KR20060134226A - 탄성 표면파 장치 및 이를 이용한 이동통신기기 및 센서 - Google Patents
탄성 표면파 장치 및 이를 이용한 이동통신기기 및 센서 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20060134226A KR20060134226A KR1020067025199A KR20067025199A KR20060134226A KR 20060134226 A KR20060134226 A KR 20060134226A KR 1020067025199 A KR1020067025199 A KR 1020067025199A KR 20067025199 A KR20067025199 A KR 20067025199A KR 20060134226 A KR20060134226 A KR 20060134226A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- surface acoustic
- acoustic wave
- saw
- electrode
- sample
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02637—Details concerning reflective or coupling arrays
- H03H9/02653—Grooves or arrays buried in the substrate
- H03H9/02661—Grooves or arrays buried in the substrate being located inside the interdigital transducers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
- H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
- H03H9/6433—Coupled resonator filters
- H03H9/6483—Ladder SAW filters
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02559—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of lithium niobate or lithium-tantalate substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02929—Means for compensation or elimination of undesirable effects of ageing changes of characteristics, e.g. electro-acousto-migration
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
Description
핑거 전극 간 피치 p(㎛) | 규격화 막 두께 h/λ(%) | 공진 주파수 f(MHz) | SAW 음속※ (m/s) | 삽입 손실 지표(dB) | 급준성 지표 | 억압도 지표(dB) | |
실시예시료 1 | 0.8 | 19.4 | 1891.4 | 3026.2 | -0.7 | 2184.9 | -4.6 |
비교 시료 1 | 1.06 | 6.0 | 1886.0 | 3998.3 | -1.1 | 2062.5 | -4.8 |
비교 시료 2 | 1.0 | 11.0 | 1884.9 | 3769.8 | -1.9 | 1613.8 | -5.5 |
공진자 | 핑거 전극 간 피치 p(㎛) | 규격화 막 두께 h/λ(%) | 공진 주파수 f(MHz) | SAW 음속※ (m/s) | 최소 삽입 손실(dB) | 형상 계수 (dB) | |
실시예시료 2 | 직렬 암 SAW 공진자 5 | 1.81 | 19.3 | 835.9 | 3026.0 | -2.1 | 1.4 |
병렬 암 SAW 공진자 6 | 1.86 | 18.4 | 813.5 | 3026.2 | |||
비교시료 3 | 직렬 암 SAW 공진자 5 | 2.4 | 9.9 | 836.3 | 4014.2 | -2.8 | 1.5 |
병렬 암 SAW 공진자 6 | 2.47 | 10.1 | 811.4 | 4008.3 |
압전기판 | 핑거 전극 간 피치 p(㎛) | 규격화 막 두께 h/λ(%) | 공진 주파수 f(MHz) | SAW 음속※ (m/s) | 삽입 손실 지표 (dB) | 급준성 지표 | |
실시예시료 3 | 36°LT판 | 0.8 | 19.8 | 1890.6 | 3025.0 | -0.7 | 2202.4 |
실시예시료 4 | 36°LT판 | 0.8 | 15.0 | 1890.6 | 3025.0 | -0.7 | 2202.4 |
실시예시료 5 | 36°LT판 | 0.8 | 2.7 | 1890.6 | 3025.0 | -1.2 | 2202.4 |
실시예시료 6 | 36°LT판 | 0.6 | 8.7 | 1890.6 | 2268.7 | -0.3 | 2208.3 |
비교 시료 4 | 42°LT판 | 1.1 | 10.0 | 1884.8 | 4146.6 | -0.8 | 2289.2 |
압전 기판 | 핑거 전극 간 피치 p(㎛) | 유전체 막 없음 | 유전체 막 있음 | 삽입 손실 지표 (dB) | 급준성 지표 | |||
공진 주파수 f(MHz) | SAW 음속※ (m/s) | 공진 주파수 f(MHz) | SAW 음속※ (m/s) | |||||
실시예 시료 7 | 36°LT판 | 0.8 | 1885.5 | 3016.7 | 1876.3 | 3002.1 | -1 | 2465.9 |
실시예시료 8 | 36°LT판 | 0.8 | 1848.4 | 2957.4 | 2484.2 | 3974.7 | -1.1 | 2191.7 |
비교 시료 5 | 36°LT판 | 1.06 | 1880.3 | 4001.3 | - | - | -2.6 | 2053.3 |
비료 시료 6 | 36°LT판 | 0.81 | 2465.7 | 4004.3 | - | - | -2.8 | 2097.7 |
Claims (10)
- 누설 탄성 표면파를 여기 전파하는 커트각으로 절단된 압전기판 위에 탄성 표면파 필터를 2개 조합하여 하나의 칩 위에 형성하여, 2개의 통과 대역을 갖는 필터 구성으로 한 탄성 표면파 장치로서,상기 탄성 표면파 필터는 각각 상기 압전기판 위에 1쌍의 서로 맞물린 핑거 전극을 갖는 인터 디지털 변환기 전극으로 이루어진 전극 패턴을 포함하는 탄성 표면파 공진자로 구성되고,2개의 통과 대역 중 저역측 통과 대역에 대응하는 탄성 표면파 필터는 누설 탄성 표면파를 이용한 탄성 표면파 공진자에 의해 구성되고,2개의 통과 대역 중 고역측 통과 대역에 대응하는 탄성 표면파 필터를 구성하는 상기 탄성 표면파 공진자는 상기 탄성 표면파 공진자의 공진 주파수를 f(Hz), 상기 압전기판을 전파하는 느린 횡파의 음속을 vb(m/s), 상기 압전기판 위에 형성된 상기 전극 패턴의 상기 핑거 전극의 피치를 p(m)로 하였을 때, 상기 핑거 전극의 피치(p)가 2×p≤vb/f의 관계를 만족하고, 상기 압전 기판을 전파하는 느린 횡파보다 느린 RSAW를 이용한 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
- 제 1항에 있어서,2개의 통과 대역 중 고역측 통과 대역에 대응하는 탄성 표면파 필터를 구성하는 상기 탄성 표면파 공진자의 상기 전극 패턴의 상기 핑거 전극이, 상기 핑거 전극의 피치(p)와 거의 같은 피치를 가지고 상기 압전 기판 표면에 설치된 단(段)부의 정상부에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
- 제 1항에 있어서,2개의 통과 대역 중 고역측 통과 대역에 대응하는 탄성 표면파 필터를 구성하는 상기 탄성 표면파 공진자의 상기 전극 패턴 위에 적어도 그 전극 패턴을 덮는 유전체막이 더 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
- 제 1항에 있어서,2개의 통과 대역 중 고역측 통과 대역에 대응하는 탄성 표면파 필터는 상기 탄성 표면파 필터를 구성하는 상기 탄성 표면파 공진자의 상기 전극 패턴 위에 더 형성된 유전체막을 포함하고,상기 유전체막을 형성하기 전의 상기 공진 주파수를 fbefore(Hz), 상기 유전체막을 형성한 후의 공진 주파수를 fafter(Hz), 상기 압전기판을 전파하는 느린 횡파의 음속을 vb(m/s), 상기 압전기판 위에 형성된 상기 전극 패턴의 상기 핑거 전극의 피치를 p(m)로 하였을 때, 상기 핑거 전극의 피치(p)가 2×p×fbefore ≤vb≤2×p×fafter의 관계를 만족하는 구성으로 한 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
- 제 1항에 있어서,2개의 통과 대역 중 고역측 통과 대역에 대응하는 탄성 표면파 필터의 상기 탄성 표면파 공진자의 상기 전극 패턴의 상기 핑거 전극이 알루미늄(Al)보다도 밀도가 큰 금속을 이용한 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
- 제 5항에 있어서,2개의 통과 대역 중 고역측 통과 대역에 대응하는 탄성 표면파 필터의 상기 탄성 표면파 공진자의 상기 전극 패턴의 상기 핑거 전극이 알루미늄(Al)보다도 밀도가 큰 금속으로 이루어진 제 1층과, 알루미늄(Al) 또는 알루미늄(Al)을 주체로 하는 금속으로 이루어진 제 2층을 갖는 적어도 2층 이상의 다층 구조의 전극인 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
- 제 1항에 있어서,상기 압전기판은 탈탄산리튬(LiTaO3) 단결정인 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
- 제 7항에 있어서, 상기 탈탄산리튬(LiTaO3) 단결정으로 이루어진 상기 압전기판은 상기 탈탄산리튬(LiTaO3) 단결정의 X축을 중심으로, Y축으로부터 Z축 방향으로 26도이상, 50도 이하의 범위의 각도로 회전시킨 방위로 절단된 커트면을 갖는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
- 제 1항에 있어서,상기 압전기판은 니오브산리튬(LiNbO3) 단결정인 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
- 제 9항에 있어서,상기 니오브산리튬(LiNbO3) 단결정으로 이루어진 상기 압전기판은 상기 니오브산리튬(LiNbO3) 단결정의 X축 방향을 중심으로, Y축으로부터 Z축 방향으로 50도 이상 80도 이하의 범위의 각도로 회전시킨 방위로 절단된 커트면을 갖는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2002-00111715 | 2002-04-15 | ||
JP2002111715 | 2002-04-15 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR10-2003-7017170A Division KR20040030002A (ko) | 2002-04-15 | 2003-04-14 | 탄성 표면파 장치 및 이를 이용한 이동통신기기 및 센서 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20060134226A true KR20060134226A (ko) | 2006-12-27 |
KR100814005B1 KR100814005B1 (ko) | 2008-03-14 |
Family
ID=29243288
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020067025199A KR100814005B1 (ko) | 2002-04-15 | 2003-04-14 | 탄성 표면파 장치 및 이를 이용한 이동통신기기 및 센서 |
KR10-2003-7017170A KR20040030002A (ko) | 2002-04-15 | 2003-04-14 | 탄성 표면파 장치 및 이를 이용한 이동통신기기 및 센서 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR10-2003-7017170A KR20040030002A (ko) | 2002-04-15 | 2003-04-14 | 탄성 표면파 장치 및 이를 이용한 이동통신기기 및 센서 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7109828B2 (ko) |
EP (1) | EP1401099B1 (ko) |
JP (2) | JPWO2003088483A1 (ko) |
KR (2) | KR100814005B1 (ko) |
CN (1) | CN100576738C (ko) |
WO (1) | WO2003088483A1 (ko) |
Families Citing this family (44)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10206369B4 (de) * | 2002-02-15 | 2012-12-27 | Epcos Ag | Elektrodenstruktur mit verbesserter Leistungsverträglichkeit und Verfahren zur Herstellung |
KR100814005B1 (ko) * | 2002-04-15 | 2008-03-14 | 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 | 탄성 표면파 장치 및 이를 이용한 이동통신기기 및 센서 |
JP2004254291A (ja) * | 2003-01-27 | 2004-09-09 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波装置 |
JP3894917B2 (ja) * | 2003-11-12 | 2007-03-22 | 富士通メディアデバイス株式会社 | 弾性境界波デバイス及びその製造方法 |
WO2005060094A1 (ja) * | 2003-12-16 | 2005-06-30 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性境界波装置 |
WO2005099091A1 (ja) * | 2004-04-08 | 2005-10-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性境界波フィルタ |
JP2006203839A (ja) * | 2005-01-23 | 2006-08-03 | Kazuhiko Yamanouchi | 温度高安定薄膜構造弾性表面波基板とその基板を用いた弾性表面波機能素子 |
JP4466655B2 (ja) * | 2005-05-20 | 2010-05-26 | 株式会社村田製作所 | 弾性境界波装置 |
JP2008235950A (ja) * | 2005-05-26 | 2008-10-02 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性境界波装置 |
WO2007094368A1 (ja) * | 2006-02-16 | 2007-08-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 弾性表面波デバイス、およびこれを用いた弾性表面波フィルタとアンテナ共用器、並びにこれを用いた電子機器 |
WO2009025055A1 (ja) * | 2007-08-23 | 2009-02-26 | Fujitsu Limited | 弾性波フィルタ、それを用いたデュプレクサおよびそのデュプレクサを用いた通信機 |
WO2009078089A1 (ja) * | 2007-12-17 | 2009-06-25 | Fujitsu Limited | 弾性波素子、通信モジュール、および通信装置 |
JP4591800B2 (ja) * | 2008-02-20 | 2010-12-01 | エプソントヨコム株式会社 | 弾性表面波デバイスおよび弾性表面波発振器 |
EP2403141B1 (en) | 2009-02-27 | 2018-10-24 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave resonator, surface acoustic wave oscillator, and electronic device |
US8698578B2 (en) | 2009-05-27 | 2014-04-15 | Panasonic Corporation | Acoustic wave resonator and duplexer using same |
CN101633891B (zh) * | 2009-08-28 | 2012-07-11 | 中国人民解放军第三军医大学第一附属医院 | 漏声表面波核酸传感器杂交反应终点的判定方法 |
WO2011156037A2 (en) | 2010-03-16 | 2011-12-15 | The Penn State Research Foundation | Methods and apparatus for ultra-sensitive temperature detection using resonant devices |
JP5678486B2 (ja) | 2010-06-17 | 2015-03-04 | セイコーエプソン株式会社 | 弾性表面波共振子、弾性表面波発振器および電子機器 |
DE102010034121A1 (de) | 2010-08-12 | 2012-02-16 | Epcos Ag | Mit akustischen Wellen arbeitendes Bauelement mit reduziertem Temperaturgang der Frequenzlage und Verfahren zur Herstellung |
JP5934464B2 (ja) | 2010-08-26 | 2016-06-15 | セイコーエプソン株式会社 | 弾性表面波共振子、および弾性表面波発振器、ならびに電子機器 |
JP2012060420A (ja) | 2010-09-09 | 2012-03-22 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波デバイス、電子機器及びセンサー装置 |
JP2012060419A (ja) * | 2010-09-09 | 2012-03-22 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波デバイス、電子機器及びセンサー装置 |
DE102011011377B4 (de) | 2011-02-16 | 2016-05-25 | Epcos Ag | Mit akustischen Wellen arbeitendes Bauelement |
JP2013102418A (ja) | 2011-10-18 | 2013-05-23 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 弾性表面波素子及び電子部品 |
CN103891139B (zh) | 2011-10-24 | 2016-08-24 | 株式会社村田制作所 | 弹性表面波装置 |
FR3005167B1 (fr) * | 2013-04-30 | 2016-09-30 | Senseor | Systeme d'interrogation d'un capteur passif interrogeable a distance integre dans une cavite metallique a bilan energetique optimise et procede d'interrogation |
JP6284800B2 (ja) * | 2014-03-26 | 2018-02-28 | 太陽誘電株式会社 | 弾性表面波デバイス及びフィルタ |
JP6344161B2 (ja) * | 2014-09-03 | 2018-06-20 | 株式会社村田製作所 | ラダー型フィルタ及びデュプレクサ |
US10361677B2 (en) | 2016-02-18 | 2019-07-23 | X-Celeprint Limited | Transverse bulk acoustic wave filter |
US10200013B2 (en) * | 2016-02-18 | 2019-02-05 | X-Celeprint Limited | Micro-transfer-printed acoustic wave filter device |
WO2018079284A1 (ja) * | 2016-10-28 | 2018-05-03 | 株式会社村田製作所 | ラダー型フィルタ、デュプレクサ及び弾性波フィルタ装置 |
US10804880B2 (en) | 2018-12-03 | 2020-10-13 | X-Celeprint Limited | Device structures with acoustic wave transducers and connection posts |
WO2019065863A1 (ja) * | 2017-09-29 | 2019-04-04 | 株式会社村田製作所 | マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置 |
US10756697B2 (en) * | 2018-06-15 | 2020-08-25 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator |
US20210391844A1 (en) * | 2018-06-15 | 2021-12-16 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator |
US10917072B2 (en) * | 2019-06-24 | 2021-02-09 | Resonant Inc. | Split ladder acoustic wave filters |
US11482979B2 (en) | 2018-12-03 | 2022-10-25 | X Display Company Technology Limited | Printing components over substrate post edges |
US11528808B2 (en) | 2018-12-03 | 2022-12-13 | X Display Company Technology Limited | Printing components to substrate posts |
US20210002128A1 (en) | 2018-12-03 | 2021-01-07 | X-Celeprint Limited | Enclosed cavity structures |
US11274035B2 (en) | 2019-04-24 | 2022-03-15 | X-Celeprint Limited | Overhanging device structures and related methods of manufacture |
US10790173B2 (en) | 2018-12-03 | 2020-09-29 | X Display Company Technology Limited | Printed components on substrate posts |
JP7168009B2 (ja) * | 2019-01-31 | 2022-11-09 | 株式会社村田製作所 | 弾性波デバイスおよびマルチプレクサ |
JP7421557B2 (ja) * | 2019-07-30 | 2024-01-24 | 京セラ株式会社 | 弾性波装置及び通信装置 |
WO2023136293A1 (ja) * | 2022-01-13 | 2023-07-20 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4150346A (en) | 1977-11-09 | 1979-04-17 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Acoustic periodic structure |
JPH01174751A (ja) * | 1987-12-28 | 1989-07-11 | Ooshika Shinko Kk | 柱または梁構成部材及びその連結方法 |
JPH0715274A (ja) * | 1991-06-02 | 1995-01-17 | Kazuhiko Yamanouchi | 高安定高結合弾性表面波基板を用いた高周波弾性表 面波フィルタ及び弾性表面波機能素子 |
JP3196474B2 (ja) * | 1993-01-14 | 2001-08-06 | 株式会社村田製作所 | 表面波装置 |
JP3395298B2 (ja) * | 1993-11-29 | 2003-04-07 | 株式会社村田製作所 | 表面波装置 |
JP3358688B2 (ja) * | 1995-04-10 | 2002-12-24 | 三洋電機株式会社 | 弾性表面波素子 |
JP3285469B2 (ja) * | 1995-07-11 | 2002-05-27 | 株式会社日立製作所 | 弾性表面波装置 |
JPH09167936A (ja) | 1995-10-13 | 1997-06-24 | Fujitsu Ltd | 弾性表面波装置 |
JPH10247835A (ja) * | 1997-03-03 | 1998-09-14 | Kokusai Electric Co Ltd | ラブ波型弾性表面波デバイス |
JPH1174751A (ja) | 1997-08-28 | 1999-03-16 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波装置 |
JP3951379B2 (ja) | 1997-09-24 | 2007-08-01 | 株式会社村田製作所 | 表面波装置 |
JP3712035B2 (ja) * | 1999-04-28 | 2005-11-02 | 株式会社村田製作所 | 表面波装置の製造方法 |
JP3391309B2 (ja) | 1999-09-02 | 2003-03-31 | 株式会社村田製作所 | 表面波装置及び通信機装置 |
KR100814005B1 (ko) * | 2002-04-15 | 2008-03-14 | 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 | 탄성 표면파 장치 및 이를 이용한 이동통신기기 및 센서 |
-
2003
- 2003-04-14 KR KR1020067025199A patent/KR100814005B1/ko active IP Right Grant
- 2003-04-14 US US10/482,442 patent/US7109828B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-04-14 KR KR10-2003-7017170A patent/KR20040030002A/ko active Search and Examination
- 2003-04-14 EP EP03746476A patent/EP1401099B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-04-14 JP JP2003585283A patent/JPWO2003088483A1/ja active Pending
- 2003-04-14 WO PCT/JP2003/004692 patent/WO2003088483A1/ja active Application Filing
- 2003-04-14 CN CN03800554A patent/CN100576738C/zh not_active Expired - Lifetime
-
2006
- 2006-12-04 JP JP2006326760A patent/JP4552931B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1401099A4 (en) | 2010-06-30 |
WO2003088483A1 (fr) | 2003-10-23 |
CN100576738C (zh) | 2009-12-30 |
US7109828B2 (en) | 2006-09-19 |
EP1401099B1 (en) | 2012-06-06 |
KR100814005B1 (ko) | 2008-03-14 |
JPWO2003088483A1 (ja) | 2005-08-25 |
CN1522492A (zh) | 2004-08-18 |
JP2007074754A (ja) | 2007-03-22 |
EP1401099A1 (en) | 2004-03-24 |
KR20040030002A (ko) | 2004-04-08 |
US20040174233A1 (en) | 2004-09-09 |
JP4552931B2 (ja) | 2010-09-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100814005B1 (ko) | 탄성 표면파 장치 및 이를 이용한 이동통신기기 및 센서 | |
US7423365B2 (en) | Surface acoustic wave device | |
US11469736B2 (en) | Acoustic wave device, filter, multiplexer, radio-frequency front-end circuit, and communication device | |
US7692515B2 (en) | Low-loss electro-acoustic component | |
US8035460B2 (en) | Surface acoustic wave device, surface acoustic wave filter and antenna duplexer using the same, and electronic equipment using the same | |
US7855619B2 (en) | Electronic part and electronic equipment with electronic part | |
CN116488605A (zh) | 弹性波装置、高频前端电路以及通信装置 | |
WO2005125005A1 (ja) | Sawデバイスとこれを用いた装置 | |
US10958241B2 (en) | Extractor | |
JP3391309B2 (ja) | 表面波装置及び通信機装置 | |
US20210152153A1 (en) | Acoustic wave element, acoustic wave filter, multiplexer, and communication apparatus | |
JP7278305B2 (ja) | 弾性波装置、分波器および通信装置 | |
JP5025963B2 (ja) | 電子部品とその製造方法及びこの電子部品を用いた電子機器 | |
CN113206653B (zh) | 弹性波滤波器 | |
US11962287B2 (en) | Acoustic wave filter | |
US20060131992A1 (en) | One-port surface acoustic wave resonator and surface acoustic wave filter | |
Matsuda et al. | High-frequency SAW duplexer with low-loss and steep cut-off characteristics | |
CN116346081A (zh) | 一种声表面波滤波器及滤波元件 | |
JPH09232908A (ja) | 弾性表面波フィルタ | |
US6838807B2 (en) | Surface acoustic wave device suitable for use in GHz band | |
CN114128143A (zh) | 具有减少的寄生模式的硅衬底上的薄膜litao3saw谐振器 | |
JP2000151355A (ja) | ラダー型sawフィルタ | |
WO2023176814A1 (ja) | ラダー型フィルタ、モジュール及び通信装置 | |
WO2024034528A1 (ja) | 弾性波装置、複合フィルタ及び通信装置 | |
US20240235523A9 (en) | Acoustic wave element, acoustic wave filter device, and multiplexer |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A107 | Divisional application of patent | ||
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120223 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130219 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141120 Year of fee payment: 7 |
|
R401 | Registration of restoration | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150226 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160224 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170307 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180228 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190227 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20200227 Year of fee payment: 13 |