KR20060033013A - 저 전도 백킹 플레이트를 갖는 스퍼터링 타겟 조립체 및 그제조 방법 - Google Patents

저 전도 백킹 플레이트를 갖는 스퍼터링 타겟 조립체 및 그제조 방법 Download PDF

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KR20060033013A
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로버트 에스. 베일리
멜빈 케이. 홀콤
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토소우 에스엠디, 인크
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Abstract

본 발명은 타겟과 백킹 플레이트 조립체 및 이를 제조하는 방법에 관한 것이다. 상기 백킹 플레이트는 45% IACS 이하의 전기 전도율을 갖는 재료로 제조되고, Al 합금들, Cu 합금들, 마그네슘, 마그네슘 합금들, 몰리브덴, 몰리브데늄 합금들, 아연, 아연 합금들, 니켈 및 니켈 합금들로 구성되는 그룹으로부터 선택된다.
스퍼터링 타겟, 백킹 플레이트, 전기 전도율, 와전류, 타겟 조립체

Description

저 전도 백킹 플레이트를 갖는 스퍼터링 타겟 조립체 및 그 제조 방법{Sputtering target assembly having low conductivity backing plate and method of making same}
관련 발명의 상호 참조
2003년 7월 14일자로 출원된 미국 가특허 출원 제60/487,094호 및 2003년 12월 8일자로 출원된 미국 가특허 출원 제60/527,917호의 우선권의 이익이 본 명세서에서 청구된다.
본 발명은 스퍼터 타겟/백킹 플레이트(backing plate) 조립체에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 저 전도 재료로 제조된 백킹 플레이트를 갖는 스퍼터 타겟/백킹 플레이트 조립체에 관한 것이다.
또한, 스퍼터링(sputtering)으로 언급되는 물리적 기상 증착(PVD)은 티타늄과 같은 고체 금속을 기판상에 재료를 증착하기 위한 소스 또는 타겟으로 사용한다. PVD 공정 동안, 금속 원자들은 고에너지 이온 충돌로 상기 타겟으로부터 그들을 떼어냄에 의해 제공된다. 스퍼터링을 일으키는 고에너지 이온들은 통상적으로 상기 스퍼터링 타겟 앞에서 플라즈마의 구름(cloud)으로부터 온다. 플라즈마는 아르곤과 같은 무거운 불활성 가스로 통상적으로 형성된다. 상기 기판은 상기 타겟 으로부터 선택된 거리에서 받침대 상에 제공되고 전원에 의해 발생되는 플라즈마에 대해 음의 포텐셜을 유지한다. 스퍼터된 금속 원자들 또는 원자들의 그룹의 주요 부분은 챔버 내에 유지되는 저압으로 인해 각의 분포에 걸쳐 실질적으로 선형 궤적을 따른다.
상기 플라즈마는 상기 스퍼터링 타겟 뒤의 자석들에 의해 제공되는 자계에 의해 유지된다. 통상적인 스퍼터링 시스템에서, 시스템 내의 상기 플라즈마를 유도하는 것을 돕고 상기 타겟의 스퍼터링을 보다 균일하게 발생시키는 회전 자석들이 있다. 진보된 마그네트론(magnetron) PVD 설계에서, 캐소드 자석은 더 양호한 균일 성능을 제공하기 위해 타겟 중심축 주위로 회전하는 작은 자석들의 어레이로 보통 구성된다. 상기 타겟 표면상의 다른 위치들에서 상기 자계 강도 및 상기 자석들의 회전당 상기 자계의 평균 잔류 시간은 변화한다. 이 변화들 모두는 상기 타겟 표면 상의 다른 위치에서 다른 스퍼터링율의 존재와, 그에 의한 상기 타겟 스퍼터링 프로파일(스퍼터링 그루브들)의 존재에 기여한다. 우리는 일 회전 내에서 상기 자계 강도의 시간 적분을 시간 평균 자계 강도(T-B-Field)로 정의한다. 통상적인 PVD 시스템에서, OEM은 필요한 T-B-Field를 형성하기 위해 캐소드 자석 조립체의 형상을 보통 설계한다. 그 다음에 이는 최적의 증착 균일 성능을 달성하기 위해 채용된 필요한 타겟면 침식 프로파일을 형성한다. 필요한 자석 형상 및 타겟 침식 프로파일들을 결정하기 위한 방법들은 미국 특허 제4,995,958호, 제5,314,597호, 제5,248,402호, 제5,830,327호 및 제5,252,194호의 재검토에서 볼 수 있다.
상기 플라즈마의 밀도 및 그에 따른 상기 타겟의 스퍼터링율은 상기 타겟면 에서 자계 강도와 관련된다. 전자기 이론은 상기 자계의 수직 성분이 영이고 상기 자계의 수평 성분이 최대일 때 최대 스퍼터링율이 발생한다는 것을 지적한다. 다음으로, "자계"라는 용어는 다르게 지시되지 않는다면 수직 자계가 거의 영일때 상기 자계의 수평 성분으로 언급한다. 상기 자계 강도가 너무 낮은 레벨이라면, 상기 플라즈마는 소멸할 것이고, 상기 타겟 재료의 스퍼터링은 발생하지 않을 것이다.
스퍼터링 타겟 조립체는 상기 조립체에 구조적 지지를 제공하기 위해 상기 타겟에 부착된 백킹 플레이트를 통상적으로 포함한다. 통상적으로, 백킹 플레이트 재료들은 강도, 내부식성 및 열 전달 특성을 위해 선택된다. 강도는 스퍼터링 시스템 내에서 작동 중에 응력에 저항할 수 있는 구조를 제공하고 스퍼터링 작동 중에 굽어짐을 감소시킴으로써 입자 생성을 감소시키기 위해 필요하다. 부식 및 열 전달 특성은 상기 조립체가 스퍼터링 중에 열을 분산시키는 것을 허용하기 위해 중요하다. 상기 타겟들은 통상적으로 극도로 고온을 얻고 상기 백킹 플레이트 측면 상에서 수냉되며, 따라서 내부식성 및 열 분산을 위해 필요로 한다.
통상적으로, 높은 열 전도율을 갖는 Al 6061 또는 CuCr(C18200)과 같은 석출 경화 재료는 상기 백킹 플레이트를 위해 사용된다. 그 냉각 효율을 위해 통상적으로 선택되는 높은 열 전도율 재료들은 높은 전기 전도율을 또한 갖는다. 예를 들어, CuCr 합금은 약 80 내지 85% IACS 사이의 높은 전기 전도율을 갖고, Al 6061은 약 46% IACS의 전기 전도율을 갖는다. 그와 같은 고 전도율의 백킹 플레이트들은 자석의 회전에 의해 유도되는 상기 백킹 플레이트에 형성된 와류로 인해 상기 타겟 조립체를 통한 자계 관통을 감소시킨다. 이러한 감소된 자계는 낮은 플라즈마 밀도 및 상응하는 감소된 스퍼터링 증착율로 초래된다.
따라서, 스퍼터링 동안 필름의 필요한 두께를 증착하기 위한 더 빠른 프로세스 시간을 가능하게 하고, 더 높은 자계 관통을 허용하는 타겟 및 백킹 플레이트 조립체를 위한 필요가 존재하고, 그에 의해 더욱 효율적이고 경제적인 스퍼터링을 초래한다.
본 발명은 타겟 및 백킹 플레이트를 포함하고, 이 백킹 플레이트는 45% IACS 이하의 전도율을 갖는 재료로 제조되는 스퍼터링 타겟 조립체를 제공한다. 상기 백킹 플레이트 재료는 Al 합금들, Cu 합금들, 마그네슘, 마그네슘 합금들, 몰리브덴, 몰리브데늄 합금들, 아연, 아연 합금들, 니켈 및 니켈 합금들로 구성된 그룹으로부터 적합하게 선택된다. 다른 실시예에서, 상기 백킹 플레이트 재료의 전도율은 35% IACS보다 적다.
일 실시예에서, 상기 백킹 플레이트 재료는 20%보다 큰 Zn의 조성을 갖는 황동이다. 부가적인 실시예에서, 상기 백킹 플레이트 재료는 청동이고, 상기 백킹 플레이트의 조성은 1.25 중량 퍼센트보다 적은 Sn이다. 또 다른 실시예에서, 상기 백킹 플레이트 재료는 2 중량 퍼센트보다 큰 Mg의 조성을 갖는 5000 시리즈 Al과 같은 알루미늄 합금이다. 부가적인 실시예에서, 상기 백킹 플레이트 재료는 CuZn 합금이다. 이 재료들 각각은 45% IACS보다 적은 전도율을 갖고, 따라서 상기 백킹 플레이트에서 와전류 형성은 최소화된다.
본 발명은 타겟 및 백킹 플레이트를 포함하고, 이 백킹 플레이트는 35% IACS 이하의 전기 전도율을 갖는 재료로 제조되는 스퍼터링 타겟 조립체에 관한 것이다.
본 발명은 또한 스퍼터링 타겟 조립체를 형성하는 방법에 관한 것이다. 상기 방법은 45% IACS 보다 적은 전도율을 갖는 재료로 백킹 플레이트를 형성하는 단계와, 상기 백킹 플레이트를 스퍼터 타겟에 부착하는 단계를 포함한다. 다른 실시예에서, 상기 백킹 플레이트 재료는 Al 합금들, Cu 합금들, 마그네슘, 마그네슘 합금들, 몰리브덴, 몰리브데늄 합금들, 아연, 아연 합금들, 니켈 및 니켈 합금들로 구성되는 그룹으로부터 선택된다.
본 발명의 이들 및 다른 형상들 및 장점들은 본 발명에 따른 시스템들과 방법들의 다양한 예시적인 실시예들의 하기 상세한 설명에 설명되거나 또는 이로부터 명백하다.
본 발명의 시스템들 및 방법들의 다양한 예시적인 실시예들은 하기 도면들을 참조하여 상세히 설명될 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 타겟 및 백킹 플레이트의 하나의 예시적인 실시예를 도시하는 도면.
상응하는 참조 번호들은 도면들을 통해 상응하는 부품들을 지시한다.
도 1은 본 명세서에 개시된 발명의 개념에 따라 일반적으로 참조부호 10으로 지시된 스퍼터링 타겟 조립체의 부분적인 개략 사시도를 도시한다. 상기 스퍼터링 타겟 조립체(10)는 백킹 플레이트(14) 위에 겹쳐진 스퍼터 타겟(12)을 포함한다. 상기 타겟(12)은 예를 들어 Ti, Ni, Ti/W, W, Co, Al 및/또는 Ta 또는 그 합금들과 같은 금속 재료로 구성될 수 있다. 바람직하게는, 상기 타겟(12)은 환형(annulus)이고, 초기에(즉, 스퍼터링 발생 전에) 기판 상에 원하는 코팅을 형성하기 위해 스퍼터링 작업 동안 소모될 필수적인 금속면을 제공할 평탄한 스퍼터링면(22)을 갖는다. 상기 타겟 두께를 결정하는 방법은 공통적으로 양도된 2002년 2월 20일자로 출원된 미국 특허 출원 제10/312,050호의 "타겟 및 타겟 프로파일 최적화 방법"에 따를 수 있고, 상기 공보가 참조를 위해 본 명세서에 합체되었다.
상기 스퍼터링 타겟 조립체(10)는 전통적인 스퍼터링 시스템(도시 생략)에서 사용된다. 상기 스퍼터링 시스템은 접지 전위에 연결된 애노드와 음의 고전압 소스에 연결된 캐소드, 즉 상기 타겟(12)을 포함한다. 통상적인 스퍼터링 시스템들에서, 플라즈마 쉴드는 전기적으로 접지되고 애노드로서 역할한다. 코팅될 상기 기판 또는 웨이퍼(도시 생략)는 상기 웨이퍼의 면이 타겟(12)의 평탄면(22)에 노출되고 평행하도록 적합한 웨이퍼 유지 수단에 의해 유지된다. 예를 들어 5 밀리토르의 아르곤과 같은 저압 불활성 가스가 스퍼터링 장치에 유입된다. 통상적으로, 상기 스퍼터링 시스템은 플라즈마를 상기 시스템에 유도하고 발생하는 상기 타겟의 스퍼터링을 보다 균일하도록 허용하는 것을 돕는 회전하는 자석을 갖는다. 예를 들어, 상기 스퍼터링 시스템은 더 양호한 균일 성능을 제공하기 위해 타겟 중심축 주위로 회전하는 작은 자석들의 어레이를 가질 수 있다. 스퍼터링 장치들은 본 기술분야에서 공지되었으며 본 명세서에서 부가로 설명하지 않을 것이다.
타겟(12)은 공통적으로 양도된 2003년 10월 31일자로 출원된 미국 특허 출원 제10/700,309호의 "확산 접합된 스퍼터 타겟 조립체 및 그 제조 방법" 또는 2000년 12월 21일자로 출원된 미국 특허 제6,749,103호의 "저온 스퍼터 타겟 접합 방법 및 그에 의해 제조된 타겟 조립체들"과 같은 방법을 사용하여 백킹 플레이트(14)에 접합되고, 그 개시 내용들이 참조를 위해 본 명세서에 합체되었다. 납땜, 브레이징(brazing), 마찰 용접, 폭발 접합(explosion bonding) 또는 기계적 접합을 포함하는 상기 타겟(12)과 백킹 플레이트(14)를 부착하기 위한 다른 방법들은 마찬가지로 고려된다. 상기 타겟(12)과 백킹 플레이트(14)의 양질의 열적 및 구조적 접합은 접합 후에 상기 스퍼터 타겟 조립체(10)의 충분한 냉각을 보장하고 고온 상태 동안 상기 조립체의 구조적 완전성을 유지하는데 바람직하다.
적합한 타겟(12)은 일반적으로 절두 원추형(frusto-conical)이고, 단면이 원형이며 스퍼터링면(22)의 방향으로 일반적으로 선형 방식으로 수렴하는 측벽들(20)을 갖는다. 단면에서, 상기 적합한 타겟(12) 및 백킹 플레이트(14)는 전체로 원뿔대의 형상을 갖으며, 상기 백킹 플레이트(14)는 원뿔의 기저로 역할하고, 상기 타겟 측벽들(20)은 상기 측벽들(20)이 상기 스퍼터링면(22)을 넘어 연장된다면 원뿔의 정점에 접근하도록 상기 원뿔의 중간 위치로 역할한다.
적합한 일 실시예에서, 두꺼운 영역 또는 원형 보스(boss)(30)는 상기 타겟/백킹 플레이트 계면(32)을 따라 형성된다. 이 두꺼운 영역(30)은 침식 트랙 연장부 등과 같은 것으로 작동함에 의해 타겟 수명을 증가시키도록 돕는다. 도시된 실시예에서, 이 두꺼운 영역(30)의 반경 치수는 적합하게는 약 7.739cm(약 3.047inch)이고 깊이는 적합하게는 약 1.3mm(약 0.050inch)이다.
상기 스퍼터링면(22)은 상기 타겟(12)의 더 얇은 중심 영역을 한정하는 얕은 웰(well)(42)을 둘러싸는 증가된 타겟 두께의 외부계단식 또는 상승된 단구(terrace) 영역(40)을 적합하게는 포함한다. 상기 단구(40)는 외부벽(50) 및 내부벽(52)을 포함한다. 상기 내부벽(52)은 도시된 특정 실시예에서 상기 웰로부터 상기 단구의 플래토(plateau) 또는 외부면(54)을 향하여 약 13.5°의 각도로 외향으로 경사진다. 상기 내부벽(52)은 약 6.4mm(약 0.25inch)의 길이 또는 반경 치수를 갖는다. 도시된 바와 같이, 상기 단구(40)의 표면은 상기 웰의 표면으로부터 약 0.060inch 상승된다. 상기 단구(40)는 높은 침식이 예상될 수 있는 스퍼터링면(22)의 영역에 부가적인 재료 두께를 제공한다.
작동 시에, 상기 자계 라인들은 방전을 방전시에 활동적인 이온들이 원자들을 제거함에 의해 타겟(12)을 충격하고 침식하며, 그 중 몇몇은 웨이퍼(도시 생략)의 평탄면을 코팅하는 환형 영역으로 한정한다. 상기 스퍼터링 시스템의 자석의 운동으로 인해 상기 타겟(12)과 상기 백킹 플레이트의 와전류는 상기 자계를 저하시키고 상기 스퍼터링 작동에 불리하게 영향을 줄 것이다. 상기 와전류는 상기 타겟면(22) 위의 자계의 강도를 감소시킨다. 그들의 냉각 효율을 위해 사전에 선택된 높은 열전도율 재료들은 높은 전기 전도율을 또한 갖는다. 고전도 재료들은 더 높은 와전류의 형성을 초래한다. 이해될 수 있는 바와 같이, 상기 더 높은 와전류는 상기 백킹 플레이트(14)에 영향을 미치고, 더 적은 자계는 상기 스퍼터링 조립체를 관통한다. 따라서, 고 전도율 재료로부터 백킹 플레이트(14)를 제조하는 것 은 상기 타겟(12) 위의 자계를 감소시킨다. 감소된 열전도율은 낮은 전기 전도율 재료들을 위하여 용인될 수 있다. 저 전도율 재료로 제조된 백킹 플레이트(14)를 이용하는 것은 와전류 효과를 감소시키고 더 높은 자계가 상기 스퍼터링 조립체(10)를 관통할 수 있게 한다. 상기 스퍼터링 조립체(10)를 관통하는 이러한 더 높은 자계는 보다 안정한 플라즈마를 초래한다. 더 높은 자계의 하나의 이점은 증가된 스퍼터율이다.
본 발명에 따라, 상기 백킹 플레이트는 약 45% IACS(International Annealed Copper Standard) 이하, 적합하게는 40% IACS 보다 적은, 및 가장 적합하게는 35% IACS 보다 적은 전도율을 갖는 저 전도율 재료로 구성된다. 적합하게는, 상기 백킹 플레이트(14)는 상기 전도율이 상기 백킹 플레이트의 냉각 용량을 수용할 수 없게 저하하기 위해 너무 낮지 않도록 약 10% IACS의 최소 전도율보다 큰 전도율을 갖는 재료로 구성된다. 수용할 수 있는 백킹 플레이트 재료의 실예는 Al 합금들, 황동 및 청동과 같은 Cu 합금들, 마그네슘 및 마그네슘 합금들, 몰리브데늄 및 몰리브데늄 합금들, 아연 및 아연 합금들, 니켈 및 니켈 합금들을 포함하고, 상기 백킹 플레이트 재료는 45% IACS 이하의 전도율을 갖는다.
일 실시예에서, 상기 백킹 플레이트 재료는 2000 시리즈, 5000 시리즈 또는 7000 시리즈 알루미늄 합금으로부터 선택된 알루미늄 합금이다. 적합한 일 실시예에서, 상기 백킹 플레이트 재료는 2 중량 퍼센트 보다 많은 Mg를 갖는 조성의 5000 시리즈 합금이다. 적합한 5000 시리즈 합금들의 실예들은 5052, 5056, 5083, 5086, 5154, 5252, 5254, 5356, 5454 및 5456이다. 다른 적합한 Al 합금들의 실예들은 7075와 7198, 2014, 2017, 2024 및 2219이다. 선택된 적합한 Al 합금들의 실예들 및 그들의 전도율은 표 1에 도시된다.
표 1
합금 조성 전도율
5083 (0 템퍼) 94.75% Al .7% Mn 4.4% Mg .15% Cr 29% IACS
7075 (T6 템퍼) 90.07% Al 1.6% Cu 2.5% Mg .23% Cr 5.6% Zn 33% IACS
2024 (T3, T4, T361 템퍼) 93.5% Al 4.4% Cu .6% Mn 1.5% Mg 30% IACS
다른 적합한 백킹 플레이트 재료는 백킹 플레이트의 조성이 약 20 중량 퍼센트 이하의 Zn인 황동이다. 적합한 황동 합금들의 실예들 및 전도율은 표 2에 도시된다.
표 2
합금 조성 전도율
C24000 80% Cu 20% Zn 32% IACS
C46400 60.8% Cu 39.2% Zn 26% IACS
다른 적합한 실예는 청동으로 제조된 백킹 플레이트(14)이다. 적합하게는, 상기 백킹 플레이트의 조성은 약 5.0 퍼센트보다 적은 Sn이고, 보다 적합하게는 약 1.25 중량 퍼센트 보다 적은 Sn이다. 적합한 청동 합금들의 실예들 및 전도율이 표 3에 도시된다.
표 3
합금 조성 전도율
C51100 95.6% Cu .2% P 4.2% Sn 20% IACS
어떤 특별한 이론에 얽매이지 않고, 와전류 효과에서 환원은 더 높은 자계가 상기 백킹 플레이트(14)를 관통하는 것을 가능하게 한다고 믿어진다. 상기 스퍼터링 조립체(10)를 관통하는 더 높은 자계는 보다 적합한 플라즈마로 초래되고, 그에 의해 스퍼터율을 증가시킨다. 부가적으로, 보다 적합한 플라즈마는 더 낮은 압력에서 작동을 가능하게 한다. 인식된 하나의 이점은 상기 타겟(12)의 두께가 더 긴 수명과 함께 유사한 스퍼터링 성능을 갖고 증가될 수 있다는 것이다.
실예 1
당업계에서 널리 사용되는 Ta 타겟 및 CuCr(C18000) 백킹 플레이트를 갖는 종래의 200mm 스퍼터링 타겟 조립체가 획득되었다. 저 전도율의 백킹 플레이트와 함께 Ta 타겟을 갖는 새로운 200mm 스퍼터링 타겟 조립체는 본 발명에 따라 설계되었다. 상기 백킹 플레이트는 68F에서 26% IACS의 전도율을 갖는 CuZn 합금(C46400)으로 제조되었다. 비교하면, 상기 CuCr은 68F에서 80% IACS의 전도율을 갖는다. 전도율의 차이는 백킹 플레이트의 와전류에서 환원에 기인하여 상기 스퍼터링 시스템에서 회전 자석 상에 더 적은 항력을 초래하는 것이 발견되었다. 상기 타겟을 통과하는 더 많은 자기 강도를 허용하는 이 환원된 와전류는 상기 타겟의 스퍼터율의 15% 증가를 초래한다.
본 발명이 상기 특정 실시예에 관련하여 서술되었지만, 많은 대안들, 조합들, 수정들 및 변경들이 본 기술분야의 숙련자에게 자명하다는 것이 분명하다. 따라서, 상술된 본 발명의 적합한 실시예들은 제한하는 것이 아닌 설명적인 것이 되도록 의도된다. 다양한 변화들이 본 발명의 개념 및 범주로부터 벗어나지 않고 이루어질 수 있다.

Claims (12)

  1. 타겟 및 백킹 플레이트를 포함하는 스퍼터링 타겟 조립체로서,
    상기 백킹 플레이트는 45% IACS 이하의 전도율을 갖는 재료로 제조되고,
    상기 재료는 Al 합금들, Cu 합금들, 마그네슘, 마그네슘 합금들, 몰리브덴, 몰리브데늄 합금들, 아연, 아연 합금들, 니켈 및 니켈 합금들로 구성된 그룹으로부터 선택되는 스퍼터링 타겟 조립체.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 백킹 플레이트 재료의 상기 전도율은 35% IACS 보다 적은 스퍼터링 타겟 조립체.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 백킹 플레이트 재료는 적어도 20% Zn의 조성을 갖는 황동인 스퍼터링 타겟 조립체.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 백킹 플레이트 재료는 청동이고, 상기 백킹 플레이트의 조성은 1.25 중량 퍼센트보다 적은 Sn인 스퍼터링 타겟 조립체.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 백킹 플레이트 재료는 알루미늄 합금이고, 상기 합금은 2 중량 퍼센트보다 큰 Mg의 조성을 갖는 5000 시리즈 Al인 스퍼터링 타겟 조립체.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 백킹 플레이트 재료는 5052, 5056, 5083, 5086, 5154, 5252, 5254, 5356, 5454 및 5456으로 구성된 그룹으로부터 선택되는 5000 시리즈 알루미늄 합금인 스퍼터링 타겟 조립체.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 백킹 플레이트 재료는 7075 및 7198로 구성된 그룹으로부터 선택되는 7000 시리즈 알루미늄 합금인 스퍼터링 타겟 조립체.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 백킹 플레이트 재료는 2014, 2017, 2024 및 2219로 구성된 그룹으로부터 선택되는 2000 시리즈 알루미늄 합금인 스퍼터링 타겟 조립체.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 백킹 플레이트 재료의 상기 전도율은 10% 내지 45% IACS 사이인 스퍼터링 타겟 조립체.
  10. 타겟 및 백킹 플레이트를 포함하는 스퍼터링 타겟 조립체로서,
    상기 백킹 플레이트는 35% IACS 이하의 전기 전도율을 갖는 재료로 제조되는 스퍼터링 타겟 조립체.
  11. 스퍼터링 타겟 조립체를 형성하는 방법으로서,
    45% IACS 보다 적은 전도율을 갖는 재료로 백킹 플레이트를 형성하는 단계와,
    상기 백킹 플레이트를 스퍼터 타겟에 부착하는 단계를 포함하는 스퍼터링 타겟 조립체 형성 방법.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 백킹 플레이트 재료는 Al 합금들, Cu 합금들, 마그네슘, 마그네슘 합금들, 몰리브덴, 몰리브데늄 합금들, 아연, 아연 합금들, 니켈 및 니켈 합금들로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 스퍼터링 타겟 조립체 형성 방법.
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