KR20070073860A - 내식막 조성물 - Google Patents

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KR20070073860A
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Abstract

본 발명의 내식막 조성물은 하이드로겐 실세스퀴옥산 수지(A), 산 해리성 그룹 함유 화합물(B), 광산 발생제(C) 및 유기 용매(D)를 포함한다. 내식막 조성물은 감광성 내식막으로서 적합한 석판인쇄 특성[예: 높은 내에칭성, 투명도, 해상도, 감도, 포커스 관용도(focus latitude), 라인 엣지 조도 및 접착력]이 개선된다.
내식막 조성물, 석판인쇄, 하이드로겐 실세스퀴옥산 수지, 산 해리성 그룹 함유 화합물, 광산 발생제, 유기 용매.

Description

내식막 조성물{Resist composition}
IC 제조에 사용된 중요한 화학 물질 중의 하나는, 적절하게 노광되고 현상되는 경우, 기판 및 트랜스퍼 IC 패턴 일부를 고도의 무결성(integrity)으로 만드는 감광성내식막 감광성 중합체이다. 더 신속하고 더 소형인 프로세서(processor)의 제조는, 높은 투명도, 더 얇은 필름, 더 우수한 접착력, 더 높은 내에칭성 및 더 우수한 열 안정성 및 더 신속한 광 유도 감도(photo-induced sensitivity)와 같은 엄격한 요건을 충족시키는 내식막을 요구한다. 그러나, 대부분의 공지된 감광성 내식막, 물, 산소 및 간단한 탄화수소가 스텍트럼 범위에서 강하게 광을 흡수하기 때문에, 이러한 물질의 디자인 및 개발은 중대한 도전이다.
193nm(ArF) 액침 석판인쇄(immersion lithography) 및 157nm(F2) 석판인쇄가 광범위하게 연구되어, 65nm 이하의 노드 장치(node device)를 위한 실용가능한 기술로서 빠르게 밝혀지고 있다. 화상 형성 층(imaging layer)의 두께는 더 높은 해상도와 더 큰 공정 윈도우를 위해 더 얇아지는 경향이 있다. 이는, 초고도의 내에칭성을 갖는 감광성 내식막을 현상시키는 것을 필요로 한다. 불화탄소 중합체와 실세스퀴옥산을 포함하는 규소 함유 중합체 둘 다가 157nm에서 높은 투명도를 갖지만, 규소 함유 물질, 특히 실세스퀴옥산계 내식막이 고도의 플라즈마 에칭 내성이라는 이점을 가지며, 이중층 감광성 내식막 용도에 적합하다.
하이드로겐 실세스퀴옥산(HSQ)의 독특한 구조와 Si-H 결합의 높은 함량으로 인해, 하이드로겐 실세스퀴옥산(HSQ)은 193nm와 157nm 둘 다에서 매우 투명하다. 우수한 감광성 내식막 수지로서 요구되는 특정 특성(예: 우수한 박막 특성, 열 및 기계적 특성)을 이미 갖는 HSQ[상표명 FOXR로서 다우 코닝(Dow Corning)이 시판중임]는 스핀 코팅 저유전 절연물질(spin-on low-k dielectric material)로서 널리 사용되어 왔다. 염기 수용액[예를 들면, 통상적으로 사용되는 현상액에서, 테트라-메틸 암모늄 하이드록사이드(TMAH)]에서, Si-H 결합은 신속하게 가용성 염기 잔기인 Si-OH로 전환되는 것으로 여겨진다. 그러나, 불가능한 것은 아니지만, 감광성 내식막 수지로서 유용한 HSQ를 제조하기 위해 HSQ 주쇄 내로의 임의의 산 불안정성 관능성 그룹을 직접적으로 혼입시키는 것은 매우 어렵다. 산 해리성 그룹을 HSQ 내로 혼입시키기 위한 방법들 중의 하나는 전이 금속 촉매되는 하이드로실릴화 반응을 사용하는 것이다. 그러나, 잔류 촉매의 제거는 도전적인 것이다.
본 발명은 193nm, 157nm 및 액침 석판인쇄에서 마이크로석판인쇄 적용용 감광성 내식막으로서 적합한 조성물에 관한 것이다. 내식막 조성물은 하이드로겐 실세스퀴옥산 수지(A), 산 해리성 그룹 함유 화합물(B), 광산 발생제(C), 유기 용매(D) 및 임의의 첨가제(E)를 포함한다. 이러한 내식막 조성물은 낮은 파장에서 투명하고, 광 탈보호시 감광성 내식막에 요구되는 다수의 것들, 예를 들면, 접착력, 열안정성, 화학적 증폭성, 및 광 탈보호시의 수계 용해도를 충족시킨다.
하이드로겐 실세스퀴옥산 수지인 성분(A)는 화학식 I의 화합물이다:
Figure 112007033078170-PCT00001
위의 화학식 I에서,
R1은 선형 또는 분지형 C1 내지 C6 알킬 또는 알콕시 그룹이고,
w는 0 내지 1이며,
x는 0 내지 1이고,
y는 0 초과의 값이며,
z는 0 내지 1이고,
w + x + y + z는 약 1이다.
통상적으로, w는 0 내지 0.1이고, x는 0 내지 0.1이며, z는 0 내지 0.1이고, y는 0.7 내지 1이며, w + x + y + z는 약 1이다.
R1은 메틸, 메톡시, 에틸, 에톡시, 프로필프로폭시, 부틸, 부톡시, t-부틸, t-부톡시 등으로 예를 들 수 있지만, 이로써 제한되지 않는다. 통상적으로, R1은 메틸이다. 하이드로겐 실세스퀴옥산 수지는 완전히 축합(HSiC3/2)n(여기서, n은 8 이상이다)될 수 있거나, 부분적으로 가수분해(즉, 몇몇 Si-OR을 함유함)되고/되거나 부분적으로 축합(즉, 몇몇 Si-OH를 함유함)될 수 있다. 화학식 I에 나타내지는 않았지만, 이들의 형성 및/또는 취급시 관련된 각종 인자들로 인해, 하이드로겐 실세스퀴옥산 수지는 이에 결합된 수소원자를 갖지 않거나 2개 갖는 소량(즉, 10% 미 만)의 규소원자, 또는 소수의 SiC 결합을 함유할 수도 있다. 본원에 사용한 하이드로겐 실세스퀴옥산 수지는 통상적으로 평균 분자량(Mw)이 500 내지 1,000,000, 또는 1,000 내지 50,000이다.
하이드로겐 실세스퀴옥산 수지(A)를 제조하기 위한 방법은 당해 기술분야에 공지되어 있다. 한 방법은 트리할로실란, 예를 들면, 트리클로로실란 또는 트리알콕시실란, 예를 들면, 트리메톡시실란의 가수분해를 포함하는 것이다. 또 다른 방법은 설폰화, 가수분해, 분리/산 제거 및 트리할로실란(예: 트리클로로실란)의 용매 교환/제거를 포함한다. 하이드로겐 실세스퀴옥산 수지를 제조하기 위한 방법은, 콜린스(Collins) 등의 미국 특허 제3,615,272호, 뱅크(Bank) 등의 미국 특허 제5,010,159호, 프레(Frye) 등의 미국 특허 제4,999,397호, 카펜터(Carpenter) 등의 미국 특허 제6,353,074호, 미국 특허원 제2003-0152784호 및 일본 특허공보 제(소) 59-178749호, 제(소) 60-86017호 및 제(소) 63-107122호에서 알 수 있지만, 이로써 제한되지 않는다.
상기 하이드로겐 실세스퀴옥산 수지의 특정 분자량 분획도 이러한 공정에 사용될 수 있다. 이러한 분획 및 이들의 제조방법은 본원의 참조문헌으로 인용되어 있는 한네만(Hanneman) 등의 미국 특허 제5,063,267호 및 마인(Mine) 등의 미국 특허 제5,416,190호에 교시되어 있다. 바람직한 분획은 중합체성 종의 75% 이상이 분자량 1,200 이상인 물질을 포함한다. 보다 바람직한 분획은 중합체성 종의 75% 이상이 수평균 분자량 1,000 내지 50,000의 범위인 물질을 포함한다.
내식막 조성물 내의 성분(B)는 산 해리성 그룹 함유 화합물이다. "산-해리 성 그룹"이란, 산, 특히 광에 의해 발생되는 산에 의해 개열가능한 분자 잔기를 의미한다. 산 해리성 그룹은 당해 기술분야에 공지되어 있으며, 예를 들면, 산 해리성 그룹의 교시를 위해 참조문헌으로 인용되어 있는 유럽 특허원 제1142928호 및 미국 특허원 제2002/0090572호에 기재되어 있다. 특히, 산 해리성 그룹은 화학식 II의 화합물로 기재할 수 있다:
Figure 112007033078170-PCT00002
위의 화학식 II에서,
R3은 각각 독립적으로 연결 그룹이고,
R4는 제2 연결 그룹이며,
L은 탄소수 1 내지 10의 선형 또는 분지형 알킬렌 그룹, 탄소수 2 내지 20의 플루오로알킬렌 그룹, 치환된 아릴렌 그룹과 치환되지 않은 아릴렌 그룹, 치환된 사이클로알킬렌 그룹과 치환되지 않은 사이클로알킬렌 그룹 및 치환된 알크아릴렌 그룹과 치환되지 않은 알크아릴렌 그룹으로 이루어진 그룹으로부터 선택되고,
R5는 수소, 선형 또는 분지형 알킬 또는 플루오로알킬이며,
R6은 알킬 또는 플루오로알킬이고,
Z는 산 개열성 그룹이며,
g는 0 또는 1의 값을 가질 수 있고,
h는 0 또는 1의 값을 가질 수 있으며,
k는 0 또는 1의 값을 가질 수 있다.
각각의 R3으로는 알킬렌 그룹, 예를 들면, 메틸렌 및 에틸렌을 예로 들 수 있지만, 이로써 제한되지 않는다.
R4로는 선형 또는 분지형 알킬렌 그룹, 사이클로알킬렌 그룹, 예를 들면, 노르보닐 또는 사이클로헥실렌, 플루오로알킬렌 그룹 및 아릴 그룹을 예로 들 수 있지만, 이로써 제한되지 않는다.
L로는 치환(예를 들면, 불화) 및 비치환된 메틸렌, 에틸렌, 노르보르넨, 사이클로알킬렌 및 알크아릴렌 잔기를 예로들 수 있지만, 이로써 제한되지 않는다.
R5로는 수소, C1 내지 C6 알킬 그룹(예: 메틸 및 에틸) 및 C1 내지 C6 플루오로알킬 그룹(예를: 트리플루오로메틸, 2,2,2-트리플루오로에틸 및 3,3,3-트리플루오로메틸)을 예로 들 수 있지만, 이로써 제한되지 않는다.
R6으로는 C1 내지 C6 알킬 그룹(예: 메틸 및 에틸) 및 C1 내지 C6 플루오로알킬 그룹(예: 트리플루오로메틸, 2,2,2-트리플루오로에틸 및 3,3,3-트리플루오로메틸)을 예로 들 수 있지만, 이로써 제한되지 않는다.
Z는 -OH, -COOH, 화학식 -COOR7의 에스테르, 화학식 -OCOOR8의 카보네이트, 화학식 -OR9의 에스테르(여기서, R7, R8 및 R9는 Z 산 개열이 가능하도록 선택된다).
Z 그룹 -COOR7에서, R7은 3급 알킬, 예를 들면, t-부틸, 3급 결합점을 갖는 사이클릭 또는 지환족 치환체(일반적으로, C6-C12), 예를 들면, 아다만틸, 노르보닐, 이소보닐, 2-메틸-2-아다만틸, 2-메틸-2-이소보닐, 2-부틸-2-아다만틸, 2-프로필-2-이소보닐, 2-메틸-2-테트라사이클로도데세닐, 2-메틸-2-디하이드로디사이클로펜타디에닐-사이클로헥실, 1-메틸사이클로펜틸, 1-메틸사이클로헥실 또는 2-트리알킬실릴에틸 그룹, 예를 들면, 2-트리메틸실릴에틸 또는 2-트리에틸실릴에틸일 수 있다.
화학식 -OCOOR8을 갖는 카보네이트 Z 그룹으로 -O-t-부톡시카보닐(즉, R은 3급-부틸이다)을 예로 들 수 있다. 화학식 -OR9의 에테르 산 해리성 그룹으로는 테트라하이드로피라닐 에테르(즉, R9는 테트라하이드로피라닐이다) 및 트리알킬실릴 에테르(즉, R9는 트리알킬실릴, 예를 들면, 트리메틸실릴이다)를 예로 들 수 있다.
통상적인 Z 그룹은 광에 의해 발생되는 산의 존재하에 개열 반응을 진행하여 카복실산 그룹이 발생하는 유기 에스테르 그룹이다.
산 해리성 그룹으로는 1,1-디메틸에틸, 이소프로필, 2-메틸아다만틸, 2-에틸아다만틸, 사이클로헥실 및 2-하이드록시-3-피나닐 또는 노르보르난의 t-부틸 에스테르 등을 예로 들 수 있지만, 이로써 제한되지 않는다.
산 해리성 그룹 함유 화합물(B)은 산 해리성 그룹 전구체를 중합시키거나, 산 해리성 그룹 전구체를 중합체(예: 실세스퀴옥산 중합체)에 가함으로써 제조될 수 있다.
산 해리성 그룹 전구체로는 노르보르넨의 t-부틸 에스테르, 노르보르넨의 1-메틸사이클로펜틸 에스테르, 노르보르넨의 1-메틸사이클로헥실 에스테르, t-부틸-2-트리플루오로메틸 아크릴레이트, t-부틸 메타크릴레이트, 비사이클로[2,2,l]헵트-5-엔-2-t-부틸카복실레이트, 시스-5-노르보르넨-2,3-디카복실산 무수물, 5-(2-t-부톡시카보닐)노르보닐트리클로로실란 등이 포함될 수 있지만, 이로써 제한되지 않는다.
산 해리성 그룹 함유 성분(B)로는 폴리(t-부틸메타크릴레이트)(t-BMA) 및 폴리(t-부톡시카보닐 노르보닐 실세스퀴옥산)(t-BENBSQ), 폴리(메틸-코-t-부틸옥시카보닐 노르보닐)실세스퀴옥산(M-코-t-BENBSQ) 및 폴리(t-부틸-2-트리플루오로메틸아크릴레이트)(t-BTFM)가 포함될 수 있지만, 이로써 제한되지 않는다.
내식막 조성물에 존재하는 성분(B)는 통상적으로 화합물(A) 100중량부를 기준으로 하여, 5 내지 70중량부, 또는 20 내지 50중량부의 범위이다.
조성물 내의 성분(C)는 광산 발생제(PAG)이다. 광산 발생제는 방사선에 노광시 산을 발생시키는 화합물이다. 이후, 이러한 산은 화합물(B)에서 산 해리성 그룹에서 산 해리성 그룹을 유발하여 해리시킨다. 광산 발생제는 당해 기술분야에 공지되어 있으며, 예를 들면, 유럽 공개특허공보 제1 142 928 Al호에 기재되어 있다. 광산 발생제로는 오늄염, 할로겐 함유 화합물, 디아조케톤 화합물, 설폰 화합 물, 설포네이트 화합물 등을 예로 들 수 있지만, 이로써 제한되지 않는다.
오늄염의 예에는 요오도늄염, 설포늄염(테트라하이드로티오페늄 염을 포함함), 포스포늄염, 디아조늄염 및 피리디늄염이 포함되지만, 이로써 제한되지 않는다.
할로겐 함유 화합물의 예에는 마할로알킬 그룹 함유 탄화수소 화합물, 할로알킬 그룹 함유 헤테로사이클릭 화합물 등이 포함되지만, 이로써 제한되지 않는다.
디아조케톤 화합물의 예에는 1,3-디케토-2-디아조 화합물, 디아조벤조퀴논 화합물, 디아조나프토퀴논 화합물 등이 포함되지만, 이로써 제한되지 않는다.
설폰 화합물의 예에는 β-케토설폰, β-설포닐설폰, 이들 화합물의 α-디아조 화합물 등이 포함되지만, 이로써 제한되지 않는다.
설포네이트 화합물의 예에는 알킬 설포네이트, 알킬이미드 설포네이트, 할로알킬 설포네이트, 아릴 설포네이트, 이미노 설포네이트 등이 포함되지만, 이로써 제한되지 않는다. 광산 발생제(C)는 개별적으로 또는 2개 이상의 배합물로 사용될 수 있다. 바람직한 광산 발생제는 설폰화염, 특히 과불화 메타이드(methid) 음이온을 갖는 설폰화염이다. 내식막 조성물 내의 광산발생제(C)의 양은 통상적으로 화합물(B) 100부를 기준으로 하여, 0.1 내지 8중량부의 범위 또는 2 내지 5중량부이다.
조성물 내의 성분(D)는 유기 용매이다. 용매의 선택은 하이드로겐 실세스퀴옥산 수지, 산 해리성 그룹 함유 화합물 및 광산 발생제의 용해도 및 혼화도; 피복 공정 및 안전 및 환경 규제와 같은 다수의 인자들에 의해 결정된다. 통상의 용매 에는 에테르 함유 화합물, 에스테르 함유 화합물, 하이드록실 함유 화합물 및 케톤 함유 화합물 및 이들의 혼합물이 포함된다. 용매의 예에는 사이클로펜타논, 사이클로헥사논, 락테이트 에스테르, 예를 들면, 에틸 락테이트, 알킬렌 글리콜 알킬 에테르, 예를 들면, 에틸렌 글리콜 메틸 에테르, 디알킬렌 글리콜 디알킬 에테르, 예를 들면, 디에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 알킬렌 글리콜 알킬 에테르 에스테르, 예를 들면, 프로필렌 글리콜 메틸 에테르 아세테이트, 알킬렌 글리콜 에테르 에스테르, 예를 들면, 에틸렌 글리콜 에테르 아세테이트, 알킬렌 글리콜 모노알킬 에스테르, 예를 들면, 메틸 셀로솔브, 부틸 아세테이트, 2-에톡시에탄올 및 에틸 3-에톡시프로피오네이트가 포함되지만, 이로써 제한되지 않는다. 통상적으로, 실세스퀴옥산 수지용 용매에는 사이클로펜타논(CP), 프로필렌 글리콜 메틸 에테르 아세테이트(PGMEA), 에틸 락테이트(EL), 메틸 이소부틸 케톤(MIBK), 메틸 에틸 케톤(MEK), 에틸 3-t-에톡시프로피오네이트, 2-헵타논 또는 메틸 n-아밀 케톤 (MAK) 및/또는 임의의 이들의 혼합물이 포함되지만, 이로써 제한되지 않는다.
용매의 양은 통상적으로 총 조성물[즉, (A), (B), (C), (D) 및 (E)]의 10 내지 95중량% 또는 80 내지 95중량%로 존재한다.
첨가제(E)가 감광성 내식막 조성물에 임의로 사용될 수 있다. 예를 들면, 감광성 내식막이 포지티브형 감광성 내식막이라면, 감광성 내식막 조성물은 산 확산 조절제(acid-diffusion controllers), 계면활성제, 해리 억제제, 가교결합제, 감광제, 할레이션 억제제(halation inhibitor), 접착 촉진제, 저장 안정제, 소포제, 피복 조제, 가소제 등이 포함될 수 있다. 통상적으로, 모든 첨가제(산 발생제 를 포함하지 않음)의 합은 감광성 내식막 조성물에 함유된 고체의 20% 미만 또는 5% 미만을 포함할 것이다.
본 발명의 또 다른 양태는 기판 위에 내식막 화상을 생성시키는 방법이다. 당해 방법은, 기판을 본 발명의 내식막 조성물을 포함하는 필름으로 피복시키는 단계(a), 필름을 화상에 따라 노광시켜 노광된 필름을 제조하는 단계(b) 및 노광된 필름을 현상시켜 화상을 형성하는 단계(c)를 포함한다.
단계(a)는 기판을 내식막 조성물을 포함하는 내식막 필름으로 피복시키는 것을 포함한다. 적합한 기판은 세라믹, 금속 또는 반도체이고, 바람직한 기판은, 예를 들면, 이산화규소, 질화규소, 옥시질화규소, 탄화규소 및 규소 옥시카바이트를 포함하는 규소 함유물이다. 기판은 내식막 조성물의 증착 전에 유기 또는 무반사 하층으로 피복되거나 피복되지 않을 수 있다. 또는, 이중층 기판이 사용될 수 있는데, 여기서 본 발명의 감광성 내식막 조성물은, 하층과 기저층으로 구성되는 이중층 기판의 상부에서 상부 감광성 내식막 층(즉, 화상 형성 층)을 형성한다(여기서, 하층은 상부 감광성 내식막 층과 기저층 사이에 위치한다). 이중층 기판의 기저층은 적합한 기판 물질로 구성되고, 이중층 기판의 하층은 화상 형성 파장에서 고도로 흡광하며 화상 형성 층과 혼화성인 물질로 구성된다. 전형적인 하층에는 디아조나프토퀴논(DNQ)/노볼락 내식막 물질을 포함하는 가교결합된 폴리(4-하이드록시스티렌), 폴리에스테르, 폴리아크릴레이트, 폴리메타크릴레이트, 불화 중합체, 사이클릭 올레핀 중합체 등이 포함된다.
피복되거나 피복되지 않은 단일층 또는 이중층 기판의 표면은 통상적으로 내 식막 필름을 기판 표면에 증착시키기 전에 표준 공정으로 세정된다. 내식막 필름은 당해 기술분야에 공지된 기술들, 예를 들면, 스핀 또는 분무 코팅 또는 닥터 블레이딩(doctor blading)을 사용하여 기판 위에 피복될 수 있다. 통상적으로, 내식막 필름을 방사선에 노광시키기 전에, 30 내지 200℃의 온도에서 단시간(예: 20 내지 90초), 통상적으로 약 1.0분 동안 가열함으로써, 내식막 필름을 건조시킨다. 생성된 건조 필름의 두께는 0.01 내지 5.0㎛ 또는 0.02 내지 2.5㎛, 또는 0.05 내지 1.0㎛, 또는 0.10 내지 0.20㎛이다.
이후, 내식막 필름을 방사선, 즉, UV, X-선, e-빔, EUV 등에 화상에 따라 노광시킨다[단계(b)]. 통상적으로, 157nm 내지 365nm 파장의 자외선이 사용되거나, 157nm 또는 193nm 파장의 자외선이 사용된다. 적합한 방사선 광원에는 수은, 수은/크세논 및 크세논 램프가 포함된다. 바람직한 방사선 광원은 KrF 엑시머 레이저 또는 F2 엑시머 레이저이다. 더 긴 파장의 방사선(예: 365nm)이 사용될 때, 감광제를 감광성 내식막 조성물에 첨가하여 방사선의 흡수율을 개선시키는 것이 제안된다. 감광성 내식막 조성물의 충분한 노광은 통상적으로 방사선 100mJ/cm2 미만 또는 방사선 50mJ/cm2 미만으로 성취된다.
방사선에 노광시, 방사선은 감광성 내식막 조성물 내의 산 발생제에 의해 흡수되어 유리 산을 발생시킨다. 감광성 내식막 조성물이 포지티브형 감광성 내식막인 경우, 가열시, 유리 산은 감광성 내식막 조성물 내에 존재하는 산 해리성 그룹의 개열을 유발한다. 감광성 내식막 조성물이 네가티브형 감광성 내식막인 경우, 유리 산은 가교결합제와 실세스퀴옥산 수지와의 반응을 유발하여, 노광된 감광성 내식막의 불용성 영역을 형성한다. 감광성 내식막 조성물을 방사선에 노광시킨 후에, 감광성 내식막 조성물을 통상적으로 30 내지 200℃의 온도 범위에서 단시간 동안, 약 1분 정도 가열한다.
노광된 필름을 적합한 현상액으로 현상하여 화상을 형성시킨다[단계(c)]. 적합한 현상액은 통상적으로 염기 수용액, 바람직하게는 금속 이온을 갖지 않는 염기 수용액 및 임의로 유기 용매를 함유한다. 당해 기술분야의 숙련가는 적합한 현상액을 선택할 수 있을 것이다. 표준 산업용 현상액은 염기, 예를 들면, 테트라메틸 암모늄 하이드록사이드(TMAH), 콜린, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산나트륨, 규산나트륨, 나트륨 메타실리케이트, 수성 암모니아, 에틸아민, n-프로필아민, 디에틸아민, 디-n-프로필아민, 트리에틸아민, 메틸디에틸아민, 에틸디메틸아민, 트리에탄올아민, 피롤, 피페리딘, 1,8-디아자비사이클로-[5.4.0]-7-운데센 및 l,5-디아자 비사이클로-[4.3.0]-5-노넨을 함유한다. 포지티브형 감광성 내식막 용도에서, 감광성 내식막의 노광된 영역은 용해되고 노광되지 않은 영역은 잔류한다. 네가티브형 감광성 내식막에서, 이와 반대로 되며, 즉 노광되지 않은 영역은 현상액에 용해되는 반면, 노광된 영역은 잔류한다. 노광된 필름을 현상한 후에, 잔류 내식막 필름("패턴")을 통상적으로 물로 세척하여 임의의 잔류 현상액을 제거한다.
이후, 패턴을 하부 기판 물질로 전사시킬 수 있다. 피복되거나 이중층인 감광성 내식막에서, 이는, 존재할 수 있는 피막을 통해 그리고, 기저층 위의 하층을 통해 패턴을 전사시킴을 포함할 것이다. 단일층 감광성 내식막에서, 전사는 기판 에 대해 직접 수행될 것이다. 통상적으로, 패턴은 산소, 플라즈마 및/또는 산소/설퍼디옥사이드 플라즈마와 같은 반응성 이온으로 에칭시킴으로써 전사된다. 적합한 플라즈마 기기에는, 전자 사이클로트론 공진(ECR: electron cyclotron resonance), 헬리콘(helicon), 유도 결합형 플라즈마(ICP) 및 트랜스포머 결합형 플라즈마(TCP) 시스템이 포함된다. 에칭 기술은 당해 기술분야에 익히 공지되어 있으며, 당해 기술분야의 숙련가는 시판중인 각종 에칭 장비를 잘 알고 있을 것이다.
따라서, 집적 회로 장치의 디자인에 사용될 수 있기 때문에, 본 발명의 감광성 내식막 조성물은 패턴화된 물질 층 구조물, 예를 들면, 금속 와이어링 라인(metal wiring lines), 접촉 홀(contact holes) 또는 바이어스, 절연부[예: 다마신 트렌치(damascene trenches) 또는 얕은 트렌치 분리], 커패시터 구조물용 트렌치 등을 발생시킬 수 있다. 이들 특성을 달성하기 위한 이러한 공정은 당해 기술분야에 공지되어 있다.
다음 실시예들은 본 발명을 추가로 설명하기 위해 나타내지만, 본 발명을 제한하려는 것은 아니다. 수치에 대한 정확성을 보장하기 위해 노력하였지만, 몇몇 오류 및 가능한 편차가 설명되어야 한다. 달리 나타내지 않는 한, 백분율은 일반적으로 중량 기준이고, 온도는 ℃이고, 압력은 대기압이다. 본원에 사용한 모든 화학약품은 시판인을 통해 구입하거나 본 발명의 발명자들의 최고 지식으로 확인한 공지된 구조로 합성하였다. 모든 NMR(1H, 13C, 19F, 29Si) 데이타는 베리안 머큐리(Varian Mercury) 300 또는 머큐리 400 분광기를 사용하여 획득하였다.
실시예
실시예 1: 하이드로겐 실세스퀴옥산 수지(HSQ) 합성
톨루엔설폰산 일수화물(TSAM) 용액[진한 H2SO4와 퓸(fum) SO3을 사용하여 60℃에서 톨루엔을 설폰화시킴으로써 제조됨] 100g을 플라스크에 첨가하였다. 톨루엔 50g 중의 트리클로로실란 10g(0.075mol)을 일관되게 격렬하게 교반하면서 플라스크 내로 적가하였다. 적가 후에, 혼합물을 탈이온(DI)수로 3회 이상 세척하고, 유기 상을 수집하였다. 이후, 용매를 감압하에 회전 증발기로 제거하여, 하이드로겐 실세스퀴옥산 수지를 수득하였다. 백색 고체를 주위 온도에서 밤새 오븐 속에서 추가로 건조시켰다.
실시예 2: BPO를 사용한 폴리(t-부틸 메타크릴레이트)(PTBMA)의 합성
톨루엔 270g, t-부틸 메타크릴레이트 38g 및 벤조일 퍼옥사이드(BPO) 0.93g 을 플라스크에 가하였다. 혼합물을 교반하고, 가열 환류하였다. 환류 36시간 후에, 회전 증발기를 사용하여 용매를 제거하고, 고체를 40℃에서 진공 오븐에서 밤새 추가로 건조시켰다. 분자량 8,900의 백색 수지를 70% 수율로 수득하였다.
실시예 3: AIBN을 사용한 폴리(t-부틸 메타크릴레이트)(PTBMA)의 합성
테트라하이드로푸란(THF) 28g, t-부틸 메타크릴레이트 28.4g 및 2,2'-아조비스이소부티로니트릴(AIBN) 0.42g을 플라스크에 가하였다. 혼합물을 교반하고, 가 열 환류하였다. 환류 12시간 후에, 점성 고체 생성물을 THF 60g에 용해시켰다. 용매를 회전 증발기에서 제거하고, 고체를 40℃에서 진공 오븐에서 밤새 추가로 건조시켰다. 분자량 54,800의 백색 수지를 92% 수율로 수득하였다.
실시예 4: 폴리(t-부톡시카보닐 노르보닐 실세스퀴옥산)(PTBNBSQ)의 합성
톨루엔 300g, 에틸렌 글리콜 디메틸 에테르(EGDME) 120g, 물 32.4g 및 디에틸아민(DEA) 0.70mol을 플라스크에 가하였다. 혼합물을 교반하고, 5-(2-t-부톡시카보닐)노르보닐트리클로로실란(TBNBTCS) 65.9g과 톨루엔 160g과의 혼합물을 2시간에 걸쳐 가하기 전에 -10℃로 냉각시킨다. 모든 TBNBTCS를 가하고, 용액을 실온에서 2시간 동안 교반하였다. 용액을 아세트산으로 중화시키고, 탈이온수(DI)로 수회 세척하였다. 유기 상을 수거하였다. 이후, 테트라-메틸 암모늄 하이드록사이드 오수화물(TMAHPH) 0.91g을 유기 상에 가하고, 혼합물을 교반한 다음, 12시간 동안 가열 환류하였다. 용액을 냉각시키고, 아세트산 1g으로 중화시킨 다음, 탈이온수로 수회 세척하였다. 용매를 회전 증발기로 제거하고, 고체를 진공하에 80℃에서 추가로 건조시켰다. 백색 고체 수지를 95% 수율로 수득하였다. Si29 NMR은 생성물이 실란올을 약 10몰% 함유함을 나타내었다.
실시예 5: 폴리(t-부톡시카보닐 노르보닐 실세스퀴옥산)(t-BENBSQ)의 합성
톨루엔 326g, 물 259g, 에틸렌 글리콜 디메틸에테르(EGDME) 326g 및 디에틸아민 184g을 반응기에 가하였다. 혼합물을 0℃ 이하로 냉각하였다. 교반하면서, 톨루엔 474g 중의 5-(2-t-부톡시카보닐)노르보닐트리클로로실란(TBNBTCS) 용액 237g을 상기 냉각 혼합물 내로 약 2시간 내에 가하였다. 첨가를 완결한 후에, 혼합물을 약 1시간 내에 실온으로 승온시키고, 이 온도에서 2시간 동안 유지하였다. 이후, 아세트산 23.7g을 혼합물에 가하여 잔류 염기를 중화시켰다. 이후, 하부 수성 층을 제거하고, 유기 층을 탈이온수(3 ×180㎖)로 세척하였다. 세척한 유기 용액을 플라스크로 옮겼다. 테트라메틸암모늄 하이드록사이드 오수화물(TMAHPH) 수용액(TMAHPH(3.8g)/H2O(3.8g)) 7.6g을 가하였다. 용액을 2시간 내에 105℃로 가열하였다. 상기 용액을 12시간 동안 추가로 환류시킨 후에, 용액을 실온으로 냉각시켰다. 이후, 아세트산 12g을 용액 내로 가하였다. 용액을 탈이온수(3 ×120㎖)로 세척하였다. 용매를 회전 증발에 의해 유기 용액으로부터 제거하고, 생성물을 80℃에서 진공 오븐 속에서 밤새 건조시켰다. 29Si NMR은 생성물이 잔류 실란올을 약 2몰% 미만으로 함유함을 나타내었다.
실시예 6: 폴리(메틸-코-t-부톡시카보닐 노르보닐)실세스퀴옥산의 합성
톨루엔 100g, 에틸렌 글리콜 디메틸 에테르(EGDME) 30g, 물 22.5g 및 디에틸아민(DEA) 16.38g을 플라스크에 가하였다. 5-(2-t-부톡시카보닐)노르보닐트리클로로실란(TBNBTCS) 17g, 메틸트리클로로실란(MTCS) 1.86g 및 톨루엔 55g의 혼합물을 2시간에 걸쳐 가하기 전에, 혼합물을 교반하고, -10℃로 냉각시켰다. 첨가를 완결한 후에, 용액을 실온에서 2시간 동안 교반하였다. 용액을 아세트산으로 중화시키 고, 탈이온수(DI)로 수회 세척하였다. 유기 상을 수집하였다. 이후, 테트라-메틸 암모늄 하이드록사이드 오수화물 0.29g을 유기 상에 가하고, 혼합물을 교반한 다음, 12시간 동안 가열 환류하였다. 용액을 냉각시키고, 아세트산 1g으로 중화시킨 다음, 탈이온수로 수회 세척하였다. 용매를 회전 증발기로 제거하고, 80℃에서 진공 오븐 속에서 밤새 추가로 건조시켰다. 백색 고체 수지를 96% 수율로 수득하였다.
실시예 7: HSQ와 PTBMA의 블렌드
실시예 1에서 제조한 하이드로겐 실세스퀴옥산 중합체 1.04g과 실시예 2에서 제조한 PTBMA 1.2g과의 블렌드를 프로필렌 글리콜 메틸 에테르 아세테이트(PGMEA) 20.2g에 용해시켰다. 용액을 0.1㎛ 시린지 필터를 통해 여과하고, 4" 실리콘 웨이퍼에 스핀 코팅시켰다. 코팅된 웨이퍼를 130℃에서 60초 동안 베이킹시켰다. 얇은 필름을 갖는 Si 웨이퍼를 박막화(thinning)에 대해 시험하였고, 30초 동안 0.263N 테트라-메틸 암모늄 하이드록사이드[쉬플리사(Shipley)의 MF CD26]로 현상한 후, 130℃에서 90초 동안 핫 플레이트 베이킹시켰다. TMAH 박막화 시험 전후에 필름의 두께를 측정하였다. 이러한 블렌드 제형에 대해 97% 이상의 필름 보유율(retention)을 수득하였다. PAG로 제형화된 이러한 블렌드의 얇은 필름을 수초 동안 자외선에 노광시키고, 110℃에서 60초 동안 후노광 베이킹시킨 후, 0.263N 테트라-메틸 암모늄 하이드록사이드(TMAH)(쉬플리의 MF CD26) 속에서 현상시켰으며, 현상에 의해 필름이 완전한 제거되었다.
실시예 8: HSQ와 PTBMA와의 블렌드
실시예 1에서 제조한 하이드로겐 실세스퀴옥산 중합체 1.04g과 실시예 3에서 제조한 PTBMA 1.2g과의 블렌드를 프로필렌 글리콜 메틸 에테르 아세테이트(PGMEA) 20.2g에 용해시켰다. 용액을 0.1㎛ 시린지 필터를 통해 여과한 다음, 4" 실리콘 웨이퍼에 스핀 코팅시켰다. 코팅된 웨이퍼를 130℃에서 60초 동안 베이킹시켰다. 얇은 필름을 갖는 Si 웨이퍼를 0.263N 테트라-메틸 암모늄 하이드록사이드(TMAH)(쉬플리사의 MF CD26)로 30초 동안 현상한 후, 130℃에서 90초 동안 핫 플레이트 베이킹시켰다. TMAH 박막화 시험 전후에 필름의 두께를 측정하였다. 이러한 블렌드 제형에 대해 98% 이상의 필름 보유율을 수득하였다. PAG로 제형화된 이러한 블렌드의 얇은 필름을 수초 동안 자외선에 노광시키고, 110℃에서 60초 동안 후노광 베이킹시킨 후, 0.263N 테트라-메틸 암모늄 하이드록사이드(TMAH)(쉬플리의 MF CD26) 속에서 현상시켰으며, 현상에 의해 필름이 완전한 제거되었다.
실시예 9: HSQ와 폴리(t-부톡시카보닐 노르보닐 실세스퀴옥산)(t-BENBSQ)와의 블렌드
실시예 1에서 제조한 하이드로겐 실세스퀴옥산 중합체와 실시예 4에서 제조한 폴리(t-부톡시카보닐 노르보닐 실세스퀴옥산)(t-BENBSQ)와의 블렌드를 PGMEA로 제형화하였다. 용액을 0.1㎛ 시린지 필터를 통해 여과한 다음, 4" 실리콘 웨이퍼에 스핀 코팅시켰다. 코팅된 웨이퍼를 130℃에서 60초 동안 베이킹시켰다. 얇은 필름을 갖는 Si 웨이퍼를 0.263N 테트라-메틸 암모늄 하이드록사이드(TMAH)(쉬플리 사의 MF CD26)로 30초 동안 현상한 후, 130℃에서 90초 동안 핫 플레이트 베이킹시켰다. TMAH 박막화 시험 전후에 필름의 두께를 측정하였다. 이러한 블렌드 제형에 대해 98% 이상의 필름 보유율을 수득하였다. PAG로 제형화된 이러한 블렌드의 얇은 필름을 수초 동안 자외선에 노광시키고, 110℃에서 60초 동안 후노광 베이킹시킨 후, 0.263N 테트라-메틸 암모늄 하이드록사이드(TMAH)(쉬플리의 MF CD26) 속에서 현상시켰으며, 현상에 의해 필름이 완전한 제거되었다.
실시예 10: HSQ와 폴리(메틸-co-t-부톡시카보닐 노르보닐)실세스퀴옥산과의 블렌드
실시에 1에서 제조한 하이드로겐 실세스퀴옥산 중합체와 실시예 6에서 제조한 폴리(메틸-코-t-부틸 노르보르넨 에스테르)실세스퀴옥산(T(Me)T(B))와의 블렌드를 PGMEA로 제형화하였다. 용액을 0.1㎛ 시린지 필터를 통해 여과한 다음, 4" 실리콘 웨이퍼에 스핀 코팅시켰다. 코팅된 웨이퍼를 130℃에서 60초 동안 베이킹시켰다. 얇은 필름을 갖는 Si 웨이퍼를 0.263N 테트라-메틸 암모늄 하이드록사이드(TMAH)(쉬플리 사의 MF CD26)로 30초 동안 현상한 후, 130℃에서 90초 동안 핫 플레이트 베이킹시켰다. TMAH 박막화 시험 전후에 필름의 두께를 측정하였다. 이러한 블렌드 제형에 대해 98% 이상의 필름 보유율을 수득하였다. PAG로 제형화된 이러한 블렌드의 얇은 필름을 수초 동안 자외선에 노광시키고, 110℃에서 60초 동안 후노광 베이킹시킨 후, 0.263N 테트라-메틸 암모늄 하이드록사이드(TMAH)(쉬플리의 MF CD26) 속에서 현상시켰으며, 현상에 의해 필름이 완전한 제거되었다.

Claims (26)

  1. 하이드로겐 실세스퀴옥산 수지(A), 산 해리성 그룹 함유 화합물(B), 광산 발생제(C) 및 유기 용매(D)를 포함하는, 내식막 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 추가로 첨가제(E)가 존재하는, 내식막 조성물 .
  3. 제1항에 있어서, 하이드로겐 실세스퀴옥산 수지가 화학식 I의 화합물인, 내식막 조성물.
    화학식 I
    Figure 112007033078170-PCT00003
    위의 화학식 I에서,
    R1은 선형 또는 분지형 C1 내지 C6 알킬 또는 알콕시 그룹이고,
    w는 0 내지 1이며,
    x는 0 내지 1이고,
    y는 0 초과이며,
    z는 0 내지 1이고,
    w + x + y + z는 약 1이다.
  4. 제3항에 있어서, 하이드로겐 실세스퀴옥산 수지의 분자량이 1,000 내지 50,000인, 내식막 조성물.
  5. 제1항에 있어서, 화합물(B)에서 산 해리성 그룹이 화학식 II의 화합물인, 내식막 조성물.
    화학식 II
    Figure 112007033078170-PCT00004
    위의 화학식 II에서,
    R3은 각각 독립적으로 연결 그룹이고,
    R4는 제2 연결 그룹이며,
    L은 탄소수 1 내지 10의 선형 또는 분지형 알킬렌 그룹, 탄소수 2 내지 20의 플루오로알킬렌 그룹, 치환된 아릴렌 그룹과 치환되지 않은 아릴렌 그룹, 치환된 사이클로알킬렌 그룹과 치환되지 않은 사이클로알킬렌 그룹 및 치환된 알크아릴렌 그룹과 치환되지 않은 알크아릴렌 그룹으로 이루어진 그룹으로부터 선택되고,
    R5는 수소, 선형 또는 분지형 알킬 또는 플루오로알킬이며,
    R6은 알킬 또는 플루오로알킬이고,
    Z는 산 개열성 그룹이며,
    g는 0 또는 1의 값을 가질 수 있고,
    h는 0 또는 1의 값을 가질 수 있으며,
    k는 0 또는 1의 값을 가질 수 있다.
  6. 제5항에 있어서, Z가 -OH, -COOH, 화학식 -COOR7의 에스테르, 화학식 -OCOOR8의 카보네이트 및 화학식 -OR9의 에스테르(여기서, R7, R8 및 R9는 Z 산 개열이 가능하도록 선택된다)로부터 선택되는, 내식막 조성물.
  7. 제6항에 있어서, Z가 화학식 -COOR7의 에스테르(여기서, R7은 3급 알킬 그룹이다)인, 내식막 조성물.
  8. 제1항에 있어서, 화합물(B)가 폴리(t-부틸메타크릴레이트)인, 내식막 조성물.
  9. 제1항에 있어서, 화합물(B)가 폴리(t-부톡시카보닐 노르보닐 실세스퀴옥산)인, 내식막 조성물.
  10. 제1항에 있어서, 화합물(B)가 폴리(메틸-코-t-부톡시카보닐 노르보닐)실세스퀴옥산인, 내식막 조성물.
  11. 제1항에 있어서, 화합물(B)가, 화합물(A) 100중량부를 기준으로 하여, 20 내지 50중량부 범위의 양으로 존재하는, 내식막 조성물.
  12. 내용 없음
  13. 제1항에 있어서, 광산 발생제(C)가, 오늄염, 할로겐 함유 화합물, 디아조케톤 화합물, 설폰 화합물 및 설포네이트 화합물로부터 선택되는, 내식막 조성물.
  14. 제12항에 있어서, 산 발생제가 설포네이트 화합물인, 내식막 조성물.
  15. 제1항에 있어서, 광산 발생제가, 화합물(B) 100중량부를 기준으로 하여, 2 내지 5중량부 범위의 양으로 존재하는, 내식막 조성물.
  16. 제2항에 있어서, 산 확산 조절제, 계면활성제, 해리 억제제, 가교결합제, 감광제, 할레이션 억제제(halation inhibitor), 접착 촉진제, 저장 안정제, 소포제, 피복 조제 및 가소제로부터 선택된 하나 이상의 첨가제(E)가 추가로 존재하는, 내식막 조성물.
    [청구항 15]
    제15항에 있어서, 첨가제(E)가, 고체를 기준으로 하여, 20중량% 미만의 양으 로 존재하는, 내식막 조성물.
    [청구항 16]
    제1항에 있어서, 용매(D)가 에테르 함유 화합물, 에스테르 함유 화합물, 하이드록실 함유 화합물 및 케톤 함유 화합물로부터 선택되는, 내식막 조성물.
  17. 제16항에 있어서, 용매(D)가, 총 감광성 내식막 조성물의 중량을 기준으로 하여, 80 내지 90중량%의 양으로 존재하는, 내식막 조성물.
  18. 기판을, 제1항에 따르는 내식막 조성물을 포함하는 필름으로 피복시키는 단계(a),
    필름을 화상에 따라 노광시켜 노광된 필름을 제조하는 단계(b) 및
    노광된 필름을 현상시켜 화상을 형성하는 단계(c)를 포함하여, 기판에 내식막 화상을 형성시키는 방법.
  19. 제18항에 있어서, 필름을, 스핀 코팅에 의해 기판에 피복시키는, 기판에 내식막 화상을 형성시키는 방법.
  20. 제18항에 있어서, 방사선에 노광시키기 전에 필름을 건조시키는, 기판에 내식막 화상을 형성시키는 방법.
  21. 제18항에 있어서, 노광된 필름의 두께가 0.01 내지 5㎛인, 기판에 내식막 화상을 형성시키는 방법.
  22. 제18항에 있어서, 방사선이 UV, X선, e빔 및 EUV로부터 선택되는, 기판에 내식막 화상을 형성시키는 방법.
  23. 제18항에 있어서, 방사선의 파장이 157nm 내지 365nm의 범위인, 기판에 내식막 화상을 형성시키는 방법.
  24. 제18항에 있어서, 방사선의 파장이 157nm 내지 193nm의 범위인, 기판에 내식막 화상을 형성시키는 방법.
  25. 제18항에 있어서, 노광된 필름을, 현상 전에 30 내지 200℃의 온도에서 가열하는, 기판에 내식막 화상을 형성시키는 방법.
  26. 제18항에 있어서, 염기 수용액과 접촉시킴으로써 노광된 필름을 현상시키는, 기판에 내식막 화상을 형성시키는 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4871549B2 (ja) * 2005-08-29 2012-02-08 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
WO2007066653A1 (ja) * 2005-12-05 2007-06-14 Jsr Corporation ポリシロキサン及び感放射線性樹脂組成物
KR20070105040A (ko) 2006-04-25 2007-10-30 엘지.필립스 엘시디 주식회사 레지스트 조성물, 이를 이용한 레지스트 패턴 형성방법 및이를 이용하여 제조된 어레이 기판
KR101293937B1 (ko) * 2006-06-28 2013-08-09 다우 코닝 코포레이션 전자 유인성 관능 그룹을 갖는 염기 첨가제를 함유한 실세스퀴옥산 수지 시스템
US8158338B2 (en) * 2008-07-08 2012-04-17 Massachusetts Institute Of Technology Resist sensitizer
WO2010005892A1 (en) * 2008-07-08 2010-01-14 Massachusetts Institute Of Technology Resist composition and lithographic process using said composition
CN102439069B (zh) * 2009-07-23 2014-11-05 道康宁公司 用于反向图案化的方法和材料
JP5610567B2 (ja) * 2010-02-23 2014-10-22 昭和電工株式会社 レジスト感度向上方法
KR101759234B1 (ko) 2011-09-05 2017-07-19 삼성디스플레이 주식회사 색필터 조성물
JP6064570B2 (ja) * 2012-12-10 2017-01-25 Jsr株式会社 表示素子用感放射線性樹脂組成物、硬化膜、硬化膜の製造方法、半導体素子および表示素子
ES2688532T3 (es) 2013-01-18 2018-11-05 Basf Se Composiciones de recubrimiento a base de dispersión acrílica
WO2017192345A1 (en) 2016-05-03 2017-11-09 Dow Corning Corporation Silsesquioxane resin and oxaamine composition
CN109153690A (zh) 2016-05-03 2019-01-04 美国陶氏有机硅公司 倍半硅氧烷树脂和甲硅烷基酐组合物
CN109415513B (zh) 2016-06-16 2022-02-25 美国陶氏有机硅公司 富含硅的倍半硅氧烷树脂
FI129480B (en) * 2018-08-10 2022-03-15 Pibond Oy Silanol-containing organic-inorganic hybrid coatings for high-resolution patterning
FI128886B (en) * 2019-02-25 2021-02-26 Pibond Oy Functional hydrogen silicon oxane polymers and their uses
CN111308860B (zh) * 2020-03-26 2023-10-03 潍坊星泰克微电子材料有限公司 一种耐强酸腐蚀的负性光刻胶组合物

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3615272A (en) 1968-11-04 1971-10-26 Dow Corning Condensed soluble hydrogensilsesquioxane resin
JPS59178749A (ja) 1983-03-30 1984-10-11 Fujitsu Ltd 配線構造体
JPS6086017A (ja) 1983-10-17 1985-05-15 Fujitsu Ltd ポリハイドロジエンシルセスキオキサンの製法
JPS63107122A (ja) 1986-10-24 1988-05-12 Fujitsu Ltd 凹凸基板の平坦化方法
US5290899A (en) 1988-09-22 1994-03-01 Tosoh Corporation Photosensitive material having a silicon-containing polymer
US4999397A (en) 1989-07-28 1991-03-12 Dow Corning Corporation Metastable silane hydrolyzates and process for their preparation
US5045592A (en) 1989-07-28 1991-09-03 Dow Corning Corporation Metastable silane hydrolyzates
US5085893A (en) 1989-07-28 1992-02-04 Dow Corning Corporation Process for forming a coating on a substrate using a silsesquioxane resin
US5010159A (en) 1989-09-01 1991-04-23 Dow Corning Corporation Process for the synthesis of soluble, condensed hydridosilicon resins containing low levels of silanol
US5063267A (en) 1990-11-28 1991-11-05 Dow Corning Corporation Hydrogen silsesquioxane resin fractions and their use as coating materials
US5238787A (en) * 1991-04-22 1993-08-24 Dow Corning Corporation Photodelineable coatings from hydrogen silsesquioxane resin
US5385804A (en) 1992-08-20 1995-01-31 International Business Machines Corporation Silicon containing negative resist for DUV, I-line or E-beam lithography comprising an aromatic azide side group in the polysilsesquioxane polymer
JP2547944B2 (ja) 1992-09-30 1996-10-30 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 二層レジスト組成物を使用する光学リソグラフによりサブ−ハーフミクロンパターンを形成する方法
JP3153367B2 (ja) 1992-11-24 2001-04-09 ダウ・コ−ニング・コ−ポレ−ション ポリハイドロジェンシルセスキオキサンの分子量分別方法
US5571386A (en) * 1994-05-31 1996-11-05 Rohm And Haas Company Process for grade acrylic acid
TW397936B (en) 1994-12-09 2000-07-11 Shinetsu Chemical Co Positive resist comosition based on a silicone polymer containing a photo acid generator
JP3499032B2 (ja) * 1995-02-02 2004-02-23 ダウ コーニング アジア株式会社 放射線硬化性組成物、その硬化方法及びパターン形成方法
JP4024898B2 (ja) * 1997-03-17 2007-12-19 株式会社東芝 珪素組成物、これを用いたパターン形成方法、および電子部品の製造方法
WO1999009457A1 (fr) 1997-08-14 1999-02-25 Showa Denko K.K. Resine de reserve sa composition et procede de creation de motifs l'utilisant
US6087064A (en) 1998-09-03 2000-07-11 International Business Machines Corporation Silsesquioxane polymers, method of synthesis, photoresist composition, and multilayer lithographic method
JP2000143810A (ja) 1998-11-18 2000-05-26 Dow Corning Asia Ltd 水素シルセスキオキサン樹脂の製造方法
US6210856B1 (en) 1999-01-27 2001-04-03 International Business Machines Corporation Resist composition and process of forming a patterned resist layer on a substrate
JP4557328B2 (ja) 1999-02-01 2010-10-06 富士フイルム株式会社 ポジ型フォトレジスト組成物
US6319650B1 (en) 2000-02-25 2001-11-20 International Business Machines Corporation High resolution crosslinkable photoresist composition, compatable with high base concentration aqueous developers method and for use thereof
US6531260B2 (en) 2000-04-07 2003-03-11 Jsr Corporation Polysiloxane, method of manufacturing same, silicon-containing alicyclic compound, and radiation-sensitive resin composition
US6399210B1 (en) * 2000-11-27 2002-06-04 Dow Corning Corporation Alkoxyhydridosiloxane resins
US7261992B2 (en) 2000-12-21 2007-08-28 International Business Machines Corporation Fluorinated silsesquioxane polymers and use thereof in lithographic photoresist compositions
US20020081520A1 (en) 2000-12-21 2002-06-27 Ratnam Sooriyakumaran Substantially transparent aqueous base soluble polymer system for use in 157 nm resist applications
JP2003020335A (ja) * 2001-05-01 2003-01-24 Jsr Corp ポリシロキサンおよび感放射線性樹脂組成物
US6872456B2 (en) * 2001-07-26 2005-03-29 Dow Corning Corporation Siloxane resins
US20030064254A1 (en) * 2001-07-26 2003-04-03 Katsuya Eguchi Siloxane resins
US20030152784A1 (en) 2002-01-30 2003-08-14 Deis Thomas A. Process for forming hydrogen silsesquioxane resins
US6737117B2 (en) * 2002-04-05 2004-05-18 Dow Corning Corporation Hydrosilsesquioxane resin compositions having improved thin film properties
JP3925448B2 (ja) * 2003-03-31 2007-06-06 Ｊｓｒ株式会社 ケイ素含有化合物、ポリシロキサンおよび感放射線性樹脂組成物

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102521626B1 (ko) * 2021-12-20 2023-04-14 전남대학교산학협력단 주석 함유 실세스퀴옥산계 고분자 화합물 및 이를 포함하는 포토레지스트 조성물

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