KR100695372B1 - Plating method - Google Patents

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KR100695372B1
KR100695372B1 KR1020010009848A KR20010009848A KR100695372B1 KR 100695372 B1 KR100695372 B1 KR 100695372B1 KR 1020010009848 A KR1020010009848 A KR 1020010009848A KR 20010009848 A KR20010009848 A KR 20010009848A KR 100695372 B1 KR100695372 B1 KR 100695372B1
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산요덴키가부시키가이샤
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Abstract

환경 보호의 요청으로 무연 땜납 도금이 요망되고 있다. 이 요망에 부응하기 위해 간편한 무연 땜납 도금 방법을 제공한다. Lead-free solder plating is desired at the request of environmental protection. To meet this need, a simple lead-free solder plating method is provided.

도전 부재(21)를 제1 도금액, 제2 도금액과 차례로 침지하여 다른 금속 재료의 2층 도금막(22, 23)을 실시하는 도금 방법에 있어서, 제1 도금액 및 제2 도금액은 금속 재료 및 그것을 용해시키는 산성 용제를 제외하고 동일한 액 구성으로 함으로써, 물 세척용 욕조를 불필요하게 하고 또한 도금액의 농도 관리를 용이하게 한 도금 방법을 실현한다. In the plating method in which the conductive member 21 is sequentially immersed with the first plating liquid and the second plating liquid to perform the two-layer plating films 22 and 23 of another metal material, the first plating liquid and the second plating liquid are made of a metal material and the same. By setting it as the same liquid structure except the acidic solvent to melt | dissolve, the plating method which makes unnecessary the water washing tub and made easy management of the concentration of a plating liquid is implement | achieved.

프리딥 욕조, 도금, 욕조, 물 세척용 욕조, 도전 부재, 도금막, 도금액Pre-Dip Bath, Plating, Bath, Water Washing Bath, Conductive Member, Plating Film, Plating Solution

Description

도금 방법{PLATING METHOD}Plating method {PLATING METHOD}

도1은 본 발명의 도금 방법에 이용하는 땜납 도금 장치를 설명하는 도면.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The figure explaining the solder plating apparatus used for the plating method of this invention.

도2는 본 발명의 도금 방법에 이용하는 제1 도금 욕조와 제2 도금 욕조를 설명하는 도면.2 is a view for explaining a first plating bath and a second plating bath used in the plating method of the present invention.

도3은 본 발명 및 종래의 2층 도금을 실시한 도전 부재를 설명하는 도면.3 is a view for explaining a conductive member subjected to the present invention and conventional two-layer plating.

도4는 본 발명 및 종래의 자동 도금 장치 전체의 레이아웃을 설명하는 도면. 4 is a view for explaining the layout of the present invention and the entire conventional automatic plating apparatus.

도5는 종래의 땜납 도금 장치 부분의 레이아웃을 설명하는 도면. 5 is a view for explaining the layout of a conventional solder plating apparatus part.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

1, 371 : 프리딥 욕조1, 371: free deep tub

2, 372 : 제1 도금 욕조2, 372: first plating bath

3, 374 : 제2 도금 욕조3,374: second plating bath

4, 32, 34, 36, 38, 40, 373, 375 : 물 세척용 욕조4, 32, 34, 36, 38, 40, 373, 375: tub for washing water

21 : 도전 부재21: conductive member

22 : 제1 도금막22: first plating film

23 : 제2 도금막23: second plating film

31 : 알칼리 전해 세정 욕조31: alkali electrolytic cleaning bath

33 : 화학 에칭 욕조33: chemical etching bath

35 : 산활성화 욕조35: acid activated bath

37 : 땜납 도금 욕조37: solder plating bath

39 : 중화 처리 욕조39: neutralization bath

40 : 뜨거운 물 세척용 욕조40: hot water washing tub

42 : 건조 장치42: drying device

본 발명은 도금 방법에 관한 것으로, 특히 무연 도금으로 또한 납땜 특성이 양호한 금속 재료의 도금막을 연속하여 형성하는 도금 방법에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plating method, and more particularly to a plating method of continuously forming a plating film of a metal material having lead-free plating and good soldering properties.

Cu 단일 부재, Cu 합금 또는 Fe-Ni 합금과 같은 도전 부재의 표면을, Sn 단일 부재 또는 Sn 합금의 도금층으로 피복한 리드재는, Cu 단일 부재 또는 Cu 합금이 구비하고 있는 우수한 도전성과 기계적 강도를 갖고, 또한 Sn 단일 부재 또는 Sn 합금이 구비하고 있는 내식성과 양호한 납땜성을 병유하는 고성능 도체로서, 각종 단자, 커넥터, 리드와 같은 전기ㆍ전자 기기 분야나 전력 케이블의 분야 등에서 많이 사용되고 있다. The lead material which coats the surface of a conductive member such as a Cu single member, a Cu alloy or a Fe-Ni alloy with a Sn single member or a plating layer of Sn alloy has excellent conductivity and mechanical strength that the Cu single member or Cu alloy has. Moreover, it is a high performance conductor which combines the corrosion resistance and favorable solderability which the Sn single member or Sn alloy is equipped with, and is used in the field of electrical / electronic devices, such as various terminals, a connector, and a lead, the field of a power cable, etc.

또한, 반도체 칩을 회로 기판에 탑재하는 경우에는 반도체 칩의 외측 리드부에 Sn 합금을 이용한 용융 도금이나 전기 도금을 행함으로써, 상기 외측 리드부의 납땜성을 향상시키는 것이 행해지고 있다. 이러한 Sn 합금의 대표적인 예는 땜납(Sn-Pb 합금)이며 납땜성, 내식성 등이 양호하므로, 커넥터나 리드 프레임 등 의 전기ㆍ전자 공업용 부품의 공업용 도금으로서 널리 이용되고 있다. In addition, when mounting a semiconductor chip on a circuit board, it is performed to improve the solderability of the said outer lead part by performing hot-dip plating and electroplating using Sn alloy in the outer lead part of a semiconductor chip. Representative examples of such Sn alloys are solder (Sn-Pb alloy), and because they have good solderability, corrosion resistance, and the like, they are widely used for industrial plating of electrical and electronic industrial parts such as connectors and lead frames.

그러나, 땜납에 사용되고 있는 Pb는 인체에 악영향을 끼칠 우려가 있으므로 유해성이 지적되게 되며, Pb의 사용을 규제하려고 하는 움직임이 세계적으로 발생하고 있다. 예를 들어 옥외에 폐기된 전자 기계류 등이 산성비에 노출되면, 기계 내부에 사용되고 있는 땜납(Sn-Pb 합금)이나, 전자 부품의 표면에 실시되어 있는 땜납 도금으로부터 Pb가 용해되고, 이것이 원인이 되어 지하수나 하천이 오염된다. 환경 오염을 방지하기 위해서는, Pb를 함유하지 않은 Sn 합금을 사용하는 것이 최선이다. 이로 인해, 종래의 Sn-Pb 도금액에 대표되는 Pb를 함유하지 않은 새로운 도금액이 개발되고 있다. 그리고, Pb를 함유하지 않은 Sn을 주성분으로 하는 도금액, 예를 들어 Sn-Bi계, Sn-Ag계, Sn-Cu계의 도금액이 개발되어 있으며, 대체되고 있다. However, since Pb used in solders may adversely affect the human body, its harmfulness is pointed out, and movements to regulate the use of Pb are occurring worldwide. For example, when exposed to acid rain, electromechanical devices discarded outdoors, Pb dissolves from solder (Sn-Pb alloy) used inside the machine or solder plating applied to the surface of the electronic component, which causes this. Groundwater or rivers are contaminated. In order to prevent environmental pollution, it is best to use Sn alloys containing no Pb. For this reason, the new plating liquid which does not contain Pb represented by the conventional Sn-Pb plating liquid is developed. In addition, plating solutions containing Sn as the main component, which does not contain Pb, such as Sn-Bi, Sn-Ag, and Sn-Cu, have been developed and replaced.

도3은 리드재의 기본 구성을 도시한 단면도이다. 예를 들어 도전 부재(21)는 Cu, Cu를 주성분으로 한 Cu계 합금 또는 Fe-Ni을 주성분으로 한 Fe-Ni계 합금으로 구성되어 있다. 그리고, 그들의 도전 부재(21)의 표면에는 다른 금속 재료의 2층 도금막이 실시되어 있다. 예를 들어, Sn의 제1 도금막(22)과 Sn-Bi의 제2 도금막(23)이 이 순서로 형성되어 있다. 여기에서, 제1 도금막(22)의 두께를 t1, 제2 도금막(3)의 두께를 t2라 했을 때, t1은 약 3 내지 15㎛, t2는 약 1 내지 5㎛, t2/t1는 약 0.1 내지 0.5로 설정하면 비용면에서도, 납땜성, 내열성의 점에서도, 또 땜납의 접합 강도나 알루미늄선 등과의 용접부의 용접 강도의 점에서도 양호한 특성 이 있으며, 리드재로서의 성능 향상을 얻을 수 있으므로 적합한 것이 알려져 있다. 3 is a cross-sectional view showing the basic configuration of the lead material. For example, the electrically conductive member 21 is comprised from the Cu-type alloy which has Cu and Cu as a main component, or the Fe-Ni-type alloy which has Fe-Ni as a main component. The two-layer plating film of another metal material is applied to the surface of the conductive member 21. For example, the first plating film 22 of Sn and the second plating film 23 of Sn-Bi are formed in this order. Here, when the thickness of the first plating film 22 is t 1 and the thickness of the second plating film 3 is t 2 , t 1 is about 3 to 15 μm, t 2 is about 1 to 5 μm, When t 2 / t 1 is set at about 0.1 to 0.5, it has excellent properties in terms of cost, solderability and heat resistance, and also in terms of solder strength of the solder, welding strength of an aluminum wire, or the like. Since a performance improvement can be obtained, it is known that it is suitable.

도4는 자동 도금 장치 전체의 레이아웃이다. 우선, 알칼리 전해 세정 욕조(31)에 있어서, 도전 부재(21)의 표면에 있어서의 땜납 도금 피막의 밀착성이나 납땜성을 저해하는 유지 등의 유기성의 오염 물질의 제거를 행한다. 다음에, 물 세척용 욕조(32)에 있어서 세정된 후, 화학 에칭 욕조(33)에 있어서, 화학 에칭 처리(기본적으로는 산화 - 환원 반응을 이용한 처리)를 행하고, 입계나 개재물 등의 존재에 의해 불균일한 표면으로 되어 있는 도전 부재(21)의 표면을 균일화한다. 4 is a layout of the entire automatic plating apparatus. First, in the alkaline electrolytic cleaning bath 31, organic contaminants such as oils and fats that impair adhesion and solderability of the solder plating film on the surface of the conductive member 21 are removed. Next, after washing in the water washing bath 32, in the chemical etching bath 33, a chemical etching treatment (basically, a process using an oxidation-reduction reaction) is performed, and then in the presence of grain boundaries or inclusions. As a result, the surface of the conductive member 21 which becomes a nonuniform surface is made uniform.

다음에, 물 세척용 욕조(34)에 있어서 세정된 후, 산활성화 욕조(35)에 있어서, 물 세척용 욕조(34)로 부착된 산화막을 제거한다. 다음에, 물 세척용 욕조(36)에 있어서 세정된 후, 땜납 도금 장치(37)에 있어서 도금이 실시된다. 땜납 도금액은 강산성으로 인해, 도금 후의 표면은 산성이 되고 있다. 그와 같은 표면에서는 시간의 경과와 함께 피막이 변색하여 납땜성이 열화한다. 그로 인해, 물 세척용 욕조(38), 중화 처리 욕조(39)에 있어서, 도금 표면에 잔류하는 산을 중화하고, 흡착하고 있는 유기물을 제거한다. 그 후, 물 세척용 욕조(40), 뜨거운 물 세척용 욕조(41)에서 세정되고, 건조 장치(42)에 있어서, 도금된 도전 부재를 건조시킨다. Next, after washing in the water washing tub 34, the oxide film adhered to the water washing tub 34 in the acid activation bath 35 is removed. Next, after wash | cleaning in the water washing tub 36, plating is performed in the solder plating apparatus 37. FIG. Since the solder plating liquid is strongly acidic, the surface after plating becomes acidic. On such surfaces, the coating discolors with time, and the solderability deteriorates. Therefore, in the water washing bath 38 and the neutralization bath 39, the acid remaining on the plating surface is neutralized to remove the adsorbed organic matter. Then, it wash | cleans in the water washing tub 40 and the hot water washing tub 41, and in the drying apparatus 42, the plated electrically conductive member is dried.

도5는 종래의 도금 장치(37)에 있어서의 도금을 실시하는 부분의 상세한 레이아웃이다. 이 도금 방법에 있어서는 프리딥 욕조(371)에 도전 부재(21)를 침지하여 표면의 수산막을 제거하고, 제1 도금 욕조(372)의 도금액에 침지하여 제1 도금막(22)을 실시한 후, 도전 부재(21)를 제1 도금 욕조(372)의 도금액과 제2 도금 욕조(374)의 도금액 사이에 설치되어 있었던 물 세척용 욕조(373)의 순수에 침지 하여 제1 도금액을 제거하고, 계속해서 도전 부재(21)를 제2 도금 욕조(374)의 도금액에 침지하여 제2 도금막(23)을 실시한다. 그리고, 마지막으로 물 세척용 욕조(375)에서 도금면의 세정을 행한다. Fig. 5 is a detailed layout of a portion to be plated in the conventional plating apparatus 37. As shown in Figs. In this plating method, the conductive member 21 is immersed in the pre-dip bath 371 to remove the hydroxyl film on the surface, and the first plating film 22 is formed by immersing in the plating liquid of the first plating bath 372. The conductive member 21 is immersed in the pure water of the water washing bath 373 provided between the plating liquid of the first plating bath 372 and the plating liquid of the second plating bath 374 to remove the first plating liquid, and then Thus, the conductive member 21 is immersed in the plating liquid of the second plating bath 374 to perform the second plating film 23. Finally, the plating surface is washed in the water washing tub 375.

상기한 도금 방법에서는, 제1 도금막(22)을 실시하는 제1 도금 욕조(372)의 도금액과 제2 도금막(23)을 실시하는 제2 도금 욕조(374)의 도금액은 각각의 도금액을 구성하는 금속 재료 및 그것을 용해시키는 산성 용제를 제외하면 동일한 액 구성은 아니었다. 예를 들어, 제1 도금막(22)이 Sn 단일 부재로 이루어지고, 제2 도금막(23)이 Sn-Bi 합금으로 이루어지는 경우, 제1 도금 욕조(372) 및 제2 도금 욕조(374)의 도금액의 구성에 있어서는 유기산, 용제 및 순수에 관해서는 동일한 액 구성인 재료를 사용하고 있다. 그러나, 첨가제에 관해서는 전자는 일반적으로 땜납 도금액용의 첨가제를 사용하고, 후자는 일반적으로 Sn-Bi 도금액용 첨가제를 사용하고 있다. In the above-described plating method, the plating liquid of the first plating bath 372 which performs the first plating film 22 and the plating solution of the second plating bath 374 which performs the second plating film 23 may be formed in respective plating solutions. It was not the same liquid composition except the metal material which comprises and the acidic solvent which melt | dissolves it. For example, when the first plating film 22 is made of Sn single member, and the second plating film 23 is made of Sn-Bi alloy, the first plating bath 372 and the second plating bath 374 are used. In the constitution of the plating solution, materials having the same liquid constitution are used for the organic acid, the solvent, and the pure water. However, as for the additive, the former generally uses additives for solder plating solutions, and the latter generally uses additives for Sn-Bi plating solutions.

또한, 제1 도금 욕조(372)와 제2 도금 욕조(374)는 동일한 형상인 것을 사용되는 경우가 많다. The first plating bath 372 and the second plating bath 374 are often used in the same shape.

이와 같은 도금 방법은, 일본 특허 공개 평10-229152호 공보에 설명되어 있다. Such a plating method is described in Japanese Patent Laid-Open No. 10-229152.

우선, 상기한 바와 같이 제1 도금막(22)을 실시하는 제1 도금 욕조(372)의 도금액과 제2 도금막(23)을 실시하는 제2 도금 욕조(374)의 도금액은, 각각의 도금 액을 구성하는 금속 재료 및 그것을 용해시키는 산성 용제를 제외하면 동일한 액 구성은 아니다. 그로 인해, 제1 도금 욕조(372)의 도금액이 도전 부재(21)에 부착하여 제2 도금 욕조(374)의 도금액 내로 반입되는 일이 없도록, 제1 도금 욕조(372)의 도금액과 제2 도금 욕조(374)의 도금액 사이에 물 세척용 욕조(373)가 설치되어 있다. 그리고, 이 물 세척용 욕조(373)의 순수를 사용하여 제1 도금 욕조(372)의 도금액을 제거해야만 했다. 따라서, 종래의 도금 방법에서는 물 세척용 욕조(373)가 불가결하며, 여분의 공정을 필요로 하는 문제가 있었다. First, as mentioned above, the plating liquid of the 1st plating bath 372 which implements the 1st plating film 22, and the plating liquid of the 2nd plating bath 374 which implements the 2nd plating film 23 are each plated. It is not the same liquid composition except the metal material which comprises a liquid, and the acidic solvent which melt | dissolves it. Therefore, the plating solution and the second plating of the first plating bath 372 are prevented from attaching the plating solution of the first plating bath 372 to the conductive member 21 to be carried into the plating solution of the second plating bath 374. A water washing tub 373 is provided between the plating liquids of the tub 374. Then, the plating liquid of the first plating bath 372 had to be removed using pure water of the water washing bath 373. Therefore, in the conventional plating method, the water washing tub 373 is indispensable and there is a problem that an extra process is required.

또한, 제2 도금막(23)을 실시하는 제2 도금 욕조(374)의 도금액에 있어서, 제1 도금막(22)이 실시된 도전 부재(21)가 물 세척용 욕조(373)에서 세정된 후 제2 도금 욕조(374)의 도금액에 침지된다. 그 때, 물 세척용 욕조(373)의 순수(純水)가 제2 도금 욕조(374)의 도금액 내로 혼입하므로, 제2 도금 욕조(374)의 도금액이 희석된다. 따라서, 제2 도금 욕조(374)의 도금액의 구성 관리 및 농도 관리가 반드시 필요해져 공정 관리가 복잡하다고 하는 문제도 있었다. In addition, in the plating liquid of the second plating bath 374 which performs the second plating film 23, the conductive member 21 on which the first plating film 22 is applied is washed in the water washing bath 373. Thereafter, it is immersed in the plating liquid of the second plating bath 374. At that time, since the pure water of the water washing tub 373 is mixed into the plating liquid of the second plating bath 374, the plating liquid of the second plating bath 374 is diluted. Therefore, the composition management and concentration management of the plating liquid of the 2nd plating bath 374 are necessarily required, and there also existed a problem that process management was complicated.

또, 제1 도금 욕조(372)의 도금액 및 제2 도금 욕조(374)의 도금액 내에 포함되는 금속 재료는 도전 부재(21)에 도금되는 외에, 애노드로도 치환 석출된다. 그러나, 제2 도금액을 구성하는 Bi, Ag 및 Cu는 애노드로 현저하게 치환 석출되므로, 이들을 보충하는 양도 대폭으로 커진다. 한편, 금속 재료(특히 Bi, Ag 및 Cu)는 고가이므로, 고비용의 원인이 되는 문제도 있었다. The metal material contained in the plating solution of the first plating bath 372 and the plating solution of the second plating bath 374 is also plated on the conductive member 21, and is also substituted and deposited as an anode. However, Bi, Ag, and Cu constituting the second plating solution are significantly substituted and precipitated by the anode, so that the amount of replenishment of them is significantly larger. On the other hand, since metal materials (especially Bi, Ag, and Cu) are expensive, there also existed a problem of causing high cost.

본 발명은, 상기한 종래의 문제점에 비추어 이루어진 것으로, 도전 부재의 표면에, 다른 금속 재료 또는 동일 금속 재료이지만 금속 재료의 조성 비율이 다른 2층의 도금막인 제1 도금막과 제2 도금막을 실시하는 도금 방법에 있어서, 작업 공정의 단축 및 농도 관리를 간이화할 수 있는 도금 방법의 제공을 목적으로 한다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-described conventional problems, and includes a first plating film and a second plating film, which are two-layer plating films having different metal materials or the same metal material but different composition ratios of metal materials, on the surface of the conductive member. In the plating method performed, it aims at providing the plating method which can simplify shortening of a work process, and concentration control.

상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 있어서는 제1 도금액 및 제2 도금액에 포함되는 구성을 금속 재료 및 그것을 용해시키는 산성 용제를 제외하면 실질적으로 동일한 액 구성으로 하는 것에 특징을 갖는다. 구체적으로는 제1 도금액과 제2 도금액에 포함되는 금속 재료 및 그것을 용해시키는 산성 용제를 제외한 유기산, 용제, 첨가제 및 순수를 실질적으로 동일한 액 구성으로 하는 것에 특징이 있다. In order to achieve the above object, the present invention is characterized in that the structure contained in the first plating liquid and the second plating liquid is substantially the same liquid constitution except for the metal material and the acidic solvent dissolving it. Specifically, the organic acid, the solvent, the additive, and the pure water except for the metal material contained in the first plating liquid and the second plating liquid and the acidic solvent for dissolving it are characterized by having substantially the same liquid constitution.

도1은 본 발명인 도금 방법을 실시하기 위한 자동 도금 장치에 있어서의 도금을 실시하는 부분의 레이아웃을 도시한 것이며, 도4에 도시한 전체 도금 장치의 땜납 도금 장치(37)에 상당한다. Fig. 1 shows the layout of the plating part in the automatic plating apparatus for carrying out the plating method of the present invention, which corresponds to the solder plating apparatus 37 of the entire plating apparatus shown in Fig. 4.

도1에 있어서, 자동 도금 장치는 프리딥 욕조(1), 제1 도금 욕조(2), 제2 도금 욕조(3), 물 세척용 욕조(4)로 구성되어 있다. 프리딥 욕조(1)에서는, 도전 부재(21)(도3 참조)에 앞의 물 세척용 욕조(36)(도4 참조)에서 세정될 때에 부착된 산화막을 제거하고, 도전 부재(21)의 표면을 활성 상태로 한다. 제1 도금 욕조(2)에서는 도전 부재(21)에 제1 도금막(22)을 실시하고, 그리고 제2 도금 욕조(3)에서는 도전 부재(21)에 제2 도금막(23)을 실시한다. 여기에서, 도금막 두께에 대해서는 종래와 같이 제1 도금막(22)의 두께를 t1, 상기 제2 도금막(23)의 두께를 t2라 했을 때, t1은 약 3 내지 15㎛, t2는 약 1 내지 5㎛, t2/t1는 약 0.1 내지 0.5가 되도록 도금된다. 또 리드재의 구조는 도3과 동일하므로 부호를 공통으로 했다. In Fig. 1, the automatic plating apparatus is composed of a pre-dip bath 1, a first plating bath 2, a second plating bath 3, and a water washing bath 4. In the pre-dip bath 1, the oxide film attached when the water-bath tub 36 (see Fig. 4) is washed before the conductive member 21 (see Fig. 3) is removed to remove the conductive member 21. Make the surface active. In the first plating bath 2, the first plating film 22 is applied to the conductive member 21, and in the second plating bath 3, the second plating film 23 is applied to the conductive member 21. . Here, with respect to the plating film thickness, when the thickness of the first plating film 22 is t 1 and the thickness of the second plating film 23 is t 2 , t 1 is about 3 to 15 μm, t 2 is plated such that about 1 to 5 μm and t 2 / t 1 is about 0.1 to 0.5. In addition, since the structure of a lead material is the same as that of FIG. 3, the code | symbol was common.

본 발명에서는, 제1 도금 욕조(2)의 도금액 및 제2 도금 욕조(3)의 도금액에 포함되는 제1 및 제2 금속 재료 및 이들을 용해시키는 산성 용제를 제외한 용액을 동일한 액 구성으로 했다. 이에 의해, 도전 부재(21)를 제1 도금 욕조(2)의 도금액에 침지하여 제1 도금막(22)을 실시한 후, 연속하여 제2 도금 욕조(3)의 도금액에 침지하여 제2 도금막(23)을 실시할 수 있는 것에 특징을 갖는다. In this invention, the solution except the 1st and 2nd metal material contained in the plating liquid of the 1st plating bath 2 and the plating liquid of the 2nd plating bath 3, and the acidic solvent which dissolves them was made into the same liquid constitution. Thus, the conductive member 21 is immersed in the plating liquid of the first plating bath 2 to perform the first plating film 22, and then continuously immersed in the plating liquid of the second plating bath 3 to form the second plating film. (23) can be implemented.

즉, 제1 도금 욕조(2)의 도금액의 구성으로서는, 전부 혹은 대부분의 제1 금속 재료를 Sn으로 하고, 이들의 금속 재료 및 이들을 용해시키는 산성 용제를 제외한 용액은 유기산, 용제, 첨가제 및 순수로 구성되어 있다. 예를 들어, 유기산에는 메탄술폰산 또는 프로파놀술폰산이 함유되고, 용제에는 이소프로필알코올이 함유되어 있다. 그리고, 제2 도금 욕조(3)의 도금액의 구성으로서는, Bi, Ag 및 Cu 중에서 선택되는 적어도 한 종류의 제2 금속 재료와 제1 금속 재료인 Sn이 함유되는 것을 금속 재료로 하고, 이들의 금속 재료 및 이들을 용해시키는 산성 용제를 제외한 용액은 유기산, 용제, 첨가제 및 순수로 구성되어 있다. 예를 들어 제1 도금 욕조(2)와 마찬가지로, 유기산에는 메탄술폰산 또는 프로파놀술폰산이 함유되고, 용제에는 이소프로필알코올이 함유되어 있다. That is, as a structure of the plating liquid of the 1st plating bath 2, all or most 1st metal materials are Sn, and the solution except these metal materials and the acidic solvent which dissolves them is organic acid, a solvent, an additive, and a pure water. Consists of. For example, methanesulfonic acid or propanolsulfonic acid is contained in the organic acid, and isopropyl alcohol is contained in the solvent. And as a structure of the plating liquid of the 2nd plating bath 3, it is assumed that the metal material contains at least 1 sort (s) of 2nd metal material chosen from Bi, Ag, and Cu, and Sn which is a 1st metal material, and these metals Solutions other than the materials and acidic solvents that dissolve them consist of organic acids, solvents, additives, and pure water. For example, like the first plating bath 2, the organic acid contains methanesulfonic acid or propanolsulfonic acid, and the solvent contains isopropyl alcohol.

이로 인해, 이 도금 방법에 있어서 도전 부재(21)에 제1 도금 욕조(2)의 도금액이 부착되고, 제2 도금 욕조(3)의 도금액 내로 반입되어 2개의 도금액이 혼입 했다고해도 제1 및 제2 금속 재료 및 그들을 용해시키는 산성 용제를 제외하고 동일한 액구성으로 하였으므로, 제2 도금 욕조(3)의 도금액의 구성이 흐트러지는 일은 없다. For this reason, even if the plating liquid of the 1st plating bath 2 adheres to the electrically-conductive member 21 in this plating method, it is carried in into the plating liquid of the 2nd plating bath 3, and two plating liquids are mixed. Since it was set as the same liquid structure except 2 metal materials and the acidic solvent which melt | dissolves them, the structure of the plating liquid of the 2nd plating bath 3 does not disturb.

일반적으로 도금액을 구성하는 데 있어서, 금속 재료는 산성 용제에 용해시켜 이용된다. 그러나, 그 산성 용제는 도금액의 양에 비해 매우 소량이므로, 다소 함유되더라도 그 도금액의 구성에 아무런 영향을 주는 일은 없다. Generally, in forming a plating liquid, a metal material is used by dissolving in an acidic solvent. However, since the acidic solvent is very small compared to the amount of the plating liquid, even if it is contained somewhat, it does not affect the composition of the plating liquid.

따라서, 도전 부재(21)를 제1 도금 욕조(2)의 도금액에 침지하여 제1 도금막(22)을 실시한 후, 연속하여 도전 부재(21)를 제2 도금 욕조(3)의 도금액에 침지하여 제2 도금막(23)을 실시할 수 있게 된다. 그로 인해, 종래에 있어서의 제1 도금막(22)을 실시한 후의 물 세척용 욕조에 의한 세정을 생략할 수 있어 작업 공정 및 작업 시간의 단축을 도모할 수 있다. Therefore, after conducting the first plating film 22 by immersing the conductive member 21 in the plating liquid of the first plating bath 2, the conductive member 21 is continuously immersed in the plating liquid of the second plating bath 3. Thus, the second plating film 23 can be implemented. Therefore, washing | cleaning by the water washing tub after performing the 1st plating film 22 in the past can be skipped, and work process and work time can be shortened.

다음에, 제2 도금 욕조(3)의 도금액에 대해서는 상기한 바와 같이 이 도금 작업 공정 상에 있어서, 제1 도금 욕조(2)의 도금액이 도전 부재(21)에 부착되어 제2 도금 욕조(3)의 도금액에 혼입한다. 이 때, 제2 도금 욕조(3)의 도금액에서는 도전 부재(21)에 부착되어 제1 금속 재료인 Sn은 반입된다. 그러나, Bi, Ag 및 Cu 중에서 사용되는 제2 금속 재료는 반입되지 않는다. 또, Bi, Ag 및 Cu 중에서 사용되는 제2 금속 재료는 도전 부재(21)에 Sn과의 합금으로서 석출되는 외에, 애노드로 치환 석출된다. 또한, 그에 덧붙여서 그들 Bi, Ag 및 CU 중에서 사용되는 제2 금속 재료는 도전 부재(21)에 부착하여 반출되므로, 제1 금속 재료인 Sn과 비교하여 특별히 감소가 현저하다. Next, about the plating liquid of the 2nd plating bath 3, in this plating operation process, as above-mentioned, the plating liquid of the 1st plating bath 2 is affixed to the electrically-conductive member 21, and the 2nd plating bath 3 is carried out. ) Into the plating solution. At this time, in the plating liquid of the second plating bath 3, Sn is attached to the conductive member 21 and Sn, which is the first metal material, is carried in. However, the second metal material used among Bi, Ag and Cu is not imported. In addition, the second metal material used in Bi, Ag, and Cu is deposited on the conductive member 21 as an alloy with Sn, and is substituted and deposited as an anode. In addition, since the second metal material used among these Bi, Ag, and CU adheres to the conductive member 21 and is carried out, the reduction is particularly remarkable compared with Sn, which is the first metal material.

한편, 일반적으로 도금에 있어서는 전류 밀도, 도금 시간 및 도금액 농도에 의해 도금막의 두께 및 도금막 조성은 제어되므로, 전류 밀도, 도금 시간 및 도금 농도를 일정하게 유지함으로써, 도금막 두께 및 도금막 조성의 관리를 행할 수 있다. 이에 의해, 도금막으로 석출되는 금속 재료의 양 혹은 도금액 농도가 관리되고, 석출에 의한 금속 재료의 감소를 볼 수 있는 경우는 보충을 행하면 좋다. 제1 도금 욕조(2) 및 제2 도금 욕조(3)의 도금액의 금속 재료는, 상기한 바와 같이 애노드로 치환 석출 및 도전 부재(21)에 의한 반출에 의한 감소도 있다. 그러나, 제1 도금 욕조(2) 및 제2 도금 욕조(3)의 애노드가 순도(純度), 예를 들어 99.9% 이상의 Sn으로 형성되어 있으므로, 도금액의 제1 금속 재료인 Sn은 주로 애노드의 용해에 의해 보충되는 외에, 정기적인 분석에 의해 필요에 따라서 용액 보충된다. On the other hand, in plating, in general, the thickness and the plating film composition of the plated film are controlled by the current density, the plating time, and the plating solution concentration. Management can be performed. As a result, when the amount of the metal material or the plating liquid concentration deposited on the plating film is controlled, and the decrease in the metal material due to the precipitation can be observed, supplementation may be performed. As described above, the metal material of the plating liquid of the first plating bath 2 and the second plating bath 3 may be reduced by substitution precipitation with an anode and carrying out by the conductive member 21. However, since the anodes of the first plating bath 2 and the second plating bath 3 are formed of purity, for example, 99.9% or more Sn, the first metal material of the plating liquid mainly dissolves the anode. In addition to being supplemented by, the solution is supplemented as needed by periodic analysis.

예를 들어, Sn이 100(중량 %)의 도금액의 농도 관리를 행하는 경우, 각각의 액 농도로서는, Sn2+ 농도가 30 내지 60(g/L), 유리산 농도가 120 내지 160(g/L), 첨가제 농도가 20 내지 50(㎖/L) 사이로 도금액의 농도가 유지되도록 Sn의 관리를 한다. 그러나, 상기한 바와 같이 제1 도금 욕조(2)의 관리에서는 Sn은 애노드 용해가 있으므로, 제2 도금 욕조(3)의 관리만큼 빈도를 필요로 하지 않는다. For example, when Sn manages the concentration of a plating liquid of 100 (% by weight), the concentration of Sn 2+ is 30 to 60 (g / L) and the free acid concentration is 120 to 160 (g / L). L), Sn is managed so that the concentration of the plating liquid is maintained between 20 and 50 (ml / L). However, as mentioned above, since Sn has anode dissolution in the management of the first plating bath 2, the frequency is not required as much as the management of the second plating bath 3.

제2 도금 욕조(3)의 도금액에서는 제1 금속 재료인 Sn은 전술된 바와 같이 애노드의 용해에 의해 보충되므로, Sn보다 감소가 현저한 Bi, Ag 및 Cu 중에서 선택되는 제2 금속 재료의 농도를 주로 관리해 두면 좋다. In the plating solution of the second plating bath 3, since the first metal material Sn is supplemented by dissolution of the anode as described above, the concentration of the second metal material selected from Bi, Ag and Cu, which is significantly lower than Sn, is mainly determined. Good to manage.

예를 들어, Sn : Bi = 97(중량%) : 3(중량%)의 도금액의 농도 관리를 행하는 경우, 각각의 액농도로서는 Sn2+ 농도가 50 내지 60(g/L), Bi3+ 농도가 3.0 내지 4.2 (g/L), 유리산 농도가 120 내지 160(g/L), 첨가제 농도가 20 내지 40(㎖/L) 사이로 도금액의 농도가 유지되도록 Bi의 관리를 한다. For example, when concentration control of the plating liquid of Sn: Bi = 97 (weight%): 3 (weight%) is carried out, Sn2 + concentration is 50-60 (g / L) and Bi3 + as each liquid concentration. Bi is managed so that the concentration of the plating liquid is maintained between 3.0 to 4.2 (g / L), free acid to 120 to 160 (g / L), and additive concentration to 20 to 40 (ml / L).

상기한 바와 같이, 라인 작업에 의한 작업 속도의 일정화, 또한 제1 도금 욕조(2) 및 제2 도금 욕조(3)에 있어서의 전류 밀도를 일정하게 유지할 수 있으므로, 제2 도금 욕조(3)의 제2 금속 재료인 Bi, Ag 및 Cu의 농도 관리도 용이해진다. 즉, 제2 도금 욕조(3)에서는 Bi, Ag 및 Cu의 제2 금속 재료를 정기적으로 보충함으로써 간단하게 농도 관리를 행할 수 있게 된다. 이 결과, 제2 도금 욕조(3)의 도금액의 금속 재료의 농도를 일정하게 유지할 수 있고, 제2 도금막(23)의 막 두께 및 도금막 조성을 균일하게 할 수 있다. As described above, since the work speed by the line work is constant, and the current density in the first plating bath 2 and the second plating bath 3 can be kept constant, the second plating bath 3 The concentration control of Bi, Ag and Cu, which are the second metal materials, is also facilitated. That is, in the 2nd plating bath 3, concentration management can be performed simply by refilling the 2nd metal material of Bi, Ag, and Cu regularly. As a result, the concentration of the metal material of the plating liquid of the second plating bath 3 can be kept constant, and the film thickness and the plating film composition of the second plating film 23 can be made uniform.

즉, 이 도금 방법에 있어서 제1 도금 욕조(2) 및 제2 도금 욕조(3)에 있어서의 전류 밀도를 최적 전류 밀도로 설정함으로써, 금속 석출 입경의 균일화 및 2층에 있어서의 막 두께 비율의 불규칙을 억제할 수 있다. 이에 의해, 라인 작업에 의한 작업 속도의 일정화 또한 일정 전류 밀도하에 있어서의 도금 방법에 있어서는 도금막 두께 t1, t2가, t1 > t2의 관계를 만족할 때, 도전 부재(21)가 제1 도금액 내를 이동하는 거리를 D1, 도전 부재(21)가 제2 도금액 내를 이동하는 거리를 D2라 했을 때, D1, D2는 D1 > D2의 관계가 성립하는 것이 명백하다. In other words, in this plating method, the current density in the first plating bath 2 and the second plating bath 3 is set to an optimum current density, so that the uniformity of the metal precipitation particle size and the film thickness ratio in the two layers are achieved. Irregularity can be suppressed. Thereby, in the plating method under constant current density and the work speed by the line work, when the plating film thickness t 1 , t 2 satisfies the relationship of t 1 > t 2 , the conductive member 21 is first, when a is the distance moved in the plating solution d 1, the conductive member 21, the distance moved in the second plating solution La d 2, d 1, d 2, is that the relationship d 1> d 2 is satisfied It is obvious.

또한, 도2는 제1 도금 욕조(2)와 제2 도금 욕조(3)의 관계를 도시하고 있다. 상기한 바와 같이, 도금막 두께 t1, t2가, t1 > t2의 관계를 만족할 때, 제1 도금 욕조의 작업 방향의 길이를 Z1, 제2 도금 욕조의 작업 방향의 길이를 Z2라 했을 때, 동일한 단면적(X1 × Y1 = X2 × Y2)이면, Z1, Z 2는, Z1 > Z2의 관계가 성립한다. 따라서, 도2에서도 명백한 바와 같이 제1 도금액의 액량을 V1(= X1 × Y1 × Z1), 제2 도금액의 액량을 V2(= X2 × Y2 × Z2)라 했을 때, V1 , V2는 V1 > V2의 관계가 성립하는 것이 명백해진다. 2 shows the relationship between the first plating bath 2 and the second plating bath 3. As described above, when the plating film thickness t 1 , t 2 satisfies the relationship t 1 > t 2 , the length of the working direction of the first plating bath is Z 1 , and the length of the working direction of the second plating bath is Z. When it is 2 , if the same cross-sectional area (X 1 × Y 1 = X 2 × Y 2 ), Z 1 and Z 2 have a relationship of Z 1 > Z 2 . Therefore, as is apparent from FIG. 2, when the liquid amount of the first plating liquid is V 1 (= X 1 × Y 1 × Z 1 ), and the liquid amount of the second plating liquid is V 2 (= X 2 × Y 2 × Z 2 ). , V 1 , V 2 becomes clear that the relationship of V 1 > V 2 holds.

즉, 제2 도금 욕조(3)의 도금액의 액량에 있어서, 제2 도금 욕조(3)의 도금액의 액량을 대폭으로 감소시킬 수 있다. 즉, 제2 도금 욕조(3)의 도금액 내에서는 제1 금속 재료인 Sn보다 고가인 Bi, Ag 및 Cu 중에서 사용되고 있는 제2 금속 재료의 사용량도 대폭으로 감소할 수 있어 비용 저감을 실현할 수 있다. That is, in the liquid amount of the plating liquid of the 2nd plating bath 3, the liquid amount of the plating liquid of the 2nd plating bath 3 can be reduced significantly. That is, in the plating liquid of the 2nd plating bath 3, the usage-amount of the 2nd metal material currently used in Bi, Ag, and Cu which is more expensive than Sn which is a 1st metal material can also be reduced significantly, and cost reduction can be realized.

또한, 본 발명의 다른 실시 형태에 대해 이하에 서술한다. Moreover, other embodiment of this invention is described below.

본 발명에서는 제1 도금 욕조(2)의 도금액 및 제2 도금 욕조(3)의 도금액에서는 각각의 금속 재료의 조성 비율은 다르지만, 액구성은 동일하다. 그로 인해, 도전 부재(21)를 제1 도금 욕조(2)의 도금액에 침지하여 제1 도금막(22)을 실시한 후, 연속하여 제2 도금 욕조(3)의 도금액에 침지하여 제2 도금막(23)을 실시할 수 있는 것에 특징을 갖는다. 그리고, 실시 형태에 관해서는 상기한 방법과 마찬가지이다. In the present invention, although the composition ratio of each metal material is different in the plating liquid of the 1st plating bath 2 and the plating liquid of the 2nd plating bath 3, the liquid structure is the same. Therefore, after conducting the first plating film 22 by immersing the conductive member 21 in the plating solution of the first plating bath 2, the second plating film is continuously immersed in the plating solution of the second plating bath 3. (23) can be implemented. In addition, about embodiment, it is the same as that of the said method.

예를 들어, 본 발명에서는 Sn-Bi액이 있다. 여기에서는, 제1 도금 욕조(2) 의 도금액 내에는 수% 정도의 Bi가 함유되어 있다. 이에 의해, 제1 도금막(22)의 표면에서는 위스커(바늘형 결정)가 현저하게 억제된다. 또한, 이 도금액의 농도 관리 방법으로서는 전술한 방법과 마찬가지로, Bi의 관리를 한다. For example, in the present invention, there is Sn-Bi liquid. Here, Bi in the order of several percent is contained in the plating liquid of the 1st plating bath 2. As a result, whiskers (needle crystals) are remarkably suppressed on the surface of the first plating film 22. As the concentration management method of the plating liquid, Bi is managed in the same manner as the above-described method.

즉, 제1 도금 욕조(2)의 도금액에서는 제2 도금 욕조(3)의 도금액으로 사용되는 Sn 이외의 금속 재료, Bi, Ag 및 Cu 중에서 선택되는 적어도 한 종류의 금속 재료를 수% 정도 함유한다. 이에 의해, 제1 도금막(22)의 표면의 위스커(바늘형 결정)를 현저하게 억제할 수 있다. That is, the plating liquid of the first plating bath 2 contains about several percent of at least one metal material selected from metallic materials other than Sn, Bi, Ag, and Cu, which are used as the plating liquid of the second plating bath 3. . Thereby, the whisker (needle crystal) of the surface of the 1st plating film 22 can be suppressed remarkably.

이상의 설명에서 명백한 바와 같이, 본 발명의 도금 방법에는 이하와 같은 효과를 볼 수 있다. As apparent from the above description, the following effects can be obtained in the plating method of the present invention.

첫째, 제1 도금액 및 제2 도금액의 구성은 각각의 도금액을 구성하는 제1 및 제2 금속 재료 및 그들을 용해시키는 산성 용제를 제외하고 동일한 액 구성이다. 그로 인해, 제1 도금액이 제2 도금액 내에 혼입하더라도 액 구성이 흐트러지지 않으며, 도전 부재에 다른 금속 재료의 또는 동일 금속 재료이지만 금속 재료의 조성비율이 다른 2층의 도금막을 연속하여 실시할 수 있다. 이 결과, 제1 도금막과 제2 도금막 사이의 작업인 물 세척용 욕조에 의한 세정을 생략할 수 있어 작업 공정 및 작업 시간의 단축을 도모할 수 있다. First, the structure of a 1st plating liquid and a 2nd plating liquid is the same liquid structure except the 1st and 2nd metal material which comprises each plating liquid, and the acidic solvent which melt | dissolves them. Therefore, even if the first plating liquid is mixed in the second plating liquid, the liquid constitution is not disturbed, and the conductive member can be successively provided with two layers of plating films of different metal materials or the same metal material but different in composition ratio of the metal materials. . As a result, the cleaning by the water washing tub which is the work between the first plating film and the second plating film can be omitted, and the work process and the working time can be shortened.

둘째, 제1 도금액 및 제2 도금액 내에 포함되는 제1 및 제2 금속 재료의 관리에 있어서, 우선 제1 도금액 및 제2 도금액의 구성은 각각의 도금액을 구성하는 제1 및 제2 금속 재료 및 이들을 용해시키는 산성 용제를 제외하고 동일한 액 구성 이다. 각각의 도금액의 제1 금속 재료인 Sn은 주로 애노드의 용해에 의해 농도 조정할 수 있다. 그로 인해, 제2 도금액에서는 Bi, Ag 및 Cu 중에서 사용되는 제2 금속 재료의 농도 관리를 정기적으로 행하면 좋으며, 도금액의 농도 관리가 용이해진다. Secondly, in the management of the first and second metal materials included in the first plating liquid and the second plating liquid, first, the configuration of the first plating liquid and the second plating liquid comprises the first and second metal materials constituting the respective plating liquids, and these. It is the same liquid composition except for the acid solvent to dissolve. Sn which is a 1st metal material of each plating liquid can adjust density | concentration mainly by melt | dissolution of an anode. Therefore, in the second plating liquid, the concentration management of the second metal material used in Bi, Ag, and Cu may be regularly performed, and the concentration management of the plating liquid becomes easy.

셋째, 자동 도금 장치를 이용함에 따른 작업 속도의 일정화, 전류 밀도의 일정화 및 제1 도금액과 제2 도금액의 제1 및 제2 금속 재료 및 그들을 용해시키는 산성 용제를 제외한 용액을 동일한 액 구성으로 했다. 그에 의해, 제2 도금막이 제1 도금막보다도 대폭 얇으므로 도전 부재가 제2 도금액에 침지하는 시간을 짧게 할 수 있다. 이 결과, 제2 도금 욕조의 액량을 대폭 감소할 수 있다. 이에 의해, 제2 도금액에 이용되는 제2 금속 재료인 Bi, Ag 및 Cu의 사용량도 대폭 감소시킬 수 있고, 그 결과 비용 저감을 실현할 수 있다. Third, the same liquid composition is used to make the working speed constant, the current density constant, and the first and second metal materials of the first plating liquid and the second plating liquid and the acidic solvent dissolving them by using the automatic plating apparatus. did. Thereby, since a 2nd plating film is much thinner than a 1st plating film, the time which an electrically-conductive member immerses in a 2nd plating liquid can be shortened. As a result, the amount of liquid of the second plating bath can be greatly reduced. Thereby, the usage-amount of Bi, Ag, and Cu which are 2nd metal materials used for a 2nd plating liquid can also be reduced significantly, and as a result, cost reduction can be realized.

넷째, 제1 도금 욕조의 도금액에서는 제2 도금 욕조의 도금액으로 사용되는 제1 금속 재료의 Sn 이외, Bi, Ag 및 Cu 중에서 선택되는 적어도 한 종류의 제2 금속 재료를 수% 정도 포함한다. 이에 의해, 제1 도금막 표면의 위커스(바늘형 결정)를 현저하게 억제할 수 있다. Fourth, in the plating liquid of the first plating bath, in addition to Sn of the first metal material used as the plating solution of the second plating bath, at least one kind of second metal material selected from Bi, Ag, and Cu is contained by about several percent. Thereby, the wicker (needle crystal) on the surface of the first plating film can be significantly suppressed.

다섯째, 이상의 도금 방법을 이용한 리드 및 반도체 장치에 있어서, 사용하는 도금액이 납을 포함하고 있지 않으므로, 인체나 환경에 악영향을 끼치는 일은 없다. 그리고, 제1 도금액과 제2 도금액의 금속 재료 및 이들을 용해시키는 산성 용제를 제외한 용액을 동일한 액 구성으로 한 것 또는 제1 도금액과 제2 도금액의 금속 재료의 조성 비율은 다르지만 금속 재료를 동일하게 함으로써 도금 품질의 향 상으로 이어진다. Fifth, in the lead and semiconductor device using the above plating method, since the plating liquid used does not contain lead, it does not adversely affect a human body or the environment. Then, the metal material of the first plating liquid and the second plating liquid and the solution except for the acidic solvent for dissolving them are the same liquid constitution or the composition ratio of the metal material of the first plating liquid and the second plating liquid is different, This leads to an improvement in plating quality.

Claims (11)

도전 부재를 제1 도금액, 제2 도금액에 차례로 침지하여 상기 도전 부재의 표면에 Sn 금속으로 이루어지는 제1 도금막과, 상기 Sn 금속과 Bi 금속의 합금, 상기 Sn 금속과 Ag 금속의 합금 또는 상기 Sn 금속과 Cu 금속의 합금으로 이루어지는 제2 도금막을 중첩하여 형성하는 도금 방법에 있어서, The conductive member is sequentially immersed in the first plating liquid and the second plating liquid to form a first plating film made of Sn metal on the surface of the conductive member, an alloy of Sn metal and Bi metal, an alloy of Sn metal and Ag metal, or the Sn In the plating method which overlaps and forms the 2nd plating film which consists of an alloy of a metal and Cu metal, 상기 제1 도금액은,The first plating solution, Sn 재료와,Sn material, 상기 Sn 재료를 용해시키는 용제와,A solvent for dissolving the Sn material, 유기산과,Organic acids, 첨가제와,With additives, 순수로 이루어지고,Made of pure water, 상기 제2 도금액은, The second plating liquid, 상기 제1 도금액과 동일 종류의 Sn 재료와,Sn material of the same kind as the first plating solution, 상기 Sn 재료를 용해시키는 상기 제1 도금액과 동일 종류의 용제와,A solvent of the same kind as the first plating solution for dissolving the Sn material, Bi 재료, Ag 재료 또는 Cu 재료 중으로부터 선택되는 1종류의 금속 재료와,1 type of metal material selected from Bi material, Ag material, or Cu material, 상기 금속 재료를 용해시키는 용제와,A solvent for dissolving the metal material; 상기 제1 도금액과 동일 종류의 유기산과,An organic acid of the same kind as the first plating solution, 상기 제1 도금액과 동일 종류의 첨가제와,An additive of the same kind as the first plating solution, 순수로 이루어지고,Made of pure water, 상기 도전 부재를 상기 제1 도금액에 침지시켜 상기 제1 도금막을 형성한 후, 상기 도전 부재를 물 세척하지 않고 상기 도전 부재에 상기 제1 도금액을 부착시킨 상태에서, 상기 도전 부재를 상기 제2 도금액에 침지시켜 상기 제2 도금막을 형성하는 도금 방법이며,After the conductive member is immersed in the first plating liquid to form the first plating film, the conductive member is attached to the second plating liquid in a state where the first plating liquid is attached to the conductive member without washing the conductive member with water. It is a plating method to form the second plating film by immersing in, 상기 제2 도금액에서는 상기 Bi 재료, Ag 재료 또는 Cu 재료 중으로부터 선택되는 1종류의 금속 재료의 농도 관리를 행하는 것을 특징으로 하는 도금 방법.The plating method according to claim 2, wherein the second plating solution controls the concentration of one metal material selected from the Bi material, Ag material or Cu material. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서, 상기 제2 도금액에서는 상기 제2 도금액 내에 설치된 Sn 용해성 전극의 용해 및 상기 제1 도금액의 유입에 의해 상기 Sn 재료의 보충을 행하는 것을 특징으로 하는 도금 방법.The plating method according to claim 1, wherein in the second plating liquid, the Sn material is replenished by dissolving the Sn soluble electrode provided in the second plating liquid and introducing the first plating liquid. 제1항 또는 제8항에 있어서, 상기 제1 도금액에서는 상기 제1 도금액 내에 설치된 Sn 용해성 전극의 용해에 의해 상기 Sn 재료의 보충을 행하는 것을 특징으로 하는 도금 방법.The plating method according to claim 1 or 8, wherein in the first plating solution, the Sn material is replenished by dissolution of a Sn soluble electrode provided in the first plating solution. 제1항 또는 제8항에 있어서, 상기 유기산에는 메탄술폰산 또는 프로파놀술폰산이 함유되고, 상기 용제에는 이소프로필 알코올이 함유되는 것을 특징으로 하는 도금 방법.The plating method according to claim 1 or 8, wherein the organic acid contains methanesulfonic acid or propanolsulfonic acid, and the solvent contains isopropyl alcohol. 제9항에 있어서, 상기 유기산에는 메탄술폰산 또는 프로파놀술폰산이 함유되고, 상기 용제에는 이소프로필 알코올이 함유되는 것을 특징으로 하는 도금 방법.The plating method according to claim 9, wherein the organic acid contains methanesulfonic acid or propanolsulfonic acid, and the solvent contains isopropyl alcohol.
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