KR20120086701A - 플라즈마 프로세싱 시스템에서의 전류 제어 - Google Patents

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Abstract

적어도 웨이퍼를 프로세스하기 위해 플라즈마를 생성하는 플라즈마 프로세싱 시스템. 플라즈마 프로세싱 시스템은 플라즈마의 적어도 일부분을 유지하기 위한 전류를 전도하는 코일을 포함한다. 플라즈마 프로세싱 시스템은 또한 공급된 전류의 임의의 위상 각도를 측정하지 않고 크기 측정값을 제공하기 위해 공급된 전류의 크기를 측정하는 코일과 커플링된 센서를 포함한다. 공급된 전류는 전류 또는 복수의 전류들 (예를 들면, 전류를 포함) 을 제공하기 위해 이용되는 총 전류이다. 플라즈마 프로세싱 시스템은, 위상 각도 측정값에 관련된 정보를 이용하지 않고, 크기 측정값 및/또는 크기 측정값을 이용하여 얻어진 정보를 이용하여 커맨드를 생성하기 위해, 그리고 공급된 전류 및/또는 총 전류의 크기를 제어하는 커맨드를 제공하기 위해 센서와 커플링된 제어기를 또한 포함할 수도 있다.

Description

플라즈마 프로세싱 시스템에서의 전류 제어 {CURRENT CONTROL IN PLASMA PROCESSING SYSTEMS}
본 발명은 플라즈마 프로세싱 시스템들에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 (하나 이상의 플라즈마 밀도, 플라즈마 균일성 등과 같은) 플라즈마 특성들을 제어하기 위한 전류 제어 능력을 가진 플라즈마 프로세싱 시스템들에 관한 것이다.
유도 결합 플라즈마 (ICP) 시스템들 및 트랜스포머 결합 플라즈마 (TCP) 시스템들과 같은, 프로세싱 시스템들은 웨이퍼들 상에 디바이스들을 제조하는 다양한 산업들에 이용된다. 예를 들면, 산업들은 반도체, 마그네틱 판독/기록 및 저장 장치, 광학 시스템, 및 마이크로-전기기계 시스템 (MEMS) 산업들을 포함할 수도 있다. 플라즈마 프로세싱 시스템은 디바이스 특징들이 웨이퍼 상에 형성되게끔 웨이퍼 상에서 에칭 및/또는 증착을 수행하도록 플라즈마를 생성하고 플라즈마 프로세싱 챔버에서의 플라즈마를 유지시킬 수도 있다. 디바이스들을 제조하는데 있어서, 어느 정도의 생산 수율 요구들 및/또는 어느 정도의 특징 사양들을 만족시키기 위해 특정 레시피에 특기된 플라즈마 특성들을 제어하는 것이 중요할 수도 있다.
전형적으로, 플라즈마 제어는 플라즈마 프로세싱 시스템의 전력 생성기 (예를 들면, 무선 주파수 전력 생성기 또는 RF 생성기) 에 의해 전달된 전력의 제어를 수반할 수도 있다. 일반적으로, 두 가지 전형적인 전력 제어 모드들 : 포워드 전력 모드 및 전달형 전력 모드 (delivered power mode) 가 있다.
포워드 전력 모드에서, RF 생성기는 플라즈마 프로세싱 시스템의 매치 네트워크의 입력에서 예를 들면, 50 옴 부하로 가정될 수도 있다. 매치 네트워크가 50 옴으로 튜닝되면, 매치 네트워크의 입력으로 전달된 전력은 포워드 전력과 같을 수도 있다. 그러나, 매치 네트워크가 50 옴으로 튜닝되지 않으면, 반사된 전력이 있을 수도 있고, 따라서 매치 네트워크의 입력으로 전달된 전력은 포워드 전력과 같지 않을 수도 있다.
전달된 전력 모드에서, RF 생성기는 매치 네트워크의 입력에서의 임피던스에 상관없이 매치의 입력으로 요구된 전력을 전달할 수도 있다. 전달된 전력 모드에서, 매치 네트워크의 입력에서의 임피던스가, 예를 들면 50 옴과 같이, 미리 정해진 값으로 튜닝되지 않으면 반사된 전력이 있을 수도 있다. 매치의 입력에서의 임피던스가 50 옴으로 즉, 매치된 조건 및 정상 상태에서 튜닝되면, 포워드 전력 모드와 전달된 전력 모드는 차이가 없을 수도 있다.
전형적인 전력 제어 모드, 예를 들면, 포워드 전력 모드 또는 전달된 전력 모드에서, 플라즈마 프로세싱 시스템의 RF 시스템은 중요한 파라미터들의 변화에 응답하지 않고, 미리 정해진 전력 입력을 이용하여 개 루프에서 동작할 수도 있다. 예를 들면, 매치 네트워크의 출력에서의 임피던스는 변할 수도 있다. 플라즈마 프로세싱 챔버에서 변화들은, 예를 들면, 재료 증착, 컴포넌트 변형, 플라즈마 프로세싱 동안의 온도 변화들 등으로부터 기인할 수도 있다. 또한 변화들은 플라즈마 프로세싱 챔버로부터 다른 플라즈마 프로세싱 챔버의 하드웨어 레이아웃 변화에 의해 초래될 수도 있다. 결과적으로, RF 생성기의 전력의 정확도 및 매치 네트워크의 반사된 전력의 정확도가 만족스럽게 유지되어도, 매치 네트워크의 출력에서의 임피던스 변화들은 소스 코일(들) 내의 RF 전류(들) 의 상당한 변화들을 초래할 수도 있고, 그에 따라 플라즈마 특성들의 중요한 변화들을 초래할 수도 있으며, 이로써 웨이퍼 상의 프로세싱 결과들에 변화들을 가져올 수도 있다.
바람직한 플라즈마 특성들을 획득하고 유지하기 위해, 같은 레시피가 이용된다고 해도, 웨이퍼들의 서로 다른 배치들을 프로세싱하는 프로세스 실행들 사이에서 재보정이 요구될 수도 있고, 플라즈마 프로세싱 시스템에서 컴포넌트들을 교체하는 경우 또는 다른 플라즈마 프로세싱 시스템들을 이용하는 경우 프로세스 재검정이 요구될 수도 있다. 재보정 및 프로세스 재검정은 모두 생산성을 상당히 낮출 수도 있고 디바이스들의 제조 비용을 상당히 발생시킬 수도 있다.
폐 루프 전력 제어를 구현하는 피드백을 제공하기 위해, 매치 네트워크의 출력으로 전달된 전력을 측정하려는 시도들이 있을 수도 있다. 일반적으로, 전력의 측정은 전력과 관련된 전압, 전류, 및 전압과 전류 사이의 위상 각도의 측정을 요구할 수도 있다. 위상 각도를 측정함에 있어서 비교적 작은 에러는 전력 측정에 있어서 상당히 큰 에러를 초래할 수도 있다. 폐 루프 전력 제어를 구현함에 있어서, 정교한 센서들 또는 높은 정확성의 레벨들을 갖는 측정 메카니즘들이 요구될 수도 있다. 결과적으로, 상당한 비용들이 발생할 수도 있다.
본 발명의 실시형태는 적어도 웨이퍼를 프로세스하는 플라즈마를 생성하기 위한 플라즈마 프로세싱 시스템에 관련된다. 플라즈마 프로세싱 시스템은, 플라즈마의 적어도 제 1 부분을 유지하기 위해 제 1 전류를 전도하기 위한 제 1 코일을 포함할 수도 있다. 플라즈마 프로세싱 시스템은 또한, 공급된 전류의 임의의 위상 각도를 측정하지 않고 제 1 크기 측정값을 제공하기 위해 공급된 전류의 크기를 측정하기 위한 제 1 코일과 커플링된 제 1 전류 크기 센서를 포함할 수도 있다. 공급된 전류는 복수의 전류들을 제공하는데 이용되는 제 1 전류 또는 총 전류일 수도 있다. 복수의 전류들은 공급된 전류가 총 전류일 경우 제 1 전류를 포함할 수도 있다. 플라즈마 프로세싱 시스템은 또한, 임의의 위상 각도 측정값에 관련된 정보를 이용하지 않고, 제 1 크기 측정값 및 제 1 크기 측정값을 이용해 얻어진 정보 중 적어도 하나를 이용하여 제 1 커맨드를 생성하고, 그리고 공급된 전류의 크기 및 총 전류의 크기 중 적어도 하나를 제어하는 제 1 커맨드를 제공하기 위한 제 1 전류 크기 센서와 커플링된 제 1 제어기를 포함할 수도 있다.
상술한 개요는 본원에 개시된 많은 실시형태 중 단지 하나에 관련될 뿐이고, 본원에 청구된 발명의 범위를 제한하도록 의도되지 않는다. 본 발명의 이러한 특징 및 다른 특징들은 뒤따르는 도면들과 함께 아래의 발명의 상세한 설명에서 더 상세히 설명될 것이다.
본 발명은 예를 통해 예시되나, 제한되지 않고, 첨부된 도면들 및 참조 번호들은 유사한 구성요소들을 가리키며:
도 1 은 본 발명의 하나 이상의 실시형태들에 따른 전류 제어 메카니즘을 포함하는 플라즈마 프로세싱 시스템의 단면도를 예시하는 개략도이다.
도 2 는 본 발명의 하나 이상의 실시형태들에 따른 전류 제어 메카니즘을 가지는 플라즈마 프로세싱 시스템의 전력 시스템의 전기적 모델을 예시하는 개략도이다.
도 3 은 본 발명의 하나 이상의 실시형태들에 따른 전류 제어 메카니즘을 가지는 플라즈마 프로세싱 시스템의 전력 시스템의 전기적 모델을 예시하는 개략도이다.
본 발명은 이하 첨부된 도면들에 예시된 몇몇 실시형태들을 참고하여 상세하게 설명될 것이다. 뒤따르는 설명에서, 많은 특정 상세들이 본 발명에 대한 완전한 이해를 제공하기 위해 제시된다. 그러나, 이러한 특정 상세들의 일부 또는 전부 없이 본 발명을 실행할 수도 있음은 당업자에게 자명하다. 그 밖에, 본 발명을 불필요하게 모호하도록 하지 않게 하기 위해 잘 알려진 프로세스 단계들 및/또는 구조들은 상세히 설명되지 않았다.
발명의 하나 이상의 실시형태는 적어도 기판 (또는 웨이퍼) 을 프로세스하기 위해 플라즈마를 생성하는 플라즈마 프로세싱 시스템에 관련된다. 플라즈마 프로세싱 시스템은 플라즈마의 적어도 일부분을 유지하기 위해 공급된 전류 (예를 들면, RF 전류) 를 전도하기 위한 코일을 포함할 수도 있다. 플라즈마 프로세싱 시스템은 코일과 커플링된 전류 크기 센서를 또한 포함할 수도 있다. 공급된 전류의 임의의 위상 각도를 측정하지 않고 크기 측정값을 제공하기 위해, 현재의 크기 센서는 공급된 전류의 크기를 측정할 수도 있다. 플라즈마 프로세싱 시스템은 또한 전류 크기 센서와 커플링된 제어기를 포함할 수도 있다. 제어기는 임의의 위상 각도 측정값에 관련된 정보를 이용하지 않은 채, 크기 측정값을 이용하고/이용하거나 제 1 크기 측정값을 이용하여 얻어진 정보를 이용하여 커맨드를 생성할 수도 있다. 제어기는 공급된 전류의 크기를 제어하기 위해 플라즈마 프로세싱 시스템의 전력 생성기 (예를 들면, RF 전력 생성기) 로 커맨드를 제공할 수도 있다.
플라즈마 프로세싱 시스템은 피드백 정보를 제공하기 위해 전류 크기 센서를 사용하고, 이로써 공급된 전류의 폐루프 제어를 가능하게 한다. 유리하게, 플라즈마의 특성들은 생산 수율 요건들 및/또는 특징 규격들을 만족시키기 위해 적절하게 제어될 수도 있다.
폐루프 전류 제어에 있어서, 발명의 실시형태는 종래 플라즈마 프로세싱 시스템들에 요구된 재보정 및 재검정의 필요성을 제거하기 위해, 런-투-런 프로세스 반복성 및 챔버-투-챔버 반복성을 제공할 수도 있다. 유리하게, 발명의 실시형태들은 상당한 생산성의 개선 및 디바이스들의 제조비용의 상당한 절감을 가능하게 할 수도 있다.
폐루프 제어의 구현에서, 발명의 실시형태들은 위상 각도들을 측정하는 고비용, 고정밀의 측정 메카니즘들에 대한 필요성을 제거하기 위해 저비용 전류 크기 센서들을 이용할 수도 있다. 유리하게, 발명의 실시형태들은 폐루프 플라즈마 특성들 제어의 구현과 관련된 비용들을 최소화할 수도 있다.
발명의 하나 이상의 실시형태들은 폐루프 전류 제어 메카니즘에 추가로, 플라즈마 특성들을 제어하는데 있어 더 많은 제어성 및/또는 입상도를 제공하는 분할기 (splitter) 를 포함하는 플라즈마 프로세싱 시스템에 관련된다. 분할기는 공급된 전류 (또는 총 전류) 를 개별 전류들로 분할할 수도 있고, 웨이퍼의 다른 부분들을 프로세싱하기 위해 플라즈마의 다른 부분들을 유지하도록 개별 전류들을 복수의 코일들로 제공할 수도 있다. 플라즈마 프로세싱 시스템은 또한 전류 크기 센서들을 포함할 수도 있다. 각 전류 크기 센서들은 코일들 중 하나와 커플링될 수도 있다. 전류 크기 센서들은 개별 전류들의 하나 이상의 크기들 및/또는 개별 전류들 중 하나 이상의 비율들의 폐루프 제어를 가능하게 하도록, 전류들의 크기들을 측정할 수도 있다. 유리하게, 웨이퍼의 다른 부분들에서의 플라즈마 특성들은 정교한 프로세싱 요건들을 만족시키기 위해 개별적으로 조절될 수도 있다.
하나 이상의 실시형태들에서, 전력 생성기의 출력을 제어하는데 있어서, 플라즈마 프로세싱 시스템은 총 전류가 분할기에 의해 개별 전류들로 나누어지기 전에 총 전류 (또는 공급된 전류) 의 크기를 측정하기 위해 전용된 전류 크기 센서를 포함할 수도 있다. 총 전류의 크기 측정값은 전력 생성기의 출력을 제어하기 위해 이용될 수도 있다. 전용된 전류 크기 센서는 개별 전류들 및/또는 개별 전류들 중에서 비율들을 제어하기 위해 사용된 전류 크기 센서들과 다를 수도 있다. 그래서, 전력 생성기 제어 (또는 총 전류 제어) 및 전류비 제어 (또는 개별 전류 제어) 는 구분되어 구현될 수도 있고, 플라즈마 프로세싱 시스템의 설계 및 구현은 유리하게 간소화될 수도 있다.
하나 이상의 실시형태들에서, 개별 전류들 중 적어도 하나의 크기 측정값은 전력 생성기의 출력을 제어하기 위해 사용될 수도 있다. 유리하게, 총 전류의 크기를 측정하기 위해 전용된 전류 크기 센서의 필요성은 제거될 수도 있고, 관련된 비용들은 절감될 수도 있다. 하나 이상의 구현에서, 하나 이상의 다른 개별 전류들의 적어도 하나의 추가적 크기 측정값은 전력 생성기의 출력을 제어하는데 있어 여분의 피드백 정보를 제공하기 위해 또한 사용될 수도 있다. 유리하게, 제어를 수행함에 있어 에러들은 최소화될 수도 있다.
발명의 하나 이상의 실시형태들은, 위에서 논의된 하나 이상의 특징들 및 하나 이상의 이점들을 가진 플라즈마 프로세싱 시스템에서 사용하기 위한 전류 제어 메카니즘에 관련될 수도 있다.
본 발명의 특징들 및 이점들은 뒤따르는 도면들 및 논의들을 참조하여 더 잘 이해될 수도 있다.
도 1 은 본 발명의 하나 이상의 실시형태들에 따른 전류 제어 메카니즘 (100) 을 포함하는 플라즈마 프로세싱 시스템 (190) 의 단면도를 예시하는 개략도를 나타낸다. 플라즈마 프로세싱 시스템 (100) 은 플라즈마 (180) 로 예시된 것처럼, 플라즈마를 함유하기 위해, 챔버 벽 (132), 피나클 (122), 유전체 창 (118) 등과 같은 구조적 컴포넌트들을 포함할 수도 있는, 플라즈마 프로세싱 챔버를 포함할 수도 있다. 플라즈마 프로세싱 챔버 안에서, 플라즈마 프로세싱 시스템 (100) 은 플라즈마 프로세싱 중에, 웨이퍼 (126) 로 예시된 것과 같은 웨이퍼를 지지하기 위한 척 (124) (예컨대, 정전 척) 을 포함할 수도 있다.
플라즈마 프로세싱 시스템 (100) 은 또한 무선 주파수 전력 생성기, 또는 RF 전력 생성기와 같은, 전력 생성기 (102) 를 포함할 수도 있다. 플라즈마 프로세싱 시스템 (100) 은 또한 챔버 벽 (132) 에 커플링될 수도 있는 코일 인클로저 (120) 내측 및 유전체 창 (118) 상에 비치된 코일 (112) 을 포함할 수도 있다. 코일 (112) 은 전력 생성기 (102) 와 전기적으로 커플링될 수도 있고, 전력 생성기 (102) 는 플라즈마 (180) 의 적어도 일부분을 생성 및/또는 유지하기 위해 코일 (112) 에 의해 전도되는 전류 (168) (예를 들면, RF 전류) 를 발생시킬 수도 있다. 전력 생성기 (102) 는 플라즈마 (180) 의 다른 부분들을 생성 및/또는 유지하기 위해 하나 이상의 추가적 코일들에 의해 전도되는 하나 이상의 전류들을 또한 발생시킬 수도 있다.
전류 제어 메카니즘 (100) 은 적어도 전류 크기 센서 (106) (예를 들면, RF 전류 크기 센서) 및 제어기 (116) 를 포함할 수도 있다. 전류 제어 메카니즘들 (100) 은 플라즈마 (180) 의 특성들을 제어하기 위해 적어도 전류 (168) (코일 (112) 에 의해 전도됨) 의 크기를 제어할 수도 있다.
전류 크기 센서 (106) 는 코일 (112) 과 매치 네트워크 (104) 를 커플링시켜주는 피드 라인 (114) (예를 들면, RF 피드 라인) 에 커플링될 수도 있는데, 매치 네트워크 (104) 는 코일 (112) 에 전류 (168) 를 제공하기 위해 전력 생성기 (102) 와 코일 (112) 사이에 커플링된다. 전류 크기 센서 (106) 는 공급된 전류 (168) 의 임의의 위상 각도를 측정하지 않고 코일 (112) 로 공급된 전류 (168) 의 크기를 측정할 수도 있다. 발명의 배경기술에서 논의된 바와 같이, 위상 각도들을 측정하는 것은 일반적으로 고정밀, 고비용의 측정 메카니즘들을 필요로 할 수도 있고/있거나 중요한 제어 에러들을 초래할 수도 있다. 위상 각도들의 측정에 필요한 요건들을 제거함으로써, 발명의 실시형태들은 유리하게 에러들을 최소화하고 비용들을 최소화할 수도 있다. 추가로, 전류 크기 센서 (106) 의 에러들이 일관되는 한, 예를 들면, 제어기 (116) 또는 비교기 (108) 에서 보정이 프로그램될 수도 있기 때문에, 전류 크기 센서 (106) 을 위한 정밀한 요건들은 높을 필요가 없을 수도 있다. 유리하게, 전류 크기 센서 (106) 와 관련된 비용들은 최소화될 수도 있다.
전류 크기 센서 (106) 에 의해 제공되는 전류 크기 측정값 (178) 은 전류 크기 센서 (106) 에 커플링된 비교기 (108) 에 피드될 수도 있다. 비교기 (108) 는 에러 신호 (176) 를 생성하기 위해 전류 크기 측정값 (178) 을 셋포인트 (110) (예를 들면, RF 전류 크기 셋포인트) 와 비교할 수도 있다. 비교기 (108) 와 전력 생성기 (102) 사이에 커플링된 제어기 (116) 는, 제어 커맨드 (174) (예를 들면, 전력 제어 커맨드) 를 생성하기 위해 에러 신호 (176) (및/또는 전류 크기 측정값 (178)) 를 이용할 수도 있다. 제어 커맨드 (174) 는 코일 (112) 에 공급된 전류 (168) 의 크기를 제어하기 위해 전력 생성기 (102) 로 제공될 수도 있다. 하나 이상의 실시형태들에서, 하나 이상의 다른 코일들에 의해 전도되는 하나 이상의 다른 전류들은 유사한 방식으로 제어될 수도 있다.
종래의 개루프 시스템들과는 대조적으로, 발명의 실시형태들은 임의의 위상 각도 측정들을 수행하지 않고 코일 (112) 에 의해 전도되는 전류 (168) (및 하나 이상의 다른 코일들에 의해 전도되는 하나 이상의 다른 전류들) 를 제어하기 위한 폐루프 제어를 제공할 수도 있다. 유리하게, 발명의 실시형태들은 생산 수율 요건들 및/또는 특징 규격들을 최소의 비용들로 만족시키기 위해 플라즈마 특성들을 적절하게 제어할 수도 있다.
도 2 는 본 발명의 하나 이상의 실시형태들에 따른 전류 제어 메카니즘 (200) 을 갖는 플라즈마 프로세싱 시스템의 전력 시스템 (280) 의 전기적 모델을 예시하는 개략도를 나타낸다. 플라즈마 프로세싱 시스템은 도 1 의 예에서 논의된 플라즈마 프로세싱 시스템 (190) 의 하나 이상의 컴포넌트와 유사하거나 이와는 다르게, 플라즈마 프로세싱 챔버, 척, 및/또는 코일 인클로저와 같은 하나 이상의 구조적 컴포넌트들을 포함할 수도 있다.
전력 시스템 (280) 은 전송 라인 (204) 및 매치 네트워크 (206) 를 통해 분할기 (288) (예를 들면, 전력 분할기) 에 커플링된 전력 생성기 (202) (예를 들면, RF 전력 생성기) 를 포함할 수도 있다. 분할기 (388) 는 공급된 전류 (268) (또는 총 전류 (268)) 를 개별 전류들로 분할할 수도 있고 플라즈마의 다른 부분들을 유지시키기 위해 개별 전류들을 복수의 코일들 (분할기 (288) 에 커플링됨) 로 제공할 수도 있고, 그렇게 함으로써 플라즈마 특성들을 제어하는데 있어 제어성 및/또는 입상도를 향상시킬 수 있다. 예를 들면, 코일들은 코일 (274) 및 코일 (254) 을 포함할 수도 있다. 코일 (274) 은 플라즈마의 제 1 부분 (예를 들면, 중심 부분) 을 유지하기 위해 전류 (272) 를 전도할 수도 있다. 코일 (254) 은 플라즈마의 제 2 부분 (예를 들면, 중심 부분을 둘러싸는 가장자리 부분) 을 유지하기 위해 전류 (252) 를 전도할 수도 있다. 각각의 전류 (272) 및 전류 (252) 는 공급된 전류 (268) 의 일부분을 나타낼 수도 있다. 하나 이상의 실시형태에서, 전력 시스템 (280) 은 플라즈마의 하나 이상의 다른 부분들을 유지하기 위해 공급된 전류 (268) 의 하나 이상의 다른 부분들을 전도하는 하나 이상의 다른 코일들을 포함하여, 웨이퍼를 프로세싱하는 중에 플라즈마 특성들을 제어함에 있어서 더 나은 입상도를 제공할 수도 있다. 플라즈마의 다른 부분들은 웨이퍼의 다른 부분들을 프로세스할 수도 있다.
전류 제어 메카니즘 (200) 은 공급된 전류 (268) (또는 총 전류 (268)) 의 크기를 제어하기 위해 전류 크기 센서 (282) (예를 들면, RF 전류 크기 센서) 및 제어기 (240) 를 포함할 수도 있다. 전류 크기 센서 (282) 는 공급된 전류 (268) 의 크기를 측정하여, 전류 크기 측정값 (278) 을 제공하기 위해, 전력 생성기 (202) 와 분할기 (288) 사이의 연결 라인 (또는 피드 라인) 에 커플링될 수도 있다. 전류 제어 메카니즘 (200) 은 전류 크기 측정값 (278) 및 셋포인트 (224) 를 이용하여 에러 신호 (226) 를 생성하는 비교기 (222) 를 또한 포함할 수도 있다. 셋포인트 (224) 는 공급된 전류 (268) 의 크기의 규격에 기초하여 결정될 수도 있다. 비교기 (222) 는 에러 신호 (226) 를 제어기 (240) 로 제공할 수도 있다. 제어기 (240) 는 커맨드 (242) (예를 들면, 전력 커맨드) 를 생성하기 위해 에러 신호 (226) (및/또는 크기 측정값 (278)) 를 이용할 수도 있다. 제어기 (240) 는 공급된 전류 (268) 의 크기를 제어하도록 전력 생성기 (202) 를 제어하기 위해, 예를 들면, 신호 라인 (244) 을 통해, 커맨드 (242) 를 전력 생성기 (202) 로 제공할 수도 있다.
전류 크기 센서 (282) 및 제어기 (240) 의 특징들 및 이점들은 도 1 의 예에서 논의된 전류 크기 센서 (106) 및 제어기 (116) 의 하나 이상의 특징들 및 하나 이상의 이점들과 유사할 수도 있다. 예를 들면, 전류 크기 센서 (282) 는 임의의 위상 각도들을 측정하지 않고 전류 크기만 측정할 수도 있다. 유리하게, 전류 크기 센서 (282) 와 관련된 비용들은 적을 수도 있고, 위상 각도 측정값들과 관련된 가능한 에러들은 방지될 수도 있다.
전류 제어 메카니즘 (200) 은 코일들과 커플링된 복수의 추가적인 전류 크기 센서들 및 추가적 전류 크기 센서들과 커플링된 추가적 제어기 (290) (또는 조정기 (290)) 를 또한 포함할 수도 있다. 추가적인 전류 크기 센서들 및 제어기 (290) 는 개선된 입상도로 플라즈마 제어를 수행하기 위해 분할기 (288) 와 협력할 수도 있다.
각각의 추가적인 전류 크기 센서들은 각각의 개별 코일에 의해 전도되는 개별 전류를 측정하기 위해 코일들 중 하나와 커플링될 수도 있다. 예를 들면, 전류 크기 센서 (270) 는 코일 (274) 에 의해 전도되는 전류 (272) 의 크기를 측정하기 위해 코일 (274) 과 커플링될 수도 있고; 전류 크기 센서 (250) 는 코일 (254) 에 의해 전도되는 전류 (252) 의 크기를 측정하기 위해 코일 (254) 과 커플링될 수도 있다. 하나 이상의 실시형태들에서, 하나 이상의 다른 전류 크기 센서들은 하나 이상의 다른 개별 전류 크기들을 측정하기 위해 하나 이상의 다른 코일들과 커플링될 수도 있다. 전류 크기 센서들은 임의의 위상 각도들을 측정하지 않을 수도 있고; 따라서, 추가적인 전류 크기 센서들과 관련된 비용들은 최소화될 수도 있다.
제어기 (290) 는 제어 커맨드 (292) 를 생성하기 위해, 하나 이상의 추가적인 전류 크기 센서들에 의해 제공된 하나 이상의 전류 크기 측정값들, 하나 이상의 전류 크기 측정값들을 이용하여 얻어진 정보, 및/또는 전류비 셋포인트 (284) 를 이용할 수도 있다. 하나 이상의 개별 전류들의 하나 이상의 크기들의 제어 및/또는 개별 전류들 중 하나 이상의 비율들의 제어를 위해 제어 커맨드 (292) 가 분할기 (288) 로 제공될 수도 있다. 유리하게, 웨이퍼의 다른 부분들에서의 플라즈마 특성들은 정교한 프로세싱 요건들을 만족시키기 위해 개별적으로 및/또는 상대적으로 조절될 수도 있다.
전력 시스템 (280) 에서, 전력 생성기 제어 (또는 총 전류 제어) 는 전류 크기 센서 (282) 및 제어기 (240) 를 이용하여 수행될 수도 있고; 분할기 제어 (또는 개별 전류 제어) 는 추가적인 전류 크기 센서들 (예를 들면, 전류 크기 센서 (270) 및 전류 크기 센서 (250)), 제어기 (290), 및 분할기 (288) 를 이용하여 수행될 수도 있다. 그래서, 전력 생성기 제어 (또는 총 전류 제어) 및 전류비 제어 (또는 개별 전류 제어) 는 향상된 입상도로 플라즈마 특성들을 제어하기 위해 별도로 구현되고 별도로 수행될 수도 있다. 유리하게, 전력 시스템 (280) 의 설계, 구현, 동작, 및 유지보수가 단순화될 수도 있다.
도 3 은 본 발명의 하나 이상의 실시형태들에 따른 전류 제어 메카니즘 (300) 을 가지는 플라즈마 프로세싱 시스템의 전력 시스템 (380) 의 전기적 모델을 예시하는 개략도를 나타낸다. 플라즈마 프로세싱 시스템은 도 1 의 예에서 논의된 플라즈마 프로세싱 시스템 (190) 의 하나 이상의 컴포넌트와 유사하거나 이와는 다르게, 플라즈마 프로세싱 챔버, 척, 및/또는 코일 인클로저와 같은 하나 이상의 구조적 컴포넌트들을 포함할 수도 있다.
전력 시스템 (380) 은 전송 라인 (304) 및 매치 네트워크 (306) 를 통해 분할기 (388) (예를 들면, 전력 분할기) 에 커플링된 전력 생성기 (302) (예를 들면, RF 전력 생성기) 를 포함할 수도 있다. 분할기 (388) 는 공급된 전류 (368) (또는 총 전류 (368)) 를 개별 전류들로 분할할 수도 있고 플라즈마의 다른 부분들을 유지시키기 위해 개별 전류들을 복수의 코일들 (분할기 (388) 에 커플링됨) 로 제공할 수도 있고, 그렇게 함으로써 플라즈마 특성들을 제어하는데 있어 제어성 및/또는 입상도를 더욱 향상시킬 수 있다. 예를 들면, 코일들은 코일 (374) 및 코일 (354) 을 포함할 수도 있다. 코일 (374) 은 플라즈마의 제 1 부분 (예를 들면, 중심 부분) 을 유지하기 위해 전류 (372) 를 전도할 수도 있다. 코일 (354) 은 플라즈마의 제 2 부분 (예를 들면, 중심 부분을 둘러싸는 가장자리 부분) 을 유지하기 위해 전류 (352) 를 전도할 수도 있다. 하나 이상의 실시형태에서, 전력 시스템 (380) 은 플라즈마의 하나 이상의 다른 부분들을 유지하기 위해 하나 이상의 다른 코일들을 포함하여, 웨이퍼를 프로세싱하는 중에 플라즈마 특성들을 제어함에 있어서 더 나은 입상도를 제공할 수도 있다. 플라즈마의 다른 부분들은 웨이퍼의 다른 부분들을 프로세스할 수도 있다.
전류 제어 메카니즘 (300) 은 또한 코일들과 커플링된 복수의 전류 크기 센서들 (예를 들면, RF 전류 크기 센서들), 전류 크기 센서들 중 적어도 하나와 커플링된 제어기 (340), 및 전류 크기 센서들과 커플링된 제어기 (390) (또는 조정기 (390)) 를 포함할 수도 있다. 공급된 전류 (368) 의 크기를 제어하기 위해 제어기 (340) 및 전류 크기 센서들 중 적어도 하나는 전력 생성기 (302) 와 협력할 수도 있고, 그렇게 함으로써 플라즈마 프로세싱 챔버 안에서 플라즈마 특성들을 일반적으로 제어한다. 개별 전류들의 크기를 제어하기 위해 제어기 (390) 및 전류 크기 센서들은 분할기 (388) 와 협력할 수도 있고, 그렇게 함으로써 웨이퍼의 다른 부분들에서 개선된 입상도로 플라즈마 특성들을 제어한다.
공급된 전류의 크기를 제어함에 있어서, 제어기 (340) 는 전력 생성기 (302) 와 커플링될 수도 있고, 전류 크기 센서 (370) (예를 들면, RF 전류 크기 센서) 와 커플링될 수도 있다. 전류 크기 (370) 는 전류 (372) 의 크기를 측정하여 전류 크기 측정값 (376) 을 제공하기 위해 코일 (374) 에 커플링된다. 전류 제어 메카니즘 (300) 은 전류 크기 측정값 (376) 및 셋포인트 (324) 를 이용하여 에러 신호를 생성하기 위해 비교기 (322) 를 포함할 수도 있다. 셋포인트 (324) 는 전류 (372) 의 크기 규격, 공급된 전류 (368) 의 크기 규격, 및/또는 전류 (372) 와 공급된 전류 (368) 사이의 지정된 관계에 기초하여 결정될 수도 있다. 비교기 (322) 는 제어기 (340) 로 에러 신호 (326) 를 제공할 수도 있다. 제어기 (340) 는 커맨드 (342) (예를 들면, 전력 커맨드) 를 생성하기 위해 에러 신호 (326) (및/또는 크기 측정값 (376)) 를 이용할 수도 있다. 제어기 (340) 는 전력 생성기 (302) 를 제어하여 공급된 전류 (368) 의 크기를 제어하기 위해, 예를 들면, 신호 라인 (344) 을 통해, 전력 생성기 (302) 로 커맨드 (342) 를 제공할 수도 있다.
전류 크기 센서 (370) 및 제어기 (340) 의 특징들 및 이점들은 도 1 의 예에서 논의된 전류 크기 센서 (106) 및 제어기 (116) 의 하나 이상의 특징들 및 하나 이상의 이점들과 유사할 수도 있다. 예를 들면, 전류 크기 센서 (370) 는 임의의 위상 각도들을 측정하지 않고 전류 크기만을 측정할 수도 있다. 유리하게, 전류 크기 센서 (370) 와 관련된 비용들은 최소화될 수도 있고, 위상 각도 측정값과 관련된 에러들은 방지될 수도 있다.
하나 이상의 실시형태들에서, 제어기 (340) 및/또는 비교기 (322) 는 하나 이상의 다른 코일들과 관련된 하나 이상의 추가적인 전류 크기 센서들과 커플링될 수도 있고, 하나 이상의 개별 전류들의 하나 이상의 추가적인 크기 측정값들은 전력 생성기 (302) 의 출력 및/또는 총 전류 (368) 의 크기를 제어하는데 있어 또한 사용될 수도 있다. 여분의 피드백 정보로, 보정 에러들 및/또는 측정 에러들은 최소화될 수도 있다.
개별 전류들의 크기들을 제어하는데 있어서, 제어기 (390) 는 분할기 (388) 와 커플링될 수도 있고 전류 크기 센서들과 커플링될 수도 있으며, 각각의 전류 크기 센서들은 적어도 몇몇의 코일들 중 하나와 커플링될 수도 있다. 각각의 전류 크기 센서는 코일에 의해 전도되는 개별 전류의 크기를 측정할 수도 있다. 예를 들면, 앞서 논의한 바와 같이, 코일 (374) 에 의해 전도되는 전류 (372) 의 크기를 측정하여 전류 크기 측정값 (376) 을 제공하기 위해 전류 크기 센서 (370) 는 코일 (374) 과 커플링될 수도 있다. 또 다른 예로, 코일 (354) 에 의해 전도되는 전류 (352) 의 크기를 측정하여 전류 크기 측정값 (356) 을 제공하기 위해 전류 크기 센서 (350) 는 코일 (354) 과 커플링될 수도 있다. 하나 이상의 실시형태들에서, 하나 이상의 다른 전류 크기 센서들은 하나 이상의 다른 개별 전류 크기들을 측정하기 위해 하나 이상의 다른 코일들과 커플링될 수도 있다. 전류 크기 센서들은 임의의 위상 각도들을 측정하지 않을 수도 있고; 따라서, 전류 크기 센서들에 관련된 비용들은 최소화될 수도 있고, 위상 각도 측정값들에 관련된 가능한 에러들은 방지될 수도 있다. 하나 이상의 실시형태들에서, 선택된 코일들만이 전류 크기 센서들과 커플링될 수도 있다. 예를 들면, 전류 크기 측정값 (356) 이 필요하지 않은 경우에 전류 크기 센서 (350) 는 하나 이상의 실시형태들에 포함되지 않을 수도 있다.
제어기 (390) 는 하나 이상의 전류 크기 측정값들 (예를 들면, 전류 크기 측정값 (376) 및/또는 전류 크기 측정값 (356)), 하나 이상의 전류 크기 측정값들을 이용하여 얻어진 정보, 및/또는 전류비 셋포인트 (384) 를 이용하여 제어 커맨드 (392) 를 생성할 수도 있다. 하나 이상의 개별 전류들의 하나 이상의 크기들의 제어 및/또는 개별 전류들 중 하나 이상의 비율들의 제어를 위해 제어 커맨드 (392) 는 분할기 (388) 로 제공될 수도 있다. 유리하게, 웨이퍼의 다른 부분들에서의 플라즈마 특성들은 정교한 프로세싱 요건들을 만족시키기 위해 개별적으로 및/또는 상대적으로 조절될 수도 있다.
전력 시스템 (380) 에서, 전류 크기 센서 (370) (및/또는 전류 크기 측정값 (376)) 는 전력 생성기 제어 (또는 총 전류 제어) 및 분할기 제어 (또는 개별 전류 제어) 모두를 위해 이용될 수도 있다. 도 2 의 예에 예시된 전력 시스템 (280) 에 반해서, 전력 시스템 (380) 은 전력 생성기 제어를 구현하는데 있어서 정교한 전류 크기 센서의 필요성을 제거시킬 수도 있다. 유리하게, 개선된 플라즈마 제어의 구현과 관련된 비용들은 최소화될 수도 있다.
상기로부터 알 수 있는 바와 같이, 본 발명의 실시형태들은 피드백 정보를 제공하기 위해 플라즈마 프로세싱 시스템에 있어서 하나 이상의 전류 크기 센서들을 사용할 수도 있고, 그렇게 함으로써 플라즈마를 유지하기 위해 공급된 전류의 폐루프 제어를 가능하게 할 수 있다. 유리하게, 플라즈마의 특성들은 생산 수율 요건들 및/또는 특징 규격들을 만족시키기 위해 적절하게 제어될 수도 있다.
폐루프 전류 제어에 있어서, 발명의 실시형태들은 종래의 플라즈마 프로세싱 시스템들에 대한 재보정 및 재검정의 필요성을 제거하도록, 런-투-런 프로세스 반복성 및 챔버-투-챔버 반복성을 제공할 수도 있다. 유리하게, 발명의 실시형태들은 디바이스들의 제조에 있어서 상당한 생산성의 개선 및 상당한 비용 절감을 가능하게 할 수도 있다.
폐루프 제어를 구현함에 있어서, 발명의 실시형태들은, 위상 각도들을 측정하는 고비용, 고정밀 측정 메카니즘의 필요성을 제거함으로써, 저비용의 전류 크기 센서들을 이용할 수도 있다. 유리하게, 발명의 실시형태들은 폐루프 플라즈마 특성들 제어의 구현과 관련된 비용들을 최소화할 수도 있고 위상 각도 측정값들과 관련된 가능한 에러들을 방지할 수도 있다.
발명의 실시형태들은 분할기 및 플라즈마의 다른 부분들을 유지하는 개별 전류들을 제어하기 위한 제어 메카니즘을 포함할 수도 있다. 유리하게, 프로세스되는 웨이퍼의 다른 부분들에서의 플라즈마 특성들은 정교한 프로세싱 요건들을 만족시키기 위해 개별적으로 조절될 수도 있다.
발명의 실시형태들은 플라즈마 프로세싱 시스템에서 전력 생성기 제어 (총 전류 제어) 및 전류비 제어 (또는 개별 전류 제어) 를 분리시킬 수도 있다. 유리하게, 플라즈마 프로세싱 시스템의 설계 및 구현은 단순화될 수도 있다.
발명의 실시형태들은 플라즈마 프로세싱 시스템에서 전력 생성기 제어 및 전류비 제어를 모두 구현하기 위해 전류 크기 센서의 같은 측정값을 이용할 수도 있다. 유리하게, 플라즈마 프로세싱 시스템에서 요구된 전류 크기 센서들의 개수는 최소화될 수도 있고, 관련된 비용들은 절감될 수도 있다.
본 발명이 몇 가지 실시형태들로 설명되지만, 본 발명의 범위 내의 대안들, 치환들, 및 등가물들이 존재한다. 또한 본 발명의 방법들 및 장치들을 구현하기 위한 대안의 방법들이 많이 존재한다. 나아가, 본 발명의 실시형태들은 다른 어플리케이션들에서 실용적일 수도 있다. 본원에서는 요약 부분이 편의를 위해 제공되고, 단어 카운트 제한 때문에 읽기 편하게 작성되었으며, 청구항의 범위를 제한하기 위해 사용되어서는 않는다. 따라서 하기의 청구항들은 본 발명의 진정한 사상 및 범위 내에 있는 모든 대안들, 치환들, 및 등가물들을 포함하도록 해석되는 것으로 의도된다.

Claims (20)

  1. 적어도 웨이퍼를 프로세스하기 위한 플라즈마를 생성하는 플라즈마 프로세싱 시스템으로서, 상기 플라즈마 프로세싱 시스템은,
    상기 플라즈마의 적어도 제 1 부분을 유지하기 위해 제 1 전류를 전도하는 제 1 코일;
    공급된 전류의 임의의 위상 각도를 측정하지 않고 제 1 크기 측정값을 제공하기 위해 상기 공급된 전류의 크기를 측정하는 상기 제 1 코일과 커플링된 제 1 전류 크기 센서로서, 상기 공급된 전류는 복수의 전류들을 제공하는데 이용되는 상기 제 1 전류 또는 총 전류이고, 상기 복수의 전류들은 상기 공급된 전류가 상기 총 전류일 경우 상기 제 1 전류를 포함하는, 상기 제 1 전류 크기 센서; 및
    임의의 위상 각도 측정에 관련된 정보를 이용하지 않고, 상기 제 1 크기 측정값 및 상기 제 1 크기 측정값을 이용해 얻어진 정보 중 적어도 하나를 이용하여 제 1 커맨드를 생성하고, 상기 공급된 전류의 크기 및 상기 총 전류의 크기 중 적어도 하나를 제어하는 상기 제 1 커맨드를 제공하기 위한 상기 제 1 전류 크기 센서에 커플링되는 제 1 제어기를 포함하는, 플라즈마 프로세싱 시스템.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 공급된 전류는 상기 제 1 전류인, 플라즈마 프로세싱 시스템.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 공급된 전류를 분할하기 위한 분할기로서, 상기 제 1 코일은 상기 분할기를 통해 상기 제 1 전류 크기 센서에 커플링되는, 상기 분할기; 및
    상기 플라즈마의 적어도 제 2 부분을 유지하기 위해 제 2 전류를 전도하는 제 2 코일로서, 상기 제 2 코일은 상기 분할기를 통해 상기 제 1 전류 크기 센서에 커플링되고, 상기 제 2 전류는 상기 복수의 전류들에 속하고, 상기 공급된 전류는 상기 총 전류인, 상기 제 2 코일을 더 포함하는, 플라즈마 프로세싱 시스템.
  4. 제 3 항에 있어서,
    제 2 크기 측정값을 제공하기 위해 상기 제 1 전류의 크기를 측정하는 제 2 전류 크기 센서로서, 상기 제 1 코일은 상기 제 2 전류 크기 센서에 커플링되는, 상기 제 2 전류 크기 센서;
    제 3 크기 측정값을 제공하기 위해 상기 제 2 전류의 크기를 측정하는 제 3 전류 크기 센서로서, 상기 제 2 코일은 상기 제 2 전류 크기 센서에 커플링되는, 상기 제 3 전류 크기 센서; 및
    상기 제 2 크기 측정값, 상기 제 3 크기 측정값, 상기 제 2 크기 측정값을 이용하여 얻어진 정보, 및 상기 제 3 크기 측정값을 이용하여 얻어진 정보 중 적어도 하나를 이용하여 제 2 커맨드를 생성하기 위해 상기 제 2 전류 크기 센서와 커플링되고 상기 제 3 전류 크기 센서와 커플링되는 제 2 제어기로서, 상기 제 2 제어기는 상기 제 1 전류의 크기 및 상기 제 2 전류의 크기 중 적어도 하나를 제어하는 상기 제 2 커맨드를 상기 분할기로 제공하기 위해 상기 분할기에 커플링되는, 상기 제 2 제어기를 더 포함하는, 플라즈마 프로세싱 시스템.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 2 제어기는 임의의 위상 각도 측정값을 이용하지 않고 상기 제 2 커맨드를 생성하는, 플라즈마 프로세싱 시스템.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 공급된 전류를 분할하기 위한 분할기로서, 상기 제 1 코일은 상기 분할기를 통해 상기 제 1 전류 크기 센서에 커플링되는, 상기 분할기; 및
    상기 플라즈마의 상기 제 1 부분 이외의 상기 플라즈마의 부분들의 세트를 적어도 유지하기 위해 전류들의 세트를 전도하는 코일들의 세트로서, 상기 코일들의 세트는 상기 분할기를 통해 상기 제 1 전류 크기 센서에 커플링되고, 상기 전류들의 세트는 상기 복수의 전류들에 속하고, 상기 공급된 전류는 상기 총 전류이고, 상기 코일들의 세트는 적어도 두개의 코일들을 포함하는, 상기 코일들의 세트를 더 포함하는, 플라즈마 프로세싱 시스템.
  7. 제 6 항에 있어서,
    제 2 크기 측정값을 제공하기 위해 상기 제 1 전류의 크기를 측정하는 제 2 전류 크기 센서로서, 상기 제 1 코일은 상기 제 2 전류 크기 센서를 통해 상기 분할기에 커플링되는, 상기 제 2 전류 크기 센서;
    크기 측정값들의 세트를 제공하기 위해 상기 전류들의 세트의 크기들을 측정하는 전류 크기 센서들의 세트로서, 상기 크기 측정값들의 세트 중 각각은 상기 전류들의 세트 중 하나와 관련되고, 상기 코일들의 세트 중 각각은 전류 크기 센서들의 세트 중 하나에 커플링되는, 상기 전류 크기 센서들의 세트; 및
    상기 제 2 크기 측정값 중 적어도 하나, 상기 크기 측정값들의 세트 중 적어도 하나, 상기 제 2 크기 측정값을 이용하여 얻어진 정보, 및 상기 크기 측정값들의 세트 중 적어도 하나를 이용하여 얻어진 정보를 이용하여 제 2 커맨드를 생성하기 위해 상기 제 2 전류 크기 센서와 커플링되고 상기 전류 크기 센서들의 세트와 커플링되는 제 2 제어기로서, 상기 제 2 제어기는 상기 제 1 전류의 크기 및 상기 전류들의 세트의 크기들의 하나 이상 중 적어도 하나를 제어하는 상기 제 2 커맨드를 상기 분할기로 제공하기 위해 상기 분할기와 커플링되는, 상기 제 2 제어기를 더 포함하는, 플라즈마 프로세싱 시스템.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 공급된 전류를 분할하기 위한 분할기로서, 상기 제 1 코일은 상기 분할기와 커플링되고, 상기 공급된 전류는 상기 제 1 전류인, 상기 분할기; 및
    상기 플라즈마의 적어도 제 2 부분을 유지하기 위해 제 2 전류를 전도하는 제 2 코일로서, 상기 제 2 코일은 상기 분할기에 커플링되고, 상기 제 2 전류는 상기 복수의 전류들에 속하는, 상기 제 2 코일을 더 포함하는, 플라즈마 프로세싱 시스템.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 제 1 크기 측정값 및 상기 제 1 크기 측정값을 이용하여 얻어진 정보 중 적어도 하나를 이용하여 제 2 커맨드를 생성하기 위해 상기 제 1 전류 크기 센서와 커플링되는 제 2 제어기를 더 포함하고,
    상기 제 2 제어기는 상기 제 1 전류의 크기 및 상기 제 2 전류의 크기 중 적어도 하나를 제어하는 상기 제 2 커맨드를 상기 분할기에 제공하기 위해 상기 분할기와 커플링되는, 플라즈마 프로세싱 시스템.
  10. 제 8 항에 있어서,
    제 2 크기 측정값을 제공하기 위해 상기 제 2 전류의 크기를 측정하는 제 2 전류 크기 센서로서, 상기 제 2 코일은 상기 제 2 전류 크기 센서에 커플링되는, 상기 제 2 전류 크기 센서; 및
    상기 제 1 크기 측정값, 상기 제 2 크기 측정값, 상기 제 1 크기 측정값을 이용하여 얻어진 정보, 및 상기 제 2 크기 측정값을 이용하여 얻어진 정보 중 적어도 하나를 이용하여 제 2 커맨드를 생성하기 위해 상기 제 1 전류 크기 센서 및 상기 제 2 전류 크기 센서와 커플링되는 제 2 제어기로서, 상기 제 2 제어기는 상기 제 1 전류의 크기 및 상기 제 2 전류의 크기 중 적어도 하나를 제어하는 상기 제 2 커맨드를 상기 분할기로 제공하기 위해 상기 분할기와 또한 커플링되는, 상기 제 2 제어기를 더 포함하는, 플라즈마 프로세싱 시스템.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 2 제어기는 임의의 위상 각도 측정값을 이용하지 않고 상기 제 2 커맨드를 생성하는, 플라즈마 프로세싱 시스템.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 총 전류를 분할하는 분할기로서, 상기 제 1 코일은 상기 분할기에 커플링되고, 상기 공급된 전류는 상기 제 1 전류인, 상기 분할기; 및
    상기 플라즈마의 상기 제 1 부분 이외의 상기 플라즈마의 부분들의 세트를 적어도 유지하기 위해 전류들의 세트를 전도하는 코일들의 세트로서, 상기 코일들의 세트는 상기 분할기에 커플링되고, 상기 전류들의 세트는 상기 복수의 전류들에 속하고, 상기 코일들의 세트는 적어도 두개의 코일들을 포함하는, 상기 코일들의 세트를 더 포함하는, 플라즈마 프로세싱 시스템.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 제 1 크기 측정값 및 상기 제 1 크기 측정값을 이용하여 얻어진 정보 중 적어도 하나를 이용하여 제 2 커맨드를 생성하기 위해 상기 제 1 전류 크기 센서와 커플링되는 제 2 제어기를 더 포함하고,
    상기 제 2 제어기는 상기 제 1 전류의 크기 및 상기 전류들의 세트의 하나 이상의 크기들 중 적어도 하나를 제어하는 상기 제 2 커맨드를 상기 분할기로 제공하기 위해 상기 분할기와 커플링되는, 플라즈마 프로세싱 시스템.
  14. 제 12 항에 있어서,
    크기 측정값들의 세트를 제공하기 위해 상기 전류들의 세트의 크기들을 측정하는 전류 크기 센서들의 세트로서, 상기 코일들의 세트 중 각각은 상기 전류 크기 센서들의 세트 중 하나에 커플링되는, 상기 전류 크기 센서들의 세트; 및
    상기 제 1 크기 측정값 중 적어도 하나, 상기 크기 측정값들의 세트 중 적어도 하나, 상기 제 1 크기 측정값을 이용하여 얻어진 정보, 및 상기 크기 측정값들의 세트 중 적어도 하나를 이용하여 얻어진 정보를 이용하여 제 2 커맨드를 생성하기 위해 상기 제 1 전류 크기 센서와 커플링되고 상기 전류 크기 센서들의 세트와 커플링되는 제 2 제어기로서, 상기 제 2 제어기는 상기 제 1 전류의 크기 및 상기 전류들의 세트의 하나 이상의 크기들 중 적어도 하나를 제어하는 상기 제 2 커맨드를 상기 분할기로 제공하기 위해 상기 분할기와 커플링되는, 상기 제 2 제어기를 더 포함하는, 플라즈마 프로세싱 시스템.
  15. 플라즈마 프로세싱 시스템에서 전류 제어를 수행하는 메카니즘으로서,
    상기 플라즈마 프로세싱 시스템은 플라즈마의 적어도 제 1 부분을 유지하기 위해 제 1 전류를 전도하는 제 1 코일을 적어도 포함하고,
    상기 메카니즘은,
    공급된 전류의 임의의 위상 각도를 측정하지 않고 제 1 크기 측정값을 제공하기 위해 상기 공급된 전류의 크기를 측정하는 상기 제 1 코일과 커플링된 제 1 전류 크기 센서로서, 상기 공급된 전류는 복수의 전류들을 제공하는데 이용되는 상기 제 1 전류 또는 총 전류이고, 상기 복수의 전류들은 상기 공급된 전류가 상기 총 전류일 경우 상기 제 1 전류를 포함하는, 상기 제 1 전류 크기 센서; 및
    임의의 위상 각도 측정값에 관련된 정보를 이용하지 않고 상기 제 1 크기 측정값 및 상기 제 1 크기 측정값을 이용해 얻어진 정보 중 적어도 하나를 이용하여 제 1 커맨드를 생성하고, 상기 공급된 전류의 크기 및 상기 총 전류의 크기 중 적어도 하나를 제어하는 상기 제 1 커맨드를 제공하기 위한, 상기 제 1 전류 크기 센서와 커플링된 제 1 제어기를 포함하는, 플라즈마 프로세싱 시스템에서 전류 제어를 수행하는 메카니즘.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 공급된 전류는 상기 제 1 전류인, 플라즈마 프로세싱 시스템에서 전류 제어를 수행하는 메카니즘.
  17. 제 15 항에 있어서,
    상기 플라즈마 프로세싱 시스템은 상기 플라즈마의 적어도 제 2 부분을 유지하기 위해 제 2 전류를 전도하는 제 2 코일을 적어도 더 포함하고,
    상기 메카니즘은,
    상기 공급된 전류를 분할하기 위한 분할기로서, 상기 제 1 코일은 상기 분할기를 통해 상기 제 1 전류 크기 센서에 커플링되고, 상기 제 2 코일은 상기 분할기를 통해 상기 제 1 전류 크기 센서에 커플링되고, 상기 제 2 전류는 상기 복수의 전류들에 속하고, 상기 공급된 전류는 상기 총 전류인, 상기 분할기;
    제 2 크기 측정값을 제공하기 위해 상기 제 1 전류의 크기를 측정하는 제 2 전류 크기 센서로서, 상기 제 1 코일은 상기 제 2 전류 크기 센서에 커플링되는, 상기 제 2 전류 크기 센서;
    제 3 크기 측정값을 제공하기 위해 상기 제 2 전류의 크기를 측정하는 제 3 전류 크기 센서로서, 상기 제 2 코일은 상기 제 2 전류 크기 센서에 커플링되는, 상기 제 3 전류 크기 센서; 및
    상기 제 2 크기 측정값, 상기 제 3 크기 측정값, 상기 제 2 크기 측정값을 이용하여 얻어진 정보, 및 상기 제 3 크기 측정값을 이용하여 얻어진 정보 중 적어도 하나를 이용하여 제 2 커맨드를 생성하기 위해 상기 제 2 전류 크기 센서와 커플링되고 상기 제 3 전류 크기 센서와 커플링되는 제 2 제어기로서, 상기 제 2 제어기는 상기 제 1 전류의 크기 및 상기 제 2 전류의 크기 중 적어도 하나를 제어하는 상기 제 2 커맨드를 상기 분할기로 제공하기 위해 상기 분할기와 커플링되는, 상기 제 2 제어기를 더 포함하는, 플라즈마 프로세싱 시스템에서 전류 제어를 수행하는 메카니즘.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 제 2 제어기는 임의의 위상 각도 측정값을 이용하지 않고 상기 제 2 커맨드를 생성하는, 플라즈마 프로세싱 시스템에서 전류 제어를 수행하는 메카니즘.
  19. 제 15 항에 있어서,
    상기 플라즈마 프로세싱 시스템은 상기 플라즈마의 적어도 제 2 부분을 유지하기 위해 제 2 전류를 전도하는 제 2 코일을 적어도 더 포함하고,
    상기 메카니즘은,
    상기 공급된 전류를 분할하는 분할기로서, 상기 제 1 코일은 상기 분할기와 커플링되고, 상기 공급된 전류는 상기 제 1 전류이고, 상기 제 2 코일은 상기 분할기에 커플링되고, 상기 제 2 전류는 상기 복수의 전류들에 속하는, 상기 분할기; 및
    상기 제 1 크기 측정값 및 상기 제 1 크기 측정값을 이용하여 얻어진 정보 중 적어도 하나를 이용하여 제 2 커맨드를 생성하기 위해 상기 제 1 전류 크기 센서와 커플링되는 제 2 제어기로서, 상기 제 2 제어기는 상기 제 1 전류의 크기 및 상기 제 2 전류의 크기 중 적어도 하나를 제어하는 상기 제 2 커맨드를 상기 분할기로 제공하기 위해 상기 분할기와 커플링되는, 상기 제 2 제어기를 더 포함하는, 플라즈마 프로세싱 시스템에서 전류 제어를 수행하는 메카니즘.
  20. 제 15 항에 있어서,
    상기 플라즈마 프로세싱 시스템은 상기 플라즈마의 적어도 제 2 부분을 유지하기 위해 제 2 전류를 전도하는 제 2 코일을 적어도 더 포함하고,
    상기 메카니즘은,
    상기 공급된 전류를 분할하는 분할기로서, 상기 제 1 코일은 상기 분할기와 커플링되고, 상기 공급된 전류는 상기 제 1 전류이고, 상기 제 2 코일은 상기 분할기에 커플링되고, 상기 제 2 전류는 상기 복수의 전류들에 속하는, 상기 분할기;
    제 2 크기 측정값을 제공하기 위해 상기 제 2 전류의 크기를 측정하는 제 2 전류 크기 센서로서, 상기 제 2 코일은 상기 분할기에 커플링되는, 상기 제 2 전류 크기 센서; 및
    상기 제 1 크기 측정값, 상기 제 2 크기 측정값, 상기 제 1 크기 측정값에 관련된 정보, 및 상기 제 2 크기 측정값에 관련된 정보 중 적어도 하나를 이용하여 제 2 커맨드를 생성하기 위해 상기 제 1 전류 크기 센서 및 상기 제 2 전류 크기 센서와 커플링되는 제 2 제어기로서, 상기 제 2 제어기는 상기 제 1 전류의 크기 및 상기 제 2 전류의 크기 중 적어도 하나를 제어하는 상기 제 2 커맨드를 상기 분할기로 제공하기 위해 상기 분할기와 또한 커플링되는, 상기 제 2 제어기를 더 포함하는, 플라즈마 프로세싱 시스템에서 전류 제어를 수행하는 메카니즘.
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