KR100574304B1 - Plating Apparatus - Google Patents
Plating Apparatus Download PDFInfo
- Publication number
- KR100574304B1 KR100574304B1 KR1020010015541A KR20010015541A KR100574304B1 KR 100574304 B1 KR100574304 B1 KR 100574304B1 KR 1020010015541 A KR1020010015541 A KR 1020010015541A KR 20010015541 A KR20010015541 A KR 20010015541A KR 100574304 B1 KR100574304 B1 KR 100574304B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- plating
- conductive member
- metal
- tank
- slide means
- Prior art date
Links
- 238000007747 plating Methods 0.000 title claims abstract description 241
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 54
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract description 20
- 238000005406 washing Methods 0.000 abstract description 16
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 15
- 229910020830 Sn-Bi Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910018728 Sn—Bi Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910020836 Sn-Ag Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910020988 Sn—Ag Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- 101100493706 Caenorhabditis elegans bath-38 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910020816 Sn Pb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020922 Sn-Pb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008783 Sn—Pb Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101150062523 bath-39 gene Proteins 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 229910001325 element alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 1
- 235000014593 oils and fats Nutrition 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 238000006479 redox reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
하나의 반송 레일로 연속해서 복수 조합의 도금막을 형성하는 것이 요구되고 있다. 이 요구에 부응하기 위해서 간편한 땜납 도금 장치를 제공한다. It is desired to form a plurality of combination plating films in succession with one conveyance rail. In order to meet this demand, a simple solder plating apparatus is provided.
이 도금 장치는 도금액 구성이 다른 도금액이 수용된 도금 욕조를 복수 갖는 도금 욕조 이동 수단을 적어도 2열은 갖고 있다. 또, 이 도금 욕조 이동 수단에는 빈 도금 욕조, 및 물 세정용 욕조를 갖고 있다. 그리고, 이들 도금 욕조는 도전 부재(21)에 형성하는 도금막에 대응하여 선택된다. 이에 따라, 하나의 반송 레일로 연속해서 도전 부재(21)에 복수 조합의 도금막을 형성할 수 있다. The plating apparatus has at least two rows of plating bath moving means each having a plurality of plating baths in which plating liquids having different plating liquid configurations are accommodated. This plating bath moving means has an empty plating bath and a water washing bath. These plating baths are selected corresponding to the plating films formed on the conductive member 21. As a result, a plurality of combination plating films can be formed on the conductive member 21 in one conveyance rail.
반송 레일, 도금액, 도금 욕조, 도금 욕조 이동 수단, 도금 장치Conveying rail, plating solution, plating bath, plating bath transportation means, plating equipment
Description
도1은 본 발명의 도금 장치에 이용하는 도금 라인을 설명하는 도면. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The figure explaining the plating line used for the plating apparatus of this invention.
도2는 본 발명 및 종래의 도금을 실시하는 반도체 칩을 설명하는 도면. Fig. 2 is a view for explaining a semiconductor chip which performs the present invention and conventional plating.
도3은 본 발명 및 종래의 2층 도금막으로 이루어지는 도2에 도시한 반도체 리드 프레임의 A-A 방향으로부터 본 단면을 설명하는 도면. Fig. 3 is a view for explaining a cross section taken from the A-A direction of the semiconductor lead frame shown in Fig. 2 made of the present invention and a conventional two-layer plating film.
도4는 본 발명 및 종래의 자동 도금 장치 전체의 레이아웃을 설명하는 도면. 4 is a view for explaining the layout of the present invention and the entire conventional automatic plating apparatus.
도5는 본 발명 및 종래의 화학 엣칭 욕조의 B-B 방향으로부터 본 단면을 설명하는 도면. Fig. 5 is a view for explaining a section seen from the B-B direction of the present invention and the conventional chemical etching bath.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>
21 : 도전 부재21: conductive member
22 : 제1 도금막22: first plating film
23 : 제2 도금막23: second plating film
32, 34, 36, 38, 40 : 물 세정용 욕조32, 34, 36, 38, 40: bath for water washing
33 : 화학 엣칭 욕조33: chemical etching bath
37 : 땜납 도금 장치37: solder plating apparatus
42 : 건조 장치42: drying device
371 : 예비 침지 욕조371: preliminary dip bath
372, 373 : 제1 도금 욕조372, 373: first plating bath
374, 375, 376 : 제2 도금 욕조374, 375, 376: second plating bath
본 발명은 도금 장치에 관한 것으로, 도금 욕조를 이동 가능하게 하여 복수 조합의 금속 재료의 도금막을 단층 또는 적어도 2층 이상 형성하는 도금 장치에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE
Cu 단체, Cu 합금 또는 Fe-Ni 합금과 같은 도전 부재의 표면을 Sn 단체 또는 Sn 합금의 도금층으로 피복한 리드재는 Cu 단체 또는 Cu 합금이 구비되어 있는 우수한 도전성과 기계적 강도를 갖는다. 게다가, 이 리드재는 Sn 단체 또는 Sn 합금이 구비되어 있는 내식성과 양호한 납땜성도 함께 갖는 고성능 도체이다. 이에 따라, 이들은 각종 단자, 커넥터, 리드와 같은 전기ㆍ전자 기기 분야와 전력 케이블 분야 등에서 많이 사용되고 있다. The lead material which coat | covered the surface of electrically conductive members, such as Cu single substance, Cu alloy, or Fe-Ni alloy, with the plating layer of Sn single substance or Sn alloy, has the outstanding electroconductivity and mechanical strength with which Cu single substance or Cu alloy is provided. Moreover, this lead material is a high performance conductor which also has corrosion resistance and good solderability provided with Sn element or Sn alloy. Accordingly, these are widely used in the fields of electric and electronic devices such as various terminals, connectors, and leads, and the field of power cables.
또한, 반도체 칩을 회로 기판에 탑재하는 경우에는 반도체 칩의 외측 리드부에 Sn 합금을 사용한 용융 도금이나 전기 도금을 행함으로써, 해당 외측 리드부의 납땜성을 향상시키게 하는 일이 행해지고 있다. 이러한 Sn 합금의 대표예는 땜납(Sn-Pb 합금)이며, 납땜성, 내식성 등이 양호하므로 커넥터나 리드 프레임 등의 전기ㆍ전자 공업용 부품의 공업용 도금으로서 널리 이용되고 있다. In addition, when mounting a semiconductor chip on a circuit board, it is performed to improve the solderability of the said outer lead part by performing the hot-plating or electroplating using Sn alloy in the outer lead part of a semiconductor chip. Representative examples of such Sn alloys are solder (Sn-Pb alloy), and because they have good solderability, corrosion resistance, and the like, they are widely used for industrial plating of electrical and electronic industrial parts such as connectors and lead frames.
도3은 도2에 도시한 반도체 리드 프레임의 A-A 단면의 리드재의 기본 구성을 도시한 단면도이다. 예를 들어, 도전 부재(21)는 Cu, Cu를 주성분으로 한 Cu계 합금 또는 Fe-Ni를 주성분으로 한 Fe-Ni계 합금으로 구성되어 있다. 그리고, 이들 도전 부재(21)의 표면에는 다른 금속 재료의 2층 도금막이 실시되어 있다. 예를 들어, Sn의 제1 도금막(22)과 Sn-Bi의 제2 도금막(23)이 이 순서로 형성되어 있다. 여기서, 제1 도금막(22)의 두께를 t1, 제2 도금막(23)의 두께를 t2라고 했을 때, t
1은 약 3 내지 15 ㎛, t2는 약 1 내지 5 ㎛, t2/t1은 약 0.1 내지 0.5로 설정하면, 비용, 납땜성 및 내열성, 그리고 땜납의 접합 강도와 알루미늄선 등과의 용접부의 용접 강도면에서 모두 양호한 특성이 있으며, 리드재로서의 성능 향상을 얻을 수 있어서 적합하다는 사실이 알려져 있다. FIG. 3 is a cross-sectional view showing the basic configuration of a lead material of AA section of the semiconductor lead frame shown in FIG. For example, the electrically
도4는 자동 도금 장치 전체의 레이아웃이다. 우선, 알칼리 전해 세정 욕조(31)에 있어서, 도전 부재(21)의 표면에 있어서의 땜납 도금 피막의 밀착성이나 납땜성을 저해하는 유지 등의 유기성 오염 물질을 제거한다. 다음에, 물 세정용 욕조(32)에 있어서 세정된 후, 화학 엣칭 욕조(33)에 있어서 화학 엣칭 처리(기본적으로는 산화-환원 반응을 이용한 처리)를 행하여, 입계나 개재물 등의 존재에 의해 불균일한 표면으로 되어 있는 도전 부재(21)의 표면을 균일화한다.4 is a layout of the entire automatic plating apparatus. First, in the alkaline electrolytic cleaning bath 31, organic contaminants such as oils and fats that impair adhesion and solderability of the solder plating film on the surface of the
다음에, 물 세정용 욕조(34)에 있어서 세정된 후, 산 활성화 욕조(35)에 있어서 물 세정용 욕조(34)에서 부착된 산화막을 제거한다. 다음에, 물 세정용 욕조(36)에 있어서 세정된 후, 땜납 도금 장치(37)에 있어서 도금이 실시된다. 땜납 도금액은 강산성이므로, 도금 후의 표면은 산성으로 되어 있다. 이러한 표면에 서는 시간의 경과와 함께 피막이 변색되고 납땜성이 열화한다. 이에 따라, 물 세정용 욕조(38), 및 중화 처리 욕조(39)에 있어서 도금 표면에 잔류하는 산을 중화하여 흡착되어 있는 유기물을 제거한다. 그 후, 물 세정용 욕조(40), 더운 물 세정용 욕조(41)에서 세정되고, 건조 장치(42)에 있어서 도금된 도전 부재(21)를 건조시킨다. Next, after washing in the water washing tub 34, the oxide film attached to the water washing tub 34 in the acid activation bath 35 is removed. Next, after washing in the water washing tub 36, plating is performed in the
도5는 도4에 도시한 전체 도금 장치에 있어서의 화학 엣칭 욕조(33)의 B-B 방향에 있어서의 단면도이다. FIG. 5 is a cross-sectional view in the B-B direction of the
이 화학 엣칭 욕조(33)에 있어서의 작용은 상기한 바와 같다. 여기서는 이 도금 장치에 있어서의 구조에 대하여 설명한다. 이 도금 장치에서는 가로 이송식 푸셔(331)와 반송 레일(332)은 모두 상하 방향으로 가동할 수 있게 되어 있다. 그리고, 이들 가동 범위의 상한 위치 및 하한 위치가 결정되어 있고, 그 사이를 반복해서 움직이고 있다. 현수용 훅(333)은 작업 목적에 따라서 알맞은 간격으로 반송 레일(332)에 걸려진다. 통상은 인접한 욕조의 중심 사이의 거리이다. 그리고, 도금되는 도전 부재(21)를 현수하고 있는 도금 보조 랙(334)은 이 현수용 훅(333)에 걸려지고, 이 도금 장치에 장착된다. 다음에, 가로 이송식 푸셔(331)에 대하여 기술한다. 가로 이송식 푸셔(331) 사이의 거리는 기본적으로는 인접한 욕조의 중심 사이의 거리와 대략 동일하다. 그리고, 이 가로 이송식 푸셔(331)는 하나 짜리 아암에 설치되어 있고, 작업 방향으로 현수용 훅(333)을 1 스팬 이송시키면 그 만큼 복귀하게 되어 있다. 그리고, 이 가로 이송식 푸셔(331)는 상한 위치에서 1 스팬 이송하고, 하한 위치에서 그 만큼 복귀하게 되어 있다. 또, 반송 레일(332)은 상 하 방향으로는 움직이지만 진행 방향으로는 움직이지 않는다. 이 작업의 반복에 의해서 이 도금 장치는 기능하고 있다.The operation in the
상기한 이 도금 장치에서는 도금전 처리 라인을 1개 및 땜납 도금 라인을 1개 갖고 있었다. 예를 들어, 도전 부재(21)에 제1 도금막(22)인 Sn 도금막, 제2 도금막(23)인 Sn-Bi 도금막을 형성하는 경우와, 도전 부재(21)에 제1 도금막(22)인 Sn 도금막, 제2 도금막(23)인 Sn-Ag 도금막을 형성하는 경우가 있다. 이 경우, 제1 도금막(22)은 양 쪽 모두 동일한 Sn 도금액을 사용할 수 있지만, 제2 도금막(23)은 사용하는 도금액이 다르다. 이로 인해, 도전 부재(21)에 전자의 도금막을 형성하는 것을 종료한 후, 한 번 도금 장치를 정지시키고 후자용의 도금액으로 욕조 내의 도금액을 교환하고 나서 다음 도전 부재(21)에 도금막을 형성하고 있었다. In this plating apparatus described above, there was one preplating treatment line and one solder plating line. For example, when the Sn plating film which is the
상기한 바와 같이, 이 땜납 도금 장치에서는 도금전 처리 라인을 1개 및 땜납 도금 라인을 1개 갖고 있었다. 이로 인해, 도전 부재(21)에 복수 조합의 도금막을 형성하는 경우, 도금막의 조합이 변경될 때 연속해서 작업을 행하지 못하는 과제가 발생했다. 환언하면, 이 도금 장치에서는 준비된 도금액에 도금 가능한 도전 부재(21)를 차례로 침지하여, 동일한 도금막 조합의 도금막을 연속해서 형성할 수는 있었다. 그러나, 도금되는 도전 부재(21)의 사용 용도에 따라서 도전 부재(21)에 복수 조합의 도금막을 연속해서 형성할 수가 없었다. 즉, 땜납 도금 라인에 대하여, 도금액의 교환에 필요 이상의 시간과 수고를 들이는 문제가 있었 다.As described above, in this solder plating apparatus, there was one preplating treatment line and one solder plating line. For this reason, when forming a combination of plating films in the
그리고, 상기한 사항에 부가하여 땜납 도금 라인을 관리하는 것에 관해서도 많은 수고를 들이고 있었다. 예를 들어, 하나의 도금 욕조 내에서 일정 도금액을 사용한 후에, 도금액 구성이 다른 다른 도금액을 사용하는 경우가 있다. 이 때, 확실하게 전자의 도금액을 제거하지 않으면 후자의 도금액의 액체 구성이 변해 버린다. 또한, 사용하는 도금액 구성이 다르면, 그 도금 욕조에서 사용되는 양극도 달라지게 되어 교환해야 한다. 즉, 도금액 관리 또는 도금 욕조 관리 등 보수면에 관해서도 많은 수고를 들이는 문제가 있었다.In addition to managing the solder plating line in addition to the above matters, a great deal of effort has been spent. For example, after using a certain plating liquid in one plating bath, another plating liquid with a different plating liquid structure may be used. At this time, if the former plating liquid is not removed reliably, the liquid constitution of the latter plating liquid changes. In addition, when the plating liquid composition to be used is different, the anode used in the plating bath is also different and must be replaced. That is, there has been a problem that a lot of trouble is put into the maintenance surface such as plating solution management or plating bath management.
상기한 목적을 달성하기 위해서, 본 발명에 있어서는 도금 라인에 슬라이드 기구를 설치하고, 이에 의해서 하나의 반송 레일로 도전 부재(21)에 연속해서 복수 조합의 단층 또는 2층 이상의 도금막을 형성할 수 있는 점에 특징을 갖는다. In order to achieve the above object, in the present invention, a slide mechanism is provided in the plating line, whereby a single transport rail can form a plurality of single layers or two or more layers of plating films successively on the
도1은 본 발명인 도금 장치를 실시하기 위한 슬라이드 기능을 갖고, 제1 열에 2개의 제1 도금 욕조를, 그리고 제2 열에는 3개의 제2 도금 욕조를 갖는 땜납 도금 라인의 레이아웃이다. 또, 도4에 도시한 전체 도금 장치의 땜납 도금 장치(37)에 해당한다. 1 is a layout of a solder plating line having a slide function for carrying out the plating apparatus of the present invention, having two first plating baths in a first row, and three second plating baths in a second row. This corresponds to the
도1에 있어서, 이 도금 장치는 예비 침지 욕조(371), 제1 도금 욕조(372, 373), 제2 도금 욕조(374, 375, 376), 물 세정용 욕조(377)가 있다. 또, 각각의 도금 욕조에는 오버 플로우 욕조(378, 379, 380, 381, 382)가 설치되어 있다. 이들 욕조의 기능은 불용성 불순물 등을 도금 욕조 내의 수류를 이용하여 욕조 내로 취입한다. 그리고, 이들 욕조 내로 취입된 도금액을 여과하고, 그 여과된 도금액을 도금 욕조(372, 373, 374, 375, 376) 내로 송입하는 것이다. In Fig. 1, this plating apparatus includes a preliminary immersion bath 371, first plating baths 372 and 373, second plating baths 374, 375 and 376, and a water washing bath 377. In addition,
본 발명에서는 땜납 도금 라인에 있어서, 하나의 반송 레일로 도금 가능한 도전 부재(21)에 연속해서 복수 조합의 도금막을 사용 용도에 따라서 형성할 수 있는 점에 특징을 갖는다. In the present invention, the solder plating line is characterized in that a plurality of combination plating films can be formed in succession to the
구체적으로 말하면, 이 땜납 도금 라인의 구조도 상기한 도5와 동일하다. 예를 들어, 이 도1의 땜납 도금 라인에서는 도금 욕조(373)에는 Sn 도금액이 수용되고, 도금 욕조(375)에는 Sn-Ag 도금액이 수용되고, 도금 욕조(376)에는 Sn-Bi 도금액이 수용되며, 도금 욕조(372, 374)는 비어 있다. 그리고, 이들 도금 욕조는 도금된 도전 부재(21)의 사용 용도에 따라서 필요한 도금 욕조가 선택되어 반송 레일의 하부로 이동하고, 도전 부재(21)에 도금막을 형성한다. 그 결과, 도전 부재(21)에 Sn의 단층 도금막이 형성되거나, 또는 1층째가 Sn이고 2층째가 Sn-Ag 또는 Sn-Bi인 도금막 등이 형성된다. 또, 리드재의 구조는 도3과 동일하여 부호를 공통으로 했다.Specifically, the structure of this solder plating line is the same as that of FIG. For example, in the solder plating line of FIG. 1, the Sn plating liquid is accommodated in the plating bath 373, the Sn-Ag plating liquid is contained in the plating bath 375, and the Sn-Bi plating solution is accommodated in the plating bath 376. And the plating baths 372 and 374 are empty. In the plating bath, the required plating bath is selected according to the use purpose of the plated
첫째로, 도전 부재(21)에 Sn 단층의 제1 도금막(22)만을 형성하는 경우에 대하여 기술한다. 여기서는 상기한 바와 같이 Sn 도금액이 수용된 제1 도금 욕조(373)와 빈 도금 욕조(374)가 선택된다. 상기한 도금전 처리 라인에서 처리된 도전 부재(21)는 예비 침지 욕조(371)에서 표면의 수산막의 제거를 행하지만, 그 동안에 제1 도금 욕조(373)는 반송 레일의 하부로 이동한다. 그리고, 여기서 Sn 도금막이 형성되고 있는 동안에 제2 도금 욕조(374)는 반송 레일의 하부로 이동한 다. Sn 도금막이 형성된 도전 부재(21)는 제2 도금 욕조(374)로 이동하는데, 이 도금 욕조에는 도금액이 들어있지 않으므로, 도금막은 형성되지 않는다. 다음에, 물 세정용 욕조(377)에서 도금된 도전 부재(21)를 세정한다. 그 결과, 도전 부재(21)에 Sn의 단층 도금막만이 형성된다. First, the case where only the 1st plating film of Sn single | mono layer is formed in the electrically-
여기서, 도1의 도금 장치에서는 2열째의 도금 욕조 이동 수단에 빈 도금 욕조를 갖고 있으므로, 상기한 바와 같이 도전 부재(21)에 Sn 단층의 도금막이 형성되었다. 그러나, 다음과 같은 경우도 있다. 그것은 2열째의 도금 욕조 이동 수단이 반송 레일의 하부에 도금 욕조를 배치하지 않는 경우이며, 또한 반송 레일의 하부에 물 세정용 욕조를 선택하는 경우이다. 전자의 경우는 반송 레일의 하부에 도금액이 존재하지 않아 도전 부재(21)에 도금막이 형성되지 않는다. 후자의 경우는 도금된 도전 부재(21)의 표면을 순수에 의해 세정만을 행하는 것이므로, 도금막은 형성되지 않는다. Here, in the plating apparatus of Fig. 1, since the second plating bath moving means has an empty plating bath, a plating film of Sn single layer was formed on the
둘째로, 도전 부재(21)에 2층의 제1 도금막(22) 및 제2 도금막(23)을 형성하는 경우에 대하여 기술한다. 도전 부재(21)에 도금막을 형성하는 공정은 상기한 내용과 동일하다. 그러나, 이번에는 제2 도금 욕조(375 또는 376)가 선택되고, 도전 부재(21)에 Sn-Ag 또는 Sn-Bi의 제2 도금막(23)이 형성된다. 그 결과, 도전 부재(21)는 Sn과 Sn-Ag 또는 Sn과 Sn-Bi의 2층 도금막이 형성된다. Second, the case where two layers of the
여기서, 도1의 도금 장치에서는 제1 도금 욕조의 도금액의 금속 재료는 Sn이고, 제2 도금 욕조의 도금액의 금속 재료는 Sn-Ag 또는 Sn-Bi이다. 그리고, 이들 금속과 이를 용해시키는 용제를 제외한 용액이 동일한 액체 구성이므로, 도전 부재(21)에 연속해서 도금막을 형성할 수 있다. 그러나, 액체 구성이 다른 도금액으로 도전 부재(21)에 도금막을 형성하는 경우도 있다. 이 때, 2열째의 도금 욕조 이동 수단에 세정용의 물 세정용 욕조를 구비함으로써, 그 욕조에서 도전 부재(21)의 표면을 세정할 수 있으므로, 도금액의 액체 구성에 관계없이 하나의 반송 레일로 연속해서 복수 조합의 도금막을 형성할 수 있다.Here, in the plating apparatus of Fig. 1, the metal material of the plating liquid of the first plating bath is Sn, and the metal material of the plating liquid of the second plating bath is Sn-Ag or Sn-Bi. And since these metals and the solution except the solvent which melt | dissolves them are the same liquid structure, a plating film can be formed continuously in the electrically-
따라서, 본 발명에서는 도금액 구성이 다른 복수의 도금액이 수용된 도금 욕조를 미리 준비한다. 그리고, 이들 도금 욕조를 사용 용도에 따라서 선택하여 사용할 수 있다. 그 결과, 하나의 반송 레일로 연속해서 복수 조합의 도금막을 형성할 수 있다. Therefore, in the present invention, a plating bath in which a plurality of plating liquids having different plating liquid configurations are accommodated is prepared in advance. And these plating bath can be selected and used according to a use use. As a result, multiple combination plating films can be formed continuously by one conveyance rail.
즉, 상기한 도금전 처리 라인과 마찬가지로 연속해서 하나의 반송 레일로 복수 조합의 도금막을 도전 부재(21)에 형성할 수 있다. 이에 따라, 도금막의 조합에 따라서 도금 장치를 일시 정지시키고 욕조 내의 도금액을 교환할 필요가 없어진다. 그 결과, 작업 시간을 대폭 단축시킬 수 있고, 또한 도금액을 교환하는 수고를 줄일 수 있다. 또, 동일한 욕조에서의 도금액의 교환을 행할 때, 각각의 도금액끼리가 혼입되지 않게 되어 도금액의 관리 및 도금 욕조, 도금용 설비 등의 보수에 있어서의 수고도 대폭 저감할 수 있다.That is, similarly to the pre-plating treatment line described above, a plurality of combination plating films can be formed on the
그 밖에도, 하나의 반송 레일로 연속해서 복수 조합의 도금막을 형성할 수 있다. 예를 들어, 제1 도금 욕조로는 빈 도금 욕조를 선택하고 제2 및 제3 도금 욕조에서 도금막을 형성하는 방법과, 제1 및 제2 도금 욕조로는 빈 도금 욕조를 선택하고 제3 도금 욕조만으로 단층의 도금막을 형성하는 방법 등이 있다. 또, 인접 한 도금 라인에 동일 조성의 도금액이 수용된 도금 욕조를 갖고, 이들 욕조를 연속해서 선택함으로써 도전 부재(21)에 두꺼운 도금막을 형성할 수 있다.In addition, a plurality of combination plating films can be formed continuously with one conveyance rail. For example, an empty plating bath is selected as the first plating bath and a plating film is formed in the second and third plating baths, and an empty plating bath is selected as the first and second plating baths, and the third plating bath is used. The method of forming a single layer plating film only by itself is mentioned. In addition, a thick plating film can be formed on the
어떠한 경우에 있어서도, 상기한 바와 같이 본 발명인 슬라이드 기능을 이용함으로써, 하나의 반송 레일로 연속해서 복수 조합의 도금막을 형성하는 것이 가능하다.In any case, by using the slide function of the present invention as described above, it is possible to form a plurality of combination plating films in succession with one conveyance rail.
상기한 바와 같이, 땜납 도금의 경우를 예로 들어 설명해 왔지만, 이 도금 장치는 땜납 도금에 한하지 않고 이용할 수 있다. 예를 들어, Sn 도금, Cu 도금, Ni 도금 등이 있다. 이들 경우에도, 이 도금 장치를 사용하여 하나의 반송 레일로 연속해서 도전 부재(21)에 복수 조합의 도금막을 형성할 수 있다. As described above, the case of solder plating has been described as an example, but the plating apparatus can be used without being limited to solder plating. For example, Sn plating, Cu plating, Ni plating, etc. are mentioned. Also in these cases, a plating film of multiple combinations can be formed in the electrically-
이상의 설명으로 명확해지는 바와 같이, 본 발명의 도금 장치에는 다음과 같은 효과가 얻어진다. As apparent from the above description, the following effects are obtained in the plating apparatus of the present invention.
그것은 이 도금 장치는 땜납 도금 라인에 의해 슬라이드 기능을 구비함으로써, 하나의 반송 레일로 연속해서 단층 또는 복수 조합의 도금막을 형성할 수 있다. 이에 따라, 도전 부재에 형성하는 도금막이 변경될 때마다 도금액을 교환하는 일이 없어지고, 도금 장치를 일시 정지시키는 일이 없다. 이로써, 하나의 반송 레일로 연속해서 도전 부재에 복수 조합의 도금막을 형성할 수 있고, 또한 도금액을 교환하는 수고를 줄일 수 있다. 그리고, 동일한 욕조에서의 도금액의 교환을 행할 때, 각각의 도금액끼리가 혼입되지 않게 되어 도금액의 관리 및 도금 욕조, 도금용 설비 등의 보수에 있어서의 수고도 대폭 저감할 수 있다. This plating apparatus can form a single layer or a plurality of combination plating films continuously with one conveyance rail by having a slide function by a solder plating line. As a result, the plating liquid is not replaced every time the plating film formed on the conductive member is changed, and the plating apparatus is not temporarily stopped. As a result, a plurality of combination plating films can be formed on the conductive member continuously with one conveyance rail, and the effort for exchanging the plating liquid can be reduced. And when the plating liquids are exchanged in the same bath, the respective plating liquids are not mixed with each other, and the labor in the management of the plating liquid and the maintenance of the plating bath, the plating equipment, and the like can be greatly reduced.
Claims (14)
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000085536A JP3588304B2 (en) | 2000-03-27 | 2000-03-27 | Plating equipment |
JP2000-085536 | 2000-03-27 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20010091034A KR20010091034A (en) | 2001-10-22 |
KR100574304B1 true KR100574304B1 (en) | 2006-04-27 |
Family
ID=18601862
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020010015541A KR100574304B1 (en) | 2000-03-27 | 2001-03-26 | Plating Apparatus |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3588304B2 (en) |
KR (1) | KR100574304B1 (en) |
CN (1) | CN1234919C (en) |
TW (1) | TW511291B (en) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3568486B2 (en) * | 2000-03-29 | 2004-09-22 | 三洋電機株式会社 | Method for manufacturing semiconductor device |
US7772043B2 (en) | 2001-12-12 | 2010-08-10 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Plating apparatus, plating method and manufacturing method for semiconductor device |
JP4813935B2 (en) * | 2006-03-20 | 2011-11-09 | 上村工業株式会社 | Transport hanger |
CN103305896B (en) * | 2012-03-07 | 2015-09-09 | 昆山东威电镀设备技术有限公司 | Continuous electroplating liquid conduction device and continuous liq electro-plating method |
JP6463622B2 (en) * | 2014-11-27 | 2019-02-06 | Ykk株式会社 | Plating equipment, plating unit, and plating line |
CN106319606B (en) * | 2016-07-18 | 2018-08-14 | 北京纽堡科技有限公司 | Matrix form electroplating assembly line |
KR101729769B1 (en) * | 2016-09-29 | 2017-04-24 | 주식회사 지씨이 | Apparatus For Plating PCB Can Plate More Than Two Kinds Of Plating in One System |
CN115573019B (en) * | 2022-12-09 | 2023-02-17 | 宁波德洲精密电子有限公司 | Electroplating cabinet for lead frame |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05255899A (en) * | 1992-03-12 | 1993-10-05 | Electroplating Eng Of Japan Co | Automatic plating device |
JPH06338581A (en) * | 1993-05-31 | 1994-12-06 | Dainippon Printing Co Ltd | Partial plating apparatus for ic lead frame |
-
2000
- 2000-03-27 JP JP2000085536A patent/JP3588304B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-03-06 TW TW090105095A patent/TW511291B/en active
- 2001-03-26 KR KR1020010015541A patent/KR100574304B1/en not_active IP Right Cessation
- 2001-03-27 CN CNB011120681A patent/CN1234919C/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05255899A (en) * | 1992-03-12 | 1993-10-05 | Electroplating Eng Of Japan Co | Automatic plating device |
JPH06338581A (en) * | 1993-05-31 | 1994-12-06 | Dainippon Printing Co Ltd | Partial plating apparatus for ic lead frame |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20010091034A (en) | 2001-10-22 |
JP2001271200A (en) | 2001-10-02 |
CN1322863A (en) | 2001-11-21 |
JP3588304B2 (en) | 2004-11-10 |
CN1234919C (en) | 2006-01-04 |
TW511291B (en) | 2002-11-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100574304B1 (en) | Plating Apparatus | |
US20040235219A1 (en) | Plating apparatus, plating method, and method for manufacturing semiconductor device | |
US7479305B2 (en) | Immersion plating of silver | |
US7772043B2 (en) | Plating apparatus, plating method and manufacturing method for semiconductor device | |
KR100695373B1 (en) | Plating apparatus | |
US20040026256A1 (en) | Method and apparatus for protecting tooling in a lead-free bath | |
JP4029936B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
KR100582129B1 (en) | Plating device | |
KR100695372B1 (en) | Plating method | |
JP3557150B2 (en) | Plating equipment | |
CN1318651C (en) | Plating apparatus, plasting method and method for mfg. semiconductor device | |
CN100457979C (en) | Electroplating device | |
JP3568486B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
JP3995564B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
JP4027324B2 (en) | Semiconductor device | |
EP1464731A1 (en) | Plating apparatus, plating method, and method for manufacturing semiconductor device | |
KR20070005027A (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
JP3548081B2 (en) | Plating method and plating apparatus used therefor | |
KR20070094253A (en) | Method of plating for lead frame of semiconductor package |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120329 Year of fee payment: 7 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |