KR20070005027A - Method for manufacturing semiconductor device - Google Patents

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KR20070005027A
KR20070005027A KR1020067026514A KR20067026514A KR20070005027A KR 20070005027 A KR20070005027 A KR 20070005027A KR 1020067026514 A KR1020067026514 A KR 1020067026514A KR 20067026514 A KR20067026514 A KR 20067026514A KR 20070005027 A KR20070005027 A KR 20070005027A
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plating film
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KR1020067026514A
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고우지로 가메야마
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산요덴키가부시키가이샤
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Abstract

It has been desired to form a plurality of combinations of plating films continuously on a single transfer rail and to form a plating film having a high quality and a uniform thickness on the surfaces of a lead frame and leads. Solving Means: The plating apparatus is provided below the single transfer rail with a plurality of plating tanks, in which plating solution baths are disposed. By moving the plating solution between the plating tanks and the plating solution baths, it is possible to select a plating film to be formed on a conductive member (21). As a result, it is possible to form combinations of plating films on the conductive member (21) continuously by the single transfer rail. ® KIPO & WIPO 2007

Description

반도체 장치의 제조 방법{METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE}Method for manufacturing a semiconductor device {METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE}

도 1은 본 발명의 도금 장치에 이용하는 도금 라인을 설명하는 도면.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The figure explaining the plating line used for the plating apparatus of this invention.

도 2는 본 발명의 도금 장치에 이용하는 도금 라인을 설명하는 도면.2 is a diagram illustrating a plating line used in the plating apparatus of the present invention.

도 3은 본 발명의 도금 장치에 이용하는 도금 보조랙을 설명하는 도면.3 is a view for explaining a plating auxiliary rack used in the plating apparatus of the present invention.

도 4는 본 발명의 도금 장치에 이용하는 도금 욕조에서 도금 작업을 행하는 모양을 위에서 본 레이아웃.4 is a layout viewed from above of a state in which a plating operation is performed in a plating bath used in the plating apparatus of the present invention.

도 5는 본 발명의 반도체 장치의 제조 방법을 설명하는 도면.5 is an explanatory diagram illustrating the method of manufacturing the semiconductor device of the present invention.

도 6은 본 발명 및 종래의 도금을 실시하는 반도체 칩이 고착된 리드 프레임을 설명하는 도면.Fig. 6 is a view for explaining a lead frame to which a semiconductor chip which is subjected to the present invention and conventional plating is fixed.

도 7은 본 발명 및 종래의 2층 도금막으로 이루어지는 도 6에 도시한 반도체 리드 프레임의 A-A 방향으로부터 본 단면을 설명하는 도면.FIG. 7 is a view for explaining a cross section viewed from the A-A direction of the semiconductor lead frame shown in FIG. 6 composed of the present invention and a conventional two-layer plating film. FIG.

도 8은 본 발명 및 종래의 자동 도금 장치 전체의 레이아웃을 설명하는 도면.8 is a view for explaining the layout of the present invention and the entire conventional automatic plating apparatus.

도 9는 본 발명 및 종래의 도 7에 도시한 자동 도금 장치 전체의 화학 에칭 욕조의 B-B 방향으로부터 본 단면을 설명하는 도면.FIG. 9 is a view for explaining a cross section seen from the B-B direction of the chemical etching bath in the entirety of the present invention and the conventional automatic plating apparatus shown in FIG. 7. FIG.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for main parts of the drawings>

21 : 도전 부재21: conductive member

22 : 제1 도금막22: first plating film

23 : 제2 도금막23: second plating film

41 : 가로 이송식 푸셔41: horizontal feed pusher

42 : 반송 레일42: conveying rail

43 : 프리디프 욕조43: Freediff Bathtub

44 : 제1 도금 욕조44: first plating bath

45 : 제2 도금 욕조45: second plating bath

46 : 제3 도금 욕조46: third plating bath

47 : 수세용 욕조47: washing tub

49 : 제1 도금액 수납 욕조49: first plating liquid storage bath

50 : 제2 도금액 수납 욕조50: the second plating liquid storage bath

본 발명은, Cu 또는 Fe-Ni 합금을 주재료로 하는 리드 및 리드 프레임에 도금막 층을 형성하는 도금 장치, 도금 방법 및 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plating apparatus, a plating method, and a manufacturing method of a semiconductor device, in which a plating film layer is formed on a lead and a lead frame mainly composed of Cu or Fe—Ni alloy.

도전 부재(리드, 리드 프레임 등)의 표면에, Sn 단체 또는 Sn 합금의 도금층이 피복되면, 이 도전 부재는, 우수한 도전성과 기계적 강도를 갖는다. 또한, 그 도전 부재는, Sn 단체 또는 Sn 합금이 구비되어 있는 내식성과 양호한 땜납 부착성 도 갖는다. 그 때문에, 상기 도전 부재는, 각종의 단자, 커넥터, 리드와 같은 전기·전자 기기 분야나 전력 케이블의 분야 등에서 다용된다.When the plating layer of Sn single substance or Sn alloy is coat | covered on the surface of a conductive member (lead, lead frame, etc.), this conductive member has the outstanding electroconductivity and mechanical strength. Moreover, the electrically-conductive member also has corrosion resistance which is provided with Sn single-piece or Sn alloy, and favorable solder adhesion. Therefore, the said electroconductive member is used abundantly in the field of electrical / electronic devices, such as various terminals, a connector, and a lead, the field of a power cable, etc.

또한, 반도체 칩을 회로 기판에 탑재하는 경우에는, 반도체 칩의 외측 리드부에 도금층을 형성하여, 외측 리드부의 땜납 부착성을 향상시키고 있다. 이러한 도금막의 대표예는 땜납(Sn-Pb 합금)이며, 땜납 부착성, 내식성 등이 양호하기 때문에, 널리 이용되고 있다.In addition, when mounting a semiconductor chip on a circuit board, the plating layer is formed in the outer lead part of a semiconductor chip, and the solder adhesion of an outer lead part is improved. A representative example of such a plated film is solder (Sn-Pb alloy), and is widely used because of good solder adhesion, corrosion resistance, and the like.

도 7은, 도 6에 도시한 반도체 리드 프레임에 있어서의 A-A 단면도이다. 예를 들면, 도전 부재(21)는 Cu, Cu계 합금 또는 Fe-Ni계 합금으로 구성되어 있다. 그리고, 이들의 도전 부재(21)의 표면에는, 서로 다른 재료의 2층의 도금막이 실시되어 있다. 예를 들면, Sn의 제1 도금막(22)과 Sn-Bi의 제2 도금막(23)이 이 순서로 형성되어 있다. 여기서, 제1 도금막(22)의 두께를 t1, 제2 도금막(3)의 두께를 t2로 했을 때, t1은 약 3∼15 ㎛, t2는 약 1∼5 ㎛, t2/t1은 약 0.1∼0.5로 설정된다. 이 조건에서, 비용의 면, 땜납 부착성, 내열성, 땜납의 접합 강도, 알루미늄선 등과의 용접부의 용접 강도성의 점에서도 양호한 특성이 얻어진다.FIG. 7 is an AA cross-sectional view of the semiconductor lead frame shown in FIG. 6. For example, the conductive member 21 is made of Cu, a Cu-based alloy, or a Fe-Ni-based alloy. Then, two plating layers of different materials are applied to the surface of these conductive members 21. For example, the first plating film 22 of Sn and the second plating film 23 of Sn-Bi are formed in this order. Here, when the thickness of the first plating film 22 is t 1 and the thickness of the second plating film 3 is t 2 , t 1 is about 3 to 15 μm, t 2 is about 1 to 5 μm, t 2 / t 1 is set to about 0.1 to 0.5. Under these conditions, good characteristics can be obtained in terms of cost, solder adhesion, heat resistance, bonding strength of the solder, and welding strength of the welded portion with the aluminum wire and the like.

도 8은, 자동 도금 장치 전체의 레이아웃이다. 우선, 알칼리 전해 세정 욕조(1)에 있어서, 도전 부재(21) 표면의 전처리가 행해져서, 땜납 도금 피막의 밀착성이나 땜납 부착성을 저해하는 유기성의 오염 물질이 제거된다. 다음으로, 도전 부재(21)는, 수세용 욕조(2)에서 세정된 후, 화학 에칭 욕조(3)에서, 화학 에칭 처리(기본적으로는 산화-환원 반응을 이용한 처리)가 행해진다.8 is a layout of the entire automatic plating apparatus. First, in the alkali electrolytic cleaning bath 1, pretreatment of the surface of the conductive member 21 is performed to remove organic contaminants that impair adhesion and solder adhesion of the solder plating film. Next, after the electrically-conductive member 21 is wash | cleaned in the water washing tub 2, the chemical etching process (basically the process using an oxidation-reduction reaction) is performed in the chemical etching bath 3.

다음으로, 도전 부재(21)는, 수세용 욕조(4)에서 세정된 후, 산 활성화 욕조(5)에서, 수세용 욕조(4)에서 부착된 산화막이 제거된다. 다음으로, 수세용 욕조(6)에서 세정된 후, 땜납 도금 장치(7)에서, 도금 처리가 실시된다. 땜납 도금액은 강산성이기 때문에, 도금 후의 도금막 표면은 산성으로 되어 있다. 그와 같은 표면에서는 시간의 경과와 함께, 도금막이 변색하여, 땜납 부착성이 열화한다. 그 때문에, 수세용 욕조(8), 중화 처리 욕조(9)에서, 도금막 표면에 잔류하는 산을 중화하여, 흡착되어 있는 유기물을 제거한다. 그 후, 도전 부재(21)는, 수세용 욕조(10), 고온 습식 세정용 욕조(11)에서 세정되고, 건조 장치(12)에서 건조된다.Next, after the conductive member 21 is washed in the washing tub 4, the oxide film attached to the washing tub 4 is removed from the acid activation bath 5. Next, after wash | cleaning in the water washing tub 6, plating process is performed in the solder plating apparatus 7. Since the solder plating solution is strongly acidic, the plating film surface after plating is acidic. On such surfaces, the plated film discolors with time, and the solder adhesion deteriorates. Therefore, in the water washing bath 8 and the neutralization treatment bath 9, the acid remaining on the surface of the plating film is neutralized to remove the adsorbed organic matter. Thereafter, the conductive member 21 is washed in the washing tub 10 and the high temperature wet washing tub 11, and dried in the drying apparatus 12.

도 9는, 도 8에 도시한 화학 에칭 욕조(3)의 B-B 방향에서의 단면도이다.FIG. 9 is a cross-sectional view in the B-B direction of the chemical etching bath 3 shown in FIG. 8.

이 화학 에칭 욕조(3)의 기능은 상기한 바와 같다. 여기서는, 이 도금 장치에서의 구조에 대하여 설명한다. 이 도금 장치에서는, 가로 이송식 푸셔(13)와 반송 레일(14)은, 모두 상하 방향으로 가동할 수 있게 되어 있다. 그리고, 이들의 가동 범위의 상한 위치 및 하한 위치가 결정되어 있고, 그 사이를 반복하여 움직이고 있다. 현수용 훅(15)은, 작업 목적에 따라, 적합한 간격으로 반송 레일(14)에 걸려진다. 통상적으로는, 인접한 욕조의 센터 사이의 거리이다. 그리고, 도금되는 도전 부재(21)를 현수하고 있는 도금 보조랙(16)은, 이 현수용 훅(15)에 걸려지고, 이 도금 장치에 세트된다. 다음으로, 가로 이송식 푸셔(13)에 대하여 진술한다. 가로 이송식 푸셔(13) 사이의 거리는, 기본적으로는, 인접한 욕조의 센터 사이의 거리와 거의 동일하다. 그리고, 이 가로 이송식 푸셔(13)는, 1개의 아암에 설치되어 있고, 작업 방향으로 현수용 훅(15)을 1 스팬 이송하면, 그 만큼 되돌아 가게 되어 있다. 그리고, 이 가로 이송식 푸셔(13)는, 반송 레일(14)이 상한 위치에서, 현수용 훅(15)을 1 스팬 이송시키고, 반송 레일(14)이 하한 위치에서, 그 만큼 가로 이송식 푸셔(13)가 되돌아가게 되어 있다. 또한, 반송 레일(14)은, 상하 방향으로는 움직이지만 진행 방향으로는 움직이지 않는다. 이 작업의 반복에 의해, 이 도금 장치는 기능하고 있다.The function of this chemical etching bath 3 is as described above. Here, the structure in this plating apparatus is demonstrated. In this plating apparatus, both the horizontal transfer type pusher 13 and the conveyance rail 14 are movable in an up-down direction. And the upper limit position and the lower limit position of these movable ranges are determined, and it moves repeatedly between them. The hook 15 for suspension is caught by the conveyance rail 14 at a suitable space | interval according to a work purpose. Typically, this is the distance between the centers of adjacent baths. And the plating auxiliary rack 16 which suspends the electrically-conductive member 21 to be plated is caught by this suspension hook 15, and is set to this plating apparatus. Next, the transverse pusher 13 is described. The distance between the transverse pushers 13 is basically equal to the distance between the centers of adjacent baths. And this horizontal transfer type pusher 13 is provided in one arm, and it returns to that much when the suspension hook 15 is conveyed 1 span in a working direction. And this transverse type | formula pusher 13 conveys the suspension hook 15 by 1 span in the upper limit position of the conveyance rail 14, and the transverse type | formula pusher is carried out by the conveyance rail 14 by that much lower limit position. (13) is supposed to return. In addition, although the conveyance rail 14 moves to an up-down direction, it does not move to an advancing direction. By the repetition of this work, this plating apparatus is functioning.

상기한 이 도금 장치에서는, 도금 전처리 라인을 1개 및 땜납 도금 라인을 1개 갖고 있었다. 예를 들면, 도전 부재(21)의 제1 도금막(22)에 Sn의 도금막, 제2 도금막(23)에 Sn-Bi의 도금막을 형성하는 경우와 도전 부재(21)에 제1 도금막(22)에 Sn의 도금막, 제2 도금막(23)에 Sn-Ag의 도금막을 형성하는 경우가 있다. 이 경우, 제1 도금막은 양쪽 모두 동일한 Sn 도금액을 사용할 수 있지만, 제2 도금막은 사용하는 도금액이 상이하다. 그 때문에, 도전 부재(21)에 전자의 도금막을 형성한 후, 한번 도금 장치를 정지시킨다. 그 후, 후자용의 도금액으로 욕조 내의 도금액을 교체하고 나서, 도전 부재(21)에 후자의 도금막을 형성하고 있었다.In this plating apparatus mentioned above, it had one plating pretreatment line and one solder plating line. For example, when the plating film of Sn is formed in the 1st plating film 22 of the electrically conductive member 21, and the Sn-Bi plating film is formed in the 2nd plating film 23, and the 1st plating is in the electrically conductive member 21, it is. The plating film of Sn may be formed in the film 22 and the plating film of Sn-Ag may be formed in the 2nd plating film 23 in some cases. In this case, although the same plating solution of Sn can be used for both of the first plating films, the plating solutions used are different. Therefore, after the former plating film is formed in the conductive member 21, the plating apparatus is stopped once. Thereafter, after replacing the plating liquid in the bath with the latter plating liquid, the latter plating film was formed on the conductive member 21.

또한, 상기한 도금 장치에서는, 도금 욕조는, 도전 부재(21)에 도금막을 형성하는 도금액과 전류를 공급하기 위한 전극을 수납한다. 여기서, 이 도금 욕조 내에 설치된 전극은, 주로 전기 도금에서는 애노드로서 이용된다. 그리고, 이 도금 욕조에 도전 부재(21)를 침지하고, 도전 부재(21)는 음극이 되고, 도전 부재(21)에 도금막이 형성된다. 이 때, 도전 부재(21)는, 2개의 주 기둥으로 이루어지는 장방형의 도금 보조랙(16)에 설치되고, 도금 작업이 행해졌다. 도전 부재(21)로서는, 예를 들면, 패키지의 크기가 서로 다른 도전 부재(21)나 패키지의 디자인이 서로 다른 도전 부재(21)나 재질이 서로 다른 도전 부재(21) 등이 있다. 그리고, 이들 도전 부재(21)에 두꺼운 도금막을 형성할 때는, 도금액에 강한 전류 밀도를 걸어서 도금 작업을 행하고 있었다. 이와 같이, 주로 전류 밀도에 강약을 줌으로써 여러 가지 두께의 도금막을 형성하고 있었다.In addition, in the above-described plating apparatus, the plating bath houses the plating liquid for forming the plating film on the conductive member 21 and the electrodes for supplying the current. Here, the electrode provided in this plating bath is mainly used as an anode in electroplating. Then, the conductive member 21 is immersed in the plating bath, the conductive member 21 becomes a cathode, and a plating film is formed on the conductive member 21. At this time, the electroconductive member 21 was provided in the rectangular plating auxiliary rack 16 which consists of two main pillars, and plating operation was performed. Examples of the conductive member 21 include conductive members 21 having different sizes of packages, conductive members 21 having different designs of packages, conductive members 21 having different materials, and the like. And when forming a thick plating film in these electrically conductive members 21, plating operation was performed by applying strong electric current density to a plating liquid. In this way, plating films having various thicknesses were formed by mainly giving strength to current density.

그리고, 전기 도금에서는, 도전 부재(21)의 단부일수록 강한 전류 밀도가 걸려, 도금막이 보다 두껍게 형성되는 것이 알려져 있다. 또한, 도금액에 적합한 전류 밀도의 범위의 상한을 최대 전류 밀도라 한다. 이 최대 전류 밀도를 이용함으로써, 도금 시간을 단축할 수 있다. 그러나, 이 최대 전류 밀도를 넘으면, 도금면에 얼룩이 생기고, 또한 그을림이나 분말 석출을 할 수 있게 된다. 그리고, 한계 전류 밀도에 달하게 되면 도금막이 형성되지 않게 되는 것도 알려져 있다.In electroplating, it is known that the stronger the current density is at the end of the conductive member 21, the thicker the plated film is formed. In addition, the upper limit of the range of the current density suitable for a plating liquid is called maximum current density. By using this maximum current density, the plating time can be shortened. However, if the maximum current density is exceeded, staining occurs on the plated surface, so that burning or powder precipitation can be performed. It is also known that the plating film is not formed when the limit current density is reached.

제1 과제를 이하에 진술한다. 상기한 바와 같이, 이 땜납 도금 장치에서는, 도금 전처리 라인을 1개 및 땜납 도금 라인을 1개 갖고 있었다. 그 때문에, 도전 부재(21)에 복수의 조합의 도금막을 형성하는 경우, 도금막의 조합이 바뀔 때, 연속하여 작업을 할 수 없다고 하는 과제가 발생하였다. 다시 말해서, 이 도금 장치로는, 준비된 도금액에 도전 부재(21)를 순차 침지하여, 동일한 조합의 도금막을 연속하여 형성하는 것은 할 수 있었다. 그러나, 도금되는 도전 부재(21)의 사용 용도에 따라, 사용되는 도금액이 상이하기 때문에, 도금액의 교체에 여분의 시간과 수고가 들게 된다고 하는 문제가 있었다.The first subject is stated below. As described above, in this solder plating apparatus, there was one plating pretreatment line and one solder plating line. Therefore, when forming the plating film of a plurality of combinations in the electrically-conductive member 21, when the combination of plating films changes, the subject which cannot work continuously arises. In other words, with this plating apparatus, the conductive member 21 was sequentially immersed in the prepared plating liquid, and the plating films of the same combination could be continuously formed. However, since the plating liquid used differs depending on the use purpose of the electrically-conductive member 21 to be plated, there existed a problem that the replacement of a plating liquid took extra time and trouble.

또한 상기한 것에 덧붙여, 땜납 도금 라인을 관리하는 것에 관해서도, 많은 노동력이 들게 되어 있었다. 예를 들면, 하나의 도금 욕조에서 어느 도금액을 사용한 후에, 상이한 다른 도금액을 사용하는 경우가 있다. 이 때, 도금액 욕조 내로부터 확실하게, 전자의 도금액을 제거하지 않으면 후자의 도금액의 액 구성이 바뀌게 된다. 또한, 사용하는 도금액 구성이 서로 다르면, 그 도금 욕조에서 사용되는 애노드도 서로 달라서 교환해야만 한다. 즉, 도금액 관리 또는 도금 욕조 관리 등 메인터넌스 면에 관해서도 많은 노동력이 들게 된다는 문제가 있었다.Moreover, in addition to the above, managing a solder plating line also requires a lot of labor. For example, after using one plating liquid in one plating bath, a different plating liquid may be used. At this time, the liquid composition of the latter plating liquid is changed unless the former plating liquid is reliably removed from the plating liquid bath. In addition, when the composition of the plating liquids used is different, the anodes used in the plating bath are also different and must be replaced. That is, there has been a problem that a lot of labor is required in terms of maintenance such as plating solution management or plating bath management.

제2 과제를 이하에 진술한다. 상기한 바와 같이, 이 땜납 도금 방법과 그것에 이용하는 도금 장치에 있어서, 도금 욕조에는, 도전 부재(21)에 도금막을 형성하는 도금액과 전류를 공급하기 위한 전극이 수납된다. 그리고, 이 도금 장치를 이용하여, 도전 부재(21)에 도금막이 형성되고 있었다. 그러나, 도전 부재(21)는, 사용 용도에 따라, 그 표면적이나 디자인이 여러 가지이다. 그 때문에, 음극이 되는 도전 부재(21)에 대하여, 그 표면의 어떤 부분에도 반드시 균일한 전류가 통과한다고는 할 수 없다. 달리 말하면, 도전 부재(21)의 각 부분이 애노드로부터 등거리에 있다고 하는 것은 아니다. 그리고, 이 도금 장치에서는, 도전 부재(21)는, 2개의 주 기둥으로 이루어지는 장방형의 도금 보조랙(16)에 설치되어, 도금 처리가 실시되었다. 그 때문에, 도전 부재(21)에 대하여, 도전 부재(21)의 단부일수록 전류 밀도가 집중하여, 도금막이 두껍게 형성되었다. 한편, 도전 부재(21)의 중심부는 단부에 비교하여 얇게 도금막이 형성되었다. 또한, 도전 부재(21)에 도금막을 형성할 때, 전류 밀도가 강한 곳에 도금막이 형성되기 쉽다고 하는 문제가 있었다.The second problem is stated below. As described above, in the solder plating method and the plating apparatus used therein, the plating bath houses a plating liquid for forming a plating film on the conductive member 21 and an electrode for supplying current. And the plating film was formed in the electrically-conductive member 21 using this plating apparatus. However, the conductive member 21 has various surface areas and designs depending on the intended use. Therefore, the uniform current does not necessarily pass to any portion of the surface of the conductive member 21 serving as the cathode. In other words, it is not said that each part of the conductive member 21 is equidistant from the anode. And in this plating apparatus, the electroconductive member 21 was provided in the rectangular plating auxiliary rack 16 which consists of two main pillars, and plating process was performed. Therefore, the current density was concentrated with respect to the electrically conductive member 21 at the edge part of the electrically conductive member 21, and the plating film was formed thick. On the other hand, the plating film was formed in the center part of the electrically-conductive member 21 thinly compared with the edge part. Moreover, when forming a plating film in the electrically-conductive member 21, there existed a problem that a plating film was easy to form in a place where current density is strong.

본 발명은, 상기한 종래의 과제를 감안하여 이루어진 것으로, 본 발명의 도금 장치는, 도금 전처리 라인과 도금 라인을 갖는 도금 장치에서, 상기 도금 라인은, 복수의 도금 욕조를 구비하고, 원하는 상기 도금 욕조에는 도금액 수납 욕조를 설치한 것을 특징으로 한다.This invention is made | formed in view of said conventional subject, The plating apparatus of this invention is a plating apparatus which has a plating pretreatment line and a plating line, The said plating line is equipped with several plating bathtub, The said plating is desired. The bath is characterized in that a plating liquid storage bath is provided.

본 발명의 도금 장치에서는, 적합하게는, 도금 라인에서, 반송 레일의 밑에 복수의 도금 욕조를 갖는다. 그리고, 그 도금 욕조에 대응하여 도금액 수납 욕조를 설치하여 도금액을 양 욕조 사이에 이동시키는 기능을 갖게 한다. 또는 반송 레일의 밑에 복수의 도금 욕조와 각각에 도금액 수납 욕조를 설치하여 도금액을 양 욕조 사이에 이동시키는 기능을 갖게 한다. 그에 따라, 1개의 반송 레일로 도전 부재에 연속하여 복수의 조합의 단층 혹은 2층 이상의 도금막을 형성할 수 있다.In the plating apparatus of this invention, suitably, it has a some plating bath under a conveyance rail in a plating line. In addition, a plating liquid storage bath is provided corresponding to the plating bath so as to have a function of moving the plating liquid between both bathtubs. Alternatively, a plurality of plating baths and plating solution storage baths are provided under each transport rail, so that the plating solution is moved between both baths. Thereby, a single conveyance rail or a plating film of two or more layers can be formed in succession with an electroconductive member with one conveyance rail.

또한, 본 발명은, 상기한 종래의 과제를 감안하여 이루어진 것으로, 본 발명의 도금 방법은, 원하는 도금액을 넣은 도금 욕조 내에 전류를 공급하는 전극과 도금막이 형성될 도전 부재를 배치하고 통전시켜서 도금막을 형성하는 도금 방법에 있어서, 상기 전극으로부터 흐르는 전류 밀도를 상기 도금액의 최적 전류 밀도 범위 내로 설정하고, 상기 도전 부재를 도금 보조랙에 설치하고 나서, 상기 도전 부재에 도금막을 형성하는 것을 특징으로 한다.In addition, the present invention has been made in view of the above-described conventional problems, and the plating method of the present invention comprises placing and energizing an electrode for supplying current and a conductive member on which a plating film is to be formed in a plating bath in which a desired plating solution is placed. In the plating method to be formed, the current density flowing from the electrode is set within an optimum current density range of the plating solution, and the conductive member is placed in a plating auxiliary rack, and then a plating film is formed on the conductive member.

본 발명의 도금 방법은, 바람직하게는, 상기 도전 부재와 상기 도금 보조랙을 일체로 상기 전극과 상이한 또 하나의 전극으로 하여 사용하고, 상기 도금 보조랙을 상기 전극과 상기 도전 부재의 사이에 위치시켜, 도금막 두께 및 도금막 조성 분포를 조정할 수 있다.In the plating method of the present invention, preferably, the conductive member and the plating auxiliary rack are integrally used as another electrode different from the electrode, and the plating auxiliary rack is positioned between the electrode and the conductive member. The plating film thickness and the plating film composition distribution can be adjusted.

또한, 상기한 종래의 과제에 감안하여 이루어진 것으로, 본 발명의 도금 장치는, 도금 욕조 내에 원하는 도금액과 전류를 공급하는 전극과 도금 보조랙에 설치된 도전 부재로 도금막을 형성하는 도금 장치에서, 도전 재질의 부재로 구성되어 있는 상기 도금 보조랙 내에 상기 도전 부재를 설치하여 도금막을 형성하는 것을 특징으로 한다.In addition, in view of the above-mentioned conventional problems, the plating apparatus of the present invention is a conductive material in a plating apparatus in which a plating film is formed by an electrode for supplying a desired plating solution and current in a plating bath and a conductive member provided in the plating auxiliary rack. A plating film is formed by installing the conductive member in the plating auxiliary rack, which is composed of members.

본 발명의 도금 장치에서는, 적합하게는, 도금 보조랙을 4개의 주 기둥으로 이루어지는 직방체로 하고, 상기 도금 보조랙 내에 상기 도전 부재를 설치하여 도금막을 형성한다. 이에 따라, 표면적이나 디자인 등이 서로 다른 여러 가지 상기 도전 부재에 대하여, 상기 도전 부재의 어떤 부분에도 보다 균일한 전류 밀도가 걸리도록 할 수 있다.In the plating apparatus of this invention, suitably, the plating auxiliary rack is made into the rectangular parallelepiped consisting of four main pillars, and the said electroconductive member is provided in the said plating auxiliary rack, and a plating film is formed. As a result, a more uniform current density can be applied to any portion of the conductive member with respect to the various conductive members having different surface areas, designs, and the like.

우선, 제1 실시 형태로서, 도 1, 도 2 및 도 7을 참조하여, 도금 전처리 라인과 도금 라인을 갖는 도금 장치를 설명한다. 도금 라인에는 복수의 패턴의 도금막 층을 형성하기 위한 도금 욕조를 구비하고, 그 도금 욕조에는 각각 도금액 수납 욕조를 설치한 것을 특징으로 한다.First, as 1st Embodiment, the plating apparatus which has a plating pretreatment line and a plating line is demonstrated with reference to FIG. 1, FIG. 2, and FIG. The plating line is provided with a plating bath for forming a plating film layer having a plurality of patterns, and the plating bath is provided with a plating liquid storage bath, respectively.

도 1은, 본 발명인 도금 장치를 실시하기 위한 땜납 도금 라인의 기능을 간략하게 도시한 레이아웃이다. 이 땜납 도금 라인에서는, 프리디프 욕조(43), 제1 도금 욕조(44), 제2 도금 욕조(45), 제3 도금 욕조(46), 수세용 욕조(47)가 반송 레일(42)의 밑에 설치된다. 그리고, 가로 이송식 푸셔(41)에 의해 1 피치씩 이송되고, 이들의 욕조를 이용하여 도전 부재(21)(도 7 참조)에 도금막을 형성한다. 이 기구는, 종래와 마찬가지이다.1 is a layout briefly showing the function of a solder plating line for implementing the plating apparatus of the present invention. In this solder plating line, the pre-dip bath 43, the first plating bath 44, the second plating bath 45, the third plating bath 46, and the water washing tub 47 are formed of the conveyance rail 42. Is installed underneath. Then, the pitches are transferred by the pitch-for-one pusher 41 by one pitch, and a plating film is formed on the conductive member 21 (see FIG. 7) using these baths. This mechanism is similar to the conventional one.

본 발명에서는, 도금 욕조에 대응하여 필요한 만큼 도금액 수납 욕조를 설치하는 형태이다. 예를 들면, 도 1에 도시한 바와 같이, 제1 도금 욕조(44)에는, 도금액 수납 욕조를 설치하지 않는다. 제2 도금 욕조(45)에는, 제1 도금액 수납 욕조(49)를 설치하고, 제3 도금 욕조(46)에는, 제2 도금액 수납 욕조(50)를 설치한다. 이 경우, 작업 스페이스를 효율적으로 활용하기 위해서도, 또한, 도금액 수납 시, 도금액을 단시간에 수납할 수 있도록 도금 욕조의 밑에 도금액 수납 욕조(이하, 도금액 수납 욕조를 수납 욕조라고 함)를 설치했다. 그에 따라, 이 땜납 도금 라인에 있어서, 1개의 반송 레일로, 도전 부재(21)에, 연속하여 복수의 조합의 도금막을 형성할 수 있게 되는 것에 특징을 갖는다.In the present invention, the plating liquid storage bath is provided as necessary to correspond to the plating bath. For example, as shown in FIG. 1, the plating liquid storage bath is not provided in the first plating bath 44. The first plating liquid storage tub 49 is provided in the second plating bath 45, and the second plating liquid storage bathtub 50 is provided in the third plating bath 46. In this case, in order to utilize the work space efficiently, a plating liquid storage bath (hereinafter referred to as a plating liquid storage bath) is provided under the plating bath so that the plating liquid can be stored for a short time when the plating liquid is stored. Therefore, in this solder plating line, it is characterized by being able to form the plating film of a plurality of combinations in the electrically conductive member 21 continuously with one conveyance rail.

도 2는, 본 발명인 도금 장치를 실시하기 위한 땜납 도금 라인의 기능을 간략히 도시한 레이아웃이다. 이 땜납 도금 라인에서는, 프리디프 욕조(53), 제1 도금 욕조(54), 제2 도금 욕조(55), 제3 도금 욕조(56), 수세용 욕조(57)가 반송 라인(52)의 밑에 설치된다. 그리고, 가로 이송식 푸셔(51)에 의해 1 피치씩 반송되고, 이들의 욕조를 이용하여 도전 부재(21)에 도금막을 형성한다.Fig. 2 is a layout briefly showing the function of the solder plating line for implementing the plating apparatus of the present invention. In this solder plating line, the pre-dip bath 53, the first plating bath 54, the second plating bath 55, the third plating bath 56, and the flushing bath 57 are formed of the conveying line 52. Is installed underneath. Then, each pitch is conveyed by the lateral transfer pusher 51, and a plating film is formed on the conductive member 21 using these bathtubs.

그리고, 모든 도금 욕조에 대하여 수납 욕조를 설치하고 있다. 예를 들면, 도 2에서는, 제1 도금 욕조(54)에 제1 수납 욕조(59)를, 제2 도금 욕조(55)에 제2 수납 욕조(60)를, 또한, 제3 도금 욕조(56)에 제3 수납 욕조(61)를, 각각 설치한다. 이 경우에도, 도 1을 이용하여 상술한 바와 같이, 도금 욕조의 밑에 수납 욕조를 설치했다. 그에 따라, 이 땜납 도금 라인에서는, 연속하여 복수의 조합의 도금막을, 사용 용도에 따라 형성하는 것이 가능한 것에 특징을 갖는다.And the storage bathtub is provided with respect to all the plating bathtubs. For example, in FIG. 2, the first storage bath 59 is the first plating bath 54, the second storage bath 60 is the second plating bath 55, and the third plating bath 56 is used. ), The third storage tub 61 is provided, respectively. Also in this case, as mentioned above using FIG. 1, the storage bathtub was installed under the plating bath. Accordingly, this solder plating line is characterized in that it is possible to continuously form a plurality of combination plating films in accordance with the intended use.

제1 형태에 대하여 구체적으로 진술하면, 이 땜납 도금 라인의 반송의 구조는 상기한 도 9와 마찬가지이다. 예를 들면, 이 도 1의 땜납 도금 라인에서는, 제1 도금 욕조(44)에는 Sn의 도금액이 넣어지고, 제2 도금 욕조(45)에는 Sn-Bi의 도금액이 넣어지고, 제3 도금 욕조(46)에는 Sn-Ag의 도금액이 넣어져 있다. 그리고, 이들 도금 욕조는, 도금된 도전 부재(21)의 사용 용도에 따라 필요한 도금 욕조가 선택된다. 한편, 필요하지 않은 도금 욕조에서는, 욕조 내의 도금액은, 수납 욕조로 이동된다. 그러나, 이 형태에서는, Sn의 도금액이 넣어진 제1 도금 욕조(44)에는, 항상, 도금액이 넣어지고, 도전 부재(21)는, 이 Sn의 도금액에 침지된다. 이 결과, 도전 부재(21)에 Sn의 단층의 도금막이 형성되거나, 1층째가 Sn에서 2층째가 Sn-Bi 또는 Sn-Ag의 도금막이 형성된다. 또 리드재의 구조는, 도 7과 동일하기 때문에 부호를 공통으로 했다.Specifically speaking, the structure of conveyance of this solder plating line is the same as that of FIG. 9 mentioned above. For example, in the solder plating line of FIG. 1, a plating solution of Sn is put into the first plating bath 44, a plating solution of Sn-Bi is put into the second plating bath 45, and a third plating bath ( 46) contains a plating solution of Sn-Ag. The plating bath required for these plating baths is selected according to the use of the plated conductive member 21. On the other hand, in the plating bath which is not necessary, the plating liquid in the bath is moved to the storage bath. However, in this embodiment, the plating liquid is always put into the first plating bath 44 in which the plating liquid of Sn is put, and the conductive member 21 is immersed in the plating liquid of Sn. As a result, a single layer Sn film is formed on the conductive member 21, or a first layer Sn is formed from Sn and a second layer Sn-Bi or Sn-Ag is formed. In addition, since the structure of a lead material is the same as that of FIG. 7, the code | symbol was common.

제1로서, 도전 부재(21)에 Sn 단층의 제1 도금막(22)만을 형성하는 케이스에 대하여 진술한다. 여기서는, Sn의 도금액이 넣어진 제1 도금 욕조(44)에는, 항상, Sn의 도금액이 넣어져 있어, 도전 부재(21)에는, Sn의 도금막이 형성된다. 우선, 상기한 도금 전처리 라인에서 처리된 도전 부재(21)는, 프리디프 욕조(43)에서 표면의 수산막의 제거를 하고, 제1 도금 욕조(44)의 Sn의 도금액에 침지한다. 그리고, 그 동안에 제2 도금 욕조(45) 및 제3 도금 욕조(46)에서는, 도전 부재(21)에 도금막을 형성하지 않기 때문에, 욕조 내의 도금액은 제1 수납 욕조(49) 및 제2 도금액 수납 욕조(50)로 이동한다. 제1 도금 욕조(44)에서 Sn의 도금막을 형성한 도전 부재(21)는, 제2 도금 욕조(45), 제3 도금 욕조(46)로 반송된다. 그러나, 이들 의 도금 욕조(45, 46)에는, 도금액이 넣어져 있지 않기 때문에 도금막은 형성되지 않는다. 다음으로, 수세용 욕조(47)에서, 도금막을 형성한 도전 부재(21)의 표면을 세정한다. 이 결과, 도전 부재(21)에 Sn의 단층 도금막이 형성된다.As a first example, a case in which only the first plating film 22 of the Sn single layer is formed on the conductive member 21 is described. Here, the plating liquid of Sn is always put in the 1st plating bath 44 in which the plating liquid of Sn was put, and the plating film of Sn is formed in the electrically-conductive member 21. First, the electrically conductive member 21 processed by the above-mentioned plating pretreatment line removes the hydroxyl film of the surface in the pre-dip bath 43, and is immersed in the plating liquid of Sn of the 1st plating bath 44. As shown in FIG. In the meantime, in the second plating bath 45 and the third plating bath 46, since the plating film is not formed on the conductive member 21, the plating liquid in the bath is accommodated in the first storage bath 49 and the second plating solution. Move to the bath (50). The conductive member 21 in which the Sn plating film was formed in the 1st plating bath 44 is conveyed to the 2nd plating bath 45 and the 3rd plating bath 46. However, since plating liquid is not put in these plating baths 45 and 46, a plating film is not formed. Next, in the washing tub 47, the surface of the conductive member 21 on which the plating film is formed is washed. As a result, a single layer plating film of Sn is formed on the conductive member 21.

제2로서, 도전 부재(21)에 제1 도금막(22)및 제2 도금막(23)을 형성하는 케이스에 대하여 진술한다. 우선, 제1 도금 욕조(44)에는, 항상, Sn의 도금액이 넣어져 있기 때문에, 도전 부재(21)에는 Sn의 제1 도금막(22)이 형성된다. 그리고, 그 도전 부재(21)의 사용 용도에 따라, 제2 도금막(23)을 형성하는 도금 욕조를 선택한다. 여기서, 최초로 Sn-Bi의 제2 도금막(23)을 형성하는 경우에는, 제3 도금 욕조(46)의 Sn-Ag의 도금액을 제2 수납 욕조(50)로 이동시킨다. 그리고, Sn-Ag의 제2 도금막을 형성하는 경우에는, 제2 도금 욕조(45)의 Sn-Bi의 도금액을 제1 수납 욕조(49)로 이동시키고, 제3 도금 욕조(46)로 제2 수납 욕조(50)로부터 Sn-Ag의 도금액을 되돌린다. 이 결과, 도전 부재(21)에는, Sn과 Sn-Bi 또는 Sn과 Sn-Ag의 2층의 도금막이 형성된다.As a 2nd case, the case which forms the 1st plating film 22 and the 2nd plating film 23 in the electrically-conductive member 21 is demonstrated. First, since the plating liquid of Sn is always put in the 1st plating bath 44, the 1st plating film of Sn is formed in the electroconductive member 21. FIG. And the plating bath which forms the 2nd plating film 23 is selected according to the use use of the electrically conductive member 21. FIG. Here, when forming the Sn-Bi 2nd plating film 23 for the first time, the Sn-Ag plating liquid of the 3rd plating bath 46 is moved to the 2nd accommodating bath 50. And when forming the Sn-Ag 2nd plating film, the plating liquid of Sn-Bi of the 2nd plating bath 45 is moved to the 1st accommodating bath 49, and the 2nd plating bath 46 is carried out by the 2nd plating film. The plating liquid of Sn-Ag is returned from the storage bath 50. As a result, the plated film of two layers of Sn and Sn-Bi or Sn and Sn-Ag is formed in the conductive member 21.

여기서, 도 1의 도금 장치에서는, 제1 도금 욕조(44)의 도금액의 금속 재료는 Sn이고, 제2 도금 욕조(45)의 도금액의 금속 재료는 Sn-Bi이며, 제3 도금 욕조(46)의 도금액의 금속 재료는 Sn-Ag이다. 그리고, 이들 금속과 그것을 녹이는 용제를 제외한 용액이 동일한 액 구성이기 때문에, 도전 부재(21)에 연속하여 도금막을 형성할 수 있다. 그러나, 액 구성이 서로 다른 도금액으로 도전 부재(21)에 도금막을 형성하는 경우도 있다. 이 때에는, 도금 욕조 사이에 순수(純水)를 넣은 도금 욕조를 준비하여, 도금된 도전 부재(21)의 표면을 세정함으로써, 서로 다른 도금액끼리가 섞이는 것을 방지한다. 그리고, 이 순수가 필요하지 않을 때에는, 도금액 수납 욕조에 넣어 놓는다. 이에 따라, 도금액의 액 구성에 관계없이 1개의 반송 레일로 연속하여 복수의 조합의 도금막을 도전 부재(21)에 형성할 수 있다.Here, in the plating apparatus of FIG. 1, the metal material of the plating liquid of the first plating bath 44 is Sn, the metal material of the plating liquid of the second plating bath 45 is Sn-Bi, and the third plating bath 46. The metal material of the plating liquid is Sn-Ag. And since these metals and the solution except the solvent which melt | dissolves it are the same liquid constitution, a plating film can be formed continuously in the electroconductive member 21. FIG. However, in some cases, a plating film is formed on the conductive member 21 with plating liquids having different liquid constitutions. At this time, a plating bath in which pure water is placed between the plating baths is prepared, and the surface of the plated conductive member 21 is cleaned to prevent mixing of different plating liquids. And when this pure water is not needed, it puts in a plating liquid storage bath. Thereby, the plating member of several combination can be formed in the electrically-conductive member 21 continuously with one conveyance rail regardless of the liquid composition of a plating liquid.

제2 형태에 대하여 구체적으로 진술한다. 예를 들면, 이 도 2의 땜납 도금 라인에서는, 제1 도금 욕조(54)에는 Sn의 도금액이 수납되고, 제2 도금 욕조(55)에는 Sn:Bi=98(중량%):2(중량%)의 도금액이 수납되고, 제3 도금 욕조(56)에는 Sn:Bi=43(중량%):57(중량%)의 도금액이 수납되어 있다. 그리고, 이들 도금 욕조는, 도전 부재(21)의 사용 용도에 따라 필요한 도금 욕조가 선택되고, 필요하지 않은 도금 욕조의 도금액은 수납 욕조로 이동한다. 이 결과, 도전 부재(21)에 Sn 또는 Sn:Bi=98(중량%):2(중량%) 단층의 도금막이 형성되거나, 1층째가 Sn이고 2층째가 Sn:Bi=43(중량%):57(중량%)인 2층의 도금막이 형성되거나, 1층째가 Sn:Bi=98(중량%):2(중량%)이고 2층째가 Sn:Bi=43(중량%):57(중량%)인 2층의 도금막 등이 형성되거나 한다.The second aspect is specifically stated. For example, in this solder plating line, Sn plating liquid is accommodated in the 1st plating bath 54, and Sn: Bi = 98 (weight%): 2 (weight%) in the 2nd plating bath 55. ) And a plating solution of Sn: Bi = 43 (% by weight): 57 (% by weight) is accommodated in the third plating bath 56. And the plating bath required for these plating baths is selected according to the use use of the electrically-conductive member 21, and the plating liquid of the plating bath which is not needed moves to a storage bathtub. As a result, a plating film of Sn or Sn: Bi = 98 (wt%): 2 (wt%) single layer is formed on the conductive member 21, or the first layer is Sn and the second layer is Sn: Bi = 43 (wt%). A two-layer plating film of 57 (wt%) is formed, or the first layer is Sn: Bi = 98 (wt%): 2 (wt%) and the second layer is Sn: Bi = 43 (wt%): 57 (weight 2) a plating film of two layers or the like may be formed.

이 제2 형태에서는, 도전 부재(21)에 제1 도금막(22)을 형성하기 위해서 Sn:Bi=98(중량%):2(중량%)의 도금액을 사용할 수 있다. 이 때, 도금액에 수% 정도의 Bi를 포함함으로써, 제1 도금막(22)에서는, 위스카(바늘형 결정)의 발생이, 현저하게 억제된다.In this second aspect, in order to form the first plating film 22 on the conductive member 21, a plating solution of Sn: Bi = 98 (wt%): 2 (wt%) can be used. At this time, by including Bi in the plating solution of about%, the generation of whiskers (needle crystals) is remarkably suppressed in the first plating film 22.

따라서, 본 발명에서는, 도금액 구성이 서로 다른 복수의 도금액이 넣어진 도금 욕조와, 그 도금 욕조에 필요에 따라, 또는, 모두에 수납 욕조가 설치된다. 그리고, 도전 부재(21)의 사용 용도에 따라, 도금액은, 상하의 양 욕조로 이동시켜 진다. 그 결과, 1개의 반송 레일로 연속하여, 복수의 조합의 도금막을 형성할 수 있다.Therefore, in this invention, the storage bath is provided in the plating bath in which several plating liquids from which plating liquid composition differs, and the plating bath as needed or both are provided. And the plating liquid is moved to the upper and lower bathtubs according to the use of the conductive member 21. As a result, the plating film of several combination can be formed continuously by one conveyance rail.

즉, 연속하여 1개의 반송 레일로 복수의 조합의 도금막을 도전 부재(21)에 형성할 수 있다. 이에 따라, 종래에는, 도금막의 조합에 따라서 도금 장치를 일시 정지시켰지만, 본 발명에서는, 욕조 내의 도금액을 교체할 필요가 없게 된다. 이 결과, 작업 시간을 대폭 단축시킬 수 있고, 또한, 도금액을 교체시키는 수고를 줄일 수 있다. 또한, 종래에는, 동일 욕조에서의 도금액의 교환 시에, 각각의 도금액끼리가 혼입된다. 그러나, 본 발명에서는 전술한 바와 같이, 액 조직이 동일하다. 그 때문에, 도금액의 혼입이 있더라도, 액 조직의 변화를 억제할 수 있어, 도금액의 관리 및 도금 욕조, 도금용 설비 등의 메인터넌스에 있어서의 노동력도 대폭 감소시킬 수 있다.That is, a plurality of combination plating films can be formed on the conductive member 21 with one conveyance rail in succession. Thus, although the plating apparatus is temporarily suspended according to the combination of the plating films, in the present invention, there is no need to replace the plating liquid in the bath. As a result, work time can be shortened significantly and the effort of replacing a plating liquid can be reduced. In addition, conventionally, when the plating liquids are replaced in the same bath, the respective plating liquids are mixed. However, in the present invention, as described above, the liquid structure is the same. Therefore, even if there is mixing of the plating liquid, changes in the liquid structure can be suppressed, and labor in management of the plating liquid and maintenance of the plating bath and the plating equipment can be greatly reduced.

그 외에도, 1개의 반송 레일로 연속하여 복수의 조합의 도금막을 형성할 수 있다. 예를 들면, 제1 도금 욕조에서는 도금액을 제1 수납 욕조로 이동시키고, 제2 및 제3 도금 욕조에서 도금막을 형성하는 경우나 제1 및 제2 도금 욕조에서는, 도금액을 제1 및 제2 수납 욕조로 이동시키고, 제3 도금 욕조만으로 단층의 도금막을 형성하는 경우 등이 있다. 또한, 인접한 도금 욕조에 동일 조성의 도금액을 넣음으로써, 도전 부재(21)에 두꺼운 도금막을 형성할 수 있다.In addition, a plating film of a plurality of combinations can be formed continuously with one conveyance rail. For example, in the first plating bath, the plating liquid is moved to the first storage bath, and when the plating film is formed in the second and third plating baths, or in the first and second plating baths, the plating liquid is stored in the first and second storage baths. There is a case where a single layer plated film is formed by moving to the bath and using only the third plated bath. In addition, a thick plating film can be formed on the conductive member 21 by placing a plating solution of the same composition into an adjacent plating bath.

어느 쪽의 경우로 하여도, 상기한 바와 같이, 도금액이 양 욕조 간에 이동됨으로써, 1개의 반송 레일로 연속하여 복수의 조합의 도금막을 형성하는 것이 가능하다.In either case, as described above, the plating liquid is moved between both baths, whereby a plurality of combination plating films can be formed continuously with one conveyance rail.

상기한 바와 같이, 땜납 도금인 경우를 예로 하여 설명하여 왔지만, 이 도금 장치는 땜납 도금에 한정하지 않고 이용할 수 있다. 예를 들면, Sn 도금, Cu 도금, Ni 도금 등이 있다. 이것들의 경우에도, 이 도금 장치를 이용하여 1개의 반송 레일로 연속하여 도전 부재(21)에 복수의 조합의 도금막을 형성할 수 있다.As described above, the case of solder plating has been described as an example, but the plating apparatus can be used without being limited to solder plating. For example, Sn plating, Cu plating, Ni plating, etc. are mentioned. Also in these cases, the plating member of a plurality of combinations can be formed in the electrically-conductive member 21 continuously with one conveyance rail using this plating apparatus.

다음으로, 제2 실시 형태에서, 도 3, 도 4 및 도 7을 이용하여, 4개의 주 기둥을 갖고, 직방체 구조인 도금 보조랙 및 이 도금 보조랙을 이용한 도금 방법에 대하여 기재한다.Next, in 2nd Embodiment, the plating auxiliary rack which has four main pillars, and is a rectangular parallelepiped structure, and the plating method using this plating auxiliary rack is described using FIG. 3, FIG. 4, and FIG.

도 3은, 본 발명인 도금 방법을 실시하기 위한 도금 보조랙을 간단히 도시한 레이아웃이다. 그리고, 도 4는, 도 3에 도시한 도금 보조랙(72)에 설치된 도전 부재(21)(도 7 참조)가, 도금 욕조(71)에 침지되고 있는 레이아웃이다. 여기서, 전기 도금에서는, 주로 도전 부재(21)를 음극으로 하기 때문에, 전극이 애노드(73)인 경우로서 설명한다.3 is a layout schematically showing a plating auxiliary rack for carrying out the plating method of the present invention. 4 is a layout in which the conductive member 21 (refer FIG. 7) provided in the plating auxiliary rack 72 shown in FIG. 3 is immersed in the plating bath 71. Here, in the electroplating, the conductive member 21 is mainly used as the cathode, and thus the description will be given as a case where the electrode is the anode 73.

본 발명에서는, 도전 부재(21)에 도금막을 형성할 때, 4개의 주 기둥으로 이루어지는 직방체의 도금 보조랙(72)을 이용한다. 이에 따라, 표면적 등이 서로 다른 여러 가지 도전 부재(21)에 대하여, 보다 균일하게 전류 밀도가 걸리게 되는 것에 특징을 갖는다.In this invention, when forming a plating film in the electrically conductive member 21, the plating auxiliary rack 72 of the rectangular parallelepiped consisting of four main pillars is used. As a result, the current density is more uniformly applied to various conductive members 21 having different surface areas and the like.

구체적으로 말하면, 도금액은, 도금 작업을 할 때 각각의 도금액에 적합한 전류 밀도의 범위가 있다. 그에 적합한 범위 내의 전류 밀도로 도금 작업을 함으로써, 고품질의 도금막을 형성할 수 있다. 그리고, 4개의 주 기둥으로 이루어지는 직방체의 도금 보조랙(72)에 도전 부재(21)를 설치하고, 이 도금 보조랙(72)와 함 께, 도금 욕조(71)의 도금액에 침지한다. 이 도금 보조랙(72)은, 도전재로 형성되어 있기 때문에 도전 부재(21)와 일체로 음극을 형성한다. 그리고, 도 4에도 도시한 바와 같이, 도전 부재(21)는, 도금 보조랙(72)의 센터에 위치하도록 설치하기 때문에, 도금 보조랙(72)의 주 기둥은, 애노드(73)와 도전 부재(21)의 사이에 위치하게 된다. 그에 따라, 대부분의 전류 밀도가 강한 부분은, 도금 보조랙(72)의 주 기둥으로 향한다. 한편, 그것 이외의 전류 밀도가 약한 부분에서, 도전 부재(21)에 도금막을 형성하게 된다. 그 결과, 표면적이 큰 도전 부재(21)나 표면적이 작은 도전 부재(21) 등, 표면적이 서로 다른 여러 가지 도전 부재(21)에 대하여, 균일한 도금막 두께로, 균일한 도금막 조성 분포의 도금막을 형성할 수 있다.Specifically, the plating liquid has a range of current densities suitable for the respective plating liquids during the plating operation. By performing a plating operation at a current density within a suitable range, a high quality plated film can be formed. Then, the conductive member 21 is provided in the plating auxiliary rack 72 of the rectangular parallelepiped which consists of four main pillars, and it is immersed in the plating liquid of the plating bath 71 with this plating auxiliary rack 72. FIG. Since the plating auxiliary rack 72 is formed of a conductive material, the cathode is integrally formed with the conductive member 21. And as also shown in FIG. 4, since the electrically-conductive member 21 is provided so that it may be located in the center of the plating auxiliary rack 72, the main pillar of the plating auxiliary rack 72 is an anode 73 and an electrically-conductive member. It is located between 21. As a result, the portion with the most current density is directed to the main pillar of the plating auxiliary rack 72. On the other hand, the plating film is formed in the conductive member 21 at a portion where the current density other than that is weak. As a result, with respect to various conductive members 21 having different surface areas, such as the conductive member 21 having a large surface area and the conductive member 21 having a small surface area, a uniform plating film composition distribution can be achieved with a uniform plating film thickness. A plating film can be formed.

예를 들면, 표면적이 큰 도전 부재(21)에 도금막을 형성하는 경우가 있다. 표면적이 큰 경우, 도전 부재(21)의 중앙부와 단부에서는, 전류 밀도가 걸리는 방식에도 차가 있다. 그러나, 상기한 바와 같이, 도금 보조랙(72)의 주 기둥이 도전 부재(21)와 애노드(73)와의 사이에 들어감으로써, 도금해야할 부분이, 전류 밀도가 강한 부분을 회피할 수 있다. 그 결과, 애노드(73)에 가까운 도전 부재(21)의 중심의 부분과 애노드(73)에 먼 도전 부재(21)의 단부에서는, 전류 밀도의 차가 작아지게 된다. 그리고, 이 도전 부재(21)의 표면에는 균일한 막 두께로, 균일한 도금막 조성의 도금막이 형성된다.For example, a plating film may be formed in the conductive member 21 having a large surface area. When the surface area is large, there is a difference in the manner in which the current density is applied at the central portion and the end portion of the conductive member 21. However, as described above, the main pillar of the plating auxiliary rack 72 enters between the conductive member 21 and the anode 73, whereby the portion to be plated can avoid a portion having a strong current density. As a result, the difference in current density becomes small at the center portion of the conductive member 21 close to the anode 73 and at the end of the conductive member 21 remote from the anode 73. Then, a plating film having a uniform plating film composition is formed on the surface of the conductive member 21 with a uniform film thickness.

또, Pb 프리 도금인 1층째가 Sn이고, 2층째가 Sn-Bi인 도금막이 형성되는 경우가 있다. 이 때, 2층째의 Sn-Bi의 도금막은, 약 1∼5 ㎛의 범위로 도금된다. 여기서, 도금 보조랙(72)을 사용하지 않고서 도금을 한다. 이 경우, 상기한 전기 도금 특성에 의해, 특히, 도전 부재(21)의 단부와 중앙부에서는 도금막 두께의 변동이 발생된다. 또는, 도전 부재(21)의 중앙부에서는, 도금막이 형성되지 않는 부분이 발생되게 된다. 그러나, 도금 보조랙(72)을 이용함으로써, 도전 부재(21)의 표면에는, 균일한 막 두께로, 균일 도금막 조성의 도금막이 형성된다.Moreover, the 1st layer which is Pb preplating is Sn, and the 2nd layer may be the plating film which is Sn-Bi. At this time, the plating film of Sn-Bi of the 2nd layer is plated in the range of about 1-5 micrometers. Here, plating is performed without using the plating auxiliary rack 72. In this case, the above-mentioned electroplating characteristics, in particular, cause variations in the thickness of the plated film at the end and the center of the conductive member 21. Or in the center part of the conductive member 21, the part in which a plating film is not formed will generate | occur | produce. However, by using the plating auxiliary rack 72, a plating film having a uniform plating film composition is formed on the surface of the conductive member 21 with a uniform film thickness.

또한, 상기한 바와 같이, 전극(73)이 애노드인 경우의 실시예에 대하여 설명했지만, 전극(73)이 캐소드인 경우라도, 마찬가지로, 도전 부재(21)에 도금막을 형성할 수 있다.As described above, the embodiment in the case where the electrode 73 is an anode has been described. However, even when the electrode 73 is a cathode, a plating film can be formed on the conductive member 21 in the same manner.

마지막으로, 제3 실시 형태로서, 도 5로부터 도 7을 이용하여, 반도체 장치에 이용되는 리드의 도금 방법에 대하여 기재한다.Finally, as a third embodiment, a plating method of a lead used in a semiconductor device will be described using FIGS. 5 to 7.

우선, Cu 단체, Cu 합금 또는 Fe-Ni 합금과 같은 도전 부재(21)의 표면에 도금되는 제1 도금막(22)에 있어서, 주 금속 재료가 Sn 단체로 이루어지는 도금액이 도금된 경우에는, 특히, 제1 도금막의(22) 표면은 평활한 피막이 형성된다. 그러나, 제1 도금막(22)으로서 Sn-Bi와 같은 두 종류의 금속이 도금된 경우, 제1 도금막은 이온화 경향이 큰 Bi가 우선적으로 석출되는 특징을 갖는다. 이 현상에 의해, 제1 도금막(22)의 표면은, 비평활한 석출 입자로 피막 형성된다.First, in the first plating film 22 to be plated on the surface of the conductive member 21 such as Cu single body, Cu alloy or Fe-Ni alloy, especially when the plating liquid consisting of Sn single body is plated On the surface of the first plating film 22, a smooth film is formed. However, when two kinds of metals such as Sn-Bi are plated as the first plating film 22, the first plating film is characterized in that Bi, which has a large tendency to ionize, is preferentially precipitated. By this phenomenon, the surface of the first plating film 22 is formed into a film by non-smooth precipitated particles.

그 결과, 리드 프레임과 가공 장치가 접촉하는 작업이 가해진 경우, 후술하는 문제가 발생한다. 예를 들면, 굽힘 가공하는 공정에 있어서, 리드 프레임에 통전 단자를 접촉하여 IC의 양부 판정하는 공정이 있다. 이 공정에서, 전술한 우선적으로 석출한 비평활한 입자가 탈락함에 따라, 탈락한 입자가 리드 사이에 부착된다. 이에 따라, IC의 불량 판정에 있어서, 불량을 초래하는 경우가 있다. 또한, 리드 프레임을 반송할 때, 그 표면의 마찰 저항이 감소하여, 리드 프레임에 접촉하는 반송 수단의 위에 머무는 경우가 있다.As a result, when the operation | work which contacts a lead frame and a processing apparatus is applied, the problem mentioned later arises. For example, in the step of bending, there is a step of contacting the energizing terminal with the lead frame to determine the IC pass / fail. In this step, as the above-mentioned preferentially precipitated non-smooth particles fall off, the dropped particles adhere between the leads. As a result, in the defect determination of the IC, a defect may be caused. Moreover, when conveying a lead frame, the frictional resistance of the surface may fall and it may stay on the conveying means which contacts a lead frame.

여기서, 구체적으로 굽힘 가공에 있어서 발생하는 문제를 진술한다. 도 5는, 리드 프레임을 굽힘 가공하는 금형의 개략 도면이다. 그리고, 도시한 바와 같이, 반도체 장치(81)의 리드 프레임(82)을 펀치(83)로 절단·굽힘 가공할 때에 문제가 발생한다.Here, specifically, the problem which arises in bending process is mentioned. 5 is a schematic view of a mold for bending a lead frame. And as shown, a problem arises when cutting and bending the lead frame 82 of the semiconductor device 81 with the punch 83. As shown in FIG.

우선, 도금이 실시된 리드 프레임(82)을 다이 시트(84A, 84B) 상에 설치한다. 그리고, 반도체 장치(81)의 밀봉체 및 리드 프레임(82)을 다이 시트(84A) 및 리드 지지 수단(85)으로 고정한다. 이 때, 리드 프레임(82)의 선단을 다이 시트(84B) 상에 설치한다. 그리고, 펀치(83)로 리드 프레임(82)을 절단하고, 그 밖의 부분은 굽힘 가공된다. 이 때, 펀치(83)의 저면과 리드 프레임(82)의 표면은 접촉하여, 조대화한 석출 입자가 펀치(83)의 저면에 찌꺼기로서 부착된다. 또는, 석출 입자가, 리드 프레임(82)에 부착되는 현상이 발생한다.First, the lead frame 82 by which plating was performed is provided on die sheets 84A and 84B. Then, the sealing body and the lead frame 82 of the semiconductor device 81 are fixed with the die sheet 84A and the lead supporting means 85. At this time, the tip of the lead frame 82 is provided on the die sheet 84B. And the lead frame 82 is cut | disconnected with the punch 83, and the other part is bend-processed. At this time, the bottom face of the punch 83 and the surface of the lead frame 82 are in contact with each other, and the coarse precipitated particles adhere to the bottom face of the punch 83 as waste. Or the phenomenon which precipitated particle | grains adheres to the lead frame 82 arises.

더구나, 현재 사용되고 있는 리드 프레임은, 200 핀 정도를 구비하고, 좁은 것은 0.4 ㎜로 협피치화하고 있다. 또, 반도체 장치 자체도 대폭 작아져 있기 때문에, 상기 부착물에 의해 품질 불량을 초래할 것이 추측된다. 이 때문에, 상술했던 것 같은 주 금속 재료가 Sn 단체 등으로 이루어지는 도금액에 의해 도금되는 것이 반도체의 제조 공정에서 바람직하다.Moreover, the lead frame currently used has about 200 pins, and the narrow one has a narrow pitch of 0.4 mm. In addition, since the semiconductor device itself is also significantly smaller, it is estimated that the above-mentioned deposit will cause poor quality. For this reason, it is preferable in the manufacturing process of a semiconductor that the above-mentioned main metal material is plated with the plating liquid which consists of Sn simple substance etc.

한편, 주 금속이 Sn 단체로 이루어지는 도금막에 있어서, 이하의 진술하는 제조 방법에서는 미량의 Bi가 혼입되는 것을 알 수 있다.On the other hand, in the plating film whose main metal consists of Sn single-piece | unit, it turns out that trace amount Bi mixes in the manufacturing method stated below.

제1 실시 형태에서 설명한 바와 같이, 본 발명의 도금 장치에서는, 도금액을 자유롭게 선택하는 것이 가능하고, 도전 부재(21)의 표면에 Sn 단체의 제1 도금막(22)을 형성하는 것이 가능하다. 그러나, 제2 실시 형태에서 진술한 바와 같이, 도전 부재(21)에 도금할 때에 도금 보조랙(72)을 사용하기 때문에, 도금 보조랙(72)의 표면에도 도금막이 형성된다. 그리고, 도금 보조랙(72)은 그 후의 공정에서 세정 등이 실시되어, 도금 보조랙(72) 자신의 도금막은 떨어진다. 그러나, 1개의 반송 라인에서 도금 보조랙(72)을 반복하여 이용한다. 그 때문에, 어떻게 하든 Sn 단체의 금속 재료로 이루어지는 도금액 내에도, 극미량의 Bi가 혼입되게 된다. 또한, 전극(73)으로서 이용하는 애노드에도 극미량의 Bi가 불순물로서 혼입되어 있다. 따라서, Sn 단체의 도금액 내에도 Sn에 대하여 Bi가 어느 정도 혼입되게 된다. 실제로는, 제1 도금막(22)이 Sn 단체로 이루어지는 도금막이라고 하더라도, 피막 내에는 극미량의 Bi가 존재하여 형성될 가능성이 있다.As described in the first embodiment, in the plating apparatus of the present invention, the plating liquid can be freely selected, and the first plating film 22 made of Sn can be formed on the surface of the conductive member 21. However, as stated in the second embodiment, since the plating auxiliary rack 72 is used when plating the conductive member 21, a plating film is formed on the surface of the plating auxiliary rack 72. And the plating auxiliary rack 72 wash | cleans etc. in a subsequent process, and the plating film | membrane of the plating auxiliary rack 72 itself falls. However, the plating auxiliary rack 72 is repeatedly used in one conveyance line. Therefore, any amount of Bi is mixed in the plating solution made of a metallic element of Sn single material anyway. In addition, a trace amount of Bi is mixed as an impurity in the anode used as the electrode 73. Therefore, Bi is mixed with Sn to some extent even in the plating solution of Sn single body. In reality, even if the first plating film 22 is a plating film made of Sn single substance, there is a possibility that a very small amount of Bi is present in the coating film.

그 때문에, 제1 도금막(22)에 어느 정도의 Bi가 혼입되면 문제가 발생할지 조사했다. Sn에 대하여, Bi가 0∼0.5 중량% 포함되어 있는 경우에는 석출 입자는 발생하지 않는다. 또한, Sn에 대하여, Bi가 0.5∼1.0 중량% 포함되어 있는 경우에는 석출 입자의 조대화는 거의 발생하지 않는다. 그러나, 석출 입자가, 문제없는 레벨로 미량 발생하는 경우도 있다. 한편, Sn에 대하여, Bi가 1.0∼3.0 중량% 포함되어 있는 경우에는, 문제가 될 레벨의 석출 입자의 조대화가 발생한다. 그리고, 제1 도금막 표면에 석출 입자의 조대화가 발생한 경우에는, 당연히 제2 도금막(23) 표면도 석출 입자의 조대화가 발생한다.Therefore, it was investigated whether a problem would occur when the amount of Bi mixed in the first plating film 22. Precipitated particles do not occur when Bi is contained in an amount of 0 to 0.5% by weight relative to Sn. Further, when Bi is contained in an amount of 0.5 to 1.0 wt% based on Sn, coarsening of the precipitated particles hardly occurs. However, a small amount of precipitated particles may be generated at a level without problem. On the other hand, when Bi is contained 1.0-3.0 weight% with respect to Sn, coarsening of the precipitation particle of the level which becomes a problem occurs. And when coarsening of precipitated particle | grains generate | occur | produces on the surface of a 1st plating film, coarsening of precipitated particle | grains also arises naturally in the surface of the 2nd plating film 23, of course.

이로부터, 제1 도금막(22)이 Sn 단체 혹은 1 중량% 이하(특히 0∼0.5 중량%)의 도금막이 형성되면, 그 제1 도금막(22) 위에 어떠한 농도의 Sn-Bi 도금막(23)이 형성되더라도 입자의 조대화는 발생하지 않는 것을 알았다.From this, when the first plating film 22 is formed of Sn single or 1% by weight or less (particularly 0 to 0.5% by weight), the Sn-Bi plating film having a certain concentration on the first plating film 22 ( It was found that coarsening of particles did not occur even if 23) was formed.

이하에 리드 프레임을 사용하는 반도체 장치는, 일반적으로는, 리드 프레임에 반도체 칩을 탑재하여, 금속 세선에 의한 배선을 한다. 그 후, 밀봉되어 밀봉부로부터 노출된 리드가 굽힘 가공된다. 그리고, 이 단체가 된 반도체 장치는, 리드를 통하여 전기적인 측정이 이루어진 사용자에게 공급된다. 그리고, 사용자측에서는, 실장 기판 위의 전극에 납재를 개재하여 고착된다.In the semiconductor device using the lead frame, generally, a semiconductor chip is mounted on the lead frame to perform wiring using fine metal wires. Thereafter, the lid sealed and exposed from the sealing portion is bent. The single semiconductor device is supplied to a user whose electrical measurement is made through a lead. And on the user side, it adheres to the electrode on a mounting board | substrate through a brazing filler material.

여기에 있어서 도금 처리는, 반도체 칩 탑재 전과 밀봉 후에 그 처리가 가능하다. 반도체 칩 탑재 전에 도금 처리할 경우에는, 금속 세선의 접속부에는 도금 피막이 실시되지 않는 처리가 필요하다. 한편, 밀봉 후에 처리할 경우에는, 밀봉부로부터 노출되어 있는 금속 도전부를 도금 약품에 침지 가능하고, 선택적인 피착이 불필요한 장점이 있다. 또, 회로 장치로서 반도체 칩으로 설명했지만, 수동 소자나 이것들의 복합물이 밀봉되어도 된다. 또한, 밀봉 재료로서는, 열가소성, 열경화성 수지나 세라믹 등을 대상으로 하여 처리할 수 있다.In this case, the plating treatment can be performed before and after sealing the semiconductor chip. When plating is performed before the semiconductor chip is mounted, a treatment in which the plating film is not applied to the connection portion of the fine metal wire is required. On the other hand, when processing after sealing, there exists an advantage that the metal electroconductive part exposed from the sealing part can be immersed in plating chemical, and selective deposition is unnecessary. Moreover, although it demonstrated with the semiconductor chip as a circuit device, a passive element and these composites may be sealed. In addition, as a sealing material, it can process with a thermoplastic, thermosetting resin, a ceramic, etc. as an object.

또한, 지지 기판 위의 전극에 매트릭스 상에 반도체 칩을 고착하고, 그 후 밀봉한 후에 개별화하는 CSP 등의 전극에도 적용할 수 있다. 이 경우에는 모든 전극에 통전 가능한 수단이 필요하다.Further, the present invention can also be applied to electrodes such as CSPs which adhere a semiconductor chip on a matrix to an electrode on a supporting substrate, and then seal and then individualize the semiconductor chip. In this case, a means capable of energizing all the electrodes is required.

이상의 설명으로 분명한 바와 같이, 본 발명의 도금 장치에는 다음과 같은 효과가 얻어진다.As apparent from the above description, the following effects are obtained in the plating apparatus of the present invention.

제1 효과로서는, 이 도금 장치는, 땜납 도금 라인에서, 도금액을 양 욕조 사이에 이동시키는 기능을 갖는다. 그에 따라, 1개의 반송 레일로 연속하여 단층의 또는 복수의 조합의 도금막을 형성할 수 있다. 그 때문에, 도전 부재에 형성하는 도금막이 교체될 때마다 도금액을 교환할 일이 없어져서, 도금 장치를 일시 정지시킬 일이 없다. 이에 따라, 1개의 반송 레일로 연속하여 도전 부재에 복수의 조합의 도금막을 형성할 수 있다. 그 때문에, 작업 시간을 대폭 단축시킬 수 있고, 또한, 도금액을 교체하는 수고를 줄일 수 있다. 또한, 동일한 욕조에서의 도금액의 교체 시에, 각각의 도금액끼리 혼입되는 경우가 없어진다. 그에 따라, 도금액의 관리 및 도금 욕조, 도금용 설비 등의 메인터넌스에 있어서의 노동력도 대폭 줄일 수 있다.As a 1st effect, this plating apparatus has a function which moves a plating liquid between both bathtubs in a solder plating line. Thereby, the plating film of a single layer or a plurality of combinations can be formed continuously with one conveyance rail. Therefore, the plating liquid is not replaced every time the plating film formed on the conductive member is replaced, so that the plating apparatus is not temporarily suspended. As a result, a plurality of combination plating films can be formed on the conductive member in one conveyance rail. Therefore, working time can be shortened significantly and the effort of replacing a plating liquid can be reduced. In addition, when the plating liquids are replaced in the same bath, the plating liquids are not mixed with each other. Thereby, labor in management of a plating liquid, maintenance of a plating bath, a plating installation, etc. can also be significantly reduced.

제2 효과로서는, 본 발명의 도금 방법으로 도금 작업을 함으로써, 표면적 등이 서로 다른 여러 가지 도전 부재에 대하여, 강한 전류 밀도의 대부분을 도전 부재로부터 피하게 하여 도금할 수 있다. 그에 따라, 표면적이나 디자인 등이 서로 다른 도전 부재에 대하여, 사용하는 도금액이 적합한 범위 내의 전류 밀도로, 도금 처리를 행할 수 있다. 또한, 도금액 내의 전해가 컨트롤되어, 도전 부재의 모든 표면에 의해 균일하게 전류 밀도가 걸리게 된다. 그 결과, 여러 가지 도전 부재에 대하여 도금막 두께 및 도금막 조성 분포의 최적화와 균일성이 얻어진 도금막을 형성할 수 있게 된다.As the second effect, by performing the plating operation by the plating method of the present invention, the plating can be performed by avoiding most of the strong current density from the conductive member for various conductive members having different surface areas and the like. Thereby, plating process can be performed with respect to the electrically conductive member from which surface area, a design, etc. differ in the current density within the suitable range. In addition, electrolysis in the plating liquid is controlled so that the current density is uniformly applied by all surfaces of the conductive member. As a result, it is possible to form a plated film obtained by optimizing and uniformizing the plated film thickness and plated film composition distribution for various conductive members.

제3 효과로서는, 도전 재질의 부재로 구성된 4개의 주 기둥으로 이루어지는 직방체의 모양을 한 도금 보조랙을 사용한다. 그에 따라, 표면적 등이 서로 다른 여러 가지 도전 부재에 대하여도 고품질의 도금막을 형성할 수 있다.As a 3rd effect, the plating auxiliary rack in the shape of the rectangular parallelepiped consisting of four main pillars comprised from the member of an electrically-conductive material is used. As a result, a high quality plated film can be formed also on various conductive members having different surface areas and the like.

제4 효과로서는, Cu 단체, Cu 합금 또는 Fe-Ni 합금과 같은 도전 부재의 표면에 복수 층의 도금막이 실시되는 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 제1 도금막이 Sn-Bi의 금속 재료, 특히, 미량의 Bi가 혼입되는 Sn을 주 금속 재료로 하는 도금액을 이용하여 도금막이 형성된다. 그에 따라, 제1 도금막의 표면에는 석출 입자가 발생하지 않거나, 또는, 발생해도 극미세한 석출 입자인 양호한 도금막을 갖는 반도체 장치의 제조 방법을 실현할 수 있다.As a fourth effect, in the method of manufacturing a semiconductor device in which a plurality of layers of plating films are applied to the surface of a conductive member such as a Cu single body, a Cu alloy or a Fe-Ni alloy, the first plating film is a metal material of Sn-Bi, in particular, A plating film is formed using the plating liquid which uses Sn which a trace amount of Bi mixes as a main metal material. Thereby, the manufacturing method of the semiconductor device which has the favorable plating film which does not generate | occur | produce precipitated particle | grains on the surface of a 1st plating film | membrane or is very fine precipitated particle even if it generate | occur | produces can be implement | achieved.

Claims (9)

도전 부재를 준비하고,Prepare the conductive member, 상기 도전 부재를 배치하는 설치 기구를 가지고, 4개의 주 기둥에 의해 직방체 형상의 도전재로 이루어지는 도금 보조랙에, 상기 4개의 주 기둥으로 이루어지는 공간의 안쪽에 상기 설치 기구를 매개하여 상기 도전 부재를 배치한 후, 상기 도금 보조랙을 도금액 내에 침지시켜, 상기 도전 부재 표면에 Sn 금속으로 이루어지는 제1 도금막과, 상기 제1 도금막보다 막 두께가 얇은 상기 Sn 금속과 Bi 금속의 합금 또는 상기 Sn 금속과 Ag 금속의 합금으로 이루어지는 제2 도금막을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.The conductive member is provided with a mounting mechanism for disposing the conductive member, and the plating auxiliary rack made of a rectangular parallelepiped conductive material by four main pillars via the mounting mechanism inside the space consisting of the four main pillars. After the arrangement, the plating auxiliary rack was immersed in a plating solution to form a first plating film made of Sn metal on the surface of the conductive member, an alloy of Sn metal and Bi metal thinner than the first plating film, or the Sn. A second plating film made of an alloy of a metal and Ag metal is formed. 제1항에 있어서, 상기 도금액 내에는 상기 도금액에 전류를 공급하는 하나의 전극을 침지시켜, 상기 도금 보조랙을 상기 도전 부재와 일체로 다른 전극으로서 상기 도금액 내에 침지시키는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.The semiconductor device according to claim 1, wherein one electrode for supplying current to the plating liquid is immersed in the plating liquid so that the plating auxiliary rack is immersed in the plating liquid as another electrode integrally with the conductive member. Manufacturing method. 제1항에 있어서, 상기 제2 도금막은 막 두께가 1-5㎛의 범위에서 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the second plated film is formed in a range of 1 to 5 μm. 제1항에 있어서, 상기 도전 부재는 Cu 또는 Fe-Ni을 주재료로 하는 리드 프레임인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the conductive member is a lead frame composed mainly of Cu or Fe-Ni. 도전 부재에 반도체 칩이 전기적으로 접속되고, 상기 도전 부재의 일부가 노출되도록 밀봉체에 의해 밀봉된 반도체 장치를 준비하고,Preparing a semiconductor device sealed by a sealing member so that a semiconductor chip is electrically connected to the conductive member, and a part of the conductive member is exposed; 상기 도전 부재를 배치하는 설치 기구를 가지고, 4개의 주 기둥에 의해 직방체 형상의 도전재로 이루어지는 도금 보조랙에, 상기 4개의 주 기둥으로 이루어지는 공간의 안쪽에 상기 설치 기구를 매개하여 상기 도전 부재를 배치한 후, 상기 도금 보조랙을 도금액 내에 침지시켜, 상기 도전 부재 표면에 Sn 금속으로 이루어지는 제1 도금막과, 상기 제1 도금막보다 막 두께가 얇은 상기 Sn 금속과 Bi 금속의 합금 또는 상기 Sn 금속과 Ag 금속의 합금으로 이루어지는 제2 도금막을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.The conductive member is provided with a mounting mechanism for disposing the conductive member, and the plating auxiliary rack made of a rectangular parallelepiped conductive material by four main pillars via the mounting mechanism inside the space consisting of the four main pillars. After the arrangement, the plating auxiliary rack was immersed in a plating solution to form a first plating film made of Sn metal on the surface of the conductive member, an alloy of Sn metal and Bi metal thinner than the first plating film, or the Sn. A second plating film made of an alloy of a metal and Ag metal is formed. 제5항에 있어서, 상기 도금액 내에는 상기 도금액에 전류를 공급하는 하나의 전극을 침지시켜, 상기 도금 보조랙을 상기 도전 부재와 일체로 다른 전극으로서 상기 도금액 내에 침지시키는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.6. The semiconductor device according to claim 5, wherein the plating liquid is immersed in one electrode for supplying current to the plating liquid, and the plating auxiliary rack is immersed in the plating liquid as another electrode integrally with the conductive member. Manufacturing method. 제5항에 있어서, 상기 제2 도금막은 막 두께가 1-5㎛의 범위에서 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 5, wherein the second plating film is formed in a range of 1 to 5 μm. 제5항에 있어서, 상기 밀봉체로부터 노출된 상기 도전 부재를 접어 구부리거나 또는 상기 도전 부재를 매개하여 전기적으로 측정을 실시하는 것을 특징으로 하 는 반도체 장치의 제조 방법.The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 5, wherein the conductive member exposed from the sealing member is folded or electrically measured through the conductive member. 제5항에 있어서, 상기 도전 부재는 Cu 또는 Fe-Ni을 주재료로 하는 리드 프레임인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.6. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 5, wherein the conductive member is a lead frame mainly composed of Cu or Fe-Ni.
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