JP4519541B2 - 超音波洗浄装置 - Google Patents
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- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 title claims description 60
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 92
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 70
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 65
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 7
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 6
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 6
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 6
- 239000000110 cooling liquid Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N dioxido(oxo)titanium;lead(2+) Chemical compound [Pb+2].[O-][Ti]([O-])=O NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000011086 high cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 2
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
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- H—ELECTRICITY
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
- B08B3/12—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration by sonic or ultrasonic vibrations
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
- Y10S134/902—Semiconductor wafer
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Description
(5) 超音波付与ヘッドにより被洗浄物の被洗浄面上の洗浄液に超音波を付与して、上記被洗浄面を超音波洗浄する超音波洗浄装置において、上記超音波付与ヘッドは、一定の長さを有する直線状に構成され、一端である第1の面と、上記第1の面と反対側の他端に位置する第2の面とを有し、上記第1の面に、その一幅方向の中心部に行くにつれて突出するように設けられた曲面を備える超音波伝達手段と、上記超音波伝達手段の第2の面に設けられ、上記超音波伝達手段を介して上記被洗浄面上の洗浄液に超音波を付与する超音波振動子と、を具備し、上記超音波伝達手段の内部には、その幅方向の中心部に沿って、長穴状の空間部が形成されていて、かつ上記空間部は、上記第1の面の曲面の径方向中心部が、上記被洗浄物の被洗浄面に対向するようにして、上記超音波付与ヘッドが上記被洗浄物の上方に配置されたときに、上記超音波伝達手段の上方に位置する上記超音波振動子と、上記被洗浄物の被洗浄面との間に位置することを特徴とする。
(6) 超音波付与ヘッドにより被洗浄物の被洗浄面上の洗浄液に超音波を付与して、上記被洗浄面を超音波洗浄する超音波洗浄装置において、上記超音波付与ヘッドは、一定の長さを有する直線状に構成され、一端である第1の面と、上記第1の面と反対側の他端に位置する第2の面とを有し、上記第1の面に、その一幅方向の中心部に行くにつれて突出するように設けられた曲面を備える超音波伝達手段と、上記超音波伝達手段の第2の面に設けられ、上記超音波伝達手段を介して上記被洗浄面上の洗浄液に超音波を付与する超音波振動子と、を具備し、上記超音波伝達手段には、その幅方向の中心部に沿って、超音波を吸収する材料が埋め込まれていて、かつ上記材料は、上記第1の面の曲面の径方向中心部が、上記被洗浄物の被洗浄面に対向するようにして、上記超音波付与ヘッドが上記被洗浄物の上方に配置されたときに、上記超音波伝達手段の上方に位置する上記超音波振動子と、上記被洗浄物の被洗浄面との間に位置することを特徴とする。
洗浄液:脱気水、
超音波振動子25に供給する電力:15[W]、
超音波の出力波形:連続波。
洗浄液:脱気水、
超音波振動子25に供給する電力15[W]、
測定範囲:50[mm]×50[mm]の正方形内。
洗浄液:脱気水、
測定位置:超音波振動子の中心部、
サンプリング:1[sec]。
洗浄液:脱気水、
超音波振動子25に供給する電力:20[W]、
測定位置:超音波振動子25の中心部、
サンプリング:1[sec]。
Claims (6)
- 超音波付与ヘッドにより被洗浄物の被洗浄面上の洗浄液に超音波を付与して、上記被洗浄面を超音波洗浄する超音波洗浄装置において、
上記超音波付与ヘッドは、
一端である第1の面と、上記第1の面と反対側の他端に位置する第2の面とを有し、上記第1の面に、その径方向中心部に行くにつれて突出するように設けられた曲面を備える超音波伝達手段と、
上記超音波伝達手段の第2の面に設けられ、上記超音波伝達手段を介して上記被洗浄面上の洗浄液に超音波を付与する超音波振動子と、を具備し、
上記超音波伝達手段の径方向中心部には、切欠き部が形成されていて、かつ上記切欠き部は、上記第1の面の曲面の径方向中心部が、上記被洗浄物の被洗浄面に対向するようにして、上記超音波付与ヘッドが上記被洗浄物の上方に配置されたときに、上記超音波伝達手段の上方に位置する上記超音波振動子と、上記被洗浄物の被洗浄面との間に位置することを特徴とする超音波洗浄装置。 - 超音波付与ヘッドにより被洗浄物の被洗浄面上の洗浄液に超音波を付与して、上記被洗浄面を超音波洗浄する超音波洗浄装置において、
上記超音波付与ヘッドは、
一端である第1の面と、上記第1の面と反対側の他端に位置する第2の面とを有し、上記第1の面に、その径方向中心部に行くにつれて突出するように設けられた曲面を備える超音波伝達手段と、
上記超音波伝達手段の第2の面に設けられ、上記超音波伝達手段を介して上記被洗浄面上の洗浄液に超音波を付与する超音波振動子と、を具備し、
上記超音波伝達手段の内部には、上記第1の面の径方向中心部を通る軸心線上の位置に空間部が形成されていて、かつ上記空間部は、上記第1の面の曲面の径方向中心部が、上記被洗浄物の被洗浄面に対向するようにして、上記超音波付与ヘッドが上記被洗浄物の上方に配置されたときに、上記超音波伝達手段の上方に位置する上記超音波振動子と、上記被洗浄物の被洗浄面との間に位置することを特徴とする超音波洗浄装置。 - 超音波付与ヘッドにより被洗浄物の被洗浄面上の洗浄液に超音波を付与して、上記被洗浄面を超音波洗浄する超音波洗浄装置において、
上記超音波付与ヘッドは、
一端である第1の面と、上記第1の面と反対側の他端に位置する第2の面とを有し、上記第1の面に、その径方向中心部に行くにつれて突出するように設けられた曲面を備える超音波伝達手段と、
上記超音波伝達手段の第2の面に設けられ、上記超音波伝達手段を介して上記被洗浄面上の洗浄液に超音波を付与する超音波振動子と、を具備し、
上記超音波伝達手段には、上記第1の面の径方向中心部を通る軸心線上に超音波を吸収する材料が埋め込まれていて、かつ上記材料は、上記第1の面の曲面の径方向中心部が、上記被洗浄物の被洗浄面に対向するようにして、上記超音波付与ヘッドが上記被洗浄物の上方に配置されたときに、上記超音波伝達手段の上方に位置する上記超音波振動子と、上記被洗浄物の被洗浄面との間に位置することを特徴とする超音波洗浄装置。 - 超音波付与ヘッドにより被洗浄物の被洗浄面上の洗浄液に超音波を付与して、上記被洗浄面を超音波洗浄する超音波洗浄装置において、
上記超音波付与ヘッドは、
一定の長さを有する直線状に構成され、一端である第1の面と、上記第1の面と反対側の他端に位置する第2の面とを有し、上記第1の面に、その一幅方向の中心部に行くにつれて突出するように設けられた曲面を備える超音波伝達手段と、
上記超音波伝達手段の第2の面に設けられ、上記超音波伝達手段を介して上記被洗浄面上の洗浄液に超音波を付与する超音波振動子と、を具備し、
上記超音波伝達手段の幅方向の中心部に沿って、線状の切欠き部が形成されていて、かつ上記切欠き部は、上記第1の面の曲面の径方向中心部が、上記被洗浄物の被洗浄面に対向するようにして、上記超音波付与ヘッドが上記被洗浄物の上方に配置されたときに、上記超音波伝達手段の上方に位置する上記超音波振動子と、上記被洗浄物の被洗浄面との間に位置することを特徴とする超音波洗浄装置。 - 超音波付与ヘッドにより被洗浄物の被洗浄面上の洗浄液に超音波を付与して、上記被洗浄面を超音波洗浄する超音波洗浄装置において、
上記超音波付与ヘッドは、
一定の長さを有する直線状に構成され、一端である第1の面と、上記第1の面と反対側の他端に位置する第2の面とを有し、上記第1の面に、その一幅方向の中心部に行くにつれて突出するように設けられた曲面を備える超音波伝達手段と、
上記超音波伝達手段の第2の面に設けられ、上記超音波伝達手段を介して上記被洗浄面上の洗浄液に超音波を付与する超音波振動子と、を具備し、
上記超音波伝達手段の内部には、その幅方向の中心部に沿って、長穴状の空間部が形成されていて、かつ上記空間部は、上記第1の面の曲面の径方向中心部が、上記被洗浄物の被洗浄面に対向するようにして、上記超音波付与ヘッドが上記被洗浄物の上方に配置されたときに、上記超音波伝達手段の上方に位置する上記超音波振動子と、上記被洗浄物の被洗浄面との間に位置することを特徴とする超音波洗浄装置。 - 超音波付与ヘッドにより被洗浄物の被洗浄面上の洗浄液に超音波を付与して、上記被洗浄面を超音波洗浄する超音波洗浄装置において、
上記超音波付与ヘッドは、
一定の長さを有する直線状に構成され、一端である第1の面と、上記第1の面と反対側の他端に位置する第2の面とを有し、上記第1の面に、その一幅方向の中心部に行くにつれて突出するように設けられた曲面を備える超音波伝達手段と、
上記超音波伝達手段の第2の面に設けられ、上記超音波伝達手段を介して上記被洗浄面上の洗浄液に超音波を付与する超音波振動子と、を具備し、
上記超音波伝達手段には、その幅方向の中心部に沿って、超音波を吸収する材料が埋め込まれていて、かつ上記材料は、上記第1の面の曲面の径方向中心部が、上記被洗浄物の被洗浄面に対向するようにして、上記超音波付与ヘッドが上記被洗浄物の上方に配置されたときに、上記超音波伝達手段の上方に位置する上記超音波振動子と、上記被洗浄物の被洗浄面との間に位置することを特徴とする超音波洗浄装置。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004186500A JP4519541B2 (ja) | 2004-06-24 | 2004-06-24 | 超音波洗浄装置 |
TW094120722A TWI280161B (en) | 2004-06-24 | 2005-06-22 | Ultrasonic cleaning apparatus |
US11/159,199 US20050284509A1 (en) | 2004-06-24 | 2005-06-23 | Ultrasonic cleaning apparatus |
KR1020050054217A KR100777854B1 (ko) | 2004-06-24 | 2005-06-23 | 초음파 세정 장치 |
CN2005100823847A CN1712144B (zh) | 2004-06-24 | 2005-06-24 | 超声波清洗装置 |
US11/870,272 US20080029132A1 (en) | 2004-06-24 | 2007-10-10 | Ultrasonic cleaning apparatus |
US12/248,514 US7814919B2 (en) | 2004-06-24 | 2008-10-09 | Ultrasonic cleaning apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004186500A JP4519541B2 (ja) | 2004-06-24 | 2004-06-24 | 超音波洗浄装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006007066A JP2006007066A (ja) | 2006-01-12 |
JP4519541B2 true JP4519541B2 (ja) | 2010-08-04 |
Family
ID=35504290
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004186500A Expired - Fee Related JP4519541B2 (ja) | 2004-06-24 | 2004-06-24 | 超音波洗浄装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US20050284509A1 (ja) |
JP (1) | JP4519541B2 (ja) |
KR (1) | KR100777854B1 (ja) |
CN (1) | CN1712144B (ja) |
TW (1) | TWI280161B (ja) |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101206776B1 (ko) * | 2006-06-09 | 2012-11-30 | 주식회사 케이씨텍 | 기판 코팅 장치의 프라이밍 롤러 세정 유닛 및 세정 방법과 상기 세정 유닛을 포함하는 기판 코팅 장치 |
KR101049300B1 (ko) * | 2006-09-22 | 2011-07-13 | 가부시끼가이샤가이죠 | 초음파 세정장치 |
US9070722B2 (en) * | 2006-10-17 | 2015-06-30 | Akrion Systems, Llc | System and method for the sonic-assisted cleaning of substrates utilizing a sonic-treated liquid |
KR100840974B1 (ko) * | 2007-08-07 | 2008-06-24 | 세메스 주식회사 | 초음파 발생장치 및 이를 갖는 기판 세정 장치 |
KR100931856B1 (ko) | 2007-08-24 | 2009-12-15 | 세메스 주식회사 | 기판 세정 장치 및 기판 세정 방법 |
KR100887226B1 (ko) * | 2007-09-19 | 2009-03-06 | 세메스 주식회사 | 초음파 진동 생성 장치 및 방법 그리고 웨이퍼 세정 장치및 방법 |
TWI394664B (zh) * | 2009-07-01 | 2013-05-01 | Ind Tech Res Inst | 噴墨頭清洗裝置及方法 |
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- 2005-06-24 CN CN2005100823847A patent/CN1712144B/zh not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20050284509A1 (en) | 2005-12-29 |
US20090044844A1 (en) | 2009-02-19 |
US7814919B2 (en) | 2010-10-19 |
KR100777854B1 (ko) | 2007-11-21 |
KR20060048481A (ko) | 2006-05-18 |
US20080029132A1 (en) | 2008-02-07 |
CN1712144A (zh) | 2005-12-28 |
TWI280161B (en) | 2007-05-01 |
JP2006007066A (ja) | 2006-01-12 |
TW200610593A (en) | 2006-04-01 |
CN1712144B (zh) | 2010-05-26 |
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Legal Events
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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