KR20080032765A - 프로그램 전압 발생 회로 및 방법, 그리고 이를 이용한불휘발성 메모리 장치 - Google Patents
프로그램 전압 발생 회로 및 방법, 그리고 이를 이용한불휘발성 메모리 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20080032765A KR20080032765A KR1020060098643A KR20060098643A KR20080032765A KR 20080032765 A KR20080032765 A KR 20080032765A KR 1020060098643 A KR1020060098643 A KR 1020060098643A KR 20060098643 A KR20060098643 A KR 20060098643A KR 20080032765 A KR20080032765 A KR 20080032765A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- program
- voltage
- program voltage
- memory device
- control signal
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/30—Power supply circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/10—Programming or data input circuits
- G11C16/12—Programming voltage switching circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/04—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS
- G11C16/0483—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS comprising cells having several storage transistors connected in series
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
Abstract
Description
Claims (18)
- 반도체 메모리 장치의 메모리 셀을 프로그램 하기 위한 프로그램 전압을 발생하는 회로에 있어서,프로그램/소거 사이클(cycle) 정보에 응답하여 프로그램 전압 제어신호를 발생하는 프로그램 전압 제어부; 및상기 프로그램 전압 제어신호에 응답하여 프로그램 전압을 발생하는 전압 발생부를 구비하는 것을 특징으로 하는 프로그램 전압 발생 회로.
- 제 1 항에 있어서,상기 프로그램/소거 사이클 정보는 상기 메모리 셀을 프로그램/소거 한 횟수인 것을 특징으로 하는 프로그램 전압 발생 회로.
- 제 1 항에 있어서,상기 전압 발생부는 ISPP(incremental step pulse programming) 방식으로 상기 프로그램 전압을 발생하는 것을 특징으로 하는 프로그램 전압 발생 회로.
- 제 3 항에 있어서,상기 프로그램 전압 제어신호는 상기 프로그램 전압의 시작 전압 및/또는 스텝 전압을 제어하는 것을 특징으로 하는 프로그램 전압 발생 회로.
- 제 4 항에 있어서,상기 전압 제어부는 상기 프로그램 전압 제어신호에 응답하여 상기 시작 전압 및/또는 스텝 전압을 감소시키는 것을 특징으로 하는 프로그램 전압 발생 회로.
- 제 1 항에 있어서,상기 프로그램/소거 사이클 정보는 외부로부터 제공되는 것을 특징으로 하는 프로그램 전압 발생 회로.
- 제 1 항에 있어서,상기 메모리 셀을 프로그램/소거 한 횟수를 카운트하는 카운터를 더 구비하며,상기 프로그램/소거 사이클(cycle) 정보는 상기 카운터의 카운트 값인 것을 특징으로 하는 프로그램 전압 발생 회로.
- 제 1 항의 프로그램 전압 발생 회로를 구비하는 반도체 메모리 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 반도체 메모리 장치는 불휘발성 반도체 메모리 장치인 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
- 반도체 메모리 장치의 메모리 셀을 프로그램 하기 위한 프로그램 전압을 발생하는 방법에 있어서,프로그램/소거 사이클(cycle) 정보에 응답하여 프로그램 전압 제어신호를 발생하는 단계; 및상기 프로그램 전압 제어신호에 응답하여 프로그램 전압을 발생하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 프로그램 전압 발생 방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 프로그램/소거 사이클 정보는 상기 메모리 셀을 프로그램/소거 한 횟수인 것을 특징으로 하는 프로그램 전압 발생 방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 프로그램 전압은 ISPP(incremental step pulse programming) 방식으로 발생되는 것을 특징으로 하는 프로그램 전압 발생 방법.
- 제 12 항에 있어서,상기 프로그램 전압 제어 신호는 상기 프로그램 전압의 시작 전압 및/또는 스텝 전압을 제어하는 것을 특징으로 하는 프로그램 전압 발생 방법.
- 제 13 항에 있어서,상기 시작 전압 및/또는 스텝 전압은 상기 프로그램 전압 제어신호에 응답하여 감소되는 것을 특징으로 하는 프로그램 전압 발생 방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 프로그램/소거 사이클 정보는 외부로부터 제공되는 것을 특징으로 하는 프로그램 전압 발생 방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 메모리 셀을 프로그램/소거 한 횟수를 카운트하는 단계를 더 구비하며,상기 프로그램/소거 사이클(cycle) 정보는 상기 카운트 값인 것을 특징으로 하는 프로그램 전압 발생 방법.
- 제 10 항의 프로그램 전압 발생 방법을 구비하는 프로그램 방법.
- 제 17 항에 있어서,상기 반도체 메모리 장치는 불휘발성 반도체 메모리 장치인 것을 특징으로 하는 프로그램 방법.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060098643A KR100909961B1 (ko) | 2006-10-10 | 2006-10-10 | 프로그램 전압 발생 회로 및 방법, 그리고 이를 이용한불휘발성 메모리 장치 |
US11/844,514 US7646639B2 (en) | 2006-10-10 | 2007-08-24 | Circuit and method generating program voltage for non-volatile memory device |
CN2007101801647A CN101162610B (zh) | 2006-10-10 | 2007-10-10 | 对非易失性存储器件生成编程电压的电路和方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060098643A KR100909961B1 (ko) | 2006-10-10 | 2006-10-10 | 프로그램 전압 발생 회로 및 방법, 그리고 이를 이용한불휘발성 메모리 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20080032765A true KR20080032765A (ko) | 2008-04-16 |
KR100909961B1 KR100909961B1 (ko) | 2009-07-29 |
Family
ID=39274823
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020060098643A KR100909961B1 (ko) | 2006-10-10 | 2006-10-10 | 프로그램 전압 발생 회로 및 방법, 그리고 이를 이용한불휘발성 메모리 장치 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7646639B2 (ko) |
KR (1) | KR100909961B1 (ko) |
CN (1) | CN101162610B (ko) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7929350B2 (en) | 2008-09-16 | 2011-04-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nonvolatile memory device, operating method thereof, and memory system including the same |
US8137651B2 (en) | 2007-03-27 | 2012-03-20 | Jung-Ho Han | Method for preparing hydrophobic aerogel and hydrophobic aerogel prepared therefrom |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101477835A (zh) * | 2008-12-30 | 2009-07-08 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 存储器的擦除方法 |
IT1400747B1 (it) * | 2010-06-30 | 2013-07-02 | St Microelectronics Srl | Riduzione di consumo di potenza di fondo di dispositivi elettronici |
JP5542737B2 (ja) * | 2011-05-12 | 2014-07-09 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置 |
US9646705B2 (en) | 2013-06-12 | 2017-05-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory systems including nonvolatile memory devices and dynamic access methods thereof |
CN103337257B (zh) * | 2013-06-20 | 2017-05-24 | 深圳市瑞耐斯技术有限公司 | 一种nand闪存设备及其操作方法 |
KR102288546B1 (ko) * | 2015-08-31 | 2021-08-10 | 삼성전자주식회사 | 스토리지 장치 및 그 제어 방법 |
KR102449196B1 (ko) | 2016-01-15 | 2022-09-29 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치 및 비휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법 |
CN110634526A (zh) * | 2018-06-25 | 2019-12-31 | 西安格易安创集成电路有限公司 | 一种非易失存储器处理方法及装置 |
JP2022040515A (ja) * | 2020-08-31 | 2022-03-11 | ウィンボンド エレクトロニクス コーポレーション | フラッシュメモリおよびプログラミング方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR970051388A (ko) * | 1995-12-26 | 1997-07-29 | 김광호 | 불휘발성 메모리 장치 |
JPH1131391A (ja) | 1997-07-10 | 1999-02-02 | Sony Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JPH11134879A (ja) | 1997-10-30 | 1999-05-21 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2001093288A (ja) * | 1999-09-20 | 2001-04-06 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
KR100550789B1 (ko) * | 2002-07-18 | 2006-02-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 플래시 메모리 소자의 프로그램/소거 전압 공급 회로 |
JP4170952B2 (ja) * | 2004-01-30 | 2008-10-22 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
-
2006
- 2006-10-10 KR KR1020060098643A patent/KR100909961B1/ko active IP Right Grant
-
2007
- 2007-08-24 US US11/844,514 patent/US7646639B2/en active Active
- 2007-10-10 CN CN2007101801647A patent/CN101162610B/zh active Active
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8137651B2 (en) | 2007-03-27 | 2012-03-20 | Jung-Ho Han | Method for preparing hydrophobic aerogel and hydrophobic aerogel prepared therefrom |
US7929350B2 (en) | 2008-09-16 | 2011-04-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nonvolatile memory device, operating method thereof, and memory system including the same |
US8149625B2 (en) | 2008-09-16 | 2012-04-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nonvolatile memory device, operating method thereof, and memory system including the same |
KR101423612B1 (ko) * | 2008-09-16 | 2014-07-25 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 동작 방법, 그리고 그것을포함하는 메모리 시스템 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7646639B2 (en) | 2010-01-12 |
CN101162610B (zh) | 2012-08-29 |
US20080084749A1 (en) | 2008-04-10 |
KR100909961B1 (ko) | 2009-07-29 |
CN101162610A (zh) | 2008-04-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100909961B1 (ko) | 프로그램 전압 발생 회로 및 방법, 그리고 이를 이용한불휘발성 메모리 장치 | |
JP4640660B2 (ja) | プログラミングに失敗したことが検出されたビットの数に応じて最適化された電圧レベルによってフラッシュメモリーにプログラムする方法。 | |
KR100660544B1 (ko) | 신뢰성을 향상시킬 수 있는 플래시 메모리 장치 | |
US10026492B2 (en) | Multi-die programming with die-jumping induced periodic delays | |
US8773910B2 (en) | Programming to mitigate memory cell performance differences | |
KR100855963B1 (ko) | 불휘발성 메모리 장치 및 불휘발성 메모리 장치의프로그램, 독출 및 소거 방법 | |
US20090161432A1 (en) | Flash memory device and operating method thereof | |
US9025388B2 (en) | Method for kink compensation in a memory | |
CN111128283A (zh) | 存储器设备、存储器***及其操作方法 | |
US9053793B2 (en) | Semiconductor memory device and method of operating the same | |
US20110080789A1 (en) | Automatic selective slow program convergence | |
KR20100013189A (ko) | 비휘발성 메모리 장치 및 그것의 프로그램 방법 | |
US20080094912A1 (en) | Selective slow programming convergence in a flash memory device | |
JP2013125576A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
KR100855962B1 (ko) | 불휘발성 메모리 장치 및 불휘발성 메모리 장치의 독출방법 | |
KR100800479B1 (ko) | 하이브리드 로컬 부스팅 방식을 이용한 불휘발성 메모리장치의 프로그램 방법 | |
US8264887B2 (en) | Nonvolatile memory device and method of programming the same | |
KR20070052403A (ko) | 낸드 플래시 메모리의 프로그램 방법 | |
US11232845B2 (en) | Nonvolatile memory device and method of operating the same | |
US7983088B2 (en) | Programming in a memory device | |
KR100972715B1 (ko) | 플래시 메모리 소자 및 그의 프로그램 동작 방법 | |
TWI726598B (zh) | 快閃記憶體中的感測電路和感測操作方法 | |
KR100843004B1 (ko) | 플래쉬 메모리 소자 및 그 구동 방법 | |
US20200194086A1 (en) | Non-volatile memory device and method of operating the same | |
KR100967010B1 (ko) | 불휘발성 메모리 장치 및 그 프로그램 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
AMND | Amendment | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
J201 | Request for trial against refusal decision | ||
AMND | Amendment | ||
B601 | Maintenance of original decision after re-examination before a trial | ||
E801 | Decision on dismissal of amendment | ||
J301 | Trial decision |
Free format text: TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20080528 Effective date: 20090130 |
|
S901 | Examination by remand of revocation | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
GRNO | Decision to grant (after opposition) | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130701 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140630 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150630 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160630 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170630 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180629 Year of fee payment: 10 |