KR20050054316A - 액정표시장치용 어레이기판과 제조방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (18)
- 기판 상에 몰리-티타늄 합금층(Mo-Ti alloy layer)과 저저항 금속층과 저저항 금속층 표면의 확산 티타늄층(Ti layer)으로 형성된 게이트 배선과 게이트 전극과;상기 게이트 전극과는 게이트 절연막을 사이에 두고 순차 적층된 액티브층과 오믹 콘택층과;상기 오믹 콘택층 상에 서로 이격된 소스 전극과 드레인 전극과, 소스 전극에서 연장된 데이터 배선과;상기 소스 및 드레인 전극과 데이터 배선이 형성된 기판의 전면에 위치하고, 상기 드레인 전극을 노출하는 보호막과;상기 노출된 드레인 전극과 접촉하는 투명한 화소 전극을 포함하는 액정표시장치용 어레이기판.
- 제 1 항에 있어서,상기 게이트 배선의 끝단에 구성되고 몰리-티타늄합금층(Mo-Ti alloy layer)과 저저항 금속층과, 저저항 금속층 표면의 확산 티타늄층(Ti layer)으로 구성된 게이트 패드 전극이 더욱 구성된 액정표시장치용 어레이기판.
- 제 1 항에 있어서,상기 데이터 배선의 끝단에 구성되고 몰리-티타늄합금층(Mo-Ti alloy layer)과 저저항 금속층과, 저저항 금속층 표면의 확산 티타늄층(Ti layer)으로 구성된 데이터 패드 전극이 더욱 구성된 액정표시장치용 어레이기판.
- 제 1 항에 있어서,상기 저저항 금속층은 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al),금(Au)중 선택된 하나인 액정표시장치용 어레이기판.
- 제 2 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 게이트 패드 전극과 접촉하는 섬형상의 투명한 게이트 패드 단자 전극과, 상기 데이터 패드 전극과 접촉하는 섬형상의 투명한 데이터 패드 단자 전극을 더욱 포함하는 액정표시장치용 어레이기판.
- 제 1 항에 있어서,상기 액티브층은 비정질 실리콘(a-Si:H)층이고, 상기 오믹 콘택층은 불순물이 포함된 비정질 실리콘(n+ 또는 p+ a-Si:H)층인 액정표시장치용 어레이기판.
- 기판 상에 구성된 게이트 배선과 게이트 전극과;상기 게이트 전극과는 게이트 절연막을 사이에 두고 순차 적층된 액티브층과 오믹 콘택층과;상기 오믹 콘택층 상에 몰리-티타늄 합금층(Mo-Ti alloy layer)과 저저항 금속층과 저저항 금속층 표면의 확산 티타늄층(Ti layer)으로 형성되고, 서로 이격된 소스 전극과 드레인 전극과, 소스 전극에서 연장된 데이터 배선과;상기 소스 및 드레인 전극과 데이터 배선이 형성된 기판의 전면에 위치하고, 상기 드레인 전극을 노출하는 보호막과;상기 노출된 드레인 전극과 접촉하는 투명한 화소 전극을 포함하는 액정표시장치용 어레이기판.
- 기판 상에 몰리-티타늄 합금층(Mo-Ti alloy layer)을 증착한 제 1 금속층과, 제 1 금속층의 상부에 저저항 금속을 증착한 제 2 금속층을 적층하는 단계와;상기 제 1 및 제 2 금속층을 패턴하여, 제 1 및 제 2 금속층으로 구성된 게이트 배선과 게이트 전극을 형성하는 단계와;상기 게이트 배선과 게이트 전극이 형성된 기판을 열처리하여, 상기 제 1 금속층의 티타늄(Ti)이 제 2 금속층 표면으로 확산되도록 하여 확산 티타늄층(Ti layer)을 형성하는 단계와;상기 표면에 확산 티타늄층(Ti layer)이 형성된 게이트 배선과 게이트 전극이 형성된 기판의 전면에 게이트 절연막을 형성하는 단계와;상기 게이트 전극에 대응하는 게이트 절연막 상에 액티브층과 오믹 콘택층을 적층하는 단계와;상기 오믹 콘택층 소스 전극과 드레인 전극과, 소스 전극과 연결된 데이터 배선을 형성하는 단계와;상기 데이터 배선과 소스 및 드레인 전극이 형성된 기판의 전면에, 상기 드레인 전극의 일부를 노출하는 보호막을 형성하는 단계와;상기 노출된 보호막과 접촉하는 투명한 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 게이트 배선의 끝단에 구성되고 몰리-티타늄합금층(Mo-Ti alloy layer)과 저저항 금속층과, 저저항 금속층 표면의 확산 티타늄층(Ti layer)으로 구성된 게이트 패드 전극이 더욱 형성된 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 데이터 배선의 끝단에 구성되고 몰리-티타늄합금층(Mo-Ti alloy layer)과 저저항 금속층과, 저저항 금속층 표면의 확산 티타늄층(Ti layer)으로 구성된 데이터 패드 전극이 더욱 형성된 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 저저항 금속층은 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al),금(Au)중 선택된 하나인 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
- 제 9 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 게이트 패드 전극과 접촉하는 섬형상의 투명한 게이트 패드 단자 전극과, 상기 데이터 패드 전극과 접촉하는 섬형상의 투명한 데이터 패드 단자 전극을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
- 제 12 항에 있어서,상기 화소 전극과 게이트 패드 단자 전극과 데이터 패드 단자 전극은 인듐-틴-옥사이드(IT0)와 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 포함하는 투명한 도전성 금속 그룹 중 선택된 하나로 형성된 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 게이트 절연막은 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiO2)을 포함하는 무기절연물질 그룹 중 선택된 하나로 형성된 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 보호막은 벤조사이클로부텐(BCB)과 아크릴(Acryl)계 수지(resin)를 포함하는 유기절연물질 그룹 중 선택된 하나로 형성된 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 열처리 온도는 300℃~400℃인 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 액티브층은 비정질 실리콘(a-Si:H)층이고, 상기 오믹 콘택층은 불순물이 포함된 비정질 실리콘(n+ 또는 p+ a-Si:H)층인 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
- 기판 상에 게이트 배선과 게이트 전극을 형성하는 단계와;상기 게이트 전극의 상부에 게이트 절연막을 사이에 두고 액티브층과 오믹 콘택층을 적층하는 단계와;상기 액티브층과 오믹 콘택층이 형성된 기판의 전면에 몰리-티타늄 합금층(Mo-Ti alloy layer)을 증착한 제 1 금속층과, 제 1 금속층의 상부에 저저항 금속을 증착한 제 2 금속층을 적층하는 단계와;상기 제 1 및 제 2 금속층을 패턴하여, 몰리-티타늄 합금층과 저저항 금속층이 적층된 소스 전극과 드레인 전극과, 소스 전극과 연결된 데이터 배선을 형성하는 단계와;상기 데이터 배선과 소스 및 드레인 전극이 형성된 기판을 열처리하여, 상기 몰리-티타늄 합금층의 티타늄이 저저항 금속의 표면으로 확산되도록 하여 확산 티타늄층(Ti layer)을 형성하는 단계와;상기 표면에 확산 티타늄층이 형성된 데이터 배선과 소스 및 드레인 전극이 형성된 기판의 전면에, 상기 드레인 전극의 일부를 노출하는 보호막을 형성하는 단계와;상기 노출된 보호막과 접촉하는 투명한 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020030087674A KR101012491B1 (ko) | 2003-12-04 | 2003-12-04 | 액정표시장치용 어레이기판과 제조방법 |
US10/964,922 US7336324B2 (en) | 2003-12-04 | 2004-10-15 | Array substrate for liquid crystal display device and fabricating method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020030087674A KR101012491B1 (ko) | 2003-12-04 | 2003-12-04 | 액정표시장치용 어레이기판과 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20050054316A true KR20050054316A (ko) | 2005-06-10 |
KR101012491B1 KR101012491B1 (ko) | 2011-02-08 |
Family
ID=34632082
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020030087674A KR101012491B1 (ko) | 2003-12-04 | 2003-12-04 | 액정표시장치용 어레이기판과 제조방법 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7336324B2 (ko) |
KR (1) | KR101012491B1 (ko) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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AMND | Amendment | ||
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AMND | Amendment | ||
J201 | Request for trial against refusal decision | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
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