KR20060089838A - Donor film for thin film transfer - Google Patents
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Abstract
본 발명은 상온 이하의 유리전이온도를 갖는 고분자 필름층을 포함하는 박막전사용 도너 필름에 관한 것으로, 상기 도너 필름은 광열 변환층을 반드시 필요로 하지 않고, 금속 및 유기물의 전사가 모두 가능하며, 한꺼번에 여러층을 전사할 수 있어 효율적이다.The present invention relates to a donor film for a thin film transfer comprising a polymer film layer having a glass transition temperature of room temperature or less, the donor film does not necessarily require a light-heat conversion layer, both metal and organic materials can be transferred, It is efficient because you can transfer multiple layers at once.
도너 필름, PDMS, 패터닝Donor Film, PDMS, Patterning
Description
도 1은 종래의 레이저 전사법에 사용되는 박막전사용 도너 필름의 구조를 나타내는 개략 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view showing the structure of a thin film transfer donor film used in a conventional laser transfer method.
도 2는 본 발명에 따른 박막전사용 도너 필름의 구현예들의 구조를 나타낸 개략 단면도이다.Figure 2 is a schematic cross-sectional view showing the structure of the embodiments of the thin film transfer donor film according to the present invention.
도 3은 본 발명에 따른 박막전사용 도너 필름을 사용한 전사 공정을 개략적으로 도시한 도면으로, 도 3a는 고분자 필름층이 평평한 경우이고, 도 3b는 고분자 필름층이 패터닝된 경우이다.3 is a view schematically showing a transfer process using a thin film transfer donor film according to the present invention, Figure 3a is a case where the polymer film layer is flat, Figure 3b is a case where the polymer film layer is patterned.
도 4는 종래의 레이저 전사법에 의한 전사 공정을 개략적으로 도시한 도면이다. 4 is a view schematically showing a transfer process by a conventional laser transfer method.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for the main parts of the drawings
100, 200, 300: 투명 기판 201, 301: 고분자 필름층100, 200, 300:
102, 202, 302, 402: 전사층 103, 403: 광열 변환층102, 202, 302, 402:
105: 중간층 304, 404: 어셉터 필름 105:
본 발명은 박막 전사용 도너 필름(donor film)에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 유리전이온도가 상온 이하인 고분자 필름층을 포함한 박막전사용 도너 필름에 관한 것이다.The present invention relates to a donor film for thin film transfer, and more particularly, to a donor film for thin film transfer including a polymer film layer having a glass transition temperature of room temperature or less.
액정표시장치의 블랙 매트릭스, 컬러필터, 또는 유기전계발광소자의 유기층, 패시브 매트릭스형 유기전계발광소자의 제 2 전극, OTFT의 유기반도체, 유기태양전지의 유기물 등은 패터닝된 형태를 취하는 것이 일반적이다.The black matrix of the liquid crystal display, the color filter, or the organic layer of the organic light emitting display device, the second electrode of the passive matrix organic light emitting display device, the organic semiconductor of the OTFT, the organic material of the organic solar cell, and the like are generally patterned. .
최근에 플렉스블 디스플레이(flexible display)에 대한 관심이 고조되고 있으며,표시부, 구동부로 구성된 기존의 디스플레이 핵심 부품 중 표시부와 구동부가 유연성을 갖게 하는 것이 요구된다. 표시부는 유리기판을 플라스틱으로, 구동부는 무기재료를 이용한 TFT를 유기반도체로 바꾼 OTFT로 대체하는 것이 필요한데, 기존의 TFT-LCT의 구현 방식인 아모퍼스 방식으로 300-400℃의 고온에서 TFT를 형성할 때 플라스틱 기판이 녹는 단점을 해결하기 위해 유연성을 갖는 OTFT를 보다 낮은 온도에서 패터닝하는 방법이 요구되고 있다. Recently, the interest in the flexible display (flexible display) is increasing, it is required to make the display unit and the drive unit of the existing display core components consisting of the display unit, the drive unit to have flexibility. The display part needs to replace the glass substrate with plastic, and the driving part with OTFT which replaces TFT using inorganic material with organic semiconductor, and forms TFT at high temperature of 300-400 ℃ by amorphous method, which is an implementation method of conventional TFT-LCT. In order to solve the disadvantage of melting the plastic substrate, there is a need for a method of patterning a flexible OTFT at a lower temperature.
패터닝된 인쇄 방법의 하나로 잉크젯 기록방법이 있는데, 흑색 감광성 수지 조성물이나, 흑색계의 안료, 염료나 금속가루를 분산시킨 감광성 수지 조성물로부터 포토레지스트법에 의해 블랙 매트릭스를 형성하는 경우, 수지 조성물의 도포, 경화, 노광, 현상 및 건조 등의 여러가지 처리를 실시하는 것이 필수적이고 작업이 번잡해질 뿐 아니라 처리 장치의 복잡화나 제조 비용의 증가 문제도 감수해야 한다. 또한 감광성 수지 조성물 대신 금속 박막, 예를 들어 크롬이나 크롬 산화물 등의 박막에 의해 블랙 매트릭스를 형성하는 경우에도 금속 박막의 패터닝을 위해 포토레지스트법을 사용하지 않으면 안되므로 상기와 같은 동일한 문제점이 있다.One of the patterned printing methods is an inkjet recording method, and in the case of forming a black matrix by a photoresist method from a black photosensitive resin composition or a photosensitive resin composition in which black pigments, dyes or metal powders are dispersed, application of the resin composition It is essential to carry out various treatments such as curing, exposure, development and drying, and not only the work is complicated, but also the complexity of the processing apparatus and the increase of manufacturing cost must be taken. In addition, even when the black matrix is formed by using a metal thin film, for example, chromium or chromium oxide, instead of the photosensitive resin composition, the photoresist method must be used for patterning the metal thin film.
유기전계발광소자는 형광 또는 인광 유기층에 전류를 흘려주면, 전자와 정공이 유기층에서 결합하면서 빛을 발생시키는 현상을 이용한 자발광형 소자로서, 경량이고, 부품이 간소하며, 제작 공정이 간단하고, 고화질 및 광시야각 구현이 가능하다. 또한, 동영상을 완벽하게 구현할 수 있고, 고색순도 구현이 가능하며, 저소비전력, 저전압 구동으로 휴대용 전자기기에 적합한 전기적 특성을 갖고 있다. 상기 유기전계발광소자의 용도는 디스플레이 또는 백라이트 유니트 등으로 매우 다양하다.An organic electroluminescent device is a self-luminous device using a phenomenon in which an electron and a hole combine in an organic layer to generate light when a current flows through a fluorescent or phosphorescent organic layer. The organic light emitting device is light, simple in components, and simple in manufacturing. High quality and wide viewing angle can be realized. In addition, video can be fully realized, high color purity can be realized, and low power consumption and low voltage driving make it suitable for portable electronic devices. The use of the organic light emitting device is very versatile such as a display or a backlight unit.
일반적으로 유기전계발광소자는 애노드와 캐소드, 및 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 전자주입층을 포함하는 다양한 층으로 이루어진다. In general, an organic light emitting display device includes an anode and a cathode, and various layers including a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer.
유기전계발광소자의 풀칼라화를 위해서는 발광층, 전자주입층, 정공주입층 등 유기박막의 미세패턴을 형성하는 것이 필요하다.For full colorization of the organic light emitting device, it is necessary to form a fine pattern of an organic thin film such as a light emitting layer, an electron injection layer, a hole injection layer.
유기박막의 미세패턴을 형성하는 방법으로는 유기박막 위에 포토레지스를 코팅, 노광 및 현상하여 얻어진 포토레지스트 패턴을 이용함으로써 유기박막을 미세가공하는 리소그래피 방법이 있다. 그러나 이 방법으로 형성된 유기박막은 공정에서 사용되는 유기 용매 및 현상액 잔류물 등에 의해 변형되기 때문에 실질적으로 적용하기가 거의 불가능하다. 또 다른 방법으로 마스크를 이용한 진공증착법이 있으나 이는 수십 미크론 정도의 미세가공이 어렵다는 문제점이 있다. As a method of forming a fine pattern of an organic thin film, there is a lithography method of fine processing an organic thin film by using a photoresist pattern obtained by coating, exposing and developing a photoresist on an organic thin film. However, since the organic thin film formed by this method is deformed by the organic solvent, developer residue, etc. used in the process, practical application is almost impossible. Another method is a vacuum deposition method using a mask, but this has a problem that it is difficult to finely process a few tens of microns.
한편 레이저 전사법으로 패터닝하는 방법도 알려져 있다. 레이저 전사법으로 컬러필터층을 형성하는 방법은 컬러필터층, 광열 변환층 및 지지필름으로 형성 된 컬러필터 전사필름과 레이저 등의 광원을 조사하여 컬러필터 전사필름 상의 컬러필터층을 기판상에 전사시켜 컬러필터층을 형성하는 방법이다. 상기 컬러필터 전사필름은 세개의 층으로 이루어지는데, 최하층에 광투과성이 우수한 재질로 이루어진 지지필름과 상기 지지필름 위에 광에너지를 열에너지로 바꾸는 광열 변환층과 전사층인 컬러필터층으로 형성된다. 상기 지지필름은 컬러필터층과 광열 변환층을 지지함은 물론 레이저광이 광열 변환층으로 잘 통과될 수 있도록 무색투명한 재질인 폴리에스테르, 폴리에틸렌 등의 고분자 필름으로 이루어진다.On the other hand, the method of patterning by the laser transfer method is also known. The color filter layer is formed by a laser transfer method. The color filter layer formed by the color filter layer, the light-to-heat conversion layer and the support film, and a light source such as a laser are irradiated to transfer the color filter layer on the color filter transfer film onto a substrate to produce a color filter layer. How to form. The color filter transfer film is composed of three layers, the lower layer is formed of a support film made of a material having excellent light transmittance, a light-heat conversion layer for converting light energy into thermal energy, and a color filter layer which is a transfer layer. The support film may be formed of a polymer film such as polyester or polyethylene, which is a colorless and transparent material to support the color filter layer and the light-heat conversion layer as well as to allow the laser light to pass through the light-heat conversion layer.
광열 변환층은 레이저를 통해 입사된 빛을 열에너지로 바꾸어야 하므로 열변환 능력이 큰 물질, 예를 들면 카본 블랙, IR-안료 등의 유기화합물과 알루미늄 등의 금속 물질, 또는 상기 금속물질의 산화물 또는 상기한 물질의 혼합물로 이루어진다.Since the photothermal conversion layer needs to convert light incident through a laser into thermal energy, materials having high thermal conversion capability, for example, organic compounds such as carbon black and IR-pigment, metal materials such as aluminum, oxides of the metal materials, or It consists of a mixture of materials.
컬러필터층은 전사하고자 하는 물질층으로 이루어지며, 적, 녹, 청의 컬러를 갖는 물질로 이루어진다.The color filter layer is made of a material layer to be transferred, and is made of a material having colors of red, green, and blue.
상기 레이저 전사법을 사용하기 위해서는 최소한 광원, 전사필름 및 기판이 필요하고, 광원으로부터 나오는 빛이 전사필름의 빛 흡수층에 의해 흡수되어 열에너지로 변환되어, 이 열에너지에 의해 전사필름의 전사층 형성 물질이 기판으로 전사되어 원하는 이미지를 형성한다. In order to use the laser transfer method, at least a light source, a transfer film, and a substrate are required, and light emitted from the light source is absorbed by the light absorbing layer of the transfer film and converted into thermal energy, thereby transferring the transfer layer forming material of the transfer film. Transferred to the substrate to form the desired image.
미국특허 제 2004-0191564호에는 기재 필름, 상기 기재 필름 상부에 형성되어 있는 광열 변환층 및 상기 광열 변환층 상부에 형성되어 있으며 저분자 물질로 이루어진 전사층을 포함하며, 상기 전사층은 레이저에 의해 열을 전달받아 레이저 가 조사된 전사층 중 일부는 광열 변환층과의 접착력의 변화에 따라 상기 전사층이 이탈되고 레이저에 의해 조사되지 않은 부분은 접착력에 의해 광열 변환층에 고정되어 있으며, 상기 전사층에 형성되어 있는 저분자 물질이 전사되는 유기전계발광소자의 기판과 상기 저분자 물질과의 접착력 및 상기 광열 변환층과 상기 저분자 물질과의 접착력이 상기 전사층에서 레이저를 조사받은 영역의 저분자 물질과 레이저를 조사받지 않은 영역의 저분자 물질 사이의 점착력보다 커서 레이저를 조사받은 영역의 저분자 물질과 레이저를 조사받지 않은 영역의 저분자 물질은 서로 분리되어 상기 광열 변환층에서 기판으로 물질 전이가 일어난 것을 특징으로 하는 저분자 풀칼라 유기전계발광소자용 도너 필름을 개시하고 있다.U.S. Patent No. 2004-0191564 includes a base film, a photothermal conversion layer formed on the base film, and a transfer layer formed on the photothermal conversion layer and made of a low molecular material, the transfer layer being heated by a laser. Part of the transfer layer irradiated with the laser is irradiated with the laser and the transfer layer is separated by the change of the adhesive force with the photothermal conversion layer, and the portion not irradiated by the laser is fixed to the photothermal conversion layer by the adhesive force. The adhesion between the substrate and the low molecular material of the organic light emitting device to which the low molecular material formed on the substrate is transferred, and the adhesion between the photothermal conversion layer and the low molecular material are reduced to the low molecular material and the laser in the region irradiated with the laser. The low molecular weight material in the irradiated area is greater than the adhesion between the low molecular weight material in the unirradiated area And a low molecular material in a region not irradiated with a laser is separated from each other to disclose a donor film for a low molecular full color organic electroluminescent device, characterized in that a material transition occurs from the photothermal conversion layer to a substrate.
대한민국등록특허 제 10-0195175호에는 기재 필름, 상기 기재필름 상부에 형성되어 있는 광열 변환층 및 상기 광열 변환층 상부에 형성되어 있는 전사층을 포함하여 된 유기전자발광소자 유기박막용 도너 필름에 있어서, 상기 전사층이 유기전자발광물질, 유기금속착체전자발광물질 및 전자발광성 고분자 중에서 선택된 발광체, 홀주입성 저분자, 홀주입성 고분자, 전자주입성 저분자 및 전자주입성 고분자로 이루어진 군으로부터 적어도 하나 선택된 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기전자발광소자 유기박막용 도너 필름을 개시하고 있다.Korean Patent No. 10-0195175 discloses a donor film for an organic electroluminescent device organic thin film comprising a base film, a photothermal conversion layer formed on the base film, and a transfer layer formed on the photothermal conversion layer. And at least one material selected from the group consisting of a light emitting body selected from an organic electroluminescent material, an organometallic complex electroluminescent material, and an electroluminescent polymer, a hole injection low molecule, a hole injection polymer, an electron injection low molecule and an electron injection polymer. The donor film for organic electroluminescent element organic thin films which consists of this is disclosed.
그러나 이러한 방식으로 패턴을 전사하는 경우 상부 도너 필름의 가요성(flexibility)이 떨어져 하부 어셉터 필름과의 접착력이 낮아 전사시 많은 열을 필요로 하게 된다. 또한 유기물 전사만 가능하므로 이를 통한 유기층 패터닝 후 금속을 증착하는 단계를 별도로 진행하여야 하는 번거로움이 있다. 뿐만 아니라 광 열 변환층을 반드시 필요로 한다.However, when the pattern is transferred in this manner, the flexibility of the upper donor film is lowered, and thus the adhesive force with the lower acceptor film is low, which requires a lot of heat during the transfer. In addition, since only organic material transfer is possible, there is a need to separately perform a step of depositing a metal after patterning the organic layer. In addition, a photothermal conversion layer is necessarily required.
한편, 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxane; PDMS)은 유리전이온도가 낮은 실리콘계 탄성 고무의 일종으로 이를 몰드로 이용한 패터닝 방법이 알려져 있다.Meanwhile, polydimethylsiloxane (PDMS) is a kind of silicone-based rubber having a low glass transition temperature and a patterning method using the same as a mold is known.
대한민국특허공개 제10-2004-0098965호에는 기판 상에 제 1 컬러와 제 2 컬러와 제 3 컬러를 표현하는 다수의 제 1, 제 2,제 3 컬러 화소를 정의하는 단계와; 상기 기판상에 상기 제 1 컬러 화소에 대응하여 패턴이 형성된 제 1 몰드를 부착하고, 상기 패턴에 제 1 컬러 수지를 충진하여 제 1 컬러필터 패턴을 형성하는 단계와; 상기 기판 상에 상기 제 1 및 제 2 컬러 화소에 대응하여 패턴이 형성된 제 2 몰드를 부착하고 상기 패턴에 제 2 컬러 수지를 충진하여 제 2 컬러필터 패턴을 형성하는 단계와; 상기 기판상에 상기 다수의 제 1,제 2, 제 3 컬러 화소에 대응하여 패턴이 형성된 제 3 몰드를 부착하고 상기 패턴에 제 3 컬러 수지를 충진하여 제 3 컬러 필터 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 컬러 필터 제조 방법이 개시되어 있는데, 이는 소프트 리소그래피 방식으로 컬러필터를 패터닝하는 방식이다.Korean Patent Publication No. 10-2004-0098965 includes the steps of defining a plurality of first, second and third color pixels representing a first color, a second color and a third color on a substrate; Attaching a first mold having a pattern corresponding to the first color pixel on the substrate, and filling the pattern with a first color resin to form a first color filter pattern; Attaching a second mold having a pattern corresponding to the first and second color pixels on the substrate, and filling the pattern with a second color resin to form a second color filter pattern; Attaching a third mold having a pattern corresponding to the plurality of first, second, and third color pixels on the substrate, and filling the pattern with a third color resin to form a third color filter pattern; A color filter manufacturing method is disclosed, which is a method of patterning a color filter by soft lithography.
또한 대한민국특허공개 제2003-0073578호에는 유기전계발광층이 개재된 제 1, 2전극이 교차되는 부분을 발광영역으로 하는 패시브 매트릭스형 유기전계발광소자에 있어서, 기판상에 제 1방향으로 형성된 제 1 전극과; 상기 제 1 전극을 덮은 기판 전면에 형성된 유기전계발광층과; 상기 유기전계발광층 상부에 위치하며, 상기 제 1방향과 교차되는 제 2방향으로 위치하고, W/L=0.2-20 및 D≥L x 20의 관계식이 성립되는 오목부와 볼록부가 서로 반복적으로 구성된 요철부를 가지는 PDMS 몰드에 의한 열전사방식에 의해 형성된 제 2 전극을 포함하는 패시브 매트릭스형 유기전계발광소자가 개시되어 있다. 상기 방법에서는 몰드를 제 2전극에 접착시킨 후 열경화시켜 상기 몰드의 볼록부와 접착하는 제 2 전극을 기판으로부터 떼어냄으로써 패터닝된 제 2 전극을 형성하게 된다. 즉, 상기 방법은 앞서 전면 증착된 제 2전극에 PDMS 몰드를 부착하여 열을 가하여 금속과 PDMS의 접착력을 높인 상태에서 PDMS 몰드로 금속을 붙여 떼어내는 즉 리프트-오프(lift-off) 방식으로 금속의 패터닝만 가능하다는 제한이 있다. In addition, Korean Patent Laid-Open Publication No. 2003-0073578 discloses a passive matrix type organic electroluminescent device having a light emitting region in which portions of first and second electrodes intersecting an organic electroluminescent layer intersect as a light emitting region, the first being formed on a substrate in a first direction. An electrode; An organic light emitting layer formed on the entire surface of the substrate covering the first electrode; Located in the upper portion of the organic electroluminescent layer, located in a second direction intersecting with the first direction, the concave and convex portions in which the relationship of W / L = 0.2-20 and D≥L x 20 is established repeatedly A passive matrix organic electroluminescent device comprising a second electrode formed by a thermal transfer method by a PDMS mold having a portion is disclosed. In the method, the patterned second electrode is formed by bonding the mold to the second electrode, followed by thermosetting to remove the second electrode adhering to the convex portion of the mold from the substrate. That is, in the method, the PDMS mold is attached to the second electrode deposited on the front surface, and heat is applied to remove the metal from the PDMS mold in a state in which the adhesion between the metal and the PDMS is increased, that is, the metal is lift-off. There is a limitation that only patterning is possible.
따라서 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 도너 필름의 전사층과 전사하고자 하는 어셉터 필름 간의 접착력이 좋아 적은 에너지로도 전사가 가능하며, 여러 층을 한꺼번에 전사할 수 있으며, 광열 변환층을 필요로 하지 않고, 금속 이외의 층도 전사할 수 있는 박막전사용 도너 필름을 제공하는 것이다.Therefore, the technical problem to be achieved by the present invention is good adhesion between the transfer layer of the donor film and the acceptor film to be transferred is possible with a low energy, can transfer several layers at once, and does not require a photothermal conversion layer The present invention provides a donor film for thin film transfer that can also transfer layers other than metal.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에서는In order to achieve the above technical problem, in the present invention
유리전이온도가 상온 이하인 고분자 필름층; 및 상기 고분자 필름층에 부착된 전사층을 포함하는 박막전사용 도너 필름이 제공된다.A polymer film layer having a glass transition temperature of room temperature or less; And a transfer layer attached to the polymer film layer.
본 발명의 한 구현예에 따르면 상기 고분자 필름층은 전사층이 부착되는 쪽 면이 요철 형태로 패터닝된 것일 수 있다.According to the exemplary embodiment of the present invention, the polymer film layer may be patterned in a concave-convex shape on the side to which the transfer layer is attached.
본 발명의 다른 구현예에 따르면 상기 도너 필름은 전사층이 부착된 쪽과 반대쪽 면의 고분자 필름층에 투명 기판을 더 포함할 수 있다.According to another embodiment of the present invention, the donor film may further include a transparent substrate on the polymer film layer on the opposite side to the transfer layer is attached.
본 발명의 다른 구현예에 따르면, 상기 투명 기판은 유리, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리에스테르, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리에스테르술포네이트, 폴리술포네이트, 폴리아릴레이트, 플루오르화 폴리이미드, 플루오르화 수지, 폴리아크릴, 폴리에폭시, 폴리에틸렌, 폴리스티렌, 폴리아세테이트 및 폴리이미드로 이루어지는 군으로부터 선택된 어느 하나일 수 있다. According to another embodiment of the present invention, the transparent substrate is glass, polyethylene terephthalate, polycarbonate, polyester, polyethylene naphthalate, polyestersulfonate, polysulfonate, polyarylate, fluorinated polyimide, fluorinated resin , Polyacryl, polyepoxy, polyethylene, polystyrene, polyacetate, and polyimide.
본 발명의 다른 구현예에 따르면 상기 고분자 필름층은 투명한 실리콘계 엘라스토머, 폴리부타디엔 (Polybutadiene), 니트릴 고무(Nitrile Rubber), 아크릴 고무(Acryl Rubber), 부틸 고무(Butyl Rubber), 폴리이소프렌(Polyisoprene) 및 폴리스티렌-부타디엔 공중합체(Poly(Styrene-co-Butadiene)로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상일 수 있다.According to another embodiment of the present invention the polymer film layer is a transparent silicone-based elastomer, polybutadiene (Polybutadiene), nitrile rubber (Nitrile rubber), acrylic rubber (butyl rubber), butyl rubber (Polyisoprene) and It may be at least one selected from the group consisting of polystyrene-butadiene copolymer (Poly (Styrene-co-Butadiene).
본 발명의 또 다른 구현예에 따르면 상기 전사층은 금속, 저분자 유기물 또는 고분자 유기물, 또는 금속과 저분자 유기물, 또는 금속과 고분자 유기물로 이루어진 단층 또는 다층일 수 있다.According to another embodiment of the present invention, the transfer layer may be a metal, a low molecular organic material or a high molecular organic material, or a metal or a low molecular organic material, or a single layer or a multilayer consisting of a metal and a high molecular organic material.
본 발명에 따른 박막전사용 도너 필름은 광열 변환층을 반드시 구비할 필요가 없고, 여러 층을 동시에 전사할 수 있으며, 적은 에너지로도 전사가 가능하다.The donor film for thin film transfer according to the present invention does not necessarily have to include a photothermal conversion layer, can transfer several layers at the same time, and can be transferred with a small amount of energy.
이하, 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
본 발명에 따른 박막전사용 도너 필름은 유리전이온도가 상온 이하인 고분자 필름층; 및 상기 고분자 필름층에 부착된 전사층을 포함하며, 상기 도너 필름은 전사층이 부착된 면과 반대쪽 면의 고분자 필름층에 투명 기판을 더 포함할 수 있다.The thin film transfer donor film according to the present invention comprises a polymer film layer having a glass transition temperature of room temperature or less; And a transfer layer attached to the polymer film layer, wherein the donor film may further include a transparent substrate on the polymer film layer on the opposite side to the surface on which the transfer layer is attached.
상기 투명 기판은 유리, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리에 스테르, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리에스테르술포네이트, 폴리술포네이트, 폴리아릴레이트, 플루오르화 폴리이미드, 플루오르화 수지, 폴리아크릴, 폴리에폭시, 폴리에틸렌,폴리스티렌, 폴리아세테이트 및 폴리이미드로 이루어지는 군으로부터 선택된 어느 하나일 수 있다. 상기 투명 기판은 일반적으로 10 내지 500㎛의 두께이다.The transparent substrate may be glass, polyethylene terephthalate, polycarbonate, polyester, polyethylene naphthalate, polyestersulfonate, polysulfonate, polyarylate, fluorinated polyimide, fluorinated resin, polyacryl, polyepoxy, It may be any one selected from the group consisting of polyethylene, polystyrene, polyacetate and polyimide. The transparent substrate is generally 10 to 500 mu m in thickness.
상기 투명 기판은 상기 고분자 필름층이 플렉스블(flexible)하므로 도너 필름에 약간의 지지성을 부여하기 위함이다. 특히 전사하고자 하는 것이 유기물인 경우에 바람직하다.The transparent substrate is intended to provide some support to the donor film because the polymer film layer is flexible. It is particularly preferable when the organic material is to be transferred.
상기 유리전이온도가 상온 이하인 고분자 필름층은 전사층이 부착되는 면이 요철 형태로 패터닝된 것일 수 있다. 이렇게 오목부와 볼록부가 존재하도록 상부 기판이 구비됨에 따라 상기 도너 필름에 빛,열 등의 에너지를 가할 때 기존의 레이저 전사법에서 하듯이 스캐닝하여 가할 필요없이 전체적으로 빛을 한번에 조사하여도 패터닝이 가능한 장점이 있다. 따라서 단일 공정으로 대량의 전사가 가능하게 된다.The polymer film layer having a glass transition temperature of less than or equal to room temperature may have a surface to which the transfer layer is attached is patterned in an uneven form. As the upper substrate is provided such that the concave portion and the convex portion exist, when applying energy such as light and heat to the donor film, patterning is possible even when irradiating light as a whole without scanning and applying as in the conventional laser transfer method. There is an advantage. Therefore, a large number of transfers are possible in a single process.
유리전이온도가 상온 이하인 상기 연질 고분자 필름층은 투명한 실리콘계 엘라스토머, 폴리부타디엔 (Polybutadiene), 니트릴 고무(Nitrile Rubber), 아크릴 고무(Acryl Rubber), 부틸 고무 (Butyl Rubber), 폴리이소프렌(Polyisoprene), 및 폴리스티렌-부타디엔 공중합체(Poly(Styrene-co-Butadiene))로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상일 수 있고, 가장 바람직하게는 폴리디메틸실록산이다.The soft polymer film layer having a glass transition temperature of less than or equal to room temperature may include a transparent silicone-based elastomer, polybutadiene, nitrile rubber, acrylic rubber, butyl rubber, polyisoprene, and It may be one or more selected from the group consisting of polystyrene-butadiene copolymers (Poly (Styrene-co-Butadiene)), and most preferably polydimethylsiloxane.
상기 고분자 필름층을 구성하는 고분자는 유리전이온도가 상온 이하이므로 아 래 유기층과 접촉할 때 공형(共形)의 접촉(conformal contact)이 가능하며 분자 및 원자들 사이에서 일어나는 반데르 발스 인력(Van der Waals interaction)이 강하여 열 또는 빛 등을 많이 가하지 않더라도 고분자 필름층과 피전사층인 유기층과의 접착력이 뛰어나 전사가 용이하게 일어날 수 있다. Since the polymer constituting the polymer film layer has a glass transition temperature of less than or equal to room temperature, a conformal contact is possible when contacting the organic layer below, and van der Waals attraction between molecules and atoms (Van) occurs. Because of the strong der Waals interaction, the transfer between the polymer film layer and the organic layer, which is the transfer layer, can be easily performed even without applying much heat or light .
본 발명에 따른 박막전사용 도너 필름은 빛, 열, 압력 또는 전기를 가하여 전사층을 상기 고분자 필름층으로부터 어셉터 필름으로 전사할 수 있다.The donor film for thin film transfer according to the present invention may transfer the transfer layer from the polymer film layer to the acceptor film by applying light, heat, pressure or electricity.
에너지원이 빛인 경우, 고분자 필름층이 패터닝되지 않은 평평한 형태인 경우에는 IR 레이저를 스캐닝하여 조사할 수 있으며, 고분자 필름층이 패터닝된 경우에는 레이저를 전면 노광(flood exposure)할 수 있으므로, 훨씬 간단한 조작으로 대량의 전사를 행할 수 있는 점에서 더욱 바람직하다. 또는 에너지원이 빛인 경우, 자외선 램프로 한번에 전면 노광(flood exposure)할 수 있으므로, 훨씬 간단한 조작으로 대량의 전사를 행할 수 있다. 조사하는 빛의 조사 시간은 램프의 세기에 따라 조절될 수 있다. 예를 들어 세기가 10 mW/cm2 인 경우 5-10분 동안 처리할 수 있다. 한꺼번에 단시간에 적외선 램프로 전사해야 할 경우에는 선택적으로 광열변환층을 삽입할 수도 있다.If the energy source is light, the polymer film layer can be irradiated by scanning with an IR laser when the flat pattern is unpatterned, and when the polymer film layer is patterned, the laser can be exposed to the front surface (flood exposure). It is more preferable at the point which can transfer a large amount by operation. Alternatively, when the energy source is light, it is possible to perform full exposure at once with an ultraviolet lamp, so that a large amount of transfer can be performed by a much simpler operation. The irradiation time of the irradiated light may be adjusted according to the intensity of the lamp. For example, if the intensity is 10 mW / cm 2 can be treated for 5-10 minutes. If it is necessary to transfer the infrared lamps in a short time at a time, a photothermal conversion layer may be selectively inserted.
에너지원이 열인 경우, 60 내지 80oC의 온도에서 10 내지 30분 동안 처리하면 전사가 가능하다. If the energy source is heat, transfer is possible by treatment at a temperature of 60 to 80 ° C. for 10 to 30 minutes.
에너지원이 압력인 경우에는 도너 필름 전체에 걸쳐 균일한 압력이 가해지도록 패터닝된 연질 고분자 필름층의 패터닝된 쪽과 반대쪽에 유리 지지층을 더 형성 하는 것이 바람직하다. 압력은 10kPa 내지 100 mPa의 크기로 2 내지 60초 동안 가할 수 있다.When the energy source is pressure, it is desirable to further form a glass support layer on the opposite side of the patterned side of the patterned soft polymer film layer so that a uniform pressure is applied throughout the donor film. The pressure can be applied for 2 to 60 seconds in the size of 10 kPa to 100 mPa.
전기를 에너지원으로 사용하는 경우에, 가해지는 전기는 1 mA/cm2 내지 10 A/cm2 의 크기로 1분 내지 1시간 동안 흐르게 할 수 있다.When electricity is used as the energy source, the applied electricity can flow for 1 minute to 1 hour in the size of 1 mA / cm 2 to 10 A / cm 2 .
상기 유리전이온도가 낮은 고분자 필름층을 사용함으로써 종래의 레이저 전사법(Laser induced thermal imaging:LITI)에서 필수적으로 사용하였던 광열 변환층을 반드시 사용할 필요가 없어진다. 다만 빛을 에너지원으로 사용하는 경우에는 보다 효율적으로 전사를 일으키기 위하여 광열 변환층을 더 포함할 수는 있다.By using the polymer film layer having a low glass transition temperature, it is not necessary to necessarily use the light-to-heat conversion layer used in the conventional laser induced thermal imaging (LITI). However, when light is used as an energy source, a light-to-heat conversion layer may be further included in order to efficiently transfer the light.
상기 광열 변환층은 적외선-가시광선 영역의 빛을 흡수하는 성질을 갖는 광흡수성 물질로 형성될 수 있다. 이러한 특성을 가진 막으로는 알루미늄, 그 산화물 및 황화물로 이루어진 금속막, 카본블랙, 흑연 또는 적외선 염료가 첨가된 고분자로 이루어진 유기막이 있다. 이 때 금속막은 진공증착법, 전자빔증착법 또는 스퍼터링을 이용하여 100 내지 5000Å의 두께로 코팅될 수 있다.The photothermal conversion layer may be formed of a light absorbing material having a property of absorbing light in the infrared-visible light region. Examples of the film having such characteristics include a metal film made of aluminum, its oxides and sulfides, and an organic film made of a polymer to which carbon black, graphite or infrared dye is added. At this time, the metal film may be coated with a thickness of 100 to 5000 kPa using a vacuum deposition method, an electron beam deposition method or sputtering.
또한 상기한 것처럼 광열 변환층을 더 포함하는 경우 상기 광열 변환층과 전사층과의 분리가 잘 일어나도록 상기 광열 변환층과 상기 전사층 사이에 중간층을 더 포함할 수 있다. 상기 중간층은 열경화성 고분자 또는 열가소성 고분자, 가교결합가능 폴리아크릴레이트, 폴리메타크릴레이트, 폴리에스테르, 에폭사이드 및 폴리우레탄으로 이루어지는 군으로부터 선택된 어느 하나로 이루어질 수 있다.In addition, as described above, when the light-heat conversion layer is further included, an intermediate layer may be further included between the light-heat conversion layer and the transfer layer to facilitate separation of the light-heat conversion layer and the transfer layer. The intermediate layer may be made of any one selected from the group consisting of thermosetting polymers or thermoplastic polymers, crosslinkable polyacrylates, polymethacrylates, polyesters, epoxides and polyurethanes.
상기 전사층은 금속, 저분자 유기물, 또는 고분자 유기물, 또는 금속과 저분 자 유기물, 또는 금속과 고분자 유기물로 이루어진 단층 또는 다층일 수 있다.The transfer layer may be a metal, a low molecular organic material, or a high molecular organic material, or a single layer or a multilayer of a metal and a low molecular organic material, or a metal and a high molecular organic material.
상기 전사층이 금속으로 이루어지는 경우, 상기 금속은 2.0eV 내지 6.0eV의 일함수를 가진 금속일 수 있으며, 제 1 금속층과 제 2 금속층의 2층 구조일 수도 있다. 이러한 2층 구조인 경우 상기 고분자 필름층에 부착되는 제 1금속층은 일함수가 높아 상기 고분자 필름층과 반응이 잘 일어나지 않는 것이 좋으며, 그 예로는 Al, Ag, Au, Pd 또는 Pt가 있다. 상기 제 1금속층에 부착되는 제 2금속층은 일함수가 낮은 금속이 바람직하며, 그 예로는 Ba, Ca, Mg, Cs 또는 Li 및 이들간에 또는 다른 금속과의 합금이 있다.When the transfer layer is made of a metal, the metal may be a metal having a work function of 2.0 eV to 6.0 eV, or may be a two-layer structure of a first metal layer and a second metal layer. In the case of such a two-layer structure, the first metal layer attached to the polymer film layer may have a high work function, and may not react well with the polymer film layer. Examples include Al, Ag, Au, Pd, or Pt. The second metal layer attached to the first metal layer is preferably a metal having a low work function, and examples thereof include Ba, Ca, Mg, Cs or Li, and alloys thereof or with other metals.
상기 전사층이 저분자 유기물 또는 고분자 유기물로 이루어지는 경우 상기 저분자 또는 고분자 유기물은 전사하고자 하는 소자의 구체적인 종류에 따라 반도체 성질을 가지거나, 전기발광특성을 가질 수 있다.When the transfer layer is made of a low molecular organic material or a high molecular organic material, the low molecular or high molecular organic material may have semiconductor properties or have electroluminescent properties according to the specific type of the device to be transferred.
예를 들어 전사하고자 하는 대상이 유기전계발광소자의 유기막인 경우 상기 전사층은 밴드갭이 1.0eV 내지 7.0eV인 발광층 또는 전자수송층의 단층이거나 전자수송층/발광층의 다층을 이루는 유기물일 수 있다.For example, when the object to be transferred is an organic layer of the organic light emitting device, the transfer layer may be a light emitting layer having a band gap of 1.0 eV to 7.0 eV, or a single layer of an electron transport layer or an organic material forming a multilayer of an electron transport layer / light emitting layer.
본 발명에 따른 박막전사용 도너 필름은 열, 빛, 전기 또는 압력에 의해 전사층이 상기 고분자 필름층으로부터 어셉터 필름으로 전사된다. 전사층이 유기물층, 또는 금속층을 포함한 유기물층인 경우, 열, 빛 또는 압력에 의해 상기 유기물과 어셉터 필름을 이루는 유기물 간의 접착력이 커져 상기 전사층이 상기 고분자 필름층으로부터 용이하게 분리될 수 있다. 또한 전사층이 금속층인 경우, 상기 금속과 고분자 필름층간의 접착력보다 상기 금속과 어셉터 필름을 이루는 유기물 간 의 접착력이 크므로 에너지를 조금만 가하여도 상기 전사층이 상기 고분자 필름층으로 부터 용이하게 분리될 수 있다.In the donor film for thin film transfer according to the present invention, the transfer layer is transferred from the polymer film layer to the acceptor film by heat, light, electricity or pressure. When the transfer layer is an organic material layer or an organic material layer including a metal layer, adhesion between the organic material and the organic material forming the acceptor film may be increased by heat, light, or pressure so that the transfer layer may be easily separated from the polymer film layer. In addition, when the transfer layer is a metal layer, the adhesion between the metal and the organic material forming the acceptor film is greater than the adhesion between the metal and the polymer film layer, so that the transfer layer is easily separated from the polymer film layer even with a little energy. Can be.
즉, PDMS를 연질 고분자 필름으로 사용하였다고 하였을 때 다음과 같이 접착력(W)의 차이는 표면에너지(γ)로 표현할 수 있다. That is, when PDMS is used as the soft polymer film, the difference in adhesion force (W) can be expressed as surface energy (γ) as follows.
W(3-2)= γ3 + γ2 - γ32 W (3-2) = γ 3 + γ 2 -γ 32
W(1-2)= γ1 + γ2 - γ12 W (1-2) = γ 1 + γ 2 -γ 12
이므로Because of
W(3-2) - W(1-2) = (γ3-γ1) - (γ32 -γ12)W (3-2) -W (1-2) = (γ 3 -γ 1 ) -(γ 32 -γ 12 )
1은 연질 고분자 필름이고 2는 금속, 3은 하부 유기층이라고 하였을 때, 두번째 항이 첫번째 항보다 훨씬 작다. 왜냐하면 γ(금속)이 γ(하부유기물) 이나 γ(PDMS)보다 훨씬 크기 때문이다. 따라서 하부 유기층과 PDMS의 표면에너지의 차이가 접착력의 차이와 같게 된다. PDMS의 경우는 표면에너지가 19.8 mJ/m2으로 굉장히 낮기 때문에 하부 유기층보다 약한 결합력을 갖게 된다. 하부 유기층이 발광 물질인 MEH-PPV [폴리(2-메톡시-5-(2'-에틸-헥실옥시)-1,4-페닐렌비닐렌)]일 경우 28.0mJ/m2을 나타내므로 외부 에너지가 없어도 오랜 시간 붙여두면 결합력의 차이로 전사가 잘 일어나며 외부 에너지 즉, 열을 80oC에서 20분 이상 가하면 전사가 일어나는 시간이 빨라진다. When 1 is a soft polymer film, 2 is a metal, and 3 is a lower organic layer, the second term is much smaller than the first term. Because γ (metal) This is because γ (suborganism ) or γ (PDMS) is much larger. Therefore, the difference in the surface energy of the lower organic layer and the PDMS is equal to the difference in adhesion. In the case of PDMS, the surface energy is very low, 19.8 mJ / m 2, and thus has a weaker binding force than the lower organic layer. When the lower organic layer is MEH-PPV [poly (2-methoxy-5- (2'-ethyl-hexyloxy) -1,4-phenylenevinylene)] as a light emitting material, it exhibits 28.0 mJ / m 2 . Even if there is no external energy, if you put it on for a long time, the transfer occurs well due to the difference in bonding force. If the external energy, that is, heat is applied at 80 o C for more than 20 minutes, the transfer takes place faster.
상기 전사 과정을 거친 후에는 전사된 물질을 고착화시키기 위해서 선택적으 로 열처리 공정을 필요로 한다.After the transfer process, an optional heat treatment process is required to fix the transferred material.
도 1 은 종래의 레이저 전사법에 사용되는 박막전사용 도너 필름의 개략 단면도이고, 도 2는 본 발명에 따른 박막전사용 도너 필름의 구현예들을 도시한 개략 단면도이다. 도 1에서 보듯이 종래의 레이저 전사법에 사용되는 도너 필름은 기판(100)에 광열 변환층(103)과 전사층(102)이 차례로 적층되어 있는 형태를 가지거나(도 1a), 상기 광열변환층(103)과 상기 전사층(102) 사이에 두 층 간의 분리를 촉진하기 위한 중간층(105)을 더 포함하기도 한다(도 1b).1 is a schematic cross-sectional view of a thin film transfer donor film used in a conventional laser transfer method, Figure 2 is a schematic cross-sectional view showing embodiments of a thin film transfer donor film according to the present invention. As shown in FIG. 1, the donor film used in the conventional laser transfer method has a form in which the
이에 비하여 본 발명에 따른 박막전사용 도너 필름은 도 2a 내지 도 2f에 도시한 것과 같은 구조를 가지는데, 그 중에서 도 2a 내지 도 2d는 연질 고분자 필름층(201)이 평평한 형태이고, 도 2e 및 도 2f는 연질 고분자 필름층이 패터닝된 형태이다. 본 발명에 따른 박막전사용 도너 필름은 고분자 필름층(201)에 전사층(202)이 증착된 구조(도 2a), 또는 투명 기판(200)에 고분자 필름층(201)이 부착되고, 그 위에 전사층(202)이 부착된 구조(도 2b 내지 도 2f)를 가질 수 있으며, 상기 전사층(202)은 금속층(202a, 202a',202a") 또는 금속층과 유기물층(202b)으로 이루어질 수 있다. 금속층이 이층 구조인 경우 고분자 필름층(201)에 부착되는 제1 금속층(202a')은 반응성이 작은 금속층이고, 상기 제1 금속층 위에 부착되는 제2 금속층(202a")은 반응성이 큰 금속층이 될 수 있다. 예를 들어 유기전계발광소자를 형성하는 경우, 상기 제1 금속층은 Al, Ag, Au, Pd 또는 Pt일 수 있고, 상기 제2 금속층은 Ba, Ca, Mg, Cs, Li 및 이들의 합금 등의 일함수가 낮은 금속일 수 있고, 유기물층은 전자수송층, 또는 발광층일 수 있다.In contrast, the thin film transfer donor film according to the present invention has a structure as shown in Figs. 2a to 2f, wherein Figs. 2a to 2d have a flat
본 발명에 따른 박막전사용 도너 필름은 상온 이하의 유리전이온도를 갖는 고분자 필름층을 제조하는 단계; 및 상기 고분자 필름층 위에 전사층을 증착시키는 단계를 포함하는 방법으로 제조될 수 있다.The thin film transfer donor film according to the present invention comprises the steps of preparing a polymer film layer having a glass transition temperature of less than room temperature; And it may be prepared by a method comprising the step of depositing a transfer layer on the polymer film layer.
상기 고분자 필름층이 투명 기판에 부착된 경우에는 상기 고분자 필름층 위에 전사층을 증착시키기 전에 상기 고분자 필름층을 투명 기판에 부착시키는 단계를 더 포함할 수 있다.When the polymer film layer is attached to the transparent substrate, the method may further include attaching the polymer film layer to the transparent substrate before depositing a transfer layer on the polymer film layer.
상기 고분자 필름층은 평평한 경우이거나 패터닝된 경우에 따라 마스터를 평평한 것을 사용하거나 요철 패턴을 구비한 것을 사용하여 형성할 수 있다. 패터닝된 고분자 필름층의 경우를 들어 설명하면 다음과 같다. 웨이퍼(wafer) 등으로 이루어진 마스터(master)를 준비한다. 상기 마스터는 소정의 요철 패턴을 구비하고 있다. 그런 다음 고분자 필름 형성용 전구체 용액을 준비한다. 상기 고분자 필름 형성용 용액은 다양한 화학 회사로부터 용이하게 입수가능한데, 예를 들면, 폴리디메틸실록산(PDMS)을 얻고자 하는 경우, 다우케미칼 인코오퍼레이티드(Dow Chemical Inc.)의 Sylgard 184 시리즈를 사용할 수 있다. 준비된 고분자 필름 형성용 용액을 마스터에 부은 다음, 상기 용액을 적정 온도(예를 들어, PDMS의 경우, 상온내지 100℃에서 30분 내지 24시간, 바람직하게는 60℃ 내지 80℃에서 1 내지 3시간)에서 경화시켜, 패터닝된 고분자 필름층을 형성한다. 상기 패터닝된 고분자 필름층을 마스터로부터 떼어낸다. The polymer film layer may be formed by using a flat master or having a concave-convex pattern according to a flat case or a patterned case. For example, the patterned polymer film layer is described below. A master made of a wafer or the like is prepared. The master has a predetermined uneven pattern. Then, a precursor solution for polymer film formation is prepared. The polymer film forming solution is easily available from various chemical companies. For example, if you want to obtain polydimethylsiloxane (PDMS), you can use Sylgard 184 series from Dow Chemical Inc. Can be. The prepared polymer film-forming solution is poured into a master, and then the solution is conditioned at an appropriate temperature (for example, PDMS for 30 minutes to 24 hours at room temperature to 100 ° C, preferably for 1 to 3 hours at 60 ° C to 80 ° C. ) To form a patterned polymer film layer. The patterned polymer film layer is removed from the master.
상기와 같이 제조된 패터닝된 고분자 필름층의 반대쪽 평평한 면을 투명 기판에 부착시킨다. 그런 다음 투명 기판에 부착된 면과 반대쪽 고분자 필름층에 전 사층을 전면 증착시킨다. 이 때, 패터닝된 고분자 필름층인 경우에는 측면에 증착이 이루어지지 않도록 수직 증착법(verical deposition)을 이용한다. 증착 공정에는 특별한 제한이 없으며, 스퍼터링법, 전자빔 증착법(e-beam deposition), 열증착법(thermal deposition) 등과 같은 다양한 증착법을 사용할 수 있다. The opposite flat side of the patterned polymer film layer prepared as above is attached to a transparent substrate. Then, the transfer layer is entirely deposited on the polymer film layer opposite to the surface attached to the transparent substrate. In this case, in the case of the patterned polymer film layer, vertical deposition is used to prevent deposition on the side surface. There is no particular limitation on the deposition process, and various deposition methods such as sputtering, e-beam deposition, thermal deposition, and the like may be used.
상기 고분자 필름층에 전사층을 증착하기 전에 광열 변환층을 형성할 수 있다. 상기 광열 변환층은 적외선-가시광선 영역의 빛을 흡수하는 성질을 갖고 있는 광흡수성 물질로 형성한다. 이러한 특성을 갖고 있는 막으로서 알루미늄, 그 산화물 및 황화물로 이루어진 금속막 그리고 카본 블랙, 흑연 또는 적외선 염료가 첨가된 고분자로 이루어진 유기막이 있다. 이때 금속막은 열증착법, 전자빔증착법 또는 스퍼터링법을 이용하여 10 내지 500 nm두께로 형성하며, 유기막의 경우에는 일반적인 필름코팅 방법인 압출(extrusion), 스핀(spin) 및 나이프(knife) 코팅방법을 이용하여 0.1내지 10μm 두께로 형성하는 것이 바람직하다. Before the deposition of the transfer layer on the polymer film layer may be formed a light-heat conversion layer. The photothermal conversion layer is formed of a light absorbing material having a property of absorbing light in the infrared-visible light region. As the film having such characteristics, there is a metal film made of aluminum, its oxide and sulfide, and an organic film made of a polymer to which carbon black, graphite or infrared dye is added. In this case, the metal film is formed to a thickness of 10 to 500 nm by thermal evaporation, electron beam evaporation, or sputtering, and in the case of an organic film, an extrusion, spin, and knife coating method, which is a general film coating method, is used. To form a thickness of 0.1 to 10μm.
상기와 같이 광열 변환층을 형성하는 경우에는 광열 변환층 형성 후 전사층을 증착하기 전에 중간층을 형성할 수 있다. 중간층은 전사층에서 전사되는 부분에 대해서 발생할 수 있는 오염이나 손상을 최소화하고 광열 변환층도 보호해 주는 역할을 하게 된다. 이 중간층은 매우 높은 열적 안정성을 가지고 있어서 외부 에너지에 의해서 변형이 가거나 화학적으로 분해되어 열화되지 않도록 해야된다. 이 중간층은 전사층과 붙어 있지만 전사될 때 같이 전사되지 않도록 한다. 적당한 중간층은 고분자 필름이나 금속층, 무기물층, 유기/무기 복합체층이 될 수 있다. 유기물을 중간층으로 사용시 적합한 물질은 열경화성과 열가소성 물질을 모두 포함한 다. 적합한 열경화성 물질은 열, 빛, 화학적 처리 등에 의해서 가교가 되며 그 물질은 주로 가교된 폴리아크릴레이트, 폴리메타크릴레이트, 폴리에스테르, 에폭시 및 폴리우레탄이 될 수 있다. 열경화성 물질은 일단 전구체 상태에서 광열 변환층에 코팅이 된 후 가교를 하게 된다. 한편 적합한 열가소성 물질로는 폴리아크릴레이트, 폴리메타크릴레이트, 폴리스티렌, 폴리우레탄, 폴리술폰, 폴리에스테르 및 폴리이미드가 될 수 있다. 열가소성 유기물은 전통적인 코팅방법인 스핀코팅, 스프레이 코팅 등을 통해 제조될 수 있다. 열가소성 물질의 유리 전이 온도는 상온 이하의 유리 전이 온도를 가지는 연질 고분자 필름층 보다 커야 하고 상온 이상이어야 하며 바람직하게는 100oC 이상이어야 한다. 중간층으로 사용될 수 있는 물질은 금속, 산화금속(metal oxide), 금속 설파이드 (metal sufide) 및 무기 탄소를 코팅하여 사용할 수 있다.When the photothermal conversion layer is formed as described above, an intermediate layer may be formed after the photothermal conversion layer is formed and before the transfer layer is deposited. The intermediate layer serves to protect the photothermal conversion layer and to minimize contamination or damage that may occur on the portion transferred from the transfer layer. This intermediate layer has a very high thermal stability so that it does not deteriorate due to deformation or chemical decomposition by external energy. This intermediate layer is attached to the transfer layer but is not transferred together when transferred. Suitable intermediate layers may be polymer films, metal layers, inorganic layers, organic / inorganic composite layers. Suitable materials for the use of organics as interlayers include both thermosets and thermoplastics. Suitable thermosetting materials are crosslinked by heat, light, chemical treatment, and the like, which may be mainly crosslinked polyacrylates, polymethacrylates, polyesters, epoxies and polyurethanes. The thermosetting material is crosslinked after the coating on the photothermal conversion layer in the precursor state. Suitable thermoplastics on the other hand may be polyacrylates, polymethacrylates, polystyrenes, polyurethanes, polysulfones, polyesters and polyimides. Thermoplastic organics can be prepared through traditional coating methods such as spin coating and spray coating. The glass transition temperature of the thermoplastic material should be greater than the soft polymer film layer having a glass transition temperature below room temperature and above the room temperature and preferably above 100 ° C. Materials that can be used as the interlayer can be used by coating metal, metal oxide, metal sufide and inorganic carbon.
상기와 같이 제조된 본 발명에 따른 박막전사용 도너 필름은 고분자 필름층이 패터닝된 경우와 평평한 경우에 따라 조금 상이한 방법으로 전사를 행할 수 있다.The thin film transfer donor film according to the present invention prepared as described above may be transferred in a slightly different method depending on the case where the polymer film layer is patterned and flat.
도 3은 본 발명에 따른 박막전사용 도너 필름을 이용한 전사 공정을 나타낸 도면인데, 도 3a는 고분자 필름층이 평평한 경우이고, 도 3b는 고분자 필름층이 패터닝된 경우를 나타낸다.3 is a view showing a transfer process using a thin film transfer donor film according to the present invention, Figure 3a is a case where the polymer film layer is flat, Figure 3b shows a case where the polymer film layer is patterned.
도 3a에서 보듯이, 평평한 고분자 필름층의 경우에는 IR 레이저와 같은 에너지원으로 상기 고분자 필름층(301) 표면을 부분적으로 조사하여 조사된 부분의 고 분자 필름층이 윙클링(winkling)이 일어나 상기 고분자 필름층(301)에 증착되어 있던 전사층(302)과의 접착력을 감소시켜 상기 전사층이 어셉터(304) 필름 위로 떨어져 전사되게 된다.As shown in FIG. 3A, in the case of the flat polymer film layer, the
도 3b에서 보듯이, 패터닝된 고분자 필름층의 경우에는 상기 도너 필름의 볼록부를 어셉터 필름(304)에 접촉시킨 다음, IR 램프와 같은 에너지 원으로 상기 고분자 필름층(301) 표면을 전면 노광(flood exposure)하면, 상기 고분자 필름층(301)과 전사층(302)과의 접착력과 상기 전사층(302)과 상기 어셉터 필름(304)과의 접착력 차이로 인하여 도너 필름의 볼록부의 전사층(302)이 어셉터 필름(301)으로 전사된다.As shown in FIG. 3B, in the case of the patterned polymer film layer, the convex portion of the donor film is brought into contact with the
비교를 위하여 도 4에는 종래의 레이저 전사법에 의한 전사 공정을 나타내었는데, 레이저를 광열 변환층(403)에 부분적으로 조사하면 광열 변환층(403)에 부착되어 있던 전사층(402)의 부분이 떨어져 어셉터 필름(404)으로 전사된다. 이 경우에는 본 발명에서와 같이 도너 필름 전체에 조사하는 전면 노광(Flood exposure)은 불가능하며, 전사를 위해 가해지는 에너지도 훨씬 더 필요하고, 광열 변환층이 필수적으로 포함되어야한다는 단점이 있다.For comparison, FIG. 4 shows a transfer process by a conventional laser transfer method. When the laser is partially irradiated to the
상기와 같은 방법으로 제조된 박막전사용 도너 필름을 이용하여 유기전계발광소자의 제 2전극, 유기층, 또는 제 2전극과 유기층, 또는 액정표시소자의 칼라필터, 블랙 매트릭스를 형성할 수 있을 뿐 아니라 OTFT의 스위칭부, 유기태양전지 등의 유기물 패터닝이 가능하다.The second electrode, organic layer, or second electrode and organic layer of the organic light emitting display device or the color filter and the black matrix of the liquid crystal display device may be formed using the thin film transfer donor film manufactured as described above. It is possible to pattern organic materials such as switching units of OTFTs and organic solar cells.
이하, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples.
실시예Example
실시예 1Example 1
도너 박막 필름의 제조Preparation of Donor Thin Film
Sylgard 184A 및 Sylgard 184B(Dow Corning Inc. 사 제품)를 교반용 용기에서 10:1의 중량비로 혼합하였다. 이로부터 얻은 PDMS 형성용 용액을 미리 준비한 웨이퍼(wafer)로 만든 마스터(master) 위에 부었다. 상기 마스터는 스트라이프 형상의 패턴을 구비한 것이다. 마스터 위에 부은 PDMS 형성용 용액 중 기포를 진공 펌프(vacuum pump)를 이용하여 제거한 다음, 오븐에 넣어 60℃ 내지 80℃에서 PDMS 형성용 용액을 경화시킨 다음, 마스터를 제거하여, PDMS 필름층을 얻었다. Sylgard 184A and Sylgard 184B (manufactured by Dow Corning Inc.) were mixed at a weight ratio of 10: 1 in a stirring vessel. The solution for forming PDMS obtained therefrom was poured onto a master made of a prepared wafer. The master has a stripe pattern. Bubbles in the PDMS forming solution poured on the master were removed using a vacuum pump, and then placed in an oven to cure the PDMS forming solution at 60 ° C. to 80 ° C., and then the master was removed to obtain a PDMS film layer. .
상기에서 얻은 PDMS 필름층을 투명 기판(폴리에틸렌테레프탈레이트,0.5 mm 두께)에 부착시킨 다음 상기 PDMS 필름층의 패터닝된 면에 Au 금속 20 nm를 전자빔으로 증착하고 Al금속을 10nm/Ca 금속 5 nm를 열증착으로 증착한 후 전자수송층 물질인 알루미나퀴논(Alq3) 20 nm를 열증착으로 차례로 증착시켰다. 이때 사용된 진공도는 1x10-7 torr이었다.After attaching the PDMS film layer obtained above to a transparent substrate (polyethylene terephthalate, 0.5 mm thick), 20 nm of Au metal was deposited by electron beam on the patterned surface of the PDMS film layer, and 10 nm of Al metal and 5 nm of Ca metal were deposited. After deposition by thermal deposition, 20 nm of alumina quinone (Alq3), which is an electron transport layer material, was sequentially deposited by thermal deposition. The vacuum degree used at this time was 1 × 10 -7 torr.
패터닝된 유기전계발광소자의 제조Fabrication of Patterned Organic Electroluminescent Device
코닝(Corning) 15Ω/cm2 (1200Å) ITO 유리기판을 50mm x 50mm x 0.7mm 크기로 잘라서 이소프로필 알코올과 순수 속에서 각 5 분 동안 초음파 세정한 후, 30분 동안 UV, 오존 세정하여 사용하였다. 상기 ITO 전극 상부에 PFB(Dow Chemical사 제품인 정공 수송 물질)를 스핀코팅하여 10nm 두께의 정공 수송층을 형성하였다. 상기 정공 수송층 상부에 오렌지 색 발광 물질인 MEH-PPV 발광고분자로 70nm 두께의 발광층을 형성한 다음, 상기 발광층 상부에 상기에서 제조한 도너 필름의 볼록부를 접촉시킨 다음 IR 램프로 10분 동안 조사하여 전사를 행함으로써 유기전계발광소자를 완성하였다.Corning 15Ω / cm 2 (1200Å) ITO glass substrates were cut into 50mm x 50mm x 0.7mm and ultrasonically cleaned for 5 minutes in isopropyl alcohol and pure water, followed by UV and ozone cleaning for 30 minutes. . A 10 nm thick hole transport layer was formed by spin coating PFB (hole transport material manufactured by Dow Chemical Co., Ltd.) on the ITO electrode. A 70 nm-thick light emitting layer was formed on the hole transport layer using MEH-PPV light emitting polymer, which is an orange light emitting material. Then, the convex portion of the donor film prepared above was contacted on the light emitting layer and irradiated with an IR lamp for 10 minutes to transfer. The organic electroluminescent element was completed by performing the following.
실시예 2Example 2
도너 박막 필름의 제조Preparation of Donor Thin Film
Sylgard 184A 및 Sylgard 184B(Dow Corning Inc. 사 제품)를 교반용 용기에서 10:1의 중량비로 혼합하였다. 이로부터 얻은 PDMS 형성용 용액을 미리 준비한 웨이퍼(wafer)로 만든 마스터(master) 위에 부었다. 상기 마스터는 트랜지스터의 소스와 드레인 전극의 모양을 구비하였다. 마스터 위에 부은 PDMS 형성용 용액 중 기포를 진공 펌프(vacuum pump)를 이용하여 제거한 다음, 오븐에 넣어 60℃ 내지 80℃에서 PDMS 형성용 용액을 경화시킨 다음 마스터를 제거하여, PDMS 필름층을 얻었다. Sylgard 184A and Sylgard 184B (manufactured by Dow Corning Inc.) were mixed at a weight ratio of 10: 1 in a stirring vessel. The solution for forming PDMS obtained therefrom was poured onto a master made of a prepared wafer. The master has the shape of the source and drain electrodes of the transistor. Bubbles in the PDMS forming solution poured on the master were removed using a vacuum pump, and then placed in an oven to cure the PDMS forming solution at 60 ° C. to 80 ° C., and then the master was removed to obtain a PDMS film layer.
상기에서 얻은 PDMS 필름층을 투명 기판(폴리에틸렌테레프탈레이트,0.5 mm 두께)에 부착시킨 다음 상기 PDMS 필름층의 패터닝된 면에 Au 금속 20 nm를 전자빔 증착으로 수직 증착하였다. 이때 사용된 진공도는 1x10-7 torr이었다.The PDMS film layer obtained above was attached to a transparent substrate (polyethylene terephthalate, 0.5 mm thick) and 20 nm of Au metal was vertically deposited on the patterned surface of the PDMS film layer by electron beam deposition. The vacuum degree used at this time was 1 × 10 -7 torr.
유기박막트랜지스터소자의 제조Fabrication of Organic Thin Film Transistor Devices
기판 및 게이트 전극으로서 유리기판 위에 150 nm로 증착된 AlNd 금속막을 1인치 x 1인치의 크기로 잘라서 이소프로필 알코올과 순수 속에서 각 5 분 동안 초음파 세정한 후, 30분 동안 UV, 오존 세정하여 사용하였다. 상기 게이트 전극 상부에 폴리비닐페놀(Aldirch사, Mw=8,000)을 시클로헥사논 용매에 녹여서 500nm로 스핀코팅하여 100oC 핫플레이트에서 1시간 동안 베이킹한 후, 상기에서 제조한 도너필름의 볼록부를 접촉시킨 다음 IR 램프로 5 mW/cm2 의 세기로 10분 동안 노광(50 mJ/cm2)시킨 후 전사를 행하고 이후 펜타센을 열증착법으로 60 nm 두께로 증착함으로써 유기박막트랜지스터소자를 완성하였다.As a substrate and a gate electrode, an AlNd metal film deposited at 150 nm on a glass substrate was cut into a size of 1 inch x 1 inch, ultrasonically cleaned in isopropyl alcohol and pure water for 5 minutes, and then UV and ozone cleaned for 30 minutes. It was. After dissolving polyvinylphenol (Aldirch, Mw = 8,000) in a cyclohexanone solvent on the gate electrode and spin coating at 500 nm for 1 hour on a 100 ° C hot plate, the convex portion of the donor film prepared above After contacting, an IR lamp was exposed to light (50 mJ / cm 2 ) for 10 minutes at an intensity of 5 mW / cm 2 , followed by transfer, and then pentacene was deposited to a thickness of 60 nm by thermal evaporation to complete the organic thin film transistor element. .
비교예 1Comparative Example 1
도너 박막 필름의 제조Preparation of Donor Thin Film
0.1 mm 두께를 가지는 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 필름 기판에 광열변환 용액 (카본 블랙 염료 4%와 폴리비닐부티랄 수지 0.7%, 아크릴 수지 2.1%, 에폭시 노볼락 아크릴레이트(epoxy novolac acrylate) 13%, 아크릴 수지 8%을 포함하여 소량의 분산제 (0.3%)와 계면활성제(0.01%) 등을 2-부탄논과 1,2-프로판디올 모노메틸 에테르 아세테이트(1,2-propanediol monomethyl ether acetate)를 용매로 사용한 용액)을 스핀코팅하고 80oC의 온도에서 건조한 후 자외선을 노광하여 가교하였다. 그 후 중간층을 광열 변환층 위에 코팅하기 위하여 트리메틸프로판 트리아크릴레이트 에스테르 15%를 소량의 분산제, 계면활성제, 가교제를 첨가하여 2-부타논과 1-메톡시-2-프로판올 공동 용매에 녹여서 코팅한 후 60oC에서 건조하고 가교하였다. MEH-PPV를 톨루엔에 0.6wt%로 녹여서 스핀코팅한 후 70nm의 박막을 형성한 후 알루미나 퀴논(Alq3)을 진공열증착으로 20nm형성한 후 도너 필름을 완성하였다. Photothermal conversion solution (4% carbon black dye and 0.7% polyvinyl butyral resin, 2.1% acrylic resin, 13% epoxy novolac acrylate) on polyethylene terephthalate (PET) film substrate having a thickness of 0.1 mm A small amount of dispersant (0.3%) and surfactant (0.01%), including 8% acrylic resin, were used as a solvent with 2-butanone and 1,2-propanediol monomethyl ether acetate. The solution used) was spin-coated, dried at a temperature of 80 ° C., and crosslinked by exposing ultraviolet light. Then, in order to coat the intermediate layer on the photothermal conversion layer, 15% of trimethylpropane triacrylate ester was dissolved in 2-butanone and 1-methoxy-2-propanol co-solvent by adding a small amount of a dispersant, a surfactant, and a crosslinking agent, followed by coating. Dry and crosslink at 60 ° C. After dissolving MEH-PPV in toluene at 0.6wt%, spin coating was carried out to form a thin film of 70 nm, and alumina quinone (Alq3) was formed by vacuum thermal deposition at 20 nm to complete a donor film.
패터닝된 유기전계발광소자의 제조Fabrication of Patterned Organic Electroluminescent Device
코닝(Corning) 15Ω/cm2 (1200Å) ITO 유리기판을 50mm x 50mm x 0.7mm 크기로 잘라서 이소프로필 알코올과 순수 속에서 각 5 분 동안 초음파 세정한 후, 30분 동안 UV, 오존 세정하여 사용하였다. 상기 ITO 전극 상부에 PFB(Dow Chemical사 제품인 정공 수송 물질)를 스핀코팅하여 10nm 두께의 정공 수송층을 형성한 다음 상기 정공 수송층 상부에 상기에서 제조한 도너 필름을 접촉시킨 다음 싱글 모드 Nd:Yag 레이저로 스캐닝을 하였다. 조사한 레이저 에너지 밀도는 600 mJ/cm2이고 스캐닝 속도는 1m/s로 수행하였다. 전사가 된 후 100oC에서 열처리를 30분하고 Ca 5nm/Al 250nm를 증착하여 유기전계발광소자를 완성하였다.Corning 15Ω / cm 2 (1200Å) ITO glass substrates were cut into 50mm x 50mm x 0.7mm and ultrasonically cleaned for 5 minutes in isopropyl alcohol and pure water, followed by UV and ozone cleaning for 30 minutes. . Spin coating a PFB (hole transport material manufactured by Dow Chemical Co., Ltd.) on the ITO electrode to form a hole transport layer having a thickness of 10 nm, and then contacting the donor film prepared above with the hole transport layer and then using a single mode Nd: Yag laser. Scanning was performed. The irradiated laser energy density was 600 mJ / cm 2 and the scanning speed was performed at 1 m / s. After the transfer, the heat treatment was performed at 100 ° C. for 30 minutes, and Ca 5 nm / Al 250 nm was deposited to complete the organic light emitting device.
평가 시험Evaluation test
실시예 1에서 얻어진 패턴의 수율(99%)은 비교예 1에서 수행한 수율(98%)과 유 사하였다. 그러나, 실시예 1로 얻어진 소자의 발광효율을 Minolta CS-1000 휘도계와 Keithley 236 전류-전압 인가-측정 기기로 측정한 결과 2 cd/A를 나타내었으나, 비교예1로 제조한 소자의 경우 1 cd/A를 나타내었다.The yield (99%) of the pattern obtained in Example 1 was similar to the yield (98%) performed in Comparative Example 1. However, when the luminous efficiency of the device obtained in Example 1 was measured with a Minolta CS-1000 luminance meter and a Keithley 236 current-voltage application-measuring device, it showed 2 cd / A. cd / A is shown.
이로부터 본 발명에 의해 제작된 소자에서 발광효율이 더 증가함을 알 수 있었고 이는 광에 노출되는 시간과 에너지가 현저히 작기 때문인 것으로 생각된다.From this, it can be seen that the luminous efficiency is further increased in the device fabricated by the present invention, which is considered to be due to the remarkably small time and energy to be exposed to light.
본 발명의 박막전사용 도너 필름은 별도로 광열 변환층을 구비할 필요없이, 빛 또는 열 등에 의해 용이하게 전사층을 고분자 필름층으로 부터 어셉터 필름으로 전사할 수 있고, 금속 뿐 아니라 유기물층의 전사도 가능하다.The donor film for thin film transfer of the present invention can be easily transferred from the polymer film layer to the acceptor film by light or heat, without having to provide a light-heat conversion layer, and also transfers not only metals but also organic material layers. It is possible.
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008048913A1 (en) * | 2006-10-20 | 2008-04-24 | 3M Innovative Properties Company | Structured thermal transfer donors |
| KR101218264B1 (en) * | 2008-05-27 | 2013-01-03 | (주)엘지하우시스 | Transcribing film with finger mark-resisting and method of manufacturing the same |
| KR20140073210A (en) * | 2012-12-06 | 2014-06-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | Pattern laminating film and method of fabricating organic electro-luminescent device using the same |
| KR20140104063A (en) | 2013-02-15 | 2014-08-28 | 도레이첨단소재 주식회사 | Donor film having good transfer characteristic for laser induced thermal imaging and manufacturing method thereof |
| US9577195B2 (en) | 2014-10-20 | 2017-02-21 | Samsung Display Co., Ltd. | Method of manufacturing substrate of organic light-emitting display device |
| KR20190035209A (en) * | 2017-09-26 | 2019-04-03 | 주식회사 엘지화학 | Pattern film for transferring display pixel and method for manufacturing display using the same |
-
2005
- 2005-02-04 KR KR1020050010615A patent/KR20060089838A/en not_active Application Discontinuation
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008048913A1 (en) * | 2006-10-20 | 2008-04-24 | 3M Innovative Properties Company | Structured thermal transfer donors |
| US7419757B2 (en) | 2006-10-20 | 2008-09-02 | 3M Innovative Properties Company | Structured thermal transfer donors |
| US7592120B2 (en) | 2006-10-20 | 2009-09-22 | 3M Innovative Properties Company | Structured thermal transfer donors |
| KR101218264B1 (en) * | 2008-05-27 | 2013-01-03 | (주)엘지하우시스 | Transcribing film with finger mark-resisting and method of manufacturing the same |
| KR20140073210A (en) * | 2012-12-06 | 2014-06-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | Pattern laminating film and method of fabricating organic electro-luminescent device using the same |
| KR20140104063A (en) | 2013-02-15 | 2014-08-28 | 도레이첨단소재 주식회사 | Donor film having good transfer characteristic for laser induced thermal imaging and manufacturing method thereof |
| US9577195B2 (en) | 2014-10-20 | 2017-02-21 | Samsung Display Co., Ltd. | Method of manufacturing substrate of organic light-emitting display device |
| US9673396B2 (en) | 2014-10-20 | 2017-06-06 | Samsung Display Co., Ltd. | Method of manufacturing substrate of organic light-emitting display device |
| US9893284B2 (en) | 2014-10-20 | 2018-02-13 | Samsung Display Co., Ltd. | Method of manufacturing substrate of organic light-emitting display device |
| US10147881B2 (en) | 2014-10-20 | 2018-12-04 | Samsung Display Co., Ltd. | Method of manufacturing substrate of organic light-emitting display device |
| US10566535B2 (en) | 2014-10-20 | 2020-02-18 | Samsung Display Co., Ltd. | Method of manufacturing substrate of organic light-emitting display device |
| KR20190035209A (en) * | 2017-09-26 | 2019-04-03 | 주식회사 엘지화학 | Pattern film for transferring display pixel and method for manufacturing display using the same |
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