KR20030076898A - 반도체 소자 제조에 이용되는 메가소닉 세정장치 - Google Patents

반도체 소자 제조에 이용되는 메가소닉 세정장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20030076898A
KR20030076898A KR1020020015906A KR20020015906A KR20030076898A KR 20030076898 A KR20030076898 A KR 20030076898A KR 1020020015906 A KR1020020015906 A KR 1020020015906A KR 20020015906 A KR20020015906 A KR 20020015906A KR 20030076898 A KR20030076898 A KR 20030076898A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
energy
transfer means
energy transfer
cleaning apparatus
Prior art date
Application number
KR1020020015906A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100493016B1 (ko
Inventor
윤병문
여인준
하상록
김경현
조현호
남정림
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR10-2002-0015906A priority Critical patent/KR100493016B1/ko
Priority to US10/217,006 priority patent/US7017597B2/en
Priority to CNB021434352A priority patent/CN1329959C/zh
Priority to JP2002290284A priority patent/JP4065175B2/ja
Publication of KR20030076898A publication Critical patent/KR20030076898A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100493016B1 publication Critical patent/KR100493016B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
    • B08B3/12—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration by sonic or ultrasonic vibrations
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
    • Y10S134/902—Semiconductor wafer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)

Abstract

반도체 소자 제조에 이용되는 메가소닉(megasonic) 세정장치를 개시한다. 본 발명은 메가소닉 에너지를 발생시키는 압전변환기, 및 웨이퍼에 대하여 반경 방향으로 설치되며 상기 압전변환기에서 발생된 에너지를 상기 웨이퍼 상의 세정액에 전달하여 교반시키는 에너지 전달 수단을 포함한다. 상기 에너지 전달 수단은 상기 교반된 세정액의 흐름이 상기 웨이퍼의 반경 방향으로 균일한 에너지를 상기 웨이퍼에 인가하여 오염입자를 제거하도록 디자인된 것이 특징이다. 따라서, 원하는 세정 효과를 얻기에 충분할 정도로 에너지의 크기를 증가시켜도 에너지가 웨이퍼 상의 어느 한 부위에 집중되지 않으므로, 패턴 리프팅을 방지하면서 웨이퍼의 표면으로부터 오염입자를 효율적으로 제거할 수 있다.

Description

반도체 소자 제조에 이용되는 메가소닉 세정장치{Megasonic cleaning apparatus for fabricating semiconductor device}
본 발명은 반도체 소자 제조에 이용되는 메가소닉 세정장치에 관한 것으로서, 특히 패턴 리프팅을 방지하면서 충분한 세정 효과를 얻을 수 있는 메가소닉 세정장치에 관한 것이다.
반도체 소자의 집적도가 높아져 감에 따라 패턴의 크기 및 패턴들 사이의 간격이 매우 작아지고 있다. 이에 따라, 웨이퍼 세정 공정의 중요성도 점차 증가하고 있다. 그 이유는 웨이퍼의 표면에 오염입자가 존재할 경우 후속 공정시 패턴 불량이 유발될 수 있으며, 오염입자가 도전막으로 이루어진 미세 패턴들 사이에 존재할 경우 반도체 소자의 오동작이 유발될 수 있기 때문이다.
그런데 미세 패턴의 크기가 1 ㎛ 이하로 줄어들면서 허용 가능한 오염입자의 크기도 작아진다. 그리고 이렇게 작은 크기의 오염입자는 웨이퍼와 작용하는 강한 점착력(adhesion force)때문에 기존의 세정 방법으로는 제거하기가 용이하지 않다. 따라서, 세정 효율을 높이기 위한 연구가 다각적으로 진행되고 있으며, 그것의 핵심은 제거할 대상물, 즉 오염입자의 점착력을 극복할 수 있는 힘을 세정 대상물, 다시 말해 웨이퍼에 효과적으로 제공하는 데 있다.
이러한 세정 방법의 하나로 메가소닉 세정장치가 사용되고 있다. 메가소닉 세정장치는 웨이퍼 표면을 향하는 고주파수의 극도로 교반된 유체 흐름(agitated stream of fluid, 예컨대 탈이온수)을 이용한다. 극도로 교반된 유체 흐름은 웨이퍼 표면 및/또는 리세스된 영역에서조차 오염입자를 안전하고 효과적으로 제거한다.
일반적으로 메가소닉 세정장치는 메가소닉 에너지를 발생시키는 압전변환기(piezoelectric transducer)와, 이 압전변환기에서 발생된 에너지를 유체 매질에 전달하는 에너지 전달 수단을 포함한다. 이 에너지 전달 수단을 통해 전달된 에너지에 의해 매질이 고주파수로 교반되고, 이 교반된 매질의 흐름에 의해 오염입자가 웨이퍼 표면으로부터 진동하여 물리적으로 분리된다.
도 1은 에너지 전달 수단으로서 석영 로드(20)를 채용한 메가소닉 세정장치를 나타낸다. 석영 로드(20)는 압전변환기(10)에서 발생된 에너지를 유체 매질, 즉 세정액(15)에 전달한다. 이 석영 로드(20)는 원통형 세정부(20a) 및 직경이 증가하는 플레어된 후방부(20b)를 가진다. 석영 로드(20)를 통해 세정액(15)으로 전달된 에너지는 세정액(15)을 고주파수로 교반시키고, 이렇게 교반된 세정액(15)은 웨이퍼(30)를 진동시켜 웨이퍼(30) 표면의 오염입자를 제거한다. 웨이퍼(30)는 그 하부의 스핀플레이트(40)의 회전에 따라 회전되면서 전체 표면이 세정된다.
그런데, 석영 로드(20)가 세정액(15)을 매개로 하여 웨이퍼(30)에 인가하는 에너지의 크기는 석영 로드(20)의 길이 방향, 즉 웨이퍼 에지(E)에서 웨이퍼 중심(C)에 이르기까지 일정하지 못하다. 도 2에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(30)에 인가되는 에너지는 웨이퍼 에지(E) 부분에서 제일 크고 웨이퍼 중심(C)으로 갈수록 감소한다. 즉, 종래의 메가소닉 세정장치에서는 웨이퍼 에지(E) 부위에 에너지가 집중된다. 이는, 석영 로드(20)가 웨이퍼(30) 상에서 최초로 세정액(15)과 접촉하는 웨이퍼 에지(E) 부위에서 가장 많은 에너지가 발산되는 현상에 기인한 것이다.
이에 따라, 에너지가 상대적으로 작게 인가되는 웨이퍼 중심(C) 부분에서 충분한 세정 효과를 얻기 위해서는 압전변환기(10)에서 발생되는 에너지의 크기를 증가시켜야만 한다. 그러나, 충분한 세정 효과를 위해 적용하는 높은 파워에서는 웨이퍼 에지(E)에 무리하게 큰 에너지가 인가되므로 이 부분에 위치한 패턴(P)에 리프팅 현상을 유발하는 치명적인 문제점이 있다. 따라서, 패턴 리프팅 현상도 방지하면서 충분한 세정 효과를 얻기 위한 최적 에너지 조건 도출이 어려운 한계가 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 종래의 메가소닉 세정장치에서의 웨이퍼 에지 부위의 에너지 집중현상을 개선함으로써, 패턴 리프팅을 방지하면서 충분한 세정 효과를 얻을 수 있는 메가소닉 세정장치를 제공하는 것이다.
도 1은 종래의 메가소닉 세정장치를 나타낸다.
도 2는 도 1의 장치에서 웨이퍼에 전달되는 에너지의 크기를 웨이퍼 상의 위치에 따라 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 메가소닉 세정장치의 상면도이다.
도 4는 도 3의 장치의 측단면도이다.
도 5는 도 3의 장치에서 에너지 전달 수단에 구비되는 홈을 설명하기 위한 사시도이다.
도 6은 도 3의 장치에서 웨이퍼에 전달되는 에너지의 크기를 웨이퍼 상의 위치에 따라 나타낸 도면이다.
도 7은 도 3의 장치에서 에너지 전달 수단에 구비될 수 있는 홈의 다른 예를 설명하기 위한 측단면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
110 : 압전변환기,115, 115' : 세정액,120 : 에너지 전달 수단,
120a : 전방부,120b : 후방부,120c : 선단,
120d : 홈
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 메가소닉 에너지를 발생시키는 압전변환기, 및 웨이퍼에 대하여 반경 방향으로 설치되며 상기 압전변환기에서 발생된 에너지를 상기 웨이퍼 상의 세정액에 전달하여 교반시키는 에너지 전달 수단을 포함한다. 상기 에너지 전달 수단은 상기 교반된 세정액의 흐름이 상기 웨이퍼의 반경 방향으로 균일한 에너지를 상기 웨이퍼에 인가하여 오염입자를 제거하도록 디자인된 것이 특징이다.
상기 에너지 전달 수단이 상기 웨이퍼의 반경 방향으로 균일한 에너지를 상기 웨이퍼에 인가하도록 디자인하기 위해서는, 상기 에너지 전달 수단의 상기 웨이퍼 상에서의 위치에 따라 상기 세정액과의 웨팅(wetting)양이 달라지도록 디자인하는 것이 바람직하다.
예를 들어, 상기 에너지 전달 수단은 선단, 길다란 전방부, 및 상기 전방부의 단면 직경보다 큰 단면 직경을 갖도록 플레어된 후방부를 갖는다. 그리고, 상기 에너지 전달 수단의 선단은 상기 웨이퍼 중심 상에 위치하게 된다. 특히, 상기 길다란 전방부는 그 상부에 상기 웨이퍼 에지에서의 에너지 집중현상을 방지하기 위해 형성된 홈을 구비하는 것이 바람직하다. 상기 홈은 상기 웨이퍼 에지에 해당되는 곳에서부터 상기 선단까지 형성된다. 그리고 상기 홈은 테이퍼(taper)진 홈으로서 반원뿔의 형상을 가지며 상기 웨이퍼 에지에 해당되는 곳에서 최대의 반경을 갖는 것이 바람직하다. 이러한 홈은 상기 세정액으로 채워져 상기 에너지 전달 수단이 진동할 때 상기 홈에 채워진 세정액으로 에너지가 일부 발산된다.
본 발명에 의하면, 에너지 전달 수단을 새롭게 디자인하여 웨이퍼에 균일한 에너지를 인가하게 하므로, 종래 웨이퍼 에지 부분에 에너지가 집중되는 문제를 해결할 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 기술하는 실시예에 한정되는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 발명은 첨부된 청구범위에 의해 정의되는 본 발명의 사상 및 범주 내에 포함될 수 있는 대안, 변형 및 등가를 포함한다. 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이며, 도면 상에서 동일한 부호로 표시된 요소는 동일한 요소를 의미한다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 메가소닉 세정장치의 상면도이고, 도 4는 측단면도이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 메가소닉 세정장치는 메가소닉 에너지를 발생시키는 압전변환기(110) 및 웨이퍼(130)에 대하여 반경 방향으로 설치되며 상기 압전변환기(110)에서 발생된 에너지를 상기 웨이퍼(130) 상의 세정액(115)에 전달하여 교반시키는 에너지 전달 수단(120)을 포함한다. 상기 에너지 전달 수단(120)에 의해 교반된 세정액(115)의 흐름은 상기 웨이퍼(130)에 에너지를 인가한다. 이 에너지에 의해 상기 웨이퍼(130) 상의 오염입자가 진동하여 제거된다.
상기 에너지 전달 수단(120)은 상기 압전변환기(110)에서 발생된 에너지를 효과적으로 전달하는 비교적 불활성인 비오염물질로 이루어지는 것이 바람직한데, 예를 들어 사파이어, 탄화규소, 질화붕소, 또는 탄소 유리(vitreous carbon)로 이루어질 수 있다. 또는 석영으로 이루어질 수 있다.
그리고 상기 에너지 전달 수단(120)은 상기 교반된 세정액(115)의 흐름이 상기 웨이퍼(130)에 균일한 에너지를 상기 웨이퍼에 인가하여 오염입자를 제거하도록 디자인된다. 이를 위해서 상기 에너지 전달 수단(120)의 상기 웨이퍼(130) 상에서의 위치에 따라 상기 세정액(115)과의 웨팅양이 달라지도록 디자인할 수 있다.
도면에 나타낸 바와 같이, 상기 에너지 전달 수단(120)은 로드(rod) 타입으로서 그 일단의 직경이 그 타단의 직경보다 작다. 상기 에너지 전달 수단(120)은 선단(120c), 길다란 전방부(120a), 및 상기 전방부(120a)의 단면 직경보다 큰 단면 직경을 갖도록 플레어된 후방부(120b)를 갖는다. 상기 선단(120c)은 상기 웨이퍼 중심(C) 상에 위치한다. 특히, 상기 전방부(120a)는 그 상부에 상기 웨이퍼 에지(E)에서의 에너지 집중현상을 방지하기 위해 형성된 홈(120d)을 구비한다. 이러한 홈(120d)은 세정액(115')으로 채워진다. 따라서, 상기 에너지 전달 수단(120)이 진동할 때 상기 홈(120d)에 채워진 세정액(115')으로 에너지가 일부 발산된다.
상기 세정액(115) 및 상기 웨이퍼(130)는 용기(150)에 수용된다. 그리고, 상기 에너지 전달 수단(120)의 길다란 전방부(120a)가 상기 용기 내에 설치된다. 상기 웨이퍼(130)를 지지하는 스핀플레이트(140)는 웨이퍼(130)를 회전시킨다. 상기 세정액(115)은 상기 웨이퍼(130) 상에 설치된 세정액 분무 노즐(160)로부터 상기 에너지 전달 수단(120)과 상기 웨이퍼 사이(130)에 도입된다. 세정액(115)은 특별히 제조된 다양한 화합물을 포함하는 특수 세정액일 수 있으며, 또는 대안적으로 일반 탈이온수일 수 있다.
도 5를 참조하여 상기 전방부(120a)에 구비된 홈(120d)을 더 상세히 설명하면 다음과 같다. 상기 홈(120d)은 상기 웨이퍼 에지(E)에 해당되는 곳에서부터 상기 선단(120c)까지 형성된다. 그리고 상기 홈(120d)은 테이퍼(taper)진 홈으로서 반원뿔의 형상을 가진다.
상기 홈(120d)은 상기 웨이퍼 에지(E)에 해당되는 곳에서 최대의 반경을 갖도록 형성된다. 따라서, 상기 홈(120d)에 채워진 세정액(115')으로 발산되는 에너지는 상기 웨이퍼 에지(E)에 해당되는 곳에서 최대이다. 즉, 웨이퍼 에지(E) 부분에서는 많은 양의 에너지가 웨이퍼가 에너지 전달 수단 상부의 매질로 발산되며, 웨이퍼 중심으로 갈수록 작은 양의 에너지가 에너지 전달 수단 상부의 매질로 발산하게 된다. 결국 웨이퍼로 전달되는 에너지 양이 웨이퍼 반경 방향으로 조절된다.
본 발명과 달리 종래에는 에너지 전달 수단의 웨이퍼 상에서의 위치에 따라 세정액과의 웨팅양이 동일하다. 따라서, 이미 언급한 바와 같이, 종래 에너지 전달 수단에 인가되는 에너지는 세정액과 최초로 접촉하는 웨이퍼 에지 부분에서 최대로 발산되며 이 때문에, 웨이퍼에 인가되는 에너지는 웨이퍼 에지로부터 멀어질수록 감소하게 되는 것이다.
본 실시예에서 상기 홈(120d)은 반원뿔 형상을 가지도록 디자인된 것인데, 이는 홈 형성 공정의 편의성도 다분히 고려한 것이다. 그러나, 본 발명의 사상을 구현하는 홈은 종래와 같은 에너지 불균일을 완전히 보상하기 위하여 얼마든지 다양한 형상을 가지도록 디자인될 수 있다. 그리고, 반원뿔 형상의 홈이라도 반경 및 깊이는 필요에 따라 얼마든지 다르게 정할 수 있다.
상기 홈(120d)을 적정하게 디자인하면, 도 6에 나타낸 바와 같은 에너지 분포를 얻을 수 있다. 즉, 상기 에너지 전달 수단(120)이 상기 세정액(115)을 매개로 하여 웨이퍼(30)에 인가하는 에너지의 크기는 상기 에너지 전달 수단(120)의 길이 방향, 즉 웨이퍼 에지(E)에서 웨이퍼 중심(C)에 이르기까지 일정하게 할 수 있다. 따라서, 종래의 메가소닉 세정장치에서의 웨이퍼 에지 부위의 에너지 집중현상을 개선할 수 있다. 원하는 세정 효과를 얻기에 충분할 정도로 에너지의 크기를 증가시켜도 에너지가 웨이퍼 상의 어느 한 부위에 집중되지 않으므로, 패턴 리프팅을 방지하면서 웨이퍼의 표면으로부터 오염입자를 효율적으로 제거할 수 있다.
상기 전방부(120a)에 웨이퍼 에지(E)에서의 에너지 집중현상을 방지하기 위해 구비되는 홈(120d)은 상기 웨이퍼 에지(E)에 해당되는 곳에서부터 상기 선단(120c)까지 형성되는 것이 일반적이다. 그러나, 도 7에 나타낸 바와 같이, 홈(120d')은 상기 웨이퍼 에지(E)에 해당되는 곳에서 갑자기 끝나지 않고 상기 웨이퍼 에지(E)에 해당되는 곳의 바깥쪽으로 점차 얕아지도록 처리할 수도 있다.
본 발명의 특정 실시예에 대한 이상의 설명은 예시 및 설명을 목적으로 제공되었다. 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러 가지 많은 수정 및 변형이 가능함은 명백하다. 이상의 실시예에서는 웨이퍼에 인가되는 에너지를 균일하게 하기 위하여, 홈을 구비하도록 디자인된 에너지 전달 수단의 예를 들었다. 그러나, 에너지 전달 수단은 본 발명의 기술적 과제를 해결하는 범위 내에서 얼마든지 다양한 형태로 구현될 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 범주는 첨부된 청구범위 및 그들의 등가물에 의해 정해져야 할 것이다.
이상 상술한 바와 같이, 본 발명에 따르면 웨이퍼 에지 부위의 에너지 집중현상을 개선하여 웨이퍼 상에 균일한 에너지를 인가할 수 있다. 따라서, 원하는 세정 효과를 얻기에 충분할 정도로 에너지의 크기를 증가시켜도 에너지가 웨이퍼 상의 어느 한 부위에 집중되지 않으므로, 패턴 리프팅을 방지하면서 웨이퍼의 표면으로부터 오염입자를 효율적으로 제거할 수 있다.

Claims (16)

  1. 메가소닉 에너지를 발생시키는 압전변환기(piezoelectric transducer); 및
    웨이퍼에 대하여 반경 방향으로 설치되며, 상기 압전변환기에서 발생된 에너지를 상기 웨이퍼 상의 세정액에 전달하여 교반시키는 에너지 전달 수단을 포함하고,
    상기 에너지 전달 수단은 상기 교반된 세정액의 흐름이 상기 웨이퍼의 반경 방향으로 균일한 에너지를 상기 웨이퍼에 인가하여 오염입자를 제거하도록 디자인된 것을 특징으로 하는 메가소닉 세정장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 에너지 전달 수단은 상기 웨이퍼 상에서의 위치에 따라 상기 세정액과의 웨팅(wetting)양이 달라지도록 디자인된 것을 특징으로 하는 메가소닉 세정장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 에너지 전달 수단은 상기 압전변환기에서 발생된 에너지를 효과적으로 전달하는 비교적 불활성인 비오염물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 메가소닉 세정장치.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 비오염물질은 사파이어, 탄화규소, 질화붕소, 또는탄소 유리(vitreous carbon)인 것을 특징으로 하는 메가소닉 세정장치.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 에너지 전달 수단은 석영으로 이루어진 것을 특징으로 하는 메가소닉 세정장치.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 에너지 전달 수단은 로드(rod) 타입으로서 상기 에너지 전달 수단 일단의 직경이 상기 에너지 전달 수단 타단의 직경보다 작은 것을 특징으로 하는 메가소닉 세정장치.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 에너지 전달 수단은 선단, 길다란 전방부, 및 상기 전방부의 단면 직경보다 큰 단면 직경을 갖도록 플레어된 후방부를 갖는 것을 특징으로 하는 메가소닉 세정장치.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 에너지 전달 수단의 선단은 상기 웨이퍼 중심 상에 위치하는 것을 특징으로 하는 메가소닉 세정장치.
  9. 제 6 항에 있어서, 상기 길다란 전방부는 그 상부에 상기 웨이퍼 에지에서의 에너지 집중현상을 방지하기 위해 형성된 홈을 구비하는 것을 특징으로 하는 메가소닉 세정장치.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 홈은 상기 웨이퍼 에지에 해당되는 곳에서부터 상기 선단까지 형성된 것을 특징으로 하는 메가소닉 세정장치.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 홈은 테이퍼(taper)진 홈으로서 반원뿔의 형상을 가지며 상기 웨이퍼 에지에 해당되는 곳에서 최대의 반경을 갖는 것을 특징으로 하는 메가소닉 세정장치.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 홈이 상기 웨이퍼 에지에 해당되는 곳에서 갑자기 끝나지 않고 상기 웨이퍼 에지에 해당되는 곳의 바깥쪽으로 점차 얕아지도록 처리된 것을 특징으로 하는 메가소닉 세정장치.
  13. 제 9 항 내지 제 12 항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 홈은 상기 세정액으로 채워져 상기 에너지 전달 수단이 진동할 때 상기 홈에 채워진 세정액으로 에너지가 일부 발산되도록 하는 것을 특징으로 하는 메가소닉 세정장치.
  14. 제 7 항에 있어서, 상기 세정액 및 웨이퍼를 수용하는 용기를 더 포함하고, 상기 에너지 전달 수단의 길다란 전방부가 상기 용기 내에 설치되는 것을 특징으로 하는 메가소닉 세정장치.
  15. 제 14 항에 있어서, 상기 용기 내에서 상기 웨이퍼를 지지하여 회전시킬 수있는 스핀플레이트를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 메가소닉 세정장치.
  16. 제 14 항에 있어서, 상기 에너지 전달 수단과 상기 웨이퍼 사이에 세정액을 도입하기 위하여 상기 웨이퍼 상에 설치된 세정액 분무 노즐을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 메가소닉 세정장치.
KR10-2002-0015906A 2002-03-23 2002-03-23 반도체 소자 제조에 이용되는 메가소닉 세정장치 KR100493016B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2002-0015906A KR100493016B1 (ko) 2002-03-23 2002-03-23 반도체 소자 제조에 이용되는 메가소닉 세정장치
US10/217,006 US7017597B2 (en) 2002-03-23 2002-08-12 Megasonic cleaning apparatus for fabricating semiconductor device
CNB021434352A CN1329959C (zh) 2002-03-23 2002-09-25 用于制造半导体器件的强声波清洗设备
JP2002290284A JP4065175B2 (ja) 2002-03-23 2002-10-02 メガソニック洗浄装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2002-0015906A KR100493016B1 (ko) 2002-03-23 2002-03-23 반도체 소자 제조에 이용되는 메가소닉 세정장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20030076898A true KR20030076898A (ko) 2003-09-29
KR100493016B1 KR100493016B1 (ko) 2005-06-07

Family

ID=28036174

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2002-0015906A KR100493016B1 (ko) 2002-03-23 2002-03-23 반도체 소자 제조에 이용되는 메가소닉 세정장치

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7017597B2 (ko)
JP (1) JP4065175B2 (ko)
KR (1) KR100493016B1 (ko)
CN (1) CN1329959C (ko)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100459710B1 (ko) * 2002-04-15 2004-12-04 삼성전자주식회사 웨이퍼 세정 장비
KR100578139B1 (ko) * 2004-10-05 2006-05-10 삼성전자주식회사 세정 프로브 및 이를 구비하는 메가소닉 세정 장비
KR100870525B1 (ko) * 2007-08-24 2008-11-26 세메스 주식회사 기판 세정 장치
KR100927028B1 (ko) * 2007-12-04 2009-11-17 세메스 주식회사 초음파 노즐 및 이를 포함하는 기판 세정 장치

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100445259B1 (ko) * 2001-11-27 2004-08-21 삼성전자주식회사 세정방법 및 이를 수행하기 위한 세정 장치
KR100576823B1 (ko) * 2003-10-22 2006-05-10 삼성전자주식회사 기판세정장치
JP4519541B2 (ja) * 2004-06-24 2010-08-04 株式会社東芝 超音波洗浄装置
US8721906B2 (en) * 2008-06-09 2014-05-13 Poco Graphite, Inc. Method to increase yield and reduce down time in semiconductor fabrication units by preconditioning components using sub-aperture reactive atom etch
CN109346427B (zh) * 2018-11-29 2021-01-22 北京半导体专用设备研究所（中国电子科技集团公司第四十五研究所） 清洗装置及半导体晶圆清洗设备
CN114054429B (zh) * 2022-01-11 2022-04-01 北京东方金荣超声电器有限公司 大尺寸晶圆兆声清洗***

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2806328A (en) * 1952-01-31 1957-09-17 Council Scient Ind Res Vibratory tools
US2889580A (en) * 1956-11-08 1959-06-09 Wald Ind Inc Manufacture of spherical particles
US2891180A (en) * 1957-08-19 1959-06-16 Aeroprojects Inc Support for vibratory devices
US2891178A (en) * 1957-08-19 1959-06-16 Aeroprojects Inc Support for vibratory devices
US3088343A (en) * 1961-04-28 1963-05-07 Cavitron Ultrasonics Inc Ultrasonic seam welding apparatus
US3103310A (en) * 1961-11-09 1963-09-10 Exxon Research Engineering Co Sonic atomizer for liquids
US3325348A (en) * 1964-09-24 1967-06-13 Fitchburg Paper Ultrasonic device for placing materials in suspension
US3375820A (en) * 1965-12-15 1968-04-02 Cavitron Corp Method and apparatus for ultrasonic cleaning of teeth
JPS5275891A (en) * 1975-12-20 1977-06-25 Lion Dentifrice Co Ltd Caries preventive ultrasonic wave unit
US4176454A (en) * 1977-04-25 1979-12-04 Biosonics International, Ltd. Ultrasonic tooth cleaner
US4131505A (en) * 1977-12-12 1978-12-26 Dukane Corporation Ultra-sonic horn
CA1114770A (en) * 1979-07-18 1981-12-22 Anthony J. Last Fabric treatment with ultrasound
US4504264A (en) * 1982-09-24 1985-03-12 Kelman Charles D Apparatus for and method of removal of material using ultrasonic vibraton
US4607185A (en) * 1985-02-01 1986-08-19 American Hospital Supply Corporation Ultrasonic horn assembly
US4757227A (en) * 1986-03-24 1988-07-12 Intersonics Incorporated Transducer for producing sound of very high intensity
JPS6427550A (en) * 1987-07-24 1989-01-30 Olympus Optical Co Ultrasonic crushing apparatus
CA2016583A1 (en) * 1989-05-15 1990-11-15 Harold F. Staunton Ultrasonic probe
JPH0482219A (ja) * 1990-07-24 1992-03-16 Mitsubishi Electric Corp 洗浄装置
US5390013A (en) * 1993-11-24 1995-02-14 Xerox Corporation Ultrasonic fusing (ultra-fuse) process
WO1998001896A1 (fr) * 1996-07-03 1998-01-15 Ultraclean Technology Research Institute Appareil de lavage et procede de lavage
DE19629705A1 (de) * 1996-07-24 1998-01-29 Joachim Dr Scheerer Verfahren und Vorrichtung zur Reinigung von scheibenförmigen Gegenständen, insbesondere Wafern, mit Ultraschall und Wasser als Spülmedium
US6039059A (en) * 1996-09-30 2000-03-21 Verteq, Inc. Wafer cleaning system
JPH10323635A (ja) * 1997-05-26 1998-12-08 Sony Corp 超音波洗浄装置
US5975094A (en) * 1997-11-26 1999-11-02 Speedfam Corporation Method and apparatus for enhanced cleaning of a workpiece with mechanical energy
US6165150A (en) * 1997-12-29 2000-12-26 Surgical Design Corporation Tips for ultrasonic handpiece
JP4481394B2 (ja) * 1999-08-13 2010-06-16 株式会社荏原製作所 半導体基板の洗浄装置及びその洗浄方法
JP2002280343A (ja) * 2001-03-15 2002-09-27 Nec Corp 洗浄処理装置、切削加工装置
US6723110B2 (en) * 2001-04-19 2004-04-20 Synergetics, Inc. High efficiency ultrasonic surgical aspiration tip
DE60218163T2 (de) * 2001-06-12 2007-11-22 Akrion Technologies Inc., Wilmington Megaschallreinigungs- und trocknungsvorrichtung
KR100766460B1 (ko) * 2001-07-16 2007-10-15 씨앤지하이테크 주식회사 웨이퍼 클리닝장치
US6679272B2 (en) * 2001-08-03 2004-01-20 Verteq, Inc. Megasonic probe energy attenuator
US7287537B2 (en) * 2002-01-29 2007-10-30 Akrion Technologies, Inc. Megasonic probe energy director
US6843257B2 (en) * 2002-04-25 2005-01-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Wafer cleaning system

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100459710B1 (ko) * 2002-04-15 2004-12-04 삼성전자주식회사 웨이퍼 세정 장비
KR100578139B1 (ko) * 2004-10-05 2006-05-10 삼성전자주식회사 세정 프로브 및 이를 구비하는 메가소닉 세정 장비
US7412982B2 (en) 2004-10-05 2008-08-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Cleaning probe and megasonic cleaning apparatus having the same
KR100870525B1 (ko) * 2007-08-24 2008-11-26 세메스 주식회사 기판 세정 장치
KR100927028B1 (ko) * 2007-12-04 2009-11-17 세메스 주식회사 초음파 노즐 및 이를 포함하는 기판 세정 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR100493016B1 (ko) 2005-06-07
JP2003297787A (ja) 2003-10-17
JP4065175B2 (ja) 2008-03-19
US7017597B2 (en) 2006-03-28
CN1329959C (zh) 2007-08-01
CN1447392A (zh) 2003-10-08
US20030178049A1 (en) 2003-09-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6679272B2 (en) Megasonic probe energy attenuator
KR101060542B1 (ko) 반도체웨이퍼표면에 근접하여 고정된 다수의 입구 및 출구를 사용하여 반도체웨이퍼표면을 건조하는 방법 및 장치
KR900005119B1 (ko) 기판처리용 스피너(spinner)
EP1583137B1 (en) Substrate meniscus interface and methods for operation
KR100493016B1 (ko) 반도체 소자 제조에 이용되는 메가소닉 세정장치
KR100473475B1 (ko) 기판 세정 장치
US20080264442A1 (en) Method of cleaning substrates utilizing megasonic energy
JP2001053047A (ja) 半導体基板の洗浄装置及びその洗浄方法
US20090235952A1 (en) Device and method for wet treating plate-like substrates
US8402980B2 (en) Apparatus and method of generating ultrasonic vibration and apparatus and method of cleaning a wafer using the same
KR101055997B1 (ko) 반도체웨이퍼표면에 근접하여 고정된 다수의 입구 및 출구를 사용하여 반도체웨이퍼표면을 건조하는 방법 및 장치
KR100598112B1 (ko) 이중 세정 프로브를 갖는 초음파 세정 장치 및 세정 방법
US20030192571A1 (en) Apparatus and method for cleaning a semiconductor wafer
KR100927028B1 (ko) 초음파 노즐 및 이를 포함하는 기판 세정 장치
KR100927029B1 (ko) 트랜스듀서 및 이를 포함하는 기판 세정 장치
JPH10154677A (ja) 半導体集積回路装置の製造方法および製造装置
KR20070073311A (ko) 웨이퍼 초음파 세정장치 및 이를 이용한 웨이퍼 세정방법
KR100938249B1 (ko) 초음파 발생 장치 및 이를 포함하는 기판 세정 장치
KR100899875B1 (ko) 기판 세정 장치 및 기판 세정 방법
KR100954566B1 (ko) 트랜스미터 및 이를 포함하는 기판 세정 장치
JPS62286231A (ja) 洗浄装置
JP2009188035A (ja) 洗浄装置
KR20110062026A (ko) 기판 세정 장치
JP2004063520A (ja) ドライ洗浄装置及びドライ洗浄方法
JP2010010652A (ja) 枚葉式洗浄装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120430

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130430

Year of fee payment: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee