JPS62286231A - 洗浄装置 - Google Patents
洗浄装置Info
- Publication number
- JPS62286231A JPS62286231A JP13067586A JP13067586A JPS62286231A JP S62286231 A JPS62286231 A JP S62286231A JP 13067586 A JP13067586 A JP 13067586A JP 13067586 A JP13067586 A JP 13067586A JP S62286231 A JPS62286231 A JP S62286231A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cleaning
- diaphragm
- high frequency
- wafer
- oscillating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 78
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 30
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 abstract description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 4
- 230000005484 gravity Effects 0.000 abstract description 2
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 abstract 2
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 abstract 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 22
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 11
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 7
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 3
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- -1 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
3、発明の詳細な説明
[産業上の利用分野]
本発明は、洗浄装置に関し、特に高清浄度が要求される
半導体ウェハ、金属製磁気ディスク等の洗浄に適した洗
浄装置に係わる [従来の技術] 半導体装置の製造工程の一つとして、洗浄工程がある。
半導体ウェハ、金属製磁気ディスク等の洗浄に適した洗
浄装置に係わる [従来の技術] 半導体装置の製造工程の一つとして、洗浄工程がある。
この洗浄は、洗浄液による半導体ウエノ1のエツチング
作用等を利用して■ウェハ表面の汚染層を除去して清浄
面を作る、■ウェハ表面を平滑に仕上げる、■所定の厚
さ、形状にエツチングする、等の目的を達成するために
行われる。
作用等を利用して■ウェハ表面の汚染層を除去して清浄
面を作る、■ウェハ表面を平滑に仕上げる、■所定の厚
さ、形状にエツチングする、等の目的を達成するために
行われる。
ところで、従来、半導体ウェハの洗浄には洗浄槽内に加
温した洗浄液を収容した装置を使用し、該洗浄液に複数
枚のウェハをカセットに収納した状態で浸漬し、洗浄す
ることが行われている。しかしながら、かかる洗浄装置
を使用した場合にはウェハ表面の汚染物質が洗浄液に対
し化学的に不溶なものが多いため、高い清浄度のウェハ
を得ることが困難であった。また、洗浄液のライフタイ
ムが短く、かつ無数の気泡発生により洗浄性能が不安定
になる。更に、カセットとウェハの接触面に洗浄液等の
よどみが発生し、該接触面付近のウェハの洗浄効果が悪
化するという問題があった。
温した洗浄液を収容した装置を使用し、該洗浄液に複数
枚のウェハをカセットに収納した状態で浸漬し、洗浄す
ることが行われている。しかしながら、かかる洗浄装置
を使用した場合にはウェハ表面の汚染物質が洗浄液に対
し化学的に不溶なものが多いため、高い清浄度のウェハ
を得ることが困難であった。また、洗浄液のライフタイ
ムが短く、かつ無数の気泡発生により洗浄性能が不安定
になる。更に、カセットとウェハの接触面に洗浄液等の
よどみが発生し、該接触面付近のウェハの洗浄効果が悪
化するという問題があった。
このようなことから、洗浄液が収容された洗浄槽の底部
に厚さ2〜3賠のステンレス製振動阪を該洗浄液と直接
接触するように配置し、かつ該振動板に28kHz〜2
00kHzの周波数が供給される振動子を取着した構造
の洗浄装置が開発されている。かかる洗浄装置によれば
、前述した問題点を解消できる。しかしながら、前記洗
浄装置では数μm以上の汚染物質しか除去できず、それ
より微細な0.3μm程度の汚染物質の除去が困難であ
った。また、上記周波数で振動する振動子及び振動板を
介して超音波を洗浄液に加えた場合には、キャビテーシ
ョンによりウェハ表面にダメージを発生させる問題があ
った。更に、ウェハ表面に超音波の特長である分散、凝
集作用による汚染物質の集合を生じる問題があった。
に厚さ2〜3賠のステンレス製振動阪を該洗浄液と直接
接触するように配置し、かつ該振動板に28kHz〜2
00kHzの周波数が供給される振動子を取着した構造
の洗浄装置が開発されている。かかる洗浄装置によれば
、前述した問題点を解消できる。しかしながら、前記洗
浄装置では数μm以上の汚染物質しか除去できず、それ
より微細な0.3μm程度の汚染物質の除去が困難であ
った。また、上記周波数で振動する振動子及び振動板を
介して超音波を洗浄液に加えた場合には、キャビテーシ
ョンによりウェハ表面にダメージを発生させる問題があ
った。更に、ウェハ表面に超音波の特長である分散、凝
集作用による汚染物質の集合を生じる問題があった。
[発明が解決しようとする問題点コ
本発明は、上記従来の問題点を解決するためになされた
もので、ウェハ等の被処理物表面に付着した0、3μm
前後の微細な汚染物質をも効果的に除去でき、しかも被
処理物へのキャビテーションによるダメージの発生を防
止した洗浄装置を提供しようとするものである。
もので、ウェハ等の被処理物表面に付着した0、3μm
前後の微細な汚染物質をも効果的に除去でき、しかも被
処理物へのキャビテーションによるダメージの発生を防
止した洗浄装置を提供しようとするものである。
[問題点を解決するための手段及び作用]本発明者は、
高融点金属が耐薬品性に優れ、かつ高張力で機械的強度
に優れて従来の振動板に使用されたステンレスに比べて
薄くすることが可能であり、更に振動子との関係で振動
変換効率が高いことに着目し、該高融点金属より振動板
を形成し、かつ該振動板の厚さを所定の範囲に規定する
ことによって、600〜1000kHzの高周波が付与
される振動子からの振動で良好に共鳴して同周波数の超
音波を洗浄槽内の洗浄液に与えることができ、洗浄液内
の被処理物の表面に付着した微細(0,3μm前後)の
汚染物質を効果的に除去できると共に、キャビテーショ
ンによる被処理物表面のダメージ発生を防止できる洗浄
装置を見出した。
高融点金属が耐薬品性に優れ、かつ高張力で機械的強度
に優れて従来の振動板に使用されたステンレスに比べて
薄くすることが可能であり、更に振動子との関係で振動
変換効率が高いことに着目し、該高融点金属より振動板
を形成し、かつ該振動板の厚さを所定の範囲に規定する
ことによって、600〜1000kHzの高周波が付与
される振動子からの振動で良好に共鳴して同周波数の超
音波を洗浄槽内の洗浄液に与えることができ、洗浄液内
の被処理物の表面に付着した微細(0,3μm前後)の
汚染物質を効果的に除去できると共に、キャビテーショ
ンによる被処理物表面のダメージ発生を防止できる洗浄
装置を見出した。
即ち、本発明は洗浄液が収容された洗浄槽と、この洗浄
槽の底部又は側壁に前記洗浄液と直接接触するように配
置された高融点金属からなる厚さ0.1〜0.5mmの
振動板と、この振動板の外面に取着され、600〜10
00kHzの高周波にて振動される振動子とを具備した
ことを特徴とする洗浄装置である。
槽の底部又は側壁に前記洗浄液と直接接触するように配
置された高融点金属からなる厚さ0.1〜0.5mmの
振動板と、この振動板の外面に取着され、600〜10
00kHzの高周波にて振動される振動子とを具備した
ことを特徴とする洗浄装置である。
上記振動板を形成するための高融点金属としては、タン
タル、モリブデン、チタン、タングステン等を上げるこ
とができる。特に、タンタルは他の高融点金属に比べて
高張力性に優れ、かつ振動子との関係で振動変換効率が
高いため有効である。
タル、モリブデン、チタン、タングステン等を上げるこ
とができる。特に、タンタルは他の高融点金属に比べて
高張力性に優れ、かつ振動子との関係で振動変換効率が
高いため有効である。
上記摂動板の厚さを限定した理由は、その厚さを0.1
日未満にすると強度がもたなくなり、かといってその厚
さが1.5mmを越えると前記周波数の範囲で振動する
振動子との共鳴効率が低下し、振動が減衰し易くなるか
らである。振動板のより好ましい厚さは、0.2〜0.
3Mである。
日未満にすると強度がもたなくなり、かといってその厚
さが1.5mmを越えると前記周波数の範囲で振動する
振動子との共鳴効率が低下し、振動が減衰し易くなるか
らである。振動板のより好ましい厚さは、0.2〜0.
3Mである。
上記振動子に付与する高周波の値を限定した理由は、8
00kHz未満にすると被処理物表面に付着した微細な
汚染物質を効果的に除去できなくなり、かといって10
00kHzを越えると振動板の厚さとの関係で該振動板
への共鳴効率が低下し、振動が減衰し易くなるからであ
る。
00kHz未満にすると被処理物表面に付着した微細な
汚染物質を効果的に除去できなくなり、かといって10
00kHzを越えると振動板の厚さとの関係で該振動板
への共鳴効率が低下し、振動が減衰し易くなるからであ
る。
[発明の実施例]
以下、本発明の実施例を第1図及び第2図を参照して詳
細に説明する。
細に説明する。
図中の1は、上部に矩形リング状のフランジ2を有する
基台である。この基台1のフランジ2上には、例えばポ
リプロピレンからなる洗浄槽3が設置されている。この
洗浄槽3は、同志的に配置された大小の矩形状筒部48
%4bと、これら筒部4a、4b間の下部に一体的に設
けられ前記基台1のフランジ2と当接される矩形リング
板5とから構成されている。また、前記基台1の上面と
前記洗浄槽3の底面との間には例えば厚さ0. 2順の
矩形状をなすタンタル製振動板6が配置されている。前
記洗浄槽3は、基台1に対して前記リング板5、前記振
動板6及びフランジ2に挿入された複数本のボルト7と
これらボルト7に螺合されたナツト8により固定されて
いると共に、前記リング板5及びフランジ2により前記
振動板6の周縁部を挟寿、固定している。なお、前記振
動板6とフランジ2の間及び振動板6とリング板5の間
には夫々前記基台1に洗浄槽3を液密に固定するための
パツキン9a、9bが介在されている。
基台である。この基台1のフランジ2上には、例えばポ
リプロピレンからなる洗浄槽3が設置されている。この
洗浄槽3は、同志的に配置された大小の矩形状筒部48
%4bと、これら筒部4a、4b間の下部に一体的に設
けられ前記基台1のフランジ2と当接される矩形リング
板5とから構成されている。また、前記基台1の上面と
前記洗浄槽3の底面との間には例えば厚さ0. 2順の
矩形状をなすタンタル製振動板6が配置されている。前
記洗浄槽3は、基台1に対して前記リング板5、前記振
動板6及びフランジ2に挿入された複数本のボルト7と
これらボルト7に螺合されたナツト8により固定されて
いると共に、前記リング板5及びフランジ2により前記
振動板6の周縁部を挟寿、固定している。なお、前記振
動板6とフランジ2の間及び振動板6とリング板5の間
には夫々前記基台1に洗浄槽3を液密に固定するための
パツキン9a、9bが介在されている。
前記振動板6の基台1側の面には、第2図に示すように
例えば14枚の六角形をなす振動子10が互いに近接し
て配列、取着されている。これらの振動子10は、リー
ド板11及びケーブル12を介して例えば1l100に
−の高周波を発振する発振器13に接続されている。
例えば14枚の六角形をなす振動子10が互いに近接し
て配列、取着されている。これらの振動子10は、リー
ド板11及びケーブル12を介して例えば1l100に
−の高周波を発振する発振器13に接続されている。
前記洗浄槽3の前記振動板6を底部とする小径の筒部4
b内には、例えば過酸化水素、アンモニア及び超純水か
らなる洗浄液14が収容されている。前記小径の筒部4
bの上端には、洗浄液をオーバフローさせるための複数
の切欠部が形成されている。また、前記小径の筒部4b
の側壁には、前記大径の筒部4aを貫通して挿入された
洗浄液供給管15が連結され、かつ該大径の筒部4aに
は前記小径の筒部4bの切欠部からオーバーフローされ
た洗浄液を各筒部4a、4b間の環状空間を通して外部
に排出するための排出管(図示せず)が連結されている
。
b内には、例えば過酸化水素、アンモニア及び超純水か
らなる洗浄液14が収容されている。前記小径の筒部4
bの上端には、洗浄液をオーバフローさせるための複数
の切欠部が形成されている。また、前記小径の筒部4b
の側壁には、前記大径の筒部4aを貫通して挿入された
洗浄液供給管15が連結され、かつ該大径の筒部4aに
は前記小径の筒部4bの切欠部からオーバーフローされ
た洗浄液を各筒部4a、4b間の環状空間を通して外部
に排出するための排出管(図示せず)が連結されている
。
このような構成によれば、被処理物としての複数枚のシ
リコンウェハ16が収納されたカセット17を洗浄槽3
内の洗浄液14に浸漬した後、供給管15から新鮮な洗
浄液を洗浄槽3に供給しながら、発振器13からケーブ
ル12及びリード板11を通して複数枚の六角形状をな
すタンタル製振動子10に800kHzの高周波を与え
ると、各振動板10が取着された薄いタンタル裂損動阪
6が共鳴して振動して前記と略同様な800kHzの高
周波を発生する。これにより、該振動板6と接触する洗
浄液14内での加速度は周波数の2乗に比例するため、
約2.5X105Gという重力の25万倍の加速度でカ
セット17内の各ウェハ16表面をスクライブする。そ
の結果、各ウェハ16表面に付着された0、3μm前後
と極めて微細な汚染物質をも除去できるため、各ウェハ
16表面を高清浄化できる。しかも、前記加速度による
各ウェハ16へのスクライブはカセット17との接触部
付近も含む全体に亙ってなされるため、ウェハ16全体
を均一に清浄化できる。
リコンウェハ16が収納されたカセット17を洗浄槽3
内の洗浄液14に浸漬した後、供給管15から新鮮な洗
浄液を洗浄槽3に供給しながら、発振器13からケーブ
ル12及びリード板11を通して複数枚の六角形状をな
すタンタル製振動子10に800kHzの高周波を与え
ると、各振動板10が取着された薄いタンタル裂損動阪
6が共鳴して振動して前記と略同様な800kHzの高
周波を発生する。これにより、該振動板6と接触する洗
浄液14内での加速度は周波数の2乗に比例するため、
約2.5X105Gという重力の25万倍の加速度でカ
セット17内の各ウェハ16表面をスクライブする。そ
の結果、各ウェハ16表面に付着された0、3μm前後
と極めて微細な汚染物質をも除去できるため、各ウェハ
16表面を高清浄化できる。しかも、前記加速度による
各ウェハ16へのスクライブはカセット17との接触部
付近も含む全体に亙ってなされるため、ウェハ16全体
を均一に清浄化できる。
また、前記振動板10から発生する800kHzの周波
数では洗浄液14に対してキャビテーションを起こさな
いため、カセット17に収納された各ウエノ九面へのダ
メージ発生を防止できる。
数では洗浄液14に対してキャビテーションを起こさな
いため、カセット17に収納された各ウエノ九面へのダ
メージ発生を防止できる。
更に、振動子10を六角形状とし、これら振動子10を
タンタル製振動板6に互いに近接して配列し、取着する
構成にすれば、各振動子10から振動板6への振動変換
効率を向上でき、ひいてはウェハ16表面の汚染物質の
除去を一層効果的に行なうことが可能となる。
タンタル製振動板6に互いに近接して配列し、取着する
構成にすれば、各振動子10から振動板6への振動変換
効率を向上でき、ひいてはウェハ16表面の汚染物質の
除去を一層効果的に行なうことが可能となる。
なお、上記実施例では洗浄槽を二重筒状としたが、例え
ば洗浄槽の本体となる筒部の下端にリング状のフランジ
を取着し、かつ上部にオーバフローした洗浄液を受ける
皿状の容器を設けた構造にしてもよい。
ば洗浄槽の本体となる筒部の下端にリング状のフランジ
を取着し、かつ上部にオーバフローした洗浄液を受ける
皿状の容器を設けた構造にしてもよい。
上記実施例では、洗浄槽をポリプロピレンにより形成し
たが、これに限定されない。例えば、フッ素系樹脂やア
ルミナなどのセラミックスでライニングされたステンレ
ス等により形成してもよい。
たが、これに限定されない。例えば、フッ素系樹脂やア
ルミナなどのセラミックスでライニングされたステンレ
ス等により形成してもよい。
上記実施例では、振動板を洗浄槽の底部に設けたが、振
動板を洗浄槽の側壁に設けてもよい。
動板を洗浄槽の側壁に設けてもよい。
上記実施例では、振動子として六角形状のものを用いた
が、これに限定されず、例えば四角形、三角形等の他の
形状のものを使用してもよい。勿論、枚数も14枚に限
定されるものではない。
が、これに限定されず、例えば四角形、三角形等の他の
形状のものを使用してもよい。勿論、枚数も14枚に限
定されるものではない。
上記実施例では、洗浄液として過酸化水素、アンモニア
及び超純水からなるものを使用したが、超純水、過酸化
水素−塩酸−超純水からなるもの、フッ化水索−硝酸−
超純水からなるもの等、他の洗浄液を使用してもよい。
及び超純水からなるものを使用したが、超純水、過酸化
水素−塩酸−超純水からなるもの、フッ化水索−硝酸−
超純水からなるもの等、他の洗浄液を使用してもよい。
上記実施例では、ウェハ段階での洗浄に適用した例を説
明したが、ウェハ表面に素子を形成する工程でも同様に
適用できる。また、シリコンウェハに限らず、■−■族
化合物半導体ウェハ、A、f?などの金属製磁気ディス
クの洗浄にも同様に適用できるもので娶る。
明したが、ウェハ表面に素子を形成する工程でも同様に
適用できる。また、シリコンウェハに限らず、■−■族
化合物半導体ウェハ、A、f?などの金属製磁気ディス
クの洗浄にも同様に適用できるもので娶る。
〔発明の効果]
以上詳述した如く、本発明の洗浄装置によればウェハ等
の被処理物表面に付着した0、3μm前後の微細な汚染
物質をも効果的に除去でき、しかも被処理物へのキャビ
テーションによるダメージの発生を防止でき、ひいては
高清浄度で欠陥のない被処理物を得ることができる等顕
著な効果を有する。
の被処理物表面に付着した0、3μm前後の微細な汚染
物質をも効果的に除去でき、しかも被処理物へのキャビ
テーションによるダメージの発生を防止でき、ひいては
高清浄度で欠陥のない被処理物を得ることができる等顕
著な効果を有する。
第1図は本発明の一実施例を示す洗浄装置の断面図、第
2図は第1図の洗浄装置における振動子の形状及び配列
状態を示す平面図である。 1・・・基台、3・・・洗浄槽、6・・・タンタル製振
動板、10・・・振動子、13・・・発振器、14・・
・洗浄液、16・・・シリコンウェハ、17・・・カセ
ット。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第1図 第2図
2図は第1図の洗浄装置における振動子の形状及び配列
状態を示す平面図である。 1・・・基台、3・・・洗浄槽、6・・・タンタル製振
動板、10・・・振動子、13・・・発振器、14・・
・洗浄液、16・・・シリコンウェハ、17・・・カセ
ット。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第1図 第2図
Claims (1)
- 洗浄液が収容された洗浄槽と、この洗浄槽の底部又は側
壁に前記洗浄液と直接接触するように配置された高融点
金属からなる厚さ0.1〜0.5mmの振動板と、この
振動板の外面に取着され、600〜1000kHzの高
周波にて振動される振動子とを具備したことを特徴とす
る洗浄装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61130675A JPH0691064B2 (ja) | 1986-06-05 | 1986-06-05 | 洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61130675A JPH0691064B2 (ja) | 1986-06-05 | 1986-06-05 | 洗浄装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62286231A true JPS62286231A (ja) | 1987-12-12 |
JPH0691064B2 JPH0691064B2 (ja) | 1994-11-14 |
Family
ID=15039927
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61130675A Expired - Lifetime JPH0691064B2 (ja) | 1986-06-05 | 1986-06-05 | 洗浄装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0691064B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0232525A (ja) * | 1988-07-21 | 1990-02-02 | Toshiba Corp | 超音波洗浄装置 |
JPH0276228A (ja) * | 1988-09-12 | 1990-03-15 | Nec Corp | 半導体基板の洗浄装置 |
JPH0919665A (ja) * | 1995-07-04 | 1997-01-21 | Shibaura Eng Works Co Ltd | 超音波洗浄装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5530234A (en) * | 1978-08-24 | 1980-03-04 | Pioneer Electronic Corp | Manufacture of diaphragm |
JPS5793796A (en) * | 1980-12-03 | 1982-06-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture for vibration diaphragm for speaker |
JPS5965793U (ja) * | 1982-10-22 | 1984-05-02 | 株式会社日立製作所 | 超音波洗浄機 |
-
1986
- 1986-06-05 JP JP61130675A patent/JPH0691064B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5530234A (en) * | 1978-08-24 | 1980-03-04 | Pioneer Electronic Corp | Manufacture of diaphragm |
JPS5793796A (en) * | 1980-12-03 | 1982-06-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture for vibration diaphragm for speaker |
JPS5965793U (ja) * | 1982-10-22 | 1984-05-02 | 株式会社日立製作所 | 超音波洗浄機 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0232525A (ja) * | 1988-07-21 | 1990-02-02 | Toshiba Corp | 超音波洗浄装置 |
JPH0276228A (ja) * | 1988-09-12 | 1990-03-15 | Nec Corp | 半導体基板の洗浄装置 |
JPH0919665A (ja) * | 1995-07-04 | 1997-01-21 | Shibaura Eng Works Co Ltd | 超音波洗浄装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0691064B2 (ja) | 1994-11-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6085764A (en) | Cleaning apparatus and method | |
CN101373705A (zh) | 基板清洁装置和基板清洁方法 | |
KR100526192B1 (ko) | 웨이퍼 세정장치 및 세정방법 | |
JPS6336534A (ja) | 洗浄装置 | |
JP2005064530A (ja) | ウェーハカセットおよびこれを使用した洗浄装置 | |
JPS62286231A (ja) | 洗浄装置 | |
JPH0234923A (ja) | 超音波洗浄装置 | |
KR100598112B1 (ko) | 이중 세정 프로브를 갖는 초음파 세정 장치 및 세정 방법 | |
KR20040060735A (ko) | 전자 부품 세정 방법 및 장치 | |
KR20030076898A (ko) | 반도체 소자 제조에 이용되는 메가소닉 세정장치 | |
US20030106566A1 (en) | Method and apparatus for cleaning substrates | |
JP2005228890A (ja) | 物品の処理装置及び処理方法 | |
JP4767769B2 (ja) | 超音波洗浄装置 | |
JP2856998B2 (ja) | 超音波洗浄装置 | |
JP2643150B2 (ja) | バー型洗浄ノズル | |
JPH0232525A (ja) | 超音波洗浄装置 | |
US20050087210A1 (en) | Substrate cleaning device | |
JPH01316935A (ja) | 洗浄装置 | |
JPH0448629A (ja) | 半導体ウェーハの液処理装置 | |
KR100299975B1 (ko) | 플라즈마챔버의전극제조방법 | |
KR19980065775A (ko) | 다중 발진 초음파 세정장치 | |
KR20070073311A (ko) | 웨이퍼 초음파 세정장치 및 이를 이용한 웨이퍼 세정방법 | |
JPH09199464A (ja) | 超音波洗浄装置 | |
KR100870525B1 (ko) | 기판 세정 장치 | |
JPH0442530A (ja) | 超音波洗浄装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |