JPH08227155A - ポリマー - Google Patents
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- JPH08227155A JPH08227155A JP7291710A JP29171095A JPH08227155A JP H08227155 A JPH08227155 A JP H08227155A JP 7291710 A JP7291710 A JP 7291710A JP 29171095 A JP29171095 A JP 29171095A JP H08227155 A JPH08227155 A JP H08227155A
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F212/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by an aromatic carbocyclic ring
- C08F212/02—Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical
- C08F212/04—Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical containing one ring
- C08F212/14—Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical containing one ring substituted by heteroatoms or groups containing heteroatoms
- C08F212/22—Oxygen
- C08F212/24—Phenols or alcohols
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F8/00—Chemical modification by after-treatment
-
- G—PHYSICS
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
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- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 印刷板，印刷回路又は集積回路の製造のため
に適する新規ポリマーを提供する。 【解決手段】 ゲル透過クロマトグラフィーによって測
定された５．５×１０3〜１０5 の分子量（Ｍw ）を有
するポリマー、例えば保護基含有率６３％及びヒドロキ
シル基含有率３７％を有するポリ［４−（１−メトキシ
−１−メチルエトキシ）スチレン／４−（１−メトキシ
−１−メチルエトキシ）ビニルシクロヘキサン／４−ヒ
ドロキシスチレン／４−ビニルシクロヘキサノール］。
に適する新規ポリマーを提供する。 【解決手段】 ゲル透過クロマトグラフィーによって測
定された５．５×１０3〜１０5 の分子量（Ｍw ）を有
するポリマー、例えば保護基含有率６３％及びヒドロキ
シル基含有率３７％を有するポリ［４−（１−メトキシ
−１−メチルエトキシ）スチレン／４−（１−メトキシ
−１−メチルエトキシ）ビニルシクロヘキサン／４−ヒ
ドロキシスチレン／４−ビニルシクロヘキサノール］。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ヒドロキシル基及
び酸に対して不安定なケタール側鎖を含む新規ポリマ
ー、前記ポリマーを含む輻射線感受性組成物、前記組成
物を使用する画像形成方法、並びにポジのホトレジスト
としての前記ポリマーの用途に関するものである。
び酸に対して不安定なケタール側鎖を含む新規ポリマ
ー、前記ポリマーを含む輻射線感受性組成物、前記組成
物を使用する画像形成方法、並びにポジのホトレジスト
としての前記ポリマーの用途に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ポジ機能性の輻射線感受性混合物は公知
である。特に、水性−アルカリ性媒体に可溶性であるバ
インダー、例えばノボラック中にｏ−キノンジアジドを
含むポジ機能性レジスト材料は、市販されている。
である。特に、水性−アルカリ性媒体に可溶性であるバ
インダー、例えばノボラック中にｏ−キノンジアジドを
含むポジ機能性レジスト材料は、市販されている。
【０００３】高度な集積回路の製造は、一般的に、基材
に対して転写画像化すべき０．３５μｍよりも狭い幅を
有する構造のための能力を必要とする。例えば、ｏ−キ
ノンジアジド／ノボラック系の分解能は、画像化暴露の
ために使用される波長３６５ｎｍにおいて物理的に可能
な限界に達した。前記理由のために、深(deep)紫外（Ｄ
ＵＶ；２００ないし３００ｎｍ）における一層短い波長
で機能するホトレジストに関する重要性が増大してい
る。ノボラックは、この領域において強い吸収を示すの
で、通常の層厚約１．０μｍにおける均一な暴露は不可
能である。必要とされる光学的透明性を保証するため
に、ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）又はその誘導体
が、ＤＵＶ領域においてホトレジストを機能させる際の
バインダー樹脂として通常使用される。
に対して転写画像化すべき０．３５μｍよりも狭い幅を
有する構造のための能力を必要とする。例えば、ｏ−キ
ノンジアジド／ノボラック系の分解能は、画像化暴露の
ために使用される波長３６５ｎｍにおいて物理的に可能
な限界に達した。前記理由のために、深(deep)紫外（Ｄ
ＵＶ；２００ないし３００ｎｍ）における一層短い波長
で機能するホトレジストに関する重要性が増大してい
る。ノボラックは、この領域において強い吸収を示すの
で、通常の層厚約１．０μｍにおける均一な暴露は不可
能である。必要とされる光学的透明性を保証するため
に、ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）又はその誘導体
が、ＤＵＶ領域においてホトレジストを機能させる際の
バインダー樹脂として通常使用される。
【０００４】一般的に知られている如く、増大した輻射
線感受性を有する系は、例えば、アルカリ可溶性バイン
ダー樹脂からなり、そのアルカリ可溶化基（例えば、ヒ
ドロキシル基）は酸に対して不安定な保護基によって閉
鎖されているので、これが、バインダー樹脂をアルカリ
に実質的に不溶性にしている。暴露は、この場合、適当
な波長を吸収し、強酸を発生させるという酸光発生剤の
第一反応を開始させ、強酸は続く第二反応において、保
護基の除去及びそれ故、可溶化基の予備生成を行う。
線感受性を有する系は、例えば、アルカリ可溶性バイン
ダー樹脂からなり、そのアルカリ可溶化基（例えば、ヒ
ドロキシル基）は酸に対して不安定な保護基によって閉
鎖されているので、これが、バインダー樹脂をアルカリ
に実質的に不溶性にしている。暴露は、この場合、適当
な波長を吸収し、強酸を発生させるという酸光発生剤の
第一反応を開始させ、強酸は続く第二反応において、保
護基の除去及びそれ故、可溶化基の予備生成を行う。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このような系の記載さ
れてよい例は、フェニル基が、例えば、第三ブトキシカ
ルボニルオキシ基（ｔ−Ｂｏｃ基）又はテトラヒドロピ
ラニル基（ＴＨＰ基）によって保護されたポリ（ｐ−ヒ
ドロキシスチレン）である。このようなバインダー樹脂
を含むホトレジストは知られているが〔例えば、エム．
ジェイ．ボーデン(M. J. Bowden)及びエス．アール．タ
ーナー(S. R. Turner)編，“ポリマーの電子工学的及び
光学的用途(Electronic and Photonic Application of
Polymers)”，ＡＣＳシリーズ２１８，ワシントン，１
９８８年並びにエヌ．ハヤシ(N. Hayashi)他，ポリマー
(Polymer) ３３，第１５８３頁（１９９２年）参照〕、
しかし、シリコンへの接着に関する不都合を有する。
れてよい例は、フェニル基が、例えば、第三ブトキシカ
ルボニルオキシ基（ｔ−Ｂｏｃ基）又はテトラヒドロピ
ラニル基（ＴＨＰ基）によって保護されたポリ（ｐ−ヒ
ドロキシスチレン）である。このようなバインダー樹脂
を含むホトレジストは知られているが〔例えば、エム．
ジェイ．ボーデン(M. J. Bowden)及びエス．アール．タ
ーナー(S. R. Turner)編，“ポリマーの電子工学的及び
光学的用途(Electronic and Photonic Application of
Polymers)”，ＡＣＳシリーズ２１８，ワシントン，１
９８８年並びにエヌ．ハヤシ(N. Hayashi)他，ポリマー
(Polymer) ３３，第１５８３頁（１９９２年）参照〕、
しかし、シリコンへの接着に関する不都合を有する。
【０００６】遊離のフェノール系モノマー単位を含むコ
ポリマーは、増大した熱安定性の損失を示すことが知ら
れている。熱的に誘起された分解（自触媒作用）は、弱
酸性のフェノール性ヒドロキシル基の触媒作用に起因し
て、部分的な脱保護に寄与し得る。
ポリマーは、増大した熱安定性の損失を示すことが知ら
れている。熱的に誘起された分解（自触媒作用）は、弱
酸性のフェノール性ヒドロキシル基の触媒作用に起因し
て、部分的な脱保護に寄与し得る。
【０００７】製造されたレリーフ構造の熱的流れ抵抗
は、バインダー樹脂のガラス転移温度（Ｔg ）に非常に
依存する。保護基の含有率が増大すると、Ｔg 及びその
結果としてレジスト構造の流れ抵抗は減少する。しかし
ながら、適当な流れ抵抗（製造されたレジスト構造の寸
法安定性）は、次いでリソグラフ工程を行う半導体基材
（ＴｉＮ，ＳｉＯ2 ，Ａｌ等）上へのプラズマ化学的な
構造転写（エッチング工程）のために基本的に重要であ
る。
は、バインダー樹脂のガラス転移温度（Ｔg ）に非常に
依存する。保護基の含有率が増大すると、Ｔg 及びその
結果としてレジスト構造の流れ抵抗は減少する。しかし
ながら、適当な流れ抵抗（製造されたレジスト構造の寸
法安定性）は、次いでリソグラフ工程を行う半導体基材
（ＴｉＮ，ＳｉＯ2 ，Ａｌ等）上へのプラズマ化学的な
構造転写（エッチング工程）のために基本的に重要であ
る。
【０００８】良好なリソグラフ的コントラストを得るた
めに、すなわち、アルカリ不溶性からアルカリ可溶性へ
の変換のために、保護基の大部分、すなわち、９０％よ
りも多くが、第二反応の間に除去されることが重要であ
る〔オー．ナラマツ(O. Nalamatu) 他，ＳＰＩＥ第１２
６２版，レジスト技術及び加工における進歩(Advances
in Resist Technology and Processing)VII （１９９０
年）第３２−４８頁〕。この理由のために、最大で５０
％の保護程度が設定され、その結果、バインダー樹脂は
通常使用される塩基性の現像液に正に不溶性であり、そ
して第二反応において除去された多数の保護基はバイン
ダー樹脂を可溶性にするために充分である。
めに、すなわち、アルカリ不溶性からアルカリ可溶性へ
の変換のために、保護基の大部分、すなわち、９０％よ
りも多くが、第二反応の間に除去されることが重要であ
る〔オー．ナラマツ(O. Nalamatu) 他，ＳＰＩＥ第１２
６２版，レジスト技術及び加工における進歩(Advances
in Resist Technology and Processing)VII （１９９０
年）第３２−４８頁〕。この理由のために、最大で５０
％の保護程度が設定され、その結果、バインダー樹脂は
通常使用される塩基性の現像液に正に不溶性であり、そ
して第二反応において除去された多数の保護基はバイン
ダー樹脂を可溶性にするために充分である。
【０００９】更に、保護基を有するホトレジストは、第
一反応と続く第二反応との間の工程間隔に非常に敏感で
ある。延長された間隔（後暴露遅れ）〔これは、感受性
系において僅か二三分後に臨界となる〕は、Ｔ字型に変
性された断面形の生成の結果として、相当する表面妨害
を起こす〔エス．エイ．マックドナルド(S. A. MacDona
ld) 他，ＳＰＩＥ第１４６６版，レジスト技術及び加工
における進歩(Advances in Resist Technology and Pro
cessing)VIII（１９９１年）第２−７頁〕。
一反応と続く第二反応との間の工程間隔に非常に敏感で
ある。延長された間隔（後暴露遅れ）〔これは、感受性
系において僅か二三分後に臨界となる〕は、Ｔ字型に変
性された断面形の生成の結果として、相当する表面妨害
を起こす〔エス．エイ．マックドナルド(S. A. MacDona
ld) 他，ＳＰＩＥ第１４６６版，レジスト技術及び加工
における進歩(Advances in Resist Technology and Pro
cessing)VIII（１９９１年）第２−７頁〕。
【００１０】更に、アメリカ合衆国特許第５２５８２５
７号明細書には、酸光発生剤と、良好なリソグラフ的コ
ントラスト及び必要とされる流れ抵抗を得るために、最
大でヒドロキシル基の５０％が酸に対して不安定な保護
基で閉鎖された部分的に水素化されたポリ（ヒドロキシ
スチレン）とからなるホトレジストが記載されている。
７号明細書には、酸光発生剤と、良好なリソグラフ的コ
ントラスト及び必要とされる流れ抵抗を得るために、最
大でヒドロキシル基の５０％が酸に対して不安定な保護
基で閉鎖された部分的に水素化されたポリ（ヒドロキシ
スチレン）とからなるホトレジストが記載されている。
【００１１】これらのホトレジストは、特に、使用され
る保護基の酸に対する不安定性が非常に高い場合には、
自触媒作用に起因して、熱安定性が低いという不都合を
有する。この事は、このようなホトレジストの保存寿命
を相当に制限する。
る保護基の酸に対する不安定性が非常に高い場合には、
自触媒作用に起因して、熱安定性が低いという不都合を
有する。この事は、このようなホトレジストの保存寿命
を相当に制限する。
【００１２】本発明の目的は、上記不都合を有しない、
すなわち、特に良好な加工安定性を有し、紫外線照射，
電子ビーム及びＸ線に敏感な、及び特に、高い光学的透
明度に起因してＤＵＶ領域での使用のために適する新規
ポリマー、並びに特にレリーフ構造の保護のための、前
記ポリマーから得られるポジ機能性で、非常に活性な輻
射線感受性系を提供することにある。
すなわち、特に良好な加工安定性を有し、紫外線照射，
電子ビーム及びＸ線に敏感な、及び特に、高い光学的透
明度に起因してＤＵＶ領域での使用のために適する新規
ポリマー、並びに特にレリーフ構造の保護のための、前
記ポリマーから得られるポジ機能性で、非常に活性な輻
射線感受性系を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】驚
くべきことに、ケタール基による特にポリ（ヒドロキシ
スチレン）のヒドロキシル基の５０％ないし９０％の置
換は、代表的には５０％よりも大きい保護基含有率を有
するフェノール系バインダー樹脂で起こる乏しいコント
ラストや不適当な流れ抵抗のような上記不都合を有しな
い非常に活性な輻射線感受性混合物を与えることが今や
判った。新規輻射線感受性混合物は、水性−アルカリ性
溶液に不溶性である新規ポリマー、及び輻射線への暴露
の際に酸を生成する化合物を含む。前記ポリマーは、酸
触媒下で除去され、水性−アルカリ性溶液中での前記混
合物の溶解度を増大させる特定の基を含む。更に、これ
らの混合物は、特に、製造された構造の高い流れ抵抗、
並びに良好な保存寿命及び高い分解能を特徴とする。
くべきことに、ケタール基による特にポリ（ヒドロキシ
スチレン）のヒドロキシル基の５０％ないし９０％の置
換は、代表的には５０％よりも大きい保護基含有率を有
するフェノール系バインダー樹脂で起こる乏しいコント
ラストや不適当な流れ抵抗のような上記不都合を有しな
い非常に活性な輻射線感受性混合物を与えることが今や
判った。新規輻射線感受性混合物は、水性−アルカリ性
溶液に不溶性である新規ポリマー、及び輻射線への暴露
の際に酸を生成する化合物を含む。前記ポリマーは、酸
触媒下で除去され、水性−アルカリ性溶液中での前記混
合物の溶解度を増大させる特定の基を含む。更に、これ
らの混合物は、特に、製造された構造の高い流れ抵抗、
並びに良好な保存寿命及び高い分解能を特徴とする。
【００１４】それ故、本発明は、ポリマー鎖中に、次式
ＩないしIV：
ＩないしIV：
【化３】 〔式中、Ｒ1 及びＲ2 は、互いに独立して、各々直鎖状
又は分岐鎖状の炭素原子数１ないし６のアルキル基、非
置換又はメチル置換された炭素原子数３ないし６のシク
ロアルキル基、或いは非置換又は１個若しくはそれより
多くのハロゲン原子又は１個若しくはそれより多くの炭
素原子数１ないし４のアルコキシ基，シアノ基若しくは
ニトロ基により置換されたフェニル基又はナフチル基を
表わし、Ｒ3 ，Ｒ4 ，Ｒ5 及びＲ6 は、互いに独立し
て、水素原子又はメチル基を表わし、Ｒ7 ，Ｒ8 ，Ｒ9
及びＲ10は、互いに独立して、水素原子、炭素原子数１
ないし６のアルキル基、炭素原子数１ないし６のアルコ
キシ基又はハロゲン原子を表わし、ｗ，ｘ，ｙ及びｚは
１よりも大きい又は１に等しい数を表わし、そして、こ
の場合、保護基を含む構造単位の総数を存在する全ての
構造単位の総数で割ることにより得られる以下の商Ｑ：
又は分岐鎖状の炭素原子数１ないし６のアルキル基、非
置換又はメチル置換された炭素原子数３ないし６のシク
ロアルキル基、或いは非置換又は１個若しくはそれより
多くのハロゲン原子又は１個若しくはそれより多くの炭
素原子数１ないし４のアルコキシ基，シアノ基若しくは
ニトロ基により置換されたフェニル基又はナフチル基を
表わし、Ｒ3 ，Ｒ4 ，Ｒ5 及びＲ6 は、互いに独立し
て、水素原子又はメチル基を表わし、Ｒ7 ，Ｒ8 ，Ｒ9
及びＲ10は、互いに独立して、水素原子、炭素原子数１
ないし６のアルキル基、炭素原子数１ないし６のアルコ
キシ基又はハロゲン原子を表わし、ｗ，ｘ，ｙ及びｚは
１よりも大きい又は１に等しい数を表わし、そして、こ
の場合、保護基を含む構造単位の総数を存在する全ての
構造単位の総数で割ることにより得られる以下の商Ｑ：
【数２】 は０．５よりも大きく且つ最大で０．９である〕で表わ
される反復構造単位を含む、ゲル透過クロマトグラフィ
ーによって測定された５．５×１０3 ないし５．５×１
０5 の分子量（Ｍw ）を有する新規ポリマーに関するも
のである。
される反復構造単位を含む、ゲル透過クロマトグラフィ
ーによって測定された５．５×１０3 ないし５．５×１
０5 の分子量（Ｍw ）を有する新規ポリマーに関するも
のである。
【００１５】新規ポリマーは、６０００ないし５０００
０、特に６５００ないし２００００の分子量（Ｍw ）を
有することが好ましい。
０、特に６５００ないし２００００の分子量（Ｍw ）を
有することが好ましい。
【００１６】好ましいものは、商Ｑが０．５よりも大き
く且つ最大で０．８、特に０．５よりも大きく且つ最大
で０．７であるポリマーである。
く且つ最大で０．８、特に０．５よりも大きく且つ最大
で０．７であるポリマーである。
【００１７】好ましいものは、更に、ポリマー鎖中に、
次式ＶないしVIII：
次式ＶないしVIII：
【化４】 〔式中、Ｒ1 ないしＲ10，ｗ，ｘ，ｙ及びｚは上記にお
いて定義されたものと同じ意味を表わす〕で表わされる
反復構造単位を含むポリマーである。
いて定義されたものと同じ意味を表わす〕で表わされる
反復構造単位を含むポリマーである。
【００１８】好ましいものは、同様に、Ｒ1 及びＲ
2 が、互いに独立して、各々直鎖状又は分岐鎖状の炭素
原子数１ないし６のアルキル基、或いは非置換の炭素原
子数３ないし６のシクロアルキル基又はフェニル基を表
わし、そしてＲ3 ないしＲ6 及びＲ7 ないしＲ10が水素
原子を表わすポリマーである。
2 が、互いに独立して、各々直鎖状又は分岐鎖状の炭素
原子数１ないし６のアルキル基、或いは非置換の炭素原
子数３ないし６のシクロアルキル基又はフェニル基を表
わし、そしてＲ3 ないしＲ6 及びＲ7 ないしＲ10が水素
原子を表わすポリマーである。
【００１９】非常に特別に好ましいものは、Ｒ1 及びＲ
2 が、互いに独立して、各々メチル基，シクロプロピル
基，シクロヘキシル基又はフェニル基を表わすポリマー
である。
2 が、互いに独立して、各々メチル基，シクロプロピル
基，シクロヘキシル基又はフェニル基を表わすポリマー
である。
【００２０】特に好ましいものは、商Ｑが０．５よりも
大きく且つ最大で０．７であり、そしてＲ1 及びＲ
2 が、互いに独立して、各々直鎖状又は分岐鎖状の炭素
原子数１ないし６のアルキル基、或いは非置換の炭素原
子数３ないし６のシクロアルキル基又はフェニル基を表
わすポリマーである。
大きく且つ最大で０．７であり、そしてＲ1 及びＲ
2 が、互いに独立して、各々直鎖状又は分岐鎖状の炭素
原子数１ないし６のアルキル基、或いは非置換の炭素原
子数３ないし６のシクロアルキル基又はフェニル基を表
わすポリマーである。
【００２１】直鎖状又は分岐鎖状の炭素原子数１ないし
６のアルキル置換基は、例えば、メチル基、エチル基、
ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、第二
ブチル基、イソブチル基、第三ブチル基、ｎ−ペンチル
基、イソペンチル基、ｎ−ヘキシル基又はイソヘキシル
基である。
６のアルキル置換基は、例えば、メチル基、エチル基、
ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、第二
ブチル基、イソブチル基、第三ブチル基、ｎ−ペンチル
基、イソペンチル基、ｎ−ヘキシル基又はイソヘキシル
基である。
【００２２】非置換又はメチル置換された炭素原子数３
ないし６のシクロアルキル置換基は、例えば、シクロプ
ロピル基、３−又は４−メチルシクロプロピル基、シク
ロブチル基、３−又は４−メチルシクロブチル基、シク
ロペンチル基、３−又は４−メチルシクロペンチル基で
ある。
ないし６のシクロアルキル置換基は、例えば、シクロプ
ロピル基、３−又は４−メチルシクロプロピル基、シク
ロブチル基、３−又は４−メチルシクロブチル基、シク
ロペンチル基、３−又は４−メチルシクロペンチル基で
ある。
【００２３】適する炭素原子数１ないし４のアルコキシ
置換基の例は、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキ
シ基又はｎ−ブトキシ基である。
置換基の例は、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキ
シ基又はｎ−ブトキシ基である。
【００２４】ハロゲン置換基は、弗素原子、塩素原子、
臭素原子又は沃素原子、好ましくは塩素原子又は臭素原
子、特に塩素原子である。
臭素原子又は沃素原子、好ましくは塩素原子又は臭素原
子、特に塩素原子である。
【００２５】本新規ポリマーは、公知方法により製造さ
れる。例えば、次式：
れる。例えば、次式：
【化５】 〔式中、Ｒ1 ないしＲ10は上記において定義されたもの
と同じ意味を表わす〕で表わされるモノマーは、各々
ｗ，ｘ，ｙ及びｚの量で公知方法で互いに共重合され
る。使用される各モノマーの量は、上記パラメーター
ｗ，ｘ，ｙ及びｚから計算される。
と同じ意味を表わす〕で表わされるモノマーは、各々
ｗ，ｘ，ｙ及びｚの量で公知方法で互いに共重合され
る。使用される各モノマーの量は、上記パラメーター
ｗ，ｘ，ｙ及びｚから計算される。
【００２６】好ましい製造方法は、次式Ia及びIb：
【化６】 〔式中、パラメーターａ＝ｗ＋ｘ及びパラメーターｂ＝
ｙ＋ｚ〕で表わされる構造単位からなる出発ポリマー
を、次式：
ｙ＋ｚ〕で表わされる構造単位からなる出発ポリマー
を、次式：
【化７】 で表わされる化合物と量ｃ＝ｗ＋ｙ（ここで、パラメー
ターｗ，ｘ，ｙ及びｚは上記において定義されたものと
同じ意味を表わす）で、公知方法（付加反応）で反応さ
せることからなる。置換基ＲはＲ1 及び／又はＲ2 を表
わす。
ターｗ，ｘ，ｙ及びｚは上記において定義されたものと
同じ意味を表わす）で、公知方法（付加反応）で反応さ
せることからなる。置換基ＲはＲ1 及び／又はＲ2 を表
わす。
【００２７】構造単位Ia及びIbからなる出発ポリマー
は、例えば、ＪＰ−Ａ０１／１０３６０４に記載された
如く、ポリ（４−ヒドロキシスチレン）の部分的な金属
触媒による水素添加によって製造される。
は、例えば、ＪＰ−Ａ０１／１０３６０４に記載された
如く、ポリ（４−ヒドロキシスチレン）の部分的な金属
触媒による水素添加によって製造される。
【００２８】最初に記載した如く、本新規ポリマーは電
子工学におけるポジのホトレジスト製剤〔電気めっき樹
脂、エッチ(etch)樹脂及びソルダー(solder)樹脂〕とし
て、化学的ミリング(milling) において、印刷板例えば
オフセット印刷板又はスクリーン印刷板の製造におい
て、並びに印刷回路、及び特に集積回路の製造のための
ミクロ電子工学において使用される。
子工学におけるポジのホトレジスト製剤〔電気めっき樹
脂、エッチ(etch)樹脂及びソルダー(solder)樹脂〕とし
て、化学的ミリング(milling) において、印刷板例えば
オフセット印刷板又はスクリーン印刷板の製造におい
て、並びに印刷回路、及び特に集積回路の製造のための
ミクロ電子工学において使用される。
【００２９】本発明はそれ故、成分Ａ）及びＢ）の全量
に対して、 Ａ） 新規ポリマー８０ないし９９．９重量％、及び Ｂ） 化学線への暴露の際に酸を生成する物質０．１な
いし２０重量％からなる輻射線感受性組成物にも関する
ものである。
に対して、 Ａ） 新規ポリマー８０ないし９９．９重量％、及び Ｂ） 化学線への暴露の際に酸を生成する物質０．１な
いし２０重量％からなる輻射線感受性組成物にも関する
ものである。
【００３０】好ましいものは、成分Ａ）及びＢ）の全量
に対して、 Ａ） 新規ポリマー９０ないし９９．８重量％、及び Ｂ） 化学線への暴露の際に酸を生成する物質０．２な
いし１０重量％からなる輻射線感受性組成物である。
に対して、 Ａ） 新規ポリマー９０ないし９９．８重量％、及び Ｂ） 化学線への暴露の際に酸を生成する物質０．２な
いし１０重量％からなる輻射線感受性組成物である。
【００３１】光に暴露することにより酸を生成又は排除
する輻射線感受性成分Ｂ）は、何れかの非常に多数の化
合物であってよい。これらは、例えば、ジアゾ型の製法
において使用されるジアゾニウム塩、公知のポジ機能性
複写組成物において使用されるｏ−キノンジアジド、又
は照射の際にハロゲン化水素酸を生成するハロゲン化合
物を包含する。この種の化合物は、例えば、ＵＳ−Ａ３
５１５５５２，同３５３６４８９及び同３７７９７７
８、並びにＤＥ−Ａ２７１８２５９，同２２４３６２１
及び同２６１０８４２に記載されている。
する輻射線感受性成分Ｂ）は、何れかの非常に多数の化
合物であってよい。これらは、例えば、ジアゾ型の製法
において使用されるジアゾニウム塩、公知のポジ機能性
複写組成物において使用されるｏ−キノンジアジド、又
は照射の際にハロゲン化水素酸を生成するハロゲン化合
物を包含する。この種の化合物は、例えば、ＵＳ−Ａ３
５１５５５２，同３５３６４８９及び同３７７９７７
８、並びにＤＥ−Ａ２７１８２５９，同２２４３６２１
及び同２６１０８４２に記載されている。
【００３２】本新規組成物の適する輻射線感受性成分
Ｂ）は、特に、ヨードニウム塩及びスルホニウム塩から
なる群からのカチオン性光開始剤である。このような化
合物は、例えば、“紫外線硬化，科学及び技術(UV-Curi
ng,Science and Technology)”〔編者：エス．ピー．パ
ッパス(S. P. Pappas)，テクノロジー マーケッティン
グ コーポレーション(Technology Marketing Corp.)，
６４２ウェストオーバーロード(Westover Road) ，スタ
ンフォード(Stanford)，コネチカット，アメリカ合衆
国〕に記載されている。
Ｂ）は、特に、ヨードニウム塩及びスルホニウム塩から
なる群からのカチオン性光開始剤である。このような化
合物は、例えば、“紫外線硬化，科学及び技術(UV-Curi
ng,Science and Technology)”〔編者：エス．ピー．パ
ッパス(S. P. Pappas)，テクノロジー マーケッティン
グ コーポレーション(Technology Marketing Corp.)，
６４２ウェストオーバーロード(Westover Road) ，スタ
ンフォード(Stanford)，コネチカット，アメリカ合衆
国〕に記載されている。
【００３３】輻射線感受性化合物としてスルホキソニウ
ム塩を使用することも可能である。これらの塩は、例え
ば、ＥＰ−Ｂ３５９６９並びにＥＰ−Ａ４４２７４及び
同５４５０９に記載されている。深紫外線領域において
吸収する脂肪族スルホキソニウム塩を特記すべきであろ
う。
ム塩を使用することも可能である。これらの塩は、例え
ば、ＥＰ−Ｂ３５９６９並びにＥＰ−Ａ４４２７４及び
同５４５０９に記載されている。深紫外線領域において
吸収する脂肪族スルホキソニウム塩を特記すべきであろ
う。
【００３４】例えば、ＵＳ５１１８５８２，ＵＳ５１８
９４０２に記載された、並びにティー．ウエノ(T. Uen
o) らによってPolym. Eng. Sci.３２，第１５１１頁
（１９９２年）に記載されたスルホン酸エステルを用い
ることもできる。
９４０２に記載された、並びにティー．ウエノ(T. Uen
o) らによってPolym. Eng. Sci.３２，第１５１１頁
（１９９２年）に記載されたスルホン酸エステルを用い
ることもできる。
【００３５】更に適するものは他のスルホン酸エステ
ル、例えば、ＥＰ−Ａ５０２６７７に記載されたＮ−ス
ルホニルオキシイミド、並びに例えば、ＵＳ５１３５８
３８に記載されたニトロベンジルスルホネートである。
使用することができる他のスルホニル化合物は、例え
ば、ＤＥ−Ａ４２２５４２２及びPolym. Eng. Sci.３
２，第１４７６頁（１９９２年）に記載されている。
ル、例えば、ＥＰ−Ａ５０２６７７に記載されたＮ−ス
ルホニルオキシイミド、並びに例えば、ＵＳ５１３５８
３８に記載されたニトロベンジルスルホネートである。
使用することができる他のスルホニル化合物は、例え
ば、ＤＥ−Ａ４２２５４２２及びPolym. Eng. Sci.３
２，第１４７６頁（１９９２年）に記載されている。
【００３６】短波長の紫外線を用いる照射のために特に
好ましいものは、ジスルホン化合物、例えばフェニルク
ミルジスルホン及びフェニル４−アニシルジスルホンで
あり、これらは、例えば、ＤＥ３８０４３１６に記載さ
れている。
好ましいものは、ジスルホン化合物、例えばフェニルク
ミルジスルホン及びフェニル４−アニシルジスルホンで
あり、これらは、例えば、ＤＥ３８０４３１６に記載さ
れている。
【００３７】更に適するものは、特に、ＥＰ−Ａ２４１
４２３及びＥＰ−Ａ５７１３３０に記載されたイミノス
ルホネートである。
４２３及びＥＰ−Ａ５７１３３０に記載されたイミノス
ルホネートである。
【００３８】化学線による照射の際にスルホン酸を放出
する化合物を用いることも可能である。このような化合
物は公知であり且つ、例えば、ＧＢ−Ａ２１２０２６
３，ＥＰ−Ａ８４５１８，同３７１５２及び同５８６３
８、並びにＵＳ−Ａ４２５８１２１及び同４３７１６０
５に記載されている。照射の際にカルボン酸を放出する
化合物も同様に適する。このような化合物は、例えば、
ＥＰ−Ａ５５２５４８に記載されている。
する化合物を用いることも可能である。このような化合
物は公知であり且つ、例えば、ＧＢ−Ａ２１２０２６
３，ＥＰ−Ａ８４５１８，同３７１５２及び同５８６３
８、並びにＵＳ−Ａ４２５８１２１及び同４３７１６０
５に記載されている。照射の際にカルボン酸を放出する
化合物も同様に適する。このような化合物は、例えば、
ＥＰ−Ａ５５２５４８に記載されている。
【００３９】輻射線感受性の酸放出性成分Ｂ）が塩であ
る場合には、これは有機溶剤に可溶性であることが好ま
しい。前記塩は、特に好ましくは、錯体酸例えばテトラ
フルオロ硼酸、ヘキサフルオロ燐酸、トリフルオロメタ
ンスルホン酸、ヘキサフルオロ砒酸又はヘキサフルオロ
アンチモン酸である。
る場合には、これは有機溶剤に可溶性であることが好ま
しい。前記塩は、特に好ましくは、錯体酸例えばテトラ
フルオロ硼酸、ヘキサフルオロ燐酸、トリフルオロメタ
ンスルホン酸、ヘキサフルオロ砒酸又はヘキサフルオロ
アンチモン酸である。
【００４０】成分Ｂ）の物質は、成分Ａ）及びＢ）の全
量に対して、０．１ないし２０重量％、好ましくは０．
１ないし１５重量％、特に０．２ないし１０重量％用い
ると都合が良い。
量に対して、０．１ないし２０重量％、好ましくは０．
１ないし１５重量％、特に０．２ないし１０重量％用い
ると都合が良い。
【００４１】成分Ａ）及びＢ）に加えて、成分Ｃ）とし
て有機溶剤を更に含む組成物も好ましい。
て有機溶剤を更に含む組成物も好ましい。
【００４２】成分Ｃ）のための有機溶剤の選択及びその
濃度は、レジスト製剤組成物の性質及び塗布方法に基本
的に依存する。前記溶剤は不活性でなければならず、そ
れ故、それは成分Ａ）及びＢ）と如何なる化学反応も行
うべきではなく、且つそれは塗布後の乾燥の際に再び除
去可能であるべきである。適する溶剤の例は、ケトン、
エーテル、エステル及び芳香族化合物、並びにその何れ
かの所望の混合物である。その例は、メチルエチルケト
ン、イソブチルメチルケトン、シクロペンタノン、シク
ロヘキサノン、Ｎ−メチルピロリドン、ジオキサン、テ
トラヒドロフラン、２−メトキシエタノール、２−エト
キシエタノール；アセテート、例えばブチルアセテー
ト；１−メトキシ−２−プロパノール、１，２−ジメト
キシエタン、ジエチレングリコールジメチルエーテル、
ブチルグリコール、アルキレングリコールモノアルキル
エーテル、例えばエチルセロソルブ、エチレングリコー
ルモノブチルエーテル及びメチルセロソルブ、アルキレ
ングリコールアルキルエーテルエステル、例えばメトキ
シプロピルアセテート、エチルアセテート、ｎ−ブチル
アセテート、エチル３−エトキシプロピオネート、メト
キシメチルプロピオネート、エチルラクテート、トルエ
ン及びキシレンである。好ましい有機溶剤は、エチルラ
クテート、エトキシエチルプロピオネート、及び特にメ
トキシプロピルアセテートである。
濃度は、レジスト製剤組成物の性質及び塗布方法に基本
的に依存する。前記溶剤は不活性でなければならず、そ
れ故、それは成分Ａ）及びＢ）と如何なる化学反応も行
うべきではなく、且つそれは塗布後の乾燥の際に再び除
去可能であるべきである。適する溶剤の例は、ケトン、
エーテル、エステル及び芳香族化合物、並びにその何れ
かの所望の混合物である。その例は、メチルエチルケト
ン、イソブチルメチルケトン、シクロペンタノン、シク
ロヘキサノン、Ｎ−メチルピロリドン、ジオキサン、テ
トラヒドロフラン、２−メトキシエタノール、２−エト
キシエタノール；アセテート、例えばブチルアセテー
ト；１−メトキシ−２−プロパノール、１，２−ジメト
キシエタン、ジエチレングリコールジメチルエーテル、
ブチルグリコール、アルキレングリコールモノアルキル
エーテル、例えばエチルセロソルブ、エチレングリコー
ルモノブチルエーテル及びメチルセロソルブ、アルキレ
ングリコールアルキルエーテルエステル、例えばメトキ
シプロピルアセテート、エチルアセテート、ｎ−ブチル
アセテート、エチル３−エトキシプロピオネート、メト
キシメチルプロピオネート、エチルラクテート、トルエ
ン及びキシレンである。好ましい有機溶剤は、エチルラ
クテート、エトキシエチルプロピオネート、及び特にメ
トキシプロピルアセテートである。
【００４３】好ましいものは、同様に、成分Ａ）及び
Ｂ）の全量に対して、成分Ｄ）として慣用の添加剤０．
０１ないし４０重量％を更に含む組成物である。
Ｂ）の全量に対して、成分Ｄ）として慣用の添加剤０．
０１ないし４０重量％を更に含む組成物である。
【００４４】慣用の添加剤は、例えば、下記の物質であ
る。成分Ａ）及びＢ）の全量に対して、約０．１ないし
２重量％の量の顔料又は染料、例えば、ミクロリス ブ
ラウ ４Ｇ(Mikrolith Blau 4G) 、オラソールブラウ
ＧＮ(Orasolblau GN) 及びイルガリスグリューン(Irgal
ithgruen) 。成分Ａ）及びＢ）の全量に対して、約５な
いし１５重量％の量の有機及び無機充填剤、例えば、タ
ルク、石英（ＳｉＯ2 ）、硫酸バリウム（ＢａＳ
Ｏ4 ）、酸化アルミニウム及び炭酸カルシウムであり、
この手段によって、例えば、被膜の性質（例えば、被膜
の熱抵抗、接着又は引掻抵抗）が改善され得る。成分
Ａ）及びＢ）の全量に対して、約０．０１ないし１０重
量％の量の弱塩基添加剤（ペイント添加剤）、例えば、
消泡剤（例えば、Ｂｙｋ８０）、接着促進剤（例えば、
ベンゾトリアゾール）、殺カビ剤及びチキソトロープ剤
又はエチレンオキシド及び／又はプロピレンオキシド単
位を含むヒドロキシ−末端閉鎖ポリグリコールエーテ
ル、例えば、テトロニック(Tetronic)７０１，９０１，
９０８Ｐ及び１５０１（ＢＡＳＦ製品）。成分Ａ），
Ｂ）及びＣ）の全量に対して、通常０．０１ないし１重
量％の濃度の強塩基性添加剤、例えば、芳香族及び脂肪
族アミン、アンモニウム塩並びにＮ−含有複素環化合
物；このような塩基性添加剤の例は、２−メチルイミダ
ゾール、トリイソプロピルアミン、４−ジメチルアミノ
ピリジン及び４，４′−ジアミノジフェニルエーテルで
ある。本組成物の湿潤性を改良し、得られるフィルムの
縞を防止し、照射された領域の現像性を改良するため、
等の界面活性剤。これらの界面活性剤は、非イオン性界
面活性剤、例えばポリオキシエチレンラウリルエーテ
ル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキ
シエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレンオク
チルフェノールエーテル、ポリオキシエチレンノニルフ
ェノールエーテル、ポリエチレングリコールジラウレー
ト、ポリエチレングリコールジステアレート；弗素含有
界面活性剤、例えばF Top EF301 ，EF303 及びEF352
〔新秋田化成株式会社(Shin Akita Kasei K.K.) 製
品〕、メガファック(Megafac) Ｆ１７１及びＦ１７３
〔大日本インク及び化学(Dainippon Ink & Chemicals)
社製品〕、フルオラド(Fluorad) ＦＣ４３０及びＦＣ４
３１〔住友３Ｍ社(Sumitomo 3M Limited) 製品〕、アサ
ヒ ガード(Asahi Guard) ＡＧ７１０、サーフロン(Sur
flon)Ｓ−３８２、サーフロン(Surflon) ＳＣ１０１，
ＳＣ１０２，ＳＣ１０３，ＳＣ１０４，ＳＣ１０５及び
ＳＣ１０６〔旭ガラス株式会社(Asahi Glass Co.,Ltd.)
製品〕。例えば、オルガノシロキサンポリマーＫＰ３４
１〔信越化学株式会社(Shin-Etsu Chemical Co.,Ltd.)
製品〕、並びにポリフロー(Polyflow)Ｎｏ．７５及びＮ
ｏ．９５〔キョーエイシャ油脂化学工業株式会社(Kyoei
sha YushikagakuK.K.) 製品〕（これらは、アクリル酸
及びメタクリル酸ポリマーである）も使用される。使用
される界面活性剤の量は、成分Ａ）及びＢ）の全量に対
して、０．０１ないし０．１重量％である。
る。成分Ａ）及びＢ）の全量に対して、約０．１ないし
２重量％の量の顔料又は染料、例えば、ミクロリス ブ
ラウ ４Ｇ(Mikrolith Blau 4G) 、オラソールブラウ
ＧＮ(Orasolblau GN) 及びイルガリスグリューン(Irgal
ithgruen) 。成分Ａ）及びＢ）の全量に対して、約５な
いし１５重量％の量の有機及び無機充填剤、例えば、タ
ルク、石英（ＳｉＯ2 ）、硫酸バリウム（ＢａＳ
Ｏ4 ）、酸化アルミニウム及び炭酸カルシウムであり、
この手段によって、例えば、被膜の性質（例えば、被膜
の熱抵抗、接着又は引掻抵抗）が改善され得る。成分
Ａ）及びＢ）の全量に対して、約０．０１ないし１０重
量％の量の弱塩基添加剤（ペイント添加剤）、例えば、
消泡剤（例えば、Ｂｙｋ８０）、接着促進剤（例えば、
ベンゾトリアゾール）、殺カビ剤及びチキソトロープ剤
又はエチレンオキシド及び／又はプロピレンオキシド単
位を含むヒドロキシ−末端閉鎖ポリグリコールエーテ
ル、例えば、テトロニック(Tetronic)７０１，９０１，
９０８Ｐ及び１５０１（ＢＡＳＦ製品）。成分Ａ），
Ｂ）及びＣ）の全量に対して、通常０．０１ないし１重
量％の濃度の強塩基性添加剤、例えば、芳香族及び脂肪
族アミン、アンモニウム塩並びにＮ−含有複素環化合
物；このような塩基性添加剤の例は、２−メチルイミダ
ゾール、トリイソプロピルアミン、４−ジメチルアミノ
ピリジン及び４，４′−ジアミノジフェニルエーテルで
ある。本組成物の湿潤性を改良し、得られるフィルムの
縞を防止し、照射された領域の現像性を改良するため、
等の界面活性剤。これらの界面活性剤は、非イオン性界
面活性剤、例えばポリオキシエチレンラウリルエーテ
ル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキ
シエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレンオク
チルフェノールエーテル、ポリオキシエチレンノニルフ
ェノールエーテル、ポリエチレングリコールジラウレー
ト、ポリエチレングリコールジステアレート；弗素含有
界面活性剤、例えばF Top EF301 ，EF303 及びEF352
〔新秋田化成株式会社(Shin Akita Kasei K.K.) 製
品〕、メガファック(Megafac) Ｆ１７１及びＦ１７３
〔大日本インク及び化学(Dainippon Ink & Chemicals)
社製品〕、フルオラド(Fluorad) ＦＣ４３０及びＦＣ４
３１〔住友３Ｍ社(Sumitomo 3M Limited) 製品〕、アサ
ヒ ガード(Asahi Guard) ＡＧ７１０、サーフロン(Sur
flon)Ｓ−３８２、サーフロン(Surflon) ＳＣ１０１，
ＳＣ１０２，ＳＣ１０３，ＳＣ１０４，ＳＣ１０５及び
ＳＣ１０６〔旭ガラス株式会社(Asahi Glass Co.,Ltd.)
製品〕。例えば、オルガノシロキサンポリマーＫＰ３４
１〔信越化学株式会社(Shin-Etsu Chemical Co.,Ltd.)
製品〕、並びにポリフロー(Polyflow)Ｎｏ．７５及びＮ
ｏ．９５〔キョーエイシャ油脂化学工業株式会社(Kyoei
sha YushikagakuK.K.) 製品〕（これらは、アクリル酸
及びメタクリル酸ポリマーである）も使用される。使用
される界面活性剤の量は、成分Ａ）及びＢ）の全量に対
して、０．０１ないし０．１重量％である。
【００４５】成分Ｄ）は、脂肪族又は芳香族アミンであ
ることが好ましい。
ることが好ましい。
【００４６】本新規レジスト製剤は、例えば、成分
Ａ），Ｂ）及び、所望により、成分Ｃ），Ｄ）を、室温
で攪拌しながら混合して、均質な溶液を得ることによっ
て製造される。
Ａ），Ｂ）及び、所望により、成分Ｃ），Ｄ）を、室温
で攪拌しながら混合して、均質な溶液を得ることによっ
て製造される。
【００４７】本レジスト製剤は、公知の塗布方法、例え
ば、浸漬、ナイフコーティング、ブラッシング、噴霧、
特に静電吹付及びリバースロールコーティング、並びに
特に、スピンコーティングによって室温で基材に均一に
塗布される。
ば、浸漬、ナイフコーティング、ブラッシング、噴霧、
特に静電吹付及びリバースロールコーティング、並びに
特に、スピンコーティングによって室温で基材に均一に
塗布される。
【００４８】塗布速度（層厚）及び基材の種類（層支持
体）は、所望の塗布領域に依存する。層厚範囲は通常、
０．１ないし１０μｍ超、好ましくは０．２ないし２．
０μｍの値を含む。
体）は、所望の塗布領域に依存する。層厚範囲は通常、
０．１ないし１０μｍ超、好ましくは０．２ないし２．
０μｍの値を含む。
【００４９】ミクロ電子工学においては、基材は、例え
ば、表面酸化されたシリコンウェファーである。
ば、表面酸化されたシリコンウェファーである。
【００５０】塗布後、溶媒は通常、例えば７０ないし１
３０℃の温度で乾燥することによって除去される。
３０℃の温度で乾燥することによって除去される。
【００５１】レジストフィルムはホトレジストであり、
これは、乾燥後、高い光感受性及び基材に対する非常に
良好な接着性を有する。更に、前記ホトレジストは、深
紫外領域（特に２５０ｎｍ）においてさえも高い透明性
及び感受性を有し、且つ良好な熱安定性を有する。
これは、乾燥後、高い光感受性及び基材に対する非常に
良好な接着性を有する。更に、前記ホトレジストは、深
紫外領域（特に２５０ｎｍ）においてさえも高い透明性
及び感受性を有し、且つ良好な熱安定性を有する。
【００５２】レリーフ構造を製造するために、本新規組
成物が塗布された基材は画像化暴露される。“画像化”
暴露は、予め決定されたパターン（例えば、透明である
こと）を含むホトマスクを介する暴露、並びに、例えば
コンピューター制御下で塗布基材の表面を走査するレー
ザービームを用いる暴露の両方を含み、そして、このよ
うにして、画像、コンピューター制御された電子ビーム
を用いる照射、及び相当するホトマスクを介するＸ線又
は紫外線照射における暴露が起こる。
成物が塗布された基材は画像化暴露される。“画像化”
暴露は、予め決定されたパターン（例えば、透明である
こと）を含むホトマスクを介する暴露、並びに、例えば
コンピューター制御下で塗布基材の表面を走査するレー
ザービームを用いる暴露の両方を含み、そして、このよ
うにして、画像、コンピューター制御された電子ビーム
を用いる照射、及び相当するホトマスクを介するＸ線又
は紫外線照射における暴露が起こる。
【００５３】通常、暴露は、好ましくは約１９０ないし
１０００ｎｍ、特に１９０ないし３００ｎｍ、及びとり
わけ２５０ｎｍにおける紫外線及び／又は可視光線照射
を使用して行われる。前記照射は、全ての公知の輻射
源、例えば高圧水銀ランプ又は紫外線／可視線レーザー
並びに特にエキシマーレーザー（波長２４８ｎｍを有す
るＫｒＦエキシマーレーザー）を使用して行われる。前
記輻射源は、Ｘ線（例えば、シンクロトロン放射線）又
は荷電粒子ビーム（例えば、電子ビーム）等であっても
よい。プロセスパラメーター、例えば、輻射時間及び輻
射源と輻射線感受性層との分離は、通常、輻射線感受性
組成物の性質及び塗布層の所望の性能に依存し、そして
二三の日常経験を使用して当業者によって決定されてよ
い。
１０００ｎｍ、特に１９０ないし３００ｎｍ、及びとり
わけ２５０ｎｍにおける紫外線及び／又は可視光線照射
を使用して行われる。前記照射は、全ての公知の輻射
源、例えば高圧水銀ランプ又は紫外線／可視線レーザー
並びに特にエキシマーレーザー（波長２４８ｎｍを有す
るＫｒＦエキシマーレーザー）を使用して行われる。前
記輻射源は、Ｘ線（例えば、シンクロトロン放射線）又
は荷電粒子ビーム（例えば、電子ビーム）等であっても
よい。プロセスパラメーター、例えば、輻射時間及び輻
射源と輻射線感受性層との分離は、通常、輻射線感受性
組成物の性質及び塗布層の所望の性能に依存し、そして
二三の日常経験を使用して当業者によって決定されてよ
い。
【００５４】画像化暴露後に、ウェファーを、所望によ
り、二三秒ないし二三分の間５０ないし１５０℃に加熱
する（後暴露ベーク）。
り、二三秒ないし二三分の間５０ないし１５０℃に加熱
する（後暴露ベーク）。
【００５５】ホトレジストの暴露領域が、次いで、現像
液に溶解することによって除去される。特定の現像液の
選択は、ホトレジストの種類、特に使用されるバインダ
ー又は生成する光分解生成物の性質に依存する。前記現
像液は、塩基の水溶液を含んでもよく、これに、所望に
より、湿潤剤及び有機溶剤又はその混合物を添加しても
よい。
液に溶解することによって除去される。特定の現像液の
選択は、ホトレジストの種類、特に使用されるバインダ
ー又は生成する光分解生成物の性質に依存する。前記現
像液は、塩基の水溶液を含んでもよく、これに、所望に
より、湿潤剤及び有機溶剤又はその混合物を添加しても
よい。
【００５６】本新規組成物は、好ましくはポジのホトレ
ジストとして使用される。それ故、本発明は更に、下記
の工程処置： Ｉ.) 成分Ａ）及びＢ）の全量に対して、 Ａ） 本新規ポリマー８０ないし９９．９重量％、及び Ｂ） 化学線への暴露の際に酸を生成する物質０．１な
いし２０重量％ からなる輻射線感受性組成物を基材に塗布し、 II.) 塗布された基材を、予め決定されたパターンで、
化学線に暴露し、 III.) ポジ機能性ホトレジスト用の現像液を用いて暴
露された基材を現像することからなるポジ画像の形成方
法に関するものである。
ジストとして使用される。それ故、本発明は更に、下記
の工程処置： Ｉ.) 成分Ａ）及びＢ）の全量に対して、 Ａ） 本新規ポリマー８０ないし９９．９重量％、及び Ｂ） 化学線への暴露の際に酸を生成する物質０．１な
いし２０重量％ からなる輻射線感受性組成物を基材に塗布し、 II.) 塗布された基材を、予め決定されたパターンで、
化学線に暴露し、 III.) ポジ機能性ホトレジスト用の現像液を用いて暴
露された基材を現像することからなるポジ画像の形成方
法に関するものである。
【００５７】特に好ましい現像液は、ｏ−キノンジアジ
ド／ノボラックレジスト被膜の現像のためにも用いられ
るようなアルカリ水溶液である。これらは、例えば、ア
ルカリ金属シリケート，ホスフェート，ヒドロキシド及
びカーボネートの水溶液を包含するが、しかし特に、テ
トラアルキルアンモニウムヒドロキシド溶液、例えば、
テトラメチルアンモニウムヒドロキシド溶液が好まし
い。所望により、湿潤剤及び／又は有機溶剤の最小量が
これらの溶液に添加されてもよい。現像液に添加し得る
代表的な有機溶剤は、例えば、シクロヘキサノン、２−
エトキシエタノール、アセトン、イソプロパノール、エ
タノール、及びこれらの溶媒の２種又はそれより多くの
混合物である。
ド／ノボラックレジスト被膜の現像のためにも用いられ
るようなアルカリ水溶液である。これらは、例えば、ア
ルカリ金属シリケート，ホスフェート，ヒドロキシド及
びカーボネートの水溶液を包含するが、しかし特に、テ
トラアルキルアンモニウムヒドロキシド溶液、例えば、
テトラメチルアンモニウムヒドロキシド溶液が好まし
い。所望により、湿潤剤及び／又は有機溶剤の最小量が
これらの溶液に添加されてもよい。現像液に添加し得る
代表的な有機溶剤は、例えば、シクロヘキサノン、２−
エトキシエタノール、アセトン、イソプロパノール、エ
タノール、及びこれらの溶媒の２種又はそれより多くの
混合物である。
【００５８】前記現像液は、好ましくは、画像化暴露さ
れた被覆基材を現像液に浸漬することにより、現像液を
噴霧することにより、又は画像化暴露された被覆基材に
現像液を繰り返し塗布し次いでスピニングにより現像液
を除去することにより、使用される。
れた被覆基材を現像液に浸漬することにより、現像液を
噴霧することにより、又は画像化暴露された被覆基材に
現像液を繰り返し塗布し次いでスピニングにより現像液
を除去することにより、使用される。
【００５９】本発明は更に、印刷板，印刷回路又は集積
回路を製造するためのポジのホトレジストとしての本新
規組成物の用途にも関するものである。
回路を製造するためのポジのホトレジストとしての本新
規組成物の用途にも関するものである。
【００６０】本発明は同様に、本新規組成物を使用して
製造された印刷板，印刷回路又は集積回路に関するもの
である。
製造された印刷板，印刷回路又は集積回路に関するもの
である。
【００６１】
【実施例及び発明の効果】下記実施例により、本発明を
説明する；下記実施例は説明のためのものであり、限定
を意味するものではない。
説明する；下記実施例は説明のためのものであり、限定
を意味するものではない。
【００６２】合成例１：保護基含有率６３％及びヒドロ
キシル基含有率３７％を有するポリ［４−（１−メトキ
シ−１−メチルエトキシ）スチレン／４−（１−メトキ
シ−１−メチルエトキシ）ビニルシクロヘキサン／４−
ヒドロキシスチレン／４−ビニルシクロヘキサノール］
の製造 ２−メトキシプロピレン２４．０ｇを、１，４−ジオキ
サン１４０ｍｌ中の部分的に水素化されたポリ−４−ヒ
ドロキシスチレン〔商標名：マルカ リンカー(Maruka
Lyncur) ＰＨＭ−Ｃ〕２０．０ｇ，トルエン−４−スル
ホン酸の触媒量及びピリジン二三滴からなる溶液に１０
℃でゆっくり滴下する。反応混合物を、続いて室温で２
４時間攪拌する。次いで、反応混合物をイソプロパノー
ル／水混合物中に投入することにより、ポリマーを沈澱
させる。ポリマーを濾別し、イソプロパノール／水混合
物を用いて洗浄し、続いて減圧下で一定重量まで乾燥す
ると、下記の性質を有する無色粉末２４．０ｇを得る。 ・熱重量分析ＴＧＡ（１０℃／分）： 差Δ（２５０℃以下の領域内）： Δ＝２７．３重量％⇒Ｑ＝０．６３ これは、保護基含有率６３％及びヒドロキシル基含有率
３７％を有するポリマーに相当する。 ・ＧＰＣ（ポリスチレン キャリブレーション）：Ｍw
＝８２８０；ＰＤ（多分散性）＝２．６２
キシル基含有率３７％を有するポリ［４−（１−メトキ
シ−１−メチルエトキシ）スチレン／４−（１−メトキ
シ−１−メチルエトキシ）ビニルシクロヘキサン／４−
ヒドロキシスチレン／４−ビニルシクロヘキサノール］
の製造 ２−メトキシプロピレン２４．０ｇを、１，４−ジオキ
サン１４０ｍｌ中の部分的に水素化されたポリ−４−ヒ
ドロキシスチレン〔商標名：マルカ リンカー(Maruka
Lyncur) ＰＨＭ−Ｃ〕２０．０ｇ，トルエン−４−スル
ホン酸の触媒量及びピリジン二三滴からなる溶液に１０
℃でゆっくり滴下する。反応混合物を、続いて室温で２
４時間攪拌する。次いで、反応混合物をイソプロパノー
ル／水混合物中に投入することにより、ポリマーを沈澱
させる。ポリマーを濾別し、イソプロパノール／水混合
物を用いて洗浄し、続いて減圧下で一定重量まで乾燥す
ると、下記の性質を有する無色粉末２４．０ｇを得る。 ・熱重量分析ＴＧＡ（１０℃／分）： 差Δ（２５０℃以下の領域内）： Δ＝２７．３重量％⇒Ｑ＝０．６３ これは、保護基含有率６３％及びヒドロキシル基含有率
３７％を有するポリマーに相当する。 ・ＧＰＣ（ポリスチレン キャリブレーション）：Ｍw
＝８２８０；ＰＤ（多分散性）＝２．６２
【００６３】合成例２：保護基含有率６９％及びヒドロ
キシル基含有率３１％を有するポリ［４−（１−メトキ
シ−１−メチルエトキシ）スチレン／４−（１−メトキ
シ−１−メチルエトキシ）ビニルシクロヘキサン／４−
ヒドロキシスチレン／４−ビニルシクロヘキサノール］
の製造 ２−メトキシプロピレン２９．５ｇを、１，４−ジオキ
サン１４０ｍｌ中の部分的に水素化されたポリ−４−ヒ
ドロキシスチレン〔商標名：マルカ リンカー(Maruka
Lyncur) ＰＨＭ−Ｃ〕２０．０ｇ，トルエン−４−スル
ホン酸の触媒量及びピリジン二三滴からなる溶液に１０
℃でゆっくり滴下する。反応混合物を、続いて室温で２
４時間攪拌する。次いで、反応混合物をイソプロパノー
ル／水混合物中に投入することにより、ポリマーを沈澱
させる。ポリマーを濾別し、イソプロパノール／水混合
物を用いて洗浄し、続いて減圧下で一定重量まで乾燥す
ると、下記の性質を有する無色粉末２５．０ｇを得る。 ・ＴＧＡ（１０℃／分）： 差Δ（２５０℃以下の領域内）： Δ＝２９．３重量％⇒Ｑ＝０．６９ これは、保護基含有率６９％及びヒドロキシル基含有率
３１％を有するポリマーに相当する。 ・ＧＰＣ（ポリスチレン キャリブレーション）：Ｍw
＝７０２０；ＰＤ（多分散性）＝２．３６
キシル基含有率３１％を有するポリ［４−（１−メトキ
シ−１−メチルエトキシ）スチレン／４−（１−メトキ
シ−１−メチルエトキシ）ビニルシクロヘキサン／４−
ヒドロキシスチレン／４−ビニルシクロヘキサノール］
の製造 ２−メトキシプロピレン２９．５ｇを、１，４−ジオキ
サン１４０ｍｌ中の部分的に水素化されたポリ−４−ヒ
ドロキシスチレン〔商標名：マルカ リンカー(Maruka
Lyncur) ＰＨＭ−Ｃ〕２０．０ｇ，トルエン−４−スル
ホン酸の触媒量及びピリジン二三滴からなる溶液に１０
℃でゆっくり滴下する。反応混合物を、続いて室温で２
４時間攪拌する。次いで、反応混合物をイソプロパノー
ル／水混合物中に投入することにより、ポリマーを沈澱
させる。ポリマーを濾別し、イソプロパノール／水混合
物を用いて洗浄し、続いて減圧下で一定重量まで乾燥す
ると、下記の性質を有する無色粉末２５．０ｇを得る。 ・ＴＧＡ（１０℃／分）： 差Δ（２５０℃以下の領域内）： Δ＝２９．３重量％⇒Ｑ＝０．６９ これは、保護基含有率６９％及びヒドロキシル基含有率
３１％を有するポリマーに相当する。 ・ＧＰＣ（ポリスチレン キャリブレーション）：Ｍw
＝７０２０；ＰＤ（多分散性）＝２．３６
【００６４】合成例３：保護基含有率７３％及びヒドロ
キシル基含有率２７％を有するポリ［４−（１−メトキ
シ−１−メチルエトキシ）スチレン／４−（１−メトキ
シ−１−メチルエトキシ）ビニルシクロヘキサン／４−
ヒドロキシスチレン／４−ビニルシクロヘキサノール］
の製造 ２−メトキシプロピレン３５．０ｇを、１，４−ジオキ
サン１４０ｍｌ中の部分的に水素化されたポリ−４−ヒ
ドロキシスチレン〔商標名：マルカ リンカー(Maruka
Lyncur) ＰＨＭ−Ｃ〕２０．０ｇ，トルエン−４−スル
ホン酸の触媒量及びピリジン二三滴からなる溶液に１０
℃でゆっくり滴下する。反応混合物を、続いて室温で２
４時間攪拌する。次いで、反応混合物をイソプロパノー
ル／水混合物中に投入することにより、ポリマーを沈澱
させる。ポリマーを濾別し、イソプロパノール／水混合
物を用いて洗浄し、続いて減圧下で一定重量まで乾燥す
ると、下記の性質を有する無色粉末２５．０ｇを得る。 ・ＴＧＡ（１０℃／分）： 差Δ（２５０℃以下の領域内）： Δ＝３０．４重量％⇒Ｑ＝０．７３ これは、保護基含有率７３％及びヒドロキシル基含有率
２７％を有するポリマーに相当する。
キシル基含有率２７％を有するポリ［４−（１−メトキ
シ−１−メチルエトキシ）スチレン／４−（１−メトキ
シ−１−メチルエトキシ）ビニルシクロヘキサン／４−
ヒドロキシスチレン／４−ビニルシクロヘキサノール］
の製造 ２−メトキシプロピレン３５．０ｇを、１，４−ジオキ
サン１４０ｍｌ中の部分的に水素化されたポリ−４−ヒ
ドロキシスチレン〔商標名：マルカ リンカー(Maruka
Lyncur) ＰＨＭ−Ｃ〕２０．０ｇ，トルエン−４−スル
ホン酸の触媒量及びピリジン二三滴からなる溶液に１０
℃でゆっくり滴下する。反応混合物を、続いて室温で２
４時間攪拌する。次いで、反応混合物をイソプロパノー
ル／水混合物中に投入することにより、ポリマーを沈澱
させる。ポリマーを濾別し、イソプロパノール／水混合
物を用いて洗浄し、続いて減圧下で一定重量まで乾燥す
ると、下記の性質を有する無色粉末２５．０ｇを得る。 ・ＴＧＡ（１０℃／分）： 差Δ（２５０℃以下の領域内）： Δ＝３０．４重量％⇒Ｑ＝０．７３ これは、保護基含有率７３％及びヒドロキシル基含有率
２７％を有するポリマーに相当する。
【００６５】使用例１：合成例１で製造されたポリマー
９７．０部（保護基含有率６３％）を、フェニル４−ア
ニシルジスルホン３部と一緒に、全固体含有率２５％を
有する１−メトキシ−２−プロピルアセテートに溶解す
る（ホトレジスト溶液１）。溶液を続いて、細孔直径
０．２μｍを有するフィルターを通して濾過する。この
ホトレジスト溶液を、ホットプレート上で１２０℃で６
０秒乾燥後に厚さ０．８３μｍのフィルムが得られるよ
うに、シリコンウェファー上にスピンコートする。５ｍ
Ｊ／ｃｍステップでＫｒＦエキシマレーザー線（２４８
ｎｍ）を用いる保護照射ユニットを使用して照射を行
う。次いでウェファーの乾燥を、１２０℃で６０秒ホッ
トプレート上で行い、次いでウェファーを、市販の０．
２６２Ｎ水酸化テトラメチルアンモニウム溶液中で６０
秒間現像する。６５ｍＪ／ｃｍの照射線量で、垂直な断
面形を有する正確に再生されたポジのサブ−セミミクロ
ン構造が得られる。
９７．０部（保護基含有率６３％）を、フェニル４−ア
ニシルジスルホン３部と一緒に、全固体含有率２５％を
有する１−メトキシ−２−プロピルアセテートに溶解す
る（ホトレジスト溶液１）。溶液を続いて、細孔直径
０．２μｍを有するフィルターを通して濾過する。この
ホトレジスト溶液を、ホットプレート上で１２０℃で６
０秒乾燥後に厚さ０．８３μｍのフィルムが得られるよ
うに、シリコンウェファー上にスピンコートする。５ｍ
Ｊ／ｃｍステップでＫｒＦエキシマレーザー線（２４８
ｎｍ）を用いる保護照射ユニットを使用して照射を行
う。次いでウェファーの乾燥を、１２０℃で６０秒ホッ
トプレート上で行い、次いでウェファーを、市販の０．
２６２Ｎ水酸化テトラメチルアンモニウム溶液中で６０
秒間現像する。６５ｍＪ／ｃｍの照射線量で、垂直な断
面形を有する正確に再生されたポジのサブ−セミミクロ
ン構造が得られる。
【００６６】使用例２：保護基含有率６３％を有する合
成例１で製造されたポリマー９８．０部を、トリフェニ
ルスルホニウムトリフレート２部と一緒に、全固体含有
率２５％を有する１−メトキシ−２−プロピルアセテー
トに溶解し（ホトレジスト溶液２）、次いで溶液を使用
例１と同様に使用する。同様の工程条件下で、２０ｍＪ
／ｃｍの照射線量は、垂直な断面形を有するサブ−セミ
ミクロン構造を解像する。
成例１で製造されたポリマー９８．０部を、トリフェニ
ルスルホニウムトリフレート２部と一緒に、全固体含有
率２５％を有する１−メトキシ−２−プロピルアセテー
トに溶解し（ホトレジスト溶液２）、次いで溶液を使用
例１と同様に使用する。同様の工程条件下で、２０ｍＪ
／ｃｍの照射線量は、垂直な断面形を有するサブ−セミ
ミクロン構造を解像する。
【００６７】使用例３：暴露と続く乾燥工程との間に操
作手順を１時間中断すること（１時間後暴露遅れ）以外
は同一条件下で、使用例１及び２と同様にして、ホトレ
ジスト溶液１及び２を使用した。現像された断面形は使
用例１及び２に記載した如く垂直であり、且つＴ字型の
変化を全く示さない（キャッピングなし）。
作手順を１時間中断すること（１時間後暴露遅れ）以外
は同一条件下で、使用例１及び２と同様にして、ホトレ
ジスト溶液１及び２を使用した。現像された断面形は使
用例１及び２に記載した如く垂直であり、且つＴ字型の
変化を全く示さない（キャッピングなし）。
フロントページの続き (72)発明者 パルカル アルフレート ファルシグノ スイス国，4052 バーゼル，ファルンスブ ルガーシュトラーセ ７ (72)発明者 ノルベルト ミュンツェル ドイツ連邦共和国，79423 ハイテルシャ イム，イム クラウゼンフェルト ３ (72)発明者 ハンス−トーマス シャッハト ドイツ連邦共和国，79618 ラインフェル デン，シラーシュトラーセ 35
Claims (12)
- 【請求項１】 ポリマー鎖中に、次式ＩないしIV： 【化１】 〔式中、 Ｒ1 及びＲ2 は、互いに独立して、各々直鎖状又は分岐
鎖状の炭素原子数１ないし６のアルキル基、非置換又は
メチル置換された炭素原子数３ないし６のシクロアルキ
ル基、或いは非置換又は１個若しくはそれより多くのハ
ロゲン原子又は１個若しくはそれより多くの炭素原子数
１ないし４のアルコキシ基，シアノ基若しくはニトロ基
により置換されたフェニル基又はナフチル基を表わし、 Ｒ3 ，Ｒ4 ，Ｒ5 及びＲ6 は、互いに独立して、水素原
子又はメチル基を表わし、 Ｒ7 ，Ｒ8 ，Ｒ9 及びＲ10は、互いに独立して、水素原
子、炭素原子数１ないし６のアルキル基、炭素原子数１
ないし６のアルコキシ基又はハロゲン原子を表わし、 ｗ，ｘ，ｙ及びｚは１よりも大きい又は１に等しい数を
表わし、 そして、この場合、保護基を含む構造単位の総数を存在
する全ての構造単位の総数で割ることにより得られる以
下の商Ｑ： 【数１】 は０．５よりも大きく且つ最大で０．９である〕で表わ
される反復構造単位を含む、ゲル透過クロマトグラフィ
ーによって測定された５．５×１０3 ないし５．５×１
０5 の分子量（Ｍw ）を有するポリマー。 - 【請求項２】 商Ｑが０．５よりも大きく且つ最大で
０．８である請求項１記載のポリマー。 - 【請求項３】 ポリマー鎖中に、次式ＶないしVIII： 【化２】 〔式中、Ｒ1 ないしＲ10，ｗ，ｘ，ｙ及びｚは請求項１
において定義されたものと同じ意味を表わす〕で表わさ
れる反復構造単位を含む請求項１記載のポリマー。 - 【請求項４】 Ｒ1 及びＲ2 が、互いに独立して、各々
直鎖状又は分岐鎖状の炭素原子数１ないし６のアルキル
基、或いは非置換の炭素原子数３ないし６のシクロアル
キル基又はフェニル基を表わし、そしてＲ3 ないしＲ6
及びＲ7 ないしＲ10が水素原子を表わす請求項１記載の
ポリマー。 - 【請求項５】 Ｒ1 及びＲ2 が、互いに独立して、各々
メチル基，シクロプロピル基，シクロヘキシル基又はフ
ェニル基を表わす請求項４記載のポリマー。 - 【請求項６】 商Ｑが０．５よりも大きく且つ最大で
０．７であり、そしてＲ1 及びＲ2 が、互いに独立し
て、各々直鎖状又は分岐鎖状の炭素原子数１ないし６の
アルキル基、或いは非置換の炭素原子数３ないし６のシ
クロアルキル基又はフェニル基を表わす請求項１記載の
ポリマー。 - 【請求項７】 成分Ａ）及びＢ）の全量に対して、 Ａ） 請求項１記載のポリマー８０ないし９９．９重量
％、及び Ｂ） 化学線への暴露の際に酸を生成する物質０．１な
いし２０重量％からなる輻射線感受性組成物。 - 【請求項８】 成分Ａ）及びＢ）の全量に対して、 Ａ） 請求項１記載のポリマー９０ないし９９．８重量
％、及び Ｂ） 化学線への暴露の際に酸を生成する物質０．２な
いし１０重量％からなる請求項７記載の輻射線感受性組
成物。 - 【請求項９】 成分Ａ）及びＢ）に加えて、成分Ｃ）と
して有機溶剤を更に含む請求項７記載の輻射線感受性組
成物。 - 【請求項１０】 成分Ａ）及びＢ）の全量に対して、成
分Ｄ）として慣用の添加剤０．０１ないし４０重量％を
更に含む請求項７記載の輻射線感受性組成物。 - 【請求項１１】 Ｉ.) 請求項７記載の輻射線感受性組
成物を基材に塗布し、 II.) 塗布された基材を、予め決定されたパターンで、
化学線に暴露し、 III.) ポジ機能性ホトレジスト用の現像液を用いて暴
露された基材を現像することからなるポジ画像の形成方
法。 - 【請求項１２】 請求項７記載の組成物を使用して製造
された印刷板，印刷回路又は集積回路。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CH3079/94-1 | 1994-10-13 | ||
| CH307994 | 1994-10-13 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08227155A true JPH08227155A (ja) | 1996-09-03 |
Family
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7291710A Pending JPH08227155A (ja) | 1994-10-13 | 1995-10-13 | ポリマー |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JPH08227155A (ja) |
| KR (1) | KR960015087A (ja) |
| DE (1) | DE69513929T2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| JP3808140B2 (ja) * | 1996-09-10 | 2006-08-09 | Ａｚエレクトロニックマテリアルズ株式会社 | 新規酸感応性基で保護されたヒドロキシスチレン重合体およびこれらを含む放射線感応性材料 |
| US6159653A (en) * | 1998-04-14 | 2000-12-12 | Arch Specialty Chemicals, Inc. | Production of acetal derivatized hydroxyl aromatic polymers and their use in radiation sensitive formulations |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4603101A (en) * | 1985-09-27 | 1986-07-29 | General Electric Company | Photoresist compositions containing t-substituted organomethyl vinylaryl ether materials |
| DE3817012A1 (de) * | 1988-05-19 | 1989-11-30 | Basf Ag | Positiv und negativ arbeitende strahlungsempfindliche gemische sowie verfahren zur herstellung von reliefmustern |
| JP3030672B2 (ja) * | 1991-06-18 | 2000-04-10 | 和光純薬工業株式会社 | 新規なレジスト材料及びパタ−ン形成方法 |
| EP0552548B1 (en) * | 1991-12-16 | 1997-03-19 | Wako Pure Chemical Industries Ltd | Resist material |
| EP0588544A3 (en) * | 1992-09-14 | 1994-09-28 | Wako Pure Chem Ind Ltd | Fine pattern forming material and pattern formation process |
-
1995
- 1995-10-04 EP EP95810624A patent/EP0707015B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-10-04 DE DE69513929T patent/DE69513929T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1995-10-13 KR KR1019950025721D patent/KR960015087A/ko unknown
- 1995-10-13 JP JP7291710A patent/JPH08227155A/ja active Pending
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|---|---|
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| DE69513929T2 (de) | 2000-07-20 |
| DE69513929D1 (de) | 2000-01-20 |
| EP0707015A1 (en) | 1996-04-17 |
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