KR20120112147A - Plasma processing apparatus - Google Patents

Plasma processing apparatus Download PDF

Info

Publication number
KR20120112147A
KR20120112147A KR1020120031835A KR20120031835A KR20120112147A KR 20120112147 A KR20120112147 A KR 20120112147A KR 1020120031835 A KR1020120031835 A KR 1020120031835A KR 20120031835 A KR20120031835 A KR 20120031835A KR 20120112147 A KR20120112147 A KR 20120112147A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
plasma
mounting table
ring member
heat transfer
Prior art date
Application number
KR1020120031835A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR101910670B1 (en
Inventor
준 야마와쿠
치쇼 고시미즈
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20120112147A publication Critical patent/KR20120112147A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101910670B1 publication Critical patent/KR101910670B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32091—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H01J37/32642—Focus rings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching

Abstract

PURPOSE: A plasma processing apparatus is provided to control temperature rise of a ring member when plasma is radiated by installing a heat transfer member and an insulating member between a ring member and an arrangement table. CONSTITUTION: A ring member(5) is installed on a stepped part(31) of an arrangement table(3). The ring member adjusts the state of plasma. An insulating member(6) is installed to be concentric to the center of a substrate(W) on the arrangement table. The insulating member adjusts a potential difference between the substrate and the ring member. A heat transfer member(7) is installed between an upper side of the arrangement table and a lower side of the ring member. [Reference numerals] (3) Placement; (5) Focus ring; (6,7) Insulating member

Description

플라즈마 처리 장치{PLASMA PROCESSING APPARATUS}PLASMA PROCESSING APPARATUS

본 발명은, 예컨대 반도체 웨이퍼나 FPD(Flat Panel Display)용 유리 기판 등의 기판에 대하여 플라즈마 처리를 하는 기술에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD This invention relates to the technique which performs a plasma process with respect to board | substrates, such as a semiconductor wafer and a glass substrate for flat panel displays (FPD), for example.

반도체 웨이퍼나 FPD 제조용 유리 기판 등의 반도체 기판의 제조 공정에 있어서는, 기판에 에칭 처리나 성막 처리 등의 소정의 플라즈마 처리를 실시하는 공정이 있다. 이들 공정을 수행하는 플라즈마 처리 장치에서는, 진공 챔버 내의 배치대에 기판을 배치하고, 이 배치대의 상측 공간에서 처리 가스를 플라즈마화하여, 상기 기판에 대해 플라즈마 처리가 행해진다. 또한, 도 15의 (a)에 도시한 바와 같이, 배치대(11) 상의 기판, 예컨대 반도체 웨이퍼(W)(이하,「웨이퍼(W)」라고 함)의 주위에는, 웨이퍼(W) 상에 플라즈마를 가두고 웨이퍼(W) 면 내의 바이어스 전위의 불연속성을 완화하여 면 내에서 균일한 처리를 하기 위해서, 예컨대 실리콘 등의 도전성 부재로 이루어지는 환상의 포커스 링(12)이 설치된다. In the manufacturing process of semiconductor substrates, such as a semiconductor wafer and a glass substrate for FPD manufacture, there exists a process of giving predetermined | prescribed plasma processing, such as an etching process and a film-forming process, to a board | substrate. In the plasma processing apparatus which performs these processes, a board | substrate is arrange | positioned in the mounting table in a vacuum chamber, a process gas is plasma-processed in the space above this mounting table, and a plasma process is performed with respect to the said board | substrate. In addition, as shown in FIG. 15A, a substrate on the mounting table 11, for example, a semiconductor wafer W (hereinafter referred to as "wafer W") is placed on the wafer W. As shown in FIG. An annular focus ring 12 made of, for example, a conductive member such as silicon is provided for confining the plasma and alleviating the discontinuity of the bias potential in the wafer W surface to perform uniform processing in the surface.

상기 배치대(11)에는 도시하지 않은 온도 조절 유로가 설치되고, 플라즈마로부터의 흡열과 배치대(11) 측으로의 방열의 밸런스에 의해, 웨이퍼(W)가 소정 온도로 조정된 상태에서 플라즈마 처리가 행해진다. 한편, 포커스 링(12)은 열적으로 들떠 있는 상태에서 플라즈마에 노출되기 때문에, 웨이퍼(W)보다 온도가 높은 상태가 된다. 그런데, 라디칼 종이나 반응 부(副)생성물은 저온의 부위에 부착되어 폴리머(퇴적물)를 형성하지만, 전술한 바와 같이, 포커스 링(12)보다 웨이퍼(W) 쪽이 저온이기 때문에, 웨이퍼(W)의 엣지부에 폴리머(13)가 형성되기 쉽다. 이 폴리머(13)는 플라즈마 이온에 의한 스퍼터에 의해서 제거되지만, 웨이퍼(W)의 이면에 형성된 폴리머(13)에는 플라즈마가 조사되지 않아, 상기 스퍼터에 의한 제거는 기대할 수 없다.A temperature control flow path (not shown) is provided in the mounting table 11, and plasma processing is performed in a state where the wafer W is adjusted to a predetermined temperature by a balance between heat absorption from the plasma and heat radiation toward the mounting table 11. Is done. On the other hand, since the focus ring 12 is exposed to plasma in a state of being thermally excited, the temperature of the focus ring 12 is higher than that of the wafer (W). By the way, the radical species and the reaction portion product adhere to the low temperature site to form a polymer (sediment), but as described above, since the wafer W is lower temperature than the focus ring 12, the wafer W It is easy to form the polymer 13 in the edge part of (). Although the polymer 13 is removed by the sputter by plasma ion, plasma is not irradiated to the polymer 13 formed on the back surface of the wafer W, and the removal by the sputter cannot be expected.

상기 폴리머를 제거하는 수법으로서, 특허문헌 1 및 특허문헌 2에, 포커스 링의 아래에 절연물을 삽입함으로써 웨이퍼(W)와 포커스 링 간의 전위차를 제어하는 구성이 제안되어 있다. 이 구성에서는, 도 15의 (b)에 도시한 바와 같이, 절연물(14)에 의해 웨이퍼(W)와 포커스 링(12) 간의 전위차를 조정하고, 입사되는 플라즈마 이온의 궤도를 변경하여 웨이퍼(W) 이면에 플라즈마 이온을 유도하며, 이렇게 해서 상기 폴리머(13)를 스퍼터에 의해 제거하고 있다.As a method of removing the polymer, Patent Literature 1 and Patent Literature 2 have proposed a structure for controlling the potential difference between the wafer W and the focus ring by inserting an insulator under the focus ring. In this configuration, as shown in FIG. 15B, the potential difference between the wafer W and the focus ring 12 is adjusted by the insulator 14, and the trajectory of the incident plasma ions is changed to change the wafer W. Plasma ions are induced on the back surface, and the polymer 13 is removed by sputtering in this way.

이들 구성에 따르면, 웨이퍼(W)의 이면에 부착된 폴리머를 제거할 수는 있지만, 포커스 링(12)의 온도를 제어할 수는 없기 때문에, 웨이퍼(W) 이면 주연부에의 폴리머의 부착 자체를 억제하지는 못한다. 또한, 조건에 따라서는, 웨이퍼(W)에 부착된 폴리머를 완전히 제거하지 못할 가능성도 있다. 이 경우, 후공정으로써 예컨대 배치(batch) 세정 등으로 폴리머를 박리하지만, 세정액을 통해 디바이스 표면에 부착되어 결함의 원인이 될 우려가 있다. 나아가, 하나의 로트의 웨이퍼(W)를 처리하고 있는 동안, 플라즈마의 조사에 의해서 포커스 링(12)의 온도가 상승하고, 이 온도 변화에 의해 웨이퍼(W)의 이면측으로 돌아 들어가는 플라즈마 이온의 궤도가 변화하여, 폴리머를 안정적으로 제거하지 못할 우려도 있다.According to these constitutions, the polymer adhering to the back surface of the wafer W can be removed, but since the temperature of the focus ring 12 cannot be controlled, adhesion of the polymer to the periphery of the back surface of the wafer W is prevented. It cannot be restrained. In addition, depending on the conditions, there is a possibility that the polymer attached to the wafer W may not be completely removed. In this case, the polymer is peeled off by, for example, batch cleaning or the like as a post-process, but may adhere to the surface of the device through the cleaning liquid and cause a defect. Furthermore, during processing of one lot of wafers W, the temperature of the focus ring 12 is raised by the irradiation of plasma, and the trajectory of plasma ions returning to the back surface side of the wafer W by this temperature change. There is a fear that the polymer may not be stably removed.

특허문헌 3에는, 포커스 링과 전극 블록 사이에, 제1 열전달 매체와 유전체 링과 제2 열전달 매체와 절연 부재를 상하 방향으로 적층하여 설치함으로써, 웨이퍼 베벨부에의 퇴적물의 부착을 억제하는 기술이 제안되어 있다. 이 구성에서는, 유전체 링에 의해, 포커스 링의 전면에 형성되는 시스에 걸리는 전압을 억제함으로써 포커스 링으로의 흡열을 억제하고, 제1 및 제2 열전달 매체에 의해 포커스 링으로부터의 열을 전극 블록에 전달한다. 이렇게 해서, 포커스 링의 온도를 웨이퍼보다 낮게 하여, 웨이퍼 베벨부에의 퇴적물의 부착을 억제한다.Patent Literature 3 discloses a technique of suppressing adhesion of deposits on a wafer bevel portion by stacking the first heat transfer medium, the dielectric ring, the second heat transfer medium, and the insulating member in the vertical direction between the focus ring and the electrode block. Proposed. In this configuration, the dielectric ring suppresses the endotherm to the focus ring by suppressing the voltage applied to the sheath formed on the front surface of the focus ring, and the heat from the focus ring is transferred to the electrode block by the first and second heat transfer media. To pass. In this way, the temperature of the focus ring is lower than that of the wafer, and adhesion of deposits on the wafer bevel portion is suppressed.

여기서, 절연체와 열전도체를 적층 구조로 하면, 열전도체와 절연체 간의 접촉면에 기포가 혼입되기 쉽지만, 이 기포의 존재에 의해, 절연체와 포커스 링 사이의 접촉 상태가 변화되어, 포커스 링의 면 내에서 균일하게 전열하는 것이 곤란해진다. 또한, 웨이퍼의 이면측에 부착된 폴리머의 스퍼터 제거는 웨이퍼의 엣지 부분과 포커스 링 간의 전위차에 의해 실현되기 때문에, 포커스 링의 아래 쪽에 설치된 절연체에 의한 미묘한 임피던스 제어가 요구되지만, 절연체와 포커스 링 사이의 기포의 존재에 의해 양자의 접촉 상태가 변화함으로써, 상기 임피던스 제어에도 악영향을 끼칠 우려도 있다. 나아가, 절연체와 열전도체를 적층 구조로 하면, 열전도체가 변형되거나 열전도체와 절연체 사이에 기포가 혼입되기도 하여, 포커스 링의 주연부가 아래 방향 쪽으로 기울어지기 쉽고, 포커스 링의 높이 관리가 곤란해져, 웨이퍼 주연부의 플라즈마 상태의 제어가 불안정하게 되어 버린다.Here, when the insulator and the heat conductor have a laminated structure, bubbles easily enter the contact surface between the heat conductor and the insulator, but the presence of this bubble changes the contact state between the insulator and the focus ring, and thus the inside of the focus ring. It becomes difficult to heat transfer uniformly. In addition, since sputter removal of the polymer attached to the back side of the wafer is realized by the potential difference between the edge portion of the wafer and the focus ring, subtle impedance control by an insulator provided under the focus ring is required, but between the insulator and the focus ring The contact state of both of them changes due to the presence of bubbles, which may adversely affect the impedance control. Furthermore, when the insulator and the heat conductor have a laminated structure, the heat conductor may be deformed or bubbles may be mixed between the heat conductor and the insulator, and the periphery of the focus ring may be inclined downward, making it difficult to manage the height of the focus ring. The control of the plasma state of the peripheral portion becomes unstable.

일본 특허 공개 2005-277369호 공보(도 1, 도 2)Japanese Patent Laid-Open No. 2005-277369 (FIGS. 1 and 2) 일본 특허 공개 2007-250967호 공보(도 1, 도 2)Japanese Patent Laid-Open No. 2007-250967 (Fig. 1, Fig. 2) 일본 특허 공개 2007-258500호 공보(도 1, 단락 0030?0035)Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-258500 (Fig. 1, paragraph 0030? 0035)

본 발명은 이러한 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적은 링 부재의 온도를 제어함으로써 기판 이면에의 퇴적물의 부착량을 억제할 수 있는 기술을 제공하는 데 있다.This invention is made | formed in view of such a situation, The objective is to provide the technique which can suppress the deposit amount of the deposit on the back surface of a board | substrate by controlling the temperature of a ring member.

이 때문에, 본 발명의 플라즈마 처리 장치는, 진공 용기 내에 설치되며 하부 전극을 겸용하는 배치대의 기판 배치 영역에 기판을 배치하고, 상기 하부 전극과 상부 전극 사이에 고주파 전력을 인가해서 처리 가스를 플라즈마화하여 기판에 플라즈마 처리를 실시하는 플라즈마 처리 장치로서,For this reason, the plasma processing apparatus of this invention arrange | positions a board | substrate in the board | substrate arrangement area | region of the mounting table installed in a vacuum container, and also uses a lower electrode, and plasma-processes a process gas by applying a high frequency electric power between the said lower electrode and an upper electrode. A plasma processing apparatus for performing plasma processing on a substrate by

상기 기판 배치 영역을 둘러싸도록 상기 배치대 상에 설치되어 플라즈마의 상태를 조정하기 위한 링 부재와,A ring member disposed on the placement table to surround the substrate placement area, for adjusting a state of plasma;

상기 배치대의 상면과 상기 링 부재의 하면 사이에서 상기 링 부재를 따라서 상기 배치대 상의 기판의 중심에 대하여 동심원 형태로 설치되고, 기판의 이면측에 플라즈마 중의 이온을 인입하도록 상기 링 부재와 기판 간의 전위차를 조정하기 위한 절연 부재와,A potential difference between the ring member and the substrate is provided between the upper surface of the mounting table and the lower surface of the ring member in a concentric manner with respect to the center of the substrate on the mounting table along the ring member, and to introduce ions in the plasma to the rear surface of the substrate. With insulation member for adjusting

상기 절연 부재에 대하여 기판의 직경 방향으로 인접한 위치에서, 상기 배치대의 상면과 상기 링 부재의 하면 사이에, 이들 상면 및 하면에 밀착되고 상기 링 부재를 따라서 설치된 전열 부재를 구비하는 것을 특징으로 한다.A heat transfer member is provided between the upper surface and the lower surface of the ring member and in close contact with the upper surface and the lower surface and provided along the ring member at a position adjacent to the insulating member in the radial direction of the substrate.

또한, 본 발명의 다른 플라즈마 처리 장치는, 진공 용기 내에 설치되며 하부 전극을 겸용하는 배치대의 기판 배치 영역에 기판을 배치하고, 상기 하부 전극과 상부 전극 사이에 고주파 전력을 인가해서 처리 가스를 플라즈마화하여 기판에 플라즈마 처리를 실시하는 플라즈마 처리 장치로서,In addition, another plasma processing apparatus of the present invention arranges a substrate in a substrate arranging region of a mounting table which is provided in a vacuum container and also serves as a lower electrode, and plasmaizes the processing gas by applying high frequency power between the lower electrode and the upper electrode. A plasma processing apparatus for performing plasma processing on a substrate by

상기 기판 배치 영역을 둘러싸도록 상기 배치대 상에 설치되어, 플라즈마의 상태를 조정하기 위한 링 부재와,A ring member provided on the placement table so as to surround the substrate placement area, for adjusting a state of the plasma;

상기 배치대의 상면과 상기 링 부재의 하면 사이에서 상기 링 부재를 따라 상기 배치대 상의 기판의 중심에 대하여 동심원 형태로 설치되고, 기판의 이면측에 플라즈마 중의 이온을 인입하도록 상기 링 부재와 기판 간의 전위차를 조정하기 위한 절연 부재와,A potential difference between the ring member and the substrate is provided between the upper surface of the mounting table and the lower surface of the ring member in a concentric manner along the ring member with respect to the center of the substrate on the mounting table and introducing ions in the plasma to the rear surface of the substrate. With insulation member for adjusting

상기 절연 부재와 배치대의 상면 사이에서 양자에 밀착되고, 각각 링 부재를 따라 상기 배치대 상의 기판의 중심에 대하여 동심원 형태로, 그리고 링 부재의 직경 방향으로 서로 이격되게 설치된 복수 개의 하측 전열 부재와,A plurality of lower heat transfer members in close contact with each other between the insulating member and the upper surface of the mounting table, each spaced apart from each other along the ring member in a concentric manner with respect to the center of the substrate on the mounting table, and spaced apart from each other in the radial direction of the ring member;

상기 절연 부재와 링 부재의 하면 사이에서 양자에 밀착되고, 각각 링 부재를 따라 상기 배치대 상의 기판의 중심에 대하여 동심원 형태로, 그리고 링 부재의 직경 방향으로 서로 이격되어 설치된 복수 개의 상측 전열 부재를 구비하는 것을 특징으로 한다.A plurality of upper heat transfer members in close contact with each other between the lower surface of the insulating member and the ring member, and spaced apart from each other in a concentric manner with respect to the center of the substrate on the mounting table along the ring member and in the radial direction of the ring member, respectively. It is characterized by including.

본 발명에 따르면, 링 부재와 배치대 사이에 전열 부재와 절연 부재를 설치하기 때문에, 플라즈마 조사 시의 링 부재의 온도 상승을 억제할 수 있고, 기판에의 퇴적물의 부착을 억제할 수 있다. 또한, 기판에 퇴적물이 부착되더라도, 링 부재의 온도 변화에 의한, 기판 이면측으로 돌아 들어가는 플라즈마 이온의 궤도의 혼란이 억제되기 때문에, 기판 이면의 퇴적물의 스퍼터에 의한 제거를 안정적으로 행할 수 있고, 기판 이면에의 퇴적물의 부착량을 저감할 수 있다.According to the present invention, since the heat transfer member and the insulation member are provided between the ring member and the mounting table, the temperature rise of the ring member during plasma irradiation can be suppressed, and adhesion of deposits on the substrate can be suppressed. In addition, even if the deposit adheres to the substrate, the confusion of the trajectory of the plasma ions returning to the back of the substrate due to the temperature change of the ring member is suppressed, so that the sputter of the deposit on the back of the substrate can be stably removed. The adhesion amount of the deposit on the back surface can be reduced.

도 1은 본 발명에 따른 플라즈마 에칭 장치의 제1 실시형태를 도시하는 종단 측면도이다.
도 2는 상기 플라즈마 에칭 장치에 설치된 배치대의 일부를 도시하는 종단면도이다.
도 3은 상기 배치대의 평면도 및 종단면도이다.
도 4는 본 발명의 작용을 설명하기 위한 종단면도이다.
도 5는 본 발명의 제1 실시형태의 다른 예를 도시하는 종단면도이다.
도 6은 본 발명의 플라즈마 에칭 장치의 제2 실시형태를 도시하는 종단면도이다.
도 7은 도 6의 플라즈마 에칭 장치에 설치되는 배치대를 도시하는 평면도이다.
도 8은 본 발명의 제2 실시형태의 다른 예의 배치대를 도시하는 평면도이다.
도 9는 본 발명의 제2 실시형태의 또 다른 예의 배치대를 도시하는 평면도이다.
도 10는 본 발명의 제2 실시형태의 또 다른 예의 배치대를 도시하는 평면도 및 종단면도이다.
도 11은 본 발명의 플라즈마 에칭 장치의 제3 실시형태를 도시하는 평면도 및 부분 사시도이다.
도 12는 본 발명의 플라즈마 에칭 장치의 또 다른 예의 배치대를 도시하는 종단면도이다.
도 13은 본 발명의 플라즈마 에칭 장치의 또 다른 예의 배치대를 도시하는 종단면도이다.
도 14는 본 발명의 효과를 확인하기 위해서 행한 실시예를 도시하는 특성도이다.
도 15는 종래의 배치대를 도시하는 종단면도이다.1 is a longitudinal side view showing a first embodiment of a plasma etching apparatus according to the present invention.
2 is a longitudinal sectional view showing a part of the mounting table provided in the plasma etching apparatus.
3 is a plan view and a longitudinal sectional view of the mounting table.
4 is a longitudinal sectional view for explaining the operation of the present invention.
5 is a longitudinal sectional view showing another example of the first embodiment of the present invention.
6 is a longitudinal sectional view showing a second embodiment of the plasma etching apparatus of the present invention.
FIG. 7 is a plan view illustrating a mounting table installed in the plasma etching apparatus of FIG. 6. FIG.
It is a top view which shows the mounting table of another example of 2nd Embodiment of this invention.
It is a top view which shows the mounting table of still another example of 2nd Embodiment of this invention.
10 is a plan view and a longitudinal sectional view showing a mounting table of still another example of the second embodiment of the present invention.
11 is a plan view and a partial perspective view showing a third embodiment of the plasma etching apparatus of the present invention.
It is a longitudinal cross-sectional view which shows the mounting table of still another example of the plasma etching apparatus of this invention.
It is a longitudinal cross-sectional view which shows the mounting table of still another example of the plasma etching apparatus of this invention.
14 is a characteristic diagram showing an embodiment performed for confirming the effect of the present invention.
It is a longitudinal cross-sectional view which shows the conventional mounting table.

이하에서 본 발명에 따른 용량 결합형 플라즈마 에칭 장치의 일 실시형태에 관해서 설명한다. 도 1은 이 플라즈마 에칭 장치(2)를 도시하는 종단면도이며, 이 플라즈마 에칭 장치(2)는 그 내부에 웨이퍼(W)에 플라즈마 처리를 실시하기 위한, 예컨대 알루미늄으로 이루어진 기밀한 처리 용기(진공 용기)(20)를 구비하고 있다. 이 처리 용기(20)의 바닥부의 중앙부에는 배치대(3)가 설치되어 있다. 이 배치대(3)는, 원주체(圓柱體)의 상면부의 주연부가 전체 둘레에 걸쳐 절결되어 있고, 단차부(31)가 형성된 형상, 즉 상면부에서, 주연부 이외의 부분이 원주형으로 돌출된 형상으로 구성되어 있다. 이 돌출된 부위는, 기판인 웨이퍼(W)가 배치되는 기판 배치 영역(32)(이하,「배치 영역」이라고 함)를 이루는 것으로, 이 배치 영역(32)을 둘러싸는 단차부(31)는 후술하는 링 부재의 배치 영역에 해당한다. Hereinafter, an embodiment of the capacitively coupled plasma etching apparatus according to the present invention will be described. Fig. 1 is a longitudinal cross-sectional view showing the plasma etching apparatus 2, which is an airtight processing container (for example, made of aluminum) for performing plasma processing on the wafer W therein (vacuum). Container) 20. The mounting table 3 is provided at the center of the bottom of the processing container 20. In this mounting table 3, the periphery of the upper surface portion of the cylindrical body is cut out over the entire circumference, and in the shape in which the step portion 31 is formed, that is, the portion other than the peripheral portion protrudes circumferentially from the upper surface portion. It is composed of a shape. The protruding portion forms a substrate placement region 32 (hereinafter referred to as a “positioning region”) in which the wafer W serving as the substrate is disposed, and the stepped portion 31 surrounding the placement region 32 is It corresponds to the arrangement | positioning area of the ring member mentioned later.

이 배치 영역(32)의 상면부에는 절연막에 척 전극(33a)을 배치하여 이루어지는 정전 척(33)이 설치되어 있고, 이 정전 척(33) 위에 웨이퍼(W)가 그 주연부가 돌출한 상태로 배치된다. 상기 척 전극(33a)은 처리 용기(20) 밖에 설치된 직류 전원(34)과 스위치(35)를 통해 전기적으로 접속되어 있다. 또한, 정전 척(33)에는 도시하지 않은 복수 개의 토출구가 형성되어 있고, 도시하지 않은 가스 공급부로부터 해당 정전 척(33)과 웨이퍼(W) 사이의 미소 공간에 열매체 가스, 예컨대 He 가스가 공급되도록 되어 있다. 또한, 배치대(3)의 내부에는 도시하지 않은 승강 핀이 설치되어 있고, 도시하지 않은 외부의 반송 아암과 정전 척(33) 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하도록 구성되어 있다.The electrostatic chuck 33 formed by arranging the chuck electrode 33a is provided in the insulating film in the upper surface part of this arrangement area | region 32, and the wafer W is protruded on the electrostatic chuck 33 in the state which protruded. Is placed. The chuck electrode 33a is electrically connected to the DC power supply 34 provided outside the processing container 20 via a switch 35. In addition, a plurality of discharge ports (not shown) are formed in the electrostatic chuck 33, and a heat medium gas such as He gas is supplied from the gas supply unit (not shown) to the micro space between the electrostatic chuck 33 and the wafer W. It is. Moreover, the lifting pin not shown is provided in the inside of the mounting table 3, and it is comprised so that the wafer W may be transferred between the external conveyance arm which is not shown, and the electrostatic chuck 33. As shown in FIG.

배치대(3)의 내부에는 냉매 통류실(36)이 설치되어 있고, 배치대(3)의 외부에 설치된 냉매 공급부(37)로부터 냉매가 순환 공급되도록 되어 있다. 즉, 냉매 공급부(37)로부터 공급로(36a)를 통해 냉매 통류실(36)에 공급된 냉매는, 배출로(36b)를 통해 배치대(3)의 외부로 배출되고, 냉매 공급부(37)에서 칠러에 의해 소정 온도까지 냉각된 후, 다시 공급로(36a)를 통해 냉매 통류실(36)에 공급된다. 또한, 배치대(3)는 하부 전극을 겸용하며, 고주파 전원부(38)에 정합기(39)를 통해 접속되어 있다. 이 고주파 전원부(38)는 플라즈마 중의 이온을 인입하기 위한 바이어스를 하부 전극에 인가하기 위한 바이어스 전원이다.The coolant flow passage 36 is provided inside the mounting table 3, and the coolant is circulated and supplied from the coolant supply unit 37 provided outside the mounting table 3. That is, the coolant supplied from the coolant supply part 37 to the coolant flow passage 36 through the supply path 36a is discharged to the outside of the mounting table 3 through the discharge path 36b, and the coolant supply part 37 After cooling to a predetermined temperature by the chiller at, it is again supplied to the refrigerant flow passage 36 through the supply passage 36a. In addition, the mounting table 3 also serves as a lower electrode, and is connected to the high frequency power supply 38 via a matching device 39. The high frequency power supply 38 is a bias power supply for applying a bias for introducing ions in the plasma to the lower electrode.

한편, 처리 용기(20)의 천장부에는 절연 부재(21)를 통해 상기 배치 영역(32)에 대향하도록 샤워 헤드(4)가 설치되어 있고, 이 샤워 헤드(4)는 공급로(42)를 통해 가스 공급계(41)에 접속되어 있다. 상기 샤워 헤드(4)의 내부에는 버퍼실(43)이 형성되고, 그 하면에는 다수의 토출구(44)가 형성되어 있으며, 가스 공급계(41)로부터 버퍼실(43)에 공급된 처리 가스는 토출구(44)를 통해 배치 영역(32) 측을 향해서 토출되도록 구성되어 있다. 또한, 샤워 헤드(4)는 상부 전극을 겸용하며, 정합기(45)를 통해 플라즈마 생성용 고주파 전원부(46)에 접속된다.On the other hand, the shower head 4 is provided in the ceiling of the processing container 20 so as to face the placement area 32 via the insulating member 21, and the shower head 4 is provided through the supply passage 42. It is connected to the gas supply system 41. A buffer chamber 43 is formed inside the shower head 4, and a plurality of discharge ports 44 are formed at the bottom thereof, and the process gas supplied from the gas supply system 41 to the buffer chamber 43 is It is comprised so that it may discharge toward the arrangement area | region 32 side through the discharge port 44. FIG. The shower head 4 also serves as an upper electrode, and is connected to the high frequency power supply 46 for plasma generation via the matching unit 45.

또한, 처리 용기(20)의 바닥부에는 배기 포트(22)가 설치되어 있고, 이 배기 포트(22)에는 밸브(V) 및 압력 조정부(23)가 설치된 배기로(24)를 통해 진공 배기 기구인 진공 펌프(25)가 접속되어 있다. 또한, 처리 용기(20)의 측벽에는 셔터(26)에 의해 개폐가능한 웨이퍼(W)의 반송구(27)가 마련되어 있다. In addition, an exhaust port 22 is provided at the bottom of the processing container 20, and the exhaust port 22 is provided with a vacuum exhaust mechanism through an exhaust path 24 provided with a valve V and a pressure adjuster 23. Phosphorous vacuum pump 25 is connected. Moreover, the conveyance port 27 of the wafer W which can be opened and closed by the shutter 26 is provided in the side wall of the processing container 20.

상기 배치대(3)의 상면의 주연부에 형성된 단차부(31)의 저면(단차면)에는 도 2 및 도 3에 도시한 바와 같이 절연 부재(6) 및 전열 부재(7)를 통해 포커스 링(5)이 설치되어 있다. 이 포커스 링(5)은, 배치 영역(32)을 둘러싸도록 배치대(3) 상에 설치되고, 플라즈마의 상태를 조정하기 위한 링 부재를 이루는 것이며, 예컨대 실리콘 등의 도전성 부재에 의해 구성되어 있다. 이 포커스 링(5)의 내주 가장자리는 전체 둘레에 걸쳐 절결되어 단차부(51)가 형성되어 있으며, 웨이퍼(W)의 배치 영역(32)으로부터 돌출한 주연부가 상기 포커스 링(5)의 단차부(51)에 들어가게 되어 있다. 또한, 배치 영역(32)의 외주면(32a)과 포커스 링(5)의 단차부(51)의 하부측 내주면(52) 사이에는 작은 간극이 형성되도록 배치 영역(32) 및 포커스 링(5)의 형상이 설정되어 있다. 이렇게 해서, 웨이퍼(W)를 배치 영역(32)에 배치하면, 포커스 링(5)이 웨이퍼(W)의 주연부의 이면측으로부터 측방을 둘러싸도록 설치되게 된다.As shown in FIGS. 2 and 3, the bottom surface (step surface) of the stepped portion 31 formed at the periphery of the upper surface of the mounting table 3 is provided with a focus ring (eg, an insulating member 6 and a heat transfer member 7). 5) is installed. The focus ring 5 is provided on the mounting table 3 so as to surround the mounting area 32, and forms a ring member for adjusting the state of the plasma. The focus ring 5 is made of, for example, a conductive member such as silicon. . The inner circumferential edge of the focus ring 5 is cut out over its entire circumference to form a stepped portion 51, and the peripheral portion protruding from the placement area 32 of the wafer W is the stepped portion of the focus ring 5. It is supposed to enter (51). In addition, the arrangement region 32 and the focus ring 5 are formed so that a small gap is formed between the outer circumferential surface 32a of the arrangement region 32 and the lower inner circumferential surface 52 of the step portion 51 of the focus ring 5. The shape is set. In this way, when the wafer W is disposed in the placement region 32, the focus ring 5 is provided so as to surround the side from the rear surface side of the peripheral portion of the wafer W.

또한, 상기 배치대(3)의 단차부(31)와 포커스 링(5)의 하면 사이에는, 절연 부재(6)와 전열 부재(7)가 배치대(3) 상의 웨이퍼(W)의 직경 방향으로 늘어서도록 설치된다. 상기 절연 부재(6)는, 도 2 및 도 3에 도시한 바와 같이 배치대(3)의 상면과 포커스 링(5)의 하면 사이에서 포커스 링(5)을 따라 배치대(3) 상의 웨이퍼(W)의 중심에 대하여 동심원 형태로 설치되고, 상기 웨이퍼(W)의 이면측에 플라즈마 중의 이온을 인입하도록 상기 포커스 링과 웨이퍼(W) 간의 전위차를 조정하는 역할을 한다. 이 예의 절연 부재(6)는, 링형으로 구성되고, 포커스 링(5)의 하면에 접촉하며, 포커스 링(5)의 단차부(51)의 하부 측의 내주면(52)과 배치대(3)의 배치 영역(32)의 외주면(32a) 사이의 간극을 메우도록 설치된다. 이 절연 부재(6)는, 석영 이외에, 예컨대 이산화규소(SiO2)나 세라믹스, 질화알루미늄(AlN), 사파이어 등에 의해 구성할 수 있다.In addition, between the step portion 31 of the mounting table 3 and the lower surface of the focus ring 5, the insulating member 6 and the heat transfer member 7 are disposed in the radial direction of the wafer W on the mounting table 3. It is installed to line up with. As shown in FIGS. 2 and 3, the insulating member 6 includes a wafer on the mounting table 3 along the focus ring 5 between the upper surface of the mounting table 3 and the lower surface of the focus ring 5. It is provided in a concentric manner with respect to the center of W), and serves to adjust the potential difference between the focus ring and the wafer W to introduce ions in the plasma to the back surface side of the wafer W. The insulating member 6 of this example is comprised in a ring shape, contacts the lower surface of the focus ring 5, and the inner peripheral surface 52 and the mounting table 3 of the lower side of the step part 51 of the focus ring 5 are arranged. It is provided so as to fill the gap between the outer peripheral surface 32a of the arrangement area 32. In addition to quartz, the insulating member 6 can be made of, for example, silicon dioxide (SiO 2 ), ceramics, aluminum nitride (AlN), sapphire, or the like.

또한, 상기 전열 부재(7)는, 절연 부재(6)에 대하여 배치대(3) 상의 웨이퍼(W)의 직경 방향으로 인접한 위치이며, 상기 배치대(3)의 상면과 상기 포커스 링(5)의 하면 사이에서 이들 상면 및 하면에 밀착되고 포커스 링(5)을 따라 설치된다. 이 예에서, 전열 부재(7)는 절연 부재(6)에 대하여 상기 웨이퍼(W)의 직경 방향 외측에 설치된다. 이 전열 부재(7)는, 포커스 링(5)을 냉각하여 웨이퍼(W)에 대한 라디칼 종이나 반응 부생성물 등의 부착을 억제하는 효과가 현저해지는 정도의 열전도성을 얻을 수 있는 것으로서, 이 예에서는 열전도성이 높은 재료인, 알루미나를 충전한 고분자 실리콘 겔에 의해 구성된다. 또한, 전열 부재(7)는, 상기 고분자 실리콘 겔 이외에, 실리콘계 수지나 카본계 수지, 불소계 수지 등의 열전도 계수가 높은 재료로 구성할 수 있다.The heat transfer member 7 is a position adjacent to the insulating member 6 in the radial direction of the wafer W on the mounting table 3, and the upper surface of the mounting table 3 and the focus ring 5 are positioned. The upper surface and the lower surface are in close contact with each other and are installed along the focus ring 5. In this example, the heat transfer member 7 is provided on the radially outer side of the wafer W with respect to the insulation member 6. This heat transfer member 7 can obtain the thermal conductivity to the extent that the effect of suppressing adhesion of radical species, reaction by-products, etc. to the wafer W by cooling the focus ring 5 is remarkable. Is composed of a polymer silicon gel filled with alumina, which is a material having high thermal conductivity. In addition to the polymer silicone gel, the heat transfer member 7 may be made of a material having a high thermal conductivity such as silicone resin, carbon resin, or fluorine resin.

이 예에서는, 절연 부재(6)의 상면은 전열 부재(7)의 상면의 높이와 일치하도록 구성되고, 이들 절연 부재(6)와 전열 부재(7)의 위에 포커스 링(5)을 배치함으로써, 석영제의 절연 부재(6)에 의해 높이가 규제된 상태에서 포커스 링(5)이 배치대(3)의 단차부(31) 상에 설치된다. 이때, 전열 부재(7)로서, 점착성 있는 탄성체로 이루어지는 알루미나를 충전한 고분자 실리콘 겔을 이용하기 때문에, 그 점착성에 의해 전열 부재(7)와 포커스 링(5) 사이 및 전열 부재(7)와 배치대(3)의 단차부(31) 사이의 밀착성이 확보된다. 또한, 포커스 링(5)이 절연 부재(6)와 전열 부재(7)의 위에 설치된 때에, 웨이퍼(W)와 포커스 링(5) 간의 전위차를 소정의 범위로 조정하고, 포커스 링(5)이 좌우 방향[배치대(3) 상의 웨이퍼(W)의 직경 방향]으로 기울지 않도록 상하 방향의 크기(높이 L1)나 좌우 방향의 크기(폭 L2, L3)가 각각 설정된다.In this example, the upper surface of the insulating member 6 is configured to coincide with the height of the upper surface of the heat transfer member 7, and by arranging the focus ring 5 on the insulating member 6 and the heat transfer member 7, The focus ring 5 is provided on the stepped portion 31 of the mounting table 3 in a state where the height is restricted by the insulating member 6 made of quartz. At this time, since the polymer silicone gel filled with the alumina which consists of an adhesive elastic body is used as the heat transfer member 7, it arrange | positions between the heat transfer member 7 and the focus ring 5, and the heat transfer member 7 by the adhesiveness. Adhesion between the stepped portions 31 of the table 3 is secured. In addition, when the focus ring 5 is provided on the insulating member 6 and the heat transfer member 7, the potential difference between the wafer W and the focus ring 5 is adjusted to a predetermined range, and the focus ring 5 is The size in the vertical direction (height L1) and the size in the horizontal direction (width L2, L3) are set so as not to incline in the left-right direction (the radial direction of the wafer W on the placement table 3).

상기 플라즈마 에칭 장치(2)는 제어부(100)에 의해 제어되도록 구성되어 있다. 이 제어부(100)는 예컨대 컴퓨터로 이루어지고, 프로그램, 메모리, CPU를 구비하고 있다. 상기 프로그램에는 제어부(100)로부터 플라즈마 에칭 장치(2)의 각 부에 제어 신호를 송신하여 소정의 에칭 처리를 진행시키도록 명령(각 스텝)이 포함되어 있다. 이 프로그램은 컴퓨터 기억 매체, 예컨대 플렉시블 디스크, 컴팩트 디스크, 하드디스크, MO(광자기 디스크) 등의 기억부에 저장되며 제어부(100)에 인스톨된다.The plasma etching apparatus 2 is configured to be controlled by the controller 100. This control part 100 consists of a computer, for example, and is provided with a program, a memory, and a CPU. The program includes a command (each step) to send a control signal from the control part 100 to each part of the plasma etching apparatus 2 to advance a predetermined etching process. This program is stored in a storage unit such as a computer storage medium, such as a flexible disk, a compact disk, a hard disk, or an MO (magnet) disk, and is installed in the control unit 100.

여기서, 상기 프로그램은 정전 척(33)의 스위치(35), 고주파 전원부(38, 46)의 온/오프, 가스 공급계(41)에 의한 처리 가스의 공급 개시 및 공급 정지, 진공 펌프(25)의 밸브(V)의 개폐 등을 제어하기 위한 프로그램을 포함하고, 제어부(100)의 메모리에 미리 기억된 프로세스 레시피에 따라서 상기 각 부가 제어되도록 구성된다.Here, the program includes the switch 35 of the electrostatic chuck 33, the on / off of the high frequency power supply units 38 and 46, the start and stop of supply of the processing gas by the gas supply system 41, and the vacuum pump 25. The program includes a program for controlling opening and closing of the valve V and the like, and is configured to control the respective parts according to the process recipe previously stored in the memory of the controller 100.

계속해서, 전술한 플라즈마 에칭 장치(2)의 작용에 관해서 설명한다. 우선, 셔터(26)를 개방하고, 도시하지 않은 진공 반송실로부터 도시하지 않은 반송 아암에 의해 반송구(27)를 통해 웨이퍼(W)가 처리 용기(20) 내에 반입된다. 그리고, 웨이퍼(W)는 도시하지 않은 승강 핀과 상기 반송 아암의 협동 작업에 의해 정전 척(33) 상에 전달되어 흡착 유지된다. 계속해서, 셔터(26)를 폐쇄한 후, 진공 펌프(25)에 의해 처리 용기(20) 내를 진공 배기하면서, 가스 공급계(41)로부터 샤워 헤드(4)를 통해 소정의 처리 가스(에칭 가스)를 공급한다.Subsequently, the operation of the above-described plasma etching apparatus 2 will be described. First, the shutter 26 is opened, and the wafer W is carried into the processing container 20 from the vacuum conveyance chamber (not shown) through the conveyance port 27 by the conveying arm (not shown). The wafer W is transferred to and held on the electrostatic chuck 33 by the cooperative work between the lifting pin and the transfer arm (not shown). Subsequently, after the shutter 26 is closed, the predetermined processing gas (etching) from the gas supply system 41 through the shower head 4 while evacuating the inside of the processing container 20 by the vacuum pump 25. Gas).

한편, 고주파 전원부(46)로부터 샤워 헤드(4)에 플라즈마 발생용 고주파 전력을 공급하고 고주파 전원부(38)로부터 배치대(3)에 바이어스용 고주파 전력을 공급하여 플라즈마를 발생시키며, 이 플라즈마에 의해 웨이퍼(W)에 대하여 에칭 처리를 한다.On the other hand, the high frequency power for plasma generation is supplied from the high frequency power supply part 46 to the shower head 4, and the high frequency power for bias is supplied from the high frequency power supply part 38 to the mounting table 3, and a plasma is generated by this plasma. The wafer W is etched.

플라즈마 처리 중에, 배치대(3) 상의 웨이퍼(W)는 플라즈마에 노출되기 때문에 플라즈마로부터 흡열하지만, 전술한 바와 같이, 배치대(3)는 냉매의 순환에 의해 냉각되고 미리 설정된 기준 온도로 유지되고 있기 때문에 웨이퍼(W)의 열이 He 가스를 통해 배치대(3)에 방열되게 된다. 따라서, 웨이퍼(W)는 플라즈마의 흡열과 배치대(3)에 방열되는 작용 간의 열 밸런스에 의해 소정의 온도로 유지된다.During the plasma treatment, the wafer W on the mounting table 3 is endothermic from the plasma because it is exposed to the plasma, but as described above, the mounting table 3 is cooled by circulation of the refrigerant and maintained at a predetermined reference temperature. As a result, heat of the wafer W is radiated to the mounting table 3 through the He gas. Therefore, the wafer W is maintained at a predetermined temperature by the heat balance between the heat absorption of the plasma and the heat dissipation to the mounting table 3.

또한, 포커스 링(5)도 플라즈마에 노출됨으로써 플라즈마로부터 흡열하지만, 포커스 링(5)은 열전도성이 높은 전열 부재(7)를 통해 배치대(3) 상에 설치되어 있고, 전열 부재(7)의 점착성에 의해 포커스 링(5)의 하면과 전열 부재(7)의 상면, 전열 부재(7)의 하면과 배치대(3)의 상면이 각각 밀착해 있기 때문에, 포커스 링(5)의 열은 도 4에 도시한 바와 같이 전열 부재(7)를 통해 배치대(3)에 신속하게 전열되어 간다. 이렇게 해서, 전열 부재(7)에 의해, 후술하는 실시예로부터 분명한 바와 같이, 플라즈마 처리 중에 포커스 링(5)이 냉각되고, 배치대(3) 상의 웨이퍼(W)와 포커스 링(5) 간의 온도차가 없어진다. 이 결과, 웨이퍼(W)의 이면측 주연부에 라디칼 종이나 반응 부생성물이 선택적으로 진입해 나가는 것이 억제된다. 이와 같이, 플라즈마 처리 중에 포커스 링(5)이 냉각되고, 배치대(3) 상의 웨이퍼(W)와 포커스 링(5) 간의 온도차가 없어지기 때문에, 웨이퍼(W)에 대한 라디칼 종이나 반응 부생성물의 부착을 억제하는 효과가 현저해진다.The focus ring 5 is also absorbed from the plasma by being exposed to the plasma, but the focus ring 5 is provided on the mounting table 3 through the heat transfer member 7 having high thermal conductivity, and the heat transfer member 7 is provided. Because of the adhesion of the bottom surface of the focus ring 5 and the top surface of the heat transfer member 7, the bottom surface of the heat transfer member 7 and the top surface of the mounting table 3 are in close contact with each other, the heat of the focus ring 5 is As shown in FIG. 4, heat is rapidly transferred to the mounting table 3 through the heat transfer member 7. In this way, the heat transfer member 7 cools the focus ring 5 during the plasma treatment, as apparent from the embodiment described later, and the temperature difference between the wafer W on the mounting table 3 and the focus ring 5. Disappears. As a result, selective entry of radical species and reaction by-products into the peripheral portion on the back side of the wafer W is suppressed. In this way, the focus ring 5 is cooled during the plasma treatment, and the temperature difference between the wafer W and the focus ring 5 on the mounting table 3 disappears, so that the radical species or reaction by-products on the wafer W are eliminated. The effect of suppressing the adhesion of is remarkable.

또한, 절연 부재(6)에 의해 포커스 링(5)의 전위가 조정되고, 포커스 링(5)의 전위보다 웨이퍼(W)의 전위쪽이 낮아지도록(마이너스로 커지도록) 포커스 링(5)과 웨이퍼(W) 간의 전위차가 조정되기 때문에, 플라즈마 중의 이온이 웨이퍼(W)에 인입된다. 이에 따라, 도 4에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)의 이면측으로 돌아 들어가도록 플라즈마 중의 이온의 궤도가 제어되어 웨이퍼(W)의 이면에 상기 폴리머가 형성되었다고 해도, 이 폴리머가 스퍼터에 의해 제거된다. 또한, 절연 부재(6)에도 플라즈마가 조사되지만, 이 플라즈마의 스퍼터에 의해, 석영으로 구성된 절연 부재(6)로부터 O 라디칼이 생성되고, 이 O 라디칼에 의해서도, 상기 웨이퍼(W)의 이면에 형성되는 폴리머가 제거된다. In addition, the potential of the focus ring 5 is adjusted by the insulating member 6, so that the potential of the wafer W is lowered (negatively larger) than the potential of the focus ring 5 and the focus ring 5. Since the potential difference between the wafers W is adjusted, ions in the plasma are introduced into the wafers W. FIG. As a result, as shown in FIG. 4, even if the trajectory of the ions in the plasma is controlled to return to the back side of the wafer W and the polymer is formed on the back side of the wafer W, the polymer is removed by sputtering. do. In addition, although plasma is irradiated to the insulating member 6, O radical is produced | generated from the insulating member 6 comprised from quartz by the sputter | spatter of this plasma, and this O radical also forms in the back surface of the said wafer W. The polymer is removed.

이렇게 해서, 소정 시간 웨이퍼(W)에 대한 에칭 처리를 한 후, 처리 가스의 공급을 정지하고, 고주파 전원부(38, 46)로부터의 고주파 전력의 공급을 정지하고, 진공 펌프(25)에 의한 처리 용기(20) 내의 진공 배기를 정지하여, 웨이퍼(W)를 처리 용기(20)의 외부로 반출한다.In this way, after performing the etching process with respect to the wafer W for predetermined time, supply of a process gas is stopped, supply of high frequency electric power from the high frequency power supply parts 38 and 46 is stopped, and the process by the vacuum pump 25 is performed. Vacuum evacuation in the vessel 20 is stopped, and the wafer W is carried out of the processing vessel 20.

전술한 실시형태에 따르면, 포커스 링(5)의 아래 방향 쪽에 절연 부재(6) 및 전열 부재(7)를 설치하고 있으므로, 플라즈마 처리 중의 포커스 링(5)이 냉각되어 웨이퍼(W)의 이면측 주연부에의 폴리머(퇴적물)의 부착이 억제된다. 이 때, 전열 부재(7)는 배치대(3) 상의 웨이퍼(W)와 동심원 형태로 설치되어 있기 때문에, 포커스 링(5)이 웨이퍼(W)의 주위 방향에 있어서 거의 균일하게 냉각된다. 또한, 포커스 링(5)의 온도 상승이 억제되고 온도가 안정적이기 때문에, 포커스 링(5)의 온도 변화에 의해 웨이퍼(W)의 이면측으로 돌아 들어가는 플라즈마 중의 이온의 궤도가 변화될 우려가 없다. 이 때문에, 웨이퍼(W)의 이면측에 형성된 폴리머를 스퍼터에 의해 안정적으로 제거할 수 있어, 상기 폴리머의 부착량을 저감할 수 있다. According to the above-mentioned embodiment, since the insulating member 6 and the heat transfer member 7 are provided below the focus ring 5, the focus ring 5 during the plasma processing is cooled to the back side of the wafer W. As shown in FIG. The adhesion of the polymer (sediment) to the peripheral edge is suppressed. At this time, since the heat transfer member 7 is provided concentrically with the wafer W on the mounting table 3, the focus ring 5 is cooled almost uniformly in the circumferential direction of the wafer W. As shown in FIG. In addition, since the temperature rise of the focus ring 5 is suppressed and the temperature is stable, there is no fear that the trajectory of the ions in the plasma returning to the back side of the wafer W is changed by the temperature change of the focus ring 5. For this reason, the polymer formed in the back surface side of the wafer W can be removed stably by sputtering, and the adhesion amount of the said polymer can be reduced.

또한, 절연 부재(6)와 전열 부재(7)는 배치대(3) 상의 웨이퍼(W)의 직경 방향으로 서로 인접하게 설치되고, 포커스 링(5)은 이들 절연 부재(6) 및 전열 부재(7)의 위에 배치된다. 이때, 포커스 링(5)은 석영으로 이루어지는 절연 부재(6)로써 높이가 규정되기 때문에, 포커스 링(5)의 높이가 변화될 우려가 없고, 웨이퍼(W)의 주연부의 플라즈마의 혼란이 억제된다. 또한, 절연 부재(6)와 포커스 링(5) 사이에 전열 부재(7)가 개재되어 있지 않기 때문에, 포커스 링(5)의 아래 방향 쪽의 임피던스가 변화될 우려가 없고, 플라즈마 처리 중의 포커스 링의 전위가 안정된다. In addition, the insulating member 6 and the heat transfer member 7 are provided adjacent to each other in the radial direction of the wafer W on the mounting table 3, and the focus ring 5 is provided with these insulating members 6 and the heat transfer member ( 7) is placed on top of it. At this time, since the height of the focus ring 5 is defined by the insulating member 6 made of quartz, there is no fear that the height of the focus ring 5 is changed, and the confusion of the plasma of the peripheral portion of the wafer W is suppressed. . In addition, since the heat transfer member 7 is not interposed between the insulating member 6 and the focus ring 5, there is no fear that the impedance in the downward direction of the focus ring 5 will change, and the focus ring during the plasma processing will not be changed. The potential of is stabilized.

이와 같이, 포커스 링(5)과 배치대(3) 사이에는 절연 부재(6)를 통해 양자를 전기적으로 접속하는 부위와 전열 부재(7)를 통해 양자를 열적으로 접속하는 부위가 별개로 존재하게 된다. 이에 따라, 절연 부재(6)에 의한 전기적인 제어와 전열 부재(7)에 의한 온도 제어가 각각 독립적으로 행해지기 때문에, 이들 제어의 복잡화를 억제할 수 있다. 나아가, 전술한 실시형태에서는, 절연 부재(6)가 배치 영역(32) 측이 되도록 설치되기 때문에, 절연 부재(6)가 배치대(3) 상의 웨이퍼(W)의 근방에 위치하고, 이미 설명한 O 라디칼에 의한 폴리머의 제거가 신속하게 진행한다.As such, a portion between the focus ring 5 and the mounting table 3 electrically connecting the two via the insulating member 6 and a portion thermally connecting the two through the heat transfer member 7 may be present. do. Thereby, since electrical control by the insulating member 6 and temperature control by the heat transfer member 7 are performed independently, the complexity of these control can be suppressed. Furthermore, in the above-mentioned embodiment, since the insulating member 6 is provided so that it may become the arrangement | positioning area | region 32 side, the insulating member 6 is located in the vicinity of the wafer W on the mounting table 3, and has already described O Removal of the polymer by radicals proceeds quickly.

이상에 있어서, 본 실시형태에서는, 절연 부재와 전열 부재가 포커스 링(5)과 배치대(3) 사이에서 배치대(3) 상의 웨이퍼(W)의 직경 방향으로 서로 인접하게 설치되면 좋고, 도 5에 도시한 바와 같이, 절연 부재(61)가 전열 부재(71)에 대하여 상기 웨이퍼(W)의 직경 방향의 외측에 설치되도록 배치해도 좋다. 이 예에서는, 전열 부재(71)는 그 내주면(70)이 포커스 링(5)의 단차부(51)의 하부측의 내주면(52)과 상하 방향으로 정렬되도록 설치된다.As described above, in the present embodiment, the insulating member and the heat transfer member may be provided adjacent to each other in the radial direction of the wafer W on the mounting table 3 between the focus ring 5 and the mounting table 3. As shown in FIG. 5, the insulating member 61 may be disposed so as to be provided outside the radial direction of the wafer W with respect to the heat transfer member 71. In this example, the heat transfer member 71 is provided such that the inner circumferential surface 70 is aligned with the inner circumferential surface 52 on the lower side of the step portion 51 of the focus ring 5 in the vertical direction.

계속해서, 본 발명의 제2 실시형태에 관해서 도 6 및 도 7을 참조하여 설명한다. 이 예는, 절연 부재와 전열 부재가 배치 영역(32)의 외측에 동심원 형태로 설치되는 구성에 있어서, 전열 부재(72)의 좌우 양측[배치대(3) 상의 웨이퍼(W)의 직경 방향의 양측]에 제1 절연 부재(62a) 및 제2 절연 부재(62b)를 각각 서로 인접하게 설치한 것이다. 이러한 구성은, 절연 부재(62a, 62b) 및 시트형의 전열 부재(72)를 각각 환상으로 형성하고, 배치대(3)의 단차부(31)의 상면에 배치대(3) 상의 웨이퍼(W)의 직경 방향의 내측으로부터 외측을 향하여 제1 절연 부재(62a), 전열 부재(72), 제2 절연 부재(62b)가 이 순서로 나란히 늘어서도록 배열함으로써 형성된다.Subsequently, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 6 and 7. In this example, in the configuration in which the insulating member and the heat transfer member are provided in the form of concentric circles on the outer side of the placement region 32, the left and right sides of the heat transfer member 72 (the radial direction of the wafer W on the placement table 3). Both sides] are provided with the first insulating member 62a and the second insulating member 62b adjacent to each other. This configuration forms the insulating members 62a and 62b and the sheet-shaped heat transfer member 72 in an annular shape, respectively, and the wafer W on the mounting table 3 on the upper surface of the stepped portion 31 of the mounting table 3. It is formed by arranging the first insulating member 62a, the heat transfer member 72, and the second insulating member 62b side by side in this order from the inner side in the radial direction to the outer side.

이 예에 있어서도, 예컨대 석영으로 구성된 제1 절연 부재(62a) 및 제2 절연 부재(62b)에 의해, 포커스 링(5)이 그 높이 위치가 규제된 상태로 설치된다. 또한, 전열 부재(72)는 점착성을 갖고 있기 때문에, 그 점착성에 의해 포커스 링(5)과 전열 부재(72) 사이 및 전열 부재(72)와 배치대(3) 사이가 각각 밀착된다. Also in this example, the focus ring 5 is provided in a state where the height position is restricted by, for example, the first insulating member 62a and the second insulating member 62b made of quartz. In addition, since the heat-transfer member 72 has adhesiveness, between the focus ring 5 and the heat-transfer member 72, and between the heat-transfer member 72 and the mounting table 3 by adhesiveness, respectively.

이 구성에 있어서도, 배치대(3)와 포커스 링(5) 사이에, 절연 부재(62a, 62b)와 전열 부재(72)가 좌우 방향으로 인접하게 설치되기 때문에, 포커스 링(5)이 주위 방향을 따라 거의 균일하게 냉각되고, 웨이퍼(W)의 이면측에 부착되는 폴리머의 부착량을 저감할 수 있다. 또한, 전열 부재(72)의 좌우 방향의 양측에 절연 부재(62a, 62b)가 설치되기 때문에, 포커스 링(5)의 높이의 변화를 더욱 억제한 상태로 전열 부재(72)와 포커스 링(5) 및 배치대(3)와의 밀착성을 확보할 수 있다. 나아가, 절연 부재(62a, 62b)에 의한 포커스 링(5)의 전기적 제어와 전열 부재(72)에 의한 포커스 링(5)의 온도 제어를 독립적으로 할 수 있다. Also in this configuration, since the insulating members 62a and 62b and the heat transfer member 72 are disposed adjacent to each other in the lateral direction between the mounting table 3 and the focus ring 5, the focus ring 5 is circumferentially directed. As a result, the amount of adhesion of the polymer that is cooled almost uniformly and adhered to the back surface side of the wafer W can be reduced. In addition, since the insulating members 62a and 62b are provided on both sides in the left and right direction of the heat transfer member 72, the heat transfer member 72 and the focus ring 5 are further suppressed in the state where the change of the height of the focus ring 5 is further suppressed. ) And the mounting table 3 can be secured. Furthermore, electrical control of the focus ring 5 by the insulating members 62a and 62b and temperature control of the focus ring 5 by the heat transfer member 72 can be performed independently.

더 나아가, 전열 부재(72)가 절연 부재(62a, 62b)에 의해 둘러싸인 상태이기 때문에, 전열 부재(72)가 플라즈마에 의해 스퍼터되기 어렵게 된다. 이에 따라, 전열 부재(72)의 소모나 열화를 억제할 수 있기 때문에, 포커스 링(5)의 온도 제어를 장기적으로 안정적으로 할 수 있다.Furthermore, since the heat transfer member 72 is surrounded by the insulation members 62a and 62b, the heat transfer member 72 is less likely to be sputtered by the plasma. Thereby, since consumption and deterioration of the heat transfer member 72 can be suppressed, temperature control of the focus ring 5 can be performed stably for a long term.

계속해서, 본 실시형태의 변형예에 관해서, 도 8?도 10을 이용하여 설명한다. 도 8의 예는, 절연 부재(63)와 전열 부재(73)가 배치 영역(32)의 외측에 해당 배치 영역(32)과 동심원 형태로 설치되는 구성에 있어서, 전열 부재(73)를 배치대(3) 상의 웨이퍼(W)의 주위 방향을 따라 서로 간격을 두고 설치한 것이다. 이 때, 도 8 중 A-A 선을 따른 단면은 도 6에 도시한 바와 같이 구성된다.Next, the modification of this embodiment is demonstrated using FIGS. 8-10. In the example of FIG. 8, in the structure in which the insulating member 63 and the heat-transfer member 73 are provided in the concentric form with the said placement area | region 32 on the outer side of the placement area | region 32, the heat transfer member 73 is mounted to a mounting table. It is provided at intervals along the circumferential direction of the wafer W on (3). At this time, the cross section along the A-A line in FIG. 8 is configured as shown in FIG.

이 때, 도 9에 도시한 바와 같이, 절연 부재(64)의 내부에 다수의 전열 부재(74)를 배치 영역(32)과 동심원 형태로 서로 간격을 두고 설치하도록 해도 좋다. 이 때, 도 9 중 B-B 선을 따른 단면은 도 6에 도시한 바와 같이 구성된다.At this time, as shown in FIG. 9, a plurality of heat transfer members 74 may be provided in the insulating member 64 at a spaced interval from the placement region 32 in a concentric manner. At this time, the cross section along the B-B line in FIG. 9 is comprised as shown in FIG.

이들 도 8 및 도 9의 구성은, 예컨대 석영 링에 의해 구성된 절연 부재(63, 64)에 소정 간격을 두고 절결을 형성하고, 이 절결 부위에, 점착성이 있는 탄성체로 이루어지는 전열 부재(73, 74)를 매립함으로써 구성된다. 이때, 전열 부재(73, 74)는, 그 상면이 포커스 링(5)에 밀착하고, 그 하면이 배치대(3)에 밀착하도록 절연 부재(63, 64)에 각각 설치된다.8 and 9 form cutouts at predetermined intervals in the insulating members 63 and 64 made of, for example, quartz rings, and the heat transfer members 73 and 74 made of a viscous elastic body at the cutout portions. ) Is embedded. At this time, the heat transfer members 73 and 74 are attached to the insulation members 63 and 64 so that their upper surfaces are in close contact with the focus ring 5 and their lower surfaces are in close contact with the mounting table 3.

이들 구성에서도, 절연 부재(63; 64)와 전열 부재(73; 74)는, 배치대(3)와 포커스 링(5) 사이에 전열 부재(73; 74)의 좌우 양측에 절연 부재(63, 64)가 인접하게 설치되기 때문에, 전술한 제2 실시형태와 동일한 효과를 얻을 수 있다.Also in these configurations, the insulating members 63 and 64 and the heat transfer members 73 and 74 are disposed between the left and right sides of the heat transfer members 73 and 74 between the mounting table 3 and the focus ring 5. Since 64) is provided adjacent, the same effect as the above-mentioned 2nd Embodiment can be acquired.

또한, 도 10에 도시하는 예는, 절연 부재와 전열 부재가 배치 영역(32)의 외측에 해당 배치 영역(32)과 동심원 형태로 설치되는 구성에 있어서, 절연 부재(65a?65c)와 시트형 전열 부재(75a, 75b)를 배치대(3) 상의 웨이퍼(W)의 직경 방향으로 적층하도록 설치한 것이다. 이러한 구성은, 도 10의 (a) 및 (b)에 도시한 바와 같이, 석영 링에 의해 구성된 절연 부재(65a?65c)를 준비하고, 2개의 절연 부재(65a, 65b; 65b, 65c)에 의해 환상의 얇은 시트형 전열 부재(75a; 75b)를 양측으로부터 끼움으로써 구성된다. 전열 부재(75a; 75b)는 그 상면이 포커스 링(5)에 밀착하고 그 하면이 배치대(3)에 밀착하도록 절연 부재(65a?65c)에 설치된다.In addition, in the example shown in FIG. 10, the insulation member and the heat-transfer member are arrange | positioned at the outer side of the arrangement | positioning area 32 in the concentric form with the said arrangement | positioning area 32, Insulation member 65a-65c and sheet-like heat transfer The members 75a and 75b are provided so as to be laminated in the radial direction of the wafer W on the mounting table 3. As shown in Figs. 10A and 10B, such a structure is provided with insulating members 65a to 65c made of quartz rings, and the two insulating members 65a, 65b; 65b, 65c are provided. It is comprised by fitting the annular thin sheet-shaped heat transfer member 75a; 75b from both sides. The heat transfer members 75a and 75b are provided on the insulating members 65a to 65c so that their upper surfaces are in close contact with the focus ring 5 and their lower surfaces are in close contact with the mounting table 3.

여기서, 상기 전열 부재(75a; 75b)의 상하 양단은 포커스 링(5)과 배치대(3)를 열적으로 접촉시키기 위해서 각각 포커스 링(5)의 하면 및 배치대(3)의 상면 및 하면에 밀착하도록 설치된다. 이때, 도 10의 (c)에 도시한 바와 같이, 전열 부재(75a; 75b)의 상하 양단이 절연 부재(65a?65c)의 상면 및 하면으로부터 돌출하도록 설치하고, 포커스 링(5)의 하면 및 배치대(3)의 상면에 상기 돌출한 부분에 대응하는 홈부(50, 30)를 마련하고, 이 돌출 부분 및 홈부(50, 30)를 통해 전열 부재(75a; 75b)를 포커스 링(5) 및 배치대(3)에 밀착시키도록 해도 좋다.Here, the upper and lower ends of the heat transfer members 75a and 75b are disposed on the lower surface of the focus ring 5 and the upper and lower surfaces of the mounting table 3, respectively, in order to thermally contact the focus ring 5 and the mounting table 3. It is installed to be in close contact. At this time, as shown in FIG. 10C, the upper and lower ends of the heat transfer members 75a and 75b protrude from the upper and lower surfaces of the insulating members 65a to 65c, and the lower surface of the focus ring 5 and Grooves 50 and 30 corresponding to the protruding portions are provided on the upper surface of the mounting table 3, and the heat transfer members 75a and 75b are transferred to the focus ring 5 through the protruding portions and the grooves 50 and 30. And the mounting table 3.

이 구성에 있어서도, 절연 부재(65a?65c)와 전열 부재(75a, 75b)는 배치대(3)와 포커스 링(5) 사이에서 전열 부재(75)의 좌우 양측에 절연 부재(65)가 인접하도록 설치되기 때문에, 전술한 제2 실시형태와 동일한 효과를 얻을 수 있다.Also in this configuration, the insulating members 65a and 65c and the heat transfer members 75a and 75b are adjacent to the left and right sides of the heat transfer member 75 between the mounting table 3 and the focus ring 5. Since it is provided so that the same effect as 2nd Embodiment mentioned above can be acquired.

계속해서, 본 발명의 제3 실시형태에 관해서 도 11을 참조하여 설명한다. 이 예는, 절연 부재(66)와 배치대(3) 사이에 복수 개의 하측 전열 부재(76a)를 설치하고, 절연 부재(66)와 포커스 링(5) 사이에 복수 개의 상측 전열 부재(76b)를 설치하는 구성이다. 상기 복수 개의 하측 전열 부재(76a)는, 절연 부재(66)와 배치대(3)의 상면 사이에서 양자에 밀착되고, 각각 포커스 링(5)을 따라 링형으로, 그리고 서로 포커스 링(5)의 직경 방향으로 이격되게 설치된다. 또한, 상기 복수 개의 상측 전열 부재(76b)는, 절연 부재(66)와 포커스 링(5)의 하면 사이에서 양자에 밀착되고, 각각 포커스 링(5)을 따라 링형으로, 그리고 서로 포커스 링(5)의 직경 방향으로 이격되게 설치된다.Then, 3rd Embodiment of this invention is described with reference to FIG. In this example, a plurality of lower heat transfer members 76a are provided between the insulation member 66 and the mounting table 3, and a plurality of upper heat transfer members 76b are provided between the insulation member 66 and the focus ring 5. It is a configuration to install. The plurality of lower heat transfer members 76a are in close contact with each other between the insulating member 66 and the upper surface of the mounting table 3, and are each ring-shaped along the focus ring 5 and each other of the focus ring 5. It is installed spaced apart in the radial direction. Further, the plurality of upper heat transfer members 76b are in close contact with each other between the insulating member 66 and the lower surface of the focus ring 5, each in a ring shape along the focus ring 5, and the focus ring 5 with each other. ) Are spaced apart in the radial direction.

구체적으로는, 예컨대 도 11의 (b)에 도시한 바와 같이, 예컨대 석영 링으로 이루어지는 절연 부재(66)의 상하에, 복수 라인 예컨대 4 라인의 환상의 시트형 하측 전열 부재(76a) 및 상측 전열 부재(76b)를 부착함으로써 구성되어 있다. 또한, 각각의 전열 부재(76a, 76b)에는, 포커스 링(5)의 직경 방향으로 서로 인접하는 전열 부재(76a, 76b) 사이의 공간을 처리 용기(20) 내의 분위기에 연통시키도록, 복수 개의 절결부(77)가 주위 방향을 따라 형성된다. 이 예에서는 절연 부재(66)의 하측 전열 부재(76a)와 상측 전열 부재(76b)는 상하 방향으로 서로 중복되지 않도록 설치되지만, 이들 전열 부재(76a, 76b)는 상하 방향으로 서로 중복되도록 설치해도 좋다. 또한, 상기 절결부(77)는 하측 전열 부재(76a) 및 상측 전열 부재(76b) 중 적어도 한쪽에 형성하도록 해도 좋다.Specifically, for example, as shown in FIG. 11B, a plurality of lines, for example, an annular sheet-shaped lower heat transfer member 76a and an upper heat transfer member above and below the insulation member 66 made of, for example, a quartz ring. It is comprised by attaching 76b. In addition, in each heat transfer member 76a, 76b, the space between the heat transfer members 76a, 76b which adjoin each other in the radial direction of the focus ring 5 is communicated with the atmosphere in the process container 20, respectively. The notch 77 is formed along the circumferential direction. In this example, the lower heat transfer member 76a and the upper heat transfer member 76b of the insulating member 66 are provided so as not to overlap each other in the vertical direction, but these heat transfer members 76a and 76b may be provided so as to overlap each other in the vertical direction. good. The cutout portion 77 may be formed on at least one of the lower heat transfer member 76a and the upper heat transfer member 76b.

이 구성에 있어서는, 플라즈마 처리 중에 포커스 링(5)의 열은 상측 전열 부재(76b) → 절연 부재(66) → 하측 전열 부재(76a) → 배치대(3)의 경로로 이동하기 때문에, 플라즈마 처리 중에 있어서 포커스 링(5)이 냉각된다. 이에 따라, 전술한 제1 실시형태와 마찬가지로, 웨이퍼(W)의 이면측 주연부에 대한 폴리머의 부착량을 저감할 수 있다. 또한, 전열 부재(76a, 76b)는 배치 영역(32)과 동심원 형태로 설치되기 때문에, 포커스 링(5)을 주위 방향을 따라 거의 균일하게 냉각할 수 있다.In this configuration, since the heat of the focus ring 5 moves in the path of the upper heat transfer member 76b → the insulation member 66 → the lower heat transfer member 76a → the mounting table 3 during the plasma treatment, the plasma treatment is performed. The focus ring 5 is cooled in the middle. Thereby, similarly to 1st Embodiment mentioned above, the adhesion amount of a polymer with respect to the back side peripheral part of the wafer W can be reduced. In addition, since the heat-transfer members 76a and 76b are provided concentrically with the arrangement | positioning area 32, the focus ring 5 can be cooled substantially uniformly along the circumferential direction.

또한, 전열 부재(76a, 76b)는 절연 부재(66)에 면 접촉시키고 있기 때문에, 접착 시에 절연 부재(66)와 전열 부재(76a, 76b) 사이에 기포가 혼입될 우려가 있다. 이때, 전열 부재(76a, 76b)에는 절결부(77)가 형성되어 있기 때문에, 처리 용기(20) 내를 진공 배기할 때, 이 절결부(77)로부터 기포가 빠져나가고, 그 결과로서, 플라즈마 처리 시에는 절연 부재(66)와 전열 부재(76a, 76b) 사이에 기포가 거의 존재하지 않는 상태로 된다. 이에 따라, 전열 부재(76a, 76b)와 절연 부재(66) 간의 접촉 상태가 면 내[포커스 링(5)의 하면 전체]에 있어서 일정해지기 때문에, 포커스 링(5)의 열이 면 내에서 거의 균일하게 배치대(3) 측으로 이동하여, 포커스 링(5)을 거의 균일하게 온도 조정할 수 있다. In addition, since the heat-transfer members 76a and 76b are in surface contact with the insulating member 66, there exists a possibility that air bubbles may mix between the insulating member 66 and the heat-transfer members 76a and 76b at the time of adhesion | attachment. At this time, since the cutout portion 77 is formed in the heat transfer members 76a and 76b, bubbles are released from the cutout portion 77 when vacuuming the inside of the processing container 20, and as a result, the plasma At the time of processing, a bubble is hardly present between the insulating member 66 and the heat transfer members 76a and 76b. As a result, the contact state between the heat transfer members 76a and 76b and the insulating member 66 becomes constant in the plane (the entire lower surface of the focus ring 5), so that the heat of the focus ring 5 is in the plane. It moves to the mounting table 3 side substantially uniformly, and the focus ring 5 can be temperature-regulated almost uniformly.

이상에 있어서, 본 발명에서는, 도 12의 (a)에 도시한 바와 같이, 포커스 링(5)의 하면의 높이 위치가, 배치대(3) 상의 웨이퍼(W)의 직경 방향으로 서로 다른 경우도 본 발명의 범위에 포함된다. 또한, 도 12의 (b)에 도시한 바와 같이, 예컨대 절연 부재(68)와 전열 부재(78)를 상기 웨이퍼(W)의 직경 방향으로 늘어서 배열한 경우에, 절연 부재(68)의 내부에 전열 부재(78)의 일부가 들어가서, 상기 직경 방향의 일부에서 절연 부재(68)와 전열 부재(78)가 상하 방향으로 적층하는 경우도 본 발명의 범위에 포함된다. As described above, in the present invention, as shown in FIG. 12A, the height position of the lower surface of the focus ring 5 is also different from each other in the radial direction of the wafer W on the mounting table 3. It is included in the scope of the present invention. In addition, as shown in FIG. 12B, in the case where the insulating member 68 and the heat transfer member 78 are arranged in the radial direction of the wafer W, for example, inside the insulating member 68. A part of the heat transfer member 78 enters, and the case where the insulating member 68 and the heat transfer member 78 are laminated in the vertical direction in a part of the radial direction is also included in the scope of the present invention.

또한, 도 13에 도시한 바와 같이, 배치대(3)의 상면과 포커스 링(5)의 하면 사이에, 상기 배치대(3) 상의 웨이퍼(W)의 중심에 대하여 동심원 형태로 절연 부재(69)를 설치하고, 이 배치대(3)의 외측면과 절연 부재(69)의 외측면과 상기 포커스 링(5)의 외측면에 걸쳐, 이들 외측면에 밀착되게, 포커스 링(5)을 따라 전열 부재(79)를 설치하도록 해도 좋다. 이 구성에 있어서도, 포커스 링(5)의 열은 전열 부재(79)를 통해 배치대(3)에 전달되기 때문에, 플라즈마 처리 시에 포커스 링(5)이 냉각된다. 이때, 전열 부재(79)는 환상으로 구성되더라도 좋고, 배치대(3) 상의 웨이퍼(W)의 중심에 대하여 동심원 형태로 서로 간격을 두고 설치되더라도 좋다.In addition, as shown in FIG. 13, between the upper surface of the mounting table 3 and the lower surface of the focus ring 5, the insulating member 69 is formed concentrically with respect to the center of the wafer W on the mounting table 3. ) Along the focus ring 5 over the outer surface of the mounting table 3, the outer surface of the insulating member 69, and the outer surface of the focus ring 5, in close contact with these outer surfaces. The heat transfer member 79 may be provided. Also in this configuration, since the heat of the focus ring 5 is transmitted to the mounting table 3 through the heat transfer member 79, the focus ring 5 is cooled during the plasma processing. At this time, the heat transfer member 79 may be formed in an annular shape, or may be provided at intervals from each other in a concentric manner with respect to the center of the wafer W on the mounting table 3.

(실시예)(Example)

도 1의 플라즈마 에칭 장치를 이용하여 웨이퍼(W)에 대하여 플라즈마 처리를 하고, 이 때의 포커스 링(5)의 온도 변화를 측정했다. 이때, 플라즈마 발생용 고주파 전원부(46)로부터 1200W의 고주파 전력을 공급하고, 배치 영역(32) 상의 웨이퍼(W)를 30℃로 설정하며, 처리 가스로서 CF계 가스를 공급해서 5장의 웨이퍼(W)에 대하여 연속으로 플라즈마 처리를 하여, 포커스 링(5)의 온도를 저 코히어런스 광의 간섭을 이용한 온도계로 측정했다(실시예). 또한, 절연 부재(6)로서는 석영 링을 이용하고, 전열 부재(7)로서는 알루미나를 충전한 고분자 실리콘 겔에 의해 두께가 0.5 mm로 형성된 열전도 시트를 이용했다. 또한, 비교예로서, 전열 부재(7)를 설치하지 않은 경우에 대해서도 같은 플라즈마 처리를 하고, 이때의 포커스 링(5)의 온도를 측정했다.The plasma processing was performed on the wafer W using the plasma etching apparatus of FIG. 1, and the temperature change of the focus ring 5 at this time was measured. At this time, 1200W high frequency power is supplied from the high frequency power supply 46 for plasma generation, the wafer W on the placement region 32 is set to 30 ° C, CF gas is supplied as the processing gas, and five wafers W are supplied. ) Was continuously plasma treated, and the temperature of the focus ring 5 was measured by a thermometer using interference of low coherence light (Example). As the insulating member 6, a quartz ring was used, and as the heat transfer member 7, a heat conductive sheet having a thickness of 0.5 mm made of a polymer silicon gel filled with alumina was used. In addition, as a comparative example, the same plasma treatment was performed also when the heat transfer member 7 was not provided, and the temperature of the focus ring 5 at this time was measured.

이 결과를 도 14에 도시한다. 비교예, 실시예로부터, 플라즈마 발생의 타이밍에서 포커스 링(5)의 온도가 상승하여 플라즈마로부터 포커스 링(5)에 흡열되는 것이 이해된다. 다만, 실시예에서는, 처리 시간이 경과해도 포커스 링(5)의 온도 변화는 거의 동일하고, 전열 부재(7)를 설치함으로써 포커스 링(5)의 열이 배치대(3)로 이동하고 포커스 링(5)에의 열의 축적이 억제되어, 포커스 링(5)을 약 50℃ 정도로 냉각할 수 있는 것으로 확인되었다. 한편, 비교예에서는, 처리 시간의 경과에 따라 포커스 링(5)의 온도가 상승하고, 플라즈마를 계속해서 조사하면, 포커스 링(5)에 축열되어, 포커스 링(5)이 약 230℃까지 상승하는 것으로 이해된다.This result is shown in FIG. From the comparative example and the embodiment, it is understood that the temperature of the focus ring 5 rises at the timing of plasma generation and is absorbed from the plasma to the focus ring 5. However, in the embodiment, even if the processing time has elapsed, the temperature change of the focus ring 5 is almost the same. By providing the heat transfer member 7, the heat of the focus ring 5 moves to the mounting table 3, and the focus ring 5 is moved. Accumulation of heat to (5) was suppressed, and it was confirmed that the focus ring 5 can be cooled to about 50 ° C. On the other hand, in the comparative example, as the processing time elapses, the temperature of the focus ring 5 rises, and if the plasma is continuously irradiated, the focus ring 5 is thermally accumulated, and the focus ring 5 rises to about 230 ° C. It is understood that.

이상에 있어서, 본 발명은 반도체 웨이퍼(W) 이외에 FPD(Flat Panel Display)용 유리 기판 등의 기판에 대하여 플라즈마 처리를 하는 플라즈마 처리 장치에 관해서도 적용할 수 있다. 또한, 본 발명은 에칭 처리 외에 애싱이나 CVD(화학 기상 성장), 플라즈마 트리트먼트 등의 플라즈마 처리를 하는 플라즈마 처리 장치에 적용가능하다.As mentioned above, this invention is applicable also to the plasma processing apparatus which performs a plasma process with respect to board | substrates, such as a glass substrate for flat panel displays (FPD) other than the semiconductor wafer (W). Furthermore, the present invention is applicable to a plasma processing apparatus that performs plasma processing such as ashing, CVD (chemical vapor growth), plasma treatment, etc. in addition to the etching process.

W: 반도체 웨이퍼
2: 플라즈마 에칭 장치
20: 처리 용기
3: 배치대
31: 단차부
32: 배치 영역
38: 바이어스용 고주파 전원부
4: 샤워 헤드
46: 플라즈마 발생용 고주파 전원부
5: 포커스 링
6, 6a, 6b, 61?69: 절연 부재
7, 71?79: 전열 부재W: semiconductor wafer
2: plasma etching apparatus
20: processing container
3: placement table
31: step
32: Placement area
38: high frequency power supply for bias
4: shower head
46: high frequency power supply unit for plasma generation
5: focus ring
6, 6a, 6b, 61-69: insulation member
7, 71-79: heat transfer member

Claims (6)

진공 용기 내에 설치되며 하부 전극을 겸용하는 배치대의 기판 배치 영역에 기판을 배치하고, 상기 하부 전극과 상부 전극 사이에 고주파 전력을 인가해서 처리 가스를 플라즈마화하여 기판에 플라즈마 처리를 실시하는 플라즈마 처리 장치로서,
상기 기판 배치 영역을 둘러싸도록 상기 배치대 상에 설치되고, 플라즈마의 상태를 조정하기 위한 링 부재와,
상기 배치대의 상면과 상기 링 부재의 하면 사이에서 상기 링 부재를 따라 상기 배치대 상의 기판의 중심에 대하여 동심원 형태로 설치되고, 기판의 이면측에 플라즈마 중의 이온을 인입하도록 상기 링 부재와 기판 간의 전위차를 조정하기 위한 절연 부재와,
상기 절연 부재에 대하여 기판의 직경 방향으로 인접한 위치에서, 상기 배치대의 상면과 상기 링 부재의 하면 사이에, 상기 상면 및 하면에 밀착되고 상기 링 부재를 따라 설치된 전열 부재
를 구비한 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.Plasma processing apparatus for placing a substrate in a substrate placement area of a placement table that is installed in a vacuum container and also serves as a lower electrode, and applies a high frequency power between the lower electrode and the upper electrode to convert the processing gas into plasma to perform plasma treatment on the substrate. as,
A ring member provided on the placement table so as to surround the substrate placement area, for adjusting a state of plasma;
A potential difference between the ring member and the substrate is provided between the upper surface of the mounting table and the lower surface of the ring member in a concentric manner along the ring member with respect to the center of the substrate on the mounting table and introducing ions in the plasma to the rear surface of the substrate. With insulation member for adjusting
A heat transfer member provided in close contact with the upper and lower surfaces between the upper surface and the lower surface of the ring member and disposed along the ring member at a position adjacent to the insulating member in the radial direction of the substrate;
Plasma processing apparatus comprising the. 제1항에 있어서, 상기 절연 부재의 상면은 상기 링 부재에 접촉하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.The plasma processing apparatus of claim 1, wherein an upper surface of the insulating member contacts the ring member. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 절연 부재는 전열 부재에 대하여 기판의 직경 방향 내측 및 외측의 양쪽에 설치되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.The plasma processing apparatus according to claim 1 or 2, wherein the insulating member is provided on both of the inner side and the outer side in the radial direction of the substrate with respect to the heat transfer member. 진공 용기 내에 설치되며 하부 전극을 겸용하는 배치대의 기판 배치 영역에 기판을 배치하고, 상기 하부 전극과 상부 전극 사이에 고주파 전력을 인가해서 처리 가스를 플라즈마화하여 기판에 플라즈마 처리를 실시하는 플라즈마 처리 장치로서,
상기 기판 배치 영역을 둘러싸도록 상기 배치대 상에 설치되고 플라즈마의 상태를 조정하기 위한 링 부재와,
상기 배치대의 상면과 상기 링 부재의 하면 사이에서 상기 링 부재를 따라 상기 배치대 상의 기판의 중심에 대하여 동심원 형태로 설치되고, 기판의 이면측에 플라즈마 중의 이온을 인입하도록 상기 링 부재와 기판 간의 전위차를 조정하기 위한 절연 부재와,
상기 절연 부재와 배치대의 상면 사이에서 양자에 밀착되고 각각 링 부재를 따라 상기 배치대 상의 기판의 중심에 대하여 동심원 형태로, 그리고 링 부재의 직경 방향으로 서로 이격되게 설치된 복수 개의 하측 전열 부재와,
상기 절연 부재와 링 부재의 하면 사이에서 양자에 밀착되고 각각 링 부재를 따라 상기 배치대 상의 기판의 중심에 대하여 동심원 형태로, 그리고 링 부재의 직경 방향으로 서로 이격되게 설치된 복수 개의 상측 전열 부재
를 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.Plasma processing apparatus for placing a substrate in a substrate placement area of a placement table that is installed in a vacuum container and also serves as a lower electrode, and applies a high frequency power between the lower electrode and the upper electrode to convert the processing gas into plasma to perform plasma treatment on the substrate. as,
A ring member disposed on the mounting table so as to surround the substrate placing area, for adjusting a state of the plasma;
A potential difference between the ring member and the substrate is provided between the upper surface of the mounting table and the lower surface of the ring member in a concentric manner along the ring member with respect to the center of the substrate on the mounting table and introducing ions in the plasma to the rear surface of the substrate. With insulation member for adjusting
A plurality of lower heat transfer members in close contact with each other between the insulating member and the upper surface of the mounting table and spaced apart from each other in the form of concentric circles with respect to the center of the substrate on the mounting table along the ring member, respectively;
A plurality of upper heat transfer members in close contact with each other between the lower surface of the insulating member and the ring member and spaced apart from each other in the form of concentric circles with respect to the center of the substrate on the mounting table along the ring member and in the radial direction of the ring member, respectively.
Plasma processing apparatus comprising a. 제4항에 있어서, 상측 전열 부재 및 하측 전열 부재 중 적어도 한쪽은, 링 부재의 직경 방향으로 서로 인접하는 전열 부재 사이의 공간을 진공 용기 내의 분위기에 연통시키도록 절결되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.The plasma processing according to claim 4, wherein at least one of the upper heat transfer member and the lower heat transfer member is cut out so as to communicate the space between the heat transfer members adjacent to each other in the radial direction of the ring member to the atmosphere in the vacuum container. Device. 진공 용기 내에 설치되며 하부 전극을 겸용하는 배치대의 기판 배치 영역에 기판을 배치하고, 상기 하부 전극과 상부 전극 사이에 고주파 전력을 인가해서 처리 가스를 플라즈마화하여 기판에 플라즈마 처리를 실시하는 플라즈마 처리 장치로서,
상기 기판 배치 영역을 둘러싸도록 상기 배치대 상에 설치되고 플라즈마의 상태를 조정하기 위한 링 부재와,
상기 배치대의 상면과 상기 링 부재의 하면 사이에서 상기 링 부재를 따라 상기 배치대 상의 기판의 중심에 대하여 동심원 형태로 설치되고, 기판의 이면측에 플라즈마 중의 이온을 인입하도록 상기 링 부재와 기판 간의 전위차를 조정하기 위한 절연 부재와,
상기 링 부재의 측면과 절연 부재의 측면과 배치대의 측면 사이에, 이들 측면에 밀착되고, 상기 링 부재를 따라 설치된 전열 부재
를 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
Plasma processing apparatus for placing a substrate in a substrate placement area of a placement table that is installed in a vacuum container and also serves as a lower electrode, and applies a high frequency power between the lower electrode and the upper electrode to convert the processing gas into plasma to perform plasma treatment on the substrate. as,
A ring member disposed on the mounting table so as to surround the substrate placing area, for adjusting a state of the plasma;
A potential difference between the ring member and the substrate is provided between the upper surface of the mounting table and the lower surface of the ring member in a concentric manner along the ring member with respect to the center of the substrate on the mounting table and introducing ions in the plasma to the rear surface of the substrate. With insulation member for adjusting
Between the side surface of the said ring member, the side surface of an insulating member, and the side surface of a mounting table, it is in close contact with these side surfaces, and the heat transfer member provided along the said ring member
Plasma processing apparatus comprising a.
KR1020120031835A 2011-03-29 2012-03-28 Plasma processing apparatus KR101910670B1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2011-072677 2011-03-29
JP2011072677A JP5741124B2 (en) 2011-03-29 2011-03-29 Plasma processing equipment

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120112147A true KR20120112147A (en) 2012-10-11
KR101910670B1 KR101910670B1 (en) 2018-10-22

Family

ID=46925811

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120031835A KR101910670B1 (en) 2011-03-29 2012-03-28 Plasma processing apparatus

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20120247954A1 (en)
JP (1) JP5741124B2 (en)
KR (1) KR101910670B1 (en)
CN (1) CN102737940B (en)
TW (1) TWI566296B (en)

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5886700B2 (en) * 2012-07-09 2016-03-16 東京エレクトロン株式会社 Heat transfer sheet sticking device and heat transfer sheet sticking method
JP6689020B2 (en) 2013-08-21 2020-04-28 東京エレクトロン株式会社 Plasma processing device
JP6374301B2 (en) 2013-12-24 2018-08-15 東京エレクトロン株式会社 Stage, stage manufacturing method, heat exchanger
JP6018606B2 (en) * 2014-06-27 2016-11-02 東京エレクトロン株式会社 System including temperature-controllable stage, semiconductor manufacturing apparatus, and stage temperature control method
JP6345030B2 (en) * 2014-08-11 2018-06-20 東京エレクトロン株式会社 Plasma processing apparatus and focus ring
JP6149945B2 (en) * 2014-09-30 2017-06-21 住友大阪セメント株式会社 Electrostatic chuck device
CN104715997A (en) * 2015-03-30 2015-06-17 上海华力微电子有限公司 Focusing ring and plasma processing device provided with same
US10854492B2 (en) * 2015-08-18 2020-12-01 Lam Research Corporation Edge ring assembly for improving feature profile tilting at extreme edge of wafer
KR102581226B1 (en) * 2016-12-23 2023-09-20 삼성전자주식회사 Plasma processing device
CN111048394A (en) * 2017-01-05 2020-04-21 东京毅力科创株式会社 Plasma processing apparatus
US10199252B2 (en) * 2017-06-30 2019-02-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Thermal pad for etch rate uniformity
JP6932034B2 (en) * 2017-07-13 2021-09-08 東京エレクトロン株式会社 Heat transfer sheet and substrate processing equipment
US10950483B2 (en) * 2017-11-28 2021-03-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Systems and methods for fixed focus ring processing
JP7033441B2 (en) * 2017-12-01 2022-03-10 東京エレクトロン株式会社 Plasma processing equipment
JP7145625B2 (en) 2018-03-07 2022-10-03 東京エレクトロン株式会社 Substrate mounting structure and plasma processing apparatus
JP7055040B2 (en) * 2018-03-07 2022-04-15 東京エレクトロン株式会社 Placement device and processing device for the object to be processed
JP2019220497A (en) * 2018-06-15 2019-12-26 東京エレクトロン株式会社 Mounting table and plasma processing device
US11488808B2 (en) * 2018-11-30 2022-11-01 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus, calculation method, and calculation program
JP7186646B2 (en) * 2019-03-22 2022-12-09 東京エレクトロン株式会社 SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND METHOD FOR DETECTING PRESENCE OF FOCUS RING ON PLACEMENT
CN112185787B (en) * 2019-07-04 2023-09-29 中微半导体设备(上海)股份有限公司 RF electrode assembly of plasma processing apparatus and plasma processing apparatus
JP7321026B2 (en) * 2019-08-02 2023-08-04 東京エレクトロン株式会社 EDGE RING, PLACE, SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD
JP2021040011A (en) * 2019-09-02 2021-03-11 キオクシア株式会社 Plasma processing apparatus
JP7370228B2 (en) * 2019-11-22 2023-10-27 東京エレクトロン株式会社 plasma processing equipment
CN115191024A (en) * 2020-03-05 2022-10-14 三菱综合材料株式会社 Member for plasma processing apparatus, method for manufacturing the same, and plasma processing apparatus
KR20220027509A (en) * 2020-08-27 2022-03-08 삼성전자주식회사 Plasma processing apparatus and method for dechucking wafer in the plasma processing apparatus

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005277369A (en) * 2003-09-05 2005-10-06 Tokyo Electron Ltd Focus ring and plasma processing apparatus
US20070169891A1 (en) * 2003-09-05 2007-07-26 Tokyo Electron Limited Focus ring and plasma processing apparatus
JP2010232694A (en) * 2003-09-05 2010-10-14 Tokyo Electron Ltd Focus ring and plasma processing apparatus

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4151749B2 (en) * 1998-07-16 2008-09-17 東京エレクトロンＡｔ株式会社 Plasma processing apparatus and method
JP4053148B2 (en) * 1998-07-28 2008-02-27 株式会社エフオーアイ Plasma processing equipment
JP4592916B2 (en) * 2000-04-25 2010-12-08 東京エレクトロン株式会社 Placement device for workpiece
JP4676074B2 (en) * 2001-02-15 2011-04-27 東京エレクトロン株式会社 Focus ring and plasma processing apparatus
US6554954B2 (en) * 2001-04-03 2003-04-29 Applied Materials Inc. Conductive collar surrounding semiconductor workpiece in plasma chamber
TWI234417B (en) * 2001-07-10 2005-06-11 Tokyo Electron Ltd Plasma procesor and plasma processing method
US6896765B2 (en) * 2002-09-18 2005-05-24 Lam Research Corporation Method and apparatus for the compensation of edge ring wear in a plasma processing chamber
CN101996843B (en) * 2003-01-07 2013-05-01 东京毅力科创株式会社 Plasma processing device and focusing ring
US7381293B2 (en) * 2003-01-09 2008-06-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Convex insert ring for etch chamber
KR100578129B1 (en) * 2003-09-19 2006-05-10 삼성전자주식회사 Plasma Etching Machine
US7988816B2 (en) * 2004-06-21 2011-08-02 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and method
US7988814B2 (en) * 2006-03-17 2011-08-02 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus, plasma processing method, focus ring, and focus ring component
JP2007250967A (en) * 2006-03-17 2007-09-27 Tokyo Electron Ltd Plasma treating apparatus and method, and focus ring
JP2007258500A (en) * 2006-03-24 2007-10-04 Hitachi High-Technologies Corp Substrate supporting device
JP2008078208A (en) * 2006-09-19 2008-04-03 Tokyo Electron Ltd Focus ring and plasma processing apparatus
JP5102500B2 (en) * 2007-01-22 2012-12-19 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing equipment
JP5255936B2 (en) * 2008-07-18 2013-08-07 東京エレクトロン株式会社 Focus ring, substrate mounting table, and plasma processing apparatus including the same
JP5657262B2 (en) * 2009-03-27 2015-01-21 東京エレクトロン株式会社 Plasma processing equipment
JP5227264B2 (en) * 2009-06-02 2013-07-03 東京エレクトロン株式会社 Plasma processing apparatus, plasma processing method, program
JP5690596B2 (en) * 2011-01-07 2015-03-25 東京エレクトロン株式会社 Focus ring and substrate processing apparatus having the focus ring

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005277369A (en) * 2003-09-05 2005-10-06 Tokyo Electron Ltd Focus ring and plasma processing apparatus
US20070169891A1 (en) * 2003-09-05 2007-07-26 Tokyo Electron Limited Focus ring and plasma processing apparatus
JP2010232694A (en) * 2003-09-05 2010-10-14 Tokyo Electron Ltd Focus ring and plasma processing apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
JP2012209359A (en) 2012-10-25
TW201301383A (en) 2013-01-01
CN102737940A (en) 2012-10-17
US20120247954A1 (en) 2012-10-04
KR101910670B1 (en) 2018-10-22
CN102737940B (en) 2015-05-27
TWI566296B (en) 2017-01-11
JP5741124B2 (en) 2015-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20120112147A (en) Plasma processing apparatus
US10777392B2 (en) Substrate processing apparatus
TWI778005B (en) Plasma processing device
JP5719599B2 (en) Substrate processing equipment
KR102434559B1 (en) Mounting table and plasma processing apparatus
KR101050641B1 (en) Substrate Processing Unit and Shower Head
KR100929448B1 (en) Substrate holding mechanism and plasma processing apparatus
US20080223873A1 (en) Dynamic control of process chemistry for improved within-substrate process uniformity
US20190304824A1 (en) Plasma processing apparatus and method of transferring workpiece
US20210296098A1 (en) Sheath and temperature control of a process kit in a substrate processing chamber
JP7381713B2 (en) Process kit sheath and temperature control
JP5503503B2 (en) Plasma processing equipment
US8342121B2 (en) Plasma processing apparatus
JP5411098B2 (en) Dividable electrode, plasma processing apparatus using the electrode, and electrode exchange method
TW201933474A (en) Part for semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor manufacturing apparatus
TW202121567A (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method ensuring the rigidity of the protective frame that protects the edge portion of the substrate
US20190252159A1 (en) Mounting apparatus for object to be processed and processing apparatus
KR100889433B1 (en) Plasma processing apparatus
JP7361588B2 (en) Edge ring and substrate processing equipment
TWI795021B (en) Substrate processing apparatus
KR20150108657A (en) Apparatus of treating substrate, method of operating the same, and method of manufacturing substrate using the same

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant