KR20030011376A - 후막 회로 패턴화 방법 - Google Patents

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Abstract

감광성 중합체층을 사용하여 후막에 전기 기능성 패턴을 패턴화시키는 방법에 관한 것이다. 점착성 감광층(104)을 기판 표면 상에 도포한다. 감광층(104)을 화학선을 사용하여 일정 패턴(106)으로 상형성시키고, 감광층의 노광된 영역(107)은 경화되어 비점착성으로 된다. 후속되는 후막 조성물 시트의 도포(102상의 101)는 후막(101)이 남아있는 점착성 영역(104)에 부착되도록 한다. 시트(102)를 박리시킬 때, 후막 프린트 패턴(101)이 생성되게 된다. 이 단계 후에, 전기 기능성을 갖는 패턴을 생성시키는 사용된 후막 조성물에 의해 규정되는 가공 프로필이 이어진다. 본 발명은 또한 후막 조성물이 사용된 시트로부터 회수되는 방법으로 확장된다.

Description

후막 회로 패턴화 방법{PROCESS FOR THICK FILM CIRCUIT PATTERNING}
후막 공업에 사용되는 확립된 패턴화 방법은 인쇄(스크린 또는 기타), 분무, 브러슁, 스핀 코팅, 침지, 적층, 광-패턴화 및 에칭을 포함한다. 스크린 인쇄가 지금까지 후막 회로의 패턴화에 가장 일반적으로 사용되는 방법이다. 후막 조성물 특정량을 스퀴지(squeegee)가 이동하여 스크린 전체에 걸쳐 후막 조성물을 압착시키는 인쇄 스크린의 연부에 둔다. 스크린 개구와 유사한 회로 패턴이 기판 상에 인쇄된다. 이어서 인쇄된 기판을 건조시켜 후막 조성물 중의 용매 대부분이 증발되도록 한 다음, 연소시켜 임의의 유기 비히클의 완전연소를 야기시킨다. 비록 스크린 인쇄 패턴 해상도는 스크린 와이어-메쉬 치수, 에멀젼 타입, 두께, 및 스크린 인쇄 변수를 최적화시킴으로써 개선될 수 있지만, 해당 공업 분야에서는 스크린 인쇄된 선해상도가 약 125 미크론 이상이기 때문에 스크린 인쇄된 미세한 선 및 공간 해상도가 특정 분야의 경우에 적절하지 않다는 것이 일반적인 의견이다.
광-패턴화 및 에칭 방법이 스크린 인쇄와 비교하였을 때 균일하고 보다 미세한 선 및 공간 해상도를 제공하는 별법의 패턴화 기술이다. 광 패턴화 방법, 예를 들면 듀퐁(DuPont)의 포델(FODEL)(등록상표) 인쇄 시스템은 미국 특허 제4,912,019호; 제4,925,771호; 제5,032,490호에서 발견되는 바와 같은 감광성 유기 매질을 이용하는데, 이에 의하면 기판을 먼저 감광성 후막 조성물로 완전히 피복시키고(인쇄, 분무, 코팅 또는 적층), 건조시킨다. 회로 패턴의 상을 회로 패턴을 함유하는 광마스크를 통한 화학선에 의해 노광시키고, 이어서 노광된 기판을 현상시킨다. 회로 패턴의 미노광 부분을 세척해내어 패턴화된 기판을 얻고, 이것을 연소시켜 모든 잔류하는 유기 재료를 제거하고 무기 재료들을 소결시킨다. 상기 광-패턴화 방법은 기판 평활도, 무기 입자 크기 분포, 노광 및 현상 변수에 따라 약 30 미크론 이상의 후막 선 해상도를 나타낸다. 입자 크기 분포의 좁은 영역(window), 회로 선 전도율, 두께 및 회로 선 두께 균일성이 이러한 후막 광-패턴화 방법의 한계점이다.
다른 패턴화 시스템은 에칭 방법으로, 후막 조성물을 기판 표면 상에 인쇄시키고, 건조시키고 및 연소시킨다. 이어서 포토레지스트(photoresist)를 연소된 후막 표면의 상부 상에 적용시키고, 순차적으로 노광시키고 현상시킨다. 이어서 기판을 포토레지스트의 개방 영역에서 연소된 금속을 에칭시키는 화학물질로 침지 또는 분무시킨다. 세척 및 레지스트 제거 후, 바람직한 회로 패턴이 기판 상에 생성된다. 에칭 패턴화의 선 용량은 기판 평활도, 무기 분말의 입자 크기 분포, 에칭 용액의 타입 및 활성 및 포토레지스트 접착성에 따라 약 10 미크론 이상이다. 해로운 화학 에칭 용액의 사용 및 기판 표면의 상부 상에서 발견되는 잔류 무기 결합제가 디스플레이 및 다른 적용분야를 위한 후막 에칭 패턴화 방법의 일부 한계점이다.
또한 다른 시스템이 미국 특허 제5,110,384호, 미국 특허 제5,167,989호, 및 미국 특허 제5,296,259호에 설명되어 있다. 이들 특허는 전도성 또는 인광물질 입자들을 일정 패턴으로 기판에 도포하는 건조 분말 방법을 설명한다. 미리 세정한 세라믹 기판을 광점착부여 재료의 박층으로 코팅시키고, UV광으로 상 방식 노광시키고, 금속 분말 토너 재료로 색조를 띄게 하고(tone), 종래의 후막 연소 프로필에 따라 연소시켰다.
그래픽 아트 공업은 상의 칼라 패턴을 생성시키기 위하여 감광성 부재를 널리 사용한다. 이 부재는 일반적으로 지지체, 감광층 및 커버 시트를 포함한다. 부재의 감광층은 화학선에 노광시에 점착성을 잃거나 또는 점착성으로 된다. 감광층의 노광을 사용하여 잠상을 생성시키는데, 이것은 이어서 분말 또는 토너 시트를 이용하여 토너 입자를 상 방식 노광된 부재에 도포하여 형성된다. 토너 입자들은 점착성 영역에 부착된 토너 입자들에 의해 상이 생성되도록 점착성 영역에 달라붙는다. 미국 특허 제3,649,268호는 포지티브 작용 감광성 부재를 사용하는 재생 방법을 설명한다. 네가티브 작용 감광성 부재들이 또한 공지되어 있으며, 이것은 네가티브 상에 점착성 및 비점착성 영역을 제공하기 위하여 2중 노광을 필요로 한다. 네가티브 작용 부재 및 이들의 사용 방법이 미국 특허 제4,174,216호 및 제4,247,619호에 설명되어 있다.
본 발명은 그래픽 아트 공업에 사용된 감광성 부재 및 전자 공업에서 확립된 패턴 형성 방법에 사용된 후막 조성물을 사용하여 기판 상에 상형성된 패턴을 형성시키는 개념을 병용한다. 본 발명은 그래픽 아트 공업에서 칼라 상을 형성시키는데 필요한 감광성 부재를 현상하는 단계를 포함하지 않는다. 본 발명은 환경 친화성 방식으로 저비용으로 수축, 연부 커얼 또는 언더커트(undercut)를 실질적으로 갖지 않는 고품질 회로 패턴을 생성시킨다는 것을 발견하였다.
<발명의 요약>
본 발명은 (a) 기판 상에 배치되는 점착성 표면을 갖는 감광층을 제공하는 단계; (b) 감광성 점착성 표면을 상 방식(image-wise) 노광시켜 점착성 및 비점착성 영역을 갖는 상형성된 층을 형성시키는 단계; (c) 지지체 상에 배치된 1개 이상의 후막 조성물 층을 포함하는 시트를, 상형성된 층이 시트의 후막 조성물과 접촉하도록 상형성된 층에 도포하는 단계; (d) 후막 조성물이 상형성된 층의 비점착성 영역에서는 지지체 상에 남아있고, 후막 조성물이 상형성된 층의 점착성 영역에 실질적으로 부착되도록 지지체를 제거하여 패턴화된 물품을 형성시키는 단계; 및 (e) 패턴화된 물품의 후막 조성물을 연소시키는 단계
를 포함하는 기판 상에 전기 기능성을 갖는 패턴을 형성시키는 방법에 관한 것이다.
상기 방법은 또한 점착성 표면의 노출없이 수행되어, 후막 조성물에 의해 점착성 표면이 완전히 덮힐 수 있게 할 수 있다.
본 발명은 추가로 (a) 기판 상에 배치되는 점착성 표면을 갖는 감광층을 제공하는 단계; (b) 감광성 점착성 표면을 상 방식 노광시켜 점착성 및 비점착성 영역을 갖는 상형성된 층을 형성시키는 단계; (c) 지지체 상에 배치된 1개 이상의 후막 조성물 층을 포함하는 시트에, 상형성된 층이 시트의 후막 조성물과 접촉하도록 노광된 감광층을 도포하는 단계; (d) 후막 조성물이 상형성된 층의 점착성 영역에 실질적으로 부착되고 상형성된 층의 비점착성 영역에서는 지지체 상에 남아있도록 상형성된 층을 제거하여 패턴화된 물품을 형성시키는 단계; 및 (e) 패턴화된 물품의 후막 조성물을 경화시키는 단계
를 포함하는 기판 상에 전기 기능성을 갖는 패턴을 형성시키는 방법에 관한 것이다.
본 발명은 더욱 추가로 (a) 제1 지지체 상의 건조된 후막 조성물을 용매욕을 통과시켜 후막 조성물의 용액을 형성시키는 단계; (b) 용액의 점도를 조절하여 주형적성 용액을 형성시키는 단계; 및 (c) 제2 지지체 상에 주형적성 용액을 도포하는 단계
의 순차적인 단계들을 포함하는, 역 회로 패턴 형태의 건조된 후막 조성물을 갖는 지지체를 포함하는 지지체로부터 후막 조성물의 회수 방법에 관한 것이다.
본 발명은 또한 추가로 (a) 감광층을 화학선에 상 방식 노광시켜 상 방식 노광된 표면을 형성시킴으로써 감광층의 표면 상에 점착성 및 비점착성 영역을 형성시키는 단계; (b) 점착성 영역에 실질적으로 부착되지만 비점착성 영역에는 부착되지 않는 후막 조성물과 상 방식 노광된 표면을 접촉시켜 상 방식 노광된 표면 상에 후막 조성물의 패턴을 형성시키는 단계; 및 (c) 상 방식 노광된 표면 상의 후막 조성물을 연소시키는 단계
를 포함하는, 후막 조성물로 전기 기능성을 갖는 패턴을 형성시키기 위하여 감광층을 사용하는 방법에 관한 것이다.
본 발명은 기판 상에 전기 기능성 패턴을 형성시키는 것에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 지지체에 도포되는 후막 조성물을 갖는 시트와 함께 감광성 부재를 사용하는 방법에 관한 것이다. 본 발명은 또한 사용된 시트로부터 후막 조성물을 회수하는 방법에 관한 것이다.
도 1은 본 발명의 방법의 한 실시태양을 묘사하는 예시적 다이어그램이다.
도 2는 본 발명의 방법의 한 실시태양을 묘사하는 예시적 다이어그램이다.
도 3은 본 발명의 회수 방법의 한 실시태양을 묘사하는 예시적 다이어그램이다.
일반적으로, 후막 조성물은 적절한 전기 기능성, 예를 들면 전도성, 저항성 및 유전성을 부여하는 기능상을 포함한다. 기능상은 기능상에 대한 캐리어 (carrier)로서 작용하는 유기 매질 중에 분산된 전기 기능성 분말을 포함한다. 기능상은 전기적 특성을 결정하고 건조된 후막의 기계적 특성에 영향을 미친다. 본 발명에 이용될 수 있는 후막 조성물에는 2개의 중요한 타입이 있다. 두 가지는 모두 전자 공업분야에서 판매되는 종래의 제품이다. 첫째, 가공 동안 조성물의 유기물이 연소되거나 또는 완전연소되는 후막 조성물을 "연소가능한 후막 조성물"이라 한다. 이들은 대표적으로는 유기 매질 중에 분산된 무기 결합제 및 전도성, 저항성 또는 유전성 분말을 포함한다. 연소 전에, 가공 요구조건은 임의적인 열 처리, 예를 들면 건조, 경화, 역류(reflow), 납땜 및 후막 기술 분야의 통상의 숙련인들에게 공지된 다른 것들을 포함할 수 있다. 둘째로, 대표적으로는 전도성, 저항성또는 유전성 분말을 포함하고 유기 매질 중에 분산되어 있으며, 가공 동안 조성물이 경화되고 유기물이 남게 되는 후막 조성물을 "중합체 후막 조성물"이라 한다. 연소가능한 후막 조성물 및 중합체 후막 조성물을 일반적으로 "후막 조성물"이라 한다. "유기물"은 후막 조성물의 중합체 또는 수지 성분을 포함한다.
전도체 분야에서, 기능상은 전기 기능성 전도체 분말(들)로 이루어진다. 주어진 후막 조성물 중의 전기 기능성 분말은 단일 타입의 분말, 분말들의 혼합물, 몇가지 원소들의 합금 또는 배합물을 포함할 수 있다. 상기 분말들의 예로는 금, 은, 구리, 니켈, 알루미늄, 백금, 팔라듐, 몰리브데늄, 텅스텐, 탄탈륨, 주석, 인듐, 란탄, 가돌리늄, 붕소, 루테늄, 코발트, 티타늄, 이트륨, 유로퓸, 갈륨, 황, 아연, 규소, 마그네슘, 바륨, 세륨, 스트론튬, 납, 안티몬, 전도성 탄소, 및 이들의 혼합물 및 후막 조성물 분야에서 일반적인 다른 것들을 들 수 있다.
저항기 조성물에서, 기능상은 일반적으로 전도성 산화물이다. 저항기 조성물 중의 기능상의 예는 Pd/Ag 및 RuO2이다. 다른 예로는 하기 화학식으로 표현되는, RU+4, IR+4또는 이들의 혼합물(M")의 다성분 화합물인 루테늄 피로클로르 옥시드를 들 수 있다:
(MxBi2-x)(M'yM"2-y)O7-z
상기 식 중,
M은 이트륨, 탈륨, 인듐, 카드뮴, 납, 구리 및 희토류 금속으로 이루어진 군으로부터 선택되고,
M'은 백금, 티타늄, 크롬, 로듐 및 안티몬으로 이루어진 군으로부터 선택되고,
M"은 루테늄, 이리듐 또는 이들의 혼합물이고,
x는 0 내지 2이고, 단 1가 구리의 경우 x ≤1이고,
y는 0 내지 0.5이고, 단 M'이 로듐 또는 2종 이상의 백금, 티타늄, 크롬, 로듐 및 안티몬일 때 y는 0 내지 1을 나타내고,
z는 0 내지 1이고, 단 M이 2가 납 또는 카드뮴일 때 z는 적어도 약 x/2와 동일하다.
이들 루테늄 피로클로르 옥시드는 미국 특허 제3,583,931호의 명세서에 상세하게 설명되어 있다. 바람직한 루테늄 피로클로르 옥시드는 비스무스 루테네이트 (Bi2Ru2O7) 및 납 루테네이트 (Pb2Ru2O6)이다.
유전체 조성물에서, 기능상은 일반적으로 유리 또는 세라믹이다. 유전성 후막 조성물은 전하들을 분리시키고 전하의 저장을 야기시킬 수 있는 비전도성 조성물 또는 절연체 조성물이다. 그러므로, 후막 유전체 조성물은 대표적으로는 세라믹 분말, 산화물 및 비산화물 프릿(frit), 결정화 개시제 또는 억제제, 계면활성제, 착색제, 유기 매질 및 상기 후막 유전체 조성물 분야에서 일반적인 다른 성분을 함유한다. 세라믹 고상물의 예로는 알루미나, 티타네이트, 지르코네이트 및 스태네이트, BaTiO3, CaTiO3, SrTiO3, PbTiO3, CaZrO3, BaZrO3, CaSnO3, BaSnO3및 Al2O3, 유리 및 유리-세라믹을 포함한다. 이것은 또한 상기 재료, 즉 연소시에 유전체 고상물 및 이들의 혼합물로 전환되는 고상 재료의 전구체에도 적용될 수 있다.
위에서 설명한 분말은 유기 매질 중에 미세하게 분산되고, 임의적으로 무기 결합제, 금속 산화물, 세라믹 및 충전제, 예를 들면 다른 분말 또는 고상물이 수반된다. 후막 조성물 중의 무기 결합제의 기능은 연소 후에 입자들을 서로 및 기판에 결합시키는 것이다. 무기 결합제의 예로는 유리 결합제(프릿), 금속 산화물 및 세라믹을 들 수 있다. 후막 조성물에 유용한 유리 결합제는 당 업계에서 관습적인 것이다. 몇몇 예로는 보로실리케이트 및 알루미노실리케이트 유리를 들 수 있다. 예로는 추가로, 독립적으로 또는 혼합물로 사용되어 유리 결합제를 형성할 수 있는 B2O3, SiO2, Al2O3, CdO, CaO, BaO, ZnO, SiO2, Na2O, PbO 및 ZrO과 같은 산화물들의 혼합물을 들 수 있다. 후막 조성물에 유용한 대표적인 금속 산화물은 당 업계에서 관습적인 것이고, 예를 들면 ZnO, MgO, CoO, NiO, FeO, MnO 및 이들의 혼합물일 수 있다.
기능상 및 임의의 다른 분말은 대표적으로는 기계식 혼합에 의해 유기 매질과 혼합되어 인쇄에 적합한 콘시스턴시 및 레올로지를 갖는 페이스트와 같은 조성물을 형성한다. 광범위의 다양한 불활성 액체가 유기 매질로서 사용될 수 있다. 유기 매질은 고상물들이 적절한 안정도로 분산될 수 있는 것이어야 한다. 매질의 유동학적 특성은 조성물에 양호한 도포성을 부여하는 것이어야 한다. 상기 특성은 적합한 안정도를 갖는 고상물의 분산, 조성물의 양호한 도포, 적절한 점도, 틱소트로피, 기판 및 고상물의 적절한 습윤성, 양호한 건조 속도, 양호한 연소 특성 및 거친 취급을 견디기에 충분한 건조된 피막 강도를 들 수 있다. 유기 매질은 당 업계에서 관습적인 것으로 대표적으로는 용매(들) 중의 중합체의 용액이다. 이러한 목적에 가장 자주 사용되는 수지는 에틸 셀룰로스이다. 수지의 다른 예로는 에틸히드록시에틸 셀룰로스, 우드 로진, 에틸 셀룰로스와 페놀 수지의 혼합물을 들 수 있고, 저급 알콜의 폴리메타크릴레이트, 및 에틸렌 글리콜 모노아세테이트의 모노부틸 에테르도 또한 사용될 수 있다. 후막 조성물 중에서 발견되는 가장 널리 사용되는 용매는 에틸 아세테이트 및 테르펜, 예를 들면 알파- 또는 베타-테르핀올 또는 이들의 다른 용매, 예를 들면 케로센, 디부틸프탈레이트, 부틸 카르비톨, 부틸 카르비톨 아세테이트, 헥실렌 글리콜 및 고비점 알콜 및 알콜 에스테르와의 혼합물이다. 이들 및 다른 용매들의 다양한 혼합물들을 배합하여 바람직한 점도 및 휘발도 요구치를 얻는다.
또한, 후막 조성물은 또한 가공 동안에 조성물의 다양한 특성, 예를 들면 접착성, 소결, 가공, 경납땜적성(brazeability), 납땜적성, 신뢰도 등을 향상시키기 위하여 다른 금속 입자 및 무기 결합제 입자들을 포함할 수 있다. 옥살산 촉매된 알킬 t-부틸/아밀 페놀 수지는 아래에서 추가로 설명되는 전사 시트의 지지체에 대한 후막 조성물의 접착성을 증가시키기 위해 사용된 정착제의 한 예이다.
연소가능한 후막 조성물에서는, 300 내지 1000 ℃의 온도 범위에서 연소시킬 때, 후막 조성물의 기판에 대한 접착성은 일반적으로 기판을 습윤시키는 용융된 유리 프릿(들)에 의해 달성된다. 후막 조성물의 무기 결합제(유리 프릿, 금속 산화물 및 다른 세라믹) 부분이 기판에 대한 접착성의 중심이다. 예를 들면, 전통적인 후막 전도체 조성물 연소시에, 소결된 금속 분말은 무기 결합제에 의해 습윤되거나 또는 인터로킹되고, 동시에 무기 결합제는 기판을 습윤시키거나 또는 기판과 인터로킹되고, 따라서 소결된 금속 분말과 기판 사이에 접착성을 생성시킨다. 그러나, 후막 기능성을 위해서는, 패턴화 기술이 규정된 양 이내의 모든 필요한 성분들을 갖는 잘 분산된 후막 조성물을 부착시키는 것이 중요하다. 1000 ℃ 이상의 연소 온도의 경우, 무기 결합제 습윤/인터로킹 접착 메카니즘 외에, 다른 상호작용 및 화합물 형성이 접착 메카니즘에 기여할 수 있다.
중합체 후막 조성물은 주로 중합체 또는 천연 및 합성 수지 및 용매, 대표적으로는 휘발성 용매 및 중합체를 함유하는 유기 매질 중에 분산된 상기에서 논의된 것과 같은 전도성, 저항성 또는 유전성 분말로 이루어진다. 이들은 대표적으로는 유리 프릿을 포함하지 않는데, 이들이 경화되고 연소되지 않기 때문이다. 중합체 후막 조성물에 사용되는 대표적인 중합체의 몇몇 예는 폴리에스테르, 아크릴, 비닐 클로라이드, 비닐 아세테이트, 우레탄, 폴리우레탄, 에폭시, 페놀 수지계 또는 이들의 혼합물이다. 유기 매질은 바람직하게는 입자 및 기판의 적절한 습윤성, 양호한 건조 속도, 거친 취급을 견디기에 충분한 건조된 피막 강도를 제공하도록 배합된다. 건조된 조성물의 만족스러운 외관도 또한 중요하다.
적합한 용매는 중합체를 용해시켜야 한다. 용매의 몇몇 예를 다음에 열거한다: 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 메틸 프로판올 아세테이트, 1-메톡시-2 프로판올 아세테이트, 메틸 셀로솔브 아세테이트, 부틸 프로피오네이트,1차 아밀 아세테이트, 헥실 아세테이트, 셀로솔브 아세테이트, 펜틸 프로피오네이트, 디에틸렌 옥살레이트, 디메틸 숙시네이트, 디메틸 글루타레이트, 디메틸 아디페이트, 메틸 이소아밀 케톤, 메틸 n-아밀 케톤, 시클로헥사논, 디아세톤 알콜, 디이소부틸 케톤, n-메틸 피롤리돈, 부티롤락톤, 이소포론, 메틸 n-이소프로필 케톤. 이들 및 다른 용매들의 다양한 혼합물이 중합체 후막 조성물이 사용되는 방법에 바람직한 점도 및 휘발도 요구치를 얻도록 배합된다.
유기 매질은 바람직한 기판에 대한 필요한 접착성을 부여해야 하고, 또한 조성물에 필요한 표면 경도, 환경변화에 대한 내성 및 가요성을 제공한다. 당 업계의 통상의 숙련인에게 공지된 첨가제들을 유기 매질 중에 사용하여 인쇄를 위하여 점도를 미조정(fine-tune)할 수 있다.
기재 재료 상에 중합체 후막 조성물을 도포한 후, 조성물은 대표적으로는 휘발성 용매가 날아가 버리거나 또는 건조되도록 하는 약 150 ℃까지의 온도에서 가열함으로써 건조된다. 건조 후, 적용분야에 따라 조성물은 중합체가 분말과 결합하여 회로 패턴 또는 다른 바람직한 결과를 형성시키게 되는 경화 공정을 겪게 된다. 바람직한 최종 특성들을 얻기 위하여, 당 업계의 통상의 숙련인은 후막 조성물이 최종 결과를 충족시키기 위하여 바람직한 각 성분들의 최적량을 함유하는 것이 중요함을 안다. 예를 들면, 배리스터 종료 도포를 위한 후막 은 조성물은 특정 은 분말 70 + 또는 - 2 %, 사용된 배리스터 세라믹 기판 타입과 상용성인 프릿의 혼합물 2 + 또는 - 0.04 %, 금속 산화물 정착제, 소결 촉진제/억제제 0.5 + 또는 - 0.01 %를 함유할 수 있고, 나머지는 중합체(들), 용매(들), 계면활성제(들), 분산제(들) 및 후막 조성물 업계에서 일반적으로 사용되는 다른 재료들이다. 각 성분의 최적량은 바람직한 후막 전도체, 저항기, 유전체 또는 에미터 성질을 달성하는데 중요하다. 필요한 특성으로는 부착량, 밀도, 균일한 두께 및 회로 패턴 치수, 전기적 특성, 예를 들면 저항율, 전류-전압-온도 특성, 마이크로파, 고주파 특성, 커패시턴스, 인덕턴스 등; 상호연결 특성, 예를 들면 납땜, 경납 습윤, 압축 및 와이어 결합, 접착제 연결, 및 결합부 특성; 광학 특성, 예를 들면 형광, 및 요구될 수 있는 다른 초기 및 노화된/응력 시험 특성을 들 수 있다.
방법 설명 및 재료 시스템
본 발명의 방법은 기판 표면 상에 도포되는 감광성 중합체층을 포함한다. 패턴화 방법에서는, 패턴이 화학선을 사용하여 점착성 감광성 중합체층 상에 상형성되고, 중합체층의 노광된 영역이 화학적 변화를 행하여 그 영역을 비점착성으로 만든다. 바람직하게는 적층에 의한, 후속되는 후막 전사 시트의 도포는 전기 기능성을 갖는 후막 조성물이 단지 점착성 패턴화 영역에만 부착되도록 한다. 전사 시트를 박리해낼 때, 패턴을 갖는 후막 프린트가 상형성된 감광층의 점착성 영역의 상부에 생성되게 된다. 이어서 전사 시트 상에 사용된 후막 조성물에 의해 규정되는 바와 같은 대표적인 가공 조건을 아래에서 설명한다.
신규의 후막 패턴화 방법은 하기하는 재료 및 가공 단계를 포함한다.
예시를 위하여 전사 시트로 언급되는 시트가 도 1a에 묘사된다. 이것은 지지체(102) 상에 침착된, 상기에서 설명된 바와 같이 후막 조성물 중에서 발견되는 분말, 무기 결합제 및 유기 매질을 갖는, 1개 이상의 건조된 스트리핑가능한 후막조성물(101), 바람직하게는 연소가능한 후막 조성물 층을 포함한다.
후막 조성물은 예를 들면 스트리핑가능한 지지체 상에 유연(流延)(cast), 인쇄 또는 분무에 의해 침착된 다음 건조된다. 건조 동안에 휘발성 유기 용매가 증발된다. 지지체는 건조된 후막 조성물을 상형성된 감광층에 도포하기 위한 전달 비히클이다. 건조된 스트리핑가능한 후막 조성물층은 필요한 공정 단계 전체에 걸쳐 지지체 상에 부착된 채로 유지되기 위하여 지지체에 대한 충분한 접착성을 가져야 하지만, 동시에 건조된 스트리핑가능한 층의 접착 강도는 후막 조성물이 상형성된 감광층 상에 부착되어 본 발명의 방법의 단계들을 수행할 수 있도록 스트리핑가능한 지지체의 접착 강도와 조심스럽게 균형을 이루어야 한다.
스트리핑가능한 지지체는 합리적인 가요성 및 일체성을 갖는 거의 모든 재료를 포함할 수 있다. 후막 조성물의 단일층 또는 다수개의 층들이 지지체에 도포될 수 있다. 지지체는 일반적으로 평활하고 편평하며, 치수적으로 안정하다. 폴리에스테르 또는 폴리올레핀 필름, 예를 들면 폴리에틸렌 폴리프로필렌이 적합한 지지체의 예이다. 지지체로서 사용될 수 있는 적합한 재료의 예로는 이.아이. 듀퐁 디네모아스 앤드 캄파니(E.I. du Pont de Nemours and Company)로부터 입수할 수 있는 밀라르(MYLAR)(등록상표) 폴리에스테르(폴리에틸렌 테레프탈레이트) 필름 및 미국 노쓰 캐롤라이나주 윈스톤-살렘 소재의 획스트(Hoechst)로부터 입수할 수 있는 트레스파판(TRESPAPHAN)(등록상표) 필름이다. 지지체는 대표적으로는 10 내지 250 미크론의 두께를 갖는다. 지지체는 시트 형태일 수 있으며, 이것은 생성되어야 할 필요가 있는 패턴의 크기와 비례할 수 있거나, 또는 지지체는 연속 롤일 수 있다.롤은 연속적인 대량 생산을 가능하게 할 수 있다. 임의적으로, 가요성 커버 시트가 건조된 후막 조성물층의 최외곽층 상에 존재할 수 있다. 커버 시트는 아래에 놓여지는 영역들을 보호하고, 용이하게 제거될 수 있다.
전사 시트의 다른 실시태양에서, 다수개의 층의 후막 조성물이 지지체 상에 침착될 수 있어, 이중층 전사 시트를 생성시킨다. 다수개의 층들의 제1층은 지지체 상에 유연되고 건조된 은 함유 후막 조성물층을 포함할 수 있다. 제2층은 은 후막 층의 상부 상에 유연 및 건조된 블랙 후막 조성물 콘트라스트 층을 포함하여 한 지지체 상에 2개의 후막 조성물 층을 생성시킬 수 있게 된다.
전사 시트의 다른 실시태양에서, 후막 조성물의 성분들이 분리될 수 있다. 예를 들면, 유기 매질과 함께 귀금속을 한 지지체 상에 유연시킬 수 있고, 무기 분말을 유기 매질과 함께 다른 지지체 상에 유연시킬 수 있다. 이어서 본 발명의 방법은 2개의 단계로 수행될 수 있다.
본 발명의 방법은 점착성 표면을 갖는 감광층을 사용한다. 감광층은 임의적인 스트리핑가능한 지지체 또는 기재층, 감광성 점착성 층 및 스트리핑가능한 커버 시트를 포함하고, 이 때 스트리핑가능한 지지체는 스트리핑가능한 커버 시트보다 감광성 점착성 층에 대하여 보다 큰 접착성을 갖는다. 화학선은 1종 이상의 광활성 성분을 함유하는 감광층 상에 충돌하여 그 재료 내에서 물리적 또는 화학적 변화를 유발시킨다. 본 발명에 유용한 감광성 조성물에서, 화학선에 대한 노광은 층의 점착성에 변화를 야기시킨다. 이 부재는 사진평판 분야에 공지되어 있는 바와 같이 포지티브 작용(positive working) 부재가 된다. 예는 미국 델라웨어주 윌밍톤 소재의 이.아이. 듀퐁 디 네모아스 앤드 캄파니에 의해 판매되는 크로말린(CROMALIN)(등록상표) 감광성 제품이다. 포지티브 작용 감광성 부재에 대한 설명은 미국 특허 제3,649,268호; 제4,734,356호(지지체층, 결합제 성분, 에틸렌 불포화 단량체 성분 및 광중합성 개시제를 갖는 감광층, 및 임의적으로 커버 시트를 포함하는 포지티브 작용 감광성 부재); 제4,849,322호(커버 시트, 광부착층 및 조색가능한(tonable) 연속층을 포함하는 다층 부재); 제4,892,802호; 제4,948,704호; 제4,604,340호; 및 제4,698,293호에 기재되어 있다.
화학선에 상 방식 노광될 때 감광성 조성물이 덜 점착성 내지 비점착성(이하, "비점착성"으로 언급됨)으로 되는 경우, 조성물을 "광경화성"인 것으로 언급한다. 광경화성 시스템은 공지되어 있으며, 본 발명에서 바람직하고 일반적으로 광개시제 또는 광개시제 시스템(이하 집합적으로 "광개시제 시스템"으로 언급함) 및 화학선에 대한 광개시제의 노광에 의해 생성되는 종과 반응하여 점착성을 감소시키게 되는 1종 이상의 화합물, 에틸렌 불포화 화합물 및 결합제를 포함한다. 이와 관련하여, 광개시제 시스템은 화학선에 노광되었을 때 에틸렌 불포화 화합물의 가교결합 및(또는) 중합을 개시하는데 필요한 유리 라디칼 원으로서 작용한다. 비록 광경화성 시스템으로 제한되지는 않지만, 본 발명의 부재의 감광층이 상기 시스템의 면에서 추가로 설명될 것이다.
광개시제 시스템은 화학선에 의해 활성화될 때 유리 라디칼을 직접 제공하는 1종 이상의 화합물을 갖는다. 이 시스템은 또한 화학선에 의해 활성화되어 화합물이 유리 라디칼을 제공하는 증감제를 함유할 수 있다. 유용한 광개시제 시스템은또한 스펙트럼 반응이 근 자외선, 가시선 및 근적외선 스펙트럼 영역 내로 확장되는 증감제를 함유할 수도 있다.
광개시제 시스템은 공지되어 있으며, 이 시스템에 대한 논의는 예를 들면 문헌["Photoreactive Polymers: The Science and Technology of Resists" by A. Reiser, John Wiley & Sons, New York, 1989; 및 "Radiation Curing: Science and Technology" edited by S.P. Pappas, Plenum Press, New York, 1992]에서 찾아볼 수 있다.
바람직한 광개시제 시스템은 화학선에 의해 활성화될 수 있는 유리 라디칼 생성 첨가 중합반응 개시제이고, 100 ℃ 이하에서 열 불활성이다. 이들은 치환 또는 비치환된 다핵 퀴논, 예를 들면 9,10-안트로퀴논; 비시날 케탈도닐 알콜, 예를 들면 벤조인; α-메틸벤조인을 포함하는 α-탄화수소-치환된 방향족 아실로인; 미슬러(Michler's) 케톤, 벤조페논, 수소 공여체와 결합된 헥사아릴비이미다졸을 포함한다. 특히 바람직한 광개시제들는 수소 공여체를 갖는 헥사아릴비이미다졸; 미슬러 케톤 및 에틸 미슬러 케톤, 특히 벤조페논과 결합되어 있는 것; 및 아세토페논 유도체를 포함한다.
에틸렌 불포화 화합물은 유리 라디칼 개시된 중합반응 및(또는) 가교결합을 행할 수 있는 것이다. 상기 화합물은 일반적으로 단량체 또는 올리고머로서 알려져 있지만, 반응성 측기를 갖는 중합체도 또한 사용될 수 있다. 상기 화합물은 당 업계에 공지되어 있고, 예를 들면 문헌["Light-Sensitive Systems: Chemistry and Application of Nonsilver Halide Photographic Processes" by J. Kosar(JohnWiley & Sons, Inc., 1965); "Imaging Processes and Materials-Neblette's Eighth Edition" edited by J. Sturge, V. Walworth and A. Shepp(Van Nostrand Reinhold, 1989); 및 "Photoreactive Polymer-The Science and Technology of Resists" by A. Reiser(John Wiley & Sons, Inc., 1989)]에 기재되어 있다. 대표적인 단량체는 알콜의 불포화 에스테르, 바람직하게는 폴리올의 아크릴 또는 메타크릴산과의 에스테르, 예를 들면 t-부틸 아크릴레이트, 시클로헥실 아크릴레이트, 히드록시-C1-C10-알킬 아크릴레이트, 부탄디올 디아크릴레이트, 헥사메틸렌 글리콜 디아크릴레이트, 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트, 폴리옥시에틸화 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트, 디에틸렌 글리콜 디아크릴레이트, 글리세롤 트리아크릴레이트, 에틸렌 글리콜 디메타크릴레이트, 펜타에리트리톨 트리- 및 테트라아크릴레이트 및 메타크릴레이트; 비스페놀 A의 아크릴옥시- 및 메타크릴옥시-알킬 에테르, 예를 들면 비스페놀 A의 디-(3-아크릴옥시-2-히드록시프로필)에테르 및 테트라브로모-비스페놀 A의 디-(3-아크릴옥시-2-히드록시프로필)에테르; 불포화 아미드, 예를 들면 1,6-헥사메틸렌 비스-아크릴아미드; 비닐 에스테르, 예를 들면 디비닐 숙시네이트, 디비닐 프탈레이트, 및 디비닐 벤젠-1,3-디술포네이트; 스티렌 및 그의 유도체; 및 N-비닐 화합물, 예를 들면 N-비닐 카르바졸이다.
결합제는 반응성 기들을 함유할 수 있는 피막형성 재료이다. 단독으로 또는 혼합물로 사용될 수 있는 적합한 결합제는 당 업계에 공지되어 있다. 이들은 폴리아크릴레이트 및 알파-알킬 아크릴레이트 에스테르; 폴리비닐 에스테르; 에틸렌 비닐 아세테이트 공중합체; 폴리스티렌 중합체 및 공중합체; 비닐리덴 클로라이드 공중합체; 폴리비닐 클로라이드 및 공중합체; 합성 고무; 폴리글리콜의 고분자량 폴리에틸렌 옥시드; 에폭시드; 코폴리에스테르; 폴리아미드; 폴리카보네이트; 폴리비닐 아세탈; 폴리포름알데히드이다. 최근에는 수성 가공성 결합제에 보다 많은 관심을 갖고 있다. 수성 가공성을 위해서는, 결합제는 알칼리 수용액에 의해 현상될 수 있어야 한다. "현상될 수 있다는" 것은 결합제가 현상제 용액 중에 가용성, 팽윤성 또는 분산성임을 의미한다. 바람직하게는, 결합제는 현상제 용액 중에 가용성이다. 결합제로서 특히 바람직한 것은 산성 중합체 유기 화합물이다. 단일 또는 다수개의 결합제 화합물이 사용될 수 있다. 본 발명의 방법에 유용한 일군의 결합제는 유리 카르복실산기를 함유하는 비닐 부가 중합체이다, 이들은 1종 이상의 알킬 아크릴레이트 30-94 몰% 및 1종 이상의 알파-베타 에틸렌 불포화 카르복실산 70-6 몰%로부터; 보다 바람직하게는 2종의 알킬 아크릴레이트 61-94 몰% 및 알파-베타 에틸렌 불포화 카르복실산 39-6 몰%로부터 제조된다. 이들 중합체 결합제를 제조하는데 사용하기 적합한 알킬 아크릴레이트는 메틸 아크릴레이트, 에틸 아크릴레이트, 프로필 아크릴레이트, 부틸 아크릴레이트, 및 메타크릴레이트 유사체를 포함한다. 적합한 알파-베타 에틸렌 불포화 카르복실산은 아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산, 말레산 또는 말레산 무수물 등을 포함한다, 이러한 타입의 결합제 및 이들의 제조 방법은 1973년 11월 8일에 공개된 독일 특허 출원 OS 2,320,849호에 설명되어 있다. 스티렌이 알킬 아크릴레이트 또는 메타크릴레이트 성분 중의 1종 대신 치환될 수 있다. 또한 적합한 것은 영국 특허 제1,361,298호에 상세하게 설명되어 있는 바와 같이, 스티렌 및 치환된 스티렌과 불포화 카르복실 함유 단량체의 공중합체이다.
광경화성 조성물에 관습적으로 첨가되는 다른 성분들이 층의 물리적 특성을 변화시키기 위해 존재할 수 있다. 상기 성분은 가소제, 열 안정제, 형광증백제, 자외선 흡수 재료, 칼라 포머(color former), 접착성 개질제, 코팅조제 및 박리제를 포함한다. 또한, 적용분야에 따라, 다른 불활성 첨가제들이 염료, 안료 및 충전제로서 사용될 수 있다. 이들 첨가제들은 일반적으로 조성물의 노광을 방해하지 않을 정도로 소량으로 존재한다.
광경화성 층을 위한 대표적인 조성물은 광경화성 층의 총 중량을 기준하여, 광개시제 시스템 0.1 내지 10 중량%, 바람직하게는 1 내지 7 중량%; 에틸렌 불포화 화합물(들) 5 내지 60 중량%, 바람직하게는 15 내지 50 중량%; 결합제(들) 25 내지 90 중량%, 바람직하게는 45 내지 75 중량%; 모든 다른 성분 0 내지 5 중량%, 바람직하게는 0 내지 4 중량%이다. 층의 두께는 최종 용도에 따라 변화된다. 일반적으로, 두께는 0.7 내지 125 미크론 범위이다.
감광성 필름 중에 1개 이상의 감광층을 가질 수 있다. 층은 동일하거나 또는 상이한 조성물을 가질 수 있다. 접착성 또는 다른 특성을 조절하기 위하여 비감광층을 가질 수도 있다. 지지체 및 커버 시트를 제외한, 모든 층들의 전체 두께는 단일의 감광층의 경우에 대하여 상기 열거한 바와 동일한 범위 내이어야 하지만, 더 큰 두께가 사용될 수 있다.
도 1b는 제거가능한 기재층을 점착성 표면 및 임의적인 커버층(103), 예를 들면 밀라르(MYLAR)(등록상표) 필름을 갖는 광경화성 층(104)으로부터 제거한 후광경화성 층을 기판(105) 상에 적층시킨 조립체를 예시한다. 이 조립체에 사용될 수 있는 기판은 경질 또는 연질 및 영구적 또는 일시적일 수 있으며, 회로 조립 분야의 통상의 숙련인에게 공지되어 있다. 기판의 몇몇 예로는 유리 패널(예를 들면 소다 석회 유리), 유리-세라믹, 저온 동시연소된 세라믹, 알루미나, 알루미늄 옥시드, 및 코팅된 기판, 예를 들면 자기화된 강, 광택 세라믹 기판, 및 세라믹, 유리 또는 중합체로 절연된 절연 금속 기판을 들 수 있다. 기판은 그들의 연소된 또는 미처리된 상태로 있을 수 있다. 광경화성 층은 기판과 커버층 사이에 샌드위치된다. 커버층은 화학선의 통과에 대하여 투명하고, 광경화성 층의 점착성 표면을 보호한다.
도 1c에 의해 예시되는 바와 같이, 광경화성 층을 패턴화된 광마스크 (photomask)(106)를 통해 화학선으로 상 방식 노광시키면 광경화성 층(107)의 노광된 영역의 점착방지를 야기시켜 패턴, 예를 들면 전기 기능성을 갖는 회로 패턴을 형성시킨다. 회로 패턴은 광마스크 상에서 발견되는 것과 동일한 포지티브 상이다. 노광 후에, 존재할 경우 광경화성 층 상의 커버 시트를 제거한다. 도 1d는 광경화성 층(104 및 107) 상에 적층된 전사 시트(상형성된 광경화성 층을 향하는 후막 재료 면)를 예시한다. 후막 조성물(101)은 실질적으로 광경화성 층의 노광되지 않은 점착성 영역에 부착되게 된다. 역 회로 패턴이 그 위에 형성되어진 사용된 전사 시트를 광경화성 층으로부터 박리해낸 후, 도 1e에 예시한 바와 같은 물품을 형성시키는 후막 회로 패턴이 생성된다. 상기 방법을 반복할 수 있다, 즉 광경화성 층, 상형성, 전사 시트의 도포를 적어도 바람직한 층 수에 도달할 때까지 반복할 수 있다. 이어서 용품은 연소 단계를 행하게 된다.
임의적으로, 조립체의 적용분야에 따라, 조립체는 후막 회로 패턴이 점착성 비경화된 광경화성 층을 통해 기판 표면 상으로 확산되도록 하는 열 처리를 행할 수 있다. 이어서 연소 단계가 이어진다.
광경화성 층을 구성하는 현재 입수할 수 있는 재료는 약 400 ℃에서 연소 또는 완전연소하게 된다. 따라서, 광경화성 층의 완전연소 및 완전한 제거가 바람직한 경우, 권장되는 연소 온도는 400 ℃ 이상이어야 한다.
400 내지 1000 ℃ 온도 범위에서 연소시에 후막 필름 조성물의 부착을 달성하기 위하여, 후막 조성물 중의 유리 프릿/무기 결합제 시스템이 중요함을 언급하였다. 몇몇 특수 경우, 이러한 요구조건은 필수적이지 않을 수 있다. 무기 결합제가 없는 후막 조성물을 결합제가 없는 후막 조성물의 연소/소결 온도에 가까운 연화점을 갖는 유전 또는 유리질 성분을 함유하는 기판에 도포할 때, 기판 표면 그 자체는 전통적인 후막 조성물 중의 유리/무기 분말의 역할을 대신할 수 있다. 추가적으로, 전도성, 저항성 또는 유전성 분말 그 자체가 몇몇 종류의 유리 또는 세라믹(또는 이들의 혼합물)으로 코팅되는 경우, 이 코팅은 후막 조성물의 무기 결합제 시스템으로서 작용할 수 있다. 유리/세라믹 코팅을 분무, 용액 침지, 에어로졸 환원, 침전, 증착, 텀블링(tumbling) 등을 포함하는 수많은 방법으로 도포할 수 있다. 코팅된 입자는 균일한 및 강한 코팅을 위하여 열 처리될 수 있다.
다른 실시태양에서, 상기한 바와 같이 기판 상에 배치된 광경화성 층의 노광 또는 상형성 단계를 건너뛸 수 있다. 상형성 단계 부재시에는, 일단 광경화성 층의 커버 시트가 제거되면, 광경화성 층의 전체 표면이 점착성으로 남아있게 된다. 점착성 광경화성 층에 전사 시트의 적층 및 시트의 제거시에, 전사 시트의 후막 조성물은 실질적으로 광경화성 층 상에 남아있게 된다. 그러므로, 생성된 패턴은 노광되지 않은 영역을 완전히 피복하게 된다. 이것은 유전성 후막 조성물 분야에서 특히 유용하다.
도 2는 네가티브 상(negative image) 방법을 사용하는 중합체 후막 조성물 패턴화 방법을 설명한다. 도 2a는 적합한 지지체(202) 상에 도포되고 건조되어 전사 시트를 생성하는 중합체 후막 조성물(201)을 묘사한다. 지지체는 경질 또는 연질, 유기 또는 무기 기재의 것일 수 있다. 이 실시태양은 감열 지지체, 예를 들면 인쇄된 배전판(wiring board)에 특히 유용하다. 하지만, 연소 조건을 견딜 수 있는 지지체가 사용될 수 있다. 중합체 후막 조성물을 인쇄, 유연 및 분무를 포함하는 임의의 적합한 수단에 의해 지지체 상에 도포한 다음 건조시킨다. 도 2b에서는, 광경화성 층[기재층(205)과 임의적인 커버 시트(204) 사이에 샌드위치되게 되는 층], 예를 들면 크로말린(등록상표)이 바람직한 패턴의 네가티브 상을 갖는 커버 시트를 통해 상 방식 노광된다. 이어서 커버 시트(204)를 제거한다. 도 2c는 후막 조성물이 상형성된 층의 비점착성 영역 중의 지지체에 부착되고, 점착성 영역 중의 상형성된 층에 실질적으로 부착되는 중합체 후막 조성물 전사 시트 상으로의 상형성된 광경화성 층(203)의 적층을 묘사한다. 도 2d에서는, 상형성된 광경화성 층 및 그의 기재층을 박리시켜 내서, 지지체(202) 상에 패턴화된 중합체 후막 조성물(201)을 두어 패턴화된 물품을 형성시킨다. 패턴화된 중합체 후막 조성물은 노광된 광-투울(photo-tool) 패턴의 네가티브 상이다. 이어서 패턴화된 중합체 후막 조성물을 바람직한 시간, 온도, 대기 및 압력에서 경화시켜 전자 분야에 필요한 특성을 달성한다. 본 분야에 유용한 중합체 후막 조성물이 공지되어 있으며, 상기에서 설명된다.
본 명세서에서 설명된 신규 방법은 큰 면적의 기판에 대한 가능성, 정밀 및 고밀도 패턴화, 전 기판 표면에 걸쳐 균일한 금속화 두께, 자동 대량 생산 가능성, 다양한 형태, 타입, 연질 및 경질 기판(예를 들면: 폴리에스테르, 폴리올레핀, 폴리카보네이트, PVC, 밀라르(등록상표), 트레스파판(등록상표), 폴리스티렌, 인쇄된 배전판, 라미네이트, BT, 폴리이미드, 종이, 금속 또는 다른 시트, 유리, 세라믹-산화물 및 비산화물, 미처리-미연소된 세라믹 및 유리 세라믹)에의 적용가능성, 순차적인 또는 단일의 연소/동시연소/경화 다층 패턴화 등을 포함하여 많은 이점들을 제공한다.
본 발명은 또한 바람직한 회로 패턴의 역상을 생성시키게 되는 전사 공정을 행한 사용된 전사 시트가 임의의 잔류 후막 조성물로부터 벗겨내어지는 회수 방법으로 확장되며, 이 때 스트리핑된 후막 조성물은 다시 이용될 수 있다. 도 3은 전사 시트가 연속 롤인 롤 대 롤 시스템인 회수 시스템의 한 실시태양을 예시한다. 사용된 전사 롤(301)은 후막 조성물 및 용매가 용액을 형성하는 후막 조성물 중에서 발견되는 유기물을 용해시키게 되는 용매욕을 함유하는 큰 통(vat)(303) 내로 전사 롤의 조절된 전달을 가능하게 하는 이중 롤 시스템(302)을 통해 나아간다. 제조 설비 중에서의 가공의 용이함을 위하여, 전사 롤 상에서 발견되는 후막 조성물을 제조하는데 사용된 것과 동일한 용매를 사용하는 것이 바람직하지만, 후막 조성물을 용해시키게 되는 임의의 혼화성 용매가 사용될 수 있다. 임의적인 교반원(304)을 용매의 큰 통 중에 사용할 수 있다. 교반원은 초음파, 교반기, 스크러버(scrubber) 또는 지지체로부터 제거될 수 있는 후막 조성물의 입자들을 교반시키는 임의의 다른 장치일 수 있다. 이어서 코팅되지 않은 지지체를 용매에 의해 용해된 후막 조성물로부터의 입자를 함유하는 큰 통으로부터 제거한다. 용액을 큰 통으로부터 배수시키고, 용액의 레올로지를 조절하여 용액이 새로운 전사 시트 또는 전사 롤의 형성을 위해 지지체 상에서 유연되기 적합하도록 만든다.
전사 시트의 형성
트레스파판(등록상표) 지지체 상에서 후막 은 함유 조성물을 유연시키기 위한 방법을 설명한다. 제조된 전사 시트를, 실시예에서 달리 구체적으로 언급하지 않는 한 이하 실시예 1-4 및 8에 사용한다. 모든 %는 달리 언급하지 않는 한 중량%이다.
도자기 세라믹 단지에 하기하는 성분들을 첨가하였다:
용기 약 40%를 충전시키는 알루미나 비이즈,
유기 매질 조성물 58.5 중량%
은 분말(구형 은, 0.1 내지 3 마이크로미터) 37.5 중량%
프릿 조성물 1.0 중량%
에틸 아세테이트 3.0 중량%
유기 매질 조성물:
에틸 아세테이트 82%
메틸 에틸 케톤 6%
디에틸렌 글리콜 디부틸 에테르2%
디부틸 프탈레이트0.5%
에틸 셀룰로스 2%
바르쿰(VARCUM)(등록상표) 수지*7.5%
프릿 조성물
이산화규소 8%
산화알루미늄 0.5%
산화납 70%
산화붕소 12.5%
산화아연 6.5%
불화납 2.5%
혼합물을 12 내지 15 시간 동안 용기 밀링시키고, 비이즈를 스크리닝시키고, 조성물을 15 마이크로미터의 개구를 갖는 독터 블레이드를 사용하여, 미국 노쓰 캐롤라이나주 윈스톤-살렘 소재의 획스트가 제조한 트레스파판(등록상표) 시트 상에서 유연시켰다.
유연 시트를 15분 동안 공기 건조시킨 다음 80 ℃에서 10분 동안 오븐 건조시켰다. 은 코팅된 전사 시트는 바로 사용할 수 있었다.
* 바르쿰(등록상표) 수지: 미국 뉴욕주 체넥터디 소재의 체넥터디 인터내셔날(Schenectady)로부터 입수할 수 있다.
실시예 1
300 mg/dm2범위 내의 코팅 중량을 갖는 포지티브 크로말린(등록상표) 필름, 타입 ICFD(미국 델라웨어주 윌밍톤 소재의 이.아이. 듀퐁 디 네모아스 앤드 캄파니 제조)를 약 250 d/F로 소다 석회 유리 기판에 (제거가능한 기재층을 박리시킨 후) 적층시켰다. 크로말린(등록상표) 필름을 15 유닛 동안 광마스크 회로 패턴(5KW UV 전구)을 사용하여 노광시켰다. 상형성된 크로말린(등록상표) 필름 상의 커버 시트를 박리하였다. 전사 시트를 상형성된 필름 상에(전사 시트의 후막 면이 상형성된 층을 향하도록) 적층시켰다. 전사 시트를 박리시키면 상형성된 필름층의 노광되지 않은 영역이 점착성으로 남아있고 후막이 점착성 영역 상에 부착되어 있는 바람직한 패턴이 생성되었다. 구조물을 디스플레이용 표준 후막 연소 프로필을 사용하여 공기 중에서 500 ℃에서 연소시켰다. 상형성된 필름을 완전히 완전연소시키면, 소결되고 패턴화된 후막이 소다 석회 유리 기판에 강하게 부착되었다. 동일한 은 후막 조성물을 스크린 인쇄시키고 동일한 타입의 유리 기판 상에서 연소시킨 표준 방법과 상기 패턴화 방법 사이에는 검출가능한 정도의 접착성 차이가 없었다.
실시예 2
크로말린(등록상표) 필름의 노광을 배제하고, 585 ℃의 연소 온도에서 가공한 것을 제외하고는 실시예 1에서와 동일한 방법을 반복하였다. 크로말린(등록상표) 필름(전사 시트의 후막 조성물에 의해 완전히 덮여짐)을 완전연소시켜 기판 표면 전체에 걸쳐 후막 조성물의 접착성을 얻었다.
실시예 3
실시예 2와 동일한 방법을 6회(상형성된 막/후막 조성물/상형성된 막/후막 조성물 등) 반복하고, 6층 상형성된 막/후막 조성물을 585 ℃에서 동시연소시켰다. 유사하게, 상형성된 필름의 모든 6개의 층들을 완전연소시키고, 후막층을 유리 기판에 부착시켰다.
실시예 4
이중 전사 시트 구조물을 생성시켰다. 상기 전사 시트 부분에서 설명한 바와 같이 제1 전사 시트를 제조한 후, 제1 전사 시트의 후막 면 상에 이.아이. 듀퐁 디네모아스 앤드 캄파니가 판매하는 제품 DC243인 블랙 콘트라스트 저항기 조성물을 유연 및 건조시켰다. 이중 층 전사 시트를 실시예 1에 따라 제조하고 585 ℃에서 공기 중에서 연소시켰다.
실시예 5
이.아이. 듀퐁 디네모아스 앤드 캄파니가 판매하는 금 기재 후막 조성물 제품 QC150을 미국 테네시주 킹스포트 소재의 이스트맨 케미칼즈(Eastman Chemicals)가 판매하는 10% 텍사놀(TEXANOL)(등록상표)로 희석시키고(thin), 밀라르(등록상표) 필름 상에 유연시켜 전사 시트를 제조하였다. 전사 시트를 실시예 1에 따라 99.5% 연마된 알루미나 기판 상에서 가공하였다. 구조물을 850 ℃에서 공기 중에서 연소시켰다. 측정된 접착력은 양호하였다.
실시예 6
금 기재 후막 조성물 QC150을 실시예 5에서와 같이 희석시키고, 트레스파판(등록상표) 필름 상에 유연 및 건조시켜 96% 알루미나 기판 상에서 실시예 1에 따라 가공하였다. 생성된 구조물을 850 ℃에서 공기 중에서 연소시켰다. 측정된 접착력은, 후막 조성물(QC150)을 동일한 타입의 기판 상에 인쇄하고 연소시킨 표준 방법과 유사하였다. 1875 미크론 떨어져 있는 2개의 회로 패턴을 볼 수 있다. 2개의 회로 패턴 사이의 거리를 미처리 상태에서 및 연소 후에 측정하였다. 연소된 구조물의 중심들 사이의 거리는 미처리 미연소 구조물과 비교하였을 때 단지 3 미크론 달랐다.
실시예 7
이.아이. 듀퐁 디네모아스 앤드 캄파니로부터 입수할 수 있는 후막 유전 조성물을 밀라르(등록상표) 폴리에스테르 필름 지지체 상에 유연 및 건조시켰다. 이어서 포지티브 크로말린(등록상표) 시트를 알루미나 기판 상에 적층시켰다. 크로말린(등록상표) 시트를 광마스크를 사용하여 화학선에 노광시켜 상형성된 층을 생성시켰다. 이어서 크로말린(등록상표) 시트 상의 커버 시트를 상형성된 층을 노광시켜 박리하였다. 유연 전사 시트를 상형성된 층 상에 적층시켰다. 전사 시트를 박리시켜 상형성된 층 상에 바람직한 패턴을 생성시켜 구조물을 형성하였다. 바람직한 패턴은 적용분야를 통해 가능한 경우 분리된 랜드(land) 및 홀(hole)을 포함하였다. 이어서 구조물을 850 ℃에서 공기 중에서 연소시켰다.
실시예 8
값비싼 귀금속 또는 인광물질 분말의 회수 및 재사용을 용이하게 하기 위하여, 상기 전사 시트 부분에서 발견되는 바와 같은 후막 조성물 제제를 나누어서 2개의 별도의 트레스파판(등록상표) 시트 상에서 유연시키는데 이 때 2단계 도포를 사용하였다. 무기 분말이 없는 귀금속을 유기 매질 중에 분산시키고 제1 트레스파판(등록상표) 캐리어 시트 상에 유연시켰다. 이어서 은 귀금속 분말을 유기 매질 중에서 분산시키고 제2 트레스파판(등록상표) 캐리어 시트 상에 유연시켰다. 패턴화를 2 단계로 수행하였다. 첫째로, 무기 코팅된 트레스파판(등록상표) 시트를 상형성된 크로말린(등록상표) 시트의 상부 상에 실시예 1에서 설명한 방법과 유사하게 적층시켰다. 둘째로, 제1과 동일한 패턴으로 노광된 제2 상형성된 크로말린(등록상표) 시트에 적층된 은 금속 코팅된 트레스파판(등록상표) 시트를 사용하여 공정을 반복하였다. 이어서 구조물을 500 ℃에서 공기 중에서 연소시켰다. 연소된 은 패턴의 저항율은 단단계 전사 시트 도포(예를 들면, 실시예 1에서 발견되는 바와 같음) 또는 본 실시예에서 주어진 바와 같이 2단계 전사 시트 도포를 사용할 때 유사한 것으로 발견되었다.
실시예 9
제1 밀라르(등록상표) 폴리에스테르 필름 상에 미국 캘리포니아주 리버사이드 소재의 페로 코포레이션(Ferro Corporation)이 제조한 X7R 타입 티탄산바륨 기재 유전체의 습윤 스택을 먼저 유연시켜 유전성 시트를 형성함으로써 다층 축전기 구성물을 달성하였다. 이.아이. 듀퐁 디 네모아스 앤드 캄파니로부터 입수할 수있는 팔라듐/은(27/73) 전도체를 제2 밀라르(등록상표) 필름 상에 유연시켜 전사 시트를 형성하였다. 유전성 밀라르(등록상표) 시트 2층을 먼저 적층시킨 다음 이어서 광마스크를 통해 상형성되는 크로말린(등록상표) 시트를 적층시키고; 커버 시트를 제거하고; 이어서 팔라듐-은 전도체 전사 시트를 상형성된 층 상에 적층시키고, 박리시켜 패턴화된 전극층을 형성시켜 3개의 전도체층 축전기 구조물을 형성시켰다. 이어서 유전성 시트를 패턴화된 층의 상부 상에 적층시켰다[패턴화된 전극과 유전체 사이에 점착성 광경화성 층(크로말린(등록상표) 시트)을 필요로 하지 않지만; 유전층의 미처리 강도 특성 상에 기초하여 첨가될 수 있다]. 크로말린(등록상표) 시트/상형성/커버 박리/전극 전사 시트 적층/박리의 공정을 3회 반복하여 3층 축전지 구조물을 얻었다. 이어서 2개의 유전체 층으로 적층시킴으로써 상부층을 위에 올려놓았다. 이어서 전체 구조물을 밀라르(등록상표) 기재로부터 제거하고, 1200℃에서 오븐 중에서 연소하고, 조각들로 절단하였다. 위는 바람직한 구성 기재, 적합한 유전체 조성물 및 전극 전도체 조성물을 사용하여 다층(수십개 또는 수백개의 층) 축전지 구조물을 형성시키는 별법의 방법을 나타낸다.
실시예 10
씬너(Thinner) 8260(이.아이. 듀퐁 디 네모아스 앤드 캄파니로부터 입수할 수 있음)으로 희석된 중합체 후막 은 전도체 조성물(이.아이. 듀퐁 디 네모아스 앤드 캄파니로부터 입수할 수 있는 제품 5000)을, 필름이 전도체 조성물로 피복되어 전사 시트를 형성하도록 밀라르(등록상표) 폴리에스테르 필름 상에 스크린 인쇄시켰다. 필름 상의 조성물의 인쇄된 두께는 약 5 미크론이었다. 조성물을 50℃에서10분 동안 건조시켜 휘발성 용매를 날려 보냈다. 별도로, 크로말린(등록상표) 광경화성 층(지지체 층과 커버 시트 사이에서 샌드위치되게 됨)을 회로 패턴의 네가티브 패턴화된 상으로 상형성시켜 점착성 및 비점착성 영역들을 생성시켰다. 이어서 커버 시트를 제거하고, 지지체 상의 상형성된 층을 전사 시트의 조성물 면 상에 적층시켰다. 상형성된 층 및 그의 지지체 층 및 상형성된 층의 점착성 영역에 달라붙는 조성물을 박리시켜 지지체 상에 패턴화된 중합체 후막 조성물을 남겨두었다. 패턴화된 중합체 후막은 광-투울 패턴의 네가티브 상이었다. 이어서 패턴화된 중합체 후막 조성물을 120℃에서 10분 동안 경화시켜 필요한 접착성 및 중합체 후막 조성물의 저항율 특성을 얻었다.

Claims (29)

  1. (a) 기판 상에 배치되는 점착성 표면을 갖는 감광층을 제공하는 단계;
    (b) 감광성 점착성 표면을 상 방식(image-wise) 노광시켜 점착성 및 비점착성 영역을 갖는 상형성된 층을 형성시키는 단계;
    (c) 지지체 상에 배치된 1개 이상의 후막 조성물 층을 포함하는 시트를, 상형성된 층이 시트의 후막 조성물과 접촉하도록 상형성된 층에 도포하는 단계;
    (d) 후막 조성물이 상형성된 층의 비점착성 영역에서는 지지체 상에 남아있고, 후막 조성물이 상형성된 층의 점착성 영역에 실질적으로 부착되도록 지지체를 제거하여 패턴화된 물품을 형성시키는 단계; 및
    (e) 패턴화된 물품의 후막 조성물을 연소시키는 단계
    를 포함하는, 기판 상에 전기 기능성을 갖는 패턴의 형성 방법.
  2. (a) 기판 상에 배치되는 점착성 표면을 갖는 감광층을 제공하는 단계;
    (b) 감광성 점착성 표면을 상 방식 노광시켜 점착성 및 비점착성 영역을 갖는 상형성된 층을 형성시키는 단계;
    (c) 지지체 상에 배치된 1개 이상의 후막 조성물 층을 포함하는 시트에, 상형성된 층이 시트의 후막 조성물과 접촉하도록 노광된 감광층을 도포하는 단계;
    (d) 후막 조성물이 상형성된 층의 점착성 영역에 실질적으로 부착되고 상형성된 층의 비점착성 영역에서는 지지체 상에 남아있도록 상형성된 층을 제거하여패턴화된 물품을 형성시키는 단계; 및
    (e) 패턴화된 물품의 후막 조성물을 경화시키는 단계
    를 포함하는, 기판 상에 전기 기능성을 갖는 패턴의 형성 방법.
  3. (a) 기판 상에 배치되는 점착성 표면을 갖는 층을 제공하는 단계;
    (b) 지지체 상에 배치된 1개 이상의 후막 조성물 층을 포함하는 시트를, 점착성 표면이 시트의 후막 조성물과 접촉하도록 점착성 표면에 도포하는 단계;
    (c) 후막 조성물이 점착성 표면에 실질적으로 부착되도록 지지체를 제거하여 패턴화된 물품을 형성시키는 단계; 및
    (d) 패턴화된 물품의 후막 조성물을 연소시키는 단계
    를 포함하는, 기판 상에 전기 기능성을 갖는 패턴의 형성 방법.
  4. 제1 또는 2항에 있어서, 상기 단계 (a) 내지 (d)를 1회 이상 반복하는 방법.
  5. 제1 또는 3항에 있어서, 상기 후막 조성물이 연소가능한 후막 조성물인 방법.
  6. 제2항에 있어서, 상기 후막 조성물이 중합체 후막 조성물인 방법.
  7. 제1, 2 또는 3항에 있어서, 상기 후막 조성물이 옥살산 촉매된 알킬 t-부틸/아밀 페놀 수지인 방법.
  8. 제1 또는 2항에 있어서, 상기 기판이 유리, 유리-세라믹, 저온 동시연소된 세라믹, 세라믹 및 코팅된 기판으로부터 선택된 방법.
  9. 제1, 2 또는 3항에 있어서, 상기 감광층이 광경화성인 방법.
  10. 제1 또는 3항에 있어서, 상기 연소 단계가 400 ℃ 이상의 연소 온도를 포함하는 방법.
  11. (a) 제1 지지체 상의 건조된 후막 조성물을 용매욕을 통과시켜 후막 조성물의 용액을 형성시키는 단계;
    (b) 용액의 점도를 조절하여 주형적성 용액을 형성시키는 단계; 및
    (c) 제2 지지체 상에 주형적성 용액을 도포하는 단계
    의 순차적인 단계들을 포함하는, 역 회로 패턴 형태의 건조된 후막 조성물을 갖는 지지체를 포함하는 지지체로부터 후막 조성물의 회수 방법.
  12. 제11항에 있어서, 용액을 주기적으로 제거하는 단계를 추가로 포함하는 방법.
  13. 제11항에 있어서, 용매가 휘발되고 건조된 용액 및 지지체가 시트를 형성하도록 제2 지지체 상에서 용액을 건조시키는 단계를 추가로 포함하는 방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 시트를 제1, 2 또는 3항의 방법에 이용하는 방법.
  15. 지지체 상에 배치된 후막 조성물과 접촉하는, 기판 상에 배치되는 점착성 및 비점착성 영역을 갖는 상형성된 층을 포함하는 전기 기능성을 형성시키기 위한 패턴을 갖는 중간체.
  16. 제15항에 있어서, 상기 후막 조성물이 연소가능한 후막 조성물을 포함하는 중간체.
  17. 제15항에 있어서, 상기 후막 조성물은 조성물이 지지체보다는 점착성 표면에 보다 큰 접착력을 가질 수 있게 하는 정착제를 포함하는 중간체.
  18. 제17항에 있어서, 상기 정착제가 옥살산 촉매된 알킬 t-부틸/아밀 페놀 수지인 중간체.
  19. 제15항에 있어서, 상기 상형성된 층이 감광성 조성물을 포함하는 중간체.
  20. 제15항에 있어서, 상기 후막 조성물이 중합체 후막 조성물인 중간체.
  21. (a) 감광층을 화학선에 상 방식 노광시켜 상 방식 노광된 표면을 형성시킴으로써 감광층의 표면 상에 점착성 및 비점착성 영역을 형성시키는 단계;
    (b) 점착성 영역에 실질적으로 부착되지만 비점착성 영역에는 부착되지 않는 후막 조성물과 상 방식 노광된 표면을 접촉시켜 상 방식 노광된 표면 상에 후막 조성물의 패턴을 형성시키는 단계; 및
    (c) 상 방식 노광된 표면 상의 후막 조성물을 연소시키는 단계
    를 포함하는, 후막 조성물로 전기 기능성을 갖는 패턴을 형성시키기 위한 감광층의 사용 방법.
  22. 제21항에 있어서, 상기 후막 조성물은 조성물이 지지체보다는 점착성 표면에 보다 큰 접착력을 가질 수 있게 하는 정착제를 포함하는 방법.
  23. 제21항에 있어서, 상기 정착제가 옥살산 촉매된 알킬 t-부틸/아밀 페놀 수지인 방법.
  24. 제21항에 있어서, 상기 감광층이 광경화성인 방법.
  25. (a) 감광층; 및
    (b) 전기 기능성을 부여하는 후막 조성물이 도포된 시트
    를 포함하는 회로 패턴 형성용 시스템.
  26. 제25항에 있어서, 상기 후막 조성물이 연소가능한 후막 조성물인 시스템.
  27. 제25항에 있어서, 상기 후막 조성물은 조성물이 지지체보다는 점착성 표면에 보다 큰 접착력을 가질 수 있게 하는 정착제를 포함하는 시스템.
  28. 제25항에 있어서, 상기 정착제가 옥살산 촉매된 알킬 t-부틸/아밀 페놀 수지인 시스템.
  29. 제25항에 있어서, 상기 감광층이 광경화성인 시스템.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101005791B1 (ko) * 2008-08-08 2011-01-06 (유)정명산업 도로 표지병

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101042667B1 (ko) * 2004-07-05 2011-06-20 주식회사 동진쎄미켐 포토레지스트 조성물
US7384577B2 (en) 2005-03-09 2008-06-10 E.I. Du Pont De Nemours And Company Black conductive thick film compositions, black electrodes, and methods of forming thereof
US7326370B2 (en) 2005-03-09 2008-02-05 E. I. Du Pont De Nemours And Company Black conductive thick film compositions, black electrodes, and methods of forming thereof
US7645564B2 (en) * 2006-03-03 2010-01-12 Haixin Yang Polymer solutions, aqueous developable thick film compositions, processes of making and electrodes formed thereof
US7678296B2 (en) 2006-05-04 2010-03-16 E. I. Du Pont De Nemours And Company Black conductive thick film compositions, black electrodes, and methods of forming thereof
US7608784B2 (en) 2006-07-13 2009-10-27 E. I. Du Pont De Nemours And Company Photosensitive conductive paste for electrode formation and electrode
US7655864B2 (en) 2006-07-13 2010-02-02 E.I Du Pont De Nemours And Company Photosensitive conductive paste for electrode formation and electrode
US20080047930A1 (en) * 2006-08-23 2008-02-28 Graciela Beatriz Blanchet Method to form a pattern of functional material on a substrate
US7875313B2 (en) * 2007-04-05 2011-01-25 E. I. Du Pont De Nemours And Company Method to form a pattern of functional material on a substrate using a mask material
US20090277582A1 (en) * 2008-05-09 2009-11-12 E. I. Du Pont De Nemours And Company Thick film recycling method
US20100209843A1 (en) * 2009-02-16 2010-08-19 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process for thick film circuit patterning
TW201115592A (en) * 2009-06-19 2011-05-01 Du Pont Glass compositions used in conductors for photovoltaic cells
EP3025566B1 (en) * 2013-07-23 2021-04-07 Rogers Corporation Circuit materials, circuit laminates, and methods of manufacture thereof
KR102212674B1 (ko) * 2014-07-09 2021-02-05 동우 화인켐 주식회사 후막 패턴 구조 및 그의 형성 방법
JP6839476B2 (ja) * 2016-09-26 2021-03-10 カンタツ株式会社 パターン形成用シート

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1021874C (zh) * 1987-01-19 1993-08-18 福克斯保罗公司 印刷线路板的图形抗蚀法
US4877697A (en) * 1988-05-26 1989-10-31 Hoechst Aktiengesellschaft Color filter array for liquid crystal display device
DE3913117A1 (de) * 1989-04-21 1990-10-25 Du Pont Deutschland Verfahren zur herstellung von elektrisch leitfaehigen mustern
EP0457071A3 (en) * 1990-05-12 1992-09-16 Du Pont De Nemours (Deutschland) Gmbh Process for generating fine conductor lines
KR0155877B1 (ko) * 1995-09-12 1998-12-15 이대원 다층 회로기판 및 그 제조방법
JP3322128B2 (ja) * 1996-07-05 2002-09-09 凸版印刷株式会社 積層体とそれを使用した厚膜回路の製造方法
KR19980084566A (ko) * 1997-05-23 1998-12-05 이대원 다층 인쇄회로기판 및 그 제조방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101005791B1 (ko) * 2008-08-08 2011-01-06 (유)정명산업 도로 표지병

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Publication number Publication date
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