KR20110035904A

KR20110035904A - 보호 테이프 박리 방법 및 그 장치

Info

Publication number: KR20110035904A
Application number: KR1020100091627A
Authority: KR
Inventors: 유끼또시 하세; 마사유끼 야마모또
Original assignee: 닛토덴코 가부시키가이샤
Priority date: 2009-09-29
Filing date: 2010-09-17
Publication date: 2011-04-06
Also published as: CN102034747B; US20110073241A1; KR101729335B1; TW201125018A; JP2011077138A; TWI457976B; CN102034747A; JP5572353B2

Abstract

마운트 프레임의 점착 테이프에 접착 보유 지지된 웨이퍼를 다이싱 처리하여 분단된 칩 부품을, 테이프 박리 기구로 흡착하여 기판 보유 지지 스테이지 상의 기판의 실장 위치에 이동 탑재함과 함께, 그 실장 위치에서 칩 부품의 표면에 부착되어 있는 가열에 의해 발포 팽창되어 접착력을 상실한 보호 테이프를 헤드를 통하여 히터에 의해 가열한다. 그 후에 보호 테이프를 흡착하면서 테이프 박리 기구를 상승시켜, 이 보호 테이프를 칩 부품으로부터 박리 제거한다.

Description

보호 테이프 박리 방법 및 그 장치{METHOD AND APPARATUS FOR SEPARATING PROTECTIVE TAPE}

본 발명은, 반도체 웨이퍼, 회로 기판, 및 전자 디바이스[예를 들어, LED(Light-emitting diode)나 CCD(charge coupled device)] 등의 기판의 회로면을 보호하는 보호 테이프를 박리하는 보호 테이프 박리 방법 및 그 장치에 관한 것으로, 특히 기판을 소정 형상으로 분단(分斷)한 후의 칩 부품을 기판의 소정의 위치에 실장한 후에 보호 테이프를 박리하는 기술에 관한 것이다.

반도체 웨이퍼(이하, 간단히 「웨이퍼」라 함)는, 그 표면 상에 다수의 소자를 형성한 후, 백그라인드 공정에서 웨이퍼 이면을 깎고, 그 후, 다이싱 공정에서 각 소자로 나누어 절단한다. 최근에는 고밀도 실장의 요구에 수반하여 웨이퍼 두께를 100㎛로부터 50㎛, 나아가 그 이하로 얇게 하는 경향이 있다.

따라서, 백그라인드 공정에서 웨이퍼를 박화 가공할 때, 회로 패턴이 형성된 웨이퍼 표면을 보호하기 위하여, 백그라인드 공정에 있어서의 연삭 스트레스로부터 웨이퍼를 보호하기 위하여, 그리고 백그라인드에 의해 박형화된 웨이퍼를 보강하기 위하여, 그 표면에 보호 테이프가 부착된다.

또한, 백그라인드 공정 후에, 다이싱 테이프를 통하여 링 프레임이 웨이퍼를 접착 보유 지지하여 이루어지는 마운트 프레임에 있어서, 그 웨이퍼 상의 보호 테이프에 박리용 점착 테이프를 부착하여 박리함으로써, 박리 테이프와 일체로 하여 보호 테이프를 웨이퍼 표면으로부터 박리하고 있다(일본 특허 공개 2006-165385호 공보 참조).

그러나, 상기 종래 방법에서는 다음과 같은 문제가 있다.

즉, 종래의 보호 테이프 박리 방법에서는, 웨이퍼 표면으로부터 보호 테이프를 박리한 후에 다이싱 처리가 실시된다. 따라서, 다이싱 시의 분진이나 세정수가 웨이퍼 표면에 부착되어, 노출된 회로면을 오염시킨다고 하는 문제가 있다.

또한, 마운트 프레임에 보유 지지된 상태에서 보호 테이프가 박리된 후, 칩 부품의 회로면이나 전극이 노출된 상태에서 다음 공정으로 반송되거나, 혹은 회로면 등에 칩 마운터의 헤드를 직접 접촉시켜 피착체인 기판의 소정 위치에 실장시키거나 하고 있다. 이들의 경우에도 회로면 등을 오염시키거나, 파손시켜 버린다. 그 결과, 실장 불량이나 본딩 불량을 초래한다고 하는 문제도 발생하고 있다.

또한, 칩 부품이 LED인 경우, 세정액이나 반송 시에 표면에 부착되어 버리는 오일막 등에 의해, 양품임에도 불구하고 품질 검사 시의 측정 휘도가 기준값보다 낮게 측정되어 버리는 경우가 있다. 이러한 경우, 결과적으로 품질 불량으로 판단된다고 하는 문제도 발생하고 있다.

본 발명은, 다이싱 처리 후의 칩 부품의 회로면 등을 오염시키지 않고 피착체에의 실장을 가능하게 하는 것을 목적으로 하고 있다.

본 발명은, 이와 같은 목적을 달성하기 위하여, 다음과 같은 구성을 취한다.

기판의 표면에 부착된 보호 테이프를 박리하는 보호 테이프 박리 방법이며,

상기 보호 테이프를 부착한 상태의 기판을 소정 형상으로 분단한 후의 칩 부품에 부착되어 있는 당해 보호 테이프를, 당해 칩 부품을 피착체에 실장한 후에 박리한다.

이 보호 테이프 박리 방법에 의하면, 피착체에 실장될 때까지 칩 부품의 표면이 보호 테이프에 의해 보호되어 있으므로, 회로면 등이 오염되지 않는다. 이 보호 테이프의 박리의 타이밍으로서, 예를 들어, 다이 본딩 공정 후, 혹은 와이어 본딩 공정 전인 것이 바람직하다. 이들의 경우, 전기적으로 접속되는 전극이, 피착체측의 전극이나 와이어와 접속되기 직전까지 보호 테이프에 의해 보호되어 있으므로, 오염 및 파손되지 않아 확실한 접속을 가능하게 한다.

상기 방법에 있어서, 보호 테이프로서, 가열 박리성의 것을 이용할 수 있다. 예를 들어, 열 발포성 점착층을 갖는 보호 테이프, 혹은 소정의 일축 방향으로 젖혀지는 열수축성 점착층을 갖는 보호 테이프 등을 들 수 있다.

이들의 보호 테이프를 박리하는 경우, 이하의 공정을 구비하는 것이 바람직하다.

히터를 구비한 흡착 반송 기구에 의해 상기 칩 부품을 피착체의 소정 위치에 실장하는 실장 공정과,

상기 소정 위치에서 흡착 반송 기구에 의해, 가열에 의해 발포 팽창되는 점착층을 갖는 보호 테이프를 가열하는 가열 공정과,

상기 가열 공정에서 접착력이 약해진 보호 테이프를 흡착 반송 기구의 퇴피 시에 흡착하여 칩 부품으로부터 박리하는 박리 공정.

또한, 상기 가열 박리성의 보호 테이프의 경우, 가열 공정에 있어서, 가열에 의해 두께가 증가되는 방향으로 변화하는 보호 테이프의 당해 변화에 따라 흡착 반송 기구를 상승시키는 것이 바람직하다.

이 방법에 의하면, 가열에 의해 보호 테이프의 점착층이 발포 팽창되거나, 혹은 보호 테이프가 젖혀져도, 이때에 칩 부품과 흡착 반송 기구 사이에서 발생하는 가압력이 흡착 반송 기구의 상승에 의해 상쇄된다. 따라서, 칩 부품에 과도한 가압력이 가해지지 않으므로 파손되지 않는다.

또한, 보호 테이프는, 자외선 경화형 점착 테이프이어도 좋다. 이 경우, 흡착 반송 기구에 의해 상기 칩 부품을 피착체의 소정 위치에 실장하는 실장 공정과,

상기 소정 위치에서 자외선 경화형 점착 테이프에 자외선을 조사하는 자외선 조사 공정과,

상기 자외선 조사 공정에서 접착력이 약해진 보호 테이프를 칩 부품으로부터 박리하는 박리 공정을 포함하는 것이 바람직하다.

더욱 바람직하게는, 흡착 반송 기구는, 자외선 조사 유닛을 구비하고, 상기 자외선 조사 공정에 있어서, 흡착 반송 기구에 의해 소정 위치에 칩 부품을 실장시킴과 함께, 자외선 조사 유닛에 의해 보호 테이프에 자외선을 조사하고,

상기 박리 공정에 있어서, 자외선 조사에 의해 접착력이 약해진 보호 테이프를 흡착 반송 기구의 퇴피 시에 흡착하여 칩 부품으로부터 박리한다.

또한, 본 발명은, 이와 같은 목적을 달성하기 위하여, 다음과 같은 구성을 취한다.

기판의 표면에 부착된 보호 테이프를 박리하는 보호 테이프 박리 장치이며,

상기 보호 테이프를 부착한 상태에서 소정 형상으로 분단된 칩 부품을 흡착하여 피착체의 소정 위치에 실장하는 흡착 반송 기구와,

상기 소정 위치에서 칩 부품에 부착되어 있는 보호 테이프의 접착력을 약화시키는 접착력 저감부와,

접착력이 약해진 상기 보호 테이프를 칩 부품으로부터 박리하는 박리 기구.

이 구성에 의하면, 보호 테이프가 부착된 상태의 칩 부품이 흡착 반송 기구에 의해 피착체의 소정 위치에 실장된 후에, 접착력이 약화되어 칩 부품으로부터 보호 테이프가 박리 제거된다. 따라서, 상기 방법을 적절하게 실시할 수 있다.

또한, 보호 테이프가 열 발포성 점착층, 혹은 소정의 일축 방향으로 젖혀지는 열수축성 점착층을 갖는 가열 박리성의 것인 경우, 접착력 저감부로서는 히터인 것이 바람직하다. 이 히터는, 흡착 반송 기구에 구비하는 것이 바람직하다.

이 구성에 의하면, 칩 부품을 흡착 보유 지지한 채 피착체의 소정 위치로의 실장부터 보호 테이프의 박리까지의 일련의 처리를 흡착 반송 기구에 의해 행할 수 있다. 따라서, 접착력이 약해진 보호 테이프가 비산하여 피착체를 오염시키지 않는다. 또한, 장치 구성을 간소화할 수도 있다.

상기 장치 구성에 있어서, 가열에 의해 두께가 증가되는 방향으로 변화하는 상기 보호 테이프의 당해 변화에 따라, 흡착 반송 기구를 상승시키는 제어부를 더 구비하는 것이 바람직하다.

이 구성에 의하면, 가열에 의해 보호 테이프의 점착층이 발포 팽창, 혹은 보호 테이프가 젖혀져도, 이때에 칩 부품과 흡착 반송 기구 사이에서 발생하는 가압력이 흡착 반송 기구의 상승에 의해 상쇄된다. 따라서, 칩 부품에 과도한 가압력이 가해지지 않으므로 파손되지 않는다.

또한, 보호 테이프가 자외선 경화형 접착 테이프인 경우, 접착력 저감 기구는 자외선 조사 유닛인 것이 바람직하다.

이 자외선 조사 유닛은 흡착 반송 기구에 구비하는 것이 바람직하다.

이 구성에 있어서, 박리 기구는, 접착력이 약해진 보호 테이프를 흡착 반송 기구로 흡착한 채 퇴피시킴으로써, 보호 테이프를 칩 부품으로부터 박리하도록 구성하는 것이 더욱 바람직하다.

상기 장치 구성에 의하면, 칩 부품을 흡착 보유 지지한 채 피착체의 소정 위치로의 실장부터 보호 테이프의 박리까지의 일련의 처리를 흡착 반송 기구에 의해 행할 수 있다. 따라서, 접착력이 약해진 보호 테이프가 비산하여 피착체를 오염시키지 않는다. 또한, 장치 구성을 간소화할 수도 있다.

발명을 설명하기 위하여 현재 적합하다고 생각되는 몇개의 형태가 기재되어 있지만, 발명이 도시된 바와 같은 구성 및 방책에 한정되는 것이 아님을 이해하기를 바란다.

도 1은 마운트 프레임의 사시도.
도 2는 보호 테이프 박리 장치의 평면도.
도 3은 보호 테이프 박리 장치의 정면도.
도 4는 프레임 반송 기구의 평면도.
도 5는 프레임 반송 기구의 정면도.
도 6은 척 테이블의 정면도.
도 7은 헤드의 부분 파단도.
도 8 내지 도 13은 실시예의 보호 테이프 박리의 동작 설명도.
도 14는 변형예의 보호 테이프의 박리 동작을 도시하는 설명도.
도 15는 자외선 경화형의 보호 테이프를 이용한 변형 장치의 정면도.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예를 설명한다.

이 실시예에서는 기판으로서 반도체 웨이퍼를 예로 들어 설명한다. 반도체 웨이퍼(W)(이하, 간단히 「웨이퍼(W)」라 함)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 회로 패턴을 보호하는 보호 테이프(T)가 부착된 상태에서 백그라인드 처리 및 다이싱 처리가 실시되어 칩 부품(CP)으로 분단된다. 이 분단된 기판 크기의 복수의 칩 부품(CP)이, 점착 테이프(DT)(다이싱 테이프)를 통하여 링 프레임(f)에 접착 보유 지지되어, 마운트 프레임(MF)으로서 취급된다.

여기서, 보호 테이프(T)는, 테이프 기재에 가열함으로써 발포 팽창되어 접착력을 상실하는 열 발포성 점착층을 구비한 것이다.

도 2 및 도 3에 본 발명의 방법을 실행하는 보호 테이프 박리 장치의 개략적인 구성 및 보호 테이프 박리 공정이 도시되어 있다.

이 보호 테이프 박리 장치는, 마운트 프레임(MF)을 소정 피치를 두고 다단으로 수납한 카세트(C)를 적재하는 카세트 적재부(1), 카세트(C)로부터 마운트 프레임(MF)을 반출하여 척 테이블(2)에 적재함과 함께, 보호 테이프(T)가 박리 처리된 마운트 프레임(MF)을 카세트(C)에 수납하는 프레임 반송 기구(3), 척 테이블(2)에 흡착 보유 지지된 마운트 프레임(MF)으로부터 칩 부품(CP)을 흡착하여 다음 공정의 기판(GW)의 소정 위치로 반송 및 실장함과 함께, 칩 부품(CP)으로부터 보호 테이프(T)를 박리하는 테이프 박리 기구(4), 소정 피치를 두고 기판(GW)을 다단으로 수납한 기판 수납부(5), 기판 수납부(5)로부터 기판(GW)을 반출하여 보유 지지 테이블(6)에 이동 탑재함과 함께, 보유 지지 테이블(6) 상의 기판(GW)을 기판 수납부(5)에 수납하는 기판 반송 기구(7), 및 칩 부품(CP)으로부터 박리한 보호 테이프(T)를 회수하는 테이프 회수부(8)로 구성되어 있다. 이하, 각 구성에 대하여 구체적으로 설명한다.

카세트 적재부(1)는, 도 3에 도시된 바와 같이, 장치 프레임에 연결 고정된 세로 레일(10)과, 이 세로 레일(10)을 따라 모터 등의 구동 기구(11)에 의해 나사 이송하면서 승강되는 승강대(12)가 구비되어 있다. 따라서, 카세트 적재부(1)는, 마운트 프레임(MF)을 승강대(12)에 적재하여 피치 이송하면서 승강된다.

프레임 반송 기구(3)는, 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 안내 레일(13)을 따라 수평하게 이동하는 가동대(14)에, 고정받이편(15)과 실린더(16)로 개폐되는 척편(17)을 구비하고 있다. 이들 고정받이편(15)과 척편(17)에 의해 마운트 프레임(MF)의 일단부를 상하로부터 협지한다. 또한, 모터(18)로 회동되는 벨트(19)에 가동대(14)의 하부가 연결되어 있다. 따라서, 가동대(14)는 모터(18)의 정역 작동에 의해 왕복 이동한다.

척 테이블(2)은, 도 6에 도시된 바와 같이, 가동대(20)에 마운트 프레임(MF)의 웨이퍼(W)를 흡착 보유 지지하는 웨이퍼 보유 지지 테이블(21)과, 링 프레임(f)을 보유 지지하는 프레임 보유 지지 테이블(22)로 구성되어 있다. 또한, 가동대(20)는, 도 3에 도시된 바와 같이, 수평 2축(X, Y) 방향, 상하(Z) 방향, 및 Z축 둘레(θ) 방향으로, 각각 이동 가능하게 구성되어 있다.

웨이퍼 보유 지지 테이블(21)은, 액추에이터(9)에 의해 승강된다. 즉, 웨이퍼 보유 지지 테이블(21)은, 웨이퍼(W)의 표면 높이가 링 프레임(f)보다 높아지도록 웨이퍼 보유 지지 테이블(21)을 소정 높이까지 상승시킨다. 그에 의하여, 점착 테이프(DT)를 연신하여 칩 부품(CP)을 개별적으로 분리한다.

테이프 박리 기구(4)는, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이 안내 레일(23)을 따라 수평 이동하는 가동대(24), 가동대(24)로부터 연장되는 아암 선단에 배치된 헤드(25), 및 헤드(25)를 승강시키는 실린더(26)를 구비하고 있다. 또한, 테이프 박리 기구(4)는 본 발명의 흡착 반송 기구의 기능도 구비하고 있다.

헤드(25)는, 도 7에 도시된 바와 같이 금속제의 본체(27)의 하부로부터 세라믹제의 홀더(28), 히터(29), 및 압자(30)의 순으로 구성되어 있다. 또한, 홀더(28)는 볼트(31)로 본체(27)에 장착되어 있다. 또한, 본체(27)로부터 압자(30)에 걸쳐 관통하는 유로(32)가 형성되어 있고, 본체측에서 외부의 펌프(33)와 연통 접속되어 있다. 즉, 제어부(34)에 의해 펌프(33)를 부압 제어함으로써 헤드 선단에서 칩 부품(CP)을 흡착 보유 지지한다. 또한, 제어부(34)에 의해 펌프(33)를 정압 제어함으로써, 흡착 보유 지지하는 박리 후의 보호 테이프(T)를 배출한다. 또한, 테이프 박리 기구(4)는 본 발명의 박리 기구에, 히터(29)는 접착력 저감부에 상당한다.

기판 수납부(5)는, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 미처리 기판(GW) 및 칩 부품(CP)의 실장을 마친 기판(GW)을 다단으로 수납하는 기판 수납 매거진(35)을 구비하고 있다. 또한, 기판(GW)으로서는, 예를 들어 액정 패널용 유리 기판이나 플렉시블 기판 등 회로 패턴 및 전극이 형성된 기판 등을 들 수 있다.

보유 지지 테이블(6)은, 기판(GW)을 흡착 보유 지지하는 기판 보유 지지 스테이지(36)를 구비하고 있다. 이 기판 보유 지지 스테이지(36)는, 수평 2축(X, Y) 방향, 상하(Z) 방향, 및 Z축 둘레(θ) 방향으로, 각각 이동 가능하게 구성되어 있다.

기판 반송 기구(7)는, 장치 베이스에 배치된 안내 레일(37), 안내 레일(37)을 따라 주행하는 가동대(38)에 구비된 앞뒤로 진퇴 및 승강하는 아암(39), 아암(39)의 선단에 설치되어 기판(GW)을 흡착 보유 지지하는 기판 보유 지지부(40)를 구비하고 있다.

테이프 회수부(8)는, 척 테이블(2)과 보유 지지 테이블(6) 사이에 테이프 박리 기구(4)의 이동 경로의 하방에 개구부를 상향으로 한 회수 박스(41)가 배치되어 있다.

이어서, 상기 실시예 장치를 사용하여 보호 테이프(T)를 칩(CP)의 표면으로부터 박리하기 위한 일련의 기본 동작을 도 8 내지 도 12에 기초하여 설명한다.

대기 위치에 있는 프레임 반송 기구(3)가, 마운트 프레임(MF)의 반출 위치로 이동한다. 이 프레임 반송 기구(3)는 웨이퍼(W)의 표면을 상향으로 하여 카세트(C)에 다단으로 수납되어 있는 마운트 프레임(MF)을 파지하여 후퇴하면서 반출한다. 척 테이블(2)의 전달 위치에 그 마운트 프레임(MF)을 이동시킨다.

전달 위치에 도달한 프레임 반송 기구(3)는 소정 높이까지 하강하여 척편(17)을 개방하고, 마운트 프레임(MF)을 척 테이블(2)로 이동 탑재한다.

도 8에 도시된 바와 같이, 마운트 프레임(MF)이 이동 탑재된 척 테이블(2)은, 마운트 프레임(MF)의 이면 전체를 흡착 보유 지지한다. 웨이퍼 보유 지지 테이블(21)은, 도 9에 도시된 바와 같이, 소정 높이 상승하여 점착 테이프(DT)째 칩 부품(CP)을 밀어올려 개별적으로 분리한 후에, 원래의 높이로 하강한다.

그 후에, 가동대(20)를 조작하여 반출 대상의 칩 부품(CP)이 테이프 박리 기구(4)의 흡착 위치에 위치 정렬된다. 도 10에 도시된 바와 같이, 테이프 박리 기구(4)를 하강시켜 칩 부품(CP)에 헤드(25)를 접촉시켜 흡착한다. 흡착이 확인되면, 도 11에 도시된 바와 같이, 테이프 박리 기구(4)를 상승시킴과 함께 수평 이동시켜 보유 지지 테이블(6)에 칩 부품(CP)을 반송한다.

또한, 마운트 프레임(MF)의 반출과 동시에, 기판 반송 기구(7)가 작동하여, 기판 수납 매거진(35)으로부터 처리 대상의 기판(GW)을 기판 보유 지지부(40)로 흡착 보유 지지하여 반출한다. 이 기판(GW)은, 기판 보유 지지 스테이지(36)에 적재된다.

기판 보유 지지 스테이지(36)는, 기판(GW)을 흡착 보유 지지한 후, 테이프 박리 기구(4)의 하강 위치로 실장 부위가 위치 정렬된다.

테이프 박리 기구(4)가 보유 지지 테이블(6)측에 도달하면 실장 부위를 센서 등에 의해 확인한 후에 하강하고, 도 12에 도시된 바와 같이, 칩 부품(CP)을 기판(GW)의 소정 위치에 실장한다. 또한, 기판 실장 부위에는 미리 도전성 페이스(P) 등이 도포되어 있다. 여기서, 실장 부위에의 칩 부품(CP)의 전기적 접속 및 고착은, 도전성 페이스트(P)에 한하지 않고, 도전성 필름이어도 좋다. 또한, 전기적 접속이 불필요한 경우, 도전성 페이스트(Non-condactive paste) 또는 도전성 필름(Non-condactive film)이어도 좋다.

테이프 박리 기구(4)는, 실장 위치에서 정지하여 칩 부품(CP)을 흡착한 채 히터(29)에 의해 보호 테이프(T) 및 도전성 페이스트(P)를 가열한다. 히터(29)의 가열에 수반하여 보호 테이프(T)의 점착층이 발포 팽창되어 접착력이 상실되어 감과 함께, 도전성 페이스트(P)는 경화되어 기판에 고착된다.

이 가열 공정에 있어서, 제어부(34)는, 보호 테이프(T)에 사용하는 점착층의 종류, 가열 온도, 가열 시간에 의해 미리 결정되는 보호 테이프(T)의 두께의 변화에 따라, 테이프 박리 기구(4)를 간헐적 혹은 연속적으로 상승 제어한다. 즉, 점착층이 발포 팽창되어 보호 테이프(T)의 두께가 증가됨으로써 헤드(25)와 기판(GW) 사이에 끼워져 있는 박형화된 칩 부품(CP)에 과도한 가압력이 작용하여, 파손되지 않도록 테이프 박리 기구(4)가 상승 제어되고 있다.

또한, 테이프 박리 기구(4)의 상승 제어는, 미리 행한 재현 실험의 결과나 시뮬레이션 등에 의해 정한 프로그램에 의해 제어해도 좋고, 보호 테이프(T)의 표면 높이를 센서로 검출하여, 그 검출 결과에 기초하여, 높이 제어해도 좋다.

소정 시간의 가열에 의해 점착층의 가열 처리가 완료되면, 도 7에 도시된 센서(S)에 의해 흡착 불량이 없는 것을 제어부(34)가 확인한 후, 한쪽의 테이프 박리 기구(4)는 보호 테이프(T)를 계속하여 흡착한 채 상승하여, 새로운 칩 부품(CP)의 반출 위치를 향하여 이동을 개시한다. 이 이동 공정에서 회수 박스(41)의 상방을 통과할 때에, 제어부(34)는, 펌프(33)를 정압 제어하여, 도 13에 도시된 바와 같이, 헤드(25)에 흡착 보유 지지되어 있던 박리 후의 보호 테이프(T)를 회수 박스(41)를 향하여 배출시킨다.

칩 부품(CP)이 실장된 기판(GW)은, 기판 반송 기구(7)에 의해 기판 보유 지지 스테이지(36)로부터 반출되어, 기판 수납 매거진(35)의 원래의 위치에 수납된다. 그 후, 기판 반송 기구(7)는 새로운 기판(GW)을 반출한다.

이상으로 1개의 칩 부품(CP)에 대한 보호 테이프(T)의 박리 동작이 완료된다. 이후, 마운트 프레임(MF) 내에 포함되는 칩 부품(CP)에 대하여 동일한 처리가 실행된다. 또한, 모든 칩 부품(CP)에 관한 보호 테이프(T)의 박리 처리가 완료되면, 카세트(C)에 수납되어 있는 마운트 프레임(MF) 모두에 대하여 동일한 처리가 반복되어 실행된다.

상기 구성에 의하면, 칩 부품(CP)의 표면이 기판(GW)에 실장될 때까지 보호 테이프(T)에 의해 보호되어 있으므로, 회로면이 오염되지도 않고, 파손되지도 않는다. 또한, 보호 테이프(T)가 발포 팽창되어 높이 방향으로의 두께가 증가되어도, 칩 부품(CP)을 파손시키지도 않고, 흡착 불량에 의한 보호 테이프(T)의 비산을 방지할 수도 있다.

본 발명은 상술한 실시예의 것에 한하지 않고, 다음과 같이 변형 실시할 수도 있다.

(1) 상기 실시예 장치에서는, 가열에 의해 발포 팽창되는 가열 박리성을 갖는 점착층을 구비한 보호 테이프(T) 대신에, 가열에 의해 소정의 일축 방향으로 젖혀지는 열수축성 점착층을 이용할 수도 있다.

이 경우, 소정의 칩 부품(CP)의 박리는, 상기 실시예와 마찬가지의 처리 수순으로 실시된다. 즉, 테이프 박리 기구(4)에 의해 기판(GW)의 소정 위치에 칩 부품(CP)을 실장한 후, 헤드(25)는 그 위치에서 보호 테이프(T)를 흡착하면서 가열한다. 이 가열 공정에서, 보호 테이프(T)는, 도 14에 도시된 바와 같이, 상향으로 젖혀지므로, 제어부(34)는, 보호 테이프(T)에 사용하는 점착층의 종류, 가열 온도, 가열 시간에 의해 미리 결정되는 보호 테이프(T)의 휨량에 따라, 테이프 박리 기구(4)를 간헐적 혹은 연속적으로 상승시킨다. 동시에 헤드(25)의 흡착력도 동시에 증가되도록 제어된다.

즉, 점착층이 수축하여 보호 테이프가 젖혀져, 그 높이 방향의 거리가 증가되어도 헤드(25)와 기판(GW) 사이에 끼워져 있는 박형화된 칩 부품(CP)에 과도한 가압력이 작용하지 않는다. 바꾸어 말하면, 칩 부품(CP)이 파손되지 않도록 헤드(25)가 상승 제어된다. 동시에, 젖혀져 헤드(25)와의 접촉 면적이 저하되지 않도록, 휨량에 따라 헤드(25)의 흡착력이 증가되도록 제어된다.

소정 시간의 가열에 의해 칩 부품(CP)으로부터의 보호 테이프(T)의 박리가 완료되면, 보호 테이프(T)를 흡착 보유 지지한 채 칩 부품(CP)의 반출 위치로 복귀되는 공정에서, 보호 테이프(T)를 헤드(25)로부터 회수 박스(41)를 향하여 배출한다.

이 구성에 의하면, 보호 테이프(T)가 젖혀져 높이 방향으로의 두께가 증가되어도 칩 부품(CP)을 파손시키지도 않고, 흡착 불량에 의한 보호 테이프(T)의 비산을 방지할 수도 있다.

(2) 상기한 각 실시예에 있어서의 가열 박리성의 보호 테이프(T) 대신에, 자외선 경화형 점착 테이프를 보호 테이프(T)로서 이용할 수도 있다.

이 경우, 테이프 박리 기구(4)는, 헤드(25)를 투과성을 갖는 부재에 의해 구성함과 함께, 도 15에 도시된 바와 같이, 이 헤드(25)에 자외선 LED(42)를 매설한 구성으로 한다. 또한, 자외선 LED(42)는 본 발명의 자외선 조사 유닛에 상당한다.

이 구성의 경우, 기판(GW)의 소정 위치에 칩 부품(CP)을 실장한 후, 헤드(25)는, 그 위치에서 보호 테이프(T)를 향하여 자외선을 조사한다. 소정 시간의 자외선 조사에 의해 점착층이 경화되어 접착력이 감소되어 소멸된 시점에 보호 테이프(T)를 흡착한 채 테이프 박리 기구(4)를 상승시킨다. 그 결과, 보호 테이프(T)는 칩 부품으로부터 박리된다.

(3) 상기 각 실시예에서는, 도전성 페이스트(P) 대신에, 다이 본드 테이프를 이용해도 좋다.

이 경우, 보호 테이프(T) 대신에 다이 본드 테이프를 웨이퍼(W)의 회로면에 부착해 두고, 당해 회로면을 하향으로 하여 링 프레임(f)에 점착 테이프(DT)를 통하여 접착 보유 지지한 마운트 프레임(MF)을 작성한다. 이 마운트 프레임(MF)의 상태에서 다이 본드 테이프를 포함하여 다이싱 처리함으로써, 상기 실시예 장치에 있어서, 이 마운트 프레임(MF)을 취급하는 것이 가능하게 된다. 즉, 기판(GW)에 대하여 칩 부품(CP)을 페이스·다운·본딩이 가능하게 된다.

(4) 상기 각 실시예에서는, 기판(GW)에 칩 부품(CP)을 다이 본딩한 후에 칩 부품(CP)으로부터 보호 테이프(T)를 박리하였지만, 다음과 같이 행해도 된다. 즉, 상기 실시예 장치의 테이프 박리 기구(4)를 이용하여, 와이어 본딩 공정 내의 기판 보유 지지 스테이지에 보유 지지된 기판(GW)의 소정 위치에 칩 부품(CP)을 실장하고, 이 칩 부품(CP)에 와이어 본딩하기 직전에 보호 테이프(T)를 박리한다.

이 구성에 의하면, 칩 부품(CP)의 전극 부위가 와이어 본딩하기 직전까지 보호 테이프(T)에 의해 보호되고 있으므로 오염되지 않는다. 따라서, 와이어를 전극에 고정밀도로 본딩할 수 있다.

본 발명은 그 사상 또는 본질로부터 일탈하지 않고 다른 구체적인 형태로 실시할 수 있고, 따라서 발명의 범위를 나타내는 것으로서, 이상의 설명이 아니고, 부가된 특허청구범위를 참조해야 한다.

Claims

기판의 표면에 부착된 보호 테이프를 박리하는 보호 테이프 박리 방법이며,
상기 보호 테이프를 부착한 상태의 기판을 소정 형상으로 분단(分斷)한 후의 칩 부품에 부착되어 있는 당해 보호 테이프를, 당해 칩 부품을 피착체에 실장한 후에 박리하는 공정을 포함하는 보호 테이프 박리 방법.
제1항에 있어서, 상기 보호 테이프의 박리는 다이 본딩 공정 후에 행하는 보호 테이프 박리 방법.
제1항에 있어서, 상기 보호 테이프의 박리는 와이어 본딩 공정 전에 행하는 보호 테이프 박리 방법.
제1항에 있어서, 히터를 구비한 흡착 반송 기구에 의해 상기 칩 부품을 피착체의 소정 위치에 실장하는 실장 공정과,
상기 소정 위치에서 흡착 반송 기구에 의해, 가열에 의해 발포 팽창되는 점착층을 갖는 보호 테이프를 가열하는 가열 공정과,
상기 가열 공정으로 접착력이 약해진 보호 테이프를 흡착 반송 기구의 퇴피 시에 흡착하여 칩 부품으로부터 박리하는 박리 공정을 더 포함하는 보호 테이프 박리 방법.
제4항에 있어서, 상기 가열 공정에서, 가열에 의해 발포 팽창되어 두께가 증가되는 방향으로 변화하는 보호 테이프의 당해 변화에 따라 흡착 반송 기구를 상승시키는 보호 테이프 박리 방법.
제1항에 있어서, 히터를 구비한 흡착 반송 기구에 의해 상기 칩 부품을 피착체의 소정 위치에 실장하는 실장 공정과,
상기 소정 위치에서 흡착 반송 기구에 의해, 소정의 일축 방향으로 젖혀지는 열수축성 점착층을 갖는 보호 테이프를 가열하는 가열 공정과,
상기 가열 공정으로 접착력이 약해진 보호 테이프를 흡착 반송 기구의 퇴피 시에 흡착하여 칩 부품으로부터 박리하는 박리 공정을 더 포함하는 보호 테이프 박리 방법.
제6항에 있어서, 상기 가열 공정에서, 가열에 의해 젖혀져, 두께가 증가되는 방향으로 변화하는 보호 테이프의 당해 변화에 따라 흡착 반송 기구를 상승시키는 보호 테이프 박리 방법.
제1항에 있어서, 흡착 반송 기구에 의해 상기 칩 부품을 피착체의 소정 위치에 실장하는 실장 공정과,
상기 소정 위치에서 자외선 경화형 점착 테이프에 자외선을 조사하는 자외선 조사 공정과,
상기 자외선 조사 공정으로 접착력이 약해진 보호 테이프를 칩 부품으로부터 박리하는 박리 공정을 더 포함하는 보호 테이프 박리 방법.
제8항에 있어서, 상기 흡착 반송 기구는 자외선 조사 유닛을 구비하고, 상기 자외선 조사 공정에서, 흡착 반송 기구에 의해 소정 위치에 칩 부품을 실장시킴과 함께, 자외선 조사 유닛에 의해 보호 테이프에 자외선을 조사하고,
상기 박리 공정에서, 자외선 조사에 의해 접착력이 약해진 보호 테이프를 흡착 반송 기구의 퇴피 시에 흡착하여 칩 부품으로부터 박리하는 보호 테이프 박리 방법.
기판의 표면에 부착된 보호 테이프를 박리하는 보호 테이프 박리 장치이며,
상기 보호 테이프를 부착한 상태에서 소정 형상으로 분단된 칩 부품을 흡착하여 피착체의 소정 위치에 실장하는 흡착 반송 기구와,
상기 소정 위치에서 칩 부품에 부착되어 있는 보호 테이프의 접착력을 약화시키는 접착력 저감부와,
접착력이 약해진 상기 보호 테이프를 칩 부품으로부터 박리하는 박리 기구를 포함하는 보호 테이프 박리 장치.
제10항에 있어서, 상기 접착력 저감부는 상기 보호 테이프가 갖는 열 발포성 점착층을 가열하는 히터인 보호 테이프 박리 장치.
제11항에 있어서, 상기 히터를 흡착 반송 기구에 구비하는 보호 테이프 박리 장치.
제11항에 있어서, 가열에 의해 두께가 증가되는 방향으로 변화하는 상기 보호 테이프의 당해 변화에 따라, 흡착 반송 기구를 상승시키는 제어부를 구비하는 보호 테이프 박리 장치.
제10항에 있어서, 상기 접착력 저감부는, 소정의 일축 방향으로 젖혀지는 열수축성 점착층을 갖는 보호 테이프를 가열하는 히터인 보호 테이프 박리 장치.
제14항에 있어서, 상기 히터를 흡착 반송 기구에 구비하는 보호 테이프 박리 장치.
제14항에 있어서, 가열에 의해 젖혀져, 두께가 증가되는 방향으로 변화하는 상기 보호 테이프의 당해 변화에 따라, 흡착 반송 기구를 상승시키는 제어부를 구비하는 보호 테이프 박리 장치.
제10항에 있어서, 상기 접착력 저감부는, 자외선 경화형 점착 테이프에 자외선을 조사하는 자외선 조사 유닛인 보호 테이프 박리 장치.
제17항에 있어서, 상기 자외선 조사 유닛을 흡착 반송 기구에 구비하는 것을 특징으로 하는 보호 테이프 박리 장치.
제10항에 있어서, 상기 박리 기구는, 접착력이 약해진 보호 테이프를 흡착 반송 기구로 흡착한 채 퇴피시킴으로써, 보호 테이프를 칩 부품으로부터 흡착하면서 제거하고, 소정 위치로 반송하여 폐기하는 보호 테이프 박리 장치.