KR20140043146A - 방사선 발생장치 및 방사선 촬영장치 - Google Patents

Abstract

방사선 발생장치는, 방사선이 투과하는 제1 창문(2)을 갖는 외위기(1); 및 상기 외위기(1)내에 수납되고, 상기 제1 창문(2)에 대향해서 배치되고 상기 방사선이 투과하는 제2 창문(15)을 갖는 방사선 발생관(10)을 구비하고, 상기 방사선 발생관은, 상기 제2 창문(15)에 열적으로 접속되고, 상기 제2 창문(15)과 연통하여 배치된 방사선 통과 구멍(21)을 갖고, 상기 제2 창문(15)으로부터 상기 제1 창문(2)으로 돌출하는 돌출부를 갖는, 방사선 차폐부재(16)를 구비한다. 상기 방사선 차폐부재(16)보다 열전도율이 높은 열전도부재(17)는 상기 방사선 차폐부재(16)의 상기 돌출부에 접속된다. 상기 방사선 발생장치는, 불필요한 방사선을 차폐하고 타겟을 간단한 구조로 냉각할 수 있고, 전체적으로 경량화된다.

Description

방사선 발생장치 및 방사선 촬영장치{RADIATION GENERATING APPARATUS AND RADIATION IMAGING APPARATUS}

본 발명은, 의료기기 및 산업기기 분야에 있어서의 비파괴 X선 촬영에 사용된 방사선 발생장치, 및 그 방사선 발생장치를 사용한 방사선 촬영장치에 관한 것이다.

일반적으로, 방사선 발생관은 전자방출원으로부터 방출되는 전자를 고전압으로 가속하고, 그 전자를 타겟에 조사해서 X선 등의 방사선을 발생시킨다. 이 때 발생한 방사선은 모든 방향으로 방사된다. 특허문헌 1에는, 불필요한 방사선을 차폐하기 위해서 타겟에 대한 전자입사측 및 X선 방출측에 X선 차폐부재를 배치한 투과형 X선 발생장치가 개시되어 있다.

방사선 촬영에 적합한 방사선을 발생시키기 위해서는, 전자방출원과 타겟의 사이에 고전압을 인가해서 고에너지의 전자빔을 그 타겟에 조사할 필요가 있다. 그렇지만, 일반적으로, 방사선의 발생 효율은 극히 낮고, 소비 전력의 99％정도는 그 타겟에서 열을 방생한다. 그 발생된 열에 의해 타겟은 고온이 되기 때문에, 타겟의 열손상을 막는 유닛이 필요하게 된다. 특허문헌 2에는, X선 투과창의 주위에 냉각기구를 구비하여 타겟 부분의 방열 효율을 향상시키는, X선 발생관이 개시되어 있다.

일본국 공개특허공보 특개2007-265981호 일본국 공개특허공보 특개2004-235113호

의료분야에서 단시간 펄스 및 큰 관전류에 의한 촬영과, 상기 산업분야에서의 전자빔의 미소 초점에 의한 촬영에서는, 타겟의 온도를 순간적으로 상승시켜도 된다. 이러한 경우에, 종래의 방사선 차폐부재만으로는 방열이 불충분하다.

그 방사선 차폐부재를 두껍게 하여 방열 특성을 향상시키는 경우, 그 방사선 발생장치의 전체 중량은 그 방사선 차폐부재가 일반적으로 중금속으로 이루어지기 때문에 무거워진다. 또한, 그 방사선 차폐부재와 냉각기구를 따로따로 설치함으로써, 방사선 발생장치 전체를 소형화하는 것이 어렵다. 따라서, 본 발명의 목적은, 간단한 구조로 불필요한 방사선을 차폐하고 타겟을 냉각할 수 있는 방사선 발생장치, 및 그 방사선 발생장치를 사용한 방사선 촬영장치를 제공하는데 있다.

상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명의 일 국면에 따른 방사선 발생장치는, 방사선이 투과하는 제1 창문을 갖는 외위기; 및 상기 외위기내에 수납되고, 상기 제1 창문에 대향해서 배치되고 상기 방사선이 투과하는 제2 창문을 갖는 방사선 발생관을 구비하고, 상기 방사선 발생관은, 상기 제2 창문으로부터 상기 제1 창문으로 돌출하는 돌출부를 갖는 방사선 차폐부재를 갖고, 상기 방사선 차폐부재보다 열전도율이 높은 열전도부재는 상기 방사선 차폐부재의 상기 돌출부에 접속된다.

본 발명에 의하면, 불필요한 방사선을 차폐하는 성능을 확보하고, 타겟의 열을 효과적으로 방사할 수 있다. 또한, 방사선 차폐부재보다 저밀도의 열전도부재를 사용함에 따라서, 방사선 발생장치의 전체를 경량화할 수 있다. 이에 따라 큰 관전류와 미소 초점으로 방사선 촬영이 가능함으로써, 고해상도의 촬영 화상을 취득 가능하다. 또한, 경량화된 본 장치는, 가정용 의료 검사 및 응급 현장의 의료 검사에 쉽게 적용될 수 있다.

본 발명의 또 다른 특징들은, 첨부도면을 참조하여 이하의 예시적 실시예들의 설명으로부터 명백해질 것이다.

도 1은 본 발명의 방사선 발생장치를 나타내는 단면 모식도다.
도 2a, 2b 및 2c는, 본 발명의 일 실시예에 따른 방사선 차폐부재 주변부의 단면 모식도다.
도 3a 및 3b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 방사선 차폐부재의 주변부의 단면 모식도다.
도 4는 본 발명의 방사선 발생장치를 사용한 방사선 촬영장치의 구성도다.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명한다.

도 1은 본 발명의 방사선 발생장치의 일 실시예를 나타내는 단면 모식도다. 외위기(1)는, 투과형의 방사선 발생관(10)과 전압제어부(3)(전압제어부)를 수납하고 있다. 이 외위기(1)내에 여유 공간(외위기(1)의 내벽과 방사선 발생관(10)과의 사이)에는 절연성 유체(8)가 충전되어 있다.

전압제어부(3)는, 회로기판 및 절연 트랜스를 구비하고, 방사선 발생관(10)의 전자방출원(5)에 단자(4)를 거쳐서 방사선의 발생을 제어하기 위한 신호를 출력한다. 단자(7)를 거쳐 양극부(12)의 전위를 결정한다.

외위기(1)는, 용기로서의 충분한 강도를 가지면 좋고, 금속이나 플라스틱 재료로 제조된다.

절연성 유체(8)는, 냉각매체로서 배치된 전기절연성인 액체 또는 기체다. 그 액체는 전기절연유를 포함하는 것이 바람직하다. 전기절연유는, 광유나, 실리콘유 등을 포함하는 것이 바람직하다. 다른 사용가능한 절연성 유체(8)는, 불소계 전기절연성 액체를 포함한다. 기체는 공기를 포함하고, 그 기체를 사용하는 것은 절연성 액체를 사용하는 경우와 비교하여 상기 장치를 경량화할 수 있다.

외위기(1)에는, 방사선이 투과해 그 외위기에서 방출되는 제1 창문(2)이 구비된다. 방사선 발생관(10)으로부터 방출된 방사선은, 상기 제1 창문(2)을 통해서 외부에 방출된다. 제1 창문(2)은, 유리, 알루미늄, 베릴륨등으로 제조된다.

방사선 발생관(10)은, 외부 프레임으로서 원통형 진공용기(9), 이 용기 내부에 설치된 전자방출원(5), 타겟부(6) 및 창문부재(8)를 구비한다.

상기 진공용기(9)는, 방사선 발생관(10)의 내부를 진공 상태로 유지하고, 그 진공용기의 보디부는 유리나 세라믹 등의 절연성 재료로 제조된다. 음극부(11)와 양극부(12)는, 도전성 합금(코바(Kovar))으로 제조된다. 진공용기(9)내의 진공도는 10^-4∼10^-8Pa정도이어도 된다. 진공용기(9)의 내부에는 진공도를 유지하기 위해서, 도면에 나타내지 않은 게터(getter)를 배치해도 좋다. 진공용기(9)는, 상기 양극부(12)에 원통형 개구부를 구비하고, 원통형 창문부재(13)는, 상기 개구부에 결합되어 있다. 상기 창문부재(13)는, 타겟부(6)에서 발생된 방사선(본 실시예에서는 X선)의 일부가 통과되는 원통형 방사선 통과 구멍(이후, 간략히 통과 구멍이라고 함)(21)을 갖는다. 상기 원통형 타겟부(6)는, 상기 통과 구멍(21)의 내벽에 결합되어, 상기 진공용기(9)를 밀폐한다.

전자방출원(5)은, 진공용기(9)의 내부에, 타겟부(6)에 대향해서 배치되어 있다. 전자방출원(5)은, 텅스텐 필라멘트, 함침형 음극과 같은 열음극, 또는 카본 나노튜브와 같은 냉음극으로 형성되어도 된다. 전자방출원(5)에는 추출전극이 배치되어 있고, 그 추출전극에서 형성된 전계에 의해 방출된 전자는, 렌즈 전극에 의해 수속되어, 상기 타겟부(6)에 입사해 방사선을 발생한다. 이 때, 상기 전자방출원(5)에 전기적으로 접속된 음극부(11)와, 상기 타겟부(6)에 전기적으로 접속된 양극부(12)와의 사이에는, 원하는 방사선의 용도에 따라 40kV∼120kV정도의 가속전압이 인가된다.

도 2는 도 1의 창문부재(13)의 주변부를 확대하여 나타내는 단면 모식도다.

타겟부(6)는, 상기 타겟(14)과, 제2 창문인 기판(15)을 구비한다. 상기 타겟(14)은 전자방출원의 측면에 상기 제2 창문(15)의 표면에 배치되어 있다. 상기 타겟(14)은, 융점이 높고 방사선 발생 효율이 높은 재료로 제조되는 것이 바람직하다. 예를 들면, 텅스텐, 탄타르, 몰리브덴 등등이 사용될 수 있다. 상기 발생한 방사선이 타겟(14)을 투과할 때에 생긴 흡수를 경감하기 위해서, 타겟(14)의 적당한 두께는 수㎛ 내지 수십㎛ 정도이다.

제2 창문(15)은, 타겟(14)을 지지하여, 그 타겟(14)에서 발생한 방사선의 적어도 일부를 투과하며, 상기 창문부재(13)의 방사선 통과 구멍(21)내의 상기 제1 창문(2)과 대향하는 위치에 배치되어 있다. 제2 창문(15)은, 타겟(14)을 지지하고 그 타겟(14)에서 발생한 방사선을 거의 흡수하지 않는 강도를 갖고, 그 타겟(14)에서 발생한 열을 재빠르게 방사하도록 열전도율이 높은 재료로 제조되는 것이 바람직하다. 예를 들면, 다이아몬드, 질화실리콘, 질화알루미늄을 사용하여도 된다. 제2 창문(15)에 관한 상기 요구사항을 만족시키기 위해서, 제2 창문(15)의 적절한 두께는 0.1mm 내지 수mm정도이다.

도 2a에 나타낸 바와 같이, 상기 창문부재(13)는, 방사선 차폐부재(이후, 간략히 차폐부재라고 함)(16)와, 열전도부재(17)를 구비한다. 상기 차폐부재(16)는, 제2 창문(15)에 연통하여 배치된 상기 통과 구멍(21)을 갖고, 상기 타겟(14)으로부터 방출된 방사선 중 불필요한 방사선을 차폐한다. 그 차폐부재(16)는, 2개의 차폐부재(제1 차폐부재19와 제2 차폐부재20)를 구비한다. 상기 제1 차폐부재(19)와 제2 차폐부재(20)는 동일한 재료로 제조되어도 되고, 일체형으로 형성 및 배치되거나, 따로따로 배치되어도 된다. 상기 제1 차폐부재(19)와 제2 차폐부재(20)는 다른 재료로 제조되어도 되고, 결합하여서 일체형으로 배치되거나, 따로따로 배치되어도 된다. 상기 차폐부재(16)에 대하여 제2 창문(15)이 고정되어서, 진공용기(9)의 진공기밀이 유지되고, 이러한 고정부로서는 은 경납땜이 사용된다.

상기 제1 차폐부재(20)는, 제2 창문(15)으로부터 전자방출원(5)으로 돌출하도록 배치되고, 제2 창문(15)에 연통하여 배치된 전자빔 통과 구멍(22)을 갖는다. 전자방출원(5)으로부터 방출된 전자는 전자빔 통과 구멍(22)을 통과해서 상기 타겟(14)과 충돌한다. 타겟(14)에서 발생한 방사선 중, 타겟(14)의 상기 전자방출원측에 산란된 방사선은, 상기 제1 차폐부재(20)에서 차폐된다.

상기 제2 차폐부재(19)는, 제2 창문(15)으로부터 제1 창문(2)으로 돌출하도록 배치되고, 제2 창문(15)에 연통하여 배치된 상기 통과 구멍(21)을 갖는다. 제2 창문(15)을 투과한 방사선은 상기 통과 구멍(21)을 통과하고, 불필요한 방사선은 제2 차폐부재(19)에서 차폐된다.

외위기(1)의 외부에 방사선의 보다 많은 선량을 추출하는 관점에서, 상기 통과 구멍(21)의 개구면적이 제2 창문(15)으로부터 제1 창문(2)으로 서서히 커지고 있는 것이 바람직하다. 이는, 제2 창문(15)을 투과한 방사선이 방출중이기 때문이다.

제1 차폐부재(20)의 전자빔 통과 구멍(22)의 중심과, 제2 차폐부재(19)의 상기 통과 구멍(21)의 중심과, 상기 타겟(14)의 중심이, 같은 선상에 있는 것이 바람직하다. 이것은, 이러한 배치에 의해, 투과형의 타겟(14)에 전자가 조사됨으로써 발생한 방사선을 보다 많은 선량으로 확실하게 꺼낼 수 있기 때문이다.

상기 차폐부재(16)는, 방사선의 흡수율이 높고, 또 열전도율이 높은 재료로 제조되는 것이 바람직하다. 예를 들면, 텅스텐, 탄타르 등의 금속재료, 또는 이것들의 합금을 사용하여도 된다. 불필요한 방사선을 충분히 차폐하기 위해서, 제1 차폐부재(20)와 제2 차폐부재(19)의 두께는, 설정하는 전자의 가속 전압에 따르는 0.5mm∼5mm정도가 적당하다.

도 2a 및 2b에 나타낸 바와 같이, 열전도부재(17)는, 제2 차폐부재(19)의 외부 주변측에 이 제2 차폐부재(19)를 둘러싸도록 배치된다. 열전도부재(17)는, 땜질(brazing), 캐스팅(casting), 납붙임(soldering), 용접(welding), 레이저 용접, 스크루 인(screw-in), 번 피팅(burn fitting), 테이퍼 피팅, 접착제, 또는 기계적인 나사식 셧(shut)에 의해서 상기 제2 차폐부재(19)에 결합된다. 열전도부재(17)와 제2 차폐부재(19)는, 중심축이 같은 원통형상을 갖고, 열전도부재(17)의 방사방향의 두께는, 제2 차폐부재(19)보다 두껍다.

도 2c에 도시된 것처럼, 열전도부재(17)는, 상기 제2 차폐부재(19)가 상기 열전도부재(17)를 둘러싸도록 상기 제2 차폐부재(19)의 내부 주변측에 배치되어도 된다. 이 경우에도, 상기 차폐부재(16)는, 2개의 차폐부재(제1 차폐부재19와 제2 차폐부재20)를 구비한다. 상기 제1 차폐부재(19)와 제2 차폐부재(20)는 동일한 재료로 제조되어도 되고, 일체형으로 형성되어도 되거나, 다른 재료로 제조되어 결합하여서 형성되어도 된다. 상기 차폐부재(16)는 상기 열전도부재(17)의 외주와 접촉하고 있다.

열전도부재(17)를 구성하는 재료는, 차폐부재(16)보다 열전도율이 높고 내열성이 높은 것이 바람직하고, 금속재료, 카본계 재료, 세라믹 등으로부터 선택되어도 된다. 상기 금속재료는, 은, 구리, 알루미늄, 코발트, 니켈, 철 등, 또는 이것들의 합금과 산화물로 이루어져도 된다. 상기 카본계 재료는, 다이아몬드, 그래파이트 등으로 이루어져도 된다. 상기 세라믹은, 질화알루미늄, 탄화실리콘, 알루미나, 질화실리콘 등으로 이루어져도 된다. 또한, 상기 열전도부재(17)는, 상기 차폐부재(16)보다 밀도가 낮은 재료로 제조되는 것이 바람직하다.

상기 차폐부재(16)보다 밀도가 낮은 재료가 상기 열전도부재(17)로서 사용됨으로써, 상기 창문부재(13)가 상기 차폐부재(16)만을 구비하는 경우와 비교하여 경량화한다.

타겟(14)에서 발생한 열은, 직접 또는 제2 창문(15)을 통해 열전도부재(17)에 직접 전해지거나, 상기 차폐부재(16)를 거쳐서 열전도부재(17)에 전해진다. 또한, 그 열은, 열전도부재(17)와 접촉하고 있는 절연성 유체에 전해져서 빠르게 방열됨으로써, 타겟(14)의 온도상승을 방지한다. 열전도부재(17)의 열전도율이 상기 차폐부재(16)보다 높으므로, 상기 창문부재(13)가 상기 차폐부재(16)만을 구비하는 경우와 비교하여 그 방열속도는 빨라진다.

또한, 도 3a 및 3b에 도시된 것처럼, 상기 열전도부재(17)가 지느러미 구조를 갖는 경우, 상기 절연성 유체와 접촉하는 상기 열전도부재(17)의 면적이 커짐에 따라, 보다 효율적으로 방열한다.

열전도부재(17)는, 외주 또는 내주 전체를 둘러싸는 대신에, 상기 제2 차폐부재(19)의 외주 또는 내주 일부에 설치될 수도 있다.

또한, 방열특성을 더욱 향상시키기 위해서, 차폐부재(16)와 열전도부재(17)는, 진공용기(9)의 끝면의 위치를 넘어서 제1 창문(2)쪽으로 상기 타겟 조립체(6)가 돌출하게 설치되는 것이 바람직하다.

가속전압을 인가하는 방식으로서는, 양극접지 방식 또는 중점접지 방식 중 어느 한 방식이 사용되어도 된다. 양극접지 방식은, 타겟(14)과 전자방출원(5)과의 사이에 인가된 전압을 Va[V]로 하는 경우, 양극인 타겟(14)의 전위를 그라운드(0[V])로 설정하고, 전자방출원(5)의 그라운드에 대한 전위를 -Va[V]로 설정하는 방식이다. 한편, 중점접지 방식은, 타겟(14)의 그라운드에 대한 전위를 +(Va-α)[V]로 설정하고, 전자방출원(5)의 그라운드에 대한 전위를 -α[V](단, Va>α>0)로 설정하는 방식이다. α의 값은 Va>α>0의 범위내이고, 일반적으로, 그 값은 Va/2에 가깝다. 중점접지 방식을 사용하여 그라운드에 대한 전위의 절대치를 작게 함으로써, 연면거리를 짧게 한다. 그 연면거리는, 여기에서는 전압제어부(3)와 외위기(1)간의 거리이고, 방사선 발생관(10)과 외위기(1)간의 거리다. 그 연면거리를 짧게 할 수 있으면, 외위기(1)의 사이즈를 작게 할 수 있음에 따라서, 절연성 유체(8)의 중량도 작게 할 수 있어서, 방사선 발생장치를 보다 소형 및 경량화하는 것이 가능해진다.

(예시1)

텅스텐을, 도 2a에 나타낸 것과 같이, 제1 차폐부재(19)와 제2 차폐부재(20)를 일체형으로 형성한 상기 차폐부재(16)로 선택하였다. 구리를 열전도부재(17)로서 선택하였다. 열전도부재(17)는, 차폐부재(16)의 제2 창문(15)으로부터 제1 창문(2)으로 돌출하는 돌출부의 외주측에 땜질에 의해 고정되었다. 절연성 유체(8)로서는, 광유로 이루어진 절연유를 사용하였다. 전압제어방식으로서는 중점접지 방식을 사용하였다. 전자방출원(5)으로서 텅스텐 필라멘트를 사용하고, 도면에 나타내지 않은 가열부에 의해 가열하고, 전자를 방출하였다. 방출된 전자를, 추출전극과 렌즈 전극에 인가된 전압에 의해 생긴 전위분포에 의한 전자빔 궤도 제어와, 전자방출원(5)과 타겟(14) 사이에 인가된 전압Va에 의해, 고에너지로 가속함으로써, 타겟에 충돌시켜, 방사선을 발생시켰다. 타겟(14)으로서, 시트(sheet)형 텅스텐을 사용하였다. 추출전극이 50[V], 렌즈 전극이 1000[V], 및 중점접지 방식에 있어서 Va를 100[kV]이도록, 타겟(14)의 전압을 +50[kV]로 설정하고, 전자방출원(5)의 전압을 -50[kV]로 설정했다.

(예시2)

도 2b에 나타낸 바와 같이, 본 예시에서는, 제1 차폐부재(19)와 제2 차폐부재(20)를 따로따로 설치하고, 열전도부재(17)는, 부분적으로 제2 창문(15)과 직접 접촉하고 있도록 상기 제1 차폐부재(19)의 외주측에 설치된다. 본 예시는, 이점을 제외하고는 구성에 있어서 예시1과 같다. 제1 차폐부재(19)의 개재없이 상기 제2 창문(15)에서 발생한 열의 일부가 열전도부재(17)에 직접 전해져서, 방열속도가 더욱 빨라진다

(예시3)

본 예시에서는, 상기 차폐부재(16)로서 몰리브덴을 선택하고, 열전도부재(17)로서 알루미늄을 선택하고, 타겟(14)을 시트형 몰리브덴을 사용한 것을 제외하고는 구성에 있어서 예시1과 같다. 본 예시는, 전압제어방식으로서 양극접지 방식을 사용할 때 예시1과 다르다. 추출전극이 50[V], 렌즈 전극이 3000[V], 및 양극접지 방식에 있어서 Va가 50[kV]이도록, 타겟(14)의 전압을 +50[kV]로 설정하고, 전자방출원(5)의 전압을 0[kV]로 설정하였다.

(예시4)

본 예시는, 차폐부재(16)로서 텅스텐을 선택하고, 열전도부재(17)로서 SiC 또는 그래파이트 시트(sheet)를 선택하는 것을 제외하고는 예시1과 같다.

(예시5)

본 예시는, 차폐부재(16)로서 텅스텐과 몰리브덴의 합금(성분비: 텅스텐 90％, 몰리브덴 10％)을 선택하고, 열전도부재(17)로서 구리와 알루미늄의 합금(성분비: 구리 90％, 알루미늄 10％)을 선택한 것을 제외하고는 예시1과 같다.

(예시6)

본 예시는, 차폐부재(16)로서 텅스텐을 선택하고, 열전도부재(17)로서 도 3a에 나타낸 상기 지느러미 형상의 구리를 선택한 것을 제외하고는 예시1과 같다.

(예시7)

도 2c에 나타낸 바와 같이, 본 예시에서는, 열전도부재(17)는, 차폐부재(16)의 제2 창문(15)으로부터 제1 창문(2)으로 돌출하는 돌출부의 내주측에 설치되었다. 제2 창문(15)은, 상기 열전도부재(17)에 형성된 상기 통과 구멍(21)의 내벽에, 땜질에 의해 접속되었다. 차폐부재(16)로서 텅스텐을 선택하고, 열전도부재(17)로서 구리를 선택하였다.

(예시8)

본 예시는, 열전도부재(17)로서 도 3b에 나타낸 지느러미 구조의 구리를 선택한 것을 제외하고는 예시7과 같다.

상기 예시 중에서 어느 예시에서도, 방사선 발생장치를 만족스럽게 취급할 수 있었다. 상기 조건하에서는, 방사선을 방출하였고, 그 발생된 방사선의 선량을 측정하였다. 따라서, 안정한 방사선량을 취득할 수 있었다는 것을 확인했다. 이때, 불필요한 방사선을 누설하지 않았고, 타겟을 손상하지 않았다.

(예시9)

다음에, 도 4를 참조하여, 본 발명의 방사선 발생장치를 사용한 방사선 촬영장치에 관하여 설명한다. 본 예시의 방사선 촬영장치는, 방사선 발생장치(30), 방사선 검출기(31), 신호처리부(32), 장치제어부(33) 및 표시부(34)를 구비하고 있다. 방사선 발생장치(30)로서는, 예를 들면 예시1∼9의 방사선 발생장치가 사용되는 것이 적합하다. 방사선 검출기(31)는 신호처리부(32)를 거쳐서 장치제어부(33)에 접속되고, 장치제어부(33)는 표시부(34) 및 전압제어부(3)에 접속된다. 방사선 발생장치(30)에 있어서의 처리는, 장치제어부(33)에 의해 총괄 제어된다. 장치제어부(33)는 방사선 발생장치(30)와 방사선 검출기(31)를 조합하여 제어한다. 방사선 발생장치(30)로부터 방출된 방사선은 피검체(35)를 거쳐서 방사선 검출기(31)에서 검출되고, 피검체(35)의 방사선 투과 화상이 촬영된다. 촬영된 방사선 투과 화상은 표시부(34)에 표시된다. 장치제어부(33)는 방사선 발생장치(30)의 구동을 제어하고, 전압제어부(3)를 거쳐서 방사선 발생관(10)에 인가되는 전압신호를 제어한다.

본 발명을 예시적 실시예들을 참조하여 기재하였지만, 본 발명은 상기 개시된 예시적 실시예들에 한정되지 않는다는 것을 알 것이다. 아래의 청구항의 범위는, 모든 변형예와, 동등한 구조 및 기능을 포함하도록 폭 넓게 해석해야 한다.

본 출원은, 여기서 전체적으로 참고로 포함된, 2011년 8월 5일에 제출된 일본국 특허출원번호 2011-171610과 2011년 11월 7일에 제출된 일본국 특허출원번호 2011-243055의 이점을 청구한다.

Claims (17)

1. 방사선이 투과하는 제1 창문을 갖는 외위기; 및
   상기 외위기내에 수납되고, 상기 제1 창문에 대향해서 배치되고 상기 방사선이 투과하는 제2 창문을 갖는 방사선 발생관을 구비하고,
   상기 방사선 발생관은, 상기 제2 창문으로부터 상기 제1 창문으로 돌출하는 돌출부를 갖는 방사선 차폐부재를 갖고,
   상기 방사선 차폐부재보다 열전도율이 높은 열전도부재는 상기 방사선 차폐부재의 상기 돌출부에 접속된, 방사선 발생장치.
   
2. 제 1 항에 있어서,
   상기 돌출부가 상기 제2 창문과 연통하여 배치된 방사선 통과 구멍을 형성하는, 방사선 발생장치.
   
3. 제 1 항에 있어서,
   상기 열전도부재는 상기 방사선 차폐부재의 상기 돌출부의 외주에 배치되는, 방사선 발생장치.
   
4. 제 1 항에 있어서,
   상기 열전도부재는 상기 방사선 차폐부재의 상기 돌출부의 내주에 배치되는, 방사선 발생장치.
   
5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
   절연성 유체는 상기 외위기와 상기 방사선 발생관과의 사이에 충전되는, 방사선 발생장치.
   
6. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 열전도부재의 밀도가 상기 방사선 차폐부재보다 작은, 방사선 발생장치.
   
7. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 열전도부재와 상기 방사선 차폐부재는 같은 축의 원통형으로 이루어지고,
   상기 열전도부재의 두께가, 방사방향으로 상기 방사선 차폐부재보다 두꺼운, 방사선 발생장치.
   
8. 제 5 항에 있어서,
   상기 절연성 유체가 전기 절연유인, 방사선 발생장치.
   
9. 제 1 항에 있어서,
   상기 방사선 차폐부재가 은 경납땜에 의해 상기 제2 창문에 접속되는, 방사선 발생장치.
   
10. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 방사선 발생관은,
    진공용기와,
    상기 진공용기내에 배치된 전자방출원과,
    상기 전자방출원으로부터 방출된 전자의 조사에 따라 방사선을 방출하는 타겟과,
    상기 타겟이 상기 전자방출원과 대향하는 기판의 측면에 형성된 상기 기판을 구비하고,
    상기 제2 창문은 상기 기판 내에 형성되는, 방사선 발생장치.
    
11. 제 1 항에 있어서,
    상기 방사선 차폐부재와 상기 열전도부재가 서로 다른 금속이나 합금으로 형성된, 방사선 발생장치.
    
12. 제 1 항에 있어서,
    상기 열전도부재가 세라믹으로 형성된, 방사선 발생장치.
    
13. 제 1 항에 있어서,
    상기 열전도부재가 지느러미 구조를 갖는, 방사선 발생장치.
    
14. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 열전도부재가 상기 방사선 차폐부재에 나사식으로 셧(shut)되는, 방사선 발생장치.
    
15. 제 1 항에 있어서,
    상기 열전도부재가 카본계 재료로 형성된, 방사선 발생장치.
    
16. 제 10 항에 있어서,
    상기 타겟과 상기 방사선 차폐부재가 텅스텐으로 형성되고, 상기 열전도부재가 구리로 형성된, 방사선 발생장치.
    
17. 청구항 1 내지 16 중 어느 한 항에 따른 방사선 발생장치;
    상기 방사선 발생장치로부터 방출되어 피검체를 투과한 방사선을 검출하는 방사선 검출기; 및
    서로 상관되도록, 상기 방사선 발생장치와 상기 방사선 검출기를 제어하는 제어부를 구비한, 방사선 촬영장치.

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