의해 가이드 레일(122, 122) 위를 이동 가능하도록 구성되어 있다.
케이싱(110) 내의 일단측(도 5의 X 방향 부방향측)의 측면에는, 촬상 장치(130)가 설치되어 있다. 촬상 장치(130)로서는, 예를 들어 광각형의 CCD 카메라가 사용되고, 본 실시 형태에 있어서는, 예를 들어 그 화상의 비트수가 8비트(0 내지 255의 256계조)의 모노크롬인 경우를 예로 들어 설명한다. 또한, 결함 검사 유닛(63)에는, 촬상 장치(130)에 의해 웨이퍼(W)의 이면을 촬상할 때의 촬상 조건의 설정을 행하는 촬상 조건 설정 기구(150)가 설치되어 있다. 촬상 조건 설정 기구(150)의 상세에 대해서는 후술한다.
가이드 레일(122, 122)의 사이이며, 보유 지지부(120)에 보유 지지되는 웨이퍼(W)보다도 하방의 영역에는, 예를 들어 2개의 조명 장치(131, 131)가 설치되어 있다. 조명 장치(131, 131)는, 보유 지지부(120)에 보유 지지된 웨이퍼의 직경보다 넓은 영역을 조사할 수 있도록 구성되어 있다. 조명 장치(131, 131)로는, 예를 들어 LED가 사용된다. 조명 장치(131, 131)는 서로 대향하여 비스듬히 상방을 비추고, 양쪽 조명 장치(131, 131)의 광축이 교차하는 높이와, 보유 지지부(120)에 보유 지지된 웨이퍼(W)의 이면의 높이가 대략 일치하도록 배치되어 있다. 그로 인해, 조명 장치(131, 131)로부터 조사된 광은, 웨이퍼(W)의 이면의 대략 동일 위치를 비춘다.
가이드 레일(122, 122) 사이의 영역이며, 조명 장치(131, 131)의 광축이 교차하는 위치의 연직 하방에는 미러(132)가 설치되어 있다. 이 미러(132)는, 촬상 장치(130)와는 역방향으로, 예를 들어 수평 위치로부터 22.5도 하방을 향하여 경사져 배치되어 있다. 또한, 촬상 장치(130)의 정면이며, 미러(132)의 45도 비스듬히 상방의 위치에는 미러(133)가 설치되어 있다. 이 미러(133)는, 예를 들어 케이싱(110)의 저면의 방향으로, 예를 들어 연직 위치로부터 22.5도 하방을 향하여 경사져 배치되어 있다. 따라서, 웨이퍼(W)의 이면에서 반사된 조명 장치(131, 131)로부터의 광은, 미러(132) 및 미러(133)에 의해 각각 45도씩 방향 전환하면서 반사되어, 촬상 장치(130)에 들어간다. 즉, 미러(132)의 연직 상방의 위치는, 촬상 장치(130)의 촬상 시야 내이다. 그로 인해, 가이드 레일(122, 122)을 따라 적재대(111)를 일방향으로 이동시켜, 당해 적재대(111)에 보유 지지되는 웨이퍼(W)를 미러(132)의 상방을 가로지르도록 함으로써, 촬상 장치(130)에 의해 웨이퍼(W) 이면의 전체면을 촬상할 수 있다. 또한, 적재대(111)를 일방향으로 이동시켜 촬상한 후에, 적재대(111)를 반대 방향으로 이동시키면, 다시 웨이퍼(W)의 이면을 촬상할 수 있다. 즉, 적재대(111)를, 촬상 장치(130)의 촬상 시야 내인 미러(132)의 상방을 가로질러 왕복 이동시킴으로써, 웨이퍼(W)의 이면을 2회 촬상할 수 있다.
촬상된 웨이퍼(W)의 화상(기판 화상)은, 제어 장치(6)를 통하여 촬상 조건 설정 기구(150)에 입력된다. 또한, 조명 장치(131)는 반드시 2개 설치할 필요는 없고, 웨이퍼(W)의 이면에 적당히 광을 조사할 수 있으면, 그 배치나 설치수는 임의로 설정이 가능하다. 또한, 미러(132, 133)에 대해서도, 예를 들어 조명 장치(131, 131)의 광축이 교차하는 위치의 연직 하방에, 45도 기울인 미러를 1개 배치해도 되고, 그 배치나 설치수도 임의로 설정이 가능하다.
제어 장치(6)는, 예를 들어 CPU나 메모리 등을 구비한 컴퓨터에 의해 구성되고, 프로그램 저장부(도시하지 않음)를 갖고 있다. 프로그램 저장부에는, 결함 검사 유닛(63)에 의해 촬상된 기판 화상에 기초하여 행해지는 웨이퍼(W)의 이면 검사를 제어하는 프로그램이나, 결함 검사 유닛(63)에 있어서 웨이퍼(W)를 촬상할 때의 촬상 조건이 프로그램으로서 저장되어 있다. 이 외에, 프로그램 저장부에는, 상술한 각종 처리 유닛이나 반송 장치 등의 구동계의 동작을 제어하여, 기판 처리 시스템(1)의 소정의 작용, 즉 웨이퍼(W)에 대한 레지스트액의 도포, 현상, 가열 처리, 웨이퍼(W)의 전달, 각 유닛의 제어 등을 실현시키기 위한 프로그램도 저장되어 있다. 또한, 상기 프로그램은, 예를 들어 하드 디스크(HD), 콤팩트 디스크(CD), 마그네트 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등의 컴퓨터에 판독 가능한 기억 매체(H)에 기록되어 있는 것으로서, 그 기억 매체(H)로부터 제어 장치(6)에 인스톨된 것이어도 된다.
이어서, 결함 검사 유닛(63)로 촬상할 때의 촬상 조건을 설정하는 촬상 조건 설정 기구(150)의 구성에 대하여 설명한다. 촬상 조건 설정 기구(150)는, 예를 들어 CPU나 메모리 등을 구비한 범용 컴퓨터에 의해 구성되어 있다. 촬상 조건 설정 기구(150)는, 예를 들어 도 6에 도시한 바와 같이, 촬상 장치(130)에 의해 촬상된 기판 화상으로부터 당해 기판 화상의 화소값의 최빈값을 추출하는 화소값 추출부(160)와, 화소값 추출부(160)에 의해 추출된 화소값에 기초하여 촬상 조건의 파라미터 설정의 보정값을 산출하는 보정값 산출부(161)와, 보정값 산출부(161)에 의해 산출된 보정값에 기초하여 촬상 조건의 파라미터 설정을 변경하는 촬상 조건 변경부(162)를 갖고 있다. 또한 촬상 조건 설정 기구(150)에는, 제어 장치(6)와의 사이에서 각종 정보의 입출력을 행하는 통신부(163), 기판 화상 등을 출력 표시하기 위한 출력 표시부(164)가 설치되어 있다.
화소값 추출부(160)는, 제어 장치(6)로부터 촬상 조건 설정 기구(150)에 입력된 기판 화상을, 예를 들어 픽셀 단위로 화소값으로서 수치화한다. 계속해서, 이 화소값으로부터 최빈값의 화소값을 추출한다. 최빈값의 화소값 추출에 대하여 히스토그램을 사용하여 구체적으로 설명하면, 기판 화상의 화소값이, 예를 들어 도 7에 도시한 바와 같은 분포로 되는 경우에, 가장 빈도가 높은 값인 「12」가 최빈값이다. 따라서, 도 7에 도시된 경우에는 「12」가 최빈값의 화소값으로서 화소값 추출부(160)에 의해 추출된다.
또한, 웨이퍼(W)의 이면은 표면과는 달리, 이면막 이외에 특별히 처리가 실시되어 있지 않아, 웨이퍼면 내에 있어서의 화소값의 변화가 적다. 그로 인해, 이 화소값의 최빈값의 추출 시에는, 예를 들어 웨이퍼(W)의 중심 영역의 기판 화상의 화소값으로부터 추출하면 충분하다. 여기서, 중심 영역이란, 반드시 웨이퍼(W)의 중심 위치 근방만을 의미하는 것이 아니고, 기판 화상의 외주 단부를 포함하지 않는 범위이면 임의로 그 범위를 설정할 수 있다. 웨이퍼(W)의 외주 단부를 제외한 것은, 웨이퍼(W)의 외주 단부에서 산란된 광에 의해, 웨이퍼(W)의 중심 영역의 반사율을 반영하지 않은 화소값이 검출될 수 있기 때문이다.
보정값 산출부(161)에는, 촬상 장치(130)에서의 촬상 조건을 최적화하기 위한, 예를 들어 도 8에 도시된, 촬상 조건 보정 데이터로서의 보정값 산출 테이블(A)이 미리 기억되어 있다. 보정값 산출 테이블(A)에 대하여 구체적으로 설명한다.
보정값 산출 테이블(A)은, 촬상 장치(130)에 의해 소정의 촬상 조건으로 웨이퍼(W)의 이면을 촬상했을 때에, 화소값 추출부(160)에 의해 추출되는 화소값의 최빈값과, 당해 추출된 최빈값에 기초하여 촬상 조건을 최적화하기 위하여 변경해야 할 파라미터의 보정 후의 값(보정값)의 관계를 나타낸 것이다. 본 실시 형태에 있어서는, 예를 들어 촬상 장치(130)에 의한 촬상 속도를 130[mm/sec], 조명 장치(131, 131)로부터의 광의 조도를 80[lm/㎡]로 하고 있다. 또한, 촬상 속도란, 미러(132) 위를 웨이퍼(W)를 스캔시킬 때의, 웨이퍼(W)의 이동 속도이다.
도 8에 도시한 바와 같이, 「최빈값」의 난에는 화소값 추출부(160)에 의해 추출된 최빈값의 범위가, 「보정값」의 난에는, 당해 최빈값이 추출된 경우에 최적의 기판 화상이 얻어지는 촬상 속도가 「7.5[mm/sec] 내지 50[mm/sec]」의 범위에서, 조도가 「100 [lm/㎡] 내지 80 [lm/㎡]」의 범위에서 각각 설정되어 있다. 또한, 도 8에 도시한 바와 같이, 「최빈값」의 값이 작을수록, 촬상 조건의 「보정값」은, 「보정값」에 기초하여 변경한 후의 촬상 조건으로 촬상한 촬상 화상의 화소값(휘도)의 최빈값이 커지도록 설정되어 있다.
그리고, 보정값 산출부(161)에서는, 이 보정값 산출 테이블(A)과 화소값 추출부(160)에 의해 추출된 최빈값의 화소값에 기초하여, 보정값이 산출된다. 화소값 추출부(160)에 의해 추출된 화소값의 최빈값이 도 8에 예시한 「12」인 경우를 예로 들어 설명하면, 보정값 산출부(161)에서는 보정값 산출 테이블(A)의 「최빈값」이 「10 내지 15」에 대응하는 「보정값」의 난으로부터, 촬상 조건으로서의 「촬상 속도」의 보정값으로서 「15」가, 「조도」의 보정값으로서 「80」이 각각 산출된다.
이 보정값 산출 테이블(A)은 미리 행해지는 시험 등에 의해 구해진다. 즉, 각각 반사율이 상이한 이면막이 형성된 웨이퍼(W)를 복수 준비해 두고, 각 웨이퍼(W)의 이면을 상술한 소정의 조건으로 촬상한다. 그리고, 촬상에 의해 얻어진 기판 화상을 확인하고, 당해 기판 화상의 휘도에 따라 촬상 조건을 변경하여 다시 촬상을 행한다. 그리고, 변경 후의 촬상 조건에 의한 기판 화상이 원하는 휘도를 갖고 있으면, 그 때의 촬상 조건을 「보정값」으로 채용하고, 원하는 휘도가 되지 않으면, 다시 촬상 조건을 변경하여 원하는 휘도가 얻어지는 촬상 조건을 구한다. 이 작업을 복수의 웨이퍼(W)에 대하여 행하여, 보정값 산출 테이블(A)을 작성한다.
또한, 보정값 산출 테이블(A)을 작성할 때의 소정의 촬상 조건은, 당해 소정의 촬상 조건으로 촬상한 기판 화상의 휘도가, 결함 검사에 최적이 되는 원하는 휘도보다도 낮아지도록 하는 것이 바람직하다. 예를 들어 도 9에 도시된 기판 화상은, 결함 판정에 최적의 휘도를 갖는 기판 화상의 일례이며, 결함은 하얗게, 결함이 없는 부분은 검게 찍혀 있다. 그런데, 소정의 촬상 조건 하에서의 기판 화상이 원하는 휘도보다 밝아지도록 촬상 조건을 설정한 경우, 예를 들어 도 10에 도시한 바와 같이, 기판 화상의 휘도가 지나치게 높아 화소값의 레인지의 상한인 255를 초과해 버릴 가능성이 있다. 이러한 경우, 「보정값」에 기초하여 변경한 후의 촬상 조건으로 촬상한 기판 화상의 화소값(휘도)이, 도 10의 기판 화상의 화소값보다도 작아지도록 「보정값」을 설정해도, 보정 후의 촬상 조건으로 촬상한 기판 화상의 휘도가, 여전히 원하는 휘도보다도 높아져 버려, 예를 들어 도 11에 도시한 바와 같이, 원래 결함이 아닌 부분까지 하얗게 찍혀 버릴 가능성이 발생하기 때문이다.
또한, 촬상 조건을 구성하는 파라미터는 본 실시 형태에 한정되는 것은 아니며, 상술한 촬상 속도나 조도 이외에, 촬상 장치(130)인 카메라의 게인값이나, 당해 카메라의 렌즈의 조리개(F값) 등이 있다. 그리고, 보정값 산출 테이블(A)에 어떤 파라미터를 채용할지에 대해서는 임의로 설정이 가능하고, 보정값 산출 테이블에 예를 들어 조도만을 설정하도록 해도 된다.
보정값 산출부(161)에 의해 보정값이 산출되면, 촬상 조건 변경부(162)에 의해, 당해 보정값이 통신부(163)를 통하여 제어 장치(6)에 출력되고, 이에 의해 제어 장치(6) 내의 기존의 촬상 조건의 각 파라미터 설정이 변경된다.
본 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템(1)은 이상과 같이 구성되어 있고, 이어서, 이상과 같이 구성된 기판 처리 시스템(1)에 의해 행해지는 웨이퍼(W)의 처리에 대하여 설명한다.
웨이퍼(W)의 처리에 있어서는, 우선, 복수매의 웨이퍼(W)를 수용한 카세트(C)가 카세트 반출입부(10)의 소정의 적재판(13)에 적재된다. 그 후, 웨이퍼 반송 장치(21)에 의해 카세트(C) 내의 각 웨이퍼(W)가 순차 취출되어, 처리 스테이션(3)의 제3 블록(G3)의, 예를 들어 전달 유닛(53)에 반송된다.
다음으로, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제2 블록(G2)의 열처리 유닛(40)에 반송되어, 온도 조절된다. 그 후, 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해, 예를 들어 제1 블록(G1)의 하부 반사 방지막 형성 유닛(31)에 반송되어, 웨이퍼(W) 상에 하부 반사 방지막이 형성된다. 그 후, 웨이퍼(W)는 제2 블록(G2)의 열처리 유닛(40)에 반송되어, 가열 처리가 행해진다. 그 후, 제3 블록(G3)의 전달 유닛(53)으로 되돌아간다.
다음으로, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(90)에 의해 동일한 제3 블록(G3)의 전달 유닛(54)에 반송된다. 그 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제2 블록(G2)의 어드히젼 유닛(41)에 반송되어, 소수화 처리된다. 그 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 레지스트 도포 유닛(32)에 반송되어, 웨이퍼(W) 상에 레지스트막이 형성된다. 그 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 열처리 유닛(40)에 반송되어, 프리베이크 처리된다. 그 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제3 블록(G3)의 전달 유닛(55)에 반송된다.
다음으로, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 상부 반사 방지막 형성 유닛(33)에 반송되어, 웨이퍼(W) 상에 상부 반사 방지막이 형성된다. 그 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 열처리 유닛(40)에 반송되고, 가열되어, 온도 조절된다. 그 후, 웨이퍼(W)는 주변 노광 유닛(42)에 반송되어, 주변 노광 처리된다.
그 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제3 블록(G3)의 전달 유닛(56)에 반송된다.
다음으로, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(90)에 의해 전달 유닛(52)에 반송되고, 셔틀 반송 장치(80)에 의해 제4 블록(G4)의 전달 유닛(62)에 반송된다. 그 후, 웨이퍼(W)는, 인터페이스 스테이션(7)의 웨이퍼 반송 장치(100)에 의해 이면 세정 장치(64)에 반송되어, 이면 세정된다. 이면 세정된 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(100)에 의해 결함 검사 유닛(63)에 반송되어, 웨이퍼(W) 이면의 촬상이 행해진다.
결함 검사 유닛(63)에 있어서의 웨이퍼(W) 이면의 촬상에 대해서, 도 12에 도시된 이면 검사 처리의 흐름도와 함께 설명한다.
결함 검사 유닛(63)에 반입된 웨이퍼(W)는, 케이싱(110) 내의 일단측(도 5의 X 방향 부방향측)에서 대기하고 있는 적재대(111)의 보유 지지부(120)에 의해, 이면을 아래로 향한 상태에서 보유 지지된다. 계속하여 가이드 레일(122, 122)을 따라 적재대(111)를 케이싱(110)의 타단측을 향하여 이동시켜, 웨이퍼(W) 이면을 촬상 장치(130)에 의해 촬상한다(1회째의 촬상. 도 12의 공정 S1). 이때, 촬상 조건으로서, 촬상 장치(130)에 의한 촬상 속도는 130[mm/sec], 조명 장치(131, 131)로부터의 광의 조도는 80[lm/㎡]로 설정되어 있다. 이 1회째의 촬상에 의해, 예를 들어 도 13에 도시한 바와 같은, 휘도가 낮은 기판 화상이 얻어진다. 휘도가 낮은 기판 화상에 있어서는, 예를 들어 도 13에 화살표로 나타낸 바와 같이, 극히 일부에서 결함에 상당하는 개소가 하얗게 찍혀 있을 뿐이다. 촬상이 종료되면, 적재대(111)는 케이싱(110)의 타단측에서 일단 대기한다.
촬상된 기판 화상은 제어 장치(6)로부터 촬상 조건 설정 기구(150)에 입력된다. 화소값 추출부(160)에서는, 당해 기판 화상의 중심 영역의 화소값으로부터 최빈값이 추출된다(도 12의 공정 S2). 계속하여 보정값 산출부(161)에서는, 화소값 추출부(160)에 의해 추출된 최빈값의 화소값과, 보정값 산출 테이블(A)에 기초하여 촬상 속도와 조도의 보정값이 산출된다(도 12의 공정 S3). 그리고, 제어 장치(6) 내의 기존의 촬상 조건, 즉 촬상 속도와 조도가, 촬상 조건 변경부(162)에 의해 변경된다(도 12의 공정 S4).
제어 장치(6) 내에서 기존의 촬상 조건이 변경되면, 타단측에서 대기하고 있던 적재대(111)를 가이드 레일(122, 122)을 따라 케이싱(110)의 촬상 장치(130)측으로 이동시킨다. 이와 같이, 가이드 레일(122, 122)을 따라 적재대(111)를 왕복 이동시킴으로써, 촬상 조건의 변경 전과는 역방향으로 웨이퍼(W)가 스캔되어, 변경된 촬상 조건에 의해 웨이퍼(W)의 이면이 다시 촬상된다(2회째의 촬상. 도 12의 공정 S5). 그 결과, 보정 후의 최적의 촬상 조건으로 촬상한, 예를 들어 도 14에 도시한 바와 같은, 웨이퍼(W) 이면의 결함이나 이물의 확인에 최적의 휘도를 갖는 기판 화상이 얻어진다. 도 14에 도시하는 기판 화상에 있어서는, 보정 전의 촬상 조건으로 촬상한 기판 화상(도 13의 기판 화상)에서는 인식할 수 없었던 결함에 대해서도 인식할 수 있게 된다.
이어서, 제어 장치(6)에서는, 2회째의 촬상에 의해 얻어진 촬상 화상에 기초하여, 당해 웨이퍼(W)의 이면의 상태가, 노광 장치(4)에 반입 가능한지의 여부가 판정된다(도 12의 공정 S6). 또한, 제어 장치(6)에서는, 예를 들어 웨이퍼(W)의 이면에 부착된 파티클의 수나 부착된 범위, 혹은 파티클의 높이나 크기 등에 기초하여 당해 웨이퍼(W)의 노광 장치(4)에서의 노광의 가부가 판정된다. 그리고, 웨이퍼(W)의 상태가, 노광 장치(4)에 의해 노광 가능한 것으로 판정되면, 웨이퍼(W)는 반송 장치(100)에 의해 노광 장치(4)에 반송되어, 노광 처리된다.
또한, 노광 불가능한 것으로 판정되면, 당해 웨이퍼(W)의 이후의 처리를 중지하고, 반송 장치(100)에 의해 전달 유닛(62)에 반송되고, 계속하여 셔틀 반송 장치(80)에 의해 전달 유닛(52)에 반송된다. 그 후, 이후의 처리가 중지된 웨이퍼(W)는 카세트 스테이션(2)에 반송되고, 계속하여 소정의 카세트 적재판(13)의 카세트(C)에 회수된다. 또한, 노광 불가능한 것으로 판정된 경우는, 이면 세정 장치(64)에서의 다시 이면 세정 및 결함 검사 장치(63)에서의 다시 검사를 행하도록 해도 된다.
노광 처리된 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(100)에 의해 제4 블록(G4)의 전달 유닛(60)에 반송된다. 그 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 열처리 유닛(40)에 반송되어, 노광 후 베이크 처리된다. 그 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 현상 처리 유닛(30)에 반송되어, 현상된다. 현상 종료 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(90)에 의해 열처리 유닛(40)에 반송되어, 포스트베이크 처리된다.
그 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제3 블록(G3)의 수수 유닛(50)에 반송되고, 그 후 카세트 스테이션(2)의 웨이퍼 반송 장치(21)에 의해 소정의 적재판(13)의 카세트(C)에 반송된다. 이와 같이 해서, 일련의 포토리소그래피 공정이 종료된다.
또한, 카세트(C)에 수용되어 있는 동일 로트의 다른 웨이퍼(W)에 대해서도 마찬가지의 처리가 반복하여 행해진다. 그 때, 동일 로트의 웨이퍼(W)에는 동일한 이면막이 형성되어 있으므로, 공정 S4에 있어서 촬상 조건이 보정값에 기초하여 일단 변경된 후는 촬상 조건의 변경은 불필요하다. 즉, 동일 로트의 2매째 이후의 웨이퍼(W)의 촬상 시에는, 결함 검사 유닛(63)에서는, 이 보정 후의 촬상 조건으로 계속 촬상이 행하여진다(도 12의 공정 S7). 그리고, 당해 촬상된 2매째 이후의 웨이퍼(W)의 촬상 화상은, 제어 장치(6)에 의해 노광 장치(4)에 반입 가능한 것인지의 여부가 판정되어, 이 결함 검사 유닛(63)에서의 일련의 처리가 동일 로트의 웨이퍼(W)에 대하여 반복하여 행해진다.
이상의 실시 형태에 의하면, 화소값 추출부(160)에 의해 추출된 기판 화상의 화소값의 최빈값에 기초하여 보정값 산출부(161)에 의해 보정값을 산출하고, 이 보정값에 기초하여 촬상 조건 변경부(162)가 촬상 조건을 변경하므로, 사전에 촬상 대상으로 되는 웨이퍼(W)의 이면막에 맞춘 레시피를 작성하지 않고, 최적의 촬상 조건을 설정할 수 있다. 그 결과, 예를 들어 미지의 이면막이 형성된 웨이퍼(W)의 이면을 촬상하는 경우에도, 레시피의 작성에 시간을 소비하지 않고, 웨이퍼의 이면 검사를 신속하면서 또한 적절하게 행할 수 있다.
또한, 화소값 추출부(160)에서는, 웨이퍼(W)의 중심 영역의 화소값을 대상으로 하여 최빈값의 추출을 행하고 있다. 그로 인해, 화소값 추출부(160)에서의 연산의 부하를 저감시켜, 최빈값의 추출에 필요로 하는 시간을 단축할 수 있다.
이상의 실시 형태에서는, 보유 지지부(120)에 의해 웨이퍼(W)를 보유 지지한 상태의 적재대(111)를, 가이드 레일(122, 122)을 따라 왕복 이동시킴으로써 웨이퍼(W)의 이면의 촬상을 2번 행할 수 있다. 그로 인해, 촬상 조건 설정 기구(150)에 의해 촬상 조건을 최적화할 때에 1회째의 촬상과 2회째의 촬상을 신속하게 행할 수 있다.
또한, 이상의 실시 형태에 있어서는, CCD 카메라에 의한 촬상 화상이 모노크롬인 경우를 예로 들어 설명했지만, 촬상 화상은 예를 들어 R, G, B의 3원색으로 이루어지는 화상이어도 된다. 이러한 경우, 화소값 추출부(160)에서의 화소값의 최빈값의 추출 시에는, 예를 들어 R, G, B 중에서 임의의 원색을 1개 선택하고, 당해 선택된 원색에 대하여 최빈값의 추출을 행해도 된다.
이상의 실시 형태에서는, 촬상 조건 설정 기구(150)와 제어 장치(6)를 개별로 설치했지만, 촬상 조건 설정 기구(150)는 제어 장치(6)의 일부로서 구성되어 있어도 된다.
이상, 첨부 도면을 참조하면서 본 발명의 적합한 실시 형태에 대하여 설명했지만, 본 발명은 이러한 예에 한정되지 않는다. 당업자라면 특허 청구 범위에 기재된 사상의 범주 내에서, 각종 변경예 또는 수정예에 상도할 수 있는 것은 명확하며, 그들에 대해서도 당연히 본 발명의 기술적 범위에 속하는 것으로 이해된다. 본 발명은 이 예에 한정되지 않고 다양한 형태를 채용할 수 있는 것이다. 이상의 실시 형태에서는, 촬상 대상은 기판의 이면이었지만, 기판의 표면을 촬상하는 경우에도 본 발명은 적용할 수 있다. 또한, 상술한 실시 형태는, 반도체 웨이퍼의 도포 현상 처리 시스템에 있어서의 예이었지만, 본 발명은, 반도체 웨이퍼 이외의 FPD(flat panel display), 포토마스크용 마스크 레티클 등의 다른 기판의 도포 현상 처리 시스템인 경우에도 적용할 수 있다.
<산업상 이용가능성>
본 발명은, 사전에 레시피를 작성하지 않고, 최적의 촬상 조건의 설정을 행할 때에 유용하다.
1: 기판 처리 시스템
2: 카세트 스테이션
3: 처리 스테이션
4: 노광 장치
5: 인터페이스 스테이션
6: 제어 장치
10: 카세트 반출입부
11: 웨이퍼 반송부
12: 카세트 적재대
13: 적재판
20: 반송로
21, 70, 90, 100: 웨이퍼 반송 장치
30: 현상 처리 유닛
31: 하부 반사 방지막 형성 유닛
32: 레지스트 도포 유닛
33: 상부 반사 방지막 형성 유닛
40: 열처리 유닛
41: 어드히젼 유닛
42: 주변 노광 유닛
63: 결함 검사 유닛
80: 셔틀 반송 장치
110: 케이싱
111: 적재대
120: 보유 지지부
121: 지지 부재
122: 가이드 레일
130: 촬상 장치
150: 촬상 조건 설정 기구
160: 화소값 추출부
161: 보정값 산출부
162: 촬상 조건 변경부
163: 통신부
164: 출력 표시부
A: 보정값 산출 테이블
W: 웨이퍼
D: 웨이퍼 반송 영역
C: 카세트

Claims (10)

  1. 촬상 장치에 의해 촬상된 기판 화상에 기초하여 기판의 결함을 검사하는 방법으로서,
    촬상 대상으로 되는 기판을 소정의 촬상 조건으로 촬상하고,
    당해 촬상된 기판 화상의 화소값의 최빈값을 추출하고,
    상기 추출된 화소값과, 미리 설정되어 있는 촬상 조건 보정 데이터에 기초하여, 상기 촬상 조건의 보정값을 산출하고,
    상기 보정값에 기초하여 상기 촬상 조건을 변경하여, 당해 변경 후의 촬상 조건으로 상기 촬상 대상의 기판을 다시 촬상하고,
    상기 변경 후의 촬상 조건으로 촬상된 기판 화상에 기초하여, 기판의 결함을 검사하는 것을 특징으로 하는, 기판의 결함 검사 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 보정값에 기초하여 변경되는 촬상 조건은, 촬상 속도 또는 기판을 비추는 조도 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판의 결함 검사 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 소정의 촬상 조건에 있어서의 촬상 속도 및 조도는, 당해 소정의 조건으로 촬상되는 기판 화상의 화소값의 최빈값이, 상기 보정값에 기초하여 변경되는 촬상 조건에 의해 촬상된 기판 화상의 화소값의 최빈값보다도 작아지도록 설정되는 것을 특징으로 하는, 기판의 결함 검사 방법.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 화소값의 최빈값은, 기판 화상의 외주 단부를 제외한 영역으로부터 추출되는 것을 특징으로 하는, 기판의 결함 검사 방법.
  5. 제1항에 내지 제3항 중 어느 한 항에 기재된 기판의 결함 검사 방법을 기판의 결함 검사 장치에 의해 실행시키기 위해, 당해 기판의 결함 검사 장치를 제어하는 제어 장치의 컴퓨터 상에서 동작하는 프로그램을 저장한 판독 가능한, 컴퓨터 기억 매체.
  6. 기판의 결함을 검사하는 장치로서,
    기판을 촬상하는 촬상 장치와,
    상기 촬상 장치에 의해 소정의 촬상 조건으로 촬상된 기판의 화상으로부터, 당해 기판 화상의 화소값의 최빈값을 추출하는 화소값 추출부와,
    상기 추출된 화소값과, 미리 설정되어 있는 촬상 조건 보정 데이터에 기초하여, 상기 촬상 조건의 보정값을 산출하는 보정값 산출부와,
    상기 보정값에 기초하여 상기 촬상 조건을 변경하는 촬상 조건 변경부
    를 포함하는 것을 특징으로 하는, 기판의 결함 검사 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 보정값에 기초하여 변경되는 촬상 조건은, 촬상 속도 또는 기판을 비추는 조도 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는, 기판의 결함 검사 장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 소정의 촬상 조건에 있어서의 촬상 속도 및 조도는, 당해 소정의 조건으로 촬상되는 기판 화상의 화소값의 최빈값이, 상기 보정값에 기초하여 변경되는 촬상 조건에 의해 촬상된 기판 화상의 화소값의 최빈값보다도 작아지도록 설정되는 것을 특징으로 하는, 기판의 결함 검사 장치.
  9. 제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 화소값의 최빈값은, 기판 화상의 외주 단부를 제외한 영역으로부터 추출되는 것을 특징으로 하는, 기판의 결함 검사 장치.
  10. 제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판을 상기 촬상 장치의 촬상 시야를 가로질러 왕복 이동시키는 이동 기구를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 기판의 결함 검사 장치.
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