KR20070047400A - 다결정 실리콘 박막트랜지스터 - Google Patents
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- 절연 기판 상에 제 1 폭과 제 1 길이를 가지며 형성된 제 1 액티브 영역과, 제 2 폭과 제 2 길이를 가지며 형성된 제 2 액티브 영역으로 구성된 다결정 실리콘의 반도체층과;상기 제 1 액티브 영역과 중첩하며 상기 제 1 길이를 그 폭으로 하여 게이트 절연막을 사이에 두고 형성된 제 1 게이트 전극과, 상기 제 2 액티브 영역과 중첩하며 상기 제 2 길이를 그 폭으로 하여 상기 게이트 절연막을 사이에 두고 형성된 제 2 게이트 전극과;상기 반도체층의 양 끝단과 접촉하며 서로 이격하며 형성된 소스 및 드레인 전극을 포함하는 박막트랜지스터.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 길이와 제 2 길이는 동일한 크기를 갖는 것이 특징인 박막트랜지스터.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 길이가 상기 제 2 길이보다 더 길게 형성되는 것이 특징인 박막트랜지스터.
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 제 1, 2 액티브층 각각의 외측으로 고농도의 불순물이 도핑되며, 제 1 폭을 갖는 소스 영역과 상기 제 1 폭보다 넓은 제 2 폭을 갖는 드레인 영역과, 상기 제 1, 2 액티브층 사이로 그 중앙을 기준으로 상기 제 1 폭 및 제 2 폭을 가지며 형성된 고농도 도핑영역을 더욱 포함하는 박막트랜지스터.
- 제 4 항에 있어서,상기 제 1 액티브 영역 양측으로 각각 상기 제 1 폭을 가지며, 상기 소스 영역과 고농도 도핑영역과 접촉하며, 저농도의 불순물이 도핑된 제 1, 2 LDD영역과;상기 제 2 액티브 영역 양측으로 각각 상기 제 2 폭을 가지며, 상기 고농도 도핑영역과 드레인 영역과 접촉하며 저농도의 불순물이 도핑된 제 3, 4 LDD영역을 더욱 포함하는 박막트랜지스터.
- 제 5 항에 있어서,상기 저농도 및 고농도 불순물은 n타입인 박막트랜지스터.
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 소스 및 드레인 영역과, 상기 소스 및 드레인 전극 사이에는 상기 소스 및 드레인 영역을 각각 노출시키는 반도체층 콘택홀을 갖는 층간절연막이 더욱 형성된 박막트랜지스터.
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 하나의 항 기재의 박막트랜지스터와;상기 게이트 전극과 연결되며 동일한 층에 형성된 게이트 배선과;상기 소스 전극과 연결되며 동일한 층에 형성되며 상기 게이트 배선과 교차하여 화소영역을 정의하는 데이터 배선과;상기 드레인 전극과 연결되어 각 화소영역별로 형성된 화소전극을 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판.
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