JP4027324B2 - Semiconductor device - Google Patents
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Description
本発明は、リードフレームに、少なくとも２層のメッキ膜層を形成するメッキ装置に関する。 The present invention relates to a plating apparatus for forming at least two plating film layers on a lead frame.
従来のメッキ装置では、例えば、アルカリ脱脂、水洗、エッチング、シャワー、水洗、酸中和、はんだ鍍金、純水洗、純湯洗、ブロー及び乾燥の処理工程に使用される槽や装置が配列されてなる処理ラインが配列されています。そして、リードフレームには、はんだ鍍金処理が行われています（例えば、特許文献１参照）。 In a conventional plating apparatus, for example, tanks and apparatuses used for processing steps of alkali degreasing, water washing, etching, shower, water washing, acid neutralization, solder plating, pure water washing, pure water washing, blow and drying are arranged. The processing lines are arranged. The lead frame is subjected to solder plating (see, for example, Patent Document 1).
例えば、図６から図９を参照とし、以下に説明する。 For example, a description will be given below with reference to FIGS.
図７は、図６に示した半導体リードフレームにおけるＡ−Ａ断面図である。例えば、導電部材２１はＣｕ系合金またはＦｅ−Ｎｉ系合金で構成されている。そして、それらの導電部材２１の表面には、異なる材料の２層のメッキ膜が施されている。 7 is a cross-sectional view taken along the line AA in the semiconductor lead frame shown in FIG. For example, the conductive member 21 is made of a Cu-based alloy or an Fe—Ni-based alloy. Then, two layers of plating films of different materials are applied to the surfaces of the conductive members 21.
図８は、自動メッキ装置全体のレイアウトである。先ず、アルカリ電解洗浄浴槽３１において、導電部材２１表面の前処理が行われ、半田メッキ皮膜の密着性や半田付け性を阻害する有機性の汚染物質が除去される。次に、導電部材２１は、水洗用浴槽３２で洗浄された後、化学エッチング浴槽３３において、化学エッチング処理（基本的には酸化―還元反応を利用した処理）が行われる。 FIG. 8 is a layout of the entire automatic plating apparatus. First, pretreatment of the surface of the conductive member 21 is performed in the alkaline electrolytic cleaning bath 31 to remove organic contaminants that hinder the adhesion and solderability of the solder plating film. Next, after the conductive member 21 is washed in the washing bath 32, a chemical etching process (basically a process using an oxidation-reduction reaction) is performed in the chemical etching bath 33.
次に、導電部材２１は、水洗用浴槽３４において洗浄された後、酸活性化浴槽３５で、水洗用浴槽３４で付着した酸化膜が除去される。次に、水洗用浴槽３６において洗浄された後、半田メッキ装置３７で、メッキ処理が施される。半田メッキ液は強酸性のため、メッキ処理後のメッキ膜表面は酸性になっている。そのような表面では時間の経過とともに、メッキ膜が変色し、半田付け性が劣化する。そのため、水洗用浴槽３８、中和処理浴槽３９において、メッキ膜表面に残留する酸を中和し、吸着している有機物を除去する。その後、導電部材２１は、水洗用浴槽４０、湯洗用浴槽４１で洗浄され、乾燥装置４２で、乾燥される。
Next, after the conductive member 21 is washed in the washing tub 34, the oxide film attached in the washing tub 34 is removed in the acid activation bath 35. Next, after washing in the water tub 36, a plating process is performed by the
図９は、図８に示した化学エッチング浴槽３３のＢ−Ｂ方向における断面図である。 FIG. 9 is a cross-sectional view in the BB direction of the chemical etching bath 33 shown in FIG.
この化学エッチング浴槽３３の働きは、上述した通りである。ここでは、このメッキ装置における仕組みについて説明する。このメッキ装置では、横送り式プッシャー３３１と搬送レール３３２は、共に上下方向に可動できるようになっている。そして、それらの可動範囲の上限位置および下限位置が決められており、その間を繰り返し動いている。吊り下げ用フック３３３は、作業目的に応じ、適した間隔で搬送レール３３２に掛けられる。通常は、隣り合った浴槽のセンター間の距離である。そして、メッキされる導電部材２１を吊っているメッキ補助ラック３３４は、この吊り下げ用フック３３３に掛けられ、このメッキ装置にセットされる。 The function of the chemical etching bath 33 is as described above. Here, the mechanism in this plating apparatus will be described. In this plating apparatus, the transverse feed type pusher 331 and the transport rail 332 are both movable in the vertical direction. And the upper limit position and lower limit position of those movable ranges are determined, and it moves repeatedly between them. The hanging hook 333 is hung on the transport rail 332 at an appropriate interval according to the work purpose. Usually, it is the distance between the centers of adjacent bathtubs. Then, the auxiliary plating rack 334 for hanging the conductive member 21 to be plated is hung on the hanging hook 333 and set in this plating apparatus.
次に、横送り式プッシャー３３１について述べる。横送り式プッシャー３３１間の距離は、基本的には、隣り合った浴槽のセンター間の距離とほぼ等しい。そして、この横送り式プッシャー３３１は、１本のアームに設置されており、作業方向へ吊り下げ用フック３３３を１スパン送ると、その分戻るようになっている。そして、この横送り式プッシャー３３１は、搬送レール３３２が上限位置で、吊り下げ用フック３３３を１スパン送り、搬送レール３３２が下限位置で、その分横送り式プッシャー３３１が戻るようになっている。また、搬送レール３３２は、上下方向には動くが進行方向には動かない。この作業の繰り返しにより、このメッキ装置は機能している。
上記したように、この半田メッキ装置では、メッキ前処理ラインを１本および半田メッキラインを１本有していた。そのため、導電部材２１に複数の組み合わせのメッキ膜を形成する場合、メッキ膜の組み合わせが換わるとき、連続して作業を行うことができないという課題が生じた。言い換えると、このメッキ装置では、準備されたメッキ液に導電部材２１を順次浸漬して、同じメッキ膜の組み合わせのメッキ膜を連続して形成することはできた。しかし、メッキされる導電部材２１の使用用途に応じて、導電部材２１に複数の組み合わせのメッキ膜を連続して形成することができなかった。つまり、半田メッキラインについて、メッキ液の入れ替えに余分な時間と手間を費やすという問題があった。 As described above, this solder plating apparatus has one pre-plating processing line and one solder plating line. Therefore, when a plurality of combinations of plating films are formed on the conductive member 21, there is a problem that when the combination of the plating films is changed, it is not possible to perform operations continuously. In other words, in this plating apparatus, the conductive member 21 was sequentially immersed in the prepared plating solution, and a plating film of the same plating film combination could be continuously formed. However, depending on the intended use of the conductive member 21 to be plated, it was not possible to continuously form a plurality of combinations of plating films on the conductive member 21. In other words, the solder plating line has a problem that extra time and labor are spent replacing the plating solution.
更に上記したことに加えて、半田メッキラインを管理することに関しても、多大な労力を費やしていた。例えば、１つのメッキ浴槽であるメッキ液を使用した後に、メッキ液構成の異なる他のメッキ液を使用する場合がある。このとき、確実に前者のメッキ液を除去しないと後者のメッキ液の液構成が換わってしまう。また、使用するメッキ液構成が異なれば、そのメッキ浴槽で使用されるアノードも異なり交換しなければならない。つまり、メッキ液管理またはメッキ浴槽管理などメンテナンス面に関しても多大な労力を費やすという問題があった。 Furthermore, in addition to the above, a great deal of labor has been spent on managing the solder plating line. For example, after using a plating solution that is one plating bath, another plating solution having a different plating solution configuration may be used. At this time, if the former plating solution is not surely removed, the liquid configuration of the latter plating solution is changed. Also, if the plating solution composition used is different, the anode used in the plating bath must also be changed and replaced. That is, there has been a problem that a great deal of labor is spent on maintenance such as plating solution management or plating bath management.
本発明は、上記した従来の課題に鑑みてなされたもので、本発明のメッキ装置では、メッキ前処理ラインとメッキラインとを有するメッキ装置において、前記メッキラインは、複数のメッキ浴槽を有し、所望の前記メッキ浴槽にはメッキ液収納浴槽を設けたことを特徴とする。従って、本発明のメッキ装置では、所望の前記メッキ浴槽にはメッキ液収納浴槽を設けることで、メッキ液が両浴槽間を移動することが可能となる。そして、導電部材表面に形成されるメッキ膜に応じて、メッキ液が両浴槽間を移動することで、メッキ液の入れ替えに余分な時間と手間を費やすことを解消できる。 The present invention has been made in view of the above-described conventional problems. In the plating apparatus of the present invention, in the plating apparatus having a plating pretreatment line and a plating line, the plating line has a plurality of plating baths. The desired plating bath is provided with a plating solution storage bath. Therefore, in the plating apparatus of the present invention, the plating solution can be moved between both baths by providing a plating solution storage bath in the desired plating bath. Then, according to the plating film formed on the surface of the conductive member, the plating solution moves between both bathtubs, so that it is possible to eliminate the time and labor required for replacing the plating solution.
第１の効果としては、このメッキ装置は、半田メッキラインで、メッキ液を両浴槽間を移動させる機能を有する。そのことにより、１本の搬送レールで連続して単層のまたは複数の組み合わせのメッキ膜を形成することができる。そして、導電部材に形成するメッキ膜が変わるごとにメッキ液を交換することがなくなり、メッキ装置を一時停止することがない。このことにより、１本の搬送レールで連続して、導電部材に複数の組み合わせのメッキ膜を形成することができる。そのため、作業時間を大幅に短縮させることができ、かつ、メッキ液を入れ換える手間を省くことができる。また、同一の浴槽でのメッキ液の入れ換えのとき、それぞれのメッキ液どうしが混入することがなくなる。そのため、メッキ液の管理およびメッキ浴槽、メッキ用設備などのメンテナンスにおける労力も大幅に減らすことができる。 As a first effect, this plating apparatus has a function of moving a plating solution between both baths on a solder plating line. As a result, a single layer or a plurality of combinations of plating films can be continuously formed on one transport rail. The plating solution is not changed every time the plating film formed on the conductive member changes, and the plating apparatus is not temporarily stopped. As a result, a plurality of combinations of plating films can be formed on the conductive member continuously with one transport rail. Therefore, the working time can be greatly shortened, and the trouble of replacing the plating solution can be saved. Further, when the plating solutions are exchanged in the same bath, the plating solutions are not mixed with each other. Therefore, the labor in the management of the plating solution and the maintenance of the plating bath, plating equipment, etc. can be greatly reduced.
第２の効果としては、本発明のメッキ方法でメッキ作業を行うことにより、表面積等の異なる様々な導電部材に対して、強い電流密度の大部分を導電部材から逃がしてメッキすることができる。そのことにより、表面積やデザイン等の異なる導電部材に対して、使用するメッキ液の好適な範囲内の電流密度で、メッキ処理を行うことができる。更に、メッキ液内の電界がコントロールされ、導電部材の全ての表面に、より均一に電流密度がかかるようになる。その結果、様々な導電部材に対してメッキ膜厚およびメッキ膜組成分布の最適化と均一性のとれたメッキ膜を形成できるようになる。 As a second effect, by performing the plating operation by the plating method of the present invention, it is possible to plate a large part of the strong current density from the conductive member with respect to various conductive members having different surface areas. Thereby, it is possible to perform the plating process on the conductive members having different surface areas and designs at a current density within a preferable range of the plating solution to be used. Furthermore, the electric field in the plating solution is controlled, and the current density is more uniformly applied to all surfaces of the conductive member. As a result, it is possible to form a plating film with optimized and uniform plating film thickness and plating film composition distribution for various conductive members.
第３の効果としては、導電材質の部材で構成された４本の主柱から成る直方体の形をしたメッキ補助ラックを使用する。そのことで、表面積等の異なる様々な導電部材に対しても高品質なメッキ膜を形成することができる。 As a third effect, a plating auxiliary rack in the shape of a rectangular parallelepiped composed of four main pillars made of a conductive material member is used. As a result, a high-quality plated film can be formed on various conductive members having different surface areas.
第４の効果としては、Ｃｕ単体、Ｃｕ合金またはＦｅ―Ｎｉ合金のような導電部材の表面に複数層のメッキ膜が施される半導体装置の製造方法において、第１メッキ膜がＳｎ−Ｂｉの金属材料、特に、微量のＢｉが混入するＳｎを主金属材料とするメッキ液を用いてメッキ膜が形成される。そのことで、第１メッキ膜の表面には析出粒子が発生しないか、または、発生しても極微細な析出粒子である良好なメッキ膜を有する半導体装置の製造方法を実現することができる。 As a fourth effect, in the method of manufacturing a semiconductor device in which a plurality of plating films are applied to the surface of a conductive member such as Cu alone, Cu alloy, or Fe—Ni alloy, the first plating film is made of Sn—Bi. A plating film is formed using a plating solution containing a metal material, particularly Sn mixed with a trace amount of Bi as a main metal material. As a result, it is possible to realize a method for manufacturing a semiconductor device having a good plating film in which no precipitation particles are generated on the surface of the first plating film or even if they are generated, which are extremely fine precipitation particles.
先ず、第１の実施の形態として、図１、図２および図７を参照し、メッキ前処理ラインとメッキラインとを有するメッキ装置を説明する。メッキラインには複数のパターンのメッキ膜層を形成するためのメッキ浴槽を有し、そのメッキ浴槽にはそれぞれメッキ液収納浴槽を設けたことを特徴とする。 First, as a first embodiment, a plating apparatus having a plating pretreatment line and a plating line will be described with reference to FIGS. 1, 2, and 7. The plating line has a plating bath for forming a plurality of patterns of plating film layers, and each of the plating baths is provided with a plating solution storage bath.
図１は、本発明であるメッキ装置を実施するためのメッキラインの機能を簡略に示したレイアウトである。このメッキラインでは、プレディップ浴槽４３、第１メッキ浴槽４４、第２メッキ浴槽４５、第３メッキ浴槽４６、水洗用浴槽４７が搬送レール４２の下に設置される。そして、横送り式プッシャー４１により１ピッチずつ送られ、それらの浴槽を用いて導電部材２１（図４参照）にメッキ膜を形成する。この機構は、従来と同様である。 FIG. 1 is a layout schematically showing functions of a plating line for implementing a plating apparatus according to the present invention. In this plating line, a pre-dip bath 43, a first plating bath 44, a second plating bath 45, a third plating bath 46, and a washing bath 47 are installed under the transport rail 42. And it sends one pitch at a time by the transverse feed type pusher 41, and forms a plating film on the conductive member 21 (see FIG. 4) using those bathtubs. This mechanism is the same as in the prior art.
本発明は、メッキ浴槽に対応して必要なだけメッキ液収納浴槽を設置する形態である。例えば、図１に示したように、第１メッキ浴槽４４には、メッキ液収納浴槽を設置しない。第２メッキ浴槽４５には、第１メッキ液収納浴槽４９を設置し、第３メッキ浴槽４６には、第２メッキ液収納浴槽５０を設置する。この場合、作業スペースを効率的に活用するためにも、また、メッキ液収納時、メッキ液が短時間に収納できるようにメッキ浴槽の下にメッキ液収納浴槽（以下、メッキ液収納浴槽を収納浴槽と呼ぶ。）を設置した。そのことにより、このメッキラインにおいて、１本の搬送レールで、導電部材２１に、連続して複数の組み合わせのメッキ膜を形成することができることに特徴を有する。 This invention is a form which installs a plating solution storage bathtub as needed corresponding to a plating bathtub. For example, as shown in FIG. 1, no plating solution storage bath is installed in the first plating bath 44. A first plating solution storage bathtub 49 is installed in the second plating bath 45, and a second plating solution storage bath 50 is installed in the third plating bath 46. In this case, in order to efficiently use the work space, and when storing the plating solution, the plating solution storage tub (hereinafter referred to as the plating solution storage tub is stored below the plating tub so that the plating solution can be stored in a short time. It was called a bathtub.) Accordingly, this plating line is characterized in that a plurality of combinations of plating films can be continuously formed on the conductive member 21 with one transport rail.
図２は、本発明であるメッキ装置を実施するためのメッキラインの機能を簡略に示したレイアウトである。このメッキラインでは、プレディップ浴槽５３、第１メッキ浴槽５４、第２メッキ浴槽５５、第３メッキ浴槽５６、水洗用浴槽５７が搬送ライン５２の下に設置される。そして、横送り式プッシャー５１により１ピッチずつ送られ、それらの浴槽を用いて導電部材２１にメッキ膜を形成する。
FIG. 2 is a layout schematically showing the function of the plating line for carrying out the plating apparatus according to the present invention. In this plating line, a pre-dip bath 53, a
そして、全てのメッキ浴槽に対して収納浴槽を設置している。例えば、図２では、第１メッキ浴槽５４に第１収納浴槽５９を、第２メッキ浴槽５５に第２収納浴槽６０を、第３メッキ浴槽５６に第３収納浴槽６１を、それぞれ設置する。この場合も、図１を用いて上述したように、メッキ浴槽の下に収納浴槽を設置した。そのことにより、このメッキラインでは、連続して複数の組み合わせのメッキ膜を、使用用途に応じて形成することができることに特徴を有する。
And the storage bathtub is installed with respect to all the plating bathtubs. For example, in FIG. 2, the first storage tub 59 is installed in the
第１の形態について具体的に述べる。このメッキラインの搬送の仕組みは上記した図９と同様である。例えば、この図１のメッキラインでは、第１メッキ浴槽４４にはＳｎのメッキ液が入れられ、第２メッキ浴槽４５にはＳｎ―Ｂｉのメッキ液が入れられ、第３メッキ浴槽４６にはＳｎ―Ａｇのメッキ液が入れられている。そして、これらのメッキ浴槽は、メッキされた導電部材２１の使用用途に応じて必要なメッキ浴槽が選択される。一方、必要でないメッキ浴槽では、浴槽内のメッキ液は、収納浴槽へと移動される。しかし、この形態では、Ｓｎのメッキ液が入った第１メッキ浴槽４４には、常に、メッキ液が入れられ、導電部材２１は、このＳｎのメッキ液に浸漬される。この結果、導電部材２１にＳｎの単層のメッキ膜が形成されたり、１層目がＳｎで２層目がＳｎ―ＢｉまたはＳｎ―Ａｇのメッキ膜が形成される。なおリード材の構造は、図７と同じであるので符号を共通とした。 The first embodiment will be specifically described. The mechanism of conveying the plating line is the same as that shown in FIG. For example, in the plating line of FIG. 1, Sn plating solution is put in the first plating bath 44, Sn—Bi plating solution is put in the second plating bath 45, and Sn plating solution is put in the third plating bath 46. -Ag plating solution is contained. And as for these plating bathtubs, a required plating bathtub is selected according to the use application of the electroconductive member 21 plated. On the other hand, in a plating bath that is not necessary, the plating solution in the bath is moved to the storage bath. However, in this embodiment, the plating solution is always put in the first plating bath 44 containing the Sn plating solution, and the conductive member 21 is immersed in the Sn plating solution. As a result, an Sn single-layer plating film is formed on the conductive member 21, or a Sn-Bi or Sn-Ag plating film is formed on the first layer and the second layer. The structure of the lead material is the same as in FIG.
第１に、導電部材２１にＳｎ単層の第１メッキ膜２２のみを形成するケースについて述べる。ここでは、Ｓｎのメッキ液が入れられた第１メッキ浴槽４４には、常に、Ｓｎのメッキ液が入っており、導電部材２１には、Ｓｎのメッキ膜が形成される。まず、上記したメッキ前処理ラインで処理された導電部材２１は、プレディップ浴槽４３で表面の水酸膜の除去を行い、第１メッキ浴槽４４のＳｎのメッキ液へと浸漬する。そして、その間に第２メッキ浴槽４５および第３メッキ浴槽４６では、導電部材２１にメッキ膜を形成しないので、浴槽内のメッキ液は第１収納浴槽４９および第２収納浴槽５０へと移動する。第１メッキ浴槽４４でＳｎのメッキ膜を形成した導電部材２１は、第２メッキ浴槽４５、第３メッキ浴槽４６へと搬送される。しかし、それらのメッキ浴槽４５、４６には、メッキ液が入っていないためメッキ膜は形成されない。次に、水洗用浴槽４７で、メッキ膜を形成した導電部材２１の表面を洗浄する。この結果、導電部材２１にＳｎの単層メッキ膜が形成される。 First, a case where only the first Sn plating layer 22 is formed on the conductive member 21 will be described. Here, the first plating bath 44 in which the Sn plating solution is put always contains the Sn plating solution, and the Sn plating film is formed on the conductive member 21. First, the conductive member 21 treated in the above-described plating pretreatment line removes the surface hydroxide film in the pre-dip bath 43 and is immersed in the Sn plating solution in the first plating bath 44. In the meantime, in the second plating bath 45 and the third plating bath 46, no plating film is formed on the conductive member 21, so that the plating solution in the bath moves to the first storage bath 49 and the second storage bath 50. The conductive member 21 on which the Sn plating film is formed in the first plating bath 44 is conveyed to the second plating bath 45 and the third plating bath 46. However, no plating film is formed in the plating baths 45 and 46 because no plating solution is contained therein. Next, the surface of the conductive member 21 on which the plating film is formed is washed in the washing bath 47. As a result, an Sn single-layer plating film is formed on the conductive member 21.
第２に、導電部材２１に第１メッキ膜２２および第２メッキ膜２３を形成するケースについて述べる。先ず、第１メッキ浴槽４４には、常に、Ｓｎのメッキ液が入っているため、導電部材２１にはＳｎの第１メッキ膜２２が形成される。そして、その導電部材２１の使用用途に応じて、第２メッキ膜２３を形成するメッキ浴槽を選択する。ここで、最初にＳｎ―Ｂｉの第２メッキ膜２３を形成する場合は、第３メッキ浴槽４６のＳｎ―Ａｇのメッキ液を第２収納浴槽５０に移動させる。そして、Ｓｎ―Ａｇの第２メッキ膜を形成する場合は、第２メッキ浴槽４５のＳｎ―Ｂｉのメッキ液を第１収納浴槽４９に移動させ、第３メッキ浴槽４６へ第２収納浴槽５０からＳｎ―Ａｇのメッキ液を戻す。この結果、導電部材２１には、ＳｎとＳｎ―ＢｉまたはＳｎとＳｎ―Ａｇの２層のメッキ膜が形成される。 Secondly, a case where the first plating film 22 and the second plating film 23 are formed on the conductive member 21 will be described. First, since the first plating bath 44 always contains Sn plating solution, the first plating film 22 of Sn is formed on the conductive member 21. Then, a plating bath for forming the second plating film 23 is selected according to the intended use of the conductive member 21. Here, when the Sn—Bi second plating film 23 is formed first, the Sn—Ag plating solution in the third plating bath 46 is moved to the second storage bath 50. When the Sn—Ag second plating film is formed, the Sn—Bi plating solution in the second plating bath 45 is moved to the first storage bath 49, and then transferred to the third plating bath 46 from the second storage bath 50. Return the Sn-Ag plating solution. As a result, a two-layer plating film of Sn and Sn—Bi or Sn and Sn—Ag is formed on the conductive member 21.
ここで、図１のメッキ装置では、第１メッキ浴槽４４のメッキ液の金属材料はＳｎであり、第２メッキ浴槽４５のメッキ液の金属材料はＳｎ―Ｂｉであり、第３メッキ浴槽４６のメッキ液の金属材料はＳｎ―Ａｇである。そして、それらの金属とそれを溶かす溶剤を除いた溶液が同一の液構成であるため、導電部材２１に連続してメッキ膜を形成することができる。しかし、液構成の異なるメッキ液で導電部材２１にメッキ膜を形成する場合もある。このときは、メッキ浴槽間に純水を入れたメッキ浴槽を用意し、メッキされた導電部材２１の表面を洗浄することで、異なるメッキ液同士が混ざるのを防止する。そして、この純水が必要でないときは、メッキ液収納浴槽に入れておく。このことにより、メッキ液の液構成に関係なく１本の搬送レールで連続して複数の組み合わせのメッキ膜を導電部材２１に形成することができる。 In the plating apparatus of FIG. 1, the metal material of the plating solution in the first plating bath 44 is Sn, the metal material of the plating solution in the second plating bath 45 is Sn-Bi, and the The metal material of the plating solution is Sn-Ag. And since the solution except those metals and the solvent which dissolves it has the same liquid composition, a plating film can be formed continuously on the conductive member 21. However, a plating film may be formed on the conductive member 21 with plating liquids having different liquid configurations. At this time, a plating bath in which pure water is put between the plating baths is prepared, and the surface of the plated conductive member 21 is washed to prevent different plating solutions from being mixed. And when this pure water is not required, it puts into the plating solution storage bathtub. Thus, a plurality of combinations of plating films can be continuously formed on the conductive member 21 by one transport rail regardless of the liquid composition of the plating liquid.
第２の形態について具体的に述べる。例えば、この図２の半田メッキラインでは、第１メッキ浴槽５４にはＳｎのメッキ液が収納され、第２メッキ浴槽５５にはＳｎ：Ｂｉ＝９８（重量％）：２（重量％）のメッキ液が収納され、第３メッキ浴槽５６にはＳｎ：Ｂｉ＝４３（重量％）：５７（重量％）のメッキ液が収納されている。そして、これらのメッキ浴槽は、導電部材２１の使用用途に応じて必要なメッキ浴槽が選択され、必要でないメッキ浴槽のメッキ液は収納浴槽へと移動する。この結果、導電部材２１にＳｎまたはＳｎ：Ｂｉ＝９８（重量％）：２（重量％）単層のメッキ膜が形成されたり、１層目がＳｎで２層目がＳｎ：Ｂｉ＝４３（重量％）：５７（重量％）の２層のメッキ膜が形成されたり、１層目がＳｎ：Ｂｉ＝９８（重量％）：２（重量％）で２層目がＳｎ：Ｂｉ＝４３（重量％）：５７（重量％）の２層のメッキ膜などが形成されたりする。
The second embodiment will be specifically described. For example, in the solder plating line of FIG. 2, the
この形態では、導電部材２１に第１メッキ膜２２を形成するためにＳｎ：Ｂｉ＝９８（重量％）：２（重量％）のメッキ液を使用することができる。このとき、メッキ液に数％程度のＢｉを含むことにより、第１メッキ膜２２では、ウイスカー（針状結晶）の発生が、顕著に抑制される。 In this embodiment, a plating solution of Sn: Bi = 98 (wt%): 2 (wt%) can be used to form the first plating film 22 on the conductive member 21. At this time, the occurrence of whiskers (needle crystals) is significantly suppressed in the first plating film 22 by including about several percent Bi in the plating solution.
よって、本発明では、メッキ液構成の異なる複数のメッキ液が入れられたメッキ浴槽と、そのメッキ浴槽に必要に応じて、または、全てに収納浴槽が設置される。そして、導電部材２１の使用用途に応じて、メッキ液は上下の両浴槽に移動させられる。その結果、１本の搬送レールで連続して、複数の組み合わせのメッキ膜を形成することができる。 Therefore, in the present invention, a plating bath in which a plurality of plating solutions having different plating solution configurations are put, and a storage bath is installed in the plating bath as necessary or in all. And according to the use application of the electrically-conductive member 21, a plating solution is moved to both upper and lower bathtubs. As a result, a plurality of combinations of plating films can be formed continuously with a single transport rail.
つまり、連続して１本の搬送レールで複数の組み合わせのメッキ膜を導電部材２１に形成することができる。このことにより、従来では、メッキ膜の組み合わせに応じてメッキ装置を一時停止させていたが、本発明では、浴槽内のメッキ液を入れ換える必要がなくなる。この結果、作業時間を大幅に短縮させることができ、かつ、メッキ液を入れ換える手間を省くことができる。また、従来では、同一の浴槽でのメッキ液の入れ換えのとき、それぞれのメッキ液同志が混入する。しかし、本発明では、上述したように、液構成が同じである。その為、メッキ液の混入があっても、液構成の変化が抑制でき、メッキ液の管理およびメッキ浴槽、メッキ用設備などのメンテナンスにおける労力も大幅に減らすことができる。 That is, a plurality of combinations of plating films can be continuously formed on the conductive member 21 with one transport rail. Thus, conventionally, the plating apparatus is temporarily stopped according to the combination of the plating films, but in the present invention, it is not necessary to replace the plating solution in the bathtub. As a result, the working time can be greatly shortened and the trouble of replacing the plating solution can be saved. Conventionally, when the plating solution is replaced in the same bath, the respective plating solutions are mixed. However, in the present invention, as described above, the liquid configuration is the same. Therefore, even if the plating solution is mixed in, the change in the composition of the solution can be suppressed, and the labor in the management of the plating solution and the maintenance of the plating bath, plating equipment, etc. can be greatly reduced.
他にも、１本の搬送レールで連続して複数の組み合わせのメッキ膜を形成できる。例えば、第１メッキ浴槽ではメッキ液を第１収納浴槽に移動させ、第２および第３メッキ浴槽でメッキ膜を形成する場合や第１および第２メッキ浴槽では、メッキ液を第１および第２収納浴槽に移動させ、第３メッキ浴槽のみで単層のメッキ膜を形成する場合などがある。また、隣り合ったメッキ浴槽に同一組成のメッキ液を入れることにより、導電部材２１に厚いメッキ膜を形成することができる。 In addition, a plurality of combinations of plating films can be continuously formed with one transport rail. For example, when the plating solution is moved to the first storage bath in the first plating bath and the plating film is formed in the second and third plating baths, or in the first and second plating baths, the first and second plating solutions are used. There is a case where a single-layer plating film is formed only by the third plating bath after being moved to the storage bath. Moreover, a thick plating film can be formed on the conductive member 21 by putting a plating solution having the same composition into adjacent plating baths.
いずれの場合にしても、上記したように、メッキ液が両浴槽間を移動させられることにより、１本の搬送レールで連続して複数の組み合わせのメッキ膜を形成することが可能である。 In any case, as described above, a plurality of combinations of plating films can be continuously formed by one transport rail by moving the plating solution between both bathtubs.
上記したように、半田メッキの場合を例として説明してきたが、このメッキ装置は半田メッキに限らず利用することができる。例えば、Ｓｎメッキ、Ｃｕメッキ、Ｎｉメッキなどがある。これらの場合にも、このメッキ装置を用いて１本の搬送レールで連続して導電部材２１に複数の組み合わせのメッキ膜を形成することができる。 As described above, the case of solder plating has been described as an example, but this plating apparatus can be used without being limited to solder plating. For example, there are Sn plating, Cu plating, and Ni plating. Also in these cases, a plurality of combinations of plating films can be formed on the conductive member 21 continuously with one transport rail using this plating apparatus.
次に、図３、図４および図７を用いて、４本の主柱を有し、直方体構造であるメッキ補助ラックおよびこのメッキ補助ラックを用いたメッキ方法について記載する。 Next, a plating auxiliary rack having four main pillars and having a rectangular parallelepiped structure and a plating method using this plating auxiliary rack will be described with reference to FIGS.
図３は、本発明であるメッキ方法を実施するためのメッキ補助ラックを簡単に表したレイアウトである。そして、図４は、図３に示したメッキ補助ラック７２に設置された導電部材２１（図７参照）が、メッキ浴槽７１に浸漬されているレイアウトである。ここで、電気メッキでは、主に導電部材２１を陰極にするため、電極７３がアノード７３の場合として説明する。 FIG. 3 is a layout simply showing an auxiliary plating rack for carrying out the plating method according to the present invention. 4 is a layout in which the conductive member 21 (see FIG. 7) installed in the auxiliary plating rack 72 shown in FIG. Here, in electroplating, since the conductive member 21 is mainly used as a cathode, the case where the electrode 73 is the anode 73 is described.
本発明では、導電部材２１にメッキ膜を形成するとき、４本の主柱から成る直方体のメッキ補助ラック７２を用いる。そのことにより、表面積等の異なる様々な導電部材２１に対しても、より均一に電流密度がかかるようになることに特徴を有する。 In the present invention, when forming a plating film on the conductive member 21, a rectangular parallelepiped auxiliary plating rack 72 composed of four main pillars is used. As a result, the current density is more uniformly applied to various conductive members 21 having different surface areas and the like.
具体的に言うと、メッキ液は、メッキ作業を行うときそれぞれのメッキ液に適した電流密度の範囲がある。その適した範囲内の電流密度でメッキ作業を行うことで、高品質のメッキ膜を形成することができる。そして、４本の主柱から成る直方体のメッキ補助ラック７２に導電部材２１を設置して、このメッキ補助ラック７２と一緒に、メッキ浴槽７１のメッキ液に浸漬する。このメッキ補助ラック７２は、導電材から形成されているため、導電部材２１と一体で陰極を形成する。そして、図４にも示したように、導電部材２１は、メッキ補助ラック７２のセンターに位置するように設置するので、メッキ補助ラック７２の主柱は、アノード７３と導電部材２１の間に位置することになる。そのことで、大部分の電流密度の強い部分は、メッキ補助ラック７２の主柱へと向かう。一方、それ以外の電流密度の弱いところで、導電部材２１にメッキ膜を形成するようになる。その結果、表面積の大きい導電部材２１や表面積の小さい導電部材２１等、表面積の異なる様々な導電部材２１に対して、均一なメッキ膜厚で、均一なメッキ膜組成分布のメッキ膜を形成することができる。 Specifically, the plating solution has a current density range suitable for each plating solution when performing a plating operation. By performing the plating operation at a current density within the suitable range, a high quality plating film can be formed. Then, the conductive member 21 is placed on a rectangular parallelepiped plating auxiliary rack 72 composed of four main pillars, and is immersed in the plating solution of the plating bath 71 together with the plating auxiliary rack 72. Since the auxiliary plating rack 72 is made of a conductive material, it forms a cathode integrally with the conductive member 21. As shown in FIG. 4, the conductive member 21 is installed so as to be positioned at the center of the auxiliary plating rack 72, so that the main pillar of the auxiliary plating rack 72 is located between the anode 73 and the conductive member 21. Will do. As a result, most of the portion having a high current density is directed to the main pillar of the auxiliary plating rack 72. On the other hand, a plating film is formed on the conductive member 21 where the current density is low. As a result, a plating film having a uniform plating film composition distribution is formed with a uniform plating film thickness on various conductive members 21 having different surface areas, such as the conductive member 21 having a large surface area or the conductive member 21 having a small surface area. Can do.
例えば、表面積の大きい導電部材２１にメッキ膜を形成する場合がある。表面積が大きい場合、導電部材２１の中央部と端部では、電流密度のかかり方にも差がある。しかしながら、上記したように、メッキ補助ラック７２の主柱が導電部材２１とアノード７３との間に入ることにより、メッキすべき部分が、電流密度の強い部分を避けることができる。その結果、アノード７３に近い導電部材２１の中心の部分とアノード７３に遠い導電部材２１の端部では、電流密度の差が小さくなる。そして、この導電部材２１の表面には均一な膜厚で、均一メッキ膜組成のメッキ膜が形成される。 For example, a plating film may be formed on the conductive member 21 having a large surface area. When the surface area is large, there is a difference in how the current density is applied between the central portion and the end portion of the conductive member 21. However, as described above, when the main pillar of the auxiliary plating rack 72 enters between the conductive member 21 and the anode 73, the portion to be plated can avoid the portion having a high current density. As a result, the difference in current density is small between the central portion of the conductive member 21 close to the anode 73 and the end of the conductive member 21 far from the anode 73. A plating film having a uniform film thickness and a uniform plating film composition is formed on the surface of the conductive member 21.
また、Ｐｂフリーメッキである一層目がＳｎで、二層目がＳｎ―Ｂｉのメッキ膜が形成される場合がある。このとき、二層目のＳｎ―Ｂｉのメッキ膜は、約１〜５μｍの範囲でメッキされる。ここで、メッキ補助ラック７２を使用せずにメッキを行う。この場合、上述した電気メッキ特性により、薄いＳｎ―Ｂｉのメッキ膜では特に導電部材２１の端部と中央部ではメッキ膜厚のばらつきが生じる。あるいは、導電部材２１の中央部では、メッキ膜が形成されない部分が生じてしまう。しかし、メッキ補助ラック７２を用いることで、導電部材２１の表面には、均一な膜厚で、均一メッキ膜組成のメッキ膜が形成される。 In some cases, a Pb-free plating layer is formed with Sn as the first layer and Sn—Bi as the second layer. At this time, the Sn—Bi plating film of the second layer is plated in the range of about 1 to 5 μm. Here, plating is performed without using the auxiliary plating rack 72. In this case, due to the electroplating characteristics described above, in the thin Sn—Bi plating film, the plating film thickness varies particularly at the end portion and the central portion of the conductive member 21. Or in the center part of the electrically-conductive member 21, the part in which a plating film is not formed will arise. However, by using the auxiliary plating rack 72, a plating film having a uniform thickness and a uniform plating film composition is formed on the surface of the conductive member 21.
ここで、本発明のメッキ装置について説明する。このメッキ装置では、導電材質の部材からなるメッキ補助ラック７２を用いる。このメッキ補助ラック７２は、４本の主柱から成り、直方体形状をしている。そして、このメッキ補助ラック７２は、導電部材２１を中心部に設置し、導電部材２１とアノード７３との間に位置しメッキ膜を形成するのを補助する。そのとき、メッキ補助ラック７２は導電部材２１と一体に陰極を形成し、均一な膜厚で均一メッキ膜組成のメッキ膜が形成されるようにメッキ液内の電界調整を補助する。 Here, the plating apparatus of the present invention will be described. In this plating apparatus, a plating auxiliary rack 72 made of a conductive material member is used. The auxiliary plating rack 72 includes four main pillars and has a rectangular parallelepiped shape. The auxiliary plating rack 72 is provided with the conductive member 21 in the center, and is located between the conductive member 21 and the anode 73 to assist in forming a plating film. At that time, the auxiliary plating rack 72 forms a cathode integrally with the conductive member 21 and assists in adjusting the electric field in the plating solution so that a plating film having a uniform plating film composition is formed with a uniform film thickness.
つまり、メッキ補助ラック７２を用いて導電部材２１にメッキ膜を形成することにより、メッキ膜厚およびメッキ膜組成分布の最適化と均一性のとれたメッキ膜を形成できるようになる。 That is, by forming a plating film on the conductive member 21 using the plating auxiliary rack 72, it becomes possible to form a plating film with optimized and uniform plating film thickness and plating film composition distribution.
また、上記したように、電極７３がアノードの場合の実施例について説明したが、電極７３がカソードの場合でも、同様に、導電部材２１にメッキ膜を形成することができる。 Further, as described above, the embodiment in which the electrode 73 is an anode has been described. However, even when the electrode 73 is a cathode, a plating film can be similarly formed on the conductive member 21.
最後に、図５から図７を用いて、半導体装置に用いられるリードのメッキ方法について記載する。 Finally, a lead plating method used in a semiconductor device will be described with reference to FIGS.
まず、Ｃｕ単体、Ｃｕ合金またはＦｅ―Ｎｉ合金のような導電部材２１の表面にメッキされる第１メッキ膜２２において、主金属材料がＳｎ単体からなるメッキ液がメッキされた場合は、特に、第１メッキ膜２２表面は平滑な皮膜が形成される。しかし、第１メッキ膜２２としてＳｎ−Ｂｉのような２種類の金属がメッキされた場合、第１メッキ膜はイオン化傾向の大きいＢｉが優先的に析出される特徴をもつ。この現象により、第１メッキ膜２２の表面は、非平滑な析出粒子で皮膜形成される。 First, in the first plating film 22 plated on the surface of the conductive member 21 such as a simple substance of Cu, a Cu alloy or a Fe—Ni alloy, when a plating solution whose main metal material is a simple substance of Sn is plated, A smooth film is formed on the surface of the first plating film 22. However, when two types of metals such as Sn-Bi are plated as the first plating film 22, the first plating film has a feature that Bi having a high ionization tendency is preferentially deposited. Due to this phenomenon, the surface of the first plating film 22 is formed with non-smooth precipitated particles.
その結果、リードフレームと加工装置が接触する作業が加わった場合、後述の問題が発生する。例えば、曲げ加工する工程において、リードフレームに通電端子を当接しＩＣの良否判定する工程がある。この工程において、上述の優先的に析出した非平滑な粒子が脱落することにより、脱落した粒子がリード間に付着する。そのことで、ＩＣの良否判定において、不良を招く場合がある。また、リードフレームを搬送する際、その表面の摩擦抵抗が減少しから回りして、リードフレームに当接する搬送手段の上にとどまるような場合がある。 As a result, when an operation of bringing the lead frame into contact with the processing apparatus is added, problems described later occur. For example, in the bending process, there is a process for judging whether the IC is good or bad by bringing a current-carrying terminal into contact with the lead frame. In this step, the preferentially precipitated non-smooth particles fall off, and the dropped particles adhere between the leads. As a result, a defect may be caused in determining the quality of the IC. Further, when the lead frame is transported, it may turn around after the frictional resistance of the surface decreases and stay on the transport means contacting the lead frame.
ここで、具体的に曲げ加工において発生する問題を述べる。図５は、リードフレームを曲げ加工する金型の概略図である。そして、図示するように、半導体装置８１のリードフレーム８２をパンチ８３で切断・曲げ加工する際に問題が発生する。 Here, the problem which generate | occur | produces in a bending process is described concretely. FIG. 5 is a schematic view of a mold for bending a lead frame. As shown in the figure, a problem occurs when the lead frame 82 of the semiconductor device 81 is cut and bent by the punch 83.
先ず、メッキが施されたリードフレーム８２を台座８４Ａ、Ｂ上に設置する。そして、半導体装置８１の封止体およびリードフレーム８２を台座８４Ａおよびリード支持手段８５で固定する。このとき、リードフレーム８２の先端を台座８４Ｂ上に設置するそして、パンチ８３にてリードフレーム８２が切断され、その他の部分は曲げ加工される。この時、パンチ８３の底面とリードフレーム８２の表面は接触し、粗大化した析出粒子がパンチ８３の底面にくずとして付着する。あるいは、析出粒子が、リードフレーム８２に付着してしまう現象が発生する。 First, the plated lead frame 82 is set on the bases 84A and 84B. Then, the sealing body of the semiconductor device 81 and the lead frame 82 are fixed by the base 84 </ b> A and the lead support means 85. At this time, the tip of the lead frame 82 is placed on the base 84B, and the lead frame 82 is cut by the punch 83, and the other portions are bent. At this time, the bottom surface of the punch 83 and the surface of the lead frame 82 are in contact with each other, and the coarse precipitated particles adhere to the bottom surface of the punch 83 as waste. Alternatively, a phenomenon that the deposited particles adhere to the lead frame 82 occurs.
しかも、現在使われているリードフレームは、２００ピン程度を有し、狭いものでは０．４ｍｍと狭ピッチ化している。また、半導体装置自体も大幅に小さくなっているため、前記付着物により品質不良を招くことが推測される。このことより、前述したような主金属材料が、Ｓｎ単体等からなるメッキ液によりメッキされることが半導体の製造工程において望ましい。 Moreover, currently used lead frames have about 200 pins, and narrow ones have a narrow pitch of 0.4 mm. Moreover, since the semiconductor device itself is also greatly reduced, it is estimated that the deposits cause quality defects. Thus, it is desirable in the semiconductor manufacturing process that the main metal material as described above is plated with a plating solution made of Sn alone or the like.
一方、主金属がＳｎ単体からなるメッキ膜において、以下の述べる製造方法では微量のＢｉが混入することがわかった。 On the other hand, it was found that a trace amount of Bi is mixed in the manufacturing method described below in a plating film in which the main metal is composed of Sn alone.
第１の実施の形態で説明したように、本発明のメッキ装置では、メッキ液を自由に選択することが可能であり、導電部材２１の表面にＳｎ単体の第１メッキ膜２２を形成することが可能である。しかし、第２の実施の形態で述べたように、導電部材２１にメッキする際にメッキ補助ラック７２を使用するため、メッキ補助ラック７２の表面にもメッキ膜が形成される。そして、メッキ補助ラック７２はその後の工程で洗浄等が施され、メッキ補助ラック７２自身のメッキ膜は落とされる。しかし、１つの搬送ラインでメッキ補助ラック７２を繰り返し利用する。そのため、どうしてもＳｎ単体の金属材料からなるメッキ液内にも、極微量のＢｉが混入してしまう。また、電極７３として用いるアノードにも極微量のＢｉが不純物として混入している。よって、Ｓｎ単体のメッキ液内にもＳｎに対してＢｉがある程度混入してしまう。実際には、第１メッキ膜２２がＳｎ単体からなるメッキ膜といえども、皮膜内には極微量のＢｉが存在して形成される可能性がある。 As described in the first embodiment, in the plating apparatus of the present invention, the plating solution can be freely selected, and the first plating film 22 made of Sn alone is formed on the surface of the conductive member 21. Is possible. However, as described in the second embodiment, since the auxiliary plating rack 72 is used when the conductive member 21 is plated, a plating film is also formed on the surface of the auxiliary plating rack 72. Then, the plating auxiliary rack 72 is cleaned in a subsequent process, and the plating film of the plating auxiliary rack 72 itself is dropped. However, the auxiliary plating rack 72 is repeatedly used in one transport line. Therefore, a very small amount of Bi is inevitably mixed in the plating solution made of a metal material of Sn alone. An extremely small amount of Bi is also mixed as an impurity in the anode used as the electrode 73. Therefore, Bi is mixed to some extent in Sn plating solution. Actually, even though the first plating film 22 is a plating film made of Sn alone, there is a possibility that a very small amount of Bi is present in the film.
そのため、第１メッキ膜２２にどの程度のＢｉが混入すると問題が発生するか調査した。Ｓｎに対して、Ｂｉが０〜０．５重量％含まれている場合には析出粒子は発生しない。また、Ｓｎに対して、Ｂｉが０．５〜１．０重量％含まれている場合には、析出粒子の粗大化はほとんど発生しない。しかし、析出粒子が、問題ないレベルで微量に発生する場合もある。一方、Ｓｎに対して、Ｂｉが１．０〜３．０重量％含まれている場合には、問題となるレベルの析出粒子の粗大化が発生する。そして、第１メッキ膜表面に析出粒子の粗大化が発生した場合には、当然ながら第２メッキ膜２３表面も析出粒子の粗大化が発生する。 Therefore, it was investigated how much Bi would enter the first plating film 22 to cause a problem. When Bi is contained in an amount of 0 to 0.5% by weight with respect to Sn, no precipitated particles are generated. Further, when Bi is contained in an amount of 0.5 to 1.0% by weight with respect to Sn, coarsening of the precipitated particles hardly occurs. However, the precipitated particles may be generated in a very small amount at a problem-free level. On the other hand, when Bi is contained in an amount of 1.0 to 3.0% by weight with respect to Sn, the coarsening of precipitated particles at a problematic level occurs. When the coarsening of the precipitated particles occurs on the surface of the first plating film, naturally the coarsening of the precipitated particles also occurs on the surface of the second plating film 23.
このことから、第１のメッキ膜２２がＳｎ単体もしくは１重量％以下（特に０〜０．５重量％）のメッキ膜が形成されれば、その第１のメッキ膜２２上にいかなる濃度のＳｎ−Ｂｉメッキ膜２３が形成されても粒子の粗大化は発生しないことがわかった。 Therefore, if the first plating film 22 is formed of Sn alone or 1 wt% or less (especially 0 to 0.5 wt%) of the plating film, any concentration of Sn is formed on the first plating film 22. It was found that the coarsening of the particles does not occur even when the -Bi plating film 23 is formed.
以下にリードフレームを使用する半導体装置は、一般には、リードフレームに半導体チップを搭載し、金属細線による配線を行う。その後、封止され封止部から露出したリードが曲げ加工される。そして、この単体となった半導体装置は、リードを介して電気的な測定がなされユーザへ供給される。そして、ユーザ側では、実装基板上の電極にろう材を介して固着される。 In the following, a semiconductor device using a lead frame generally has a semiconductor chip mounted on the lead frame, and wiring with fine metal wires is performed. Thereafter, the lead that is sealed and exposed from the sealing portion is bent. The single semiconductor device is electrically measured via a lead and supplied to the user. On the user side, it is fixed to the electrode on the mounting substrate via a brazing material.
ここにおいてメッキ処理は、半導体チップ搭載前と封止後にその処理が可能である。半導体チップ搭載前にメッキ処理する場合は、金属細線の接続部にはメッキ皮膜が施されないような処理が必要である。一方、封止後に処理する場合は、封止部より露出している金属導電部をメッキ薬品に浸漬可能であり、選択的な被着が不要なメリットがある。なお、回路装置として半導体チップで説明したが、受動素子やこれらの複合物が封止されてもよい。また、封止材料としては、熱可塑性，熱硬化性樹脂やセラミックなどが対象として処理できる。 Here, the plating process can be performed before mounting the semiconductor chip and after sealing. When the plating process is performed before mounting the semiconductor chip, it is necessary to perform a process so that the plating film is not applied to the connection portion of the fine metal wire. On the other hand, when processing after sealing, the metal conductive part exposed from the sealing part can be immersed in the plating chemical, and there is an advantage that selective deposition is unnecessary. Although the semiconductor device has been described as the circuit device, a passive element or a composite thereof may be sealed. Moreover, as a sealing material, thermoplasticity, a thermosetting resin, a ceramic, etc. can be processed.
また、支持基板上の電極にマトリックス状に半導体チップを固着し、その後封止した後に個別化するようなＣＳＰなどの電極にも適用できる。この場合には全ての電極に通電可能な手段が必要である。 Further, the present invention can also be applied to an electrode such as a CSP in which a semiconductor chip is fixed to an electrode on a support substrate in a matrix and then sealed and then individualized. In this case, a means capable of energizing all the electrodes is necessary.
Claims (6)
前記第１のメッキ膜は、前記Ｓｎ金属に対して１重量％以下の前記Ｂｉ金属が含まれていることを特徴とする半導体装置。 The semiconductor device according to claim 1, wherein the first plating film contains 1 wt% or less of the Bi metal with respect to the Sn metal.
前記第１のメッキ膜は、前記Ｓｎ金属に対して１重量％以下の前記Ｂｉ金属が含まれていることを特徴とする半導体装置。 The semiconductor device according to claim 1, wherein the first plating film contains 1 wt% or less of the Bi metal with respect to the Sn metal.
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