KR20030058221A - 액정표시장치용 단락 배선 구조 - Google Patents

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Abstract

본 발명에서는, 서로 교차되게 형성된 다수 개의 게이트 및 데이터 배선과, 상기 게이트 및 데이터 배선이 교차되는 지점에 형성된 박막트랜지스터와, 상기 박막트랜지스터와 연결된 화소 전극을 포함하며, 상기 데이터 배선과 대응되는 위치에 반도체층 패턴이 위치하는 액정표시장치용 어레이 기판에 있어서, 상기 다수 개의 데이터 배선 중 홀수번째 데이터 배선을 묶는 오드(odd) 데이터 단락 배선과; 상기 다수 개의 데이터 배선 중 짝수번째 데이터 배선을 묶으며, 상기 게이트 배선과 동일 물질로 이루어진 이븐(even) 데이터 단락 배선과; 상기 오드 데이터 단락 배선에서 연장 형성되며, 상기 오드 데이터 단락 배선과 홀수번째 데이터 배선을 연결하는 제 1 연결 브릿지와; 상기 이븐 데이터 단락 배선과 짝수번째 데이터 배선을 연결하며, 상기 데이터 배선에서 연장형성된 제 2 연결 브릿지와; 상기 제 1, 2 연결 브릿지 사이에 걸쳐 형성되며, 상기 제 1, 2 연결 브릿지에서 인출 형성된 반도체 물질로 이루어지며, 상기 반도체층 물질이 제거된 커트 영역을 가지는 제 3 연결 브릿지를 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판의 단락 배선부를 제공하는 것을 특징으로 한다.

Description

액정표시장치용 단락 배선 구조{A Short Line Linking Structure for Liquid Crystal Display Device}
본 발명은 액정표시장치에 관한 것이며, 특히 액정표시장치용 단락 배선이 연결 구조에 관한 것이다.
액정표시장치의 구동원리는 액정의 광학적 이방성과 분극성질을 이용하는 것이다. 상기 액정은 구조가 가늘고 길기 때문에 분자의 배열에 방향성을 갖고 있으며, 인위적으로 액정에 전기장을 인가하여 분자배열의 방향을 제어할 수 있다.
따라서, 상기 액정의 분자배열 방향을 임의로 조절하면, 액정의 분자배열이 변하게 되고, 광학적 이방성에 의하여 상기 액정의 분자 배열 방향으로 빛이 굴절하여 화상정보를 표현할 수 있다.
현재에는 박막트랜지스터(Thin Film Transistor ; TFT)와 상기 박막트랜지스터에 연결된 화소전극이 행렬방식으로 배열된 능동행렬 액정 표시장치(Active Matrix LCD : AM-LCD)가 해상도 및 동영상 구현능력이 우수하여 가장 주목받고 있다.
도 1은 일반적인 액정표시장치의 일부영역에 대한 입체도이다.
도시한 바와 같이, 서로 일정간격 이격되어 상부 및 하부 기판(10, 30)이 대향하고 있고, 이 상부 및 하부 기판(10, 30) 사이에는 액정층(50)이 개재되어 있다.
상기 하부 기판(30) 상부에는 다수 개의 게이트 및 데이터 배선(32, 34)이서로 교차되어 있고, 이 게이트 및 데이터 배선(32, 34)이 교차되는 지점에 박막트랜지스터(T)가 형성되어 있으며, 게이트 및 데이터 배선(32, 34)이 교차되는 영역으로 정의되는 화소 영역(P)에는 박막트랜지스터(T)와 연결된 화소 전극(46)이 형성되어 있다.
그리고, 상부 기판(10) 하부에는 컬러필터층(12), 공통 전극(16)이 차례대로 형성되어 있다.
도면으로 상세히 도시하지 않았지만, 컬러필터층(12)은 특정한 파장대의 빛만을 투과시키는 컬러필터와, 컬러필터의 경계부에 위치하여 액정의 배열이 제어되지 않는 영역상의 빛을 차단하는 블랙매트릭스로 구성된다.
그리고, 상부 및 하부 기판(10, 30)의 각 외부면에는 편광축과 평행한 빛만을 투과시키는 상부 및 하부 편광판(52, 54)이 위치하고, 하부 편광판(54) 하부에는 별도의 광원인 백라이트(back light)가 배치되어 있다.
상기 하부 기판을 이루는 어레이 기판은 마스크 공정을 통해 이루어진다.
마스크 공정이란, 별도의 마스크를 제작하여 사진식각(photolithography)공정으로 식각을 통해 임의의 형태로 각 층(절연층, 액티브층, 금속층)을 패턴하는 일련의 공정을 뜻한다.
기존에는 5 마스크 공정이 주를 이루었으나, 마스크 공정을 줄이게 되면, 공정 비용을 상당히 절감할 수 있고, 공정시간을 단축시킬 수 있어 불량발생률을 줄일 수 있다.
이에 따라, 최근에는 4 마스크 공정에 의해 액정표시장치용 어레이 기판을제조하는 방법에 연구가 활발히 이루어지고 있다.
기존의 5 마스크 공정에서는, 게이트 공정(게이트 전극, 게이트 패드, 게이트 배선), 반도체층 공정(액티브층, 오믹 콘택층), 소스 공정(소스 및 드레인 전극, 데이터 배선, 데이터 패드, 채널), 콘택홀 공정(드레인 콘택홀, 패드 콘택홀), ITO 공정(화소 전극, 패드전극)으로 이루어졌었다.
그러나, 4 마스크 공정에서는, 게이트 공정, 반도체층/소스 공정, 콘택홀 공정, ITO 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
특히, 반도체층/소스 공정에서 데이터 금속과 반도체 물질을 대응되게 패터닝하기 때문에, 채널 부분에서는 회절 노광법에 의해 반도체층이 남겨지도록 하는 것을 특징으로 한다. 회절 노광법이란, 빛의 회절현상으로 이용하여 PR층의 두께를 조절하는 방법이다.
또한, 상기 어레이 기판 및 또 하나의 대향 기판인 컬러필터 기판 사이에 액정층을 개재하여 하나의 액정표시장치용 패널을 제작하는 액정 셀 공정에서는 양품을 판별하기 위한 검사 공정을 거치게 되는데, 이러한 검사 공정 및 어레이 공정 중 정전기 방지 목적으로 어레이 기판의 비표시 영역에는 단락 배선이 구비된다.
도 2는 종래의 4 마스크 액정표시장치에서의 단락 배선의 연결구조를 나타낸 평면도로서, 데이터 배선부를 일 예로 들어 설명한다.
도시한 바와 같이, 일방향으로 데이터 배선(60)이 형성되어 있고, 데이터 배선(60)의 일끝단에는 외부회로와 연결되는 데이터 패드(62)가 형성되어 있고, 데이터 패드(62)는 정전기 방지 및 검사 공정을 위한 단락 배선(64)과 연결되어 있다.
상기 단락 배선(64)은 제 1 데이터 배선(62a)과 같이 홀수번째 배선을 묶는 오드(odd) 단락 배선(64a)과, 제 2 데이터 배선(60b)과 같이 짝수번째 배선을 묶는 이븐(even) 단락 배선(64b)으로 이루어지며, 오드 단락 배선(64a)에는 제 1, 2 데이터 패드(62a, 62b)와 이어지는 제 1, 2 연결 브릿지(66a, 66b)가 연장형성되어 있다. 이때, 오드 단락 배선(64a)으로부터 제 1, 2 데이터 패드(62a, 62b)와 연결되는 제 1, 2 연결 브릿지(66a, 66b)가 모두 구성된 이유는, 어레이 공정에서는 공정중 발생하는 정전기 특히, 액티브층 형성단계나, 보호층 식각단계에서 발생하기 쉬운 정전기가 기판과 어레이 패턴간에 국소적으로 존재하게 되어, 상기 국소적인 영역에서 전압이 매우 높아져 박막트랜지스터와 같은 민감한 소자들에 데미지(damage)를 입힐 수 있으므로, 이를 방지하기 위함이다.
그리고, 상기 이븐 단락 배선(64b)는 오드 단락 배선(64a)와의 쇼트를 방지하기 위해 게이트 공정에서 형성됨에 따라, 제 2 데이터 패드(62b)와 연결되기 위해 링크 방식의 제 3 연결 브릿지(66c)가 인출 형성되어 있고, 제 3 연결 브릿지(66c)는 제 2 데이터 패드(62b)와 연접 구성되어 있다.
그리고, 상기 제 1, 2 데이터 패드(62a, 62b)를 덮는 영역에는 투명 도전성 물질로 이루어진 제 1, 2 데이터 패드전극(68a, 68b)이 각각 형성되어 있는데, 이때 제 2 데이터 패드전극(68b)은 제 2 데이터 패드(62b) 및 제 3 연결 브릿지(66c)를 동시에 덮는 면적으로 형성된다.
그리고, 상기 제 1, 2 데이터 패드(62a, 62b) 및 제 3 연결 브릿지(66c)와 대응되는 위치에는 각각 다수 개의 콘택홀(70)이 형성되어 있어, 콘택홀(70)을 통해 제 1 데이터 패드(62a)와 제 1 데이터 패드전극(68a) 그리고, 제 2 데이터 패드(62b) 및 제 3 연결 브릿지(66c)와 제 2 데이터 패드전극(68b)이 전기적으로 연결된다.
그리고, 상기 콘택홀(70)을 형성하는 과정에서는, 오드 단락 배선(64a)과 제 2 데이터 배선(60b) 간의 연결을 끊기 위해, 제 2 연결 브릿지(66b)에 데이터 금속을 노출시키는 커트 영역(I)이 형성되어 있으며, 커트 영역(I)의 데이터 금속은 건식 식각을 통해 제거되어, 오드 단락 배선(64a)과 제 2 데이터 배선(60b)은 전기적으로 차단되도록 한다.
그리고, 상기 데이터 배선(60), 데이터 패드(62), 오드 단락 배선(64a), 제 1, 2 연결 브릿지(66a, 66b)에는 4 마스크 공정 특성상 반도체층(72) 패턴이 포함된다.
이에 따라, 상기 커트 영역(I)내 데이터 금속을 제거하는 과정에서 데이터 금속 하부층을 이루는 반도체층이 제대로 제거되지 않는 문제점이 있다. 왜냐하면, 상기 커트 영역(I)은 제 3 마스크 공정에서 이루어지고, 상기 커트 영역(I) 내 데이터 금속물질을 제거하는 공정은 제 4 마스크 공정 이후에 진행되기 때문에, 상기 커트 영역(I) 내 금속물질을 제거하는 공정 수가 늘어나게 되면, 제품에 손상을 주기 쉽다.
이에 따라, 상기 커트 영역(I)내 데이터 금속 및 반도체층을 동일 건식 식각 조건에서 제거하게 되면, 반도체층이 잘 제거되지 않아 오드 단락 배선과 짝수번째 배선간의 단선이 제대로 이루어지지 않아 이븐/오드 단락 배선 불량을 유발하는 문제점이 있다.
상기 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명에서는 한 예로 이븐/오드 단락 배선간 불량률을 저하시켜 신뢰성 높은 액정셀의 검사 공정을 제공하는 것을 특징으로 한다.
이를 위하여, 본 발명에서는 오드 단락 배선과 짝수번째 배선을 연결하는 연결 브릿지를 형성함에 있어서, 회절 노광법을 이용하여 반도체 물질로 구성하도록 한다.
도 1은 일반적인 액정표시장치의 일부영역에 대한 입체도.
도 2는 종래의 4 마스크 액정표시장치에서의 단락 배선의 연결구조를 나타낸 평면도.
도 3은 본 발명에 따른 액정표시장치용 어레이 기판에 대한 평면도.
도 4a, 4b는 상기 도 3의 절단선 IVb-IVb에 따라 절단된 단면을 단계별로 각각 나타낸 단면도.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
124 : 반도체층 133a : 제 1 연결 브릿지
133b : 제 2 연결 브릿지 135b : 제 3a 연결 브릿지
144 : 보호층 154b : 제 2 데이터 패드전극
II : 커트 영역
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에서는 서로 교차되게 형성된 다수 개의 게이트 및 데이터 배선과, 상기 게이트 및 데이터 배선이 교차되는 지점에 형성된 박막트랜지스터와, 상기 박막트랜지스터와 연결된 화소 전극을 포함하며, 상기 데이터 배선과 대응되는 위치에 반도체층 패턴이 위치하는 액정표시장치용 어레이 기판에 있어서, 상기 다수 개의 데이터 배선 중 홀수번째 데이터 배선을 묶는 오드(odd) 데이터 단락 배선과; 상기 다수 개의 데이터 배선 중 짝수번째 데이터 배선을 묶으며, 상기 게이트 배선과 동일 물질로 이루어진 이븐(even) 데이터 단락 배선과; 상기 오드 데이터 단락 배선에서 연장 형성되며, 상기 오드 데이터 단락 배선과 홀수번째 데이터 배선을 연결하는 제 1 연결 브릿지와; 상기 이븐 데이터단락 배선과 짝수번째 데이터 배선을 연결하며, 상기 데이터 배선에서 연장형성된 제 2 연결 브릿지와; 상기 제 1, 2 연결 브릿지 사이에 걸쳐 형성되며, 상기 제 1, 2 연결 브릿지에서 인출 형성된 반도체 물질로 이루어지며, 상기 반도체층 물질이 제거된 커트 영역을 가지는 제 3 연결 브릿지를 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판의 단락 배선부를 제공한다.
상기 데이터 배선의 일끝단에 위치하며, 외부회로와 연결되는 데이터 패드를 포함하며, 상기 데이터 패드를 통해 데이터 단락 배선과 연결되며, 상기 데이터 패드를 덮는 영역에는 화소 전극과 동일 물질로 이루어진 데이터 패드전극을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 제 2 연결 브릿지는 이븐 데이터 단락 배선에서 연장 형성된 제 2a 연결 브릿지와, 상기 데이터 패드에서 상기 제 2a 연결브릿지와 동일한 방향으로 연접되게 구성된 제 2b 연결 브릿지로 구성되며, 상기 짝수번째 데이터 패드전극은 제 2 연결 브릿지와 짝수번째 데이터 패드를 한 패턴으로 덮는 영역을 가지는 것을 특징으로 한다.
상기 제 3 연결 브릿지는 회절 노광법에 의해 이루어지며, 상기 반도체층은 액티브층과 오믹 콘택층이 차례대로 형성되어 이루어지며, 상기 제 3 연결 브릿지는 액티브층으로 이루어진 것을 특징으로 한다.
이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 3은 본 발명에 따른 액정표시장치용 어레이 기판에 대한 평면도로서, 데이터 단락 배선부를 중심으로 도시하였다.
도시한 바와 같이, 화면이 구현되는 영역으로 정의되는 액티브 영역 및 액티브 영역의 외곽부인 비액티브 영역으로 이루어진 어레이 기판(110)의 액티브 영역 상에는 제 1 방향으로 게이트 배선(116)이 형성되어 있고, 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 데이터 배선(130)이 형성되어 있고, 게이트 및 데이터 배선(116, 130)이 교차하는 지점에는 박막트랜지스터(S)가 형성되어 있으며, 박막트랜지스터(S)와 연결되어 화소 전극(150)이 형성되어 있다. 그리고, 상기 게이트 배선(116)과 중첩되는 화소 전극(150) 영역은 스토리지 캐패시터(CST)를 이루는다.
이하, 비 액티브 영역 상에 형성된 패드부 및 단락 배선부에 대해서 설명함에 있어서, 본 발명의 특징인 데이터 패드부 및 데이터 단락 배선부에 대해서 상세히 설명한다.
상기 비액티브 영역 상에는 데이터 배선(130)과 연결되는 데이터 패드(132)가 형성되어 있고, 데이터 패드(132)는 정전기 방지 및 검사 공정을 위해 데이터 단락 배선(137)과 연결되어 있다.
좀 더 상세히 설명하면, 상기 데이터 단락 배선(137)은 제 1 데이터 배선(130a)과 같은 홀수번째 배선을 묶는 오드 데이터 단락 배선(134)과, 제 2 데이터 배선(130b)과 같이 짝수번째 배선을 묶는 이븐 데이터 단락 배선(122)으로 구성된다.
이때, 상기 데이터 배선(130), 데이터 패드(132), 오드 데이터 단락배선(134)은 반도체층(124) 패턴을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 오드 데이터 단락 배선(134)에서는 제 1 데이터 패드(132a)와 연결되는 제 1 연결 브릿지(133a)와 제 2 데이터 패드(132b)와 연결되는 제 2 연결 브릿지(133b)를 포함하고, 이븐 데이터 단락 배선(122)에는 제 2 데이터 패드(132b)와 연결되는 링크부 구조의 제 3a 연결 브릿지(135a)를 포함하고, 제 2 데이터 패드(132b)에서는 제 3b 연결 브릿지(135b)가 연장형성되어 있어, 제 3a, 3b 연결 브릿지(135a, 135b)는 서로 동일 방향으로 연접되게 구성되어 있다.
상기 오드 데이터 단락 배선(134)은, 어레이 공정 중 배선간의 정전기 방지 및 등전위 형성을 위해 모든 배선과 연결 구성되었다가, 이븐 데이터 단락 배선(122)과 제 2 데이터 패드(132b)를 연결하는 과정에서 제 2 연결 브릿지(133b)에 제 2 데이터 패드(132b)와의 연결을 차단하는 커트 영역(II)이 구성되어 있다.
본 발명에 따른 제 2 연결 브릿지(133b)는 진성 반도체층 물질로 이루어진 패턴이며, 제 1, 2 데이터 패드(132a, 132b)간에 걸쳐 형성된 것을 특징으로 한다.
좀 더 상세하게 설명하면, 상기 제 2 연결 브릿지(133b)를 미도시한 박막트랜지스터의 채널 형성 공정과 동일한 회절 마스크를 이용하여 진행함에 따라 반도체층(124)의 액티브층(124a)으로 구성하며, 상기 제 2 연결 브릿지(133b)를 반도체층 물질로 구성함에 따라 단락 배선에 연결되어 있는 모든 배선의 정전기를 방지할 수 있다.
특히, 본 발명에서는 제 2 연결 브릿지(133b)를 데이터 금속을 포함하지 않는 반도체 물질로 구성하기 때문에, 커트 공정에서 오드 데이터 단락 배선(134)과제 2 연결 브릿지(133b)간의 연결을 효과적으로 차단할 수 있다.
한편, 상기 제 1, 2 데이터 패드(132a, 132b) 및 제 3a 연결 브릿지(135a)에는 각각 다수 개의 콘택홀(142)이 형성되어 있어, 콘택홀(142)을 통해 제 1, 2 데이터 패드(132a, 132b) 및 제 3a 연결 브릿지(135a)와 연결되는 제 1, 2 데이터 패드전극(154a, 154b)이 형성되어 있다. 이때, 제 2 데이터 패드전극(154b)은 제 2 데이터 패드(132b)와 제 3a, 3b 연결 브릿지(135a, 135b)를 단일 패턴으로 덮도록 형성되어 있다.
도 4a, 4b는 상기 도 3의 절단선 IVb-IVb에 따라 절단된 단면을 단계별로 각각 나타낸 단면도이다.
도 4a는 회절 노광법에 의해 서로 다른 적층 구조를 가지는 단락 배선 연결 브릿지를 형성하는 단계로서, 이 단계에서는 게이트 절연막(114)이 형성된 기판 상에, 액티브층(124a), 오믹콘택층(124b)이 차례대로 구성된 반도체층(124)이 형성되어 있고, 반도체층(124) 상부에는 서로 일정간격 이격된 제 1 연결 브릿지(133a) 및 제 3b 연결 브릿지(135b)가 형성되어 있고, 제 1 연결 브릿지(133a) 및 제 3b 연결 브릿지(135b) 사이 구간의 액티브층(124a)은 제 2 연결 브릿지(133b)로 이용된다.
이때, 상기 제 1, 3a 연결 브릿지(133a, 135b)와 제 2 연결 브릿지(133b)간의 단층 구조가 다른 것은 사진식각 공정에서 제 2 연결 브릿지(133b)와 대응되는 위치에서 슬릿부(Va)를 가지는 마스크(210)를 이용하기 때문이다.
상기 마스크(210)는 제 1, 3a 연결 브릿지(133a, 135b)의 좌, 우측 게이트절연막을 노출시키기 위해, 이와 대응된 위치에 노광부(Vb)를 포함한다.
도면으로 제시하지 않았지만, 상기 마스크를 이용한 공정에서는 데이터 금속 물질 상부에 PR층을 도포하는 단계와, 상기 마스크를 통해 PR층을 노광, 현상하여 PR층 패턴을 형성하는 단계와, 상기 PR층 패턴을 통해 금속 패턴을 형성하는 단계를 포함한다.
도 4b에서는, 상기 제 1, 3a 연결 브릿지(133a, 135b) 및 제 2 연결 브릿지(133b) 상부에 보호층(144)을 형성하는 단계와, 보호층(144) 상에 제 2 연결 브릿지(133b)의 액티브층(124a) 패턴을 노출시키는 커트 영역(II)을 형성하는 단계와, 상기 제 3b 연결 브릿지(135b)를 덮는 영역에 제 2 데이터 패드전극(154b)를 형성하는 단계를 거쳐, 상기 커트 영역(II)내 액티브층(124a) 패턴을 제거하는 단계이다.
이와 같이, 본 발명에서는 커트 영역(II)내 액티브층(124a) 패턴만이 존재하기 때문에 커트 공정에서 한번의 식각 공정으로 오드 단락 배선과 짝수번째 배선간의 연결을 효과적으로 차단할 수 있다.
그러나, 본 발명은 상기 실시예로 한정되지 않고, 본 발명의 취지에 벗어나지 않는 한도 내에서 다양하게 변경하여 실시할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명에서는 4 마스크 액정표시장치에 있어서, 데이터 단락 배선부를 구성함에 있어서, 오드 단락 배선과 짝수번째 배선간의 커트 공정정확도를 높여 이븐/오드 단락 배선 불량을 저하시키기 위해, 오드 단락 배선과 짝수번째 배선을 연결하는 연결 브릿지를 회절 노광법에 의해 제 2 마스크 공정에서 반도체층 패턴으로 구성함에 따라, 커트 공정에서 반도체층 만을 제거하기 때문에 커트 공정성을 높일 수 있어, 신뢰성 높은 액정셀 검사공정을 제공할 수 있다.

Claims (6)

  1. 서로 교차되게 형성된 다수 개의 게이트 및 데이터 배선과, 상기 게이트 및 데이터 배선이 교차되는 지점에 형성된 박막트랜지스터와, 상기 박막트랜지스터와 연결된 화소 전극을 포함하며, 상기 데이터 배선과 대응되는 위치에 반도체층 패턴이 위치하는 액정표시장치용 어레이 기판에 있어서,
    상기 다수 개의 데이터 배선 중 홀수번째 데이터 배선을 묶는 오드(odd) 데이터 단락 배선과;
    상기 다수 개의 데이터 배선 중 짝수번째 데이터 배선을 묶으며, 상기 게이트 배선과 동일 물질로 이루어진 이븐(even) 데이터 단락 배선과;
    상기 오드 데이터 단락 배선에서 연장 형성되며, 상기 오드 데이터 단락 배선과 홀수번째 데이터 배선을 연결하는 제 1 연결 브릿지와;
    상기 이븐 데이터 단락 배선과 짝수번째 데이터 배선을 연결하며, 상기 데이터 배선에서 연장형성된 제 2 연결 브릿지와;
    상기 제 1, 2 연결 브릿지 사이에 걸쳐 형성되며, 상기 제 1, 2 연결 브릿지에서 인출 형성된 반도체 물질로 이루어지며, 상기 반도체층 물질이 제거된 커트 영역을 가지는 제 3 연결 브릿지
    를 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판의 단락 배선부.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 데이터 배선의 일끝단에 위치하며, 외부회로와 연결되는 데이터 패드를 포함하며, 상기 데이터 패드를 통해 데이터 단락 배선과 연결되는 액정표시장치용 어레이 기판의 단락 배선부.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 데이터 패드를 덮는 영역에는 화소 전극과 동일 물질로 이루어진 데이터 패드전극을 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판의 단락 배선부.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 제 2 연결 브릿지는 이븐 데이터 단락 배선에서 연장 형성된 제 2a 연결 브릿지와, 상기 데이터 패드에서 상기 제 2a 연결브릿지와 동일한 방향으로 연접되게 구성된 제 2b 연결 브릿지로 구성되며, 상기 짝수번째 데이터 패드전극은 제 2 연결 브릿지와 짝수번째 데이터 패드를 한 패턴으로 덮는 영역을 가지는 액정표시장치용 어레이 기판의 단락 배선부.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 3 연결 브릿지는 회절 노광법에 의해 이루어진 액정표시장치용 어레이 기판의 단락 배선부.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 반도체층은 액티브층과 오믹 콘택층이 차례대로 형성되어 이루어지며, 상기 제 3 연결 브릿지는 액티브층으로 이루어진 액정표시장치용 어레이 기판의 단락 배선부.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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