KR100416092B1 - 플라즈마 표시 패널의 구동장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명에 따른 플라즈마 표시 패널의 구동 장치는 제어부, 어드레스 구동부, Y 구동부 및 X 구동부를 포함한 플라즈마 표시 패널의 구동 장치이다. Y 구동부는 출력 트랜지스터 및 단위 구동회로를 포함한다. 출력 트랜지스터의 출력 단자는 상응하는 Y 전극 라인에 연결된다. 단위 구동회로는, Y 구동 제어 신호에 포함되어 입력되는 적어도 제1 및 제2 입력 제어 신호들에 따라 출력 트랜지스터에 서로 다른 구동 제어 신호를 발생시킴으로써, 출력 트랜지스터로부터 서로 다른 파형의 Y 구동 신호가 출력되게 한다.
Description
본 발명은, 플라즈마 표시 패널의 구동 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 3 전극 면방전 방식의 교류 플라즈마 표시 패널의 구동 장치에 관한 것이다.
도 1은 일반적인 3-전극형 플라즈마 표시 패널(1)의 구성을 보여준다.
도 1을 참조하면, 일반적인 3-전극형 플라즈마 표시 패널(1)의 앞면 및 뒤쪽 글라스 기판들(10, 13) 사이에는, 어드레스 전극 라인들(AR1, AG1, ..., AGm, ABm),유전층(11, 15), Y 전극 라인들(Y1, ...Yn), X 전극 라인들(X1, ...Xn), 형광층(16), 격벽(17) 및 보호층으로서의 일산화마그네슘(MgO)층(12)이 마련되어 있다.
어드레스 전극 라인들(AR1, AG1, ..., AGm, ABm)은 뒤쪽 글라스 기판(13)의 앞면에 일정한 패턴으로 형성된다. 하부 유전층(15)은 어드레스 전극 라인들(AR1, AG1, ..., AGm, ABm)의 앞에서 전면(全面) 형성된다. 하부 유전층(15)의 앞면에는 격벽(17)들이 어드레스 전극 라인들(AR1, AG1, ..., AGm, ABm)과 평행한 방향으로 형성된다. 이 격벽(17)들은 각 방전-셀의 방전 영역을 구획하고 각 방전-셀 사이의 광학적 간섭(cross talk)을 방지하는 기능을 한다. 형광층(16)은 격벽(17)들 사이에 형성된다.
X 전극 라인들(X1, ...Xn)과 Y 전극 라인들(Y1, ...Yn)은 어드레스 전극 라인들(AR1, AG1, ..., AGm, ABm)과 직교되도록 앞쪽 글라스 기판(10)의 뒷면에 일정한 패턴으로 형성된다. 각 교차점은 상응하는 방전-셀을 규정한다. 상부 유전층(11)은 X 전극 라인들(X1, ...Xn)과 Y 전극 라인들(Y1, ...Yn)의 뒤에서 형성된다. 강한 전계로부터 패널(1)을 보호하기 위한 일산화마그네슘(MgO)층(12)은 상부 유전층(11)의 뒷면에 형성된다. 방전 공간(14)에는 플라즈마 형성용 가스가 밀봉된다.
위와 같은 플라즈마 표시 패널의 일반적인 구동 방법에 있어서, 단위 서브-필드는 리셋 주기, 어드레스 주기 및 유지방전 주기로 구분된다.
유지방전 주기에서는, 모든 Y 전극 라인들(Y1, ...Yn)과 X 전극 라인들(X1,...Xn)에 정극성 전압의 공통 펄스가 교호하게 인가되어, 상응하는 어드레스 주기에서 벽전하들이 형성된 방전-셀들에서 유지방전을 일으킨다. 리셋 주기에서는, 방전 공간 내에 남아있는 벽전하들이 소거되고 공간 전하들이 균일하게 분포된다. 어드레스 주기에서는, 어드레스 전극 라인들(AR1, AG1, ..., AGm, ABm)에 표시 데이터 신호가 인가됨과 동시에 각 Y 전극 라인(Y1, ...Yn)에 상응하는 주사 펄스가 순차적으로 인가된다. 이에 따라, 선택된 방전-셀에서 어드레스 방전에 의하여 벽전하들이 형성되며, 그렇지 않은 방전-셀에서는 벽전하들이 형성되지 않는다.
도 2는 도 1의 플라즈마 표시 패널의 일반적인 구동 장치를 보여준다.
도 2를 참조하면, 종래의 구동 장치는 제어부(2), 어드레스 구동부(3), X-공통 구동부(4), Y-공통 구동부(5) 및 주사 구동부(6)를 포함한다. 제어부(2)는 외부로부터의 영상 신호에 따라 구동 제어 신호들(SCA, SCY, SCX)을 발생시킨다. 어드레스 구동부(3)는, 제어부(2)로부터의 구동 제어 신호들(SCA, SCY, SCX)중에서 어드레스 신호(SCA)를 처리하여 표시 데이터 신호를 발생시키고, 발생된 표시 데이터 신호를 어드레스 전극 라인들(AR1, AG1, ..., AGm, ABm)에 인가한다. X-공통 구동부(4)는 제어부(2)로부터의 구동 제어 신호들(SCA, SCY, SCX)중에서 X 구동 제어 신호(SCX)를 처리하여 X 전극 라인들(X1, ...Xn)에 인가한다.
Y-공통 구동부(5) 및 주사 구동부(6)를 포함한 Y 구동부(5, 6)는 제어부(2)로부터의 구동 제어 신호들(SCA, SCY, SCX)중에서 Y 구동 제어 신호(SCY)를 처리하여 Y 전극 라인들(Y1, ...Yn)에 인가한다. 주사 구동부(6)는 어드레스 주기에만 그 구동 신호를 출력하고, Y-공통 구동부(5)는 유지방전 주기에만 그 구동 신호를 출력한다.
한편, 구동 전력의 소비량이 높은 플라즈마 표시 패널의 구동 장치에는 전력 재생 회로가 필수적으로 구비되어야 한다. 이와 같은 전력 재생 회로는 Y-공통 구동부(5) 및 X-공통 구동부(4)에 구비된다. 즉, Y-공통 구동부(5) 및 X-공통 구동부(4)는, 유지방전 주기에 있어서, 유지방전용 펄스가 X 전극 라인들(X1, ...Xn) 및 Y 전극 라인들(Y1, ...Yn)에 주기적으로 인가될 때에, 현재 펄스 주기에서 표시되는 방전-셀들에 불필요한 전력을 회수하여 다음 펄스 주기에서 표시될 방전-셀들에 인가한다.
따라서, 각 Y 전극 라인(Y1, ..., Yn)에는 구동 주기에 따라서 서로 다른 파형의 Y 구동 신호가 인가되어야 한다. 이를 위하여, 종래의 주사 구동부(6)에는, 각 Y 전극 라인(Y1, ..., Yn)에 대하여 복수의 구동 회로들이 존재한다.
도 3은 도 1의 장치에서 종래의 주사 구동부(6)의 내부 회로를 보여준다.
도 3을 참조하면, 종래의 주사 구동부(6)에는, 단위 Y 전극 라인(Y1)에 대하여 복수의 출력 전계효과 트랜지스터들(M1, M2)이 구비되고, 각 출력 전계효과 트랜지스터(M1, M2)의 구동 소자들(D1, D2)이 구비된다. 구동 소자들(D1, D2)에는 제1 및 제2 공급 전압들(VS, VCE)이 인가된다. 제1 구동 소자(D1)에는 제1 입력 제어 신호(S1)가 입력되고, 제2 구동 소자(D2)에는 제2 입력 제어 신호(S2)가 입력된다. 출력 전계효과 트랜지스터들(M1, M2)의 출력단인 소오스 단자는 구동 소자들(D1, D2)의 기준 전위 라인에 연결된다.
도 4는 도 3의 내부 회로를 상세하게 보여준다.
도 4를 참조하면, 제1 구동 소자(D1)에는, p-채널 전계효과 트랜지스터(M4)와 n-채널 전계효과 트랜지스터(M6)가 포함된다. 제1 입력 제어 신호(S1)가 낮은(Low) 논리 상태이면, 저항소자 R4를 통하여 낮은 전위가 p-채널 전계효과 트랜지스터(M4) 및 n-채널 전계효과 트랜지스터(M6)의 게이트에 각각 인가된다. 이에 따라, p-채널 전계효과 트랜지스터(M4)가 턴-온(turn-on)되고, n-채널 전계효과 트랜지스터(M6)가 턴-오프(turn-off)된다. 또한, 제1 출력 전계효과 트랜지스터(M1)의 게이트에는, 제2 공급 전압(VCE)이 저항소자(R9), 다이오드(D5), p-채널 전계효과 트랜지스터(M4) 및 저항소자(R1)를 통하여 인가된다. 제1 출력 전계효과 트랜지스터(M1)의 게이트와 소오스 사이에 충전이 수행되고, 드레인과 소오스 사이에 n-채널이 형성되어, 제1 공급 전압(VS)이 제1 출력 전계효과 트랜지스터(M1)를 통하여 상응하는 Y 전극 라인 예를 들어, 제1 Y 전극 라인(Y1)에 인가된다.
이와 반대로, 제1 입력 제어 신호(S1)가 높은(High) 논리 상태이면, 저항소자(R4)를 통하여 높은 전위가 p-채널 전계효과 트랜지스터(M4) 및 n-채널 전계효과 트랜지스터(M6)의 게이트에 각각 인가된다. 이에 따라, p-채널 전계효과 트랜지스터(M4)가 턴-오프(turn-off)되고, n-채널 전계효과 트랜지스터(M6)가 턴-온(turn-on)된다. 또한, 제1 출력 전계효과 트랜지스터(M1)의 게이트와 소오스 사이에는 n-채널 전계효과 트랜지스터(M6)를 통하여 방전이 수행되고, 제1 출력 전계효과 트랜지스터(M1)가 턴-오프(turn-off)되어, 제1 Y 전극 라인(Y1)에 낮은 전위가 인가된다.
위와 같이 동작하는 제1 구동 소자(D1)는, 제1 입력 제어 신호(S1)에 따라 제1 출력 전계효과 트랜지스터(M1)를 구동하여, 제1 Y 전극 라인(Y1)에 구형파 신호가 인가되게 하는 목적으로 사용된다.
한편, 제2 구동 소자(D2)에는, p-채널 전계효과 트랜지스터(M5), n-채널 전계효과 트랜지스터(M3), 저항소자들(R2, R10), 캐페시터(C2) 및 다이오드(D3)가 포함된다. 제2 입력 제어 신호(S2)가 낮은(Low) 논리 상태이면, 저항소자(R5)를 통하여 낮은 전위가 p-채널 전계효과 트랜지스터(M5) 및 n-채널 전계효과 트랜지스터(M3)의 게이트에 각각 인가된다. 이에 따라, p-채널 전계효과 트랜지스터(M5)가 턴-온(turn-on)되고, n-채널 전계효과 트랜지스터(M3)가 턴-오프(turn-off)된다. 또한, 제2 출력 전계효과 트랜지스터(M2)의 게이트에는, 제2 공급 전압(VCE)이 저항소자(R12), 다이오드(D6), p-채널 전계효과 트랜지스터(M5) 및 저항소자(R2)를 통하여 인가된다. 여기서, p-채널 전계효과 트랜지스터(M5)의 드레인과, 제1 공급 전압(VS) 단자 사이에는, 저항소자(R10), 캐페시터(C2) 및 다이오드(D3)가 연결되어 있다. 이에 따라, 제2 출력 전계효과 트랜지스터(M2)의 게이트와 소오스 사이에는 또다른 파형 예를 들어, 램프(lamp) 파형이 인가되므로, 이에 상응하는 파형의 전위가 제1 Y 전극 라인(Y1)에 인가된다.
이와 반대로, 제2 입력 제어 신호(S2)가 높은(High) 논리 상태이면, 저항소자(R5)를 통하여 높은 전위가 p-채널 전계효과 트랜지스터(M5) 및 n-채널 전계효과 트랜지스터(M3)의 게이트에 각각 인가된다. 이에 따라, p-채널 전계효과 트랜지스터(M5)가 턴-오프(turn-off)되고, n-채널 전계효과 트랜지스터(M3)가 턴-온(turn-on)된다. 또한, 제2 출력 전계효과 트랜지스터(M2)의 게이트와 소오스 사이에는 n-채널 전계효과 트랜지스터(M3)를 통하여 방전이 수행되고, 제2 출력 전계효과 트랜지스터(M2)가 턴-오프(turn-off)되어, 제1 Y 전극 라인(Y1)에 낮은 전위가 인가된다.
위와 같이 동작하는 제2 구동 소자(D2)는, 제2 입력 제어 신호(S2)에 따라 제2 출력 전계효과 트랜지스터(M2)를 구동하여, 제1 Y 전극 라인(Y1)에 램프파 신호가 인가되게 하는 목적으로 사용된다.
상기와 같은 종래의 주사 구동부(6)에는, 각 Y 전극 라인(Y1, ..., Yn)에 대하여 복수의 출력 트랜지스터들(M1, M2)과 그 구동 소자들(D1, D2)이 구비되어 있다. 이에 따라, Y 구동부의 회로가 복잡해짐으로써, 구동 성능이 저하되고 제조 비용이 높아지는 문제점들이 있다.
본 발명의 목적은, 3-전극 면방전 플라즈마 표시 패널의 구동 장치에 있어서, Y 구동부의 회로가 단순해짐으로써, 구동 성능이 높아지고 제조 비용이 낮아질 수 있는 구동 장치를 제공하는 것이다.
도 1은 일반적인 3-전극형 플라즈마 표시 패널의 구성을 보여주는 내부 사시도이다.
도 2는 도 1의 플라즈마 표시 패널의 일반적인 구동 장치를 보여주는 도면이다.
도 3은 도 1의 장치에서 종래의 주사 구동부의 내부 회로를 보여주는 도면이다.
도 4는 도 3의 내부 회로를 상세하게 보여주는 회로도이다.
도 5는 도 1의 장치에서 본 발명에 따른 주사 구동부의 내부 회로를 보여주는 도면이다.
도 6은 도 5의 내부 회로를 상세하게 보여주는 회로도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1...플라즈마 표시 패널, 10...앞쪽 글라스 기판,
11...유전층, 12...일산화마그네슘층,
13...뒤쪽 글라스 기판, 14...방전 공간,
16...형광층, 17...격벽,
X1, ...Xn...X 전극 라인, Y1, ...Yn...Y 전극 라인,
AR1, AG1, ..., AGm, ABm...어드레스 전극 라인,
2...제어부, 3...어드레스 구동부,
4...X-공통 구동부, 5, 6...Y 구동부,
VS...제1 공급 전압, VCE...제2 공급 전압,
M1, M2, MD...출력 트랜지스터, D1, D2, DD...구동 소자,
S1, S2...입력 제어 신호,
R9, D5, M1P, R4, R1, D1...제1 상부 회로,
R9, D5, M2P, R5, R2, D2, C2, R10, D3...제2 상부 회로,
M1N, R6, R3...제1 하부 회로, M2N, R7...제2 하부회로.
상기 목적을 이루기 위한 본 발명의 플라즈마 표시 패널의 구동 장치는, 제어부, 어드레스 구동부, Y 구동부 및 X 구동부를 포함한 플라즈마 표시 패널의 구동 장치이다. 상기 제어부는, 외부로부터의 영상 신호에 따라 플라즈마 표시 패널의 구동 제어 신호들을 발생시킨다. 상기 어드레스 구동부는, 상기 제어부로부터의 구동 제어 신호들중에서 어드레스 신호를 처리하여 상기 플라즈마 표시 패널의 어드레스 전극 라인들에 인가한다. 상기 Y 구동부는, 상기 제어부로부터의 구동 제어 신호들중에서 Y 구동 제어 신호에 의하여 상기 플라즈마 표시 패널의 Y 전극 라인들을 구동한다. 상기 X 구동부는, 상기 제어부로부터의 구동 제어 신호들중에서 X 구동 제어 신호에 의하여 상기 플라즈마 표시 패널의 X 전극 라인들을 구동한다. 여기서, 상기 Y 구동부가 출력 트랜지스터 및 단위 구동회로를 포함한다. 상기 출력 트랜지스터의 출력 단자는 상응하는 Y 전극 라인에 연결된다. 상기 단위 구동회로는, 상기 Y 구동 제어 신호에 포함되어 입력되는 적어도 제1 및 제2 입력 제어 신호들에 따라 상기 출력 트랜지스터에 서로 다른 구동 제어 신호를 발생시킴으로써, 상기 출력 트랜지스터로부터 서로 다른 파형의 Y 구동 신호가 출력되게 한다.
본 발명의 상기 플라즈마 표시 패널의 구동 장치에 의하면, 상기 Y 구동부가출력 트랜지스터 및 단위 구동회로를 포함하여 그 회로가 단순해짐으로써, 구동 성능이 높아지고 제조 비용이 낮아질 수 있다.
이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예가 상세히 설명된다.
본 실시예에 적용되는 3-전극형 플라즈마 표시 패널 및 그 구동 장치의 일반적인 사항들은 도 1 및 2에서 설명된 바와 같다.
도 5는 도 1의 장치에서 본 발명에 따른 주사 구동부(6)의 내부 회로를 보여준다.
도 5를 참조하면, 본 발명에 따른 주사 구동부(6)는 출력 트랜지스터(MD) 및 단위 구동회로(DD)를 포함한다. 출력 트랜지스터(MD)의 출력 단자는 상응하는 Y 전극 라인(예를 들어, Y1)에 연결된다. 단위 구동회로(DD)는, Y 구동 제어 신호에 포함되어 입력되는 적어도 제1 및 제2 입력 제어 신호들(S1, S2)에 따라 출력 트랜지스터(MD)에 서로 다른 구동 제어 신호를 발생시킴으로써, 출력 트랜지스터(MD)로부터 서로 다른 파형의 Y 구동 신호가 출력되게 한다. 이 단위 구동회로(DD)에는 제1 및 제2 공급 전압들(VS, VCE)이 인가된다. 이에 따라, Y 구동부(6)가 출력 트랜지스터(MD) 및 단위 구동회로(DD)를 포함하여 그 회로가 단순해짐으로써, 구동 성능이 높아지고 제조 비용이 낮아질 수 있다.
도 6은 도 5의 내부 회로를 상세하게 보여준다.
도 6을 참조하면, 출력 트랜지스터(MD)는, n-채널 전계효과 트랜지스터(MD)로서, 그 드레인이 제1 공급 전압(VS)의 단자에 연결되고, 그 게이트가 단위 구동회로(DD)의 출력단에 연결되며, 그 소오스가 상응하는 Y 전극 라인(예를 들어, Y1)에 연결된다.
단위 구동회로(DD)는 제1 상부 회로(R9, D5, M1P, R4, R1, D1), 제2 상부 회로(R9, D5, M2P, R5, R2, D2, C2, R10, D3), 제1 하부 회로(R6, M1N, R3) 및 제2 하부 회로(R7, M2N)를 포함한다.
제1 상부 회로(R9, D5, M1P, R4, R1, D1)는, 제1 입력 제어 신호(S1)에 따라 출력 트랜지스터(MD)의 게이트와 소오스 사이에 제1 파형의 전압을 인가하여, 출력 트랜지스터(MD)의 게이트와 소오스 사이가 충전됨으로써 출력 트랜지스터(MD)의 소오스로부터 제1 파형의 Y 구동 신호가 출력되게 한다.
제2 상부 회로(R9, D5, M2P, R5, R2, D2, C2, R10, D3)는, 제2 입력 제어 신호(S2)에 따라 출력 트랜지스터(MD)의 게이트와 소오스 사이에 제2 파형의 전압을 인가하여, 출력 트랜지스터(MD)의 게이트와 소오스 사이가 충전됨으로써 출력 트랜지스터(MD)의 소오스로부터 제2 파형의 Y 구동 신호가 출력되게 한다.
제1 하부 회로(R6, M1N, R3)는, 제1 입력 제어 신호(S1)에 따라 출력 트랜지스터(MD)의 게이트와 소오스 사이가 방전되게 하여, 출력 트랜지스터(MD)의 소오스가 빠르게 플로팅되게 한다.
제2 하부 회로(R7, M2N)는, 제2 입력 제어 신호(S2)에 따라 출력 트랜지스터(MD)의 게이트와 소오스 사이가 방전되게 하여, 출력 트랜지스터의 소오스가 빠르게 플로팅되게 한다.
제1 상부 회로(R9, D5, M1P, R4, R1, D1)는, 제1 p-채널 전계효과 트랜지스터(M1P) 및 제1 다이오드(D1)를 포함한다. 제1 p-채널 전계효과 트랜지스터(M1P)는, 그 소오스가 제2 공급 전압(VCE)에 연결되고, 그 게이트에 제1 입력 제어 신호(S1)가 입력된다. 제1 다이오드(D1)는, 그 애노드가 제1 p-채널 전계효과 트랜지스터(M1P)의 드레인에 연결되고, 그 캐소드가 출력 트랜지스터(MD)의 게이트에 연결된다. 이 제1 다이오드(D1)는 출력 트랜지스터(MD)의 게이트로부터 제1 p-채널 전계효과 트랜지스터(M1P)의 드레인으로 흐르는 전류를 차단한다.
제2 상부 회로(R9, D5, M2P, R5, R2, D2, C2, R10, D3)는 제2 p-채널 전계효과 트랜지스터(M2P), 제2 다이오드(D2) 및 캐페시터(C2)를 포함한다. 제2 p-채널 전계효과 트랜지스터(M2P)는, 그 소오스가 제2 공급 전압(VCE)에 연결되고, 그 게이트에 제2 입력 제어 신호(S2)가 입력된다. 제2 다이오드(D2)는, 그 애노드가 제2 p-채널 전계효과 트랜지스터(M2P)의 드레인에 연결되고, 그 캐소드가 출력 트랜지스터(MD)의 게이트에 연결된다. 이 제2 다이오드(D2)는 출력 트랜지스터(MD)의 게이트로부터 제2 p-채널 전계효과 트랜지스터(M2P)의 드레인으로 흐르는 전류를 차단한다. 캐페시터(C2)는, 제1 공급 전압(VS)의 단자와, 제2 p-채널 전계효과 트랜지스터(M2U)의 드레인 사이에 연결되어, 제2 p-채널 전계효과 트랜지스터(M2P)의 드레인으로부터 제2 다이오드(D2)를 통하여 출력 트랜지스터(MD)의 게이트에 인가되는 전압의 파형을 조정한다.
제1 하부 회로(R6, M1N, R3)의 제1 n-채널 전계효과 트랜지스터(M1N)는, 그 드레인이 출력 트랜지스터(MD)의 게이트에 연결되고, 그 게이트에 제1 입력 제어 신호(S1)가 입력된다. 제2 하부 회로(R7, M2N)의 제2 n-채널 전계효과 트랜지스터(M2N)는, 그 드레인이 제1 n-채널 전계효과 트랜지스터(M1N)의 소오스에 연결되고, 그 게이트에 제2 입력 제어 신호(S1)가 입력되며, 그 소오스가 출력 트랜지스터(MD)의 소오스에 연결된다.
아래의 표 1은 도 6의 각 트랜지스터의 동작 상태에 따른 출력 상태를 보여준다.
M1P | 온 | 오프 | 오프 |
M2P | 오프 | 온 | 오프 |
M1N | 오프 | 온 | 온 |
M2N | 온 | 오프 | 온 |
MD | 온 | 온 | 오프 |
MD출력 | 구형파 | 램프파 | 플로팅 |
위와 같은 동작표에 따라 제어 신호들(S1, S2)을 형성함으로써 원하는 Y 구동 신호를 출력할 수 있다.
이상 설명된 바와 같이, 본 발명에 따른 플라즈마 표시 패널의 구동 장치에 의하면, Y 구동부가 출력 트랜지스터 및 단위 구동회로를 포함하여 그 회로가 단순해짐으로써, 구동 성능이 높아지고 제조 비용이 낮아질 수 있다.
본 발명은, 상기 실시예에 한정되지 않고, 청구범위에서 정의된 발명의 사상 및 범위 내에서 당업자에 의하여 변형 및 개량될 수 있다.
Claims (6)
- 외부로부터의 영상 신호에 따라 플라즈마 표시 패널의 구동 제어 신호들을 발생시키는 제어부; 상기 제어부로부터의 구동 제어 신호들중에서 어드레스 신호를 처리하여 상기 플라즈마 표시 패널의 어드레스 전극 라인들에 인가하는 어드레스 구동부; 상기 제어부로부터의 구동 제어 신호들중에서 Y 구동 제어 신호에 의하여 상기 플라즈마 표시 패널의 Y 전극 라인들을 구동하는 Y 구동부; 및 상기 제어부로부터의 구동 제어 신호들중에서 X 구동 제어 신호에 의하여 상기 플라즈마 표시 패널의 X 전극 라인들을 구동하는 X 구동부를 포함한 플라즈마 표시 패널의 구동 장치에 있어서,상기 Y 구동부가,그 출력 단자가 상응하는 Y 전극 라인에 연결되는 출력 트랜지스터; 및상기 Y 구동 제어 신호에 포함되어 입력되는 적어도 제1 및 제2 입력 제어 신호들에 따라 상기 출력 트랜지스터에 서로 다른 구동 제어 신호를 발생시킴으로써, 상기 출력 트랜지스터로부터 서로 다른 파형의 Y 구동 신호가 출력되게 하는 단위 구동회로를 포함한 구동 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 출력 트랜지스터가,그 드레인이 제1 공급 전압(VS)의 단자에 연결되고, 그 게이트가 상기 단위 구동회로의 출력단에 연결되며, 그 소오스가 상응하는 Y 전극 라인에 연결되는 n-채널 전계효과 트랜지스터인 구동 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 단위 구동회로가,상기 제1 입력 제어 신호에 따라 상기 출력 트랜지스터의 게이트와 소오스 사이에 제1 파형의 전압을 인가하여, 상기 출력 트랜지스터의 게이트와 소오스 사이가 충전됨으로써 상기 출력 트랜지스터의 소오스로부터 제1 파형의 Y 구동 신호가 출력되게 하는 제1 상부 회로;상기 제2 입력 제어 신호에 따라 상기 출력 트랜지스터의 게이트와 소오스 사이에 제2 파형의 전압을 인가하여, 상기 출력 트랜지스터의 게이트와 소오스 사이가 충전됨으로써 상기 출력 트랜지스터의 소오스로부터 제2 파형의 Y 구동 신호가 출력되게 하는 제2 상부 회로;상기 제1 입력 제어 신호에 따라 상기 출력 트랜지스터의 게이트와 소오스 사이가 방전되게 하여, 상기 출력 트랜지스터의 소오스가 빠르게 플로팅되게 하는 제1 하부 회로; 및상기 제2 입력 제어 신호에 따라 상기 출력 트랜지스터의 게이트와 소오스 사이가 방전되게 하여, 상기 출력 트랜지스터의 소오스가 빠르게 플로팅되게 하는 제2 하부 회로를 포함한 구동 장치.
- 제3항에 있어서, 상기 제1 상부 회로가,그 소오스가 제2 공급 전압(VCE)에 연결되고, 그 게이트에 상기 제1 입력 제어 신호가 입력되는 제1 p-채널 전계효과 트랜지스터(M1P); 및그 애노드가 상기 제1 p-채널 전계효과 트랜지스터(M1P)의 드레인에 연결되고, 그 캐소드가 상기 출력 트랜지스터의 게이트에 연결되어, 상기 출력 트랜지스터의 게이트로부터 상기 제1 p-채널 전계효과 트랜지스터(M1P)의 드레인으로 흐르는 전류를 차단하는 제1 다이오드(D1)를 포함한 구동 장치.
- 제4항에 있어서, 상기 제2 상부 회로가,그 소오스가 상기 제2 공급 전압(VCE)에 연결되고, 그 게이트에 상기 제2 입력 제어 신호가 입력되는 제2 p-채널 전계효과 트랜지스터(M2P);그 애노드가 상기 제2 p-채널 전계효과 트랜지스터(M2P)의 드레인에 연결되고, 그 캐소드가 상기 출력 트랜지스터의 게이트에 연결되어, 상기 출력 트랜지스터의 게이트로부터 상기 제2 p-채널 전계효과 트랜지스터(M2P)의 드레인으로 흐르는 전류를 차단하는 제2 다이오드(D2); 및상기 제1 공급 전압(VS)의 단자와, 상기 제2 p-채널 전계효과 트랜지스터(M2U)의 드레인 사이에 연결되어, 상기 제2 p-채널 전계효과 트랜지스터(M2P)의 드레인으로부터 상기 제2 다이오드(D2)를 통하여 상기 출력 트랜지스터의 게이트에 인가되는 전압의 파형을 조정하기 위한 캐페시터(C2)를 포함한 구동 장치.
- 제5항에 있어서,상기 제1 하부 회로가,그 드레인이 상기 출력 트랜지스터의 게이트에 연결되고, 그 게이트에 상기 제1 입력 제어 신호가 입력되는 제1 n-채널 전계효과 트랜지스터(M1N)를 포함하고,상기 제2 하부 회로가,그 드레인이 상기 제1 n-채널 전계효과 트랜지스터(M1N)의 소오스에 연결되고, 그 게이트에 상기 제2 입력 제어 신호가 입력되며, 그 소오스가 상기 출력 트랜지스터의 소오스에 연결되는 제2 n-채널 전계효과 트랜지스터(M2N)를 포함한 구동 장치.
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