KR20070021611A - 화학증폭형 포지티브 타입 레지스트 조성물 - Google Patents

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KR20070021611A
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김태호
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동우 화인켐 주식회사
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Abstract

본 발명은 화학증폭형 포지티브 타입 레지스트 조성물에 관한 것으로서, 폴리(하이드록시스티렌)계 고분자 수지, 광 산발생제(photoacid generator) 및 하기 화학식 1로 표시되는 실란 화합물을 포함하는, 본 발명의 레지스트 조성물에 의하면, 기재에 대한 우수한 밀착성에 기인하여 프로파일, 초점심도, 해상도, 감도 및 건식 에칭 내성이 우수하고 넘어짐 및 무너짐 현상이 억제된 양질의 패턴을 형성할 수 있다:
Figure 112005045584612-PAT00001
상기 식에서,
X는 수소, C1-10 알킬, C3-10 사이클로알킬, 비닐, 에폭시, 아미노, 메타크릴 또는 머캡토이고,
R1, R2 및 R3는 각각 독립적으로 C1-10 알킬 또는 C3-10 사이클로알킬이다.

Description

화학증폭형 포지티브 타입 레지스트 조성물{CHEMICAL AMPLIFICATION POSITIVE-TYPE RESIST COMPOSITION}
도 1은 실시예 1 및 비교예 1에서 수득된 패턴의 상면 및 측단면 사진이다.
본 발명은 엑시머 레이저 등을 포함하는 원자외선, 전자선, X-선 및 방사광과 같은 고에너지의 방사선에 의해서 작용하는 포토리소그래피(photolithography)에 적합한, 화학증폭형 포지티브 타입 레지스트 조성물에 관한 것이다.
최근, 집적 회로의 집적도가 증가함에 따라 서브마이크론 크기의 패턴 형성에 대한 요구가 늘고 있다. 특히, 플루오르화 크립톤(KrF) 또는 플루오르화 아르곤(ArF)으로부터의 엑시머 레이저를 사용하는 포토리소그래피가 64M DRAM 내지 1G DRAM의 제조를 가능하게 한다는 점에서 주목받고 있다. 이러한 엑시머 레이저를 사용한 포토리소그래피 공정에 적합한 레지스트(resist)로서, 산 촉매 및 화학증폭 효과를 이용한 소위 화학증폭형 레지스트가 선호된다.
일반적으로, 기재에 레지스트 액상 조성물을 도포하고 패턴 형성을 위해 노광처리 및 열처리한 다음 알칼리 현상제로 현상함으로써 원하는 패턴을 형성할 수 있다. 화학증폭형 레지스트 조성물은 고분자 수지와 광 산발생제(photoacid generator)를 주요 구성성분으로서 포함하는데, 패턴 형성시 방사선 조사에 의해 광 산발생제가 산을 발생시키고 이 산이 열처리에 의해 확산되어 촉매로서 특정 반응을 수행함으로써 알칼리 현상액에 대한 고분자 수지의 용해성을 변화시키는 것에 의해 포지티브 타입(positive-type) 또는 네가티브 타입(negative-type) 패턴을 수득하게 된다.
화학증폭형의 포지티브 타입 레지스트 조성물, 특히 KrF 엑시머 레이저 포토리소그래피용의 포지티브 타입 레지스트 조성물 대부분은, 산의 작용에 의해 해리되는 치환기에 의해 페놀성 하이드록시기의 일부가 보호된 폴리(하이드록시스티렌)계 고분자 수지와 광 산발생제의 조합을 포함한다. 이때, 산의 작용에 의해 해리되는 치환기로는, 해리 전에 페놀성 하이드록시기 유래의 산소 원자와 아세탈 결합을 형성하는 테트라하이드로-2-피라닐, 테트라하이드로-2-푸릴 및 1-에톡시에틸 등이 적합한 것으로 알려져 있다.
그러나, 이제까지 알려진 화학증폭형 포지티브 타입 레지스트 조성물은 적용되는 기재와의 밀착성이 부족하여 형성된 패턴이 넘어지거나 무너지는 현상을 나타내며, 포토리소그래피에 의한 패턴 형성시에도 밀착성 부족에 기인하여 비교적 큰 편차의 초점심도를 갖는 등 초점심도를 비롯한 해상도, 감도, 프로파일 등의 구현에 한계를 갖는다.
따라서, 본 발명의 목적은 다양한 기재에 대해서 우수한 밀착성을 나타냄으로써, 프로파일, 초점심도, 해상도, 감도, 건식 에칭 내성 등이 우수하고 넘어짐(lifting) 및 무너짐(collapse) 현상이 억제된 패턴을 형성할 수 있는, 화학증폭형 포지티브 타입 레지스트 조성물을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에서는, 폴리(하이드록시스티렌)계 고분자 수지, 광 산발생제(photoacid generator) 및 하기 화학식 1로 표시되는 실란 화합물을 포함하는, 화학증폭형 포지티브 타입 레지스트 조성물을 제공한다:
화학식 1
Figure 112005045584612-PAT00002
상기 식에서,
X는 수소, C1-10 알킬, C3-10 사이클로알킬, 비닐, 에폭시, 아미노, 메타크릴 또는 머캡토이고,
R1, R2 및 R3는 각각 독립적으로 C1-10 알킬 또는 C3-10 사이클로알킬이다.
이하 본 발명에 대하여 보다 상세히 설명한다.
본 발명에 따른 화학증폭형 포지티브 타입 레지스트 조성물은 유기물 및 무기물 둘 다에 대해 친밀성을 갖는 커플링제(coupling agent)로서의 상기 화학식 1의 실란 화합물을 고분자 수지 및 광 산발생제와 함께 포함하는 것을 특징으로 한다. 이러한 본 발명 레지스트 조성물을 구성하는 각각의 성분에 대해 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
우선, 본 발명에 특징적으로 사용되는 상기 화학식 1의 실란 화합물은 유기물과 친밀성을 갖는 "X" 및 무기물과 친밀성을 갖는 알콕시인 "OR"에 기인하여 유기화합물 레지스트 구성성분과 무기물 기재(실리콘 기판, 산화막 또는 금속막이 코팅된 기판)와의 사이에서 커플링제로 작용함으로써 레지스트의 기재에의 밀착성을 향상시킨다. 이러한 밀착성의 향상으로 인해 프로파일, 초점심도, 해상도, 감도, 건식 에칭 내성 등이 우수한 패턴을 형성할 수 있고 패턴 넘어짐 및 무너짐 현상을 방지할 수 있다.
상기 화학식 1에서, "X"는 바람직하게는 비닐, 에폭시, 아미노, 메타크릴 또는 머캡토 일 수 있고, "OR"은 바람직하게는 메톡시 또는 에톡시 일 수 있다. 바람직하게는, 상기 실란 화합물은 고분자 수지 100 중량부를 기준으로 0.001 내지 10 중량부, 바람직하게는 0.01 내지 0.1 중량부의 양으로 사용될 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 화학증폭형 포지티브 타입 레지스트 조성물은 상기 실란 화합물 이외의 필수 성분으로서 폴리(하이드록시스티렌)계 고분자 수지와 광 산발생제를 포함하며, 임의 성분으로서 퀀쳐(quencher)를 포함할 수 있다.
본 발명에 사용되는 폴리(하이드록시스티렌)계 고분자 수지는 본래는 알칼리 수용액에 대해 불용성 또는 난용성이지만 산에 대해 불안정한 기가 산의 작용에 의해 해리된 후에는 알칼리 수용액에 대해 가용성이 되며, 화학식 2로 표시되는 반복단위와 화학식 3으로 표시되는 반복단위 1종 이상의 조합으로 이루어질 수 있다:
Figure 112005045584612-PAT00003
Figure 112005045584612-PAT00004
상기 식에서,
R4는 C1-10 알킬, C3-10 사이클로알킬, 에스테르, 에테르, 카보닐, 아세탈 또는 알콜이다.
상기 폴리(하이드록시스티렌)계 고분자 수지는 알칼리 수용액에 대해 가용성인 수지에, 산의 작용에 의해 해리가능한 보호기, 즉 상기 화학식 3의 R4를 통상적인 방법에 따라 도입시켜 예를 들어 페놀성 하이드록시기 또는 카복실기 상의 수소 일부를 보호기로 치환시킴으로써 제조할 수 있다. 다르게는, 상기 고분자 수지는 산의 작용에 의해 해리가능한 보호기를 갖는 불포화 화합물 단량체 1종 이상을 공중합시킴으로써 제조할 수 있다. 본 발명의 폴리(하이드록시스티렌)계 고분자 수지는 수지 총 분자량을 기준으로 20 내지 40％, 바람직하게는 30 내지 35％ 정도의 비율로 상기 화학식 3으로 표시되는 반복단위 1종 이상을 포함하는 것이 바람직하다.
알칼리 수용액에 대해 분해 억제력을 갖지만 산에 대해 불안정하여 산의 작용에 의해 해리가능한 보호기, 즉 R4의 구체적인 예로는 3급-부틸, 3급-부톡시카보닐 및 3급-부톡시카보닐메틸과 같이 4급 탄소가 산소 원자에 결합된 기; 테트라하이드로-2-피라닐, 테트라하이드로-2-푸릴, 1-에톡시에틸, 1-(2-메틸프로폭시)에틸, 1-(2-메톡시에톡시)에틸, 1-(2-아세톡시에톡시)에틸, 1-[2-(1-아다만틸옥시)에틸]에틸 및 1-[2-(1-아다만탄카보닐옥시)에톡시]에틸과 같은 아세탈기; 및 피바레이트(pivalate), 3-옥소사이클로헥실, 4-메틸테트라하이드로-2-피론-4-일(메바론산 락톤으로부터 유도), 2-메틸-2-아다만틸 및 2-에틸-2-아다만틸과 같은 비방향족 고리형 기를 들 수 있다. 상기한 보호기 중에서, 노출 후 지연에 대한 안정성이 높은 1-에톡시에틸기 및 건식 내성이 우수한 피바레이트기가 바람직하며, 1-에톡시에틸기와 피바레이트기의 부분적인 조합이 더욱 바람직하다.
본 발명에 사용되는 광 산발생제는 원자외선, 전자선, X-선 또는 방사광과 같은 고에너지의 방사선 조사에 의해 산을 발생시키는 물질이다. 이러한 광 산발 생제로부터 생성된 산은 상술한 고분자 수지에 작용하여 수지에 존재하는, 산에 불안정한 보호기를 해리시키는 작용을 한다. 본 발명에 적합한 광 산발생제로는 248nm(KrF) 근처에서 높은 흡광도를 나타내는 하기 화학식 4 내지 6의 화합물을 들 수 있다:
Figure 112005045584612-PAT00005
Figure 112005045584612-PAT00006
Figure 112005045584612-PAT00007
상기 식에서,
R6 내지 R11은 각각 독립적으로 수소, 또는 하이드록시, 아미노, C1-6 알킬 및 C1-6 알콕시로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상으로 치환되거나 치환되지 않은, C1-10 알킬, C3-10 사이클로알킬 또는 C6-10 아릴이다.
상기 화학식 3에서, R6 및 R7은 각각 독립적으로 바람직하게는 n-프로필, n-부틸, t-부틸, n-옥틸, 톨루일, 2,4,6-트리메틸페닐, 2,4,6-트리이소프로필페닐, 4-도데실페닐, 4-메톡시페닐, 2-나프틸 또는 벤질 일 수 있다.
상기 화학식 4 화합물의 구체적인 예로는, 디페닐요도늄 트리플루오로메탄설포네이트, 4-메톡시페닐페닐요도늄 헥사플루오로안티모네이트, 4-메톡시페닐페닐요도늄 트리플루오로메탄설포네이트, 비스(4-3급-부틸페닐)요도늄 테트라플루오로보레이트, 비스(4-3급-부틸페닐)요도늄 헥사플루오로포스페이트, 비스(4-3급-부틸페닐)요도늄 헥사플루오로안티모네이트, 비스(4-3급-부틸페닐)요도늄 트리플루오로메탄설포네이트, 트리페닐설포늄 헥사플루오로포스페이트, 트리페닐설포늄 헥사플루오로안티모네이트, 트리페닐설포늄 트리플루오로메탄설포네이트, 4-메틸페닐디페닐설포늄 퍼플루오로부탄설포네이트, 4-메틸페닐디페닐설포늄 퍼플루오로옥탄설포네이트, 4-메톡시페닐디페닐설포늄 헥사플루오로안티모네이트, 4-메톡시페닐디페닐설포늄 트리플루오로메탄설포네이트, p-톨릴디페닐설포늄 트리플루오로메탄설포네이트, 2,4,6-트리메틸페닐디페닐설포늄 트리플루오로메탄설포네이트, 4-3급-부틸페닐디페닐설포늄 트리플루오로메탄설포네이트, 4-페닐티오페닐디페닐설포늄 헥사플루오로포스페이트, 4-페닐티오페닐디페닐설포늄 헥사플루오로안티모네이트, 1-(2-나 프톨릴메틸)티올라늄 헥사플루오로안티모네이트, 1-(2-나프톨릴메틸)티올라늄 트리플루오로메탄설포네이트, 4-히드록시-1-나프틸디메틸설포늄 헥사플루오로안티모네이트, 4-히드록시-1-나프틸디메틸설포늄트리플루오로메탄설포네이트, 2-메틸-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2,4,6-트리스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-페닐-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-(4-클로로페닐)-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3-5-트리아진, 2-(4-메톡시페닐)-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-(4-메톡시-1-나프틸)-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-(벤조[d][1,3]디옥솔란-5-일)-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-(4-메톡시스티릴)-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-(3,4,5-트리메톡시스티릴)-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-(3,4-디메톡시스티릴)-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-(2,4-디메톡시스티릴)-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-(2-메톡시스티릴)-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-(4-부톡시스티릴)-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-(4-펜틸옥시스티릴)-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 1-벤조일-1-페닐메틸 p-톨루엔설포네이트(벤조인 토실레이트), 2-벤조일-2-히드록시-2-페닐에틸 p-톨루엔설포네이트(α-메틸올벤조인 토실레이트), 1,2,3-벤젠톨릴 트리메탄설포네이트, 2,6-디니트로벤질 p-톨루엔설포네이트, 2-니트로벤질 p-톨루엔설포네이트, 4-니트로벤질 p-톨루엔설포네이트, 디페닐 디설폰, 디-p-톨릴 디설폰, 디스(페닐설포닐)디아조메탄, 비스(4-클로로페닐설포닐)디아조메탄, 비스(p-톨릴설포닐)디아조메탄, 비스(4-3급-부틸페닐설포닐)디아조메탄, 비스(2,4-크실릴설포닐)디아조메탄, 비스(시 클로헥실설포닐)디아조메탄, (벤조일)(페닐설포닐)디아조메탄, N-(페닐설포닐옥시)석신이미드, N-(트리플루오로메틸설포닐옥시)석신이미드, N-(트리플루오로메틸설포닐옥시)프탈이미드, N-(트리프루오로메틸설포닐옥시)-5-노르보르넨-2,3-디카복시이미드, N-(트리플루오로메틸설포닐옥시)나프탈이미드, N-(10-캄포설포닐옥시)나프탈이미드 및 4-메톡시-α-[[[(4-메틸페닐)설포닐]옥시]이미노]벤젠아세토니트릴을 들 수 있다.
또한, 상기 화학식 5에서, R11은 바람직하게는 n-펜틸, n-옥틸, p-메틸사이클로헥실 또는 캄퍼(camphor)기 일 수 있다.
바람직하게는, 상기 광 산발생제는 고분자 수지 100 중량부를 기준으로 0.001 내지 20 중량부의 양으로 사용될 수 있다.
본 발명에 사용되는 임의성분으로서의 퀀쳐 성분은 수산화암모늄계 및 아민계 화합물이 적합하며, 이의 구체적인 예로는 테트라메틸암모늄 하이드록사이드, 테트라-n-부틸암모늄 하이드록사이드, 테트라-n-헥실암모늄 하이드록사이드, 테트라-n-옥틸암모늄 하이드록사이드, 페닐트리메틸암모늄 하이드록사이드, 3-(트리플루오로메틸)-페닐트리메틸암모늄 하이드록사이드, (2-하이드록시에틸)트리메틸암모늄 하이드록사이드 및 디사이클로헥실메틸아민 등을 들 수 있고, 일본 특개평11-52575호에 기재된 바와 같은 피페리딘 골격을 갖는 장애된(hindered) 아민 화합물 또한 사용될 수 있다.
본 발명에 따른 레지스트 조성물은 퀀쳐 성분을 본 발명의 효과에 악영향을 미치지 않는 양으로 함유할 수 있다. 바람직하게는, 상기 퀀쳐는 고분자 수지 100 중량부를 기준으로 0.001 내지 20 중량부의 양으로 사용될 수 있다.
필요에 따라, 본 발명의 레지스트 조성물은 증감제, 용해억제제, 기타 수지, 계면활성제, 안정화제, 염료 등과 같은 다양한 첨가제를 추가로 소량 함유할 수 있다.
상기한 구성성분들을 혼합하여 본 발명의 화학증폭형 포지티브 타입 레지스트 조성물을 제조할 수 있다. 본 발명 레지스트 조성물은 용매에 용해된 액상의 형태로 통상적인 방법에 의해 기재 위에 도포된다. 기재 위에 도포된 후 건조된 레지스트 막을 패턴 형성을 위해 노광처리한 다음, 산의 확산 및 보호기 제거반응의 촉진을 위해 열처리하고, 이어 알칼리 현상제로 현상함으로써 원하는 레지스트 패턴을 형성할 수 있다.
본 발명에 사용되는 용매는 구성성분들을 용해시키고 적합한 건조 속도를 나타내며 용매 증발 후 균일하고 매끄러운 피막을 형성하는 것이 적합하며, 이러한 용매의 구체적인 예로는 에틸셀로솔브 아세테이트, 메틸셀로솔브 아세테이트 및 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트와 같은 글리콜 에테르 에스테르; 에틸 락테이트, 부틸 아세테이트, 아밀 아세테이트 및 에틸 피루베이트와 같은 에스테르; 아세톤, 메틸 이소부틸 케톤, 2-헵타논 및 사이클로헥사논과 같은 케톤; γ-부티로락톤과 같은 사이클릭 에스테르; 3-메톡시-1-부탄올과 같은 알콜; 및 이들의 혼합물을 들 수 있다.
본 발명에 사용되는 알칼리 현상제는 알칼리 수용액으로서 테트라메틸암모늄 하이드록사이드 및 (2-하이드록시에틸)트리메틸암모늄 하이드록사이드(콜린) 등이 적합하다.
상기 기재로는 실리콘 웨이퍼 등과 같은 통상적인 기판을 사용할 수 있으며, SiO2, SiON 및 폴리규소와 같은 산화막, 및 TiN, Al, W 및 Cu와 같은 금속막과 같은 특이성 있는 기판을 사용할 수도 있다.
이와 같이, 본 발명에 따른 화학증폭형 포지티브 타입 레지스트 조성물을 사용하면, 기재에 대한 우수한 밀착성에 기인하여 프로파일, 초점심도, 해상도, 감도, 및 특히 메탈 및 임플란트 공정시 요구되는 건식 에칭 내성 등이 우수한 패턴을 형성하고 패턴 넘어짐 및 무너짐 현상을 방지할 수 있으며, 특이성 있는 기재에 대해서 프로파일 및 초점심도가 한층 더 향상된 패턴을 형성할 수 있다.
이하, 본 발명을 하기 실시예 및 비교예에 의거하여 좀더 상세하게 설명하고자 한다. 단, 하기 실시예 및 비교예는 본 발명을 예시하기 위한 것일 뿐, 본 발명의 범위가 이들만으로 제한되는 것은 아니다.
<실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 4>
하기 표 1에 나타낸 바와 같은 조성으로 구성성분들을 혼합하여 화학증폭용 포지티브 타입 레지스트 조성물을 제조하였다. 이때, 구성성분들의 첨가량은 고분자 수지 100 중량부(고형분으로 환산된 것, A-1:A-2 중량비는 7:3)를 기준으로 하였으며, 이들 성분들을 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 370 중량부에 용해시킨 후 기공 직경이 0.2㎛인 불소 수지 필터를 통해 여과하여 레지스트 용액을 제조하였다.
제조된 레지스트 용액을 헥사메틸디실라잔으로 처리된 실리콘 웨이퍼에 스핀 코팅기를 이용하여 도포하고 건조시켜 0.700㎛ 두께의 레지스트 막을 형성하였다. 형성된 레지스트 막에 대해서 110℃의 열판에서 60초 동안 예비 열처리를 수행하였다. 이어, 레지스트 막이 코팅된 웨이퍼를 0.16㎛ 라인 및 스페이스 패턴으로 노광처리한 후 110℃의 열판에서 60초 동안 열처리를 수행하였다. 이때, 노광 파장이 248nm(KrF)인 스캔 방식 노광기['NSR-S203B', 제조원: Nikon Corp., NA=0.68, σ=0.75]를 이용하여 노광량을 서서히 변화시키면서 노광처리를 하였다. 이어, 2.38％ 테트라메틸암모늄 하이드록사이드 수용액 현상액을 사용하여, 노광처리 및 열처리된 레지스트 막에 대해 60초 동안 패들(paddle) 현상을 수행함으로써, 목적하는 라인 및 스페이스 패턴을 수득하였다.
수득된 라인 및 스페이스 패턴의 프로파일, 초점심도 및 밀착성을 주사 전자 현미경으로 관찰하여 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다. 프로파일에 대해서는, 패턴의 모양이 반듯한 직사각형(rectangular shaped)인 경우를 ○로, 초점심도가 0.6㎛ 이상에서도 패턴 모양이 반듯한 경우를 ◎로, 모양이 좋지 않을 경우(풋팅(footing), LER 불량, 스컴(scum), T-top 등에 해당하는 경우)를 ×로, ○와 ×의 중간 정도를 △로 평가하였다. 밀착성에 대해서는, 패턴이 넘어진 것이 있을 경우 "불량"으로, 패턴이 넘어진 것은 없으나 초점이 변하거나 노광량이 증가함에 따라 잘 넘어질 경우 "보통"으로, 패턴이 넘어진 것이 없으며 초점이 변하거나 노광량이 증가함에 따라서도 잘 넘어지지 않을 경우 "우수"로 평가하였다.
또한, 실시예 1 및 비교예 1에서 수득된 패턴의 상면 및 측단면 사진을 도 1에 나타내었다.
Figure 112005045584612-PAT00008
상기 표 1 및 도 1의 결과로부터, 본 발명에 따른 실시예 1 내지 4에서 수득된 패턴은 실란 커플링제의 존재에 기인하여 프로파일, 초점심도 및 밀착성 모두가 비교예 1 내지 4의 패턴에 비해 우수함을 알 수 있다.
본 발명에 따른 화학증폭형 포지티브 타입 레지스트 조성물을 사용하면, 기재에 대한 우수한 밀착성에 기인하여 프로파일, 초점심도, 해상도, 감도, 및 특히 메탈 및 임플란트 공정시 요구되는 건식 에칭 내성 등이 우수하고 넘어짐 및 무너짐 현상이 억제된 양질의 패턴을 형성할 수 있으며, 특이성 있는 기재에 대해서 프로파일 및 초점심도가 한층 더 향상된 패턴을 형성할 수 있다.

Claims (12)

  1. 폴리(하이드록시스티렌)계 고분자 수지, 광 산발생제(photoacid generator) 및 하기 화학식 1로 표시되는 실란 화합물을 포함하는, 화학증폭형 포지티브 타입 레지스트 조성물:
    화학식 1
    Figure 112005045584612-PAT00009
    상기 식에서,
    X는 수소, C1-10 알킬, C3-10 사이클로알킬, 비닐, 에폭시, 아미노, 메타크릴 또는 머캡토이고,
    R1, R2 및 R3는 각각 독립적으로 C1-10 알킬 또는 C3-10 사이클로알킬이다.
  2. 제 1 항에 있어서,
    화학식 1의 X가 비닐, 에폭시, 아미노, 메타크릴 또는 머캡토이고, OR이 메톡시 또는 에톡시인 것을 특징으로 하는, 화학증폭형 포지티브 타입 레지스트 조성물.
  3. 제 1 항에 있어서,
    실란 화합물을 고분자 수지 100 중량부를 기준으로 0.001 내지 10 중량부의 양으로 포함하는 것을 특징으로 하는, 화학증폭형 포지티브 타입 레지스트 조성물.
  4. 제 1 항에 있어서,
    실란 화합물을 고분자 수지 100 중량부를 기준으로 0.01 내지 0.1 중량부의 양으로 포함하는 것을 특징으로 하는, 화학증폭형 포지티브 타입 레지스트 조성물.
  5. 제 1 항에 있어서,
    폴리(하이드록시스티렌)계 고분자 수지가, 하기 화학식 2로 표시되는 반복단위와 하기 화학식 3으로 표시되는 반복단위 1종 이상의 조합으로 이루어진 것임을 특징으로 하는, 화학증폭형 포지티브 타입 레지스트 조성물:
    화학식 2
    Figure 112005045584612-PAT00010
    화학식 3
    Figure 112005045584612-PAT00011
    상기 식에서,
    R4는 C1-10 알킬, C3-10 사이클로알킬, 에스테르, 에테르, 카보닐, 아세탈 또는 알콜이다.
  6. 제 5 항에 있어서,
    폴리(하이드록시스티렌)계 고분자 수지가 화학식 3으로 표시되는 반복단위 1종 이상을 수지 총 분자량을 기준으로 20 내지 40％의 비율로 포함함을 특징으로 하는, 화학증폭형 포지티브 타입 레지스트 조성물.
  7. 제 5 항에 있어서,
    화학식 3의 R4가 3급-부틸, 3급-부톡시카보닐, 3급-부톡시카보닐메틸, 테트라하이드로-2-피라닐, 테트라하이드로-2-푸릴, 1-에톡시에틸, 1-(2-메틸프로폭시)에틸, 1-(2-메톡시에톡시)에틸, 1-(2-아세톡시에톡시)에틸, 1-[2-(1-아다만틸옥시)에틸]에틸, 1-[2-(1-아다만탄카보닐옥시)에톡시]에틸, 피바레이트(pivalate), 3-옥소사이클로헥실, 4-메틸테트라하이드로-2-피론-4-일, 2-메틸-2-아다만틸 또는 2-에틸-2-아다만틸임을 특징으로 하는, 화학증폭형 포지티브 타입 레지스트 조성물.
  8. 제 7 항에 있어서,
    화학식 3의 R4가 1-에톡시에틸 또는 피바레이트임을 특징으로 하는, 화학증폭형 포 지티브 타입 레지스트 조성물.
  9. 제 1 항에 있어서,
    광 산발생제가 하기 화학식 4 내지 6의 화합물로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상임을 특징으로 하는, 화학증폭형 포지티브 타입 레지스트 조성물:
    화학식 4
    Figure 112005045584612-PAT00012
    화학식 5
    Figure 112005045584612-PAT00013
    화학식 6
    Figure 112005045584612-PAT00014
    상기 식에서,
    R6 내지 R11은 각각 독립적으로 수소, 또는 하이드록시, 아미노, C1-6 알킬 및 C1-6 알콕시로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상으로 치환되거나 치환되지 않은, C1-10 알킬, C3-10 사이클로알킬 또는 C6-10 아릴이다.
  10. 제 1 항에 있어서,
    광 산발생제를 고분자 수지 100 중량부를 기준으로 0.001 내지 20 중량부의 양으로 포함하는 것을 특징으로 하는, 화학증폭형 포지티브 타입 레지스트 조성물.
  11. 제 1 항에 있어서,
    퀀쳐(quencher)를 고분자 수지 100 중량부를 기준으로 0.001 내지 20 중량부의 양으로 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는, 화학증폭형 포지티브 타입 레지스트 조성물.
  12. 제 11 항에 있어서,
    퀀쳐가 수산화암모늄계 또는 아민계 화합물임을 특징으로 하는, 화학증폭형 포지티브 타입 레지스트 조성물.
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