KR20040098511A - 화상 표시 장치 - Google Patents

화상 표시 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20040098511A
KR20040098511A KR1020040009639A KR20040009639A KR20040098511A KR 20040098511 A KR20040098511 A KR 20040098511A KR 1020040009639 A KR1020040009639 A KR 1020040009639A KR 20040009639 A KR20040009639 A KR 20040009639A KR 20040098511 A KR20040098511 A KR 20040098511A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
pixel
switch
driving transistor
voltage
Prior art date
Application number
KR1020040009639A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101060017B1 (ko
Inventor
아끼모또하지메
가게야마히로시
시바다께오
Original Assignee
가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼
가부시키가이샤 히타치 디스프레이즈
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼, 가부시키가이샤 히타치 디스프레이즈 filed Critical 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼
Publication of KR20040098511A publication Critical patent/KR20040098511A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101060017B1 publication Critical patent/KR101060017B1/ko

Links

Classifications

    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61G—TRANSPORT, PERSONAL CONVEYANCES, OR ACCOMMODATION SPECIALLY ADAPTED FOR PATIENTS OR DISABLED PERSONS; OPERATING TABLES OR CHAIRS; CHAIRS FOR DENTISTRY; FUNERAL DEVICES
    • A61G7/00—Beds specially adapted for nursing; Devices for lifting patients or disabled persons
    • A61G7/047—Beds for special sanitary purposes, e.g. for giving enemas, irrigations, flushings
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • G09G3/3233—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61G—TRANSPORT, PERSONAL CONVEYANCES, OR ACCOMMODATION SPECIALLY ADAPTED FOR PATIENTS OR DISABLED PERSONS; OPERATING TABLES OR CHAIRS; CHAIRS FOR DENTISTRY; FUNERAL DEVICES
    • A61G7/00—Beds specially adapted for nursing; Devices for lifting patients or disabled persons
    • A61G7/05—Parts, details or accessories of beds
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61G—TRANSPORT, PERSONAL CONVEYANCES, OR ACCOMMODATION SPECIALLY ADAPTED FOR PATIENTS OR DISABLED PERSONS; OPERATING TABLES OR CHAIRS; CHAIRS FOR DENTISTRY; FUNERAL DEVICES
    • A61G2203/00—General characteristics of devices
    • A61G2203/70—General characteristics of devices with special adaptations, e.g. for safety or comfort
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0819—Several active elements per pixel in active matrix panels used for counteracting undesired variations, e.g. feedback or autozeroing
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • G09G2300/0852—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor being a dynamic memory with more than one capacitor
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • G09G2300/0861—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor with additional control of the display period without amending the charge stored in a pixel memory, e.g. by means of additional select electrodes
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00—Command of the display device
    • G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
    • G09G2310/0243—Details of the generation of driving signals
    • G09G2310/0259—Details of the generation of driving signals with use of an analog or digital ramp generator in the column driver or in the pixel circuit
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3275—Details of drivers for data electrodes
    • G09G3/3291—Details of drivers for data electrodes in which the data driver supplies a variable data voltage for setting the current through, or the voltage across, the light-emitting elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals

Landscapes

  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Animal Behavior & Ethology (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Veterinary Medicine (AREA)
  • Nursing (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Control Of El Displays (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)

Abstract

본 발명에는 고화질 화상 표시가 가능하고, 또한 저비용화에 적합한 화상 표시 장치가 개시된다. 이 화상 표시 장치에는, 발광 상태/비발광 상태를 제어하기 위한 발광 상태 제어 수단과, 발광 상태 선택 시에, 각 화소에 신호선을 통하여 정전압을 공급하기 위한 정전압 공급 수단이 제공된다.

Description

화상 표시 장치{IMAGE DISPLAY DEVICE}
본 발명은 고화질 화상 표시 장치에 관한 것으로, 특히 저비용화에 적합한 화상 표시 장치에 관한 것이다.
이하에 도 18, 도 19를 이용하여, 이러한 화상 표시 장치에 관한 종래의 기술을 설명한다.
도 18은 종래의 기술에 따라 제조된, 발광 표시 디바이스의 화소 회로도이다. 발광 표시 디바이스의 표시 영역 내에는 화소가 매트릭스 형태로 형성되어 있지만, 도 18에는 도면의 간략화를 위해 1 화소만을 기재하고 있다. 각 화소(110)에는 발광 소자로서의 유기 EL(Organic Electro-luminescent) 소자(101)가 설치되어 있고, 유기 EL 소자(101)의 캐소드단은 공통 접지에 접속되어 있다. 또한 유기 EL 소자(101)의 애노드단은 OLED(Organic Light-Emitting Diode) 스위치(107)와 구동 TFT(Thin-Film-Transistor)(102)의 채널을 통하여 전원선(109)에 접속되어 있다. 또한 구동 TFT(102)의 게이트는 기입 용량(104)과 기입 스위치(103)를 통하여 신호선(108)에 접속되어 있고, 구동 TFT(102)의 소스 단자와 게이트 단자 사이에는 기억 용량(105)이, 구동 TFT(102)의 드레인 단자와 게이트 단자 사이에는 리세트 스위치(106)가 설치되어 있다. 또 여기서 OLED 스위치(107), 기입 스위치(103), 리세트 스위치(106)는 표시 영역 단부에 설치된 주사 회로에 의해서 주사된다.
다음으로 도 19를 이용하여, 상기 도 18에 도시한 화소의 동작에 대하여 설명한다. 도 19는 종래예에서의 화소(110)의 동작 타이밍차트로서, 화소(110)가 주사 회로에 의해서 선택되어, 표시 신호가 화소(110)에 기입될 때의, 신호선(108), 리세트 스위치(106), OLED 스위치(107), 기입 스위치(103)의 동작을 도시하고 있다. 또 리세트 스위치(106), OLED 스위치(107), 기입 스위치(103)의 구동 타이밍 파형은, 위를 스위치가 오프인 상태, 아래를 스위치가 온인 상태로 하여 도시했다. 화소(110)에의 표시 신호 전압의 기입 시에는, 처음에 t0에서 기입 스위치(103)가 온이 되어 기입 용량(104)의 일단에 기준 레벨의 신호 전압 V0가 인가된다. 그리고, t1에서 리세트 스위치(106)가 온 상태가 된다. 이에 따라 구동 TFT(102)는 게이트와 드레인이 접속된 다이오드 접속이 되어, 전의 필드에서 기억 용량(105)에 기억되어 있던 구동 TFT(102)의 게이트 전압은 클리어된다. 다음으로 t2에서 OLED 스위치(107)가 오프하면, 구동 TFT(102)의 게이트 전압이 전원선(109)에 인가되어 있는 전원 전압보다도 임계값 전압 Vth만큼 낮은 전압까지 상승한 시점에서, 구동 TFT(102)에 흐르는 전류는 정지한다. 따라서 이 상태에서 안정된 후에 t3에서 리세트 스위치(106)가 오프하면, 구동 TFT(102)의 게이트 전압은 전원선(109)에 인가되어 있는 전원 전압보다도 임계값 전압 Vth만큼 낮은 전압으로 고정된다. 다음으로 t4에서 신호선(108)의 전압이 Vs로 변화하면, 구동 TFT(102)의 게이트 전압은 이전의 리세트 전압에 대하여, (Vs-V0)에 기입 용량(104)과 기억 용량(105) 사이의 분압비를 곱한 값만큼 시프트하고, 다음으로 t5에서 기입 스위치(103)가 오프한 시점에서, 이 전압은 기억 용량(105)에 기억된다. 이상으로 화소(110)에의 표시 신호 전압의 기입은 종료하고, 이 후 t6에서 신호선(108)의 전압이 기준 레벨의 신호 전압 V0로 되돌아가고, t7에서 OLED 스위치(107)가 재차 온하면, 게이트 단자에 신호 전압이 입력된 구동 TFT(102)의 구동 전류에 의해, 유기 EL 소자(101)는 발광 구동된다. 이상에 의해, 화소마다 존재하는 구동 TFT(102)의 임계값 전압 Vth의변동을 캔슬하면서, (Vs-V0)이 되는 신호 전압에 대응한 OLED 발광을 얻을 수 있다.
이러한 종래 기술에 대해서는, "Digest of Technical papers, SID98, pp.11-14" 등에 자세히 기재되어 있다.
일반적으로 OLED의 구동 TFT(102)에는 다결정 Si-TFT가 이용되고 있지만, 단결정 Si 트랜지스터와 비교하여 다결정 Si-TFT는 특성의 변동이 크다. 특히 다결정 Si-TFT는 임계값 전압 Vth의 변동이 큰데, 상기 종래 기술은 이러한 변동이 표시 화상 중에 고정 패턴으로서 나타나게 된다고 하는 문제점에 대하여, 해결 방법을 제시한 것이다.
그러나, 본 종래예에서는 상기 임계값 전압 Vth의 변동을 캔슬하기 위해서, 각 화소마다 구동 TFT(102) 외에 리세트 스위치(106), OLED 스위치(107), 기입 스위치(103)로 사용되는 4개의 트랜지스터와, 기입 용량(104), 기억 용량(105)으로 사용되는 2개의 용량이 필요하다. 종래예에서는 이와 같이 1 화소당 구성 소자 수가 많아진 결과, 발광 표시 디바이스의 수율이 저하하여, 비용의 상승을 초래한다고 하는 문제점이 있었다. 트랜지스터의 게이트 절연막 및 용량 사이의 절연막에 있어서의 전류 누설은, 발광 표시 디바이스에 대한 점 결함(point defects)이나, 경우에 따라서는 선 결함(line defects)을 발생하기 때문이다.
도 1은 제1 실시예인 유기 EL 표시 패널의 전체 구성도.
도 2는 제1 실시예에 있어서의 화소 회로 구성도.
도 3은 제1 실시예에 있어서의 유기 EL 표시 패널의 동작 타이밍차트.
도 4는 제1 실시예에 있어서의 화소의 동작 타이밍차트.
도 5는 제1 실시예에 있어서의 화소의 레이아웃도.
도 6은 제2 실시예에 있어서의 화소 회로 구성도.
도 7은 제3 실시예인 유기 EL 표시 패널의 전체 구성도.
도 8은 제3 실시예에 있어서의 화소 회로 구성도.
도 9는 제3 실시예에 있어서의 유기 EL 표시 패널의 동작 타이밍차트.
도 10은 제3 실시예에 있어서의 화소의 행의 동작 타이밍차트.
도 11은 제3 실시예에 있어서의 화소의 레이아웃도.
도 12는 제4 실시예에 있어서의 화소 회로 구성도.
도 13은 제5 실시예인 유기 EL 표시 패널의 전체 구성도.
도 14는 제5 실시예에 있어서의 화소 회로 구성도.
도 15는 제5 실시예에 있어서의 유기 EL 표시 패널의 동작 타이밍차트.
도 16은 제5 실시예에 있어서의 화소의 행의 동작 타이밍차트.
도 17은 제6 실시예인 TV 화상 표시 장치의 구성도.
도 18은 종래의 기술을 이용한 발광 표시 디바이스의 화소 구성도.
도 19는 종래의 기술을 이용한 화소의 동작 타이밍차트.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1 : 유기 EL 소자
2 : 구동 TFT
4 : 기억 용량
6 : 리세트 스위치
7 : OLED 스위치
8 : 신호선
9 : 전원선
10 : 화소
11 : 리세트 게이트선
12 : OLED 게이트선
14 : 정전압 입력선
15 : 주사 회로
16 : 신호 전압 생성 회로
종래예에서의 상기의, 각 화소당 4개의 트랜지스터와 2개의 용량이 필요하기때문에 발광 표시 디바이스의 수율이 저하하여, 비용의 상승을 초래한다고 하는 문제점은, 표시 신호 전압에 기초하여 발광 구동되는 발광 소자를 갖는 화소와, 복수개의 화소로 구성된 표시부와, 각 화소에 표시 신호 전압을 기입하기 위한 신호선과, 표시 신호 전압을 기입할 화소를 복수개의 화소 중에서 선택하기 위한 기입 화소 선택 수단과, 표시 신호 전압을 생성하기 위한 표시 신호 전압 생성 수단을 구비하는 화상 표시 장치에 있어서, 표시 신호 전압이 기입된 표시부에 대하여, 발광 상태/비발광 상태의 선택을 일괄 제어하기 위한 발광 상태 제어 수단과, 각 화소에 신호선을 통하여 정전압을 공급하기 위한 정전압 공급 수단을 포함하는 것에 의해서 해결될 수 있다.
또는 상기 문제점은, 표시 신호 전압에 기초하여 발광 구동되는 발광 소자를 갖는 화소와, 복수개의 화소로 구성된 표시부와, 화소에 표시 신호 전압을 기입하기 위한 신호선과, 신호선을 통하여 표시 신호 전압을 기입할 화소를 복수개의 화소 중에서 선택하기 위한 화소 선택 수단과, 표시 신호 전압을 생성하기 위한 표시 신호 전압 생성 수단을 구비하는 화상 표시 장치에서, 표시 신호 전압이 기입된 각 표시부의 발광 상태/비발광 상태의 선택을 일괄 제어하기 위한 발광 상태 제어 수단과, 각 화소에 신호선을 통하여 삼각파 전압을 공급하기 위한 삼각파 전압 공급 수단을 포함하고, 각 화소 내에 설치된 상기 발광 소자의 일단은 공통 전원에 접속되는 한편, 상기 발광 소자의 타단은 발광 소자 구동 트랜지스터의 드레인 전극에 접속되어 있고, 발광 소자 구동 트랜지스터의 소스 전극은 전원 공급선에 접속되어 있고, 발광 소자 구동 트랜지스터의 게이트는 제3 스위치를 통하여 발광 소자 구동트랜지스터의 드레인 전극에 접속되어 있고, 또한 발광 소자 구동 트랜지스터의 게이트는 결합 용량을 통하여 각 화소에 대응하는 상기 신호선에 접속되어 있는 것에 의해서 해결될 수 있다.
<실시예>
(제1 실시예)
이하 도 1∼도 5를 이용하여, 본 발명의 제1 실시예에 관하여 설명한다.
먼저, 도 1을 이용하여, 본 실시예의 전체 구성에 관하여 설명한다.
도 1은 본 실시예인 유기 EL(Organic Electro-luminescent) 표시 패널의 전체 구성도이다. 표시 영역(20) 내에는 화소(10)가 매트릭스 형상으로 설치되어 있고, 각각의 화소(10)에는 신호선(8) 및 리세트 게이트선(11), OLED 게이트선(12), 및 전원선(9)이 접속되어 있다. 신호선(8)의 일단은 신호선 전환 스위치(17)를 통하여 신호 전압 생성 회로(16)에 접속되어 있고, 리세트 게이트선(11), OLED 게이트선(12)의 일단은 주사 회로(15)에 접속되어 있다. 전원선(9)의 일단은 전원 입력선(13)에 연결되고, 또한 신호선 전환 스위치(17)는 신호선(8)을 신호 전압 생성 회로(16)와 정전압 입력선(14)으로 전환한다.
실제로는 화소(10)는 표시 영역(20) 내에 다수개 설치되어 있지만, 도면의 간략화를 위해 도 1에는 4 화소만을 기재하고 있다. 또한, 실제로는 단위 표시 화소는 RGB의 3 종류의 발광 특성을 갖는 화소로 구성되어 있지만, 이것도 생략되어 있다. 또 후술하는 바와 같이 화소(10)에는 그 외에도 공통 접지 전극이 배선되어 있지만, 이들의 기재도 생략되어 있다. 또 신호 전압 생성 회로(16)는 DA 변환기와 전압 버퍼 회로를 이용하여 종래부터 잘 알려져 있는 LSI 기술로 실현되어 있고, 주사 회로(15)도 공지된 시프트 레지스터 회로와 적당한 논리 회로를 다결정 Si-TFT 기술을 이용하여 유리 기판 위에 실현한 것이다.
계속해서 도 2를 이용하여, 화소(10)의 구조에 관하여 설명한다.
도 2는 화소(10)의 회로 구성도이다. 각 화소(10)에는 발광 소자로서의 유기 EL 소자(1)가 설치되어 있고, 유기 EL 소자(1)의 캐소드단은 공통 접지에 접속되어 있다. 또한 애노드단은 OLED 스위치(7)와 구동 TFT(2)의 채널을 통하여 전원선(9)에 접속되어 있다. 또한 구동 TFT(2)의 게이트는 기억 용량(4)을 통하여 신호선(8)에 접속되어 있고, 구동 TFT(2)의 드레인 단자와 게이트 단자 사이에는 리세트 스위치(6)가 설치되어 있다. 또 여기서 OLED 스위치(7), 리세트 스위치(6)는 각각 상술한 OLED 게이트선(12), 리세트 게이트선(11)에 접속되어 있다. 구동 TFT(2) 및 OLED 스위치(7), 리세트 스위치(6)는, 다결정 Si-TFT를 이용하여 유리 기판 위에 구성되어 있다. 다결정 Si-TFT나 유기 EL 소자(1)의 제조 방법 등에 관해서는, 일반적으로 보고되어 있는 것과 크게 다르지 않기 때문에, 여기서는 그 설명은 생략한다. 또 유기 EL 소자(1)에 관해서는, 예를 들면 일본 특허 공개공보 2001-159878호 등 종래의 문헌을 참조할 수 있다.
다음으로 본 제1 실시예의 동작에 대하여 도 3 및 도 4를 이용하여 설명한다. 도 3은 본 실시예에 있어서의 유기 EL 표시 패널의 동작 타이밍차트로서, 1 프레임 기간에 있어서의 신호선(8), 리세트 스위치(6), OLED 스위치(7)의 동작을 도시하고 있다. 또 리세트 스위치(6), OLED 스위치(7)의 구동 타이밍 파형은, 위를 스위치가 오프인 상태, 아래를 스위치가 온인 상태로 하여 도시했다. 1 프레임 기간은 전반의 「기입 기간」과, 후반의 「발광 기간」으로 구성되어 있고, 양 기간의 길이는 거의 같게 설정되어 있다.
전반의 「기입 기간」에 있어서는 주사 회로(15)의 주사에 따라, 화소(10)에 있어서의 리세트 스위치(6), OLED 스위치(7)가 순차 구동된다. 여기서 주사 회로(15)에 의해서 선택된 화소(10)의 「기입 기간」에 있어서의 동작에 대하여, 도 4를 이용하여 설명한다.
도 4는 본 실시예에 있어서의 화소(10)의 동작 타이밍차트로서, 해당 화소(10)가 주사 회로(15)에 의해서 선택되어, 표시 신호가 기입될 때의, 신호선(8), 리세트 스위치(6), OLED 스위치(7)의 동작을 도시하고 있다. 리세트 스위치(6), OLED 스위치(7)의 구동 타이밍 파형은, 위를 스위치가 오프인 상태, 아래를 스위치가 온인 상태로 하여 도시하고 있는 것은, 지금까지와 마찬가지이다. 화소(10)에의 표시 신호 전압의 기입 시에는, 처음에 t0에서 리세트 스위치(6) 및 OLED 스위치(7)가 온 상태가 되고, 신호선(8)에는 신호 전압 Vs가 인가된다. 이에 따라 구동 TFT(2)는 게이트와 드레인이 접속된 다이오드 접속이 되어, 전의 필드에서 기억 용량(4)에 기억되어 있던 구동 TFT(2)의 게이트 전압은 클리어된다. 다음으로 t1에서 OLED 스위치(7)가 오프하면, 구동 TFT(2)의 게이트 전압이 전원선(9)에 인가되어 있는 전원 전압보다도 임계값 전압 Vth만큼 낮은 전압까지 상승한 시점에서, 구동 TFT(2)에 흐르는 전류는 정지한다. 따라서 이 상태에서 안정된 후에 t2에서 리세트 스위치(6)를 오프하면, 구동 TFT(2)의 게이트 전압은 전원선(9)에인가되어 있는 전원 전압보다도 임계값 전압 Vth만큼 낮은 전압으로 고정된다. 즉 기억 용량(4)에의 기입에 따라서, 신호선(8)에 상기 신호 전압 Vs가 인가되었을 때에는, 구동 TFT(2)의 게이트 단자에는, 전원선(9)을 통하여 소스 단자에 인가되어 있는 전원 전압보다도 임계값 전압 Vth만큼 낮은 전압이 재현되게 된다. 이것에 계속해서 다음의 화소(10)에의 표시 신호의 기입이 개시되어, 신호선(8)에는 다음의 화소(10)에 기입해야 되는 신호 전압이 인가된다. 이상의 반복에 의해서 모든 화소(10)에 대하여 신호 전압이 기입되었을 때, 전반의 「기입 기간」이 종료된다.
다음으로 후반의 「발광 기간」에 있어서의 유기 EL 표시 패널의 동작에 대하여, 다시 도 3을 이용하여 설명한다. 후반의 「발광 기간」에 있어서는, 신호선(8)에는 일정한 전압 Vil가 인가되고, 동시에 모든 화소(10)에 대하여 리세트 스위치(6)는 오프, OLED 스위치(7)는 온으로 고정된다. 상술한 기억 용량(4)에의 기입에 의해, 신호선(8)에 신호 전압 Vs가 인가되었을 때에는, 구동 TFT(2)의 게이트 단자에는, 전원선(9)을 통하여 소스 단자에 인가되어 있는 전원 전압보다도 임계값 전압 Vth만큼 낮은 전압이 재현된다. 이것에 대하여 신호선(8)에 일정한 전압 Vil이 인가되었을 때에는, 기억 용량(4)에 대한 구동 TFT(2)의 게이트 용량이 충분히 작다고 가정하면, 구동 TFT(2)의 게이트 단자에는, 전원선(9)을 통하여 소스 단자에 인가되어 있는 전원 전압보다도 (Vs-Vil+임계값 전압｜Vth｜)만큼 낮은 전압이 재현되게 된다. 즉 각 화소에 대하여 미리 소정의 신호 전압 Vs를 기입하여 놓은 것에 의해서, 임계값 전압 Vth의 변동에 영향을 받지 않고, 구동 TFT(2)의 구동 전류를 이용하여 유기 EL 소자(1)를 발광 구동할 수 있다.
화소마다 존재하는 구동 TFT(2)의 임계값 전압 Vth의 변동을 캔슬하면서, (Vs-Vil)이 되는 신호 전압에 대응한 OLED 발광을 얻을 수 있는 점에서는, 본 실시예는 종래예와 마찬가지의 효과를 얻을 수 있지만, 이에 덧붙여서 본 실시예에는, 상기 임계값 전압 Vth의 변동의 캔슬을, 각 화소마다 설치된 구동 TFT(2), 리세트 스위치(6), OLED 스위치(7)로 이루어지는 합계 3개의 트랜지스터와, 1개의 기억 용량(4)으로 실현할 수 있다고 하는 장점이 있다. 본 실시예에 있어서는 이와 같이 1 화소당 구성 소자 수를 감소시킬 수 있었던 결과, 발광 표시 디바이스의 수율이 향상되어, 비용의 저하를 도모할 수 있었다.
다음으로 본 실시예에 있어서의 화소(10)의 레이아웃 구조를 설명한다.
도 5는 본 실시예의 화소(10)의 레이아웃도로서, 가는 파선은 Al 배선, 굵은 파선은 ITO(Indium Tin Oxide)를 이용한 투명 전극을 도시하고, 실선은 다결정 Si 박막 아일런드 또는 TFT 형성용의 게이트 배선이다. 또한 가는 선의 정방형은 Al 배선과 다결정 Si 박막 아일런드, 또는 Al 배선과 게이트 배선과의 컨택트홀, 굵은 선의 정방형은 Al 배선과 투명 전극의 컨택트홀이다.
화소(10)의 좌우에는 상하 방향으로 신호선(8) 및 전원선(9)이 Al 배선으로 레이아웃되어 있고, 신호선(8)의 일부에 중첩되도록 게이트 배선(21)을 설치하는 것에 의해, 신호선(8)의 일부를 그대로 기억 용량(4)에 이용하고 있다. 또한 게이트 배선(21)의 일단은 전원선(9)에 접속된 다결정 Si 박막 아일런드(22)에 중첩되는 것에 의해서, 구동 TFT(2)를 형성하고 있다. 또한 게이트 배선(21)과 접속된 다결정 Si 박막 아일런드(23)는 게이트 배선으로 설치된 리세트 게이트(11)와의 교차부에서 리세트 스위치(6)를, 동일하게 게이트 배선으로 설치된 OLED 게이트(12)와의 교차부에서 OLED 스위치(7)를 구성하고 있고, OLED 스위치(7)의 타단은 Al 배선과 투명 전극과의 컨택트홀(24)을 통하여 투명 전극(25)에 접속되어 있다. 여기서 또한 투명 전극(25) 상에는 유기 발광층이나 캐소드 공통 접지 등을 갖는 유기 EL 소자(1)가 설치되어 있지만, 이들의 구조는 일반적인 것이기 때문에 여기서는 그 설명은 생략한다.
본 실시예의 화소 레이아웃에 있어서는, 신호선(8) 및 전원선(9)을 모두 Al 배선으로 레이아웃하고 있기 때문에, 특히 전원선(9)에 있어서의 전압 강하를 회피할 수 있다. 본 실시예에서는 구동 TFT(2)의 구동 전류는, 구동 TFT(2)의 소스 전압의 영향을 받기 때문에, 전원선(9)에 있어서의 전압 강하를 회피하는 것은 중요하다.
또한 본 실시예의 화소 레이아웃에 있어서는, 신호선(8)의 일부를 그대로 기억 용량(4)에 이용하고 있다. 이에 따라 투명 전극(25)의 면적을 크게 할 수가 있어, 유기 EL 면적의 확대를 도모할 수 있기 때문에, 유기 EL 발광에 필요한 구동 전압을 저감할 수 있다. 또 본 실시예에서는 기억 용량(4)은 Al 배선과 게이트 배선(21)을 중첩시킴으로써 실현하고 있지만, 필요에 따라 Al 배선에 접속된 다결정 Si 박막 아일런드를 이용함으로써, 기억 용량(4)의 면적을 더 저감하는 것도 가능하다.
또 여기서 구동 TFT(2)의 게이트 폭을 충분히 크게 취하는 것은, 표시 화상의 화질을 향상시키기 위해 효과가 있다. 본 실시예에서는 상기한 바와 같이 구동TFT(2)의 Vth 변동은 캔슬되지만, 드레인 컨덕턴스나 전계 효과 이동도와 같은 전류 구동 능력의 변동까지를 캔슬하는 것은 할 수 없다. 그래서 구동 TFT(2)의 게이트 폭 W를
W>lmax/10㎁
를 만족하도록 설계하는 것이 바람직하다. 여기서 lmax는, 그 유기 EL 표시 패널에서 유기 EL 소자(1)를 구동할 때의 최대 전류값이다. 이와 같이 설계하면, 구동 TFT(2)는 거의 Vth 이하의 서브 임계 영역에서 동작하게 되지만, 전계 효과 트랜지스터의 채널 전류는 서브 임계 영역에서는 확산 전류가 지배적이기 때문에, 구동 TFT(2)의 구동 전류는 드레인/소스 사이 전압의 영향을 거의 받지 않고, 상기의 드레인 컨덕턴스의 변동이 화질에 영향을 끼치는 것을 회피할 수 있다.
그런데 이상에서 설명한 본 실시예에서는, 본 발명의 주지를 손상시키지 않는 범위에서 어느 정도의 변경이 가능하다. 예를 들면 본 실시예에서는 TFT 기판으로서는 유리 기판을 이용했지만, 이것을 석영 기판이나 투명 플라스틱 기판 등의 다른 투명 절연 기판으로 변경하는 것도 가능하고, 또한 유기 EL 소자(1)의 발광을 상면에 추출하도록 하면, 불투명 기판을 이용하는 것도 가능하다.
또한 본 실시예의 설명에 있어서는, 화소 수나 패널 사이즈 등에 관해서는 구태여 언급하고 있지 않다. 이것은 본 발명이 특별히 이들의 스펙 내지 포맷에 제한되는 것이 아니기 때문이다. 또한 본 경우에는 표시 신호 전압을 64 계조(6 bit)로 했지만, 이 이상의 계조도 가능하고, 반대로 계조 제도를 낮추는 것도 용이하다.
또한 본 실시예에서는 주사 회로(15)와 신호 전환 스위치(17)는, 저온 다결정 Si-TFT 회로로 구성하고 있다. 그러나 이들의 주변 구동 회로 또는 그 일부분을 단결정 LSI(Large Scale Integrated circuit) 회로로 구성하여 실장하는 것도 본 발명의 범위 내에서 가능하고, 반대로 신호 전압 생성 회로(16)를 저온 다결정 Si-TFT 회로로 구성해도 된다.
본 실시예에서는, 발광 디바이스로서 유기 EL 소자(1)를 이용하는 것으로 했다. 그러나 이 대신에 그 외의 무기(無機)를 포함하는 일반적인 발광 소자를 이용하여도, 본 발명을 실현하는 것이 가능한 것은 분명하다.
또 본 실시예에서는 1 프레임 기간 내에 있어서의 전반의 「기입 기간」과, 후반의 「발광 기간」의 길이는 거의 같게 설정되어 있다. 이것은 전반의 「기입 기간」을 짧게 하면 발광 휘도를 향상시키기 쉬운 반면, 신호 기입 속도가 고속화하고, 후반의 「발광 기간」을 짧게 하면 신호 기입 속도를 저속화할 수 있는 반면, 발광 휘도가 저하되기 때문이다. 그러나 유기 EL 표시 패널 용도에 따라서는, 전반의 「기입 기간」과, 후반의 「발광 기간」의 길이를 적절하게 조정하는 것이 바람직한 것은 물론이다.
또한 본 실시예에서는 발광 소자로서 유기 EL 소자(1)를 이용했다. 그러나 본 발명의 사상은 발광 소자의 구성에 제한되는 것은 아니고, 무기 EL 소자를 포함해서 임의의 발광 소자에 응용이 가능한 것은 분명하다.
또 이상의 여러 가지의 변경 등은, 본 실시예에 한하지 않고 이하의 그 밖의 실시예에 있어서도, 기본적으로는 마찬가지로 적용 가능하다.
(제2 실시예)
이하 도 6을 이용하여, 본 발명의 제2 실시예에 관하여 설명한다.
본 제2 실시예는, 그 화소 구조를 제외하면 기본적으로는 제1 실시예와 마찬가지의 구성 및 동작을 갖는다. 이 때문에 제1 실시예와 마찬가지의 부분의 설명은 생략되어, 여기서는 그 화소 구조에 관하여 설명한다.
도 6은 본 발명의 제2 실시예인, 유기 EL 표시 패널의 화소 구성도이다.
각 화소(30)에는 발광 소자로서의 유기 EL 소자(1)가 설치되어 있고, 유기 EL 소자(1)의 캐소드단은 공통 접지에 접속되어 있다. 또한 애노드단은 OLED 스위치(7)와 구동 TFT(2)의 채널을 통하여 전원선(9)에 접속되어 있다. 또한 구동 TFT(2)의 게이트는 기억 용량(34)을 통하여 신호선(8)에 접속되어 있고, 구동 TFT(2)의 드레인 단자와 게이트 단자 사이에는 리세트 스위치(6)가 설치되어 있다. 또 본 실시예에서는 특히, 구동 TFT(2) 및 OLED 스위치(7), 리세트 스위치(6)는, p형의 다결정 Si-TFT를 이용하여 구성되어 있음과 함께, 기억 용량(34)도 p형의 다결정 Si-TFT를 이용하여 유리 기판 위에 구성되어 있다. 이 때 본 실시예에서는 신호선(8)에 인가되는 신호 전압이, 구동 TFT(2)의 리세트 시의 전압인 (전원선(9)의 전압-｜Vth｜)보다도 마이너스가 되도록 설정되어 있다. 이에 따라 기억 용량(34)을 구성하는 p형의 다결정 Si-TFT에는 항상 채널이 형성되어, 게이트 용량을 안정된 용량으로서 사용할 수 있게 되어 있다.
본 실시예에서는, 화소를 모두 p형의 다결정 Si-TFT로 구성하고 있지만, 주사 회로(15)나 신호 전환 스위치(17)도 p형의 다결정 Si-TFT로 구성하는 것이 가능하기 때문에, n형의 고농도 이온 주입 프로세스가 불필요하다. 이 때문에 제조 프로세스를 간략화할 수 있어서, 보다 저비용화를 도모할 수 있다.
(제3 실시예)
이하 도 7∼도 11을 이용하여, 본 발명의 제3 실시예에 관하여 설명한다.
먼저, 도 7을 이용하여, 본 실시예의 전체 구성에 관하여 설명한다. 도 7은 본 실시예인 유기 EL 표시 패널의 전체 구성도이다. 표시 영역(46) 내에는 화소(40)가 매트릭스 형상으로 설치되어 있고, 화소(40)에는 신호선(8) 및 리세트 게이트선(11), 전원선(49)이 각각 접속되어 있다. 신호선(8)의 일단은 신호선 전환 스위치(17)를 통하여 신호 전압 생성 회로(16)에, 리세트 게이트선(11)의 일단은 주사 회로(45)에 접속되고, 전원선(49)은 전원선 스위치(41)를 통하여 전원 입력선(43)에 연결된다. 또 여기서, 전원선 스위치(41)는 주사 회로(45)에 의해서 제어되고, 또한 신호선 전환 스위치(17)는 신호선(8)을 신호 전압 생성 회로(16)와 정전압 입력선(14)으로 전환한다.
실제로는 화소(40)는 표시 영역(46) 내에 다수개 설치되어 있지만, 도면의 간략화를 위해 도 7에는 4 화소만을 기재하고 있다. 후술하는 바와 같이 화소(40)에는 그 외에도 공통 접지 전극이 배선되어 있지만, 이들의 기재는 생략되어 있다. 또 신호 전압 생성 회로(16)는 DA 변환기와 전압 버퍼 회로를 이용하여 종래부터 잘 알려져 있는 LSI 기술로 실현되어 있고, 주사 회로(45)도 공지된 시프트 레지스터 회로와 적당한 논리 회로를 다결정 Si-TFT 기술을 이용하여 유리 기판 위에 실현한 것이다.
계속해서 도 8을 이용하여, 화소(40)의 구조에 관하여 설명한다.
도 8은 화소(40)의 회로 구성도이다. 각 화소(40)에는 발광 소자로서의 유기 EL 소자(1)가 설치되어 있고, 유기 EL 소자(1)의 캐소드단은 공통 접지에 접속되어 있다. 또한 애노드단은 구동 TFT(2)의 채널을 통하여 전원선(49)에 접속되어 있다. 또한 구동 TFT(2)의 게이트는 기억 용량(4)을 통하여 신호선(8)에 접속되어 있고, 구동 TFT(2)의 드레인 단자와 게이트 단자 사이에는 리세트 스위치(6)가 설치되어 있다. 또 여기서 리세트 스위치(6)는 상술한 리세트 게이트선(11)에 접속되어 있다. 구동 TFT(2) 및 리세트 스위치(6)는, 다결정 Si-TFT를 이용하여 유리 기판 위에 구성되어 있다. 다결정 Si-TFT나 유기 EL 소자(1)의 제조 방법 등에 관해서는, 일반적으로 보고되어 있는 것과 크게 다르지 않기 때문에, 여기서는 그 설명은 생략한다.
다음으로 본 제3 실시예의 동작에 대하여 도 9 및 도 10을 이용하여 설명한다.
도 9는 본 실시예에 있어서의 유기 EL 표시 패널의 동작 타이밍차트로서, 1 프레임 기간에 있어서의 신호선(8), 리세트 스위치(6), 전원선 스위치(41) 및 유기 EL 소자(1)의 캐소드단인 공통 접지(Common)의 동작을 도시하고 있다. 또 리세트 스위치(6), 전원선 스위치(41)의 구동 타이밍 파형은, 위를 스위치가 오프인 상태, 아래를 스위치가 온인 상태로 하여 도시하고, 공통 접지의 동작은 아래를 접지의 상태, 위를 플로팅(floating; Open)의 상태로 하여 도시했다. 1 프레임 기간은 전반의 「기입 기간」과, 후반의 「발광 기간」으로 구성되어 있고, 양 기간의 길이는 거의 같게 설정되어 있다. 전반의 「기입 기간」에 있어서는 주사 회로(45)의 주사에 따라서, 화소(40)에 있어서의 리세트 스위치(6), 및 표시 영역(46) 단부에 설치된 전원선 스위치(41)는 순차 구동되고, 동시에 공통 접지도 접지/플로팅(floating)의 상태를 반복한다. 여기서 주사 회로(45)에 의해서 선택된 화소(40)의 행의 「기입 기간」에 있어서의 동작에 대하여, 도 10을 이용하여 설명한다.
도 10은 본 실시예에 있어서의 화소(40)의 행의 동작 타이밍차트로서, 해당 화소(40)의 행이 주사 회로(45)에 의해서 선택되어, 표시 신호가 기입될 때의, 신호선(8), 리세트 스위치(6), 전원선 스위치(41), 및 유기 EL 소자(1)의 캐소드단인 공통 접지(Common)의 동작을 도시하고 있다. 리세트 스위치(6), 전원선 스위치(41)의 구동 타이밍 파형은, 위를 스위치가 오프인 상태, 아래를 스위치가 온인 상태로 하여 도시하고 있는 것은, 지금까지와 마찬가지이고, 공통 접지(Common)의 동작은 아래를 접지의 상태, 위를 플로팅(Open)의 상태로 하여 도시하였다. 화소(40)에의 표시 신호 전압의 기입 시에는, 처음에 t0에서 리세트 스위치(6) 및 전원선 스위치(41)가 온 상태가 되고, 공통 접지는 접지되고, 신호선(8)에는 신호 전압 Vs가 인가된다. 이에 따라 구동 TFT(2)는 게이트와 드레인이 접속된 다이오드 접속이 되어, 전의 필드에서 기억 용량(4)에 기억되어 있던 구동 TFT(2)의 게이트 전압은 클리어된다. 다음으로 t1에서 공통 접지가 플로팅(Open)이 되면, 구동 TFT(2)의 게이트 전압이 전원선(49)에 인가되어 있는 전원 전압보다도 임계값 전압 Vth만큼 낮은 전압까지 상승한 시점에서, 구동TFT(2)에 흐르는 전류는 정지한다. 따라서 이 상태에서 안정된 후에 t2에서 리세트 스위치(6)를 오프하면, 구동 TFT(2)의 게이트 전압은 전원선(49)에 인가되어 있는 전원 전압보다도 임계값 전압 Vth만큼 낮은 전압으로 고정된다. 즉 기억 용량(4)에의 기입에 따라서, 신호선(8)에 상기 신호 전압 Vs가 인가되었을 때에는, 구동 TFT(2)의 게이트 단자에는, 전원선(9)을 통하여 소스 단자에 인가되어 있는 전원 전압보다도 임계값 전압 Vth만큼 낮은 전압이 재현되게 된다. 이 후 t3에서 전원선 스위치(41)가 오프되어, 이 행에 관한 신호 전압의 기입은 완료된다.
이것에 계속해서 다음의 화소(40)의 행에의 표시 신호의 기입이 개시되어, 신호선(8)에는 다음의 화소(40)에 기입해야 되는 신호 전압이 인가된다. 이상의 반복에 의해 모든 화소(40)에 대하여 신호 전압이 기입되었을 때, 전반의 「기입 기간」이 종료된다.
다음으로 후반의 「발광 기간」에 있어서의 유기 EL 표시 패널의 동작에 대하여, 다시 도 9를 이용하여 설명한다. 후반의 「발광 기간」에 있어서는, 신호선(8)에는 일정한 전압 Vil가 인가되고, 동시에 모든 화소(40)에 대하여 리세트 스위치(6)는 오프, 전원선 스위치(41)는 온, 공통 접지는 접지 전압으로 고정된다. 상술한 기억 용량(4)에의 기입에 따라서, 신호선(8)에 신호 전압 Vs가 인가되었을 때에는, 구동 TFT(2)의 게이트 단자에는, 전원선(49)을 통하여 소스 단자에 인가되어 있는 전원 전압보다도 임계값 전압 Vth만큼 낮은 전압이 재현된다. 이것에 대하여 신호선(8)에 일정한 전압 Vil이 인가되었을 때에는, 기억 용량(4)에 대한 구동 TFT(2)의 게이트 용량이 충분히 작다고 가정하면, 구동 TFT(2)의 게이트단자에는, 전원선(49)을 통하여 소스 단자에 인가되어 있는 전원 전압보다도 (Vs-Vil+임계값 전압｜Vth｜)만큼 낮은 전압이 재현되게 된다. 즉 각 화소에 대하여 미리 소정의 신호 전압 Vs를 기입하여 놓은 것에 의해서, 임계값 전압 Vth의 변동에 영향을 받지 않고, 구동 TFT(2)의 구동 전류를 이용하여 유기 EL 소자(1)를 발광 구동할 수 있다.
화소마다 존재하는 구동 TFT(2)의 임계값 전압 Vth의 변동을 캔슬하면서, (Vs-Vil)되는 신호 전압에 대응한 OLED 발광을 얻을 수 있는 점에서는, 본 실시예는 종래예와 마찬가지의 효과를 얻을 수 있지만, 이에 덧붙여서 본 실시예에는, 상기 임계값 전압 Vth의 변동의 캔슬을, 각 화소마다 설치된 구동 TFT(2), 리세트 스위치(6)로 이루어지는 합계 2개의 트랜지스터와, 기억 용량(4)의 1개의 용량으로 실현할 수 있다고 하는 장점이 있다. 본 실시예에서는 이와 같이 1 화소당 구성 소자 수를 감소시킬 수 있었던 결과, 발광 표시 디바이스의 수율이 향상되어, 비용의 저하를 도모할 수 있었다.
다음으로 본 실시예에 있어서의 화소(40)의 레이아웃 구조를 설명한다.
도 11은 본 실시예의 화소(40)의 레이아웃도로서, 가는 파선은 Al 배선, 굵은 파선은 ITO(Indium Tin Oxide)을 이용한 투명 전극을 도시하고, 실선은 다결정 Si 박막 아일런드 또는 TFT 형성용의 게이트 배선이다. 또한 가는 선의 정방형은 Al 배선과 다결정 Si 박막 아일런드, 또는 Al 배선과 게이트 배선과의 컨택트홀, 굵은 선의 정방형은 Al 배선과 투명 전극과의 컨택트홀이다.
화소(40)의 일단에는 상하 방향으로 신호선(8)이 게이트 배선으로 레이아웃되어 있고, 전원선(49)은 신호선(8)과는 수직의 방향으로 Al 배선으로 레이아웃되어 있다. 또한 신호선(8)의 일부에 중첩되도록 다결정 Si 박막 아일런드(52)를 설치하는 것에 의해, 신호선(8)의 일부를 그대로 기억 용량(4)에 이용하고 있다. 다결정 Si 박막 아일런드(52)는 리세트 게이트(11)에 접속된 게이트 배선과의 교차부에서 리세트 스위치(6), 그 단부에 접속된 게이트 배선(51)과의 교차부에서 구동 TFT(2)를 형성하고 있고, 또한 일부에서 Al 배선과 투명 전극과의 컨택트홀(54)을 통하여 투명 전극(55)에 접속되어 있다. 여기서 또한 투명 전극(55) 상에는 유기 발광층이나 캐소드 공통 접지 등을 갖는 유기 EL 소자(1)가 설치되어 있지만, 이들의 구조는 일반적인 것이기 때문에 여기서는 그 설명은 생략한다.
본 실시예의 화소 레이아웃에 있어서는, 전원선(49)을 행 방향으로 Al 배선으로 레이아웃하고 있기 때문에, 전원선(49)에 있어서의 전압 강하를 회피할 수 있다. 본 실시예에 있어서는 구동 TFT(2)의 구동 전류는, 구동 TFT(2)의 소스 전압의 영향을 받기 때문에, 전원선(49)에 있어서의 전압 강하를 회피하는 것은 중요하다.
또한 본 실시예의 화소 레이아웃에 있어서는, 신호선(8)의 일부를 그대로 기억 용량(4)에 이용하고 있다. 이에 따라 투명 전극(55)의 면적을 크게 할 수가 있어, 유기 EL 면적의 확대를 도모할 수 있기 때문에, 유기 EL 발광에 필요한 구동 전압을 저감할 수 있다.
(제4 실시예)
이하 도 12를 이용하여, 본 발명의 제4 실시예에 관하여 설명한다.
본 제4 실시예는, 그 화소 구조를 제외하면 기본적으로는 제1 실시예와 마찬가지의 구성 및 동작을 갖는다. 이 때문에 제1 실시예와 마찬가지의 부분의 설명은 생략되어, 여기서는 그 화소 구조에 관하여 설명한다.
도 12는 본 발명의 제4 실시예에 있어서의, 유기 EL 표시 패널의 화소 구성도이다. 각 화소(60)에는 발광 소자로서의 유기 EL 소자(61)가 설치되어 있고, 유기 EL 소자(61)의 애노드단은 공통 접지에 접속되어 있다. 또한 캐소드단은 OLED 스위치(67)와 구동 TFT(62)의 채널을 통하여 전원선(9)에 접속되어 있다. 또한 구동 TFT(62)의 게이트는 기억 용량(64)을 통하여 신호선(8)에 접속되어 있고, 구동 TFT(62)의 드레인 단자와 게이트 단자 사이에는 리세트 스위치(66)가 설치되어 있다. 또 본 실시예에서는 특히, 구동 TFT(62) 및 OLED 스위치(67), 리세트 스위치(66)는, n형의 비정질 Si-TFT를 이용하여 구성되어 있음과 동시에, 기억 용량(64)도 n형의 비정질 Si-TFT를 이용하여 유리 기판 위에 구성되어 있다. 이 때, 본 실시예에서는 신호선(8)에 인가되는 신호 전압이, 구동 TFT(62)의 리세트 시의 전압인 (전원선(9)의 전압+｜Vth｜)보다도 마이너스가 되도록 설정되어 있다. 이에 따라 기억 용량(64)을 구성하는 n형의 비정질 Si-TFT에는 항상 채널이 형성되어, 게이트 용량을 안정된 용량으로서 사용할 수 있다.
본 실시예에서는, 화소를 모두 n형의 비정질 Si-TFT로 구성하고 있지만, 주사 회로(15)나 신호 전환 스위치(17)도 n형의 비정질 Si-TFT로 구성하는 것이 가능하기 때문에, Si의 다결정화 프로세스가 불필요하다. 이 때문에 제조 프로세스를 간략화할 수 있어서, 보다 저비용화를 도모할 수 있다.
또 본 실시예에서는 기억 용량(64)의 게이트 전극을 화소 측에 설치했지만, 게이트 전극은 신호선(8) 측에 설치하는 것도 가능하다. 이 경우에는 신호선(8)에 인가되는 신호 전압이, 구동 TFT(62)의 리세트 시의 전압(전원선(9)의 전압+｜vth｜) 보다도 플러스가 되도록 설정해 두면 된다.
(제5 실시예)
이하도 13∼도 16을 이용하여, 본 발명의 제5 실시예에 관하여 설명한다.
먼저, 도 13을 이용하여, 본 실시예의 전체 구성에 관하여 설명한다.
도 13은 본 실시예인 유기 EL 표시 패널의 전체 구성도이다. 표시 영역(80) 내에는 화소(70)가 매트릭스 형상으로 설치되어 있고, 화소(70)에는 신호선(78) 및 리세트 게이트선(71), 전원선(79)이 각각 접속되어 있다. 신호선(78)의 일단은 신호선 전환 스위치(87)를 통하여 신호 전압 생성 회로(86)에, 리세트 게이트선(71)의 일단은 주사 회로(85)에 접속되고, 전원선(79)은 전원선 스위치(81)를 통하여 전원 입력선(83)에 연결된다. 또 여기서, 전원선 스위치(81)는 주사 회로(85)에 의해 제어되고, 또한 신호선 전환 스위치(87)는 신호선(78)을 신호 전압 생성 회로(86)와 삼각파 입력선(84)으로 전환한다.
실제로는 화소(70)는 표시 영역(80) 내에 다수개 설치되어 있지만, 도면의 간략화를 위해 도 13에는 4 화소만을 기재하고 있다. 후술하는 바와 같이 화소(70)에는 그 외에도 공통 접지 전극이 배선되어 있지만, 이들의 기재는 생략되어 있다. 또 신호 전압 생성 회로(86)는 DA 변환기와 전압 버퍼 회로를 이용하여 종래부터 잘 알려져 있는 LSI 기술로 실현되어 있고, 주사 회로(85)도 공지된 시프트 레지스터 회로와 적당한 논리 회로를 다결정 Si-TFT 기술을 이용하여 유리 기판 위에 실현한 것이다.
계속해서 도 14를 이용하여, 화소(70)의 구조에 관하여 설명한다.
도 14는 화소(70)의 회로 구성도이다. 각 화소(70)에는 발광 소자로서의 유기 EL 소자(1)가 설치되어 있고, 유기 EL 소자(1)의 캐소드단은 공통 접지에 접속되어 있다. 또한 애노드단은 구동 TFT(72)의 채널을 통하여 전원선(79)에 접속되어 있다. 또한 구동 TFT(72)의 게이트는 기억 용량(74)을 통하여 신호선(78)에 접속되어 있고, 구동 TFT(72)의 드레인 단자와 게이트 단자 사이에는 리세트 스위치(76)가 설치되어 있다. 또 여기서 리세트 스위치(76)는 상술한 리세트 게이트선(71)에 접속되어 있다. 구동 TFT(72) 및 리세트 스위치(76)는, 다결정 Si-TFT를 이용하여 유리 기판 위에 구성되어 있다. 다결정 Si-TFT나 유기 EL 소자(1)의 제조 방법 등에 관해서는, 일반적으로 보고되어 있는 것과 크게 다르지 않기 때문에, 여기서는 그 설명은 생략한다.
다음으로 본 제5 실시예의 동작에 대하여 도 15 및 도 16을 이용하여 설명한다.
도 15는 본 실시예에 있어서의 유기 EL 표시 패널의 동작 타이밍차트로서, 1 프레임 기간에 있어서의 신호선(78), 리세트 스위치(76), 전원선 스위치(81)의 동작을 도시하고 있다. 또 리세트 스위치(76), 전원선 스위치(81)의 구동 타이밍 파형은, 위를 스위치가 오프인 상태, 아래를 스위치가 온인 상태로 하여 도시했다. 1 프레임 기간은 전반의 「기입 기간」과, 후반의 「발광 기간」으로 구성되어 있고, 양 기간의 길이는 거의 같게 설정되어 있다. 전반의 「기입 기간」에 있어서는 주사 회로(85)의 주사에 따라서, 화소(70)에 있어서의 리세트 스위치(76), 및 표시 영역(80) 단부에 설치된 전원선 스위치(81)는 순차 구동된다. 여기서 주사 회로(85)에 의해서 선택된 화소(70)의 행의 「기입 기간」에 있어서의 동작에 대하여, 도 16을 이용하여 설명한다.
도 16은 본 실시예에 있어서의 화소(70)의 행의 동작 타이밍차트로서, 해당 화소(70)의 행이 주사 회로(85)에 의해서 선택되어, 표시 신호가 기입될 때의, 신호선(78), 리세트 스위치(76), 전원선 스위치(81)의 동작을 도시하고 있다. 리세트 스위치(76), 전원선 스위치(81)의 구동 타이밍 파형은, 위를 스위치가 오프인 상태, 아래를 스위치가 온인 상태로 하여 도시하고 있는 것은, 지금까지와 마찬가지이다.
화소(70)에의 표시 신호 전압의 기입 시에는, 처음에 t0에서 리세트 스위치(76) 및 전원선 스위치(81)가 온 상태가 되고, 신호선(78)에는 신호 전압 Vs가 인가된다. 이것에 의해 구동 TFT(72)은 게이트와 드레인이 접속된 다이오드 접속이 되고, 이전의 필드에서 기억 용량(74)에 기억되어 있던 구동 TFT(72)의 게이트 전압은 클리어된다. 또 여기서 화소 회로를, 구동 TFT(72)를 구동 트랜지스터로 하고, 유기 EL 소자(1)를 부하로 한 인버터 회로라고 해석하는 것도 가능하다. 이와 같이 생각하면, t0 후의 회로 접속은, 이 인버터 회로의 입력 단자와 출력 단자 사이를 리세트 스위치(76)로 단락한 상태라고 볼 수 있기 때문에, 인버터 회로의 입력 단자와 출력 단자에는, 모두 인버터 회로 출력에 있어서의 「고전압 출력」과 「저전압 출력」의 거의 중간의 전압이 발생하고 있다. 다음으로 t1에서 리세트 스위치(76)를 오프하면, 구동 TFT(72)의 게이트 전압은 상기의 인버터 회로 출력에 있어서의 「고전압 출력」과 「저전압 출력」의 거의 중간의 전압으로 고정된다. 여기서 「고전압 출력」이란 전원선(79)에 인가되어 있는 전원 전압이고, 「저전압 출력」이란 공통 접지 전압이다. 즉 기억 용량(74)에의 기입에 따라서, 신호선(78)에 상기 신호 전압 Vs가 인가되었을 때에는, 구동 TFT(72)의 게이트 단자에는, 상기의 인버터 회로 출력에 있어서의 「고전압 출력」과 「저전압 출력」의 거의 중간의 전압이 재현되게 된다. 이 후 t2에서 전원선 스위치(81)가 오프되어, 이 행에 관한 신호 전압의 기입은 완료한다.
이것에 계속해서 다음의 화소(70)의 행에의 표시 신호의 기입이 개시되고, 신호선(78)에는 다음의 화소(70)에 기입해야 되는 신호 전압이 인가된다. 이상의 반복에 의해서 모든 화소(70)에 대하여 신호 전압이 기입되었을 때, 전반의 「기입 기간」이 종료된다.
다음으로 후반의 「발광 기간」에 있어서의 유기 EL 표시 패널의 동작에 대하여, 다시 도 15를 이용하여 설명한다. 후반의 「발광 기간」에 있어서는, 신호선(78)에는 도 15에 도시한 바와 같은 중심에서 가장 전압이 낮게 되는 삼각파형이 인가되고, 동시에 모든 화소(70)에 대하여 리세트 스위치(76)는 오프, 전원선 스위치(81)는 온으로 고정된다. 상술한 기억 용량(74)에의 기입에 따라서, 신호선(78)에 신호 전압 Vs가 인가되었을 때에는, 구동 TFT(72)을 구동 트랜지스터로 하고, 유기 EL 소자(1)를 부하로 한 인버터 회로는 그 출력이 대략 중간 전압을 취하지만, 신호선(78)에 신호 전압 Vs보다 높은 전압이 인가되었을 때에는, 이 인버터 회로는 그 출력이 「저전압 출력」(공통 접지 전압)이 되고, 신호선(78)에 신호 전압 Vs보다 낮은 전압이 인가되었을 때에는, 이 인버터 회로는 그 출력이 「고전압 출력」(전원선(79)에 인가되어 있는 전원 전압)이 된다. 따라서 도 15에 도시한 바와 같이 신호선(78)의 전압이, 미리 그 화소(70)에 기입되어 있었던 신호 전압 Vs보다도 낮게 되는 기간 Ts에서, 이 화소(70)의 유기 EL 소자(1)에는 「고전압 출력」(전원선(79)에 인가되어 있는 전원 전압)이 인가되어 발광한다. 즉 이 때 유기 EL 소자(1)는 실질적으로는 발광/비발광의 2치 상태를 취하고, 그 발광 기간 Ts가 신호 전압 Vs에 의해서 제어됨으로써 계조 발광하게 된다.
본 실시예에서는 화소마다 존재하는 구동 TFT(72)의 임계값 전압 Vth의 변동을, 구동 TFT(72)와 유기 EL 소자(1)로 구성되는 인버터 회로의 논리 임계값 변동으로서 캔슬하면서, Vs가 되는 신호 전압에 대응한 OLED 발광을 얻을 수 있는 점에서는, 본 실시예는 종래예와 마찬가지의 효과를 얻을 수 있지만, 이에 덧붙여서 본 실시예에는, 상기 임계값 전압 Vth의 변동의 캔슬을, 각 화소마다 설치된 구동 TFT(72), 리세트 스위치(76)로 이루어지는 합계 2개의 트랜지스터와, 기억 용량(74)의 1개의 용량으로 실현할 수 있다고 하는 장점이 있다. 본 실시예에서는 이와 같이 1 화소당 구성 소자 수를 감소시킬 수 있었던 결과, 발광 표시 디바이스의 수율이 향상되어, 비용의 저하를 도모할 수 있었다. 또한 이에 덧붙여서 본 실시예에서는, 구동 TFT(72)의 전류 구동 능력 등의 변동도 캔슬할 수 있다고 하는 우수한 이점을 갖는다. 이것은 유기 EL 소자(1)가 실질적으로는 발광/비발광의 2치 상태에서 구동되는 것에 기인한다.
또 본 실시예에 있어서의 화소(70)의 레이아웃 구조는, 기본적으로는 제3 실시예와 마찬가지이기 때문에 설명은 생략한다. 단지 본 실시예에서는 구동 TFT(72)의 게이트 폭이 큰 쪽이, 화소 회로의 인버터 특성의 상승보다 급격하게 되기 때문에, 인버터 회로의 논리 임계값 변동의 저감 능력은 향상된다. 단지 구동 TFT(72)의 게이트를 크게 하는 경우에는, 그것에 대응하여 기억 용량(74)도 크게 할 필요가 있는 것에는 주의가 필요하다.
이상의 본 실시예에서는 「발광 기간」에 신호선(78)에 인가하는 삼각파의 파형을 단일의 삼각형으로 했지만, 이것을 복수개의 삼각형으로 변경하는 것도 가능하다. 또한 삼각형의 형상을 비선형으로 함으로써, 표시 화상에 적당한 감마 특성을 부여할 수도 있다.
또한 본 실시예에서는 전원선(79)은 RGB의 3색의 화소에서 공통으로 했다. 그러나 전원선(79)을 복수 채널 설치하고, 발광색마다 유기 EL 소자(1)의 구동 전압을 변경하는 것에 의해, 색 밸런스를 제어와 변경이 가능하도록 할 수도 있다.
(제6 실시예)
이하 도 17을 이용하여, 본 발명에 있어서의 제6 실시예에 관하여 설명한다.
도 17은 제6 실시예인 TV 화상 표시 장치(200)의 구성도이다.
지상파 디지털 신호 등을 수신하는 무선 인터페이스(I/F) 회로(202)에는, 압축된 화상 데이터 등이 외부로부터 무선 데이터로서 입력되고, 무선 I/F 회로(202)의 출력은 I/O(Input/Output) 회로(203)를 통하여 데이터 버스(208)에 접속된다.데이터 버스(208)에는 이 외에 마이크로 프로세서(MPU)(204), 표시 패널 컨트롤러(206), 프레임 메모리(207) 등이 접속되어 있다. 또한 표시 패널 컨트롤러(206)의 출력은 유기 EL 표시 패널(201)에 입력되고 있다. 또 화상 표시 단말기(200)에는 또한, 정전압 발생 회로(205), 전원(209)이 설치되어 있고, 정전압 발생 회로(205)의 출력은 유기 EL 표시 패널(201)에 입력되어 있다. 또 여기서 유기 EL 표시 패널(201)은, 상기 기재된 제1 실시예와 동일한 구성 및 동작을 갖고 있기 때문에, 그 내부의 구성 및 동작의 기재는 여기서는 생략한다.
이하에 본 제6 실시예의 동작을 설명한다. 처음에 무선 I/F 회로(202)는 명령에 따라 압축된 화상 데이터를 외부로부터 취득하고, 이 화상 데이터를 I/O 회로(203)를 통하여 마이크로 프로세서(204) 및 프레임 메모리(207)로 전송한다. 마이크로 프로세서(204)는 사용자로부터의 명령 조작을 받아, 필요에 따라 화상 표시 단말기(200) 전체를 구동하여, 압축된 화상 데이터의 디코드나 신호 처리, 정보 표시를 행한다. 여기서 신호 처리된 화상 데이터는, 프레임 메모리(207)에 일시적으로 축적이 가능하다.
여기서 마이크로 프로세서(204)가 표시 명령을 내린 경우에는, 그 지시에 따라 프레임 메모리(207)로부터 표시 패널 컨트롤러(206)를 통하여 유기 EL 표시 패널(201)에 화상 데이터가 입력되고, 유기 EL 표시 패널(201)은 입력된 화상 데이터를 리얼타임으로 표시한다. 이 때 표시 패널 컨트롤러(206)는, 동시에 화상을 표시하기 위해서 필요한 소정의 타이밍 펄스를 출력하고, 정전압 발생 회로(205)는 소정의 정전압을 출력한다. 이 정전압은 화질을 조정하기 위해서 가변이다. 또유기 EL 표시 패널(201)이 이들의 신호를 이용하여, 6 비트 화상 데이터로부터 생성된 표시 데이터를 리얼타임으로 표시하는 것에 관해서는, 제1 실시예에서 설명한 바와 같다. 또 여기서 전원(209)에는 2차 전지가 포함되어 있고, 이들의 화상 표시 단말기(200) 전체를 구동하는 전력을 공급한다.
본 실시예에 따르면, 고정밀도의 다계조 표시가 가능한 화상 표시 단말기(200)를 제공할 수 있다.
또 본 실시예에서는 화상 표시 디바이스로서, 제1 실시예에서 설명한 유기 EL 표시 패널을 이용했지만, 이외에 그 밖의 본 발명의 실시예에 기재된 바와 같은 여러 가지의 표시 패널을 이용하는 것이 가능한 것은 분명하다. 단지 이 경우에는 유기 EL 표시 패널의 구조에 따른 약간의 회로 변경이 필요하게 되는 것은 물론이고, 예를 들면 제5 실시예에서 설명한 유기 EL 표시 패널을 이용한 경우에는, 정전압 발생 회로(205)를 대신하여 삼각파 전압 발생 회로가 필요하다.
본 발명에 따르면, 고화질 화상 표시가 가능하고, 또한 고수율에 의한 저비용화에 적합한 화상 표시 장치를 제공할 수 있다.

Claims (28)

  1. 화상 표시 장치에 있어서,
    표시 신호 전압에 따라 발광 구동되는 발광 소자를 갖는 화소와,
    복수의 상기 화소로 구성된 표시부와,
    상기 화소에 표시 신호 전압을 기입하기 위한 신호선과,
    상기 신호선을 통하여 상기 표시 신호 전압을 기입할 화소를, 복수의 상기 화소 중에서 선택하기 위한 화소 선택 수단과,
    상기 표시 신호 전압을 생성하기 위한 표시 신호 전압 생성 수단을 포함하고,
    상기 복수의 화소 각각에 대하여, 발광 상태 또는 비발광 상태의 선택을 일괄 제어하기 위한 발광 상태 제어 수단과,
    상기 선택된 화소에 대하여 상기 발광 상태가 선택되면, 상기 복수의 화소 각각에 상기 신호선을 통하여 정전압을 공급하기 위한 정전압 공급 수단
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    각 화소 내에 설치된 상기 발광 소자의 일단은 공통 전원에 접속되는 한편, 상기 발광 소자의 타단은 제1 스위치를 통하여 발광 소자 구동 트랜지스터의 제1 소스/드레인 전극에 접속되고,
    상기 발광 소자 구동 트랜지스터의 제2 소스/드레인 전극은 전원 공급선에 접속되고,
    상기 발광 소자 구동 트랜지스터의 게이트는 제2 스위치를 통하여 상기 발광 소자 구동 트랜지스터의 제1 소스/드레인 전극에 접속되고,
    상기 발광 소자 구동 트랜지스터의 게이트는 결합 용량을 통하여 각 화소에 대응하는 상기 신호선에 접속되는 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1 소스/드레인 전극은 드레인 전극이고, 상기 제2 소스/드레인 전극은 소스 전극인 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 제1 스위치, 상기 제2 스위치, 및 상기 발광 소자 구동 트랜지스터 각각은 p 채널 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 제1 스위치, 상기 제2 스위치, 및 상기 발광 소자 구동 트랜지스터 각각은 p 채널 트랜지스터로 구성되고, 상기 결합 용량의 구조는 p 채널을 이용하는 MOS(Metal-Oxide-Semiconductor) 용량인 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치.
  6. 제2항에 있어서,
    상기 제1 스위치, 상기 제2 스위치, 상기 발광 소자 구동 트랜지스터 각각은 다결정 실리콘 박막 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치.
  7. 제2항에 있어서,
    상기 제1 스위치, 상기 제2 스위치, 및 상기 발광 소자 구동 트랜지스터 각각은 n 채널 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치.
  8. 제2항에 있어서,
    상기 제1 스위치, 상기 제2 스위치, 및 상기 발광 소자 구동 트랜지스터 각각은 n 채널 트랜지스터이고, 상기 결합 용량은 n 채널을 이용하는 MOS 용량인 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치.
  9. 제2항에 있어서,
    상기 제1 스위치, 상기 제2 스위치, 상기 발광 소자 구동 트랜지스터 각각은 비정질 실리콘 박막 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치.
  10. 제2항에 있어서,
    상기 신호선 및 상기 전원 공급선은 평행하게 설치되고, 동일한 금속 배선층을 가공하여 형성되는 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 결합 용량은, 상기 신호선 상에 중첩되어 제공되는 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치.
  12. 제2항에 있어서,
    상기 발광 소자 구동 트랜지스터는 게이트-소스 전압이 임계값 전압 이하인 서브-임계 영역에서 실질적으로 구동되는 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치.
  13. 제1항에 있어서,
    각 화소 내에 설치된 상기 발광 소자의 일단은 공통 전원에 접속되고,
    상기 발광 소자의 타단은 발광 소자 구동 트랜지스터의 제1 소스/드레인 전극에 접속되고,
    상기 발광 소자 구동 트랜지스터의 제2 소스/드레인 전극은 전원 공급선에 접속되고,
    상기 발광 소자 구동 트랜지스터의 게이트는 제3 스위치를 통하여 상기 발광 소자 구동 트랜지스터의 제1 소스/드레인 전극에 접속되고,
    상기 발광 소자 구동 트랜지스터의 게이트는 결합 용량을 통하여 각 화소에 대응하는 상기 신호선에 접속되는 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 제1 소스/드레인 전극은 드레인 전극이고, 상기 제2 소스/드레인 전극은 소스 전극인 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 제3 스위치 및 상기 발광 소자 구동 트랜지스터 각각은 p 채널 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치.
  16. 제13항에 있어서,
    상기 제3 스위치 및 상기 발광 소자 구동 트랜지스터 각각은 p 채널 트랜지스터이고, 상기 결합 용량은 p 채널을 이용하는 MOS 용량으로 구성되는 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치.
  17. 제13항에 있어서,
    상기 제3 스위치 및 상기 발광 소자 구동 트랜지스터 각각은 다결정 실리콘 박막 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치.
  18. 제13항에 있어서,
    상기 제3 스위치 및 상기 발광 소자 구동 트랜지스터 각각은 n 채널 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치.
  19. 제13항에 있어서,
    상기 제3 스위치 및 상기 발광 소자 구동 트랜지스터 각각은 n 채널 트랜지스터로 구성되고, 상기 결합 용량은 n 채널을 이용하는 MOS 용량으로 구성되는 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치.
  20. 제13항에 있어서,
    상기 제3 스위치 및 상기 발광 소자 구동 트랜지스터 각각은 비정질 실리콘 박막 트랜지스터로 구성되는 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치.
  21. 제13항에 있어서,
    상기 신호선 및 상기 전원 공급선은 상호 수직 방향으로 설치되고, 상기 전원 공급선은 금속 배선층을 가공하여 형성되는 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치.
  22. 제21항에 있어서,
    상기 결합 용량은, 상기 신호선 상에 중첩되어 형성되는 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치.
  23. 제13항에 있어서,
    상기 발광 소자 구동 트랜지스터는 게이트-소스 전압이 임계값 전압 이하인 서브-임계 영역에서 실질적으로 구동되는 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치.
  24. 제1항에 있어서,
    상기 발광 상태/비발광 상태의 선택은 각각의 프레임 주기로 반복되는 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치.
  25. 화상 표시 장치에 있어서,
    표시 신호 전압에 따라 발광 구동되는 발광 소자를 갖는 화소와,
    복수의 상기 화소로 구성된 표시부와,
    상기 화소에 표시 신호 전압을 기입하기 위한 신호선과,
    상기 신호선을 통하여 상기 표시 신호 전압을 기입할 화소를, 복수의 상기 화소 중에서 선택하기 위한 화소 선택 수단과,
    상기 표시 신호 전압을 생성하기 위한 표시 신호 전압 생성 수단을 포함하고,
    상기 표시 신호 전압이 기입된 표시부 각각에 대하여, 발광 상태 또는 비발광 상태의 선택을 일괄 제어하기 위한 발광 상태 제어 수단과,
    상기 선택된 화소에 대하여 상기 발광 상태가 선택되면, 상기 복수의 화소 각각에 상기 신호선을 통하여 삼각파 형상의 전압을 공급하기 위한 삼각파 전압 공급 수단을 포함하고,
    각 화소 내에 설치된 상기 발광 소자의 일단은 공통 전원에 접속되는 한편, 상기 발광 소자의 타단은 발광 소자 구동 트랜지스터의 드레인 전극에 접속되고,
    상기 발광 소자 구동 트랜지스터의 소스 전극은 전원 공급선에 접속되고, 상기 발광 소자 구동 트랜지스터의 게이트는 스위치를 통하여 상기 발광 소자 구동 트랜지스터의 드레인 전극에 접속되고, 상기 발광 소자 구동 트랜지스터의 게이트는 결합 용량을 통하여 각 화소에 대응하는 상기 신호선에 접속되는 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치.
  26. 제25항에 있어서,
    상기 삼각파 형상의 전압은, 1개의 삼각파로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치.
  27. 제25항에 있어서,
    상기 발광 상태 또는 비발광 상태의 선택은 각각의 프레임 주기로 반복되는 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치.
  28. 신호선 및 전원 공급선에 접속되는 화소 회로를 포함하는 화소 표시 장치에 있어서,
    상기 화소 회로는:
    상기 신호선에 직접 접속되는 용량과,
    상기 용량에 접속되는 구동 트랜지스터- 상기 구동 트랜지스터와 상기 용량 사이에 노드가 위치됨 -와,
    일단이 상기 노드에 접속되고 타단이 상기 구동 트랜지스터의 드레인 전극에 접속되는 리세트 스위치 트랜지스터와,
    상기 구동 트랜지스터의 소스 전극에 접속되는 전원선과,
    일단이 상기 구동 트랜지스터의 드레인 전극에 접속되고 타단이 유기 발광 소자에 접속되는 OLED 트랜지스터 스위치와,
    상기 신호선에 인가되는 신호 전압과,
    상기 노드 및 상기 구동 트랜지스터의 게이트에 인가되는 임계값 전압을 포함하여,
    상기 화소 회로 구조는 상기 유기 발광 소자를 임계값 전압 변동의 영향을 받지 않고 상기 구동 트랜지스터의 구동 전류로 구동하는 것을 특징으로 하는 화소 표시 장치.
KR1020040009639A 2003-05-15 2004-02-13 화상 표시 장치 KR101060017B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003136690A JP2004341144A (ja) 2003-05-15 2003-05-15 画像表示装置
JPJP-P-2003-00136690 2003-05-15

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20040098511A true KR20040098511A (ko) 2004-11-20
KR101060017B1 KR101060017B1 (ko) 2011-08-29

Family

ID=33526547

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040009639A KR101060017B1 (ko) 2003-05-15 2004-02-13 화상 표시 장치

Country Status (5)

Country Link
US (2) US20050007316A1 (ko)
JP (1) JP2004341144A (ko)
KR (1) KR101060017B1 (ko)
CN (3) CN101777307A (ko)
TW (1) TWI366162B (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101239157B1 (ko) * 2005-03-18 2013-03-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 표시 장치 및 그 구동 방법 및 전자 기기
KR101359362B1 (ko) * 2005-12-02 2014-02-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 디스플레이 장치, 및 전자 장치

Families Citing this family (63)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4147410B2 (ja) * 2003-12-02 2008-09-10 ソニー株式会社 トランジスタ回路、画素回路、表示装置及びこれらの駆動方法
JP5051565B2 (ja) * 2003-12-10 2012-10-17 奇美電子股▲ふん▼有限公司 画像表示装置
KR100560479B1 (ko) * 2004-03-10 2006-03-13 삼성에스디아이 주식회사 발광 표시 장치 및 그 표시 패널과 구동 방법
US7317433B2 (en) * 2004-07-16 2008-01-08 E.I. Du Pont De Nemours And Company Circuit for driving an electronic component and method of operating an electronic device having the circuit
JP4846998B2 (ja) * 2004-10-08 2011-12-28 株式会社 日立ディスプレイズ 画像表示装置
KR101239162B1 (ko) 2004-11-30 2013-03-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시장치와 그 구동방법, 반도체장치, 및 전자기기
KR100637203B1 (ko) * 2005-01-07 2006-10-23 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계발광 표시장치 및 그 동작방법
JP5081374B2 (ja) * 2005-01-17 2012-11-28 株式会社ジャパンディスプレイイースト 画像表示装置
US7646367B2 (en) * 2005-01-21 2010-01-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device and electronic apparatus
JP2006293344A (ja) * 2005-03-18 2006-10-26 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置、表示装置及びその駆動方法並びに電子機器
KR100628277B1 (ko) 2005-03-18 2006-09-27 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계발광표시장치 및 이의 구동방법
KR101157979B1 (ko) * 2005-06-20 2012-06-25 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 구동회로와 이를 이용한유기발광다이오드 표시장치
JP5011682B2 (ja) * 2005-09-02 2012-08-29 セイコーエプソン株式会社 電子装置および電子機器
US7639211B2 (en) 2005-07-21 2009-12-29 Seiko Epson Corporation Electronic circuit, electronic device, method of driving electronic device, electro-optical device, and electronic apparatus
KR101324756B1 (ko) * 2005-10-18 2013-11-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시장치 및 그의 구동방법
EP1793366A3 (en) 2005-12-02 2009-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device, and electronic device
JP4207988B2 (ja) * 2006-07-03 2009-01-14 セイコーエプソン株式会社 発光装置、画素回路の駆動方法および駆動回路
JP4256888B2 (ja) * 2006-10-13 2009-04-22 株式会社 日立ディスプレイズ 表示装置
JP2008151963A (ja) * 2006-12-15 2008-07-03 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及び半導体装置の駆動方法
JP5495510B2 (ja) * 2007-06-19 2014-05-21 キヤノン株式会社 表示装置及びそれを用いた電子機器
KR100873705B1 (ko) 2007-06-22 2008-12-12 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법
JP2009014836A (ja) * 2007-07-02 2009-01-22 Canon Inc アクティブマトリクス型表示装置及びその駆動方法
KR20090010398A (ko) * 2007-07-23 2009-01-30 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 구동 방법
CN101779229B (zh) * 2007-08-21 2012-11-07 佳能株式会社 显示装置及其驱动方法
JP2009075231A (ja) * 2007-09-19 2009-04-09 Hitachi Displays Ltd 画像表示装置
JP2009080272A (ja) * 2007-09-26 2009-04-16 Canon Inc アクティブマトリクス型表示装置
JP2009109641A (ja) * 2007-10-29 2009-05-21 Canon Inc 駆動回路、及びアクティブマトリクス型表示装置
JP5090856B2 (ja) 2007-10-30 2012-12-05 株式会社ジャパンディスプレイイースト 有機ｅｌ表示装置
JP5286992B2 (ja) * 2008-07-09 2013-09-11 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器
JP5346520B2 (ja) * 2008-08-13 2013-11-20 株式会社ジャパンディスプレイ 画像表示装置
US7750715B2 (en) * 2008-11-28 2010-07-06 Au Optronics Corporation Charge-sharing method and device for clock signal generation
KR101685713B1 (ko) * 2009-03-06 2016-12-12 가부시키가이샤 제이올레드 화상 표시 장치 및 그 구동 방법
JP5284198B2 (ja) * 2009-06-30 2013-09-11 キヤノン株式会社 表示装置およびその駆動方法
JP2011013340A (ja) * 2009-06-30 2011-01-20 Hitachi Displays Ltd 発光素子表示装置及び表示方法
JP2011013415A (ja) * 2009-07-01 2011-01-20 Canon Inc アクティブマトリックス型表示装置
JP5329327B2 (ja) * 2009-07-17 2013-10-30 株式会社ジャパンディスプレイ 画像表示装置
JP2011028135A (ja) * 2009-07-29 2011-02-10 Canon Inc 表示装置及びその駆動方法
US8633873B2 (en) * 2009-11-12 2014-01-21 Ignis Innovation Inc. Stable fast programming scheme for displays
KR101677265B1 (ko) * 2010-03-31 2016-11-18 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JP5565097B2 (ja) * 2010-05-26 2014-08-06 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器
TWI421837B (zh) * 2010-06-22 2014-01-01 Univ Nat Cheng Kung 驅動電路及具有該驅動電路之畫素電路
KR101254263B1 (ko) 2010-11-23 2013-04-12 삼성디스플레이 주식회사 전원 변환기, 직류-직류 변환기를 포함하는 표시 장치, 표시 장치를 포함하는 시스템 및 표시 장치의 구동 방법
US8817429B2 (en) * 2010-11-23 2014-08-26 Samsung Display Co., Ltd. Power converter, display device including power converter, system including display device, and method of driving display device
KR101860739B1 (ko) 2011-05-18 2018-05-25 삼성디스플레이 주식회사 전원 변환기, 이를 포함하는 디스플레이 장치 및 구동 전압 제어 방법
JP6141590B2 (ja) 2011-10-18 2017-06-07 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器
JP6124573B2 (ja) 2011-12-20 2017-05-10 キヤノン株式会社 表示装置
CN102914492A (zh) * 2012-10-18 2013-02-06 北京邮电大学 一种利用亚硫酸溶液测定金镀层孔隙率的方法
JP2014215425A (ja) 2013-04-25 2014-11-17 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 表示装置および表示装置の駆動方法
CN103226931B (zh) * 2013-04-27 2015-09-09 京东方科技集团股份有限公司 像素电路和有机发光显示器
TWI485684B (zh) * 2013-06-13 2015-05-21 Au Optronics Corp 像素驅動器
US9818765B2 (en) 2013-08-26 2017-11-14 Apple Inc. Displays with silicon and semiconducting oxide thin-film transistors
US9412799B2 (en) 2013-08-26 2016-08-09 Apple Inc. Display driver circuitry for liquid crystal displays with semiconducting-oxide thin-film transistors
CN103456765B (zh) * 2013-09-10 2015-09-16 深圳市华星光电技术有限公司 有源式有机电致发光器件背板及其制作方法
US9698176B1 (en) * 2013-11-05 2017-07-04 Ananda H. Kumar Silicon-based backplane structures and methods for display applications
KR102148935B1 (ko) * 2013-11-21 2020-08-31 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP6555956B2 (ja) * 2014-07-31 2019-08-07 株式会社半導体エネルギー研究所 撮像装置、監視装置、及び電子機器
CN105489158B (zh) * 2014-09-19 2018-06-01 深圳Tcl新技术有限公司 Oled像素驱动电路及电视机
US9543370B2 (en) 2014-09-24 2017-01-10 Apple Inc. Silicon and semiconducting oxide thin-film transistor displays
KR20160053050A (ko) * 2014-10-30 2016-05-13 삼성디스플레이 주식회사 화소 및 이를 포함하는 유기발광표시장치
JP6777421B2 (ja) 2015-05-04 2020-10-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9818344B2 (en) 2015-12-04 2017-11-14 Apple Inc. Display with light-emitting diodes
KR102518922B1 (ko) * 2016-01-21 2023-04-07 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 구동 방법
TWI747550B (zh) * 2020-10-12 2021-11-21 友達光電股份有限公司 畫素電路及顯示裝置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2653099B2 (ja) * 1988-05-17 1997-09-10 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクスパネル，投写型表示装置及びビューファインダー
US5302966A (en) * 1992-06-02 1994-04-12 David Sarnoff Research Center, Inc. Active matrix electroluminescent display and method of operation
TW345654B (en) * 1995-02-15 1998-11-21 Handotai Energy Kenkyusho Kk Active matrix display device
US5952789A (en) * 1997-04-14 1999-09-14 Sarnoff Corporation Active matrix organic light emitting diode (amoled) display pixel structure and data load/illuminate circuit therefor
KR100571032B1 (ko) * 1998-01-09 2006-04-13 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 액정표시장치
JP4627822B2 (ja) * 1999-06-23 2011-02-09 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
TW575777B (en) * 2001-03-30 2004-02-11 Sanyo Electric Co Active matrix type display device
US20030037424A1 (en) * 2001-08-22 2003-02-27 Platner David K. Method of forming a tubular axle
JP3899886B2 (ja) * 2001-10-10 2007-03-28 株式会社日立製作所 画像表示装置
US7167169B2 (en) * 2001-11-20 2007-01-23 Toppoly Optoelectronics Corporation Active matrix oled voltage drive pixel circuit
JP2003195810A (ja) * 2001-12-28 2003-07-09 Casio Comput Co Ltd 駆動回路、駆動装置及び光学要素の駆動方法
JP2003330422A (ja) * 2002-05-17 2003-11-19 Hitachi Ltd 画像表示装置

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101239157B1 (ko) * 2005-03-18 2013-03-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 표시 장치 및 그 구동 방법 및 전자 기기
US8681077B2 (en) 2005-03-18 2014-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof
KR101359362B1 (ko) * 2005-12-02 2014-02-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 디스플레이 장치, 및 전자 장치
KR101358697B1 (ko) * 2005-12-02 2014-02-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 디스플레이 장치, 및 전자 장치
KR101359364B1 (ko) * 2005-12-02 2014-02-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 디스플레이 장치, 및 전자 장치
US8717261B2 (en) 2005-12-02 2014-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device, and electronic device
KR101433680B1 (ko) * 2005-12-02 2014-08-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 디스플레이 장치, 및 전자 장치
US9276037B2 (en) 2005-12-02 2016-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device, and electronic device

Also Published As

Publication number Publication date
TW200424990A (en) 2004-11-16
TWI366162B (en) 2012-06-11
CN1551076B (zh) 2010-09-22
JP2004341144A (ja) 2004-12-02
CN101256734B (zh) 2011-03-02
US20100073267A1 (en) 2010-03-25
CN1551076A (zh) 2004-12-01
US20050007316A1 (en) 2005-01-13
CN101256734A (zh) 2008-09-03
KR101060017B1 (ko) 2011-08-29
CN101777307A (zh) 2010-07-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101060017B1 (ko) 화상 표시 장치
JP4982014B2 (ja) 画像表示装置
JP3772889B2 (ja) 電気光学装置およびその駆動装置
EP3367373B1 (en) Pixel and organic light emitting display device having the pixel
US7733309B2 (en) Image display apparatus
JP4826597B2 (ja) 表示装置
WO2023005694A1 (zh) 像素电路及其驱动方法、显示面板
WO2001073737A1 (fr) Affichage
JP5780650B2 (ja) レベルシフタ回路、走査回路、表示装置、及び、電子機器
KR20200144632A (ko) 표시 장치 및 이의 구동 방법
JP6999382B2 (ja) 表示装置
KR20070057020A (ko) 화상 표시 장치
KR20210022807A (ko) 화소 및 이를 구비한 표시 장치
CN114512099B (zh) 显示装置
JP4039441B2 (ja) 電気光学装置および電子機器
US20050024352A1 (en) Display device using current driving pixels
JP2012047894A (ja) 表示装置
KR20200036415A (ko) 표시 장치
JP5015887B2 (ja) 画像表示装置
US11455961B2 (en) Display device
JP7362889B2 (ja) 表示装置
KR100524122B1 (ko) 저소비 전력 유기 전계 발광 디바이스 디스플레이 구동 장치
JPWO2004102516A1 (ja) アクティブマトリクス型表示装置及びデジタルアナログ変換器
KR20200016663A (ko) 표시 장치
KR20240107768A (ko) 표시장치

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140808

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150716

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160720

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170719

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180802

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190801

Year of fee payment: 9