KR20090127066A - 에피택셜 실리콘 웨이퍼 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
450mm 이상의 대구경(大口徑) 웨이퍼의 표면에만 에피텍셜막을 성장시켰을 때, 웨이퍼의 휘어짐을 저감 가능하고, 또한 높은 진성 게터링(intrinsic gettering) 능력도 얻을 수 있는 에피택셜 실리콘 웨이퍼 및 그 제조 방법을 제공하는 것으로서, 직경이 450mm, 비저항이 O.1Ω·cm 이상인 대구경이고 고 저항인 실리콘 웨이퍼에, 잉곳(ingot) 인상 시의 용융액으로의 질소, 탄소, 또는 그 양쪽의 도입에 의해 진성 게터링 기능을 부여했다. 이에 따라, 에피택셜막(12)의 성장 후, 실리콘 웨이퍼(11)에 큰 휘어짐이 발생하기 어렵다. 그 결과, 에피택셜 실리콘 웨이퍼(10)의 휘어짐을 저감할 수 있고, 또한 높은 진성 게터링 능력을 얻을 수 있다.
Description
본 발명은, 표면(한쪽면)에만 에피텍셜막을 가진 에피택셜 실리콘 웨이퍼 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
실리콘 웨이퍼의 제조는, 우선 CZ(쵸크랄스키(Czochralski))법에 의해 단결정 잉곳(실리콘 단결정)을 인상하고, 이 잉곳에 대해서 슬라이스, 모따기, 랩핑(wrapping), 에칭, 경면 연마, 세정 등의 각 공정을 실시함으로써 행해진다. 그러나, 웨이퍼의 대구경화가 진행될수록, 단결정 잉곳 및 실리콘 웨이퍼에는, 잉곳을 인상함에 있어서의 기술적 문제, 수율 등의 이유에 의해 무결함 결정(COP 프리 결정)을 제조하는 것이 곤란해진다고 예상된다.
여기서, 향후, 디바이스가 형성되는 웨이퍼 표면의 무결함화를 도모하기 위해, 예를 들면 특허 문헌 1에 개시된 것과 같은 기상 에피텍셜법을 이용하여, 예를 들면 450mm 이상의 대구경 웨이퍼의 표면(경면)에 에피텍셜막을 성장시키는 방법이 주류가 된다고 생각된다.
그러나, 에피택셜 실리콘 웨이퍼에 있어서는, 벌크(bulk) 웨이퍼(실리콘 웨이퍼)와 에피텍셜막이 다른 소재인 경우나, 벌크 웨이퍼와 에피택셜막에 함유되는 도판트(dopant) 농도가 다른 경우에, 다음의 문제가 발생한다. 즉, 벌크 웨이퍼를 형성하는 원자의 격자 정수와 에피텍셜막을 형성하는 원자의 격자 정수가 다르므로, 실리콘 웨이퍼, 나아가서는 에피택셜 실리콘 웨이퍼에 휘어짐이 발생하기 쉬워진다. 이 휘어짐은 웨이퍼의 대구경화에 따라 증대한다(특허 문헌 1).
여기서, 예를 들면 실리콘 웨이퍼로서, 붕소 농도가 2.7×1017atoms/㎤ 미만인 고저항 붕소 도프 단결정 잉곳(비저항 0.1Ω·cm 이상)으로부터 얻어진 것을 채용하는 것을 생각할 수 있다. 이렇게 하면, 벌크 웨이퍼의 원자 반경과 에피텍셜막의 원자 반경의 차이에 의한 응력이 작아져, 웨이퍼 표면에 에피텍셜막을 성장시켜도, 웨이퍼의 큰 휘어짐은 발생하기 어려워진다. 또한, 저 붕소 농도의 웨이퍼에 에피텍셜막을 성장시키므로, 도판트가 웨이퍼 이면으로부터 바깥쪽으로 확산하고, 디바이스 형성면의 에피텍셜막으로 돌아들어감으로써 생기는 오토 도프 현상도 억제할 수 있다. 또한, 웨이퍼 내부의 붕소는 진성 게터링(IG)의 성장핵이 되는 것이 알려져 있다. 그러나, 고 붕소 농도의 웨이퍼에 비해, 저 붕소 농도의 웨이퍼의 진성 게터링 능력은 낮다.
여기서, 발명자는, 예의 연구의 결과, 에피택셜 실리콘 웨이퍼에 있어서, 직 경이 450mm이상이고, 비저항이 0.1Ω·cm이상(고저항)인 실리콘 웨이퍼에, 어떠한 진성 게터링 기능을 부여하면 되는 것에 도달했다. 이렇게 하면, 한쪽면 에피택셜 성장이 이루어진 웨이퍼라도, 웨이퍼에 큰 휘어짐은 발생하기 어렵고, 또한 높은 진성 게터링 능력을 얻을 수 있는 것을 발견하고, 본 발명을 완성시켰다.
본 발명은, 450mm 이상의 대구경 웨이퍼의 표면에만 에피텍셜막을 성장시켰을 때에, 웨이퍼의 휘어짐을 저감 할 수 있고, 또한 높은 진성 게터링 능력도 얻을 수 있는 에피택셜 실리콘 웨이퍼 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
청구항 1에 기재된 발명은, CZ법에 의해 인상된 실리콘 단결정을 가공하여 얻어진 직경이 450mm 이상, 비저항이 0.1Ω·cm 이상인 실리콘 웨이퍼의 표면에만, 에피텍셜막을 성장시킨 에피택셜 실리콘 웨이퍼로서, 상기 실리콘 웨이퍼가, 진성 게터링 기능을 가진 에피택셜 실리콘 웨이퍼이다.
청구항 1에 기재된 발명에 의하면, 비저항이 0.1Ω·cm 이상인 고저항이고, 직경이 450mm 이상인 실리콘 웨이퍼에, 진성 게터링 기능을 부여했으므로, 직경이 450mm 이상인 대구경 웨이퍼라도, 에피텍셜막의 성장 후, 웨이퍼에 큰 휘어짐이 발생하기 어렵고, 또한 높은 진성 게터링 능력을 얻을 수 있다.
실리콘 웨이퍼의 구경(口徑)은, 450mm이상이면 임의이다.
에피텍셜막의 소재는, 웨이퍼와 동일한 단결정 실리콘을 채용할 수 있다. 또는, 웨이퍼와 다른, 예를 들면 갈륨·비소 등이어도 된다.
에피텍셜막의 두께는, 예를 들면 바이폴러(bipolar) 디바이스용이나 파워 디 바이스용에서 수㎛∼150㎛, MOS 디바이스용에서는 10㎛ 이하이다.
에피텍셜법으로는, 기상 에피텍셜법, 액상 에피텍셜법, 고상 에피텍셜법 중 어느것을 채용해도 된다. 이 중, 기상 에피텍셜법으로는, 예를 들면 상압 기상 에피텍셜법, 감압 기상 에피텍셜법, 유기 금속 기상 에피택셜법 등을 채용할 수 있다. 기상 에피텍셜법에서는, 예를 들면 에피택셜 실리콘 웨이퍼를 가로 배치 상태(표리면이 수평인 상태)로 웨이퍼 수납부에 수납하는, 평면에서 봐서 원형이고, 웨이퍼를 1매 재치 가능한 서셉터(susceptor)가 사용된다. 기상 에피텍셜법은, 실리콘 웨이퍼와 동일한 소재를 에피택셜 성장시키는 호모 에피택시(epitaxy)거나, 웨이퍼와 다른 소재(GaAs 등)를 에피택셜 성장시키는 헤테로 에피택시여도 된다.
기상 에피택셜 성장 장치로는, 실리콘 웨이퍼의 한쪽면에만 에피택셜막을 성장 가능한 한쪽면 기상 에피택셜 성장 장치이면, 그 구조는 임의이다. 기상 에피택셜 성장 장치는, 매엽형이거나, 복수매의 실리콘 웨이퍼를 동시에 처리 가능한 팬케이크형, 배럴(barrel)형, 핫 월(hor wall)형, 클러스터(cluster)형이어도 된다.
실리콘 웨이퍼에 진성 게터링 기능을 부여하는 방법으로는, 예를 들면, 용융액(실리콘)에 대한 1×1013∼1×1015atoms/㎤의 질소 원소의 도프, 용융액에 대한 1×1015∼1×1017atoms/㎤의 탄소 원소의 도프를 채용할 수 있다.
청구항 2에 기재된 발명은, 상기 실리콘 웨이퍼는, 1×1013∼1×1015atoms/㎤ 의 질소 원소와, 1×1015∼1×1017atoms/㎤의 탄소 원소 중, 적어도 하나를 포함하는 청구항 1에 기재의 에피택셜 실리콘 웨이퍼이다.
청구항 2에 기재의 발명에 의하면, 실리콘 웨이퍼가, 1×1013∼1×1015atoms/㎤의 질소 원소와, 1×1015∼1×1017atoms/㎤의 탄소 원소, 질소 원소와 탄소 원소의 양쪽 중, 어느 하나를 포함한다. 이에 따라, 에피택셜막의 성장 후, 웨이퍼에 큰 휘어짐이 발생하기 어렵다. 그 결과, 웨이퍼의 휘어짐을 저감할 수 있음과 더불어, 높은 진성 게터링 능력을 얻을 수 있다.
청구항 3에 기재의 발명은, CZ법에 의해 도가니 내의 용융액으로부터 인상된 실리콘 단결정으로부터 얻어진 비저항이 0.1Ω·cm이상, 직경이 450mm이상인 실리콘 웨이퍼의 표면에만, 에피텍셜막을 성장시키는 에피텍셜 실리콘 웨이퍼의 제조 방법으로서, (1) 상기 용융액으로의 1×1013∼1×1015atoms/㎤의 질소 원소의 도프, (2) 상기 용융액으로의 1×1015∼1×1017atoms/㎤의 탄소 원소의 도프 중 적어도 하나를 행함으로써, 상기 실리콘 웨이퍼에 진성 게터링 기능을 부여하는 에피택셜 실리콘 웨이퍼의 제조 방법이다.
청구항 3에 기재의 발명에 의하면, 직경이 450mm 이상, 비저항이 0.1Ω·cm
이상인 고저항의 대구경 실리콘 웨이퍼에, 진성 게터링 기능을 부여한다. 구체적으로는, 실리콘의 용융액으로의 1×1013∼1×1015atoms/㎤의 질소 원소의 도프, 이 용융액으로의 1×1015∼1×1017atoms/㎤의 탄소 원소의 도프, 질소 원소와 탄소 원소의 양쪽의 도프 중 적어도 하나를 행한다. 이에 따라, 에피텍셜막의 성장 후, 웨이퍼에 큰 휘어짐이 발생하기 어렵다. 그 결과, 웨이퍼의 휘어짐을 저감할 수 있음과 더불어, 높은 진성 게터링 능력을 얻을 수 있다.
실리콘 웨이퍼의 비저항을 높이는 방법으로는, 잉곳 인상 시, 도가니 내의 실리콘의 용융액 중에, 예를 들면 붕소, 인 등의 도판트를 첨가하는 방법을 채용할 수 있다. 그 외, 비소·안티몬 등의 첨가여도 된다.
용융액으로의 질소 원소의 도프량이 1×1013atoms/㎤ 미만이면, 내부 석출 부족에 의해 게터링 능력 부족이라는 문제가 발생한다. 또한, 1×1015atoms/㎤를 초과하면, 내부 석출 과다에 의한 에피텍셜막에의 결함 뚫림이라는 문제가 발생한다.
용융액으로의 탄소 원소의 도프량이 1×1015atoms/㎤ 미만이면, 게터링 능력 부족이라는 문제가 발생한다. 또한, 1×1017atoms/㎤를 초과하면, 에피텍셜막질의 열화라는 문제가 발생한다.
청구항 4에 기재된 발명은, 상기 에피텍셜막의 성장 후, 상기 에피텍셜막의 표면과 상기 실리콘 웨이퍼의 이면을 동시에 연마하는 청구항 3에 기재의 에피택셜 실리콘 웨이퍼의 제조 방법이다.
청구항 4에 기재의 발명에 의하면, 에피텍셜막의 성장 후, 에피텍셜막의 표 면과 실리콘 웨이퍼의 이면을 동시에 연마하므로, 에피텍셜 실리콘 웨이퍼의 양면의 평탄도를 높일 수 있다. 또한, 웨이퍼 양면의 에피택셜막의 연마 공정에 필요로 하는 시간을 단축하여, 생산성을 높일 수 있다.
에피택셜 실리콘 웨이퍼의 표리면을 동시에 연마하는 방법으로는, 상면에 연마포가 늘어나 덮인 하 정반(定盤)과, 하면에 연마포가 늘어나 덮인 상 정반의 사이에서, 에피택셜 실리콘 웨이퍼의 표리면을 동시에 연마하는 매엽식의 양면 연마 방법을 채용할 수 있다. 또한, 연마포 부착의 하 정반과 연마포 부착의 상 정반의 사이에서, 웨이퍼 보유 구멍에 에피택셜 실리콘 웨이퍼가 수납된 캐리어 플레이트에 대해서, 자전(自轉)을 수반하지 않는 원운동을 시키는 선 기어리스(sun gearless)의 양면 연마 방법을 채용해도 된다.
청구항 1 및 청구항 3에 기재의 발명에 의하면, 직경이 450mm 이상, 비저항이 0.1Ω·cm 이상인 대구경이고 고 저항의 실리콘 웨이퍼에, 진성 게터링 기능을 부여했으므로, 에피텍셜막의 성장 후, 웨이퍼에 큰 휘어짐이 발생하기 어렵다. 그 결과, 에피택셜 실리콘 웨이퍼의 휘어짐을 저감할 수 있음과 더불어, 높은 진성 게터링 능력을 얻을 수 있다.
특히, 청구항 4에 기재의 발명에 의하면, 에피텍셜막의 성장 후, 에피택셜막의 표면과 실리콘 웨이퍼의 이면을 동시에 연마하므로, 에피텍셜 실리콘 웨이퍼의 양면의 평탄도를 높일 수 있음과 더불어, 웨이퍼 양면의 에피택셜막의 연마 공정에 필요로 하는 시간을 단축하여, 생산성을 높일 수 있다.
이하, 본 발명의 실시예를 구체적으로 설명한다.
<실시예>
도 1에 있어서, 10은 본 발명의 실시예 1에 관한 에피택셜 실리콘 웨이퍼이다. 에피택셜 실리콘 웨이퍼(10)는, CZ법에 의해 인상된 실리콘 단결정을 가공하여 얻어진 직경이 450mm, 붕소 도프에 의한 비저항이 1.0Ω·cm인 실리콘 웨이퍼(11)를 본체로 한다. 에피택셜 실리콘 웨이퍼(10)는, 실리콘 웨이퍼(11)의 표면에만, 기상 에피텍셜법에 의해 단결정 실리콘으로 이루어지는 에피텍셜막(12)이 성장된 2층 구조의 웨이퍼이다. 실리콘 웨이퍼(11)에는, 진성 게터링 기능을 부여하기 위해, 질소 원소가 1×1014atoms/㎤로 도프되어 있다.
이하, 도 2의 플로우 시트에 의거하여, 본 발명의 실시예 1에 관한 에피택셜 실리콘 웨이퍼의 제조 방법을 설명한다.
도 2의 플로우 시트에 나타내는 바와같이, 실리콘 웨이퍼(11)는, 도가니 내에서 붕소가 소정량 도프된 실리콘의 용융액으로부터, CZ법에 의해 단결정 실리콘 잉곳의 인상(S100), 그 후, 잉곳을 다수매의 웨이퍼에 슬라이스(S101)하고, 각 웨이퍼에 대해서 순서대로 모따기(S102), 랩핑(S103), 에칭(S104), 양면 연마(S105)를 실시하여 제작된다.
다음에, 실리콘 웨이퍼(11)의 표면에는, 기상 에피텍셜법에 의해 에피택셜막(12)이 성장된다(S106). 그 후, 에피텍셜막(12)의 표면과 실리콘 웨이퍼(11)의 이면을 동시 연마(S107)한다. 이렇게 하여, 에피텍셜 실리콘 웨이퍼(10)가 제작된다(S108).
이하, 각 공정을 구체적으로 설명한다.
잉곳의 인상 공정(S100)에서는, 도 3에 나타내는 결정 성장 장치를 이용하여 실리콘 단결정이 성장된다. 제조되는 실리콘 단결정의 직동부(直胴部)의 직경은, 450mm의 실리콘 웨이퍼를 형성 가능한 470mm이다.
도 3에 있어서, 40은 본 발명의 실시예 1에 관한 실리콘 단결정 성장 장치(이하, 결정 성장 장치)이다. 이 결정 성장 장치(40)는, 중공 원통 형상의 챔버(41)를 구비한다. 챔버(41)는, 메인 챔버(42)와, 메인 챔버(42) 상에 연설(連設) 고정되고, 메인 챔버(42)보다 소경인 풀 챔버(43)로 이루어진다. 메인 챔버(42) 내의 중심부에는, 도가니(44)가, 회전 및 승강이 가능한 지지축(페디스탈)(45) 상에 고정되어 있다. 도가니(44)는, 내측의 석영 도가니(46)와 외측의 흑연 도가니(47)를 조합한 이중 구조이다.
도가니(44)의 외측에는, 가열 저항식의 히터(51)가 도가니(44)의 벽부와 동심원상으로 배치되어 있다. 히터(51)의 외측에는, 원통형상의 보온통(52)이 메인 챔버(42)의 주측벽 내면을 따라 배치되어 있다. 메인 챔버(42)의 바닥면 상에는, 원형의 보온판(53)이 배치되어 있다.
도가니(44)의 중심선 상에는, 지지축(45)과 동일 축심으로 회전 및 승강이 가능한 인상축(와이어도 가능)(55)이, 풀 챔버(43)를 통해 매달려 설치되어 있다. 인상축(55)의 하단에는, 종결정(種結晶)(C)이 장착되어 있다.
다음에, 이 결정 성장 장치(40)를 이용한 실리콘 단결정 성장 방법을 구체적으로 설명한다.
도가니(44) 내에 결정용 실리콘 원료 및 불순물로서의 붕소를, 실리콘 단결정(S)의 비저항이 1.0Ω·cm로 되는 분량만큼 투입한다. 챔버(41) 내를 25Torr로 감압하고, 100L/min의 질소 가스를 포함하는 아르곤 가스를 도입한다. 다음에, 도가니(44) 내의 투입물을 히터(51)에 의해 용해하여, 도가니(44) 내에 용융액(56)을 형성한다.
다음에, 인상축(55)의 하단에 장착된 종 결정(C)을 용융액(56)에 침지하고, 도가니(44) 및 인상축(55)을 서로 역방향으로 회전시키면서, 인상축(55)을 축방향으로 인상하고, 종 결정(C)의 하방에 실리콘 단결정(S)을 성장시킨다. 이에 따라, 질소 원소가 1×1014atoms/㎤, 붕소 도프에 의한 비저항이 1.0Ω·cm인 실리콘 단결정(잉곳)(S)이 얻어진다.
슬라이스 공정(S101)에서는, 측면에서 봐서 삼각형상으로 배치된 3개의 홈(groove) 롤러에 와이어를 감은 와이어 소(wire saw)가 이용된다. 이 와이어 소에 의해 실리콘 단결정(S)으로부터 다수매의 실리콘 웨이퍼(11)가 슬라이스된다.
이 후의 모따기 공정(S102)에서는, 회전 중의 모따기용 숫돌을 실리콘 웨이퍼(11)의 외주부에 꽉 눌러 모따기한다.
랩핑 공정(S103)에서는, 양면 랩핑 장치에 의해 실리콘 웨이퍼(11)의 양면을 동시에 랩핑한다. 즉, 실리콘 웨이퍼(11)의 양면을 소정 속도로 회전 중의 상하의 랩 정반 사이에서 랩핑한다.
에칭 공정(S104)에서는, 에칭조에 저류된 산성 에칭액에 랩핑 후의 실리콘 웨이퍼(11)를 침지하여 에칭하여, 모따기 및 랩핑에 의한 데미지를 제거한다.
양면 연마 공정(S105)에서는, 선 기어리스의 양면 연마 장치를 이용하여, 실리콘 웨이퍼(11)의 양면을 동시에 경면 연마한다.
이하, 도 4 및 도 5를 참조하여, 선 기어리스 구조의 양면 연마 장치의 구조를 구체적으로 설명한다.
도 4 및 도 5에 도시하는 바와같이, 상 정반(120)은, 윗쪽으로 연장된 회전축(12a)을 통하여, 상측 회전 모터(16)에 의해 수평면 내에서 회전 구동된다. 또한, 상 정반(120)은 축선 방향으로 진퇴시키는 승강 장치(18)에 의해 수직 방향으로 승강된다. 승강 장치(18)는, 에피택셜 실리콘 웨이퍼(11)를 캐리어 플레이트(110)에 급배할 때 등에 사용된다. 또한, 상 정반(120) 및 하 정반(130)의 에피택셜 실리콘 웨이퍼(11)의 표리 양면에 대한 압압은, 상 정반(120) 및 하 정반(130)에 조합된 도시하지 않은 에어백 방식 등의 가압 수단에 의해 행해진다. 하 정반(130)은, 그 출력축(17a)을 통해, 하측 회전 모터(17)에 의해 수평면 내에서 회전된다. 이 캐리어 플레이트(110)는, 그 플레이트(110) 자체가 자전하지 않도록, 캐리어 원 운동 기구(19)에 의해, 그 플레이트(110)의 표면과 평행한 면(수평면) 내에서 원운동한다.
캐리어 원운동 기구(19)는, 캐리어 플레이트(110)를 바깥쪽으로부터 지지하는 환형상의 캐리어 홀더(20)를 가지고 있다. 캐리어 원운동 기구(19)와 캐리어 홀더(20)는, 연결 구조를 통해 연결되어 있다.
캐리어 홀더(20)의 외주부에는, 90도마다 바깥쪽으로 돌출한 4개의 베어링부(20b)가 설치되어 있다. 각 베어링부(20b)에는, 소경(小徑) 원판 형상의 편심 아암(24)의 상면의 편심 위치에 돌출 설치된 편심축(24a)이 삽입 장착되어 있다. 또한, 이들 4개의 편심 아암(24)의 각 하면의 중심부에는, 회전축(24b)이 매달려 설치되어 있다. 이들 회전축(24b)은, 환형상의 장치 기체(25)에 90도마다 합계 4개 설치된 베어링부(25a)에, 각각 선단부를 아래쪽으로 돌출시킨 상태에서 삽입 장착되어 있다. 각 회전축(24b)의 아래쪽으로 돌출된 선단부에는, 각각 스프로킷(sprocket)(26)이 고정 장착되어 있다. 각 스프로킷(26)에는, 일련의 타이밍 체인(27)이 수평 상태로 걸쳐져 있다. 이들 4개의 스프로킷(26)과 타이밍 체인(27)은, 4개의 편심 아암(24)이 동기하여 원운동을 행하도록, 4개의 회전축(24b)을 동시에 회전시킨다.
이들 4개의 회전축(24b) 중, 1개의 회전축(24b)은 더 길게 형성되어 있고, 그 선단부가 스프로킷(26)보다 아래쪽으로 돌출되어 있다. 이 부분에 동력 전달용 기어(28)가 고정되어 있다. 기어(28)는, 원운동용 모터(29)의 윗쪽으로 연장되는 출력축에 고정된 대경(大徑)의 구동용 기어(30)에 맞물려 있다.
따라서, 원운동용 모터(29)를 기동하면, 그 회전력은, 기어(30, 28) 및 긴 회전축(24b)에 고정된 스프로킷(26)을 통해 타이밍 체인(27)에 전달된다. 타이밍 체인(27)이 둘레 회전함으로써, 다른 3개의 스프로킷(26)을 통해, 4개의 편심 아암(24)이 동기하여 회전축(24b)을 중심으로 수평면 내에서 회전한다. 이에 따라, 각 편심축(24a)에 일괄하여 연결된 캐리어 홀더(20), 나아가서는 이 홀더(20)에 지지된 캐리어 플레이트(110)가, 이 플레이트(110)에 평행한 수평면 내에서, 자전을 수반하지 않는 원운동을 행한다. 즉, 캐리어 플레이트(110)는, 상 정반(120) 및 하 정반(130)의 축선(e)으로부터 거리 L만큼 편심한 상태를 유지하여 선회한다. 양 정반(120, 130)의 각 대향면에는, 연마포(15)가 늘어나 덮여 있다. 이 거리(L)는, 편심축(24a)과 회전축(24b)의 거리와 같다. 이 자전을 수반하지 않는 원운동에 의해, 캐리어 플레이트(110) 상의 모든 점은, 동일한 크기의 작은 원의 궤적을 그린다. 이에 따라, 캐리어 플레이트(110)에 형성된 웨이퍼 수납부(11a)에 수납된 실리콘 웨이퍼(11)가 양면 연마된다.
다음에, 도 6을 참조하여, 매엽식의 기상 에피택셜 성장 장치를 이용한 에피택셜 성장 공정(S106)을 구체적으로 설명한다.
도 6에 도시하는 바와같이, 기상 에피택셜 성장 장치(60)는, 상하에 히터가 설치된 챔버의 중앙부에, 평면에서 봐서 원형이고, 실리콘 웨이퍼(11)를 1매 재치할 수 있는 서셉터(61)가 수평 배치된 것이다. 서셉터(61)는, 카본제의 기재를 SiC에 의해 코팅한 것이다.
서셉터(61)의 상면의 내주부에는, 실리콘 웨이퍼(11)를 가로 배치 상태(표리면이 수평인 상태)로 수납하는 오목형상의 스폿 페이싱(spot facing)(웨이퍼 수납부)(62)가 형성되어 있다. 스폿 페이싱(62)은, 주벽(62a)과, 폭 6mm의 평면에서 봐서 환형상의 단차(62b)와, 바닥판(스폿 페이싱의 바닥 벽면)(62c)으로 이루어진다.
챔버의 일측부에는, 챔버의 상부 공간에, 소정의 캐리어 가스(H2 가스)와 소정의 소스 가스(SiHCl3 가스)를, 웨이퍼 표면에 대해서 평행하게 흐르게 하는 가스 공급구가 배치되어 있다. 또한, 챔버의 타측부에는, 가스의 배기구가 형성되어 있다.
에피택셜 성장 시에는, 실리콘 웨이퍼(11)를 스폿 페이싱(62)에, 웨이퍼 표리면을 수평으로 하여 가로 배치한다. 다음에, 실리콘 웨이퍼(11)의 표면에 에피텍셜막(12)을 성장시킨다. 즉, 캐리어 가스와 소스 가스를, 대응하는 가스 공급구를 통해 반응실에 도입한다. 노 내 압력을 100±20KPa로 하고, 1000℃∼1150℃의 고온으로 가열된 실리콘 웨이퍼(11) 상에, 소스 가스의 열분해 또는 환원에 의해 생성된 실리콘을, 반응 속도 3.5∼4.5㎛/분에서 석출시킨다. 이에 따라, 실리콘 웨이퍼(11)의 표면 상에 실리콘 단결정의 두께 10㎛정도의 에피텍셜막(12)이 성장된다. 이렇게 하여, 에피택셜 실리콘 웨이퍼(10)가 제작된다.
이어서, 에피택셜 실리콘 웨이퍼(10)의 동시 연마 공정(S107)에서는, 양면 연마 공정(S105)에서 사용한 선 기어리스 구조의 양면 연마 장치를 이용하여, 에피택셜막(12)의 표면과 실리콘 웨이퍼(11)의 이면을 동시에 경면 연마한다. 이렇게 하여, 에피택셜 실리콘 웨이퍼(10)가 제작된다(S108).
이와 같이, 비저항이 0.1Ω·cm이고, 직경이 450mm인 실리콘 웨이퍼(11)에, 진성 게터링 기능을 부여했다. 이 때문에, 직경이 450mm인 대구경의 실리콘 웨이퍼(11)라도, 에피텍셜막(12)의 성장 시, 벌크 웨이퍼(11)의 원자 반경과 에피텍셜 막(12)의 원자 반경의 차이에 의한 응력은 작아진다. 이에 따라, 디바이스가 형성되는 웨이퍼 표면에만 에피택셜막(12)을 성장시켜도, 실리콘 웨이퍼(11), 나아가서는 에피택셜 실리콘 웨이퍼(10)의 큰 휘어짐은 발생하기 어렵다. 이에 따라, 에피텍셜 실리콘 웨이퍼(10)의 휘어짐을 저감 가능하다. 또한, 저붕소 농도의 실리콘 웨이퍼(11)에 에피텍셜막(12)을 성장시키므로, 도판트가 웨이퍼 이면으로부터 바깥쪽으로 확산하여, 디바이스가 형성되는 에피텍셜막(12)으로 돌아들어감으로써 발생하는 오토 도프 현상도 억제된다.
실리콘 웨이퍼(11)에는, 1×1014atoms/㎤의 질소 원소가 도프되어 있다. 그 결과, 실리콘 웨이퍼(11)는 붕소 농도가 낮은 고저항 웨이퍼임에도 불구하고, 높은 진성 게터링 능력을 가지고 있다.
또한, 에피택셜 성장 공정 후에는, 선 기어리스 구조의 양면 연마 장치를 이용하여, 에피텍셜막(12)의 표면과 실리콘 웨이퍼(11)의 이면을 동시에 연마한다. 이에 따라, 에피택셜 실리콘 웨이퍼(10)의 평탄도를 높일 수 있음과 더불어, 연마에 필요로 하는 시간을 단축하여, 생산성을 높일 수 있다.
또한, 에피텍셜막(12)의 표면과 실리콘 웨이퍼(11)의 이면은, 동시에 연마하지 않아도 되고, 한쪽면씩 연마해도 된다.
실시예 1에서는, 실리콘 웨이퍼(11)에의 진성 게터링 기능을 부여하는 방법으로서, 용융액(56)에 대한 1×1014atoms/㎤의 질소 원소의 도프를 채용했는데, 이를 대신하여, 용해액(56) 중에 1×1017atoms/㎤로 되는 분량의 탄소 분말을 첨가하 는 방법을 채용해도 된다. 또한, 질소 도프와 탄소 도프의 양쪽을 실시해도 된다.
도 1은 본 발명의 실시예 1에 관한 에피택셜 실리콘 웨이퍼의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예 1에 관한 에피택셜 실리콘 웨이퍼의 제조 방법의 플로우 시트이다.
도 3은 본 발명의 실시예 1에 관한 에피택셜 실리콘 웨이퍼의 제조 방법으로 사용되는 실리콘 단결정 성장 장치의 종단면도이다.
도 4는 본 발명의 실시예 1에 관한 에피택셜 실리콘 웨이퍼의 제조 방법으로 사용되는 선 기어리스 구조의 양면 연마 장치의 사시도이다.
도 5는 본 발명의 실시예 1에 관한 에피택셜 실리콘 웨이퍼의 제조 방법으로 사용되는 선 기어리스 구조의 양면 연마 장치의 종단면도이다.
도 6은 본 발명의 실시예 1에 관한 에피택셜 실리콘 웨이퍼의 제조 방법으로 사용되는 에피택셜 성장 장치의 주요부 확대 단면도이다.
〈도면의 주요부분에 대한 부호의 설명〉
10 : 에피택셜 실리콘 웨이퍼 11 : 실리콘 웨이퍼
12 : 에피텍셜막 44 : 도가니
56 : 용융액 S : 실리콘 단결정
Claims (4)
- CZ법에 의해 인상된 실리콘 단결정을 가공하여 얻어진 직경이 450mm 이상, 비저항이 0.1Ω·cm 이상인 실리콘 웨이퍼의 표면에만, 에피택셜막을 성장시킨 에피텍셜 실리콘 웨이퍼로서,상기 실리콘 웨이퍼가, 진성 게터링(intrinsic gettering) 기능을 가진, 에피택셜 실리콘 웨이퍼.
- 청구항 1에 있어서,상기 실리콘 웨이퍼는, 1×1013∼1×1015atoms/㎤의 질소 원소와, 1×1015∼1×1017atoms/㎤의 탄소 원소 중, 적어도 하나를 포함하는, 에피택셜 실리콘 웨이퍼.
- CZ법에 의해 도가니 내의 용융액으로부터 인상된 실리콘 단결정으로부터 얻어진 비저항이 0.1Ω·cm 이상, 직경이 450mm 이상인 실리콘 웨이퍼의 표면에만, 에피텍셜막을 성장시키는 에피택셜 실리콘 웨이퍼의 제조 방법으로서,(1) 상기 용융액으로의 1×1013∼1×1015atoms/㎤의 질소 원소의 도프,(2) 상기 용융액으로의 1×1015∼1×1017atoms/㎤의 탄소 원소의 도프 중 적어도 하나를 행함으로써, 상기 실리콘 웨이퍼에 진성 게터링 기능을 부여하는, 에 피택셜 실리콘 웨이퍼의 제조 방법.
- 청구항 3에 있어서,상기 에피텍셜막의 성장 후, 상기 에피텍셜막의 표면과 상기 실리콘 웨이퍼의 이면을 동시에 연마하는, 에피택셜 실리콘 웨이퍼의 제조 방법.
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Families Citing this family (10)
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|---|---|---|---|---|
| WO2009150896A1 (ja) * | 2008-06-10 | 2009-12-17 | 株式会社Sumco | シリコンエピタキシャルウェーハ及びその製造方法 |
| JP5304792B2 (ja) * | 2008-08-29 | 2013-10-02 | 新日鐵住金株式会社 | ＳｉＣ単結晶膜の製造方法および装置 |
| US8372196B2 (en) * | 2008-11-04 | 2013-02-12 | Sumco Techxiv Corporation | Susceptor device, manufacturing apparatus of epitaxial wafer, and manufacturing method of epitaxial wafer |
| US9758871B2 (en) * | 2008-12-10 | 2017-09-12 | Sumco Techxiv Corporation | Method and apparatus for manufacturing epitaxial silicon wafer |
| US8673784B2 (en) * | 2009-04-13 | 2014-03-18 | Sumco Corporation | Method for producing silicon epitaxial wafer |
| JP2011082443A (ja) * | 2009-10-09 | 2011-04-21 | Sumco Corp | エピタキシャルウェーハおよびその製造方法 |
| JP5644401B2 (ja) * | 2010-11-15 | 2014-12-24 | 株式会社Sumco | エピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャルウェーハ |
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| JP6269450B2 (ja) * | 2014-11-18 | 2018-01-31 | 信越半導体株式会社 | ワークの加工装置 |
| CN105609406B (zh) * | 2014-11-19 | 2018-09-28 | 株式会社日立国际电气 | 半导体器件的制造方法、衬底处理装置、气体供给*** |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3274190B2 (ja) | 1992-09-26 | 2002-04-15 | 株式会社東芝 | 半導体エピタキシャル基板の製造方法 |
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| JP4600086B2 (ja) * | 2005-02-28 | 2010-12-15 | 信越半導体株式会社 | 多層のエピタキシャルシリコン単結晶ウェーハの製造方法及び多層のエピタキシャルシリコン単結晶ウェーハ |
| JP4983161B2 (ja) * | 2005-10-24 | 2012-07-25 | 株式会社Ｓｕｍｃｏ | シリコン半導体基板およびその製造方法 |
| JP5444607B2 (ja) * | 2007-10-31 | 2014-03-19 | 株式会社Ｓｕｍｃｏ | エピタキシャル膜形成装置用のサセプタ、エピタキシャル膜形成装置、エピタキシャルウェーハの製造方法 |
| JP5012554B2 (ja) * | 2008-02-19 | 2012-08-29 | 株式会社Ｓｕｍｃｏ | エピタキシャルウェーハの製造方法 |
-
2009
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