JP2007517934A - シリコーン組成物及び印刷または型押しパターンのリリースまたは転写の制御におけるその使用、並びにそのための転写方法 - Google Patents
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Abstract
Description
(A)100重量部の少なくとも1つのオルガノシロキサン化合物であって、
1分子毎に平均して2つより多いアルケニル基を含み、且つ1.5mol%未満のケイ素結合ヒドロキシ基を有し、以下(i)乃至(vii):
(i)R2 3SiO1/2単位及びSiO4/2単位を含むオルガノシロキサン化合物(ここでR2 3SiO1/2単位対SiO4/2単位のモル比は0.05乃至4.0である)、
(ii)R2 3SiO1/2単位及びR1SiO3/2単位を含むオルガノシロキサン化合物(ここでR2 3SiO1/2単位対R1SiO3/2単位のモル比は0.05乃至3.0である)
(iii)R2 3SiO1/2単位、R1SiO3/2単位、及びSiO4/2単位を含むオルガノシロキサン化合物(ここでR2 3SiO1/2単位対R1SiO3/2単位のモル比は0.05乃至3.0であり、R2 3SiO1/2単位とR1SiO3/2単位との合計対SiO4/2単位のモル比は4乃至99である)
(iv)R2 3SiO1/2単位、R1SiO3/2単位、及びR2 2SiO2/2単位を含むオルガノシロキサン化合物(ここでR2 3SiO1/2単位対R1SiO3/2単位のモル比は0.05乃至3.0であり、R2 3SiO1/2単位とR1SiO3/2単位との合計対R2 2SiO2/2単位のモル比は0.5乃至99である)
(v)R2 2SiO2/2単位及びR1SiO3/2単位を含むオルガノシロキサン化合物(ここでR2 2SiO2/2単位対R1SiO3/2単位のモル比は0.2乃至4.0である)、
(vi)R2 2SiO2/2単位及びR2 3SiO1/2単位を含むオルガノシロキサン化合物(ここでR2 2SiO2/2単位対R2 3SiO1/2単位のモル比は0乃至15000である)、
(vii)R2 2SiO2/2単位、R2 3SiO1/2単位、及びSiO2/2単位を含むオルガノシロキサン化合物(ここでSiO2/2単位対R2 2SiO2/2単位とR2 3SiO1/2単位との合計のモル比は0.005乃至0.125である)、
から選択され、ここでR1は脂肪族不飽和を含まない炭化水素基であり、R2はR1及びアルケニル基から選択される、オルガノシロキサン化合物;
(B)(i)式HR3 2SiR4SiR3 2H(式中、R3は脂肪族不飽和を含まない炭化水素基であって、R4は二価の炭化水素基である)を有するオルガノハイドロジェンシラン化合物、及び
(ii)式(HR3 aSiO(3-a)/2)b(R1 cSiO(4-c)/2)d(式中、R1及びR3は以上に定義される通りであり、1≦a≦2、0≦c≦3、b+dの値が134乃至75000の分子量をもたらし、1分子毎に少なくとも2つのSiH基があることを条件とする)を有するオルガノハイドロジェンシロキサン化合物、
から選択される、(A)との架橋に十分な量の少なくとも1つのオルガノハイドロジェンケイ素化合物;
(C)触媒量のヒドロシリル化触媒;及び、任意の
(D)無機フィラー;
を反応させることを含む方法により得られるシリコーン組成物(X)を含む第一被覆層(I)と;
・前記被覆層(I)と接触しており、以下の(A')乃至(D'):
(A')100重量部の少なくとも1つのオルガノシロキサン化合物であって、
1分子毎に平均して2つより多いアルケニル基を含み、且つ1.5mol%未満のケイ素結合ヒドロキシ基を有し、以下(i)乃至(ii):
(i)R2 2SiO2/2単位及びR2 3SiO1/2単位を含むオルガノシロキサン化合物(ここでR2 2SiO2/2単位対R2 3SiO1/2単位のモル比は0乃至15000である)、
(ii)R2 3SiO1/2単位及びSiO4/2単位を含むオルガノシロキサン化合物(ここでR2 3SiO1/2単位対SiO4/2単位のモル比は0.05乃至4.0である)、
より選択され、R2が脂肪族不飽和を含まない炭化水素基及びアルケニル基から選択される、オルガノシロキサン化合物:
(B')(i)式HR3 2SiR4SiR3 2Hを有するオルガノハイドロジェンシラン化合物、及び
(ii)式(HR3 aSiO(3-a)/2)b(R1 cSiO(4-c)/2)d(式中、R1及びR3はそれぞれ独立に脂肪族不飽和を含まない炭化水素基であり、R4は二価の炭化水素基であり、1≦a≦2、0≦c≦3、b+dの値が134乃至75000の分子量をもたらし、1分子毎に少なくとも2つのSiH基があることを条件とする)を有するオルガノハイドロジェンシロキサン化合物、
から選択される、(A')との架橋に十分な量の少なくとも1つのオルガノハイドロジェンケイ素化合物;
(C')触媒量のヒドロシリル化触媒;及び、任意の
(D')無機フィラー;
を反応させることを含む方法により得られるシリコーン組成物(Y)を含む第二被覆層(II)とを含み、
但し、R2 2SiO2/2単位対他の単位の総計のモル比が、組成物(X)においてよりも組成物(Y)において高く、組成物(Y)の表面エネルギーが組成物(X)よりも低いことを条件とする、
シリコーン被覆組成物に関する。
(III)工程(II)の生成物の上面にパターンを形成する工程;(IV)工程(III)のパターンの上に、シリコーン組成物(X)を適用する工程;(V)シリコーン組成物(X)を硬化させる工程;
(但し、R2 2SiO2/2単位対他の単位の総計のモル比が、組成物(X)においてよりも組成物(Y)において高く、組成物(Y)の表面エネルギーが組成物(X)よりも低いことを条件とする);さらに
(VI)工程(V)の硬化させたシリコーン組成物(X)を前記基板から分離させる工程;
を含む、製造品の製造方法にも関する。
(I)(A)1分子毎に平均して2つより多いアルケニル基を含み、且つ1.5mol%未満のケイ素結合ヒドロキシ基を有し、
(i)R2 3SiO1/2単位及びSiO4/2単位を含むオルガノシロキサン化合物(ここでR2 3SiO1/2単位対SiO4/2単位のモル比は0.05乃至4.0である)、
(ii)R2 3SiO1/2単位及びR1SiO3/2単位を含むオルガノシロキサン化合物(ここでR2 3SiO1/2単位対R1SiO3/2単位のモル比は0.05乃至3.0である)
(iii)R2 3SiO1/2単位、R1SiO3/2単位、及びSiO4/2単位を含むオルガノシロキサン化合物(ここでR2 3SiO1/2単位対R1SiO3/2単位のモル比は0.05乃至3.0であり、R2 3SiO1/2単位とR1SiO3/2単位との合計対SiO4/2単位のモル比は4乃至99である)
(iv)R2 3SiO1/2単位、R1SiO3/2単位、及びR2 2SiO2/2単位を含むオルガノシロキサン化合物(ここでR2 3SiO1/2単位対R1SiO3/2単位のモル比は0.05乃至3.0であり、R2 3SiO1/2単位とR1SiO3/2単位との合計対R2 2SiO2/2単位のモル比は0.5乃至99である)
(v)R2 2SiO2/2単位及びR1SiO3/2単位を含むオルガノシロキサン化合物(ここでR2 2SiO2/2単位対R1SiO3/2単位のモル比は0.2乃至4.0である)、
(vi)R2 2SiO2/2単位及びR2 3SiO1/2単位を含むオルガノシロキサン化合物(ここでR2 2SiO2/2単位対R2 3SiO1/2単位のモル比は0乃至15000である)、
より選択される、100重量部のオルガノシロキサン化合物:
(ここでR1は脂肪族不飽和を含まない炭化水素基であり、R2はR1及びアルケニル基から選択される);
(B)(i)式HR3 2SiR4SiR3 2H(式中、R3は脂肪族不飽和を含まない炭化水素基であって、R4は二価の炭化水素基である)を有するオルガノハイドロジェンシラン化合物、及び
(ii)式(HR3 aSiO(3-a)/2)b(R1 cSiO(4-c)/2)d(式中、R1及びR3は以上に定義される通りであり、1≦a≦2、0≦c≦3、b+dの値が134乃至75000の分子量をもたらし、1分子毎に少なくとも2つのSiH基があることを条件とする)を有するオルガノハイドロジェンシロキサン化合物、
から選択される、(A)との架橋に十分な量の少なくとも1つのオルガノハイドロジェンケイ素化合物;
(C)触媒量のヒドロシリル化触媒;及び、任意の
(D)無機フィラー;
を反応させることを含む方法により得られるシリコーン組成物(X)を、基板に適用して1乃至500ミクロメートルの厚さの被覆を生成させる工程;
(II)シリコーン組成物(X)を硬化させる工程;
(III)工程(II)の生成物の上面にパターンを形成する工程;
(IV)工程(III)のパターンの上に、
(A')100重量部の少なくとも1つのオルガノシロキサン化合物であって、
1分子毎に平均して2つより多いアルケニル基を含み、且つ1.5mol%未満のケイ素結合ヒドロキシ基を有し、以下(i)乃至(ii):
(i)R2 2SiO2/2単位及びR2 3SiO1/2単位を含むオルガノシロキサン化合物(ここでR2 2SiO2/2単位対R2 3SiO1/2単位のモル比は0乃至15000である)、
(ii)R2 3SiO1/2単位及びSiO4/2単位を含むオルガノシロキサン化合物(ここでR2 3SiO1/2単位対SiO4/2単位のモル比は0.05乃至4.0である)、
より選択されるオルガノシロキサン化合物:
[R2は脂肪族不飽和を含まない炭化水素基及びアルケニル基から選択される];
(B')(i)式HR3 2SiR4SiR3 2Hを有するオルガノハイドロジェンシラン化合物、及び
(ii)式(HR3 aSiO(3-a)/2)b(R1 cSiO(4-c)/2)d(式中、R1及びR3はそれぞれ独立に脂肪族不飽和を含まない炭化水素基であり、R4は二価の炭化水素基であり、1≦a≦2、0≦c≦3、b+dの値が134乃至75000の分子量をもたらし、1分子毎に少なくとも2つのSiH基があることを条件とする)を有するオルガノハイドロジェンシロキサン化合物、
から選択される、(A')との架橋に十分な量の少なくとも1つのオルガノハイドロジェンケイ素化合物;
(C')触媒量のヒドロシリル化触媒;及び、任意の
(D')無機フィラー;
を反応させることを含む方法により得られるシリコーン組成物(Y)を適用する工程;
(V)シリコーン組成物(Y)を硬化させる工程;
(但し、R2 2SiO2/2単位対他の単位の総計のモル比が、組成物(Y)においてよりも組成物(X)において高く、組成物(X)の表面エネルギーが組成物(Y)よりも低いことを条件とする);さらに
(VI)工程(V)の硬化させたシリコーン組成物(Y)を前記基板から分離させる工程;
を含む、製造品の製造方法にも関する。
(VII)工程(VI)の硬化させたシリコーン組成物(X)を前記基板から分離させる工程;を含む、製造品の製造方法にも関する。
VCA 2500ゴニオメーターを使用して水接触角及び表面エネルギーを測定した。水及びヨウ化メチレンの接触角を、サンプル上に各液体を3滴滴下し、被覆に対する接線角を測定することによって測定した。平均及び標準偏差を得た。分散エネルギーと極性表面エネルギーを、幾何平均モデルから算出した。
PET透明フィルムを、Me3SiO1/2単位、ViMe2SiO1/2単位、及びSiO2単位を含む、24重量部のオルガノシロキサン化合物(ここで、Viはビニルを示し、Meはメチルを示し、SiO2単位1モル当たりMe3SiO1/2単位+ViMe2SiO1/2単位が約0.07モルのモル比であり、該オルガノシロキサン化合物は1.75乃至2.3重量%のビニルを含む)と、(ViMe2SiO1/2)2(Me3SiO1/2)15(Me2SiO2/2)81(SiO2)22単位を含むオルガノシロキサン化合物を88重量部と式Me3SiO(Me2SiO)3(MeHSiO)5SiMe3を有するオルガノハイドロゲンシロキサン化合物を6重量部との混合物を含む、76重量部の液体シリコーンゴム組成物とを含むシリコーン組成物(これ以降シリコーン組成物Aと表記する)で被覆した。該被覆は、ブレードを備えた手動のロールコーターで適用した。ブレードにかかる圧力が被覆の厚さを制御することから、前記圧力を2ミクロメートルの厚さの被覆が得られるように調整した。被覆を125℃にて2時間に亘り硬化させ、使用前に室温にまで冷却した。この被覆は、表1に見られるように、PETフィルムの表面エネルギーを29.2から14.0ダイン/cmに変化させた。
PETフィルム上の組成物Aの被覆厚さを2ミクロメートルからおよそ20ミクロメートルに増大させたこと以外は、実施例1を繰り返した。明らかなように、より厚いこの被覆によって、表面エネルギーが29.2から15.5ダイン/cmに変化した。実施例1に記載したものと同様に後続の処置を行ったところ、ここでもプリントパターンの完全な転写が観察された。
図3に示したように、カーボンブラックインクのドットパターンを、レーザープリンタにより未被覆のPET透明フィルム上にプリントした。実施例1で使用した型と同様に、前記パターンがテフロン(登録商標)バーに囲まれるように型を形成し、同様に該型を硬化させた。シリコーン組成物Aを型内のパターンの上に注ぎかけた。その後シリコーン組成物Aを60℃にて2時間加熱した。シリコーン組成物Aは、PET基板よりも低い表面エネルギーを有していた。硬化後、前記型を室温に冷却し、硬化シリコーン組成物Aを型から剥離した。プリントパターンの表面トポグラフィー特性は、硬化シリコーン組成物Aの下面に完全に複製された。インク転移は全く見られなかった。図4は、図3と全く同じ位置の、硬化シリコーン組成物A表面に複製されたパターンの光学顕微鏡画像である。
PET透明フィルムに適用した被覆の組成以外は、使用する操作及び組成物は実施例1と同様にした。この実施例では、被覆組成物は、(ViMe2SiO1/2)4(Me3SiO1/2)39(SiO2)57単位を含むオルガノシロキサン化合物を47.25重量部と(ViMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)740単位を含むオルガノシロキサン化合物を3.72重量部とを含む混合物を50重量部と、(ViMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)140単位を含むオルガノシロキサン化合物を50重量部との混合物であった(これ以降シリコーン組成物Cと表記する)。硬化被覆は、PETフィルムの表面エネルギーを29.2から15.1ダイン/cmに変化させた。PETフィルム上にこの被覆を用いた場合も、プリントされたカーボンブラックインクパターンの、硬化組成物Bへの完全な転写が観察された。
被覆として実施例4に記載の50/50混合物を用いる代わりに、(ViMe2SiO1/2)4(Me3SiO1/2)39(SiO2)57単位を含むオルガノシロキサン化合物を47.25重量部と(ViMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)740単位を含むオルガノシロキサン化合物を3.72重量部とを含む混合物(シリコーン組成物D)100重量部を、透明PETフィルム上の被覆として用いた。表1に見られるように、硬化した被覆の表面エネルギーは、20.4ダイン/cmであり、実施例4の混合物の場合よりもずっと高かった。この被覆は、プリントパターンをシリコーン組成物Bに転写または埋設する目的には不適であった。
組成物と操作は実施例1と同様にした。カーボンブラックインクドットパターンの代わりに、RFIDアンテナの固有のデザインと同一のカーボンブラックインクパターンを被覆PETフィルム上にプリントした。これらのパターンは、硬化シリコーン組成物Bに完全に転写された(図5)。
Claims (10)
- シリコーン被覆組成物であって、
・以下の(A)乃至(D):
(A)100重量部の少なくとも1つのオルガノシロキサン化合物であって、
1分子毎に平均して2つより多いアルケニル基を含み、且つ1.5mol%未満のケイ素結合ヒドロキシ基を有し、以下(i)乃至(vii):
(i)R2 3SiO1/2単位及びSiO4/2単位を含むオルガノシロキサン化合物(ここでR2 3SiO1/2単位対SiO4/2単位のモル比は0.05乃至4.0である)、
(ii)R2 3SiO1/2単位及びR1SiO3/2単位を含むオルガノシロキサン化合物(ここでR2 3SiO1/2単位対R1SiO3/2単位のモル比は0.05乃至3.0である)
(iii)R2 3SiO1/2単位、R1SiO3/2単位、及びSiO4/2単位を含むオルガノシロキサン化合物(ここでR2 3SiO1/2単位対R1SiO3/2単位のモル比は0.05乃至3.0であり、R2 3SiO1/2単位とR1SiO3/2単位との合計対SiO4/2単位のモル比は4乃至99である)
(iv)R2 3SiO1/2単位、R1SiO3/2単位、及びR2 2SiO2/2単位を含むオルガノシロキサン化合物(ここでR2 3SiO1/2単位対R1SiO3/2単位のモル比は0.05乃至3.0であり、R2 3SiO1/2単位とR1SiO3/2単位との合計対R2 2SiO2/2単位のモル比は0.5乃至99である)
(v)R2 2SiO2/2単位及びR1SiO3/2単位を含むオルガノシロキサン化合物(ここでR2 2SiO2/2単位対R1SiO3/2単位のモル比は0.2乃至4.0である)、
(vi)R2 2SiO2/2単位及びR2 3SiO1/2単位を含むオルガノシロキサン化合物(ここでR2 2SiO2/2単位対R2 3SiO1/2単位のモル比は0乃至15000である)、
(vii)R2 2SiO2/2単位、R2 3SiO1/2単位、及びSiO2/2単位を含むオルガノシロキサン化合物(ここでSiO2/2単位対R2 2SiO2/2単位とR2 3SiO1/2単位との合計のモル比は0.005乃至0.125である)、
から選択され、ここでR1は脂肪族不飽和を含まない炭化水素基であり、R2はR1及びアルケニル基から選択される、オルガノシロキサン化合物;
(B)(i)式HR3 2SiR4SiR3 2H(式中、R3は脂肪族不飽和を含まない炭化水素基であって、R4は二価の炭化水素基である)を有するオルガノハイドロジェンシラン化合物、及び
(ii)式(HR3 aSiO(3-a)/2)b(R1 cSiO(4-c)/2)d(式中、R1及びR3は以上に定義される通りであり、1≦a≦2、0≦c≦3、b+dの値が134乃至75000の分子量をもたらし、1分子毎に少なくとも2つのSiH基があることを条件とする)を有するオルガノハイドロジェンシロキサン化合物、
から選択される、(A)との架橋に十分な量の少なくとも1つのオルガノハイドロジェンケイ素化合物;
(C)触媒量のヒドロシリル化触媒;及び、任意の
(D)無機フィラー;
を反応させることを含む方法により得られるシリコーン組成物(X)を含む第一被覆層(I)と;
・前記被覆層(I)と接触しており、以下の(A')乃至(D'):
(A')100重量部の少なくとも1つのオルガノシロキサン化合物であって、
1分子毎に平均して2つより多いアルケニル基を含み、且つ1.5mol%未満のケイ素結合ヒドロキシ基を有し、以下(i)乃至(ii):
(i)R2 2SiO2/2単位及びR2 3SiO1/2単位を含むオルガノシロキサン化合物(ここでR2 2SiO2/2単位対R2 3SiO1/2単位のモル比は0乃至15000である)、
(ii)R2 3SiO1/2単位及びSiO4/2単位を含むオルガノシロキサン化合物(ここでR2 3SiO1/2単位対SiO4/2単位のモル比は0.05乃至4.0である)、
より選択され、R2が脂肪族不飽和を含まない炭化水素基及びアルケニル基から選択される、オルガノシロキサン化合物:
(B')(i)式HR3 2SiR4SiR3 2Hを有するオルガノハイドロジェンシラン化合物、及び
(ii)式(HR3 aSiO(3-a)/2)b(R1 cSiO(4-c)/2)d(式中、R1及びR3はそれぞれ独立に脂肪族不飽和を含まない炭化水素基であり、R4は二価の炭化水素基であり、1≦a≦2、0≦c≦3、b+dの値が134乃至75000の分子量をもたらし、1分子毎に少なくとも2つのSiH基があることを条件とする)を有するオルガノハイドロジェンシロキサン化合物、
から選択される、(A')との架橋に十分な量の少なくとも1つのオルガノハイドロジェンケイ素化合物;
(C')触媒量のヒドロシリル化触媒;及び、任意の
(D')無機フィラー;
を反応させることを含む方法により得られるシリコーン組成物(Y)を含む第二被覆層(II)とを含み、
但し、R2 2SiO2/2単位対他の単位の総計のモル比が、組成物(X)においてよりも組成物(Y)において高く、組成物(Y)の表面エネルギーが組成物(X)よりも低いことを条件とする、
シリコーン被覆組成物。 - 脂肪族不飽和を含まない前記炭化水素基が個別にメチル及びフェニルから選択され、前記アルケニル基がビニルである、請求項1に記載のシリコーン被覆組成物。
- (A)が、ViMe2SiO1/2単位及びPhSiO3/2単位を含むオルガノシロキサン化合物であり(ここで、ViMe2SiO1/2単位対PhSiO3/2単位のモル比は0.05乃至3.0である);
(B)が、式HMe2Si-Ph-SiMe2Hを有するオルガノハイドロジェンシラン化合物であり;
(A')が、(ViMe2SiO1/2)単位、(Me3SiO1/2)単位、(Me2SiO2/2)単位、及び(SiO2)単位を含むオルガノシロキサン化合物であり(ここで、(ViMe2SiO1/2)単位+(Me3SiO1/2)単位対(Me2SiO2/2)単位の比は1/10000乃至1/5であり、(Me2SiO2/2)単位対(SiO2)単位の比は200/1乃至1/4である);
(B')が、式Me3SiO(Me2SiO)x(MeHSiO)ySiMe3(式中、x+yの値が134乃至75000の分子量をもたらし、1分子毎に少なくとも2つのSiH基が存在する)を有するオルガノハイドロジェンシロキサン化合物であり;
(C)及び(C')が、白金含有ヒドロシリル化触媒であり;さらに、
(D)及び(D')が、中空ミクロスフェア、フュームドシリカ、沈降シリカ、無水ケイ酸、含水ケイ酸、カーボンブラック、石英粉末、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、珪藻土、珪灰石、焼成クレー、粘土、タルク、カオリン、酸化チタン、ベントナイト、酸化鉄、酸化亜鉛、ガラスバルーン、ガラスビーズ、マイカ、ガラス粉末、炭じん、アクリル樹脂粉末、フェノール樹脂粉末、セラミック粉末、ゼオライト、スレート粉末、有機繊維、及び無機繊維から選択される;
請求項1に記載のシリコーン被覆組成物。 - 以下の工程(I)乃至(VI):
(I)(A')1分子毎に平均して2つより多いアルケニル基を含み、且つ1.5mol%未満のケイ素結合ヒドロキシ基を有し、
(i)R2 2SiO2/2単位及びR2 3SiO1/2単位を含むオルガノシロキサン化合物(ここでR2 2SiO2/2単位対R2 3SiO1/2単位のモル比は0乃至15000である)、
(ii)R2 3SiO1/2単位及びSiO4/2単位を含むオルガノシロキサン化合物(ここでR2 3SiO1/2単位対SiO4/2単位のモル比は0.05乃至4.0である)、
より選択される、100重量部の少なくとも1つのオルガノシロキサン化合物:
(ここでR2は脂肪族不飽和を含まない炭化水素基及びアルケニル基から選択される);
(B')(i)式HR3 2SiR4SiR3 2Hを有するオルガノハイドロジェンシラン化合物、及び
(ii)式(HR3 aSiO(3-a)/2)b(R1 cSiO(4-c)/2)d(式中、R1及びR3はそれぞれ独立に脂肪族不飽和を含まない炭化水素基であり、R4は二価の炭化水素基であり、1≦a≦2、0≦c≦3、b+dの値が134乃至75000の分子量をもたらし、1分子毎に少なくとも2つのSiH基があることを条件とする)を有するオルガノハイドロジェンシロキサン化合物、
から選択される、(A')との架橋に十分な量の少なくとも1つのオルガノハイドロジェンケイ素化合物;
(C')触媒量のヒドロシリル化触媒;及び、任意の
(D')無機フィラー;
を反応させることを含む方法により得られるシリコーン組成物(Y)を基板に適用して1乃至500ミクロメートルの厚さの被覆を生成させる工程;
(II)シリコーン組成物(Y)を硬化させる工程;
(III)工程(II)の生成物の上面にパターンを形成する工程;
(IV)工程(III)のパターンの上に、
(A)100重量部の少なくとも1つのオルガノシロキサン化合物であって、
1分子毎に平均して2つより多いアルケニル基を含み、且つ1.5mol%未満のケイ素結合ヒドロキシ基を有し、以下(i)乃至(vii):
(i)R2 3SiO1/2単位及びSiO4/2単位を含むオルガノシロキサン化合物(ここでR2 3SiO1/2単位対SiO4/2単位のモル比は0.05乃至4.0である)、
(ii)R2 3SiO1/2単位及びR1SiO3/2単位を含むオルガノシロキサン化合物(ここでR2 3SiO1/2単位対R1SiO3/2単位のモル比は0.05乃至3.0である)
(iii)R2 3SiO1/2単位、R1SiO3/2単位、及びSiO4/2単位を含むオルガノシロキサン化合物(ここでR2 3SiO1/2単位対R1SiO3/2単位のモル比は0.05乃至3.0であり、R2 3SiO1/2単位とR1SiO3/2単位との合計対SiO4/2単位のモル比は4乃至99である)
(iv)R2 3SiO1/2単位、R1SiO3/2単位、及びR2 2SiO2/2単位を含むオルガノシロキサン化合物(ここでR2 3SiO1/2単位対R1SiO3/2単位のモル比は0.05乃至3.0であり、R2 3SiO1/2単位とR1SiO3/2単位との合計対R2 2SiO2/2単位のモル比は0.5乃至99である)
(v)R2 2SiO2/2単位及びR1SiO3/2単位を含むオルガノシロキサン化合物(ここでR2 2SiO2/2単位対R1SiO3/2単位のモル比は0.2乃至4.0である)、
(vi)R2 2SiO2/2単位及びR2 3SiO1/2単位を含むオルガノシロキサン化合物(ここでR2 2SiO2/2単位対R2 3SiO1/2単位のモル比は0乃至15000である)、
(vii)R2 2SiO2/2単位、R2 3SiO1/2単位、及びSiO2/2単位を含むオルガノシロキサン化合物(ここでSiO2/2単位対R2 2SiO2/2単位とR2 3SiO1/2単位との合計のモル比は0.005乃至0.125である)、
より選択され、ここでR1が脂肪族不飽和を含まない炭化水素基であり、R2はR1及びアルケニル基から選択されるオルガノシロキサン化合物;
(B)(i)式HR3 2SiR4SiR3 2H(式中、R3は脂肪族不飽和を含まない炭化水素基であって、R4は二価の炭化水素基である)を有するオルガノハイドロジェンシラン化合物、及び
(ii)式(HR3 aSiO(3-a)/2)b(R1 cSiO(4-c)/2)d(式中、R1及びR3は以上に定義される通りであり、1≦a≦2、0≦c≦3、b+dの値が134乃至75000の分子量をもたらし、1分子毎に少なくとも2つのSiH基があることを条件とする)を有するオルガノハイドロジェンシロキサン化合物、
から選択される、(A)との架橋に十分な量の少なくとも1つのオルガノハイドロジェンケイ素化合物;
(C)触媒量のヒドロシリル化触媒;及び、任意の
(D)無機フィラー;
を反応させることを含む方法により得られるシリコーン組成物(X)を適用する工程;
(V)シリコーン組成物(X)を硬化させる工程;
(但し、R2 2SiO2/2単位対他の単位の総計のモル比が、組成物(X)においてよりも組成物(Y)において高く、組成物(Y)の表面エネルギーが組成物(X)よりも低いことを条件とする);さらに
(VI)工程(V)の硬化させたシリコーン組成物(X)を前記基板から分離させる工程;
を含む、製造品の製造方法。 - 脂肪族不飽和を含まない前記炭化水素基がメチル及びフェニルから選択され、前記アルケニル基がビニルである、請求項4に記載の方法。
- (A)が、ViMe2SiO1/2単位及びPhSiO3/2単位を含むオルガノシロキサン化合物であり(ここで、ViMe2SiO1/2単位対PhSiO3/2単位のモル比は0.05乃至3.0である);
(B)が、式HMe2Si-Ph-SiMe2Hを有するオルガノハイドロジェンシラン化合物であり;
(A')が、(ViMe2SiO1/2)単位、(Me3SiO1/2)単位、(Me2SiO2/2)単位、及び(SiO2)単位を含むオルガノシロキサン化合物であり(ここで、(ViMe2SiO1/2)単位+(Me3SiO1/2)単位対(Me2SiO2/2)単位の比は1/10000乃至1/5であり、(Me2SiO2/2)単位対(SiO2)単位の比は200/1乃至1/4である);
(B')が、式Me3SiO(Me2SiO)x(MeHSiO)ySiMe3(式中、x+yの値が134乃至75000の分子量をもたらし、1分子毎に少なくとも2つのSiH基が存在する)を有するオルガノハイドロジェンシロキサン化合物であり;
(C)及び(C')が、白金含有ヒドロシリル化触媒であり;さらに、
(D)及び(D')が、中空ミクロスフェア、フュームドシリカ、沈降シリカ、無水ケイ酸、含水ケイ酸、カーボンブラック、石英粉末、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、珪藻土、珪灰石、焼成クレー、粘土、タルク、カオリン、酸化チタン、ベントナイト、酸化鉄、酸化亜鉛、ガラスバルーン、ガラスビーズ、マイカ、ガラス粉末、炭じん、アクリル樹脂粉末、フェノール樹脂粉末、セラミック粉末、ゼオライト、スレート粉末、有機繊維、及び無機繊維から選択される;
請求項4に記載の方法。 - 以下の工程(I)乃至(VI):
(I)(A)1分子毎に平均して2つより多いアルケニル基を含み、且つ1.5mol%未満のケイ素結合ヒドロキシ基を有し、
(i)R2 3SiO1/2単位及びSiO4/2単位を含むオルガノシロキサン化合物(ここでR2 3SiO1/2単位対SiO4/2単位のモル比は0.05乃至4.0である)、
(ii)R2 3SiO1/2単位及びR1SiO3/2単位を含むオルガノシロキサン化合物(ここでR2 3SiO1/2単位対R1SiO3/2単位のモル比は0.05乃至3.0である)
(iii)R2 3SiO1/2単位、R1SiO3/2単位、及びSiO4/2単位を含むオルガノシロキサン化合物(ここでR2 3SiO1/2単位対R1SiO3/2単位のモル比は0.05乃至3.0であり、R2 3SiO1/2単位とR1SiO3/2単位との合計対SiO4/2単位のモル比は4乃至99である)
(iv)R2 3SiO1/2単位、R1SiO3/2単位、及びR2 2SiO2/2単位を含むオルガノシロキサン化合物(ここでR2 3SiO1/2単位対R1SiO3/2単位のモル比は0.05乃至3.0であり、R2 3SiO1/2単位とR1SiO3/2単位との合計対R2 2SiO2/2単位のモル比は0.5乃至99である)
(v)R2 2SiO2/2単位及びR1SiO3/2単位を含むオルガノシロキサン化合物(ここでR2 2SiO2/2単位対R1SiO3/2単位のモル比は0.2乃至4.0である)、
(vi)R2 2SiO2/2単位及びR2 3SiO1/2単位を含むオルガノシロキサン化合物(ここでR2 2SiO2/2単位対R2 3SiO1/2単位のモル比は0乃至15000である)、
より選択される、100重量部のオルガノシロキサン化合物:
(ここでR1は脂肪族不飽和を含まない炭化水素基であり、R2はR1及びアルケニル基から選択される);
(B)(i)式HR3 2SiR4SiR3 2H(式中、R3は脂肪族不飽和を含まない炭化水素基であって、R4は二価の炭化水素基である)を有するオルガノハイドロジェンシラン化合物、及び
(ii)式(HR3 aSiO(3-a)/2)b(R1 cSiO(4-c)/2)d(式中、R1及びR3は以上に定義される通りであり、1≦a≦2、0≦c≦3、b+dの値が134乃至75000の分子量をもたらし、1分子毎に少なくとも2つのSiH基があることを条件とする)を有するオルガノハイドロジェンシロキサン化合物、
から選択される、(A)との架橋に十分な量の少なくとも1つのオルガノハイドロジェンケイ素化合物;
(C)触媒量のヒドロシリル化触媒;及び、任意の
(D)無機フィラー;
を反応させることを含む方法により得られるシリコーン組成物(X)を、基板に適用して1乃至500ミクロメートルの厚さの被覆を生成させる工程;
(II)シリコーン組成物(X)を硬化させる工程;
(III)工程(II)の生成物の上面にパターンを形成する工程;
(IV)工程(III)のパターンの上に、
(A')100重量部の少なくとも1つのオルガノシロキサン化合物であって、
1分子毎に平均して2つより多いアルケニル基を含み、且つ1.5mol%未満のケイ素結合ヒドロキシ基を有し、以下(i)乃至(ii):
(i)R2 2SiO2/2単位及びR2 3SiO1/2単位を含むオルガノシロキサン化合物(ここでR2 2SiO2/2単位対R2 3SiO1/2単位のモル比は0乃至15000である)、
(ii)R2 3SiO1/2単位及びSiO4/2単位を含むオルガノシロキサン化合物(ここでR2 3SiO1/2単位対SiO4/2単位のモル比は0.05乃至4.0である)、
より選択されるオルガノシロキサン化合物:
[R2は脂肪族不飽和を含まない炭化水素基及びアルケニル基から選択される];
(B')(i)式HR3 2SiR4SiR3 2Hを有するオルガノハイドロジェンシラン化合物、及び
(ii)式(HR3 aSiO(3-a)/2)b(R1 cSiO(4-c)/2)d(式中、R1及びR3はそれぞれ独立に脂肪族不飽和を含まない炭化水素基であり、R4は二価の炭化水素基であり、1≦a≦2、0≦c≦3、b+dの値が134乃至75000の分子量をもたらし、1分子毎に少なくとも2つのSiH基があることを条件とする)を有するオルガノハイドロジェンシロキサン化合物、
から選択される、(A')との架橋に十分な量の少なくとも1つのオルガノハイドロジェンケイ素化合物;
(C')触媒量のヒドロシリル化触媒;及び、任意の
(D')無機フィラー;
を反応させることを含む方法により得られるシリコーン組成物(Y)を適用する工程;
(V)シリコーン組成物(Y)を硬化させる工程;
(但し、R2 2SiO2/2単位対他の単位の総計のモル比が、組成物(Y)においてよりも組成物(X)において高く、組成物(X)の表面エネルギーが組成物(Y)よりも低いことを条件とする);さらに
(VI)工程(V)の硬化させたシリコーン組成物(Y)を前記基板から分離させる工程;
を含む、製造品の製造方法。 - 脂肪族不飽和を含まない前記炭化水素基がメチル及びフェニルから選択され、前記アルケニル基がビニルである、請求項7に記載の方法。
- (A)が、ViMe2SiO1/2単位及びPhSiO3/2単位を含むオルガノシロキサン化合物であり(ここで、ViMe2SiO1/2単位対PhSiO3/2単位のモル比は0.05乃至3.0である);
(B)が、式HMe2Si-Ph-SiMe2Hを有するオルガノハイドロジェンシラン化合物であり;
(A')が、(ViMe2SiO1/2)単位、(Me3SiO1/2)単位、(Me2SiO2/2)単位、及び(SiO2)単位を含むオルガノシロキサン化合物であり(ここで、(ViMe2SiO1/2)単位+(Me3SiO1/2)単位対(Me2SiO2/2)単位の比は1/10000乃至1/5であり、(Me2SiO2/2)単位対(SiO2)単位の比は200/1乃至1/4である);
(B')が、式Me3SiO(Me2SiO)x(MeHSiO)ySiMe3(式中、x+yの値が134乃至75000の分子量をもたらし、1分子毎に少なくとも2つのSiH基が存在する)を有するオルガノハイドロジェンシロキサン化合物であり;
(C)及び(C')が、白金含有ヒドロシリル化触媒であり;さらに、
(D)及び(D')が、中空ミクロスフェア、フュームドシリカ、沈降シリカ、無水ケイ酸、含水ケイ酸、カーボンブラック、石英粉末、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、珪藻土、珪灰石、焼成クレー、粘土、タルク、カオリン、酸化チタン、ベントナイト、酸化鉄、酸化亜鉛、ガラスバルーン、ガラスビーズ、マイカ、ガラス粉末、炭じん、アクリル樹脂粉末、フェノール樹脂粉末、セラミック粉末、ゼオライト、スレート粉末、有機繊維、及び無機繊維から選択される;
請求項7に記載の方法。 - 以下の工程(I)乃至(IV):
(I)(A')1分子毎に平均して2つより多いアルケニル基を含み、且つ1.5mol%未満のケイ素結合ヒドロキシ基を有し、以下(i)乃至(ii):
(i)R2 2SiO2/2単位及びR2 3SiO1/2単位を含むオルガノシロキサン化合物(ここでR2 2SiO2/2単位対R2 3SiO1/2単位のモル比は0乃至15000である)、
(ii)R2 3SiO1/2単位及びSiO4/2単位を含むオルガノシロキサン化合物(ここでR2 2SiO2/2単位対SiO4/2単位のモル比は0.05乃至4.0である)、
より選択される、100重量部の少なくとも1つのオルガノシロキサン化合物:
[R2は脂肪族不飽和を含まない炭化水素基及びアルケニル基から選択される];
(B')(i)式HR3 2SiR4SiR3 2Hを有するオルガノハイドロジェンシラン化合物、及び
(ii)式(HR3 aSiO(3-a)/2)b(R1 cSiO(4-c)/2)d(式中、R1及びR3はそれぞれ独立に脂肪族不飽和を含まない炭化水素基であり、R4は二価の炭化水素基であり、1≦a≦2、0≦c≦3、b+dの値が134乃至75000の分子量をもたらし、1分子毎に少なくとも2つのSiH基があることを条件とする)を有するオルガノハイドロジェンシロキサン化合物、
から選択される、(A')との架橋に十分な量の少なくとも1つのオルガノハイドロジェンケイ素化合物;
(C')触媒量のヒドロシリル化触媒;及び、任意の
(D')無機フィラー;
を反応させることを含む方法により得られるシリコーン組成物(Y)を基板に適用して1乃至500ミクロメートルの厚さの被覆を生成させる工程;
(II)シリコーン組成物(Y)を硬化させる工程;
(III)工程(II)の生成物の上面にパターンを形成する工程;
(IV)上面にパターンを埋設した層を、前記基板と位置を合わせるがこれと接触はさせずに設置する工程;
(V)(A)100重量部の少なくとも1つのオルガノシロキサン化合物であって、
1分子毎に平均して2つより多いアルケニル基を含み、且つ1.5mol%未満のケイ素結合ヒドロキシ基を有し、以下:
(i)R2 3SiO1/2単位及びSiO4/2単位を含むオルガノシロキサン化合物(ここでR2 3SiO1/2単位対SiO4/2単位のモル比は0.05乃至4.0である)、
(ii)R2 3SiO1/2単位及びR1SiO3/2単位を含むオルガノシロキサン化合物(ここでR2 3SiO1/2単位対R1SiO3/2単位のモル比は0.05乃至3.0である)
(iii)R2 3SiO1/2単位、R1SiO3/2単位、及びSiO4/2単位を含むオルガノシロキサン化合物(ここでR2 3SiO1/2単位対R1SiO3/2単位のモル比は0.05乃至3.0であり、R2 3SiO1/2単位とR1SiO3/2単位との合計対SiO4/2単位のモル比は4乃至99である)
(iv)R2 3SiO1/2単位、R1SiO3/2単位、及びR2 2SiO2/2単位を含むオルガノシロキサン化合物(ここでR2 3SiO1/2単位対R1SiO3/2単位のモル比は0.05乃至3.0であり、R2 3SiO1/2単位とR1SiO3/2単位との合計対R2 2SiO2/2単位のモル比は0.5乃至99である)
(v)R2 2SiO2/2単位及びR1SiO3/2単位を含むオルガノシロキサン化合物(ここでR2 2SiO2/2単位対R1SiO3/2単位のモル比は0.2乃至4.0である)、
(vi)R2 2SiO2/2単位及びR2 3SiO1/2単位を含むオルガノシロキサン化合物(ここでR2 2SiO2/2単位対R2 3SiO1/2単位のモル比は0乃至15000である)、
[R1は脂肪族不飽和を含まない炭化水素基であり、R2はR1及びアルケニル基から選択される];
(B)(i)式HR3 2SiR4SiR3 2H(式中、R3は脂肪族不飽和を含まない炭化水素基であって、R4は二価の炭化水素基である)を有するオルガノハイドロジェンシラン化合物、及び
(ii)式(HR3 aSiO(3-a)/2)b(R1 cSiO(4-c)/2)d(式中、R1及びR3は以上に定義される通りであり、1≦a≦2、0≦c≦3、b+dの値が134乃至75000の分子量をもたらし、1分子毎に少なくとも2つのSiH基があることを条件とする)を有するオルガノハイドロジェンシロキサン化合物、
から選択される、(A)との架橋に十分な量の少なくとも1つのオルガノハイドロジェンケイ素化合物;
(C)触媒量のヒドロシリル化触媒;及び、任意の
(D)無機フィラー;
を反応させることを含む方法により得られるシリコーン組成物(X)を基板の表面または前記層の上面に毛細管流動により適用する工程;
(VI)シリコーン組成物(X)を硬化させる工程;
(但し、R2 2SiO2/2単位対他の単位の総計のモル比が、組成物(X)においてよりも組成物(Y)において高く、組成物(Y)の表面エネルギーが組成物(X)よりも低いことを条件とする);さらに
(VII)工程(VI)の硬化させたシリコーン組成物(X)を前記基板から分離させる工程;を含む、製造品の製造方法。
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