KR20060109960A

KR20060109960A - 실리콘 조성물 및 인쇄 또는 성형 패턴의 박리 또는 전사의제어에 있어서 이의 용도, 및 이에 따른 전사방법

Info

Publication number: KR20060109960A
Application number: KR1020067012514A
Authority: KR
Inventors: 로버트 이클랜드; 디미트리스 켓서울리스; 비중 주
Original assignee: 다우 코닝 코포레이션
Priority date: 2003-12-22
Filing date: 2004-10-22
Publication date: 2006-10-23
Also published as: JP2007517934A; EP1699889A1; DE602004029088D1; US20070020468A1; CN100554354C; KR101200293B1; WO2005068569A1; JP4740877B2; EP1699889B1; ATE480601T1; US7563515B2; CN1898349A

Abstract

본 발명은 분리층으로서 조성물을 포함하는 이층 또는 다층 구조물 및 사이에 샌드위치된 상이한 물질의 패턴이 분리되는 경우에 박리가 일어나는 계면을 조절하는 데 사용할 수 있는 실리콘 조성물에 관한 것이다. 본 발명은 추가로 기판에 부착되어 있는 패턴의 전사 또는 박리를 조절하기 위해 당해 조성물을 사용하는 방법에 관한 것이다.

분리층, 이층 또는 다층 구조물, 샌드위치된 상이한 물질의 패턴, 계면, 실리콘 조성물, 패턴의 전사 또는 박리

Description

실리콘 조성물 및 인쇄 또는 성형 패턴의 박리 또는 전사의 제어에 있어서 이의 용도, 및 이에 따른 전사방법{Silicone compositions and their use in controlling the release or transfer of printed or molded patterns and transferring processes therefore}

설명

수많은 패턴화 공정에서, 특정 계면에서 제어 박리는 기판 내에 또는 기판 위에 제조되는 패턴의 형태 및 위치를 제어할 수 있는 것이 바람직하다. 적용 예로는 경화시에 폴리디메틸실록산이 예정된 계면에서 박리되어야 하며, 따라서 마이크로 채널의 형태, 크기 및 위치가 조절될 수 있는 경우, 미세유체 장치를 제조하기 위해 대부분의 부드러운 리소그래피 공정을 포함한다.

데칼 트랜스퍼 마이크로프린팅 방법(The Decal Transfer Microprinting method)은 문헌[참조: William R Childs and Ralph G. Nuzzo in an article entitled "Decal transfer microlithography: A new soft-lithographic patterning method" in the Journal of the American Chemical Society, 124 (45), pp. 13583-13596 (2002)]에 기재되어 있다. 이 문헌에서, 차일즈(Childs) 및 누초(Nuzzo)는 지지층에 형성된 폴리디메틸실록산 패턴을 언급하며, 당해 패턴은 결국 엔지니어링된 접착 및 박리에 의해 영구적으로 기판에 전사된다. 이러한 접착 및 박리는 열 및/또는 자외선 오존 처리에 의해 달성된다. 자외선 오존 처리의 특성은 환경적인 노출 조건이 이 공정에서 중요한 변수로 된다는 점이다. 이 공정의 본질적인 특성은 특정 계면에서의 제어 박리이다. 특성화된 계면에서 박리를 엔지니어링하기 위해 열 또는 자외선 오존 처리를 필요로 하지 않는 시스템을 갖는 것이 바람직하다.

전도성 중합체 폴리아닐린을 패턴화하는 데 사용되는 모세관 마이크로 콘택트 프린팅은 문헌[참조: Weng Sing Beh, In Tae Kim, Dong Qin, Younan Xia, and George M. Whitesides in an article entititled "Formation of patterned microstructures of conducting polymers by soft lithography and applications in microelectronic device fabrication", Advanced Materials, 11 (12), pp. (1999)]에 기재되어 있다. 이 문헌에는 숙련가를 통해 성형에 의해 폴리디메틸실록산 표면에 형성되어 있는 릴리프 패턴이 언급되며, 폴리디메틸실록산은 채널 네트웍을 형성하기 위해 기판에 위치한다. NMP에서 폴리아닐린 에메랄드 기재가 채널의 개방 말단에 위치하는 경우, 당해 용액은 모세관력에 의해 채널로 도입된다. 용매 증발, 건조 및 폴리디메틸실록산 금형의 제거시에, 폴리아닐린 에메랄딘이 HCl을 사용하여 도핑시킴으로써 전도성 폴리아닐린 에메랄딘으로 전환된다. 이 공 정에서, 폴리아닐린 표면 및 기판 표면으로부터 박리되는 폴리디메틸실록산의 주어진 특성은 회로를 가능하게는 기판 표면에 제조할 수 있다. 그러나, 이와 같은 공정은 폴리디메틸실록산과 폴리아닐린의 계면에서의 박리과 폴리아닐린과 기판 사이의 계면에서의 박리간에 용이하게 전환된다.

덩(Deng) 등은 문헌[참조: "Prototyping of masks, masters, and for soft lithography using an office printer and photographic reduction", Analytical Chemistry, 72 (14), pp. 3176-3180 (2000)]에서 박리 공정을 언급한다. 기재된 공정은 종이 위에 패턴을 인쇄하기 위해 CAD 소프트웨어와 함께 저렴한 오피스 레이저 프린터를 사용한다. 폴리디메틸실록산은 필름 및 현상 상으로부터 박리되며, 패턴을 복제하고, 소프트 리소그래피 공정용 스탬프 및 금형으로서 사용된다.

미국 특허 제6,280,552호에서 보타리(Bottari)는 스크린 패널을 터치하기 위한 인쇄 에지 전극의 제어 박리의 용도를 언급한다. 이 공정에서 전극은 데칼 페이퍼(decal paper) 위에 인쇄되고 오버 코트로 피복된다. 데칼 페이퍼는 제거되고 전극은 터치 스크린으로 전사된다.

이러한 모든 공정에서, 박리는 재료 조성물에 의해 예정된 하나의 특정 계면에서 발생한다. 박리 메카니즘 중 일부는 열 또는 자외선에 노출시켜 트리거링되어야 하며, 또 이중 일부는 과감하게 상이한 재료들의 상이한 표면 특성에 의존한다. 기판 표면에 이를 부착시키기 위해 폴리디메틸실록산/폴리아닐린 계면으로부터 박리시키는 대신에 기판 상부의 성형 중합체에서 삽입된 전도성 경로를 제공하기 위해 폴리아닐린/기판 계면으로부터 박리시키는 이러한 공정의 역반응은 재료에 서의 과감한 변화를 요구하며, 따라서 다른 특성이 변한다.

결과적으로, 성형 중합체와 기판이 분리되는 경우, 기판 상부의 성형 중합체와 기판 사이에 위치하는 패턴의 박리 또는 전사의 보다 우수하고 보다 편리한 가역적 제어가 요구되고 있다. 기판 및 성형 중합체의 기계적, 광학적, 전기적 및 기타 특성이 최소로 변화된 이러한 제어를 달성할 수 있는 것이 바람직하다.

본 발명은 인쇄 또는 성형 패턴의 전사를 제어하기 위한 실리콘 조성물 및 방법에 관한 것이다. 제3 물질의 패턴이 분리되어 이러한 경화 실리콘 조성물 사이에 위치하는 경우, 계면 박리는 쌍이 분리되는 경우 쌍 중의 하나의 조성물과 패턴 사이의 계면에서만 발생한다. 이는 패턴의 표면 특성이 고성능으로 복제되거나, 패턴이 한 조성물의 표면으로부터 다른 조성물의 표면으로 깨끗하게 전사되는지의 여부에 대한 정확한 조절을 허용한다. 전자제품, 미세유체 및 광학 장치 제조공정과의 이러한 친밀성은 경제적으로 기능적인 전기 및 광학 회로, 삽입된 3차원 구조의 2차원 및 3차원 채널 네트웍 등을 제조하기 위해 당해 조성물에 의해 가능해진 이러한 공정의 유용성을 이해한다. 당해 조성물은 우선 실리콘을 기본으로 하며, 이러한 특성의 변화가 최소화하는 데 필수적인 경우 특히 그러하다. 그러나, 유기 중합체는 또한 당해 중합체내에 포함될 수 있다.

따라서, 본 발명은

R² ₃SiO_1/2 단위 및 SiO_4/2 단위를 포함하는 오가노실록산 화합물(i)(여기서, R² ₃SiO_1/2 단위 대 SiO_4/2 단위의 몰 비는 0.05 대 4.0이다),

R² ₃SiO_1/2 단위 및 R¹SiO_3/2 단위를 포함하는 오가노실록산 화합물(ii)(여기서, R² ₃SiO_1/2 단위 대 R¹SiO_3/2 단위의 몰 비는 0.05 대 3.0이다),

R² ₃SiO_1/2 단위, R¹SiO_3/2 단위 및 SiO_4/2 단위를 포함하는 오가노실록산 화합물(iii)(여기서, R² ₃SiO_1/2 단위 대 R¹SiO_3/2 단위의 몰 비는 0.05 대 3.0이고, 배합된 R² ₃SiO_1/2 단위 및 R¹SiO_3/2 단위 대 SiO_4/2 단위의 몰 비는 4 대 99이다),

R² ₂SiO_1/2 단위, R¹SiO_3/2 단위 및 R² ₂SiO_2/2 단위를 포함하는 오가노실록산 화합물(iv)(여기서, R² ₃SiO_1/2 단위 대 R¹SiO_3/2 단위의 몰 비는 0.05 대 3.0이고, 배합된 R² ₃SiO_1/2 단위 및 R¹SiO_3/2 단위 대 R² ₂SiO_2/2 단위의 몰 비는 0.5 대 99이다),

R² ₂SiO_2/2 단위 및 R¹SiO_3/2 단위를 포함하는 오가노실록산 화합물(v)(여기서, R² ₂SiO_2/2 단위 대 R¹SiO_3/2 단위의 몰 비는 0.2 대 4.0이다),

R² ₂SiO_2/2 단위 및 R² ₃SiO_1/2 단위를 포함하는 오가노실록산 화합물(vi)(여기서, R² ₂SiO_2/2 단위 대 R² ₃SiO_1/2 단위의 몰 비는 0 대 15,000이다) 및

R² ₂SiO_2/2 단위, R² ₃SiO_1/2 단위 및 SiO_2/2 단위를 포함하는 오가노실록산 화합물(vii)(여기서, SiO_2/2 단위 대 배합된 R² ₂SiO_2/2 단위 및 R² ₃SiO_1/2 단위의 몰 비는 0.005 대 0.125이고, R¹은 지방족 불포화를 갖지 않는 탄화수소 그룹이고, R²는 R¹ 및 알케닐 그룹으로부터 선택된다)로부터 선택되며, 1분자당 평균 2개 이상의 알케닐 그룹을 함유하며 규소 결합된 하이드록시 그룹을 1.5mol% 이하 갖는 하나 이상의 오가노실록산 화합물(A) 100중량부,

화학식 HR³ ₂SiR⁴SiR³ ₂H의 오가노하이드로겐실란 화합물(i)(여기서, R³은 지방족 불포화를 갖지 않는 탄화수소 그룹이고, R⁴는 2가 탄화수소 그룹이다) 및

화학식 (HR³ _aSiO_(3-a)/2)_b(R¹ _cSiO_(4-c)/2)_d의 오가노하이드로겐실록산 화합물(ii)(여기서, R¹ 및 R³은 위에서 정의한 바와 같고, a는 1≤a≤2이고, c는 0≤c≤3이고, b와 d의 합은 134 내지 75,000의 분자량을 제공하며, 1분자당 2개 이상의 SiH 그룹이 존재한다)로부터 선택된, 성분(A)를 가교결합하기에 충분한 양의 하나 이상의 오가노하이드로겐실리콘 화합물(B),

촉매량의 하이드로실릴화 촉매(C) 및

임의로 무기 충전제(D)를 반응시킴을 포함하는 방법으로 수득한 실리콘 조성물(X)을 포함하는 제1 피복층(I), 및

R² ₂SiO_2/2 단위 및 R² ₃SiO_1/2 단위를 포함하는 오가노실록산 화합물(i)(여기서, R² ₂SiO_2/2 단위 및 R² ₃SiO_1/2 단위의 몰 비는 0 대 15,000이다) 및

R² ₃SiO_1/2 단위 및 SiO_4/2 단위를 포함하는 오가노실록산 화합물(ii)(여기서, R² ₃SiO_1/2 단위 대 SiO_4/2 단위의 몰 비는 0.05 대 4.0이고, R²는 지방족 불포화를 갖지 않는 탄화수소 그룹 및 알케닐 그룹으로부터 선택된다)로부터 선택되며, 1분자당 평균 2개 이상의 알케닐 그룹을 함유하며 규소 결합된 하이드록시 그룹을 1.5mol% 이하 갖는 하나 이상의 오가노실록산 화합물(A') 100중량부,

화학식 HR³ ₂SiR⁴SiR³ ₂H의 오가노하이드로겐실란 화합물(i) 및

화학식 (HR³ _aSiO_(3-a)/2)_b(R¹ _cSiO_(4-c)/2)_d의 오가노하이드로겐실록산 화합물(ii)(여기서, R¹ 및 R³은 각각 독립적으로 지방족 불포화를 갖지 않는 탄화수소 그룹이고, R⁴는 2가 탄화수소 그룹이고, a는 1≤a≤2이고, c는 0≤c≤3이고, b와 d의 합은 134 내지 75,000의 분자량을 제공하며, 1분자당 2개 이상의 SiH 그룹이 존재한다)로부터 선택된, 성분(A')을 가교결합하기에 충분한 양의 하나 이상의 오가노하이드로겐실리콘 화합물(B'),

촉매량의 하이드로실릴화 촉매(C') 및

임의로 무기 충전제(D')를 반응시킴을 포함하는 방법으로 수득한 실리콘 조성물(Y)을 포함하고 제1 피복층(I)과 접촉되어 있는 제2 피복층(II)을 포함[여기서, ₂SiO₂ _/2 단위 대 결합된 모든 기타 단위의 몰 비는 조성물(X)에서보다 조성물(Y)에서 더 높으며, 조성물(Y)의 표면 에너지는 조성물(X)의 표면 에너지보다 낮다]하는 실리콘 피복 조성물에 관한 것이다.

본원에서 사용되는 "반응"은 실온(20-25℃)에서 각각 성분(A)-(C), 성분(A')-(C') 및 기타 임의의 성분들을 혼합하거나, 200℃ 이하의 온도와 같은 위에서 언급한 실온으로 성분(A')-(C') 및 기타 임의의 성분들을 포함하는 혼합물을 가열함을 의미한다. 성분(X) 및 성분(Y)은 각각 성분(A)-(C), (A')-(C') 및 기타 임의의 성분들을 혼합(또는 기계적으로 진탕)한 다음, 균질 혼합물을 형성함으로써 제조할 수 있다. 이는 스파튤라, 기계적 교반기, 배플 및/또는 블레이드를 포함하는 인-라인 혼합 시스템, 파워 인-라인 혼합기, 균질화기, 드럼 롤러, 3롤 밀, 시그마 블레이드 혼합기, 빵 덩어리 혼합기 및 2롤 밀에 의해 예시된 분야에서 공지된 임의의 편리한 혼합 방법으로 달성될 수 있다. 혼합 순서는 중요하지 않다고 생각된다. 성분(A)-(C), 성분(A')-(C') 및 기타 임의의 성분들은 점성 부재 시간이 짧은 경우 도포 동안에 예비혼합되고 도포 또는 혼합될 수 있다.

위의 성분(X) 및 성분(Y)에서, 지방족 불포화를 갖지 않는 탄화수소 그룹은 알킬 그룹, 예를 들면, 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 펜틸, 헥실, 옥틸, 데실, 도데실, 및 아릴 그룹, 예를 들면, 페닐, 나프틸, 벤질, 톨릴, 크실릴, 크세닐, 메틸페닐, 2-페닐에틸, 2-페닐-2-메틸에틸, 클로로페닐, 브로모페닐 및 플루오로페닐로 예시된다. 지방족 불포화를 갖지 않는 탄화수소 그룹은 전형적으로 비닐이다. 위의 조성물(X) 및 조성물(Y)에서 2가 탄화수소 그룹은 -(CH₂)_x-(여기서, x는 2 내지 10의 값을 갖는다), -CH₂CH(CH₃)-, -CH₂CH(CH₃)CH₂- 및 -CH₂CH₂CH(CH₂CH₃)CH₂CH₂CH₂-로부터 선택된 알킬렌 그룹으로 예시된다.

성분(A)은 전형적으로 ViMe₂SiO_1/2 단위 및 PhSiO_3/2 단위를 포함하는 오가노실록산 화합물(여기서, ViMe₂SiO_1/2 단위 대 PhSiO_3/2 단위의 몰 비는 0.05 대 3.0이다)로 예시된다. 성분(A)은 화학식 (ViMe₂SiO_1/2)₂₅(PhSiO_3/2)₇₅의 오가노실록산으로 예시된다.

성분(B)은 전형적으로 화학식 HMe₂Si-Ph-SiMe₂H의 오가노하이드로겐실란 화합물로 예시된다.

성분(A')은 전형적으로 (ViMe₂SiO_1/2) 단위, (Me₃SiO_1/2) 단위, (Me₂SiO_2/2) 단위 및 (SiO₂) 단위[여기서, (ViMe₂SiO_1/2) 단위 및 (Me₃SiO_1/2) 단위 대 (Me₂SiO_2/2) 단위의 비가 1/10000 대 1/5이고, (Me₂SiO_2/2) 단위 대 (SiO₂) 단위의 비는 100/1 대 1/4이다. 성분(A')은 화학식 (ViMe₂SiO_1/2)₂(Me₃SiO_1/2)₁₅(Me₂SiO_2/2)₈₁(SiO₂)₂₂을 갖는 오가노실록산 화합물로 나타낸다.

성분(B')은 전형적으로 화학식 Me₃SiO(Me₂SiO)_x(MeHSiO)_ySiMe₃의 오가노하이드로겐실록산 화합물(여기서, x와 y의 합은 134 내지 75,000의 분자량을 제공하며, 1 분자당 2개 이상의 SiH 그룹이 존재한다)로 예시된다. 성분(B')은 Me₃SiO(Me₂SiO)₃(MeHSiO)₅SiMe₃의 오가노하이드로겐실록산 화합물로 예시된다.

성분(C) 및 성분(C')의 하이드로실릴화 촉매는 각각 성분(B) 및 성분(B')의 규소 결합된 수소원자의 반응을 촉진시키는 임의의 금속 함유 촉매와 각각 성분(A) 및 성분(A')의 규소 결합된 알케닐 그룹으로 예시된다. 금속은 루테늄, 로듐, 팔라듐, 오스뮴, 이리듐 또는 백금으로 예시된다.

금속 함유 촉매는 전형적으로 가장 널리 사용되며 시판되고, 향상된 반응 속도면에서 본 발명의 조성물에 보다 유리한 효과를 제공하기 때문에 백금 함유 촉매이다. 백금 함유 촉매는 백금 금속의 화합물 또는 착체일 수 있다.

본 발명의 조성물에서 전형적인 백금 함유 촉매의 한 가지 종류는 염화백금산이 오가노실리콘 시스템에서 용이한 분산성 때문에 디비닐테트라메틸디실록산과 같은 지방족 불포화 오가노실리콘 화합물과 반응하는 경우에 수득되는 조성물이다.

바람직하게는, 성분(C) 및 성분(C')은 염화백금산, 알콜 개질된 염화백금산, 염화백금산의 올레핀 착체, 염화백금산과 디비닐테트라메틸디실록산의 착체, 탄소 캐리어에 흡착된 미세한 백금 입자, Pt(Al₂O₃)와 같은 금속 옥사이드 캐리어에 지지된 백금, 백금 블랙, 백금 아세틸아세토네이트, 백금(디비닐테트라메틸디실록산), PtCl₂ 및 PtCl₄로 예시된백금 할라이드, Pt(CN)₂, 백금 할라이드와 에틸렌, 프로필렌 및 오가노비닐실록산으로 예시된 불포화 화합물의 착체, 스티렌, 헥사메틸디플라티넘 및 RhCl₃(Bu₂S)₃로부터 선택된다.

사용되는 하이드로실릴화 촉매의 양은 실온에서 또는 실온 이상의 온도에서 성분(A)와 성분(B) 사이의 반응 및 성분(A')와 성분(B')의 반응을 촉진시키기에 충분한 양으로 존재하는 한, 협소하게 제한되지 않는다. 이 촉매의 정확한 필요량은 사용되는 특정 촉매에 의존하며 용이하게 단정할 수 없다. 그러나, 백금 함유 촉매의 경우, 이 양은 성분(A)+(B) 또는 성분(A')+(B') 100만중량부당 백금 1중량부만큼 낮을 수 있다. 촉매는 성분(A)+(B) 또는 성분(A')+(B') 100만부당 10 내지 120중량부의 양으로 첨가될 수 있지만, 전형적으로 성분(A)+(B) 또는 성분(A')+(B') 100만부당 10 내지 60중량부의 양으로 첨가된다.

성분(D) 및 성분(D')의 무기 충전재는 조성물(X) 및/또는 조성물(Y)에 첨가될 수 있는 임의 성분이다. 무기 충전재는 중공 미소구, 퓸드 실리카, 침강 실리카, 규산 무수물, 함수 규산, 카본 블랙, 미분 석영, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 규조토, 월라스토나이트, 하소 점토, 점토, 활석, 카올린, 산화티탄, 벤토나이트, 산화제이철, 산화아연, 유리 기구, 유리 비드, 운모, 유리 분말, 유리 기구, 석탄 분진, 아크릴 수지 분말, 페놀 수지 분말, 세라믹 분말, 제올라이트, 슬레이트 분말, 유기 섬유 및 무기 섬유로 예시된다. 무기 충전재의 양은 전형적으로 성분(A) 100부당 5 내지 30부의 양으로 존재한다.

본 발명은 또한

실리콘 조성물(Y)을 기판에 도포하여, 두께가 1 내지 500㎛인 피막을 형성하는 단계(I), 단계(I)의 실리콘 조성물을 경화시키는 단계(II), 단계(II)의 생성물 표면에 패턴을 형성하는 단계(III), 단계(III)의 패턴에 실리콘 조성물(X)을 도포 하는 단계(IV), 실리콘 조성물(X)을 경화시키는 단계(V)(여기서, R² ₂SiO_2/2 단위 대 합한 모든 기타 단위의 몰 비는 실리콘 조성물(IV)에서보다 실리콘 조성물(Y)에서 더 높고, 경화된 조성물(Y)의 표면 에너지는 경화된 실리콘 조성물(X)보다 낮다) 및 기판으로부터 단계(V)의 경화된 실리콘 조성물(X)을 분리시키는 단계(VI)를 포함하는 제품의 제조방법에 관한 것이다.

분리시에 패턴이 전사되며 경화된 조성물(X)로 삽입된다. 두 가지 실리콘 조성물과 실리콘 조성물(Y) 및 단계(III)의 패턴 사이의 분리는 깨끗하다.

위의 방법에서, 조성물(X) 및 조성물(Y)은 위에서 언급한 바와 같다. 위의 방법에서 실리콘 조성물의 경화는 전형적으로 당해 조성물을 25 내지 150℃, 보다 전형적으로 60 내지 100℃의 온도 범위에 노출시킴으로써 달성된다. 실리콘 조성물을 도포하는 방법은 본 발명에 중요하지 않으며 액상 피막을 기판에 도포시키기 위해 당해 분야의 공지된 방법 중의 어느 한 방법일 수 있다. 위의 방법에서 실리콘 조성물은 침지, 분무, 와이핑, 브러싱, 압출 및 공압출과 같은 방법으로 도포할 수 있다. 실리콘 조성물이 도포되는 기판은 유리, 금속 또는 플라스틱과 같은 임의의 고체 기판일 수 있다.

패턴의 표면 프로파일이 복사되는 것이 필요하고 성형 층으로의 패턴의 전사가 최소화되거나 전혀 없을 것이 요구되는 경우, 당해 공정은 역전될 수 있다. 이 경우, 실리콘 조성물(X)은 피막으로서 사용되며, 실리콘 조성물(Y)은 피막의 상부에 사용되는 성형 조성물이다. 따라서, 본 발명은 R² ₃SiO_1/2 단위 및 SiO_4/2 단위를 포함하는 오가노실록산 화합물(i)(여기서, R² ₃SiO_1/2 단위 대 SiO_4/2 단위의 몰 비는 0.05 대 4.0이다),

촉매량의 하이드로실릴화 촉매(C) 및

임의로 무기 충전제(D)를 반응시킴을 포함하는 방법으로 수득한 실리콘 조성물(X)을 기판에 도포하여, 두께가 1 내지 500㎛인 피막을 형성하는 단계(I),

실리콘 조성물(X)을 경화시키는 단계(II),

단계(II)의 생성물의 상부에 패턴을 형성하는 단계(III),

화학식 (HR³ _aSiO_(3-a)/2)_b(R¹ _cSiO_(4-c)/2)_d의 오가노하이드로겐실록산 화합물(ii)(여기서, R¹ 및 R³은 각각 독립적으로 지방족 불포화를 갖지 않는 탄화수소 그 룹이고, R⁴는 2가 탄화수소 그룹이고, a는 1≤a≤2이고, c는 0≤c≤3이고, b와 d의 합은 134 내지 75,000의 분자량을 제공하며, 1분자당 2개 이상의 SiH 그룹이 존재한다)로부터 선택된, 성분(A')을 가교결합하기에 충분한 양의 하나 이상의 오가노하이드로겐실리콘 화합물(B'),

촉매량의 하이드로실릴화 촉매(C') 및

임의로 무기 충전제(D')를 반응시킴을 포함하는 방법으로 수득한 실리콘 조성물(Y)을 단계(III)의 패턴에 도포하는 단계(IV),

실리콘 조성물(Y)을 경화시키는 단계(V)(여기서, R² ₂SiO_2/2 단위 대 결합된 모든 기타 단위의 몰 비는 실리콘 조성물(Y)에서보다 실리콘 조성물(X)에서 더 높으며, 경화된 조성물(X)의 표면 에너지는 경화된 실리콘 조성물(Y)의 표면 에너지보다 낮다) 및

기판으로부터 단계(V)의 경화된 실리콘 조성물(Y)을 분리시키는 단계(VI)를 포함하는 제품의 제조방법에 관한 것이다.

당해 공정을 역전시키는 능력은 두 가지 실리콘 조성물간의 최소화된 조성물 차이 및 당해 조성물에 의해 달성될 수 있는 광범위한 기계적 특성으로부터 유도된다. 대부분의 조성물의 경우, 이들 조성물이 적절하게 기능하는 유일한 요건은 경화된 조성물 중의 하나의 표면 에너지가 다른 조성물보다 낮아지도록 어느 한 조성물에 비하여 다른 조성물에서 보다 높은 R² ₂SiO_2/2 단위이다.

당해 공정은 또한 3차원 삽입된 구조를 제조하기 위해 다음과 같이 반복될 수 있다. 따라서, 본 발명은 또한 실리콘 조성물(Y)을 기판에 도포하여, 두께가 1 내지 500㎛인 피막을 형성하는 단계(I), 단계(I)의 실리콘 조성물을 경화시키는 단계(II), 단계(II)의 생성물 표면에 패턴을 형성하는 단계(III), 층을 기판과 일렬이되 접촉되지는 않은 층의 상부에 삽입된 패턴에 위치시키는 단계(IV), 실리콘 조성물(X)을 모세관 유동을 통해 기판의 표면 또는 층의 표면에 도포하는 단계(V), 실리콘 조성물(X)을 경화시키는 단계 및 기판으로부터 단계(VI)의 경화된 실리콘 조성물(X)을 분리시키는 단계(VII)를 포함하는 제품의 제조방법에 관한 것이다. 실리콘 조성물(X) 및 실리콘 조성물(Y), 실리콘 조성물의 경화방법, 실리콘 조성물의 도포방법 및 기판은 위에서 정의한 바와 같다.

도면

도 1은 실시예 1에서 특정한 혼합물이 피복되어 있는 PET 필름에 인쇄된 카본 블랙 잉크 패턴의 광학 미소구 영상이고,

도 2는 경화된 실리콘 조성물(B)에 삽입되어 있는, 도 1에서 도시한 인쇄 패턴의 광학 미소구 영상이고,

도 3은 도트 크기가, 직경이 약 5㎛인 PET 필름에 인쇄된 카본 블랙 잉크 패턴의 SEM 영상이고,

도 4는 도 3에서와 동일한 위치에서 인쇄된 패턴으로부터 분리된 후 경화된 실리콘 조성물(A)의 표면의 SEM 영상이고,

도 5는 경화된 실리콘 조성물(B)에 삽입된 패턴의 영상이고,

도 6은 경화된 실리콘 조성물(B)에서 삽입된 패턴의 광학 미소구 횡단면 영상이고,

도 7은 경화된 실리콘 조성물(B)에서 삽입된 패턴의 SEM 횡단면 영상이다.

실시예

VCA 2500 각도계를 사용하여 수 접촉각 및 표면 에너지를 측정한다. 물과 메틸렌 요오다이드 접촉각은 샘플에 각각의 액체 3방울을 적하하여 피막에 대한 탄젠트 각을 측정함으로써 측정한다. 평균 및 표준 편차를 수득한다. 기하 평균 모델을 통해 분산 및 극 표면 에너지를 계산한다.

실시예 1

PET 투명 필름을 오가노실록산 화합물이 (ViMe₂SiO_1/2)₂(Me₃SiO_1/2)₁₅(Me₂SiO_2/2)₈₁(SiO₂)₂₂ 단위를 포함하는 오가노실록산 화합물 88중량부와 화학식 Me₃SiO(Me₂SiO)₃(MeHSiO)₅SiMe₃의 오가노하이드로겐실록산 화합물 6중량부의 혼합물을 포함하는 액상 실리콘 고무 조성물 76중량부 및 비닐 1.75 내지 2.3중량부를 포함하는 경우, SiO₂ 단위 1mole당 Me₃SiO_1/2 + ViMe₂SiO_1/2 단위 약 0.07mole의 몰 비로 Me₃SiO_1/2 단위, ViMe₂SiO_1/2 단위 및 SiO₂ 단위를 포함하는 오가노실록산 화합물(여기서, Vi는 비닐이고, Me는 메틸이다) 24중량부를 포함하는 실 리콘 조성물(이후로는 실리콘 조성물(A)라고 함)로 피복된다. 피막은 블레이드를 사용하여 작동된 롤 피복기를 수동으로 도포시킨다. 블레이드에 인가된 압력으로 피막 두께를 조절하고, 압력은 2㎛ 두께의 피막이 수득되도록 조절한다. 피막을 125℃에서 2시간 동안 경화시키고, 사용 전에 실온으로 냉각시킨다. 이 피막은 표 1에 기재한 바와 같이 PET 필름의 표면 에너지가 29.2dyne/cm에서 14.0dyne/cm로 변경된다.

피복된 PET 필름 위에 광학 미소구 패턴 영상으로서의 카본 블랙 잉크 도트 패턴은 도 1에 도시한 바와 같이 레이저 프린터에 의해 피복된 PET 필름에 인쇄한다. 당해 영상에서 도트의 직경은 약 20㎛이다. 높이가 1인치인 테플론 바는 실리콘 밀봉재에 의해 인쇄 패턴 주위에 4개의 면에 접착제를 발라서 공중에 상부 개구를 갖는 금형을 형성한다. 금형은 실온에서 제거하고, 80℃에서 밤새 가열하여 실리콘 밀봉제를 경화시킨다.

실리콘 조성물(이후로는 실리콘 조성물(B)라고 함)은 SiH/SiVi 비가 1.1/1로 되도록 (PhSiO_3/2)_0.75 및 (ViMe₂SiO_1/2)_0.25를 포함하는 오가노실록산 화합물을 혼합하여 제조한다. 이 혼합물에 1000ppm의 백금 농도에서 톨루엔에 용해된 백금-(-1에티닐 사이클로헥산-1-올)-테트라메틸 디비닐 디실록산 착체를 포함하는 촉매를 가한다. 촉매는 위의 혼합물 100부당 촉매 0.5부의 중량비로 가한다. 실리콘 조성물(B)을 테플론 바(Teflon bar)로 포위된 인쇄 패턴의 상부에 주입하고, 실온에서 밤새 경화시킨다. 피복되어 있는 실리콘 조성물(B)을 갖는 금형을 60에서 2시간 동안 가열하여 경화를 완료한다. 경화된 실리콘 조성물은 표면 에너지가 22dyne/cm이다.

경화 후, 금형을 실온으로 냉각시키고, 상부층으로서의 경화된 실리콘 조성물(B)과 기저층으로서의 실리콘 조성물(A)을 포함하는 플래크(Plaque)를 금형으로부터 박리시켜 제거한다. 도 2에서 도시한 바와 같이, 인쇄 패턴은 피복된 PET 필름의 표면으로부터 실리콘 플래크로 깨끗하게 전사된다.

실시예 2

PET 필름 위의 조성물(A)의 피막 두께를 2㎛에서 약 20㎛로 증가시키는 것을 제외하고는, 실시예 1을 반복한다. 나타낸 바와 같이, 이러한 두께의 피복에 의해 표면 에너지가 29.2dyne/cm에서 15.5dyne/cm로 변경된다. 실시예 1에 기재한 바와 동일한 후속 과정을 따르며, 인쇄 패턴의 깨끗한 전사도 관찰된다.

비교예 1

피복되지 않은 PET 투명 필픔 위에 카본 블랙 잉코 도트 패턴을 도 3에 도시한 바와 같은 레이저 프린터로 인쇄한다. 실시예 1에서 사용된 금형과 유사한, 테플론 바로 포위된 패턴 및 금형이 유사하게 경화되도록 금형을 제조한다. 실리콘 조성물(A)을 금형 속의 패턴 표면에 부어 넣는다. 실리콘 조성물(A)을 60℃에서 2시간 동안 경화시킨다. 실리콘 조성물(A)의 표면 에너지는 PCT 기판보다 낮다. 경화시킨 후, 금형을 실온으로 냉각시키고, 경화된 실리콘 조성물(A)을 금형으로부터 박리시켜 제거한다. 인쇄된 패턴의 표면 토포그래프 특성은 경화된 실리콘 조 성물(A)의 기저 표면에 완전하고도 깨끗하게 복사된다. 잉크 이동은 관찰되지 않는다. 도 4는 도 3에서와 정확하게 동일한 위치에서 경화된 실리콘 조성물(A) 표면 위로 복사된 패턴의 광학 미소구 영상이다.

실시예 3

PET 투명 필름에 도포되는 피복 조성물을 제외하고는, 사용되는 과정 및 조성물은 실시예 1에서와 동일하다. 이 실시예에서, 피복 조성물은 (ViMe₂SiO_1/2)₄(Me₃SiO_1/2)₃₉(SiO₂)₅₇ 단위를 포함하는 오가노실록산 화합물 47.25중량부와 (ViMe₂SiO_1/2)₂(Me₂SiO_2/2)₇₄₀ 단위를 포함하는 오가노실록산 화합물 3.72중량부의 혼합물 50중량부와 (ViMe₂SiO_1/2)₂(Me₂SiO_2/2)₁₄₀ 단위를 포함하는 오가노실록산 화합물 50중량부의 혼합물(이후로는 실리콘 조성물(C)라고 함)이다. 경화 피막은 PET 필름의 표면 에너지를 29.2dyne/cm에서 15.1dyne/c로 변경시킨다. 인쇄된 카본 블랙 잉크 패턴의 경화된 조성물(B)로의 깨끗한 전사는 또한 PCT 필름에 이러한 피막을 사용하는 것이 관찰된다.

실시예 4

피막으로서 실시예 4에서 언급한 50/50 혼합물을 사용하는 대신에, (ViMe₂SiO_1/2)₄(Me₃SiO_1/2)₃₉(SiO₂)₅₇ 단위를 포함하는 오가노실록산 화합물 47.25중량부와 (ViMe₂SiO_1/2)₂(Me₂SiO_2/2)₇₄₀ 단위를 포함하는 오가노실록산 화합물 3.72중량부의 혼합물(이후로는 실리콘 조성물(D)라고 함) 100중량부가 투명 PET 필름 위에서 피막으로서 사용된다. 표 1에서 기재한 바와 같이, 경화된 피막의 표면 에너지는 실시예 4의 혼합물보다 훨씬 높은 20.4dyne/cm이다. 이 피막은 실리콘 조성물(B)로 인쇄된 패턴을 전사하거나 삽입하는 목적에 적합하지 않는다.

실시예 5

조성물 및 과정은 실시예 1에서와 동일하다. 카본 블랙 잉크 도트 패턴 대신에, RFID 안테나의 특별한 디자인과 동일한 카본 블랙 잉크 패턴을 피복된 PET 필름에 인쇄한다. 이 패턴은 도 5의 경화된 실리콘 조성물(B)로 깨끗하게 전사된다.

삽입된 패턴의 면밀한 횡단면 검사에 의해 패턴이 잉크 패턴과 피복된 PET 사이의 계면으로부터 제어 박리에 의해 실리콘 조성물로 전사됨을 나타낸다. 도 6에서, 삽입된 패턴의 광학 횡단면 영상인 잉크 패턴은 실리콘 조성물(B)의 표면에 잔류하는 것으로 나타난다. 이는 또한 SEM에 의해 확인된다. 이 패턴을 사용한 실리콘 조성물(B)은 순차적으로 에폭시 수지로 삽입되고 경화된다. 횡단면은 마이크로톰으로 절단되고 SEM하에 관찰된다. 이는 잉크 패턴의 위치가 도 7에서 나타낸 바와 같이 실리콘 조성물의 표면에 존재함을 다시 나타낸다.

피막의 존재 및 부재하의 PET 기판의 표면 에너지

실시예	PET 피막	분산도(dynes/cm)	극성(dynes/cm)	총계(dynes/cm)
1	실리콘 조성물 A	13.7	0.3	14.0
2	실리콘 조성물 A	14.9	0.6	15.5
3	실리콘 조성물 C	12.6	2.5	15.1
4	실리콘 조성물 D	20.2	0.2	20.4
비교예 1	없음	27.3	1.9	29.2

Claims

R² ₃SiO_1/2 단위 및 SiO_4/2 단위를 포함하는 오가노실록산 화합물(i)(여기서, R² ₃SiO_1/2 단위 대 SiO_4/2 단위의 몰 비는 0.05 대 4.0이다),

R² ₃SiO_1/2 단위 및 R¹SiO_3/2 단위를 포함하는 오가노실록산 화합물(ii)(여기서, R² ₃SiO_1/2 단위 대 R¹SiO_3/2 단위의 몰 비는 0.05 대 3.0이다),

R² ₃SiO_1/2 단위, R¹SiO_3/2 단위 및 SiO_4/2 단위를 포함하는 오가노실록산 화합물(iii)(여기서, R² ₃SiO_1/2 단위 대 R¹SiO_3/2 단위의 몰 비는 0.05 대 3.0이고, 배합된 R² ₃SiO_1/2 단위 및 R¹SiO_3/2 단위 대 SiO_4/2 단위의 몰 비는 4 대 99이다),

R² ₂SiO_1/2 단위, R¹SiO_3/2 단위 및 R² ₂SiO_2/2 단위를 포함하는 오가노실록산 화합물(iv)(여기서, R² ₃SiO_1/2 단위 대 R¹SiO_3/2 단위의 몰 비는 0.05 대 3.0이고, 배합된 R² ₃SiO_1/2 단위 및 R¹SiO_3/2 단위 대 R² ₂SiO_2/2 단위의 몰 비는 0.5 대 99이다),

R² ₂SiO_2/2 단위 및 R¹SiO_3/2 단위를 포함하는 오가노실록산 화합물(v)(여기서, R² ₂SiO_2/2 단위 대 R¹SiO_3/2 단위의 몰 비는 0.2 대 4.0이다),

R² ₂SiO_2/2 단위 및 R² ₃SiO_1/2 단위를 포함하는 오가노실록산 화합물(vi)(여기서, R² ₂SiO_2/2 단위 대 R² ₃SiO_1/2 단위의 몰 비는 0 대 15,000이다) 및

R² ₂SiO_2/2 단위, R² ₃SiO_1/2 단위 및 SiO_2/2 단위를 포함하는 오가노실록산 화합물(vii)(여기서, SiO_2/2 단위 대 배합된 R² ₂SiO_2/2 단위 및 R² ₃SiO_1/2 단위의 몰 비는 0.005 대 0.125이고, R¹은 지방족 불포화를 갖지 않는 탄화수소 그룹이고, R²는 R¹ 및 알케닐 그룹으로부터 선택된다)로부터 선택되며, 1분자당 평균 2개 이상의 알케닐 그룹을 함유하며 규소 결합된 하이드록시 그룹을 1.5mol% 이하 갖는 하나 이상의 오가노실록산 화합물(A) 100중량부,

화학식 HR³ ₂SiR⁴SiR³ ₂H의 오가노하이드로겐실란 화합물(i)(여기서, R³은 지방족 불포화를 갖지 않는 탄화수소 그룹이고, R⁴는 2가 탄화수소 그룹이다) 및

화학식 (HR³ _aSiO_(3-a)/2)_b(R¹ _cSiO_(4-c)/2)_d의 오가노하이드로겐실록산 화합물(ii)(여기서, R¹ 및 R³은 위에서 정의한 바와 같고, a는 1≤a≤2이고, c는 0≤c≤3이고, b와 d의 합은 134 내지 75,000의 분자량을 제공하며, 1분자당 2개 이상의 SiH 그룹이 존재한다)로부터 선택된, 성분(A)를 가교결합하기에 충분한 양의 하나 이상의 오가노하이드로겐실리콘 화합물(B),

촉매량의 하이드로실릴화 촉매(C) 및

임의로 무기 충전제(D)를 반응시킴을 포함하는 방법으로 수득한 실리콘 조성물(X)을 포함하는 제1 피복층(I), 및

R² ₂SiO_2/2 단위 및 R² ₃SiO_1/2 단위를 포함하는 오가노실록산 화합물(i)(여기서, R² ₂SiO_2/2 단위 및 R² ₃SiO_1/2 단위의 몰 비는 0 대 15,000이다) 및

R² ₃SiO_1/2 단위 및 SiO_4/2 단위를 포함하는 오가노실록산 화합물(ii)(여기서, R² ₃SiO_1/2 단위 대 SiO_4/2 단위의 몰 비는 0.05 대 4.0이고, R²는 지방족 불포화를 갖지 않는 탄화수소 그룹 및 알케닐 그룹으로부터 선택된다)로부터 선택되며, 1분자당 평균 2개 이상의 알케닐 그룹을 함유하며 규소 결합된 하이드록시 그룹을 1.5mol% 이하 갖는 하나 이상의 오가노실록산 화합물(A') 100중량부,

화학식 HR³ ₂SiR⁴SiR³ ₂H의 오가노하이드로겐실란 화합물(i) 및

화학식 (HR³ _aSiO_(3-a)/2)_b(R¹ _cSiO_(4-c)/2)_d의 오가노하이드로겐실록산 화합물(ii)(여기서, R¹ 및 R³은 각각 독립적으로 지방족 불포화를 갖지 않는 탄화수소 그 룹이고, R⁴는 2가 탄화수소 그룹이고, a는 1≤a≤2이고, c는 0≤c≤3이고, b와 d의 합은 134 내지 75,000의 분자량을 제공하며, 1분자당 2개 이상의 SiH 그룹이 존재한다)로부터 선택된, 성분(A')을 가교결합하기에 충분한 양의 하나 이상의 오가노하이드로겐실리콘 화합물(B'),

촉매량의 하이드로실릴화 촉매(C') 및

임의로 무기 충전제(D')를 반응시킴을 포함하는 방법으로 수득한 실리콘 조성물(Y)을 포함하고 제1 피복층(I)과 접촉되어 있는 제2 피복층(II)을 포함[여기서, R² ₂SiO₂ _/2 단위 대 결합된 모든 기타 단위의 몰 비는 조성물(X)에서보다 조성물(Y)에서 더 높으며, 조성물(Y)의 표면 에너지는 조성물(X)의 표면 에너지보다 낮다]하는 실리콘 피복 조성물.
제1항에 있어서, 지방족 불포화를 갖지 않는 탄화수소 그룹이 독립적으로 메틸 및 페닐로부터 선택되고 알케닐 그룹이 비닐인 실리콘 피복 조성물.
제1항에 있어서,

성분(A)가 ViMe₂SiO_1/2 단위 및 PhSiO_3/2 단위를 포함하는 오가노실록산 화합물(여기서, ViMe₂SiO_1/2 단위 대 PhSiO_3/2 단위의 몰 비는 0.05 대 3.0이다)이고,

성분(B)가 화학식 HMe₂Si-Ph-SiMe₂H의 오가노하이드로겐실란 화합물이고,

성분(A')가 (ViMe₂SiO_1/2) 단위, (Me₃SiO_1/2) 단위, (Me₂SiO_2/2) 단위 및 (SiO₂) 단위를 포함하는 오가노실록산 화합물[여기서, (ViMe₂SiO_1/2) 단위 + (Me₃SiO_1/2) 단위 대 (Me₂SiO_2/2) 단위의 비는 1/10000 대 1/5이고, (Me₂SiO_2/2) 단위 대 (SiO₂) 단위의 비는 200/1 대 1/4이다)이고,

성분(B')가 화학식 Me₃SiO(Me₂SiO)_x(MeHSiO)_ySiMe₃의 오가노하이드로겐실록산 화합물(여기서, x와 y의 합은 134 내지 75,000의 분자량을 제공하며, 1분자당 2개 이상의 SiH 그룹이 존재한다)이고,

성분(C) 및 성분(C')가 백금 함유 하이드로실릴화 촉매이고,

성분(D) 및 성분(D')가 중공 미소구, 퓸드 실리카, 침강 실리카, 규산 무수물, 함수 규산, 카본 블랙, 미분 석영, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 규조토, 월라스토나이트, 하소 점토, 점토, 활석, 카올린, 산화티탄, 벤토나이트, 산화제이철, 산화아연, 유리 기구, 유리 비드, 운모, 유리 분말, 유리 기구, 석탄 분진, 아크릴 수지 분말, 페놀 수지 분말, 세라믹 분말, 제올라이트, 슬레이트 분말, 유기 섬유 및 무기 섬유로부터 선택되는 실리콘 피복 조성물.
R² ₂SiO_2/2 단위 및 R² ₃SiO_1/2 단위를 포함하는 오가노실록산 화합물(i)(여기서, R² ₂SiO_2/2 단위 및 R² ₃SiO_1/2 단위의 몰 비는 0 대 15,000이다) 및

R² ₃SiO_1/2 단위 및 SiO_4/2 단위를 포함하는 오가노실록산 화합물(ii)(여기서, R² ₃SiO_1/2 단위 대 SiO_4/2 단위의 몰 비는 0.05 대 4.0이고, R²는 지방족 불포화를 갖지 않는 탄화수소 그룹 및 알케닐 그룹으로부터 선택된다)로부터 선택되며, 1분자당 평균 2개 이상의 알케닐 그룹을 함유하며 규소 결합된 하이드록시 그룹을 1.5mol% 이하 갖는 하나 이상의 오가노실록산 화합물(A') 100중량부,

화학식 HR³ ₂SiR⁴SiR³ ₂H의 오가노하이드로겐실란 화합물(i) 및

화학식 (HR³ _aSiO_(3-a)/2)_b(R¹ _cSiO_(4-c)/2)_d의 오가노하이드로겐실록산 화합물(ii)(여기서, R¹ 및 R³은 각각 독립적으로 지방족 불포화를 갖지 않는 탄화수소 그룹이고, R⁴는 2가 탄화수소 그룹이고, a는 1≤a≤2이고, c는 0≤c≤3이고, b와 d의 합은 134 내지 75,000의 분자량을 제공하며, 1분자당 2개 이상의 SiH 그룹이 존재한다)로부터 선택된, 성분(A')을 가교결합하기에 충분한 양의 하나 이상의 오가노하이드로겐실리콘 화합물(B'),

촉매량의 하이드로실릴화 촉매(C') 및

임의로 무기 충전제(D')를 반응시킴을 포함하는 방법으로 수득한 실리콘 조성물(Y)을 기판에 도포하여, 두께가 1 내지 500㎛인 피막을 형성하는 단계(I),

실리콘 조성물(Y)을 경화시키는 단계(II),

단계(II)의 생성물의 상부에 패턴을 형성하는 단계(III),

R² ₃SiO_1/2 단위 및 SiO_4/2 단위를 포함하는 오가노실록산 화합물(i)(여기서, R² ₃SiO_1/2 단위 대 SiO_4/2 단위의 몰 비는 0.05 대 4.0이다),

R² ₃SiO_1/2 단위 및 R¹SiO_3/2 단위를 포함하는 오가노실록산 화합물(ii)(여기서, R² ₃SiO_1/2 단위 대 R¹SiO_3/2 단위의 몰 비는 0.05 대 3.0이다),

R² ₃SiO_1/2 단위, R¹SiO_3/2 단위 및 SiO_4/2 단위를 포함하는 오가노실록산 화합물(iii)(여기서, R² ₃SiO_1/2 단위 대 R¹SiO_3/2 단위의 몰 비는 0.05 대 3.0이고, 배합된 R² ₃SiO_1/2 단위 및 R¹SiO_3/2 단위 대 SiO_4/2 단위의 몰 비는 4 대 99이다),

R² ₂SiO_1/2 단위, R¹SiO_3/2 단위 및 R² ₂SiO_2/2 단위를 포함하는 오가노실록산 화합물(iv)(여기서, R² ₃SiO_1/2 단위 대 R¹SiO_3/2 단위의 몰 비는 0.05 대 3.0이고, 배합된 R² ₃SiO_1/2 단위 및 R¹SiO_3/2 단위 대 R² ₂SiO_2/2 단위의 몰 비는 0.5 대 99이다),

R² ₂SiO_2/2 단위 및 R¹SiO_3/2 단위를 포함하는 오가노실록산 화합물(v)(여기서, R² ₂SiO_2/2 단위 대 R¹SiO_3/2 단위의 몰 비는 0.2 대 4.0이다),

R² ₂SiO_2/2 단위 및 R² ₃SiO_1/2 단위를 포함하는 오가노실록산 화합물(vi)(여기서, R² ₂SiO_2/2 단위 대 R² ₃SiO_1/2 단위의 몰 비는 0 대 15,000이다) 및

R² ₂SiO_2/2 단위, R² ₃SiO_1/2 단위 및 SiO_2/2 단위를 포함하는 오가노실록산 화합물(vii)(여기서, SiO_2/2 단위 대 배합된 R² ₂SiO_2/2 단위 및 R² ₃SiO_1/2 단위의 몰 비는 0.005 대 0.125이고, R¹은 지방족 불포화를 갖지 않는 탄화수소 그룹이고, R²는 R¹ 및 알케닐 그룹으로부터 선택된다)로부터 선택되며, 1분자당 평균 2개 이상의 알케닐 그룹을 함유하며 규소 결합된 하이드록시 그룹을 1.5mol% 이하 갖는 하나 이상의 오가노실록산 화합물(A) 100중량부,

화학식 HR³ ₂SiR⁴SiR³ ₂H의 오가노하이드로겐실란 화합물(i)(여기서, R³은 지방족 불포화를 갖지 않는 탄화수소 그룹이고, R⁴는 2가 탄화수소 그룹이다) 및

화학식 (HR³ _aSiO_(3-a)/2)_b(R¹ _cSiO_(4-c)/2)_d의 오가노하이드로겐실록산 화합물(ii)(여기서, R¹ 및 R³은 위에서 정의한 바와 같고, a는 1≤a≤2이고, c는 0≤c≤3이고, b와 d의 합은 134 내지 75,000의 분자량을 제공하며, 1분자당 2개 이상의 SiH 그룹이 존재한다)로부터 선택된, 성분(A)를 가교결합하기에 충분한 양의 하나 이상의 오가노하이드로겐실리콘 화합물(B),

촉매량의 하이드로실릴화 촉매(C) 및

임의로 무기 충전제(D)를 반응시킴을 포함하는 방법으로 수득한 실리콘 조성물(X)을 단계(III)의 패턴에 도포하는 단계(IV),

실리콘 조성물(X)을 경화시키는 단계(V)(여기서, R² ₂SiO_2/2 단위 대 결합된 모든 기타 단위의 몰 비는 실리콘 조성물(X)에서보다 실리콘 조성물(Y)에서 더 높으며, 경화된 조성물(Y)의 표면 에너지는 경화된 실리콘 조성물(X)의 표면 에너지보다 낮다) 및

기판으로부터 단계(V)의 경화된 실리콘 조성물(X)을 분리시키는 단계(VI)를 포함하는, 제품의 제조방법.
제4항에 있어서, 지방족 불포화를 갖지 않는 탄화수소 그룹이 메틸 및 페닐로부터 독립적으로 선택되고 알케닐 그룹이 비닐인, 제품의 제조방법.
제4항에 있어서,

성분(A)가 ViMe₂SiO_1/2 단위 및 PhSiO_3/2 단위를 포함하는 오가노실록산 화합물(여기서, ViMe₂SiO_1/2 단위 대 PhSiO_3/2 단위의 몰 비는 0.05 대 3.0이다)이고,

성분(B)가 화학식 HMe₂Si-Ph-SiMe₂H의 오가노하이드로겐실란 화합물이고,

성분(A')가 (ViMe₂SiO_1/2) 단위, (Me₃SiO_1/2) 단위, (Me₂SiO_2/2) 단위 및 (SiO₂) 단위를 포함하는 오가노실록산 화합물[여기서, (ViMe₂SiO_1/2) 단위 + (Me₃SiO_1/2) 단위 대 (Me₂SiO_2/2) 단위의 비는 1/10000 대 1/5이고, (Me₂SiO_2/2) 단위 대 (SiO₂) 단위의 비는 200/1 대 1/4이다)이고,

성분(B')가 화학식 Me₃SiO(Me₂SiO)_x(MeHSiO)_ySiMe₃의 오가노하이드로겐실록산 화합물(여기서, x와 y의 합은 134 내지 75,000의 분자량을 제공하며, 1분자당 2개 이상의 SiH 그룹이 존재한다)이고,

성분(C) 및 성분(C')가 백금 함유 하이드로실릴화 촉매이고,

성분(D) 및 성분(D')가 중공 미소구, 퓸드 실리카, 침강 실리카, 규산 무수물, 함수 규산, 카본 블랙, 미분 석영, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 규조토, 월라스토나이트, 하소 점토, 점토, 활석, 카올린, 산화티탄, 벤토나이트, 산화제이철, 산화아연, 유리 기구, 유리 비드, 운모, 유리 분말, 유리 기구, 석탄 분진, 아크릴 수지 분말, 페놀 수지 분말, 세라믹 분말, 제올라이트, 슬레이트 분말, 유기 섬유 및 무기 섬유로부터 선택되는, 제품의 제조방법.
R² ₃SiO_1/2 단위 및 SiO_4/2 단위를 포함하는 오가노실록산 화합물(i)(여기서, R² ₃SiO_1/2 단위 대 SiO_4/2 단위의 몰 비는 0.05 대 4.0이다),

R² ₃SiO_1/2 단위 및 R¹SiO_3/2 단위를 포함하는 오가노실록산 화합물(ii)(여기서, R² ₃SiO_1/2 단위 대 R¹SiO_3/2 단위의 몰 비는 0.05 대 3.0이다),

R² ₃SiO_1/2 단위, R¹SiO_3/2 단위 및 SiO_4/2 단위를 포함하는 오가노실록산 화합물(iii)(여기서, R² ₃SiO_1/2 단위 대 R¹SiO_3/2 단위의 몰 비는 0.05 대 3.0이고, 배합된 R² ₃SiO_1/2 단위 및 R¹SiO_3/2 단위 대 SiO_4/2 단위의 몰 비는 4 대 99이다),

R² ₂SiO_1/2 단위, R¹SiO_3/2 단위 및 R² ₂SiO_2/2 단위를 포함하는 오가노실록산 화합물(iv)(여기서, R² ₃SiO_1/2 단위 대 R¹SiO_3/2 단위의 몰 비는 0.05 대 3.0이고, 배합된 R² ₃SiO_1/2 단위 및 R¹SiO_3/2 단위 대 R² ₂SiO_2/2 단위의 몰 비는 0.5 대 99이다),

R² ₂SiO_2/2 단위 및 R¹SiO_3/2 단위를 포함하는 오가노실록산 화합물(v)(여기서, R² ₂SiO_2/2 단위 대 R¹SiO_3/2 단위의 몰 비는 0.2 대 4.0이다) 및

R² ₂SiO_2/2 단위 및 R² ₃SiO_1/2 단위를 포함하는 오가노실록산 화합물(vi)(여기 서, R² ₂SiO_2/2 단위 대 R² ₃SiO_1/2 단위의 몰 비는 0 대 15,000이다)로부터 선택되며(여기서, R¹은 지방족 불포화를 갖지 않는 탄화수소 그룹이고, R²는 R¹ 및 알케닐 그룹으로부터 선택된다), 1분자당 평균 2개 이상의 알케닐 그룹을 함유하며 규소 결합된 하이드록시 그룹을 1.5mol% 이하 갖는 하나 이상의 오가노실록산 화합물(A) 100중량부,

화학식 HR³ ₂SiR⁴SiR³ ₂H의 오가노하이드로겐실란 화합물(i)(여기서, R³은 지방족 불포화를 갖지 않는 탄화수소 그룹이고, R⁴는 2가 탄화수소 그룹이다) 및

화학식 (HR³ _aSiO_(3-a)/2)_b(R¹ _cSiO_(4-c)/2)_d의 오가노하이드로겐실록산 화합물(ii)(여기서, R¹ 및 R³은 위에서 정의한 바와 같고, a는 1≤a≤2이고, c는 0≤c≤3이고, b와 d의 합은 134 내지 75,000의 분자량을 제공하며, 1분자당 2개 이상의 SiH 그룹이 존재한다)로부터 선택된, 성분(A)를 가교결합하기에 충분한 양의 하나 이상의 오가노하이드로겐실리콘 화합물(B),

촉매량의 하이드로실릴화 촉매(C) 및

임의로 무기 충전제(D)를 반응시킴을 포함하는 방법으로 수득한 실리콘 조성물(X)을 기판에 도포하여, 두께가 1 내지 500㎛인 피막을 형성하는 단계(I),

실리콘 조성물(X)을 경화시키는 단계(II),

단계(II)의 생성물의 상부에 패턴을 형성하는 단계(III),

R² ₂SiO_2/2 단위 및 R² ₃SiO_1/2 단위를 포함하는 오가노실록산 화합물(i)(여기서, R² ₂SiO_2/2 단위 및 R² ₃SiO_1/2 단위의 몰 비는 0 대 15,000이다) 및

R² ₃SiO_1/2 단위 및 SiO_4/2 단위를 포함하는 오가노실록산 화합물(ii)(여기서, R² ₃SiO_1/2 단위 대 SiO_4/2 단위의 몰 비는 0.05 대 4.0이고, R²는 지방족 불포화를 갖지 않는 탄화수소 그룹 및 알케닐 그룹으로부터 선택된다)로부터 선택되며, 1분자당 평균 2개 이상의 알케닐 그룹을 함유하며 규소 결합된 하이드록시 그룹을 1.5mol% 이하 갖는 하나 이상의 오가노실록산 화합물(A') 100중량부,

화학식 HR³ ₂SiR⁴SiR³ ₂H의 오가노하이드로겐실란 화합물(i) 및

화학식 (HR³ _aSiO_(3-a)/2)_b(R¹ _cSiO_(4-c)/2)_d의 오가노하이드로겐실록산 화합물(ii)(여기서, R¹ 및 R³은 각각 독립적으로 지방족 불포화를 갖지 않는 탄화수소 그룹이고, R⁴는 2가 탄화수소 그룹이고, a는 1≤a≤2이고, c는 0≤c≤3이고, b와 d의 합은 134 내지 75,000의 분자량을 제공하며, 1분자당 2개 이상의 SiH 그룹이 존재한다)로부터 선택된, 성분(A')을 가교결합하기에 충분한 양의 하나 이상의 오가노하이드로겐실리콘 화합물(B'),

촉매량의 하이드로실릴화 촉매(C') 및

임의로 무기 충전제(D')를 반응시킴을 포함하는 방법으로 수득한 실리콘 조성물(Y)을 단계(III)의 패턴에 도포하는 단계(IV),

실리콘 조성물(Y)을 경화시키는 단계(V)(여기서, R² ₂SiO_2/2 단위 대 결합된 모든 기타 단위의 몰 비는 실리콘 조성물(Y)에서보다 실리콘 조성물(X)에서 더 높으며, 경화된 조성물(X)의 표면 에너지는 경화된 실리콘 조성물(Y)의 표면 에너지보다 낮다) 및

기판으로부터 단계(V)의 경화된 실리콘 조성물(Y)을 분리시키는 단계(VI)를 포함하는, 제품의 제조방법.
제7항에 있어서, 지방족 불포화를 갖지 않는 탄화수소 그룹이 메틸 및 페닐로부터 독립적으로 선택되고 알케닐 그룹이 비닐인, 제품의 제조방법.
제7항에 있어서,

성분(A)가 ViMe₂SiO_1/2 단위 및 PhSiO_3/2 단위를 포함하는 오가노실록산 화합물(여기서, ViMe₂SiO_1/2 단위 대 PhSiO_3/2 단위의 몰 비는 0.05 대 3.0이다)이고,

성분(B)가 화학식 HMe₂Si-Ph-SiMe₂H의 오가노하이드로겐실란 화합물이고,

성분(A')가 (ViMe₂SiO_1/2) 단위, (Me₃SiO_1/2) 단위, (Me₂SiO_2/2) 단위 및 (SiO₂) 단위를 포함하는 오가노실록산 화합물[여기서, (ViMe₂SiO_1/2) 단위 + (Me₃SiO_1/2) 단 위 대 (Me₂SiO_2/2) 단위의 비는 1/10000 대 1/5이고, (Me₂SiO_2/2) 단위 대 (SiO₂) 단위의 비는 200/1 대 1/4이다)이고,

성분(B')가 화학식 Me₃SiO(Me₂SiO)_x(MeHSiO)_ySiMe₃의 오가노하이드로겐실록산 화합물(여기서, x와 y의 합은 134 내지 75,000의 분자량을 제공하며, 1분자당 2개 이상의 SiH 그룹이 존재한다)이고,

성분(C) 및 성분(C')가 백금 함유 하이드로실릴화 촉매이고,

성분(D) 및 성분(D')가 중공 미소구, 퓸드 실리카, 침강 실리카, 규산 무수물, 함수 규산, 카본 블랙, 미분 석영, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 규조토, 월라스토나이트, 하소 점토, 점토, 활석, 카올린, 산화티탄, 벤토나이트, 산화제이철, 산화아연, 유리 기구, 유리 비드, 운모, 유리 분말, 유리 기구, 석탄 분진, 아크릴 수지 분말, 페놀 수지 분말, 세라믹 분말, 제올라이트, 슬레이트 분말, 유기 섬유 및 무기 섬유로부터 선택되는, 제품의 제조방법.
R² ₂SiO_2/2 단위 및 R² ₃SiO_1/2 단위를 포함하는 오가노실록산 화합물(i)(여기서, R² ₂SiO_2/2 단위 및 R² ₃SiO_1/2 단위의 몰 비는 0 대 15,000이다) 및

R² ₃SiO_1/2 단위 및 SiO_4/2 단위를 포함하는 오가노실록산 화합물(ii)(여기서, R² ₃SiO_1/2 단위 대 SiO_4/2 단위의 몰 비는 0.05 대 4.0이고, R²는 지방족 불포화를 갖 지 않는 탄화수소 그룹 및 알케닐 그룹으로부터 선택된다)로부터 선택되며, 1분자당 평균 2개 이상의 알케닐 그룹을 함유하며 규소 결합된 하이드록시 그룹을 1.5mol% 이하 갖는 하나 이상의 오가노실록산 화합물(A') 100중량부,

화학식 HR³ ₂SiR⁴SiR³ ₂H의 오가노하이드로겐실란 화합물(i) 및

화학식 (HR³ _aSiO_(3-a)/2)_b(R¹ _cSiO_(4-c)/2)_d의 오가노하이드로겐실록산 화합물(ii)(여기서, R¹ 및 R³은 각각 독립적으로 지방족 불포화를 갖지 않는 탄화수소 그룹이고, R⁴는 2가 탄화수소 그룹이고, a는 1≤a≤2이고, c는 0≤c≤3이고, b와 d의 합은 134 내지 75,000의 분자량을 제공하며, 1분자당 2개 이상의 SiH 그룹이 존재한다)로부터 선택된, 성분(A')을 가교결합하기에 충분한 양의 하나 이상의 오가노하이드로겐실리콘 화합물(B'),

촉매량의 하이드로실릴화 촉매(C') 및

임의로 무기 충전제(D')를 반응시킴을 포함하는 방법으로 수득한 실리콘 조성물(Y)을 기판에 도포하여, 두께가 1 내지 500㎛인 피막을 형성하는 단계(I),

실리콘 조성물(Y)을 경화시키는 단계(II),

단계(II)의 생성물의 상부에 패턴을 형성하는 단계(III),

층을 기판과 일렬이되 접촉되지는 않은 층의 상부에 삽입된 패턴에 위치시키는 단계(IV),

R² ₃SiO_1/2 단위 및 SiO_4/2 단위를 포함하는 오가노실록산 화합물(i)(여기서, R² ₃SiO_1/2 단위 대 SiO_4/2 단위의 몰 비는 0.05 대 4.0이다),

R² ₃SiO_1/2 단위 및 R¹SiO_3/2 단위를 포함하는 오가노실록산 화합물(ii)(여기서, R² ₃SiO_1/2 단위 대 R¹SiO_3/2 단위의 몰 비는 0.05 대 3.0이다),

R² ₃SiO_1/2 단위, R¹SiO_3/2 단위 및 SiO_4/2 단위를 포함하는 오가노실록산 화합물(iii)(여기서, R² ₃SiO_1/2 단위 대 R¹SiO_3/2 단위의 몰 비는 0.05 대 3.0이고, 배합된 R² ₃SiO_1/2 단위 및 R¹SiO_3/2 단위 대 SiO_4/2 단위의 몰 비는 4 대 99이다),

R² ₂SiO_1/2 단위, R¹SiO_3/2 단위 및 R² ₂SiO_2/2 단위를 포함하는 오가노실록산 화합물(iv)(여기서, R² ₃SiO_1/2 단위 대 R¹SiO_3/2 단위의 몰 비는 0.05 대 3.0이고, 배합된 R² ₃SiO_1/2 단위 및 R¹SiO_3/2 단위 대 R² ₂SiO_2/2 단위의 몰 비는 0.5 대 99이다),

R² ₂SiO_2/2 단위 및 R¹SiO_3/2 단위를 포함하는 오가노실록산 화합물(v)(여기서, R² ₂SiO_2/2 단위 대 R¹SiO_3/2 단위의 몰 비는 0.2 대 4.0이다) 및

R² ₂SiO_2/2 단위 및 R² ₃SiO_1/2 단위를 포함하는 오가노실록산 화합물(vi)(여기서, R² ₂SiO_2/2 단위 대 R² ₃SiO_1/2 단위의 몰 비는 0 대 15,000이다)로부터 선택되며(여기서, R¹은 지방족 불포화를 갖지 않는 탄화수소 그룹이고, R²는 R¹ 및 알케닐 그룹으로부터 선택된다), 1분자당 평균 2개 이상의 알케닐 그룹을 함유하며 규소 결합된 하이드록시 그룹을 1.5mol% 이하 갖는 하나 이상의 오가노실록산 화합물(A) 100중량부,

화학식 HR³ ₂SiR⁴SiR³ ₂H의 오가노하이드로겐실란 화합물(i)(여기서, R³은 지방족 불포화를 갖지 않는 탄화수소 그룹이고, R⁴는 2가 탄화수소 그룹이다) 및

화학식 (HR³ _aSiO_(3-a)/2)_b(R¹ _cSiO_(4-c)/2)_d의 오가노하이드로겐실록산 화합물(ii)(여기서, R¹ 및 R³은 위에서 정의한 바와 같고, a는 1≤a≤2이고, c는 0≤c≤3이고, b와 d의 합은 134 내지 75,000의 분자량을 제공하며, 1분자당 2개 이상의 SiH 그룹이 존재한다)로부터 선택된, 성분(A)를 가교결합하기에 충분한 양의 하나 이상의 오가노하이드로겐실리콘 화합물(B),

촉매량의 하이드로실릴화 촉매(C) 및

임의로 무기 충전제(D)를 반응시킴을 포함하는 방법으로 수득한 실리콘 조성물(X)을 모세관 유동을 통해 기판의 표면 또는 층의 표면에 도포하는 단계(V),

실리콘 조성물(X)을 경화시키는 단계(VI)(여기서, R² ₂SiO_2/2 단위 대 결합된 모든 기타 단위의 몰 비는 실리콘 조성물(X)에서보다 실리콘 조성물(Y)에서 더 높으며, 경화된 조성물(Y)의 표면 에너지는 경화된 실리콘 조성물(X)의 표면 에너지보다 낮다) 및

기판으로부터 단계(VI)의 경화된 실리콘 조성물(X)을 분리시키는 단계(VII)를 포함하는, 제품의 제조방법.