KR20120016011A - 액 처리 장치, 액 처리 방법 및 기억 매체 - Google Patents
액 처리 장치, 액 처리 방법 및 기억 매체 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20120016011A KR20120016011A KR1020110079911A KR20110079911A KR20120016011A KR 20120016011 A KR20120016011 A KR 20120016011A KR 1020110079911 A KR1020110079911 A KR 1020110079911A KR 20110079911 A KR20110079911 A KR 20110079911A KR 20120016011 A KR20120016011 A KR 20120016011A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- liquid
- processing
- nozzle
- unit
- liquid nozzle
- Prior art date
Links
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims abstract description 476
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 201
- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 60
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 48
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims abstract description 37
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 89
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 9
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 abstract description 23
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 160
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 67
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 37
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 25
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 16
- 238000011161 development Methods 0.000 description 14
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 13
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 13
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 10
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 7
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 3
- 101100221835 Arabidopsis thaliana CPL2 gene Proteins 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 2
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 2
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 101100221836 Arabidopsis thaliana CPL3 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100221837 Arabidopsis thaliana CPL4 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100065702 Arabidopsis thaliana ETC3 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100536545 Arabidopsis thaliana TCL2 gene Proteins 0.000 description 1
- 240000001973 Ficus microcarpa Species 0.000 description 1
- 244000126211 Hericium coralloides Species 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101150075071 TRS1 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000003466 anti-cipated effect Effects 0.000 description 1
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 238000011086 high cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
- G03F7/70916—Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
본 발명의 과제는 액 처리 장치에 있어서, 상기 처리액 노즐에 부착된 처리액으로부터의 석출물에 의해 기판이 오염되는 것을 방지하여, 수율의 저하를 방지하는 것이다.
컵체의 중에 기판을 수평으로 보유 지지하는 기판 보유 지지부를 설치하여 구성되는 액 처리부와, 처리액 노즐과, 상기 컵체의 외측에 설치되고, 상기 처리액 노즐을 대기시키기 위한 대기부와, 상기 액 처리부의 각각의 상방 영역과, 대기부 사이에서 처리액 노즐을 이동시키기 위한 이동 수단과, 상기 대기부에 설치되고, 처리액 노즐에 세정액을 공급하여 세정하는 세정액 공급 수단과, 상기 대기부에 설치되고, 당해 대기부에서 대기하는 처리액 노즐로부터 떨어진 상기 세정액의 액적에 접촉하여, 당해 액적을 처리액 노즐로부터 제거하는 액 제거부를 구비하도록 장치를 구성하고, 석출물을 씻어 내고, 또한 사용한 세정액의 액적을 제거한다.
컵체의 중에 기판을 수평으로 보유 지지하는 기판 보유 지지부를 설치하여 구성되는 액 처리부와, 처리액 노즐과, 상기 컵체의 외측에 설치되고, 상기 처리액 노즐을 대기시키기 위한 대기부와, 상기 액 처리부의 각각의 상방 영역과, 대기부 사이에서 처리액 노즐을 이동시키기 위한 이동 수단과, 상기 대기부에 설치되고, 처리액 노즐에 세정액을 공급하여 세정하는 세정액 공급 수단과, 상기 대기부에 설치되고, 당해 대기부에서 대기하는 처리액 노즐로부터 떨어진 상기 세정액의 액적에 접촉하여, 당해 액적을 처리액 노즐로부터 제거하는 액 제거부를 구비하도록 장치를 구성하고, 석출물을 씻어 내고, 또한 사용한 세정액의 액적을 제거한다.
Description
본 발명은, 기판에 처리액을 공급하여 액 처리를 행하는 액 처리 장치, 액 처리 방법 및 기억 매체에 관한 것이다.
반도체 제조 공정의 하나인 포토레지스트 공정에 있어서는, 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라고 함)의 표면에 레지스트를 도포하고, 이 레지스트를 소정의 패턴으로 노광한 후에 현상하여 레지스트 패턴을 형성하고 있다. 이와 같은 처리는, 일반적으로 레지스트의 도포, 현상을 행하는 도포, 현상 장치에 노광 장치를 접속한 시스템을 사용하여 행해진다.
이 도포, 현상 장치에는 웨이퍼에 처리액을 공급하여 액 처리를 행하는 액 처리 모듈이 설치되어 있다. 이 액 처리 모듈로서는 예를 들어 현상액을 공급하여 현상을 행하는 현상 모듈(현상 장치)이 있다. 현상 모듈은, 웨이퍼를 보유 지지하는 기판 보유 지지부와, 액 배출 수단 및 배기 수단을 구비하고, 그 기판 보유 지지부에 보유 지지된 웨이퍼를 둘러싸도록 설치된 컵체를 포함하는 현상 처리부를 구비하고 있다. 또한, 그 밖에 현상 모듈은 상기 웨이퍼에 현상액을 공급하기 위한 현상액 노즐과, 그 현상액 노즐을 대기시키기 위한 대기부와, 현상액 공급 후에 세정액을 공급하는 세정액 노즐을 구비하고 있다.
처리량의 향상을 도모하기 위해, 이 현상 모듈에 있어서 상기 현상 처리부를 횡방향으로 복수 배치하고, 그 현상 처리부의 배열 방향의 연장선 상에 상기 대기부를 설치하고, 그리고 각 컵에 공통의 현상액 노즐이 각 현상 처리부의 상방 영역과 대기부 사이를 이동하여 현상액을 공급하는 구성으로 하는 경우가 있다. 이 경우, 하나의 현상 처리부의 웨이퍼에 현상액의 공급이 행해지고 있는 동안에 다른 현상 처리부에서는 웨이퍼에 세정액이 공급되거나, 기판 보유 지지부를 회전시켜 스핀 건조가 행해지거나 한다.
그런데 웨이퍼에 현상액 공급을 행한 후, 현상액 노즐의 하단부에 현상액의 액적이 부착되어, 아래로 떨어지는 경우가 있다. 그리고 현상 장치를 상기와 같이 구성한 경우, 현상액 노즐이 현상 처리부간을 이동하는 동안에 이 액적이 건조를 끝낸 웨이퍼 상에 낙하하여, 워터 마크로 되게 될 우려가 있다. 따라서, 이와 같이 현상액 노즐로부터 아래로 떨어지는 액적을 제거하는 요구가 높아지고 있다.
이 액적의 제거를 행하기 위해서는, 현상액 노즐에 흡인 기구를 설치하여 현상액 노즐의 토출구로부터 흡인을 행하여, 액적을 흡입하는 것이나, 웨이퍼 이외의 장소를 향하여 현상액을 토출하고, 액적을 흘리는 소위 더미 디스펜스라고 불리는 처리를 행하는 것이 생각된다. 그러나 상기 흡인 기구를 설치하는 것은 고비용으로 되고, 더미 디스펜스를 행하는 것은 처리 택트의 연장에 의한 처리량의 저하나 현상 처리의 비용 상승을 초래할 우려가 있다.
또한, 웨이퍼에의 현상액의 공급 방법으로서는, 회전하는 웨이퍼에 현상액 노즐로부터 현상액을 토출시키면서, 그 현상액 노즐을 웨이퍼의 직경 방향으로 이동시켜 그 표면에 액막을 형성하는 경우가 있다. 이 경우, 웨이퍼(W)에 토출된 현상액이 웨이퍼(W) 상에서 튕겨 파티클로 되는 것을 억제하기 위해, 현상액 노즐(11)은 도 43에 도시한 바와 같이 그 토출구(12)가 비스듬하게 기울어진 상태로 이동 수단에 설치되고, 그 이동 수단에 의해서 기울어진 상태 그대로, 웨이퍼(W) 상 및 현상 처리부간을 이동시키는 것이 검토되고 있다.
그러나, 이와 같이 현상액 노즐(11)을 기울인 경우에는 도면 중의 쇄선간에서 도시하는 토출구(12)의 투영 영역(14)으로부터 하방으로 어긋난 위치에 액적(13)이 형성되기 때문에, 상기와 같이 흡인 기구를 설치하거나, 더미 디스펜스를 행하거나 해도 충분히 액적(13)을 제거할 수 없을 우려가 있다.
그런데, 현상액 노즐(11)로부터 현상액을 웨이퍼에 토출하면, 토출구(12) 및 그 주변에 부착된 현상액이 건조하고, 당해 현상액에 포함되는 성분이 석출된다. 그리고, 이 석출물이 현상액 노즐(11)로부터 낙하하고, 웨이퍼에 부착되면 현상 결함이 발생될 우려가 있다. 따라서, 세정액에 의해 현상액 노즐(11)을 세정하는 것도 생각되지만, 이 세정액의 방울이 현상액 노즐(11)로부터 처리 중의 웨이퍼에 떨어지면 결함을 야기하게 될 우려가 있다.
현상 장치에 대해서 설명해 왔지만, 현상액 대신에 레지스트 등의 각종 처리액을 도포하는 액 처리 장치에 대해서도, 사용하는 처리액이 현상액과 다른 것 외에는, 상술한 현상 장치와 같은 장치 구성으로 되는 경우가 있다. 그리고, 그 액 처리 장치에 대해서도 이와 같이 처리액을 공급하는 노즐로부터 액적이 아래로 떨어지고, 아래로 떨어지는 동안에 그 액적에 포함되는 용제가 휘발하여, 액적 중의 성분의 농도가 변화되는 것이 생각된다. 그리고, 그와 같이 성분의 농도가 변화된 액적이 액 처리 전, 액 처리 후의 웨이퍼 상에 낙하하면 그 액적이 파티클로 되어 웨이퍼를 오염시키거나, 웨이퍼의 면내에 있어서의 처리의 균일성이 저하되거나 함으로써, 역시 수율이 저하될 우려가 있다. 또한, 이 액 처리 장치에 있어서도 처리액의 성분이 건조하여, 노즐로부터 웨이퍼(W)에 낙하할 우려가 있다.
특허 문헌 1에는 하나의 컵체의 측방 위치에 액적 제거용의 침(針)을 설치하는 것이 기재되어 있다. 그러나 상기와 같이 복수의 컵체를 설치하여 처리를 행하는 것에 대해서는 기재되어 있지 않고, 또한, 상기의 처리액으로부터의 석출물에 대해서 대처하는 수단에 대해서는 기재되어 있지 않다. 따라서, 상기의 문제를 해결하기 위해서는 불충분하다.
본 발명은 이와 같은 사정 하에 이루어진 것이며, 그 목적은, 액 처리 장치에 있어서, 상기 처리액 노즐에 부착된 처리액으로부터의 석출물에 의해 기판이 오염되는 것을 방지하고, 수율의 저하를 방지할 수 있는 액 처리 장치, 액 처리 방법 및 기억 매체를 제공하는 것에 있다.
본 발명의 액 처리 장치는, 상측에 개구부가 형성된 컵체의 중에 기판을 수평으로 보유 지지하는 기판 보유 지지부를 설치하여 구성되는 액 처리부와,
기판에 처리액을 공급하기 위한 처리액 노즐과,
상기 컵체의 외측에 설치되고, 상기 처리액 노즐을 대기시키기 위한 대기부와,
상기 액 처리부의 상방 영역과, 대기부 사이에서 처리액 노즐을 이동시키기 위한 이동 수단과,
상기 대기부에 설치되고, 대기부에서 대기하는 처리액 노즐에 세정액을 공급하여 세정하는 세정액 공급 수단과,
상기 대기부에 설치되고, 당해 대기부에서 대기하는 처리액 노즐로부터 떨어진 상기 세정액의 액적에 접촉하여, 당해 액적을 처리액 노즐로부터 제거하는 액 제거부를 구비한 것을 특징으로 한다.
상기 액 처리 장치는 예를 들어,
(a) 상기 액 처리부는, 횡방향으로 일렬로 복수 설치되고,
상기 처리액 노즐은 이들 복수의 액 처리부에 대하여 공용화되고,
상기 대기부는, 액 처리부의 열의 연장선 상에 설치되고,
상기 이동 수단은, 상기 액 처리부의 각각의 상방 영역과 상기 대기부 사이에서 상기 처리액 노즐을 액 처리부의 열에 따라서 이동시키도록 구성된다.
본 발명의 다른 액 처리 장치는, 상측에 개구부가 형성된 컵체의 중에 기판을 수평으로 보유 지지하는 기판 보유 지지부를 설치하여 구성되고, 각각 횡방향으로 일렬로 배치된 복수의 액 처리부와,
이들 복수의 액 처리부에 대하여 공용화되고, 기판에 처리액을 공급하기 위한 처리액 노즐과,
상기 액 처리부의 열의 연장선 상에 설치되고, 처리액 노즐을 대기시키기 위한 대기부와,
상기 액 처리부의 각각의 상방 영역과 상기 대기부 사이에서 상기 처리액 노즐을 액 처리부의 열에 따라서 이동시키기 위한 이동 수단과,
서로 인접하는 컵체의 개구부간에 설치되고, 처리액 노즐에 세정액을 공급하여 세정하는 세정액 공급 수단과,
서로 인접하는 컵체의 개구부간에 설치되고, 상기 이동 수단에 의해 이동하는 처리액 노즐로부터 떨어진 상기 세정액의 액적에 접촉하여, 당해 액적을 처리액 노즐로부터 제거하는 액 제거부를 구비한 것을 특징으로 한다.
이들의 액 처리 장치의 구체적인 형태로서는 이하와 같다.
(b) 상기 액 제거부는, 상기 대기부에서 대기하는 처리액 노즐의 토출구의 투영 영역으로부터 벗어난 위치에 설치된다.
(c) 상기 세정액 공급 수단은 액 제거부에 설치되고, 상기 액 제거부는 세정액을 공급하는 공급구를 구비한다.
(d) 상기 액 제거부의 상방에 위치하는 처리액 노즐에 가스를 토출하고, 처리액 노즐에 부착된 세정액을 당해 처리액 노즐의 하방측으로 흘리는 가스 공급부가 설치된다.
(e) 처리액 노즐에 가스를 토출하여, 상기 세정액 공급 수단으로부터 공급되는 세정액이 처리액 노즐에 충돌하는 압력을 제어하는 제2 가스 공급부가 설치된다.
(f) 상기 처리액은 현상액이며, 상기 기판은 그 표면에 레지스트가 도포되어, 노광된 것이다.
본 발명의 액 처리 방법은, 상측에 개구부가 형성된 컵체의 중에 설치되는 기판 보유 지지부에 기판을 수평으로 보유 지지하는 공정과,
처리액 노즐로부터 기판에 처리액을 공급하는 공정과,
상기 컵체의 외측에 설치된 대기부에, 상기 처리액 노즐을 대기시키는 공정과,
상기 컵체 및 기판 보유 지지부를 구성하는 상기 액 처리부의 상방 영역과, 대기부 사이에서 처리액 노즐을 이동시키는 공정과,
상기 대기부에 설치되는 세정액 공급 수단에 의해, 처리액 노즐에 세정액을 공급하여 처리액 노즐을 세정하는 공정과,
세정 후의 처리액 노즐로부터 떨어진 세정액의 액적을, 대기부에서 대기하는 처리액 노즐의 하방측에 설치되는 액 제거부에 접촉시켜 제거하는 공정을 구비한 것을 특징으로 한다.
상기 액 처리 장치의 구체적 형태로서는 예를 들어 이하와 같다.
(g) 상기 액 처리부는, 횡방향으로 일렬로 복수 설치되고,
상기 처리액 노즐은 이들 복수의 액 처리부에 대하여 공용화되고,
상기 대기부는, 액 처리부의 열의 연장선 상에 설치되고,
상기 액 처리부의 각각의 상방 영역과 상기 대기부 사이에서 상기 처리액 노즐을 액 처리부의 열에 따라서 이동시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 액 처리 방법은, 상측에 개구부가 형성된 컵체의 중에 기판을 수평으로 보유 지지하는 기판 보유 지지부를 설치하여 구성되고, 각각 횡방향으로 일렬로 배치된 복수의 액 처리부에 대하여 공용화된 처리액 노즐로부터, 상기 기판에 처리액을 공급하는 공정과,
상기 액 처리부의 열의 연장선 상에 설치된, 처리액 노즐을 대기시키기 위한 대기부와, 상기 액 처리부의 각각의 상방 영역 사이에서 상기 처리액 노즐을 액 처리부의 열에 따라서 이동 수단에 의해 이동시키는 공정과,
서로 인접하는 컵체의 개구부간에 설치된 세정액 공급 수단에 의해, 처리액 노즐에 세정액을 공급하여 세정하는 공정과,
서로 인접하는 컵체의 개구부간에 있어서의 처리액 노즐의 이동로의 하방측에 설치된 액 제거부를, 상기 이동 수단에 의해 이동하는 처리액 노즐로부터 떨어진 세정액의 액적에 접촉시키는 공정과,
상기 액 제거부에 접촉한 액적을 당해 액 제거부에 의해 처리액 노즐로부터 제거하는 공정을 구비한 것을 특징으로 한다.
본 발명의 기억 매체는, 기판에 대한 액 처리를 행하는 액 처리 장치에 사용되는 컴퓨터 프로그램이 기억된 기억 매체이며,
상기 컴퓨터 프로그램은, 액 처리 방법을 실시한다.
본 발명에 따르면, 대기부에 설치된 세정액 공급 수단에 의해, 처리액 노즐에 세정액을 공급하여 처리액 노즐의 부착물을 제거하고, 상기 대기부에서 대기하는 처리액 노즐의 하방측에 위치하는 액 제거부가, 세정액의 액적을 처리액 노즐로부터 제거한다. 따라서, 처리액의 부착물 및 세정액의 방울이 기판에 낙하하여, 기판에 결함이 발생되거나, 워터 마크가 발생하여, 기판에 정상 처리를 행할 수 없게 되는 것을 방지할 수 있기 때문에, 수율의 저하를 억제할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 형태에 따른 현상 장치의 개략도.
도 2는 상기 현상 장치의 사시도.
도 3은 상기 현상 장치의 평면도.
도 4는 상기 현상 장치에 설치된 현상액 노즐 및 대기부의 사시도.
도 5는 상기 현상액 노즐과 액 제거부의 위치 관계를 도시하는 설명도 및 상기 현상액 노즐의 하방측 사시도.
도 6은 상기 현상액 노즐에 의해 현상액이 웨이퍼에 공급되는 모습을 도시한 설명도.
도 7은 현상액 노즐의 이동 경로에 있어서 현상액 노즐의 액적이 제거되는 모습을 도시한 설명도.
도 8은 대기부에 있어서 현상액 노즐의 액적이 제거되는 모습을 도시한 설명도.
도 9는 상기 현상 장치에 의한 현상 공정을 도시한 작용도.
도 10은 상기 현상 장치에 의한 현상 공정을 도시한 작용도.
도 11은 상기 현상 장치에 의한 현상 공정을 도시한 작용도.
도 12는 상기 현상 장치의 다른 현상 공정을 도시한 작용도.
도 13은 액 제거부의 다른 구성을 도시한 설명도.
도 14는 액 제거부의 또 다른 구성을 도시한 설명도.
도 15는 또 다른 액 제거부 및 당해 액 제거부를 구비한 대기부의 사시도.
도 16은 상기 대기부의 종단 측면도.
도 17은 상기 액 제거부의 정면도.
도 18은 노즐의 세정 및 액 제거를 행하는 모습을 도시한 공정도.
도 19는 노즐의 세정 및 액 제거를 행하는 모습을 도시한 공정도.
도 20은 노즐의 세정 및 액 제거를 행하는 모습을 도시한 공정도.
도 21은 노즐의 세정 및 액 제거를 행하는 모습을 도시한 공정도.
도 22는 노즐의 세정 및 액 제거를 행하는 모습을 도시한 공정도.
도 23은 노즐의 세정 및 액 제거를 행하는 모습을 도시한 공정도.
도 24는 다른 액 제거부의 사시도.
도 25는 상기 액 제거부의 측면도.
도 26은 다른 액 제거부의 사시도.
도 27은 상기 액 제거부의 측면도.
도 28은 다른 액 제거부의 사시도.
도 29는 상기 액 제거부의 종단 측면도.
도 30은 다른 액 제거부의 사시도.
도 31은 상기 액 제거부의 종단 측면도.
도 32는 상기 액 제거부의 정면도.
도 33은 또 다른 액 제거부의 종단 측면도.
도 34는 상기 액 제거부의 평면도.
도 35는 상기 액 제거부에 의해 노즐이 세정되는 모습을 도시하는 설명도.
도 36은 또 다른 액 제거부 및 당해 액 제거부를 구비한 대기부의 사시도.
도 37은 상기 대기부에 설치되는 세정부의 종단 측면도.
도 38은 상기 액 제거부에 의해 액 제거를 행하는 모습을 도시한 설명도.
도 39는 상기 대기부에 설치되는 세정부의 종단 측면도.
도 40은 상기 현상 장치를 구비한 도포, 현상 장치의 평면도.
도 41은 상기 도포, 현상 장치의 사시도.
도 42는 상기 도포, 현상 장치의 종단 평면도.
도 43은 현상액 노즐로부터 액적이 아래로 떨어진 모습을 도시한 설명도.
도 2는 상기 현상 장치의 사시도.
도 3은 상기 현상 장치의 평면도.
도 4는 상기 현상 장치에 설치된 현상액 노즐 및 대기부의 사시도.
도 5는 상기 현상액 노즐과 액 제거부의 위치 관계를 도시하는 설명도 및 상기 현상액 노즐의 하방측 사시도.
도 6은 상기 현상액 노즐에 의해 현상액이 웨이퍼에 공급되는 모습을 도시한 설명도.
도 7은 현상액 노즐의 이동 경로에 있어서 현상액 노즐의 액적이 제거되는 모습을 도시한 설명도.
도 8은 대기부에 있어서 현상액 노즐의 액적이 제거되는 모습을 도시한 설명도.
도 9는 상기 현상 장치에 의한 현상 공정을 도시한 작용도.
도 10은 상기 현상 장치에 의한 현상 공정을 도시한 작용도.
도 11은 상기 현상 장치에 의한 현상 공정을 도시한 작용도.
도 12는 상기 현상 장치의 다른 현상 공정을 도시한 작용도.
도 13은 액 제거부의 다른 구성을 도시한 설명도.
도 14는 액 제거부의 또 다른 구성을 도시한 설명도.
도 15는 또 다른 액 제거부 및 당해 액 제거부를 구비한 대기부의 사시도.
도 16은 상기 대기부의 종단 측면도.
도 17은 상기 액 제거부의 정면도.
도 18은 노즐의 세정 및 액 제거를 행하는 모습을 도시한 공정도.
도 19는 노즐의 세정 및 액 제거를 행하는 모습을 도시한 공정도.
도 20은 노즐의 세정 및 액 제거를 행하는 모습을 도시한 공정도.
도 21은 노즐의 세정 및 액 제거를 행하는 모습을 도시한 공정도.
도 22는 노즐의 세정 및 액 제거를 행하는 모습을 도시한 공정도.
도 23은 노즐의 세정 및 액 제거를 행하는 모습을 도시한 공정도.
도 24는 다른 액 제거부의 사시도.
도 25는 상기 액 제거부의 측면도.
도 26은 다른 액 제거부의 사시도.
도 27은 상기 액 제거부의 측면도.
도 28은 다른 액 제거부의 사시도.
도 29는 상기 액 제거부의 종단 측면도.
도 30은 다른 액 제거부의 사시도.
도 31은 상기 액 제거부의 종단 측면도.
도 32는 상기 액 제거부의 정면도.
도 33은 또 다른 액 제거부의 종단 측면도.
도 34는 상기 액 제거부의 평면도.
도 35는 상기 액 제거부에 의해 노즐이 세정되는 모습을 도시하는 설명도.
도 36은 또 다른 액 제거부 및 당해 액 제거부를 구비한 대기부의 사시도.
도 37은 상기 대기부에 설치되는 세정부의 종단 측면도.
도 38은 상기 액 제거부에 의해 액 제거를 행하는 모습을 도시한 설명도.
도 39는 상기 대기부에 설치되는 세정부의 종단 측면도.
도 40은 상기 현상 장치를 구비한 도포, 현상 장치의 평면도.
도 41은 상기 도포, 현상 장치의 사시도.
도 42는 상기 도포, 현상 장치의 종단 평면도.
도 43은 현상액 노즐로부터 액적이 아래로 떨어진 모습을 도시한 설명도.
본 발명의 액 처리 장치의 일례인 현상 장치(2)에 대해서, 그 개략 구성도인 도 1을 참조하면서 설명한다. 현상 장치(2)는 3개의 액 처리부인 현상 처리부(21a, 21b, 21c)와, 복합 노즐부(4a 내지 4c)와, 현상액 노즐(6)을 구비하고 있다.
현상 처리부(21a 내지 21c)는 횡방향으로 일렬로 배열되어 있다. 각 현상 처리부(21a 내지 21c)는 각각 마찬가지로 구성되어 있고, 여기서는 현상 처리부(21a)를 예로 들어 설명한다. 현상 처리부(21a)는 각각 웨이퍼(W)의 이면 중앙부를 흡착하여 수평으로 보유 지지하는 기판 보유 지지부인 스핀 척(22a)을 구비하고, 스핀 척(22a)은 회전축(23a)을 통하여 회전 구동 기구(24a)와 접속되어 있다. 스핀 척(22a)은, 회전 구동 기구(24a)를 통하여 웨이퍼(W)를 보유 지지한 상태에서 연직축 주위에 회전 가능하게 구성되어 있고, 그 회전축 상에 웨이퍼(W)의 중심이 위치하도록 설정되어 있다. 회전 구동 기구(24a)는 후술하는 제어부(100)로부터의 제어 신호를 받아서 스핀 척(22a)의 회전 속도를 제어한다.
스핀 척(22a)의 주위에는 스핀 척(22a) 상의 웨이퍼(W)를 둘러싸도록 하여 상방측에 개구부(30a)를 구비한 컵체(31a)가 설치되어 있고, 컵체(31a)의 측 주위면 상단부측은 내측에 경사진 경사부(32a)를 형성하고 있다. 컵체(31a)의 저부측에는, 도 1에 도시한 바와 같이 예를 들어 오목부 형상을 이루는 액 수용부(33a)가 설치되어 있다. 액 수용부(33a)는, 도시하지 않은 격벽에 의해 웨이퍼(W)의 주연 하방측에 전체 둘레에 걸쳐서 외측 영역과 내측 영역으로 구획되어 있다. 외측 영역의 저부에는 저류한 현상액 등의 드레인을 배출하기 위한 도시하지 않은 폐액구가 설치되고, 내측 영역의 저부에는 처리 분위기를 배기하기 위한 배기구(34a, 34a)가 설치되어 있다.
배기구(34a, 34a)에는 배기관(35a)의 일단부가 접속되어 있고, 배기관(35a)의 타단부는, 배기 댐퍼(36a)를 통하여 현상 처리부(21b 및 21c)의 배기관(35b, 35c)과 합류하고, 예를 들어 현상 장치(2)가 설치된 공장의 배기로에 접속되어 있다. 배기 댐퍼(36a)는, 제어부(100)로부터의 제어 신호를 받아서 컵체(31a) 내의 배기량을 제어한다.
도 2, 도 3은, 도 1의 현상 장치(2)를 실제로 구성한 것을 각각 모식적으로 도시한 사시도, 상면도이다. 도면 중 참조 부호 25a는, 승강 가능하게 구성된 승강 핀이며, 컵체(31a) 내에 3개 설치되어 있다. 현상 장치(2)에 웨이퍼(W)를 반송하는 도시하지 않은 기판 반송 수단의 동작에 따라서 승강 핀(25a)이 승강하고, 그 기판 반송 수단과 스핀 척(22a) 사이에서 웨이퍼(W)가 전달된다.
현상 처리부(21b)의 각 부에 대해서 현상 처리부(21a)의 각 부에 대응하는 부분에 대해서는, 현상 처리부(21a)의 설명에서 사용한 숫자와 동일한 숫자를 사용하고, 또한 a 대신에 b를 부여하여 각 도면 중에 도시하고 있다. 또한, 현상 처리부(21c)의 각 부에 대해서 현상 처리부(21a)의 각 부에 대응하는 부분에 대해서는, 현상 처리부(21a)의 설명에서 사용한 숫자와 동일한 숫자를 사용하고, 또한 a 대신에 c를 부여하여 각 도면 중에 도시하고 있다.
계속해서 복합 노즐부(4a, 4b, 4c)에 대해서 설명한다. 이들 복합 노즐부(4a, 4b, 4c)는 각각 현상 처리부(21a, 21b, 21c)의 웨이퍼(W)에 순수 및 N2(질소) 가스를 공급하도록 구성되어 있고, 각 복합 노즐부(4a 내지 4c)는 마찬가지로 구성되어 있다. 여기서는 대표적으로 복합 노즐부(4a)를 예로 들어 설명한다. 복합 노즐부(4a)는 각각 순수 노즐(41a) 및 N2 가스 노즐(42a)을 구비하고 있고, 이들 각 노즐(41a, 42a)은 웨이퍼(W)의 직경 방향으로 서로 연접되고, 각 노즐(41a, 42a)은 예를 들어 각각 연직 하방으로 개방된 원형의 세공인 토출구를 각각 구비하고 있다.
도 1에 도시한 바와 같이, 순수 노즐(41a)은 공급로(43a)를 통하여 순수가 저류된 순수 공급원(5B)에, N2 가스 노즐(42a)은 공급로(44a)를 통하여 N2 가스가 저류된 N2 가스 공급원(5C)에 각각 접속되어 있다. 순수는 웨이퍼(W)에 현상액을 공급하기 전에 그 현상액의 습윤성을 높이기 위해 공급되는 프리 웨트 처리를 행하기 위한 표면 처리액이며, 또한 현상 후, 불필요해진 현상액을 씻어 내기 위한 린스액이기도 하다. N2 가스는 웨이퍼(W)를 건조시키기 위해 당해 웨이퍼(W)에 분사되는 건조용 가스이며, 이 예에서는 스핀 척(22a 내지 22c)의 회전에 의한 액의 원심 탈수 외에, 이 N2 가스에 의한 공급에 의해 세정 후의 웨이퍼(W)가 건조된다.
공급로(43a, 44a)에는 유량 제어부(45a, 46a)가 각각 개재 설치되어 있다. 각 유량 제어부(45a 및 46a)는 밸브나 매스 플로우 컨트롤러 등을 포함하고, 제어부(100)로부터의 제어 신호에 기초하여 각 노즐(41a, 42a)로부터 웨이퍼(W)에의 각 순수 및 가스의 급단(給斷)을 제어한다.
도 2 및 도 3에 도시한 바와 같이 복합 노즐부(4a)에는 당해 복합 노즐부(4a)를 지지하는 아암체(47a)의 일단부가 접속되어 있고, 아암체(47a)의 타단부는 이동 수단인 구동 기구(48a)에 접속되어 있다. 구동 기구(48a)는, 현상 처리부(21a 내지 21c)의 배열 방향을 따라서 형성된 베이스(37) 상을, 그 배열 방향으로 신장한 가이드(49a)를 따라서 이동하고, 또한 아암체(47a)를 통하여 복합 노즐부(4a)를 승강시킨다. 이 구동 기구(48a)의 이동 및 구동 기구(48a)에 의한 승강에 의해서, 순수 노즐(41a), N2 가스 노즐(42a)의 토출구가 스핀 척(22a)에 적재된 웨이퍼(W)의 중심부 상으로 이동하고, 순수, N2 가스를 각각 웨이퍼(W)의 중심으로 공급할 수 있다. 구동 기구(48a)의 동작은 제어부(100)로부터의 제어 신호를 받아서 제어된다.
현상 처리부의 도시한 바와 마찬가지로, 복합 노즐부(4b, 4c)에 있어서의 복합 노즐부(4a)와 마찬가지로 구성된 각 부에 대해서는, 복합 노즐부의 설명에 사용한 부호와 동일한 숫자를 사용하고, 또한 부호 중의 ａ를 b 또는 c로 각각 변경하여 도시하고 있다.
각 현상 처리부(21a 내지 21c)의 측방에는 상측이 개방된 컵 형상의 노즐 대기부(51a 내지 51c)가 각각 설치되고, 그 대기부(51a 내지 51c)의 내부는 복합 노즐부(4a 내지 4c)의 대기 영역(52a 내지 52c)으로서 구성되어 있다. 그리고, 복합 노즐부(4a 내지 4c)는 웨이퍼(W)에 처리를 행하지 않을 때에는, 이들 대기 영역(52a 내지 52c)에 각각 수납된다.
계속해서, 처리액 노즐인 현상액 노즐(6)에 대해서 도 4, 도 5의 (a), (b)도 참조하면서 설명한다. 현상액 노즐(6)은 그 하단부면에 당해 현상액 노즐(6)의 이동 방향을 따라서 편평한 슬릿 형상으로 개방된 토출구(61)를 구비하고 있고, 그 토출구(61)의 길이 방향은 웨이퍼(W)의 직경 및 현상액 노즐(6)의 이동 방향으로 병행하고 있다. 또한, 도 5의 (a)에 도시한 바와 같이 토출구(61)는 비스듬하게 향하여 형성되어 있다.
도 1에 도시한 바와 같이 현상액 노즐(6)에는 현상액 공급로(62)의 일단부가 접속되어 있다. 현상액 공급로(62)의 타단부는 밸브나 매스 플로우 컨트롤러 등을 포함한 유량 제어부(63)를 통하여 현상액 공급원(5A)에 접속되어 있고, 제어부(100)로부터의 제어 신호에 따라서, 유량 제어부(63)가 현상액 노즐(6)로부터 웨이퍼(W)에의 현상액의 급단을 제어한다.
도 2 및 도 4에 도시한 바와 같이 현상액 노즐(6)은 아암체(64)의 일단부에 접속되어 지지되어 있고, 아암체(64)의 타단부는 베이스(37) 상에 설치된 구동 기구(65)에 접속되어 있다. 구동 기구(65)는, 베이스(37)에 현상 처리부(21a 내지 21c)의 배열 방향으로 신장하도록 설치된 가이드(60)를 따라서 횡방향으로 이동할 수 있게 구성되어 있다. 또한, 구동 기구(65)는 아암체(64)를 통하여 현상액 노즐(6)을 승강시킬 수 있다. 구동 기구(65)의 동작은 제어부(100)로부터의 제어 신호를 받아서 제어된다.
현상액 노즐(6)은, 그 구동 기구(65)에 의해 각 현상 처리부(21a 내지 21c)의 상방 영역과 후술하는 대기부(66) 사이를 이동한다. 또한, 도 6에 도시한 바와 같이, 현상액 노즐(6)은 각 현상 처리부(21a 내지 21c)에 반입된 웨이퍼(W)의 회전 방향을 따라서 비스듬하게 띠 형상으로 현상액을 공급하면서, 화살표로 나타낸 바와 같이 당해 웨이퍼(W)의 주연부로부터 중심부를 향하여 이동하여, 웨이퍼(W)의 표면 전체에 현상액(L)의 액막을 형성할 수 있다.
현상 처리부(21a)의 컵체(31a)와 현상 처리부(21b)의 컵체(31b) 사이에 있어서, 대기 영역(52b)의 상방 위치에는 액 제거부(7A)가 설치되어 있다. 또한, 현상 처리부(21b)의 컵체(31b)와 현상 처리부(21c)의 컵체(31c) 사이에 있어서, 대기 영역(52c)의 상방 위치에는 액 제거부(7B)가 설치되어 있다. 이들 액 제거부(7A, 7B)는 현상액 노즐(6)의 횡방향으로의 이동로의 하방측에 설치되어 있다.
액 제거부(7A, 7B)는 서로 마찬가지로 구성되어 있고, 도 5의 (a) 및 도 7의 (a)를 사용하여 설명한다. 이들의 도면에 도시한 바와 같이 액 제거부(7A, 7B)는, 수평으로 설치된 베이스부(71)와, 베이스부(71)로부터 경사 방향으로 신장된 판 형상의 액 수용부(72)를 구비하고 있고, 그 액 수용부(72)의 선단부는 현상액 노즐(6)의 횡방향으로의 이동 방향과 병행하고, 또한 그와 같이 횡방향으로 이동하는 현상액 노즐(6)의 하단부와 근접하도록 형성되어 있다. 이들의 액 제거부(7A, 7B)는, 현상액 노즐(6)로부터 현상액의 액적을 효율적으로 제거하기 위해, 예를 들어 높은 친수성을 갖는 다공질의 세라믹스에 의해 구성되어 있고, 모세관 현상에 의해 액적을 그 내부에 흡수하여 제거한다.
도 7의 (a) 내지 도 7의 (d)는, 현상액 노즐(6)이 횡방향으로 이동할 때의 모습을 도시하고 있고, 현상액 노즐(6)이 이동할 때에 액 제거부(7A 및 7B)는 현상액 노즐(6)에 근접하고, 현상액 노즐(6)의 하단부에 아래로 떨어져 형성된 액적(D)에 접촉하고, 이 액적(D)을 그 내부에 도입하여 제거한다. 그런데 현상액 노즐(6)의 하단부에 아래로 떨어져 형성되는 현상액의 액적(D)으로서는, 반복하여 현상 처리를 행하는 과정에서 그 하단부에의 현상액의 축적에 의해서 점차 커지고, 소정의 크기로 되었을 때에 중력에 의해서 현상액 노즐(6)로부터 낙하하지만, 이 낙하 전에 제거할 수 있으면 되므로, 도 5의 (a) 중의 현상액 노즐(6)의 하단부와 액 제거부(7A)의 거리 h1은 이 액적(D)이 낙하할 때의 크기에 따라서 임의로 설정되고, 예를 들어 1.5㎜이다.
베이스(37)에 있어서, 현상 처리부(21a 내지 21c)의 배열 방향의 연장선 상에는 상측이 개방된 컵 형상으로 형성된 대기부(66)가 설치되어 있고, 그 대기부(66)의 내부는 현상액 노즐(6)의 대기 영역(67)으로서 구성되어 있다. 현상액 노즐(6)은, 웨이퍼(W)에 처리를 행하지 않을 때에는 이 대기 영역(67)에 수납되고, 현상 처리를 행할 때에 상기 구동 기구(65)를 통하여 당해 대기 영역(67)으로부터 각 현상 처리부(21a 내지 21c)로 이동한다.
대기 영역(67)에는 액 제거부(7C)가 설치되어 있다. 도 4에 도시한 바와 같이 액 제거부(7C)는, 액 제거부(7A, 7B)와 마찬가지로 구성되어 있고, 현상액 노즐(6)이 대기부(66)에 수납되었을 때에 액 수용부(72)의 선단부는 현상액 노즐(6)의 토출구(61)에 근접하고, 또한 토출구(61)의 길이 방향과, 이 선단부가 병행하도록 설치되어 있다. 도 8의 (a) 내지 (d)는, 현상액 노즐(6)이 대기부(66)에 수납되고, 현상액 노즐(6)로부터 떨어진 현상액의 액적(D)을 액 제거부(7C)가 흡수하여, 제거하는 모습을 도시하고 있다. 도 8의 (d) 중에 도시한 대기부(66)에 수납되었을 때의 현상액 노즐(6)의 하단부와 액 제거부(7C)의 거리 h2는 이 액적(D)이 낙하할 때의 크기에 따라서 임의로 설정되고, 예를 들어 1.5㎜이다.
계속해서 제어부(100)에 대해서 설명한다. 제어부(100)는 예를 들어 컴퓨터로 이루어지고, 도시하지 않은 프로그램 저장부를 갖고 있다. 이 프로그램 저장부에는, 후술하는 작용으로 설명하는 현상 처리가 행해지도록 명령이 짜여진 예를 들어 소프트웨어로 이루어지는 프로그램이 저장되고, 이 프로그램이 제어부(100)에 판독됨으로써 제어부(100)는 웨이퍼의 회전 속도, 각 노즐의 이동, 웨이퍼에의 현상액, 순수 및 N2 가스의 공급 등을 제어한다. 이 프로그램은, 예를 들어 하드 디스크, 콤팩트 디스크, 마그네트 옵티컬 디스크 또는 메모리 카드 등의 기억 매체에 수납된 상태에서 프로그램 저장부에 저장된다.
계속해서, 이 현상 장치(2)에 순차적으로 웨이퍼(W)가 반입되었을 때에, 행해지는 처리의 일례에 대해서 도 9 내지 도 12를 참조하면서 설명한다. 웨이퍼(W)는 예를 들어 도시하지 않은 기판 반송 수단에 의해 현상 처리부(21a, 21b, 21c)의 순서대로 반송되고, 또한 각 웨이퍼(W)의 표면에는 레지스트가 도포되어 있고, 그 레지스트가 소정의 노광 처리를 받고 있는 것으로 한다. 또한 편의상, 현상 처리부(21a, 21b, 21c)에 반입되는 웨이퍼(W)를 각각 편의상, 웨이퍼(W1, W2, W3)로 기재한다.
또한, 상술한 바와 같이 반복하여 현상 처리를 행할 때에 현상액 노즐(6)의 하단부에 현상액이 저류되고, 당해 노즐(6)에 부착된 액적(D)이 커진다. 그리고, 액적(D)이 소정의 사이즈로 이루어졌을 때에 액 제거부(7A 내지 7C)에 의해 제거할 수 있게 현상액 노즐(6)과 각 액 제거부의 거리를 조정하면 되지만, 하기의 설명에서는 현상액의 액적(D)이 제거되는 모습을 명확하게 도시하기 때문에 설명의 편의상, 이 액적(D)이 웨이퍼(W)에 처리를 행할 때에 현상액 노즐(6)에 아래로 떨어져, 처리를 행할 때에 그 액적(D)이 제거되도록 액 제거부(7A 내지 7C)의 위치가 조정되어 있는 것으로 한다.
도 9의 (a)에 도시한 바와 같이 처리 개시 전에 있어서 현상액 노즐(6), 복합 노즐부(4a 내지 4c)는, 각각 대기부(66, 51a 내지 51c)에 수납되어 있다. 각 컵체(31a 내지 31c) 내의 배기량이 소정의 배기량으로 되고, 웨이퍼(W1)가 현상 처리부(21a)의 스핀 척(22a)에 전달되어, 소정의 회전수로 회전하는 동시에 복합 노즐부(4a)가 웨이퍼(W1) 상으로 이동하고, 순수 노즐(41a)이 웨이퍼(W1)의 중심부에 순수(F)를 토출한다. 토출된 순수(F)는, 원심력에 의해 주연부로 신전되는 소위 스핀 코팅에 의해서 웨이퍼(W1)를 덮고, 상술한 프리 웨트가 행해진다(도 9의 (b)).
순수(F)의 공급이 정지되어, 복합 노즐부(4a)가 웨이퍼(W1)의 주연부측으로 이동하는 동시에 현상액 노즐(6)이 대기부(66)로부터 웨이퍼(W1)의 주연부 상으로 이동한다. 그리고, 현상액 노즐(6)은 현상액(L)을 공급하면서 웨이퍼(W1)의 중심부 상으로 이동하고(도 9의 (c)), 웨이퍼(W1)의 표면 전체가 현상액(L)에 의해 덮여진다. 그 후, 현상액 노즐(6)로부터의 현상액(L)의 토출이 정지되어, 현상액 노즐(6)이 대기부(66)로 복귀된다(도 9의 (d)).
현상액 노즐(6)이 대기부(66) 내의 대기 영역(67)에 수납되고, 도 8의 (a) 내지 (d)에서 도시한 바와 같이 현상액 노즐(6)의 하단부가 액 제거부(7C)에 근접하고, 그 하단부로부터 떨어진 액적(D)이 액 제거부(7C)에 접촉하여, 당해 액 제거부(7C)에 흡수되어 제거된다. 또한, 복합 노즐부(4a)가 웨이퍼(W1)의 중심부 상으로 이동하고, 웨이퍼(W1)의 중심부 상에 순수(F)가 공급되어 웨이퍼(W1) 표면의 현상액(L)이 씻어 내어진다. 그 한편, 기판 처리부(21b)의 스핀 척(22b)에 웨이퍼(W2)가 전달된다(도 9의 (e)).
그러한 후, 웨이퍼(W2)가 소정의 회전수로 회전하고, 복합 노즐부(4b)가 대기부(51b)로부터 웨이퍼(W2) 상으로 이동하고, 순수 노즐(41b)이 웨이퍼(W2)의 중심부 상에 순수(F)를 토출하여, 웨이퍼(W2)의 표면이 순수(F)에 의해 덮여지는 동시에, 현상액 노즐(6)이 웨이퍼(W2)의 주연부 상으로 이동한다. 그 한편, 순수 노즐(41a)로부터 웨이퍼(W1)에의 순수(F)의 공급이 정지된다(도 10의 (a)).
N2 가스 노즐(42a)이 웨이퍼(W1)의 중심부 상으로 이동하고, N2 가스가 웨이퍼(W1)에 토출되어, 회전에 의한 순수의 원심 탈수가 가스 공급의 상승 작용으로 웨이퍼(W1)가 건조된다. 그 한편, 순수 노즐(41b)로부터 웨이퍼(W2)에의 순수(F)의 토출이 정지되어, 복합 노즐부(4b)가 웨이퍼(W2)의 주연부 상으로 이동하고, 현상액 노즐(6)이 현상액(L)을 토출하면서 웨이퍼(W2)의 주연부 상으로부터 중심부 상으로 이동하여(도 10의 (b)), 웨이퍼(W2)의 표면 전체가 현상액(L)에 피복된다.
그 후, 상기 웨이퍼(W1)에의 N2 가스의 토출이 정지되는 동시에 웨이퍼(W1)의 회전이 정지되어, 복합 노즐부(4a)가 대기부(51a)로 복귀되는 한편, 웨이퍼(W2)에의 현상액(L)의 공급이 정지된다. 계속해서, 현상액 노즐(6)은 도면 중 화살표로 나타낸 바와 같이 액 제거부(7A)의 상방을 통과하여, 도 7의 (a) 내지 (d)에서 설명한 바와 같이 현상액 노즐(6)의 하단부에 떨어진 액적(D)이 액 제거부(7A)에 접촉하고, 흡수되어 제거되고(도 10의 (c), (d)), 현상액 노즐(6)은 웨이퍼(W1)의 상방을 통과하여 대기부(66)로 복귀된다(도 10의 (e)). 또한, 복합 노즐부(4b)가 웨이퍼(W2)의 중심부 상으로 이동하고, 순수(F)를 웨이퍼(W2)에 공급하여, 웨이퍼(W2) 표면의 현상액(L)이 씻어 내어진다. 그 한편, 현상 처리부(21c)의 스핀 척(22c)에 웨이퍼(W3)가 전달된다(도 11의 (a)).
계속해서 웨이퍼(W3)가 소정의 회전수로 회전하고, 복합 노즐부(4c)가 대기부(51c)로부터 웨이퍼(W3) 상으로 이동하고, 순수 노즐(41c)이 웨이퍼(W3)의 중심 부 상에 순수(F)를 토출하여, 스핀 코팅에 의해 웨이퍼(W3)의 표면이 순수(F)에 의해 덮여지는 동시에 현상액 노즐(6)이 웨이퍼(W3)의 주연부 상으로 이동한다. 또한, 한편 순수 노즐(41b)로부터의 순수(F)의 공급이 정지되어, N2 가스 노즐(42b)이 웨이퍼(W2)의 중심부 상으로 이동한다(도 11의 (b)).
그리고, N2 가스가 웨이퍼(W2)의 중심부 상으로 토출되어 웨이퍼(W2)가 건조되는 한편, 순수 노즐(41c)로부터의 순수(F)의 토출이 정지되어, 복합 노즐부(4c)가 웨이퍼(W3)의 주연부 상으로 이동한다. 그리고, 현상액 노즐(6)이 현상액(L)을 토출하면서 웨이퍼(W3)의 주연부 상으로부터 중심부 상으로 이동하고(도 11의 (c)), 웨이퍼(W3)의 표면 전체가 현상액(L)으로 피복된다.
그 후, 상기 웨이퍼(W2)에의 N2 가스의 토출이 정지되는 동시에 웨이퍼(W2)의 회전이 정지되어, 복합 노즐부(4b)가 대기부(51b)로 복귀되는 한편, 웨이퍼(W3)에의 현상액(L)의 공급이 정지된다. 그리고, 현상액 노즐(6)은 도면 중 화살표로 나타낸 바와 같이 액 제거부(7B)의 상방을 통과하여, 도 7에서 설명한 바와 같이 현상액 노즐(6)의 하단부에 떨어진 액적(D)이 액 제거부(7B)에 접촉하여 흡수되고, 제거된다(도 11의 (d), (e)). 그 후, 현상액 노즐(6)은 현상 처리부(21b, 21a)의 상방을 통과하여 대기부(66)로 복귀된다(도 12의 (a)). 또한, 복합 노즐부(4c)가 웨이퍼(W3)의 중심부 상으로 이동하고, 웨이퍼(W3)의 중심부 상에 순수(F)가 공급되어 웨이퍼(W3) 표면의 현상액(L)이 씻어 내어진다(도 12의 (b)).
그 후, 순수 노즐(41c)로부터의 순수(F)의 공급이 정지되어, N2 가스 노즐(42c)이 웨이퍼(W3)의 중심부 상으로 이동하여, N2 가스 노즐(42c)로부터 N2 가스가 웨이퍼(W3)의 중심부 상에 토출되어 웨이퍼(W3)가 건조된다(도 12의 (c)). 그 후 N2 가스의 공급이 정지되는 동시에 웨이퍼(W3)의 회전이 정지되어, 복합 노즐부(4c)가 대기부(51c)로 복귀되고(도 12의 (d)), 기판 반송 수단에 의해 웨이퍼(W3)가 현상 처리부(21c)로부터 반출된다.
이 현상 장치(2)에 따르면, 횡방향으로 일렬로 배열된 현상 처리부(21a 내지 21c)의 컵체(31a 내지 31c)간에 있어서, 구동 기구(65)에 의해 이동하는 현상액 노즐(6)의 이동로의 하방측에, 그 현상액 노즐(6)의 하단부에 근접하고, 당해 현상액 노즐(6)로부터 떨어진 현상액의 액적(D)에 접촉하고, 그 액적(D)을 현상액 노즐(6)로부터 제거하기 위한 액 제거부(7A, 7B)가, 그 현상액 노즐(6)의 이동 궤도 상에 설치되어 있다. 따라서 현상액 노즐(6)이 웨이퍼(W)에 처리를 행하기 위해 대기부(66)와 각 현상 처리부(21a 내지 21c)를 이동하고, 현상액이 제거되어 건조한 웨이퍼(W) 상을 통과하는 데 있어서, 그 건조한 웨이퍼(W) 상에의 현상액 노즐(6)로부터의 상기 액적(D)의 낙하를 방지할 수 있다. 따라서 그 액적이 파티클로 되어 웨이퍼(W)를 오염시키는 것이 방지되므로, 수율의 저하를 억제할 수 있다. 또한, 현상액 노즐(6)의 이동 중에 그 액적(D)이 제거되므로, 액적(D)을 제거하기 위한 시간을 필요로 하지 않는다. 그 결과적으로 처리량의 저하를 억제할 수 있다.
또한, 이 현상 장치(2)는 대기부(66)에 있어서도 액 제거부(7C)를 구비하고 있고, 노즐(6)이 횡방향으로 이동할 때뿐만 아니라 대기부(66)에 수납되었을 때에도 액적(D)의 제거가 행해지므로, 보다 확실하게 상술한 현상액 노즐(6)로부터 건조한 웨이퍼(W)에의 액적(D)의 낙하를 방지할 수 있다.
상기의 예에서는 3매의 웨이퍼(W)가 현상 처리되는 모습을 설명하고 있지만, 3매 이상의 웨이퍼(W)를 처리하는 경우에는, 예를 들어 계속해서 현상 처리부(21a, 21b, 21c)의 순서대로 반복하여 웨이퍼(W)가 반송되어, 상기의 예와 마찬가지로 현상 처리가 행해진다.
또한, 상기의 예에서는 웨이퍼(W)에 현상액을 공급할 때마다 현상액 노즐(6)이 대기부(66)로 복귀되어 있지만 이와 같이 처리시에 대기부(66)로 복귀되지 않고, 하나의 현상 처리부에서 현상액을 공급하면 직접 다른 현상 처리부로 이동하여 현상액을 공급하고, 몇 매인가 웨이퍼(W)에 현상액을 공급한 후에 대기부(66)로 복귀되어도 된다. 또한, 현상 처리부(21a 내지 21c)에의 웨이퍼(W)의 반송순도 상기한 바와 같지 않아도 되고, 예를 들어 현상 처리부(21a, 21b)에 이 순으로 반복하여 웨이퍼(W)가 반송되고, 소정의 매수 이들 현상 처리부(21a 및 21b)에 웨이퍼(W)가 반송되면 현상 처리부(21c)에 웨이퍼(W)가 반송되게 하고, 이 반송순으로 현상 처리가 행해지도록 해도 된다. 이들과 같이 현상 처리를 행하는 경우도 각 현상 처리부(21a 내지 21c)간을 이동할 때에 액적이 제거되므로 상기의 실시 형태와 마찬가지의 효과가 얻어진다.
액 제거부로서는 예를 들어 도 13의 (a)에 그 외관을, 도 13의 (b)에 그 측면을 각각 도시한 바와 같이 구성해도 된다. 액적의 높은 제거 효과를 얻기 위해 이 액 제거부(81)는 빗형으로 형성되어 있고, 그 표면에는 현상액 노즐(6)의 이동 방향을 따라서 다수의 홈(오목부)(82)이 형성되어 있다. 그리고, 상술한 실시 형태와 마찬가지로 현상액 노즐(6)의 하단부가 근접하여, 액적(D)이 그 액 제거부(81)의 표면에 부착되면, 도 13의 (b)에 화살표로 나타낸 바와 같이 액적(D)이 모세관 현상에 의해 그 홈(82) 내에 진입한다. 또한, 홈(82) 내에 현상액을 많이 저류시킴으로써, 당해 액 제거부(81)의 교환의 빈도가 높아지는 것을 방지하기 때문에, 이 액 제거부(81)에 있어서 도 13의 (c)에 도시한 바와 같이 홈(82)의 하방측이 퍼지도록 구성되어 있어도 된다.
그런데, 이 예에서는 현상액 노즐(6)의 토출구(61)는 비스듬하게 개방되는 대신에, 수직 방향으로 개방되어 있어도 되지만, 배경 기술의 란에서 설명한 바와 같이, 경사 방향으로 개방된 현상액 노즐(6)을 사용한 경우의 쪽이 더미 디스펜스나 액의 흡인 등을 행하여도, 현상액 노즐로부터의 액적의 낙하를 방지하기 어려우므로, 상술한 액 제거부를 설치하는 것이 특히 유효해진다.
상기의 각 액 제거부를 구성하는 재료로서는 세라믹스에 한정되지 않지만, 액적(D)의 높은 제거 효과를 얻기 위해 친수성의 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 그 표면 상태를 거칠게 함으로써, 높은 현상액의 제거 효과를 얻을 수 있으므로 바람직하다. 또한, 각 액 제거부를 탄성재를 사용하여 구성해도 좋고, 이 경우에는 현상액 노즐(6)이 각 액 제거부와 접촉하여도, 이들 액 제거부 및 현상액 노즐의 파손을 방지할 수 있으므로, 현상액 노즐과 액 제거부의 간격의 조정에 시간이 드는 것을 억제할 수 있다.
또한, 웨이퍼(W)에의 액적(D)의 낙하를 방지할 수 있으면 되므로, 액 제거부(7A, 7B)는 컵체(31a 내지 31c)의 개구부(30a 내지 30c)간에 설치되어 있으면 되고, 예를 들어 컵체(31a 내지 31c)의 상측의 경사부(32a 내지 32c) 상에 설치되어 있어도 된다.
또한, 상기의 예에서는 현상 처리부(21a 내지 21c)가 직선 방향으로 배열되고, 그 열의 연장선 상에 대기부(66)가 설치되어 있지만, 현상 처리부(21a 내지 21c) 및 대기부(66)가 주위 방향으로 배열되어 있고, 현상액 노즐(6)이 그 배열 방향으로 이동하고, 그 현상액 노즐(6)의 이동로의 하방측에 액 제거부(7A, 7B)가 설치되어도 된다. 현상 처리부 및 액 제거부의 수로서는 상술한 실시 형태에 한정되는 것은 아니다.
또한, 액 제거부로서는 도 14의 (a), (b)에 도시한 구성으로 해도 된다. 이 액 제거부(9)는 베이스(91) 상에 측면시 삼각 형상의 액 수용부(92)를 구비하고 있다. 또한, 베이스(91) 상에는 경사 방향으로 순수 등의 세정액을 토출하는 세정액 노즐(93)이 설치되어 있다. 도면 중 참조 부호 94는 베이스(91)에 설치된 액 배출구이며, 도시하지 않은 액 배출로에 접속되어 있다. 이 액 제거부(9)는 예를 들어 액 수용부(7A 내지 7C) 대신에 각 컵체(31a 내지 31c)간 및 대기 영역(67)에 설치된다. 이 예에서는 현상 처리를 행하기 위한 현상액 노즐(90)은 경사 방향으로 원형으로 개방된 토출구(97)를 구비하고 있고, 베이스부(96)를 통하여 상술한 아암체(64)에 접속되고, 현상액 노즐(6)과 마찬가지로 승강 및 횡방향으로의 이동을 행할 수 있다.
예를 들어, 컵체(31a 내지 31c)간에 있어서 설치된 액 수용부(92)에 현상액 노즐(90)이 횡방향으로부터 이동하여 근접하면, 현상액의 액적(D)이 액 수용부(92)에 접촉하고, 액 수용부(92)를 타고 베이스(91)에 흘러 떨어진다. 또한 세정액 노즐(93)로부터 현상액 노즐(90)을 향하여 세정액이 토출되어, 그 세정액에 의해 액적(D)이 씻어 내어진다. 그리고 씻어 내어진 액은 노즐(90)의 하단부로부터 액 수용부(92)에 전해져, 그 베이스(91)로 흘러 떨어지고, 그 흘러 떨어진 액 배출은, 액 배출구(94)로부터 제거된다. 이 액 제거부(9)는, 액 제거부(7C) 대신에 대기 영역(67)에 설치해도 된다. 또한, 이 예에 있어서 세정액 노즐(93)을 설치하지 않고, 액 수용부(92)에 접촉한 액적을 당해 액 수용부(92)의 하방으로 전해지게 하는 것만으로 현상액 노즐(90)로부터의 액적의 제거를 행해도 된다.
세정액을 토출하는 노즐(93)로서는, 현상액 노즐(90)에 대한 높은 세정 효과를 얻어서 액적(D)의 제거 효과를 높이기 위해, 예를 들어 세정액의 액체와 기체를 혼합하여 세정액의 안개를 발생시켜 그 안개를 분무하는 소위 2 유체 노즐을 사용해도 된다. 또한, 그와 같이 제거 효과를 높이는 목적을 위해 예를 들어 1㎒ 정도의 초음파를 가한 세정액을 토출하는, 소위 메가소닉 노즐을 사용해도 된다. 또한, 현상액 노즐(90) 대신에 상술한 현상액 노즐(6)에 대하여 이 액 제거부(9)를 사용해도 된다.
액 제거부의 또 다른 예인 액 제거부(101)와, 이 액 제거부(101)가 설치된 대기부(66)의 구성에 대해서, 그 사시도인 도 15와 종단 측면도인 도 16을 참조하면서 설명한다. 액 제거부(101)는, 도 14의 액 제거부(9)와 마찬가지로 현상액 노즐을 세정하는 기구를 구비하고 있다. 액 제거부(101)는 측면시 산형으로 형성된 산형부(102)와, 편평한 방형상으로 형성된 액 배출부(103)를 구비하고 있다. 현상액 노즐(6)을 지지하는 아암체(64)의 선단부측을 전방측, 기단부측을 후방측으로 하면, 액 배출부(103)는 산형부(102)의 후방측에 위치하고 있다.
산형부(102)는, 전방측으로부터 후방측을 향하여 오르는 경사면(104)과, 후방측으로부터 전방측을 향하여 오르는 경사면(105)을 구비하고 있다. 또한 산형부(102)는 경사면(104, 105)에 각각 연속해서 형성된 수직면(106)을 구비하고, 수직면(106)과 경사면(105)은 산형부(102)의 정상부(107)를 구성하고 있다. 정상부(107)와, 경사면(105)은 현상액 노즐(6)로부터 액적을 제거하기 쉽도록, 상술한 액 제거부(7A 내지 7C)와 마찬가지로 친수성이 높은 부재에 의해 구성된다. 현상액 노즐(6)로부터 떨어지는 액적은, 그 크기가 1㎜ 이하의 경우는 현상액 노즐(6)로부터 낙하하기 어렵기 때문에, 대기부(66)에서 대기하는 현상액 노즐(6)의 하단부와, 상기 정상부(107)의 간격 h3은, 예를 들어 2㎜로 설정된다. 또한, 도 16 중 θ로 나타낸 수직면(106)과 경사면(105)이 이루는 각도는, 중력에 의해 현상액 노즐(6)로부터 부착된 액적을 효율적으로 하방으로 낙하시키는 각도, 예를 들어 45도로 구성된다. 후술하는 바와 같이 대기 중의 현상액 노즐(6)로부터 현상액을 토출하는 경우가 있고, 이 때 토출된 현상액이 산형부(102)에 충돌하여 비산하지 않도록, 당해 산형부(102)는 상기 현상액 노즐(6)의 토출구(61)의 토출 방향을 향하는 투영 영역으로부터 벗어나도록 형성되어 있다.
도 17은 산형부(102)의 정면도이며, 도면 중 E1로 나타낸 산형부(102)의 폭은 예를 들어 45㎜이다. 또한, 현상액 노즐(6)의 폭 E2는, 예를 들어 15㎜이다. 이 도 17에 도시한 바와 같이, 상기 경사면(104)에는, 현상액 노즐(6)의 폭 방향을 따라서 복수의 세정액 토출 구멍(108)이 형성되어 있다. 세정액 토출 구멍(108)은, 산형부(102) 내에 형성된 세정액의 유로(109)에 접속되어 있고, 상방의 현상액 노즐(6)을 향하여 세정액, 예를 들어 순수를 공급한다. 유로(109) 및 세정액 토출 구멍(108)은, 세정액 공급 수단을 구성한다. 도 15 및 도 16으로 복귀하여, 액 배출부(103)는, 상기 경사면(105)의 하단부로부터 횡방향을 향하여 신장되는 상면(111)을 구비하고, 상면(111)에는 경사면(105)을 타고 낙하한 액적을 제거하는 액 배출구(112)가 개방되어 있다.
대기부(66) 내의 대기 영역(67)에 대해서, 더욱 설명한다. 상기 액 제거부(101)의 전방측에는 편평한 방형상의 액 배출부(113)가 설치되어 있고, 액 배출부(113)의 상면은, 상기 경사면(104)의 하단부보다도 낮게 형성되어 있다. 이 상면에는 액 배출구(114)가 개방되어 있고, 현상액 노즐(6)로부터 토출된 현상액을 배출한다. 도면 중 참조 부호 110은, 이 액 배출구(114)에 접속되는 액 배출로이다.
액 제거부(101)의 측방에는 유로 형성부(115)가 설치되어 있다. 유로 형성부(115) 내에 형성된 유로(116)는, 산형부(102)의 상기 유로(109)에 접속되어 있고, 당해 유로(109)에 세정액으로서 순수를 공급한다. 유로(116)의 상류측은 도시하지 않은 순수 공급원에 접속되어 있고, 제어부(100)에 의해 상기 순수 공급원(5B)으로부터 유로(116)에의 순수의 급단이 제어된다. 또한, 대기부(66)의 저면에는 배기구(117)가 개방되어 있다. 이 배기구(117)는, 더미 디스펜스나 현상액 노즐(6)의 세정을 행하는 동안, 대기 영역(67)을 배기한다. 그것에 의해서 발생한 미스트를 제거하고, 당해 미스트가 현상액 노즐(6)에 부착되는 것을 방지하는 역할을 갖는다.
상기 더미 디스펜스는, 현상액의 유로에서의 막힘을 방지하거나, 열화된 현상액이 웨이퍼(W)에 공급되는 것을 방지하는 등의 목적으로, 현상액 노즐(6)로부터 웨이퍼(W) 이외의 장소에 현상액을 토출하는 처리이다. 정기적으로 행하거나, 로트의 전환시에, 후속의 로트의 선두의 웨이퍼(W)를 처리하기 전에 행한다.
도 18에는 더미 디스펜스 실행시의 모습을 도시하고 있다. 상술한 바와 같이 현상액 노즐(6)로부터 토출된 현상액(L)은, 산형부(102)에는 간섭하지 않고 액 배출부(113)를 향하여 토출되고, 대기 영역(67)에서의 현상액의 비산이 억제되게 되어 있다. 현상액(L)의 토출 정지 후, 현상액 노즐(6)로부터 떨어진 현상액의 액적(D)은, 산형부(102)의 정상부(107)에 부착되고(도 19), 경사면(104, 105)을 타고, 액 배출구(112, 114)에 유입하여 액 배출된다(도 20).
계속해서, 현상액 노즐(6)의 세정이 행해지는 공정에 대해서 설명한다. 세정액 토출 구멍(108)으로부터 현상액 노즐(6)을 향하여 순수(A)가 공급된다. 순수(A)는, 현상액이 건조됨으로써 현상액 노즐(6)의 토출구(61) 및 그 주위에 부착된 석출물을 씻어 내고, 경사면(104, 105)을 타고 액 배출구(112, 114)로부터 제거된다(도 21). 소정의 시간 경과 후에 순수(A)의 공급이 정지되어, 세정 처리가 종료된다. 세정 처리 종료 후, 현상액 노즐(6)로부터 떨어지는 순수(A)의 액적은, 현상액의 액적(D)과 마찬가지로 산형부(102)의 정상부(107)에 부착되고(도 22), 경사면(104, 105)을 타고, 현상액 노즐(6)로부터 제거된다(도 23).
이와 같은 세정 처리는, 더미 디스펜스 마찬가지로 정기적으로 행해도 되고, 웨이퍼(W)의 로트의 전환시에 행해도 된다. 또한, 예를 들어 상기 더미 디스펜스 종료 후에 행해도 된다. 이와 같이 현상액의 석출물 및 현상액 노즐(6)의 세정에 사용한 세정액이 당해 현상액 노즐(6)로부터 제거됨으로써, 현상액 노즐(6)이 컵체(31a 내지 31c) 상을 통과할 때에, 상기 석출물이 웨이퍼(W)에 낙하하여 현상 결함이 발생되는 것이나, 세정액의 방울이 현상 장치(2)에서 처리 중 또는 처리 후 반출 전의 웨이퍼(W)에 낙하하여 워터 마크가 형성되게 되는 것을 방지할 수 있다. 배경 기술의 항목에서 설명한 바와 같이 현상액 노즐(6)은, 토출구(61)가 비스듬히 형성되어 있기 때문에 흡인 기구 등을 설치하여도 액적의 제거가 어려우므로, 이와 같이 액 제거부를 설치하는 것이 유효하다. 또한, 이 예에서는 현상액 노즐(6)을 세정하는 기구가 액 제거부에 일체적으로 설치되어 있으므로, 대기부(66)의 대형화를 방지하여, 장치의 설치 면적을 억제할 수 있다. 그런데, 상기 현상액의 석출물은 빠르게 순수로 용해하는 것이 확인되어 있다. 따라서, 미스트의 발생이 억제되는 낮은 수압으로 세정액을 현상액 노즐(6)에 공급하는 것이 득책이다.
액 제거부 및 유로 형성부의 다른 예에 대해서, 그 사시도 및 측면도를 참조하면서 상술한 액 제거부(101) 및 유로 형성부(115)의 차이점을 중심으로 설명한다. 도 24 및 도 25에 도시한 액 제거부(121)는, 상기 액 제거부(101)와 마찬가지의 형상으로 구성되어 있지만, 세정액 토출 구멍(108)을 구비하지 않고 있다. 그리고, 도면 중의 유로 형성부(122)는, 대기하는 현상액 노즐(6)의 전방측에서 수평 방향으로 신장하는 아암(123)을 구비한다. 이 아암(123)에는, 당해 아암(123)이 신장되는 방향을 따라서 세정액의 유로(124)가 형성되어 있다. 아암(123)에는, 상기 현상액 노즐(6)에 면하도록, 당해 아암(123)의 신장 방향으로 신장한 슬릿(125)이 개방되어 있고, 상기 유로(124)로부터 슬릿(125)에 순수가 공급되고, 당해 순수가 현상액 노즐(6)의 토출구(61)에 공급된다.
도 26 및 도 27에 도시한 예에서는 상기 액 제거부(121)가 설치되어 있다. 이들의 도면에 도시한 유로 형성부(126)는, 그 측방에 순수의 유로(116)에 연통한 토출구(127)를 구비하고 있다. 이 토출구(127)로부터 현상액 노즐(6)의 하단부에 세정액을 토출하고, 상기 석출물을 씻어낸다. 도 28 및 도 29에서는 액 제거부(131)와 유로 형성부(115)를 도시하고 있다. 액 제거부(131)는, 액 제거부(101)와 마찬가지로 대략 마찬가지로 형성되어 있지만, 세정액 토출 구멍(108) 대신에 현상액 노즐(6)의 폭 방향으로 퍼지는 슬릿(132)이 형성되어 있다. 슬릿(132)으로부터 공급된 순수는, 세정액 토출 구멍(108)으로부터 공급되는 순수와 마찬가지로 현상액 노즐(6)의 토출구(61)에 공급된다.
계속해서, 액 제거부(141)에 대해서 각각 그 사시도, 측면도, 정면도인 도 30, 도 31, 도 32를 참조하면서 설명한다. 액 제거부(141)는 그 내부에 유로 형성부(115)의 유로(116)에 연통하는 유로(142)를 구비하고 있고, 당해 유로(142)는 횡방향으로 형성되어 있다. 이 유로(142)로부터 상방측을 향하는 유로(143)가, 좌우로 간격을 두고 복수 형성되어 있다. 각 유로(143)의 하류측은, 액 제거부(141) 내를 후방측을 향한 후, 상방측에 굴곡되도록 형성된 유로(144)에 접속되어 있다. 그리고, 유로(144)의 하류 단부는, 액 제거부(141)의 경사면(104)에 좌우로 퍼지도록 개방된 슬릿(145)에 접속되어 있다. 이와 같이 굴곡된 유로(144)를 통하여 세정액을 현상액 노즐(6)에 공급함으로써, 현상액 노즐(6)에 공급되는 순수의 토출압을 억제하고, 순수의 비산을 방지하여, 미스트의 발생을 억제할 수 있다.
도 33에는 아암체(64)에 현상액 노즐(6) 및 린스 노즐(151)을 설치한 예를 나타내고 있다. 이 린스 노즐(151)은, 상술한 순수 노즐(41a 내지 41c) 대신에 사용되고, 예를 들어 계면 활성제를 포함한 처리액을 웨이퍼(W)에 공급하여, 웨이퍼(W)로부터 현상액을 씻어낸다. 도 33에 도시한 액 제거부(153)는, 액 제거부(101)와 마찬가지로 현상액 노즐(6)을 세정하는 것 외에, 린스 노즐(151)에 부착된 상기 처리액으로부터의 석출물을 세정하여 제거하는 기능을 갖는다. 액 제거부(101)와의 차이점으로서, 액 제거부(153)는, 산형부(102)의 전방측에 기립한 원통부(154)가 설치되어 있다.
도 34에는 액 제거부(153)의 상면을 도시하고 있다. 원통부(154)의 상단부는 외측이 내측에 대하여 하강하는 경사면(155)으로서 형성되어 있고, 상측을 향하여 링 형상의 슬릿(156)이 개방되어 있다. 슬릿(156)은 원통부(154)의 길이 방향으로 형성된 순수의 유로(157)에 접속되어 있다. 원통부(154) 내는 액 배출구(158)로서 구성되어 있다.
현상액 노즐(6)이 대기하고 있을 때에, 이 린스 노즐(151)이 원통부(154) 상에 위치하고, 린스 노즐(151)의 세정이 행해진다. 도 35의 (a)는 이 세정시의 모습을 도시하고 있고, 슬릿(156)으로부터 공급된 순수(A)는, 린스 노즐(151)의 토출구 및 그 주위에 부착된 처리액의 석출물을 씻어낸 후, 중력에 의해 경사면(155)을 하방으로 타고, 액 배출구(158)에 유입하여 제거된다. 순수(A)의 토출 정지 후는, 도 35의 (b)에 도시한 바와 같이 이 린스 노즐(151)의 토출구(150)로부터 처리액이 토출되어, 더미 디스펜스가 행해진다. 토출구(150)는 수직으로 개방되어 있기 때문에, 토출구(150) 및 그 주위의 순수(A)는 토출된 처리액(F)에 흘러가게 되어 제거된다. 또한, 린스 노즐은, 아암체(64)에 복수 설치되어도 되고, 그 수에 따라서 원통부(154)가 설치된다.
또한, 액 제거부와, 현상액 노즐(6)의 세정을 행하는 세정부를 다른 개소에 설치해도 된다. 도 36은, 그와 같이 세정부(161)와 액 제거부(162)를 설치한 대기부(66)를 도시하고 있고, 세정부(161)와, 액 제거부(162)가 현상액 노즐(6)의 폭 방향으로 설치되어 있다. 도 37에는 세정부(161)의 종단 측면도를 도시하고 있다. 세정부(161)는 각 기둥 형상으로 구성되어 있다. 도면 중 참조 부호 E3으로 나타내는 세정부(161)의 폭은 예를 들어 30㎜이다. 세정부(161)의 상면은 전방측의 액 배출부(113)를 향하여 내리는 경사면(163)으로서 구성되어 있고, 토출한 액을 당해 액 배출부(113)에 액 배출할 수 있게, 후방측일수록 그 높이가 높게 형성되어 있다. 경사면(163)에는 전후 방향으로 간격을 두고 순수의 토출구(164, 165, 166)를 구비하고 있다. 도 37 중의 화살표는 순수의 토출 방향을 도시하고 있고, 토출구(165)는 상방향으로, 토출구(164, 166)는 현상액 노즐(6)을 향하여 경사 방향으로 현상액을 토출하도록 각각 개방되어 있다. 세정시에 현상액 노즐(6)의 하단부의 바로 아래에 위치하는 토출구(165)는, 현상액 노즐(6)의 하단부 전체에 순수를 공급할 수 있도록, 토출구(164, 166)보다도 크게 형성되어 있다.
액 제거부(162)는, 산형부(171)를 구비하고 있고, 도 36 중 참조 부호 E4로 나타낸 당해 산형부(171)의 폭은 예를 들어 30㎜이다. 산형부(171)는, 액적을 전방측의 액 배출부(113), 후방측의 액 배출부(103)에 가이드할 수 있도록 경사면(172, 173)을 구비하고 있다(도 38 참조). 산형부(171)의 전후 상방에는, 가스 공급 노즐(174, 175)이 설치되어 있고, 이들 가스 공급 노즐(174, 175)은 토출구(176)를 구비하고 있다.
현상 처리를 종료하고, 대기부(66)에 현상액 노즐(6)이 복귀되면, 현상액 노즐(6)은 세정부(161)의 상방에 위치하고, 세정부(161)로부터 순수가 공급되어, 현상액 노즐(6)이 세정된다. 순수의 공급 정지 후, 현상액 노즐(6)은 횡방향으로 이동하고, 산형부(171)의 상방에 위치하면 정지한다. 그 후, 도 38에 도시한 바와 같이 가스 공급 노즐(174, 175)로부터 경사 하방을 향하여, 에어가 토출된다. 토출된 에어는 현상액 노즐(6)에 맞닿아, 현상액 노즐(6)을 하방으로 향하는 기류가 형성되고, 현상액 노즐(6)에 부착된 순수(A)의 액적은 이 기류에 흘려져 현상액 노즐(6)의 하단부로 전해진다. 그리고, 산형부(171)에 부착되고, 당해 산형부(171)의 경사면(172, 173)으로부터 액 배출부(113, 103)에 흘러서 제거된다. 그 후, 에어의 토출이 정지된다.
이와 같이 대기부(66)를 구성하여 처리를 행해도, 액 제거부(101)를 설치하는 경우와 마찬가지의 효과가 얻어진다. 또한, 상기와 같이 제1 가스 공급부인 가스 공급 노즐(174, 175)을 설치함으로써, 보다 확실하게 현상액 노즐(6)에 부착된 순수를 제거할 수 있으므로, 당해 순수가 웨이퍼(W)에 낙하하여, 워터 마크가 형성되는 것을 억제할 수 있다. 이 예에서 더미 디스펜스를 행하는 경우는, 현상액 노즐(6)은, 현상액의 토출을 방해할 수 없도록 산형부(171)의 상방에 위치한다. 산형부(171)는 상술한 예와 마찬가지로, 토출구(61)의 투영 영역으로부터 벗어나도록 형성된다.
도 39에 도시한 바와 같이 세정부(161)의 전후 상방에 제2 가스 공급부인 가스 공급 노즐(177, 178)을 설치하여, 현상액 노즐(6)의 세정 중에 각 가스 공급 노즐(177, 178)로부터 경사 하방에 에어를 토출해도 된다. 상기 에어가 현상액 노즐(6)의 하단부를 향함으로써, 각 토출구(164 내지 166)로부터 토출된 순수의 현상액 노즐(6)에의 충돌력이 억제되어, 당해 순수로부터 미스트가 발생하는 것을 억제할 수 있다.
상기의 세정액 공급 수단을 구비한 액 제거부 및 세정액 공급 수단과 함께 설치되는 액 제거부는, 현상액 노즐(6)의 대기부(66)에 설치되는 것에 한정되지 않고, 상술한 액 제거부(7A, 7B)와 마찬가지로 컵체(31a 내지 31c)의 사이에 설치할 수 있다. 또한, 상기 액 제거부의 구조나 재질로서는, 상술한 빗살 구조나 세라믹스 등의 각 구조, 각 재질을 적용할 수 있다. 또한, 복수의 현상 처리부(21a 내지 21c)를 구비한 현상 장치(2)에 대해서 설명하였지만, 현상 처리부가 1개만 설치되도록 구성한 경우도, 대기부에서 상기 석출물이나 세정액이 제거됨으로써, 이들이 웨이퍼(W)에 낙하하는 것을 방지할 수 있기 때문에, 본 발명을 적용하는 것이 유효하다.
본 발명의 현상 장치에의 적용예에 대해서 설명해 왔지만, 예를 들어 레지스트 도포 장치 등의 다른 액 처리 장치에도 본 발명을 적용할 수 있다. 이 경우, 처리액 노즐로부터의 처리액이, 당해 처리액에 의한 처리 전 및 처리 후의 기판에 낙하하는 것을 방지하여, 파티클이 발생되거나, 기판의 처리의 면내 균일성이 저하되거나 하는 것을 방지할 수 있다. 그 결과적으로 수율의 저하를 방지할 수 있다.
이하, 상기의 현상 장치(2)가 내장된 도포, 현상 장치(201)에 대해서 설명한다. 도 40은 도포, 현상 장치(201)에 노광 장치(C4)가 접속된 레지스트 패턴 형성 시스템의 평면도를 도시하고 있고, 도 41은 상기 시스템의 사시도이다. 또한, 도 42는 도포, 현상 장치(201)의 종단면도이다. 이 도포, 현상 장치(201)에는 캐리어 블록(C1)이 설치되어 있고, 그 적재대(211) 상에 적재된 밀폐형의 캐리어(210)로부터 전달 아암(212)이 웨이퍼(W)를 취출하여 처리 블록(C2)에 전달하고, 처리 블록(C2)으로부터 전달 아암(212)이 처리 완료된 웨이퍼(W)를 수취하여 캐리어(210)로 복귀시키도록 구성되어 있다. 캐리어(210)는 다수매의 웨이퍼(W)를 포함하고, 각 웨이퍼(W)는 순차적으로 처리 블록(C2)에 반송된다.
상기 처리 블록(C2)은, 도 41에 도시한 바와 같이 이 예에서는 현상 처리를 행하기 위한 제1 블록(DEV층)(B1), 레지스트막의 하층에 형성되는 반사 방지막의 형성 처리를 행하기 위한 제2 블록(BCT층)(B2), 레지스트막의 도포를 행하기 위한 제3 블록(COT층)(B3), 레지스트막의 상층측에 형성되는 보호막의 형성을 행하기 위한 제4 블록(ITC층)(B4)을, 아래로부터 순서대로 적층하여 구성되어 있다.
처리 블록(C2)의 각 층은 평면에서 보아 마찬가지로 구성되어 있다. 제3 블록(COT층)(B3)을 예로 들어 설명하면, COT층(B3)은 도포막으로서 레지스트막을 형성하기 위한 레지스트막 형성 모듈과, 이 레지스트막 형성 모듈로 행해지는 처리의 전처리 및 후처리를 행하기 위한 가열ㆍ냉각계의 처리 모듈군을 구성하는 선반 유닛과, 상기 레지스트막 형성 모듈과 가열ㆍ냉각계의 처리 모듈군 사이에 설치되고, 이들의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 반송 아암(A3)에 의해 구성되어 있다.
상기 선반 유닛은 반송 아암(A3)이 이동하는 반송 영역을 따라서 배열되고, 각각 상기의 가열 모듈, 냉각 모듈이 적층됨으로써 구성된다. 가열 모듈은 적재된 웨이퍼를 가열하기 위한 가열판을 구비하고 있고, 냉각 모듈은 적재된 웨이퍼를 냉각하기 위한 냉각판을 구비하고 있다.
제2 블록(BCT층)(B2), 제4 블록(ITC층)(B4)에 대해서는, 상기 레지스트막 형성 모듈에 상당하는 반사 방지막 형성 모듈, 보호막 형성 모듈이 각각 설치되고, 이들 모듈에 있어서 레지스트 대신에 처리액으로서 반사 방지막 형성용의 약액, 보호막 형성용의 약액이 각각 웨이퍼(W)에 공급되는 것을 제외하면 COT층(B3)과 마찬가지의 구성이다.
제1 블록(DEV층)(B1)에 대해서는 하나의 DEV층(B1) 내에 레지스트막 형성 모듈에 대응하는 현상 모듈(213)이 2단으로 적층되어 있고, 각 현상 모듈(213)은 각각 상술한 현상 장치(2)에 상당하고, 공통의 하우징 내에 3기의 현상 처리부나 상술한 각 노즐을 포함하고 있다. 또한, DEV층(B1)에는 이 현상 모듈(213)의 전처리 및 후처리를 행하기 위한 가열ㆍ냉각계의 처리 모듈군을 구성하는 선반 유닛(U1 내지 U4)이 설치되어 있다. 그리고 DEV층(B1) 내에는, 이들 2단의 현상 모듈과, 상기 가열ㆍ냉각계의 처리 모듈에 웨이퍼(W)를 반송하기 위한 반송 아암(A1)이 설치되어 있다. 즉 2단의 현상 모듈에 대하여 반송 아암(A1)이 공통화되어 있는 구성으로 되어 있다. 이 반송 아암(A1)이 상기의 기판 반송 수단에 상당한다.
또한 처리 블록(C2)에는, 도 40 및 도 42에 도시한 바와 같이 선반 유닛(U5)이 설치되고, 캐리어 블록(C1)으로부터의 웨이퍼(W)는 상기 선반 유닛(U5)의 하나의 전달 유닛, 예를 들어 제2 블록(BCT층)(B2)이 대응하는 전달 유닛(CPL2)에 순차적으로 반송된다. 제2 블록(BCT층)(B2) 내의 반송 아암(A2)은, 이 전달 유닛(CPL2)으로부터 웨이퍼(W)를 수취하여 각 유닛(반사 방지막 형성 모듈 및 가열ㆍ냉각계의 처리 유닛군)에 반송하고, 이들 유닛으로 웨이퍼(W)에는 반사 방지막이 형성된다.
그 후, 웨이퍼(W)는 선반 유닛(U5)의 전달 유닛(BF2), 전달 아암(D1), 선반 유닛(U5)의 전달 유닛(CPL3)에 반송되고, 거기서 예를 들어 23℃로 온도 조정된 후, 반송 아암(A3)을 통하여 제3 블록(COT층)(B3)에 반입되고, 레지스트막 형성 모듈로 레지스트막이 형성된다. 또한 웨이퍼(W)는, 반송 아암(A3)→선반 유닛(U5)의 전달 유닛(BF3)에 전달된다. 또한 레지스트막이 형성된 웨이퍼(W)는, 제4 블록(ITC층)(B4)으로 또한 보호막이 형성되는 경우도 있다. 이 경우에는, 웨이퍼(W)는 전달 유닛(CPL4)을 통하여 반송 아암(A4)에 전달되고, 보호막이 형성된 후 반송 아암(A4)에 의해 전달 유닛(TRS4)에 전달된다.
한편 DEV층(B1) 내의 상부에는, 선반 유닛(U5)에 설치된 전달 유닛(CPL11)으로부터 선반 유닛(U6)에 설치된 전달 유닛(CPL12)에 웨이퍼(W)를 직접 반송하기 위한 전용의 반송 수단인 셔틀 아암(215)이 설치되어 있다. 레지스트막이나 또한 보호막이 형성된 웨이퍼(W)는, 전달 아암(D1)을 통하여 전달 유닛(BF3, TRS4)으로부터 수취하여 전달 유닛(CPL11)에 전달되고, 여기서 셔틀 아암(215)에 의해 선반 유닛(U6)의 전달 유닛(CPL12)에 직접 반송되어, 인터페이스 블록(C3)에 받아들이게 된다. 또한 도 42 중의 CPL이 부여되어 있는 전달 유닛은 온도 조절용의 냉각 유닛을 겸하고 있고, BF가 부여되어 있는 전달 유닛은 복수매의 웨이퍼(W)를 적재 가능한 버퍼 유닛을 겸하고 있다.
계속해서, 웨이퍼(W)는 인터페이스 아암(216)에 의해 노광 장치(C4)에 반송되고, 여기서 소정의 노광 처리가 행해진 후, 선반 유닛(U6)의 전달 유닛(TRS6)에 적재되어 처리 블록(C2)으로 복귀된다. 복귀된 웨이퍼(W)는, 제1 블록(DEV층)(B1)으로 현상 처리가 행해져, 반송 아암(A1)에 의해 선반 유닛(U5)의 전달 유닛(TRS1)에 전달된다. 그 후, 전달 아암(212)을 통하여 캐리어(210)로 복귀된다.
(평가 시험 1)
현상액 노즐(6)에 있어서, 그 하단부로부터 어느 정도 하방까지 아래로 떨어진 액적(D)이 낙하하는 것인지를 확인하였다. 결과적으로 액적의 크기가 1㎜, 2㎜, 3㎜의 경우에 있어서는 액적의 낙하는 일어나지 않았지만, 액적의 크기가 4㎜로 되면 현상액 노즐(6)의 선단부로부터 낙하하는 것이 확인되었다. 그리고, 이 결과를 근거로 하여, 현상액 노즐(6)이 대기부(66)에 수납되었을 때 당해 현상액 노즐(6)의 하단부와 액 제거부(7C)의 거리 h2를 2㎜로 설정하고, 계속해서 현상액 노즐(6)을 액 제거부(7C)에 대하여 상승시켜, 현상액 노즐의 하단부로부터 약 2㎜ 하측에 아래로 떨어진 액적을 형성하였다. 그리고, 현상액 노즐(6)을 하강시켜, 대기부(66)에 수납한 후, 현상액 노즐(6)을 상승시켜, 액적의 유무를 관찰하였다. 이 현상액 노즐(6)을 상승시킨 액적의 형성과 현상액 노즐(6)의 대기부(66)에의 수납을 50회 반복하여 행하였다.
평가 시험 1의 결과, 현상액 노즐(6)이 하강할 때마다 액적은 현상액 노즐(6)의 하단부로부터 제거되었다. 이 시험으로부터 상기의 실시 형태와 같이 현상 장치(2)에 액 제거부(7C)를 설치함으로써 액적의 제거를 행할 수 있는 것이 도시되었다. 또한, 현상액 노즐(6)이 접근하는 방향은 다르지만, 이 실험에서 액 제거부(7A, 7B)에 있어서도 유효하게 현상액 노즐(6)로부터 액적(D)의 제거를 행할 수 있는 것이 예상된다.
(평가 시험 2)
액 제거부(7C)를 그림 물감으로 칠하여, 평가 시험 1과 마찬가지의 시험을 행하여, 현상액 노즐(6)이 그림 물감으로 오염되는지의 여부를 조사하였다. 결과적으로 현상액 노즐(6)에의 그림 물감의 부착은 없었다. 따라서, 현상액 노즐(6)로부터 액 제거부(7C)에 부착된, 액적은 다시 현상액 노즐(6)에 부착되지 않고, 액 제거부(7C)에 의해 제거되어 있는 것을 알 수 있다. 이 시험으로부터도 상기의 실시 형태와 같이 현상 장치에 액 제거부(7C)를 설치하는 것이 유효한 것을 알 수 있고, 또한 액 제거부(7A, 7B)를 설치하는 것이 유효한 것이 예상된다.
D : 액적
L : 현상액
W : 웨이퍼
2 : 현상 장치
21a 내지 21c : 현상 처리부
22a 내지 22c : 스핀 척
30a 내지 30c : 개구부
31a 내지 31c : 컵체
4a 내지 4c : 복합 노즐부
41a 내지 41c : 순수 노즐
42a 내지 42c : N2 가스 노즐
6 : 현상액 노즐
61 : 토출구
65 : 구동 기구
66 : 대기부
7A 내지 7C : 액 제거부
100 : 제어부
101 : 액 제거부
102 : 산형부
103 : 액 배출부
108 : 세정액 토출 구멍
113 : 액 배출부
114 : 액 배출구
L : 현상액
W : 웨이퍼
2 : 현상 장치
21a 내지 21c : 현상 처리부
22a 내지 22c : 스핀 척
30a 내지 30c : 개구부
31a 내지 31c : 컵체
4a 내지 4c : 복합 노즐부
41a 내지 41c : 순수 노즐
42a 내지 42c : N2 가스 노즐
6 : 현상액 노즐
61 : 토출구
65 : 구동 기구
66 : 대기부
7A 내지 7C : 액 제거부
100 : 제어부
101 : 액 제거부
102 : 산형부
103 : 액 배출부
108 : 세정액 토출 구멍
113 : 액 배출부
114 : 액 배출구
Claims (13)
- 상측에 개구부가 형성된 컵체의 중에 기판을 수평으로 보유 지지하는 기판 보유 지지부를 설치하여 구성되는 액 처리부와,
기판에 처리액을 공급하기 위한 처리액 노즐과,
상기 컵체의 외측에 설치되고, 상기 처리액 노즐을 대기시키기 위한 대기부와,
상기 액 처리부의 상방 영역과, 대기부 사이에서 처리액 노즐을 이동시키기 위한 이동 수단과,
상기 대기부에 설치되고, 대기부에서 대기하는 처리액 노즐에 세정액을 공급하여 세정하는 세정액 공급 수단과,
상기 대기부에 설치되고, 당해 대기부에서 대기하는 처리액 노즐로부터 떨어진 상기 세정액의 액적에 접촉하여, 당해 액적을 처리액 노즐로부터 제거하는 액 제거부
를 구비한 것을 특징으로 하는, 액 처리 장치. - 제1항에 있어서,
상기 액 처리부는, 횡방향으로 일렬로 복수 설치되고,
상기 처리액 노즐은 이들 복수의 액 처리부에 대하여 공용화되고,
상기 대기부는, 액 처리부의 열의 연장선 상에 설치되고,
상기 이동 수단은, 상기 액 처리부의 각각의 상방 영역과 상기 대기부 사이에서 상기 처리액 노즐을 액 처리부의 열에 따라서 이동시키는 것을 특징으로 하는, 액 처리 장치. - 상측에 개구부가 형성된 컵체의 중에 기판을 수평으로 보유 지지하는 기판 보유 지지부를 설치하여 구성되고, 각각 횡방향으로 일렬로 배치된 복수의 액 처리부와,
이들 복수의 액 처리부에 대하여 공용화되고, 기판에 처리액을 공급하기 위한 처리액 노즐과,
상기 액 처리부의 열의 연장선 상에 설치되고, 처리액 노즐을 대기시키기 위한 대기부와,
상기 액 처리부의 각각의 상방 영역과 상기 대기부 사이에서 상기 처리액 노즐을 액 처리부의 열에 따라서 이동시키기 위한 이동 수단과,
서로 인접하는 컵체의 개구부간에 설치되고, 처리액 노즐에 세정액을 공급하여 세정하는 세정액 공급 수단과,
서로 인접하는 컵체의 개구부간에 설치되고, 상기 이동 수단에 의해 이동하는 처리액 노즐로부터 떨어진 상기 세정액의 액적에 접촉하여, 당해 액적을 처리액 노즐로부터 제거하는 액 제거부
를 구비한 것을 특징으로 하는, 액 처리 장치. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 액 제거부는, 상기 대기부에서 대기하는 처리액 노즐의 토출구의 투영 영역으로부터 벗어난 위치에 설치되는 것을 특징으로 하는, 액 처리 장치. - 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 세정액 공급 수단은 액 제거부에 설치되고, 상기 액 제거부는 세정액을 공급하는 토출구를 구비하는 것을 특징으로 하는, 액 처리 장치. - 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 액 제거부의 상방에 위치하는 처리액 노즐에 가스를 토출하고, 처리액 노즐에 부착된 세정액을 당해 처리액 노즐의 하방측으로 흘리기 위한 제1 가스 공급부가 설치된 것을 특징으로 하는, 액 처리 장치. - 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
처리액 노즐에 가스를 토출하여, 상기 세정액 공급 수단으로부터 공급되는 세정액이 처리액 노즐에 충돌하는 압력을 제어하는 제2 가스 공급부가 설치된 것을 특징으로 하는, 액 처리 장치. - 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 처리액 노즐은, 경사 하방에 상기 처리액을 토출하는 토출구를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는, 액 처리 장치. - 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 처리액은 현상액이며, 상기 기판은 그 표면에 레지스트가 도포되어, 노광된 것인 것을 특징으로 하는, 액 처리 장치. - 상측에 개구부가 형성된 컵체의 중에 설치되는 기판 보유 지지부에 기판을 수평으로 보유 지지하는 공정과,
처리액 노즐로부터 기판에 처리액을 공급하는 공정과,
상기 컵체의 외측에 설치된 대기부에, 상기 처리액 노즐을 대기시키는 공정과,
상기 컵체 및 기판 보유 지지부를 구성하는 상기 액 처리부의 상방 영역과, 대기부 사이에서 처리액 노즐을 이동시키는 공정과,
상기 대기부에 설치되는 세정액 공급 수단에 의해, 처리액 노즐에 세정액을 공급하여 처리액 노즐을 세정하는 공정과,
세정 후의 처리액 노즐로부터 떨어진 세정액의 액적을, 대기부에서 대기하는 처리액 노즐의 하방측에 설치되는 액 제거부에 접촉시켜 제거하는 공정
을 구비한 것을 특징으로 하는, 액 처리 방법. - 제10항에 있어서,
상기 액 처리부는, 횡방향으로 일렬로 복수 설치되고,
상기 처리액 노즐은 이들 복수의 액 처리부에 대하여 공용화되고,
상기 대기부는, 액 처리부의 열의 연장선 상에 설치되고,
상기 액 처리부의 각각의 상방 영역과 상기 대기부 사이에서 상기 처리액 노즐을 액 처리부의 열에 따라서 이동시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는, 액 처리 방법. - 상측에 개구부가 형성된 컵체의 중에 기판을 수평으로 보유 지지하는 기판 보유 지지부를 설치하여 구성되고, 각각 횡방향으로 일렬로 배치된 복수의 액 처리부에 대하여 공용화된 처리액 노즐로부터, 상기 기판에 처리액을 공급하는 공정과,
상기 액 처리부의 열의 연장선 상에 설치된, 처리액 노즐을 대기시키기 위한 대기부와, 상기 액 처리부의 각각의 상방 영역 사이에서 상기 처리액 노즐을 액 처리부의 열에 따라서 이동 수단에 의해 이동시키는 공정과,
서로 인접하는 컵체의 개구부간에 설치된 세정액 공급 수단에 의해, 처리액 노즐에 세정액을 공급하여 세정하는 공정과,
서로 인접하는 컵체의 개구부간에 있어서의 처리액 노즐의 이동로의 하방측에 설치된 액 제거부를, 상기 이동 수단에 의해 이동하는 처리액 노즐로부터 떨어진 세정액의 액적에 접촉시키는 공정과,
상기 액 제거부에 접촉한 액적을 당해 액 제거부에 의해 처리액 노즐로부터 제거하는 공정
을 구비한 것을 특징으로 하는, 액 처리 방법. - 기판에 대한 액 처리를 행하는 액 처리 장치에 사용되는 컴퓨터 프로그램이 기억된 기억 매체이며,
상기 컴퓨터 프로그램은, 제10항 내지 제12항 중 어느 한 항에 기재된 액 처리 방법을 실시하기 위한 것인 것을 특징으로 하는, 기억 매체.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010181094A JP5440441B2 (ja) | 2010-08-12 | 2010-08-12 | 液処理装置 |
| JPJP-P-2010-181094 | 2010-08-12 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20120016011A true KR20120016011A (ko) | 2012-02-22 |
| KR101670095B1 KR101670095B1 (ko) | 2016-10-27 |
Family
ID=45838543
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020110079911A KR101670095B1 (ko) | 2010-08-12 | 2011-08-11 | 액 처리 장치 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5440441B2 (ko) |
| KR (1) | KR101670095B1 (ko) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20160049985A (ko) * | 2014-10-28 | 2016-05-10 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 액 처리 장치 |
| KR20160117987A (ko) * | 2015-04-01 | 2016-10-11 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
| KR20170063779A (ko) * | 2014-09-30 | 2017-06-08 | 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 | 기판 처리 장치 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5933993B2 (ja) * | 2012-03-08 | 2016-06-15 | 旭サナック株式会社 | ノズルの洗浄装置 |
| TWI544291B (zh) | 2012-05-22 | 2016-08-01 | 斯克林半導體科技有限公司 | 顯像處理裝置 |
| JP6714346B2 (ja) * | 2015-11-10 | 2020-06-24 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | ノズル待機装置および基板処理装置 |
| KR102000017B1 (ko) | 2017-07-21 | 2019-07-18 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| JP7236318B2 (ja) * | 2019-04-26 | 2023-03-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置、及び液処理方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09152717A (ja) * | 1995-11-30 | 1997-06-10 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | ノズル待機装置 |
| JPH09232212A (ja) * | 1996-02-26 | 1997-09-05 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 現像装置 |
| JPH10261609A (ja) | 1997-03-21 | 1998-09-29 | Sony Corp | 薬液処理装置及び薬液処理方法 |
| JP3992488B2 (ja) * | 2000-12-15 | 2007-10-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置および液処理方法 |
| JP2010087323A (ja) * | 2008-10-01 | 2010-04-15 | Sokudo Co Ltd | 現像処理装置 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0430521A (ja) * | 1990-05-28 | 1992-02-03 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板用回転式表面処理装置 |
| JP4328658B2 (ja) * | 2004-04-09 | 2009-09-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布装置及び塗布方法 |
| JP2007258462A (ja) * | 2006-03-23 | 2007-10-04 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
| JP4582654B2 (ja) * | 2006-05-23 | 2010-11-17 | 東京エレクトロン株式会社 | ノズル洗浄装置、ノズル洗浄方法、ノズル洗浄プログラム、及びそのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
-
2010
- 2010-08-12 JP JP2010181094A patent/JP5440441B2/ja active Active
-
2011
- 2011-08-11 KR KR1020110079911A patent/KR101670095B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09152717A (ja) * | 1995-11-30 | 1997-06-10 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | ノズル待機装置 |
| JPH09232212A (ja) * | 1996-02-26 | 1997-09-05 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 現像装置 |
| JPH10261609A (ja) | 1997-03-21 | 1998-09-29 | Sony Corp | 薬液処理装置及び薬液処理方法 |
| JP3992488B2 (ja) * | 2000-12-15 | 2007-10-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置および液処理方法 |
| JP2010087323A (ja) * | 2008-10-01 | 2010-04-15 | Sokudo Co Ltd | 現像処理装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20170063779A (ko) * | 2014-09-30 | 2017-06-08 | 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 | 기판 처리 장치 |
| KR20160049985A (ko) * | 2014-10-28 | 2016-05-10 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 액 처리 장치 |
| KR20160117987A (ko) * | 2015-04-01 | 2016-10-11 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP5440441B2 (ja) | 2014-03-12 |
| KR101670095B1 (ko) | 2016-10-27 |
| JP2012043836A (ja) | 2012-03-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101530959B1 (ko) | 액 처리 장치, 액 처리 방법 및 기억 매체 | |
| KR20120016011A (ko) | 액 처리 장치, 액 처리 방법 및 기억 매체 | |
| KR100897428B1 (ko) | 기판세정장치 및 기판세정방법 | |
| KR100626959B1 (ko) | 세정건조처리장치및세정건조처리방법 | |
| KR101085320B1 (ko) | 세정 장치, 도포 및 현상 장치 및 세정 방법 | |
| US11031261B2 (en) | Liquid processing apparatus | |
| KR101529741B1 (ko) | 현상 장치, 현상 방법 및 기억 매체 | |
| CN101840853B (zh) | 基板处理装置、基板处理方法、涂敷、显影装置、涂敷、显影方法和存储介质 | |
| JP7197376B2 (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
| KR102482211B1 (ko) | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체 | |
| JP5425745B2 (ja) | 液処理装置、液処理方法、およびこの液処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体 | |
| CN108335995B (zh) | 基板处理装置、基板处理方法及计算机可读取的记录介质 | |
| JP5293790B2 (ja) | 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体 | |
| JP6961362B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| JP5676362B2 (ja) | 液処理装置および液処理装置の洗浄方法 | |
| KR102378337B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
| JPH07283184A (ja) | 処理装置 | |
| JP2018129476A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP6125449B2 (ja) | 基板液処理装置及び基板液処理方法 | |
| JP7008546B2 (ja) | 基板処理装置、基板液処理方法およびノズル | |
| KR102415323B1 (ko) | 노즐 유닛 및 기판 처리 장치 | |
| KR102008305B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
| JP2024050440A (ja) | リフトピンの洗浄方法および基板処理装置 | |
| JP2022110505A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| KR100885242B1 (ko) | 기판 처리 장치, 및 이를 이용한 기판 처리 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| AMND | Amendment | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| AMND | Amendment | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| AMND | Amendment | ||
| X701 | Decision to grant (after re-examination) | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20191001 Year of fee payment: 4 |