JP3923323B2 - プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 - Google Patents
プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3923323B2 JP3923323B2 JP2002022323A JP2002022323A JP3923323B2 JP 3923323 B2 JP3923323 B2 JP 3923323B2 JP 2002022323 A JP2002022323 A JP 2002022323A JP 2002022323 A JP2002022323 A JP 2002022323A JP 3923323 B2 JP3923323 B2 JP 3923323B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- frequency power
- plasma processing
- excitation electrode
- matching circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法に係るもので、さらに詳しくは、プラズマ空間で消費される実効的な電力を安定させることができる、高性能なプラズマ処理装置及びそれを用いたプラズマ処理方法に係るものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、プラズマ処理装置としては図3に示す一周波励起タイプのプラズマ処理装置が知られている。
図3に示すプラズマ処理装置において、プラズマチャンバ76は、CVD(chemical vapor deposition)スパッタリング、ドライエッチング、アッシング等のプラズマ処理が可能な、一周波励起タイプのプラズマ処理室ユニットである。図に示すように、平行平板からなるプラズマを励起するためのプラズマ励起電極4とサセプタ電極8が設けられ、このプラズマ励起電極4に配電体3を介して接続された高周波電源1と、前記プラズマチャンバ76と前記高周波電源1とのインピー−ダンス整合を得るための整合回路2Aとを具備する構成となっている。
【0003】
さらに詳細に説明すると、プラズマチャンバ76にはチャンバ60の上部位置に高周波電源1に接続されたプラズマ励起電極(カソード電極)4及びシャワープレート5が設けられ、チャンバ60の下部には、シャワープレート5に対向して被処理基板16を載置するサセプタ(支持台)を兼ねたサセプタ電極(対向電極)8が設けられている。プラズマ励起電極4は、配電体3及び整合回路2Aを介して高周波電源1に接続されている。これらプラズマ励起電極4及び配電体3は、シャーシ(遮蔽導体)21に覆われていると共に、整合回路2Aは導電体からなるマッチングボックス2の内部に収納されている。これらシャーシ21,マッチングボックス2は互いに接続されると共に、マッチングボックス2は同軸ケーブルからなる給電線1Aのシールド線(外導体)に接続されている。
【0004】
図3に示すプラズマ処理装置の場合は、プラズマ励起電極4は、輪郭形状が直径30cm程度の円形となっており、このプラズマ励起電極面方向の断面が円形のチャンバ60に対応している。またプラズマ励起電極4の下側には、環状の凸部4aが設けられており、このプラズマ励起電極4の下には多数の孔7が形成されたシャワープレート5が凸部4aに接して設けられている。これらプラズマ励起電極4とシャワープレート5の間には、空間6が形成されている。この空間6には、シャーシ21の側壁を貫通すると共に、プラズマ励起電極4を貫通してガス導入管17が接続されている。
【0005】
このガス導入管17は、導体からなると共にガス導入管17の途中には、絶縁体17aがシャーシ21の内側位置に挿入されていて、プラズマ励起電極4とガス供給源とが絶縁されている。
ガス導入管17から導入されたガスは、シャワープレート5の多数の孔7を通してチャンバ壁10により構成されたチャンバ60内に供給される。チャンバ壁10とプラズマ励起電極4とは、絶縁体9により互いに絶縁されている。
一方、チャンバ60内には板状の基板16を載置するウエハサセプタとなるサセプタ電極8が設けられている。
【0006】
サセプタ電極8の下部中央には、シャフト13が接続され、このシャフト13がチャンバ底部10Aを貫通して設けられていると共に、シャフト13の下端部とチャンバ底部10Aの中心部とがベローズ11により密封接続されている。
これらサセプタ電極8とシャフト13は、ベローズ11により上下動が可能となっており、プラズマ励起電極4とサセプタ電極8との距離が自由に調節できるようになっている。サセプタ電極8、シャフト13、ベローズ11、チャンバ底部10A及びチャンバ壁10は直流的に同電位となっている。さらに、チャンバ壁10とシャーシ21とは接続されているため、チャンバ壁10、とシャーシ21、マッチングボックス2とは、いずれも直流的に同電位となっている。
【0007】
このプラズマ処理装置では、高周波電力はプラズマ励起電極4にのみ供給されており、サセプタ電極8は接地されている。また、サセプタ電極8とチャンバ壁10とは直流的に同電位となっている。また、排気系の図示は省略してある。
【0008】
整合回路2Aは、高周波電源1と給電板3との間に設けられ、チャンバ60内のプラズマ状態の変化に対応して、高周波電源1とプラズマ励起電極4との間のインピーダンス整合を得るよう調整するために、その多くは複数の受動素子を備えた構成となっている。具体的には図3の例では、真空バリコンからなるロードコンデンサ22と、チューニングコイル23と、エアバリコンからなるチューニングコンデンサ24の3種の受動素子から構成されている。ここで図3の例では1個のチューニングコイル23がロードコンデンサ22とチューニングコンデンサ24の間に接続されている。
【0009】
上記のようなプラズマ処理装置を使用してエッチング処理や成膜処理をする場合において、処理の均一性を保つことが重要である。そのためには発生するプラズマを安定させる必要がある。プラズマを安定させる手段としては、例えば特開平7−302696公報に示されるように、接地状態を積極的に制御し、電気特性に依存するイオン量を制御して処理特性を向上させることができるように、接地ラインをモニターしてプラズマ処理する方法が開示されている。図4に接地ラインをモニターしてプラズマ処理をする方法を例示する。
【0010】
図4のプラズマ処理装置は、エッチング装置本体101と、このエッチング装置本体101における真空排気やエッチングガスの供給状態、さらにはプラズマ形成のための高周波電力などを制御するプロセス制御部102とから構成されている。エッチング装置本体101は、マイクロ波を通すために誘電体の放電管で真空封止された処理室103と、この処理室103の下部に設けられた試料台105とからなり、試料台105には試料としての半導体ウェハ104が電気的に絶縁された状態で載置されている。
【0011】
また、処理室103から半導体ウェハ104にかけては、ソレノイドコイルと永久磁石(いずれも図示省略)によりミラー磁場が印加され、この状態において処理室103は高真空に排気され、続いてプロセスガスが所定のガス圧力で導入される。さらに、マグネトロンで発生したマイクロ波は、導波管(図示省略)を通って処理室103内に導入され、プラズマ励起電極(カソード電極、図示省略)に印加される。これによってマイクロ波放電が発生し、プラズマ状態がもたらされる。このマイクロ波放電には磁場中での電子のサイクロトロン運動とマイクロ波との共鳴現象が用いられている。
【0012】
さらに、エッチング装置本体101において被接地対象物としての処理室103を可変抵抗器(電流制御手段)111、電流計(測定手段)112を介してアースに積極的に落とすようになっている。これにより、電流計112からは処理室103における接地ラインの測定値の出力があり、この出力がコンピュータ113に接続されている。このコンピュータ113は、電流計112によって採取された測定値を基に可変抵抗器111の抵抗値を所望の値に制御する動作をするようにプログラミングされている。
【0013】
この場合に、接地ラインの電流値に依存するプラズマ中のイオンは、接地された処理室103の壁面や処理室103内の部品表面で消滅して接地ラインに電流が流れ、従って接地ラインに流れる電流を制御することにより、イオン消滅量、すなわちプラズマ中のイオン量を制御することができるとされている。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら上記の方法では、図3の場合と同様に、プラズマ励起電極に印加され高周波電力は、高周波電源の出力が高周波電源に出口で所定の値になるように制御されている。また、プラズマ励起電流の測定には、接地ライン側の電流の一部をバイパス回路に導いているので、全体の電流の一部、例えば、2〜3%を使用してプラズマ励起電流を測定しているに過ぎず、測定誤差が大きい難点がある。
また、上記の方法では、電流測定のために抵抗器を使用してバイパス回路を形成しているので、このバイパス回路のインピーダンスによる電流ロスが発生し、プラズマ励起に使用された電力を正確に把握することができない難点がある。
【0015】
さらに、従来の方法では、高周波電源の出力が電源出力部で所定の値になるように調整されているので、高周波電流を流したときの導体の温度上昇等に起因して整合回路の電力損失が変動し、プラズマ空間で実際に消費される実効的な電力が変動する欠点を有していた。例えば導体の温度が上昇すると高周波電力回路のインピーダンスが上昇し、プラズマ空間で消費される実効的な電力が減少する結果となる。さらに、複数のプラズマ室を連ねた装置では、複数のプラズマ空間で消費される実効的な電力に差が生じる難点があった。
本発明は上記問題点に鑑みなされたものであって、プラズマ励起電極(カソード電極)に印加される高周波電力を直接正確に把握して、設定された所定の値の電力に制御して、安定した均質なプラズマ処理が可能なプラズマ処理装置を提供しようとするものである。
【0016】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明のプラズマ処理装置は、プラズマを励起するための電力が供給されるプラズマ励起電極と、該プラズマ励起電極と対向するサセプタ電極とを内部に有するプラズマ処理室と、前記プラズマ励起電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得るための、整合回路とを具備し、前記サセプタ電極上の被処理基板をプラズマにて処理するプラズマ処理装置であって、記整合回路は、入力端子と出力端子とを有し、前記入力端子に、前記高周波電力を前記高周波電源から前記整合回路に供給する高周波電力給電体を介して前記高周波電源が接続され、記出力端子に、前記高周波電力を前記整合回路から前記プラズマ励起電極に供給する高周波電力配電体を介して前記プラズマ励起電極が接続され、これら入出力端子の間にコイルとコンデンサがそれぞれ1又は複数配置され、前記プラズマ処理室のチャンバ壁と導通している接地電位部分が前記コンデンサのうちの1つを介して接続されており、前記電力配電体に取り付けられた、前記電力配電体を流れる電流をモニターするための電流検出手段と、該電流検出手段によって検出した電流値とあらかじめ設定した設定値との差を検出し、その差がゼロとなる前記整合回路中の1つのコンデンサの容量の変化を演算するとともに、前記整合回路へのフィードバック回路を介して、前記変化量を変化させて、前記回路にフィードバックし、該制御信号に基づいて当該コンデンサの容量を変化させて、前記電極に印加される実効的な電力が所定の値になるように制御する手段とを具備してなることを特徴とする。
【0017】
このようなプラズマ処理装置とすることにより、プラズマ励起電極に印加される高周波電力を直接正確に把握して、所定の電力に制御して安定した均質なプラズマ処理が可能となる。
【0018】
本発明のプラズマ処理装置では、電流検出手段が、前記配電体を囲む第1のコイルと、該第1のコイルの電流を変換する第2のコイル及び該第2のコイルから電流が供給されるブリッジ回路を利用することができる。
これにより、第1と第2のコイルに流れる電流を変換して取り出し、ブリッジ回路にて検知できるのでプラズマ励起電極に印加する実効的な電力を制御することができる。
【0019】
また、本発明のプラズマ処理方法は、プラズマを励起するための電力が供給されるプラズマ励起電極と、 該プラズマ励起電極と対向するサセプタ電極とを内部に有するプラズマ処理室と、前記プラズマ励起電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得るための、整合回路とを具備し、前記サセプタ電極上の被処理基板をプラズマにて処理するプラズマ装置であって、前記整合回路は、入力端子と出力端子とを有し、前記入力端子に、前記高周波電力を前記高周波電源から前記整合回路に供給する高周波電力給電体を介して前記高周波電源が接続され、前記出力端子に、前記高周波電力を前記整合回路から前記プラズマ励起電極に供給する高周波電力配電体を介して前記プラズマ励起電極が接続され、これら入出力端子の間にコイルとコンデンサがそれぞれ1又は複数配置され、前記プラズマ処理室のチャンバ壁と導通している接地電位部分が前記コンデンサのうちの1つを介して接続され、前記電力配電体に取り付けられた、前記電力配電体を流れる電流をモニターするための電流検出手段を備えたプラズマ処理装置を用い、該電流検出手段によって検出した電流値とあらかじめ設定した設定値との差を検出し、その差がゼロとなる前記整合回路中の1つのコンデンサの容量の変化を演算するとともに、前記整合回路へのフィードバック回路を介して、前記変化量を変化させて、前記回路にフィードバックし、該制御信号に基づいて当該コンデンサの容量を変化させて、前記電極に印加される実効的な電力が所定の値になるように制御しながら前記被処理基板をプラズマ処理する方法を採用した。
【0020】
このようなプラズマ処理方法によれば、エッチング処理や成膜処理、スパッタ処理等をする場合において、処理の均一性を保つことが可能となる。
【0021】
【発明の実施の形態】
次に図面を使用して本発明を具体的に説明する。
図1は、本発明のプラズマ処理装置の第1の実施形態の概略構成を示す断面図である。
本発明のプラズマ処理装置の主要構成は、図3に示した従来のプラズマ処理装置と同様である。よって同じ機能の部品には図3と同じ番号を付してある。本発明のプラズマ処理装置が図3に示す従来のプラズマ処理装置と異なる点は、配電体に電流検出手段を取りつけて高周波電流を検出し、これを利用してプラズマ励起電極に印加される高周波電力を所定の値になるよう制御するようにした点である。従って、この制御回路を中心に説明する。
【0022】
図1に示すように本発明のプラズマ処理装置では、プラズマを励起するためのプラズマ励起電極4に高周波電流を印加するための配電体3にクランプメーター12を取りつけ、配電体3を流れる電流の大きさを検知し、検知した電流を制御回路15に入力する。
制御回路15では、検知した電流とあらかじめ入力しておいた設定値との差異を演算し、差異が零(0)となるまで高周波電源1の出力を増減させる信号を発生して、これを高周波電源1又は整合回路2Aにフィードバックする。一つの方法は、高周波電源1にフィードバックされた信号に基づいて、高周波電源1の出力を増減させる。もう一つの方法は、整合回路2Aにフィードバックされた信号に基づいて整合回路2Aのロードコンデンサ22又はチューニングコンデンサ24の容量を変化させて、プラズマ励起電極4に印加する高周波電力を調整する。
このように電流検知と制御信号のフィードバックとを繰り返し、検知電流とあらかじめ設定した電流値との差異が零(0)となるように制御する。
【0023】
制御回路15の構成の一例を図2に示す。図2に示す例では、配電体3にコイル12aからなるクランプメーター12を取りつけてある。クランプメーター12はあらかじめ取りつけた固定式であっても、あるいはコイル12aを開閉式として必要時点で取りつける可動式であっても良い。
コイル12aに巻き数の異なるコイル12bを取り付け、コイル12aの電流を変換して取り出してブリッジ回路18で検知する。ブリッジ回路18の電流計19が零(0)となるように制御する。電流計19の指示に従って制御信号を発する制御回路を設けておき、制御信号を高周波電源又は整合回路にフィードバックする。
【0024】
次に、本発明のプラズマ処理装置を使用してプラズマ処理を行う方法について説明する。
本発明のプラズマ処理方法は、プラズマを励起するための電極に印加する電力を所定の値に維持するように制御しつつ処理する方法を採用した。具体的には、プラズマを励起するための電極に印加する高周波電力の配電体を流れる電流を電流検出手段によってモニターし、該検電流検出手段によって検出した電流が所定の値になるようにしてプラズマをする。
本発明のプラズマ処理方法では、プラズマ励起電極に印加される高周波電力を直接検知して設定値になるよう制御するので、例えば高周波電流を流したときの導体の温度上昇等に起因して整合回路の電力損失が変動し、プラズマ空間で実際に消費される実効的な電力が変動しても逐一追随した補償が可能となる。さらに、複数のプラズマ室を連ねた装置であっても、複数のプラズマ処理空間で消費される実効的な電力を均一に保持することができるようになる。
このようなプラズマ処理方法によれば、エッチング処理や成膜処理、スパッタ処理等をする場合において、処理の均一性を保つことが可能となる。
【0025】
【作用】
本発明は、プラズマ励起電極(カソード電極)に印加される高周波電力を直接正確に把握して安定した電力制御をすることにより、安定で均質なプラズマ処理が可能なプラズマ処理装置としたものである。
【0026】
【発明の効果】
本発明によればプラズマ空間で消費される実効的な電力を一定に保つことができるので、エッチング処理や成膜処理、スパッタ処理等の処理をする場合において均一で安定した処理をすることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明のプラズマ処理装置の概略構成を示す断面図である。
【図2】 図1のプラズマ処理装置における制御方法の概要を説明する図である。
【図3】 従来のプラズマ処理装置の一例の概略構成を示す断面図である。
【図4】 従来のプラズマ処理装置の他の例の概略構成を示す断面図である。
【符号の説明】
1・・・・・高周波電源、2・・・・・マッチングボックス、2A・・・・・・整合回路、3・・・・・配電体、4・・・・・プラズマ励起電極、5・・・・・・シャワープレート、6・・・・・・空間、7・・・・・・孔、8・・・・・・サセプタ電極、9・・・・・・絶縁体、10・・・・・・チャンバ壁、11・・・・・・ベローズ、12・・・・・・クランプメーター、13・・・・・・シャフト、15・・・・・・制御回路、16・・・・・・基板、17・・・・・・ガス導入管、18・・・・・・ブリッジ回路、19・・・・・・電流計、22・・・・・・ロードコンデンサ、23・・・・・・チューニングコイル、24・・・・・・チューニングコンデンサ、60・・・・・・チャンバ、75,76・・・・・・プラズマチャンバ、101・・・・・・エッチング装置本体、102・・・・・・プロセス制御部、103・・・・・・処理室、104・・・・・・半導体ウェハ、111・・・・・・可変抵抗器、112・・・・・・電流計。
Claims (3)
- プラズマを励起するための電力が供給されるプラズマ励起電極と、
該プラズマ励起電極と対向するサセプタ電極とを内部に有するプラズマ処理室と、前記プラズマ励起電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得るための、整合回路とを具備し、前記サセプタ電極上の被処理基板をプラズマにて処理するプラズマ処理装置であって、
前記整合回路は、入力端子と出力端子とを有し、
前記入力端子に、前記高周波電力を前記高周波電源から前記整合回路に供給する高周波電力給電体を介して前記高周波電源が接続され、
前記出力端子に、前記高周波電力を前記整合回路から前記プラズマ励起電極に供給する高周波電力配電体を介して前記プラズマ励起電極が接続され、
これら入出力端子の間にコイルとコンデンサがそれぞれ1又は複数配置され、前記プラズマ処理室のチャンバ壁と導通している接地電位部分が前記コンデンサのうちの1つを介して接続されており、
前記電力配電体に取り付けられた、前記電力配電体を流れる電流をモニターするための電流検出手段と、
該電流検出手段によって検出した電流値とあらかじめ設定した設定値との差を検出し、その差がゼロとなる前記整合回路中の1つのコンデンサの容量の変化を演算するとともに、
前記整合回路へのフィードバック回路を介して、前記変化量を変化させて、前記回路にフィードバックし、該制御信号に基づいて当該コンデンサの容量を変化させて、前記電極に印加される実効的な電力が所定の値になるように制御する手段、とを具備してなることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記電流検出手段が、前記配電体を囲む第1のコイルと、該第1のコイルの電流を変換する第2のコイル及び該第2のコイルから電流が供給されるブリッジ回路とからなることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- プラズマを励起するための電力が供給されるプラズマ励起電極と、 該プラズマ励起電極と対向するサセプタ電極とを内部に有するプラズマ処理室と、前記プラズマ励起電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得るための、整合回路とを具備し、前記サセプタ電極上の被処理基板をプラズマにて処理するプラズマ装置であって、前記整合回路は、入力端子と出力端子とを有し、前記入力端子に、前記高周波電力を前記高周波電源から前記整合回路に供給する高周波電力給電体を介して前記高周波電源が接続され、前記出力端子に、前記高周波電力を前記整合回路から前記プラズマ励起電極に供給する高周波電力配電体を介して前記プラズマ励起電極が接続され、これら入出力端子の間にコイルとコンデンサがそれぞれ1又は複数配置され、前記プラズマ処理室のチャンバ壁と導通している接地電位部分が前記コンデンサのうちの1つを介して接続され、前記電力配電体に取り付けられた、前記電力配電体を流れる電流をモニターするための電流検出手段を具備したプラズマ処理装置を用い、該電流検出手段によって検出した電流値とあらかじめ設定した設定値との差を検出し、その差がゼロとなる前記整合回路中の1つのコンデンサの容量の変化を演算するとともに、前記整合回路へのフィードバック回路を介して、前記変化量を変化させて、前記回路にフィードバックし、該制御信号に基づいて当該コンデンサの容量を変化させて、前記電極に印加される実効的な電力が所定の値になるように制御しながら前記被処理基板をプラズマ処理することを特徴とするプラズマ処理方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002022323A JP3923323B2 (ja) | 2002-01-30 | 2002-01-30 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
TW092100349A TWI239794B (en) | 2002-01-30 | 2003-01-08 | Plasma processing apparatus and method |
KR10-2003-0003285A KR100517034B1 (ko) | 2002-01-30 | 2003-01-17 | 플라즈마 처리장치 및 플라즈마 처리방법 |
US10/353,760 US6792889B2 (en) | 2002-01-30 | 2003-01-28 | Plasma processing apparatus and method capable of performing uniform plasma treatment by control of excitation power |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002022323A JP3923323B2 (ja) | 2002-01-30 | 2002-01-30 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003224112A JP2003224112A (ja) | 2003-08-08 |
JP3923323B2 true JP3923323B2 (ja) | 2007-05-30 |
Family
ID=27745345
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002022323A Expired - Lifetime JP3923323B2 (ja) | 2002-01-30 | 2002-01-30 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3923323B2 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5929717A (en) * | 1998-01-09 | 1999-07-27 | Lam Research Corporation | Method of and apparatus for minimizing plasma instability in an RF processor |
JP2005209935A (ja) * | 2004-01-23 | 2005-08-04 | Fab Solution Kk | 放電検出装置 |
JP5107597B2 (ja) * | 2006-03-29 | 2012-12-26 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP4350766B2 (ja) | 2007-03-30 | 2009-10-21 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置,高周波電源の校正方法,高周波電源 |
US8073646B2 (en) | 2007-03-30 | 2011-12-06 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus, radio frequency generator and correction method therefor |
JP2009076797A (ja) * | 2007-09-25 | 2009-04-09 | Panasonic Corp | プラズマ処理装置 |
JP5008509B2 (ja) * | 2007-09-25 | 2012-08-22 | パナソニック株式会社 | プラズマ処理方法 |
WO2011049994A2 (en) * | 2009-10-20 | 2011-04-28 | Lam Research Corporation | Current control in plasma processing systems |
US20110094994A1 (en) | 2009-10-26 | 2011-04-28 | Applied Materials, Inc. | Inductively coupled plasma apparatus |
JP5943725B2 (ja) * | 2012-06-08 | 2016-07-05 | キヤノン株式会社 | 堆積膜形成方法および電子写真感光体の製造方法 |
JP7352068B2 (ja) * | 2019-07-12 | 2023-09-28 | 日新電機株式会社 | プラズマ制御システム |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0732077B2 (ja) * | 1992-10-07 | 1995-04-10 | 株式会社京三製作所 | 高周波発生装置 |
EP1009199B1 (en) * | 1997-08-22 | 2007-02-07 | Tokyo Electron Limited | Method for controlling plasma processor |
JP3396879B2 (ja) * | 1997-11-30 | 2003-04-14 | アルプス電気株式会社 | プラズマ処理装置、マッチングボックス及び給電体 |
US5929717A (en) * | 1998-01-09 | 1999-07-27 | Lam Research Corporation | Method of and apparatus for minimizing plasma instability in an RF processor |
JP2000173982A (ja) * | 1998-12-01 | 2000-06-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
JP2001144071A (ja) * | 1999-11-10 | 2001-05-25 | Toshiba Corp | プラズマ処理方法及びその装置 |
JP2001144077A (ja) * | 1999-11-15 | 2001-05-25 | Applied Materials Inc | プラズマ処理装置及び方法 |
JP2001250811A (ja) * | 2000-03-06 | 2001-09-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理方法及び装置 |
-
2002
- 2002-01-30 JP JP2002022323A patent/JP3923323B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2003224112A (ja) | 2003-08-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI239794B (en) | Plasma processing apparatus and method | |
US7567037B2 (en) | High frequency power supply device and plasma generator | |
US8193097B2 (en) | Plasma processing apparatus and impedance adjustment method | |
KR100274757B1 (ko) | 플라즈마 처리장치 및 플라즈마 처리방법 | |
JP5160802B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
US7190119B2 (en) | Methods and apparatus for optimizing a substrate in a plasma processing system | |
US6172321B1 (en) | Method and apparatus for plasma processing apparatus | |
US7432467B2 (en) | Plasma processing apparatus | |
JP4838612B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
KR19990087819A (ko) | 플라즈마 처리장치 | |
JP2006507662A (ja) | プラズマ処理システム内のアーク抑制方法およびシステム | |
JP2004055600A (ja) | プラズマ処理装置 | |
KR101290676B1 (ko) | 플라즈마 처리장치 및 플라즈마 처리방법 | |
JP3923323B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
JPH08227800A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
TWI712342B (zh) | 電漿處理裝置及電漿處理方法 | |
JPWO2009005148A1 (ja) | 表面処理装置 | |
JP2018041531A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP3254069B2 (ja) | プラズマ装置 | |
KR102207755B1 (ko) | 플라스마 처리 장치 | |
JP2001007089A (ja) | プラズマ処理方法及び装置 | |
JP3704894B2 (ja) | プラズマ処理方法及び装置 | |
JP3685461B2 (ja) | プラズマ処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041222 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20051215 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060608 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060613 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060809 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061121 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070122 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070213 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070221 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100302 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110302 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120302 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120302 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130302 Year of fee payment: 6 |