KR20120030964A - 다이싱ㆍ다이 본드 필름, 다이싱ㆍ다이 본드 필름의 제조 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 122
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 55
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 39
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 116
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 104
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 103
- -1 acryl Chemical group 0.000 claims abstract description 71
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 39
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 claims abstract description 27
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 23
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 51
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 44
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 40
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 32
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 30
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 claims description 29
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 claims description 20
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 claims description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 13
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 claims description 11
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 10
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 claims description 10
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 9
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 5
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 claims description 5
- 125000000954 2-hydroxyethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])O[H] 0.000 claims description 4
- SXIFAEWFOJETOA-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxy-butyl Chemical group [CH2]CCCO SXIFAEWFOJETOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000007259 addition reaction Methods 0.000 claims description 4
- RBQRWNWVPQDTJJ-UHFFFAOYSA-N methacryloyloxyethyl isocyanate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCN=C=O RBQRWNWVPQDTJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- DPNXHTDWGGVXID-UHFFFAOYSA-N 2-isocyanatoethyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCN=C=O DPNXHTDWGGVXID-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000002788 crimping Methods 0.000 claims description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 claims 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 abstract 2
- 229940048053 acrylate Drugs 0.000 description 25
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 24
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 24
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 21
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 21
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 16
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 16
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 16
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 14
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 12
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 11
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 10
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 10
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 10
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229920005601 base polymer Polymers 0.000 description 9
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 8
- 229940114077 acrylic acid Drugs 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 241001050985 Disco Species 0.000 description 6
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 6
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 6
- 229920001228 polyisocyanate Polymers 0.000 description 6
- 239000005056 polyisocyanate Substances 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 5
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N Fumaric acid Chemical compound OC(=O)\C=C\C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 4
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 4
- IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N isocyanate group Chemical group [N-]=C=O IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 4
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 3
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 3
- 125000005396 acrylic acid ester group Chemical group 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004873 anchoring Methods 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 3
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 3
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 150000002513 isocyanates Chemical class 0.000 description 3
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 3
- 229940059574 pentaerithrityl Drugs 0.000 description 3
- WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N pentaerythritol Chemical compound OCC(CO)(CO)CO WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 3
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 3
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 125000004079 stearyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 description 3
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 3
- IAUGBVWVWDTCJV-UHFFFAOYSA-N 1-(prop-2-enoylamino)propane-1-sulfonic acid Chemical compound CCC(S(O)(=O)=O)NC(=O)C=C IAUGBVWVWDTCJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6-hexaphenoxy-1,3,5-triaza-2$l^{5},4$l^{5},6$l^{5}-triphosphacyclohexa-1,3,5-triene Chemical compound N=1P(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP=1(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KWVGIHKZDCUPEU-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC)(OC)C(=O)C1=CC=CC=C1 KWVGIHKZDCUPEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 2-(3-fluorophenyl)-1h-imidazole Chemical compound FC1=CC=CC(C=2NC=CN=2)=C1 JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TXBCBTDQIULDIA-UHFFFAOYSA-N 2-[[3-hydroxy-2,2-bis(hydroxymethyl)propoxy]methyl]-2-(hydroxymethyl)propane-1,3-diol Chemical compound OCC(CO)(CO)COCC(CO)(CO)CO TXBCBTDQIULDIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QENRKQYUEGJNNZ-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1-(prop-2-enoylamino)propane-1-sulfonic acid Chemical compound CC(C)C(S(O)(=O)=O)NC(=O)C=C QENRKQYUEGJNNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AGBXYHCHUYARJY-UHFFFAOYSA-N 2-phenylethenesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C=CC1=CC=CC=C1 AGBXYHCHUYARJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YYIOIHBNJMVSBH-UHFFFAOYSA-N 2-prop-2-enoyloxynaphthalene-1-sulfonic acid Chemical group C1=CC=C2C(S(=O)(=O)O)=C(OC(=O)C=C)C=CC2=C1 YYIOIHBNJMVSBH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFNISBHGPNMTMS-UHFFFAOYSA-N 3-methylideneoxolane-2,5-dione Chemical compound C=C1CC(=O)OC1=O OFNISBHGPNMTMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NOWKCMXCCJGMRR-UHFFFAOYSA-N Aziridine Chemical compound C1CN1 NOWKCMXCCJGMRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 2
- NYXVMNRGBMOSIY-UHFFFAOYSA-N OCCC=CC(=O)OP(O)(O)=O Chemical compound OCCC=CC(=O)OP(O)(O)=O NYXVMNRGBMOSIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical group OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 2
- 239000003522 acrylic cement Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- LJCFOYOSGPHIOO-UHFFFAOYSA-N antimony pentoxide Chemical compound O=[Sb](=O)O[Sb](=O)=O LJCFOYOSGPHIOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N antimony trioxide Chemical compound O=[Sb]O[Sb]=O ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 2
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 2
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 2
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N butane-1,4-diol Chemical compound OCCCCO WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N butyl prop-2-enoate;methyl 2-methylprop-2-enoate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.COC(=O)C(C)=C.CCCCOC(=O)C=C QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- LDHQCZJRKDOVOX-NSCUHMNNSA-N crotonic acid Chemical compound C\C=C\C(O)=O LDHQCZJRKDOVOX-NSCUHMNNSA-N 0.000 description 2
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 2
- 125000003438 dodecyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 2
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001530 fumaric acid Substances 0.000 description 2
- 125000003055 glycidyl group Chemical group C(C1CO1)* 0.000 description 2
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 description 2
- 238000005040 ion trap Methods 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 2
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 2
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N maleic anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C=C1 FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N methylenebutanedioic acid Natural products OC(=O)CC(=C)C(O)=O LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 2
- QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N o-cresol Chemical compound CC1=CC=CC=C1O QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 2
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 2
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 238000011417 postcuring Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- UIIIBRHUICCMAI-UHFFFAOYSA-N prop-2-ene-1-sulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)CC=C UIIIBRHUICCMAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- YRHRIQCWCFGUEQ-UHFFFAOYSA-N thioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3SC2=C1 YRHRIQCWCFGUEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LDHQCZJRKDOVOX-UHFFFAOYSA-N trans-crotonic acid Natural products CC=CC(O)=O LDHQCZJRKDOVOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- MSAHTMIQULFMRG-UHFFFAOYSA-N 1,2-diphenyl-2-propan-2-yloxyethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC(C)C)C(=O)C1=CC=CC=C1 MSAHTMIQULFMRG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OUPZKGBUJRBPGC-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-tris(oxiran-2-ylmethyl)-1,3,5-triazinane-2,4,6-trione Chemical compound O=C1N(CC2OC2)C(=O)N(CC2OC2)C(=O)N1CC1CO1 OUPZKGBUJRBPGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UWFRVQVNYNPBEF-UHFFFAOYSA-N 1-(2,4-dimethylphenyl)propan-1-one Chemical compound CCC(=O)C1=CC=C(C)C=C1C UWFRVQVNYNPBEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012956 1-hydroxycyclohexylphenyl-ketone Substances 0.000 description 1
- YIKSHDNOAYSSPX-UHFFFAOYSA-N 1-propan-2-ylthioxanthen-9-one Chemical compound S1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=CC=C2C(C)C YIKSHDNOAYSSPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XYZQSVQOJXJMNI-UHFFFAOYSA-N 10-hydroxy-2-methylidenedecanoic acid Chemical compound OCCCCCCCCC(=C)C(O)=O XYZQSVQOJXJMNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIZHFBODNLEQBL-UHFFFAOYSA-N 2,2-diethoxy-1-phenylethanone Chemical compound CCOC(OCC)C(=O)C1=CC=CC=C1 PIZHFBODNLEQBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BRKORVYTKKLNKX-UHFFFAOYSA-N 2,4-di(propan-2-yl)thioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(C(C)C)=CC(C(C)C)=C3SC2=C1 BRKORVYTKKLNKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UXCIJKOCUAQMKD-UHFFFAOYSA-N 2,4-dichlorothioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(Cl)=CC(Cl)=C3SC2=C1 UXCIJKOCUAQMKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LZHUBCULTHIFNO-UHFFFAOYSA-N 2,4-dihydroxy-1,5-bis[4-(2-hydroxyethoxy)phenyl]-2,4-dimethylpentan-3-one Chemical compound C=1C=C(OCCO)C=CC=1CC(C)(O)C(=O)C(O)(C)CC1=CC=C(OCCO)C=C1 LZHUBCULTHIFNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCHAFMWSFCONOO-UHFFFAOYSA-N 2,4-dimethylthioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(C)=CC(C)=C3SC2=C1 LCHAFMWSFCONOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WULAHPYSGCVQHM-UHFFFAOYSA-N 2-(2-ethenoxyethoxy)ethanol Chemical compound OCCOCCOC=C WULAHPYSGCVQHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GOXQRTZXKQZDDN-UHFFFAOYSA-N 2-Ethylhexyl acrylate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C=C GOXQRTZXKQZDDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AGXAFZNONAXBOS-UHFFFAOYSA-N 2-[[3-(oxiran-2-ylmethyl)phenyl]methyl]oxirane Chemical compound C=1C=CC(CC2OC2)=CC=1CC1CO1 AGXAFZNONAXBOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FGTYTUFKXYPTML-UHFFFAOYSA-N 2-benzoylbenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 FGTYTUFKXYPTML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCDADJXRUCOCJE-UHFFFAOYSA-N 2-chlorothioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(Cl)=CC=C3SC2=C1 ZCDADJXRUCOCJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VUIWJRYTWUGOOF-UHFFFAOYSA-N 2-ethenoxyethanol Chemical compound OCCOC=C VUIWJRYTWUGOOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KMNCBSZOIQAUFX-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxy-1,2-diphenylethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OCC)C(=O)C1=CC=CC=C1 KMNCBSZOIQAUFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UPZFLZYXYGBAPL-UHFFFAOYSA-N 2-ethyl-2-methyl-1,3-dioxolane Chemical compound CCC1(C)OCCO1 UPZFLZYXYGBAPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NPSJHQMIVNJLNN-UHFFFAOYSA-N 2-ethylhexyl 4-nitrobenzoate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1 NPSJHQMIVNJLNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004808 2-ethylhexylester Substances 0.000 description 1
- LRRQSCPPOIUNGX-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-1,2-bis(4-methoxyphenyl)ethanone Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1C(O)C(=O)C1=CC=C(OC)C=C1 LRRQSCPPOIUNGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLGDWWCZQDIASO-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-1-(7-oxabicyclo[4.1.0]hepta-1,3,5-trien-2-yl)-2-phenylethanone Chemical class OC(C(=O)c1cccc2Oc12)c1ccccc1 NLGDWWCZQDIASO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WLVPRARCUSRDNI-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-1-phenyl-1-propanone Chemical compound CC(O)C(=O)C1=CC=CC=C1 WLVPRARCUSRDNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyethyl prop-2-enoate Chemical compound OCCOC(=O)C=C OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YRNDGUSDBCARGC-UHFFFAOYSA-N 2-methoxyacetophenone Chemical compound COCC(=O)C1=CC=CC=C1 YRNDGUSDBCARGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JEHFRMABGJJCPF-UHFFFAOYSA-N 2-methylprop-2-enoyl isocyanate Chemical compound CC(=C)C(=O)N=C=O JEHFRMABGJJCPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYISVPVWAQRUTL-UHFFFAOYSA-N 2-methylthioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(C)=CC=C3SC2=C1 MYISVPVWAQRUTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WJQOZHYUIDYNHM-UHFFFAOYSA-N 2-tert-Butylphenol Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=CC=C1O WJQOZHYUIDYNHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DOTJTDPXTXRURS-UHFFFAOYSA-N 3-[4-(hydroxymethyl)cyclohexyl]-2-methylprop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C(C)=CC1CCC(CO)CC1 DOTJTDPXTXRURS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CYUZOYPRAQASLN-UHFFFAOYSA-N 3-prop-2-enoyloxypropanoic acid Chemical compound OC(=O)CCOC(=O)C=C CYUZOYPRAQASLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UPMLOUAZCHDJJD-UHFFFAOYSA-N 4,4'-Diphenylmethane Diisocyanate Chemical compound C1=CC(N=C=O)=CC=C1CC1=CC=C(N=C=O)C=C1 UPMLOUAZCHDJJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 4,4'-sulfonyldiphenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(O)C=C1 VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HMBNQNDUEFFFNZ-UHFFFAOYSA-N 4-ethenoxybutan-1-ol Chemical compound OCCCCOC=C HMBNQNDUEFFFNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JSZCJJRQCFZXCI-UHFFFAOYSA-N 6-prop-2-enoyloxyhexanoic acid Chemical compound OC(=O)CCCCCOC(=O)C=C JSZCJJRQCFZXCI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NGZUCVGMNQGGNA-UHFFFAOYSA-N 7-[5-(2-acetamidoethyl)-2-hydroxyphenyl]-3,5,6,8-tetrahydroxy-9,10-dioxoanthracene-1,2-dicarboxylic acid 7-[5-(2-amino-2-carboxyethyl)-2-hydroxyphenyl]-3,5,6,8-tetrahydroxy-9,10-dioxoanthracene-1,2-dicarboxylic acid 3,5,6,8-tetrahydroxy-7-[2-hydroxy-5-(2-hydroxyethyl)phenyl]-9,10-dioxoanthracene-1,2-dicarboxylic acid 3,6,8-trihydroxy-1-methyl-9,10-dioxoanthracene-2-carboxylic acid Chemical compound Cc1c(C(O)=O)c(O)cc2C(=O)c3cc(O)cc(O)c3C(=O)c12.OCCc1ccc(O)c(c1)-c1c(O)c(O)c2C(=O)c3cc(O)c(C(O)=O)c(C(O)=O)c3C(=O)c2c1O.CC(=O)NCCc1ccc(O)c(c1)-c1c(O)c(O)c2C(=O)c3cc(O)c(C(O)=O)c(C(O)=O)c3C(=O)c2c1O.NC(Cc1ccc(O)c(c1)-c1c(O)c(O)c2C(=O)c3cc(O)c(C(O)=O)c(C(O)=O)c3C(=O)c2c1O)C(O)=O NGZUCVGMNQGGNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N Acetophenone Natural products CC(=O)C1=CC=CC=C1 KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N Acrylamide Chemical compound NC(=O)C=C HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002126 Acrylic acid copolymer Polymers 0.000 description 1
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004342 Benzoyl peroxide Substances 0.000 description 1
- OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N Benzoylperoxide Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)OOC(=O)C1=CC=CC=C1 OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NZMRKLZLIRNAFF-UHFFFAOYSA-N C(C)(=O)C1=CC=CC=C1.CC(CC1=CC=C(C=C1)SC)(C)N1CCOCC1 Chemical class C(C)(=O)C1=CC=CC=C1.CC(CC1=CC=C(C=C1)SC)(C)N1CCOCC1 NZMRKLZLIRNAFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FBPFZTCFMRRESA-FSIIMWSLSA-N D-Glucitol Natural products OC[C@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)CO FBPFZTCFMRRESA-FSIIMWSLSA-N 0.000 description 1
- FBPFZTCFMRRESA-JGWLITMVSA-N D-glucitol Chemical compound OC[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@H](O)CO FBPFZTCFMRRESA-JGWLITMVSA-N 0.000 description 1
- LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N Dimethyl ether Chemical compound COC LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N Dodecane Natural products CCCCCCCCCCCC SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004836 Glue Stick Substances 0.000 description 1
- 244000043261 Hevea brasiliensis Species 0.000 description 1
- 239000005057 Hexamethylene diisocyanate Substances 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- BWPYBAJTDILQPY-UHFFFAOYSA-N Methoxyphenone Chemical compound C1=C(C)C(OC)=CC=C1C(=O)C1=CC=CC(C)=C1 BWPYBAJTDILQPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IGFHQQFPSIBGKE-UHFFFAOYSA-N Nonylphenol Natural products CCCCCCCCCC1=CC=C(O)C=C1 IGFHQQFPSIBGKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007977 PBT buffer Substances 0.000 description 1
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 description 1
- QOSMNYMQXIVWKY-UHFFFAOYSA-N Propyl levulinate Chemical compound CCCOC(=O)CCC(C)=O QOSMNYMQXIVWKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane Chemical compound CCC(CO)(CO)CO ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 description 1
- 125000005250 alkyl acrylate group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005907 alkyl ester group Chemical group 0.000 description 1
- 229920005603 alternating copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 229920003180 amino resin Polymers 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 239000002216 antistatic agent Substances 0.000 description 1
- 125000001204 arachidyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000004069 aziridinyl group Chemical group 0.000 description 1
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 1
- 150000008366 benzophenones Chemical class 0.000 description 1
- 235000019400 benzoyl peroxide Nutrition 0.000 description 1
- 230000001588 bifunctional effect Effects 0.000 description 1
- MQDJYUACMFCOFT-UHFFFAOYSA-N bis[2-(1-hydroxycyclohexyl)phenyl]methanone Chemical compound C=1C=CC=C(C(=O)C=2C(=CC=CC=2)C2(O)CCCCC2)C=1C1(O)CCCCC1 MQDJYUACMFCOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940049676 bismuth hydroxide Drugs 0.000 description 1
- TZSXPYWRDWEXHG-UHFFFAOYSA-K bismuth;trihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Bi+3] TZSXPYWRDWEXHG-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- ZFVMWEVVKGLCIJ-UHFFFAOYSA-N bisphenol AF Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C(C(F)(F)F)(C(F)(F)F)C1=CC=C(O)C=C1 ZFVMWEVVKGLCIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000012662 bulk polymerization Methods 0.000 description 1
- 229920005549 butyl rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- CREMABGTGYGIQB-UHFFFAOYSA-N carbon carbon Chemical compound C.C CREMABGTGYGIQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000012461 cellulose resin Substances 0.000 description 1
- KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L chromic acid Substances O[Cr](O)(=O)=O KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011231 conductive filler Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 1
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 125000002704 decyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- OTARVPUIYXHRRB-UHFFFAOYSA-N diethoxy-methyl-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)CCCOCC1CO1 OTARVPUIYXHRRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- GPLRAVKSCUXZTP-UHFFFAOYSA-N diglycerol Chemical compound OCC(O)COCC(O)CO GPLRAVKSCUXZTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000007720 emulsion polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 125000004494 ethyl ester group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- XPNLOZNCOBKRNJ-UHFFFAOYSA-N ethyl prop-2-enoate;methyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCOC(=O)C=C.COC(=O)C(C)=C XPNLOZNCOBKRNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006242 ethylene acrylic acid copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 229920006226 ethylene-acrylic acid Polymers 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 238000010528 free radical solution polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-b]pyrazine-5,7-dione Chemical compound C1=CN=C2C(=O)OC(=O)C2=N1 AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- 125000003187 heptyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- RRAMGCGOFNQTLD-UHFFFAOYSA-N hexamethylene diisocyanate Chemical compound O=C=NCCCCCCN=C=O RRAMGCGOFNQTLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229920001903 high density polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004700 high-density polyethylene Substances 0.000 description 1
- WJRBRSLFGCUECM-UHFFFAOYSA-N hydantoin Chemical compound O=C1CNC(=O)N1 WJRBRSLFGCUECM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940091173 hydantoin Drugs 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 1
- 229920000554 ionomer Polymers 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001972 isopentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229920003049 isoprene rubber Polymers 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 229920001684 low density polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004702 low-density polyethylene Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229920001179 medium density polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004701 medium-density polyethylene Substances 0.000 description 1
- JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N melamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(N)=N1 JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000005397 methacrylic acid ester group Chemical group 0.000 description 1
- 150000004702 methyl esters Chemical class 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 125000001421 myristyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- OPECTNGATDYLSS-UHFFFAOYSA-N naphthalene-2-sulfonyl chloride Chemical compound C1=CC=CC2=CC(S(=O)(=O)Cl)=CC=C21 OPECTNGATDYLSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003052 natural elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229920001194 natural rubber Polymers 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001400 nonyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- SNQQPOLDUKLAAF-UHFFFAOYSA-N nonylphenol Chemical compound CCCCCCCCCC1=CC=CC=C1O SNQQPOLDUKLAAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000002898 organic sulfur compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000002923 oximes Chemical class 0.000 description 1
- AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N oxiran-2-ylmethanamine Chemical compound NCC1CO1 AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000913 palmityl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000013034 phenoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229920006287 phenoxy resin Polymers 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920001084 poly(chloroprene) Polymers 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- 229920001083 polybutene Polymers 0.000 description 1
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920006289 polycarbonate film Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920006290 polyethylene naphthalate film Polymers 0.000 description 1
- 229920000223 polyglycerol Polymers 0.000 description 1
- 229920000151 polyglycol Polymers 0.000 description 1
- 239000010695 polyglycol Substances 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920000306 polymethylpentene Polymers 0.000 description 1
- 239000011116 polymethylpentene Substances 0.000 description 1
- 229920005629 polypropylene homopolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- MGNVWUDMMXZUDI-UHFFFAOYSA-N propane-1,3-disulfonic acid Chemical group OS(=O)(=O)CCCS(O)(=O)=O MGNVWUDMMXZUDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229920005604 random copolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- DCKVNWZUADLDEH-UHFFFAOYSA-N sec-butyl acetate Chemical compound CCC(C)OC(C)=O DCKVNWZUADLDEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000000600 sorbitol Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 150000003460 sulfonic acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 238000010557 suspension polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920006259 thermoplastic polyimide Polymers 0.000 description 1
- DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N toluene 2,4-diisocyanate Chemical compound CC1=CC=C(N=C=O)C=C1N=C=O DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002889 tridecyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- DQZNLOXENNXVAD-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[2-(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-yl)ethyl]silane Chemical compound C1C(CC[Si](OC)(OC)OC)CCC2OC21 DQZNLOXENNXVAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001862 ultra low molecular weight polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
- 125000002948 undecyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229920006337 unsaturated polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 229920006163 vinyl copolymer Polymers 0.000 description 1
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Abstract
본 발명은, 다이싱시의 유지력을 유지하면서 픽업시의 박리성을 향상시키는 것을 가능하게 함과 함께, 다이싱ㆍ다이 본드 필름이 다이싱 링으로부터 박리되는 것을 억제하는 것을 가능하게 하는 다이싱ㆍ다이 본드 필름을 제공하는 것이다.
본 발명은, 점착제층은 특정한 아크릴계 중합체에 특정한 이소시아네이트 화합물을 부가 반응시킨 중합체와 특정한 가교제를 포함하고, 점착제층의 다이싱 링을 부착하는 부분의 특정한 박리 점착력이 1.0N/20㎜ 테이프 폭 이상 10.0N/20㎜ 테이프 폭 이하이고, 다이싱 링을 부착하는 부분의 23℃에 있어서의 인장 저장 탄성률이 0.05MPa 이상 0.4MPa 미만이고, 다이 본드 필름은 자외선 조사 후의 점착제층에 대하여 접합된 것인, 다이싱ㆍ다이 본드 필름에 관한 것이다.
본 발명은, 점착제층은 특정한 아크릴계 중합체에 특정한 이소시아네이트 화합물을 부가 반응시킨 중합체와 특정한 가교제를 포함하고, 점착제층의 다이싱 링을 부착하는 부분의 특정한 박리 점착력이 1.0N/20㎜ 테이프 폭 이상 10.0N/20㎜ 테이프 폭 이하이고, 다이싱 링을 부착하는 부분의 23℃에 있어서의 인장 저장 탄성률이 0.05MPa 이상 0.4MPa 미만이고, 다이 본드 필름은 자외선 조사 후의 점착제층에 대하여 접합된 것인, 다이싱ㆍ다이 본드 필름에 관한 것이다.
Description
본 발명은 칩 형상 작업물(반도체 칩 등)과 전극 부재를 고착하기 위한 접착제를 다이싱 전에 작업물(반도체 웨이퍼 등)에 부설한 상태에서, 작업물의 다이싱에 제공하는 다이싱ㆍ다이 본드 필름에 관한 것이다.
회로 패턴을 형성한 반도체 웨이퍼(작업물)는, 필요에 따라 이면 연마에 의해 두께를 조정한 후, 반도체 칩(칩 형상 작업물)으로 다이싱된다(다이싱 공정). 다이싱 공정에서는, 절단층의 제거를 위해 반도체 웨이퍼를 적당한 액압(통상, 2㎏/㎠ 정도)으로 세정하는 것이 일반적이다. 다음으로, 상기 반도체 칩을 접착제로 리드 프레임 등의 피착체에 고착(마운트 공정)한 후, 본딩 공정으로 이행된다. 상기 마운트 공정에 있어서는, 접착제를 리드 프레임이나 반도체 칩에 도포하고 있었다. 그러나, 이 방법에서는 접착제층의 균일화가 곤란하고, 또한 접착제의 도포에 특수 장치나 장시간을 필요로 한다. 이로 인해, 다이싱 공정에서 반도체 웨이퍼를 접착 유지함과 함께, 마운트 공정에 필요한 칩 고착용의 접착제층도 부여하는 다이싱ㆍ다이 본드 필름이 제안되어 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조).
특허문헌 1에 기재된 다이싱ㆍ다이 본드 필름은, 지지 기재 상에 접착제층을 박리 가능하게 형성하여 이루어지는 것이다. 즉, 접착제층에 의한 유지하에 반도체 웨이퍼를 다이싱한 후, 지지 기재를 연신하여 반도체 칩을 접착제층과 함께 박리하고, 이를 개개로 회수하여 그 접착제층을 개재하여 리드 프레임 등의 피착체에 고착시키도록 한 것이다.
이 종류의 다이싱ㆍ다이 본드 필름의 접착제층에는, 다이싱 불능이나 치수 실수 등이 발생하지 않도록, 반도체 웨이퍼에 대한 양호한 유지력과, 다이싱 후의 반도체 칩을 접착제층과 일체로 지지 기재로부터 박리할 수 있는 양호한 박리성이 요구된다. 그러나, 이 두가지 특성을 밸런스를 맞추는 것은 결코 용이한 일이 아니었다. 특히, 반도체 웨이퍼를 회전 원형 커터 등으로 다이싱하는 방식 등과 같이 접착제층에 큰 유지력이 요구되는 경우에는, 상기 특성을 만족하는 다이싱ㆍ다이 본드 필름을 얻는 것은 곤란하였다.
따라서, 이러한 문제를 극복하기 위해, 다양한 개량법이 제안되어 있다(예를 들어, 특허문헌 2 참조). 특허문헌 2에는, 지지 기재와 접착제층 사이에 자외선 경화가 가능한 점착제층을 개재시키고, 이것을 다이싱 후에 자외선 경화하여 점착제층과 접착제층 사이의 접착력을 저하시켜, 양자간의 박리에 의해 반도체 칩의 픽업을 용이하게 하는 방법이 제안되어 있다.
그러나, 이 개량법에 의해서도, 다이싱시의 유지력과 그 후의 박리성과의 밸런스를 잘 맞춘 다이싱ㆍ다이 본드 필름으로 하는 것은 곤란한 경우가 있다. 예를 들어 10㎜×10㎜ 이상의 대형 반도체 칩이나 25 내지 75㎛의 매우 얇은 반도체 칩의 경우에는, 일반적인 다이 본더로는 용이하게 반도체 칩을 픽업할 수 없다.
따라서, 종래 기재 상에 점착제층을 갖는 다이싱 필름과, 당해 점착제층 상에 형성된 다이 본드 필름을 갖는 다이싱ㆍ다이 본드 필름에 있어서, 다이싱 필름의 점착제층 중에 포함되는 중합체를 특정한 것으로 하고, 또한 가교제의 첨가량을 제어함으로써, 다이싱시의 유지력을 유지하면서 픽업시의 박리성을 향상시키는 것을 가능하게 하는 다이싱ㆍ다이 본드 필름이 개시되어 있다(예를 들어, 특허문헌 3 참조).
그러나, 특허문헌 3에 기재된 다이싱ㆍ다이 본드 필름에서는, 이 다이싱ㆍ다이 본드 필름을 다이싱 링에 부착할 때, 부착 장치의 부착 속도, 압력, 장력 등의 부착 조건이 적절하지 않은 경우나, 다이싱 링에 오염이나 흠집이 있고, 다이싱ㆍ다이 본드 필름이 다이싱 링에 부착되기 어려워져 있는 경우, 다이싱ㆍ다이 본드 필름이 다이싱 링으로부터 박리될 우려가 있다는 점에서 개선의 여지가 있었다.
본 발명은 상기 문제점을 감안하여 이루어진 것이며, 그 목적은 다이싱ㆍ다이 본드 필름을 다이싱 링에 부착할 때의 부착 장치의 조건 등에 관계없이, 다이싱시의 유지력을 유지하면서 픽업시의 박리성을 향상시키는 것을 가능하게 함과 함께, 다이싱ㆍ다이 본드 필름이 다이싱 링으로부터 박리되는 것을 억제하는 것을 가능하게 하는 다이싱ㆍ다이 본드 필름, 당해 다이싱ㆍ다이 본드 필름의 제조 방법 및 당해 다이싱ㆍ다이 본드 필름을 사용한 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는 것에 있다.
이상과 같은 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 이하와 같은 것을 제공한다. 즉, 본 발명에 관한 다이싱ㆍ다이 본드 필름은, 기재 상에 점착제층을 갖는 다이싱 필름과, 상기 다이싱 필름 상에 설치된 다이 본드 필름을 갖는 다이싱ㆍ다이 본드 필름이며, 상기 점착제층은 10 내지 40mol％의 히드록실기 함유 단량체를 포함하는 아크릴계 중합체에, 상기 히드록실기 함유 단량체에 대하여 70 내지 90mol％의 범위 내의 라디칼 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 이소시아네이트 화합물을 부가 반응시킨 중합체와, 히드록실기에 대하여 반응성을 나타내는 관능기를 분자 중에 2개 이상 구비하고, 또한 상기 중합체 100중량부에 대하여 함유량이 0.5 내지 2중량부인 가교제를 포함하고, 또한 소정 조건하에서의 자외선 조사에 의해 경화된 것이고, 상기 점착제층의 다이싱 링을 부착하는 부분의 실리콘 미러 웨이퍼에 대한 180도 박리 점착력이 측정 온도 23±3℃, 인장 속도 300㎜/분의 조건하에서 1.0N/20㎜ 테이프 폭 이상 10.0N/20㎜ 테이프 폭 이하이고, 상기 다이싱 링을 부착하는 부분의 23℃에 있어서의 인장 저장 탄성률이 0.05MPa 이상 0.4MPa 미만이고, 상기 다이 본드 필름은, 자외선 조사 후의 점착제층에 대하여 접합된 것임을 특징으로 한다.
상기 점착제층은, 다이 본드 필름과의 접합 전에 자외선 조사에 의해 미리 경화되어 형성된 것이다. 그 때문에 점착제층 표면은 단단하고, 다이 본드 필름과의 접합시에는 양자의 밀착도의 저감이 가능하게 된다. 이에 의해, 점착제층과 다이 본드 필름 사이의 투묘(投錨) 효과를 저감시켜, 예를 들어 반도체 칩의 픽업시에는 점착제층과 다이 본드 필름 사이에서의 박리성이 양호해진다. 그 결과, 픽업성의 향상이 도모된다. 또한, 자외선 조사에 의해 점착제층을 경화시키면, 가교 구조가 형성됨으로써 점착제층의 체적이 축소된다. 그로 인해, 예를 들어 다이 본드 필름과의 접합 후에 점착제층에 자외선을 조사하고 이것을 경화시키면, 다이 본드 필름에 대하여 응력이 가해진다. 그 결과, 다이싱ㆍ다이 본드 필름 전체적으로 휨이 발생하는 경우가 있다. 그러나, 본 발명의 다이싱ㆍ다이 본드 필름은, 자외선 조사에 의해 경화된 후에 다이 본드 필름과 접합하여 형성된 것이기 때문에, 다이 본드 필름에 대하여 불필요한 응력이 가해지는 것도 방지할 수 있다. 그 결과, 휨이 없는 다이싱ㆍ다이 본드 필름이 얻어진다.
또한, 상기 점착제층에는 히드록실기에 대하여 반응성을 나타내는 관능기를 분자 중에 2개 이상 구비한 가교제를 필수 성분으로서 함유하고 있고, 이 가교제의 첨가량을 제어함으로써, 다이싱시의 유지력을 유지하면서 양호한 픽업성이 가능해지도록 인장 탄성률을 조정하는 것이다. 즉, 본 발명의 가교제는, 상기 중합체 100중량부에 대하여 함유량이 2중량부 이하이기 때문에, 중합체의 가교를 억제하여 인장 저장 탄성률을 저하시키고, 다이싱 링 부착부의 점착력을 높게 유지할 수 있다. 그 결과, 반도체 웨이퍼의 다이싱시, 다이싱ㆍ다이 본드 필름이 다이싱 링으로부터 박리되는 것을 억제할 수 있다. 한편, 상기 함유량이 0.5중량부 이상이기 때문에, 점착제에는 충분한 응집력이 있고, 픽업 후에 다이싱 링으로부터 다이싱 필름을 박리했을 때, 풀 잔여가 발생하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 히드록실기 함유 단량체의 함유량을 10mol％ 이상으로 함으로써, 자외선 조사 후의 가교가 부족한 것을 억제한다. 그 결과, 픽업성이 저하되는 것을 방지할 수 있다. 한편, 상기 함유량을 40mol％ 이하로 함으로써, 점착제의 극성이 높아지고 다이 본드 필름과의 상호 작용이 높아짐으로써 박리가 곤란해져 픽업성이 저하되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 중합체의 일부 겔화에 수반하는 생산성의 저하도 방지할 수 있다.
또한, 본 발명에 있어서는, 10 내지 40mol％의 히드록실기 함유 단량체를 포함하는 아크릴계 중합체에, 라디칼 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 이소시아네이트 화합물을 부가 반응시켜 사용하고, 또한 다이 본드 필름을 접합하기 전에 점착제를 자외선 조사에 의해 경화시킨다. 따라서, 가교제에 의한 가교가 억제되어도 자외선 조사에 의해 점착제는 충분히 경화되고, 양호한 픽업성을 갖게 하는 것이 가능하다.
또한, 다이싱 링을 부착하는 부분의 23℃에 있어서의 인장 저장 탄성률이 0.05MPa 이상 0.4MPa 미만이기 때문에, 점착력을 높게 유지할 수 있으며, 반도체 웨이퍼의 다이싱시, 다이싱ㆍ다이 본드 필름이 다이싱 링으로부터 박리되는 것을 억제할 수 있다. 한편, 상기 인장 저장 탄성률이 0.05MPa 이상이기 때문에, 다이싱 링으로부터 다이싱 필름을 박리했을 때에 풀 잔여가 발생하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 점착제층의 다이싱 링을 부착하는 부분의 실리콘 미러 웨이퍼에 대한 180도 박리 점착력이 측정 온도 23±3℃, 인장 속도 300㎜/분의 조건하에서 1.0N/20㎜ 테이프 폭 이상 10.0N/20㎜ 테이프 폭 이하이다. 상기 점착력이 1.0N/20㎜ 테이프 폭 이상이기 때문에, 반도체 웨이퍼의 다이싱시, 다이싱ㆍ다이 본드 필름이 다이싱 링으로부터 박리되는 것을 억제할 수 있다. 한편, 상기 점착력이 10.0N/20㎜ 테이프 폭 이하이기 때문에, 다이싱 링으로부터 다이싱 필름을 박리할 때에 용이하게 박리할 수 있다.
상기 구성에 있어서, 상기 점착제층은 상기 중합체 100중량부에 대하여 5 내지 100중량부의 자외선 경화성의 올리고머 성분을 더 포함하는 것이 바람직하다. 점착제층에 있어서의 자외선 경화되지 않은 부분에서는, 올리고머가 가소제로서 기능한다. 그 결과, 다이싱 링을 부착하는 부분에서의 점착력을 높게 유지할 수 있으며, 다이싱 링에의 밀착성을 향상시킬 수 있다. 한편, 자외선 경화시킨 부분에서는, 중합체 뿐만 아니라 올리고머 성분도 자외선 경화되어 있기 때문에 다이 본드 필름과의 밀착성을 낮게 유지할 수 있으며, 반도체 칩을 양호하게 픽업할 수 있다.
상기 자외선의 조사는 30 내지 1000mJ/㎠의 범위 내에서 행해지는 것이 바람직하다. 자외선의 조사를 30mJ/㎠ 이상으로 함으로써 점착제층의 경화를 충분한 것으로 하고, 다이 본드 필름과 과도하게 밀착되는 것을 방지한다. 그 결과, 양호한 픽업 성능을 가능하게 하고, 픽업 후에 다이 본드 필름에 점착제가 부착(소위 풀 잔여)되는 것을 방지할 수 있다. 한편, 자외선의 조사를 1000mJ/㎡ 이하로 함으로써 기재에 대한 열적 손상을 저감할 수 있다. 또한, 점착제층의 경화가 과도하게 진행되어 인장 탄성률이 지나치게 커지고, 익스팬드성이 저하되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 점착력이 지나치게 저하되는 것을 방지하고, 이에 의해 작업물의 다이싱시에 칩 비산의 발생을 방지할 수 있다.
상기 히드록실기 함유 단량체는, (메트)아크릴산 2-히드록시에틸, (메트)아크릴산 2-히드록시프로필, (메트)아크릴산 4-히드록시부틸, (메트)아크릴산 6-히드록시헥실, (메트)아크릴산 8-히드록시옥틸, (메트)아크릴산 10-히드록시데실, (메트)아크릴산 12-히드록시라우릴 및 (4-히드록시메틸시클로헥실)메틸 (메트)아크릴레이트로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 어느 1종인 것이 바람직하다.
상기 라디칼 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 이소시아네이트 화합물은, 2-메타크릴로일옥시에틸 이소시아네이트 또는 2-아크릴로일옥시에틸 이소시아네이트 중 적어도 어느 하나인 것이 바람직하다.
상기 점착제층은 아크릴산을 포함하지 않는 것이 바람직하다. 이에 의해, 점착제층과 다이 본드 필름의 반응이나 상호 작용을 방지할 수 있고, 픽업성의 한층 더한 향상이 도모된다.
또한, 본 발명에 관한 다이싱ㆍ다이 본드 필름의 제조 방법은, 상기한 과제를 해결하기 위해, 기재 상에 점착제층을 갖는 다이싱 필름과, 상기 점착제층 상에 설치된 다이 본드 필름을 갖는 다이싱ㆍ다이 본드 필름의 제조 방법이며, 10 내지 40mol％의 히드록실기 함유 단량체를 포함하는 아크릴계 중합체에, 상기 히드록실기 함유 단량체에 대하여 70 내지 90mol％의 범위 내의 라디칼 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 이소시아네이트 화합물을 부가 반응시킨 중합체와, 히드록실기에 대하여 반응성을 나타내는 관능기를 분자 중에 2개 이상 구비하고, 또한 상기 중합체 100중량부에 대하여 함유량이 0.5 내지 2중량부인 가교제를 포함하여 구성되는 점착제층 전구체를 상기 기재 상에 형성하는 공정과, 상기 점착제층 전구체에 소정 조건하에서 자외선을 조사하고, 다이싱 링을 부착하는 부분의 실리콘 미러 웨이퍼에 대한 180도 박리 점착력이 측정 온도 23±3℃, 인장 속도 300㎜/분의 조건하에서 1.0N/20㎜ 테이프 폭 이상 10.0N/20㎜ 테이프 폭 이하이고, 또한 상기 다이싱 링을 부착하는 부분의 23℃에 있어서의 인장 저장 탄성률이 0.05MPa 이상 0.4MPa 미만인 점착제층을 형성하는 공정과, 상기 점착제층 상에 상기 다이 본드 필름을 접합하는 공정을 갖는 것을 특징으로 한다.
상기 다이싱 필름의 점착제층은, 다이 본드 필름이 접합되기 전에, 자외선 조사에 의해 미리 경화되어 있다. 따라서, 점착제층의 표면은 단단하고, 요철에 대한 밀착성이 저하된 상태로 되어 있다. 본 발명은, 그러한 점착제층에 대하여 다이 본드 필름을 접합하여 다이싱ㆍ다이 본드 필름을 제작하므로, 점착제층과 다이 본드 필름 사이의 밀착성을 저감하고, 투묘 효과를 감소시키고 있다. 그 결과, 예를 들어 반도체 칩의 픽업시에는 점착제층과 다이 본드 필름 사이의 박리성이 우수하고, 양호한 픽업성을 나타내는 다이싱ㆍ다이 본드 필름이 얻어진다. 또한, 자외선 조사에 의해 점착제층을 경화시키면, 가교 구조가 형성됨으로써 점착제층의 체적이 축소된다. 그로 인해, 예를 들어 다이 본드 필름과의 접합 후에 점착제층에 자외선을 조사하고 이것을 경화시키면, 다이 본드 필름에 대하여 응력이 가해지는 결과, 다이싱ㆍ다이 본드 필름 전체적으로 휨이 발생하는 경우가 있다. 그러나, 본 발명의 다이싱ㆍ다이 본드 필름은, 자외선 조사에 의해 경화된 후에 다이 본드 필름과 접합하여 형성되므로, 다이 본드 필름에 대하여 불필요한 응력이 가해지는 것도 방지할 수 있다. 그 결과, 휨이 없는 다이싱ㆍ다이 본드 필름이 얻어진다.
또한, 상기 점착제층의 구성 재료로서는 히드록실기에 대하여 반응성을 나타내는 관능기를 분자 중에 2개 이상 구비한 가교제를 필수 성분으로서 함유하고 있고, 이 가교제의 첨가량을 제어함으로써, 다이싱시의 유지력을 유지하면서 양호한 픽업성이 가능해지도록 인장 탄성률을 조정하는 것이다. 즉, 본 발명의 가교제는, 상기 중합체 100중량부에 대하여 함유량이 2중량부 이하이기 때문에, 자외선에 의한 가교를 억제하여 인장 저장 탄성률의 저하를 방지하고, 점착력을 높게 유지할 수 있다. 그 결과, 반도체 웨이퍼의 다이싱시, 다이싱ㆍ다이 본드 필름이 다이싱 링으로부터 박리되는 것을 억제할 수 있다. 한편, 상기 함유량이 0.5중량부 이상이기 때문에, 반도체 웨이퍼 부착 부분에 대응하는 부분을 자외선에 의해 경화시켜 점착력을 적절하게 저하시킬 수 있다. 그 결과, 반도체 칩의 픽업시의 픽업성을 향상시킬 수 있다.
또한, 히드록실기 함유 단량체의 함유량을 10mol％ 이상으로 함으로써, 자외선 조사 후의 가교가 부족한 것을 억제한다. 그 결과, 픽업성이 저하되는 것을 방지할 수 있다. 한편, 상기 함유량을 40mol％ 이하로 함으로써, 점착제의 극성이 높아지고 다이 본드 필름과의 상호 작용이 높아짐으로써 박리가 곤란해져 픽업성이 저하되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 중합체의 일부 겔화에 수반하는 생산성의 저하도 방지할 수 있다.
상기 구성에 있어서, 상기 점착제층 전구체는 상기 중합체 100중량부에 대하여 0 내지 100중량부의 자외선 경화성의 올리고머 성분을 더 포함하고 있어도 좋다. 자외선을 조사하여 점착제층을 형성할 때, 자외선을 조사하지 않는 부분에서는 올리고머가 가소제로서 기능한다. 그 결과, 다이싱 링을 부착하는 부분에서의 점착력을 높게 유지할 수 있으며, 다이싱 링에의 밀착성을 향상시킬 수 있다. 한편, 자외선이 조사되는 부분에서는, 중합체 뿐만 아니라 올리고머 성분도 자외선 경화되기 때문에 다이 본드 필름과의 밀착성을 낮게 유지할 수 있으며, 반도체 칩을 양호하게 픽업할 수 있다.
상기 자외선의 조사는 30 내지 1000mJ/㎠의 범위 내에서 행해지는 것이 바람직하다. 자외선의 조사를 30mJ/㎠ 이상으로 함으로써 점착제층의 경화를 충분한 것으로 하고, 다이 본드 필름과 과도하게 밀착되는 것을 방지한다. 그 결과, 양호한 픽업 성능을 가능하게 하고, 픽업 후에 다이 본드 필름에 점착제가 부착(소위 풀 잔여)되는 것을 방지할 수 있다. 한편, 자외선의 조사를 1000mJ/㎡ 이하로 함으로써 기재에 대한 열적 손상을 저감할 수 있다.
또한, 본 발명에 관한 반도체 장치의 제조 방법은, 상기한 과제를 해결하기 위해, 기재 상에 점착제층을 갖는 다이싱 필름과, 상기 점착제층 상에 설치된 다이 본드 필름을 갖는 다이싱ㆍ다이 본드 필름을 사용한 반도체 장치의 제조 방법이며, 상기에 기재된 다이싱ㆍ다이 본드 필름을 준비하고, 상기 점착제층의 다이싱 링을 부착하는 부분에 다이싱 링을 부착하는 공정과, 상기 다이 본드 필름 상에 반도체 웨이퍼를 압착하는 공정과, 상기 반도체 웨이퍼를 상기 다이 본드 필름과 함께 다이싱함으로써 반도체 칩을 형성하는 공정과, 상기 반도체 칩을 상기 다이 본드 필름과 함께 상기 점착제층으로부터 박리하는 공정을 포함하고, 상기 반도체 웨이퍼의 압착 공정부터 반도체 칩의 박리 공정까지는, 상기 점착제층에 자외선을 조사 하지 않고 행하는 것을 특징으로 한다.
상기 방법에 있어서는, 반도체 웨이퍼의 다이싱시에는 반도체 칩의 칩 비산의 발생을 방지함과 함께, 픽업성도 우수한 다이싱ㆍ다이 본드 필름을 사용하므로, 예를 들어 10㎜×10㎜ 이상의 대형 반도체 칩이나 25 내지 75㎛의 매우 얇은 반도체 칩의 경우에도, 반도체 칩을 다이 본드 필름과 함께 다이싱 필름으로부터 용이하게 박리할 수 있다. 즉, 상기 방법이면, 수율을 향상시켜 반도체 장치를 제조할 수 있다.
또한, 상기 방법에서는 픽업 전에 점착제층에 대하여 자외선을 조사할 필요가 없다. 그 결과, 종래의 반도체 장치의 제조 방법과 비교하여 공정수의 저감이 도모된다. 또한, 반도체 웨이퍼가 소정의 회로 패턴을 갖는 경우에도, 자외선의 조사에 기인한 회로 패턴의 문제 발생을 방지할 수 있다. 그 결과, 신뢰성이 높은 반도체 장치의 제조가 가능하게 된다.
또한, 상기 방법에서는 상기에 기재된 다이싱ㆍ다이 본드 필름을 준비하고, 상기 점착제층의 다이싱 링을 부착하는 부분에 다이싱 링을 부착하기 때문에, 다이싱 링을 부착하는 부분의 점착력을 높게 유지할 수 있으며, 반도체 웨이퍼의 다이싱시, 다이싱ㆍ다이 본드 필름이 다이싱 링으로부터 박리되는 것을 억제할 수 있다.
도 1은, 본 발명의 한 실시 형태에 관한 다이싱ㆍ다이 본드 필름을 도시하는 단면 모식도.
도 2는, 본 발명의 다른 실시 형태에 관한 다른 다이싱ㆍ다이 본드 필름을 도시하는 단면 모식도.
도 3은, 도 2에 도시한 다이싱ㆍ다이 본드 필름에 있어서의 다이 본드 필름을 개재하여 반도체 칩을 실장한 예를 도시하는 단면 모식도.
도 2는, 본 발명의 다른 실시 형태에 관한 다른 다이싱ㆍ다이 본드 필름을 도시하는 단면 모식도.
도 3은, 도 2에 도시한 다이싱ㆍ다이 본드 필름에 있어서의 다이 본드 필름을 개재하여 반도체 칩을 실장한 예를 도시하는 단면 모식도.
(다이싱ㆍ다이 본드 필름)
본 발명의 실시 형태에 대하여, 도 1 및 도 2을 참조하면서 설명한다. 도 1은, 본 실시 형태에 관한 다이싱ㆍ다이 본드 필름을 도시하는 단면 모식도이다. 도 2는, 본 실시 형태에 관한 다른 다이싱ㆍ다이 본드 필름을 도시하는 단면 모식도이다. 단, 설명에 불필요한 부분은 생략하고, 또한 설명을 용이하게 하기 위해 확대 또는 축소 등을 하여 도시한 부분이 있다.
도 1 에 도시한 바와 같이, 다이싱ㆍ다이 본드 필름(10)은, 기재(1) 상에 점착제층(2)이 설치된 다이싱 필름과, 상기 점착제층(2) 상에 다이 본드 필름(3)을 갖는 구성이다. 점착제층(2)은 반도체 웨이퍼 부착 부분(3a)에 대응하는 부분(2a)과, 다이싱 링(12)을 부착하는 부분(2c)과, 이들 이외의 다른 부분(2b)을 갖고 있다. 다이 본드 필름은, 점착제층(2)의 부분(2c) 이외의 부분에 부착되어 있으면 되고, 예를 들어 도 2에 도시한 바와 같이, 반도체 웨이퍼 부착 부분에만 다이 본드 필름(3')을 형성한 구성이어도 된다.
상기 기재(1)는 자외선 투과성을 갖고, 또한 다이싱ㆍ다이 본드 필름(10, 11)의 강도 모체가 되는 것이다. 예를 들어, 저밀도 폴리에틸렌, 직쇄상 폴리에틸렌, 중밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌, 초저밀도 폴리에틸렌, 랜덤 공중합 폴리프로필렌, 블록 공중합 폴리프로필렌, 호모 폴리프롤렌, 폴리부텐, 폴리메틸펜텐 등의 폴리올레핀, 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체, 아이오노머 수지, 에틸렌-(메트)아크릴산 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산 에스테르(랜덤, 교대) 공중합체, 에틸렌-부텐 공중합체, 에틸렌-헥센 공중합체, 폴리우레탄, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 폴리에스테르, 폴리카르보네이트, 폴리이미드, 폴리에테르에테르케톤, 폴리이미드, 폴리에테르이미드, 폴리아미드, 전체 방향족 폴리아미드, 폴리페닐술피드, 아라미드(종이), 유리, 유리 직물, 불소 수지, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 셀룰로오스계 수지, 실리콘 수지, 금속(박), 종이 등을 들 수 있다.
또한, 기재(1)의 재료로서는, 상기 수지의 가교체 등의 중합체를 들 수 있다. 상기 플라스틱 필름은 무연신으로 사용해도 되고, 필요에 따라 일축 또는 이축의 연신 처리를 실시한 것을 사용해도 된다. 연신 처리 등에 의해 열수축성을 부여한 수지 시트에 따르면, 다이싱 후에 그 기재(1)를 열수축시킴으로써 점착제층(2)과 다이 본드 필름(3, 3')의 접착 면적을 저하시켜, 반도체 칩의 회수의 용이화를 도모할 수 있다.
기재(1)의 표면은, 인접하는 층과의 밀착성, 유지성 등을 높이기 위해, 관용의 표면 처리, 예를 들어 크롬산 처리, 오존 폭로(暴露), 화염 폭로, 고압 전격 폭로, 이온화 방사선 처리 등의 화학적 또는 물리적 처리, 하도제(下塗劑)(예를 들어, 후술하는 점착 물질)에 의한 코팅 처리를 실시할 수 있다.
상기 기재(1)는, 동종 또는 이종의 것을 적절하게 선택하여 사용할 수 있고, 필요에 따라 몇종을 블렌드한 것을 사용할 수 있다. 또한, 기재(1)에는 대전 방지 능을 부여하기 위해, 상기한 기재(1) 상에 금속, 합금, 이들의 산화물 등으로 이루어지는 두께 30 내지 500Å 정도의 도전성 물질의 증착층을 형성할 수 있다. 기재(1)는 단층 또는 2종 이상의 복층이어도 된다.
기재(1)의 두께는, 특별히 제한되지 않고 적절하게 결정할 수 있지만, 일반적으로는 5 내지 200㎛ 정도이다.
상기 점착제층(2)은 자외선 경화형 점착제를 포함하여 구성되어 있고, 미리 자외선의 조사에 의해 경화되어 있다. 경화되어 있는 부분은 점착제층(2)의 전체 영역일 필요는 없고, 점착제층(2)의 반도체 웨이퍼 부착 부분(3a)에 대응하는 부분(2a)이 적어도 경화되어 있으면 된다(도 1 참조). 점착제층(2)은 다이 본드 필름(3)과의 접합 전에 자외선 조사에 의해 경화된 것이므로, 그 표면은 단단하게 되어 있고, 점착제층(2)과 다이 본드 필름(3)의 계면에서 과도하게 밀착성이 커지는 것을 억제하고 있다. 이에 의해, 점착제층(2)과 다이 본드 필름(3) 사이의 투묘 효과를 감소시키고, 박리성의 향상을 도모하고 있다. 한편, 점착제층(2)의 부분(2b) 및 부분(2c)은 자외선이 조사되어 있지 않으므로 미경화이고, 상기 부분(2a)보다 점착력이 크다. 이에 의해, 부분(2c)에 다이싱 링(12)을 부착한 경우에는, 다이싱 링(12)을 확실하게 접착 고정할 수 있다.
또한, 도 2에 도시하는 다이 본드 필름(3')에 맞추어 자외선 경화형의 점착제층(2)을 미리 경화시켜 둠으로써, 점착제층(2)과 다이 본드 필름(3)의 계면에서 과도하게 밀착성이 커지는 것을 억제하고 있다. 이에 의해, 픽업 시에는 점착제층(2)으로부터 다이 본드 필름(3')이 용이하게 박리되는 성질을 갖춘다. 한편, 점착제층(2)의 부분(2b) 및 부분(2c)은 자외선이 조사되어 있지 않으므로 미경화이고, 상기 부분 2a보다도 점착력이 크다. 이에 의해, 부분(2c)에 다이싱 링(12)을 부착했을 경우에는, 다이싱 링(12)을 확실하게 접착 고정할 수 있다.
전술한 바와 같이, 도 1에 도시하는 다이싱ㆍ다이 본드 필름(10)의 점착제층(2)에 있어서, 미경화의 자외선 경화형 점착제에 의해 형성되어 있는 상기 부분(2b)은 다이 본드 필름(3)과 점착하여, 다이싱할 때의 유지력을 확보할 수 있다. 이와 같이 자외선 경화형 점착제는, 반도체 칩을 기판 등의 피착체에 고착하기 위한 다이 본드 필름(3)을, 접착ㆍ박리의 밸런스 좋게 지지할 수 있다. 도 1에 도시하는 다이싱ㆍ다이 본드 필름(10) 및 도 2에 도시하는 다이싱ㆍ다이 본드 필름(11)의 점착제층(2)에 있어서는, 상기 부분(2c)가 다이싱 링을 고정할 수 있다. 다이싱 링은, 예를 들어 스테인리스제 등의 금속으로 이루어지는 것이나 수지제의 것을 사용할 수 있다.
다이싱ㆍ다이 본드 필름(10, 11)에 있어서, 다이싱 링을 부착하는 부분(2c)의 23℃에서의 인장 저장 탄성률은 0.05MPa 이상 0.4MPa 미만이다. 상기 인장 저장 탄성률이 0.4MPa 미만이기 때문에 점착력을 높게 유지할 수 있으며, 반도체 웨이퍼의 다이싱시, 다이싱ㆍ다이 본드 필름(10, 11)이 다이싱 링으로부터 박리되는 것을 억제할 수 있다. 한편, 상기 인장 저장 탄성률이 0.05MPa 이상이기 때문에, 다이싱 링으로부터 다이싱 필름을 박리했을 때에 풀 잔여가 발생하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 다이싱ㆍ다이 본드 필름(10, 11)에 있어서, 부분(2a)의 경화 후에 있어서의 23℃에서의 인장 저장 탄성률은 5MPa 이상 100MPa 이하인 것이 바람직하고, 7MPa 이상 80MPa 이하인 것이 보다 바람직하다.
다이싱ㆍ다이 본드 필름(10, 11)에 있어서, 다이싱 링을 부착하는 부분(2c)의 실리콘 미러 웨이퍼에 대한 180도 박리 점착력은, 측정 온도 23±3℃, 인장 속도 300㎜/분의 조건하에서 1.0N/20㎜ 테이프 폭 이상 10N/20㎜ 테이프 폭 이하이다. 상기 점착력이 1.0N/20㎜ 테이프 폭 이상이기 때문에, 반도체 웨이퍼의 다이싱시, 다이싱ㆍ다이 본드 필름(10, 11)이 다이싱 링으로부터 박리되는 것을 억제할 수 있다. 한편, 상기 점착력이 10.0N/20㎜ 테이프 폭 이하이기 때문에, 다이싱 링으로부터 다이싱 필름을 박리할 때에 용이하게 박리할 수 있다.
다이싱ㆍ다이 본드 필름(10)에 있어서, 점착제층(2)에서의 상기 부분(2a)의 반도체 웨이퍼 부착 부분(3a)에 대한 점착력은, 상기 다른 부분(2b)의 반도체 웨이퍼 부착 부분(3a)과는 상이한 부분(3b)에 대한 점착력보다도 작아지도록 설계되어 있다. 상온(23℃)에서의 점착력(박리 각도 15도, 박리 속도 300㎜/분)에 기초하여, 상기 부분(2a)의 점착력은, 웨이퍼의 고정 유지력이나 형성한 칩의 회수성 등의 점에서 0.5 내지 1.5N/10㎜인 것이 바람직하다. 점착력이 0.5N/10㎜ 미만이면 반도체 칩의 접착 고정이 불충분해지므로, 다이싱시에 칩 비산을 발생시키는 경우가 있다. 또한, 점착력이 1.5N/10㎜를 초과하면 점착제층(2)은 다이 본드 필름(3)을 너무 과도하게 접착하므로, 반도체 칩의 픽업이 곤란해지는 경우가 있다. 한편, 상기 다른 부분(2b)의 점착력은 0.5 내지 10N/10㎜, 나아가 1 내지 5N/10㎜인 것이 바람직하다. 상기 부분(2a)이 낮은 점착력이라도, 상기 다른 부분(2b)의 점착력에 의해 칩 비산 등의 발생을 억제하고, 웨이퍼 가공을 위해 필요한 유지력을 발휘시킬 수 있다.
다이싱ㆍ다이 본드 필름(11)에 있어서, 점착제층(2)에서의 상기 부분(2a)의 반도체 웨이퍼 부착 부분(3a)에 대한 점착력은, 상기 부분(2b)의 다이싱 링(12)에 대한 점착력보다도 작아지도록 설계되어 있다. 반도체 웨이퍼 부착 부분(3a)에 대한 상기 부분(2a)의 점착력(상기 동일 조건)은, 상기와 마찬가지로 0.5 내지 1.5N/10㎜인 것이 바람직하다. 한편, 다이싱 링(12)에 대한 상기 다른 부분(2b)의 점착력은 0.05 내지 10N/10㎜, 나아가 0.1 내지 5N/10㎜인 것이 바람직하다. 상기 부분(2a)이 낮은 박리 점착력이라도, 상기 다른 부분(2b)의 점착력에 의해 칩 비산 등의 발생을 억제하고, 웨이퍼 가공에 충분한 유지력을 발휘시킬 수 있다. 또한, 이들의 점착력은 상온(23℃), 박리 각도 180도, 인장 속도 300㎜/분에서의 측정값에 기초한다.
또한, 다이싱ㆍ다이 본드 필름(10, 11)에 있어서, 반도체 웨이퍼 부착 부분(3a)의, 반도체 웨이퍼에 대한 점착력은, 상기 부분(2a)에 대한 점착력보다도 커지도록 설계하는 것이 바람직하다. 반도체 웨이퍼에 대한 점착력은, 그 종류에 따라 적절하게 조정된다. 반도체 웨이퍼 부착 부분(3a)의 상기 부분(2a)에 대한 점착력(상기 동일 조건)은 0.05 내지 10N/10㎜, 나아가 0.1 내지 5N/10㎜인 것이 바람직하다. 한편, 반도체 웨이퍼 부착 부분(3a)의 반도체 웨이퍼에 대한 점착력(상기 동일 조건)은, 다이싱시, 픽업시, 다이 본드시의 신뢰성, 픽업성의 점에서 0.5 내지 15N/10㎜ 이하, 나아가 1 내지 15N/10㎜인 것이 바람직하다.
여기에서, 반도체 웨이퍼(4)의 직경을 r1로 하고, 점착제층(2)에서의 상기 부분(2a)의 직경을 r2로 하고, 다이 본드 필름(3)에서의 반도체 웨이퍼 부착 부분(3a)[또는 다이 본드 필름(3')]의 직경을 r3으로 한 경우, r1＜r2＜r3의 관계를 충족하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 반도체 웨이퍼(4)의 전체면을 다이 본드 필름(3, 3') 상에 접착 고정함과 함께, 반도체 웨이퍼 부착 부분(3a)[또는 다이 본드 필름(3')]의 주연부를 상기 다른 부분(2b)에 접착 고정할 수 있다. 상기 다른 부분(2b)의 점착력은 상기 부분(2a)보다도 크기 때문에, 상기 주연부에 있어서 반도체 웨이퍼 부착 부분(3a)[또는 다이 본드 필름(3')]의 접착 고정이 가능하게 된다. 그 결과, 다이싱시에 칩 비산의 발생을 한층 더 방지할 수 있다.
상기 자외선 경화형 점착제는, 라디칼 반응성 탄소-탄소 이중 결합 등의 자외선 경화성의 관능기를 갖고, 또한 점착성을 나타내는 것을 사용한다. 자외선 경화형 점착제로서는, 예를 들어 아크릴계 점착제에, 자외선 경화성의 단량체 성분이나 올리고머 성분을 배합한 첨가형의 자외선 경화형 점착제를 예시할 수 있다. 그 중에서도, 자외선 경화성의 올리고머 성분을 배합한 것이 바람직하다. 아크릴계 점착제는 아크릴계 중합체를 베이스 중합체로 하는 점착제이며, 반도체 웨이퍼나 유리 등의 오염을 꺼리는 전자 부품의 초순수나 알코올 등의 유기 용제에 의한 청정 세정성 등의 점에서 바람직하다.
상기 아크릴계 중합체로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산 알킬에스테르(예를 들어, 메틸에스테르, 에틸에스테르, 프로필에스테르, 이소프로필에스테르, 부틸에스테르, 이소부틸에스테르, sec-부틸에스테르, t-부틸에스테르, 펜틸에스테르, 이소펜틸에스테르, 헥실에스테르, 헵틸에스테르, 옥틸에스테르, 2-에틸헥실에스테르, 이소옥틸에스테르, 노닐에스테르, 데실에스테르, 이소데실에스테르, 운데실에스테르, 도데실에스테르, 트리데실에스테르, 테트라데실에스테르, 헥사데실에스테르, 옥타데실에스테르, 에이코실에스테르 등의 알킬기의 탄소수 1 내지 30, 특히 탄소수 4 내지 18의 직쇄상 또는 분지쇄상의 알킬에스테르 등) 및 (메트)아크릴산 시클로알킬에스테르(예를 들어, 시클로펜틸에스테르, 시클로헥실에스테르 등) 중 1종 또는 2종 이상을 단량체 성분으로서 사용한 아크릴계 중합체 등을 들 수 있다. 또한, (메트)아크릴산 에스테르란 아크릴산 에스테르 및/또는 메타크릴산 에스테르를 말하며, 본 발명의 (메트)란 모두 동일한 의미이다.
상기 아크릴계 중합체는, 상기 아크릴산 에스테르와 공중합 가능한 히드록실기 함유 단량체를 필수 성분으로서 포함한다. 히드록실기 함유 단량체로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산 2-히드록시에틸, (메트)아크릴산 2-히드록시프로필, (메트)아크릴산 4-히드록시부틸, (메트)아크릴산 6-히드록시헥실, (메트)아크릴산 8-히드록시옥틸, (메트)아크릴산 10-히드록시데실, (메트)아크릴산 12-히드록시라우릴, (4-히드록시메틸시클로헥실)메틸 (메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.
상기 히드록실기 함유 단량체의 함유량은, 아크릴산 에스테르에 대하여 10 내지 40mol％의 범위 내인 것이 바람직하고, 15 내지 30mol％의 범위 내인 것이 보다 바람직하다. 함유량이 10mol％ 미만이면 자외선 조사 후의 가교가 부족하고, 픽업성이 저하되는 경우가 있다. 한편, 함유량이 40mol％를 초과하면, 점착제의 극성이 높아지고, 다이 본드 필름과의 상호 작용이 높아짐으로써 박리가 곤란해진다.
상기 아크릴계 중합체는, 응집력, 내열성 등의 개질을 목적으로 하여, 필요에 따라 상기 아크릴산 알킬에스테르 또는 시클로알킬에스테르와 공중합 가능한 다른 단량체 성분에 대응하는 단위를 포함해도 된다. 이러한 단량체 성분으로서, 예를 들어 아크릴산, 메타크릴산, 카르복시에틸(메트)아크릴레이트, 카르복시펜틸(메트)아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산, 크로톤산 등의 카르복실기 함유 단량체; 무수 말레산, 무수 이타콘산 등의 산 무수물 단량체; 스티렌술폰산, 알릴술폰산, 2-(메트)아크릴아미도-2-메틸프로판술폰산, (메트)아크릴아미도프로판술폰산, 술포프로필(메트)아크릴레이트, (메트)아크릴로일옥시나프탈렌술폰산 등의 술폰산기 함유 단량체; 2-히드록시에틸아크릴로일포스페이트 등의 인산기 함유 단량체; 아크릴아미드, 아크릴로니트릴 등을 들 수 있다. 이들 공중합 가능한 단량체 성분은 1종 또는 2종 이상을 사용할 수 있다. 이들 공중합 가능한 단량체의 사용량은, 전체 단량체 성분의 40중량％ 이하가 바람직하다. 단, 상기 카르복실기 함유 단량체의 경우, 그 카르복실기와 다이 본드 필름(3) 중의 에폭시 수지에서의 에폭시기가 반응함으로써, 점착제층(2)과 다이 본드 필름(3)의 경계면이 소실되고, 양자의 박리성이 저하되는 경우가 있다. 따라서, 카르복실기 함유 단량체의 사용량은, 전체 단량체 성분의 0 내지 3중량％ 이하가 바람직하다. 그 밖에 히드록실기 함유 단량체나 글리시딜기 함유 단량체도 에폭시 수지에서의 에폭시기와 반응할 수 있으므로, 카르복실기 함유 단량체의 경우와 마찬가지로 하는 것이 바람직하다. 또한, 이들 단량체 성분 중, 본 발명의 점착제층(2)은 아크릴산을 포함하지 않는 쪽이 바람직하다. 아크릴산은 다이 본드 필름(3)과 반응하거나 상호 작용함으로써 박리성을 저하시키는 경우가 있기 때문이다.
여기에서, 상기 아크릴계 중합체는, 공중합용 단량체 성분으로서 다관능성 단량체를 포함하지 않는다. 이에 의해, 다관능성 단량체가 다이 본드 필름에 물질 확산되지 않고, 점착제층(2)과 다이 본드 필름(3)의 경계면이 소실됨에 따른 픽업성의 저하를 방지할 수 있다.
또한, 상기 아크릴계 중합체는, 라디칼 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 이소시아네이트 화합물을 필수 성분으로서 포함한다. 상기 이소시아네이트 화합물로서는, 예를 들어 메타크릴로일 이소시아네이트, 2-메타크릴로일옥시에틸 이소시아네이트, 2-아크릴로일옥시에틸 이소시아네이트, m-이소프로페닐-α,α-디메틸벤질 이소시아네이트 등을 들 수 있다.
상기 라디칼 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 이소시아네이트 화합물의 함유량은, 히드록실기 함유 단량체에 대하여 함유량이 70 내지 90mol％의 범위 내인 것이 바람직하고, 75 내지 85mol％의 범위 내인 것이 보다 바람직하다. 함유량이 70mol％ 미만이면, 자외선 조사 후의 가교가 부족하고, 다이싱시에 점착제층 상에 부착되는 다이싱 링에 대하여 풀 잔여가 발생한다. 한편, 함유량이 90mol％를 초과하면, 점착제의 극성이 높아지고, 다이 본드 필름과의 상호 작용이 높아짐으로써 박리가 곤란해진다.
상기 아크릴계 중합체는, 단일 단량체 또는 2종 이상의 단량체 혼합물을 중합에 사용함으로써 얻어진다. 중합은 용액 중합, 유화 중합, 괴상 중합, 현탁 중합 등의 어느 방식으로 행할 수도 있다. 청정한 피착체에의 오염 방지 등의 점에서 저분자량 물질의 함유량이 작은 것이 바람직하다. 이 점에서 아크릴계 중합체의 중량 평균 분자량은, 바람직하게는 35만 내지 100만, 더욱 바람직하게는 45만 내지 80만 정도이다.
또한, 점착제층(2)은, 히드록실기에 대하여 반응성을 나타내는 관능기를 분자 중에 2개 이상 구비한 가교제를 포함한다. 히드록실기에 대하여 반응성을 나타내는 관능기로서는, 예를 들어 이소시아네이트기, 에폭시기, 글리시딜기 등을 들 수 있다. 그러한 관능기를 갖는 가교제로서는, 보다 구체적으로는 이소시아네이트계 가교제, 에폭시계 가교제, 아지리딘계 가교제, 멜라민계 가교제 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 이소시아네이트계 가교제가 바람직하다.
상기 이소시아네이트계 가교제로서는, 분자 중에 이소시아네이트기를 2개 이상 갖는 것이면 특별히 한정되지 않으며, 예를 들어 톨루엔 디이소시아네이트, 디페닐메탄 디이소시아네이트, 헥사메틸렌 디이소시아네이트 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.
상기 에폭시계 가교제로서는, 분자 중에 에폭시기를 2개 이상 갖는 것이면 특별히 한정되지 않으며, 예를 들어 에틸렌글리콜 디글리시딜에테르, 소르비톨 폴리글리시딜에테르, 폴리글리세롤 폴리글리시딜에테르, 디글리세롤 폴리글리시딜에테르, 글리세롤 폴리글리시딜에테르, 레조르신 디글리시딜에테르 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.
상기 아지리딘계 가교제로서는, 분자 중에 아지리딘기를 2개 이상 갖는 것이면 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, ω-아지리디닐프로피온산-2,2-디히드록시메틸-부탄올-트리에스테르, 4,4'-비스(에틸렌이미노카르보닐아미노)디페닐메탄, 2,4,6-(트리에틸렌이미노)-sym-트리아진, 1,6-비스(에틸렌이미노카르보닐아미노)헥산 등이 적절하게 사용된다. 이들은 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.
상기 가교제의 함유량은, 베이스 중합체 100중량부에 대하여 0.5 내지 2중량부이다. 상기 가교제의 함유량은, 0.5 내지 1.0중량부의 범위 내인 것이 바람직하다. 상기 함유량이 2중량부 이하이기 때문에, 자외선에 의한 가교를 억제하여 인장 저장 탄성률의 저하를 방지하고, 점착력을 높게 유지할 수 있다. 그 결과, 반도체 웨이퍼의 다이싱시, 다이싱ㆍ다이 본드 필름(10, 11)이 다이싱 링으로부터 박리되는 것을 억제할 수 있다. 한편, 상기 함유량이 0.5중량부 이상이기 때문에, 다이싱 링으로부터 다이싱 필름을 박리했을 때에 풀 잔여가 발생하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 점착제에는, 필요에 따라 상기 성분 이외에 종래 공지의 각종 점착 부여제, 노화 방지제 등의 첨가제를 사용해도 된다.
배합하는 상기 자외선 경화성의 단량체 성분으로서는, 예를 들어 우레탄 올리고머, 우레탄 (메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판 트리(메트)아크릴레이트, 테트라메틸올메탄 테트라(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 모노히드록시펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 헥사(메트)아크릴레이트, 1,4-부탄디올 디(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 또한, 자외선 경화성의 올리고머 성분은 우레탄계, 폴리에테르계, 폴리에스테르계, 폴리카르보네이트계, 폴리부타디엔계 등 여러가지의 올리고머를 들 수 있고, 그 분자량이 100 내지 30000 정도의 범위인 것이 적당하다. 자외선 경화성의 단량체 성분이나 올리고머 성분의 배합량은, 점착제를 구성하는 아크릴계 중합체 등의 베이스 중합체 100중량부에 대하여 0 내지 100중량부 포함되는 것이 바람직하고, 10 내지 50중량부 포함되는 것이 보다 바람직하다. 점착제층(2)에 있어서의 자외선 경화되지 않은 부분(부분(2b)이나 부분(2c))에서는, 올리고머가 가소제로서 기능한다. 그 결과, 다이싱 링을 부착하는 부분(2c)에서의 점착력을 높게 유지할 수 있으며, 다이싱 링에의 밀착성을 향상시킬 수 있다. 한편, 자외선 경화시킨 부분(부분(2a))에서는, 중합체 뿐만 아니라 올리고머 성분도 자외선 경화되어 있기 때문에 다이 본드 필름(3, 3')과의 밀착성을 낮게 유지할 수 있으며, 반도체 칩을 양호하게 픽업할 수 있다.
또한, 자외선 경화형 점착제로서는, 상기 설명한 첨가형의 자외선 경화형 점착제 외에, 베이스 중합체로서, 라디칼 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 중합체 측쇄 또는 주쇄 중 혹은 주쇄 말단에 갖는 것을 사용한 내재형의 자외선 경화형 점착제를 들 수 있다. 내재형의 자외선 경화형 점착제는, 저분자량 성분인 올리고머 성분 등을 함유할 필요가 없거나, 또는 대부분은 포함하지 않기 때문에, 경시적으로 올리고머 성분 등이 점착제 중을 이동하지 않고, 안정된 층 구조의 점착제층을 형성할 수 있기 때문에 바람직하다.
상기 라디칼 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 베이스 중합체는, 라디칼 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 갖고, 또한 점착성을 갖는 것을 특별히 제한없이 사용할 수 있다. 이러한 베이스 중합체로서는, 아크릴계 중합체를 기본 골격으로 하는 것이 바람직하다. 아크릴계 중합체의 기본 골격으로서는, 상기 예시한 아크릴계 중합체를 들 수 있다.
상기 아크릴계 중합체에의 라디칼 반응성 탄소-탄소 이중 결합의 도입법은 특별히 제한되지 않고, 여러가지 방법을 채용할 수 있지만, 라디칼 반응성 탄소-탄소 이중 결합은 중합체 측쇄에 도입하는 것이 분자 설계의 점에서 용이하다. 예를 들어, 미리 아크릴계 중합체에 히드록실기를 갖는 단량체를 공중합한 후, 이 히드록실기와 반응할 수 있는 이소시아네이트기 및 라디칼 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 이소시아네이트 화합물을, 라디칼 반응성 탄소-탄소 이중 결합의 자외선 경화성을 유지한 채 축합 또는 부가 반응시키는 방법을 들 수 있다. 이소시아네이트기 및 라디칼 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 이소시아네이트 화합물로서는, 상기에 예시한 것을 들 수 있다. 또한, 아크릴계 중합체로서는, 상기 예시의 히드록시기 함유 단량체나 2-히드록시에틸비닐에테르, 4-히드록시부틸비닐에테르, 디에틸렌글리콜 모노비닐에테르의 에테르계 화합물 등을 공중합한 것이 사용된다.
상기 내재형의 자외선 경화형 점착제는, 상기 라디칼 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 베이스 중합체(특히 아크릴계 중합체)를 단독으로 사용할 수 있지만, 특성을 악화시키지 않을 정도로 상기 자외선 경화성의 단량체 성분이나 올리고머 성분을 배합할 수도 있다. 자외선 경화성의 올리고머 성분 등은, 통상 베이스 중합체 100중량부에 대하여 예를 들어 5 내지 500중량부, 바람직하게는 40 내지 150중량부 정도이다.
상기 자외선 경화형 점착제에는, 자외선 등에 의해 경화시키는 경우에는 광중합 개시제를 함유시킨다. 광중합 개시제로서는, 예를 들어 4-(2-히드록시에톡시)페닐(2-히드록시-2-프로필)케톤, α-히드록시-α,α'-디메틸아세토페논, 2-메틸-2-히드록시프로피오페논, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤 등의 α-케톨계 화합물; 메톡시아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2,2-디에톡시아세토페논, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)-페닐]-2-모르폴리노프로판-1 등의 아세토페논계 화합물; 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 아니소인메틸에테르 등의 벤조인에테르계 화합물; 벤질디메틸케탈 등의 케탈계 화합물; 2-나프탈렌술포닐클로라이드 등의 방향족 슬포닐클로라이드계 화합물; 1-페논-1,1-프로판디온-2-(o-에톡시카르보닐)옥심 등의 광 활성 옥심계 화합물; 벤조페논, 벤조일벤조산, 3,3'-디메틸-4-메톡시벤조페논 등의 벤조페논계 화합물; 티오크산톤, 2-클로로티오크산톤, 2-메틸티오크산톤, 2,4-디메틸티오크산톤, 이소프로필티오크산톤, 2,4-디클로로티오크산톤, 2,4-디에틸티오크산톤, 2,4-디이소프로필티오크산톤 등의 티오크산톤계 화합물 ;캄포퀴논; 할로겐화 케톤; 아실포스핀옥시드; 아실포스포네이트 등을 들 수 있다. 광중합 개시제의 배합량은, 점착제를 구성하는 아크릴계 중합체 등의 베이스 중합체 100중량부에 대하여, 예를 들어 0.05 내지 20중량부 정도이다.
또한, 자외선 경화형 점착제로서는, 예를 들어 일본 특허 공개 소60-196956호 공보에 개시되어 있는, 불포화 결합을 2개 이상 갖는 부가 중합성 화합물, 에폭시기를 갖는 알콕시실란 등의 광중합성 화합물과, 카르보닐 화합물, 유기 황 화합물, 과산화물, 아민, 오늄염계 화합물 등의 광중합 개시제를 함유하는 고무계 점착제나 아크릴계 점착제 등을 들 수 있다.
다이싱ㆍ다이 본드 필름(10)의 점착제층(2)에 있어서는, 상기 부분(2a)의 점착력＜그 밖의 부분(2b)의 점착력이 되도록 점착제층(2)의 일부를 자외선 조사해도 된다. 즉, 기재(1)의 적어도 한쪽 면의 반도체 웨이퍼 부착 부분(3a)에 대응하는 부분 이외의 부분의 전부 또는 일부가 차광된 것을 사용하여, 여기에 자외선 경화형의 점착제층(2)을 형성한 후에 자외선 조사하여, 반도체 웨이퍼 부착 부분(3a)에 대응하는 부분을 경화시켜, 점착력을 저하시킨 상기 부분(2a)을 형성할 수 있다. 차광 재료로서는 지지 필름 상에서 포토마스크가 될 수 있는 것을 인쇄나 증착 등으로 제작할 수 있다.
또한, 자외선 조사시에 산소에 의한 경화 저해가 일어나는 경우에는, 자외선 경화형의 점착제층(2)의 표면으로부터 산소(공기)를 차단하는 것이 바람직하다. 그 방법으로서는, 예를 들어 점착제층(2)의 표면을 세퍼레이터로 피복하는 방법이나, 질소 가스 분위기 중에서 자외선 등의 자외선의 조사를 행하는 방법 등을 들 수 있다.
점착제층(2)의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 칩 절단면의 절결 방지나 접착층의 고정 유지의 양립성 등의 점으로부터는 1 내지 50㎛ 정도인 것이 바람직하다. 바람직하게는 2 내지 40㎛, 나아가 5 내지 30㎛가 바람직하다.
다이 본드 필름(3, 3')은, 예를 들어 접착제층의 단층만으로 이루어지는 구성으로 할 수 있다. 또한, 유리 전이 온도가 다른 열가소성 수지, 열경화 온도가 다른 열경화성 수지를 적절하게 조합하여, 2층 이상의 다층 구조로 해도 된다. 또한, 반도체 웨이퍼의 다이싱 공정에서는 절삭수를 사용하기 때문에, 다이 본드 필름(3, 3')이 흡습하여, 보통 이상의 함수율이 되는 경우가 있다. 이러한 고함수율 상태로 기판 등에 접착시키면, 후경화의 단계에서 접착 계면에 수증기가 모여 부유가 발생하는 경우가 있다. 따라서, 다이 접착용 접착제로서는, 투습성이 높은 코어 재료를 다이 접착제 사이에 끼운 구성으로 함으로써, 후경화의 단계에서는, 수증기가 필름을 통과하여 확산되고, 이러한 문제를 피하는 것이 가능해진다. 이러한 관점에서, 다이 본드 필름(3, 3')은 코어 재료의 한쪽면 또는 양면에 접착제층을 형성한 다층 구조로 해도 된다.
상기 코어 재료로서는, 필름(예를 들어 폴리이미드 필름, 폴리에스테르 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리에틸렌나프탈레이트 필름, 폴리카르보네이트 필름 등), 유리 섬유나 플라스틱제 부직 섬유로 강화된 수지 기판, 실리콘 기판 또는 유리 기판 등을 들 수 있다.
본 발명에 관한 다이 본드 필름(3, 3')은, 에폭시 수지를 주성분으로서 포함하여 구성된다. 에폭시 수지는, 반도체 소자를 부식시키는 이온성 불순물 등의 함유가 적다는 점에서 바람직하다. 상기 에폭시 수지로서는, 접착제 조성물로서 일반적으로 사용되는 것이면 특별히 한정은 없고, 예를 들어 비스페놀 A형, 비스페놀 F형, 비스페놀 S형, 브롬화 비스페놀 A형, 수소 첨가 비스페놀 A형, 비스페놀 AF형, 비페닐형, 나프탈렌형, 플루오렌형, 페놀노볼락형, 오르토크레졸노볼락형, 트리스히드록시페닐메탄형, 테트라페닐올에탄형 등의 2관능 에폭시 수지나 다관능 에폭시 수지, 또는 히단토인형, 트리스글리시딜이소시아누레이트형 혹은 글리시딜아민형 등의 에폭시 수지가 사용된다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다. 이들 에폭시 수지 중 노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 트리스히드록시페닐메탄형 수지 또는 테트라페닐올에탄형 에폭시 수지가 특히 바람직하다. 이들 에폭시 수지는, 경화제로서의 페놀 수지와의 반응성이 풍부하고, 내열성 등이 우수하기 때문이다.
또한, 다이 본드 필름(3, 3')은, 적절하게 필요에 따라 그 밖의 열경화성 수지나 열가소성 수지를 병용시킬 수 있다. 상기 열경화성 수지로서는, 페놀 수지, 아미노 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 폴리우레탄 수지, 실리콘 수지, 또는 열경화성 폴리이미드 수지 등을 들 수 있다. 이들 수지는 단독으로 또는 2종 이상을 병용해서 사용할 수 있다. 또한, 에폭시 수지의 경화제로서는 페놀 수지가 바람직하다.
또한, 상기 페놀 수지는, 상기 에폭시 수지의 경화제로서 작용하는 것이며, 예를 들어 페놀노볼락 수지, 페놀아랄킬 수지, 크레졸노볼락 수지, tert-부틸페놀노볼락 수지, 노닐페놀노볼락 수지 등의 노볼락형 페놀 수지, 레졸형 페놀 수지, 폴리파라옥시스티렌 등의 폴리옥시스티렌 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다. 이들 페놀 수지 중 페놀노볼락 수지, 페놀아랄킬 수지가 특히 바람직하다. 반도체 장치의 접속 신뢰성을 향상시킬 수 있기 때문이다.
상기 에폭시 수지와 페놀 수지의 배합 비율은, 예를 들어 상기 에폭시 수지 성분 중의 에폭시기 1당량당 페놀 수지 중의 수산기가 0.5 내지 2.0당량이 되도록 배합하는 것이 적합하다. 보다 적합한 것은 0.8 내지 1.2당량이다. 즉, 양자의 배합 비율이 상기 범위를 벗어나면, 충분한 경화 반응이 진행되지 않고, 에폭시 수지 경화물의 특성이 쉽게 열화되기 때문이다.
상기 열가소성 수지로서는, 천연 고무, 부틸 고무, 이소프렌 고무, 클로로프렌 고무, 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체, 에틸렌-아크릴산 공중합체, 에틸렌-아크릴산 에스테르 공중합체, 폴리부타디엔 수지, 폴리카르보네이트 수지, 열가소성 폴리이미드 수지, 6-나일론이나 6,6-나일론 등의 폴리아미드 수지, 페녹시 수지, 아크릴 수지, PET나 PBT 등의 포화 폴리에스테르 수지, 폴리아미드이미드 수지, 또는 불소 수지 등을 들 수 있다. 이들 열가소성 수지는 단독으로 또는 2종 이상을 병용해서 사용할 수 있다. 이들 열가소성 수지 중, 이온성 불순물이 적고 내열성이 높으며, 반도체 소자의 신뢰성을 확보할 수 있는 아크릴 수지가 특히 바람직하다.
상기 아크릴 수지로서는, 특별히 한정되는 것은 아니며, 탄소수 30 이하, 특히 탄소수 4 내지 18의 직쇄 또는 분지의 알킬기를 갖는 아크릴산 또는 메타크릴산의 에스테르 중 1종 또는 2종 이상을 성분으로 하는 중합체 등을 들 수 있다. 상기 알킬기로서는, 예를 들어 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, t-부틸기, 이소부틸기, 아밀기, 이소아밀기, 헥실기, 헵틸기, 시클로헥실기, 2-에틸헥실기, 옥틸기, 이소옥틸기, 노닐기, 이소노닐기, 데실기, 이소데실기, 운데실기, 라우릴기, 트리데실기, 테트라데실기, 스테아릴기, 옥타데실기 또는 도데실기 등을 들 수 있다.
또한, 상기 중합체를 형성하는 다른 단량체로서는, 특별히 한정되는 것은 아니며, 예를 들어 아크릴산, 메타크릴산, 카르복시에틸아크릴레이트, 카르복시펜틸아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산 혹은 크로톤산 등과 같은 카르복실기 함유 단량체, 무수 말레산 혹은 무수 이타콘산 등과 같은 산 무수물 단량체, (메트)아크릴산 2-히드록시에틸, (메트)아크릴산 2-히드록시프로필, (메트)아크릴산 4-히드록시부틸, (메트)아크릴산 6-히드록시헥실, (메트)아크릴산 8-히드록시옥틸, (메트)아크릴산 10-히드록시데실, (메트)아크릴산 12-히드록시라우릴 혹은 (4-히드록시메틸시클로헥실)-메틸아크릴레이트 등과 같은 히드록실기 함유 단량체, 스티렌술폰산, 알릴술폰산, 2-(메트)아크릴아미도-2-메틸프로판술폰산, (메트)아크릴아미도프로판술폰산, 술포프로필(메트)아크릴레이트 혹은 (메트)아크릴로일옥시나프탈렌술폰산 등과 같은 술폰산기 함유 단량체, 또는 2-히드록시에틸아크릴로일포스페이트 등과 같은 인산기 함유 단량체를 들 수 있다.
다이 본드 필름(3, 3')의 접착제층에는, 미리 어느 정도 가교를 시켜두기 위해, 제조시에 중합체의 분자쇄 말단의 관능기 등과 반응하는 다관능성 화합물을 가교제로서 첨가시켜 두는 것이 바람직하다. 이에 의해, 고온하에서의 접착 특성을 향상시키고, 내열성의 개선을 도모한다.
또한, 다이 본드 필름(3, 3')의 접착제층에는, 필요에 따라 다른 첨가제를 적절하게 배합할 수 있다. 다른 첨가제로서는, 예를 들어 난연제, 실란 커플링제 또는 이온 트랩제 등을 들 수 있다. 상기 난연제로서는, 예를 들어 삼산화안티몬, 오산화안티몬, 브롬화 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다. 상기 실란 커플링제로서는, 예를 들어 β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필 트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필메틸 디에톡시실란 등을 들 수 있다. 이들 화합물은 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다. 상기 이온 트랩제로서는, 예를 들어 히드로탈사이트류, 수산화비스무트 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다.
다이 본드 필름(3, 3')의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 5 내지 100㎛ 정도, 바람직하게는 5 내지 50㎛ 정도이다.
다이싱ㆍ다이본드 필름(10, 11)에는 대전 방지능을 갖게 할 수 있다. 이에 의해, 그 접착시 및 박리시 등에서의 정전기의 발생이나 그에 의한 반도체 웨이퍼의 대전으로 회로가 파괴되는 것 등을 방지할 수 있다. 대전 방지능의 부여는, 기재(1), 점착제층(2) 내지 다이 본드 필름(3, 3')에 대전 방지제나 도전성 물질을 첨가하는 방법, 기재(1)에의 전하 이동 착체나 금속막 등으로 이루어지는 도전층의 부설 등, 적절한 방식으로 행할 수 있다. 이들 방식으로서는, 반도체 웨이퍼를 변질시킬 우려가 있는 불순물 이온이 발생하기 어려운 방식이 바람직하다. 도전성의 부여, 열전도성의 향상 등을 목적으로서 배합되는 도전성 물질(도전 필러)로서는, 은, 알루미늄, 금, 구리, 니켈, 도전성 합금 등의 구 형상, 침 형상, 플레이크 형상의 금속분, 알루미나 등의 금속 산화물, 아몰퍼스 카본 블랙, 그래파이트 등을 들 수 있다. 단, 상기 다이 본드 필름(3, 3')은 비도전성인 것이 전기적으로 누설되지 않도록 할 수 있다는 점에서 바람직하다.
상기 다이싱ㆍ다이 본드 필름(10, 11)의 다이 본드 필름(3, 3)'은, 세퍼레이터에 의해 보호되어 있는 것이 바람직하다(도시하지 않음). 세퍼레이터는, 실용적으로 이용될 때까지 다이 본드 필름(3, 3')을 보호하는 보호재로서의 기능을 갖고 있다. 또한, 세퍼레이터는, 점착제층(2)에 다이 본드 필름(3, 3')을 전사할 때의 지지 기재로서 사용할 수 있다. 세퍼레이터는 다이싱ㆍ다이 본드 필름의 다이 본드 필름(3, 3') 상에 작업물을 접착할 때에 박리된다. 세퍼레이터로서는 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌, 폴리프로필렌이나, 불소계 박리제, 장쇄 알킬아크릴레이트계 박리제 등의 박리제에 의해 표면 코팅된 플라스틱 필름이나 종이 등도 사용 가능하다.
(다이싱ㆍ다이 본드 필름의 제조 방법)
다음으로, 본 발명의 다이싱ㆍ다이 본드 필름의 제조 방법에 대하여 다이싱ㆍ다이 본드 필름(10)을 예로 들어 설명한다. 우선, 기재(1)는 종래 공지의 제막 방법에 의해 제막할 수 있다. 당해 제막 방법으로서는, 예를 들어 캘린더 제막법, 유기 용매 중에서의 캐스팅법, 밀폐계에서의 인플레이션 압출법, T다이 압출법, 공압출법, 건식 라미네이트법 등을 예시할 수 있다.
다음으로, 기재(1) 상에 점착제를 포함하는 조성물을 도포하고, 건조시켜(필요에 따라 가열 가교시켜) 점착제층(2)을 형성한다. 도포 방식으로서는 롤 도포 시공, 스크린 도포 시공, 그라비아 도포 시공 등을 들 수 있다. 또한, 도포는 직접 기재(1) 상에 행하여도 되고, 표면에 박리 처리를 행한 박리지 등에 도포한 후, 기재(1)에 전사해도 된다.
다음으로, 기재(1) 상에 점착제 조성물을 도포하여 도포막을 형성한 후, 상기 도포막을 소정 조건하에서 건조시켜(필요에 따라 가열 가교시켜), 점착제층 전구체를 형성한다. 도포 방법으로서는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들어 롤 도포 시공, 스크린 도포 시공, 그라비아 도포 시공 등을 들 수 있다. 또한, 건조 조건으로서는 도포막의 두께나 재료 등에 따라 다양하게 설정된다. 구체적으로는, 예를 들어 건조 온도 80 내지 150℃, 건조 시간 0.5 내지 5분간의 범위 내에서 행하여진다. 또한, 세퍼레이터 상에 점착제 조성물을 도포하여 도포막을 형성한 후, 상기 건조 조건에서 도포막을 건조시켜 점착제층 전구체를 형성해도 된다. 그 후, 기재(1) 상에 점착제층 전구체를 전사한다. 이와 같이 하여 형성된 점착제층 전구체는 소정 조건하에서 자외선 조사되고, 이에 의해 점착제층(2)이 형성된다. 자외선의 조사 조건으로서는, 그 적산 광량이 30 내지 10000mJ/㎠로 되는 범위 내인 것이 바람직하고, 100 내지 500mJ/㎠로 되는 범위 내인 것이 보다 바람직하다. 자외선의 조사가 30mJ/㎠ 미만이면, 점착제층의 경화가 불충분해지는 경우가 있다. 그 결과, 다이 본드 필름과의 밀착성이 증대되어, 픽업성의 저하를 초래한다. 또한 픽업 후, 다이 본드 필름에 풀 잔여가 발생한다. 한편, 자외선의 조사가 1000mJ/㎡를 초과하면, 기재에 대하여 열적 손상을 주는 경우가 있다. 또한, 점착제층의 경화가 과도하게 진행되어 인장 탄성률이 지나치게 커지고, 익스팬드성이 저하된다. 또한, 점착력이 과도하게 저하되고, 이에 의해 반도체 웨이퍼의 다이싱시에 칩 비산이 발생하는 경우가 있다.
다음으로, 다이 본드 필름(3)을 형성하기 위한 형성 재료를 박리지 상에 소정 두께로 되도록 도포하고, 또한 소정 조건하에서 건조하여 다이 본드 필름(3)을 형성한다. 이 다이 본드 필름(3)을 상기 점착제층(2) 상에 전사함으로써, 다이싱ㆍ다이 본드 필름을 형성한다. 이상에 의해, 본 발명에 관한 다이싱ㆍ다이 본드 필름(10)을 얻을 수 있다.
(반도체 장치의 제조 방법)
본 발명의 다이싱ㆍ다이 본드 필름(11)을 사용한 반도체 장치의 제조 방법에 대하여 도 3을 참조하면서 설명한다.
우선, 다이싱ㆍ다이 본드 필름(11)의 다이 본드 필름(3') 상에 반도체 웨이퍼(4)를 압착함과 함께, 점착제층(2)의 다이싱 링을 부착하는 부분(2c)(도 2 참조)에 다이싱 링(12)(도 2 참조)을 부착한다. 점착제층(2)은, 상술한 중합체와 상술한 함유량이 0.5 내지 2중량부인 가교제를 포함하고, 또한 소정 조건하에서의 자외선 조사에 의해 경화된 것이며, 점착제층(2)의 다이싱 링을 부착하는 부분(2c)의 실리콘 미러 웨이퍼에 대한 180도 박리 점착력이 상술한 수치 범위 내에 있고, 또한 다이싱 링을 부착하는 부분(2c)의 23℃에 있어서의 인장 저장 탄성률이 상술한 수치 범위 내에 있다. 그 결과, 점착제층(2)은 상기 (2c)의 부분에 있어서 점착력을 높게 유지할 수 있으며, 후술하는 반도체 웨이퍼의 다이싱시, 다이싱ㆍ다이 본드 필름(11)이 다이싱 링으로부터 박리되는 것을 억제할 수 있다. 본 공정은, 압착 롤 등의 가압 수단에 의해 가압하면서 행한다.
다음으로, 반도체 웨이퍼(4)의 다이싱을 행한다. 이에 의해, 반도체 웨이퍼(4)를 소정 크기로 절단하여 개별 조각화하고, 반도체 칩(5)을 형성한다. 다이싱은, 예를 들어 반도체 웨이퍼(4)의 회로면측으로부터 통상의 방법에 따라 행하여진다. 또한, 본 공정에서는, 예를 들어 다이 본드 필름(3)까지 완전히 절입을 행하는 풀 커트라 불리는 절단 방식 등을 채용할 수 있다. 다이 본드 필름(3)은 에폭시 수지를 포함하여 구성되므로, 다이싱에 의해 절단되어도, 그 절단면에 있어서 접착제의 풀이 비어져 나오는 현상이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 그 결과, 절단면끼리 재부착(블로킹)하는 것을 방지하고, 후술하는 픽업을 한층 양호하게 행할 수 있다. 본 공정에서 사용하는 다이싱 장치로서는 특별히 한정되지 않고, 종래 공지의 것을 사용할 수 있다. 또한, 반도체 웨이퍼(4)는 다이 본드 필름(3)에 의해 접착 고정되어 있으므로, 칩 절결이나 칩 비산을 억제할 수 있음과 함께, 반도체 웨이퍼(4)의 파손도 억제할 수 있다. 또한, 다이싱에 의해 점착제층(2)에까지 절입이 행해진 경우에도, 점착제층(2)은 자외선 조사에 의해 경화되어 있으므로, 보풀 등의 발생도 방지된다.
다음으로, 다이싱ㆍ다이 본드 필름(11)의 익스팬드를 행한다. 익스팬드는 종래 공지의 익스팬드 장치를 사용하여 행한다. 익스팬드 장치는, 다이싱 링을 통해 다이싱ㆍ다이 본드 필름(11)을 하방으로 밀어내리는 것이 가능한 도넛 형상의 외측 링과, 상기 외측 링보다도 직경이 작고 다이싱ㆍ다이 본드 필름(11)을 지지하는 내측 링을 갖고 있다. 다이싱ㆍ다이 본드 필름(11)에서는, 점착제층(2)에서의 상기 부분(2a)만이 자외선 조사에 의해 경화되고, 그 밖의 부분(2b)은 미경화이므로, 파단되지 않고 인접하는 반도체 칩간의 간극을 충분히 넓힐 수 있다. 그 결과, 후술하는 픽업시에, 반도체 칩끼리 접촉하여 파손되는 것을 방지할 수 있다.
다이싱ㆍ다이 본드 필름(11)에 접착 고정된 반도체 칩(5)을 박리하기 위해, 반도체 칩(5)의 픽업을 행한다. 픽업은 점착제층(2)에 대하여 자외선을 조사하지 않고 행하여진다. 픽업의 방법으로서는 특별히 한정되지 않고, 종래 공지의 다양한 방법을 채용할 수 있다. 예를 들어, 개개의 반도체 칩(5)을 다이싱ㆍ다이 본드 필름(11)측으로부터 니들에 의해 밀어올리고, 밀어올려진 반도체 칩(5)을 픽업 장치에 의해 픽업하는 방법 등을 들 수 있다. 다이싱ㆍ다이 본드 필름(11)에서는, 점착제층(2)과 다이 본드 필름(3)의 박리성이 양호하므로, 예를 들어 니들수를 저감하거나, 밀어올림량을 작게 해도 수율을 저감하여 픽업을 행할 수 있다.
픽업한 반도체 칩(5)은, 다이 본드 필름(3a)을 개재하여 피착체(6)에 접착 고정한다(다이 본드). 피착체(6)는 히트 블록(9) 상에 적재되어 있다. 피착체(6)로서는, 리드 프레임, TAB 필름, 기판 또는 별도 제작한 반도체 칩 등을 들 수 있다. 피착체(6)는, 예를 들어 용이하게 변형되는 변형형 피착체여도 되고, 변형하는 것이 곤란한 비변형형 피착체(반도체 웨이퍼 등)여도 된다.
상기 기판으로서는, 종래 공지의 것을 사용할 수 있다. 또한, 상기 리드 프레임으로서는 Cu 리드 프레임, 42 얼로이(Alloy) 리드 프레임 등의 금속 리드 프레임이나 유리 에폭시, BT(비스말레이미드-트리아진), 폴리이미드 등으로 이루어지는 유기 기판을 사용할 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 반도체 소자를 마운트하고, 반도체 소자와 전기적으로 접속해서 사용 가능한 회로 기판도 포함된다.
다이 본드 필름(3)이 열경화형인 경우에는, 가열 경화에 의해 반도체 칩(5)을 피착체(6)에 접착 고정하고, 내열 강도를 향상시킨다. 또한, 다이 본드 필름(3a)을 개재하여 반도체 칩(5)이 기판 등에 접착 고정된 것은, 리플로우 공정에 이용될 수 있다. 그 후, 기판의 단자부(내측 리드)의 선단과 반도체 칩(5) 상의 전극 패드(도시하지 않음)를 본딩 와이어(7)로 전기적으로 접속하는 와이어 본딩을 행하고, 또한 반도체 칩을 밀봉 수지(8)로 밀봉하고, 당해 밀봉 수지(8)를 후경화한다. 이에 의해, 본 실시 형태에 관한 반도체 장치가 제작된다.
<실시예>
이하에, 본 발명의 적합한 실시예를 예시적으로 상세하게 설명한다. 단, 이 실시예에 기재되어 있는 재료나 배합량 등은, 특별히 한정적인 기재가 없는 한은, 본 발명의 범위를 그것들에만 한정하는 취지의 것은 아니며, 단순한 설명예에 지나지 않는다. 또한, 각 예 중, 부는 특별한 기재가 없는 한 모두 중량 기준이다.
(실시예 1)
<다이싱 필름의 제작>
냉각관, 질소 도입관, 온도계 및 교반 장치를 구비한 반응 용기에, 아크릴산-2-에틸헥실(이하, 「2EHA」라 함) 86.4부, 아크릴산-2-히드록시에틸(이하, 「HEA」라 함) 13.6부, 과산화벤조일 0.2부 및 톨루엔 65부를 넣고, 질소 기류 중에서 61℃로 6시간 중합 처리를 하여, 아크릴계 중합체 A를 얻었다.
아크릴계 중합체 A에 2-메타크릴로일옥시에틸 이소시아네이트(이하, 「MOI」라 함) 14.6부를 첨가하고, 공기 기류 중에서 50℃로 48시간 부가 반응 처리를 하여, 아크릴계 중합체 A'을 얻었다.
다음으로, 아크릴계 중합체 A' 100부에 대하여, 폴리이소시아네이트 화합물(상품명 「코로네이트 L」, 닛본 폴리우레탄(주)제) 0.5부 및 광중합 개시제(상품명 「이르가큐어 651」, 시바 스페셜티 케미컬즈사제) 5부를 첨가하여 점착제 조성물 용액 A를 얻었다.
점착제 조성물 용액 A를, PET 박리 라이너의 실리콘 처리를 실시한 면 상에 도포하고, 120℃에서 2분간 가열 건조하여 두께 10㎛의 점착제층을 형성하였다. 다음으로, 형성한 점착제층 상에 폴리올레핀 필름을 접합하였다. 그 후, 50℃에서 24시간 가열하여 가교 처리를 행하고, 또한 웨이퍼를 부착하는 부분보다 크고 다이싱 링을 부착하는 부분보다도 중심측의 범위에, 닛또 세이미쯔 기까이제의 자외선 조사 장치(상품명 UM-810)로 조도 20mW/㎠로 적산 광량이 400mJ/㎠가 되도록 폴리올레핀 필름측으로부터 자외선을 조사하여, 다이싱 필름 A를 제작하였다.
<다이 본드 필름의 제작>
에폭시 수지(a)(JER(주)제, 에피코트 1001) 20부, 페놀 수지(b)(미쯔이 가가꾸(주)제, MEH7851) 22부, 아크릴산에틸-메틸메타크릴레이트를 주성분으로 하는 아크릴산 에스테르계 중합체(c)(네가미 고교(주)제, 파라크론 W-197CM) 100부, 필러(d)로서의 구 형상 실리카(아드마텍스(주)제, SO-25R) 180부를 메틸에틸케톤에 용해하여, 농도 23.6중량％가 되도록 조정하였다. 이 접착제 조성물의 용액을, PET 박리 라이너의 실리콘 처리를 실시한 면 상에 도포한 후, 130℃에서 2분간 건조시킴으로써 두께 40㎛의 다이 본드 필름 A를 제작하였다.
<다이싱ㆍ다이 본드 필름의 제작>
상기한 다이싱 필름 A의 박리 라이너를 벗기고, 자외선을 조사한 부분에 40±3℃에서 다이 본드 필름 A의 다이 본드 필름층을 접합하여 다이싱ㆍ다이 본드 필름 A를 제작하였다.
(실시예 2)
<다이싱 필름의 제작>
폴리이소시아네이트 화합물의 첨가량을 1부로 한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 다이싱 필름 B를 얻었다.
<다이싱ㆍ다이 본드 필름의 제작>
상기한 다이싱 필름 B의 박리 라이너를 벗기고, 자외선을 조사한 부분에 40±3℃에서 다이 본드 필름 A의 다이 본드 필름층을 접합하여 다이싱ㆍ다이 본드 필름 B를 제작하였다.
(실시예 3)
<다이싱 필름의 제작>
폴리이소시아네이트 화합물의 첨가량을 2부로 한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 다이싱 필름 C를 얻었다.
<다이싱ㆍ다이 본드 필름의 제작>
상기한 다이싱 필름 C의 박리 라이너를 벗기고, 자외선을 조사한 부분에 40±3℃에서 다이 본드 필름 A의 다이 본드 필름층을 접합하여 다이싱ㆍ다이 본드 필름 C를 제작하였다.
(실시예 4)
<다이싱 필름의 제작>
폴리이소시아네이트 화합물의 첨가량을 2부로 하고, 또한 자외선 경화성 올리고머(상품명 「시코 UV-1700B」, 닛본 고세이 가가꾸 고교(주)제) 30부를 첨가한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 다이싱 필름 D를 얻었다.
<다이싱ㆍ다이 본드 필름의 제작>
상기한 다이싱 필름 D의 박리 라이너를 벗기고, 자외선을 조사한 부분에 40±3℃에서 다이 본드 필름 A의 다이 본드 필름층을 접합하여 다이싱ㆍ다이 본드 필름 D를 제작하였다.
(비교예 1)
<다이싱 필름의 제작>
폴리이소시아네이트 화합물의 첨가량을 0.3부로 한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 다이싱 필름 E를 얻었다.
<다이싱ㆍ다이 본드 필름의 제작>
상기한 다이싱 필름 E의 박리 라이너를 벗기고, 자외선을 조사한 부분에 40±3℃에서 다이 본드 필름 A의 다이 본드 필름층을 접합하여 다이싱ㆍ다이 본드 필름 E를 제작하였다.
(비교예 2)
<다이싱 필름의 제작>
폴리이소시아네이트 화합물의 첨가량을 3부로 한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 다이싱 필름 F를 얻었다.
<다이싱ㆍ다이 본드 필름의 제작>
상기의 다이싱 필름 F의 박리 라이너를 벗기고, 자외선을 조사한 부분에 40±3℃에서 다이 본드 필름 A의 다이 본드 필름층을 접합하여 다이싱ㆍ다이 본드 필름 F를 제작하였다.
(다이싱 링에 부착하는 부분의 실리콘 미러 웨이퍼에 대한 180도 박리 점착력)
우선, 실리콘 미러 웨이퍼를 톨루엔을 포함시킨 웨이스트로 닦은 후, 메탄올을 포함시킨 웨이스트로 닦고, 톨루엔을 포함시킨 웨이스트로 더 닦았다. 다음으로, 다이싱 필름의 자외선 조사를 하지 않은, 다이싱 링에 부착하는 부분을 20㎜ 테이프 폭의 직사각형으로 절단한 후, 박리 라이너를 벗기고, 상기 실리콘 미러 웨이퍼에 접합하였다. 그 후, 실온 분위기하에서 30분 정치하였다.
30분 정치한 후, 점착제층의 표면과 실리콘 미러 웨이퍼의 표면이 이루는 각 θ를 180°, 인장 속도 300㎜/분, 실온(23℃)의 박리 조건으로 점착력을 측정하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
(점착제의 인장 저장 탄성률)
다이싱 필름 A 내지 F를 얻는 공정에서 폴리올레핀 필름 대신에 PET 박리 라이너를 부착하여, PET 박리 라이너로 끼워진 점착제층을 제작하였다. 여기에 다이싱 필름을 제작하는 것과 동일한 조건으로 자외선을 조사하여, 자외선으로 경화시킨 점착제층을 제작하였다. 그 후, 폭 50㎜, 길이 100㎜의 직사각형으로 커트하고, 한쪽 PET 박리 라이너를 벗기고, 점착제층만을 막대 형상으로 둥글게 하여 길이 100㎜의 막대 형상 샘플을 제작하였다. 이 샘플을 척간 거리 50㎜, 인장 속도 50㎜/분, 실온(23℃)의 조건으로 인장하고, 인장 길이와 응력의 기울기로부터 인장 저장 탄성률(영률)을 구하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
(다이싱성)
다이싱ㆍ다이 본드 필름에 두께 75㎛로 연삭한 실리콘 웨이퍼를 40℃에서 부착하고, 이하의 조건으로 10㎜×10㎜의 크기가 되도록 다이싱을 행하였다. 칩 비산이 발생하지 않으면 ○, 발생하면 ×로 하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
<다이싱 조건>
다이싱 장치: 디스코사제, DFD-6361
다이싱 링: 2-8-1(디스코사제)
다이싱 속도: 80㎜/초
다이싱 블레이드:
Z1; 디스코사제 2050HEDD
Z2; 디스코사제 2050HEBB
다이싱 블레이드 회전수:
Z1; 40,000rpm
Z2; 40,000rpm
블레이드 높이:
Z1; 0.155㎜
Z2; 0.085㎜
커트 방식: A 모드/스텝 커트
칩 크기: 한 변이 10.0㎜인 사각형
(픽업성)
다이싱을 행한 샘플을 이하의 조건으로 픽업하였다.
<픽업 조건>
다이 본더 장치: 가부시끼가이샤 신가와사제 SPA-300
마운트 프레임: 디스코사제 2-8-1
웨이퍼 타입: 미러 웨이퍼(Mirror Wafer)(패턴 없음)
칩 크기: 10㎜×10㎜
칩 두께: 75㎛
니들수: 9개
니들 밀어올림 속도: 5㎜/초
콜릿 유지 시간: 1000 m초
익스팬드: 끌어내림량 3㎜
니들 밀어올림 높이: 300㎛
평가는 10 칩을 픽업하고, 모두 픽업할 수 있는 경우에는 ○, 1 내지 9 칩 픽업할 수 있는 경우에는 △, 모두 픽업할 수 없는 경우에는 ×로 하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
(웨이퍼 마운트 평가)
이하의 조건으로 웨이퍼 마운트를 행하고, 부착 48시간 후에 다이싱 링으로부터 박리되어 있으면 ×, 박리되어 있지 않으면 ○로 하였다. 다이싱 필름의 외주만 부유하고 있는 것도 ×로 하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
<웨이퍼 마운트 조건>
웨이퍼 마운트 장치: 닛또 세이미쯔 기까이제 MSA-840
다이싱 링: 디스코사제 2-8-1
웨이퍼 타입: 두께 760㎛, 직경 8인치의 미러 웨이퍼
라미네이트 온도: 55℃
라미네이트 압력: 2kgf
라미네이트 속도:10㎜/초
척 테이블 높이:4㎜
(다이싱 링에의 풀 잔여)
다이싱 링에 부착한 다이싱ㆍ다이 본드 필름을 손으로 박리하고, 육안으로 풀이 다이싱 링에 남아 있지 않으면 ○, 남아 있으면 ×로 하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
1: 기재
2: 점착제층
3: 다이 본드 필름
4: 반도체 웨이퍼
5: 반도체 칩
6: 피착체
7: 본딩 와이어
8: 밀봉 수지
9: 히트 블록
10, 11: 다이싱ㆍ다이 본드 필름
2: 점착제층
3: 다이 본드 필름
4: 반도체 웨이퍼
5: 반도체 칩
6: 피착체
7: 본딩 와이어
8: 밀봉 수지
9: 히트 블록
10, 11: 다이싱ㆍ다이 본드 필름
Claims (10)
- 기재 상에 점착제층을 갖는 다이싱 필름과, 상기 다이싱 필름 상에 설치된 다이 본드 필름을 갖는 다이싱ㆍ다이 본드 필름이며,
상기 점착제층은, 10 내지 40mol％의 히드록실기 함유 단량체를 포함하는 아크릴계 중합체에, 상기 히드록실기 함유 단량체에 대하여 70 내지 90mol％의 범위 내의 라디칼 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 이소시아네이트 화합물을 부가 반응시킨 중합체와, 히드록실기에 대하여 반응성을 나타내는 관능기를 분자 중에 2개 이상 구비하고, 또한 상기 중합체 100중량부에 대하여 함유량이 0.5 내지 2중량부인 가교제를 포함하고, 또한 소정 조건하에서의 자외선 조사에 의해 경화된 것이고,
상기 점착제층의 다이싱 링을 부착하는 부분의 실리콘 미러 웨이퍼에 대한 180도 박리 점착력이 측정 온도 23±3℃, 인장 속도 300㎜/분의 조건하에서 1.0N/20㎜ 테이프 폭 이상 10.0N/20㎜ 테이프 폭 이하이고,
상기 다이싱 링을 부착하는 부분의 23℃에 있어서의 인장 저장 탄성률이 0.05MPa 이상 0.4MPa 미만이고,
상기 다이 본드 필름은, 자외선 조사 후의 점착제층에 대하여 접합된 것임을 특징으로 하는, 다이싱ㆍ다이 본드 필름. - 제1항에 있어서, 상기 점착제층은 상기 중합체 100중량부에 대하여 5 내지 100중량부의 자외선 경화성의 올리고머 성분을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 다이싱ㆍ다이 본드 필름.
- 제1항에 있어서, 상기 자외선의 조사는 30 내지 1000mJ/㎠의 범위 내에서 행해지는 것을 특징으로 하는, 다이싱ㆍ다이 본드 필름.
- 제1항에 있어서, 상기 히드록실기 함유 단량체는 (메트)아크릴산 2-히드록시에틸, (메트)아크릴산 2-히드록시프로필, (메트)아크릴산 4-히드록시부틸, (메트)아크릴산 6-히드록시헥실, (메트)아크릴산 8-히드록시옥틸, (메트)아크릴산 10-히드록시데실, (메트)아크릴산 12-히드록시라우릴 및 (4-히드록시메틸시클로헥실)메틸 (메트)아크릴레이트로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 어느 1종인 것을 특징으로 하는, 다이싱ㆍ다이 본드 필름.
- 제1항에 있어서, 상기 라디칼 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 이소시아네이트 화합물은, 2-메타크릴로일옥시에틸 이소시아네이트 또는 2-아크릴로일옥시에틸 이소시아네이트 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는, 다이싱ㆍ다이 본드 필름.
- 제1항에 있어서, 상기 점착제층은 아크릴산을 포함하지 않는 것을 특징으로 하는, 다이싱ㆍ다이 본드 필름.
- 기재 상에 점착제층을 갖는 다이싱 필름과, 상기 점착제층 상에 설치된 다이 본드 필름을 갖는 다이싱ㆍ다이 본드 필름의 제조 방법이며,
10 내지 40mol％의 히드록실기 함유 단량체를 포함하는 아크릴계 중합체에, 상기 히드록실기 함유 단량체에 대하여 70 내지 90mol％의 범위 내의 라디칼 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 이소시아네이트 화합물을 부가 반응시킨 중합체와, 히드록실기에 대하여 반응성을 나타내는 관능기를 분자 중에 2개 이상 구비하고, 또한, 상기 중합체 100중량부에 대하여 함유량이 0.5 내지 2중량부인 가교제를 포함하여 구성되는 점착제층 전구체를 상기 기재 상에 형성하는 공정과,
상기 점착제층 전구체에 소정 조건하에서 자외선을 조사하고, 다이싱 링을 부착하는 부분의 실리콘 미러 웨이퍼에 대한 180도 박리 점착력이 측정 온도 23±3℃, 인장 속도 300㎜/분의 조건하에서 1.0N/20㎜ 테이프 폭 이상 10.0N/20㎜ 테이프 폭 이하이고, 또한 상기 다이싱 링을 부착하는 부분의 23℃에 있어서의 인장 저장 탄성률이 0.05MPa 이상 0.4MPa 미만인 점착제층을 형성하는 공정과,
상기 점착제층 상에 상기 다이 본드 필름을 접합하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는, 다이싱ㆍ다이 본드 필름의 제조 방법. - 제7항에 있어서, 상기 점착제층 전구체는 상기 중합체 100중량부에 대하여 0 내지 100중량부의 자외선 경화성의 올리고머 성분을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 다이싱ㆍ다이 본드 필름의 제조 방법.
- 제7항에 있어서, 상기 자외선의 조사는 30 내지 1000mJ/㎠의 범위 내에서 행하는 것을 특징으로 하는, 다이싱ㆍ다이 본드 필름의 제조 방법.
- 기재 상에 점착제층을 갖는 다이싱 필름과, 상기 점착제층 상에 설치된 다이 본드 필름을 갖는 다이싱ㆍ다이 본드 필름을 사용한 반도체 장치의 제조 방법이며,
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 기재된 다이싱ㆍ다이 본드 필름을 준비하고, 상기 점착제층의 다이싱 링을 부착하는 부분에 다이싱 링을 부착하는 공정과,
상기 다이 본드 필름 상에 반도체 웨이퍼를 압착하는 공정과,
상기 반도체 웨이퍼를 상기 다이 본드 필름과 함께 다이싱함으로써 반도체 칩을 형성하는 공정과,
상기 반도체 칩을 상기 다이 본드 필름과 함께 상기 점착제층으로부터 박리하는 공정을 포함하고,
상기 반도체 웨이퍼의 압착 공정부터 반도체 칩의 박리 공정까지는, 상기 점착제층에 자외선을 조사하지 않고 행하는 것을 특징으로 하는, 반도체 장치의 제조 방법.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JPJP-P-2010-211088 | 2010-09-21 | ||
| JP2010211088A JP2012069586A (ja) | 2010-09-21 | 2010-09-21 | ダイシング・ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルムの製造方法、及び、半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20120030964A true KR20120030964A (ko) | 2012-03-29 |
Family
ID=45818118
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020110094426A KR20120030964A (ko) | 2010-09-21 | 2011-09-20 | 다이싱ㆍ다이 본드 필름, 다이싱ㆍ다이 본드 필름의 제조 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20120070960A1 (ko) |
| JP (1) | JP2012069586A (ko) |
| KR (1) | KR20120030964A (ko) |
| CN (1) | CN102408845A (ko) |
| TW (1) | TW201215655A (ko) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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- 2011-09-19 TW TW100133654A patent/TW201215655A/zh unknown
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- 2011-09-20 US US13/237,548 patent/US20120070960A1/en not_active Abandoned
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201215655A (en) | 2012-04-16 |
| JP2012069586A (ja) | 2012-04-05 |
| US20120070960A1 (en) | 2012-03-22 |
| CN102408845A (zh) | 2012-04-11 |
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Legal Events
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| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
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