KR20080100978A - 전자파 차폐층 제조시 무전해도금에 대한 촉매 전구체수지조성물, 이를 이용한 금속패턴 형성방법 및 이에 따라제조된 금속패턴 - Google Patents

전자파 차폐층 제조시 무전해도금에 대한 촉매 전구체수지조성물, 이를 이용한 금속패턴 형성방법 및 이에 따라제조된 금속패턴 Download PDF

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Abstract

본 발명은 전자파 차폐층 제조시 무전해 도금에 대한 촉매 전구체 수지 조성물, 이를 이용한 금속패턴의 형성방법, 이에 따라 제조된 금속패턴 및 금속패턴을 포함하는 전자파 차폐재에 관한 것으로, 본 발명의 촉매 전구체 수지조성물은 유기 고분자 수지; 플루오르화 은이온 유기착화물; 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 다관능 단량체; 광개시제; 및 유기용매를 포함하여 이루어지며, 금속패턴은 본 발명의 촉매 전구체 수지 조성물로 기재에 촉매패턴을 형성한 후, 형성된 촉매패턴을 환원시키고 환원된 촉매패턴에 무전해 도금하여 형성된다. 본 발명의 촉매전구체 수지조성물을 이용하여 금속패턴을 형성하는 경우, 촉매의 혼화성이 우수하여 침전이 없고, 형성된 촉매막의 내화학성과 접착성이 우수하고, 현상 또는 도금공정과 같은 습윤공정 중의 촉매유실이 적고 증착속도가 향상되어, 무전해 도금후 균일하고 미세한 우수한 패턴특성을 갖는 금속패턴이 형성된다. 본 발명의 금속패턴을 갖는 전자파 차폐재는 CRT, PDP, 액정, EL등의 디스플레이 전면에서 발생되는 전자파 차폐막이나 연성 회로기판의 배선형성에 사용될 수 있다.
전자파 차폐, 금속 미세패턴 형성, 플로오르화 은이온 유기 착화물, 카르복시산 관능기 포함하는 아크릴레이트, 질소에 방향족 관능기를 갖는 말레이미드

Description

전자파 차폐층 제조시 무전해도금에 대한 촉매 전구체 수지조성물, 이를 이용한 금속패턴 형성방법 및 이에 따라 제조된 금속패턴{Resin Composition Containing Catalyst Precursor for Electroless Plating in Preparing Electro-Magnetic Shielding Layer, Forming Method of Metallic Patten Using the Same and Metallic Pattern Formed Thereby}
도 1은 본 발명의 일 구현에 따른 포토마스크 공정으로 미세 구리 박막을 형성하는 공정 흐름도이며;
도 2는 실시예 1에 따라 형성된 촉매패턴의 광학현미경사진(배율 x400)이며;
도 3은 실시예 1에 의한 금속패턴의 광학현미경사진(배율 x50)이며;
도 4는 비교예 1에 의한 촉매패턴층의 광학현미경사진(배율 x2000)이며;
도 5는 비교예 2에 의한 금속패턴의 광학현미경사진(배율 x50)이며;
도 6은 비교예 3에 의한 촉매패턴층의 광학현미경사진(배율 x2000)이며;
도 7은 비교예 4에 의한 촉매패턴층의 광학현미경사진(배율 x1200)이다.
본 발명은 전자파 차폐층 형성시 무전해도금에 대한 촉매 전구체 수지조성물, 이를 이용한 금속패턴 형성방법, 이에 따라 형성된 금속패턴 및 형성된 금속패턴을 포함하는 전자파 차폐재에 관한 것이다. 보다 상세하게는 본 발명은 전자파 차폐용 금속패턴 형성에 사용되는, 카르복시기 단량체와 말레이미드 단량체를 포함하는 공중합체 수지 및 플루오르화 은이온 유기착화물을 포함하는 촉매 전구체 수지 조성물, 이를 이용한 금속패턴 형성방법, 이에 따라 형성된 금속패턴 및 형성된 금속패턴을 포함하는 전자파 차폐재에 관한 것이다.
최근 다양한 방식의 디스플레이가 상용화되면서 이러한 디스플레이로부터 발생되는 전자기적인 노이즈(Noise)의 방해현상 (Electronmagnetic Interference:EMI)으로 인한 인체의 유해성 및 기기의 오작동 등이 큰 문제점으로 대두되고 있다. 이러한 문제를 해결하기 위하여 디스플레이의 전면에 도전성 차폐(Shielding)막을 형성하여 전자파의 진행방향을 왜곡 시킨 후, 접지하여 방출시키는 방법이 사용된다.
CRT, PDP 등의 디스플레이 전면으로부터 발생되는 전자파 노이즈의 차폐방법으로, 투명성 기재상에 금속 또는 금속 산화물을 증착하고 얇은 도전성 막을 형성하는 방법이 알려져 있으나, 이러한 방법은 투명성을 제공하기 위해 막을 얇게 증착하여야 하며, 이러한 경우에는 도전층의 표면저항이 너무 커지기 때문에 충분한 전차파 차폐효과를 얻을 수 없다.
가장 일반적으로 사용되는 방법은 금속 호일 에칭(Metal foil etching) 방식으로, 투명기재 위에 동박을 점착하여 노광공정을 하여 포토레지스터 패턴을 얻고, 이에 따른 동박 식각하여 구리 패턴을 만드는 것이다. 그러나 이 방법은 공정이 길고 복잡하며, 많은 양의 금속 폐기물이 나와 친화경적이지 못하다. 또한 공정상 구리패턴의 교점살찜이 필연적인 문제가 되고 있다.
상기와 같은 방법 이외에도 스크린 프린팅, 오프셋 프린팅 등의 프린팅 방식으로 도전성 페이스트를 패턴하고 이를 다시 무전해 도금 처리하여 전자파 차폐막을 형성하는 것이 보고되고 있으나, 이러한 경우에는 인쇄회로의 정밀도에 한계가 있고, 요철 부분으로 도전성 물질들이 스며드는 문제등이 있다.
또한, 사진 현상방법으로 금속층을 형성하고 도금 또는 무전해 도금 처리하는 방법이 제시되어 있으나, 사진 현상방법은 여러층이 필요하고 공정이 복잡한 단점이 있다. 한편, 금속 촉매를 감광성 수지에 혼합하고 현상한 후, 무전해 도금 또는 전해 도금을 행하는 것이 보고되고 있으나, 이러한 방법은 촉매로 고가의 Pd가 사용되며, 강염기 수용액에서의 패턴탈착 등, 무전해 도금시 수반되는 문제에 대한 해결방법들이 구체적으로 제시되어 있지 않다. 또한 무전해 도금의 경우, 증착특성이 향상되지만, 강염기 수용액에서의 패턴탈착등으로 인한 문제에 대하여는 구체적으로 제시하고 있지 않다.
이에, 본 발명은 상기와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 패턴 특성이 우수한 미세패턴의 형성이 가능하고, 현상, 무전해 도금등의 습식공정시 촉매의 유실이 적고, 접착성 및 증착성이 우수한 촉매 전구체 수지 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기 촉매 전구체 수지 조성물을 이용한 금속 패턴의 형성 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 상기 본 발명의 방법으로 형성된 금속패턴 및 이를 포함하는 전자파 차폐재, 연성회로기판, 부품 또는 소자를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 견지에 의하면,
(a) 카르복시기를 갖는 단량체와 질소에 지용성 관능기가 치환된 말레이미드 단량체의 공중합체 수지,
(b) 플루오르화 은이온 유기 착화물,
(c)에틸렌성 불포화 결합을 갖는 다관능성 단량체,
(d) 광개시제, 및
(e) 유기용매를 포함하여 이루어지는 금속 패턴 형성용 촉매 전구체 수지 조성물이 제공된다.
본 발명의 다른 견지에 의하면,
(a) 상기 본 발명에 의한 촉매 전구체 수지 조성물을 이용하여 기재에 촉매패턴층을 형성하는 단계;
(b) 형성된 촉매패턴층을 환원시키는 단계; 및
(c) 환원된 촉매패턴층에 무전해 도금하는 단계를 포함하여 이루어지는 금속패턴 형성방법이 제공된다.
본 발명의 또 다른 견지에 의하면,
(a) 상기 본 발명에 의한 촉매 전구체 수지 조성물을 이용하여 기재에 촉매패턴층을 형성하는 단계;
(b) 형성된 촉매패턴층을 환원시키는 단계; 및
(c) 환원된 촉매패턴층에 무전해 도금하는 단계를 포함하여 이루어지는 방법으로 형성된 금속패턴이 제공된다.
나아가, 본 발명의 또 다른 견지에 의하면,
상기 본 발명에 의한 금속패턴을 포함하는 전자파 차폐재, 연성회로기판, 부품 또는 소자가 제공된다.
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이하, 본 발명에 대하여 상세하게 설명한다.
본 발명자들은 공정이 단순하고, 선폭 20㎛이하의 미세한 금속패턴 형성이 가능하고, 패턴 특성이 매우 우수한 금속 배선 형성방법을 연구한 결과, 플로오르화 은이온 유기 착화물과 카르복시기를 갖는 단량체와 질소에 지용성 관능기가 치환된 말레이미드 단량체를 포함하는 공중합체 고분자 수지를 포함하여 이루어지는 촉매전구체 수지조성물을 사용하므로써 내화학성이 우수하여 강염기를 사용하는 도금공정에서도 안정한 패턴을 얻을 수 있고, 형성된 촉매패턴층의 접착성이 우수하며, 현상 또는 도금공정과 같은 습윤공정 중의 촉매유실이 적어 증착속도가 향상되고, 촉매 전구체와 유기용매 및 수지와의 호환성이 우수하여 침전이 발생하지 않고 일정한 조성이 유지되어 우수한 안정성을 나타내며 패턴성이 우수하여 무전해 도금에 의한 균일한 미세 금속 패턴의 형성이 가능함을 발견하고 본 발명을 완성하게 되었다.
본 발명의 일 구현에 있어서, 본 발명에 따른 촉매 전구체 수지 조성물은 (a) 카르복시기를 갖는 단량체와 질소에 지용성 관능기가 치환된 말레이미드 단량체의 공중합체 수지, (b) 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 다관능성 단량체, (c) 플루오르화 은이온 유기 착화물, (d) 광개시제 및 (e) 유기용매를 포함하여 이루어진다.
본 발명의 촉매 전구체 수지 조성물을 구성하는 유기고분자 수지, 즉, 공중합체 수지는 패턴을 형성하기 위해 염기 현상액에 대한 충분한 용해도를 확보해야 한다. 따라서, 카르복시기를 갖는 단량체를 포함하여 제조된 공중합체 수지가 사용된다. 상기 카르복시기를 갖는 단량체의 예로는 이로써 한정하는 것은 아니지만, 아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산, 이타콘산, 말레인산, 퓨마린산, 모노메틸말레인산, 이소프렌술폰산, 스티렌술폰산 및 5-노보넨-2-카르복실산등을 들 수 있다. 상기 카르복시기를 갖는 단량체는 단독 혹은 2종 이상의 혼합물로 사용될 수 있다.
또한, 본 발명의 촉매 전구체 수지 조성물을 구성하는 유기고분자 수지, 즉, 공중합체 수지는 내화학성 및 촉매전구체의 유실을 최소하기 위하여 질소에 지용성 관능기를 갖는 말레이미드(maleimide) 단량체를 포함하여 제조된 것이 사용된다. 상기 질소에 지용성 관능기를 갖는 말레이미드 단량체의 예로는, 이로써 한정하는 것은 아니지만, N-에틸말레이미드, N-프로필말레이미드, N-메톡시카르보닐말레이미드, N-푸르푸릴말레이미드, N-사이클로헥실말레이미드, N-부틸말레이미드, 2,5-다이옥소-3-피롤린-1-카르복사아마이드, 3,4-다이클로로메틸-피롤-2,5-다이온, N-벤질말레이미드, N-페닐말레이미드, 3-메틸-N-페닐말레이미드, N-(오르소(ortho)-토일)-N-페닐말레이미드, N-(4-플루오르페닐)말레이미드, N-(2,6-자일(xylyl))말레이미드, 3-클로로-1-페닐-파이롤-2,5-다이온, N-(2-클로로페닐)-말레이미드, N-(1-나프탈릴)-말레이미드, 1-(2-트라이플로오루메틸-페닐)-피롤-2,5-다이온 등을 들 수 있다. 상기 질소에 지용성 관능기를 갖는 말레이미드(maleimide) 단량체는 단독으로 혹은 이종 이상이 함께 사용될 수 있다. 특히, 본 발명에 의한 조성물에 포함되 는 공중합체 수지에 단량체로 사용되는 질소에 지용성 관능기를 갖는 말레이미드 단량체로서, 이로서 한정하는 것은 아니나, 내화학성 측면에서 질소에 방향족 관능기를 갖는 말레이미드 단량체가 바람직한 것이다.
본 명세서에서 사용된 '카르복시기를 갖는 단량체와 질소에 지용성 관능기가 치환된 말레이미드 단량체의 공중합체 수지'는 카르복시기를 갖는 단량체와 질소에 지용성 관능기가 치환된 말레이미드 단량체를 포함하여 이루어지는 단량체의 중합에 의해 형성된 공중합체 수지를 뜻하는 것으로, 후술하는 바와 같이 기타, 중합 가능한 불포화결합, 구체적으로는 라디칼 중합이 가능한 불포화 결합을 갖는 단량체를 또한 포함하여 중합된 것을 포함할 수 있는 것으로 이해된다. 상기 중합가능한 불포화결합을 갖는 단량체로서, 중합성 단량체로 투명기재와 흡착력 및 내화학성을 고려하면 방향족 관능기를 갖고 있는 아크릴레이트가 바람직하다.
한편, 바람직하게는 촉매형성층과 기재의 접착력을 향상시키고 열경화를 고려하여, 중합가능한 불포화결합을 갖는 단량체로서, 에폭시기를 갖는 에틸렌성 불포화 화합물이 부가된 공중합체 수지, 보다 바람직하게는 에폭시기와 히드록시기를 갖는 에틸렌성 불포화 화합물이 부가된 공중합체 수지가 사용될 수 있다.
본 발명의 촉매전구체 수지조성물을 구성하는 유기 고분자 수지, 즉 중합체 수지는 상기한 바와 같이, 카르복시기를 갖는 단량체와 질소에 지용성 관능기를 갖는 말레이미드 단량체의 공중합체 수지로서 플루오르화 은이온 착화물과 혼화성(compatibility)이 우수하며 따라서, 촉매전구체 수지 조성물은 우수한 저장성 및 안정성을 나타낸다. 상기 공중합체 수지는 현상성 및 패턴 특성이 확보될 뿐만 아니라 내화학성 또한 우수하므로 포르말린 구리도금조와 같은 강염기 상태에서도 균일하고 우수한 패턴이 형성된다. 또한, 촉매와의 상호작용으로 인하여 공정도중 촉매의 탈착 또는 유실이 최소화되므로 상기 공중합체 수지를 포함하는 본 발명의 촉매전구체 수지조성물로 형성된 촉매패턴 후속 공정에 대한 우수한 안정성을 나타낸다.
상기 공중합체 수지는 중량평균 분자량이 3,000~30,000, 바람직하게는 5,000~15,000인 것이 사용될 수 있다. 공중합체 수지의 중량평균분자량이 3,000 미만인 경우에는, 현상시 경화가 좋지 않으므로 접착특성이 저하되고 우수한 형상의 미세패턴으로 형성되기 어려우며, 분자량이 30,000을 초과하는 경우에는, 현상액에 대한 용해도가 저하되어 패턴 박막의 질이 떨어진다.
상기 공중합체 수지는 산가는 90~450mg KOH/g, 바람직하게는 200~350mg KOH/g인 것이 미세 촉매패턴 형성에 사용되기에 바람직한 것이다. 상기 공중합체 수지의 산가가 90mgKOH/g미만인 경우에는 촉매와의 상용성이 저하되고 알칼리 현상액에 대한 촉매패턴층의 용해도가 낮아 현상이 불량하게 되기 쉽고, 산가가 450mgKOH/g을 초과하는 경우에는, 현상액에 대한 용해도가 너무 높아 단선이나 이탈 등의 패턴불 량이 생기기 쉽다.
상기 질소에 지용성 관능기를 갖는 말레이미드 단량체는 촉매패턴의 내화학성 및 촉매유실 방지면에서 공중합체 수지를 형성하는 총 단량체 100중량부당 5~50중량부, 바람직하게는 10~30중량부로 사용될 수 있다. 질소에 지용성 관능기를 갖는 말레이미드 단량체의 함량이 5중량부 미만인 경우에는 충분한 내화학성을 얻기 힘들어 촉매패턴에 결함이 발생하기 쉽고, 50중량부를 초과하는 경우에는 정교한 패턴폭을 얻기 어렵고 또한 조성물 저장성도 저하된다.
본 발명의 촉매 전구체 수지 조성물을 구성하는 촉매로는 촉매의 안정성, 유기용매와의 호환성, 패턴성, 현상 및 무전해 도금과 같은 습윤 공정에서의 촉매유실, 접착특성, 무전해시 도금특성 및 제조비용 측면에서 플루오르화 은이온 유기 착화물이 사용된다.
촉매로서 은입자를 사용하는 경우에는 조성물 내에 촉매를 균일하게 분산시키는 것이 어렵고, 응집이 발생할 확률이 높으므로 조성물에 계면활성제와 같은 안정제를 첨가하여야 하며, 은입자를 과량으로 사용하는 경우에는 현상성이 저하되어 미세 촉매패턴층을 형성하기 어렵고 또한, 접착특성이 저하될 수 있다.
무기 은염은 수용액에 용해되어 현상이나 무전해 도금시 유실될 수 있으며, 또 한, 유기용매 및 수지와의 혼화성(compatibility), 무전해 도금의 증착특성 및 촉매패턴층의 접착특성이 저하될 수 있다.
은이온 유기 착화물는 유기용매와의 혼화성(compatibility)이 저조하므로 촉매패턴을 형성하기 위한 조성물의 안정성이 저하되고, 따라서, 촉매패턴 형성시 균일하게 코팅되지 않고 균일한 미세 촉매패턴으로 형성되기 어려운 문제가 있다.
따라서, 본 발명의 촉매전구체 수지 조성물에서는 촉매 전구체 물질로서, 안정성, 접착성, 증착성이 무기 은염보다 우수한 플루오르화 은이온 유기 착화물이 사용된다.
플루오르화 은이온 유기 착화물은 상기 공중합체 수지 및 유기용매와의 혼화성이 우수하기 때문에 촉매 전구체 수지 조성물이 안정하고, 매우 우수한 촉매 형상 패턴으로 형성되고 또한 물에 대한 용해도가 낮아 습식 공정에서 촉매의 손실이 잘 일어나지 않는 것으로 여겨진다. 뿐만 아니라 염기성 수용액인 무전해 도금용액에서 수지 조성물중 촉매와 기재상의 흡착력이 증대되고 균일한 증착막을 얻을 수 있다.
본 발명의 수지 조성물에 사용될 수 있는 플루오르화 은이온 유기 착화물로는, 이로써 제한하는 것은 아니나, 크게 플루오르화 은아세테이트계, 플루오르화 은설 폰네이트계, 플루오르화 β-카르보닐케톤계 실버(I)착화물 및 플루오르화 β-카르보닐에스테르계실버(I)착화물을 포함하며, 이로부터 선택된 플루오르화 은이온 유기착화물이 일종 혹은 2종 이상의 혼합물로 사용될 수 있다.
구체적으로는 은(I)플루오르설페이트, 은(I)트리플루오르아세테이트, 은(I)트리플루오르메탄술페이트, 은(I)펜타플루오르프로피온네이트, 은(I)헵타플루오르부티레이트 등을 들 수 있다.
상기 플루오르화된 은이온 유기 착화물의 예로는 이로써 한정하는 것은 아니지만, 1,5-사이클로옥타다이엔-헥사플루오르아세틸아세토네이토실버(I) 착화물, 1,1,1-트리플루오르-2,4-펜타다이온나토실버(I)착화물, 5,5-다이메틸-1,1,1-트리플루오르-2,4-헥산다이온네이토실버(I)착화물, 1-(4-메토시페닐)-4,4,4-트리플루오르부탄다이온네이토실버(I)착화물, 5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,11,11,12,12,12-헵타데카플루오르데칸-2,4-다이온네이토실버(I)착화물 1,1,1,2,2,3,3-헵타플루오르-7,7-다이메틸-4,6-옥탄다이온네이토실버(I)착화물, 1,1,1,3,5,5,5-헵타플루오르펜탄-2,4-다이온네이토실버(I)착화물, 1,1,1,5,5,5-헥사플루오르펜탄-2,4-다이온네이토실버(I)착화물, 5,5,6,6,7,7,8,8,8-노나플루오르옥탄-2,4-다이온네이토실버(I)착화물, 5H,5H-퍼플루오르노난-4,6-다이온네이토실버(I)착화물, 6H,6H-퍼플루오르-운데칸-5,7-다이온네이토실버(I)착화물, 8H,8H-퍼플루오르펜타데칸-7,8-다이온네이토실버(I)착화물, 6H,6H-퍼플루오르운데칸-5,7-다이온네이토실버(I)착화물, 1-페닐- 2H,2H-퍼플루오르헥산-1,3-다이온네이토실버(I)착화물, 1-페닐-2H,2H-퍼플루오르운데칸-1,3-다이온네이토실버(I)착화물, 5,6,6,6-테트라플루오르-5-(헵타플루오르프로폭시)헥산-2,4-다이온네이토실버(I)착화물, 1,1,5,5-테트라플루오르펜탄-2,4 다이온네이토실버(I)착화물, 5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,9-운데칸플루오르-노난-2,4-다이온네이토실버(I)착화물, 에틸 3-클로로-4,4,4-트리플루오르아세토아세테이토실버(I)착화물, 에틸-4,4-디플루오르아세토아세테이토실버(I)착화물, 에틸-4,4,4-트리플루오르아세토아세테이토실버(I)착화물, 이소프로필-4,4,4-트리플루오르아세토아세테이토실버(I)착화물, 메틸-4,4,5,5,5-펜타플루오르-3-옥소펜타노네이토실버(I)착화물, 에틸-4,4,5,5,5-펜타플루오르-3-옥소-펜타노네이토실버(I)착화물 및 1,1,1,5,5,6,6,6-옥타플루오르-2,4-헥산다이오네이토실버(I)착화물 등을 들 수 있다. 상기 플루오르화된 은이온 착화물은 단독으로 혹은 이종 이상의 혼합물로 함께 사용될 수 있다.
본 발명의 촉매 전구체 수지 조성물중 상기 플루오르화 은이온 유기착화물의 양은 촉매 전구체 수지 조성물중 총 유기 고형분 100중량부에 대하여 2~40중량부, 바람직하게는, 5~20중량부로 사용될 수 있다. 본 발명의 수지 조성물에 있어서 플루오르화 은이온 유기착화물의 함량이 2중량부 미만이면 촉매의 양이 충분하지 않아 무전해 도금시 금속의 증착속도가 현저하게 느리고, 촉매패턴상에 균일한 금속박막이 형성되기 어렵다. 반면 플루오르화 은이온 유기착화물의 양이 40중량부를 초과하면, 조성물의 저장성, 촉매 패턴의 현상성 및 접착특성이 저하되어 균일한 미세 촉매 패턴을 형성하기 어려울 뿐만 아니라, 촉매패턴위에 미세 금속박막의 형성이 곤란해진다.
본 발명의 촉매 전구체 수지 조성물을 구성하는 에틸렌성 불포화 결합 함유 다관능 단량체는 광경화를 촉진하고 현상성을 향상시키며, 무전해 도금시 촉매 형성막의 접착성, 내화학성등이 향상되도록 사용된다.
상기 에틸렌성 불포화 결합 함유 다관능성 단량체의 예로는, 이로써 한정하는 것은 아니지만, 에틸렌글리콜디아크릴레이트, 에틸렌글리콜디메타크릴레이트, 에틸렌기의 수가 2~14인 폴리에틸렌글리콜 디아크릴레이트, 또는 폴리에틸렌글리콜 디메타크릴레이트, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리메타크릴레이트, 펜타에리스리톨 트리아크릴레이트, 펜타에리스리톨 트리메타크릴레이트, 펜타에리스리톨 테트라아크릴레이트, 펜타에리스리톨 테트라메타크릴레이트, 프로필렌기의 수가 2~14인 프로필렌글리콜디아크릴레이트, 또는 프로필렌글리콜디메타크릴레이트, 디펜타에리스리톨펜타아크릴레이트, 디펜타에리스리톨 펜타메타크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사메타크릴레이트 등의 다가 알코올과 α,β-불포화 카르복실산을 에스테르화하여 얻어지는 화합물; 트리메틸올프로판 트리글리시딜에테르 아크릴산 부가물, 비스페놀 A 디글리시딜에테르 아크릴산 부가물등의 글리시딜기를 함유하는 화합물에 아크릴산 또는 메타아크릴산을 부가하여 얻어지는 화합물; β-히드록시에틸아크릴레이트 또는 β-히드록시 에틸메타크릴레이트의 프탈산에스테르, β-히드록시에틸 아크릴레이트 또는 β-히드록시에틸메타크릴레이트의 톨루엔디이소시아네이트등의 부가물과 같이 수산화기 또는 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 화합물과 멀티(multi, 다수의) 카르복실산과의 에스테르 화합물, 또는 멀티(multi) 폴리이소시아네이트와의 부가물 등을 들 수 있다. 상기 에틸렌성 불포화 결합을 함유하는 멀티(multi, 다수의) 작용성 단량체는 단독으로 혹은 이종 이상의 혼합물로 사용될 수 있다.
상기 에틸렌성 불포화 결합 함유 다관능성 단량체는 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 관능기수가 3이상인 것이 미세 촉매패턴의 형상 및 무전해 도금시 내화학성 및 접착성 면에서 바람직하다.
상기 에틸렌성 불포화 결합 함유 다관능성 단량체의 함량은 상기 공중합체 수지 100중량부에 대하여 20~150중량부 일 수 있다. 에틸렌성 불포화 결합 함유 다관능성 단량체의 함량이 20중량부 미만이면, 충분히 경화되지 않아, 촉매에 의한 미세패턴 형성이 어렵고 무전해 도금시 용해 및 박리 등의 불량이 발생할 수 있으며, 150중량부를 초과하면, 코팅성이 감소되고 내부까지 균일하게 경화되지 않아 미세 촉매 패턴을 형성하기 어렵다.
본 발명의 촉매 전구체 수지 조성물을 구성하는 광개시제는 이 기술분야에서 사용가능한 것으로 일반적으로 알려져 있는 것이 사용될 수 있으며, 그 종류를 특 히 제한하는 것으로 아니나, 예를들어, 아세토페논류, 벤조페논류, 미히라(Michler) 벤조일벤조에이트, α-아밀록심에스테르, 티옥산톤류 및 트리아진류로 구성되는 그룹으로부터 선택된 최소 일종의 광개시제가 사용될 수 있다.
아세토페논류의 예로는 이로써 한정하는 것은 아니지만, 2-벤질-2-(디메틸아미노)-1-[4-(4-모르폴리닐)페닐]-1-부타논)((2-Benzyl-2-(dimethylamino)-1-[4-(4-morpholinyl)phenyl]-1-butanone, IRGACURE 369), α,α-디메톡시-α-페닐아세토페논(α, α-dimethoxy-α-phenylacetopheone, IRGACURE 651), IRGACURE 1300 (IRGACURE 369 (30wt%)+IRGACURE 651(70wt%)), 1-벤조일시클로-헥사놀(1-Benzoylcyclohexanol, IRGACURE 184), 2,2'-디메톡시-2-페닐-아세토페논(2,2'-Dimethoxy-2-phenyl-acetophenone, DMPA), 2,2-디에톡시아세토페논(2,2-diethoxyacetophenone, DEAP), 4-메틸메르캅토-α,α-디메틸-모르폴리노 아세토페논(4-Methylmercapto-α,α-dimethyl-morpholino acetophenone)을 포함할 수 있다.
상기 벤조페논류로는 이로써 한정하는 것은 아니지만, 1-페닐-1,2-프로판디온-2-0-벤조일옥심(1-Phenyl-1,2-Propanedione-2-O-benzoyloxime, PPO), 에타논, 1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-1-O-아세틸옥심(Ethanone, 1-[9-ethyl-6-(2-methylbenzoyl)-9H-carbazol-3-yl]-1-(O-acetyloxime)(CGI242)을 포함할 수 있다.
상기 티옥산톤류로는 이로써 한정하는 것은 아니지만, 2-클로로티오-잔탄(2-Chlorothio-xanthane) 및 2-이소프로필티오잔탄(2-isopropylthioxanthane)을 포함할 수 있다.
상기 트리아진류로는 이로써 한정하는 것은 아니지만, 3-{4-[2,4-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진-6-일]페닐티오}프로피온산(TPA)을 포함할 수 있다.
상기 광개시제는 상기 공중합체 수지 100 중량부에 대하여 1 내지 25 중량부, 바람직하게는 5~20 중량부로 사용될 수 있다. 광개시제 함량이 1중량부 미만이면 촉매패턴층이 형성되지 않으므로 바람직하지 않고, 25중량부를 초과하면 패턴의 정확성이 저하되므로 바람직하지 않다.
또한, 필요에 따라, 본 발명의 수지조성물에 광증감제가 상기 공중합체 수지와 광개시제의 혼합량 100중량부에 대하여 10중량부 이하, 바람직하게는 0.1-10 중량부로 사용될 수 있다. 광증감제 첨가량이 10중량부를 초과하면 패턴의 정확성이 저하되므로 바람직하지 않다.
광증감제 또한, 이 기술분야에서 사용가능한 것으로 일반적으로 알려져 있는 것 이 사용될 수 있으며, 그 종류를 특히 제한하는 것으로 아니나, 예를들어, n-부틸아민, 트리에틸아민 및 트리-n-부틸포스파인으로 구성되는 그룹으로부터 선택된 최소 일종의 광증감제가 사용될 수 있다.
본 발명의 촉매 전구체 수지 조성물 구성하는 용매는 특별히 제한되지는 않으나, 예를들어, 메탄올, 에탄올, n-프로판올, 이소프로판올, 에틸렌글리콜, 또는 프로필렌글리콜과 같은 알코올류; 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로헥사논, 또는 n-메틸-2-피롤리돈과 같은 케톤류; 톨루엔, 크실렌, 또는 테트라메틸벤젠과 같은 방향족 탄화수소류; 셀로솔브, 메틸셀로솔브, 에틸셀로솔브, 3-메톡시프로필아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜 에틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 또는 디프로필렌 글리콜에틸 에테르와 같은 글리콜에테르류; 에틸아세테이트, 부틸아세테이트, 셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 부틸셀로솔브아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 또는 프로필렌글리콜에틸에테르 아세테이트와 같은 아세테이트류; N,N-다이메틸아세트아마이드, N,N-다이메틸포름아마이드, 아세토나이트라이드와 같은 아마이드류등으로 구성되는 그룹으로부터 선택된 최소 1종 이상이 사용될 수 있다.
나아가, 상기 본 발명의 촉매 전구체 수지 조성물은 이로써 한정하는 것은 아니지만, 이 기술분야에 촉매전구체 수지 조성물 제조시 필요에 따라 일반적으로 사용될 수 있는 습윤제, 접착증진제등의 첨가제를 필요에 따라 추가로 포함할 수 있다.
상기 촉매 전구체 수지 조성물은 고형분 함량이 10~50중량%일 수 있다. 고형분 함량이 50중량%를 초과하면, 점도가 높아져 균일하게 코팅되지 않으며, 고형분 함량이 10중량% 미만이면, 두께가 얇아져 박막의 기계적 강도가 떨어지게 되므로 바람직하지 않다.
본 발명의 다른 구현에 있어서, 상기 본 발명에 의한 금속 촉매 전구체 수지 조성물을 이용한 금속 패턴 형성방법이 제공된다. 본 발명에 의한 금속패턴은 기재에 상기 본 발명의 금속 촉매 전구체 수지 조성물을 사용하여 패턴을 형성하여 촉매층을 형성한 후, 촉매를 환원시키고 환원된 촉매패턴층에 무전해 도금하므로써 형성된다.
본 발명에서 기재로는 투명성 전자파 차폐재를 제조하기 위하여 투명 기재를 사용하는 것이 바람직하며, 구체적으로, 이로써 한정하는 것은 아니지만, 유리, 폴리카보네이트, 아크릴 수지, PET, TAC(Tri acetyl cellulose), 폴리염화비닐수지, 폴리아마이드 수지, 폴리이미드 수지, 에폭시 수지 등의 플리스틱 시트 또는 플리스틱 필름등이 사용될 수 있다. 기타 기재의 두께등은 이 기술분야에서 일반적인 것으로 특히 한정되지 않는다.
상기 기재에 본 발명에 의한 촉매 전구체 수지 조성물을 이용하여 촉매막 패턴을 형성한다. 촉매패턴은 노광 및 현상에 의한 패턴형성방법(포토리소그라피법), 오프 셋 프린팅, 잉크젯 프린팅, 임프린트 또는 스크린프린팅법등이 사용될 수 있다. 매우 우수한 미세 금속 패턴으로 형성되는 노광 및 현상에 의한 패턴형성방법(포토리소그라피법)으로 패턴을 형성하는 것이 보다 바람직하다.
패턴을 형성하는 방법중 노광 및 현상하여 패턴을 형성하는 경우, 먼저 상기 기재에 본 발명의 수지 조성물을 도포하여 금속 촉매 전구체 수지막을 형성한다. 도포방법은 특별히 제한되지 않으며, 도포액의 특성이나 도포량에 따라 달라질 수 있다. 도포는, 이로써 한정하는 것은 아니지만, 예를들어, 롤 코팅, 그라비아 코팅, 딥 코팅, 바 코팅, 스프레이 코팅, 또는 스핀 코팅 등의 통상의 코팅방법으로 행할 수 있다.
그 후, 코팅된 금속 촉매 전구체 수지막을 노광 및 현상하여 촉매패턴을 형성한다. 노광 및 현상 공정은 일반적으로 알려져 있는 방법으로 행할 수 있다. 예를들어, 노광 공정으로서 노광 패턴을 가지는 마스크를 이용하여 접촉 또는 비접촉 노광 방식으로 노광시킬 수 있다. 노광공정에서 광원으로는 할로겐 램프, 고압 수은등, 메탈 할라이드 램프등의 통상의 광원이 사용될 수 있다. 현상은 스프레이법 또는 침지법을 사용하여 행할 수 있다.
상기 촉매패턴 형성은 또한, 상기한 바와 같이 오프셋프린팅, 잉크젯프린팅, 임프린트 또는 스크린프린팅의 방법으로 형성될 수 있다.
상기 형성된 촉매막 패턴은, 이로써 한정하는 것은 아니지만, 라인의 폭이 30㎛ 이하, 바람직하게는 20㎛ 이하인 것이 바람직하다. 또한 본 발명의 촉매 형성 조성물은 10㎛ 이하의 미세 패턴 형성에 충분히 적용가능하다. 노광 및 현상 공정 후, 패턴이 없는 공간의 비율(개구율)이 60%이상, 더욱 바람직하게는 70% 이상인 것이 적당하다.
상기와 같이 촉매 패턴을 형성한 후에 무전해 도금 특성을 향상시키기 위하여 플루오르화 은이온 유기 착화물 전구체를 환원시킨다.
상기 플루오르화 은이온 유기착화물 전구체의 환원은 이 기술분야에서 일반적으로 적용가능한 어떠한 방법으로 행할 수 있으며, 이로써 제한하는 것은 아니지만, 예를들어, 환원제를 사용하거나 열 및/또는 UV 노광으로 환원처리할 수 있다.
환원제를 사용하는 경우, 이 기술분야에 일반적으로 알려져 있는 환원제가 사용될 수 있으며, 이로써 한정하는 것은 아니지만, 예를들어, 소듐보레인하이드라이드(NaBH4)나 아스코르브산(Ascorbic acid) 수용액을 사용할 수 있다.
한편, 플루오르화 은이온 유기착화물 전구체는 종류에 따라, 무전해 도금시 무전해 도금 용액에 의해 자발적으로 환원될 수도 있으나, 무전해 도금용액에 의한 환원은 충분하지 못하므로, 이 경우에도 플루오르화 은이온 유기착화물 전구체의 환원공정을 필요로 한다.
환원제 수용액은 약 0.01-1.0M의 농도인 것을 사용하는 것이 바람직하다. 환원제 수용액의 농도가 0.01M 미만이면 환원력이 충분하지 않아 은이온 유기착화물이 충분히 환원되지 않으며, 1.0M을 초과하는 경우에는 환원정도를 제어하기 어렵고 촉매 패턴막이 손상될 염려가 있다. 환원제 수용액은 스프레이 방식 또는 침지 방식으로 적용될 수 있다.
UV 노광 또는 열을 이용한 환원방법은 습식 공정이 아니므로 촉매의 유실 방지면에서 바람직하고, 특히, 본 발명에 의한 유기 은 착화물의 경우에는 UV 노광에 의하여 촉매가 활성화되므로 UV노광에 의한 환원이 더욱 바람직하다.
상기 촉매패턴층 형성시, 필요에 따라 코팅후에, 전열경화(pre-bake) 및/또는 현상한 후에 후열경화(post-bake)할 수 있으며, 이러한 공정은 이 기술분야에서 일반적이며, 필요에 따라 행할 수 있는 것으로 이로써 본 발명을 한정하는 것은 아니다.
상기와 같이 본 발명에 의한 촉매 전구체 수지 조성물을 사용하여 기재에 촉매패턴층을 형성하고 환원처리한 후 다음에 그 위에 무전해 도금하여 금속패턴을 형성한다. 무전해 도금은 특히 한정되는 것은 아니며, 이 기술분야에 일반적으로 알려져 있는 어떠한 무전해 도금 방법으로 행할 수 있다. 본 발명에서는 구리도금 또는 은도금을 행할 수 있으며, 가격 및 전자파 차폐 성능 측면에서 구리 도금하는 것이 바람직하다.
무전해 구리도금은 예를들어, 종래 일반적으로 알려져 있는 도금액을 사용하여 행할 수 있으며, 이로써 한정하는 것은 아니지만, 예를들어, 황산동와 같은 금속 이온염, 포르말린 같은 환원제, EDTA 같은 착화제 및 미량의 기타 첨가제를 포함하는 공지의 도금액을 이용하여 행할 수 있다.
상기 본 발명에 의한 방법으로 형성되는 금속패턴을 포함하는 최종 전자파 차폐막에서 촉매패턴층과 금속층의 총 두께는 도금욕의 금속염 또는 금속 이온 농도, 도금 온도, 증착 시간등에 의하여 제어할 수 있다.
촉매패턴층 및/또는 금속층의 두께는 패턴의 폭등에 따라 다양하게 변할 수 있는 것으로 이 기술분야의 기술자는 필요에 따라 적합한 두께가 되도록 촉매패턴층 및/또는 금속층의 두께를 조절할 수 있는 것으로 이로써 한정하는 것은 아니지만, 촉매패턴층과 금속층의 총 두께는 0.3㎛ 이상, 바람직하게는 0.5 ㎛ 이상, 더욱 바람직하게는 1㎛ 이상, 보다 더 바람직하게는 1-8㎛일 수 있다. 촉매패턴층과 금속층의 총 두께가 0.3㎛미만이면, 기계적 강도가 충분하지 않고, 전도도가 충분하지 않아 차폐특성이 저하될 수 있다. 촉매패턴층과 금속층의 총 두께가 8㎛을 초과하면, 두께가 너무 두꺼워져서 후공정 처리에 바람직하지 않다. 또한, 상기 촉매패턴층과 금속층의 총 두께중 금속층의 두께는 전도도 및 전자파 차폐성등을 고려하여 최소 0.1㎛(100㎚)인 것이 바람직하다.
이와 같이, 본 발명에 따른 카르복시기를 갖는 단량체와 질소에 지용성 관능기를 갖는 말레이미드 단량체로된 공중합체 수지 및 플루오르화 은이온 유기 착화물을 포함하는 촉매 전구체 수지 조성물을 사용하여 형성된 금속패턴은 촉매패턴층의 접착성이 우수하고, 현상 또는 도금공정과 같은 습윤공정중의 촉매 유실이 적고, 증착속도가 향상되어 무전해 도금으로 균일하고 미세한 금속패턴을 형성할 수 있다.
상기 본 발명에 의한 방법으로 얻어진 금속패턴은 우수한 전자파 차폐능을 갖는 것으로, CRT, PDP, 액정, EL 등의 디스플레이 전면으로부터 발생되는 전자파 차폐재, 금속패턴을 포함하는 부품 또는 소자, 구체적으로는 PDP용 EMI 필름, 및 연성 회로 기판의 배선 형성등에 사용하기에 적합한 것이다.
이하, 실시예를 통하여 본 발명에 대하여 보다 상세히 설명한다. 다만, 하기 실시예로서 본 발명을 한정하는 것은 아니다.
[실시예]
실시예 1:
A. 유기 고분자 수지 (중합체 수지)의 제조
250mL 플라스크에 5.0g MMA (메틸 메타아크릴레이트), 3.0g NPMI (N-페닐 말레이미드), 8.0g MAA (메틸 메타아크릴산), 2.0g BzMA(벤질 메타아크릴레이트), 2.0g 스티렌을 3-MBA(3-메톡시부틸아세테이트)과 DPM (디프로필렌글리콜 모노메틸 에테르)가 1:1 중량비로 혼합된 용매 60.33g에 녹인 후, 0.4g 3-MPA(3-메르캅토프로피온산)를 첨가하여 500rpm으로 교반하였다. 이 혼합용액을 질소분위기하에서 60℃로 승온시킨 후, 1시간 동안 교반하였다. 그 후, 0.6g V-65 (2,2'-아조비스(2,4-디메틸 발레로니트릴)을 상기 사용한 3-MBA와 DPM의 혼합용매 5.0g에 녹인 용액을 60℃에서 상기 혼합용액에 첨가해 준 후, 4시간 동안 60℃에서 반응을 수행하였다. 이와 같이 얻어진 유기 고분자 수지의 산가는 292.23 mgKOH/g, 중량 평균 분자량은 8,616 이었다.
B. 촉매 전구체 수지조성물의 제조
상기 A에서 얻어진 고분자 수지 용액 28.7055g, DPHA(디펜타에리스리톨 헥사-아크릴레이트)용액(50wt% in PGMEA) 12.5006g, 광개시제 IRGACURE2010(α-Hydroxyketone) 0.8651g, 실버트리플루오로아세테이트(AgO2CCF3) 1.2856g, 접착 증진제로 KBM 503, 0.2093g, 습윤제(Wetting agent)로 BYK 331(BYK-Chemi사) 10wt% MEK 용액 0.2417g, 추가 용매로 MEK(메틸에틸케톤) 26.1921g을 혼합하여 교반기로 500rpm으로 교반하여 촉매조성물 70.0000g을 얻었다. 본 실시예에서 제조된 조성물의 고형분 함량은 23.17wt% 였다.
C. 미세 금속패턴 형성
도 1에 도시하고 다음에 기술한 공정단계 및 조건으로 상기 제조된 촉매 전구체 수지조성물을 사용하여 금속 패턴을 형성하였다.
(1) 코팅: 두께 100um의 PET 필름에 Gap size 10μm Meyer bar를 이용하여 상기 B에서 제조된 촉매 전구체 수지 조성물을 750nm 두께로 바코팅하였다.
(2) 전열경화(pre-bake): 바코팅 후, 100℃로 90초 동안 전열경화하였다.
(3) 노 광: 접촉방식으로 포토마스크(20㎛ 메쉬패턴)를 통해 약 375nm 파장의 자외선을 195 mJ/Cm2 에너지로 조사하여 상기 촉매 패턴을 노광시켰다.
(4) 현 상: ENF사의 ECD-100(pH 13의 염기성 수용액)(다른 출원준비건과 동일하게 기재하였습니다.)을 상기 노광된 촉매패턴상에 144초 동안 스프레이 방식으로 분무하고 초순수(DI)로 세정하고 질소를 블로잉하여 현상하였다.
(5) 후열경화(post-bake): 현상 후, 100℃로 300초동안 후열경화하였다.
(6) 환 원: 후열경화된 촉매패턴에 330~500nm 의 파장영역의 자외선을 3.6 J/Cm2 에너지를 조사하여 촉매 금속을 환원시켰다.
(7) 구리 무전해 도금: ATOTECH 사의 Covertron 구리도금액(Copper Bath)를 사용하여 60℃에서 10분간 행하였다.
상기 본 실시예의 방법으로 형성된 촉매패턴의 광학현미경사진을 도 2에 그리고 금속패턴의 광학현미경사진을 도 3에 각각 도시하였으며, 본 실시예에서 형성된 금속패턴의 선폭은 20㎛이었다.
실시예 2
A. 유기 고분자 수지의 제조
250mL 플라스크에 3.0g MMA(Methyl methacrylate), 3.0g NPMI(N-Phenyl maleimide), 6.0g MAA(Methyl methacrylic acid), 2.0g BzMA(Benzyl methacrylate), 2.0g 스티렌을 3-MBA: DPM (50:50중량비 용액) 60.33g에 녹인 후, 0.4g 3-MPA(3-mercaptopropionic acid)를 첨가하여 500rpm으로 교반하였다. 이 혼합용액을 질소 분위기하에서 60℃로 승온시킨 후 1시간 동안 500rpm으로 교반하였다. 0.6g V-65을 앞서 사용한 3-MBA와 DPM의 혼합용매 5.0g에 녹인 용액을 60℃의 상기 혼합용액에 첨가해 준 후, 4시간 동안 60℃에서 반응을 수행하였다. 이와 같이 얻어진 유기 고분자 수지의 산가는 222.37 mgKOH/g, 중량 평균 분자량은 9,314 이었다.
B. 촉매 전구체 수지조성물의 제조
상기 실시예 2의 A에서 제조된 유기 고분자수지를 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1의 촉매 전구체 수지조성물 제조와 동일한 방법으로 촉매 전구체 수지조성물을 제조하였다. 본 실시예에서 제조된 조성물의 고형분 함량은 23.17wt% 였다.
C. 미세 금속패턴 형성
상기 실시예 2의 B에서 제조된 촉매 전구체 수지조성물을 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1의 미세 금속패턴 제조와 동일한 방법으로 촉매 미세 금속패턴을 형성하였다.
실시예 3
A. 유기 고분자 수지의 제조
250mL 플라스크에 5.0g MMA, 4.0g NPMI, 7.0g MAA, 2.0g BzMA, 2.0g 스티렌을 3-MBA: DPM (50:50중량비의 혼합용액) 60.33g에 녹인 후, 0.4g 3-MPA을 첨가하여 교반하였다. 이 혼합용액을 질소 분위기 하에서 60℃로 승온 시킨 후 1시간 동안 교반하였다. 0.6g V-65을 앞서 사용한 3-MBA와 DPM의 혼합용매 5.0g에 녹인 용액을 60℃에서 상기 혼합용액에 첨가해 준 후, 4시간 동안 60℃에서 반응을 수행하였다. 이와 같이 얻어진 유기 고분자 수지의 산가는 241.60 mgKOH/g, 중량 평균 분자량은 8,670 이었다. 본 실시예에서 제조된 조성물의 고형분 함량은 23.17wt% 였다.
B. 촉매 전구체 수지조성물의 제조
상기 실시예 3의 A에서 제조된 유기 고분자수지를 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1의 촉매 전구체 수지조성물 제조와 동일한 방법으로 촉매 전구체 수지조성물을 제조하였다.
C. 미세 금속패턴 형성
상기 실시예 3의 B에서 제조된 촉매 전구체 수지조성물을 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1의 미세 금속패턴 제조와 동일한 방법으로 촉매 미세 금속패턴을 형성하였다.
비교예 1
A. 지용성 유기 고분자 수지의 제조
상기 실시예 1의 A와 동일한 방법으로 유기 고분자 수지 용액을 제조하였다.
B. 촉매 전구체 수지조성물의 제조
상기 비교예 1의 A에서 제조된 유기 고분자 수지 용액 28.7055g을 DPHA 용액(50wt% in PGMEA) 12.5006g, 광개시제 IRGACURE2010 0.8651g, 실버아세틸아세토네이트([CH3COCH=C(O-)CH3]Ag) 1.2856g, 접착 증진제로 KBM 503 0.2093g, 습윤제로 BYK 331 10wt% MEK 용액 0.2417g, 추가 용매로 MEK 26.1921g을 혼합하여 교반기를 통해 교반 후 촉매 전구체 수지조성물 70.0000g을 얻었다.
C. 미세 금속패턴 형성
상기 비교예 2의 B에서 제조된 촉매 전구체 수지조성물을 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1의 미세 금속패턴 제조와 동일한 방법으로 촉매 미세 금속패턴을 형성하였다. 촉매패턴을 도 4에 나타내었으며, 선폭은 5㎛이었다.
비교예 2
A. 지용성 유기 고분자 수지의 제조
250mL 플라스크에 8.0g MMA, 8.0g MAA, 2.0g BzMA, 2.0g 스티렌을 3-MBA: DPM (50:50중량비의 혼합용액) 60.33에 녹인 후, 0.4g 3-MPA를 첨가하여 500rpm으로 교반하였다. 이 혼합용액을 질소분위기하에서 60℃로 승온시킨 후 1시간 동안 500rpm으로 교반하였다. 0.6g V-65을 앞서 사용한 3-MBA와 DPM의 혼합용매 5.0g에 녹인 용액을 60℃의 혼합용액에 첨가해 준 후, 4시간 동안 60℃에서 반응을 수행하였다. 이와 같이 얻어진 유기 고분자 수지의 산가는 295.09 mgKOH/g, 중량 평균 분자량은 10,514이었다.
B. 촉매 전구체 수지조성물의 제조
상기 비교예 2의 A에서 제조된 유기 고분자수지를 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1의 촉매 전구체 수지조성물 제조와 동일한 방법으로 촉매 전구체 수지조성물을 제조하였다.
C. 미세 금속패턴 형성
상기 비교예 2의 B에서 제조된 촉매 전구체 수지조성물을 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1의 미세 금속패턴 제조와 동일한 방법으로 촉매 미세 금속패턴을 형성하였다. 금속패턴을 도 5에 나타내었다.
비교예 3
A. 지용성 유기 고분자 수지의 제조
250mL 플라스크에 5.0g MMA, 3.0g NPMI, 8.0g MAA, 2.0g BzMA, 2.0g 스티렌을 3-MBA: DPM (50:50중량비 혼합용액) 60.33g에 녹인 후, 1.2g 3-MPA를 첨가하여 500rpm으로 교반하였다. 이 혼합용액을 질소 분위기 하에서 60℃로 승온시킨 후 1시간 동안 500rpm으로 교반하였다. 0.6g V-65을 앞서 사용한 3-MBA와 DPM의 혼합용매 5.0g에 녹인 용액을 60℃의 혼합용액에 첨가해 준 후, 4시간 동안 60℃에서 반응을 수행하였다. 이와 같이 얻어진 유기 고분자 수지의 산가는 279.44 mgKOH/g, 중량 평균 분자량은 2,402 이었다.
B. 촉매 전구체 수지조성물의 제조
상기 비교예 3의 A에서 제조된 유기 고분자수지를 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1의 촉매 전구체 수지조성물 제조와 동일한 방법으로 촉매 전구체 수지조성물을 제조하였다.
C. 미세 금속패턴 형성
상기 비교예 3의 B에서 제조된 촉매 전구체 수지조성물을 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1의 미세 금속패턴 제조와 동일한 방법으로 촉매 미세 금속패턴을 형성하였다. 촉매패턴을 도 6에 나타내었으며, 선폭은 5㎛이었다.
비교예 4
A. 지용성 유기 고분자 수지의 제조
250mL 플라스크에 1.0g MMA, 3.0g NPMI, 16.0g MAA을 3-MBA: DPM (50:50중량비의 혼합용액) 60.33g에 녹인 후, 0.4g 3-MPA를 첨가하여 교반하였다. 이 혼합용액을 질소 분위기 하에서 60℃로 승온시킨 후 1시간 동안 500rpm으로 교반하였다. 0.6g V-65을 앞서 사용한 용매 5.0g에 녹인 용액을 60℃의 상기 사용한 것과 동일한 3-MBA와 DPM 의 혼합용매에 첨가해 준 후, 4시간 동안 60℃에서 반응을 수행하였다. 이와 같이 얻어진 유기 고분자 수지의 산가는 576.69 mgKOH/g, 중량 평균 분자량은 4,302이었다.
B. 촉매 전구체 수지조성물의 제조
상기 비교예 4의 A에서 제조된 유기 고분자수지를 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1의 촉매 전구체 수지조성물 제조와 동일한 방법으로 촉매 전구체 수지조성물을 제조하였다.
C. 미세 금속패턴 형성
상기 비교예 4의 B에서 제조된 촉매 전구체 수지조성물을 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1의 미세 금속패턴 제조와 동일한 방법으로 촉매 미세 금속패턴을 형성하였다. 촉매패턴을 도 7에 나타내었으며, 선폭은 5㎛이었다.
실시예 4
본 실시예에서는 상기 실시예 1 내지 3 및 비교예 1 내지 4에서 제조된 금속패턴을 갖는 시트에 대한 코팅성, 현상성 및 구리도금 호환성을 평가하여 하기 표 1에 나타내었다.
A. 코팅성 평가
상기 실시예 1 내지 3 및 비교예 1 내지 4에서 PET 필름에 형성된 촉매전구제 수지조성물의 코팅층(박막)을 하여 육안으로 관찰하여 코팅성을 평가하였다.
촉매전구체 수지조성물 코팅층(박막)이 균일하고 투명한 경우를 양호, 박막이 균일하지만 투명하지 않은 경우를 보통으로 평가하였다.
B. 현상성 평가
상기 실시예 1 내지 3 및 비교예 1 내지 4에서 PET 필름에 형성된 구리 무전해 도금전 상태의 촉매패턴층을 FESEM(Hitachi S-4800)를 통하여 촉매패턴층이 균일하게 형성되었는지 여부 및 촉매패턴의 단선, 미현상 및 잔사 + 25%등 촉매패턴의 이상 유,무를 관찰하여 현상성을 평가하였다.
촉매패턴의 이상이 없고 촉매패턴 박막이 균일한 경우를 양호, 촉매패턴 이상이 없고, 촉매패턴의 박막이 불균일한 경우를 미흡, 그리고 촉매패턴의 이상이 있는 경우를 불량으로 평가하였다.
C. 구리 무전해 도금성 평가
광학현미경으로 상기 실시예 1 내지 3 및 비교예 1 내지 4에서 형성된 구리패턴의 단선, 구리 패턴 전체와 PET 필름의 디라미네이션, 구리패턴외 다른 부분의 도금 상태등 패턴 이상의 유,무를 관찰하여 구리 도금성을 평가하였다.
구리 도금되고, 구리 패턴의 이상이 없는 경우를 양호, 구리 도금이 되지만, 구리 패턴의 이상이 생기는 경우를 미흡, 그리고 도금되지 않는 경우를 불량으로 평가하였다.
[표 1]
코팅성 현상성 구리도금 호환성
실시예 1 양호 양호 양호
실시예 2 양호 양호 양호
실시예 3 양호 양호 양호
비교예 1 양호 미흡 미흡
비교예 2 양호 양호 미흡
비교예 3 양호 불량 불량
비교예 4 보통 불량 불량
상기 실시예 1와 비교예 1의 비교를 통해 플루오르화 은이온착화물을 사용한 실시 예 1의 경우에 유기용매와의 혼화성(compatibility)으로 인해 우수한 코팅박막과 재현성 있는 금속패턴이 형성됨을 알 수 있었다.
또한, 질소에 방향족 관능기를 갖는 말레이미드가 사용되지 않은 비교예 2의 결과와 비교하여, 질소에 방향족 관능기를 갖는 말레이미드가 사용된 본 발명에 의한 실시예의 경우에는 내화학성 및/또는 부착성이 우수한 촉매패턴이 형성되며, 따라서, 구리패턴 또한, 흡착력 있고 균일하게 형성됨을 알 수 있다.
실시예 2 및 3으로부터 단량체 조성의 변화에도 불구하고 우수한 구리 박막이 형성됨을 알 수 있었다. 비교예 3 및 4로부터 질소에 방향족 관능기를 갖는 말레이미드가 사용되는 경우라도, Mw나 Av값이 본 발명의 범위내를 벗어나면, 촉매전구체 수지 조성물 자체가 우수하지 못함을 알 수 있다.
본 발명에 의한 실시예 1 내지 3에서 형성된 촉매 패턴 및 금속패턴은 공중합체수지의 산가가 본 발명의 범위를 만족하는 범위내에서 산가가 작을수록 우수한 촉매패턴 및 금속패턴이 형성됨을 알 수 있다.(산가: 실시예 2 < 실시예 3 < 실시예 1)
본 발명의 촉매 전구체 수지 조성물을 사용하여 금속패턴을 형성하므로써, 형성된 촉매막의 접착성이 우수하며, 현상 또는 도금공정과 같은 습윤공정 중의 촉매유실이 적고, 증착속도가 향상되어 무전해 도금후 균일하고 미세한 금속패턴이 형성된다. 본 발명의 금속패턴은 CRT, PDP, 액정, EL 등의 디스플레이 전면으로부터 발생되는 전자파 차폐막이나 연성 회로 기판의 배선 형성에 사용될 수 있다.

Claims (27)

  1. (a) 카르복시기를 갖는 단량체와 질소에 지용성 관능기를 갖는 말레이미드 단량체의 공중합체 수지,
    (b) 플루오르화 은이온 유기 착화물,
    (c) 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 다관능성 단량체,
    (d) 광개시제, 및
    (e) 유기용매를 포함하여 이루어지는 금속 패턴 형성용 촉매 전구체 수지 조성물.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 카르복시기 함유 단량체는 아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산, 이타콘산, 말레인산, 퓨마린산, 모노메틸말레인산, 이소프렌술폰산, 스티렌술폰산 및 5-노보넨-2-카르복실산으로 구성되는 그룹으로부터 선택된 최소 1종 이상임을 특징으로 하는 촉매 전구체 수지 조성물.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 질소에 지용성 관능기를 갖는 말레이미드 단량체는 N-에틸말레이미드, N-프로필말레이미드, N-메톡시카르보닐말레이미드, N-푸르푸릴말레이미드, N-사이클로헥실말레이미드, N-부틸말레이미드, 2,5-다이옥소-3-피롤린-1-카르복사아마이드, 3,4-다이클로로메틸-피롤-2,5-다이온, N-벤질말레이미드, N-페닐 말레이미드, 3-메틸-N-페닐말레이미드, N-(오르소(ortho)-토일)-N-페닐말레이미드, N-(4-플루오르페닐)말레이미드, N-(2,6-자일(xylyl))말레이미드, 3-클로로-1-페닐-파이롤-2,5-다이온, N-(2-클로로페닐)-말레이미드, N-(1-나프탈릴)-말레이미드 및 1-(2-트라이플로오루메틸-페닐)-피롤-2,5-다이온으로 구성되는 그룹으로부터 선택된 최소 1종 이상임을 특징으로 하는 촉매 전구체 수지 조성물.
  4. 제 3항에 있어서, 상기 질소에 지용성 관능기를 갖는 말레이미드 단량체는 질소에 방향족 관능기를 갖는 말레이미드 단량체임을 특징으로 하는 촉매 전구체 수지 조성물.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 공중합체 수지는 중량평균 분자량이 3,000-30,000인 것을 특징으로 하는 촉매 전구체 수지 조성물.
  6. 제 1항에 있어서, 상기 공중합체 수지는 산가가 90~450mg KOH/g인 것을 특징으로 하는 촉매 전구체 수지 조성물.
  7. 제 1항에 있어서, 상기 공중합체 수지에서 질소에 지용성 관능기를 갖는 말레이미드 단량체는 공중합체 수지를 형성하는 전체 단량체 100중량부에 대하여 5~50중량부임을 특징으로 하는 촉매 전구체 수지 조성물.
  8. 제 1항에 있어서, 상기 플로오루화 은이온 유기 착화물은 플로오루화 은아세테이트계, 플로오루화 은설폰네이트계, 플로오루화 β-카르보닐케톤계 실버(I)착화물 및 플로오루화 β-카르보닐에스테르계 실버(I)착화물로 구성되는 그룹으로부터 선택된 최소 1종 이상임을 특징으로 하는 촉매 전구체 수지 조성물.
  9. 제 8항에 있어서, 상기 플루오르화 은이온 유기 착화물은 1,5-사이클로옥타다이엔-헥사플루오르아세틸아세토네이토실버(I) 착화물, 1,1,1-트리플루오르-2,4-펜타다이온나토실버(I)착화물, 5,5-다이메틸-1,1,1-트리플루오르-2,4-헥산다이온네이트실버(I)착화물, 1-(4-메토시페닐)-4,4,4-트리플루오르부탄다이온네이토실버(I)착화물, 5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,11,11,12,12,12-헵타데카플루오르데칸-2,4-다이온네이토실버(I)착화물 1,1,1,2,2,3,3,-헵타플루오르-7,7-다이메틸-4,6-옥탄다이온네이토실버(I)착화물, 1,1,1,3,5,5,5-헵타플루오르펜탄-2,4-다이온네이토실버(I)착화물, 1,1,1,5,5,5-헥사플루오르펜탄-2,4-다이온네이토실버(I)착화물, 5,5,6,6,7,7,8,8,8-노나플루오르옥탄-2,4-다이온네이토실버(I)착화물, 5H,5H-퍼플루오르노난-4,6-다이온네이토실버(I)착화물, 6H,6H-퍼플루오르-운데칸-5,7-다이온네이토실버(I)착화물, 8H,8H-퍼플루오르펜타데칸-7,8-다이온네이토실버(I)착화물, 6H,6H-퍼플루오르운데칸-5,7-다이온네이토실버(I)착화물, 1-페닐-2H,2H-퍼플루오르헥산-1,3-다이온네이토실버(I)착화물, 1-페닐-2H,2H-퍼플루오르운데칸-1,3-다이온네이토실버(I)착화물, 5,6,6,6-테트라플루오르-5-(헵타플루오르프로폭시)헥산-2,4-다이온네이토실버(I)착화물, 1,1,5,5-테트라플루오르펜탄-2,4 다이온네이토실버(I)착화물, 5,5,6,6,7,7,8,8,9,9-운데칸플루오르-노난-2,4-다이온네이토실버(I)착화물, 에틸 3-클로로-4,4,4-트리플루오르아세토아세테이토실버(I)착화물, 에틸-4,4-디플루오르아세토아세테이토실버(I)착화물, 에틸-4,4,4-트리플루오르아세토아세테이토실버(I)착화물, 이소프로필-4,4,4-트리플루오르아세토아세테이토실버(I)착화물, 메틸-4,4,5,5,5-펜타플루오르-3-옥소펜타노네이토실버(I)착화물, 에틸-4,4,5,5,5-펜타플루오르-3-옥소-펜타노네이토실버(I)착화물 및 1,1,1,5,5,6,6,6-옥타플루오르-2,4-헥산다이오네이토실버(I)착화물로 구성되는 그룹으로부터 선택된 최소 1종 이상임을 특징으로 하는 촉매 전구체 수지 조성물.
  10. 제 1항에 있어서, 상기 플로오루화 은이온 유기 착화물은 금속패턴 형성 조성물중의 유기 고형분 100중량부에 대하여 2~40중량부로 첨가되는 것을 특징으로 하는 촉매 전구체 수지 조성물.
  11. 제 1항에 있어서, 상기 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 다관능 단량체는 에틸렌글리콜디아크릴레이트, 에틸렌글리콜디메타아크릴레이트, 에틸렌기의 수가 2~14인 폴리에틸렌글리콜 디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜 디메타크릴레이트, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 트리메틸올프로판 트리메타크릴레이트, 펜타에리스리톨트리아크릴레이트, 펜타에리스리톨 트리메타크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라아크릴레이트, 펜타에리스리톨 테트라메타아크릴레이트, 프로필렌기의 수가 2~14인 프로필렌글리콜디아크릴레이트, 또는 프로필렌글리콜디메타아크릴레이트, 디펜타에리스리톨펜타아크릴레이트, 디펜타에리스리톨펜타메타아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사메타아크릴레이트 등의 다가 알코올을 α,β-불포화 카르복실산에 에스테르화하여 얻어지는 화합물; 트리메틸올프로판 트리글리시딜에테르아크릴산 부가물, 비스페놀 A 디글리시딜에테르아크릴산 부가물 등의 글리시딜기를 함유하는 화합물에 아크릴산 또는 메타아크릴산을 부가하여 얻어지는 화합물; β-히드록시에틸아크릴레이트 또는 β-히드록시에틸메타아크릴레이트의 프탈산에스테르, β-히드록시에틸아크릴레이트 또는 β-히드록시에틸메타아크릴레이트의 톨루엔디이소시아네이트 부가물 등의 수산화기 또는 에틸렌성 불포화 결합을 가지는 화합물과 멀티 카르복실산과의 에스테르 화합물, 및 멀티 이소시아네이트와의 부가물로 구성되는 그룹으로부터 선택된 최소 1종 이상임을 특징으로 하는 촉매 전구체 수지 조성물.
  12. 제 11항에 있어서, 상기 에틸렌 불포화 결합을 갖는 다관능 단량체는 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 관능기수가 3이상인 것을 특징으로 하는 촉매 전구체 수지 조성물.
  13. 제 1항에 있어서, 상기 에틸렌 불포화 결합을 갖는 다관능 단량체는 상기 공중합체 수지 100 중량부에 대하여 20~150 중량부로 첨가됨을 특징으로 하는 촉매 전구체 수지 조성물.
  14. 제 1항에 있어서, 상기 광개시제는 아세토페논류, 벤조페논류, 미히라(Michler) 벤조일벤조에이트, α-아밀록심에스테르, 티옥산톤류 및 트리아진류로 구성되는 그룹으로부터 선택된 최소 1종 이상임을 특징으로 하는 촉매 전구체 수지 조성물.
  15. 제 1항에 있어서, 상기 광개시제는 상기 공중합체 수지 100중량부에 대하여 1~25중량부로 사용되는 것을 특징으로 하는 촉매 전구체 수지 조성물.
  16. 제 1항에 있어서, 상기 촉매 전구체 수지 조성물은 n-부틸아민, 트리에틸아민 및 트리-n-부틸포스파인으로 구성되는 그룹으로부터 선택된 1종 이상의 광증감제를 추가로 포함함을 특징으로 하는 촉매 전구체 수지 조성물.
  17. 제 16항에 있어서, 상기 광증감제는 공중합체 수지와 광개시제 혼합양 100중량부에 대하여 10중량부 이하로 추가로 포함됨을 특징으로 하는 촉매 전구체 수지 조성물.
  18. 제 1항에 있어서, 상기 유기용매는 메탄올, 에탄올, n-프로판올, 이소프로판올, 에틸렌글리콜, 또는 프로필렌글리콜과 같은 알코올류; 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로헥사논, 또는 n-메틸-2-피롤리돈과 같은 케톤류; 톨루엔, 크실렌, 또는 테트라메틸벤젠과 같은 방향족 탄화수소류; 셀로솔브, 메틸셀로솔브, 에틸셀로솔브, 3-메톡시프로필아세테이트, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 프로필렌글리콜에틸에테르, 디프로필렌 글리콜모노메틸에테르, 또는 디프로필렌글리콜에틸에테르와 같은 글리콜에테르류; 에틸아세테이트, 부틸아세테이트, 셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 부틸셀로솔브아세테이트, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르아세테이트, 또는 프로필렌글리콜에틸에테르아세테이트와 같은 아세테이트류; N,N-다이메틸아세트아마이드, N,N-다이메틸포름아마이드, 아세토나이트라이드와 같은 아마이드류로 구 성되는 그룹으로부터 선택된 최소 1종 이상임을 특징으로 하는 촉매 전구체 수지 조성물.
  19. (a) 청구항 1항 내지 18항중 어느 한항의 촉매 전구체 수지 조성물을 이용하여 기재에 촉매 패턴을 형성하는 단계;
    (b) 형성된 촉매패턴을 환원시키는 단계; 및
    (c) 환원된 촉매패턴에 무전해 도금하는 단계를 포함하여 이루어지는 금속 패턴 형성방법.
  20. 제 19항에 있어서, 상기 투명 기재는 유리, 폴리카보네이트, 아크릴 수지, PET, TAC(Tri-acetyl cellulose), 폴리염화비닐수지, 폴리아마이드 수지, 폴리이미드 수지, 에폭시계 수지로 구성되는 그룹으로부터 선택된 수지로된 시트 또는 필름인 것을 특징으로 하는 금속패턴 형성방법.
  21. 제 19항에 있어서, 상기 촉매 패턴 형성단계는 포토리소그라피법, 오프셋 프린팅, 잉크젯 프린팅, 임프린트 또는 스크린프린팅법으로 행함을 특징으로 하는 금속패턴 형성방법.
  22. 제 19항에 있어서, 상기 환원단계는 소듐보레인하이드라이드 또는 아스코르브산과 같은 환원제로 수행되는 것을 특징으로 하는 금속패턴 형성방법.
  23. 제 19항에 있어서, 상기 환원단계는 UV 노광 또는 열을 적용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 금속패턴 형성방법.
  24. 제 19항에 있어서, 상기 무전해 도금은 구리도금 또는 은도금임을 특징으로 하는 금속패턴 형성방법.
  25. 제 24항에 있어서, 상기 무전해 도금은 황산동과 같은 금속이온염, 포르말린과 같은 환원제 및 EDTA와 같은 안정화제를 포함하는 도금액을 이용함을 특징으로 하는 금속패턴의 형성방법.
  26. (a) 청구항 1항 내지 18항중 어느 한항의 촉매 전구체 수지 조성물을 이용하여 기재에 촉매 패턴을 형성하는 단계;
    (b) 형성된 촉매패턴을 환원시키는 단계; 및
    (c) 환원된 촉매패턴에 무전해 도금하는 단계를 포함하여 이루어지는 금속 패턴 형성으로 형성된 금속패턴.
  27. 청구항 26항의 금속패턴을 포함하는 전자파 차폐재, 연성 회로 기판, 부품 또는 소자.
KR1020070047077A 2007-05-15 2007-05-15 전자파 차폐층 제조시 무전해도금에 대한 촉매 전구체수지조성물, 이를 이용한 금속패턴 형성방법 및 이에 따라제조된 금속패턴 KR101009733B1 (ko)

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US12/600,455 US8519017B2 (en) 2007-05-15 2008-05-15 Resin composition containing catalyst precursor for electroless plating in forming electro-magnetic shielding layer, method of forming metallic pattern using the same, and metallic pattern formed by the same method
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US13/948,827 US8840769B2 (en) 2007-05-15 2013-07-23 Resin composition containing catalyst precursor for electroless plating in forming electro-magnetic shielding layer, method of forming metallic pattern using the same, and metallic pattern formed by the same method

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101123006B1 (ko) * 2007-06-05 2012-03-12 주식회사 엘지화학 전자파 차폐층의 촉매 흡착용 수지조성물, 이를 이용한금속 패턴 형성방법 및 이에 따라 제조된 금속패턴

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101463212B (zh) * 2008-12-29 2012-03-07 深圳桑菲消费通信有限公司 一种用于表面印刷的紫外光油墨
US8722142B2 (en) * 2009-08-28 2014-05-13 David Minsek Light induced electroless plating
GB2488575A (en) * 2011-03-02 2012-09-05 Cretec Co Ltd Method for forming a wiring pattern by laser irradiation
CN102382228B (zh) * 2011-09-02 2012-12-19 宁波镇洋化工发展有限公司 一种san的制备方法
JP5827180B2 (ja) * 2012-06-18 2015-12-02 富士フイルム株式会社 インプリント用硬化性組成物と基板の密着用組成物およびこれを用いた半導体デバイス
CN102903733B (zh) * 2012-10-18 2016-01-06 深圳市华星光电技术有限公司 一种有机发光显示面板及其显示装置
CN103773143B (zh) 2012-10-26 2017-02-22 比亚迪股份有限公司 白色涂料组合物、绝缘基材表面选择性金属化的方法及复合制品
JP6319082B2 (ja) * 2013-02-12 2018-05-09 東レ株式会社 感光性樹脂組成物、それを熱硬化させてなる保護膜又は絶縁膜、それを用いたタッチパネル及びその製造方法
TWI557622B (zh) * 2014-03-31 2016-11-11 Sensing circuit structure and manufacturing method thereof
US9505942B2 (en) 2014-06-23 2016-11-29 Eastman Kodak Company Preparation of patterned or electrically-conductive articles
US9606652B2 (en) 2014-06-23 2017-03-28 Eastman Kodak Company Electronic devices and precursor articles
US9637659B2 (en) 2014-06-23 2017-05-02 Eastman Kodak Company Latex primer composition and latex primed substrates
US9205628B1 (en) 2014-06-23 2015-12-08 Eastman Kodak Company Patterned and primed transparent articles
CN107532302B (zh) * 2015-03-31 2019-10-08 日产化学工业株式会社 感光性非电解镀基底剂
CN105080468B (zh) * 2015-08-19 2017-12-22 江苏大学 一种两步印迹法制备杂化的大孔分子印迹吸附剂的方法
JP6882721B2 (ja) * 2016-03-09 2021-06-02 日産化学株式会社 高分岐高分子及び金属微粒子を含む無電解めっき下地剤
KR102112435B1 (ko) * 2016-03-23 2020-05-18 후지필름 가부시키가이샤 도전성 적층체의 제조 방법과, 피도금층 전구체층을 구비한 입체 구조물, 패턴 형상 피도금층을 구비한 입체 구조물, 도전성 적층체, 터치 센서, 발열 부재 및 입체 구조물
WO2019020682A1 (en) 2017-07-28 2019-01-31 Basf Se PROCESS FOR THE PREPARATION OF METAL NANOPARTICLE LAYERS AND THEIR USE FOR DECORATIVE OR SECURITY ELEMENTS
KR102203353B1 (ko) * 2018-12-12 2021-01-14 한국세라믹기술원 블록공중합체 기반 금속 미세패턴의 제조방법
WO2024070844A1 (ja) * 2022-09-29 2024-04-04 富士フイルム株式会社 導電膜の製造方法、電磁波シールド体の製造方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0332455B1 (en) * 1988-03-11 1996-06-05 Canon Kabushiki Kaisha Photosensitive material and image forming method
US5578415A (en) 1988-09-12 1996-11-26 Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha Optical recording materials, method for preparing the same and optical cards having the same
GB2237023B (en) * 1989-10-06 1993-09-29 Toa Gosei Chem Ind A catalytic composition for photopolymerization and a photopolymerizable composition containing the same
JPH04207000A (ja) * 1990-11-30 1992-07-28 Showa Denko Kk 電磁波シールド材
DE59508640D1 (de) * 1994-06-22 2000-09-21 Ciba Sc Holding Ag Positiv-Photoresist
JPH10163673A (ja) * 1996-10-01 1998-06-19 Nisshinbo Ind Inc 電磁波シールドパネル及びその製造方法
JPH10223147A (ja) * 1997-02-07 1998-08-21 Sumitomo Chem Co Ltd プラズマディスプレイ用前面板
US20030166132A1 (en) 1998-08-26 2003-09-04 Genentech, Inc. Secreted and transmembrane polypeptides and nucleic acids encoding the same
US20040191423A1 (en) 2000-04-28 2004-09-30 Ruan Hai Xiong Methods for the deposition of silver and silver oxide films and patterned films
JP2001337454A (ja) 2000-05-24 2001-12-07 Mitsubishi Chemicals Corp 光重合性組成物及びそれを用いたカラーフィルタ
US6899999B2 (en) * 2001-03-28 2005-05-31 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of manufacturing composite member, photosensitive composition, porous base material, insulating body and composite member
US7524528B2 (en) 2001-10-05 2009-04-28 Cabot Corporation Precursor compositions and methods for the deposition of passive electrical components on a substrate
JP4641719B2 (ja) * 2002-12-27 2011-03-02 富士フイルム株式会社 透光性電磁波シールド膜の製造方法及び透光性電磁波シールド膜
KR100529371B1 (ko) * 2003-07-29 2005-11-21 주식회사 엘지화학 촉매전구체 수지조성물 및 이를 이용한 투광성 전자파차폐재 제조방법
JP2005353656A (ja) * 2004-06-08 2005-12-22 Tokai Rubber Ind Ltd 透明電磁波シールドフィルムおよびその製法、ならびにそれを用いたプラズマディスプレイパネル用前面フィルターおよびプラズマディスプレイ
JP4464907B2 (ja) * 2005-11-16 2010-05-19 株式会社日本触媒 感光性樹脂組成物
WO2007119966A1 (en) 2006-04-13 2007-10-25 Lg Chem, Ltd. Resin composition comprising catalyst precursor for electroless plating to form electromagnetic wave shielding layer, methods for forming metal patterns using the resin composition and metal patterns formed by the methods
KR101009732B1 (ko) * 2006-04-13 2011-01-19 주식회사 엘지화학 전자파 차폐용 촉매 전구체 수지 조성물 및 이를 이용한금속패턴의 제조방법
KR100823718B1 (ko) * 2006-04-13 2008-04-21 주식회사 엘지화학 전자파 차폐층 제조시 무전해도금에 대한 촉매 전구체수지조성물, 이를 이용한 금속패턴 형성방법 및 이에 따라제조된 금속패턴

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR101123006B1 (ko) * 2007-06-05 2012-03-12 주식회사 엘지화학 전자파 차폐층의 촉매 흡착용 수지조성물, 이를 이용한금속 패턴 형성방법 및 이에 따라 제조된 금속패턴

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