KR20110028664A - 비대칭 수송 특성을 갖는 중간층을 구비하는 유기 태양 전지 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 2개의 분자 성분들, 즉 전자 도너와 전자 액셉터로 구성된 광활성층을 구비하며, 상기 광활성층의 일측에 제공된 2개의 전극들을 구비하며, 상기 전극들 중 적어도 하나의 전극과 상기 활성층 사이에 비대칭 도전성을 갖는 중간층이 위치되어 있다

Description

비대칭 수송 특성을 갖는 중간층을 구비하는 유기 태양 전지{ORGANIC SOLAR CELL COMPRISING AN INTERMEDIATE LAYER WITH ASYMMETRICAL TRANSPORT PROPERTIES}
본 발명은, 2개의 분자 성분들, 즉 전자 도너와 전자 액셉터로 구성된 광활성층을 구비하며, 상기 광활성층의 일측 상에 제공된 2개의 전극들을 구비하는 유기 태양 전지에 관한 것이다.
유기 태양 전지와 광검출기(특히, 벌크 이종접합 중합체 태양 전지)에서, 광 강도의 증가에 따라 병렬 저항(parallel resistance)의 감소가 관찰된다. 이 현상은 포토션트(photoshunt)로서 알려져 있다. 포토션트는 필 팩터(fill factor)의 감소를 유발하여, 태양 전지의 효율성을 감소시킨다.
직렬 저항과 접촉부의 선택도를 증가시키는 방법은 WO 01/84645 A1으로부터 공지되어 있다.
그러나, 현재까지 병렬 저항을 증가시키는 데 적합한 공지된 해법은 없다.
따라서, 본 발명의 목적은, 유기 태양 전지의 병렬 저항을 증가시켜, 저 병렬 저항의 결과로서 발생하는 손실을 저감시킨다.
일 태양에 따르면, 본 발명은 광활성층과 2개의 전극들을 구비하며, 상기 전극들 중 적어도 하나의 전극과 상기 광활성층 사이에 배치된, 비대칭 도전성을 갖는 적어도 하나의 중간층을 특징으로 하는 광 전지(photovoltaic cell)를 제공한다.
"비대칭 도전성(asymmetrical conductivity)"라는 용어는 다양한 전하 캐리어들에 대한 비대칭 이동성을 의미한다. 본 발명의 한 이점은, 특히 유기 태양 전지의 경우에서, 중간층의 재료가 적절하게 선택되는 한, 중간층의 도핑이 필수적이지 않다는 것이다. 이것은 또한, 특히 유기층들에서 도펀트와의 안정화 문제점과 같은 모든 단점을 제거한다.
중간층은 바람직하게는, 광활성층의 밴드갭보다 크거나 적어도 동일한 (큰) 밴드갭을 가진다. 이것은 예컨대, 1.7 eV 내지 6.1 eV(전자 볼트)의 범위, 또는 바람직하게는 2.5 eV 내지 3.7 eV의 범위내에 있다.
큰 밴드갭을 가지는 층은 바람직하게는 적어도 반투명 또는 완전 투명이다.
이러한 종류의 층을 사용하는 것은, 한 종류의 전하 캐리어(전자 또는 결함 전자(또는 베이컨시(vacancy) 또는 구멍))가 하나의 전극에서 다른 전극으로 통과하는 것을 방지한다. 병렬 저항(적어도 한 종류의 전하 캐리어에 대한)은 이러한 방식으로 상당히 증가될 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시예에서, 광 전지는, 2개의 전극들 각각과 광활성층 사이에, 큰 밴드갭과 비대칭 도전성을 갖는 중간층을 구비한다.
큰 밴드갭을 갖는 층은 실질적으로 투명하거나 적어도 반투명이다. "비대칭 도전성(asymmetrical conductivity)"이라는 용어는 다양한 전하 캐리어에 대한 비대칭 이동성을 의미한다. 이러한 2개의 층들이 사용되면, 한 층은 전자를 도전하고, 다른 층은 결함 전자를 도전한다. 직렬로 2개의 층들을 접속시키는 것은 양쪽의 전하 캐리어에 대한 병렬 저항을 상당히 증가시킨다. 이것은, 두 종류의 전하 캐리어들 중 하나의 전하 캐리어가 한 전극에서 다른 전극으로 통과하는 것을 방지한다. 이것은 또한 태양 전지의 전극에서 소수 전하 캐리어의 재조합으로 인한 손실을 감소시킨다.
본 발명의 다른 실시예에서, 광활성층은 전자 도너를 갖는 한 영역과 전자 액셉터를 갖는 한 영역을 구비한다. 전자 액셉터 영역은 캐소드에 할당된다. 광 전지는, 중간층이 전자 액셉터 영역과 캐소드(음극) 사이에 위치되며, 주로 전자를 경유하여 전류를 도전하는 재료를 구비하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 또다른 실시예에서, 광활성층은 전자 도너를 갖는 한 영역과 전자 액셉터를 갖는 한 영역을 구비한다. 전자 도너 영역은 애노드(양극)에 할당된다. 광 전지는, 중간층이 전자 도너 영역과 애노드 사이에 위치되며, 주로 결함 전자(구멍, 양 전하)를 경유하여 전류를 도전하는 재료를 구비하는 것을 특징으로 한다.
따라서, 도전성의 비대칭성은 전극들 중 한 전극 또는 활성층들 중 한 층에 할당된다. 즉, 캐소드와 전자 액셉터 영역 사이에, 전자 도전체로 구성된 층이 있다. 즉, 부가하면, 애노드와 전자 도너 영역 사이에, 결함 전자 도전체로 구성된 층이 있다.
본 발명의 또다른 바람직한 실시예에서, 전자 액셉터와 캐소드 사이의 전자-도전 중간층은 TiO2 또는 C60을 구비한다.
본 발명의 바람직한 실시예에서, 광 전지는, 결함-전자-도전 중간층이 PEDOT를 구비하는 것을 특징으로 한다. PEDOT(폴리-3, 4-에틸렌디옥시시오펜)은 디에테르 브릿지에 의하여 중합하는 이종고리식 티오펜에 기초한 도전 중합체이다.
본 발명의 다른 이점있는 실시예는, 전자-도전 중간층의 도전 밴드가 전자 액셉터의 가장 높은 점유된 분자 궤도에 일치되는 것을 특징으로 한다. 이것은, 태양 전지의 출력과 효율성에 부정적인 영향을 가질 수 있는, 중간층과 전자 액셉터 영역 간의 전위차의 형성을 방지한다.
본 발명의 다른 이점있는 실시예는, 결합 전자(구멍) 도전 중간층의 도전 밴드가 전자 도너의 가장 낮은 점유되지 않은 분자 궤도에 일치되는 것을 특징으로 한다. 이것은, 태양 전지의 출력과 효율성에 부정적인 영향을 가질 수 있는, 중간층과 전자 도너 영역 간의 전위차의 형성을 방지한다.
본 발명의 광 전지는 바람직하게는 유기 광 전지이다.
본 발명은 첨부된 도면을 참조하여 이하에 설명한다.
중간층의 비대칭 수송 특성은 단지 한 종류의 전하 캐리어에 대한 연속적인 도전 경로의 형성을 방지하도록 한다. 이것은 병렬 저항을 증가시킨다. 이것은 동시에, 소수 전하 캐리어가 각 다른 전극에 도달할 것인 가능성을 감소시켜, 금속 전극에서 반대 전하의 전하 캐리어의 재조합에 기인하는 손실을 감소시킨다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지의 단면도이다.
도 1은 본 발명에 따른 태양 전지의 단면도를 도시한다. 태양 전지는 캐리어 재료 또는 기판(4)에 적용된다. 기판(4)은 유리, 플라스틱, 크리스탈 또는 유사한 재료로 제조될 수 있다. 기판(4)은 절단부(6)로 도시되어, 기판(4)의 두께가 본 발명에서 중요하지 않으며, 가변될 수 있다는 것을 나타낸다. 기판은 단지, 태양 전지에, 적합한 기계적 강도와 선택적으로는 표면 보호를 제공하도록 동작한다. 기판에는, 입사광과 대면하는 측에, 반반사(antireflection) 코팅(2)(또는 처리)이 제공되어, 반사로 인한 손실을 감소시키거나 방지한다.
기판 상의 제1 층(8)은 태양 전지의 전극(8)을 구성한다. 이것은 실질적으로, 전극이 캐소드인지 애노드인지는 중요하지 않다.
광이 아래로부터 기판(4)을 통하여 도시된 태양 전지에 들어가는 것으로 제한없이 가정한다. 따라서, 제1 전극(8)은, 예컨대 Al, Cu,..., ITO(indium/tin oxide) 등으로 제조되어야 한다. 입사광에 대면하는 전극(이 경우에서 전극(8))은 바람직하게는 투명 또는 반투명이고, 및/또는 격자 구조를 갖는다는 것이 주목되어야 한다.
단순성을 위하여, 기판(4)에 배치된 전극(8)은 캐소드라고 가정한다. 큰 밴드갭과 비대칭 도전성, 즉 (과잉) 전자의 이동성에 의하여 제공된 도전성을 갖는 제1 중간층(10)이 캐소드에 적용된다. 큰 밴드갭으로 인하여, 재료는 실질적으로 투명 또는 적어도 반투명이다. 전자 만이 이 중간층을 통과할 수 있다. 제1 중간층(10)의 재료와 치수는 활성층 또는 전자 액셉터의 특성에 맞도록 선택될 수 있다. 유기 태양 전지의 경우에서, 이것은 전자 액셉터의 가장 높은 점유된 분자 궤도에 밴드갭을 일치시킴으로써 달성될 수 있다.
두께와 굴절률과 같은 중간층(10)의 또다른 특성은, 중간층(10)이 전극(8)과 그 후의 다음층 사이의 반반사층으로서 작용하도록 선택될 수 있다.
입사광을 대면하는 중간층(10), 바람직하게는 전극(8)은 격자 구조를 가질 수 있다는 것에 주목되어야 한다.
중간층(10) 위에 활성층이 그 자체로 위치된다. 활성층(12)의 조성은 실질적으로 본 발명에서 중요하지 않다. 활성층들은 통상적으로 전자 도너(16)를 갖는 한 영역과, 전자 액셉터(14)를 갖는 한 영역을 포함하며, 예컨대 두 영역들은 공핍층을 통하여 혼합되며, 및/또는 서로 접속된다. 입사광에 의하여 활성층에 생성된 전하 캐리어들(전자-구멍 쌍)은 각각 인접층들로 분리되어 배출된다.
활성층은 또한, 예컨대 pn 접합을 가지는 종래의 아몰퍼스 반도체로 구성될 수 있다. 그러나, 본 발명은, 예컨대 P3HT/PBCM, CuPc/PTCBI, ZNPC/C60 또는 결합된 중합체 성분 및 풀러렌 성분을 구비하는 유기 태양 전지에서 상당히 특히 유용하다.
도시된 태양 전지에서, 기판을 향하여 대면하는 활성층(12)의 측(14)은 전자 액셉터에 할당되고, 기판으로부터 떨어진 측(16)은 전자 도너에 할당된다.
큰 밴드갭과 비대칭 도전성을 가지는 제2 중간층(18)은 전자 도너(16)의 측 상의 활성층(12) 위에 위치된다. 제2 중간층(18)의 도전성은 결함 전자의 이동성에 기초한다. 제2 중간층의 큰 밴드갭으로 인하여, 재료는 또한 실질적으로 투명 또는 적어도 반투명이다. 결함 전자 만이 이 중간층을 관통하여 통과할 수 있다. 이 제2 중간층(18)의 재료와 치수는, 이들이 활성층의 특성, 즉 전자 도너의 특성에 맞도록 선택될 수 있다. 유기 태양 전지의 경우에서, 이것은, 중간층의 밴드갭을 전자 도너의 가장 낮은 점유되지 않은 분자 궤도에 일치시킴으로써 달성될 수 있다. 요약하면, 제1 중간층 또는 제2 중간층이 통과할 수 없는 배리어로 구성되므로, 전자도 결함 전자도 두개의 직렬-접속된, 비대칭적으로 도전인 중간층(10, 18)을 통하여 한 전극에서 다른 전극으로 직접 통과할 수 없다. 따라서, 어떠한 전하 캐리어도 한 전극에서 다른 전극으로 직접 통과할 수 없다. 그러므로, 병렬 저항은 통상적으로 구성된 태양 전지에 비교하여 증가하며, 따라서 태양 전지의 효율성도 증가한다.
두께 및 굴절률과 같은 중간층(18)의 또다른 특성은, 중간층(18)이 활성층(12)과 그 후의 다음 층 간의 반반사층을 형성하도록 선택될 수 있다. 이것은 특히 일렬의(tandem) 광 전지 또는 멀티셀에서 유리할 수 있다.
두께와 굴절률과 같은 중간층(18)의 또다른 특성은, 중간층(18)(그 후에 따르는 전극과 함께)이 활성층(12)과 그 후의 다음 층 간의 반사층을 형성하도록 선택될 수 있다. 이것은, 활성층을 통하여 통과했던 광이, 반사된 후, 공핍층에서 다시 전하-캐리어 쌍을 생성할 수 있으므로, 단일 광 전지의 경우에 특히 유리할 수 있다.
입사광으로부터 떨어져 대면하는 중간층(실시예에 따라, 층(10) 또는 층(18))은 반드시 투명이거나 반투명일 필요는 없다. 이것은, 입사광에서 떨어져 대면하는 중간층의 밴드갭이 절대적으로 클 필요가 없다는 것을 의미한다.
한편, 입사광을 대면하는 중간층(실시예에 따라 층(10) 또는 층(18))은 투명이거나 적어도 반투명이여야 하여서, 입사광이 활성층에 도달할 수 있다. 이것은, 입사광을 대면하는 중간층의 밴드갭이, 입사광을 대면하는 활성층의 재료의 밴드갭의 크기와 적어도 정확하게 그 크기 정도이어야 한다.
제2 중간층(18) 위에는, 주어진 예에서 애노드인 전극 층(20)이 있다. 애노드의 전극 재료는 본 발명에서, 예컨대 Ag, Au, Al, Cu, ...ITO 등으로 구성될 수 있다. 애노드가 본 예에서 입사광으로부터 떨어져 대면하므로, 두께, 투명성, 또는 임의의 다른 제약들에 관하여 어떤 종류의 제약도 받지 않는다. 애노드는 또한 보호층(미도시)으로 코팅될 수 있다.
물결형 화살표(22)는 입사광의 방향을 나타낸다.
태양 전지는 또한 역으로, 예컨대 비-투명 기판(4) 상에 구성될 수 있으며, 이 경우 광이 위로부터 입사할 수 있다는 것은 말할 필요도 없다. 그러나, 이러한 종류의 "역(inverse)" 구조는, 입사광을 대면하는 구조 및 층들이 대기 산소, 먼지 등과 같은 환경적인 영향에 노출되어, 태양 전지를 급속하게 손상시키거나 사용할 수 없도록 할 수 있다라는 문제점을 유빌한다.
"역" 구조가 사용되면, 예컨대 반반사 코팅(2)이 태양 전지의 타측에 제공되어야 할 것이다.
본 발명은 또한, 종래의 단결정 또는 다결정 태양 전지와 함께 사용될 수 있다. 여기서 한번더, 중간층들(10, 18)은 전극들과 활성층 사이에 위치될 것이다.
본 발명은 태양 전지와 광검출기의 병렬 저항을 증가시킬 있도록 한다. 이것은 "포토션트"효과를 감소시켜, 필 팩터를 증가시키고, 따라서 태양 전지의 효율성을 증가시킨다. 다이오드의 이상성(ideality) 또한 결과로서 증가한다.
본 발명은 큰 밴드갭과 다양한 전하 캐리어에 대한 비대칭 이동성을 가지는 중간층들의 사용에 기초한다. 본 발명의 또다른 이점은, 중간층의 도핑이 불필요하다는 것이며, 도판트의 안정화에 의하여 제기된 문제점이 따라서 회피될 수 있다.
중간층은 가스 상(gas phase) 또한 용액 모두로부터 적층될 수 있어, 중간층의 처리 및 생성 비용을 감소시킨다.
큰 밴드 밴드갭과, 전극과 광활성 반도체층 간의 정확하게 비대칭 도전성을 갖는 (반)투명층을 사용하는 것과 연관하여, 고 전자 이동성을 갖는 층이 활성층과 음극 사이에 적용되어야 하고, 높은 구멍(결함 전자) 이동성을 갖는 층이 활성층과 양극 사이에 적용되어야 한다는 것이 주목되어야 한다. 또한, 고 전자 이동성을 갖는 층의 도전 밴드는 전자 액셉터의 가장 높은 점유된 분자 궤도에 일치되어야 하고, 높은 구멍 이동성을 갖는 층의 가전자띠는 전자 도너의 가장 낮은 점유되지 않은 분자 궤도에 일치되어야 한다는 것이 주목되어야 한다.
중간층에 전하 캐리어의 충분한 이동성이 부여되어, 부가적인 도핑이 필요하지 않다.
또한, 적어도 2개의 중간층들의 밴드갭들이 상이할 수 있다는 것이 용이하게 명백하다. 또한, 이러한 종류의 다층 중간층들은 또한 단일의 "복합 중간층(composite intermediate layer)"으로 간주될 수 있으므로, 복수의 중간층들을 구비하는 설계는 또한 본 청구항의 보호적인 범위 내에 있고자 함이 이해될 것이다. 또한, 본 발명은 당연히 일렬의 또는 복수의 태양 전지들과 함께 사용될 수 있다는 것은 명백하다. 태양 전지 또는 일렬의 태양 전지의 개별 층들 모두를 전체로서 고찰해 보면, 각 광활성층과 전극 사이의 중간층이 존재하는 구성은 물론, 광활성층과 전극 사이의 적어도 하나의 중간층을 구비하는 모든 가능한 조합 또한 본 청구항의 보호적인 범위 내에 있다.
중간층의 비대칭 수송 특성은 단지 한 종류의 전하 캐리어에 대한 연속적인 도전 경로의 형성을 방지하도록 한다. 이것은 병렬 저항을 증가시킨다. 이것은 동시에, 소수 전하 캐리어가 각 다른 전극에 도달할 것인 가능성을 감소시켜, 금속 전극에서 반대 전하의 전하 캐리어의 재조합에 기인하는 손실을 감소시킨다.

Claims (14)

  1. 광 전지(photovoltaic cell)에 있어서,
    투명 또는 반투명 캐소드;
    애노드;
    상기 캐소드 및 상기 애노드 사이에 배치된 광활성층으로서, 상기 광활성층은 전자 도너(donor)와 전자 액셉터(acceptor)를 포함하고, 상기 전자 도너는 복합(conjugated) 폴리머를 포함하고, 상기 전자 액셉터는 풀러렌(fullerene)을 포함하는 것인 상기 광활성층;
    상기 캐소드과 상기 광활성층 사이에 배치되고 주로 전자를 통해 전류를 전도하는 제1층; 및
    상기 애노드와 상기 광활성층 사이에 배치되고 주로 결함 전자(defect electron)를 통해 전류를 전도하는 제2층
    을 포함하는 광 전지.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제1층 및 상기 제2층은, 상기 광활성층의 밴드갭 크기 이상의 밴드갭을 갖는 것을 특징으로 하는 광 전지.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 제1층 및 상기 제2층은 반투명인 것을 특징으로 하는 광 전지.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 광활성층은 상기 전자 도너를 갖는 영역과 상기 전자 액셉터를 갖는 영역을 포함하고, 상기 제1층은 상기 전자 액셉터 영역과 상기 캐소드 사이에 위치되는 것을 특징으로 하는 광 전지.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 제1층은 TiO2 또는 C60을 포함하는 것을 특징으로 하는 광 전지.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 제1층의 도전 밴드는 상기 전자 액셉터의 가장 높은 점유된 분자 궤도에 일치되는 것을 특징으로 하는 광 전지.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 광활성층은 상기 전자 도너를 포함하는 영역과 상기 전자 액셉터를 포함하는 영역을 구비하고, 상기 제2층은 상기 전자 도너 영역과 상기 애노드 사이에 위치되는 것을 특징으로 하는 광 전지.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 제2층은 PEDOT를 포함하는 것을 특징으로 하는 광 전지.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 제2층의 가전자 밴드는 상기 전자 도너의 가장 낮은 점유되지 않은 분자 궤도에 일치되는 것을 특징으로 하는 광 전지.
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 광 전지는 유기 광 전지인 것을 특징으로 하는 광 전지.
  11. 제 1 항에 있어서, 상기 제1층 또는 상기 제2층은 1.7 eV 내지 6.1 eV의 범위의 밴드갭을 갖는 것을 특징으로 하는 광 전지.
  12. 제 1 항에 있어서, 상기 제1층은 TiO2 을 포함하는 것을 특징으로 하는 광 전지.
  13. 광 전지(photovoltaic cell)에 있어서,
    투명 또는 반투명 캐소드;
    TiO2 을 포함하는 제1층;
    광활성층;
    PEDOT를 포함하는 제2층; 및
    애노드
    를 포함하고,
    상기 제1층은 상기 캐소드 및 상기 광활성층 사이에 배치되고, 상기 광활성층은 상기 제1층 및 상기 제2층 사이에 배치되며, 상기 제2층은 상기 애노드 및 상기 광활성층 사이에 배치되는 것인 광 전지.
  14. 제 13 항에 있어서, 상기 광활성층은 전자 도너(donor)와 전자 액셉터(acceptor)를 포함하고, 상기 전자 도너는 복합 폴리머를 포함하고, 상기 전자 액셉터는 풀러렌(fullerene)을 포함하는 것인 광 전지.
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Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8294025B2 (en) * 2002-06-08 2012-10-23 Solarity, Llc Lateral collection photovoltaics
EP1745519B1 (en) * 2004-05-11 2018-07-25 LG Display Co., Ltd. Organic electronic device
US20060292736A1 (en) * 2005-03-17 2006-12-28 The Regents Of The University Of California Architecture for high efficiency polymer photovoltaic cells using an optical spacer
US20060211272A1 (en) * 2005-03-17 2006-09-21 The Regents Of The University Of California Architecture for high efficiency polymer photovoltaic cells using an optical spacer
US20070169816A1 (en) * 2005-03-17 2007-07-26 The Regents Of The University Of California Passivating layer for photovoltaic cells
JP2008533745A (ja) * 2005-03-17 2008-08-21 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア 光学スペーサを用いた高効率ポリマー光起電力セルのためのアーキテクチャ
WO2006101814A2 (en) 2005-03-21 2006-09-28 Konarka Technologies, Inc. Polymer photovoltaic cell
JP4982959B2 (ja) * 2005-03-28 2012-07-25 大日本印刷株式会社 有機薄膜太陽電池素子
TW200715634A (en) * 2005-07-14 2007-04-16 Konarka Technologies Inc Stable organic devices
JP2007035893A (ja) * 2005-07-26 2007-02-08 Matsushita Electric Works Ltd 有機発電素子
WO2008060716A2 (en) * 2006-09-14 2008-05-22 The Regents Of The University Of California Photovoltaic devices in tandem architecture
US8319092B1 (en) 2006-11-03 2012-11-27 Solera Laboratories, Inc. Nano power cell and method of use
US9112447B2 (en) * 2006-11-03 2015-08-18 Solera Laboratories, Inc. Nano power cell and method of use
DE102007009995A1 (de) 2007-03-01 2008-09-04 Hahn-Meitner-Institut Berlin Gmbh Organische Solarzelle
WO2009003150A2 (en) * 2007-06-26 2008-12-31 Solarity, Inc. Lateral collection photovoltaics
US7906724B2 (en) * 2007-07-31 2011-03-15 Agency For Science, Technology And Research N-type conjugated materials based on 2-vinyl-4,5-dicyanoimidazoles and their use in organic photovoltaics
TW201017898A (en) * 2008-10-29 2010-05-01 Ind Tech Res Inst Polymer solar cells
DE102009019937A1 (de) 2009-05-05 2010-11-11 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Stapelsolarzelle mit reflektierender Zwischenschicht, sowie Anordnung dieser Solarzellen
DE102009024953A1 (de) 2009-06-11 2011-02-10 Helmholtz-Zentrum Berlin Für Materialien Und Energie Gmbh Mehrschichtelektrode für photovoltaische Bauelemente, Verfahren zu ihrer Herstellung und photovoltaisches Bauelement mit einer solchen Mehrschichtelektrode
ES2587082T3 (es) * 2009-12-16 2016-10-20 Heliatek Gmbh Elemento de construcción fotoactivo con capas orgánicas
JP5225305B2 (ja) * 2010-03-11 2013-07-03 株式会社東芝 有機薄膜太陽電池およびその製造方法
WO2014144028A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-18 The Regents Of The University Of California Organic tandem photovoltaic devices and methods
US10910439B1 (en) 2016-12-21 2021-02-02 Government Of The United States As Represented By The Secretary Of The Air Force Efficient interconnecting layer for tandem solar cells
DE102018214496A1 (de) 2018-08-28 2020-03-05 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Kurzschlussfestes Elektrodensystem für elektronische Bauelemente

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4558413A (en) * 1983-11-21 1985-12-10 Xerox Corporation Software version management system
JPS6120372A (ja) * 1984-07-06 1986-01-29 Mitsubishi Electric Corp 光電変換素子
US4631352A (en) * 1985-12-17 1986-12-23 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration High band gap II-VI and III-V tunneling junctions for silicon multijunction solar cells
US5006915A (en) * 1989-02-14 1991-04-09 Ricoh Company, Ltd. Electric device and photoelectric conversion device comprising the same
EP0440869A1 (de) * 1990-02-09 1991-08-14 Bio-Photonics, Inc. Photovoltaisches Bauelement zur Umwandlung des Sonnenlichts in elektrischen Strom und photoelektrische Batterie
US5331183A (en) * 1992-08-17 1994-07-19 The Regents Of The University Of California Conjugated polymer - acceptor heterojunctions; diodes, photodiodes, and photovoltaic cells
JPH0693258A (ja) * 1992-09-14 1994-04-05 Toshiba Corp 有機薄膜素子
JP3792281B2 (ja) * 1995-01-09 2006-07-05 株式会社半導体エネルギー研究所 太陽電池
US5753393A (en) * 1995-05-25 1998-05-19 Mitsubishi Chemical Corporation Electrophotographic photoreceptor
GB9806066D0 (en) * 1998-03-20 1998-05-20 Cambridge Display Tech Ltd Multilayer photovoltaic or photoconductive devices
CA2306833C (en) * 1998-08-19 2013-02-12 The Trustees Of Princeton University Organic photosensitive optoelectronic device
US6451415B1 (en) * 1998-08-19 2002-09-17 The Trustees Of Princeton University Organic photosensitive optoelectronic device with an exciton blocking layer
US6352777B1 (en) * 1998-08-19 2002-03-05 The Trustees Of Princeton University Organic photosensitive optoelectronic devices with transparent electrodes
US6198092B1 (en) * 1998-08-19 2001-03-06 The Trustees Of Princeton University Stacked organic photosensitive optoelectronic devices with an electrically parallel configuration
CA2346294C (en) * 1998-10-09 2011-06-28 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Solid-state photoelectric device
DE19905694A1 (de) * 1998-11-27 2000-08-17 Forschungszentrum Juelich Gmbh Bauelement
US6291763B1 (en) * 1999-04-06 2001-09-18 Fuji Photo Film Co., Ltd. Photoelectric conversion device and photo cell
CA2312140A1 (en) * 1999-06-25 2000-12-25 Matthias Ramm Charge separation type heterojunction structure and manufacturing method therefor
CA2403480A1 (en) * 2000-04-11 2001-10-18 Dupont Displays, Inc. Soluble poly(aryl-oxadiazole) conjugated polymers
AT411306B (de) * 2000-04-27 2003-11-25 Qsel Quantum Solar Energy Linz Photovoltaische zelle mit einer photoaktiven schicht aus zwei molekularen organischen komponenten
AT410729B (de) * 2000-04-27 2003-07-25 Qsel Quantum Solar Energy Linz Photovoltaische zelle mit einer photoaktiven schicht aus zwei molekularen organischen komponenten
JP3423279B2 (ja) * 2000-09-01 2003-07-07 科学技術振興事業団 有機半導体薄膜太陽電池
JP3423280B2 (ja) * 2000-09-25 2003-07-07 科学技術振興事業団 有機・無機複合薄膜太陽電池
DE60033038T2 (de) * 2000-11-24 2007-08-23 Sony Deutschland Gmbh Hybridsolarzelle mit thermisch abgeschiedener Halbleiteroxidschicht
JP4291973B2 (ja) * 2001-02-08 2009-07-08 大阪瓦斯株式会社 光電変換材料および光電池
US6580027B2 (en) * 2001-06-11 2003-06-17 Trustees Of Princeton University Solar cells using fullerenes
EP1289028B1 (en) * 2001-09-04 2008-01-16 Sony Deutschland GmbH Photovoltaic device and method for preparing the same
US6878871B2 (en) * 2002-09-05 2005-04-12 Nanosys, Inc. Nanostructure and nanocomposite based compositions and photovoltaic devices
AU2004221377B2 (en) * 2003-03-19 2009-07-16 Heliatek Gmbh Photoactive component comprising organic layers

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Publication number Publication date
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