KR20100000173A - 서브 마운트 및 이를 이용한 발광 장치, 상기 서브마운트의 제조 방법 및 이를 이용한 발광 장치의 제조 방법 - Google Patents

서브 마운트 및 이를 이용한 발광 장치, 상기 서브마운트의 제조 방법 및 이를 이용한 발광 장치의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

서브 마운트 및 이를 이용한 발광 장치, 상기 서브 마운트의 제조 방법 및 이를 이용한 발광 장치의 제조 방법가 제공된다. 상기 발광 장치는 각각이 적어도 하나의 발광 소자를 포함하는 다수의 발광 소자 그룹을 포함하되, 다수의 발광 소자 그룹은 매트릭스 형태로 배열되고, 다수의 발광 소자 그룹에 AC 전원을 인가하면, 다수의 발광 소자 그룹은 도트 반전 구동을 한다.
서브 마운트, AC 구동, DC 구동

Description

서브 마운트 및 이를 이용한 발광 장치, 상기 서브 마운트의 제조 방법 및 이를 이용한 발광 장치의 제조 방법{Sub-mount, light emitting device using the same and fabricating method of sub-mount, fabricating method of light emitting device using the same}
본 발명은 서브 마운트 및 이를 이용한 발광 장치, 상기 서브 마운트의 제조 방법 및 이를 이용한 발광 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
LED(Light Emitting Diode)와 같은 발광 소자는, 전자와 홀의 결합에 의해 광을 발산한다. 이러한 발광 소자는 소비 전력이 적고, 수명이 길고, 협소한 공간에서도 설치 가능하며, 진동에 강한 특성을 지닌다.
그런데, 발광 소자를 이용한 발광 장치는 사용 전원에 따라 AC용 발광 장치와, DC용 발광 장치로 구분할 수 있다. AC용 발광 장치와 DC용 발광 장치는 각각 사용 전원에 적합하게 설계되어 있다. 예를 들어, AC용 발광 장치에 DC 전원을 사용하거나 DC용 발광 장치에 AC 전원을 사용하면, 발광 장치 전체로 볼 때 발광 효율이 급격하게 떨어진다. 따라서, AC용 발광 장치에 DC 전원을 사용하지 않고, DC용 발광 장치에 AC 전원을 사용하지 않는다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, AC 전원/DC 전원 모두에 최적화된 서브 마운트를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는, AC 전원/DC 전원 모두에 최적화된 발광 장치를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는, 상기 서브 마운트의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는, 상기 발광 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 발광 장치의 일 태양은 각각이 적어도 하나의 발광 소자를 포함하는 다수의 발광 소자 그룹을 포함하되, 다수의 발광 소자 그룹은 매트릭스 형태로 배열되고, 다수의 발광 소자 그룹에 AC 전원을 인가하면, 다수의 발광 소자 그룹은 도트 반전 구동을 한다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 서브 마운트의 일 태양은 베이스 기판, 베이스 기판의 일면에 형성되고, 다수의 발광 소자가 마운트될 수 있는 다수의 마운트부와 다수의 마운트부를 서로 연결하는 배선부를 포함하는 도전 패턴, 및 베이스 기판의 타면에 형성되고, 도전 패턴과 전기적으로 연결되고, 서로 일대일로 대응되는 다수의 제1 전극 패드와 다수의 제2 전극 패드를 포함한다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 서브 마운트의 다른 태양은 베이스 기판, 베이스 기판의 일면에 형성되고, 다수의 발광 소자가 마운트될 수 있는 다수의 마운트부와 다수의 마운트부를 서로 연결하되 배선부를 포함하는 도전 패턴로서, 다수의 마운트부는 제1 및 제2 방향을 따라 매트릭스 형태로 배열되어 있고, 배선부의 적어도 일부는 매트릭스 형태에서 제1 및 제2 방향과 예각을 이루는 제3 방향을 따라 배치된 다수의 마운트부를 연결하는 도전 패턴, 베이스 기판의 타면에 형성되고, 도전 패턴과 전기적으로 연결된 제1 및 제2 전극 패드를 포함한다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 발광 장치의 일 태양은 전술한 서브 마운트와, 상기 서브 마운트의 다수의 마운트부에 마운트된 다수의 발광 소자를 포함한다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 발광 장치의 다른 태양은 서로 전기적으로 분리된 다수의 제1 전극과, 서로 전기적으로 분리되고 다수의 제1 전극과 일대일로 대응되는 다수의 제2 전극이 형성된 서브 마운트, 및 서브 마운트 상에 마운트되고, 서로 대응되는 제1 전극과 제2 전극 사이에 전기적으로 연결된 다수의 발광 소자를 포함한다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 서브 마운트의 제조 방법의 일 태양은 베이스 기판 내에 다수의 비아를 형성하고, 베이스 기판의 일면에, 다수의 마운트 부와 배선부를 포함하고, 다수의 비아와 전기적으로 연결된 도전 패턴을 형성하고, 베이스 기판의 타면에, 다수의 비아와 전기적으로 연결되고, 서로 일대일로 대응되는 다수의 제1 전극 패드와 다수의 제2 전극 패드를 형성하는 것을 포함한다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 발광 장치의 제조 방법의 일 태양은 전술한 제조 방법을 이용하여 서브 마운트를 형성하고, 서브 마운트의 각 마운트부에 적어도 하나의 발광 소자를 형성하는 것을 더 포함한다.
본 발명의 기타 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 따라서, 몇몇 실시예에서, 잘 알려진 공정 단계들, 잘 알려진 구조 및 잘 알려진 기술들은 본 발명이 모호하게 해석되는 것을 피하기 위하여 구체적으로 설명되지 않는다.
하나의 소자(elements)가 다른 소자와 "접속된(connected to)" 또는 "커플링된(coupled to)" 이라고 지칭되는 것은, 다른 소자와 직접 연결 또는 커플링된 경우 또는 중간에 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 하나의 소자가 다른 소자와 "직접 접속된(directly connected to)" 또는 "직접 커플링된(directly coupled to)"으로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자를 개재하지 않은 것을 나타낸다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 소자, 구성요소 또는 섹션들을 서술하기 위해서 이용되나, 이들 소자, 구성요소 또는 섹션들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 소자, 구성요소 또는 섹션들을 다른 소자, 구성요소 또는 섹션들과 구별하기 위하여 이용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 소자, 제1 구성요소 또는 제1 섹션은 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 소자, 제2 구성요소 또는 제2 섹션일 수도 있음은 물론이다.
본 명세서에서 이용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 이용되는 "포함한다(comprises)" 또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다. 그리고, "A 또는 B"는 A, B, A 및 B를 의미한다. 또, 이하 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 이용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 이용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 이용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.
도 1 내지 도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 서브 마운트를 설명하기 위한 도면들이다. 구체적으로, 도 1은 설명의 편의를 위해서 본 발명의 제1 실시예에 따른 서브 마운트의 일면, 타면을 오버랩시켜서 도시한 것이다. 도 1에서 서브 마운트의 일면에 형성된 것은 실선으로, 타면에 형성된 것은 점선으로 표시하였다. 도 2는 도 1에 도시된 서브 마운트의 일면(즉, 도전 패턴)만을 도시한 것이고, 도 3은 도 1에 도시된 서브 마운트의 타면(즉, 전극 패드)만을 도시한 것이다. 도 4는 도 1에 도시된 서브 마운트의 사시도이다. 도 5는 도 2에 도시된 도전 패턴을 보다 자세히 설명하기 위한 개념도이다.
우선, 도 1 내지 도 4를 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 서브 마운트(1)는 베이스 기판(100), 도전 패턴(110), 비아(120), 다수의 제1 전극 패드(130, 132), 다수의 제2 전극 패드(140, 142)를 포함한다. 구체적으로, 베이스 기판(100)의 일면에는 도전 패턴(110)이 형성되어 있고, 타면에는 다수의 제1 전극 패드(130, 132), 다수의 제2 전극 패드(140, 142)가 형성되어 있다. 도전 패턴(110)과 제1 전극 패드(130, 132), 도전 패턴(110)과 제2 전극 패드(140, 142)는 비아(120)를 통해서 전기적으로 연결될 수 있다.
베이스 기판(100)은 서브 마운트(1)의 바디가 되는 부분으로, 여러가지 형태 및 물질로 구현될 수 있다.
베이스 기판(100)은 다각형(예를 들어, 사각형, 육각형, 팔각형 등) 형태일 수도 있고, 타원형 형태, 원형 형태 등일 수도 있다. 또한, 베이스 기판(100)은 실 리콘, 스트레인 실리콘(strained Si), 실리콘 합금, SOI(Silicon-On-Insulator), 실리콘 카바이드(SiC), 실리콘 게르마늄(SiGe), 실리콘 게르마늄 카바이드(SiGeC), 게르마늄, 게르마늄 합금, 갈륨 아세나이드(GaAs), 인듐 아세나이드(InAs), 알루미늄 나이트라이드(AlN), 세라믹, 폴리이미드 계열 물질 중 하나, 이들의 조합물, 이들의 적층물로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
비아(120)는 베이스 기판(100)을 관통하는 비아홀 내에 형성된 수직 배선이다. 비아(120)는 비아홀을 모두 충진하는 금속 물질일 수도 있고, 비아홀의 내벽에 코팅된 금속 물질일 수도 있다.
도전 패턴(110)은 다수의 발광 소자(미도시)가 마운트될 수 있는 다수의 마운트부(112)와, 다수의 마운트부(112)를 서로 연결하는 배선부(114)로 구분할 수 있다. 도 2에서의 점선 부분(180)은 발광 소자가 마운트될 영역을 예시적으로 도시한 것이다.
다수의 마운트부(112)는 매트릭스 형태로 배열될 수 있다. 도 2에서는 다수의 마운트부(112)가 4×4 정방형 매트릭스 형태로 배열되어 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 4×4, 8×8 매트릭스 형태일 수도 있고, 필요에 따라서 다수의 마운트부(112)는 정방형으로 배열되지 않을 수도 있다. 뿐만 아니라, 16개의 마운트부(112)가 도시되어 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 필요에 따라서는 예를 들어, 4개, 32개 등일 수도 있다.
도전 패턴(110)은 도전성 물질이면 무엇이든 가능하고, 도전 특성이 높으면 좋다. 도전 패턴(110)은 예를 들어, 구리(Cu), 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au), 텅 스텐(W), 백금(Pt), 주석(Ti), 징크(Zn), 니켈(Ni) 중 어느 하나, 이들의 조합물, 이들의 적층물로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
다수의 제1 전극 패드(130, 132)와 다수의 제2 전극 패드(140, 142)는 매트릭스 형태로 배열될 수 있다. 도 3에서는 제1 및 제2 전극 패드(130, 132, 140, 142)가 2×2 매트릭스 형태로 배열되어 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 1×4, 4×1 매트릭스 형태로 배열되어 있을 수도 있다.
뿐만 아니라, 4개의 전극 패드(130, 132, 140, 142)가 도시되어 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 필요에 따라서는 예를 들어, 6개(제1 전극 패드 3개, 제2 전극 패드 3개), 8개(제1 전극 패드 4개, 제2 전극 패드 4개) 등일 수 있다.
다수의 제1 전극 패드(130, 132)와 다수의 제2 전극 패드(140, 142)는 일대일로 대응될 수 있다. 여기서, 제1 전극 패드(130, 132)와 제2 전극 패드(140, 142)가 대응된다는 것은, 비아(120) 및 도전 패턴(110)에 의해서 제1 전극 패드(130, 132)와 제2 전극 패드(140, 142)가 서로 전기적으로 연결될 수 있다는 의미이다. 즉, 도전 패턴(110)의 다수의 마운트부(112)에 다수의 발광 소자가 마운트되었을 때, 제1 전극 패드(130, 132)와 제2 전극 패드(140, 142)에 인가된 전원을 통해서 제1 전극 패드(130, 132)와 제2 전극 패드(140, 142) 사이에 연결된 다수의 발광 소자가 동작하게 된다는 것을 의미한다.
도시된 것처럼, 제1 전극 패드(130)와 제2 전극 패드(140)가 대응되고, 제1 전극 패드(132)와 제2 전극 패드(142)가 대응될 수 있다. 즉, 제1 전극 패드(130, 132)와 제2 전극 패드(140, 142)가 2×2 매트릭스 형태이고, 서로 대응되는 전극 패드(130, 132, 140, 142)는 2×2 매트릭스 형태의 대각선 방향에 위치한 것일 수 있다. 달리 표현하면, 다수의 제1 전극 패드(130, 132)와 다수의 제2 전극 패드(140, 142)가 매트릭스 형태일 때, 서로 대응되는 제1 전극 패드(예를 들어, 130)와 제2 전극 패드(예를 들어, 140)는 꼭지점으로 접할 수 있다. 즉, 서로 대응되는 제1 전극 패드(예를 들어, 130)의 변과 제2 전극 패드(예를 들어, 140)의 변은 서로 마주보고 있지 않고, 서로 대응되는 제1 전극 패드(130)의 꼭지점과 제2 전극 패드(140)의 꼭지점이 서로 마주보고 있을 수 있다.
또한, 서로 대응되는 제1 전극 패드(130, 132)와 제2 전극 패드(140, 142)에 연결된 다수의 마운트부(112)는 직렬로만 연결될 수 있다. 즉, 마운트부(112)를 서로 연결하는 배선부(114)은 직렬 연결만 되어 있고, 병렬 연결되지 않을 수도 있다.
도 2 및 도 5를 참조하여 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다. 도 5에서는 설명의 편의를 위해서, 다수의 마운트부(112)(또는 발광 소자가 마운트될 영역(점선 부분(180)))를 좌표로 표시하였다. 본 발명의 실시예들에 따른 서브 마운트(1)에서, 다수의 마운트부(112)가 정방형 매트릭스 형태로 배열되어 있는 경우, 배선부(114)의 적어도 일부는 대각선(L1) 상에 배열된 다수의 마운트부(112)를 서로 연결하거나, 대각선(L1)과 평행한 선(L2~L5) 상에 배열된 다수의 마운트부(112)를 서로 연결할 수 있다. 예를 들어, 대각선(L1) 상에 위치하고 있는 마운트부(112)(도 5의 좌표(0,0), (1,1), (2,2), (3,3)에 배치된 마운트부)는 배선부(114)를 통해서 서로 연결되어 있고, 선(L3) 상에 배열된 다수의 마운트부(도 5 의 좌표(1,0), (2,1), (3,2)에 배치된 마운트부)는 배선부(114)를 통해서 서로 연결되어 있을 수 있다.
제1 전극 패드(132)과 제2 전극 패드(142)에 연결된 다수의 마운트부(112)는 대각선(L1), 선(L4, L5) 상에 배열되어 있고, 대각선(L1), 선(L4, L5) 상에 배열된 다수의 마운트부(112)는 배선부(114)를 통해서 서로 직렬 연결되어 있다. 좌표 (0,2), (1,3), (3,3), (2,2), (1,1), (0,0), (2,0), (3,1) 순서로 직렬 연결되어 있다.
제1 전극 패드(130)과 제2 전극 패드(140)에 연결된 다수의 마운트부(112)는 선(L2, L3)과 좌표(0,3), (3,0) 상에 배열되어 있고, 선(L2, L3), 좌표(0,3), (3,0) 상에 배열된 다수의 마운트부(112)는 배선부(114)를 통해서 서로 직렬 연결되어 있다. 좌표 (2,3), (1,2), (0,1), (0,3), (3,0), (3,2), (2,1), (1,0) 순서로 직렬 연결되어 있다.
다르게 설명하면, 다수의 마운트부(112)는 제1 및 제2 방향(DR1, DR2)을 따라 매트릭스 형태로 배열될 수 있다. 배선부(114)의 적어도 일부는 매트릭스 형태에서 제1 및 제2 방향(DR1, DR2)과 예각을 이루는 제3 방향(DR3)을 따라 배치된 다수의 마운트부(112)를 서로 연결할 수 있다. 여기서, 제3 방향(DR3)은 대각선(L1)(또는, 평행한 선(L2~L5))과 평행할 수도 있고, 그렇지 않을 수도 있다. 도시된 것과는 달리, 예를 들어, 제3 방향(DR3)은 좌표 (0,0), (2,1)을 연결하는 방향일 수도 있다.
제1 및 제2 전극 패드(130, 132, 140, 142)는 도전성 물질이면 무엇이든 가 능하고, 도전 특성이 높으면 좋다. 제1 및 제2 전극 패드(130, 132, 140, 142)는 예를 들어, 구리(Cu), 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au), 텅스텐(W), 백금(Pt), 주석(Ti), 징크(Zn), 니켈(Ni) 중 어느 하나, 이들의 조합물, 이들의 적층물로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
여기서, 도 1을 참조하여, 본 발명의 제1 실시예에 따른 서브 마운트의 제조 방법을 간단히 설명하면 다음과 같다.
먼저, 베이스 기판(100) 내에 다수의 비아(120)를 형성한다. 구체적으로, 베이스 기판(100) 내에 비아홀을 형성하고, 비아홀을 금속 물질로 충진하거나, 비아홀의 내벽에 금속물질을 코팅하여 형성할 수 있다.
이어서, 베이스 기판(100)의 일면에, 다수의 마운트부(112)와 배선부(114)를 포함하고, 다수의 비아(120)와 전기적으로 연결된 도전 패턴(110)을 형성한다. 또한, 베이스 기판(100)의 타면에, 다수의 비아(120)와 전기적으로 연결되고, 서로 일대일로 대응되는 다수의 제1 전극 패드(130, 132)와 다수의 제2 전극 패드(140, 142)를 형성한다. 여기서, 도전 패턴(110)을 형성하는 것과, 제1 및 제2 전극 패드(130, 132, 140, 142)를 형성하는 것은 어느 것을 먼저 하여도 무방하다.
도 6 내지 도 7는 각각 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 평면도 및 회로도이다. 도 6은 도 2에 도시된 다수의 마운트부(112) 상에 다수의 발광 소자가 마운트된 것을 도시한 것이고, 도 7은 도 6에 도시된 발광 장치의 등가 회로도이다.
도 6을 참조하면, 발광 소자(190)는 UV 광을 발생시키는 UV 발광 소자(190) 일 수 있고, 청색(blue) 광(즉, 청색 파장의 광)을 발생시키는 청색 발광 소자(190)일 수도 있다.
설명의 편의를 위해서, 제1 전극 패드(132) 및 제2 전극 패드(142)와 연결된 다수의 발광 소자(190)는 짙은색으로 도시하고, 제1 전극 패드(130) 및 제2 전극 패드(140)와 연결된 다수의 발광 소자(190)는 옅은색으로 도시하였다. 도 7을 참조하면, 제1 전극 패드(130) 및 제2 전극 패드(140)와 연결된 다수의 발광 소자(190)는 서로 직렬로 연결되어 있고, 제1 전극 패드(132) 및 제2 전극 패드(142)와 연결된 다수의 발광 소자(190)도 서로 직렬로 연결되어 있다. 이는 전술한 다수의 마운트부(112)와 배선부(114)의 관계에 의해 도출된다.
이러한 발광 장치(11)는 표 1과 같이 전원이 인가되면, AC 전원/DC 전원에 모두 최적화된다. 표 1에서 + 바이어스, - 바이어스는 상대적인 개념으로, + 바이어스는 - 바이어스보다 레벨이 높음을 의미한다. 예를 들어, + 바이어스는 양의 전압이고, - 바이어스는 접지 전압, 음의 전압일 수 있다. 또한, AC 전원은 설명의 편의를 위해서 +/- 바이어스 또는 -/+ 바이어스로 표시한다. +/- 바이어스와 -/+ 바이어스는 서로 위상이 다르다(또는 반대이다).
제1 전극패드 (130) 제2 전극패드 (140) 제1 전극패드 (132) 제2 전극패드 (142)
AC 전원 +/- -/+ -/+ +/-
DC 전원 _ + - +
표 1에서와 같이 AC 전원이 인가되면, 제1 전극 패드(130)와 제2 전극 패드(140)와 연결된 다수의 발광 소자(190)의 동작과, 제1 전극 패드(132)와 제2 전극 패드(142)와 연결된 다수의 발광 소자(190)의 동작은 서로 반대가 된다. 예를 들어, 제1 전극 패드(130)와 제2 전극 패드(140)와 연결된 다수의 발광 소자(190)가 턴온되는 동안, 제1 전극 패드(132)와 제2 전극 패드(142)와 연결된 다수의 발광 소자(190)는 턴오프된다.
그런데, (도 5를 이용하여 설명하였듯이) 본 발명의 실시예들에 따른 서브 마운트(1)에서, 다수의 마운트부(112)가 정방형 매트릭스 형태로 배열되어 있는 경우, 배선부(114)의 적어도 일부는 대각선(L1) 상에 배열된 다수의 마운트부(112)를 서로 연결하거나, 대각선(L1)과 평행한 선(L2~L5) 상에 배열된 다수의 마운트부(112)를 서로 연결할 수 있다. 따라서, 매트릭스 형태로 배열된 다수의 발광 소자(190)는 도트 반전 구동(dot inversion operation)을 하게 된다. 구체적으로, 하나의 발광 소자(예를 들어, 좌표(1,1)에 배치된 발광 소자)가 턴온되면, 주변(위, 아래, 왼쪽, 오른쪽)의 발광 소자(예를 들어, 좌표(1,0), (1,2), (0,1), (2,1)에 배치된 발광 소자)는 턴오프된다. 이러한 도트 반전 구동은 시각적 특성이 좋다.
표 1에서와 같이 DC 전원이 인가되면, 제1 전극 패드(130)와 제2 전극 패드(140)와 연결된 다수의 발광 소자(190)의 동작과 제1 전극 패드(132)와 제2 전극 패드(142)와 연결된 다수의 발광 소자(190)의 동작은 서로 동일하게 된다. 즉, DC 전원이 인가될 때, 모든 발광 소자(190)가 턴온되게 된다.
정리하면, AC 전원을 사용할 때에는, 다수의 제1 전극 패드(130, 132) 중 일부 제1 전극 패드(130)에는 제1 바이어스(+/-)가 인가되고, 나머지 제1 전극 패드(132)에는 제1 바이어스(+/-)와 위상이 다른 제2 바이어스(-/+)가 인가되고, 다수의 제2 전극 패드(140, 142) 중 일부 제2 전극 패드(142)에는 제1 바이어스(+/-)가 인가되고, 나머지 제2 전극 패드(140)에는 제2 바이어스(-/+)가 인가된다. DC 전원을 사용할 때에는, 다수의 제1 전극 패드(130, 132)에는 제3 바이어스(-)가 인가되고, 다수의 제2 전극 패드(140, 142)에는 제3 바이어스(-)와 다른 레벨의 제4 바이어스(+)가 인가된다.
따라서, 본원 발명의 제1 실시예에 따른 발광 장치(11)는 서브 마운트의 제1 및 제2 전극 패드(130, 132, 140, 142)에 전원을 연결하는 방식에 따라, AC 전원에도 사용가능하고 DC 전원에도 사용가능하다.
한편, 다수의 발광 소자(190)는 서브 마운트(1)에 플립칩 타입으로 마운트될 수 있다. 플립칩 타입으로 마운트된다는 것은, 발광 소자의 n전극, p전극이 모두 서브 마운트(1)를 바라보도록 배치된다는 것이다. 와이어 본딩을 쓰지 않고, 제1 및 제2 전극 패드(130, 132, 140, 142)로부터 비아(120), 도전 패턴(110)을 통해서 발광 소자(190)에 전원이 공급된다. 따라서, 서브 마운트(1), 발광 장치(11)의 사이즈를 줄일 수 있다. 또한, 발광 소자에 의해 발생된 광이 와이어에 의해 가려지지 않기 때문에, 광효율이 높아지게 된다. 또한, 발광 소자(190)에서 발생된 열이 비아(120)를 통해서 빠져나갈 수 있기 때문에, 발광 장치(11) 전체의 열 발산도도 높일 수 있다.
물론, 본 발명의 제1 실시예에서 반드시 플립칩 본딩만을 사용해야 하는 것은 아니다. 서브 마운트(1) 등의 공간이 충분하다면, 와이어 본딩을 사용하여도 무방하다.
도 6에 도시된 것처럼, 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 장치(11)는 하나의 마운트부(112)에 하나의 발광 소자(190)가 배열되나, 이에 한정되는 것은 아니다.
도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 서브 마운트를 설명하기 위한 도면이다. 도 9 및 도 10은 각각 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 평면도와 회로도이다. 도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 서브 마운트의 일면과 비아만을 도시한 것이고, 서브 마운트의 타면은 도 3과 동일하다. 도 9는 도 8에 도시된 각 마운트부 상에 다수의 발광 소자가 마운트된 것을 도시한 것이고, 도 10은 도 9에 도시된 발광 장치의 등가 회로도이다. 본 발명의 제1 실시예와 실질적으로 동일한 내용은 설명을 생략한다.
도 8를 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 서브 마운트(2)는 2×2 정방형 매트릭스 형태로 다수의 마운트부(112)가 배열되고, 하나의 마운트부(112)에 다수의 발광 소자(190)가 마운트될 수 있다는 점이다. 도 8의 점선 부분(182)은 발광 소자가 마운트될 영역을 예시적으로 도시한 것이다.
도 9 및 도 10을 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 장치(12)는 하나의 마운트부(112)에 마운트되는 다수의 발광 소자(190)가 직병렬로 연결되어 있다. 도시된 것과 달리, 하나의 마운트부(112)에 마운트되는 다수의 발광 소자(190)는 직렬로만 연결되어 있거나, 병렬로만 연결될 수 있다. 또한, 도 9에서 하나의 마운트부(112)에 4개의 발광 소자(190)가 직병렬로 마운트되어 있는 것을 도시하였으나, 더 많은 숫자의 발광 소자(190)가 마운트되어 있을 수 있다.
하나의 마운트부(112)에 마운트되는 다수의 발광 소자(190)를 발광 소자 그룹을 이룰 수 있다. 도 9에서는 발광 소자 그룹이 4개의 발광 소자(190)를 포함하고 있으나, 권리 범위가 이에 한정되는 것은 아니다. 전술한 것과 같이, 마운트부(112)는 직렬로만 연결되어 있기 때문에, 발광 소자 그룹은 직렬로만 연결되어 있다. 또한, 발광 소자 그룹 내의 다수의 발광 소자(190)는 직렬 및/또는 병렬로 연결될 수 있다.
한편, 직렬로만 연결된 다수의 발광 소자 그룹을 하나의 발광조(祖)라고 정의할 수 있다. 즉, 도 10에서 하나로 묶여있는 8개의 발광 소자(190)가 하나의 발광조가 될 수 있다. 이러한 발광조는 다수개일 수 있고, 예를 들어, 도 10에서와 같이 2개일 수 있다.
도 11은 본 발명의 제3 실시예에 따른 서브 마운트를 설명하기 위한 도면이다. 도 12는 본 발명의 제3 실시예에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 회로도이다.
도 11 및 도 12를 참조하면, 본 발명의 제3 실시예에 따른 서브 마운트(3)는 4×4 정방형 매트릭스 형태로 다수의 마운트부(112)가 배열되고, 하나의 마운트부(112)에 다수의 발광 소자(190)가 마운트될 수 있다. 배선부(114)의 형태는 도 1 내지 도 5를 이용하여 설명한 것과 실질적으로 동일하므로, 설명을 생략한다.
도시된 것과 같이, 하나의 마운트부(112)에 4개의 발광 소자(190)가 직병렬로 연결되어 있기 때문에, 대응되는 제1 전극 패드(130, 132)와 제2 전극 패드(140, 142) 사이에 연결되는 발광 소자(190)는 32개가 될 수 있고, 서브 마운트(3) 상에 형성된 발광 소자(190)의 총 개수는 64개가 된다.
즉, 발광 소자 그룹은 4개의 발광 소자(190)를 포함하고, 발광조는 32개의 발광 소자(190)를 포함하는 것으로 예시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
이하에서는 도 13 내지 도 16을 참조하여, 본 발명의 제4 내지 제7 실시예에 따른 발광 장치를 설명한다. 본 발명의 제4 내지 제7 실시예에 따른 발광 장치에는, 본 발명의 실시예들에 따른 서브 마운트를 이용하여 제조한 발광 패키지를 예로 든다.
발광 소자는 탑뷰 타입(top view type) 발광 패키지와 사이드뷰 타입(side view type) 발광 패키지에 사용될 수 있다. 탑뷰 타입 발광 패키지의 경우에는 통상적으로 정사각형 형태의 발광소자가 사용되고, 1mm × 1mm 사이즈가 많이 사용된다. 탑뷰 타입 패키지의 경우에는, 광을 직접 대상물에 방사하며, 조명 장치, 표시 장치 등에 많이 사용된다. 반면, 사이드뷰 타입 패키지의 경우에는 통상적으로 직사각형 형태의 발광소자가 사용되고, 150㎛ × 400㎛ 사이즈가 많이 사용되나, 적용되는 장치에 따라서 변경 가능하다. 사이드뷰 타입 발광 패키지의 경우에는, 모바일 장치(휴대폰, MP3 플레이어, 내비게이션(Navigation) 등), 표시 장치 등에 많이 사용된다. 탑뷰 타입 발광 패키지와 사이드뷰 타입 발광 패키지는 크기나 형태에서 차이가 있을 뿐, 구성이나 동작은 실질적으로 동일하다.
도 13은 본 발명의 제4 실시예에 따른 발광 장치의 예시적 사시도이다. 도 14는 도 13의 A-A'를 따라 절단한 단면도이다. 도 13는 예시적으로 탑뷰 타입 발광 패키지를 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
도 13 및 도 14를 참조하면, 다수의 발광 소자(190)가 마운트된 서브 마운트(1)가 패키지 바디(210) 상에 배치되어 있다. 구체적으로, 패키지 바디(210) 내부에 슬롯(slot)(212)이 형성되어 있고, 다수의 발광 소자(190)가 마운트된 서브 마운트(1)가 슬롯(212) 내에 배치될 수 있다. 특히, 슬롯(slot)(212)은 측벽(212a)이 경사져 있을 수 있다. 발광 소자(190)에서 발생된 광은 측벽(212a)에 반사되어 앞으로 나아갈 수 있다. 발광 소자(190)에서 발생된 광이 슬롯(212)의 측벽(212a)에 반사되는 정도, 반사 각도, 슬롯(212)을 채우는 투명 수지층(250)의 종류, 형광층(260)의 종류 등을 고려하여, 슬롯(212)의 크기를 결정하는 것이 좋다. 또한, 서브 마운트(1)가 슬롯(212)의 가운데에 놓이는 것이 좋다. 발광 소자(190)와 측벽(212a)까지의 거리가 동일하게 되면, 색도(色度)의 불균일을 방지하기 쉽다.
이러한 패키지 바디(210)는 내광성이 뛰어난 실리콘 수지, 에폭시수지, 아크릴 수지, 유리어수지, 불소수지, 이미드 수지 등의 유기물질이나 유리, 실리카겔 등의 내광성이 뛰어난 무기물질을 이용할 수 있다. 또한, 제조공정시의 열로 수지가 용융되지 않도록, 열강화성수지를 사용할 수 있다. 또한 수지의 열응력을 완화시키기 위해, 질화 알루미늄, 산화 알루미늄 및 그러한 복합 혼합물 등의 각종 필러를 혼입해도 좋다. 또한, 패키지 바디(210)는 수지에 한정되지 않는다. 패키지 바디(210)의 일부(예를 들어, 측벽(212a)), 또는 전부에 금속 재료나 세라믹스 재료를 사용할 수도 있다. 예를 들어, 패키지 바디(210) 전부를 금속 재료를 사용할 경우, 발광 소자(190)에서 발생된 열을 외부로 방출하기 용이하다. 도 3a에서는 패키지 바디(210) 전부가 금속 재료인 경우를 도시하였다.
또한, 패키지 바디(210)에는 발광 소자(190)와 전기적으로 연결된 리드(214a, 214b)가 설치된다. 발광 소자(190)는 서브 마운트(1)와 전기적으로 연결되고, 서브 마운트(1)와 리드(214a, 214b)는 비아(120)를 통해서 연결될 수 있다. 한편, 리드(214a, 214b)는 열전도성이 높은 물질을 사용하는 것이 좋다. 발광 소자(190)에서 발생된 열이 리드(214a, 214b)를 통해서 직접 외부로 방출될 수 있기 때문이다.
투명 수지층(250)은 슬롯(212)의 적어도 일부를 채운다. 예를 들어, 도시된 것처럼, 투명 수지층(250)은 슬롯(212)을 완전히 채우지 않을 수 있다. 투명 수지층(250)은 패키지 바디(210)의 슬롯(212)을 채울 수 있는 재료라면 특별히 한정하지 않아도 된다. 예를 들면, 투명 수지층(250)은 에폭시 수지, 실리콘 수지, 경질 실리콘 수지, 변성 실리콘 수지, 우레탄 수지, 옥세탄 수지, 아크릴 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리이미드 수지 등의 수지를 이용할 수가 있다
형광층(260)은 투명 수지층(262) 상에 형성된다. 형광층(260)은 투명 수지(264)와 형광체(phosphor)(264)를 혼합한 것일 수 있다. 형광층(260) 내에 분산된 형광체(264)가 발광 소자(190)에서 나온 광을 흡수하여 다른 파장의 광으로 파장 변환하기 때문에, 형광체(264)의 분포가 좋을수록 발광 특성이 좋아질 수 있다. 이와 같이 될 경우, 형광체(264)에 의한 파장 변환, 혼색 효과 등이 개선된다.
예를 들어, 발광 장치(14)가 백색을 만들기 위해 형광층(260)을 형성할 수 있다. 발광 장치(14)가 블루(blue) 파장의 광을 내보낼 경우, 형광체(264)는 옐로우(yellow) 형광체를 포함할 수 있고, 색재현지수 (Color Rendering Index, CRI) 특성을 높이기 위해 레드(red) 형광체도 포함할 수 있다. 또는, 발광 장치(14)가 UV 파장의 광을 내보낼 경우, 형광체(264)는 RGB(Red, Green, Blue) 모두를 포함할 수 있다.
투명 수지(264)는 형광체(264)를 안정적으로 분산 가능한 재료라면 특별히 한정하지 않아도 된다. 예를 들면, 에폭시 수지, 실리콘 수지, 경질 실리콘 수지, 변성 실리콘 수지, 우레탄 수지, 옥세탄 수지, 아크릴 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리이미드 수지 등의 수지를 이용할 수가 있다.
형광체(264)는 발광 소자(190)로부터 광을 흡수하여 다른 파장의 광으로 파장 변환하는 물질이면 된다. 예를 들어, Eu, Ce 등의 란타노이드계 원소에 의해 주로 활력을 받는 질화물계/산질화물계 형광체, Eu 등의 란타노이드계, Mn 등의 천이 금속계의 원소에 의해 주로 활력을 받는 알칼리토류 할로겐 애퍼타이트 형광체, 알칼리토류 금속 붕산 할로겐 형광체, 알칼리토류 금속 알루민산염 형광체, 알칼리토류 규산염, 알칼리토류 유화물, 알칼리토류 티오갈레이트, 알칼리토류 질화 규소, 게르만산염, 또는 Ce 등의 란타노이드계 원소에 의해 주로 활력을 받는 희토류 알루민산염, 희토류 규산염 또는 Eu 등의 란타노이드계 원소에 의해 주로 활력을 받는 유기 및 유기 착체 등에서 선택되는 적어도 어느 하나 이상인 것이 바람직하다. 구체적인 예로서 아래와 같은 형광체를 사용할 수가 있지만 이에 한정되지 않는다.
Eu, Ce 등의 란타노이드계 원소에 의해 주로 활력을 받는 질화물계 형광체는 M2Si5N8：Eu(M는 Sr, Ca, Ba, Mg, Zn에서 선택되는 적어도 하나) 등이 있다. 또, M2Si5N8：Eu 외, MSi7N10：Eu, M1 .8Si5O0 .2N8：Eu, M0 .9Si7O0 .1N10：Eu(M는 Sr, Ca, Ba, Mg, Zn에서 선택되는 적어도 하나) 등도 있다.
Eu, Ce 등의 란타노이드계 원소에 의해 주로 활력을 받는 산질화물계 형광체는 MSi2O2N2：Eu(M는 Sr, Ca, Ba, Mg, Zn에서 선택되는 적어도 하나) 등이 있다.
Eu 등의 란타노이드계, Mn 등의 천이 금속계의 원소에 의해 주로 활력을 받는 알칼리토류 할로겐 애퍼타이트 형광체에는 M5(PO4)3 X：R(M는 Sr, Ca, Ba, Mg, Zn에서 선택되는 적어도 하나, X는 F, Cl, Br, I에서 선택되는 적어도 하나, R는 Eu, Mn, Eu에서 선택된 적어도 하나) 등이 있다.
알칼리토류 금속 붕산 할로겐 형광체에는 M2B5O9X：R(M는 Sr, Ca, Ba, Mg, Zn에서 선택되는 적어도 하나, X는 F, Cl, Br, I에서 선택되는 적어도 하나, R는 Eu, Mn, Eu에서 선택된 적어도 하나) 등이 있다.
알칼리토류 금속 알루민산염 형광체에는 SrAl2O4：R, Sr4Al14O25：R, CaAl2O4：R, BaMg2Al16O27：R, BaMg2Al16O12：R, BaMgAl10O17：R(R는 Eu, Mn, Eu에서 선택된 어느 하나) 등이 있다.
알칼리토류 유화물 형광체에는 La2O2S：Eu, Y2O2S：Eu, Gd2O2S：Eu 등이 있다.
Ce 등의 란타노이드계 원소에 의해 주로 활력을 받는 희토류 알루민산염 형광체에는 Y3Al5O12：Ce, (Y0 .8Gd0 .2)3Al5O12：Ce, Y3(Al0 .8Ga0 .2)5 O12：Ce, (Y, Gd)3 (Al, Ga)5 O12의 조성식에서 나타내어지는 YAG계 형광체 등이 있다. 또한, Y의 일부 혹은 전부를 Tb, Lu 등으로 치환한 Tb3Al5O12：Ce, Lu3Al5O12：Ce 등도 있다.
알칼리토류 규산염 형광체에는 실리케이트(silicate)로 구성될 수 있으며, 대표적인 형광체로 (SrBa)2SiO4:Eu 등이 있다.
그 외의 형광체에는 ZnS：Eu, Zn2GeO4：Mn, MGa2S4：Eu(M는 Sr, Ca, Ba, Mg, Zn에서 선택되는 적어도 하나, X는 F, Cl, Br, I에서 선택되는 적어도 하나) 등이 있다.
전술한 형광체는 희망하는 바에 따라 Eu에 대신하거나 또는 Eu에 더하여 Tb, Cu, Ag, Au, Cr, Nd, Dy, Co, Ni, Ti에서 선택되는 1종 이상을 함유시킬 수도 있다. 또한, 전술한 형광체 이외의 형광체로서, 동일한 성능, 효과를 갖는 형광체도 사용할 수 있다.
한편, 선택적으로 형광층(260) 상에 필터(280)가 형성될 수 있다. 필터(280)는 특정 파장의 광을 흡수하게 된다. 예를 들어, 필터(280)는 발광 소자(190)에서 1차 발광된 광은 흡수하고, 형광층(260)에서 2차 발광된 광은 흡수하지 않을 수 있다. 이러한 필터(280)는 특정 파장의 광은 흡수하되, 열은 분산시키는 재료를 사용하는 것이 좋다. 예를 들어, 필터(280)로는 무기 염료 또는 유기 염료를 사용할 수 있다.
특히, 발광 소자(190)가 UV발광체일 때, UV 필터(280)가 사용될 수 있다. 과도한 UV광은 인체에 해로울 수 있기 때문이다.
도 15, 도 16a 내지 도 16c은 각각 본 발명의 제5 및 제6 실시예에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 도면들이다.
우선 도 15를 참조하면, 본 발명의 제5 실시예에 따른 발광 장치(15)가 본 발명의 제4 실시예와 다른 점은, 형광층(260)이 렌즈 형태로 형성된다는 점이다. 발광 소자(190)에서 나온 광의 광확산/광추출 특성을 향상시키기 위해 형광층(260)이 일정한 곡률을 가질 수 있다. 도 15에서는 볼록 렌즈 형태로 형성되어 있으나, 필요에 따라서는 오목 렌즈 형태로 구현될 수도 있다.
도 16a을 참조하면, 본 발명의 제6_1 실시예에 따른 발광 장치(16_1)는, 발광 소자(190)와 서브 마운트(1) 상에 형광층(260)이 형성되고, 형광층(260) 상에 투명 수지층 (250)이 형성된다는 점이다. 투명 수지층(250) 이 슬롯(212)을 채우도록 형성된다.
도 16b를 참조하면, 본 발명의 제6_2 실시예에 따른 발광 장치(16_2)는 슬롯(212) 내부 전체가 형광층(260)으로 채워져 있다.
도 16c를 참조하면, 본 발명의 제6_3 실시예에 따른 발광 장치(16_3)은 형광체(264)가 발광 소자(190) 및 서브 마운트(1) 상에 컨포말하게 형성된다. 그리고, 투명 수지층(250)이 슬롯(212) 내부를 채우도록 형성된다.
이하에서, 도 17 내지 도 26b를 참조하여 제7 내지 제11 실시예에 따른 발광 장치를 설명한다. 도 17 내지 도 26b는 본 발명의 실시예들에 따른 서브 마운트를 회로 기판에 배치하는 방법을 설명하기 위한 도면들이다.
도 17은 본 발명의 제7 실시예에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 도면이다. 도 18은 도 17에 도시된 발광 장치 중 회로 기판만을 도시한 것이다. 도 19는 도 17에 도시된 발광 장치의 등가 회로도이다.
전술한 바와 같이, 본 발명의 실시예들에 따른 서브 마운트(1)는 제1 및 제2 전극 패드(130, 132, 140, 142)에 전원이 어떻게 인가되느냐에 따라, AC 전원에 사용할 수도 있고, DC 전원에도 사용할 수 있다. 도 17 내지 도 19에서는 AC 전원이 회로 기판(300)에 인가되는 경우에 서브 마운트(1_1~1_4)의 배치를 설명하기 위한 도면이다.
본 발명의 제7 실시예에 따른 발광 장치(17)는 회로 기판(300)를 포함하고, 회로 기판(300) 상에는 다수의 서브 마운트(1_1~1_4)가 배치되어 있다.
구체적으로, 회로 기판(300)은 서로 전기적으로 분리된 제1 급전 패턴(310)과, 제2 급전 패턴(320), 다수의 연결 패턴(312, 314, 316, 322, 324, 326)을 포함한다. 제1 급전 패턴(310)에는 제1 바이어스(+/-)가 인가되고, 제2 급전 패턴(320)에는 제1 급전 패턴(310)에 인가되는 바이어스와 위상이 다른 제2 바이어스(-/+)가 인가된다.
서브 마운트(1_1~1_4)는 제1 및 제2 급전 패턴(310, 320), 다수의 연결 패턴(312, 314, 324, 326) 상에 배치될 수 있다. 도 17에 도시된 것처럼, 서브 마운트(1_1)는 제1 급전 패턴(310), 연결 패턴(312, 326) 상에, 서브 마운트(1_2)는 연결 패턴(312, 314, 324, 326) 상에, 서브 마운트(1_3)는 연결 패턴(314, 316, 322, 324) 상에, 서브 마운트 (1_4)는 연결 패턴(316, 322), 제2 급전 패턴(320) 상에 배치되게 된다.
결국, 각 서브 마운트(1_1~1_4)의 다수의 제1 전극 패드(130, 132) 중 일부 제1 전극 패드(132)는 제1 바이어스(+/-)가 인가되는 제1 급전 패턴(310)에 전기적으로 연결되고, 나머지 제1 전극 패드(130)는 제2 바이어스(-/+)가 인가되는 제2 급전 패턴(320)과 전기적으로 연결된다. 각 서브 마운트(1_1~1_4)의 다수의 제2 전극 패드(140, 142) 중 일부 제2 전극 패드(140)는 제1 바이어스(+/-)가 인가되는 제1 급전 패턴(310)과 전기적으로 연결되고, 나머지 제2 전극 패드(142)는 제2 바이어스(-/+)가 인가되는 제2 급전 패턴(320)과 전기적으로 연결된다.
한편, 도 17에 도시된 화살표(a)는 제1 전극 패드(130)와 제2 전극 패드(140) 사이에 연결된 다수의 발광 소자(190)가 턴온되는 것을 의미하고, 화살표(b)는 제1 전극 패드(132)와 제2 전극 패드(142) 사이에 연결된 다수의 발광 소자(190)가 턴온되는 것을 의미한다. 따라서, 제1 및 제2 급전 패턴(310, 320)에 인가되는 바이어스가 변함에 따라, (제1 급전 패턴(310)에 + 바이어스, 제2 급전 패턴(320)에 - 바이어스 인가된 경우) 화살표(a)를 따라서 다수의 발광 소자(190)가 턴온되거나, (제1 급전 패턴(310)에 - 바이어스, 제2 급전 패턴(320)에 + 바이어스 인가된 경우) 화살표(b)를 따라서 다수의 발광 소자(190)가 턴온되게 된다.
도 19의 회로도를 보면, 제1 급전 패턴(310)과 제2 급전 패턴(320) 사이에는 2라인의 발광 소자들(1 라인은 32개의 발광 소자임)이 병렬로 연결되게 있다. 이해도를 높이기 위해서, 도 19에서는 2라인의 발광 소자들을 점선으로 구분하여 각 발광 소자들이 어떤 서브 마운트(1_1~1_4) 상에 배치되어 있는지를 나타내었다.
도 20은 본 발명의 제8 실시예에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 도면이다. 도 21는 도 20에 도시된 발광 장치의 등가 회로도이다. 여기서는, 본 발명의 제7 실시예에 따른 발광 장치와 다른 부분을 위주로 설명하도록 한다.
도 20 및 도 21을 참조하면, 본 발명의 제8 실시예에 따른 발광 장치(18)는 DC 전원을 사용한다. 예를 들어, 회로 기판(300)의 제1 급전 패턴(310)에는 제4 바이어스(+)가 인가되고, 제2 급전 패턴(320)에는 제1 급전 패턴(310)에 인가되는 바이어스와 레벨이 다른 제3 바이어스(-)가 인가된다.
서브 마운트(1_1~1_4)는 제1 및 제2 급전 패턴(310, 320), 다수의 연결 패턴(312, 314, 324, 326) 상에 배치될 수 있다. 서브 마운트(1_1~1_4)의 배치 방법은, 도 17에서 설명된 서브 마운트(1_1~1_4)의 배치 방법과 다소 다르다. 구체적으로, 각 서브 마운트(1_1~1_4)의 다수의 제1 전극 패드(130, 132)에는 제3 바이어스(-)가 인가되고, 다수의 제2 전극 패드(140, 142)에는 제3 바이어스(-)와 다른 레벨의 제4 바이어스(+)가 인가되도록 배치된다.
따라서, 제1 및 제2 급전 패턴(310, 320)에 각각 제4 바이어스(+), 제3 바이어스(-)가 인가되면, 화살표(a), 화살표(b)를 따라서 모든 발광 소자(190)가 턴온되게 된다.
도 22는 본 발명의 제9 실시예에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 도면이다. 도 23는 도 22에 도시된 발광 장치의 등가 회로도이다. 여기서는, 본 발명의 제7 실시예에 따른 발광 장치와 다른 부분을 위주로 설명하도록 한다.
도 22 및 도 23을 참조하면, 본 발명의 제9 실시예에 따른 발광 장치(19)는 AC 전원을 사용한다.
본 발명의 제9 실시예에 따른 발광 장치(19)가 본 발명의 제7 실시예의 발광 장치(17)와 다른 점은 별도의 연결 패턴(312, 314, 324, 326) 없이 다수의 서브 마운트(1_1~1_4)가 제1 및 제2 급전 패턴(310, 320) 상에 마운트된다는 점이다. 각 서브 마운트(1_1~1_4)의 제1 전극 패드(130), 제2 전극 패드(142)는 제1 급전 패턴(310)에 연결되고, 제1 전극 패드(132), 제2 전극 패드(140)는 제2 급전 패턴(320)에 연결된다.
도 23의 회로도를 보면, 제1 급전 패턴(310)과 제2 급전 패턴(320) 사이에는 8라인의 발광 소자들(1 라인은 8개의 발광 소자임)이 병렬로 연결되게 있다.
도 24는 본 발명의 제10 실시예에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 도면이다. 도 25는 도 24에 도시된 발광 장치의 등가 회로도이다. 여기서는, 본 발명의 제9 실시예에 따른 발광 장치와 다른 부분을 위주로 설명하도록 한다.
도 24 및 도 25를 참조하면, 본 발명의 제10 실시예에 따른 발광 장치(20)는 DC 전원을 사용한다. 각 서브 마운트(1_1~1_4)의 제2 전극 패드(140, 142)는 제1 급전 패턴(310)에 연결되고, 제1 전극 패드(130, 132)는 제2 급전 패턴(320)에 연결된다.
도 26a 및 도 26b는 본 발명의 제11 실시예에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 26a 및 도 26b는 회로 기판(300) 상에 도 17 내지 도 25에서 설명한 것과 같이 서브 마운트(1_1~1_4)를 이용하여 다수의 발광 소자(190)를 배치한 후, 발광 소자(190) 상에 형광층(340)과 투명 수지(350)가 형성된 형태를 도시한 것이다. 설명의 편의를 위해서, 서브 마운트(1_1~1_4)의 도시를 생략하였다.
형광층(340)과 투명 수지(350)는 도 26a에 도시된 것처럼, 라인 타입으로 형성될 수 있다. 발광 소자(190)가 일방향을 따라 배치된 경우, 형광층(340)과 제2 투명 수지(350)도 상기 일방향을 따라 배치될 수 있다.
또는, 형광층(340)과 투명 수지(350)는 도 26b에 도시된 것처럼, 도트 타입으로 형성될 수 있다. 형광층(340)과 각 투명 수지(350)는, 대응되는 발광 소자(190)만을 둘러싸도록 형성될 수 있다.
도 27은 본 발명의 제12 실시예에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 27에 도시된 것은, 전술하였던 서브 마운트가 적용된 예시적인 장치(최종 제품, end product)이다. 발광 장치는 조명 장치, 표시 장치, 모바일 장치(휴대폰, MP3 플레이어, 내비게이션(Navigation) 등)과 같은 여러 가지 장치에 적용될 수 있다. 도 27에 도시된 예시적 장치는 액정 표시 장치(LCD)에서 사용하는 에지형(edge type) 백라이트 유닛(Back Light Unit, BLU)이다. 액정 표시 장치는 자체 광원이 없기 때문에, 백라이트 유닛이 광원으로 사용되고, 백라이트 유닛은 주로 액정 패널의 후방에서 조명하게 된다.
도 27를 참조하면, 백라이트 유닛은 발광 패키지(14), 도광판(410), 반사판(412), 확산 시트(414), 한쌍의 프리즘 시트(416)를 포함한다.
발광 소자(190)는 광을 제공하는 역할을 한다. 여기서, 사용되는 발광 소자(190)는 사이드뷰 타입일 수 있다. 전술한 것과 같이, 발광 소자(190)는 발광 패키지(14)의 패키지 바디(210)의 슬롯 내에 배치되어 있다.
도광판(410)은 액정 패널(450)로 제공되는 광을 안내하는 역할을 한다. 도광판(410)은 아크릴과 같은 플라스틱 계열의 투명한 물질의 패널로 형성되어, 발광 소자(190)로부터 발생한 광을 도광판(410) 상부에 배치된 액정 패널(450) 쪽으로 진행하게 한다. 따라서, 도광판(410)의 배면에는 도광판(410) 내부로 입사한 광의 진행 방향을 액정 패널(450) 쪽으로 변환시키기 위한 각종 패턴(412a)이 인쇄되어 있다.
반사판(412)은 도광판(410)의 하부면에 설치되어 도광판(410)의 하부로 방출되는 빛을 상부로 반사한다. 반사판(412)은 도광판(410) 배면의 각종 패턴(412a)에 의해 반사되지 않은 광을 다시 도광판(410)의 출사면 쪽으로 반사시킨다. 이와 같이 함으로써, 광손실을 줄임과 동시에 도광판(410)의 출사면으로 투과되는 광의 균일도를 향상시킨다.
확산 시트(414)는 도광판(410)에서 나온 광을 분산시킴으로써 광이 부분적으로 밀집되는 것을 방지한다.
프리즘 시트(416) 상부면에 삼각기둥 모양의 프리즘이 일정한 배열을 갖고 형성되어 있으며, 통상 2장의 시트로 구성되어 각각의 프리즘 배열이 서로 소정의 각도로 엇갈리도록 배치되어 확산 시트(414)에서 확산된 광을 액정 패널(450)에 수직한 방향으로 진행하도록 한다.
도 28 내지 도 31는 본 발명의 제13 내지 제16 실시예에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 28 내지 도 31에서 도시된 것은, 전술하였던 서브 마운트가 적용된 예시적인 장치들(최종 제품, end product)이다. 도 28는 프로젝터를, 도 29은 자동차의 헤드라이트를, 도 30는 가로등을, 도 31는 조명등을 도시하였다. 도 28 내지 도 31에서 사용되는 발광 소자(190)는 탑뷰 타입일 수 있다.
도 28를 참고하면, 광원(510)에서 나온 광은 콘덴싱 렌즈(condensing lens)(520), 컬러 필터(530), 샤핑 렌즈(sharping lens)(540)을 통과하여 DMD(digital micromirror device)(550)에 반사되어, 프로젝션 렌즈(projection lens)(580)을 통과하여 스크린(590)에 도달한다. 광원(510) 내에는 본원 발명의 실시예들에 따른 서브 마운트 및 발광 소자가 장착되어 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 서브 마운트를 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 서브 마운트의 일면만을 도시한 것이다.
도 3은 도 1에 도시된 서브 마운트의 타면만을 도시한 것이다.
도 4는 도 1에 도시된 서브 마운트의 사시도이다.
도 5는 도 2에 도시된 도전 패턴을 보다 자세히 설명하기 위한 개념도이다.
도 6은 각각 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 평면도이다.
도 7은 각각 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 회로도이다.
도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 서브 마운트를 설명하기 위한 도면이다.
도 9은 각각 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 평면도이다.
도 10은 각각 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 회로도이다.
도 11은 본 발명의 제3 실시예에 따른 서브 마운트를 설명하기 위한 도면이다.
도 12는 본 발명의 제3 실시예에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 회로도이 다.
도 13은 본 발명의 제4 실시예에 따른 발광 장치의 예시적 사시도이다.
도 14는 도 13의 A-A'를 따라 절단한 단면도이다.
도 15, 도 16a 내지 도 16c는 각각 본 발명의 제5 및 제6 실시예에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 도면들이다.
도 17은 본 발명의 제7 실시예에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 18은 도 17에 도시된 발광 장치 중 회로 기판만을 도시한 것이다.
도 19는 도 17에 도시된 발광 장치의 등가 회로도이다.
도 20은 본 발명의 제8 실시예에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 21는 도 20에 도시된 발광 장치의 등가 회로도이다.
도 22는 본 발명의 제9 실시예에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 23는 도 22에 도시된 발광 장치의 등가 회로도이다.
도 24는 본 발명의 제10 실시예에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 25는 도 24에 도시된 발광 장치의 등가 회로도이다.
도 26a 및 도 26b는 본 발명의 제11 실시예에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 27은 본 발명의 제12 실시예에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 28 내지 도 31는 본 발명의 제13 내지 제16 실시예에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 도면이다.
(도면의 주요부분에 대한 부호의 설명)
1; 서브 마운트 100; 베이스 기판
110; 도전 패턴 112; 마운트부
114; 배선부 120; 비아
130, 132; 제1 전극 패드 140, 142; 제2 전극 패드

Claims (36)

  1. 각각이 적어도 하나의 발광 소자를 포함하는 다수의 발광 소자 그룹을 포함하되,
    상기 다수의 발광 소자 그룹은 매트릭스 형태로 배열되고,
    상기 다수의 발광 소자 그룹에 AC 전원을 인가하면, 상기 다수의 발광 소자 그룹은 도트 반전 구동을 하는 발광 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 다수의 발광 소자 그룹에 DC 전원을 인가하면, 상기 다수의 발광 소자 그룹이 전부 턴온되는 발광 장치.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 다수의 발광 소자 그룹은 직렬로만 연결된 발광 장치.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 각 발광 소자 그룹 내의 다수의 발광 소자는 직렬 및/또는 병렬로 연결된 발광 장치.
  5. 제 3항에 있어서,
    상기 직렬로만 연결된 다수의 발광 소자 그룹을 하나의 발광조(組)라고 정의할 때, 상기 발광조는 다수개인 발광 장치.
  6. 제 5항에 있어서,
    다수의 제1 및 제2 전극 패드를 더 포함하고,
    상기 각 발광조는 상기 다수의 제1 및 제2 전극 패드와 일대일로 대응되고,
    상기 각 발광조는 상기 대응되는 제1 및 제2 전극 패드와 전기적으로 연결되는 발광 장치.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 다수의 발광 소자 그룹이 마운트되는 서브 마운트를 더 포함하고, 상기 서브 마운트는
    베이스 기판과,
    상기 베이스 기판의 일면에 형성되고, 다수의 발광 소자 그룹이 마운트될 수 있는 다수의 마운트부와 상기 다수의 마운트부를 서로 연결하는 배선부를 포함하는 도전 패턴과,
    상기 베이스 기판의 타면에 형성되고, 상기 도전 패턴과 전기적으로 연결되고, 서로 일대일로 대응되는 다수의 제1 전극 패드와 다수의 제2 전극 패드를 포함하는 발광 장치.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 서로 대응되는 제1 전극 패드와 제2 전극 패드에 전기적으로 연결된 다수의 마운트부는 직렬로만 연결되고,
    상기 다수의 제1 전극 패드와 다수의 제2 전극 패드는 매트릭스 형태로 배열되어 있고, 상기 서로 대응되는 제1 전극 패드와 제2 전극 패드는 꼭지점으로 접하는 발광 장치.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 다수의 발광 소자 그룹이 마운트되는 서브 마운트를 더 포함하고, 상기 서브 마운트는
    베이스 기판과,
    상기 베이스 기판의 일면에 형성되고, 다수의 발광 소자 그룹이 마운트될 수 있는 다수의 마운트부와 상기 다수의 마운트부를 서로 연결하되 배선부를 포함하는 도전 패턴로서, 상기 다수의 마운트부는 제1 및 제2 방향을 따라 매트릭스 형태로 배열되어 있고, 상기 배선부의 적어도 일부는 상기 매트릭스 형태에서 상기 제1 및 제2 방향과 예각을 이루는 제3 방향을 따라 배치된 다수의 마운트부를 연결하는 도전 패턴과,
    상기 베이스 기판의 타면에 형성되고, 상기 도전 패턴과 전기적으로 연결된 제1 및 제2 전극 패드를 포함하는 발광 장치.
  10. 제 7항 또는 제 9항에 있어서,
    상기 다수의 마운트부는 매트릭스 형태로 배열되어 있고,
    상기 배선부는 변으로 접한 다수의 마운트부는 서로 연결하지 않고,
    상기 배선부의 일부는 꼭지점으로 접한 다수의 마운트부를 서로 연결하는 발광 장치.
  11. 베이스 기판;
    상기 베이스 기판의 일면에 형성되고, 다수의 발광 소자가 마운트될 수 있는 다수의 마운트부와 상기 다수의 마운트부를 서로 연결하는 배선부를 포함하는 도전 패턴; 및
    상기 베이스 기판의 타면에 형성되고, 상기 도전 패턴과 전기적으로 연결되고, 서로 일대일로 대응되는 다수의 제1 전극 패드와 다수의 제2 전극 패드를 포함하는 서브 마운트.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 서로 대응되는 제1 전극 패드와 제2 전극 패드에 전기적으로 연결된 다수의 마운트부는 직렬로만 연결된 서브 마운트.
  13. 제 11항에 있어서,
    상기 다수의 제1 전극 패드와 다수의 제2 전극 패드는 매트릭스 형태로 배열 되어 있고,
    상기 서로 대응되는 제1 전극 패드와 제2 전극 패드는 꼭지점으로 접하는 서브 마운트.
  14. 제 11항에 있어서,
    상기 다수의 마운트부는 매트릭스 형태로 배열되어 있고,
    상기 배선부는 변으로 접한 상기 다수의 마운트부를 서로 연결하지 않는 서브 마운트.
  15. 제 14항에 있어서,
    상기 배선부의 적어도 일부는 꼭지점으로 접한 상기 다수의 마운트부를 서로 연결하는 서브 마운트.
  16. 제 11항에 있어서,
    상기 다수의 마운트부는 정방형 매트릭스 형태로 배열되어 있고,
    상기 배선부의 적어도 일부는 상기 정방형 매트릭스 형태의 대각선 상에 배열된 다수의 마운트부를 서로 연결하거나, 상기 대각선과 평행한 선 상에 배열된 다수의 마운트부를 서로 연결하는 서브 마운트.
  17. 제 11항에 있어서,
    상기 각 마운트부에는 적어도 하나의 발광 소자가 마운트될 수 있는 서브 마운트.
  18. 제 17항에 있어서,
    상기 각 마운트부에 직렬 또는 병렬로 연결된 다수의 발광 소자가 마운트될 수 있는 서브 마운트.
  19. 제 11항에 있어서,
    상기 도전 패턴과 상기 서브 마운트는 비아를 통해서 전기적으로 연결되는 서브 마운트.
  20. 베이스 기판;
    상기 베이스 기판의 일면에 형성되고, 다수의 발광 소자가 마운트될 수 있는 다수의 마운트부와 상기 다수의 마운트부를 서로 연결하되 배선부를 포함하는 도전 패턴로서, 상기 다수의 마운트부는 제1 및 제2 방향을 따라 매트릭스 형태로 배열되어 있고, 상기 배선부의 적어도 일부는 상기 매트릭스 형태에서 상기 제1 및 제2 방향과 예각을 이루는 제3 방향을 따라 배치된 다수의 마운트부를 연결하는 도전 패턴;
    상기 베이스 기판의 타면에 형성되고, 상기 도전 패턴과 전기적으로 연결된 제1 및 제2 전극 패드를 포함하는 서브 마운트.
  21. 제 20항에 있어서,
    상기 배선부는 변으로 접한 상기 다수의 마운트부를 서로 연결하지 않고, 꼭지점으로 접한 상기 다수의 마운트부를 연결하는 서브 마운트.
  22. 제 20항에 있어서,
    상기 서로 대응되는 제1 전극 패드와 제2 전극 패드에 연결된 다수의 마운트부는 직렬로만 연결된 서브 마운트.
  23. 제11 항 내지 제 22항 중 어느 한 항의 서브 마운트; 및
    상기 서브 마운트의 다수의 마운트부에 마운트된 다수의 발광 소자를 포함하는 발광 장치.
  24. 제 23항에 있어서,
    상기 각 마운트부에 적어도 하나의 발광 소자가 마운트되는 발광 장치.
  25. 제 24항에 있어서,
    상기 각 마운트부에 직렬 및/또는 병렬로 연결된 다수의 발광 소자가 마운트되는 발광 장치.
  26. 제 23항에 있어서,
    상기 서브 마운트의 상기 다수의 제1 전극 패드 중 일부에는 제1 바이어스가 인가되고, 나머지 제1 전극 패드에는 상기 제1 바이어스와 위상이 다른 제2 바이어스가 인가되고, 상기 제2 전극 패드 중 일부에는 제1 바이어스가 인가되고, 나머지 제2 전극 패드에는 상기 제2 바이어스가 인가되는 발광 장치.
  27. 제 23항에 있어서,
    상기 서브 마운트의 상기 다수의 제1 전극 패드에는 제3 바이어스가 인가되고, 상기 다수의 제2 전극 패드에는 상기 제3 바이어스와 다른 레벨의 제4 바이어스가 인가되는 발광 장치.
  28. 제 23항에 있어서,
    상기 발광 소자는 플립칩 타입인 발광 장치.
  29. 제 23항에 있어서,
    상기 서브 마운트는 서로 전기적으로 분리된 제1 및 제2 급전 패턴을 포함하는 회로 기판 상에 연결되는 발광 장치.
  30. 제 29항에 있어서,
    상기 회로 기판에는 상기 제1 및 제2 급전 패턴을 통해서 AC 전원이 인가되 되, 상기 제1 및 제2 급전 패턴에는 서로 위상이 다른 바이어스가 인가되고,
    상기 다수의 제1 전극 패드 중 일부는 상기 제1 급전 패턴과 전기적으로 연결되고, 나머지 상기 제1 전극 패드는 상기 제2 급전 패턴과 전기적으로 연결되고,
    상기 다수의 제2 전극 패드 중 일부는 상기 제1 급전 패턴과 전기적으로 연결되고, 나머지 상기 제2 전극 패드는 상기 제2 급전 패턴과 전기적으로 연결되는 발광 장치.
  31. 제 29항에 있어서,
    상기 회로 기판에는 상기 제1 및 제2 급전 패턴을 통해서 DC 전원이 인가되되, 상기 제1 및 제2 급전 패턴에는 서로 다른 레벨을 갖는 바이어스가 인가되고,
    상기 다수의 제1 전극 패드는 상기 제1 급전 패턴과 전기적으로 연결되고, 상기 다수의 제2 전극 패드는 상기 제2 급전 패턴과 전기적으로 연결되는 발광 장치.
  32. 서로 전기적으로 분리된 다수의 제1 전극과, 서로 전기적으로 분리되고 상기 다수의 제1 전극과 일대일로 대응되는 다수의 제2 전극이 형성된 서브 마운트; 및
    상기 서브 마운트 상에 마운트되고, 상기 서로 대응되는 제1 전극과 제2 전극 사이에 전기적으로 연결된 다수의 발광 소자를 포함하는 발광 장치.
  33. 제 32항에 있어서,
    상기 서로 대응되는 제1 전극과 제2 전극 사이에 전기적으로 연결된 다수의 발광 소자는 직렬 및/또는 병렬로 연결된 발광 장치.
  34. 베이스 기판 내에 다수의 비아를 형성하고,
    상기 베이스 기판의 일면에, 다수의 마운트부와 배선부를 포함하고, 상기 다수의 비아와 전기적으로 연결된 도전 패턴을 형성하고,
    상기 베이스 기판의 타면에, 상기 다수의 비아와 전기적으로 연결되고, 서로 일대일로 대응되는 다수의 제1 전극 패드와 다수의 제2 전극 패드를 형성하는 것을 포함하는 서브 마운트의 제조 방법.
  35. 제 34항에 있어서,
    상기 서로 대응되는 제1 전극 패드와 제2 전극 패드에 연결된 다수의 마운트부는 직렬로만 연결된 서브 마운트의 제조 방법.
  36. 제 34항의 제조 방법을 이용하여 상기 서브 마운트를 형성하고,
    상기 서브 마운트의 각 마운트부에 적어도 하나의 발광 소자를 형성하는 것을 더 포함하는 발광 장치의 제조 방법.
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US12/457,803 US8238112B2 (en) 2008-06-24 2009-06-22 Sub-mount, light emitting device including sub-mount and methods of manufacturing such sub-mount and/or light emitting device
DE200910030938 DE102009030938A1 (de) 2008-06-24 2009-06-23 Sub-Halterung, lichtemittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung einer Sub-Halterung
TW98120999A TWI453944B (zh) 2008-06-24 2009-06-23 基座、包含此基座的發光元件、製造此基座及／或發光元件的方法
CN201210396187.2A CN103022314B (zh) 2008-06-24 2009-06-24 发光器件
CN2009101499641A CN101614381B (zh) 2008-06-24 2009-06-24 副底座、包括副底座的发光器件以及制造方法
JP2009150070A JP5319417B2 (ja) 2008-06-24 2009-06-24 サブマウント、サブマウントを含む発光装置、サブマウントの製造方法
US13/566,291 US9119304B2 (en) 2008-06-24 2012-08-03 Light emitting device including a light emitting element mounted on a sub-mount

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Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8912023B2 (en) 2009-04-08 2014-12-16 Ledengin, Inc. Method and system for forming LED light emitters
CN101894901B (zh) * 2009-04-08 2013-11-20 硅谷光擎 用于多个发光二极管的封装
JP5757687B2 (ja) * 2010-02-09 2015-07-29 シャープ株式会社 発光装置、面光源装置、液晶表示装置、および発光装置の製造方法
US9345095B2 (en) 2010-04-08 2016-05-17 Ledengin, Inc. Tunable multi-LED emitter module
EP2561265A4 (en) * 2010-04-21 2015-03-11 Cooper Technologies Co REMOVABLE LED PLATE ARCHITECTURE
CN102340904B (zh) 2010-07-14 2015-06-17 通用电气公司 发光二极管驱动装置及其驱动方法
JP5681407B2 (ja) * 2010-07-26 2015-03-11 株式会社小糸製作所 発光モジュール
TWI472058B (zh) * 2010-10-13 2015-02-01 Interlight Optotech Corp 發光二極體裝置
US8530909B2 (en) * 2010-12-27 2013-09-10 Micron Technology, Inc. Array assemblies with high voltage solid state lighting dies
US11032884B2 (en) 2012-03-02 2021-06-08 Ledengin, Inc. Method for making tunable multi-led emitter module
DE102012105176B4 (de) * 2012-06-14 2021-08-12 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronischer Halbleiterchip
US20150069432A1 (en) * 2012-06-22 2015-03-12 Lite-On Opto Technology (Changzhou) Co., Ltd. Light-emitting structure
TW201401484A (zh) * 2012-06-27 2014-01-01 矽品精密工業股份有限公司 發光元件晶片組及其電路與銲線連結方法
CN103629551A (zh) * 2012-08-20 2014-03-12 广州市雷腾照明科技有限公司 一种led交叉式间隔发光模块光源
DE202012103898U1 (de) * 2012-10-12 2014-01-15 Zumtobel Lighting Gmbh Leiterplatte zum Bestücken mit Leuchtkörpern mit variablem Arbeitsfenster
JP6236722B2 (ja) * 2013-04-15 2017-11-29 株式会社ケーヒン 直列回路装置
US20150167945A1 (en) * 2013-12-12 2015-06-18 James Warren Neil Apparatus and Method for Providing Illumination
US9406654B2 (en) 2014-01-27 2016-08-02 Ledengin, Inc. Package for high-power LED devices
US20160141276A1 (en) * 2014-11-14 2016-05-19 Lite-On Opto Technology (Changzhou) Co., Ltd. Light-emitting structure for providing predetermined whiteness
JP6563495B2 (ja) 2014-11-26 2019-08-21 エルイーディエンジン・インコーポレーテッド 穏やかな調光及び色調整可能なランプ用のコンパクトなｌｅｄエミッタ
US9791112B2 (en) 2014-12-24 2017-10-17 Bridgelux, Inc. Serial and parallel LED configurations for linear lighting modules
USD762596S1 (en) * 2015-04-02 2016-08-02 Genesis Photonics Inc. Light emitting diode package substrate
US10074635B2 (en) * 2015-07-17 2018-09-11 Cree, Inc. Solid state light emitter devices and methods
US9967979B2 (en) 2015-11-24 2018-05-08 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light-emitting device
JP6360514B2 (ja) * 2016-03-31 2018-07-18 Ｈｏｙａ Ｃａｎｄｅｏ Ｏｐｔｒｏｎｉｃｓ株式会社 Ｌｅｄ基板及びそれを有する光照射装置
WO2018022456A1 (en) 2016-07-26 2018-02-01 Cree, Inc. Light emitting diodes, components and related methods
US10575374B2 (en) 2018-03-09 2020-02-25 Ledengin, Inc. Package for flip-chip LEDs with close spacing of LED chips
US11024785B2 (en) * 2018-05-25 2021-06-01 Creeled, Inc. Light-emitting diode packages
JP7273280B2 (ja) * 2018-06-15 2023-05-15 日亜化学工業株式会社 発光モジュールおよび発光モジュールの製造方法
JP2020004885A (ja) * 2018-06-29 2020-01-09 太陽誘電株式会社 半導体モジュール
KR102613886B1 (ko) 2018-08-06 2023-12-15 서울바이오시스 주식회사 발광 장치, 및 이를 포함하는 광 조사기
US11233183B2 (en) 2018-08-31 2022-01-25 Creeled, Inc. Light-emitting diodes, light-emitting diode arrays and related devices
USD902448S1 (en) 2018-08-31 2020-11-17 Cree, Inc. Light emitting diode package
US11335833B2 (en) 2018-08-31 2022-05-17 Creeled, Inc. Light-emitting diodes, light-emitting diode arrays and related devices
US11101411B2 (en) 2019-06-26 2021-08-24 Creeled, Inc. Solid-state light emitting devices including light emitting diodes in package structures
US11469359B2 (en) 2019-09-30 2022-10-11 Beijing Boe Display Technology Co., Ltd. Backplane and glass-based circuit board

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19638667C2 (de) * 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
US5959316A (en) * 1998-09-01 1999-09-28 Hewlett-Packard Company Multiple encapsulation of phosphor-LED devices
DE10054212A1 (de) * 2000-11-02 2002-05-08 Hans Dokoupil Nachtlicht
JP2003051622A (ja) 2001-08-07 2003-02-21 Rohm Co Ltd 白色系半導体発光装置
JP3968226B2 (ja) * 2001-09-20 2007-08-29 松下電器産業株式会社 発光ユニット用ジョイント基板
JP2004000093A (ja) * 2002-05-31 2004-01-08 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光装置および照明装置
US20040012027A1 (en) * 2002-06-13 2004-01-22 Cree Lighting Company Saturated phosphor solid state emitter
CN100421266C (zh) * 2002-08-29 2008-09-24 首尔半导体股份有限公司 具有多个发光元件的发光装置
DE102004063978B4 (de) * 2003-07-17 2019-01-24 Toyoda Gosei Co., Ltd. Lichtemittierende Vorrichtung
KR100857790B1 (ko) 2003-12-16 2008-09-09 엘지전자 주식회사 발광 다이오드 조명장치와 패키지 및 그 제조 방법
US7755095B2 (en) * 2003-12-24 2010-07-13 Panasonic Corporation Semiconductor light emitting device, lighting module, lighting apparatus, display element, and manufacturing method for semiconductor light emitting device
TW200637033A (en) * 2004-11-22 2006-10-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd Light-emitting device, light-emitting module, display unit, lighting unit and method for manufacturing light-emitting device
JP4337731B2 (ja) * 2004-12-22 2009-09-30 ソニー株式会社 照明装置、及び画像表示装置
JP4753419B2 (ja) * 2005-08-05 2011-08-24 パナソニック株式会社 発光モジュール
JP2007116116A (ja) 2005-09-22 2007-05-10 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光装置
JP4856463B2 (ja) * 2005-10-17 2012-01-18 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置
KR100652133B1 (ko) 2005-12-20 2006-11-30 서울옵토디바이스주식회사 플립칩 구조의 발광 소자
US7148515B1 (en) * 2006-01-07 2006-12-12 Tyntek Corp. Light emitting device having integrated rectifier circuit in substrate
KR20070095041A (ko) * 2006-03-20 2007-09-28 삼성전기주식회사 교류 전압용 발광 소자 유닛
JP5032043B2 (ja) 2006-03-27 2012-09-26 豊田合成株式会社 フェラスメタルアルカリ土類金属ケイ酸塩混合結晶蛍光体およびこれを用いた発光装置
DE102007021009A1 (de) * 2006-09-27 2008-04-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiodenanordnung und Verfahren zur Herstellung einer solchen
TW200837943A (en) * 2007-01-22 2008-09-16 Led Lighting Fixtures Inc Fault tolerant light emitters, systems incorporating fault tolerant light emitters and methods of fabricating fault tolerant light emitters
JP2009059883A (ja) * 2007-08-31 2009-03-19 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN103022314A (zh) 2013-04-03
TW201006019A (en) 2010-02-01
US8238112B2 (en) 2012-08-07
US9119304B2 (en) 2015-08-25
TWI453944B (zh) 2014-09-21
CN103022314B (zh) 2016-07-06
CN101614381A (zh) 2009-12-30
JP5319417B2 (ja) 2013-10-16
JP2010010682A (ja) 2010-01-14
US20090316409A1 (en) 2009-12-24
CN101614381B (zh) 2013-06-05
DE102009030938A1 (de) 2010-01-21
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