KR20130117676A - 기판의 다이싱 방법 - Google Patents

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KR20130117676A
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가즈유키 기우치
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닛토덴코 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 웨이퍼 표면 보호용으로 보호 테이프를 부착하여 다이싱을 행하는 공정에서, 칩 측면에 접착 잔여물이 없고, 부착한 보호 테이프가 다이싱중에 웨이퍼로부터 박리되지 않도록 하며, 수율 및 생산성이 우수한 다이싱 방법을 얻기 위해, 기재의 한쪽 면에 에너지선 경화형 점착제층을 갖는 표면 보호 점착 테이프를 접합시켜, 반도체 웨이퍼 집적 회로 형성면을 표면 보호하여 다이싱하는 공정에서, 미리 웨이퍼 내주부에 에너지선을 조사하여 이 에너지선 경화형 점착제층을 경화시키고, 웨이퍼 외주부에는 에너지선을 조사하지 않고 에너지선 경화형 점착제층을 미경화 상태에서 다이싱하는 방법을 제공한다.

Description

기판의 다이싱 방법{METHOD OF DICING SUBSTRATE}
본 발명은 표면 보호 점착 테이프를 이용하여 기판을 다이싱하는 방법에 관한 것이다.
웨이퍼 다이싱 공정에서의 절삭 부스러기에 의해 집적 회로가 오염되는 것을 방지할 목적으로, 웨이퍼의 집적 회로 형성면에 표면 보호 점착 테이프를 부착하고, 그 상태로 다이싱하는 것이 제안되어 있다(특허문헌 1).
그러나, 이 방법은 다이싱 후 개편화된 웨이퍼(이하 칩)로부터 표면 보호 점착 테이프를 박리하는 작업이 곤란한 것, 또한 박리시에 점착제가 집적 회로면에 탈락하여, 집적 회로가 오염되는 결점이 있다.
이러한 결점의 해결을 위해, 점착제로서 에너지선(특히 자외선) 경화형 점착제층을 갖는 표면 보호 점착 테이프를 이용하여, 다이싱을 행한 후의 박리시에 에너지선 조사를 행하여 점착제층을 경화시킨 후에 박리하는 방법도 알려져 있다(특허문헌 2).
이 방법에 의하면, 박리는 보다 간편해지고, 또한 집적 회로 표면의 오염도 억제되게 되지만, 에너지선 경화형 점착제가 미경화인 채로 다이싱이 행해지기 때문에, 다이싱에서의 절삭 응력에 의해 점착제가 찢겨지고, 찢겨진 점착제가 웨이퍼 측면에 부착함으로써 집적 회로 측면이 오염된다. 이 때문에, 이 오염의 제거를 위한 공정이 늘어나게 되어, 실용에 제공할 수 없다.
이 때문에, 에너지선(자외선) 경화형의 점착제층을 갖는 표면 보호 점착 테이프를 웨이퍼에 부착하고, 점착제층을 경화하여 다이싱을 한 바, 점착제 부스러기에 의해, 집적 회로 표면 및 측면이 오염되는 것을 억지할 수 있었다. 그러나, 다이싱중에 표면 보호 점착 테이프가 탈락하는 문제점이 발생하는 경우가 많고, 칩의 수율이 현저히 저하되는 새로운 문제가 발생하였다.
이러한 표면 보호 점착 테이프의 탈락을 발생시키는 원인 중 하나로서는, 에너지선 경화에 의해 점착력이 저하된 상태로 절삭 응력이 가해지는 것이 생각된다.
그래서, 특허문헌 3에는, 스크라이브 라인만 에너지선 경화를 한 후 다이싱을 행하고, 그 후 모든 영역을 경화시킨 후 표면 보호 점착 테이프를 박리하는 방법이 개시되어 있다. 이러한 방법은, 칩의 수율이 향상되는 점에서 우수하지만, 매우 가는 스크라이브 라인에 마스크를 고정밀도로 맞출 필요가 있는 경우나, 집적 회로 변경에 의해 칩 형상이나 크기가 변경될 때마다, 새롭게 변경된 스크라이브 라인에 맞도록, 마스크를 바꿔야 하는 등, 실용에는 더 나은 고안이 요구된다고 생각되었다.
특허문헌 1: 일본 특허 공개 제2003-209073호 공보 특허문헌 2: 일본 특허 제3045107호 공보 특허문헌 3: 일본 특허 공개 평8-274048호 공보
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 웨이퍼 표면 보호용으로 표면 보호 점착 테이프를 부착하여 다이싱을 행하는 공정에서, 칩 측면에 접착 잔여물이 없고, 부착한 표면 보호 점착 테이프가 다이싱중에 웨이퍼로부터 박리되지 않도록 하며, 수율 및 생산성이 우수한 다이싱 방법을 얻는 것이다.
에너지선 경화형 점착제층을 갖는 점착 테이프를 표면 보호 점착 테이프로서 웨이퍼 표면을 보호하도록 부착한 후, 웨이퍼 최외주부(집적 회로가 형성되어 있지 않은 영역)를 제외하고, 점착제층을 경화시켜, 다이싱을 행한다. 구체적으로는 이하와 같다.
1. 기재의 한쪽 면에 에너지선 경화형 점착제층을 갖는 표면 보호 점착 테이프를 접합시켜, 반도체 웨이퍼 집적 회로 형성면을 표면 보호하여 다이싱하는 공정에서, 미리 웨이퍼 내주부에 에너지선을 조사하여 이 에너지선 경화형 점착제층을 경화시키고, 웨이퍼 외주부의 에너지선 경화형 점착제층을 미경화의 상태에서 다이싱하는 방법.
2. 집적 회로가 고체 촬상 소자인 1 기재의 다이싱 방법.
3. 에너지선이 자외선인 1 또는 2 기재의 다이싱 방법.
4. 에너지선 경화형 점착제층이 아크릴계 고분자 화합물을 주성분으로 하는 1 또는 2에 기재된 다이싱 방법.
5. 에너지선 조사에 의한 경화 전의 표면 보호 점착 테이프의 점착력이 0.10 N/10 ㎜ 이상인 점착 테이프를 이용하는 1 또는 2에 기재된 다이싱 방법.
6. 에너지선 조사에 의한 경화 후의 표면 보호 점착 테이프의 점착력이 0.10 N/10 ㎜ 미만인 점착 테이프를 이용하는 1 또는 2에 기재된 다이싱 방법.
7. 기재가, 열수축성 필름과 비열수축성 필름을 포함하는 적층 필름인 표면 보호 점착 테이프를 이용하는 1 또는 2에 기재된 다이싱 방법.
본 발명에 의하면, 웨이퍼 외주부에만 에너지선이 조사되지 않도록 한다고 하는 간편한 수단에 의해, 다이싱시의 수율을 저하시키는 점착제에 의한 절단된 웨이퍼 개편의 오염이나 웨이퍼의 균열 등을 방지할 수 있다. 이 때문에, 번잡한 공정을 거치지 않고 생산성이 우수한 다이싱 공정을 행하는 것이 가능해진다.
도 1은 다이싱 공정 개시 전 개념도이다.
도 2는 다이싱 공정중 개념도이다.
도 3은 다이싱 후의 웨이퍼 개념도이다.
도 4는 에너지선 조사중의 도면이다.
도 5는 다이싱 공정 후의 웨이퍼 평면도이다.
도 6은 본 발명의 방법에 의한 다이싱 후의 칩 상면 확대도이다.
도 7은 본 발명의 방법에 의한 다이싱 후의 칩 측면 확대도이다.
도 8은 비교예 1의 방법에 의한 다이싱 후의 칩 상면 확대도이다.
도 9는 비교예 2의 방법에 의한 다이싱 후의 칩 측면 확대도이다.
도 10은 비교예 3의 방법에 의한 다이싱 후의 칩 측면 확대도이다.
에너지선 경화형 점착제를 갖는 표면 보호 점착 테이프를 사용하여 다이싱을 행하는 방법에서, 본 발명자들은, 상기한 배경기술을 고려하여, 보다 간편히 표면 보호 점착 테이프를 갖는 다이싱을 확실하게 실시할 수 있도록 하기 위해, 다이싱중의 모습을 자세하게 관찰하였다.
그 결과, 탈락을 발생시킬수 있는 에너지선 경화된 표면 보호 점착 테이프의 박리가 다이싱 공정에서의 1패스째의 웨이퍼 외주부에서 발생하고 있고, 다이싱 날의 다이싱 종료 위치에서 현저한 것을 알 수 있었다. 또한 박리 부위에는, 웨이퍼와 표면 보호 점착 테이프와의 계면에 분사된 물이 침투하고 있는 것도 알 수 있었다.
웨이퍼 단부는, 반송이나 위치 맞춤에 있어서 손상되는 것 등을 방지할 목적으로, 모따기 연삭에 의한 에지 제외 영역(이하 베벨)을 구비한 형상을 갖고 있다. 이 때문에, 그 베벨 부분에서의 표면 보호 점착 테이프와 웨이퍼는 표면 보호 점착 테이프의 점착제층이 에너지선 경화된 상태에서, 밀착 상태가 아니거나 기껏해야 매우 약한 접착력에 의해 접착되어 있는 것에 지나지 않는다. 즉, 에너지선 경화에 의해 점착력이 저하된 상태로 절삭 응력이 가해지면, 베벨 부위에서는 용이하게 표면 보호 점착 테이프가 웨이퍼로부터 박리(또는 들뜸이 발생하여 그 빈틈에 물 등이 침입)되는 것으로 생각된다.
도 1의 다이싱 공정 개시 전 개념도에 도시하는 바와 같이, 다이싱 공정중, 웨이퍼(1) 위에 표면 보호 점착 테이프(2)를 부착하고, 또한 다이싱 테이프(3) 위에 고정된 상태로, 다이싱 블레이드(4)에 의해 절삭을 행한다.
이 때, 분사 노즐(5)로부터 절삭으로 생기는 마찰열을 식히기 위해 분사되는 다이싱 블레이드 냉각수나, 웨이퍼(표면 보호 점착 테이프) 표면에 부착되는 절삭 부스러기를 씻어내는 세정수, 또는 이들을 겸한 물이 웨이퍼 표면에 항상 분사되어 있고, 물의 분출구는 다이싱 날의 진행에 앞서 비스듬한 전방 위치로부터 분사되도록 설치되어 있다.
도 2의 다이싱 공정의 개념도에 도시하는 바와 같이, 특히 1패스째의 최후에 웨이퍼(1)를 절단하면서 이동해 온 다이싱 블레이드(4)가, 웨이퍼(1) 외주부에 도달할 때에는, 동시에 이동해 온 냉각수나 세정수의 분사 노즐(5)에 의해, 결과적으로 베벨과 표면 보호 점착 테이프(2) 사이에 침입시키는 방향으로부터 물을 분사하게 된다. 그 결과, 표면 보호 점착 테이프(2)에 대하여 전단력을 부여하게 되고, 도 3의 다이싱 후의 웨이퍼 개념도에서, 절단부(D)에 인접하여 나타난 박리 지점(P)으로 도시하는 바와 같이 표면 보호 점착 테이프(2)를 박리시킬 가능성이 있다.
이상의 점에 의해, 1패스째에서의 관찰 결과, 웨이퍼 외주부, 다이싱 종료 위치에서 테이프 박리가 현저히 발생하는 것이 생각된다. 그 결과로서, 물의 침입, 표면 보호 점착 테이프나 웨이퍼의 절단 부스러기가, 웨이퍼를 다이싱하는 것에 의해 얻어진 칩 표면에 부착하는 것에 의해 불량이 된다.
또한, 계속해서 절삭이 계속되기 때문에, 응력, 물 분사에 의해 외주부의 박리가 퍼져, 다이싱으로 보호해야 할 집적 회로 형성 부분(웨이퍼 내주부)으로부터도 표면 보호 점착 테이프가 박리하게 된다.
상기한 관찰과 고찰로부터, 외주부에서만 절삭 응력에 의한 박리의 발생을 방지하면, 에너지선 경화 후의 표면 보호 점착 테이프와 웨이퍼 사이에 물이나 웨이퍼 연삭 부스러기, 점착 테이프의 절단 부스러기의 침입을 방지할 수 있다고 추측할 수 있었다.
그래서, 웨이퍼에 에너지선 경화형 표면 보호 점착 테이프를 부착한 후, 집적 회로가 형성되어 있는 영역을 에너지선 조사에 의해 경화시키는 한편, 웨이퍼의 외주부에 대응하는 점착제층에는 에너지선을 조사시키지 않도록 하였다. 그리고 이 집적 회로가 형성되어 있는 영역의 점착 테이프의 점착력을 저하시키지만, 외주부의 표면 보호 점착 테이프의 점착력을 저하시키지 않는 상태로 다이싱을 행한 결과, 표면 보호 점착 테이프가 탈락하지 않고, 집적 회로의 표면 및 측면 모두 점착제 부스러기의 부착이나 절삭수에 의한 오염을 방지하여 다이싱할 수 있는 것을 알 수 있었다.
이러한 사항을 기초로 하여, 점착 테이프를 이용하여 집적 회로를 보호하면서 행하는 다이싱 방법에서, 매우 유용하고 간편한 방법을 발견하기에 이르렀다.
이하에 본 발명의 방법에 대해서 진술한다.
(웨이퍼 외주부 및 내주부)
본 발명에서의 웨이퍼 외주부는, 웨이퍼에서 회로 형성된 영역으로부터 외측의 웨이퍼 외주에 이르는 범위이고, 외주에 베벨부를 갖는 경우에는 베벨부를 포함하는 영역 내의 전부 또는 일부이다. 웨이퍼 내주부는 이 웨이퍼 외주부를 제외한 영역이다.
(다이싱 방식)
본 발명의 다이싱 방법이 채용하는 다이싱 방식은 공지의 방식이면 좋고, 특별히 한정되는 것이 아니다. 이 때문에, 하프 컷, 풀 컷, 풀 컷 중에서도 싱글 컷, 스텝 컷, 베벨 컷 등의 각종 다이싱 방식에 채용할 수 있다.
또한 블레이드에 대한 웨이퍼의 이동을 원형 컷, 각형 컷 등 임의의 방식으로 할 수도 있다.
통상은 백그라인드 후에 다이싱을 행하지만, 먼저 다이싱을 행하는 경우에서도 본 발명의 표면 보호 점착 테이프를 채용하는 것이 가능하다.
다이싱시에는, 다이싱 테이프의 점착제층 표면에 웨이퍼를 고정하여 다이싱을 행하는 방식으로 할 수도 있다. 이것에 의해 본 발명의 다이싱을 행한 후에, 절단된 칩의 비산이나 분산을 방지할 수 있다.
(웨이퍼)
본 발명의 다이싱 방법이 채용되는 웨이퍼로서는, 그 웨이퍼 사이즈는 임의의 사이즈로 좋고, 재질도 실리콘, GaAs, InP 등의 공지의 것이 대상이다. 또한 웨이퍼의 외주부에 베벨이 형성되어 있는 것을 사용할 수 있다. 또한 베벨을 구비하는 것이 필수는 아니며, 베벨을 구비하고 있지 않아도 좋다. 베벨을 구비하는 웨이퍼인 경우가 표면 보호 점착 테이프의 박리를 발생시키기 쉽기 때문에, 베벨을 구비하는 웨이퍼의 취급중에 웨이퍼를 파손시킬 가능성을 보다 저감할 수 있고, 안정적으로 다이싱 가공을 할 수 있다. 이 때문에, 본 발명의 방법에서는 베벨을 구비한 웨이퍼를 채용하는 것이 바람직하다.
상기한 바와 같이 본 발명에서의 웨이퍼는, 그 이면측에 다이싱 테이프가 부착되어 있어도 좋다. 다이싱 테이프로서는, 공지의 다이싱 테이프를 사용할 수 있다.
(표면 보호 점착 테이프)
본 발명의 표면 보호 점착 테이프는 기재의 한 면에 점착제층이 형성된 것이며, 그 기재는, 공지의 단층 또는 복층의 수지 필름을 일축 또는 이축 연신하여 이루어지는 열 등에 의해 수축하는 수축성 필름, 무연신 필름인 비수축성 필름, 또는 수축성 필름과 비수축성 필름을 포함하는 적층 필름으로 좋다. 단, 어느 기재를 채용하여도, 자외선이나 전자선 등의 에너지선을 조사하는 것에 의해 점착제층을 경화시키기 때문에, 이것들의 에너지선을 충분히 투과하는 성질을 갖는 것이 필요하다. 여기서, 이 수축성 필름은 열 등의 자극에 의해 수축하는 성질을 갖춘 필름이다.
상기 수축성 필름 또는 비수축성 필름으로서는, 예컨대 폴리에틸렌테레프탈레이트 등의 폴리에스테르, 폴리에틸렌이나 폴리프로필렌 등의 폴리올레핀, 폴리노르보넨, 폴리이미드, 폴리아미드, 폴리우레탄, 폴리스티렌, 폴리염화비닐리덴, 폴리염화비닐 등으로부터 선택되는 1종 이상의 수지로 이루어지는 1축 연신 필름 또는 2축 연신 필름, 또는 무연신 필름을 들 수 있다. 그 중에서도 점착제층의 도공 작업성이 우수하기 때문에 폴리에스테르계 수지, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌 등의 폴리올레핀, 폴리노르보넨, 폴리우레탄계 수지가 바람직하고, 또한 다이싱 후에 표면 보호 점착 테이프를 박리시킬 때의 작업성을 고려하여, 수축성 필름인 1축 또는 2축 연신 필름이 바람직하다.
표면 보호 점착 테이프의 기재에 적어도 1층의 수축성 필름을 채용하는 경우에는, 그 수축성 필름은 40℃~180℃의 온도 범위에서, 3%~90%의 수축률을 갖는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 5%~90%, 더 바람직하게는 10%~90%, 가장 바람직하게는 20%~90%이다. 3% 미만에서는, 수축성 필름의 수축량이 부족하여, 칩의 가장자리부를 벗기는 것에 이르지 않아 픽업할 수 없다. 또한 90%보다 큰 경우에는 수축량이 너무 커서 칩이 파손될 가능성이 있다.
바람직하게는, 표면 보호 점착 테이프의 기재로서, 적어도 1축 방향으로 수축성을 갖는 수축성 필름층과, 이 수축성 필름층의 수축을 구속하는 비수축성 필름을 포함하는 구속층과, 점착제층이 이 순으로 적층되고, 수축 원인이 되는 열 등의 자극의 부여에 의해, 1 단부로부터 1 방향으로 또는 대향하는 2 단부로부터 중심을 향해 자발적으로 휘어, 표면 보호 점착 테이프와 칩 단부를 박리할 수 있는 것이다.
상기 비수축성 필름을 포함하는 구속층은, 수축성 필름층측의 접착성도 구비한 탄성층과 수축성 필름층과는 반대측의 비수축성인 강성 필름층으로 구성되어 있어도 좋다. 그리고, 본 발명의 표면 보호 점착 테이프는 점착제층을 가지며, 그 점착제층은 자외선 등의 활성 에너지선 경화형 점착제를 포함하는 것이다. 이 경우라도, 수축성 필름 및 구속층을 합쳐도 충분한 에너지선 투과성을 구비하는 것이 필요하다.
바람직하게는, 수축성 필름층/구속층의 적층체로서, 수축성 필름층/탄성층/비수축성 필름인 강성 필름층/점착제층의 적층체를 이용할 수 있다(이하, 이들의 적층체를 자발 권회(卷回)성 테이프라는 경우가 있음). 이 구성에 의해, 수축 응력이 토크로 변환되어, 확실하게 테이프는 수축 원인이 되는 자극의 부여 후 통 형상 권회체로 변형한다.
또한 테이프를 구성하는 재료 등의 상세는 일본 특허 제4151850호에 준한 것으로 좋다. 구체적으로는, 테이프는 수축성 필름층/탄성층/강성 필름층/점착제층으로 이루어지는 적층체로서 자발 권회성 테이프가 바람직하다. 그리고, 바람직하게는, 수축시키기 위한 자극은 가열이다.
표면 보호 점착 테이프는, 에너지선 경화형 점착제층이 경화 전(미경화)의 상태에서의 23℃의 분위기 하에서의 점착력(180˚ 필 대(對)실리콘 미러 웨이퍼 인장 속도 300 ㎜/min)이 0.10 N/10 ㎜ 이상이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.15 N/10 ㎜ 이상, 더 바람직하게는 0.2 N/10 ㎜ 이상, 가장 바람직하게는 1.0 N/10 ㎜ 이상이다.
0.10 N/10 ㎜ 이상이면, 에너지선 조사 전에 웨이퍼에 대하여 충분한 점착력을 가져 표면 보호 점착 테이프가 어긋나지 않고, 웨이퍼 외주에서 표면 보호 점착 테이프가 박리되는 일도 없다.
또한, 에너지선 경화성 점착제층이 경화된 상태에서의 23℃의 분위기하에서의 점착력(180˚ 필 대실리콘 미러 웨이퍼 인장 속도 300 ㎜/min)은 0.1 N/10 ㎜ 미만이고, 바람직하게는 0.07 N/10 ㎜ 이하, 보다 바람직하게는 0.05 N/10 ㎜ 이하 이다.
0.1 N/10 ㎜ 미만이면, 다이싱 후에 칩으로부터 표면 보호 점착 테이프를 원활히 박리할 수 있어, 칩을 파손하는 일이 없다.
점착제층의 두께는 일반적으로는 1 ㎛~200 ㎛, 바람직하게는 5 ㎛~100 ㎛, 더 바람직하게는 10 ㎛~75 ㎛이다. 상기 두께는, 너무 얇으면 점착력이 부족하기 때문에 피착체를 유지, 가고정하는 것이 곤란해지기 쉽고, 너무 두꺼우면 비경제적이며, 취급성도 뒤떨어지고, 또한 블레이드의 막힘에 의한 절단성 저하도 염려되기 때문에 바람직하지 않다.
상기와 같은 점착 특성을 구비하는 범위에서, 표면 보호 점착 테이프의 기재가 수축성 필름인 경우, 자극 등에 의해 수축되는 것이 필요하다.
자극이란 접착된 표면 보호 점착 테이프를 수축시키기 위해 필요한 가열 등의 에너지 부여 수단에 의한 처리로서, 구체적으로는, 가열 공기의 분사, 가열된 물 등의 액체중에의 침지, 적외선 램프, 적외선 레이저, 적외선 LED, 플레이트 히터, 밴드 히터, 리본 히터 등의 임의의 가열 수단을 이용할 수 있다.
가열 온도는 웨이퍼의 특성에 악영향을 미치지 않는 온도로서, 그 온도는 40℃ 이상의 온도, 바람직하게는 50℃~180℃, 더 바람직하게는 70℃~180℃이다. 이와 같은 가열에 의해 표면 보호 점착 테이프의 특히 열수축성 필름층을 수축시키는 것에 의해, 이 표면 보호 점착 테이프를 다이싱하여 이루어지는 칩으로부터 박리시키도록 휘게 하는 정도의 처리를 행한다. 또한 상기의 가열된 물 등에의 침지에 의한 수단을 채용한 경우에는, 그 후에 건조시키기 위한 주지의 건조 수단을 이용한 공정을 필요로 하는 경우도 있다.
표면 보호 점착 테이프와 웨이퍼 사이의 접착력을 조정하여, 자극에 의한 표면 보호 점착 테이프의 수축에 의해서도, 이 표면 보호 점착 테이프는 칩으로부터 완전히 박리하지 않고, 표면 보호 점착 테이프의 단부가 칩으로부터 박리되도록 한다. 이 때문에, 칩은 단부의 박리를 허용하는 정도의 강도로 표면 보호 점착 테이프와 접착하는 것이 필요해진다.
또한 이들의 표면 보호 점착 테이프로서, 바람직하게는 적어도 1축 방향으로 수축성을 갖는 수축성 필름층과, 이 수축성 필름층의 수축을 구속하는 구속층이 적층된다. 수축 원인이 되는 자극의 부여에 의해, 표면 보호 점착 테이프 단체(單體)로서는, 대향하는 2 단부로부터 중심을 향해 자발적으로 권회하여 1개의 통 형상 권회체를 형성한다.
칩을 픽업한 후에 칩에 대한 표면 보호 점착 테이프의 접착력을 저하시키는 것을 요하는 경우가 있다.
이와 같은 표면 보호 점착 테이프의 점착제층으로서는, 공지의 점착제로 이루어지는 것을 채용할 수 있다.
예컨대 자외선 등의 에너지선의 더한 조사에 의해 3차원 메시 구조를 형성시키는 것에 의한 경화의 결과, 점착력이 저하되어 이(易)박리성이 되는 공지의 점착제, 또는 점착제층에 함유시킨 아지드 화합물이나 아조 화합물 등의 기체 발생제에, 자극(더한 에너지선 조사나 열)을 부여하여 분해 발생시킨 기체를 점착제 표면에 이행시킴으로써 점착 면적을 저감시키고, 이박리성을 발현시키는 기체 발생제 함유 점착제, 또는 점착제에 함유시킨 열팽창성 미소구를 가열에 의해 팽창시키고, 점착제 표면을 요철로 변형시킴으로써 점착 면적을 감소시켜 이박리성을 발현시키는 열팽창성 미소구 함유 점착제 등을 사용할 수 있다.
이와 같은 표면 보호 점착 테이프에 설치하는 점착제층으로서는, 공지의 고무계, 아크릴 수지, 아크릴계 포화 폴리에스테르 수지, 열가소성 폴리우레탄계 수지, 아미드계 수지, 이미드계 수지, 실리콘계 수지 등에 충전제 및 공지의 각종 첨가제를 함유하는 점착제로 좋지만, 자외선 등의 활성 에너지선의 조사로 3차원 메시 구조가 형성되는 것에 의한 경화의 결과, 점착력이 저하되어 이박리성이 되는 공지의 점착제를 사용한다.
이러한 수지에 주지의 각종 첨가제를 배합하여 이루어지는 점착제 조성물에 있어서, 이것을 구성하는 수지를 탄소-탄소 다중 결합 함유 반응성 기로 화학 개질한 것이나, (메트)아크릴로일기 등의 반응기를 갖는 단량체나 중합체를 더 배합한 것을 사용할 수 있다.
예컨대, 아크릴 수지로서는, 응집력, 내열성 등의 개질을 목적으로 하여, 필요에 따라, (메트)아크릴산알킬에스테르 또는 시클로알킬에스테르와 공중합 가능한 다른 모노머 성분에 대응하는 단위를 포함하고 있어도 좋다. 이러한 모노머 성분으로서, 예컨대 아크릴산, 메타크릴산, 카르복시에틸(메트)아크릴레이트, 카르복시펜틸(메트)아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산, 크로톤산 등의 카르복실기 함유 모노머; 무수 말레산, 무수 이타콘산 등의 산무수물 모노머; (메트)아크릴산2-히드록시에틸, (메트)아크릴산2-히드록시프로필 등의 히드록실기 함유 모노머; 스티렌술폰산 등의 술폰산기 함유 모노머; 2-히드록시에틸아크릴로일포스페이트 등의 인산기 함유 모노머; 아크릴아미드, 아크릴로니트릴 등을 들 수 있다. 이들 공중합 가능한 모노머 성분은, 1종 또는 2종 이상 사용할 수 있다. 이들 공중합 가능한 모노머의 사용량은, 전체 모노머 성분의 40 중량% 이하가 바람직하다.
상기한 점착제와는 별도로, 상기 아크릴계 수지는, 가교시키기 위해 다작용성 모노머 등도, 필요에 따라 공중합용 모노머 성분으로서 포함할 수 있다. 이러한 다작용성 모노머로서, 예컨대 헥산디올디(메트)아크릴레이트, (폴리)에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들 다작용성 모노머도 1종 또는 2종 이상 이용할 수 있다. 다작용성 모노머의 사용량은, 점착 특성 등의 점에서, 전체 모노머 성분의 30 중량% 이하가 바람직하다. 또한 폴리이소시아네이트 화합물, 에폭시 화합물, 아지리딘 화합물, 멜라민계 가교제 등의 외부 가교제를 첨가하는 것도 가능하다.
점착제로서의 에너지선 경화형 점착제는, 상기한 탄소-탄소 이중 결합 등의 에너지선 경화성의 작용기를 가지며, 점착성을 나타내는 것을 특별히 제한 없이 사용할 수 있고, 예컨대 상기 아크릴계 점착제 외에, 고무계 점착제 등의 일반적인 상기한 점착제에 에너지선 경화성의 모노머 성분이나 올리고머 성분을 배합한 첨가형의 에너지선 경화성 점착제 등을 채용할 수 있다.
배합하는 에너지선 경화성의 모노머 성분으로서는, 예컨대 우레탄 올리고머, 우레탄(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 또한 에너지선 경화성의 올리고머 성분은 우레탄계, 폴리에테르계, 폴리에스테르계, 폴리카보네이트계, 폴리부타디엔계 등 여러 가지의 올리고머를 들 수 있고, 그 분자량이 100~30000 정도의 범위의 것이 적당하다. 에너지선 경화성의 모노머 성분이나 올리고머 성분의 배합량은, 상기 점착제층의 종류에 따라, 점착제층의 점착력을 저하할 수 있는 양을, 적절히 결정할 수 있다. 일반적으로는, 점착제를 구성하는 아크릴계 폴리머 등의 베이스 폴리머 100 중량부에 대하여, 예컨대 5~500 중량부, 바람직하게는 40~150 중량부 정도이다.
또한, 에너지선 경화형 점착제로서는, 상기 설명한 첨가형의 에너지선 경화성 점착제 외에, 베이스 폴리머로서, 탄소-탄소 이중 결합을 폴리머 측쇄 또는 주쇄중 또는 주쇄 말단에 갖는 것을 이용한 내재형의 에너지선 경화성 점착제를 들 수 있다. 내재형의 에너지선 경화성 점착제는, 저분자 성분인 올리고머 성분 등을 함유할 필요가 없고, 또는 함유량이 많지 않기 때문에, 시간 경과적으로 올리고머 성분 등이 점착제중을 이동하지 않고, 안정된 층 구조의 점착제층을 형성할 수 있기 때문에 바람직하다.
상기 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 베이스 폴리머는, 탄소-탄소 이중 결합을 가지며, 점착성을 갖는 것을 특별히 제한 없이 사용할 수 있다. 이러한 베이스 폴리머로서는, 아크릴계 폴리머를 기본 골격으로 하는 것이 바람직하다. 아크릴계 수지의 기본 골격으로서는, 상기 예시한 아크릴계 수지를 들 수 있다.
상기 아크릴계 수지에의 탄소-탄소 이중 결합의 도입법은 특별히 한정되지 않고, 여러 가지 방법을 채용할 수 있다. 탄소-탄소 이중 결합은, 폴리머 측쇄에 도입하는 편이, 분자 설계상 용이하다. 예컨대 미리, 아크릴계 수지에 작용기를 갖는 모노머를 공중합한 후, 이 작용기와 반응할 수 있는 작용기 및 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물을, 탄소-탄소 이중 결합의 에너지선 경화성을 유지한 채로 축합 또는 부가 반응시키는 방법을 들 수 있다.
이들 작용기의 조합의 예로서는, 카르복실산기와 에폭시기, 카르복실산기와 아지리딜기, 히드록실기와 이소시아네이트기 등을 들 수 있다. 이들 작용기의 조합 중에서도 반응 추적의 용이함으로부터, 히드록실기와 이소시아네이트기와의 조합이 적합하다. 또한 이들 작용기의 조합에 의해, 상기 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 아크릴계 폴리머를 생성하는 조합이면, 작용기는 아크릴계 폴리머와 상기 화합물의 어느 측에 있어도 좋지만, 상기한 바람직한 조합으로는, 아크릴계 폴리머가 히드록실기를 가지며, 상기 화합물이 이소시아네이트기를 갖는 경우가 적합하다. 이 경우, 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 이소시아네이트 화합물로서는, 예컨대 메타크릴로일이소시아네이트, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트, m-이소프로페닐-α,α-디메틸벤질이소시아네이트 등을 들 수 있다. 또한 아크릴계 폴리머로서는, 상기 예시한 히드록시기 함유 모노머나 2-히드록시에틸비닐에테르, 4-히드록시부틸비닐에테르, 디에틸렌글리콜모노비닐에테르의 에테르계 화합물 등을 공중합한 것이 이용된다.
에너지선 경화형 점착제는, 상기 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 베이스 폴리머(특히 아크릴계 폴리머)를 단독으로 사용할 수 있지만, 특성을 악화시키지 않는 정도로 상기 방사선 경화성의 모노머 성분이나 올리고머 성분을 배합할 수도 있다. 방사선 경화성의 올리고머 성분 등은, 통상 베이스 폴리머 100 중량부에 대하여 100 중량부 이하이며, 바람직하게는 0~50 중량부의 범위이다.
상기 에너지선 경화형 점착제에는, 자외선 등에 의해 경화시키는 경우, 광중합 개시제를 함유시킨다. 광중합 개시제로서는, 예컨대 4-(2-히드록시에톡시)페닐(2-히드록시-2-프로필)케톤 등의 케탈계 화합물; 2-나프탈렌술포닐클로라이드 등의 방향족 술포닐클로라이드계 화합물; 1-페닐-1,1-프로판디온-2-(o-에톡시카르보닐)옥심 등의 광활성 옥심계 화합물; 벤조페논, 벤조일안식향산, 3,3'-디메틸-4-메톡시벤조페논 등의 벤조페논계 화합물; 티오크산톤, 2-클로로티오크산톤 등의 티오크산톤계 화합물; 캄파퀴논; 할로겐화케톤; 아실포스피녹시드; 아실포스포네이트 등을 들 수 있다. 광중합 개시제의 배합량은, 점착제를 구성하는 아크릴계 폴리머 등의 베이스 폴리머 100 중량부에 대하여, 예컨대 0.05~20 중량부 정도이다.
또한 에너지선 경화형 점착제로서는, 예컨대 불포화 결합을 2개 이상 갖는 부가 중합성 화합물, 에폭시기를 갖는 알콕시실란 등의 광중합성 화합물과, 카르보닐 화합물, 유기 황 화합물, 과산화물, 아민, 오늄염계 화합물 등의 광중합 개시제를 함유하는 고무계 점착제나 아크릴계 점착제 등을 들 수 있다.
[본 발명의 다이싱 방법]
본 발명의 방법을 행하기 전에, 웨이퍼에 표면 보호 점착 테이프를 부착하는 공정을 행하고, 필요에 따라 이 웨이퍼의 이면 연삭을 행하며, 이 웨이퍼의 이면측에 다이싱 테이프를 부착하고, 그 후에, 본 발명인 표면 보호 점착 테이프와 함께 이 웨이퍼를 절단하는 것에 의해 칩으로 하는 다이싱 공정을 행한다.
다이싱 공정 후, 이 표면 보호 점착 테이프를 갖는 칩을 픽업하고, 소정의 부재에 옮겨 설치하는 공정, 이어서, 이 표면 보호 테이프를 가열하여 자극에 의해 수축 응력을 발생시켜, 칩 단부로부터 박리하는 공정을 행할 수 있다.
이 경우에서의 상세를 이하에 서술한다.
[표면 보호 점착 테이프 부착 공정]
테이블 위에 배치한 웨이퍼의 회로 형성면에, 상기한 표면 보호 점착 테이프의 점착제층면을 대향·접촉시켜, 표면 보호 점착 테이프의 배면측으로부터 압박 롤러 등에 의해 압박하는 것에 의해, 이 점착제층면을 웨이퍼 표면에 밀착·고정한다. 압박하는 공정을 압박 롤러에 의한 것으로 했지만, 가압 가능한 용기 안에 웨이퍼의 회로 형성면 위에 배치한 표면 보호 점착 테이프를 설치한 후, 이 용기 안을 가압하여 접착할 수도 있다.
또한, 이 부착 공정을 통상은 백그라인드 공정 전에 행하지만, 후에 행하여도 좋다. 전에 행할 때는, 이 표면 보호 점착 테이프는 백그라인드 테이프로서도 기능하게 된다.
[다이싱 테이프 부착 공정]
상기한 표면 보호 점착 테이프 부착 공정과 마찬가지로, 웨이퍼의 이면(미연삭면 또는 연삭면)에, 상기한 다이싱 테이프의 점착제층면을 대향·접촉시켜, 다이싱 테이프의 배면측으로부터 압박 롤러 등에 의해 압박, 또는 가압 용기 안을 가압하는 것에 의해, 이 점착제층면을 웨이퍼 이면에 밀착·고정한다. 통상은 이 부착 공정에서 다이싱 링도 함께 부착된다.
[표면 보호 점착 테이프의 점착제의 경화 공정]
상기 다이싱 테이프의 부착 공정의 전 또는 후에, 표면 보호 점착 테이프의 외주부 이외 부분의 점착제층에 에너지선을 조사하는 것에 의해, 이 외주부 이외의 점착제층을 경화시킬 필요가 있다.
여기서, 본 발명에서의 경화란, 에너지선 경화형 점착제층에 함유되는 경화제나 경화성의 성분이 충분히 반응하여 경화된 상태를 의미하고 있다. 이 경화된 상태로서, 150 mJ/㎠의 조사량이 되도록 조사한 후와 조사 전의 점착력을 측정하고, 조사한 후의 점착력이, ((조사 전 점착력-150 mJ/㎠ 조사 후 점착력)/2+150 mJ/㎠ 조사 후 점착력)보다 낮은 상태인 것으로 할 수 있다.
본 발명에서의 미경화란, 다소의 이 경화제나 경화성 성분이 반응했다고 해도, 그 점착력이 크게 저하되지 않고, 대부분의 경화제나 반응성 성분이 남아 있는 상태를 포함한다.
이와 같이 표면 보호 점착 테이프를 부분적으로 경화시키는 수단으로서는, 적어도 다음의 3가지를 들 수 있다.
1. 표면 보호 점착 테이프의 웨이퍼 외주부에 대향하는 부분의 기재인 표면측에, 이 외주부를 덮을 수 있는 에너지선 불투과성의 마스크를 설치하고, 그 마스크의 위쪽으로부터 에너지선을 조사하는 것에 의해, 마스크에 대향한 표면 보호 점착 테이프의 점착제층은 경화시키지 않고, 이 외주부 이외의 부분에 대향하는 점착제층을 경화시킨다.
2. 에너지선을 조사하기 위한 램프 등에서, 조사하는 광선을 모으는 것에 의해, 이 표면 보호 점착 테이프의 이 외주부에 대향한 부분에는 에너지선을 조사시키지 않도록 하고, 그 결과 에너지선을 조사시키지 않는 부분의 점착제층을 경화시키지 않고, 그 외 부분의 점착제층을 경화시킨다.
3. 웨이퍼의 외주부에 대응하는 표면 보호 점착 테이프 부분의 기재를 에너지선 불투과성으로 한다. 예컨대 이 때문에 에너지선 불투과성의 잉크 등에 의한 피복 등을 행한다.
도 4는 상기한 1의 수단을 채용하여 이루어지는 에너지선 조사중인 도면이다. 웨이퍼(1)가 다이싱 테이프(3) 위에 담지되고, 또한 웨이퍼(1) 표면에는 표면 보호 점착 테이프(2)가 접착되어 있다. 다이싱 테이프(3)는 다이싱 링(6)으로 고정되고, 이 표면 보호 점착 테이프(2) 및 웨이퍼(1)의 외주부 및 다이싱 링(6)에 상당하는 지점을 덮도록 이 마스크(7)가 설치되어 있다.
이러한 상태에서, 웨이퍼(1)에 대향하는 위쪽으로부터 에너지선원인 자외선 광원(8)에 의해 자외선이 조사되는 것에 의해, 이 마스크(7)에 덮인 이 표면 보호 점착 테이프(2)의 점착제층은 경화되지 않고, 그 외 이 표면 보호 점착 테이프(2)의 점착제층은 경화된다.
다이싱 공정 후의 마스크(7)를 벗긴 상태의 표면 보호 점착 테이프(2)가 접착된 웨이퍼(1)의 정면도가 도 5이다. 웨이퍼 내주부에는 형성된 회로가 있고, 그 회로가 형성된 영역 외에는 회로가 형성되어 있지 않다. 도 5에서, 표면 보호 점착 테이프(2)의 점착제층이 경화되지 않는 부분은 그 회로가 형성되어 있지 않은 영역(C) 내에 있다.
[다이싱 공정]
본 발명에서, 이 표면 보호 점착 테이프를 피착체에 접합시킨 후, 다이싱을 행한다. 다이싱 방식으로서는 상기한 다이싱 방식과 함께, 각종 블레이드 다이싱을 임의로 선택하여 채용하면 좋고, 다이싱시에 절단부에 물이나 기체의 분사를 병용하는 공정도 채용할 수 있으며, 표면 보호 점착 테이프를 이용하는 것에 의한 제한은 없다.
또한, 피착체가 반도체 웨이퍼인 경우에는, 피착체에 표면 보호 점착 테이프를 접합시킨 후, 백그라인드 공정을 행하고, 그대로 표면 보호 점착 테이프를 벗기지 않고 다이싱 테이프를 접합시킨 후에 다이싱 공정을 행하여도 좋다.
[픽업 공정]
픽업 공정에 사용하는 방법·장치는 특별히 한정되지 않고, 칩의 다이싱 테이프측으로부터, 임의의 직경·형상의 니들을 밀어 올리는 것에 의해 이 칩을 박리하고, 픽업 장치에 의해 픽업하는 등의 공지의 수단을 채용할 수 있다. 픽업 공정 전에, 경우에 따라 익스팬드 장치에 의한 익스팬드 공정을 개재하여도 좋다.
[웨이퍼 단부의 박리 공정]
표면 보호 점착 테이프가 자발 권회성 테이프가 아닌 경우, 에너지선을 조사하는 것에 의해 점착력이 저하된 표면 보호 점착 테이프는, 공지의 수단에 의해 박리·제거된다.
표면 보호 점착 테이프가 자발 권회성 테이프인 경우, 다이싱 후에는, 절단된 표면 보호 점착 테이프를 자극하는 것에 의해 이 표면 보호 점착 테이프는 수축하여 권회하도록 힘을 발생시킨다. 이 표면 보호 점착 테이프가 권회하고자 하는 힘이 특히 칩의 단부에서, 이 표면 보호 점착 테이프의 단부를 위쪽으로 휘게 하는 힘을 생기게 하여, 통 형상의 권회체를 형성하도록 박리가 원활히 진행된다.
어느 표면 보호 점착 테이프를 사용한 경우에서도, 이 표면 보호 점착 테이프의 점착층은 경화된 상태로 절단되기 때문에, 도 7에 도시하는 바와 같이, 칩을 덮는 점착제가 비어져 나오지 않고, 박리 작업을 저해하는 일은 발생하지 않는다.
이 자극 중에서도, 열에 의한 자극은, 열원으로서 핫플레이트나 히터, 히트건, 적외선 램프 등의 공지의 가열 방법을 채용하여 행할 수 있다.
표면 보호 점착 테이프의 변형이 조속히 일어나는 온도에 도달하도록, 적절한 방법을 선택하여 이용한다. 가열 온도는, 예컨대 상한 온도는 웨이퍼가 영향을 받지 않고 권회하는 온도이면, 특별히 한정은 되지 않지만, 예컨대 40℃ 이상, 바람직하게는 50℃~180℃, 더 바람직하게는 70℃~180℃로 할 수 있다. 또한 수축 원인이 되는 자극의 부여는 균일하게 부여하여, 모든 표면 보호 점착 테이프를 한번에 변형시키는 것 외에, 웨이퍼의 일부를 스폿적으로 행하여도 좋고, 예컨대 스폿 가열 장치 등을 이용하여 임의 위치에서 부분적으로 가열하여 변형시키는 방법이어도 좋다.
[실시예]
(점착제 제조예)
(점착제 1)
부틸아크릴레이트:에틸아크릴레이트:2-히드록시에틸아크릴레이트=50:50:20(몰비) 혼합물 100 중량부에, 중합 개시제 벤질퍼옥사이드 0.2 중량부를 가한 톨루엔 용액으로부터 공중합하여 아크릴계 중합체(중량 평균 분자량 70만)를 얻었다.
얻어진 상기 아크릴계 중합체의 2-히드록시에틸아크릴레이트 유래의 수산기에 대하여, 80몰%의 2-이소시아네이트에틸메타크릴레이트(쇼와덴꼬 주식회사 제조, 상품명: 카렌즈 MOI)와, 상기 아크릴계 중합체 100 중량부에 대하여 부가 반응 촉매 디부틸주석디라우레이트 0.03 중량부를 배합하고, 공기 분위기하, 50℃에서 24시간 반응시켜, 측쇄에 메타크릴레이트기를 갖는 아크릴계 중합체를 제조하였다.
얻어진 측쇄에 메타크릴레이트기를 갖는 아크릴계 중합체 100 중량부에 대하여, 라디칼계 광중합 개시제(BASF사 제조, 상품명「이르가큐어 651」) 3 중량부, 이소시아네이트 화합물[니혼폴리우레탄고교(주) 제조, 상품명 콜로네이트 L] 0.2 중량부를 가하여, 점착제 1을 얻었다.
(표면 보호 점착 테이프용 기재 제조예)
(기재 1)
강성 필름으로서, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름[도레이사 제조, 편 면 코로나 처리 완료, 루미라 S105(두께 38 ㎛)]을 이용하였다.
이 강성 필름층의 코로나 처리면측에, NB300[다이니치세이카사 제조, 옅은 청색 안료 들어있음]을 건조 후의 막 두께가 1 ㎛~2 ㎛가 되도록 그라비아 코터로 도포, 건조함으로써 유기 코팅층을 갖는 강성 필름을 얻었다.
상기 강성 필름층의 유기 코팅층의 반대면에, 열수축 폴리에스테르 필름(도요보세키사 제조, 스페이스 클린 S7200, 막 두께 30 ㎛, 편면 코로나 처리 완료)의 코로나 처리면을 접착제를 이용하여 드라이 라미네이트법으로 접합시켜, 기재 1을 제작하였다.
또한 드라이 라미네이트에 이용한 접착제는 미쓰이카가쿠사 제조 타케락 A520, 타케네이트 A10 및 초산에틸을 중량비로 6:1:5.5가 되도록 혼합한 것을 이용하였다. 또한 건조 후의 접착제의 두께는 2 ㎛~4 ㎛였다.
(표면 보호 점착 테이프 제조예)
(표면 보호 점착 테이프 1)
점착제 제조예에서 얻어진 점착제 1을, 다이코터를 이용하여, 편면 실리콘 이형 처리 PET 세퍼레이터(도레이 필름 가코 제조, 상품명 「세라필 MD(A)(R)」)의 이형 처리면에, 건조막 두께가 50 ㎛가 되도록 도포한 후, 제조예에서 얻은 기재 1의 유기 코팅층측에 접합시켜, 표면 보호 점착 테이프 1을 얻었다.
[다이싱]
(다이싱 시료 제작 방법)
제조예에서 얻어진 표면 보호 점착 테이프 1을 2 kgf 핸드 롤러를 이용하여, 8인치 실리콘 미러 웨이퍼의 미러면에 부착하였다.
다음에, 백글라인더(디스코 제조, DFG8560)를 이용하여, 실리콘 미러 웨이퍼의 두께가 200 ㎛가 되도록 이면 연삭하였다.
실시예 1에서는, 후술의 자외선 차광재를 다이싱용 시료의 표면 보호 점착 테이프층측에 배치(모식도 1 참조)하여 자외선 조사를 행함으로써, 표면 보호 점착 테이프 1의 점착제층 중 웨이퍼 외주부에 상당하는 부분만 점착제층이 미경화의 상태로 하였다. 자외선 조사는, 닛토세이키 제조 「UM810」을 이용하여, 적산 광량이 150 mJ/㎠가 되도록 행하였다. 또한, 자외선 차광재는 폴리이미드 필름(도레이·듀퐁 제조, 상품명 「캡톤 200H」)을 조사면 전체면을 덮는 크기로 잘라내고, 이어서, 조사면 내에서 직경 190 ㎜의 원 형상이 되도록 내측을 도려낸 필름으로 한 것을 이용하여, 8인치 웨이퍼의 외주 5 ㎜를 차광할 수 있는 것을 얻었다.
비교예 1, 2는 표면 보호 점착 테이프 1을 자외선 차광재를 이용하지 않고 점착제층을 경화시키고, 비교예 3에서는 자외선 조사를 행하지 않는 채로 하였다.
자외선 조사 후의 시료는, 모식도 2에 도시하는 바와 같이 다이싱 링과 다이싱 테이프(닛토덴코 제조, 상품명 「UE-2187G」)를 설치한 후 다이싱을 행하였다.
(다이싱 방법 및 조건)
다이싱은 디스코 제조 「DFD-6450」을 사용하여, 7.5 ㎜×7.5 ㎜의 칩 사이즈로 다이싱했다. 상세한 조건을 하기 표 1에 나타낸다. 또한 실시예 및 비교예의 결과를 나타낸 표 2의 커트 방법에 있어서, 싱글인 경우는 Z2 블레이드만으로 다이싱을 행한 것을 나타내고, 스텝인 경우는 Z1 블레이드에 이어서 Z2 블레이드로 다이싱한 것을 나타낸다.
항목 단위 설정
블레이드 회전 다운 컷
이송 속도 mm/초 40
수압 블레이드 L/분 2
샤워 L/분 1
스프레이 L/분 1
인덱스 CH1 mm 7.5
CH2 mm 7.5
Z1 블레이드 품번 디스코사 제조 NBCZH2050HEEE

스핀들 회전 수 rpm 30000
블레이드 바이트 ㎛ 300
Z2 블레이드 품번 디스코사 제조 NBCZH2050SEHECC

스핀들 회전 수 rpm 30000
블레이드 바이트 ㎛ 60
[자외선 경화 전후의 점착력의 측정]
제조예에서 얻은 표면 보호 점착 테이프를 길이 120 ㎜×폭 10 ㎜의 크기로 절단하고, 2 kgf 핸드 롤러를 이용하여, 실리콘 웨이퍼의 미러면에 접합하였다.
다음에, 필 박리 시험기의 샘플 고정대에 고정한 후, 표면 보호 점착 테이프와 인장 지그를 필 각도가 180˚가 되도록 결합용 점착 테이프를 이용하여 결합하였다.
실온(23℃) 분위기하, 인장 지그를 길이 방향과 평행이 되도록, 인장 속도 300 ㎜/분으로 인장하고, 표면 보호 점착 테이프와 실리콘 웨이퍼 사이에서 박리했을 때의 힘(N/10 ㎜)을 측정하였다.
경화 후 점착력은, 표면 보호 점착 테이프를 실리콘 웨이퍼 미러면에 접합시킨 후, 표면 보호 점착 테이프 기재측으로부터 자외선 조사(닛토세이키 제조 「UM810」을 이용하여, 적산 광량이 150 mJ/㎠)를 행한 후에 측정하였다.
[다이싱 후의 표면 보호 점착 테이프 박리]
다이싱 후의 다이싱 라인을 레이저 현미경(키엔스 제조 VK8510, 100~500배)으로 관찰, 현미경 부속의 측거 장치를 이용하여, 웨이퍼 표면으로부터 표면 보호 점착 테이프가 탈락되어 있거나, 또는 표면 보호 점착 테이프는 웨이퍼 위에 남아 있어도, 다이싱 절삭 라인(스크라이브 라인)으로부터 100 ㎛ 이상의 박리가 1지점이라도 발생하고 있는 것을 ×, 그렇지 않은 것을 ○로 하였다.
[칩 접착 잔여물]
다이싱 후의 표면 보호 점착 테이프를 갖는 실리콘칩을 회수하고, 칩 측면을 레이저 현미경(키엔스 제조 VK8510, 100~500배)으로 관찰하여, 점착제 유래의 부착물의 유무로 판단하였다. 보다 상세히는 현미경 부속의 측거 장치를 이용하여, 부착물의 임의의 지점에서 10 ㎛ 이상이 되는 부위가 1 지점이라도 있으면 ×, 그렇지 않은 경우에는 ○로 하였다.
Figure pat00001
실시예 1에 의하면, 웨이퍼의 베벨 부분을 포함하는 최외주로부터 5 ㎜ 내측을 미경화로 했기 때문에, 다이싱시에 표면 보호 점착 테이프가 베벨 부분으로 벗겨지지 않고, 도 6의 다이싱 후의 칩 상면 확대도에 도시하는 바와 같이, 다이싱된 칩 표면도 박리하지 않고 표면 보호 점착 테이프에 의해 피복되며, 그 표면에도 점착제의 소편이 부착되어 있지 않다. 또한 도 7의 다이싱 후의 칩 측면 확대도에 도시하는 바와 같이, 다이싱되어 얻은 칩의 측면에도 점착제 등의 소편이 부착되지 않는다.
이러한 실시예에 대하여, 실시예 1에서 사용한 표면 보호 점착 테이프와 동일한 표면 보호 점착 테이프를 사용했지만, 다이싱 전에 부착한 표면 보호 점착 테이프의 전체면에 자외선 조사하여, 커트 방법을 스텝 또는 싱글로 한 예가 비교예 1 및 2이다.
비교예 1 및 2에 의하면 칩에 접착 잔여물이 생기지 않지만, 도 8의 비교예 1에 관한 결과가 나타내는 바와 같이, 다이싱 후의 표면 보호 점착 테이프에는 웨이퍼와의 사이에서 박리(P)를 발생시키고 있고, 다이싱시에 사용하는 물 등에 의해, 칩과 표면 보호 점착 테이프 사이에 박리가 발생하였다.
또한 실시예 1과 동일한 표면 보호 점착 테이프를 사용했지만, 다이싱시에 자외선 경화를 행하지 않았기 때문에 표면 보호 점착 테이프의 점착제층이 미경화인 비교예 3은, 다이싱 후에 웨이퍼와의 사이에서의 박리는 발생하지 않았지만, 도 9 및 10에 도시하는 바와 같이, 칩의 측면에 점착제 A가 부착되어 있어 접착 잔여물을 발생시킨 것을 알 수 있다.
이러한 실시예 및 비교예의 결과에 의하면, 본 발명에서, 웨이퍼의 외주부의 표면 보호 점착 테이프의 점착제층을 미경화로 하고, 그 외 부분인 웨이퍼의 내주부의 표면 보호 점착 테이프의 점착제층을 자외선 등의 에너지선에 의해 경화시키는 것에 의해, 다이싱 공정에 의한 이 표면 보호 점착 테이프의 박리나 칩의 오염을 방지하여, 오염이 방지된 칩을 안정적으로 제조할 수 있다고 하는 효과를 발휘할 수 있다.
1: 웨이퍼, 2: 표면 보호 점착 테이프, 3: 다이싱 테이프, 4: 다이싱 블레이드, 5: 노즐, 6: 다이싱 링, 7: 마스크, 8: 자외선 광원, P: 박리 지점, A: 점착제, C: 회로가 형성되어 있지 않은 영역, D: 절단부

Claims (7)

  1. 기재의 한쪽 면에 에너지선 경화형 점착제층을 갖는 표면 보호 점착 테이프를 접합시켜, 반도체 웨이퍼 집적 회로 형성면을 표면 보호하여 다이싱하는 공정에서, 미리 웨이퍼 내주부에 에너지선을 조사하여 이 에너지선 경화형 점착제층을 경화시키고, 웨이퍼 외주부의 에너지선 경화형 점착제층을 미경화의 상태에서 다이싱하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 집적 회로가 고체 촬상 소자인 다이싱 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 에너지선이 자외선인 다이싱 방법.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 에너지선 경화형 점착제층이 아크릴계 고분자 화합물을 포함하는 다이싱 방법.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 에너지선 조사에 의한 경화 전의 표면 보호 점착 테이프의 점착력이 0.10 N/10 ㎜ 이상인 점착 테이프를 이용하는 다이싱 방법.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 에너지선 조사에 의한 경화 후의 표면 보호 점착 테이프의 점착력이 0.10 N/10 ㎜ 미만인 점착 테이프를 이용하는 다이싱 방법.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서, 기재가 열수축성 필름과 비열수축성 필름을 포함하는 적층 필름인 표면 보호 점착 테이프를 이용하는 다이싱 방법.
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