KR20050080696A - 플라즈마 디스플레이 패널의 구동장치 - Google Patents

플라즈마 디스플레이 패널의 구동장치 Download PDF

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KR20050080696A KR1020040008802A KR20040008802A KR20050080696A KR 20050080696 A KR20050080696 A KR 20050080696A KR 1020040008802 A KR1020040008802 A KR 1020040008802A KR 20040008802 A KR20040008802 A KR 20040008802A KR 20050080696 A KR20050080696 A KR 20050080696A
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곽종운
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엘지전자 주식회사
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Abstract

본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것으로, 상세하게는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동회로의 스위치 소자의 수를 저감시킨 플라즈마 디스플레이 패널의 구동장치에 관한 것이다.
본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 구동장치는, 주사/서스테인 전극를 구동하기 위한 드라이버 IC(Integrated Circuit); 주사/서스테인 전극 라인으로부터 방전되는 전압을 외부 캐패시터를 이용하여 회수하는 에너지 회수회로; 선택적 소거용 스캔전압을 상기 드라이버 IC에 공급하는 스캔 기준전압 공급부; 스캔전압을 상기 드라이버 IC에 공급하는 스캔 전압 공급부; 및 셋업 및 셋다운 파형을 각각 공급하기 위한 셋업 공급부 및 셋다운 공급부;를 구비하되, 상기 스캔 기준전압 공급부를 구성하는 스위치는 하나의 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)로 구성되는 주사/서스테인 전극 구동부를 포함하여 이루어진다.

Description

플라즈마 디스플레이 패널의 구동장치{Apparatus For Driving of Plasma Display Panel}
본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것으로, 상세하게는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동회로의 스위치 소자의 수를 저감시킨 플라즈마 디스플레이 패널의 구동장치에 관한 것이다.
플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel : 이하 'PDP'라 함)은 불활성 혼합가스의 방전시 발생하는 자외선에 의해 형광체를 발광시킴으로써 문자 또는 그래픽을 포함한 화상을 표시하게 된다. 이러한 PDP는 박막화와 대형화가 용이할 뿐만 아니라 최근의 기술 개발에 힘입어 크게 향상된 화질을 제공한다. 특히, 3전극 교류 면방전형 PDP는 방전시 표면에 벽전하가 축적되며 방전에 의해 발생되는 스퍼터링으로부터 전극들을 보호하기 때문에 저전압 구동과 장수명의 장점을 가진다.
이하, 도 1 내지 도 4를 참조하여 종래의 플라즈마 디스플레이 패널의 구동회로를 설명한다.
도 1은 종래 기술에 따른 주사/서스테인 전극 구동부의 회로도이다.
도시된 바와 같이, Y(주사/서스테인) 구동부는 에너지 회수회로(11)와 드라이버 집적회로(Integrated Circuit ; 이하, 'IC'라 함)(12) 사이에 접속되는 제6 스위치(Q6A,Q6B)와, 제6 스위치(Q6A,Q6B)와 드라이버 IC(12) 사이에 접속되어 스캔펄스(-SWSP,-SESP)를 생성하기 위한 스캔 기준전압 공급부(16) 및 스캔 전압 공급부(13)와, 제6 스위치(Q6A,Q6B)와 스캔 기준전압 공급부(16) 및 스캔 전압 공급부(14) 사이에 접속되어 셋업/다운파형(RP,-RP)를 생성하기 위한 셋업 공급부(15) 및 셋다운 공급부(13)를 구비한다. 또한 셋업 전압원(Vsetup)과 에너지 회수회로(11) 사이에 접속되어 셋업 전압(Vs)을 일정하게 유지시키기 위한 제1 캐패시터(C1)와, 스캔전압원(Vsc)과 제4 노드(n4) 사이에 직렬 접속된 제2 캐패시터(C2)를 구비한다.
드라이버 IC(12)는 푸쉬풀 형태로 접속되며 에너지 회수회로(11), 스캔 기준전압 공급부(13) 및 스캔 전압 공급부(14)로부터 전압신호가 입력되는 제12 및 제13 스위치들(Q12,Q13)로 구성된다. 제12 및 제13 스위치들(Q12,Q13) 사이의 출력라인은 주사/서스테인 전극라인 중 어느 하나에 접속된다.
에너지 회수회로(11)는 주사/서스테인 전극라인으로부터 회수되는 전압을 충전하기 위한 외부 캐패시터(CexY)와, 외부 캐패시터(CexY)에 병렬 접속된 스위치들(Q1,Q2)과, 제1 노드(n1)와 제2 노드(n2) 사이에 접속된 인덕터(Ly)와, 서스테인 전압 공급원(Vs)과 제2 노드(n2) 사이에 접속된 제3 스위치(Q3)와, 제2 노드(n2)와 그라운드단자(GND) 사이에 접속된 제4 스위치(Q4)로 구성된다. 이 에너지 회수회로(11)에 의해 주사/서스테인 전극라인의 전압이 충방전되는 동안, 에너지 회수회로(11)와 드라이버 IC(12) 사이의 전류패스를 형성하기 위하여 제6 스위치(Q6A,Q6B)는 온(on) 상태를 유지한다. 에너지 회수회로(11)는 주사/서스테인 전극라인(Y1 내지 Ym)으로부터 방전되는 전압을 외부 캐패시터(CexY)를 이용하여 회수한다. 그리고 에너지 회수회로(11)는 회수된 전압을 주사/서스테인 전극라인에 공급함으로써 셋업기간과 서스테인기간의 방전시에 과도한 소비전력을 줄이게 된다.
스캔 기준전압 공급부(16)는 제3 노드(n3)와 선택적 쓰기용 스캔전압원(-Vyw) 사이에 접속된 제10 스위치(Q10)와, 제3 노드(n3)와 선택적 소거용 스캔 전압원(-Vye) 사이에 직렬 접속된 제9A 및 제9B 스위치(Q9A,Q9B)로 구성된다. 제10 스위치(Q10)는 선택적 쓰기 서브필드의 어드레스기간에 공급되는 제어신호(yw)에 응답하여 절환됨으로써 선택적 쓰기용 스캔전압(-Vyw)을 드라이버 IC(12)에 공급하는 역할을 한다. 제9A 및 제9B 스위치(Q9A,Q9B)는 선택적 소거 서브필드의 어드레스기간에 공급되는 제어신호(ye)에 응답하여 절환됨으로써 선택적 소거용 스캔전압(-Vye)을 드라이버 IC(12)에 공급하는 역할을 한다.
스캔 전압 공급부(14)는 스캔전압원(Vsc)과 제4 노드(n4) 사이에 직렬 접속되는 제7 스위치(Q7)로 구성된다. 제7 스위치(Q7)는 선택적 쓰기 서브필드와 선택적 소거 서브필드의 어드레스기간에 공급되는 제어신호(SC)에 응답하여 절환됨으로써 스캔전압(Vsc)을 드라이버 IC(12)에 공급하는 역할을 한다. 이 때 스캔전압원(Vsc)과 제3 노드(n3) 사이에 연결된 제2 캐패시터(C2)는 스캔전압원(Vsc)로부터의 스캔전압을 충전하여 충전된 전압을 플로팅 레벨로 유지하면서 선택적 쓰기방식과 선택적 소거방식에서 각기 다른 전압 레벨을 만들 수 있도록 한다.
셋업 공급부(15)는 셋업 전압원(Vsetup)과 제2 노드(n2) 사이에 접속된 캐패시터(C1), 저항(Ra) 및 셋업 전압원(Vsetup)과 제5 노드(n5) 사이에 접속된 제5 스위치(Q5)로 구성된다. 제5 스위치(Q5)는 셋업파형(RP)을 공급하는 역할을 하게 된다. 이 셋업파형(RP)의 기울기는 제5 스위치(Q5)의 제어단자 즉, 게이트 단자에 연결된 RC 시정수회로의 RC 시정수값에 의해 결정된다. 셋업파형(RP)의 기울기는 가변저항(R1)의 저항값 조절에 의해 조정된다.
셋다운 공급부(13)는 제3 노드(n3)와 선택적 쓰기용 스캔 전압원(-Vyw) 사이에 접속된 제11 스위치(Q11)를 포함한다. 제11 스위치(Q11)는 셋다운파형(-RP)을 공급하는 역할을 한다. 이 셋다운파형(-RP)의 기울기는 제11 스위치(Q11)의 제어단자 즉, 게이트 단자에 연결된 RC 시정수회로의 RC 시정수값에 의해 결정된다. 셋다운파형(-RP)의 기울기는 가변저항(R2)의 저항값 조절에 의해 조정된다.
Y 구동부는 각각 제3 노드(n3)와 제4 노드(n4)를 경유하여 스캔 기준전압 공급부(16)와 스캔전압 공급부(14)에 접속되는 제8 스위치(Q8)를 구비한다. 제8 스위치(Q8)는 제어신호(Dic_updn)에 응답하여 드라이버 IC(12)에 공급되는 스캔전압(Vsc)을 절환하는 역할을 한다.
상기 스캔 기준전압 공급부(16)는 도 2에 도시된 구동 파형에서 어드레스기간의 선택 소거 스캔 전압(20)을 얻기 위해 필요하게 된다. 상기 스캔 기준전압 공급부(16)의 제9 스위치(Q9A,Q9B)는 소스단을 공통으로 연결시켜 직렬로 사용된다. 그 이유는 선택적 쓰기 서브필드의 어드레스 기간에서는 제9 스위치(Q9A,Q9B)가 턴-오프 되어있지만 음(-)의 전압 절대치가 서스테인 전압보다 작아서 제9 스위치(Q9A,Q9B)의 내부 다이오드를 통해 전류가 도통되어 회로가 손상되는 것을 방지하기 위함이다.
도 3은 종래 기술에 따른 공통/서스테인 전극 구동부의 회로도이다.
도시된 바와 같이, 램프전압 공급부(32)는 램프전압원(Vramp)과 유지전극라인 사이에 직렬 접속된 제5 스위치(Q5)를 구비한다. 제5 스위치(Q5)는 유지기간을 통하여 유지방전을 행한 후 방전을 소거시키기 위한 소거펄스를 공급하는 역할을 한다. 이 때 소거펄스는 램프 펄스로 인가되는 데, 램프펄스 인가시 기울기는 제5 스위치(Q5)의 제어단자 즉, 게이트 단자에 연결된 제1 가변저항(R1)에 의해 조정된다.
Z 구동부는 에너지 회수회로(31)와, 에너지 회수회로(31)에 접속되어 형성된 유지 PCB(32)를 구비한다. 유지 PCB(32)는 공통 유지전압 공급부(33)와 램프전압 공급부(34)로 구성된다. 공통 유지전압 공급부(33)는 스캔전압(Vzbias)과 제6 스위치(Q6A, Q6B)를 구비한다. 제6 스위치(Q6A, Q6B)는 리셋기간 및 어드레스기간에 공통유지전압을 공급하고, 원하는 공통유지전압보다 유지전극라인에 높은 전압이 인가될 경우 이를 제어하는 역할을 한다.
셋업 공급부(35)는 셋업 전압원(Vsetup)과 제7 스위치(Q7)로 구성된다. 제7 스위치(Q7)는 셋업파형(RP)을 공급하는 역할을 하게 된다. 이 셋업파형(RP)의 기울기는 제7 스위치(Q7)의 제어단자 즉, 게이트 단자에 연결된 RC 시정수회로의 RC 시정수값에 의해 결정된다. 셋업파형(RP)의 기울기는 가변저항(R2)의 저항값 조절에 의해 조정된다.
셋다운 공급부(36)는 제8 스위치(Q8)를 포함한다. 제8 스위치(Q8)는 셋다운파형(-RP)을 공급하는 역할을 한다. 이 셋다운파형(-RP)의 기울기는 제8 스위치(Q8)의 제어단자 즉, 게이트 단자에 연결된 RC 시정수회로의 RC 시정수값에 의해 결정된다. 셋다운파형(-RP)의 기울기는 가변저항(R3)의 저항값 조절에 의해 조정된다.
상기 공통 유지전압 공급부(33)는 도 4에 도시된 구동 파형 중 어드레스기간의 선택 쓰기 스캔 전압(40)을 얻기 위해 필요하게 된다. 여기서, 스캔 기준전압 공급부(33)의 제6 스위치(Q6A,Q6B)는 소스단을 공통으로 연결시켜 직렬로 사용된다. 그 이유는 선택적 쓰기 서브필드의 어드레스기간에서는 제6 스위치(Q6A,Q6B)가 턴-온되어 Z전극 쪽에 양(+)의 바이어스 전압이 인가되고 그 외의 구간에서 턴-오프 상태로 유진된다. 이 때, 서스테인 전압이 공통 유지전압(Vzbias)보다 높아서 제6 스위치(Q6A,Q6B)의 내부 다이오드를 통해 전류가 도통되어 회로가 손상되는 것을 방지하기 위함이다.
상술한 바와 같이, Y 구동부의 스캔 기준전압 공급부와 Z 구동부의 공통 유지전압 공급부에서 각각의 2개의 스위치가 단락 방지를 위하여 각각의 소오스 단을 공통으로 구성하여 사용되어 왔다. 이는 회로 구동을 위한 소자의 필수 구성요소가 아닌 회로의 보호 차원에서 선택되는 소자로서 전체 PDP 비용 상승의 하나의 요인으로 된다.
즉, AC PDP의 구동을 위해서는 Y전극(스캔_서스테인), Z전극(공통_서스테인), X전극(어드레스) 별로 구동 회로가 필요하고, 각각의 구동 회로에는 수많은 부품이 각 블록별로 사용되고 있어, 이로 인한 부품 비용이 전체 PDP 비용에 큰 비중을 차지하고 있다. 상기와 같은 이유에 의해, PDP 구동회로에서 각 블록 별로 적절한 부품을 선택하고 불필요한 부분은 제거 하고 소자의 개수를 줄일 수 있는 연구가 계속적으로 진행되고 있는 실정이다.
본 발명의 목적은, 플라즈마 디스플레이 패널의 구동부에 사용되는 소자의 개수를 줄임으로써 코스트 다운이 가능한 플라즈마 디스플레이 패널의 구동장치를 제공하는데 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 구동장치는, 주사/서스테인 전극를 구동하기 위한 드라이버 IC(Integrated Circuit); 주사/서스테인 전극 라인으로부터 방전되는 전압을 외부 캐패시터를 이용하여 회수하는 에너지 회수회로; 선택적 소거용 스캔전압을 상기 드라이버 IC에 공급하는 스캔 기준전압 공급부; 스캔전압을 상기 드라이버 IC에 공급하는 스캔 전압 공급부; 및 셋업 및 셋다운 파형을 각각 공급하기 위한 셋업 공급부 및 셋다운 공급부;를 구비하되, 상기 스캔 기준전압 공급부를 구성하는 스위치는 하나의 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)로 구성되는 주사/서스테인 전극 구동부를 포함하여 이루어진다.
또한, 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 구동장치는, 공통/서스테인 전극를 구동하기 위한 드라이버 IC(Integrated Circuit); 공통/서스테인 전극 라인으로부터 방전되는 전압을 외부 캐패시터를 이용하여 회수하는 에너지 회수회로; 유지기간을 통하여 유지방전을 행한 후 방전을 소거시키기 위한 소거펄스를 공급하는 램프전압 공급부; 공통 유지전압을 상기 드라이버 IC에 공급하는 공통 유지전압 공급부; 및 셋업 및 셋다운 파형을 각각 공급하기 위한 셋업 공급부 및 셋다운 공급부;를 구비하되, 상기 공통 유지전압 공급부를 구성하는 스위치는 하나의 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)로 구성되는 공통/서스테인 전극 구동부를 포함하여 이루어진다.
이하, 도 5와 도6를 참조하여 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 구동장치를 상세하게 설명한다.
도 5는 본 발명에 따른 주사/서스테인 전극 구동부의 회로도이다.
도시된 바와 같이, Y(주사/서스테인) 구동부는 에너지 회수회로(51)와 드라이버 집적회로(Integrated Circuit ; 이하, 'IC'라 함)(52) 사이에 접속되는 제6 스위치(Q6A,Q6B)와, 제6 스위치(Q6A,Q6B)와 드라이버 IC(52) 사이에 접속되어 스캔펄스(-SWSP,-SESP)를 생성하기 위한 스캔 기준전압 공급부(56) 및 스캔 전압 공급부(53)와, 제6 스위치(Q6A,Q6B)와 스캔 기준전압 공급부(56) 및 스캔 전압 공급부(54) 사이에 접속되어 셋업/다운파형(RP,-RP)를 생성하기 위한 셋업 공급부(55) 및 셋다운 공급부(53)를 구비한다. 또한 셋업 전압원(Vsetup)과 에너지 회수회로(51) 사이에 접속되어 셋업 전압(Vs)을 일정하게 유지시키기 위한 제1 캐패시터(C1)와, 스캔전압원(Vsc)과 제4 노드(n4) 사이에 직렬 접속된 제2 캐패시터(C2)를 구비한다.
드라이버 IC(52)는 푸쉬풀 형태로 접속되며 에너지 회수회로(51), 스캔 기준전압 공급부(53) 및 스캔 전압 공급부(54)로부터 전압신호가 입력되는 제12 및 제13 스위치들(Q12,Q13)로 구성된다. 제12 및 제13 스위치들(Q12,Q13) 사이의 출력라인은 주사/서스테인 전극라인 중 어느 하나에 접속된다.
에너지 회수회로(51)는 주사/서스테인 전극라인으로부터 회수되는 전압을 충전하기 위한 외부 캐패시터(CexY)와, 외부 캐패시터(CexY)에 병렬 접속된 스위치들(Q1,Q2)과, 제1 노드(n1)와 제2 노드(n2) 사이에 접속된 인덕터(Ly)와, 서스테인 전압 공급원(Vs)과 제2 노드(n2) 사이에 접속된 제3 스위치(Q3)와, 제2 노드(n2)와 그라운드단자(GND) 사이에 접속된 제4 스위치(Q4)로 구성된다. 이 에너지 회수회로(51)에 의해 주사/서스테인 전극라인의 전압이 충방전되는 동안, 에너지 회수회로(51)와 드라이버 IC(52) 사이의 전류패스를 형성하기 위하여 제6 스위치(Q6A,Q6B)는 온(on) 상태를 유지한다. 에너지 회수회로(51)는 주사/서스테인 전극라인(Y1 내지 Ym)으로부터 방전되는 전압을 외부 캐패시터(CexY)를 이용하여 회수한다. 그리고 에너지 회수회로(51)는 회수된 전압을 주사/서스테인 전극라인에 공급함으로써 셋업기간과 서스테인기간의 방전시에 과도한 소비전력을 줄이게 된다.
스캔 기준전압 공급부(56)는 제3 노드(n3)와 선택적 쓰기용 스캔전압원(-Vyw) 사이에 접속된 제10 스위치(Q10)와, 제3 노드(n3)와 선택적 소거용 스캔 전압원(-Vye) 사이에 제9 스위치(Q9)로 구성된다. 제10 스위치(Q10)는 선택적 쓰기 서브필드의 어드레스기간에 공급되는 제어신호(yw)에 응답하여 절환됨으로써 선택적 쓰기용 스캔전압(-Vyw)을 드라이버 IC(12)에 공급하는 역할을 한다. 제9 스위치(Q9)는 선택적 소거 서브필드의 어드레스기간에 공급되는 제어신호(ye)에 응답하여 절환됨으로써 선택적 소거용 스캔전압(-Vye)을 드라이버 IC(52)에 공급하는 역할을 한다.
스캔 전압 공급부(54)는 스캔전압원(Vsc)과 제4 노드(n4) 사이에 직렬 접속되는 제7 스위치(Q7)로 구성된다. 제7 스위치(Q7)는 선택적 쓰기 서브필드와 선택적 소거 서브필드의 어드레스기간에 공급되는 제어신호(SC)에 응답하여 절환됨으로써 스캔전압(Vsc)을 드라이버 IC(52)에 공급하는 역할을 한다. 이 때 스캔전압원(Vsc)과 제3 노드(n3) 사이에 연결된 제2 캐패시터(C2)는 스캔전압원(Vsc)로부터의 스캔전압을 충전하여 충전된 전압을 플로팅 레벨로 유지하면서 선택적 쓰기방식과 선택적 소거방식에서 각기 다른 전압 레벨을 만들 수 있도록 한다.
셋업 공급부(55)는 셋업 전압원(Vsetup)과 제2 노드(n2) 사이에 접속된 캐패시터(C1), 저항(Ra) 및 셋업 전압원(Vsetup)과 제5 노드(n5) 사이에 접속된 제5 스위치(Q5)로 구성된다. 제5 스위치(Q5)는 셋업파형(RP)을 공급하는 역할을 하게 된다. 이 셋업파형(RP)의 기울기는 제5 스위치(Q5)의 제어단자 즉, 게이트 단자에 연결된 RC 시정수회로의 RC 시정수값에 의해 결정된다. 셋업파형(RP)의 기울기는 가변저항(R1)의 저항값 조절에 의해 조정된다.
셋다운 공급부(53)는 제3 노드(n3)와 선택적 쓰기용 스캔 전압원(-Vyw) 사이에 접속된 제11 스위치(Q11)를 포함한다. 제11 스위치(Q11)는 셋다운파형(-RP)을 공급하는 역할을 한다. 이 셋다운파형(-RP)의 기울기는 제11 스위치(Q11)의 제어단자 즉, 게이트 단자에 연결된 RC 시정수회로의 RC 시정수값에 의해 결정된다. 셋다운파형(-RP)의 기울기는 가변저항(R2)의 저항값 조절에 의해 조정된다.
Y 구동부는 각각 제3 노드(n3)와 제4 노드(n4)를 경유하여 스캔 기준전압 공급부(56)와 스캔전압 공급부(54)에 접속되는 제8 스위치(Q8)를 구비한다. 제8 스위치(Q8)는 제어신호(Dic_updn)에 응답하여 드라이버 IC(52)에 공급되는 스캔전압(Vsc)을 절환하는 역할을 한다.
여기서, 상기 제9 스위치(Q9)는 IGBT(Insulated Gate bipolar Transistor) 트랜지스터로 구성된다. IGBT는 내부 다이오드가 존재하지 않으며 단방향으로만 전류를 흘리는 특성이 있으므로 IGBT 하나만을 사용하더라도 종래의 MOSFET 트랜지스터 2개를 사용할때와 동일한 동작을 얻을 수 있다.
따라서, 선택쓰기 어드레스 구간에서 제9 스위치(Q9)가 턴-오프 되어도 내부 다이오드가 없으므로 전류가 누설되지 않고 선택쓰기 어드레스 구간에서는 스위치가 턴-온 되어 전류의 방향이 주사/서스테인 전극 출력쪽에서 선택적 소거용 스캔 전원(-Vye)쪽으로 형성되어 자연스럽게 선택적 소거용 스캔 전원(-Vye)의 바이어스 전압을 갖게 된다.
도 6은 본 발명에 따른 공통/서스테인 전극 구동부의 회로도이다.
도시된 바와 같이, 램프전압 공급부(62)는 램프전압원(Vramp)과 유지전극라인 사이에 직렬 접속된 제5 스위치(Q5)를 구비한다. 제5 스위치(Q5)는 유지기간을 통하여 유지방전을 행한 후 방전을 소거시키기 위한 소거펄스를 공급하는 역할을 한다. 이 때 소거펄스는 램프 펄스로 인가되는 데, 램프펄스 인가시 기울기는 제5 스위치(Q5)의 제어단자 즉, 게이트 단자에 연결된 제1 가변저항(R1)에 의해 조정된다.
Z 구동부는 에너지 회수회로(61)와, 에너지 회수회로(61)에 접속되어 형성된 유지 PCB(62)를 구비한다. 유지 PCB(62)는 공통 유지전압 공급부(63)와 램프전압 공급부(64)로 구성된다.
공통 유지전압 공급부(63)는 공통 유지전압(Vzbias)과 제6 스위치(Q6)를 구비한다. 제6 스위치(Q6)는 리셋기간 및 어드레스기간에 공통유지전압을 공급하 고, 원하는 공통유지전압보다 유지전극라인에 높은 전압이 인가될 경우 이를 제어하는 역할을 한다.
셋업 공급부(65)는 셋업 전압원(Vsetup)과 제7 스위치(Q7)로 구성된다. 제7 스위치(Q7)는 셋업파형(RP)을 공급하는 역할을 하게 된다. 이 셋업파형(RP)의 기울기는 제7 스위치(Q7)의 제어단자 즉, 게이트 단자에 연결된 RC 시정수회로의 RC 시정수값에 의해 결정된다. 셋업파형(RP)의 기울기는 가변저항(R2)의 저항값 조절에 의해 조정된다.
셋다운 공급부(66)는 제8 스위치(Q8)를 포함한다. 제8 스위치(Q8)는 셋다운파형(-RP)을 공급하는 역할을 한다. 이 셋다운파형(-RP)의 기울기는 제8 스위치(Q8)의 제어단자 즉, 게이트 단자에 연결된 RC 시정수회로의 RC 시정수값에 의해 결정된다. 셋다운파형(-RP)의 기울기는 가변저항(R3)의 저항값 조절에 의해 조정된다.
여기서, 상기 제6 스위치(Q6)는 IGBT(Insulated Gate bipolar Transistor) 트랜지스터로 구성된다. IGBT는 내부 다이오드가 존재하지 않으며 단방향으로만 전류를 흘리는 특성이 있으므로 IGBT 하나만을 사용하더라도 종래의 MOSFET 트랜지스터 2개를 사용할때와 동일한 동작을 얻을 수 있다.
제6 스위치(Q6)가 턴-오프 되어있다 하더라도 IGBT는 내부 다이오드가 존재하지 않기 때문에 서스테인 전압이 침범할 수 없고, 턴-온 되었을 때는 IGBT의 전류 흐름 단방향성을 통해 공통 유지전원(Vzbias)쪽에서 공통/서스테인 전극 방향으로 전류가 흐르게 된다.
본 발명에 따르면, 플라즈마 디스플레이 패널의 주사/서스테인 구동부 및 공통/서스테인 구동부에 사용되는 MOSFET 소자 대신 IGBT 소자를 사용하여 소자의 개수를 줄임으로써 코스트 다운이 가능하게 된다.
도 1은 종래 기술에 따른 주사/서스테인 전극 구동부의 회로도이다.
도 2는 도 1에 도시된 구동부에 따른 구동 펄스를 도시한 것이다.
도 3은 종래 기술에 따른 공통/서스테인 전극 구동부의 회로도이다.
도 4는 도 3에 도시된 구동부에 따른 구동 펄스를 도시한 것이다.
도 5는 본 발명에 따른 주사/서스테인 전극 구동부의 회로도이다.
도 6은 본 발명에 따른 공통/서스테인 전극 구동부의 회로도이다.
<도면의 주요한 부분에 대한 부호의 설명>
11,31,51,61 : 에너지 회수회로 12,32,52,62 : 드라이버 집적회로
13,53 : 스캔 기준전압 공급부 14,33,54,63 : 스캔전압 공급부
15,35,55,65 : 셋업전압 공급부 13,53 : 셋다운전압 공급부

Claims (2)

  1. 주사/서스테인 전극를 구동하기 위한 드라이버 IC(Integrated Circuit);
    주사/서스테인 전극 라인으로부터 방전되는 전압을 외부 캐패시터를 이용하여 회수하는 에너지 회수회로;
    선택적 소거용 스캔전압을 상기 드라이버 IC에 공급하는 스캔 기준전압 공급부;
    스캔전압을 상기 드라이버 IC에 공급하는 스캔 전압 공급부; 및
    셋업 및 셋다운 파형을 각각 공급하기 위한 셋업 공급부 및 셋다운 공급부;를 구비하되,
    상기 스캔 기준전압 공급부를 구성하는 스위치는 하나의 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)로 구성되는 주사/서스테인 전극 구동부를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동장치.
  2. 공통/서스테인 전극를 구동하기 위한 드라이버 IC(Integrated Circuit);
    공통/서스테인 전극 라인으로부터 방전되는 전압을 외부 캐패시터를 이용하여 회수하는 에너지 회수회로;
    유지기간을 통하여 유지방전을 행한 후 방전을 소거시키기 위한 소거펄스를 공급하는 램프전압 공급부;
    공통 유지전압을 상기 드라이버 IC에 공급하는 공통 유지전압 공급부; 및
    셋업 및 셋다운 파형을 각각 공급하기 위한 셋업 공급부 및 셋다운 공급부;를 구비하되,
    상기 공통 유지전압 공급부를 구성하는 스위치는 하나의 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)로 구성되는 공통/서스테인 전극 구동부를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동장치.
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KR100833927B1 (ko) * 2006-06-08 2008-05-30 후지츠 히다찌 플라즈마 디스플레이 리미티드 플라스마 디스플레이 장치 및 플라스마 디스플레이 패널의구동 회로

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