KR102031304B1 - Substrate treatment chamber for etching and ashing process and substrate treatment method - Google Patents

Substrate treatment chamber for etching and ashing process and substrate treatment method Download PDF

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Abstract

본 발명의 식각과 애싱 공정이 가능한 기판 처리 챔버는 내부에 기판을 지지하는 기판 지지대를 갖는 공정챔버; 상기 공정챔버에 구비되어 상기 공정챔버 내로 플라즈마를 방전하는 플라즈마 소스; 및 가스 공급부로부터 가스를 공급받아 분해된 라디칼을 상기 공정챔버 외부에서 상기 공정챔버 내로 공급하는 애싱용 라디칼 발생기를 포함하고, 상기 플라즈마 소스를 이용하여 상기 기판에 패턴을 형성하는 식각 공정을 수행하고, 상기 애싱용 라디칼 발생기를 이용하여 상기 기판의 포토레지스트를 제거하는 애싱 공정을 수행할 수 있다.The substrate processing chamber capable of etching and ashing process of the present invention comprises a process chamber having a substrate support for supporting the substrate therein; A plasma source provided in the process chamber to discharge plasma into the process chamber; And an ashing radical generator for supplying the gas from the gas supply unit to supply the decomposed radicals from the outside of the process chamber into the process chamber, and performing an etching process of forming a pattern on the substrate using the plasma source. An ashing process of removing the photoresist of the substrate may be performed using the ashing radical generator.

Description

식각과 애싱 공정이 가능한 기판 처리 챔버, 이를 이용한 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법{SUBSTRATE TREATMENT CHAMBER FOR ETCHING AND ASHING PROCESS AND SUBSTRATE TREATMENT METHOD} Substrate processing chamber capable of etching and ashing process, substrate processing apparatus using same and substrate processing method using same {SUBSTRATE TREATMENT CHAMBER FOR ETCHING AND ASHING PROCESS AND SUBSTRATE TREATMENT METHOD}

본 발명은 식각과 애싱 공정이 가능한 기판 처리 챔버, 이를 이용한 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a substrate processing chamber capable of etching and ashing processes, a substrate processing apparatus using the same, and a substrate processing method using the same.

일반적인 반도체 제조 공정은 기판 상에 일련의 기판 처리 공정들을 반복적 또는 선택적으로 수행함으로써 반도체 소자를 생산하는 공정이다.A general semiconductor manufacturing process is a process for producing a semiconductor device by repeatedly or selectively performing a series of substrate processing processes on a substrate.

기판 처리 공정은 크게는 기판에 패턴을 형성하기 위한 식각(Etch) 공정과 패턴을 형성하기 위해 구비된 포토레지스트(photoresist)를 제거하기 위한 애싱(Ashing) 또는 박리(stripper) 공정을 포함할 수 있다. The substrate processing process may largely include an etching process for forming a pattern on the substrate and an ashing or stripper process for removing a photoresist provided to form the pattern. .

식각 공정과 애싱 공정은 별도의 공정챔버에서 수행될 수 있다. 다시 말해, 식각 공정을 수행한 기판은 공정챔버에서 언로딩된 후 별도의 애싱 공정을 수행하기 위한 챔버로 이송될 수 있다. 그러므로 기판을 식각 후 애싱하기 위하여 기판을 이송하는 시간이 소요될 수 있어 전체 생산 공정이 늘어날 수 있다. The etching process and the ashing process may be performed in separate process chambers. In other words, the substrate on which the etching process is performed may be unloaded from the process chamber and then transferred to a chamber for performing a separate ashing process. Therefore, it may take time to transfer the substrate in order to ash the substrate after etching, thereby increasing the overall production process.

식각 공정을 위한 챔버와 애싱 공정을 위한 챔버를 개별로 설치하므로 설치 공간을 많이 차지할 수 있다. 또한 챔버와 챔버 사이에서 기판을 이송할 때 외부에 기판이 노출되므로 기판의 부유/갈림 PC, 온도, 습도 기인성 불량이 발생할 수 있다. Since the chamber for the etching process and the chamber for the ashing process are separately installed, it can take up a lot of installation space. In addition, when the substrate is transferred between the chamber and the substrate is exposed to the outside, the substrate due to the floating / split PC, temperature, humidity due to poor defects may occur.

또한 직접 플라즈마(Direct plasma) 방식으로 애싱 공정을 수행하므로 기판의 하부 막이 손상될 수 있다. 이로 인해 기판에 얼룩(Mura) 등이 발생할 가능성이 높아질 수 있다. In addition, since the ashing process is performed by a direct plasma method, the lower layer of the substrate may be damaged. This may increase the likelihood of occurrence of stains on the substrate.

본 발명의 목적은 동일한 공정챔버 내에서 기판의 식각 및 애싱을 연속적으로 진행할 수 있는 식각과 애싱 공정이 가능한 기판 처리 챔버, 이를 이용한 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법을 제공하는 데 있다.An object of the present invention is to provide a substrate processing chamber capable of etching and ashing a substrate continuously and etching in the same process chamber, a substrate processing apparatus using the same and a substrate processing method using the same.

상기와 같은 기술적 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 일 실시 예에 따른 식각과 애싱 공정이 가능한 기판 처리 챔버는 내부에 기판을 지지하는 기판 지지대를 갖는 공정챔버; 상기 공정챔버에 구비되어 상기 공정챔버 내로 플라즈마를 방전하는 플라즈마 소스; 및 가스 공급부로부터 가스를 공급받아 분해된 라디칼을 상기 공정챔버 외부에서 상기 공정챔버 내로 공급하는 애싱용 라디칼 발생기를 포함하고, 상기 플라즈마 소스를 이용하여 상기 기판에 패턴을 형성하는 식각 공정을 수행하고, 상기 애싱용 라디칼 발생기를 이용하여 상기 기판의 포토레지스트를 제거하는 애싱 공정을 수행할 수 있다. In order to solve the above technical problem, the substrate processing chamber capable of etching and ashing process according to an embodiment of the present invention comprises a process chamber having a substrate support for supporting the substrate therein; A plasma source provided in the process chamber to discharge plasma into the process chamber; And an ashing radical generator for supplying the gas from the gas supply unit to supply the decomposed radicals from the outside of the process chamber into the process chamber, and performing an etching process of forming a pattern on the substrate using the plasma source. An ashing process of removing the photoresist of the substrate may be performed using the ashing radical generator.

실시 예에 있어서, 상기 애싱용 라디칼 발생기는, 상기 공정챔버로 오존(O3) 라디칼을 배출할 수 있다. In an embodiment, the ashing radical generator may discharge ozone (O 3) radicals to the process chamber.

실시 예에 있어서, 상기 플라즈마 소스는, 전력을 공급하는 전원 공급부; 상기 전원 공급부와 상기 플라즈마 소스 사이에 구비되어 임피던스를 매칭하는 임피던스 정합기를 포함할 수 있다. In an embodiment, the plasma source may include a power supply unit supplying power; It may include an impedance matcher provided between the power supply and the plasma source to match the impedance.

실시예에 있어서, 상기 애싱용 라디칼 발생기 내로 상기 애싱 공정을 위한 가스를 공급하는 제1 가스 공급부; 및 상기 공정챔버 내로 상기 식각 공정을 위한 가스를 공급하는 제2 가스 공급부를 포함할 수 있다. In one embodiment, the first gas supply for supplying a gas for the ashing process into the ashing radical generator; And a second gas supply unit supplying a gas for the etching process into the process chamber.

실시예에 있어서, 상기 제2 가스 공급부는, 상기 애싱용 라디칼 발생기를 통하여 상기 공정챔버 내로 공급될 수 있다. In an embodiment, the second gas supply part may be supplied into the process chamber through the ashing radical generator.

실시 예에 있어서, 상기 애싱용 라디칼 발생기는, 용량 결합 플라즈마, 유도 결합 플라즈마, 마이크로 웨이브 플라즈마 및 변압기 플라즈마 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다. In an embodiment, the ashing radical generator may include at least one of a capacitively coupled plasma, an inductively coupled plasma, a microwave plasma, and a transformer plasma.

실시 예에 있어서, 상기 애싱용 라디칼 발생기는, 하나 이상의 가스주입구와 다수의 가스배출구를 갖고, 상기 가스배출구가 상기 공정챔버에 연결되는 다수 개의 방전관; 상기 방전관에 구비되는 페라이트 코어; 및 상기 페라이트 코어에 권선되는 일차 권선 코일을 포함할 수 있다. In an embodiment, the ashing radical generator comprises: a plurality of discharge tubes having at least one gas inlet and a plurality of gas outlets, the gas outlets being connected to the process chamber; A ferrite core provided in the discharge tube; And a primary winding coil wound around the ferrite core.

실시 예에 있어서, 상기 공정챔버는, 상기 애싱용 라디칼 발생기에서 배출되는 라디칼을 균일하게 분배하기 위한 배플판을 포함할 수 있다. In an embodiment, the process chamber may include a baffle plate for uniformly distributing radicals discharged from the ashing radical generator.

본 발명의 일 실시 예에 따른 식각과 애싱 공정이 가능한 기판 처리 챔버를 이용한 기판 처리 장치는 기판을 저장하는 전방단부모듈; 상기 전방단부모듈과 연결되는 로드락 챔버; 상기 로드락 챔버에 연결되고, 기판을 이송하는 기판 이송챔버를 갖는 트랜스퍼 챔버; 및 상기 트랜스퍼 챔버에 연결되는 기판 처리 챔버를 포함하고, 상기 기판 처리 챔버는 내부에 기판을 지지하는 기판 지지대를 갖는 공정챔버; 상기 공정챔버에 구비되어 상기 공정챔버 내로 플라즈마를 방전하는 플라즈마 소스; 및 가스 공급부로부터 가스를 공급받아 분해된 라디칼을 상기 공정챔버 외부에서 상기 공정챔버 내로 공급하는 애싱용 라디칼 발생기를 포함할 수 있다. A substrate processing apparatus using a substrate processing chamber capable of etching and ashing processes according to an embodiment of the present invention includes a front end module for storing a substrate; A load lock chamber connected to the front end module; A transfer chamber connected to the load lock chamber and having a substrate transfer chamber for transferring a substrate; And a substrate processing chamber connected to the transfer chamber, wherein the substrate processing chamber has a substrate support supporting a substrate therein; A plasma source provided in the process chamber to discharge plasma into the process chamber; And an ashing radical generator configured to receive gas from a gas supply part and supply decomposed radicals from the outside of the process chamber into the process chamber.

본 발명의 일 실시 예에 따른 식각과 애싱 공정이 가능한 기판 처리 챔버를 이용한 기판 처리 방법은 공정챔버 내로 기판을 로딩하는 단계; 상기 공정챔버 내의 플라즈마 소스를 구동하여 상기 기판에 패턴이 형성되도록 식각하는 단계; 애싱용 라디칼 발생기를 구동하여 상기 공정챔버 내로 라디칼을 공급하고, 상기 기판의 포토레지스트를 제거하는 단계; 상기 기판을 공정챔버 외부로 언로딩하는 단계를 포함할 수 있다. Substrate processing method using a substrate processing chamber capable of etching and ashing process according to an embodiment of the present invention comprises the steps of loading a substrate into the process chamber; Driving a plasma source in the process chamber to etch a pattern on the substrate; Driving an ashing radical generator to supply radicals into the process chamber and removing the photoresist of the substrate; And unloading the substrate out of the process chamber.

실시 예에 있어서, 상기 식각 단계와 상기 포토레지스트 제거 단계는, 동일한 상기 공정챔버 내에서 서로 다른 공정조건으로 각각 수행될 수 있다. In some embodiments, the etching step and the photoresist removing step may be performed under different process conditions in the same process chamber.

실시 예에 있어서, 상기 각 공정을 수행하기 전, 후에 상기 공정챔버에 구비된 기판으로 퍼지가스를 공급하는 단계를 더 포함할 수 있다. In an embodiment, the method may further include supplying a purge gas to a substrate provided in the process chamber before and after performing each process.

본 발명에 따른 식각과 애싱 공정이 가능한 기판 처리 챔버, 이를 이용한 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법의 효과에 대해 설명하면 다음과 같다.Referring to the effects of the substrate processing chamber, the substrate processing apparatus using the same and the substrate processing method using the etching and ashing process according to the present invention are as follows.

본 발명의 실시 예들 중 적어도 하나에 의하면, 하나의 공정챔버 내에서 기판에 패턴을 식각하는 식각공정과 포토레지스트(PR)를 박리하는 애싱공정을 연속적으로 진행할 수 있다. 그러므로 기판을 공정챔버 외부로 반송이 불필요하다. 그러므로 공정 스텝(step) 감소 및 반송부하 감소로 제품 생산 시간을 단축할 수 있고, 제품 생산 비용을 절감할 수 있다. According to at least one of the embodiments of the present invention, the etching process of etching the pattern on the substrate and the ashing process of peeling the photoresist PR in one process chamber may be continuously performed. Therefore, it is not necessary to carry the substrate out of the process chamber. Therefore, the production time can be shortened and the production cost can be reduced by reducing the process step and the return load.

또한, 본 발명의 실시 예들 중 적어도 하나에 의하면, 기판 처리 시스템의 설비 공간에서 별도로 설치되어 있던 애싱 장치(포토레지스트 제거장치)를 제거할 수 있어 여유 공간을 확보할 수 있다. 그러므로 장치 설치를 위한 설치비용을 절감할 수 있다. In addition, according to at least one of the embodiments of the present invention, it is possible to remove the ashing device (photoresist removing device) that is separately installed in the facility space of the substrate processing system, thereby ensuring a free space. Therefore, the installation cost for device installation can be reduced.

또한, 본 발명의 실시 예들 중 적어도 하나에 의하면, 식각공정과 애싱공정이 동일 공간에서 수행되므로 기판이 공정챔버 외부로 반출되지 않아 기판이 외부 환경에 노출되어 오염되는 것을 방지할 수 있다. In addition, according to at least one of the embodiments of the present invention, since the etching process and the ashing process are performed in the same space, the substrate is not taken out of the process chamber, thereby preventing the substrate from being exposed to the external environment and being contaminated.

또한, 본 발명의 실시 예들 중 적어도 하나에 의하면, 애싱용 라디칼 발생기로부터 발생된 라디칼의 화학반응으로 포토레지스터를 제거하므로 기판 및 증착막에 물리적 데미지를 주지 않는다. 증착막 두께 단차에 기인한 얼룩(mura) 얼룩 불량을 제거할 수 있다. In addition, according to at least one of the embodiments of the present invention, since the photoresist is removed by chemical reaction of radicals generated from the ashing radical generator, physical damage is not caused to the substrate and the deposited film. The mura spot defects due to the deposited film thickness step can be removed.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 기판 처리 챔버를 이용하여 식각공정을 진행하는 개념을 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 기판 처리 챔버를 이용하여 애싱공정을 진행하는 개념을 도시한 도면이다.
도 3 및 도 4는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 기판 처리 챔버를 이용하여 식각공정과 애싱공정을 진행하는 개념을 도시한 도면이다.
도 5 내지 도 7은 애싱용 라디칼 발생기의 다양한 실시 예를 도시한 도면이다.
도 8은 본 발명의 바람직한 다른 실시 예에 따른 기판 처리 챔버를 도시한 도면이다.
도 9는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 기판 처리 방법을 도시한 흐름도이다.
도 10은 본 발명의 바람직한 또 다른 실시 예에 따른 기판 처리 챔버를 도시한 도면이다.
도 11은 본 발명의 바람직한 또 다른 실시 예에 따른 기판 처리 챔버를 도시한 도면이다.
도 12는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 기판 처리 시스템을 도시한 도면이다.1 is a view showing a concept of performing an etching process using a substrate processing chamber according to a preferred embodiment of the present invention.
2 is a view illustrating a concept of an ashing process using a substrate processing chamber according to a preferred embodiment of the present invention.
3 and 4 illustrate a concept of performing an etching process and an ashing process using a substrate processing chamber according to a preferred embodiment of the present invention.
5 to 7 illustrate various embodiments of the ashing radical generator.
8 illustrates a substrate processing chamber according to another exemplary embodiment of the present invention.
9 is a flowchart illustrating a substrate processing method according to an exemplary embodiment of the present invention.
10 is a diagram illustrating a substrate processing chamber according to another exemplary embodiment of the present invention.
FIG. 11 is a diagram illustrating a substrate processing chamber according to another exemplary embodiment of the present invention. FIG.
12 illustrates a substrate processing system according to a preferred embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서에 개시된 실시 예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 유사한 구성요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 이하의 설명에서 사용되는 구성요소에 대한 접미사 "모듈" 및 "부"는 명세서 작성의 용이함만이 고려되어 부여되거나 혼용되는 것으로서, 그 자체로 서로 구별되는 의미 또는 역할을 갖는 것은 아니다. 또한, 본 명세서에 개시된 실시 예를 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서에 개시된 실시 예의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 첨부된 도면은 본 명세서에 개시된 실시 예를 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것일 뿐, 첨부된 도면에 의해 본 명세서에 개시된 기술적 사상이 제한되지 않으며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. Hereinafter, embodiments of the present disclosure will be described in detail with reference to the accompanying drawings, and the same or similar components are denoted by the same reference numerals regardless of the reference numerals, and redundant description thereof will be omitted. The suffixes "module" and "unit" for components used in the following description are given or used in consideration of ease of specification, and do not have distinct meanings or roles from each other. In addition, in describing the embodiments disclosed herein, when it is determined that the detailed description of the related known technology may obscure the gist of the embodiments disclosed herein, the detailed description thereof will be omitted. In addition, the accompanying drawings are intended to facilitate understanding of the embodiments disclosed herein, but are not limited to the technical spirit disclosed herein by the accompanying drawings, all changes included in the spirit and scope of the present invention. It should be understood to include equivalents and substitutes.

제1, 제2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.Terms including ordinal numbers such as first and second may be used to describe various components, but the components are not limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another.

어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.When a component is referred to as being "connected" or "connected" to another component, it may be directly connected to or connected to that other component, but it may be understood that other components may be present in between. Should be. On the other hand, when a component is said to be "directly connected" or "directly connected" to another component, it should be understood that there is no other component in between.

단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise.

본 출원에서, "포함한다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.In this application, the terms "comprises" or "having" are intended to indicate that there is a feature, number, step, operation, component, part, or combination thereof described in the specification, and one or more other features. It is to be understood that the present disclosure does not exclude the possibility of the presence or the addition of numbers, steps, operations, components, components, or combinations thereof.

이하, 도면들을 참조하여 본 발명의 실시 예에 대해 상세히 설명하기로 한다. 본 발명은 본 발명의 정신 및 필수적 특징을 벗어나지 않는 범위에서 다른 특정한 형태로 구체화될 수 있음은 당업자에게 자명하다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. It is apparent to those skilled in the art that the present invention can be embodied in other specific forms without departing from the spirit and essential features of the present invention.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 기판 처리 챔버를 이용하여 식각공정을 진행하는 개념을 도시한 도면이고, 도 2는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 기판 처리 챔버를 이용하여 애싱공정을 진행하는 개념을 도시한 도면이다.1 is a view showing a concept of performing an etching process using a substrate processing chamber according to a preferred embodiment of the present invention, Figure 2 is an ashing process using a substrate processing chamber according to a preferred embodiment of the present invention It is a figure which shows the concept to do.

도 1을 참조하면, 본 발명의 기판 처리 챔버(100)는 공정챔버(110)와 플라즈마 소스(120) 및 애싱용 라디칼 발생기(130)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 1, the substrate processing chamber 100 of the present invention may include a process chamber 110, a plasma source 120, and an ashing radical generator 130.

공정챔버(110)는 내부 공간에서 기판을 처리하기 위한 구성으로, 내부에 기판 지지대(114)가 구비된다. 기판 지지대(114)에는 식각 공정 또는 애싱 공정을 수행하기 위한 기판(112)이 안착될 수 있다. The process chamber 110 is configured to process a substrate in an internal space, and a substrate support 114 is provided therein. A substrate 112 for performing an etching process or an ashing process may be mounted on the substrate support 114.

기판(112)은 웨이퍼 또는 디스플레이용 기판(유리)일 수 있으며, 반도체 또는 디스플레이를 제조하기 위한 것으로, 베이스 기판(112a)의 상면에 산화막(112b), 증착막(112c) 및 포토레지스트(112d)가 적층되어 형성될 수 있다. 포토레지스트(112d)의 형상에 따라 증착막(112c)을 식각함으로써 원하는 패턴으로 제조할 수 있다. 이러한 과정을 수행하는 공정을 식각(Ehch) 공정이라 한다. 또는 식각 공정이 완료된 후 포로레지스트(112d)를 박리(또는 제거)할 수 있다. 이러한 과정을 수행하는 공정을 애싱(Ashing 또는 Strip) 공정이라 한다. 본 발명에서의 애싱 공정은 포토레지스트를 제거하는 모든 공정을 통틀어 포함할 수 있다. The substrate 112 may be a wafer or a substrate for display (glass), and for manufacturing a semiconductor or a display. An oxide film 112b, a deposition film 112c, and a photoresist 112d may be formed on an upper surface of the base substrate 112a. It can be stacked and formed. The deposition film 112c may be etched according to the shape of the photoresist 112d to produce a desired pattern. The process of performing this process is called an etching (Ehch) process. Alternatively, the pores resist 112d may be peeled off (or removed) after the etching process is completed. The process of performing this process is called an ashing or strip process. The ashing process in the present invention may include all processes of removing the photoresist.

공정챔버(110)에는 내부를 진공으로 형성하거나 미반응 가스 등을 배출하기 위한 배기펌프(116)가 배출구에 연결될 수 있다.In the process chamber 110, an exhaust pump 116 for discharging unreacted gas or the like may be connected to the outlet.

플라즈마 소스(120)는 공정챔버(110) 내로 플라즈마를 방전하기 위한 구성이다. 플라즈마 소스(120)는 플라즈마를 방전하기 위한 가스를 공급받아 공정챔버(110) 내에서 플라즈마를 방전시킬 수 있다. 이때, 플라즈마 소스(120)는 제2 가스 공급부(142)로부터 플라즈마 방전을 위한 가스를 공급받을 수 있다. 제2 가스 공급부(142)는 애싱용 라디칼 발생기(130)와 연결되어, 애싱용 라디칼 발생기(130)를 통과한 가스가 공정챔버(110) 내로 공급될 수 있다. 여기서, 제2 가스 공급부(142)로부터 공급되는 가스는 제어부(160)의 제어신호에 의해 밸브(144)의 개폐가 조절됨으로써 제어될 수 있다. The plasma source 120 is configured to discharge plasma into the process chamber 110. The plasma source 120 may receive a gas for discharging the plasma to discharge the plasma in the process chamber 110. In this case, the plasma source 120 may receive a gas for plasma discharge from the second gas supply unit 142. The second gas supply unit 142 may be connected to the ashing radical generator 130 so that the gas passing through the ashing radical generator 130 may be supplied into the process chamber 110. Here, the gas supplied from the second gas supply unit 142 may be controlled by controlling the opening and closing of the valve 144 by the control signal of the controller 160.

플라즈마 소스(120)에 의해 분해된 가스는 기판(112)에 작용하여 기판(112)의 증착막(112c)을 식각할 수 있다. 그러므로 플라즈마 소스(120)에 의하여 공정챔버(110) 내에서 직접 플라즈마가 발생될 수 있다. The gas decomposed by the plasma source 120 may act on the substrate 112 to etch the deposition film 112c of the substrate 112. Therefore, the plasma may be directly generated in the process chamber 110 by the plasma source 120.

플라즈마 소스(120)는 전원 공급부(122)로부터 전력을 공급받을 수 있다. 전원 공급부(122)와 플라즈마 소스(120) 사이에는 임피던스 매칭을 위한 임피던스 정합기(124)가 연결될 수 있다. The plasma source 120 may receive power from the power supply 122. An impedance matcher 124 for impedance matching may be connected between the power supply 122 and the plasma source 120.

애싱용 라디칼 발생기(130)는 내부에 플라즈마가 방전될 수 있는 공간이 구비되고, 공급받은 가스를 플라즈마 방전에 의해 가스를 분해하여, 분해된 라디칼을 공정챔버(110) 내로 공급하기 위한 구성이다. 애싱용 라디칼 발생기(130)는 공정챔버(110) 외부에 구비되어, 공정챔버(110) 외부에서 라디칼을 공급할 수 있다. 애싱용 라디칼 발생기(130)와 공정챔버(110)는 어댑터(117)를 통해 연결될 수 있다. 애싱용 라디칼 발생기(130)는 제1 가스 공급부(141)로부터 가스를 공급받을 수 있다. 제1 가스 공급부(141)로부터 공급된 가스는 애싱용 라디칼 발생기(130)에서 플라즈마에 의해 라디칼로 분해되어 공정챔버(110)로 공급될 수 있다. The ashing radical generator 130 has a space for discharging the plasma therein, and decomposes the gas by the plasma discharge and supplies the decomposed radicals into the process chamber 110. The ashing radical generator 130 may be provided outside the process chamber 110 to supply radicals from the outside of the process chamber 110. The ashing radical generator 130 and the process chamber 110 may be connected through the adapter 117. The ashing radical generator 130 may receive gas from the first gas supply unit 141. The gas supplied from the first gas supply unit 141 may be decomposed into radicals by plasma in the ashing radical generator 130 and supplied to the process chamber 110.

애싱용 라디칼 발생기(130)는 전원 공급부(132)로부터 전력을 공급받아 구동될 수 있다. 애싱용 라디칼 발생기(130)는 제1 가스 공급부(141)로부터 가스를 공급받을 수 있다. 여기서, 제1 가스 공급부(141)로부터 공급되는 가스는 제어부(160)의 제어신호에 의해 밸브(144)의 개폐가 조절됨으로써 제어될 수 있다. 공정챔버(110) 내부에는 애싱용 라디칼 발생기(130)에서 공급된 라디칼이 균일하게 분배될 수 있도록 배플판(미도시)이 구비될 수 있다. The ashing radical generator 130 may be driven by receiving power from the power supply 132. The ashing radical generator 130 may receive gas from the first gas supply unit 141. Here, the gas supplied from the first gas supply unit 141 may be controlled by controlling the opening and closing of the valve 144 by the control signal of the controller 160. In the process chamber 110, a baffle plate (not shown) may be provided to uniformly distribute the radicals supplied from the ashing radical generator 130.

도 1에서는 플라즈마 소스(120)를 이용하여 공정챔버(110) 내에서 플라즈마를 방전하여 기판(112)의 식각 공정을 수행할 수 있다. 이때, 플라즈마 방전을 위하여 제2 가스 공급부(142)로부터 가스가 공정챔버(110) 내로 공급될 수 있도록 제어부(160)는 밸브(144) 또는 유량조절장치(미도시)를 제어할 수 있다. In FIG. 1, the plasma may be discharged in the process chamber 110 using the plasma source 120 to perform an etching process of the substrate 112. In this case, the controller 160 may control the valve 144 or the flow control device (not shown) so that the gas may be supplied into the process chamber 110 from the second gas supply unit 142 for plasma discharge.

도 2를 참조하면, 애싱용 라디칼 발생기(230)를 이용하여 식각 공정이 수행된 기판(112)에서 포토레지스트(112d)를 제거하기 위한 애싱 공정을 수행할 수 있다. 공정챔버(210) 내에서 식각 공정을 수행한 후, 기판(112)을 그대로 공정챔버(210) 내에 유지한 상태에서 애싱용 라디칼 발생기(230)를 이용하여 공정챔버(210) 내로 라디칼을 공급할 수 있다. Referring to FIG. 2, an ashing process may be performed to remove the photoresist 112d from the substrate 112 on which the etching process is performed using the ashing radical generator 230. After the etching process is performed in the process chamber 210, radicals may be supplied into the process chamber 210 using the ashing radical generator 230 while the substrate 112 is maintained in the process chamber 210. have.

애싱용 라디칼 발생기(230)는 제1가스 공급부(241)로부터 가스를 공급받고, 전원 공급부(232)로부터 전력을 공급받아 구동되어 플라즈마를 방전할 수 있다. 애싱용 라디칼 발생기(230)는 공급받은 가스를 라디칼로 분해하여 공정챔버(210)로 공급할 수 있다. 공정챔버(210)로 공급된 라디칼은 기판(112)의 포토레지스트(112d)와 화학 반응하여 포토레지스트(112d)를 제거할 수 있다. The ashing radical generator 230 may receive gas from the first gas supply unit 241 and may be driven by receiving power from the power supply unit 232 to discharge the plasma. The ashing radical generator 230 may decompose the supplied gas into radicals and supply the radicals to the process chamber 210. The radicals supplied to the process chamber 210 may chemically react with the photoresist 112d of the substrate 112 to remove the photoresist 112d.

기판(112)은 공정챔버(210) 내에서 식각 공정이 수행된 후, 공정챔버(210) 내에서 연속적으로 애싱 공정이 수행될 수 있다. 그러므로 식각 공정 이후 애싱 공정을 수행하기 위해 식각 공정을 위한 장치에서 애싱 공정을 위한 장치로 기판을 이송하지 않아도 되어 기판(112)이 이동 중 오염되는 것을 방지할 수 있다. 또한 기판 이송에 소요되는 시간을 절감할 수 있다. After the etching process is performed in the process chamber 210, the substrate 112 may be continuously ashed in the process chamber 210. Therefore, since the substrate 112 does not have to be transferred from the apparatus for the etching process to the apparatus for the ashing process to perform the ashing process after the etching process, the substrate 112 may be prevented from being contaminated during movement. In addition, the time required for transferring the substrate can be reduced.

본 발명에서의, 애싱용 라디칼 발생기(230)는 오존(O3) 라디칼을 배출할 수 있다. 오존(O3) 라디칼은 공정챔버(210) 내로 공급되어 기판(112) 상의 포토레지스트(112d)를 제거할 수 있다. 오존(O3) 라디칼은 포토레지스트(112d)와 화학 반응하며 포토레지스트(112d)를 제거할 수 있다. 그러므로 기판(112), 특히 포로레지스트(112d)를 제거할때 증착막(112c) 또는 베이스 기판(112a)이 손상되는 것을 방지할 수 있다. In the present invention, the ashing radical generator 230 may discharge ozone (O 3) radicals. Ozone (O3) radicals may be supplied into the process chamber 210 to remove the photoresist 112d on the substrate 112. Ozone (O3) radicals may chemically react with the photoresist 112d and remove the photoresist 112d. Therefore, it is possible to prevent the deposition film 112c or the base substrate 112a from being damaged when the substrate 112, particularly the pores resist 112d, is removed.

애싱용 라디칼 발생기(230)와 공정챔버(210)는 어댑터(217)로 연결될 수 있다. 또한 제어부(260)는 밸브(244)를 제어함으로써 제1 가스 공급부(241)와 제2 가스 공급부(242)에서 공급되는 가스의 양을 조절할 수 있다. 플라즈마 소스는 전원 공급부(222)와 임피던스 정합기(224)에 연결될 수 있다. The ashing radical generator 230 and the process chamber 210 may be connected to the adapter 217. In addition, the controller 260 may control the amount of gas supplied from the first gas supply part 241 and the second gas supply part 242 by controlling the valve 244. The plasma source may be connected to the power supply 222 and the impedance matcher 224.

도 3 및 도 4는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 기판 처리 챔버를 이용하여 식각공정과 애싱공정을 진행하는 개념을 도시한 도면이다. 3 and 4 illustrate a concept of performing an etching process and an ashing process using a substrate processing chamber according to a preferred embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 기판 처리 챔버의 공정챔버 내로 기판이 로딩될 수 있다. 이때, 기판은 베이스 기판 상에 산화막, 증착막 및 포토레지스트가 형성된 상태일 수 있다. 공정챔버 내의 기판 지지대에 기판을 안착한 후 기판상의 이물질을 제거하기 위하여 공정챔버 내로 퍼지가스를 퍼지할 수 있다. 퍼지가스는 별도의 퍼지가스 공급부로부터 공급될 수도 있고, 제2 가스 공급부로부터 공급될 수도 있다. 또한 퍼지가스는 애싱용 라디칼 발생기를 통해 공정챔버 내로 공급될 수도 있고, 공정챔버 내로 직접 공급될 수도 있다. Referring to FIG. 3, a substrate may be loaded into a process chamber of a substrate processing chamber. In this case, the substrate may be in a state where an oxide film, a deposition film, and a photoresist are formed on the base substrate. After mounting the substrate on the substrate support in the process chamber, the purge gas may be purged into the process chamber to remove foreign substances on the substrate. The purge gas may be supplied from a separate purge gas supply unit or may be supplied from the second gas supply unit. In addition, the purge gas may be supplied into the process chamber through an ashing radical generator, or may be directly supplied into the process chamber.

퍼지가스가 공급된 후 공정챔버 내의 플라즈마 소스를 이용하여 식각 공정을 수행할 수 있다. 식각 공정은 기판의 증착막을 포토레지스트를 이용하여 제거하여 패턴을 형성하는 과정을 일컫는다. After the purge gas is supplied, the etching process may be performed using a plasma source in the process chamber. An etching process refers to a process of forming a pattern by removing a deposition film of a substrate using a photoresist.

식각 공정을 수행하기 위해서는 공정챔버 내부의 공정조건을 식각 공정을 위한 상태로 유지할 수 있다. 이때, 기판 지지대는 식각 공정을 위한 공정조건에 맞도록 식각 공정 모드로 구동되어 기판을 고정할 수 있다. 또한 공정조건에 맞는 온도 제어가 요구될 수도 있다. In order to perform the etching process, process conditions inside the process chamber may be maintained in a state for the etching process. In this case, the substrate support may be driven in the etching process mode to match the process conditions for the etching process to fix the substrate. In addition, temperature control to suit process conditions may be required.

식각 공정을 수행한 후 식각된 증착막의 이물질을 제거하기 위하여 다시 공정챔버 내로 퍼지가스를 퍼지할 수 있다. 기판에 패턴을 형성한 후 포토레지스트를 제거하기 위한 애싱 공정을 수행할 수 있다. 애싱 공정은 기판의 포토레지스트를 제거하는 과정을 일컫는다.After performing the etching process, the purge gas may be purged again into the process chamber to remove foreign substances in the etched deposition film. After the pattern is formed on the substrate, an ashing process for removing the photoresist may be performed. The ashing process refers to a process of removing photoresist of a substrate.

애싱 공정은 애싱용 라디칼 발생기를 이용할 수 있다. 애싱용 라디칼 발생기를 이용하여 포토레지스트를 제거하기 위한 라디칼을 생성하고, 생성된 라디칼을 공정챔버 내로 공급할 수 있다. 본 발명에서의 애싱용 라디칼 발생기는 오존(O3) 라디칼을 생성하여 공정챔버로 공급할 수 있다. The ashing process may use a radical generator for ashing. The ashing radical generator may be used to generate radicals for removing the photoresist and supply the generated radicals into the process chamber. Ashing radical generator in the present invention can generate the ozone (O3) radicals can be supplied to the process chamber.

애싱 공정을 수행하기 위해서는 공정챔버 내부의 공정조건을 애싱 공정을 위한 상태로 유지할 수 있다. 이때, 기판 지지대는 애싱 공정을 위한 내부 공정조건에 맞도록 애싱 공정 모드로 구동되어 기판을 고정할 수 있다. 또한 공정조건에 맞는 온도 제어가 요구될 수도 있다.In order to perform the ashing process, process conditions inside the process chamber may be maintained in a state for the ashing process. In this case, the substrate support may be driven in an ashing process mode to fit the internal process conditions for the ashing process to fix the substrate. In addition, temperature control to suit process conditions may be required.

애싱 공정을 수행 한 후, 다시 공정챔버 내로 퍼지가스를 퍼지함으로써 기판 상의 이물질을 제거할 수 있다. 애싱 공정 후 기판은 공정챔버 외부로 언로딩될 수 있다. After the ashing process is performed, foreign substances on the substrate may be removed by purging the purge gas into the process chamber again. After the ashing process, the substrate may be unloaded out of the process chamber.

필요에 따라 기판의 식각과 애싱 공정을 수행한 후 공정챔버에 대한 세정공정을 수행할 수 있다. 공정챔버의 세정공정은 일반적으로 공정챔버를 세정하는 방법으로 널리 알려져 있으므로 본 발명에서는 상세한 설명은 생략한다. If necessary, the substrate may be etched and ashed, and then the process chamber may be cleaned. Since the process of cleaning the process chamber is generally known as a method of cleaning the process chamber, a detailed description thereof will be omitted.

도 4를 참조하면, 기판 처리 챔버를 이용하여 도 3에서와 같이, 식각 공정과 애싱 공정을 수행할 수 있다. 이때, 식각 공정과 애싱 공정은 한번 이상 교대로 수행될 수 있다. Referring to FIG. 4, an etching process and an ashing process may be performed using the substrate processing chamber as in FIG. 3. In this case, the etching process and the ashing process may be alternately performed one or more times.

다시 말해, 1차 식각 공정을 통해 패턴을 형성하고, 1차 애싱 공정을 통해 포토레지스트를 제거할 수 잇다. 그 후, 다시 패턴을 형성하기 위한 2차 식각 공정을 수행하고, 2차 애싱 공정을 수행할 수 있다. 각 공정 사이에는 기판의 이물질을 제거하기 위하여 퍼지가스를 퍼지하는 과정을 포함할 수 있다. In other words, a pattern may be formed through a primary etching process and a photoresist may be removed through a primary ashing process. Thereafter, a second etching process for forming a pattern may be performed again, and a second ashing process may be performed. Between each process may include a process of purging the purge gas to remove foreign substances on the substrate.

도 5 내지 도 7은 애싱용 라디칼 발생기의 다양한 실시 예를 도시한 도면이다. 5 to 7 illustrate various embodiments of the ashing radical generator.

도 5를 참조하면, 본 발명에서의 애싱용 라디칼 발생기(530, 540)는 변압기 플라즈마 방식 또는 유도 결합 플라즈마 방식을 이용하여 플라즈마를 방전할 수 있다.Referring to FIG. 5, the ashing radical generators 530 and 540 in the present invention may discharge the plasma using a transformer plasma method or an inductively coupled plasma method.

애싱용 라디칼 발생기(530)는 변압기 플라즈마 방식을 도시한 것으로, 토로이달 형상의 플라즈마 방전 채널을 갖는 몸체(532)와 변압기를 포함할 수 있다. 몸체(532)는 내부에 플라즈마가 방전되는 공간으로 토로이달 형상의 플라즈마 방전 채널을 갖는다. 플라즈마 방전 채널 일부에 쇄교하도록 몸체(532)에 변압기가 설치될 수 있다. 변압기는 몸체(532)에 설치되는 페라이트 코어(534) 및 페라이트 코어에 권선되는 일차권선 코일(536)을 포함할 수 있다. 가스 주입구(531)를 통해 몸체(532) 내부로 가스가 주입되고, 전원 공급부(533)로부터 전력이 일차권선으로 공급되면, 플라즈마 방전 채널에서 플라즈마가 방전될 수 있다. 플라즈마 방전 채널에서 분해된 라디칼은 가스 배출구(537)를 통해 배출될 수 있다. 가스 배출구(537)는 공정챔버와 연결될 수 있다. 페라이트 코어(534)의 설치 위치는 도면의 도시된 위치에 국한되지 않고, 가스 주입구(531) 또는 가스 배출구(537) 주변에 설치될 수 있다. The ashing radical generator 530 illustrates a transformer plasma method, and may include a transformer and a body 532 having a plasma discharge channel having a toroidal shape. The body 532 has a toroidal plasma discharge channel as a space in which plasma is discharged. A transformer may be installed in the body 532 to bridge a portion of the plasma discharge channel. The transformer may include a ferrite core 534 installed in the body 532 and a primary winding coil 536 wound around the ferrite core. When gas is injected into the body 532 through the gas injection hole 531, and power is supplied from the power supply unit 533 to the primary winding, plasma may be discharged in the plasma discharge channel. Radicals decomposed in the plasma discharge channel may be discharged through the gas outlet 537. The gas outlet 537 may be connected to the process chamber. The installation position of the ferrite core 534 is not limited to the illustrated position of the figure, it may be installed around the gas inlet 531 or the gas outlet (537).

애싱용 라디칼 발생기(540)는 유도 결합 플라즈마 방식으로 플라즈마를 방전할 수 있다. 애싱용 라디칼 발생기(540)는 내부에 방전 공간을 갖고, 일측에는 가스 주입구(541)가 구비되고 타측에는 가스 배출구(547)가 구비되는 몸체(542) 및 몸체(542)의 외주면에 권선되는 유도 코일(546)을 포함할 수 있다. 유도 코일(546)은 전원 공급부(543)로부터 전력을 공급받아 구동되어 몸체(542) 내로 유도 결합된 플라즈마를 방전할 수 있다. The ashing radical generator 540 may discharge the plasma by an inductively coupled plasma method. Ashing radical generator 540 has a discharge space therein, the induction is wound around the outer peripheral surface of the body 542 and the body 542 is provided with a gas inlet 541 on one side and the gas outlet 547 on the other side It may include a coil 546. The induction coil 546 may be driven by receiving power from the power supply 543 to discharge the plasma inductively coupled into the body 542.

도 6을 참조하면, 애싱용 라디칼 발생기(630)는 마이크로 웨이브 발생부(632) 및 몸체(633)를 포함할 수 있다. 마이크로 웨이브 발생부(632)에서 발생한 마이크로 웨이브는 몸체(633)로 공급되고, 몸체(633)의 가스 주입구(631)를 통해 가스가 공급되어 플라즈마가 방전되어 분해된 라디칼이 가스 배출구(637)를 통해 배출될 수 있다. Referring to FIG. 6, the ashing radical generator 630 may include a microwave generator 632 and a body 633. The microwaves generated by the microwave generator 632 are supplied to the body 633, and the gas is supplied through the gas inlet 631 of the body 633 to discharge the plasma to discharge the radicals. Can be discharged through.

또한 애싱용 라디칼 발생기(640)는 용량 결합 플라즈마 방식으로 플라즈마를 방전할 수 있다. 애싱용 라디칼 발생기(640)는 방전 공간을 갖는 몸체(642)와 몸체(642)에 마주 대향되도록 구비되는 전극부(645)를 포함할 수 있다. 전극부(645)는 전원 공급부(643)와 연결될 수 있다. 가스 주입구(641)를 통해 몸체(642) 내의 방전 공간으로 가스가 주입되고, 전극부(645)를 구동하면 방전 공간에서 플라즈마가 방전되어 분해된 라디칼이 가스 배출구(647)를 통해 배출될 수 있다. In addition, the ashing radical generator 640 may discharge the plasma by a capacitively coupled plasma method. The ashing radical generator 640 may include a body 642 having a discharge space and an electrode portion 645 provided to face the body 642. The electrode unit 645 may be connected to the power supply unit 643. Gas is injected into the discharge space in the body 642 through the gas injection port 641, and when the electrode unit 645 is driven, plasma that is discharged from the discharge space may be discharged through the gas discharge port 647. .

도면에서는 도시하지 않았으나, 애싱용 라디칼 발생기는 용량 결합 플라즈마, 유도 결합 플라즈마, 마이크로 웨이브 플라즈마 및 변압기 플라즈마 중 적어도 하나 이상을 포함하여 하이브리드 방식으로 플라즈마를 방전할 수 있다. Although not shown, the ashing radical generator may discharge the plasma in a hybrid manner, including at least one of a capacitively coupled plasma, an inductively coupled plasma, a microwave plasma, and a transformer plasma.

도 7을 참조하면, 기판 처리 챔버(700)에서 애싱용 라디칼 발생기는 방전관(731), 마그네틱 코어(736) 및 일차 권선 코일(734)을 포함할 수 있다. 방전관(731)은 가스 공급부(741)와 연결되어 가스를 공급받는 가스 주입구와 가스가 배출되는 다수 개의 가스 배출구를 포함할 수 있다. 가스 공급부(741)로부터 공급되는 가스는 밸브(744)에 의해 조절될 수 있다. Referring to FIG. 7, the ashing radical generator in the substrate processing chamber 700 may include a discharge tube 731, a magnetic core 736, and a primary winding coil 734. The discharge tube 731 may be connected to the gas supply unit 741 and may include a gas inlet for receiving gas and a plurality of gas outlets for discharging the gas. The gas supplied from the gas supply 741 may be regulated by the valve 744.

다수 개의 가스 배출구는 개구된 형태로 공정챔버(710)와 연결되어 설치될 수 있다. 그러므로 방전관(731)에 토로이달 형상의 플라즈마 방전 채널이 형성되는데, 플라즈마 방전 채널의 일부는 공정챔버(710) 내에서 형성될 수 있다. The plurality of gas outlets may be installed to be connected to the process chamber 710 in an open form. Therefore, a toroidal plasma discharge channel is formed in the discharge tube 731, and a part of the plasma discharge channel may be formed in the process chamber 710.

페라이트 코어(736)는 방전관(731)에 구비될 수 있다. 페라이트 코어(736)는 다수 개의 방전관(731)에 모두 구비될 수도 있다. 일차 권선 코일(734)은 페라이트 코어(736)에 권선되어 전원 공급부(732)와 연결될 수 있다. The ferrite core 736 may be provided in the discharge tube 731. The ferrite core 736 may be provided in all of the plurality of discharge tubes 731. The primary winding coil 734 may be wound around the ferrite core 736 and connected to the power supply 732.

공정챔버(710) 내에는 애싱용 라디칼 발생기에서 배출되는 라디칼을 균일하게 기판(712)으로 공급하기 위한 배플판(711)이 구비될 수 있다. 공정챔버(710) 내에서 기판(712)은 기판 지지대(714)에 안착될 수 있으며, 공정챔버(710)는 배기펌프(716)와 연결될 수 있다. In the process chamber 710, a baffle plate 711 may be provided to uniformly supply radicals discharged from the ashing radical generator to the substrate 712. In the process chamber 710, the substrate 712 may be seated on the substrate support 714, and the process chamber 710 may be connected to the exhaust pump 716.

도 8은 본 발명의 바람직한 다른 실시 예에 따른 기판 처리 챔버를 도시한 도면이다. 8 illustrates a substrate processing chamber according to another exemplary embodiment of the present invention.

도 8을 참조하면, 기판 처리 챔버(800)는 제2 가스 공급부(842)에서 공급되는 가스(식각 공정을 위한 가스)가 직접 공정챔버(110)로 공급될 수 있도록 공정챔버(110) 또는 어댑터(817)에 연결될 수 있다. 다시 말해, 제2 가스 공급부(842)에서 공급되는 가스는 애싱용 라디칼 발생기(830)를 통하지 않고 공정챔버(110)로 공급될 수 있다. Referring to FIG. 8, the substrate processing chamber 800 may include a process chamber 110 or an adapter so that a gas (gas for an etching process) supplied from the second gas supply unit 842 may be directly supplied to the process chamber 110. 817 may be connected. In other words, the gas supplied from the second gas supply unit 842 may be supplied to the process chamber 110 without passing through the ashing radical generator 830.

제1 가스 공급부(841)는 애싱용 라디칼 발생기(830)에 연결될 수 있다. 여기서, 밸브(844)는 제어부(860)에 의해 제어될 수 있다. The first gas supply 841 may be connected to the ashing radical generator 830. Here, the valve 844 may be controlled by the controller 860.

도 9는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 기판 처리 방법을 도시한 흐름도이다. 9 is a flowchart illustrating a substrate processing method according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 9를 참조하면, 기판에 패턴을 형성하기 위한 식각 공정을 수행하기 위하여 기판은 기판 처리 챔버의 공정챔버 내로 로딩될 수 있다(S110). 기판이 로딩된 후 식각 공정을 위한 플라즈마 소스를 구동하여 공정챔버 내에서 플라즈마를 방전할 수 있다(S120). 방전된 플라즈마에 의해 가스가 분해되어 공정챔버 내에서 기판의 1차 식각 공정이 수행될 수 있다(S130). 1차 식각 공정 이후 포토레지스트를 제거하기 위한 1차 애싱 공정(스트립 공정)을 수행할 수 있다(S140). 이후 필요에 따라 2차 식각 공정 및 2차 애싱 공정을 수행할 수 있다(S150, S160). 식각 공정과 애싱 공정을 수행하여 기판에 패턴이 형성되면 공정챔버 외부로 기판을 언로딩할 수 있다(S170).Referring to FIG. 9, in order to perform an etching process for forming a pattern on a substrate, the substrate may be loaded into the process chamber of the substrate processing chamber (S110). After the substrate is loaded, the plasma may be discharged in the process chamber by driving the plasma source for the etching process (S120). The gas may be decomposed by the discharged plasma to perform a first etching process of the substrate in the process chamber (S130). After the first etching process, a first ashing process (strip process) for removing the photoresist may be performed (S140). Thereafter, the secondary etching process and the secondary ashing process may be performed as necessary (S150 and S160). When the pattern is formed on the substrate by performing the etching process and the ashing process, the substrate may be unloaded out of the process chamber (S170).

도 10은 본 발명의 바람직한 또 다른 실시 예에 따른 기판 처리 챔버를 도시한 도면이다.10 is a diagram illustrating a substrate processing chamber according to another exemplary embodiment of the present invention.

도 10을 참조하면, 기판 처리 챔버(1000)는 공정챔버(1010)에 다수 개의 애싱용 라디칼 발생기(1030a, 1030b)가 구비될 수 있다. 다수 개의 애싱용 라디칼 발생기(1030a, 1030b)는 각각 어댑터를 통해 공정챔버(1010)에 연결될 수 있다. 그러므로 다수 개의 애싱용 라디칼 발생기(1030a, 1030b) 각각에서 발생된 라디칼은 공정챔버(1010)로 공급될 수 있다. Referring to FIG. 10, the substrate processing chamber 1000 may include a plurality of ashing radical generators 1030a and 1030b in the process chamber 1010. The plurality of ashing radical generators 1030a and 1030b may be connected to the process chamber 1010 through adapters, respectively. Therefore, radicals generated in each of the plurality of ashing radical generators 1030a and 1030b may be supplied to the process chamber 1010.

다수 개의 애싱용 라디칼 발생기(1030a, 1030b)는 가스 공급부(1041)로부터 가스를 공급받을 수 있다. 가스 공급부(1041)에서 공급되는 가스는 밸브(1044)에 의해 제어될 수 있다. The plurality of ashing radical generators 1030a and 1030b may receive gas from the gas supply part 1041. The gas supplied from the gas supply 1041 may be controlled by the valve 1044.

디스플레이용 기판의 경우, 기판이 대면적이기 때문에 기판 처리를 위한 라디칼이 대면적으로 분포되어야한다. 그러므로 다수 개의 애싱용 라디칼 발생기(1030a, 1030b)를 구비하여 대면적으로 라디칼을 분포함으로써 대면적 기판에 대한 처리가 용이할 수 있다.In the case of a display substrate, since the substrate is large, radicals for processing the substrate must be distributed in a large area. Therefore, a plurality of ashing radical generators 1030a and 1030b may be provided to distribute radicals in a large area, thereby facilitating processing on a large area substrate.

공정챔버(1010)에는 플라즈마 소스(1020)가 구비될 수 있다. 공정챔버(1010) 내에는 기판(1012)을 지지하기 위한 기판 지지대(1014)가 구비될 수 있다. The process chamber 1010 may be provided with a plasma source 1020. In the process chamber 1010, a substrate support 1014 for supporting the substrate 1012 may be provided.

도 11은 본 발명의 바람직한 또 다른 실시 예에 따른 기판 처리 챔버를 도시한 도면이다.FIG. 11 is a diagram illustrating a substrate processing chamber according to another exemplary embodiment of the present invention. FIG.

도 11을 참조하면, 기판 처리 챔버(1100)는 하나의 애싱용 라디칼 발생기(1130)가 구비되고, 애싱용 라디칼 발생기(1130)와 공정챔버(1110)를 연결하는 연결 브리지(1117)를 포함할 수 있다. 연결 브리지(1117)는 다수 개의 개구부가 구비되어 다수 개의 개구부가 공정챔버(1110)와 연결될 수 있다. Referring to FIG. 11, the substrate processing chamber 1100 includes one ashing radical generator 1130 and a connection bridge 1117 connecting the ashing radical generator 1130 and the process chamber 1110. Can be. The connection bridge 1117 may be provided with a plurality of openings so that the plurality of openings may be connected to the process chamber 1110.

애싱용 라디칼 발생기(1130)에서 발생된 라디칼은 연결 브리지(1117)를 통해 분배된 후 공정챔버(1110)로 공급될 수 있다. 연결 브리지(1117)를 통해 라디칼이 공급됨으로써 기판 지지대(1114)에 안착된 기판(1112)에 균일하게 라디칼이 분배될 수 있다. 연결 브리지(1117)에서 개구부의 갯수는 도면에 제한되지 않는다. Radicals generated in the ashing radical generator 1130 may be distributed through the connection bridge 1117 and then supplied to the process chamber 1110. By supplying radicals through the connection bridge 1117, the radicals may be uniformly distributed to the substrate 1112 seated on the substrate support 1114. The number of openings in the connecting bridge 1117 is not limited to the drawings.

디스플레이용 기판의 경우, 기판이 대면적이기 때문에 기판 처리를 위한 라디칼이 대면적으로 분포되어야한다. 그러므로 연결 브리지(1117)를 이용하여 대면적으로 라디칼을 분포함으로써 대면적 기판에 대한 처리가 용이할 수 있다.In the case of a display substrate, since the substrate is large, radicals for processing the substrate must be distributed in a large area. Therefore, the large-area substrate can be easily processed by distributing radicals in a large area using the connection bridge 1117.

도 12는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 기판 처리 시스템을 도시한 도면이다12 illustrates a substrate processing system according to a preferred embodiment of the present invention.

도 12를 참조하면, 기판 처리 시스템(1200)은 전방단부모듈(1160), 로드락 챔버(1250), 트랜스퍼 챔버(1220) 및 기판 처리 챔버를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 12, the substrate processing system 1200 may include a front end module 1160, a load lock chamber 1250, a transfer chamber 1220, and a substrate processing chamber.

전방단부모듈(1160)은 공정이 수행되거나 수행되지 않은 기판을 저장하기 위한 공간을 포함할 수 있다. 전방단부모듈(1160)은 기판을 이송하기 위한 이송로봇(미도시)이 구비될 수 있다. The front end module 1160 may include a space for storing a substrate on which a process is performed or not. The front end module 1160 may be provided with a transfer robot (not shown) for transferring the substrate.

로드락 챔버(1250)는 전방단부모듈과 연결되고, 기판을 전달하기 위하여 대기압과 진공이 교대적으로 이루어지는 구성이다. The load lock chamber 1250 is connected to the front end module, and is configured to alternate between atmospheric pressure and vacuum to transfer the substrate.

트랜스퍼 챔버(1220)는 로드락 챔버(1250)와 연결되어 기판 처리 챔버로 기판을 로딩/언로딩하는 구성이다. 트랜스퍼 챔버(1220)에는 기판 이송 로봇(1225)가 구비될 수 있다. 기판 이송 로봇(1225)는 기판 처리 챔버의 공정챔버(1210)로 기판을 로딩하거나, 공정챔버(1210)에서 공정이 수행된 기판을 언로딩할 수 있다. The transfer chamber 1220 is connected to the load lock chamber 1250 to load / unload the substrate into the substrate processing chamber. The transfer chamber 1220 may be provided with a substrate transfer robot 1225. The substrate transfer robot 1225 may load the substrate into the process chamber 1210 of the substrate processing chamber or unload the substrate on which the process is performed in the process chamber 1210.

기판 처리 챔버는 상기에서 설명한 바와 같이, 공정챔버(1210)와 애싱용 라디칼 발생기(1230)를 포함할 수 있다. 기판 처리 시스템(1210)의 설비 공간에서 별도로 설치되어 있던 애싱 장치(포토레지스트 제거장치)를 제거할 수 있어 여유 공간을 확보할 수 있다. 그러므로 장치 설치를 위한 설치비용을 절감할 수 있다. As described above, the substrate processing chamber may include a process chamber 1210 and an ashing radical generator 1230. An ashing device (photoresist removing device) that has been separately installed in the facility space of the substrate processing system 1210 can be removed, and a free space can be secured. Therefore, the installation cost for device installation can be reduced.

또한, 본 발명의 실시 예들 중 적어도 하나에 의하면, 식각 공정과 애싱 공정이 동일 공간(공정챔버)에서 수행되므로 기판이 공정챔버 외부로 반출되지 않아 기판이 외부 환경에 노출되어 오염되는 것을 방지할 수 있다.In addition, according to at least one of the embodiments of the present invention, since the etching process and the ashing process is performed in the same space (process chamber), the substrate is not carried out of the process chamber, thereby preventing the substrate from being exposed to the external environment and being contaminated. have.

이상의 상세한 설명은 모든 면에서 제한적으로 해석되어서는 아니되고 예시적인 것으로 고려되어야 한다. 본 발명의 범위는 첨부된 청구항의 합리적 해석에 의해 결정되어야 하고, 본 발명의 등가적 범위 내에서의 모든 변경은 본 발명의 범위에 포함된다.The above detailed description should not be construed as limiting in all respects but should be considered as illustrative. The scope of the present invention should be determined by reasonable interpretation of the appended claims, and all changes within the equivalent scope of the present invention are included in the scope of the present invention.

Claims (12)

내부에 기판을 지지하는 기판 지지대를 갖는 공정챔버;
상기 공정챔버에 구비되어 상기 공정챔버 내로 플라즈마를 방전하는 플라즈마 소스; 및
가스 공급부로부터 가스를 공급받아 분해된 라디칼을 상기 공정챔버 외부에서 상기 공정챔버 내로 공급하는 애싱용 라디칼 발생기를 포함하고,
상기 플라즈마 소스를 이용하여 상기 기판에 패턴을 형성하는 식각 공정을 수행하고, 상기 애싱용 라디칼 발생기를 이용하여 상기 기판의 포토레지스트를 제거하는 애싱 공정을 수행하고,
상기 플라즈마 소스 및 상기 애싱용 라디칼 발생기에 전력을 공급하는 전원 공급부;를 더 포함하고,
상기 애싱용 라디칼 발생기는,
토로이달 형상의 플라즈마 방전 채널을 갖는 몸체; 및
상기 플라즈마 방전 채널의 적어도 일부에 쇄교하도록 형성되는 변압기;를 포함하고,
상기 변압기는,
상기 몸체에 형성되는 페라이트 코어; 및
상기 페라이트 코어에 권선되는 일차권선 코일;을 포함하고,
상기 몸체 내부로 가스가 주입되고, 상기 전원 공급부로부터 전력이 일차권선으로 공급되어 플라즈마 방전 채널에서 플라즈마가 방전되는 변압기 플라즈마인 식각과 애싱 공정이 가능한 기판 처리 챔버.
A process chamber having a substrate support for supporting a substrate therein;
A plasma source provided in the process chamber to discharge plasma into the process chamber; And
An ashing radical generator for supplying gas from a gas supply part to supply decomposed radicals from the outside of the process chamber into the process chamber,
Performing an etching process of forming a pattern on the substrate using the plasma source, and an ashing process of removing the photoresist of the substrate using the ashing radical generator,
It further includes a power supply for supplying power to the plasma source and the ashing radical generator,
The ashing radical generator,
A body having a toroidal shape plasma discharge channel; And
A transformer formed to link with at least a portion of the plasma discharge channel;
The transformer is,
A ferrite core formed on the body; And
And a primary winding coil wound around the ferrite core.
A substrate processing chamber capable of etching and ashing the gas into the body, the plasma being a transformer plasma in which plasma is discharged in a plasma discharge channel by supplying power to the primary winding from the power supply.
제1항에 있어서,
상기 애싱용 라디칼 발생기는,
상기 공정챔버로 오존(O3) 라디칼을 배출하는 식각과 애싱 공정이 가능한 기판 처리 챔버.
The method of claim 1,
The ashing radical generator,
And a substrate processing chamber capable of etching and ashing the ozone (O3) radicals into the process chamber.
제1항에 있어서,
상기 플라즈마 소스는,
상기 전원 공급부와 상기 플라즈마 소스 사이에 구비되어 임피던스를 매칭하는 임피던스 정합기를 포함하는 식각과 애싱 공정이 가능한 기판 처리 챔버.
The method of claim 1,
The plasma source,
And an impedance matcher provided between the power supply and the plasma source to match an impedance, wherein the substrate processing chamber is capable of etching and ashing.
제1항에 있어서,
상기 애싱용 라디칼 발생기 내로 상기 애싱 공정을 위한 가스를 공급하는 제1 가스 공급부; 및
상기 공정챔버 내로 상기 식각 공정을 위한 가스를 공급하는 제2 가스 공급부를 포함하는 식각과 애싱 공정이 가능한 기판 처리 챔버.
The method of claim 1,
A first gas supply unit supplying a gas for the ashing process into the ashing radical generator; And
And a second gas supply unit configured to supply a gas for the etching process into the process chamber.
제4항에 있어서,
상기 제2 가스 공급부는,
상기 애싱용 라디칼 발생기와 연결되어 상기 애싱용 라디칼 발생기를 통과한 가스가 상기 공정챔버 내로 공급되는 식각과 애싱 공정이 가능한 기판 처리 챔버.
The method of claim 4, wherein
The second gas supply unit,
And a substrate processing chamber connected to the ashing radical generator and capable of etching and ashing the gas passing through the ashing radical generator into the process chamber.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 애싱용 라디칼 발생기의 상기 몸체는 하나 이상의 가스주입구와 다수의 가스배출구를 갖고, 상기 가스배출구가 상기 공정챔버에 연결되는 다수 개의 방전관으로 형성되는 식각과 애싱 공정이 가능한 기판 처리 챔버.
The method of claim 1,
And the body of the ashing radical generator has at least one gas inlet and a plurality of gas outlets, wherein the gas outlet is formed of a plurality of discharge tubes connected to the process chamber.
제7항에 있어서,
상기 공정챔버는,
상기 애싱용 라디칼 발생기에서 배출되는 라디칼을 균일하게 분배하기 위한 배플판을 포함하는 식각과 애싱 공정이 가능한 기판 처리 챔버.
The method of claim 7, wherein
The process chamber,
And a baffle plate for uniformly distributing radicals discharged from the ashing radical generator.
기판을 저장하는 전방단부모듈;
상기 전방단부모듈과 연결되는 로드락 챔버;
상기 로드락 챔버에 연결되고, 기판을 이송하는 기판 이송챔버를 갖는 트랜스퍼 챔버; 및
상기 트랜스퍼 챔버에 연결되는 기판 처리 챔버를 포함하고,
상기 기판 처리 챔버는
내부에 기판을 지지하는 기판 지지대를 갖는 공정챔버;
상기 공정챔버에 구비되어 상기 공정챔버 내로 플라즈마를 방전하는 플라즈마 소스; 및
가스 공급부로부터 가스를 공급받아 분해된 라디칼을 상기 공정챔버 외부에서 상기 공정챔버 내로 공급하는 애싱용 라디칼 발생기를 포함하고,
상기 플라즈마 소스를 이용하여 상기 기판에 패턴을 형성하는 식각 공정을 수행하고, 상기 애싱용 라디칼 발생기를 이용하여 상기 기판의 포토레지스트를 제거하는 애싱 공정을 수행하고,
상기 플라즈마 소스 및 상기 애싱용 라디칼 발생기에 전력을 공급하는 전원 공급부;를 더 포함하고,
상기 애싱용 라디칼 발생기는,
토로이달 형상의 플라즈마 방전 채널을 갖는 몸체; 및
상기 플라즈마 방전 채널의 적어도 일부에 쇄교하도록 형성되는 변압기;를 포함하고,
상기 변압기는,
상기 몸체에 형성되는 페라이트 코어; 및
상기 페라이트 코어에 권선되는 일차권선 코일;을 포함하고,
상기 몸체 내부로 가스가 주입되고, 상기 전원 공급부로부터 전력이 일차권선으로 공급되어 플라즈마 방전 채널에서 플라즈마가 방전되는 변압기 플라즈마인 식각과 애싱 공정이 가능한 기판 처리 챔버를 이용한 기판 처리 장치.
A front end module for storing a substrate;
A load lock chamber connected to the front end module;
A transfer chamber connected to the load lock chamber and having a substrate transfer chamber for transferring a substrate; And
A substrate processing chamber coupled to the transfer chamber;
The substrate processing chamber
A process chamber having a substrate support for supporting a substrate therein;
A plasma source provided in the process chamber to discharge plasma into the process chamber; And
An ashing radical generator for supplying gas from a gas supply part to supply decomposed radicals from the outside of the process chamber into the process chamber,
Performing an etching process of forming a pattern on the substrate using the plasma source, and an ashing process of removing the photoresist of the substrate using the ashing radical generator,
It further includes a power supply for supplying power to the plasma source and the ashing radical generator,
The ashing radical generator,
A body having a toroidal shape plasma discharge channel; And
A transformer formed to link with at least a portion of the plasma discharge channel;
The transformer,
A ferrite core formed on the body; And
And a primary winding coil wound around the ferrite core.
A substrate processing apparatus using a substrate processing chamber capable of etching and ashing a gas is injected into the body, and power is supplied from the power supply unit to a primary winding and plasma is discharged in a plasma discharge channel.
공정챔버 내로 기판을 로딩하는 단계;
상기 공정챔버 내의 플라즈마 소스를 구동하여 상기 기판에 패턴이 형성되도록 식각하는 단계;
애싱용 라디칼 발생기를 구동하여 상기 공정챔버 내로 라디칼을 공급하고, 상기 기판의 포토레지스트를 제거하는 단계; 및
상기 기판을 공정챔버 외부로 언로딩하는 단계를 포함하고,
상기 기판에 패턴이 형성되도록 식각하는 단계 또는 상기 기판의 포토레지스트를 제거하는 단계 이전에, 전원 공급부에서 상기 플라즈마 소스 및 상기 애싱용 라디칼 발생기에 전력을 공급하는 전원 공급 단계;를 더 포함하고,
상기 애싱용 라디칼 발생기는,
토로이달 형상의 플라즈마 방전 채널을 갖는 몸체; 및
상기 플라즈마 방전 채널의 적어도 일부에 쇄교하도록 형성되는 변압기;를 포함하고,
상기 변압기는,
상기 몸체에 형성되는 페라이트 코어; 및
상기 페라이트 코어에 권선되는 일차권선 코일;을 포함하고,
상기 몸체 내부로 가스가 주입되고, 상기 전원 공급부로부터 전력이 일차권선으로 공급되어 플라즈마 방전 채널에서 플라즈마가 방전되는 변압기 플라즈마인 식각과 애싱 공정이 가능한 기판 처리 챔버를 이용한 기판 처리 방법.
Loading the substrate into the process chamber;
Driving a plasma source in the process chamber to etch a pattern on the substrate;
Driving an ashing radical generator to supply radicals into the process chamber and removing the photoresist of the substrate; And
Unloading the substrate out of the process chamber;
And a power supply step of supplying power to the plasma source and the ashing radical generator from a power supply before etching the pattern so as to form a pattern on the substrate or removing the photoresist of the substrate.
The ashing radical generator,
A body having a toroidal shape plasma discharge channel; And
A transformer formed to link with at least a portion of the plasma discharge channel;
The transformer is,
A ferrite core formed on the body; And
And a primary winding coil wound around the ferrite core.
The substrate processing method using a substrate processing chamber capable of etching and ashing the gas is injected into the body, the electric power is supplied to the primary winding from the power supply to the plasma plasma discharge plasma in the plasma discharge channel.
제10항에 있어서,
상기 식각 단계와 상기 포토레지스트 제거 단계는,
동일한 상기 공정챔버 내에서 서로 다른 공정조건으로 각각 수행되는 식각과 애싱 공정이 가능한 기판 처리 챔버를 이용한 기판 처리 방법.
The method of claim 10,
The etching step and the photoresist removing step,
A substrate processing method using a substrate processing chamber capable of etching and ashing processes are performed in different process conditions in the same process chamber, respectively.
제10항에 있어서,
상기 기판을 로딩하는 단계, 상기 기판에 패턴이 형성되도록 식각하는 단계, 상기 기판의 포토레지스트를 제거하는 단계 및 상기 언로딩하는 단계 중 적어도 하나 이상의 공정 단계 이전과 이후에 상기 공정챔버에 구비된 기판으로 퍼지가스를 공급하는 단계를 더 포함하는 식각과 애싱 공정이 가능한 기판 처리 챔버를 이용한 기판 처리 방법.
The method of claim 10,
A substrate provided in the process chamber before and after at least one processing step of loading the substrate, etching the pattern to be formed on the substrate, removing the photoresist of the substrate, and unloading Substrate processing method using a substrate processing chamber capable of etching and ashing process further comprising the step of supplying a purge gas.
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100785163B1 (en) * 2006-02-03 2007-12-11 위순임 Substrate processing system having multi remote plasma generator
US20160093500A1 (en) * 2014-09-30 2016-03-31 Infineon Technologies Ag Method for processing a carrier, a method for operating a plasma processing chamber, and a method for processing a semiconductor wafer

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100451034B1 (en) * 2002-08-27 2004-10-02 주식회사 테라텍 Method of fabricating semiconductor device
KR101495288B1 (en) * 2012-06-04 2015-02-24 피에스케이 주식회사 An apparatus and a method for treating a substrate
KR101830939B1 (en) * 2016-04-18 2018-02-22 피에스케이 주식회사 Apparatus for treating substrate

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100785163B1 (en) * 2006-02-03 2007-12-11 위순임 Substrate processing system having multi remote plasma generator
US20160093500A1 (en) * 2014-09-30 2016-03-31 Infineon Technologies Ag Method for processing a carrier, a method for operating a plasma processing chamber, and a method for processing a semiconductor wafer

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